JPH09246470A - Protecting device of leak current between pins - Google Patents

Protecting device of leak current between pins

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JPH09246470A
JPH09246470A JP8045891A JP4589196A JPH09246470A JP H09246470 A JPH09246470 A JP H09246470A JP 8045891 A JP8045891 A JP 8045891A JP 4589196 A JP4589196 A JP 4589196A JP H09246470 A JPH09246470 A JP H09246470A
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pin
leakage current
current protection
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high impedance
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Masahiko Sasada
昌彦 笹田
Akihiro Maejima
明広 前島
Hiroki Kinugawa
宏樹 衣川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a protecting device of leak current between pins by arranging a leak current protecting circuit that is reduced with the potential difference between a leak current protecting pin and a high impedance output pin and that can prevent the malfunction of a high impedance output circuit. SOLUTION: Input is performed through a high impedance line from the high impedance output part 11 of a high impedance output circuit 3 to the high impedance input part 9 of the protecting circuit 2 of the leak current between the pins. Output is performed with low impedance from the low impedance output part 10 of the protecting circuit 2 of the leak current between the pins to the leak current protecting pin 5 with the reduced potential difference between the voltage at the low impedance output part 10 and the voltage at a high impedance output pin 4 that is V1-V2. Therefore, the leak current between the pins is decreased by reducing the potential difference between the pins so that the malfunction of the high impedance output circuit by the leak current is prevented without increasing the pitches between the pins and without the necessity of the sealing by resin.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ハイインピーダ
ンスラインをピンに出力する回路が、そのピンとリーク
電流保護ピンとの間に発生するリーク電流によって、誤
動作を起こす事を防止するためのピン間リーク電流保護
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a leak current between pins for preventing a circuit that outputs a high impedance line from malfunctioning due to a leak current generated between the pin and a leak current protection pin. It relates to a protective device.

【0002】[0002]

【従来の技術】以下に従来のピン間リーク電流保護装置
について説明する。図6と図7に従来のピン間リーク電
流保護装置を示す。図6において、1はICのパッケー
ジ、3はハイインピーダンス出力回路、4はハイインピ
ーダンス出力回路3のハイインピーダンス出力ピン、5
はハイインピーダンス出力ピン4に隣接するリーク電流
保護ピン、21はピン間の間隔である。
2. Description of the Related Art A conventional inter-pin leakage current protection device will be described below. 6 and 7 show a conventional inter-pin leakage current protection device. In FIG. 6, 1 is an IC package, 3 is a high impedance output circuit, 4 is a high impedance output pin of the high impedance output circuit 3, 5
Is a leak current protection pin adjacent to the high-impedance output pin 4, and 21 is an interval between the pins.

【0003】このように構成されたピン間リーク電流保
護装置について、以下その動作を説明する。まず、ピン
間に発生するリーク電流Iはピン間の電位差Vが一定な
らば、I=V/Rの関係から、ピン間のインピーダンス
Rで決まる。図6ではピン間リーク電流によってハイイ
ンピーダンス出力回路3が誤動作を起こさないようなピ
ンとピンの間隔21を持たせたピン間リーク保護装置で
ある。このピンとピンの間隔21を決める要素として、
ICの内部回路や周辺回路の寄生容量や、ハイインピー
ダンス出力ピン4に隣接する片側あるいは両側のリーク
電流保護ピン5の電位が電源電圧からグランドまでの任
意の電位であるためピン間の電位差Vが動作上最大値V
maxから最小値Vminまで変化する時V=Vmax
でハイインピーダンス出力回路3が誤動作を起こさない
こと、ならびに、ピン周辺回路の経年劣化、堆積する塵
およびほこりによるリーク電流の増加、などが挙げられ
る。
The operation of the inter-pin leakage current protection device configured as described above will be described below. First, if the potential difference V between the pins is constant, the leak current I generated between the pins is determined by the impedance R between the pins from the relationship of I = V / R. FIG. 6 shows a pin-to-pin leak protection device having a pin-to-pin interval 21 so that the high-impedance output circuit 3 does not malfunction due to the pin-to-pin leak current. As a factor that determines the space 21 between the pins,
Since the parasitic capacitance of the internal circuits and peripheral circuits of the IC and the potential of the leakage current protection pin 5 on one side or both sides adjacent to the high impedance output pin 4 are arbitrary potentials from the power supply voltage to the ground, the potential difference V between the pins is Maximum value V in operation
When changing from max to the minimum value Vmin V = Vmax
Therefore, the high impedance output circuit 3 does not malfunction, the pin peripheral circuit deteriorates over time, and the leak current increases due to accumulated dust and dust.

【0004】図7において、22はリーク電流保護ピン
5とハイインピーダンス出力ピン4をピンの上から物理
的に覆った樹脂である。ピンの上から物理的に樹脂で覆
い、電気的に絶縁することで外力によるピンとピンの間
隔の変化や、異物によるリーク電流からハイインピーダ
ンス出力回路3の誤動作を起こさないようにするもので
ある。
In FIG. 7, 22 is a resin that physically covers the leakage current protection pin 5 and the high impedance output pin 4 from above the pins. By physically covering the pins from above with a resin and electrically insulating them from each other, it is possible to prevent malfunction of the high impedance output circuit 3 due to a change in the distance between the pins due to an external force and a leak current caused by a foreign substance.

