KR100506969B1 - How to test the leakage of semiconductor devices - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 리키지 테스트 방법을 공개한다. 그 방법은 전원전압 인가핀, 접지전압 인가 핀 및 소정수의 핀들, 상기 소정수의 핀들 각각에 연결된 애노우드와 상기 전원전압 인가핀에 연결된 캐소우드를 가진 제1다이오우드, 상기 소정수의 핀들 각각에 연결된 캐소우드와 상기 접지전압 인가핀에 연결된 애노우드를 가진 제2다이오우드, 및 상기 소정수의 핀들 각각에 연결된 입력단자를 가진 인버터들을 구비한 반도체 소자의 리키지 테스트 방법에 있어서, 상기 전원전압 인가핀과 상기 접지전압 인가핀에 각각 전원전압과 네거티브 전원전압을 인가하고, 상기 소정수의 핀들에 모두 접지전압을 인가하는 단계, 및 상기 전원전압 인가핀과 접지전압 인가핀을 통하여 누설전류를 측정하는 단계로 구성되어 있다.The present invention discloses a leakage test method for a semiconductor device. The method includes a power supply voltage applying pin, a ground voltage applying pin and a predetermined number of pins, a first diode having an anode connected to each of the predetermined number of pins and a cathode connected to the power supply voltage applying pin, and each of the predetermined number of pins. A method for testing a semiconductor device of a semiconductor device, comprising: a second diode having a cathode connected to the ground and an anode connected to the ground voltage applying pin; and an inverter having an input terminal connected to each of the predetermined number of pins. Applying a power supply voltage and a negative power supply voltage to an applying pin and the ground voltage applying pin, respectively, applying a ground voltage to all of the predetermined number of pins, and applying a leakage current through the supply voltage applying pin and the ground voltage applying pin. It consists of measuring steps.

Description

반도체 소자의 리키지 테스트 방법How to test the leakage of semiconductor devices

본 발명은 테스트 방법에 관한 것으로, 특히 테스트 타임을 줄일 수 있는 반도체 소자의 리키지 테스트 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test method, and more particularly, to a test method for a semiconductor device for reducing test time.

오늘날 소비자는 보다 높은 품질의 제품을 요구하고 있으며 이러한 품질의 향상을 위하여 반도체 제조 회사는 보다 까다로운 제품 검사를 실시하고 있다.Today's consumers demand higher quality products, and semiconductor manufacturers are conducting more stringent product inspections to improve this quality.

또한, 테스트 타임을 줄이기 위한 방법으로서 듀얼(dual) 및 병렬(parallel) 방법을 사용하고 있지만 테스트 항목별 타임은 줄어들지 않고 느는 추세이다.In addition, the dual and parallel methods are used to reduce the test time, but the test item time is not decreasing.

특히, 기능 믹스(mix)에 의해 다 핀(pin) 입력 구조를 가지며 DC 테스트 방법에 따라 테스트 비용은 좌우되게 되어 있다.In particular, the function mix has a multi-pin input structure and the test cost depends on the DC test method.

DC테스트 방법은 칩의 전기적 특성을 측정하는 테스트로 오픈/쇼트 테스트, 입출력 핀 리키지 테스트, 전류 테스트 등을 검사하며, 동적 기능 테스트는 패턴 및 타이밍 파라메타, 스크램블(scramble) 등을 이용하여 소자의 동작 기능을 테스트하는 것이다. The DC test method is a test that measures the electrical characteristics of the chip. It examines the open / short test, the input / output pin leakage test, and the current test. The dynamic function test uses the pattern and timing parameters, the scramble, etc. To test the behavior.

DC테스트 방법중 리키지 테스트는 측정 소자의 입,출력 핀 리키지를 테스트하는 것으로, 테스트는 해당 소자의 입, 출력 핀에 대하여 정전압을 인가하여 누설 전류를 측정하는 것이다.Among the DC test methods, the leakage test is to test the input and output pins of the measuring device. The test is to measure the leakage current by applying a constant voltage to the input and output pins of the corresponding device.

그런데, 종래의 반도체 소자의 리키지 테스트 방법의 테스트 타임은 장비가 지원하는 핀수의 범위가 클수록 시간은 줄어들게 된다. However, the test time of the conventional test method for the semiconductor device of the semiconductor device decreases as the number of pins supported by the device increases.

그러나, 장비가 지원하는 핀수는 제한되어 있기 때문에 한 번의 테스트로 모든 핀의 누설 전류를 측정한다는 것은 불가능하다는 단점이 있다. However, because the number of pins supported by the equipment is limited, it is impossible to measure the leakage current of all pins in one test.

본 발명의 목적은 한 번의 테스트로 모든 핀의 누설 전류를 동시에 측정할 수 있는 반도체 소자의 리키지 테스트 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for testing a semiconductor device of a semiconductor device capable of simultaneously measuring leakage currents of all pins in one test.

