KR100505838B1 - Semiconductor device and its manufacturing method - Google Patents

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KR100505838B1
KR100505838B1 KR10-1998-0709262A KR19980709262A KR100505838B1 KR 100505838 B1 KR100505838 B1 KR 100505838B1 KR 19980709262 A KR19980709262 A KR 19980709262A KR 100505838 B1 KR100505838 B1 KR 100505838B1
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야스유키 마사키
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

이것은, 수지의 충전불량이 방지되는 반도체 장치이다. 열방산성을 향상시키기 위해 열전도율이 양호한 금속의 방열판(103)이 사용되고, 이 방열판(103)은 수지부(107)내에 밀봉된다. 이너 리드(101)는, 방열판(103)에 부착되어 있는 동시에, 굴곡부가 형성되어 있다. 방열판(103)은, 수지부(107)의 두께 방향에 있어서 중앙에 위치한다. 이렇게 함으로써, 방열판(103)의 상하에 대략 균등하게 간격을 두므로, 수지의 충전성이 향상되어, 미충전 등의 불량을 발생시키지 않는 반도체 장치를 제조할 수 있다.This is a semiconductor device in which poor filling of resin is prevented. In order to improve heat dissipation, a metal heat sink 103 having good thermal conductivity is used, and the heat sink 103 is sealed in the resin portion 107. The inner lead 101 is attached to the heat dissipation plate 103 and a bent portion is formed. The heat sink 103 is centered in the thickness direction of the resin part 107. By doing this, since the space | interval is substantially equally spaced up and down of the heat sink 103, resin filling property improves and it can manufacture the semiconductor device which does not produce defects, such as uncharged.

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법Semiconductor device and manufacturing method thereof

본 발명은 열방산성을 향상시키는 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device for improving heat dissipation and a manufacturing method thereof.

도 7은 종래의 열방산성을 향상시킨 반도체 장치를 도시하는 도면이다. 리드중 이너 리드(501)의 적어도 일부는 절연성을 갖는 테이프(502)를 통해 금속 등의 방열 블록(504)에 붙여지고 있다. 반도체소자(503)는, 도시하지 않은 에폭시 수지로 방열 블록(504) 위에 부착되어 있다. 반도체소자(503) 위의 전극과 이너 리드(501)는 금선 등의 와이어(505)로 접속되어 있다. 이것들은 밀봉수지(506)로 밀봉되며 아우터 리드(507)가 밀봉수지(506)에서 인출되고 있다.7 is a diagram showing a semiconductor device having improved conventional heat dissipation. At least a part of the inner lead 501 of the lead is attached to the heat dissipation block 504 such as metal through the insulating tape 502. The semiconductor element 503 is attached on the heat dissipation block 504 with an epoxy resin (not shown). The electrode on the semiconductor element 503 and the inner lead 501 are connected by a wire 505 such as a gold wire. These are sealed with the sealing resin 506 and the outer lead 507 is drawn out from the sealing resin 506.

또한, 아우터 리드(507)는 밀봉수지(506)에 있어서의 두께의 중간으로부터 인출되는 것이 일반적이다.In addition, the outer lead 507 is generally taken out from the middle of the thickness in the sealing resin 506.

이것에 의하면, 방열 블록(504)은 밀봉수지(506)의 두께방향에서 보았을 때 한쪽 측(도면에서 하측)에 치우쳐 위치하고 있으므로 그 상하에 있어서 수지 밀봉시의 수지의 흐름 밸런스가 나쁘고 미충전 등의 불량을 발생한다. 즉, 밀봉수지의 주입 시에 방열 블록(504)과 도시하지 않은 성형 금형과의 간격이 상하에 있어서 상이하기 때문에 수지의 충전속도가 다르며 간격이 좁은 하성형 금형의 충전이 지연되어 충전 불량이 발생한다. 특히 방열 특성을 향상시키기 위해서 대형이고 두께가 두꺼운 방열 블록을 쓰는 경우에는 충전 불량이 발생하기 쉽게 된다.According to this, since the heat dissipation block 504 is located on one side (lower side in the drawing) when viewed from the thickness direction of the sealing resin 506, the flow balance of the resin at the time of sealing the resin in the upper and lower sides is poor and is not filled. Causes a defect. That is, when the sealing resin is injected, the gap between the heat dissipation block 504 and the molding die (not shown) is different from the top and bottom, so the filling speed of the resin is different and the filling of the lower molding die with a narrow gap is delayed, resulting in charging failure. do. In particular, when a large and thick heat dissipation block is used to improve heat dissipation characteristics, charging failure is likely to occur.

또는, 방열 블록을 얇게 하면 상기 문제는 해결되지만 얇은 방열 블록으로는 열방산성이 쳐진다는 다른 문제가 생긴다. 예컨대 패키지 두께가 3mm의 반도체 장치에 있어서 0.5mm정도의 방열판을 사용한 경우에는 수지 충전 불량이 발생했기 때문에 이것을 피하기 위해서 0.15mm정도의 방열판을 사용하면 열방산성이 쳐진다.Alternatively, if the heat dissipation block is made thin, the above problem is solved, but there is another problem that the heat dissipation is exerted with the thin heat dissipation block. For example, in the case where a heat sink of about 0.5 mm is used in a semiconductor device having a package thickness of 3 mm, poor resin filling occurs, so that a heat sink of about 0.15 mm is used in order to avoid this.

본 발명은 상기에 관한 문제점을 해결하기 위한 것이며 수지의 충전 불량을 방지할 수 있는 반도체 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same, which can prevent a poor filling of a resin.

도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 반도체 장치를 도시하는 도면. 1 is a diagram showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시형태에 관한 리드를 도시하는 도면. 2A and 2B show a lead according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 관한 반도체 장치를 도시하는 도면. 3 is a diagram showing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 관한 반도체 장치를 도시하는 도면.4 is a diagram showing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 관한 반도체 장치의 일부를 도시하는 도면.5 is a diagram showing a part of a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 실시형태에 관한 반도체 장치의 일부를 도시하는 도면. FIG. 6 is a diagram showing a part of a semiconductor device according to another embodiment of the present invention. FIG.