【0005】いずれの従来例も、インピーダンスRを大
きくすることでリーク電流を抑えてハイインピーダンス
出力回路3の誤動作を防止している。
In each of the conventional examples, the impedance R is increased to suppress the leak current and prevent the high impedance output circuit 3 from malfunctioning.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の図6の構成では、リーク電流の増加からハイインピ
ーダンス出力回路3の誤動作を防止するために十分なピ
ンの間隔21を設ける必要があり、ピンの間隔21が大
きい分だけパッケージサイズを大きくしなければなら
ず、パッケージサイズが大きいほど、コスト面で不利で
ある。
However, in the above-mentioned conventional configuration of FIG. 6, it is necessary to provide a sufficient pin interval 21 to prevent malfunction of the high impedance output circuit 3 due to an increase in leak current. The package size must be increased as much as the distance 21 between the two is larger, and the larger the package size, the more disadvantageous in cost.

【0007】また図7の樹脂封じを行う場合は、組立工
程のあとに樹脂の塗布工程と、乾燥させるための工程が
最低限必要であり、樹脂封じの工程にかかる装置と装置
の稼動費用、人件費、樹脂の材料費、樹脂封じの工程時
間などが必要となり、コスト面で不利という問題があっ
た。この発明は、上記従来の問題点を解決するもので、
ピンの間隔を大きくすることなく、また樹脂封じを必要
とすることなく、ハイインピーダンス出力回路のリーク
電流による誤動作を防止することができるピン間リーク
電流保護装置を提供することを目的とする。
When the resin sealing shown in FIG. 7 is performed, a resin coating step and a drying step are required at the minimum after the assembling step. Labor costs, resin material costs, resin sealing process time, etc. are required, which is disadvantageous in terms of cost. This invention solves the above-mentioned conventional problems,
An object of the present invention is to provide a pin-to-pin leakage current protection device capable of preventing malfunction due to a leakage current of a high impedance output circuit without increasing the pin interval or requiring resin sealing.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1記載のピン間リ
ーク電流保護装置は、ハイインピーダンス出力ピンを有
するハイインピーダンス出力回路と、前記ハイインピー
ダンス出力ピンに隣接するとともにローインピーダンス
のリーク電流保護ピンを有してこのリーク電流保護ピン
と前記ハイインピーダンス出力ピンとの電位差を小さく
したリーク電流保護回路とを備えたものである。
An inter-pin leakage current protection device according to claim 1 is a high impedance output circuit having a high impedance output pin, and a leakage current protection pin adjacent to the high impedance output pin and having a low impedance. And a leakage current protection circuit in which the potential difference between the leakage current protection pin and the high impedance output pin is reduced.

【0009】請求項1記載のピン間リーク電流保護装置
によれば、リーク電流保護回路により、ハイインピーダ
ンス出力ピンとそれに隣接するローインピーダンスのリ
ーク電流保護ピンとのピン間の電位差を小さくしたた
め、ピン間に発生するリーク電流を減少できる。このた
め、ピンの間隔を大きくすることなく、また樹脂封じを
必要とすることなく、ハイインピーダンス出力回路のリ
ーク電流による誤動作を防止することができる。
According to the inter-pin leakage current protection device of the first aspect, the potential difference between the high impedance output pin and the adjacent low impedance leakage current protection pin is reduced by the leakage current protection circuit. The leak current generated can be reduced. Therefore, it is possible to prevent malfunction due to the leak current of the high impedance output circuit without increasing the pin interval and without requiring resin sealing.

【0010】請求項2記載のピン間リーク電流保護装置
は、請求項1において、リーク電流保護ピンが、ハイイ
ンピーダンス出力ピンの両側に隣接した一対からなるも
のである。請求項2記載のピン間リーク電流保護装置に
よれば、請求項1と同効果がある。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the inter-pin leakage current protection device according to the first aspect, wherein the leakage current protection pins are a pair of high impedance output pins adjacent to each other on both sides. According to the inter-pin leakage current protection device of the second aspect, there is the same effect as the first aspect.

【0011】請求項3記載のピン間リーク電流保護装置
は、請求項1または請求項2において、リーク電流保護
回路が、ハイインピーダンス出力ピンにベースが接続さ
れエミッタがリーク電流保護ピンに接続されたNPNト
ランジスタと、このNPNトランジスタのエミッタに接
続された電流源とを有するものである。請求項3記載の
ピン間リーク電流保護装置によれば、請求項1または請
求項2と同効果がある。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an inter-pin leakage current protection device according to the first or second aspect, in which the leakage current protection circuit has a base connected to the high impedance output pin and an emitter connected to the leakage current protection pin. It has an NPN transistor and a current source connected to the emitter of the NPN transistor. According to the inter-pin leakage current protection device of the third aspect, the same effect as that of the first or second aspect is provided.

【0012】請求項4記載のピン間リーク電流保護装置
は、請求項1または請求項2において、リーク電流保護
回路が、ハイインピーダンス出力ピンにベースが接続さ
れエミッタに第1の電流源を接続したNPNトランジス
タと、このNPNトランジスタのエミッタにベースが接
続され第2の電流源およびリーク電流保護ピンをエミッ
タに接続したPNPトランジスタとを有するものであ
る。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an inter-pin leakage current protection device according to the first or second aspect, in which the leakage current protection circuit has a base connected to the high impedance output pin and a first current source connected to the emitter. It has an NPN transistor and a PNP transistor whose base is connected to the emitter of this NPN transistor and whose second current source and leakage current protection pin are connected to the emitter.