이와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 리키지 테스트 방법은 전원전압 인가핀, 접지전압 인가 핀 및 소정수의 핀들, 상기 소정수의 핀들 각각에 연결된 애노우드와 상기 전원전압 인가핀에 연결된 캐소우드를 가진 제1다이오우드, 상기 소정수의 핀들 각각에 연결된 캐소우드와 상기 접지전압 인가핀에 연결된 애노우드를 가진 제2다이오우드, 및 상기 소정수의 핀들 각각에 연결된 입력단자를 가진 인버터들을 구비한 반도체 소자의 리키지 테스트 방법에 있어서, 상기 전원전압 인가핀과 상기 접지전압 인가핀에 각각 전원전압과 네거티브 전원전압을 인가하고, 상기 소정수의 핀들에 모두 접지전압을 인가하는 단계, 및 상기 전원전압 인가핀과 접지전압 인가핀을 통하여 누설전류를 측정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the leakage test method of the semiconductor device of the present invention includes a power supply voltage applying pin, a ground voltage applying pin and a predetermined number of pins, and an anode connected to each of the predetermined number of pins and the power supply voltage applying pin. Inverters having a first diode having a connected cathode, a second diode having a cathode connected to each of the predetermined number of pins and an anode connected to the ground voltage applying pin, and an input terminal connected to each of the predetermined number of pins. A method for testing a semiconductor device, comprising: applying a power supply voltage and a negative power supply voltage to the power supply voltage applying pin and the ground voltage applying pin, respectively, and applying a ground voltage to all of the predetermined number of pins; and And measuring a leakage current through the power voltage applying pin and the ground voltage applying pin.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 반도체 소자의 리키지 테스트 방법을 설명하기 전에 종래의 반도체 소자의 리키지 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a description will be given of a conventional method of the semiconductor device before explaining the method for testing the semiconductor device of the present invention.

도1은 종래의 반도체 소자의 리키지 테스트 방법을 설명하기 위한 것으로, 16개의 핀을 가진 반도체 소자(100)를 나타낸 것이다. 그리고, 반도체 소자(100)의 각 핀(1 -12)에는 다이오우드들(D1, D1) 및 인버터(I)로 구성된 블록(10)이 존재한다. 블록(10)은 일반적인 반도체 소자의 각 핀에 연결되는 것으로 각 핀에 연결된 애노우드와 전원 전압(VDD) 인가 핀(9)에 공통 연결된 캐소우드를 가진 다이오우드(D1)와, 각 핀에 연결된 캐소우드와 접지 전압(VSS) 인가 핀(8)에 공통 연결된 애노우드를 가진 다이오우드(D2)와, 각 핀에 연결된 입력단자를 가진 인버터(I)로 구성되어 있다.FIG. 1 illustrates a conventional semiconductor device testing method, and illustrates a semiconductor device 100 having 16 pins. In each of the pins 1-12 of the semiconductor device 100, a block 10 including the diodes D1 and D1 and the inverter I is present. The block 10 is connected to each pin of a general semiconductor device, and a diode D1 having an anode connected to each pin and a cathode commonly connected to the power supply voltage V DD applying pin 9, and connected to each pin. It consists of a diode (D2) having an anode connected in common to the cathode and ground voltage (V SS ) applying pin (8), and an inverter (I) having an input terminal connected to each pin.

상술한 바와 같이 구성된 반도체 소자의 리키지 테스트 방법을 설명하기로 한다.A description will now be given of a leakage test method for a semiconductor device constructed as described above.

먼저, DC파워 공급기(미도시)를 이용하여 VSS핀과 VDD핀에 0V를 각각 인가한다. 그러면, 모든 블록(10)에 0V가 인가된다. 그리고, PE카드(미도시)를 통하여 핀(1)에 +5V를 인가한다. 그러면, 전류가 다이오우드(D1)를 통하여 흐르게 되고, 이때, 핀(9)에 연결된 DC파워 공급기의 전류 미터를 이용하여 누설전류를 측정하게 된다. 다음으로, 핀(1)을 통하여 -5V를 인가한다. 그러면, 전류가 다이오우드(D2)를 통하여 흐르게 되고, 이때, 핀(8)에 연결된 DC파워 공급기의 전류 미터를 이용하여 누설전류를 측정하게 된다. 이와같이 핀(1)에 대한 리키지 테스트가 끝나면 핀(2)에 대한 테스트를 수행하게 되고 이렇게 계속해서 핀(10)까지에 대한 리키지 테스트를 수행한다. 즉, 10개의 핀에 대한 리키지 테스트를 각각 수행하여야 한다.First, 0 V is applied to the V SS pin and the V DD pin using a DC power supply (not shown). Then, 0V is applied to all blocks 10. Then, + 5V is applied to the pin 1 through the PE card (not shown). Then, the current flows through the diode D1, and at this time, the leakage current is measured by using the current meter of the DC power supply connected to the pin 9. Next, -5V is applied through the pin (1). Then, a current flows through the diode D2, and at this time, the leakage current is measured by using a current meter of a DC power supply connected to the pin 8. As such, when the leak test on the pin 1 is completed, the test on the pin 2 is performed, and thus the leak test on the pin 10 is continued. In other words, each of the 10 pins must be tested for leakage.