도 7은 종래의 열방산성을 고려한 반도체 장치의 단면도. 7 is a cross-sectional view of a semiconductor device in consideration of conventional heat dissipation.

(발명의 개시)(Initiation of invention)

(1) 본 발명에 관한 수지밀봉형의 반도체 장치는, (1) The resin-sealed semiconductor device according to the present invention,

전극을 갖는 반도체 소자와 그 반도체 소자의 열의 발산을 촉진하는 방열 부재와 이너 리드부 및 아우터 리드부를 갖는 리드와 상기 반도체 소자와 상기 방열부재와 상기 이너 리드부를 밀봉해서 매설하는 수지부를 가지며,A semiconductor element having an electrode, a heat dissipation member for promoting heat dissipation of the semiconductor element, a lead having an inner lead portion and an outer lead portion, and a resin portion for sealing and embedding the semiconductor element, the heat dissipation member, and the inner lead portion,

상기 반도체소자와 상기 이너 리드부가 상기 방열 부재에 부착되고, The semiconductor element and the inner lead portion are attached to the heat dissipation member,

상기 방열 부재는 상기 수지부의 두께 방향에서 중심을 건너도록 배치되고, 상기 이너 리드부는 단부가 상기 수지부의 두께 중심에서 어긋난 위치에 배치되는 동시에 상기 수지부의 두께의 중심방향으로 굴곡 형성되며,The heat dissipation member is disposed so as to cross the center in the thickness direction of the resin portion, the inner lead portion is disposed at a position where an end portion is shifted from the thickness center of the resin portion, and is bent in the center direction of the thickness of the resin portion,

상기 아우터 리드부는 상기 수지부의 두께의 중심위치로부터 돌출한다. The outer lead portion projects from the center position of the thickness of the resin portion.

본 발명에 의하면, 방열 부재가 수지부의 두께의 중심을 건네는 위치에 배치되고 있다. 이 구성은 이너 리드부가 그 단부가 상기 수지부의 두께의 중심에서 어긋난 위치에 배치되며 또한 수지부의 두께의 중심방향으로 굴곡함으로써 가능하게 되어 있다. 이렇게 함으로써 수지 밀봉 시에 상하의 성형 금형의 내면과 방열 부재와의 간격이 거의 균등하게 된다. 그리고 수지의 흐름을 상하 균등화시켜서 수지의 충전 불량을 방지할 수 있다.According to this invention, the heat radiating member is arrange | positioned in the position which passes the center of the thickness of a resin part. This configuration is made possible by the inner lead portion being disposed at a position where the end thereof is shifted from the center of the thickness of the resin portion, and bent in the center direction of the thickness of the resin portion. By doing this, the distance between the inner surface of the upper and lower molding dies and the heat dissipation member is almost even at the time of resin sealing. In addition, it is possible to equalize the flow of the resin up and down to prevent the filling failure of the resin.

(2) 상기 반도체 소자는 상기 수지부의 두께방향에 대해서 수직의 방향에 있어서 상기 방열 부재의 거의 중앙영역에 부착되며(2) The semiconductor element is attached to an almost center region of the heat dissipation member in a direction perpendicular to the thickness direction of the resin portion.

상기 이너 리드부는 상기 방열 부재에 있어서의 상기 반도체소자가 부착되는 면에서 상기 방열 부재의 외주부에 부착되어도 좋다.The inner lead portion may be attached to an outer circumferential portion of the heat dissipation member on the surface to which the semiconductor element in the heat dissipation member is attached.

(3) 상기 반도체 소자는 상기 방열 부재의 한쪽의 면에 부착되며,(3) the semiconductor element is attached to one surface of the heat dissipation member,

상기 이너 리드부는 상기 방열 부재의 다른 쪽의 면에 부착되어도 좋다.The inner lead portion may be attached to the other surface of the heat dissipation member.

(4) 상기 방열 부재는 알루미늄으로 되며 양극 산화 처리가 실시되어서 다공성의 표면을 가져도 좋다.(4) The heat dissipation member may be made of aluminum, and may be anodized to have a porous surface.

(5) 상기 방열 부재의 표면은 조면화(粗面化)되어도 좋다.(5) The surface of the said heat radiating member may be roughened.

(6) 상기 방열 부재의 표면에는 세라믹 용사(溶射)가 실시되어도 좋다.(6) Ceramic spraying may be applied to the surface of the heat radiating member.

(7) 상기 방열 부재의 표면에는 흑화(黑化) 처리가 실시되어도 좋다.(7) The surface of the said heat radiating member may be blackened.

(8) 상기 리드의 상기 이너 리드부는 양면에 집착 부재를 갖는 절연부재를 통해 상기 방열 부재에 부착되며(8) the inner lead portion of the lead is attached to the heat dissipation member through an insulating member having an attachment member on both sides thereof;

상기 이너 리드부는 상기 절연 부재에 있어서의 상기 접착 부재의 한쪽에 파고드는 상태로 부착되어도 좋다.The inner lead portion may be attached in a state of penetrating into one of the adhesive members in the insulating member.

(9) 상기 리드의 상기 이너 리드부는 양면에 접착 부재를 갖는 절연 부재를 통해 상기 방열 부재에 부착되며 상기 절연부재는 상기 이너 리드부에 있어서의 상기 방열 부재의 중앙 측의 선단의 아래까지 종단해도 좋다.(9) The inner lead portion of the lead may be attached to the heat dissipation member through an insulation member having an adhesive member on both sides, and the insulation member may be terminated to the lower end of the center side of the heat dissipation member in the inner lead portion. good.