【0013】請求項4記載のピン間リーク電流保護装置
によれば、請求項1または請求項2の効果のほか、請求
項3よりもピン間の電位差がさらに小さくなる。請求項
5記載のピン間リーク電流保護装置は、請求項1または
請求項2において、リーク電流保護回路を、ハイインピ
ーダンス出力ピンに入力が接続されリーク電流保護ピン
にローインピーダンス出力が接続されたバッファ回路と
したものである。
According to the inter-pin leakage current protection device of the fourth aspect, in addition to the effect of the first or second aspect, the potential difference between the pins becomes smaller than that of the third aspect. According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an inter-pin leakage current protection device according to the first or second aspect, wherein the leakage current protection circuit is a buffer having an input connected to a high impedance output pin and a low impedance output connected to the leakage current protection pin. It is a circuit.

【0014】請求項5記載のピン間リーク電流保護装置
によれば、請求項1または請求項2と同効果がある。
According to the inter-pin leakage current protection device of the fifth aspect, the same effect as that of the first or second aspect can be obtained.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】この発明の第1の実施の形態につ
いて、図1に基づいて説明する。図1はこの発明の第1
の実施の形態におけるピン間リーク電流保護装置の構成
図を示す。図1において、1はICのパッケージ、2は
ピン間リーク電流保護回路、3はハイインピーダンス出
力回路、4はハイインピーダンス出力ピン、5はリーク
電流保護ピン、6はピン間のインピーダンスのピン間リ
ーク抵抗R1 、9はハイインピーダンス入力部、10は
ローインピーダンス出力部、11はハイインピーダンス
出力部である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 shows the first of the present invention.
2 is a configuration diagram of the inter-pin leakage current protection device in the embodiment. FIG. In FIG. 1, 1 is an IC package, 2 is an inter-pin leakage current protection circuit, 3 is a high impedance output circuit, 4 is a high impedance output pin, 5 is a leakage current protection pin, and 6 is an inter-pin leakage of impedance between pins. Resistors R 1 and 9 are high impedance input sections, 10 is a low impedance output section, and 11 is a high impedance output section.

【0016】このピン間リーク電流保護装置は、ハイイ
ンピーダンス出力回路3と、リーク電流保護回路2とを
有する。ハイインピーダンス出力回路3はハイインピー
ダンス出力ピン4を有する。リーク電流保護回路2は、
ハイインピーダンス出力ピン4に隣接するとともにロー
インピーダンスのリーク電流保護ピン5を有してこのリ
ーク電流保護ピン5とハイインピーダンス出力ピン4と
の電位差を小さくしている。第1の実施の形態ではパッ
ケージ1にハイインピーダンス出力回路3およびピン間
リーク電流保護回路3を内蔵し、ハイインピーダンス出
力ピン4をパッケージ1の端に突出するようにレイアウ
トし、リーク電流保護ピン5をハイインピーダンス出力
ピン4に隣接して突出している。
This inter-pin leakage current protection device has a high impedance output circuit 3 and a leakage current protection circuit 2. The high impedance output circuit 3 has a high impedance output pin 4. The leakage current protection circuit 2
A low-impedance leak current protection pin 5 is provided adjacent to the high-impedance output pin 4 to reduce the potential difference between the leak current protection pin 5 and the high-impedance output pin 4. In the first embodiment, the package 1 includes the high impedance output circuit 3 and the inter-pin leakage current protection circuit 3, and the high impedance output pin 4 is laid out so as to project to the end of the package 1, and the leakage current protection pin 5 is provided. Is adjacent to the high impedance output pin 4 and protrudes.

【0017】以上のように構成された第1の実施の形態
のピン間リーク電流保護装置について、以下その動作を
説明する。ハイインピーダンス出力回路3のハイインピ
ーダンス出力部11からピン間リーク保護回路2のハイ
インピーダンス入力部9にハイインピーダンスラインで
入力し、ピン間リーク保護回路2のローインピーダンス
出力部10からリーク電流保護ピン5にローインピーダ
ンスで出力し、かつハイインピーダンス出力ピン4との
電位差V1−V2が小さくなるように出力する。
The operation of the inter-pin leakage current protection device of the first embodiment configured as described above will be described below. Input from the high impedance output section 11 of the high impedance output circuit 3 to the high impedance input section 9 of the inter-pin leak protection circuit 2 by a high impedance line, and from the low impedance output section 10 of the inter-pin leak protection circuit 2 to the leak current protection pin 5 To the high impedance output pin 4 and to reduce the potential difference V1-V2 from the high impedance output pin 4.

【0018】このように、この第1の実施の形態によれ
ば、ハイインピーダンス出力ピン4とリーク電流保護ピ
ン5との間に発生するリーク電流I1 は、I1 =(V2
−V1)/R1 となり、ピン間の電位差V2−V1が一
定ならばピン間リーク抵抗R 1 で決まる。このことか
ら、ハイインピーダンス出力回路3からICのパッケー
ジ1の端にあるハイインピーダンス出力ピン4と、隣接
するリーク電流保護ピン5との間にリーク電流I1 が流
れるとき、ピン間リーク電流の大きさによってはハイイ
ンピーダンス出力回路3が誤動作を起こしてしまうが、
ピン間の電位差V2−V1を小さくすることでリーク電
流I1 を小さくすることができ、これによりICの内部
回路および周辺回路の寄生容量、ならびにピン周辺回路
の経年劣化,堆積する塵およびほこりによるリーク電流
の増加のために起きるハイインピーダンス出力回路3の
誤動作を防止することができる。また外力によるピンと
ピンの間隔の変化や、異物によるリーク電流I1 からハ
イインピーダンス出力回路3の誤動作を防止することが
できる。
As described above, according to the first embodiment,
High-impedance output pin 4 and leakage current protection pin.
Leakage current I generated between1Is I1= (V2
-V1) / R1And the potential difference V2-V1 between the pins becomes
Leakage resistance between pins R 1Is determined by This thing
From the high impedance output circuit 3 to the IC package
Adjacent to the high impedance output pin 4 at the end of
Leakage current I between the leakage current protection pin 5 and1Flow
Depending on the magnitude of pin-to-pin leakage current,
The impedance output circuit 3 malfunctions,
Leakage can be reduced by reducing the potential difference V2-V1 between pins.
Style I1Can be made smaller, which allows the interior of the IC to
Circuit and peripheral circuit parasitic capacitance, and pin peripheral circuit
Current due to aging deterioration and accumulated dust and dust
Of the high impedance output circuit 3 caused by the increase of
It is possible to prevent malfunction. In addition, with a pin due to external force
Leakage current I due to changes in pin spacing and foreign matter1From ha
(A) To prevent malfunction of the impedance output circuit 3
it can.