따라서, 종래의 반도체 소자의 리키지 테스트 방법은 하나의 핀에 대한 리키지 테스트 타임이 T이라면 10핀에 대한 리키지를 수행하기 위하여 10T의 타임이 소요된다.Therefore, in the conventional test method for the semiconductor device, if the test time for one pin is T, the time required for 10T is performed to perform the reset for 10 pins.

도2는 본 발명의 반도체 소자의 리키지 테스트 방법을 설명하기 위한 것으로, 16개의 핀을 가진 반도체 소자를 나타낸 것이다.FIG. 2 is a diagram for describing a leakage test method of a semiconductor device of the present invention, and illustrates a semiconductor device having 16 pins.

먼저, 본 발명의 방법은 전원 전압 인가 핀(9)과 접지 전압 인가 핀(8)에 DC전원 공급기를 이용하여 각각 5V, -5V의 전압을 각각 인가한다. 그러면, 블록들(10)의 다이오우드들(D1, D2)에 각각 5V, -5V의 전압이 공통으로 인가된다. 그리고, PE카드를 이용하여 반도체 소자(100)의 모든 핀들(1-12)에 0V를 인가한다. 그러면, 블록들(10)의 다이오우드들(D1)을 통하여 전류가 흐르게 되고, 이때, 전원전압 인가 핀(9)에 연결된 DC파워 공급기의 전류 미터를 이용하여 누설 전류를 측정하게 된다. 또한, 접지전압 인가 핀(8)에 연결된 DC파워 공급기의 전류 미터를 이용하여 누설 전류를 측정하게 된다. 즉, 이 방법은 한 번의 측정으로 모든 핀의 누설 전류를 측정할 수 있게 된다.First, the method of the present invention applies voltages of 5V and -5V to the power supply voltage applying pin 9 and the ground voltage applying pin 8, respectively, using a DC power supply. Then, voltages of 5V and -5V are commonly applied to the diodes D1 and D2 of the blocks 10, respectively. Then, 0V is applied to all the pins 1-12 of the semiconductor device 100 using the PE card. Then, current flows through the diodes D1 of the blocks 10, and at this time, the leakage current is measured using a current meter of a DC power supply connected to the power voltage applying pin 9. In addition, the leakage current is measured by using a current meter of the DC power supply connected to the ground voltage applying pin (8). In other words, this method can measure the leakage current of all pins in one measurement.

본 발명의 반도체 소자의 리키지 테스트 방법은 모든 핀의 누설 전류를 동시에 측정할 수 있다.The leakage test method of the semiconductor device of the present invention can measure the leakage current of all the pins at the same time.

도1은 종래의 반도체 소자의 리키지 테스트 방법을 설명하기 위한 것이다.1 is a view for explaining a conventional test method for a semiconductor device.

도2는 본 발명의 반도체 소자의 리키지 테스트 방법을 설명하기 위한 것이다.Fig. 2 is a view for explaining the leakage test method of the semiconductor device of the present invention.

Claims (1)

전원전압 인가핀, 접지전압 인가 핀 및 소정수의 핀들, 상기 소정수의 핀들 각각에 연결된 애노우드와 상기 전원전압 인가핀에 연결된 캐소우드를 가진 제1다이오우드, 상기 소정수의 핀들 각각에 연결된 캐소우드와 상기 접지전압 인가핀에 연결된 애노우드를 가진 제2다이오우드, 및 상기 소정수의 핀들 각각에 연결된 입력단자를 가진 인버터들을 구비한 반도체 소자에서의 핀 누설전류에 대한 리키지 테스트 방법에 있어서,A first diode having a power voltage applying pin, a ground voltage applying pin and a predetermined number of pins, an anode connected to each of the predetermined number of pins and a cathode connected to the power voltage applying pin, and a cathode connected to each of the predetermined number of pins A leakage test method for a pin leakage current in a semiconductor device having a second diode having a wood, an anode connected to the ground voltage applying pin, and an input terminal connected to each of the predetermined number of pins, 상기 전원전압 인가핀과 상기 접지전압 인가핀에 각각 전원전압과 네거티브 전원전압을 인가하고, 테스트 대상이 되는 상기 소정수의 핀들에 모두 접지전압을 인가하는 단계와;Applying a power supply voltage and a negative power supply voltage to the power supply voltage applying pin and the ground voltage applying pin, respectively, and applying ground voltage to all of the predetermined number of pins to be tested; 상기 전원전압 인가핀과 상기 접지전압 인가핀을 통하여 상기 소정수의 핀들에 대한 누설전류를 측정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 리키지 테스트 방법.And measuring a leakage current for the predetermined number of pins through the power supply voltage applying pin and the ground voltage applying pin.
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