KR100510585B1 - 반도체 플라즈마 장비에서의 반사신호 헌팅 감지 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 플라즈마 장비에서의 반사신호(ReFlect:반사신호) 헌팅 감지 방법에 관한 것으로, 검출되는 반사신호 데이터와 기준신호를 비교하여 반사신호 데이터가 기준 신호값 범위 이상 또는 이하인지를 판단하는 단계와, 반사신호 데이터가 기준 신호값 이상 또는 이하이면 반사신호 헌팅 발생으로 판단하고 제 1 알람 신호를 출력하는 단계와, 반사신호 헌팅 발생 판단 회수가 기설정 회수 이상인지를 판단하고 기설정 회수 이상이면 제 2 알람 신호를 출력하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 비연속적인 반사신호 헌팅 상황에서도 반사신호 헌팅을 신뢰성 있게 감지할 수 있는 바, 비정상적인 공정 진행으로 인한 웨이퍼 파손을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 플라즈마 장비에서의 반사신호 헌팅 감지 방법{METHOD FOR DETECTING A REFLECT DATA HUNTING IN A SEMICONDUCTOR PLASMA EQUIPMENT}

본 발명은 반도체 플라즈마 장비에서의 반사신호(ReFlect:RF) 파워 검출 기술에 관한 것으로, 특히, 플라즈마 장비의 반사신호 헌팅(hunting)에 따른 비정상적인 공정 진행을 방지하는데 적합한 반도체 플라즈마 장비에서의 반사신호 헌팅 감지 방법에 관한 것이다.

플라즈마 장비라 함은, 반도체 디바이스의 제작을 위해 널리 통용되는 장비이다.

이러한 플라즈마 장비에는 반사신호 헌팅에 따른 비정상적인 공정 진행을 감지할 수 있는 기능이 구비되는데, 플라즈마가 초기 형성되는 과정에서 문제가 발생했을 경우, 종래에는 지속적인(예를 들어, 10sec 이상) 에러 발생이 유지되어야만 장비에서 인터락 기능(interlock function)을 수행하였다.

즉, 비연속적인 반사신호 헌팅이 발생했을 경우에는 이를 감지할 수 있는 기술이 마련되지 않은 바, 공정 이상 유무를 사전에 감지하고 대처할 수 없다는 문제가 제기되었다. 특히, 타임 식각 공정(엔드포인트 장비를 사용하지 않는 식각 공정)에서는 그 문제가 더욱 심각하게 대두되고 있다.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위해 안출한 것으로, 기준 신호(Reference data)를 이용하여 반사신호 헌팅을 검출하여 알람을 발생함으로써, 비연속적인 반사신호 헌팅으로 인한 공정 이상 발생시에도 적절한 대처가 가능한 반도체 플라즈마 장비에서의 반사신호 헌팅 감지 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 반사신호 데이터를 검출하는 반도체 플라즈마 장비에서의 반사신호 헌팅 감지 방법에 있어서, 검출되는 반사신호 데이터와 기준 신호를 비교하여 반사신호 데이터가 기준 신호값 범위 이상 또는 이하인지를 판단하는 단계와, 반사신호 데이터가 기준신호값 범위 이상 또는 이하이면 반사신호 헌팅 발생으로 판단하고 제 1 알람 신호를 출력하는 단계와, 반사신호 헌팅 발생 판단 회수가 기설정 회수 이상인지를 판단하고 기설정 회수 이상이면 제 2 알람 신호를 출력하는 단계를 포함하는 반도체 플라즈마 장비에서의 반사신호 헌팅 감지 방법을 제공한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하고자 한다.

도 1은 본 발명에 따른 반사신호 헌팅 검출 방법을 구현하기 위한 반사신호 데이터 검출 장치의 개략적인 시스템 구성도로서, 반사신호 데이터 검출부(100), 제어부(102), 기준신호 테이블(104), 알람 발생부(106)를 포함한다.

도시한 바와 같이, 반사신호 데이터 검출부(100)는 플라즈마 장비로부터 입력되는 반사신호 신호를 검출하여 제어부(102)로 인가하는 기능을 수행한다.

제어부(102)는 이러한 반사신호 신호와 기준 신호를 비교하고, 반사신호 신호가 기준 신호값 범위 이상 또는 이하인지를 판단하여 그에 따른 제어 기능을 수행한다.

