KR100501193B1 - A crystal oscillator - Google Patents

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KR100501193B1
KR100501193B1 KR10-2003-0041353A KR20030041353A KR100501193B1 KR 100501193 B1 KR100501193 B1 KR 100501193B1 KR 20030041353 A KR20030041353 A KR 20030041353A KR 100501193 B1 KR100501193 B1 KR 100501193B1
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Abstract

본 발명은 수정발진기에 관한 것으로, 수정편과 IC칩을 갖는 수정발진기에 있어서, 상기 수정편이 내장되는 내부공간을 형성하도록 복수개의 세라믹층이 적층되는 수정편조립체; 상기 IC칩이 내장되는 내부공간을 형성하도록 복수개의 세라믹층이 적층되는 칩조립체;상기 칩조립체의 각 변마다 함몰된 단자요홈에 형성되어 상기 IC칩과 전기적으로 연결되는 입출력단자를 포함하여 구성된다. The present invention relates to a crystal oscillator, comprising a crystal oscillator having a crystal piece and an IC chip, the crystal assembly comprising a plurality of ceramic layers stacked to form an internal space in which the crystal piece is embedded; A chip assembly in which a plurality of ceramic layers are stacked to form an internal space in which the IC chip is embedded; and an input / output terminal formed in a terminal recess recessed at each side of the chip assembly and electrically connected to the IC chip. .

본 발명에 의하면, 칩조립체의 IC칩에 데이터를 입력하고, 출력하는데 사용되는 입출력단자를 조립체의 각 변에 하나씩 분산배치하여 프로브와 단자부의 접촉에 의한 데이터입출력작업을 보다 원할하게 수행하고, 단자부의 축소없이 제품소형화를 가능할 수 있다. According to the present invention, input / output terminals used for inputting and outputting data to and from the IC chip of the chip assembly are distributed and arranged one by one on each side of the assembly, so that data input / output operations by contacting the probe and the terminal portion can be performed more smoothly, and the terminal portion It may be possible to miniaturize the product without reducing the size of the product.

Description

수정발진기{A CRYSTAL OSCILLATOR} Crystal Oscillator {A CRYSTAL OSCILLATOR}

본 발명은 수정발진기에 관한 것으로, 보다 상세히는 칩조립체의 IC칩에 데이터를 입력하고, 출력하는데 사용되는 입출력단자를 조립체의 각 변에 하나씩 분산배치하여 프로브와 단자부의 접촉에 의한 데이터입출력작업을 보다 원할하게 수행하고, 단자부의 축소없이 제품소형화를 가능하게 하는 수정발진기에 관한 것이다. The present invention relates to a crystal oscillator, and more particularly, the input and output terminals used to input and output data to the IC chip of the chip assembly are distributed one by one on each side of the assembly to perform data input and output operations by contacting the probe and the terminal portion. The present invention relates to a crystal oscillator that performs more smoothly and enables product miniaturization without shrinking the terminal portion.

일반적으로 수정을 압전진동자(압전부품)로서 채용한 수정발진기는 온도에 따라 써미스터의 저항값이 변화하게 되어 배리캡 다이오드에 가해지는 전압이 변화하고, 이러한 전압의 변화로 인하여 커패시터의 커패시턴스가 변화하게 되어 온도의 변화에 따라서 주파수를 발생시키는 장치이다. In general, a crystal oscillator employing crystal as a piezoelectric vibrator (piezoelectric component) changes the resistance value of the thermistor according to the temperature, so that the voltage applied to the varicap diode changes, and the capacitance of the capacitor changes due to the change of the voltage. It is a device that generates a frequency according to the change of temperature.

이러한 수정발진기는 소형이면서도 외부 환경 변화에 대해서도 안정된 주파수를 얻을 수 있어 컴퓨터, 통신기기등에서의 문자구성, 색상구성 회로 등에 사용되어지며, 한단계 더 응용된 전압조정형 수정발진기(VCXO), 온도보상형 수정발진기(TCXO), 항온조정형 수정발진기(OCXO)등의 제품은 우주공간의 인공위성, 계측기 등에서 모든 신호의 기준이 되는 핵심 부품으로 사용되기도 한다This crystal oscillator is small and stable frequency can be obtained against external environment change, so it is used for character composition and color composition circuit in computer, communication equipment, etc. Oscillators (TCXOs), thermostatically controlled crystal oscillators (OCXOs), etc. are often used as core components for all signals in space satellites and instruments.