【0019】なお、この実施の形態は、ハイインピーダ
ンス出力ピン4がパッケージ1の端にレイアウトされて
いる場合に適する。第1の実施の形態によれば、リーク
電流保護回路2により、ハイインピーダンス出力ピン4
とそれに隣接するローインピーダンスのリーク電流保護
ピン5とのピン間の電位差を小さくしたため、ピン間に
発生するリーク電流を減少できる。このため、ピンの間
隔を大きくすることなく、また樹脂封じを必要とするこ
となく、ハイインピーダンス出力回路のリーク電流によ
る誤動作を防止することができる。
This embodiment is suitable when the high impedance output pin 4 is laid out at the end of the package 1. According to the first embodiment, the leakage current protection circuit 2 allows the high impedance output pin 4
Since the potential difference between the pin and the low-impedance leak current protection pin 5 adjacent thereto is reduced, the leak current generated between the pins can be reduced. Therefore, it is possible to prevent malfunction due to the leak current of the high impedance output circuit without increasing the pin interval and without requiring resin sealing.

【0020】この発明の第2の実施の形態におけるピン
間リーク電流保護装置を図2に示す。図2において、1
はICのパッケージ、3はハイインピーダンス出力回
路、11はハイインピーダンス出力部、13はハイイン
ピーダンス出力ピン、2はピン間リーク電流保護回路、
9はハイインピーダンス入力部、10はローインピーダ
ンス出力部、12は第1のリーク電流保護ピン、14は
第2のリーク電流保護ピン、7は第1のピン間リーク抵
抗R2 、8は第2のピン間リーク抵抗R3 である。
FIG. 2 shows an inter-pin leakage current protection device according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 2, 1
Is an IC package, 3 is a high impedance output circuit, 11 is a high impedance output section, 13 is a high impedance output pin, 2 is a pin-to-pin leakage current protection circuit,
9 is a high impedance input section, 10 is a low impedance output section, 12 is a first leakage current protection pin, 14 is a second leakage current protection pin, 7 is a first inter-pin leakage resistance R 2 , and 8 is a second. Is the inter-pin leakage resistance R 3 .

【0021】このピン間リーク電流保護装置は、第1の
実施の形態において、リーク電流保護ピン12,14が
ハイインピーダンス出力ピン13の両側に隣接した一対
からなるものである。ハイインピーダンス出力回路3か
らピン間リーク保護回路2にハイインピーダンスライン
で入力し、ピン間リーク保護回路2からリーク電流保護
ピン12,14にローインピーダンスで出力し、かつハ
イインピーダンス出力ピン13との電位差V2−V3お
よび電位差V2−V4が小さくなるように出力する。
This inter-pin leakage current protection device is the one in which the leakage current protection pins 12 and 14 are adjacent to each other on both sides of the high impedance output pin 13 in the first embodiment. Input from the high-impedance output circuit 3 to the inter-pin leak protection circuit 2 via a high-impedance line, output from the inter-pin leak protection circuit 2 to the leak current protection pins 12 and 14 with low impedance, and a potential difference from the high-impedance output pin 13. V2-V3 and the potential difference V2-V4 are output so as to be small.

【0022】ピン間リーク電流の大きさによっては誤動
作を起こしてしまうハイインピーダンス出力回路3から
ハイインピーダンス出力ピン13より、その両側に隣接
するリーク電流保護ピン12,14にリーク電流I2
流れるとすると、このピン間の電位差V2−V3とV2
−V4を小さくすることでリーク電流I2 ={(V2
3 )/R2 }+{(V2 −V4 )/R3 }を小さくす
ることができ、内部回路および周辺回路の寄生容量、な
らびにピン周辺回路の経年劣化や堆積する塵およびほこ
りによるリーク電流の増加のために、起きるハイインピ
ーダンス出力回路の誤動作を防止することができる。ま
た外力によるピンとピンの間隔の変化や、異物によるリ
ーク電流からハイインピーダンス出力回路3の誤動作を
防止することができる。その他第1の実施の形態と同様
な効果がある。
When the leakage current I 2 flows from the high impedance output circuit 3 which causes a malfunction depending on the magnitude of the inter-pin leakage current to the high impedance output pin 13 to the leakage current protection pins 12 and 14 adjacent on both sides thereof. Then, the potential difference between the pins V2-V3 and V2
By reducing −V4, the leak current I 2 = {(V 2
V 3 ) / R 2 } + {(V 2 −V 4 ) / R 3 } can be reduced, and due to parasitic capacitance of internal circuits and peripheral circuits, and deterioration of pin peripheral circuits over time and accumulated dust and dust. It is possible to prevent malfunction of the high impedance output circuit that occurs due to the increase of the leakage current. Further, it is possible to prevent malfunction of the high impedance output circuit 3 due to a change in the distance between the pins due to an external force and a leak current due to a foreign substance. Other effects are the same as those of the first embodiment.

