KR100540698B1 - 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터 - Google Patents

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    • H10K10/476—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure comprising at least one organic layer and at least one inorganic layer

Abstract

본 발명은 절연막을 전기적 특성이 우수한 물질과 유전 특성이 우수한 물질을 적어도 포함하는 다층 구조로 형성함으로써, 소자의 성능을 개선할 수 있도록 한다는 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 단일 절연막 구조를 채용하기 때문에 전기적 특성과 유전 특성 등에 기인하는 소자의 성능이 떨어지는 종래의 유기물 트랜지스터와는 달리, 절연막 구조를 전기적 특성이 우수한 유기 또는 무기 절연체층과 유전 특성이 우수한 무기 또는 유기 절연체층을 적어도 포함하는 다층 구조로 형성하거나 혹은 전기적 특성이 우수한 유기 또는 무기 물질과 유전 특성이 우수한 무기 또는 유기 물질을 혼합한 혼합물 구조로 형성함으로써, 유기물 트랜지스터의 성능을 대폭적으로 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 유기물 트랜지스터의 응용 범위를 확장해 줌으로써 유기물 반도체 소자의 상용화를 촉진시킬 수 있는 것이다.

Description

개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터{ORGANIC TRANSISTOR HAVING IMPROVED INSULATION LAYER STRUCTURE}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터의 단면도,
도 2a 및 2b는 전류의 히스테리시스를 보이지 않는 단일 절연막을 이용한 경우의 소자 특성 예시도,
도 3a 및 3b는 전류의 히스테리시스를 보이나 유기물 반도체의 전하 이동도가 가장 큰 단일 절연막을 이용한 경우의 소자 특성 예시도,
도 4a 및 4b는 전류의 히스테리시스를 보이지 않으면서 유기물 반도체의 전하 이동도가 큰 본 발명에 따른 다층 절연막 구조를 이용한 소자의 특성 예시도,
도 5a, 5b 및 5c는 절연막 위에 형성된 유기물 반도체의 결정을 촬상한 사진,
도 6은 종래의 단일 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터의 단면도.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞
102 : 기판 104 : 게이트 전극
106 : 하부 절연막 108 : 상부 절연막
110 : 다층 절연막 112 : 액티브막
114a, 114b : 소오스/드레인 전극
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터에서 전기적 특성과 유전 특성을 개선시키는데 적합한 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터에 관한 것이다.
최근 들어, 연성 디스플레이, 스마트 픽셀, 솔라셀 등과 같은 새로운 응용 분야에서 많은 관심을 받고 있는 유기물 트랜지스터는 현재까지 그 성능이 무기물 트랜지스터에 비해 떨어지기 때문에 상용화가 지연되고 있는 실정이다. 특히, 유기물 반도체의 전하 이동도(mobility)가 무기물 반도체에 비해 작기 때문에 소자 제작에 있어 전하 이동도를 증가시키기 위한 많은 노력이 도처에서 진행되고 있으며, 이를 위해서는 소자 제작에 있어서 새로운 구조가 개발되거나 혹은 새로운 물질이 개발되는 것이 매우 시급한 실정이다.
도 6은 종래의 단일 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 단일 절연막 구조를 갖는 종래 유기물 트랜지스터는 기판(602) 상에 게이트 전극(604)이 형성되고, 게이트 전극(604)을 에워싸는 형태로 제 1 절연막(606)이 형성되며, 제 1 절연막(606) 상에 제 2 절연막(608)이 형성된다. 또한, 제 2 절연막(608)을 중심으로 하여 각각 분리되며, 제 2 절연막(608)의 상부 일부와 제 2 절연막(608) 및 제 1 절연막(606)의 측면을 에워싸는 형태로 소오스/드레인 전극(610a, 610b)이 형성되는 구조는 갖는다.
상기한 바와 같은 단일 절연막 구조의 종래 유기물 트랜지스터는 전기적 특성과 유전 특성을 모두 충족시킬 수가 없기 때문에 소자의 성능 특성이 저하될 수밖에 없을 뿐만 아니라 다양한 특성의 소자를 제조함에 있어서 절연막의 제약을 받을 수밖에 없으며, 이로 인해 응용 범위에 제한이 수반되어 상용화에 걸림돌로 작용하고 있는 실정이다.