(10) 본 발명에 관한 반도체 장치의 제조방법은, (10) The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is

전극을 갖는 반도체 소자와 아우터 리드부와 부분적으로 굴곡하는 이너 리드부를 갖는 리드와 상기 반도체 소자 및 상기 이너 리드부가 장착되는 동시에 상기 반도체 소자의 열 발산을 촉진하는 방열 부재를 소정의 위치에 배치하는 제 1 공정과,A lead having a semiconductor element having an electrode and an inner lead portion partially curved with the outer lead portion, and a heat dissipation member for mounting the semiconductor element and the inner lead portion and promoting heat dissipation of the semiconductor element at a predetermined position; 1 process,

상기 반도체 소자와 상기 방열 부재와 상기 리드의 상기 이너 리드부를 밀봉하는 수지부를 형성하는 제 2 공정을 포함하며,A second step of forming a resin portion for sealing the semiconductor element, the heat dissipation member, and the inner lead portion of the lead,

상기 제 1 공정에 있어서, 상기 수지부의 두께의 증간과 교차하는 위치에 상기 방열 부재를 배치하고, 상기 이너 리드부의 굴곡을 거쳐서 상기 수지부의 두께의 중간 위치에 상기 이너 리드부와 상기 아우터 리드부와의 접속부를 배치한다.In the first step, the heat dissipation member is disposed at a position that intersects the increase in thickness of the resin portion, and the inner lead portion and the outer lead are positioned at an intermediate position of the thickness of the resin portion through bending of the inner lead portion. Arrange the connection with the unit.

본 발명에 의하면, 방열 부재를 수지부의 두께의 중간이 교차하는 위치에 배치한다. 이 구성은 이너 리드부가 수지부의 두께의 중간방향에 굴곡함으로써 가능하게되어 있다. 이렇게 함으로써 수지 밀봉 시에 상하의 성형 금형의 내면과 방열부재와의 간격을 거의 균등으로 할 수 있다. 그리고 수지의 흐름을 상하 균등화시켜서 수지의 충전 불량을 방지 할 수 있다.According to this invention, a heat radiating member is arrange | positioned in the position which the middle of the thickness of a resin part cross | intersects. This configuration is enabled by the inner lead portion being bent in the middle direction of the thickness of the resin portion. By doing in this way, the space | interval of the inner surface of the upper and lower shaping | molding die, and a heat radiating member can be made substantially equal at the time of resin sealing. And equalization of the flow of the resin up and down can prevent the filling failure of the resin.

(11) 상기 방열 부재는 알루미늄으로 이루며,(11) the heat dissipation member is made of aluminum,

상기 제 1 공정 전에, 상기 방열 부재를 양극 산화 처리하는 공정을 포함해도 좋다.Before the said 1st process, you may include the process of anodizing the said heat radiating member.

(12) 상기 제 1 공정 전에, 표면 조화 현상이 생기는 정도의 큰 전류 밀도로 상기 방열 부재에 전해 도금을 실시하는 공정을 포함해도 좋다.(12) Before the said 1st process, you may include the process of electroplating the said heat radiating member with the big current density of the grade which surface roughening phenomenon generate | occur | produces.

(13) 상기 제 1 공정 전에, 샌드블라스트(sandblast)에 의해서 상기 방열 부재의 표면을 거칠게 하는 공정을 포함해도 좋다.(13) Before the first step, a step of roughening the surface of the heat dissipation member by sandblasting may be included.

(14) 상기 제 1 공정 전에, 상기 방열 부재의 표면에 세라믹 용사를 실시하는 공정을 포함해도 좋다.(14) You may include the process of spraying ceramic on the surface of the said heat radiating member before a said 1st process.

(15) 상기 제 1 공정 전에, 상기 방열 부재의 표면에 흑화 처리를 실시해도 좋다.(15) Before the first step, a blackening treatment may be performed on the surface of the heat radiating member.

(16) 상기 제 1 공정은,(16) The first step is

상기 리드의 상기 이너 리드부를 양면에 접착부재를 갖는 절연부재를 통해 상기 방열 부재에 부착하는 공정과, Attaching the inner lead portion of the lead to the heat dissipation member through an insulating member having an adhesive member on both sides;

상기 이너 리드부와 상기 절연부재사이에 압력을 가하고 상기 절연부재에 있어서의 상기 접착 부재의 한쪽에 상기 이너 리드부를 파고들게 하는 공정을 포함해도 좋다.And applying a pressure between the inner lead portion and the insulating member and digging the inner lead portion into one of the adhesive members of the insulating member.

(17) 상기 제 1 공정은,(17) The first step is,

양면에 접착 부재를 갖는 절연 부재를 상기 방열 부재의 외주부에 붙이는 공정과, Attaching an insulating member having an adhesive member on both sides to an outer peripheral portion of the heat dissipation member,

상기 이너 리드부를 적어도 상기 절연 부재에 있어서의 상기 방열 부재의 중앙 측의 측단까지 또는 이 이상으로 중앙 측으로 연장하게 상기 절연 부재에 붙이는 공정과, Attaching the inner lead portion to the insulating member so as to extend to the central side at least to the side end of the central side of the heat dissipating member in the insulating member or more;

상기 이너 리드부와 상기 방열 부재 사이에 압력을 가하는 공정을 포함해도 좋다.A step of applying a pressure between the inner lead portion and the heat dissipation member may be included.

발명을 실시하는 가장 양호한 형태Best Mode for Carrying Out the Invention

본 발명의 실시형태를 이하에 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시 형태 중 하나의 반도체 장치의 단면의 모식도이다. 이 반도체 장치는 반도체 소자(104)와 방열 블록(103)과 이너 리드(101) 및 아우터 리드(108)로 이루는 리드를 갖는다. Embodiment of this invention is described below. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram of the cross section of one semiconductor device of embodiment of this invention. This semiconductor device has a semiconductor element 104, a heat radiation block 103, an inner lead 101 and an outer lead 108.