최근에 정보통신과 디지털기술의 발전으로 높은 주파수 영역에서 사용되고, 빠른 데이터 처리속도 및 새로운 재료, 부품 및 모듈, 기판에 대한 수요자의 요구가 커지고 있는 실정이며, 특히 이동통신 부품의 경우, 소형화, 다중밴드화, 고주파화 추세에 따라 수정발진기의 소형화, 고집적화 및 고주파화한 구조가 요구되고 있다. Recently, the development of information communication and digital technology is used in the high frequency domain, and the demand for fast data processing speed and new materials, components, modules, and boards is increasing, especially in the case of mobile communication components, miniaturization and multiplexing. In accordance with the trend of banding and high frequency, miniaturization, high integration and high frequency of crystal oscillator are required.

이러한 수정발진기는 0.024CC(5.0mm(L)*3.2mm(W)*두께1.5mm(T))가 주류를 이루고 있으나, 부품의 소형화가 가속됨에 따라 길이, 폭 및 두께가 짧고, 좁아지며, 얇아진 0.008CC(3.2mm(L)*2.5mm(W)*1.0mm(T)) 및 0.004CC(2.5mm(L)*2.0mm(W)*0.8mm(T))제품이 주류를 이룰 것이다. 이를 위해서 수정발진기부품의 소형화 및 제조공법의 혁신, 경박단소화가 실현되어야 하는 것이다. The crystal oscillator has a mainstream of 0.024CC (5.0mm (L) * 3.2mm (W) * thickness1.5mm (T)), but as the miniaturization of parts is accelerated, its length, width and thickness become short and narrow. Thinner 0.008CC (3.2mm (L) * 2.5mm (W) * 1.0mm (T)) and 0.004CC (2.5mm (L) * 2.0mm (W) * 0.8mm (T)) will dominate . For this purpose, miniaturization of crystal oscillator parts, innovation of manufacturing method, and light and small size should be realized.

도 1은 일반적인 수정발진기의 분해사시도로서, 종래 수정발진기(100)는 도 1에 도시한 바와같이, 발진을 유발시키는 수정편을 포함하는 수정편조립체(110)와 발진회로, 온도보상회로, 전압조정회로및 이이피롬(EEPROM)이나 램(RAM)과 같은 기억부가 집적된 IC칩(I)을 포함하는 칩조립체(120)가 상하합형된 이중구조로 이루어져 있다. 1 is an exploded perspective view of a typical crystal oscillator, the conventional crystal oscillator 100, as shown in Figure 1, the crystal assembly 110 and the oscillation circuit, the temperature compensation circuit, the voltage including a crystal to cause the oscillation The chip assembly 120 including the control circuit and the IC chip I in which the memory unit such as EEPROM or RAM is integrated has a dual structure in which a vertical structure is formed.

즉, 상기 수정편조립체(110)는 상부면에 회로패턴(미도시)이 형성된 제 1세라믹층(111)과 상기 제 1세라믹층(111)의 테두리를 따라 적층되는 제 2세라믹층(112)으로 이루어진 세라믹기판(113)과, 그 내부에 배치되는 수정편(B)및 상기 수정편(B)이 배치되는 공간을 밀봉하는 덮개(115)로 구성되며, 상기 수정편(B)의 표면에는 일정한 패턴의 전극이 형성되어 있다. That is, the crystal piece assembly 110 has a second ceramic layer 112 stacked along an edge of the first ceramic layer 111 and the first ceramic layer 111 on which a circuit pattern (not shown) is formed. It consists of a ceramic substrate 113, a crystal piece (B) disposed therein and a cover 115 for sealing a space in which the crystal piece (B) is disposed, the surface of the crystal piece (B) Electrodes of a constant pattern are formed.

상기 수정편(B)은 제 1세라믹층(111)의 상부면 일측에 외부로부터 전원이 공급되도록 일단이 금속범프(미도시)를 매개로 다이본딩방식으로 수평하게 올려지고, 그 반대편 타단은 자유단으로 구비된다. The crystal piece (B) is one end is raised horizontally by a die bonding method through a metal bump (not shown) so that power is supplied from the outside to one side of the upper surface of the first ceramic layer 111, the other end is free It is provided with a stage.