【0023】この発明の第3の実施の形態におけるピン
間リーク電流保護装置を図3に示す。図3において、2
3はクランプ回路、11はハイインピーダンス出力部、
4はハイインピーダンス出力ピン、2はリーク電流保護
回路、9はハイインピーダンス入力部、10はローイン
ピーダンス出力部、5はリーク電流保護ピン、6はピン
間リーク抵抗R1 、15はNPNトランジスタ、16は
電流源、Vccは電源電圧、GNDはグランドである。
FIG. 3 shows an inter-pin leakage current protection device according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 3, 2
3 is a clamp circuit, 11 is a high impedance output section,
4 is a high impedance output pin, 2 is a leak current protection circuit, 9 is a high impedance input part, 10 is a low impedance output part, 5 is a leak current protection pin, 6 is a pin-to-pin leak resistance R 1 , 15 is an NPN transistor, 16 Is a current source, Vcc is a power supply voltage, and GND is a ground.

【0024】このピン間リーク電流保護装置は、第1の
実施の形態において、ハイインピーダンス出力回路3を
クランプ回路23としている。またリーク電流保護回路
2がハイインピーダンス出力ピン4にベースが接続され
エミッタがリーク電流保護ピン5に接続されたNPNト
ランジスタ15と、このNPNトランジスタ15のエミ
ッタに接続された電流源16とを有するものである。N
PNトランジスタ15のコレクタは電源電圧Vccに接
続され、電流源16はグランドGNDに接続されてい
る。
This inter-pin leakage current protection device uses the high impedance output circuit 3 as the clamp circuit 23 in the first embodiment. Further, the leakage current protection circuit 2 has an NPN transistor 15 whose base is connected to the high impedance output pin 4 and whose emitter is connected to the leakage current protection pin 5, and a current source 16 which is connected to the emitter of this NPN transistor 15. Is. N
The collector of the PN transistor 15 is connected to the power supply voltage Vcc, and the current source 16 is connected to the ground GND.

【0025】このピン間リーク電流保護装置によれば、
ハイインピーダンス出力回路3からピン間リーク保護回
路2にハイインピーダンスラインで入力し、リーク電流
保護回路2からリーク電流保護ピン5にローインピーダ
ンスで出力し、かつハイインピーダンス出力ピン4との
電位差がNPNトランジスタ15のベース−エミッタ間
電圧Vbeになるように出力する。
According to this inter-pin leakage current protection device,
Input from the high-impedance output circuit 3 to the inter-pin leakage protection circuit 2 via a high-impedance line, output from the leakage current protection circuit 2 to the leakage current protection pin 5 with low impedance, and have a potential difference with the high-impedance output pin 4 as an NPN transistor. The voltage is output so as to be 15 base-emitter voltage Vbe.

【0026】ピン間リーク電流の大きさによっては誤動
作を起こしてしまうリーク電流がクランプ回路3からハ
イインピーダンス出力ピン4に出て、隣接するリーク電
流保護ピン5にリーク電流I1 が流れるとすると、この
ピン間の電位差V2 −V1 =Vbeとなり、リーク電流
1 はI1 =Vbe/R1 となる。一方、クランプON
の期間に流れるクランプ電流をIon、クランプOFF
の期間をT1 、クランプ回路23のOFFの期間をT2
とすると、充電期間の電荷Q1 は Q1 =(Ion−I1 )×T1 で与えられ、放電期間の電荷Q2 はQ2 =I1 ×T2
与えられので、Q1 >Q 2 の時クランプ回路23が誤動
作を起こさないように、リーク電流I1 は、 I1 <{T1 /(T1 +T2 )}×Ion を満たす必要がある。よってI1 =Vbe/R1 より、 R1 >{Vbe/Ion}×{(T1 +T2 )/T1 } を満たすようなIonを設定することで、ICの内部回
路および周辺回路の寄生容量、ならびにピン周辺回路の
経年劣化や堆積する塵およびほこりによるリーク電流の
増加のために起きるハイインピーダンス出力回路の誤動
作を防止することができる。また外力によるピンとピン
の間隔の変化や、異物によるリーク電流からハイインピ
ーダンス出力回路の誤動作を防止することができる。
Malfunction depending on the magnitude of leakage current between pins
The leakage current that causes the
B Output from the impedance output pin 4
Current I to the current protection pin 51And then this
Potential difference between pins VTwo-V1= Vbe, leak current
I1Is I1= Vbe / R1Becomes On the other hand, clamp ON
Clamp current flowing during the period is Ion, clamp OFF
The period of1, The OFF period of the clamp circuit 23 is set to TTwo
Then, the charge Q during the charging period1Is Q1= (Ion-I1) × T1 And the charge Q during the discharge periodTwoIs QTwo= I1× TTwoso
Given, so Q1> Q TwoClamp circuit 23 malfunctions
Leakage current I1Is I1<{T1/ (T1+ TTwo)} × Ion must be satisfied. Therefore I1= Vbe / R1Than R1> {Vbe / Ion} × {(T1+ TTwo) / T1} By setting Ion that satisfies
Path and peripheral circuit parasitic capacitance, and pin peripheral circuit
Leakage current due to aging and accumulated dust and dust
High impedance output circuit malfunction due to increase
It can prevent cropping. In addition, the pin and the pin due to external force
Changes due to changes in the interval between
It is possible to prevent malfunction of the impedance output circuit.