이너 리드(101)는 부분적으로 굴곡되어 형성되고 있으며, 절연성을 가진 테이프(102)를 통해, 구리나 알루미늄 등의 금속 등으로 되며 판상(板狀)의 방열 블록(103)에 고착되고 있다. 테이프(102)는 방열 블록(103)의 외주부에 부착되어 있다. 반도체 소자(104)는 방열 블록(103)상에 열전도율이 양호한 에폭시계 등의 수지(105)로 고착되어 있다. 상세하게는 반도체 소자(104)는 방열 블록(103)에 있어서의 이너 리드(101)가 장치되는 면의 약 중앙에 장치되고 있다. 반도체 소자(104)상의 전극 패드(도시 생략)와 이너 리드(101)는 금선 등의 와이어(106)로 결선되고 있다. 그리고 반도체 소자(104), 방열 블록(103) 및 이너 리드(101)는 수지부(107)내에 밀봉되고 있다. 방열 블록(103)을 수지부(107)가 밀봉함으로써 방열 블록(103)이 외부로 노출되지 않게 되며 그 부식 등을 방지할 수 있다. 또, 수지부(107)의 두께의 중간위치로부터 아우터 리드(108)가 인출되고 있다. 이 위치에서 아우터 리드(108)를 인출하기 위해서 이너 리드(101)는 수지부(107)의 두께 중간 방향으로 굴곡되어 있다.The inner lead 101 is partially bent and formed, and is made of metal such as copper, aluminum, or the like through the insulating tape 102 and fixed to the plate-shaped heat dissipation block 103. The tape 102 is attached to the outer peripheral portion of the heat dissipation block 103. The semiconductor element 104 is fixed on the heat dissipation block 103 with resin 105 such as epoxy resin having good thermal conductivity. In detail, the semiconductor element 104 is installed in about the center of the surface in which the inner lead 101 in the heat radiation block 103 is installed. The electrode pads (not shown) on the semiconductor element 104 and the inner lead 101 are connected by wires 106 such as gold wires. The semiconductor element 104, the heat dissipation block 103, and the inner lead 101 are sealed in the resin portion 107. By sealing the heat dissipation block 103 with the resin portion 107, the heat dissipation block 103 is not exposed to the outside, and the corrosion and the like can be prevented. In addition, the outer lead 108 is drawn out from an intermediate position of the thickness of the resin portion 107. In order to take out the outer lead 108 at this position, the inner lead 101 is bent in the thickness intermediate direction of the resin portion 107.

아우터 리드(108)의 형성방향은 도면과 같이 반도체 소자(104)와 반대방향 이어도 좋으며 반도체 소자(104)와 동방향이어도 좋다. 또, 도시하는 아우터 리드(108)는 걸윙(gull-wing) 형상인데 다른 형상이어도 좋으며 이 형상에 한정되는 것은 아니다.The formation direction of the outer lead 108 may be opposite to the semiconductor element 104 as shown in the figure, or may be in the same direction as the semiconductor element 104. In addition, although the outer lead 108 shown is a gull-wing shape, other shapes may be sufficient and it is not limited to this shape.

본 실시형태에서는, 수지부(107)의 두께(패키지 두께)는 3mm 정도이며 방열 블록(103)은 1mm 정도의 두께로 되어 있다. 이같이 방열 블록(103)의 두께를 패키지 두께의 1/3정도로 하면 충분한 열방산이 가능하게 된다. 또, 방열 블록(103)은 수지부(107)의 치수(패키지치수)의 30-80％(특허 65-75％)으로 하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써 방열 블록(103)이 수지(107)로부터 노출하는 것을 방지할 수 있다. In this embodiment, the thickness (package thickness) of the resin part 107 is about 3 mm, and the heat dissipation block 103 is about 1 mm thick. Thus, when the thickness of the heat dissipation block 103 is about 1/3 of the package thickness, sufficient heat dissipation is possible. In addition, it is preferable that the heat radiation block 103 is 30-80% (patent 65-75%) of the dimension (package dimension) of the resin part 107. In this way, the heat radiation block 103 can be prevented from being exposed from the resin 107.

본 실시형태에서는, 방열 블록(103)이 수지부(107)의 두께의 중간이 교차하는 위치에 배치되고 있다. 그리고 방열 블록(103)의 양면에 있어서의 수지부(107)의 두께가 거의 동등하게 되어 있다.In this embodiment, the heat dissipation block 103 is arrange | positioned in the position which the middle of the thickness of the resin part 107 cross | intersects. And the thickness of the resin part 107 in both surfaces of the heat dissipation block 103 is substantially equal.

본 반도체 장치의 제조 방법은 상하의 성형 금형 중에서 수지에 의해 밀봉하는 공정을 포함한다. 종래의 기술에서 도시한 바와 같이 방열 블록과의 거리가 상하의 성형 금형에서 차이가 생기면 수지의 유동속도에 차이가 생기며 미충전 불량을 발생시킨다. 본 발명은 이너 리드(101)가 굴곡되어 형성되고 있으므로, 방열 블록(103)을 수지부(107)의 두께의 중간과 교차하는 위치에 배치하고 있다. 따라서 상하의 성형 금형으로부터 방열 블록(103)까지의 거리를 균일로 할 수 있고 이것에 의해서 수지의 흐름을 균일하게 할 수 있고 미충전 등의 불량을 없앨 수 있다.The manufacturing method of this semiconductor device includes the process of sealing with resin in the upper and lower molding metal mold | die. As shown in the prior art, when the distance from the heat dissipation block is different in the upper and lower molding dies, a difference in the flow rate of the resin occurs and causes an unfilled defect. Since the inner lead 101 is bent and formed in this invention, the heat dissipation block 103 is arrange | positioned in the position which intersects the middle of the thickness of the resin part 107. As shown in FIG. Therefore, the distance from the upper and lower molding dies to the heat dissipation block 103 can be made uniform, whereby the flow of resin can be made uniform, and defects such as unfilling can be eliminated.