잘 알려진 바와 같이, 유기물 반도체의 전하 이동도는 유기물 반도체 막 내의 결정 크기와 매우 깊은 관련성을 갖는다. 따라서, 유기물 반도체의 결정 크기를 크게 하기 위한 연구도 다양하게 진행되고 있으며, 가장 보편적으로 알려진 방법으로는 유기물 반도체 막을 증착할 때 기판의 온도를 조절함으로써 증착되는 결정의 크기를 조절하는 방법이다.
또한, 유기물 반도체의 결정 크기를 크게 하는 다른 하나의 방법으로는 자가 배열 물질(self assembled monolayer)을 이용해 절연막의 표면을 개질하여 유기물 반도체와 절연막 사이의 개면 특성을 조절함으로써 큰 결정을 형성하는 방법이다.
그러나, 상기한 종래 방법들은 그 공정 특성상 무기물 절연막에는 적용하기가 쉬우나 아래의 이유 등으로 인해 고분자 등과 같은 유기물 절연막에는 적용하기가 어렵다는 단점을 갖는다.
즉, 유기물 절연막은 고온 처리가 불가능하다는 문제가 있으며, 절연막의 표면을 개질하는 경우 그를 위해 유기 용매를 사용하게 되는데, 이는 유기물 절연막의 표면 특성을 오히려 저하시키는 문제가 있기 때문에 상기한 종래 방법들을 유기 물 절연막에 적용하기가 어렵다.
또한, 유기물 절연막을 소자 제조에 사용하는 데에 있어서 문제가 되는 또 하나는 소자의 전류 특성에 있어서 히스테리시스(hysteresis)를 보인다는 점이다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 절연막을 전기적 특성이 우수한 유기 또는 무기 물질과 유전 특성이 우수한 무기 또는 유기 물질을 적어도 포함하는 다층 구조로 형성함으로써, 소자의 성능을 개선할 수 있는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 절연막을 전기적 특성이 우수한 유기 또는 무기 물질과 유전 특성이 우수한 무기 또는 유기 물질을 혼합한 혼합물 구조로 형성함으로써, 소자의 성능을 개선할 수 있는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 일 형태에 따른 본 발명은, 유기물 반도체를 이용하는 유기물 트랜지스터에 있어서, 기판 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 형성된 액티브막과, 상기 액티브막을 중심으로 하여 각각 분리되며, 상기 액티브막 상에 형성된 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 절연막이 상대적으로 우수한 유전 특성을 갖는 유기 또는 무기 절연층과 상대적으로 우수한 전기적 특성을 갖는 무기 또는 유기 절연층을 적어도 각각 포함하는 다층 절연막 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터를 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위한 다른 형태에 따른 본 발명은, 유기물 반도체를 이용하는 유기물 트랜지스터에 있어서, 기판 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 형성된 액티브막과, 상기 액티브막을 중심으로 하여 각각 분리되며, 상기 액티브막 상에 형성된 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 절연막이 상대적으로 우수한 유전 특성을 갖는 제 1 의 유기 또는 무기 절연 물질과 상대적으로 우수한 전기적 특성을 갖는 제 2 의 무기 또는 유기 절연 물질을 적어도 각각 포함하는 다수의 절연 물질이 혼합된 혼합물 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터를 제공한다.
본 발명의 상기 및 기타 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 하기에 기술되는 본 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 핵심 기술요지는, 단일 절연막 구조를 채용하기 때문에 전기적 특성과 유전 특성 등에 기인하는 소자의 성능이 떨어지는 전술한 종래의 유기물 트랜지스터와는 달리, 절연막 구조를 전기적 특성이 우수한 유기 또는 무기 절연체층과 유전 특성이 우수한 무기 또는 유기 절연체층을 적어도 포함하는 다층 구조(예컨대, 이층 구조)로 형성하거나 혹은 전기적 특성이 우수한 유기 또는 무기 물질과 유전 특성이 우수한 무기 또는 유기 물질을 혼합한 혼합물 구조로 형성한다는 것으로, 이러한 기술적 수단을 통해 본 발명에서 목적으로 하는 바를 쉽게 달성할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 유기 절연체층들 만으로 다층 절연막 구조를 형성하는 것뿐만 아니라 유기 절연체층과 무기 절연체층의 조합 또는 무기 절연체층과 유기 절연체층의 조합으로 하여 다층 절연막 구조를 형성할 수도 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 유기물 트랜지스터는 기판(102) 상에 게이트 전극(104), 액티브막(112) 및 소오스/드레인 전극(114a, 114b)이 형성되는 구조를 갖는다는 점에 있어서는 전술한 종래의 유기물 트랜지스터와 동일하며, 다만 종래 유기물 트랜지스터가 게이트 전극 위에 단일 절연막 구조를 형성하는데 반해 본 발명의 유기물 트랜지스터는 게이트 전극(104) 위에 하부 절연막(106)과 상부 절연막(108)으로 된 다층 절연막(110)(또는 혼합 절연막 구조)을 형성한다는 점에 큰 차이점을 가지며, 이러한 차이점에 의해 본 발명에서 목적으로 하는 바를 실현할 수 있다.