또한, 상기 칩조립체(120)는 상부면에 회로패턴(미도시)이 형성된 제 1세라믹층(121)과 그 테두리를 따라 적층되는 제 2,3세라믹층(122)(123)으로 이루어진 세라믹기판(124)과, 상기 제 1세라믹층(121)상에 접착고정되는 IC칩(I)으로 구성된다. In addition, the chip assembly 120 includes a ceramic substrate including a first ceramic layer 121 having a circuit pattern (not shown) formed on an upper surface thereof, and second and third ceramic layers 122 and 123 stacked along an edge thereof. 124 and an IC chip I bonded and fixed on the first ceramic layer 121.

그리고, 상기 세라믹기판(124)의 장변측 좌우양측면에는 상기 IC칩(I)의 내부회로부들과 전기적으로 연결되어 기억부내로 데이터를 입력하여 조정하고, 조정된 데이터를 외부로 출력할 수 있도록 입출력단자(128a~128d)가 복수개 형성되어 있다. In addition, the left and right sides of the ceramic substrate 124 are electrically connected to the internal circuit parts of the IC chip I to be input and adjusted by inputting data into the memory, and outputting the adjusted data to the outside. A plurality of terminals 128a to 128d are formed.

다양한 회로부및 기억부가 집적된 IC칩(I)은 상기 세라믹기판(124)의 바닥면인 제 1세라믹층(121)의 상부면에 접착고정된 상태에서 상하적층시 내측으로 계단모양으로 돌출되는 제 2세라믹층(122)의 돌출부(122a)상에 올려진 복수개의 본딩패드(125)와 상기 IC칩(I)의 상부면에 올려진 복수개의 패드(126a)사이를 와이어(126)로서 와이어본딩하여 이들을 서로 전기적으로 연결하는 한편, 상기 IC칩(I)이 배치된 내부공간은 에폭시(E)를 충진하여 몰딩한다. The IC chip (I) in which various circuit parts and memory parts are integrated is a step which protrudes in a step shape when stacked vertically while being fixed to the upper surface of the first ceramic layer 121, which is the bottom surface of the ceramic substrate 124. Wire bonding as a wire 126 between a plurality of bonding pads 125 mounted on the protrusion 122a of the ceramic layer 122 and a plurality of pads 126a mounted on the upper surface of the IC chip I. While electrically connecting them to each other, the inner space in which the IC chip (I) is disposed is filled with molding (E).

상기와 같이 조립완성된 수정편조립체(110)와 칩조립체(120)는 또다른 조립라인에서 칩조립체(120)를 하부부품으로 하고, 상기 수정편조립체(110)를 상부부품으로 하여 상기 칩조립체(120)의 세라믹기판(124)상부면에 형성된 솔더패드(127)와 상기 수정편조립체(110)의 세라믹기판(113)하부면에 형성된 패드(117)사이에 개재되는 솔더볼을 매개로 하여 서로 일체로 접합함으로서 수정편(B)을 갖는 수정편조립체(110)와 IC칩(I)을 갖는 칩조립체(120)로 이루어진 이중구조의 수정발진기(100)를 조립완성하였다. The assembled crystal assembly 110 and the chip assembly 120 as described above are the chip assembly 120 as a lower part, and the chip assembly 110 as an upper part in another assembly line. The solder pads 127 formed on the upper surface of the ceramic substrate 124 of 120 and the pads 117 formed on the lower surface of the ceramic substrate 113 of the quartz crystal assembly 110 are interposed with each other through solder balls. By integrally bonding, the crystal oscillator 100 having a dual structure consisting of the crystal assembly 110 having the crystal piece B and the chip assembly 120 having the IC chip I was assembled.

한편, 이러한 구조를 갖는 수정발진기(100)는 제품에 탑재되는 부품의 소형화및 인접부품간의 복합모듈화가 진행되면서 소형화 설계되어 그 부피가 점차 축소되는 추세에 따라, 칩조립체(120)를 구성하는 세라믹기판(124)의 길이, 폭및 두께가 짧아지고, 좁아지며, 얇아지게 됨과 동시에, 상기 칩조립체(120)의 좌우양측 외벽에 각각 한쌍으로 구비되는 입출력단자(128a)(128b)(128c)(128d)간의 간격(D)도 상기 수정발진기(100)의 축소비율에 따라 줄어들게 된다. On the other hand, the crystal oscillator 100 having such a structure is designed to be miniaturized as the miniaturization of the components to be mounted on the product and the complex modularization between the adjacent parts proceeds to reduce the volume, the ceramic constituting the chip assembly 120 The length, width, and thickness of the substrate 124 are shortened, narrowed, and thinned, and at the same time, a pair of input / output terminals 128a, 128b, and 128c are provided on the left and right outer walls of the chip assembly 120, respectively. The interval D between 128d) is also reduced according to the reduction ratio of the crystal oscillator 100.