또한, 상기 방열 블록(103)은 수지부(107)와의 밀착성을 고려하면 조면 가공 될 것이 바람직하다. 그 방법으로서 방열 블록(103)에 대해서 큰 전류밀도로 전해 도금을 실시하여 조면의 도금층을 형성해도 좋다. 구체적으로는 구리로 구성된 방열 블록(103)에 대해서 구리 도금을 실시할 때, 이 방법을 적용할 수 있다. 또는 방열 블록(103)을 알루미늄으로 구성한 경우에는 양극산화처리를 실시하는 방법이 있다. 또는 샌드블라스트에 의해서 굳은 알갱이를 방열 블록(103)에 부딪히게 함으로써 표면의 조면 가공을 실시해도 된다. 또는 방열 블록(103)의 표면에 세라믹 용사에 의해서 세라믹을 구워 붙여도 좋다. 또는 방열 블록(103)의 표면을 화학적으로도 산화시키는 흑화처리를 실시해도 좋다.In addition, the heat radiation block 103 is preferably roughened in consideration of the adhesion to the resin portion 107. As a method, the heat dissipation block 103 may be electroplated at a large current density to form a roughened plating layer. Specifically, this method can be applied when copper plating is performed on the heat radiation block 103 made of copper. Alternatively, when the heat radiation block 103 is made of aluminum, there is a method of performing anodization. Alternatively, the surface roughening may be performed by making the granules hardened by sandblasting hit the heat dissipation block 103. Alternatively, the ceramic may be baked on the surface of the heat dissipation block 103 by ceramic spraying. Alternatively, blackening may be performed to chemically oxidize the surface of the heat radiating block 103.

이들 방법에 의해, 표면이 다공질로 되며 수지부(107)와의 밀착성이 향상한다. 또, 세라믹 용사 또는 흑화처리를 실시한 경우에는 방열 블록(103)의 표면에 세라믹 또는 화학적으로 형성된 산화막이 형성되므로 열에 의해서 발생해서 수지와의 밀착성이 약한 산화막이 형성되는 것도 방지할 수도 있다. 또한, 수지와의 밀착성을 높이기 위한 상기 방법은 이하의 모든 실시형태에서도 적용 가능하다.By these methods, the surface becomes porous and the adhesiveness with the resin part 107 improves. In the case of ceramic spraying or blackening, an oxide film formed ceramic or chemically is formed on the surface of the heat radiation block 103, so that an oxide film that is generated by heat and has poor adhesion to the resin can also be prevented. In addition, the said method for improving adhesiveness with resin is applicable also to all the following embodiments.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다른 실시형태에 관한 리드를 도시하는 도면이다. 또한 도 2b는 도 2a의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도이다.2A and 2B are views showing a lead according to another embodiment of the present invention. 2B is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 2A.

이너 리드(201)는 보강부(202)에 연결된 상태로 프레스 또는 포토에칭 기술을 써서 제조된 후에 프레스가공으로 굴곡부(203)가 형성되며 절연성의 테이프(204)에 접착된다. 이너 리드(201)에는 상술의 보강부(202)에 연결된 상태로 프레스 가공으로 굴곡부(203)가 형성된다. 따라서 이너 리드(201)의 구부림 등을 방지할 수 있고 안정되어 제조가 가능하게 된다. 또, 이너 리드(201)에 방열 블록에 대한 고정용의 테이프(204)가 접착되며 이너 리드(201)가 방열 블록에 고정된 후에 보강부(202)를 컷하면 이너 리드(201)의 구부림을 가일층 방지할 수 있고 버르적거림 등도 방지할 수 있다.The inner lead 201 is manufactured using a press or photoetching technique in a state of being connected to the reinforcing portion 202, and then a bent portion 203 is formed by press working and bonded to the insulating tape 204. The inner lead 201 is formed with a bent portion 203 by press working in a state of being connected to the reinforcement portion 202 described above. Therefore, bending of the inner lead 201 can be prevented, and it becomes stable and manufacture is possible. In addition, the tape 204 for fixing to the heat dissipation block is attached to the inner lead 201 and the reinforcement part 202 is cut after the inner lead 201 is fixed to the heat dissipation block, thereby bending the inner lead 201. It can be prevented further and can also prevent blurring.

도 3은 본 발명의 다른 실시형태를 도시하는 도면이다. 동 도면은 굴곡부를 가진 이너 리드(301)를 절연성을 가진 테이프(302)를 통해 방열 블록(303)에 고착하고 반도체 소자(304)를 에폭시 등의 접착제(305)를 통해, 방열 블록(303)에 있어서의 이너 리드(301)를 갖는 면에 탑재하고 반도체소자(304)의 전극 패드(도시생략)와 이너 리드(301)를 금선 등의 와이어(306)로 결선한 후, 수지부(307)로 밀봉한 반도체 장치의 단면도이다. 이것에 의하면 미세 이너 리드 피치의 리드프레임을 쓸 수 있고 소형화한 반도체 소자를 탑재할 때에도 결선에 쓰이는 와이어의 길이를 단축할 수 있고 수지로 밀봉하는 공정에서의 와이어의 단락 등을 방지할 수 있다.3 is a diagram showing another embodiment of the present invention. In the drawing, the inner lead 301 having the bent portion is fixed to the heat dissipation block 303 through an insulating tape 302, and the semiconductor element 304 is attached to the heat dissipation block 303 through an adhesive 305 such as epoxy. The resin pad 307 is mounted on the surface having the inner lead 301 of the semiconductor device, and the electrode pad (not shown) of the semiconductor element 304 and the inner lead 301 are connected with a wire 306 such as a gold wire. It is sectional drawing of the semiconductor device sealed with. According to this, the lead frame of fine inner lead pitch can be used, and even when mounting a miniaturized semiconductor element, the length of the wire used for connection can be shortened, and the short circuit of the wire in the process of sealing with resin can be prevented.