【0027】この発明の第4の実施の形態ピン間リーク
電流保護装置を図4に示す。図4において、23はクラ
ンプ回路、11はハイインピーダンス出力部、4はハイ
インピーダンス出力ピン、2はリーク電流保護回路、9
はハイインピーダンス入力部、10はローインピーダン
ス出力部、5はリーク電流保護ピン、6はピン間リーク
抵抗R1 、17はNPNトランジスタ、18は第1の電
流源、19はPNPトランジスタ、20は第2の電流源
である。
FIG. 4 shows an inter-pin leakage current protection device according to a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 4, 23 is a clamp circuit, 11 is a high impedance output section, 4 is a high impedance output pin, 2 is a leakage current protection circuit, and 9 is
Is a high impedance input unit, 10 is a low impedance output unit, 5 is a leakage current protection pin, 6 is a pin-to-pin leakage resistance R 1 , 17 is an NPN transistor, 18 is a first current source, 19 is a PNP transistor, and 20 is a second 2 current sources.

【0028】このピン間リーク電流保護装置は、第1の
実施の形態において、ハイインピーダンス出力回路をク
ランプ回路23としている。またリーク電流保護回路2
がハイインピーダンス出力ピン4にベースが接続されエ
ミッタに第1の電流源18を接続したNPNトランジス
タ17と、このNPNトランジスタ17のエミッタにベ
ースが接続され第2の電流源20およびリーク電流保護
ピン5をエミッタに接続したPNPトランジスタ19と
を有する。NPNトランジスタ17のコレクタおよび電
流源20は電源電圧Vccに接続され、電流源18およ
びPNPトランジスタ19のコレクタはグランドGND
に接続されている。
This inter-pin leakage current protection device uses the clamp circuit 23 as the high impedance output circuit in the first embodiment. In addition, the leakage current protection circuit 2
Is an NPN transistor 17 whose base is connected to the high impedance output pin 4 and whose emitter is connected to the first current source 18, and a second current source 20 whose base is connected to the emitter of this NPN transistor 17 and the leakage current protection pin 5 Is connected to the emitter of the PNP transistor 19. The collector of the NPN transistor 17 and the current source 20 are connected to the power supply voltage Vcc, and the collectors of the current source 18 and the PNP transistor 19 are ground GND.
It is connected to the.

【0029】このピン間リーク電流保護装置は、ハイイ
ンピーダンス出力回路3からピン間リーク保護回路2に
ハイインピーダンスラインで入力し、ピン間リーク保護
回路2からリーク電流保護ピン5にローインピーダンス
で出力し、かつNPNトランジスタ17のベース−エミ
ッタ間電圧がVbe1 、PNPトランジスタ19のベー
ス−エミッタ間電圧がVbe2 とすると、ハイインピー
ダンス出力ピン4との電位差がVbe2 −Vbe1 とな
るように出力する。これにより、第3の実施の形態より
もピン間の電位差がさらに小さくなる。
This inter-pin leakage current protection device inputs from the high impedance output circuit 3 to the inter-pin leakage protection circuit 2 by a high impedance line, and outputs from the inter-pin leakage protection circuit 2 to the leakage current protection pin 5 with low impedance. , And the base-emitter voltage of the NPN transistor 17 is Vbe 1 and the base-emitter voltage of the PNP transistor 19 is Vbe 2 , the potential difference from the high impedance output pin 4 is Vbe 2 -Vbe 1. . As a result, the potential difference between the pins becomes smaller than that in the third embodiment.

【0030】この実施の形態では、ピン間リーク電流の
大きさによっては誤動作を起こしてしまうクランプ回路
23からハイインピーダンス出力ピン4にリーク電流が
出るとき、隣接するリーク電流保護ピン5にリーク電流
1 が流れるとすると、このピン間の電位差V2 −V1
=Vbe2 −Vbe1 となり、リーク電流I1 はI1
(Vbe2 −Vbe1 )/R1 となる。クランプONの
期間に流れるクランプ電流をIon、クランプOFFの
期間をT1 、クランプ回路23のOFFの期間をT2と
すると充電期間の電荷Q1 はQ1 =(Ion−I1 )×
1 で与えられ、放電期間の電荷Q2 はQ2 =I1 ×T
2 で与えられので、Q1 >Q2 の時クランプ回路23が
誤動作を起こさないようにリーク電流I1 は、 I1 <{T1 /(T1 +T2 )}×Ion を満たす必要がある。よってI1 =(Vbe2 −Vbe
1 )/R1 より、 R1 >{(Vbe2 −Vbe1 )/Ion}×{(T1
+T2 )/T1 } を満たすようなIonを設定することで、ICの内部回
路および周辺回路の寄生容量ならびにピン周辺回路の経
年劣化、堆積する塵およびほこりによるリーク電流の増
加のために起きるハイインピーダンス出力回路3の誤動
作を防止することができる。また外力によるピンとピン
の間隔の変化や、異物によるリーク電流からハイインピ
ーダンス出力回路の誤動作を防止することができる。
In this embodiment, when a leak current flows from the clamp circuit 23, which causes a malfunction depending on the magnitude of the leak current between the pins, to the high impedance output pin 4, the leak current I flows to the adjacent leak current protection pin 5. If 1 flows, the potential difference between the pins V 2 −V 1
= Vbe 2 -Vbe 1, and the leak current I 1 is I 1 =
(Vbe 2 -Vbe 1) / R 1 become. When the clamp current flowing during the clamp ON period is Ion, the clamp OFF period is T 1 , and the clamp circuit 23 OFF period is T 2 , the charge Q 1 during the charging period is Q 1 = (Ion−I 1 ) ×
Given by T 1 , the charge Q 2 during the discharge period is Q 2 = I 1 × T
Since it is given by 2 , the leak current I 1 must satisfy I 1 <{T 1 / (T 1 + T 2 )} × Ion so that the clamp circuit 23 does not malfunction when Q 1 > Q 2. . Therefore, I 1 = (Vbe 2 −Vbe
From 1) / R 1, R 1 > {(Vbe 2 -Vbe 1) / Ion} × {(T 1
By setting Ion to satisfy + T 2 ) / T 1 }, it occurs due to the parasitic capacitance of the internal circuit and peripheral circuits of the IC, the deterioration of pin peripheral circuits over time, and the increase of leakage current due to accumulated dust and dust. A malfunction of the high impedance output circuit 3 can be prevented. Further, it is possible to prevent malfunction of the high impedance output circuit due to a change in the distance between the pins due to an external force and a leak current due to foreign matter.