따라서, 본 발명의 유기물 트랜지스터는 먼저, 증착, 선택적 식각 등의 공정을 수행하여 기판(102) 상에 임의의 패턴을 갖는 게이트 전극(104)을 형성하고, 다시 순차적인 증착 공정을 수행하여 기판 전면에 걸쳐 하부 절연 물질과 상부 절연 물질을 순차 형성한 다음 선택적인 식각 공정을 수행하여 게이트 전극(104)을 매립 하는 영역을 제외한 나머지 영역들에 있는 절연 물질들을 선택적으로 제거함으로써, 하부 절연막(106)과 상부 절연막(108)으로 된 다층 절연막(110)을 게이트 전극(104) 위에 형성한다. 이때, 하부 절연 물질과 상부 절연 물질이 모두 유기 물질이라고 가정할 때, 용매에 의해 서로 녹이는 것을 방지하기 위해, 두 유기 물질을 녹이는 용매를 서로 다르게 선택함으로써, 원하는 유기 물질만을 선택적으로 녹이도록 하는 것이 필요하다.
여기에서, 하부 절연막(106)으로는 유기 물질 혹은 무기 물질을 사용할 수 있고, 상부 절연막(108)으로는 유기 물질 혹은 무기 물질을 사용할 수 있다. 따라서, 다층 절연막(110)은 두 유기 물질의 조합, 유기 물질과 무기 물질의 조합 혹은 무기 물질과 유기 물질의 조합으로 형성할 수 있다.
이어서, 증착 공정 및 선택적인 식각 공정을 수행함으로써, 상부 절연막(108) 상에 임의의 패턴을 갖는 유기물 반도체 박막, 즉 액티브막(112)을 형성하고, 다시 스퍼터링 등의 증착 공정을 수행하여 기판의 전면에 걸쳐 금속 물질을 증착한 후에 선택적인 식각 공정을 수행함으로써 임의의 패턴을 갖는 소오스/드레인 전극(114a, 114b), 즉 액티브막(112)의 상부 일부와 액티브막(112) 및 다층 절연막(110)의 측면을 에워싸는 형태로 된 소오스/드레인 전극(114a, 114b)을 형성한다.
여기에서, 본 발명의 유기물 트랜지스터의 구조에 채용되는 다층 절연막(110)을 형성하는 하부 절연막(106)은 유전 특성이 우수한 유기 절연체 혹은 무기 절연체를 선택적으로 이용할 수 있고, 상부 절연막(108)은 전기적 특성이 우수한 유기 절연체 혹은 무기 절연체를 선택적으로 이용할 수 있다.
따라서, 본 발명의 유기물 트랜지스터에 채용되는 다층 절연막(110)은 유기 절연체층과 유기 절연체층의 조합, 유기 절연체층과 무기 절연체층의 조합 혹은 무기 절연체층과 유기 절연체층의 조합으로 구성할 수 있다.
삭제
예를 들어, 본 발명의 유기물 트랜지스터는 우수한 전기적 특성을 갖는 절연 물질인 poly를 상부 절연막(108)으로 사용하고, 우수한 유전 특성을 갖는 절연 물질인 poly를 하부 절연막(106)으로 사용할 수 있다. 이때, 전기적 특성이 양호하면서 유전 특성이 개선되도록 하기 위해서는 하부 절연막(106)에 비해 상부 절연막(108)의 두께를 상대적으로 박막으로 하는 것이 바람직하다. 즉, 하부 절연막(106)의 두께를 수 내지 수십 ㎛으로 할 때 상부 절연막(108)은 수 내지 수백 ㎚ 정도(예컨대, 100㎚ 이하 등)의 두께로 하는 것이 바람직하다.