도 4는 본 발명의 다른 실시형태를 도시하는 도면이다. 동 도면에 있어서 굴곡부를 갖는 이너 리드(401)가 절연성을 가진 테이프(402)를 거쳐서 방열 블록(403)에 고착되고 있다. 반도체 소자(404)는 방열 블록(403)에 있어서 이너 리드(401)를 갖는 면과는 반대의 면에 에폭시 등의 접착제(405)를 써서 고착되어 있다. 반도체 소자(404)의 전극 패드(도시 생략)는 금선 등의 와이어(406)로 이너 리드(401)에 접속되고 있다.4 is a diagram showing another embodiment of the present invention. In the figure, the inner lead 401 having the bent portion is fixed to the heat dissipation block 403 via the insulating tape 402. The semiconductor element 404 is fixed to the surface opposite to the surface having the inner lead 401 in the heat dissipation block 403 by using an adhesive 405 such as epoxy. The electrode pad (not shown) of the semiconductor element 404 is connected to the inner lead 401 by a wire 406 such as a gold wire.

이 실시형태에서도, 방열 블록(403)은 수지부(407)의 중간과 교차하는 위치에 배치되고 있다. 다만, 방열 블록(403)의 중간과 수지부(407)의 중간이 일치하는 것은 아니고 방열 블록(403)에 있어서 반도체 소자(404)가 부착된 면에 가까운 위치에 수지부(407)의 중간이 위치한다. 이것에 의하면 수지부(407)는 반도체 소자(404)에 있어서 방열 블록(403)과 반대측의 면과 방열 블록(403)에 있어서의 반도체 소자(404)와는 반대측의 면 위에 있어서 두께가 거의 동일하게 되어 있다. 이렇게 함으로써 수지 밀봉의 공정에서 양호한 수지의 흐름이 가능으로 되어서 수지의 충전 불량이 방지된다. Also in this embodiment, the heat dissipation block 403 is arrange | positioned in the position which intersects the middle of the resin part 407. As shown in FIG. However, the middle of the heat dissipation block 403 does not coincide with the middle of the resin part 407, but the middle of the resin part 407 is located at a position close to the surface on which the semiconductor element 404 is attached in the heat dissipation block 403. Located. According to this, the resin portion 407 has almost the same thickness on the surface opposite to the heat dissipation block 403 in the semiconductor element 404 and on the surface opposite to the semiconductor element 404 in the heat dissipation block 403. It is. By doing in this way, favorable resin flow in the process of resin sealing is attained, and the filling failure of resin is prevented.

본 실시형태에서는, 반도체 소자(404)가 방열 블록(403)에 거의 가까운 크기로 되고 있다. 이 같은 경우에는 방열 블록(403)의 양면 상에 있어서의 수지부(407)의 두께가 균일하다기보다 방열 블록(403)의 면 및 반도체 소자(404)의 면상에 있어서의 수지부(409)의 두께를 균일로 함으로써 양호한 수지의 흐름이 가능으로 된다.In this embodiment, the semiconductor element 404 has a size substantially close to the heat dissipation block 403. In such a case, the thickness of the resin portion 407 on both surfaces of the heat dissipation block 403 is not uniform, but rather than the thickness of the resin portion 409 on the surface of the heat dissipation block 403 and the surface of the semiconductor element 404. By making thickness uniform, favorable flow of resin is attained.

또, 이 실시형태에 있어서의 반도체 소자(404) 대신에 이보다 소형의 반도체 장치를 복수 개 탑재할 수도 있다. In addition, instead of the semiconductor element 404 in this embodiment, a plurality of smaller semiconductor devices may be mounted.

도 5는 도 1에 도시하는 반도체 장치의 변형예를 도시하는 도면이며 도 1의 V-V선과 같은 위치에서 절단한 단면의 일부를 도시한다. 동 도면에 도시하듯이 이너 리드(601)와 방열 블록(603)을 접착하는 테이프(602)는 테이프심(602a)의 양면에 접착제층(602b)이 형성되어 이룬다. 또, 이너 리드(601)는 한쪽의 접착제층(602b)에 파고들은 상태로 되어 있다. 그리고 이너 리드(601)의 바로 밑에는 접착제층(602a)이 존재하지 않도록 테이프심(602a)이 존재한다. 이렇게 함으로써, 와이어 본딩을 행할 때, 이때의 온도(250∼260℃)에서, 접착제층(602b)이 연화되어서 쿠션으로 되어서 본딩 불량이 생기는 것을 방지할 수 있다.FIG. 5 is a view showing a modification of the semiconductor device shown in FIG. 1 and showing a part of a cross section cut at the same position as the V-V line in FIG. As shown in the figure, the tape 602 adhering the inner lead 601 and the heat dissipation block 603 is formed by the adhesive layer 602b formed on both sides of the tape core 602a. Moreover, the inner lead 601 is in the state which dug in one adhesive bond layer 602b. A tape shim 602a exists below the inner lead 601 so that the adhesive layer 602a does not exist. By doing in this way, at the time (250-260 degreeC) at the time of wire bonding, adhesive layer 602b softens and becomes a cushion, and it can prevent that a bonding defect arises.

또한, 이 구성을 얻는 데에는 상술한 반도체 장치의 제조공정을 행하기 전에 이너 리드(601)와 방열 블록(603)사이에 종래의 4-5배 정도의 압력(약 200㎏ 무게)을 가하면 좋다.In order to obtain this configuration, before performing the above-described manufacturing process of the semiconductor device, a conventional pressure (about 200 kg weight) of about 4-5 times may be applied between the inner lead 601 and the heat dissipation block 603.

다음에, 도 6에는 테이프의 박리를 방지하기 위한 예가 도시되어 있다. 즉, 방열 블록(703)의 한쪽의 면에 접착제를 양면에 갖는 테이프(702)를 통해 이너 리드(701)가 부착되어 있다.Next, an example for preventing peeling of the tape is shown in FIG. 6. That is, the inner lead 701 is attached to one surface of the heat dissipation block 703 via a tape 702 having adhesive on both sides.