즉, 제어부(102)에는 기준 신호 테이블(104)이 연결되는 바, 반사신호 데이터 검출부(100)로부터의 반사신호 신호와 기준 신호 테이블(104)에서 독취한 기준 신호의 출력값 범위를 비교한다.

또한, 제어부(102)에는 알람 발생부(106)가 구비되며, 제어부(102)의 제어하에 소정 알람 신호를 외부로 출력한다.

이하, 상술한 구성과 함께, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 플라즈마 장비에서의 반사신호 헌팅 감지 과정을 첨부한 도 2의 흐름도를 참조하여 상세히 설명한다.

먼저, 단계(S200) 및 단계(S202)에서 제어부(102)는 반사신호 데이터 검출부(100)로부터 반사신호 데이터를 검출한 다음, 검출되는 반사신호 데이터와 기준 신호 테이블(104)로부터의 기준 신호를 비교한다.

즉, 도 3의 기준 신호와 반사신호 데이터의 출력 파형 그래프에 나타난 바와 같은 반사신호 데이터와 기준 신호의 출력 값을 비교한다.

여기서, 가는 선은 실제 공정이 진행되면서 발생하는 반사신호 데이터를 나타내며, 굵은 선은 이러한 반사신호 데이터에 대한 기준 신호를 나타낸다. 즉, 본 발명에서는 이러한 기준 신호를 이용하여 실제 공정 진행 반사신호 헌팅이 발생했을 시, 후술하는 과정의 설명에 나타난 바와 같이, 장비 알람 발생 유무를 판단하는 것이다.

한편, 단계(S204)에서 제어부(102)는 반사신호 데이터가 기준 신호값 범위 이상 또는 이하인지를 판단하고, 반사신호 데이터가 기준 신호값 범위 이상 또는 이하이면 단계(S206)로 진행하여 반사신호 헌팅 발생으로 판단한다.

이후, 단계(S208)에서 제어부(102)는 소정의 알람 신호를 출력하도록 알람 발생부(106)를 제어한다.

다른 한편, 제어부(102)는 단계(S210)로 진행하여 반사신호 헌팅 발생 판단 회수를 검출하고, 반사신호 헌팅 발생 판단 회수가 기설정 회수, 예컨대, 4회 이상인지를 판단한다.

만일, 기설정 회수 이상이면 제어부(102)는 단계(S212)로 진행하여 소정의 알람 신호를 출력하도록 알람 발생부(106)를 제어한다. 이러한 과정은 본 발명에 따른 헌팅 감지 방법을 보다 구체화하기 위한 것으로, 플라즈마 헌팅 감지를 보다 신뢰성 있게 구현할 수 있을 것이다.

본 발명에 의하면, 비연속적인 반사신호 헌팅 상황에서도 반사신호 헌팅을 신뢰성 있게 감지할 수 있는 바, 비정상적인 공정 진행으로 인한 웨이퍼 파손을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.

이상, 본 발명을 실시예에 근거하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 후술하는 특허청구범위내에서 여러 가지 변형이 가능한 것은 물론이다.

도 1은 본 발명에 따른 반사신호 헌팅 감지 방법을 구현하기 위한 반사신호 데이터 검출 장치의 개략적인 시스템 구성도,

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 플라즈마 장비에서의 반사신호 헌팅 감지 과정의 흐름도,

도 3은 본 실시예에 적용되는 기준 신호와 반사신호 데이터의 출력 파형 그래프.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 반사신호 데이터 검출부 102 : 제어부

104 : 기준신호 테이블 106 : 알람 발생부

Claims (2)

1. 삭제
2. 반사신호 데이터를 검출하는 반도체 플라즈마 장비에서의 반사신호 헌팅 감지 방법에 있어서,

   검출되는 반사신호 데이터와 기준신호를 비교하여 상기 반사신호 데이터가 기준 신호값 범위 이상 또는 이하인지를 판단하는 단계와,

   상기 반사신호 데이터가 상기 기준 신호값 범위 이상 또는 이하이면 반사신호 헌팅 발생으로 판단하고 제 1 알람 신호를 출력하는 단계와,

   상기 반사신호 헌팅 발생으로 판단한 회수를 검출하는 단계와,

   상기 반사신호 헌팅 발생으로 판단한 회수가 기설정 회수 이상인지를 판단하고 상기 반사신호 헌팅 발생으로 판단한 회수가 상기 기설정 회수 이상이면 제 2 알람 신호를 출력하는 단계

   를 포함하는 반도체 플라즈마 장비에서의 반사신호 헌팅 감지 방법.