이때, 하부 절연막(106)으로 사용 가능한 유전 특성이 우수한 유기 절연막으로는, 예를 들면 PVAC(poly vinylacetate), PS(poly styrene), PMMA(poly methacrylate) 등을 들 수 있으며, 상부 절연막(108)으로 사용 가능한 전기적 특성이 우수한 유기 절연막으로는, 예를 들면 PVPH(poly vinylphenal), PHEMA(poly (2-hydroxyethyl methacrylate)), PHPMA(poly (2-hydroxypropyl methacrylate)), PVA(poly vinyl alcohol) 등을 들 수 있다.
따라서, 본 발명의 유기물 트랜지스터는 우수한 유전 특성을 갖는 절연막을 게이트 전극 위에 형성하고, 그 위에 우수한 전기적 특성을 갖는 절연막을 형성하는 방식으로 하여 절연막 구조를 다층 구조로 형성(즉, 두 가지 다른 물리적 특성을 갖는 유기 물질(또는 무기 물질)들을 형성)하기 때문에 유기물 반도체 소자의 성능을 대폭적으로 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 유기물 트랜지스터의 응용 범위를 확장해 줌으로써 유기물 반도체 소자의 상용화를 촉진시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 바람직한 실시 예에서는 게이트 전극(104) 위의 절연막 구조를 하부 절연막(106)과 상부 절연막(108)으로 된 다층 절연막(110)으로 하는 것으로 하여 설명하였으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 필요 또는 용도에 따라 다층 절연막(110)을 N개 층의 절연막들로 구성할 수 있음은 물론이다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시 예에서는 게이트 전극(104) 위의 절연막 구조를 하부 절연막(106)과 상부 절연막(108)으로 된 다층 절연막(110)으로 하는 것으로 하여 설명하였으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 두 개 혹은 그 이상의 유기 물질들을 혼합하거나, 두 개 혹은 그 이상의 유기 물질과 무기 물질을 혼합하여 생성한 혼합물을 절연막 구조로 채용할 수 있음은 물론이다.
다음에, 본 발명의 발명자들은 본 발명에 따라 제조된 다층 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터와 단일 절연막 구조를 갖는 종래 유기물 트랜지스터에 대한 특성 비교 실험을 하였으며, 그 결과는 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같다.
도 2a 및 2b는 전류의 히스테리시스를 보이지 않는 단일 절연막을 이용한 경우의 소자 특성 예시도이고, 도 3a 및 3b는 전류의 히스테리시스를 보이나 유기물 반도체의 전하 이동도가 가장 큰 단일 절연막을 이용한 경우의 소자 특성 예시도이며, 도 4a 및 4b는 전류의 히스테리시스를 보이지 않으면서 유기물 반도체의 전하 이동도가 큰 본 발명에 따른 다층 절연막 구조를 이용한 소자의 특성 예시도이고, 도 5a, 5b 및 5c는 절연막 위에 형성된 유기물 반도체의 결정을 촬상한 사진이다.
도 2를 참조하면, 도 2a는 유기물 트랜지스터에서의 전류 특성을 나타내고, 도 2b는 소오스/드레인 사이의 전압을 일정한 값(예컨대, -50)으로 고정한 상태에서 게이트 전압을 +10V에서 -60V로 스캔한 다음 다시 역방향으로 -60V에서 +10V로 스캔했을 때 소자의 특성을 나타낸 것이다.
도 3a는 소자의 이동도가 0.1㎝2v-1s-1로 매우 큰 값을 나타내지만, 전류 특성에 있어서 히스테리시스가 매우 큰 단일 절연막을 사용한 경우의 소자의 특성을 나타낸다.
도 4a 및 4b를 참조하면, 유전 특성이 우수한 절연막과 전하 이동도가 큰 절연막을 이용하여 이중 절연막을 형성한 소자의 특성을 나타낸 것으로, 전하 이동도가 0.1㎝2v-1s-1로 매우 큰 값을 나타내면서도 전류 특성에서 히스테리시스가 없음을 분명하게 알 수 있다.