여기에서, 이너 리드(701)는 테이프(702)보다 방열 블록(703)의 중앙 측에 예컨대 0.1 내지 0.5mm 정도 돌출하고 있다. 바꿔 말하면 테이프(702)는 이너 리드(701)에 있어서의 방열 블록(703)의 중앙 측의 선단보다 내측에서 종단하고 있다. Here, the inner lead 701 protrudes, for example, about 0.1 to 0.5 mm from the center side of the heat dissipation block 703 to the tape 702. In other words, the tape 702 is terminated inward from the tip of the center side of the heat dissipation block 703 in the inner lead 701.

이렇게 함으로써, 이너 리드(701)와 방열 블록(703)사이에 압력을 가해서 양자를 접착했을 때 테이프(702)보다 이너 리드(701)의 선단(701a)이 돌출하고 있으므로 테이프(702)의 측단(702a)에 이르기까지 압력이 가해진다. 이래서 테이프(702)의 방열 블록(703)에 대한 접착성이 향상하므로 이너 리드(791)의 접착성도 향상하고 와이어 본딩의 안정성도 향상한다.By doing so, when the pressure is applied between the inner lead 701 and the heat dissipation block 703 so that both are bonded together, the front end 701a of the inner lead 701 protrudes from the tape 702, so that the side end of the tape 702 ( Pressure is applied to 702a). Thus, since the adhesiveness of the tape 702 to the heat dissipation block 703 is improved, the adhesiveness of the inner lead 791 is also improved and the stability of wire bonding is also improved.

또한, 이너 리드(701)의 선단(701a)의 면과 테이프(702)의 측단(702a)의 면을 한면으로 해도 마찬가지의 효과가 얻어진다.In addition, even if the surface of the front end 701a of the inner lead 701 and the surface of the side end 702a of the tape 702 are made into one surface, the same effect is acquired.

Claims (17)