【0031】この発明の第5の実施の形態におけるピン
間リーク電流保護装置を図5に示す。図5において、3
はハイインピーダンス出力回路、11はハイインピーダ
ンス出力部、4はハイインピーダンス出力ピン、24は
バッファ回路、9はハイインピーダンス入力部、10は
ローインピーダンス出力部、5はリーク電流保護ピン、
6はピン間リーク抵抗R1 である。
FIG. 5 shows an inter-pin leakage current protection device according to the fifth embodiment of the present invention. In FIG. 5, 3
Is a high impedance output circuit, 11 is a high impedance output unit, 4 is a high impedance output pin, 24 is a buffer circuit, 9 is a high impedance input unit, 10 is a low impedance output unit, 5 is a leakage current protection pin,
Reference numeral 6 is an inter-pin leak resistance R 1 .

【0032】このピン間リーク電流保護装置は、第1の
実施の形態において、リーク電流保護回路2を、ハイイ
ンピーダンス出力ピン4に入力が接続されリーク電流保
護ピン5にローインピーダンス出力部10が接続された
バッファ回路としている。ハイインピーダンス出力回路
3からリーク保護回路2であるバッファ回路24にハイ
インピーダンスラインで入力し、バッファ回路24から
リーク電流保護ピン5にローインピーダンスになるよう
に出力する。
In this inter-pin leakage current protection device, in the first embodiment, the leakage current protection circuit 2 is connected to the high impedance output pin 4 at the input and to the leakage current protection pin 5 at the low impedance output section 10. Buffer circuit. The high impedance output circuit 3 inputs to the buffer circuit 24, which is the leak protection circuit 2, by a high impedance line, and outputs from the buffer circuit 24 to the leak current protection pin 5 so as to have a low impedance.

【0033】この実施の形態によれば、ハイインピーダ
ンス出力回路3に接続されたハイインピーダンス出力ピ
ン4に対して、これに隣接したリーク電流保護ピン5を
バッファ回路24の出力に接続することで、リーク電流
保護ピン5をローインピーダンスにするとともに、ハイ
インピーダンス出力ピン4とリーク電流保護ピン5間の
電位差を小さくすることができ、ICの内部回路および
周辺回路の寄生容量、ならびにピン周辺回路の経年劣化
や堆積する塵およびほこりによるリーク電流の増加のた
めに起きるハイインピーダンス出力回路3の誤動作を防
止することができる。また外力によるピンとピンの間隔
の変化や、異物によるリーク電流I1からハイインピー
ダンス出力回路3の誤動作を防止することができる。
According to this embodiment, by connecting the leakage current protection pin 5 adjacent to the high impedance output pin 4 connected to the high impedance output circuit 3 to the output of the buffer circuit 24, The leakage current protection pin 5 can be set to low impedance, and the potential difference between the high impedance output pin 4 and the leakage current protection pin 5 can be reduced, and the parasitic capacitance of the internal circuit and peripheral circuits of the IC and the aging of the pin peripheral circuit can be reduced. It is possible to prevent malfunction of the high impedance output circuit 3 caused by an increase in leak current due to deterioration or accumulated dust and dust. In addition, it is possible to prevent the malfunction of the high impedance output circuit 3 from the change in the distance between the pins due to an external force and the leakage current I1 due to the foreign matter.

【0034】なお、第3の実施の形態、第4の実施の形
態および第5の実施の形態の各リーク電流保護ピン5を
一対にしてハイインピーダンス出力ピンの両側に配置し
てもよい。
The leakage current protection pins 5 of the third, fourth, and fifth embodiments may be arranged in pairs on both sides of the high impedance output pin.

【0035】[0035]

【発明の効果】請求項1記載のピン間リーク電流保護装
置によれば、リーク電流保護回路により、ハイインピー
ダンス出力ピンとそれに隣接するローインピーダンスの
リーク電流保護ピンとのピン間の電位差を小さくしたた
め、ピン間に発生するリーク電流を減少できる。このた
め、ピンの間隔を大きくすることなく、また樹脂封じを
必要とすることなく、ハイインピーダンス出力回路のリ
ーク電流による誤動作を防止することができる。
According to the inter-pin leakage current protection device of the first aspect, the leakage current protection circuit reduces the potential difference between the high impedance output pin and the adjacent low impedance leakage current protection pin. It is possible to reduce the leak current generated during the period. Therefore, it is possible to prevent malfunction due to the leak current of the high impedance output circuit without increasing the pin interval and without requiring resin sealing.