도 5a, 5b 및 5c는 상기한 도 2, 도 3 및 도 4의 각각의 소자에 있어서 절연막 위에 형성된 유기물 반도체의 결정을 보여주는 것으로, 도 5a의 경우 결정의 크기가 매우 작아 전하 이동도가 작다는 것을 보여주고, 5b 및 5c는 결정의 크기가 도 5a에 비해 매우 크며, 이중 절연막을 이용한 소자가 큰 전하 이동도를 나타냄을 잘 보여준다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 단일 절연막 구조를 채용하기 때 문에 전기적 특성과 유전 특성 등에 기인하는 소자의 성능이 떨어지는 전술한 종래의 유기물 트랜지스터와는 달리, 절연막 구조를 전기적 특성이 우수한 유기 절연체층과 유전 특성이 우수한 유기 절연체층을 적어도 포함하는 다층 구조로 형성하거나 혹은 전기적 특성이 우수한 물질과 유전 특성이 우수한 물질을 혼합한 혼합물 구조로 형성함으로써, 유기물 트랜지스터의 성능을 대폭적으로 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 유기물 트랜지스터의 응용 범위를 확장해 줌으로써 유기물 반도체 소자의 상용화를 촉진시킬 수 있다.

Claims (13)

  1. 유기물 반도체를 이용하는 유기물 트랜지스터에 있어서,
    기판 상에 형성된 게이트 전극과,
    상기 게이트 전극 상에 형성된 절연막과,
    상기 절연막 상에 형성된 액티브막과,
    상기 액티브막을 중심으로 하여 각각 분리되며, 상기 액티브막 상에 형성된 소오스/드레인 전극을 포함하며,
    상기 절연막이 상대적으로 우수한 유전 특성을 갖는 유기 또는 무기 절연층과 상대적으로 우수한 전기적 특성을 갖는 무기 또는 유기 절연층을 적어도 각각 포함하는 다층 절연막 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연막은,
    상기 게이트 전극 상에 형성되며, 상대적으로 우수한 유전 특성을 갖는 하부 절연막과,
    상대적으로 우수한 전기적 특성을 갖는 상기 하부 절연막 상의 상부 절연막
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 하부 절연막과 상부 절연막은, 각각 유기 절연체층인 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 하부 절연막은 PVAC(poly vinylacetate), PS(poly styrene) 및 PMMA(poly methacrylate) 중 어느 하나이고, 상기 상부 절연막은 PVPH(poly vinylphenal), PHEMA(poly (2-hydroxyethyl methacrylate)), PHPMA(poly (2-hydroxypropyl methacrylate)) 및 PVA(poly vinyl alcohol) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 하부 절연막은 유기 절연체층이고, 상기 상부 절연막은 무기 절연체층인 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 하부 절연막은 무기 절연체층이고, 상기 상부 절연막은 유기 절연체층인 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
  7. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 절연막은, 상기 하부 절연막에 비해 상대적으로 박막인 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 하부 절연막은 수 내지 수십 ㎛의 두께 범위를 가지며, 상기 상부 절연막은 수 내지 수백 ㎚의 두께 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 상부 절연막은, 적어도 100㎚ 보다 작은 두께 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
  10. 유기물 반도체를 이용하는 유기물 트랜지스터에 있어서,
    기판 상에 형성된 게이트 전극과,
    상기 게이트 전극 상에 형성된 절연막과,
    상기 절연막 상에 형성된 액티브막과,
    상기 액티브막을 중심으로 하여 각각 분리되며, 상기 액티브막 상에 형성된 소오스/드레인 전극을 포함하며,
    상기 절연막이 상대적으로 우수한 유전 특성을 갖는 제 1 의 유기 또는 무기 절연 물질과 상대적으로 우수한 전기적 특성을 갖는 제 2 의 무기 또는 유기 절연 물질을 적어도 각각 포함하는 다수의 절연 물질이 혼합된 혼합물 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 의 절연 물질은, 각각 유기 물질인 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 의 절연 물질은 PVAC(poly vinylacetate), PS(poly styrene) 및 PMMA(poly methacrylate) 중 어느 하나이고, 상기 제 2 의 절연 물질은 PVPH(poly vinylphenal), PHEMA(poly (2-hydroxyethyl methacrylate)), PHPMA(poly (2-hydroxypropyl methacrylate)) 및 PVA(poly vinyl alcohol) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 의 절연 물질은 유기 물질 또는 무기 물질이고, 상기 제 2 의 절연 물질은 무기 물질 또는 유기 물질인 것을 특징으로 하는 개선된 절연막 구조를 갖는 유기물 트랜지스터.
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