수지 밀봉형의 반도체 장치에 있어서,In a resin-sealed semiconductor device, 전극을 갖는 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 열의 발산을 촉진하는 방열부재와, 이너 리드부 및 아우터 리드부를 갖는 리드와, 상기 반도체 소자와 상기 방열 부재와 상기 이너 리드부를 밀봉하여 매설하는 수지부를 가지며,A semiconductor element having an electrode, a heat dissipation member for promoting heat dissipation of the semiconductor element, a lead having an inner lead portion and an outer lead portion, and a resin portion sealing and embedding the semiconductor element, the heat dissipation member, and the inner lead portion. Has, 상기 반도체 소자와 상기 이너 리드부가 상기 방열 부재에 부착되며, The semiconductor element and the inner lead portion are attached to the heat dissipation member, 상기 방열 부재는 상기 수지부의 두께 방향에 있어서의 중심을 건너도록 배치되며,The heat dissipation member is disposed to cross a center in the thickness direction of the resin portion, 상기 이너 리드부는 단부가 상기 수지부의 두께의 중심에서 어긋난 위치에 배치되고, 상기 방열 부재와의 부착 위치보다도 외측에서, 상기 수지부의 두께의 중심 방향으로 굴곡 형성되며,The inner lead portion is disposed at a position where an end portion is shifted from the center of the thickness of the resin portion, and is formed to bend toward the center of the thickness of the resin portion outside the attachment position with the heat radiating member, 상기 아우터 리드부는 상기 수지부의 두께의 중심 위치로부터 돌출하는 반도체 장치.And the outer lead portion protrudes from a center position of the thickness of the resin portion. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체 소자는 상기 수지부의 두께 방향에 대해 수직 방향에 있어서, 상기 방열 부재의 대략 중앙 영역에 부착되며,The semiconductor element is attached to a substantially central region of the heat dissipation member in a direction perpendicular to the thickness direction of the resin portion, 상기 이너 리드부는 상기 방열 부재에 있어서의 상기 반도체 소자가 부착되는 면에서 상기 방열 부재의 외주부에 부착되는, 반도체 장치.And the inner lead portion is attached to an outer circumferential portion of the heat dissipation member on a surface to which the semiconductor element in the heat dissipation member is attached. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체 소자는 상기 방열 부재의 한쪽 면에 부착되며, The semiconductor element is attached to one side of the heat dissipation member, 상기 이너 리드부는 상기 방열 부재의 다른 쪽 면에 부착되는, 반도체 장치.And the inner lead portion is attached to the other side of the heat dissipation member. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 방열 부재는 알루미늄으로 이루어지고, 양극 산화 처리가 실시되어 다공성의 표면을 갖는, 반도체 장치.The heat dissipation member is made of aluminum, and is subjected to anodization to have a porous surface. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 방열 부재의 표면은 조면화(粗面化)되어 이루어지는, 반도체 장치.The surface of the said heat radiating member is roughened, The semiconductor device. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 방열 부재의 표면에는 세라믹 용사(溶射)가 실시되어 이루어지는, 반도체 장치.The semiconductor device in which the ceramic thermal spraying is given to the surface of the said heat radiating member. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 방열 부재의 표면에는 흑화(黑化) 처리가 실시되어 이루어지는, 반도체 장치.The semiconductor device which blackening process is given to the surface of the said heat radiating member. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 리드의 상기 이너 리드부는 양면에 접착 부재를 갖는 절연 부재를 통해 상기 방열 부재에 부착되며,The inner lead portion of the lead is attached to the heat dissipation member through an insulating member having an adhesive member on both sides, 상기 이너 리드부는 상기 절연 부재에 있어서의 상기 접착 부재의 한쪽에 파고드는 상태로 부착되는, 반도체 장치.The inner lead portion is attached to one side of the adhesive member in the insulating member in a state of being attached to the semiconductor device. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 리드의 상기 이너 리드부는 양면에 접착 부재를 갖는 절연 부재를 통해 상기 방열 부재에 부착되며,The inner lead portion of the lead is attached to the heat dissipation member through an insulating member having an adhesive member on both sides, 상기 절연 부재는 상기 이너 리드부에 있어서의 상기 방열 부재의 중앙 측의 선단 아래까지 종단하는, 반도체 장치.The said insulating member terminates to the lower end below the center side of the said heat radiating member in the said inner lead part. 수지 밀봉형의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서In the manufacturing method of the resin-sealed semiconductor device 전극을 갖는 반도체 소자와, 아우터 리드부와 부분적으로 굴곡하는 이너 리드부를 갖는 리드와, 상기 반도체 소자 및 상기 이너 리드부가 부착되는 동시에 상기 반도체 소자의 열의 발산을 촉진하는 방열 부재를 소정의 위치에 배치하는 제 1 공정과, A semiconductor element having an electrode, a lead having an inner lead portion partially curved with an outer lead portion, and a heat dissipation member attached to the semiconductor element and the inner lead portion and promoting heat dissipation of the semiconductor element at a predetermined position With the first process to do, 상기 반도체 소자와 상기 방열 부재와 상기 리드의 상기 이너 리드부를 밀봉하는 수지부를 형성하는 제 2 공정을 포함하며, A second step of forming a resin portion for sealing the semiconductor element, the heat dissipation member, and the inner lead portion of the lead, 상기 이너 리드부는, 상기 방열 부재와의 부착 위치보다도 외측에서 굴곡하고,The inner lead portion is bent outward from the attachment position with the heat dissipation member, 상기 제 1 공정에 있어서, 상기 수지부의 두께의 중간과 교차하는 위치에 상기 방열 부재를 배치하고, 상기 이너 리드부의 굴곡을 통해 상기 수지부의 두께의 중간 위치에 상기 이너 리드부와 상기 아우터 리드부와의 접촉부를 배치하는 반도체 장치의 제조 방법.In the first step, the heat dissipation member is disposed at a position intersecting the middle of the thickness of the resin portion, and the inner lead portion and the outer lead are positioned at an intermediate position of the thickness of the resin portion through bending of the inner lead portion. The manufacturing method of the semiconductor device which arrange | positions the contact part with a part. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 방열 부재는 알루미늄으로 이루어지고,The heat dissipation member is made of aluminum, 상기 제 1 공정 전에, 상기 방열 부재를 양극 산화 처리하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.And a step of anodizing the heat dissipation member before the first step. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제 1 공정 전에, 표면 조화 현상(粗化現象)이 생기는 정도의 큰 전류 밀도로 상기 방열 부재에 전해 도금을 실시하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.And a step of electroplating the heat dissipation member at a large current density such that surface roughening occurs before the first step. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제 1 공정 전에, 샌드블라스트에 의해서 상기 방열 부재의 표면을 거칠게 하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.And a step of roughening the surface of the heat dissipation member by sandblasting before the first step. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제 1 공정 전에, 상기 방열 부재의 표면에 세라믹 용사를 실시하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.And a step of subjecting the surface of the heat dissipation member to ceramic spraying before the first step. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제 1 공정 전에, 상기 방열 부재의 표면에 흑화 처리를 실시하는 반도체 장치의 제조 방법.The manufacturing method of the semiconductor device which blackens a surface of the said heat radiating member before a said 1st process. 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 10 to 15, 상기 제 1 공정은,The first step, 상기 리드의 상기 이너 리드부를 양면에 접착 부재를 갖는 절연부재를 통해 상기 방열 부재에 부착하는 공정과,Attaching the inner lead portion of the lead to the heat dissipation member through an insulating member having an adhesive member on both sides; 상기 이너 리드부와 상기 절연 부재 사이에 압력을 가하고, 상기 절연 부재에 있어서의 상기 접착 부재의 한쪽에 상기 이너 리드부를 파고들게 하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.And applying a pressure between the inner lead portion and the insulating member to dig the inner lead portion into one of the adhesive members in the insulating member. 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 10 to 15, 상기 제 1 공정은,The first step, 양면에 접착 부재를 갖는 절연 부재를 상기 방열 부재의 외주부에 붙이는 공정과,Attaching an insulating member having an adhesive member on both sides to an outer peripheral portion of the heat dissipation member, 상기 이너 리드부를 적어도 상기 절연 부재에 있어서의 상기 방열 부재의 중앙 측의 측단까지 또는 이 이상으로 중앙 측으로 연장하게 상기 절연 부재에 붙이는 공정과,Attaching the inner lead portion to the insulating member so as to extend to the central side at least to the side end of the central side of the heat dissipating member in the insulating member or more; 상기 이너 리드부와 상기 방열 부재 사이에 압력을 가하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.And a step of applying a pressure between said inner lead portion and said heat dissipation member.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013148573A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (led) devices, components and methods
USD738542S1 (en) 2013-04-19 2015-09-08 Cree, Inc. Light emitting unit
US9538590B2 (en) 2012-03-30 2017-01-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
US9786825B2 (en) 2012-02-07 2017-10-10 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US9806246B2 (en) 2012-02-07 2017-10-31 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US9826581B2 (en) 2014-12-05 2017-11-21 Cree, Inc. Voltage configurable solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100436841B1 (en) * 2001-08-28 2004-06-23 화광 교역 주식회사 Organic el display apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08111491A (en) * 1994-10-12 1996-04-30 Toshiba Corp Semiconductor device
JPH08130286A (en) * 1994-11-01 1996-05-21 Hitachi Ltd Semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08111491A (en) * 1994-10-12 1996-04-30 Toshiba Corp Semiconductor device
JPH08130286A (en) * 1994-11-01 1996-05-21 Hitachi Ltd Semiconductor device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
US9786825B2 (en) 2012-02-07 2017-10-10 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US9806246B2 (en) 2012-02-07 2017-10-31 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
WO2013148573A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (led) devices, components and methods
US8895998B2 (en) 2012-03-30 2014-11-25 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components and methods
US9538590B2 (en) 2012-03-30 2017-01-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
USD738542S1 (en) 2013-04-19 2015-09-08 Cree, Inc. Light emitting unit
US9826581B2 (en) 2014-12-05 2017-11-21 Cree, Inc. Voltage configurable solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device

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