【0036】請求項2記載のピン間リーク電流保護装置
によれば、請求項1と同効果がある。請求項3記載のピ
ン間リーク電流保護装置によれば、請求項1または請求
項2と同効果がある。請求項4記載のピン間リーク電流
保護装置によれば、請求項1または請求項2の効果のほ
か、請求項3よりもピン間の電位差がさらに小さくな
る。
According to the inter-pin leakage current protection device of the second aspect, the same effect as that of the first aspect can be obtained. According to the inter-pin leakage current protection device of the third aspect, the same effect as that of the first or second aspect is provided. According to the inter-pin leakage current protection device of the fourth aspect, in addition to the effect of the first or second aspect, the potential difference between the pins becomes smaller than that of the third aspect.

【0037】請求項5記載のピン間リーク電流保護装置
によれば、請求項1または請求項2と同効果がある。
According to the inter-pin leakage current protection device of the fifth aspect, the same effect as that of the first or second aspect can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1の実施の形態のピン間リーク電
流保護装置の説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of an inter-pin leakage current protection device according to a first embodiment of this invention.

【図2】第2の実施の形態のピン間リーク電流保護装置
の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of an inter-pin leakage current protection device according to a second embodiment.

【図3】第3の実施の形態のピン間リーク電流保護装置
の回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of an inter-pin leakage current protection device according to a third embodiment.

【図4】第4の実施の形態のピン間リーク電流保護装置
の回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram of an inter-pin leakage current protection device according to a fourth embodiment.

【図5】第5の実施の形態のピン間リーク電流保護装置
の回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram of an inter-pin leakage current protection device according to a fifth embodiment.

【図6】従来のピン間リーク電流保護装置の説明図であ
る。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a conventional inter-pin leakage current protection device.

【図7】他の従来のピン間リーク電流保護装置の説明図
である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of another conventional inter-pin leakage current protection device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パッケージ 2 リーク電流保護回路 3 ハイインピーダンス出力回路 4 ハイインピーダンス出力ピン 5 リーク電流保護ピン 6 リーク抵抗 7 リーク抵抗 8 リーク抵抗 12 リーク電流保護ピン 13 ハイインピーダンス出力ピン 14 リーク電流保護ピン 15 NPNトランジスタ 16 電流源 17 NPNトランジスタ 18 電流源 19 PNPトランジスタ 20 電流源 23 クランプ回路 24 バッファ回路 1 Package 2 Leakage Current Protection Circuit 3 High Impedance Output Circuit 4 High Impedance Output Pin 5 Leakage Current Protection Pin 6 Leakage Resistance 7 Leakage Resistance 8 Leakage Resistance 12 Leakage Current Protection Pin 13 High Impedance Output Pin 14 Leakage Current Protection Pin 15 NPN Transistor 16 Current source 17 NPN transistor 18 Current source 19 PNP transistor 20 Current source 23 Clamp circuit 24 Buffer circuit

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ハイインピーダンス出力ピンを有するハ
イインピーダンス出力回路と、前記ハイインピーダンス
出力ピンに隣接するとともにローインピーダンスのリー
ク電流保護ピンを有してこのリーク電流保護ピンと前記
ハイインピーダンス出力ピンとの電位差を小さくしたリ
ーク電流保護回路とを備えたピン間リーク電流保護装
置。
1. A high-impedance output circuit having a high-impedance output pin, and a low-impedance leak current protection pin which is adjacent to the high-impedance output pin and has a potential difference between the leak current protection pin and the high-impedance output pin. An inter-pin leakage current protection device having a reduced leakage current protection circuit.
【請求項2】 リーク電流保護ピンは、ハイインピーダ
ンス出力ピンの両側に隣接した一対からなる請求項1記
載のピン間リーク電流保護装置。
2. The inter-pin leakage current protection device according to claim 1, wherein the leakage current protection pin comprises a pair of high impedance output pins adjacent to each other on both sides.
【請求項3】 リーク電流保護回路は、ハイインピーダ
ンス出力ピンにベースが接続されエミッタがリーク電流
保護ピンに接続されたNPNトランジスタと、このNP
Nトランジスタのエミッタに接続された電流源とを有す
る請求項1または請求項2記載のピン間リーク電流保護
装置。
3. The leakage current protection circuit includes an NPN transistor having a base connected to a high impedance output pin and an emitter connected to the leakage current protection pin, and the NP transistor.
3. The inter-pin leakage current protection device according to claim 1, further comprising a current source connected to the emitter of the N-transistor.
【請求項4】 リーク電流保護回路は、ハイインピーダ
ンス出力ピンにベースが接続されエミッタに第1の電流
源を接続したNPNトランジスタと、このNPNトラン
ジスタのエミッタにベースが接続され第2の電流源およ
びリーク電流保護ピンをエミッタに接続したPNPトラ
ンジスタとを有する請求項1または請求項2記載のピン
間リーク電流保護装置。
4. The leakage current protection circuit includes an NPN transistor having a base connected to a high impedance output pin and a first current source connected to an emitter, and a second current source having a base connected to the emitter of the NPN transistor. 3. The inter-pin leakage current protection device according to claim 1, further comprising a PNP transistor in which a leakage current protection pin is connected to an emitter.
【請求項5】 リーク電流保護回路は、ハイインピーダ
ンス出力ピンに入力が接続されリーク電流保護ピンにロ
ーインピーダンス出力が接続されたバッファ回路である
請求項1または請求項2記載のピン間リーク電流保護装
置。
5. The inter-pin leakage current protection according to claim 1, wherein the leakage current protection circuit is a buffer circuit having an input connected to the high impedance output pin and a low impedance output connected to the leakage current protection pin. apparatus.
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CN114361134A (en) * 2022-01-20 2022-04-15 北京泽声科技有限公司 Chip surface electric leakage prevention structure and application thereof

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