그러나, 상기 수정발진기(100)의 소형화에 맞추어 칩조립체(120)이 외벽에 비아홀형태로 형성되는 입출력단자(128a)(128b)(128c)(128d)의 크기를 축소시키는데 공정상 한계가 있다. However, in accordance with the miniaturization of the crystal oscillator 100, there is a process limitation in reducing the size of the input / output terminals 128a, 128b, 128c, and 128d in which the chip assembly 120 is formed in the via wall on the outer wall.

그리고, 상기 수정발진기(100)의 좌우양측에 한쌍의 프로브(201)(202)를 갖는 데이터입출력기(200)를 배치하고, 상기 칩조립체(120)의 입출력단자(128a)(128b)(128c)(128d)를 통하여 데이터를 입력/출력하는 작업시 서로 인접하는 입출력단자(128a)(128b)사이과 또다른 입출력단자(128c)(128d)사이의 간격(D)이 좁기 때문에 인접하는 단자간및 프로브(201)(202)간에 쇼트사고의 발생위험이 매우 높아지게 된다. Then, the data input / output 200 having a pair of probes 201 and 202 is disposed on the left and right sides of the crystal oscillator 100, and the input / output terminals 128a, 128b and 128c of the chip assembly 120 are disposed. In the operation of inputting / outputting data through the 128d), the space D between the adjacent I / O terminals 128a and 128b and the other I / O terminals 128c and 128d is small, The risk of occurrence of a short accident between the probes 201 and 202 becomes very high.

이와 더불어, 상기 입출력단자(128a)(128b)(128c)(128d)에 선단부를 접촉시켜 데이터를 입출력하는데 사용되는 프로브(201)(202)간의 간격(D1)도 축소화된 단자간의 간격에 맞추어 축소시켜야 하는데, 급속한 추세로 소형화되는 수정발진기(100)의 소형화설계에 맞추어 상기 프로브(201)(202)간의 간격(D1)을 축소시킬수 있도록 상기 데이터입출력기(200)의 구조를 변경하거나 이를 재제작하는 것이 곤란하며, 구조변경및 재제작시 비용이 과다하게 소요된다. In addition, the interval D1 between the probes 201 and 202 used for inputting and outputting data by contacting the tip portions with the input / output terminals 128a, 128b, 128c, and 128d is also reduced in accordance with the reduced interval between the terminals. In order to reduce the distance D1 between the probes 201 and 202 in accordance with the miniaturization design of the crystal oscillator 100 which is miniaturized due to the rapid trend, the structure of the data input / output 200 is changed or remanufactured. It is difficult to do so, and excessive cost is required when restructuring and remanufacturing.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위하여 제안된 것으로서, 그 목적은 입출력단자의 크기를 축소하거나, 데이터입출력기의 프로브를 구조변경하거나 재제작할 필요없이 소형화설계의 한계를 극복할 수 있는 수정발진기를 제공하고자 한다. Accordingly, the present invention has been proposed to solve the conventional problems as described above, and an object thereof is to overcome the limitations of the compact design without the need to reduce the size of the input / output terminals or to restructure or restructure the probe of the data input / output device. To provide a crystal oscillator that can be.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로써, 본 발명은,As a technical configuration for achieving the above object, the present invention,

수정편과 IC칩을 갖는 수정발진기에 있어서, In a crystal oscillator having a crystal piece and an IC chip,

상기 수정편이 내장되는 내부공간을 형성하도록 복수개의 세라믹층이 적층되는 수정편조립체; A crystal piece assembly in which a plurality of ceramic layers are laminated to form an internal space in which the crystal piece is embedded;

상기 IC칩이 내장되는 내부공간을 형성하도록 복수개의 세라믹층이 적층되는 칩조립체;A chip assembly in which a plurality of ceramic layers are stacked to form an internal space in which the IC chip is embedded;

상기 칩조립체의 각 변마다 함몰된 단자요홈에 형성되어 상기 IC칩과 전기적으로 연결되는 입출력단자를 포함함을 특징으로 하는 수정발진기를 마련함에 의한다.By providing a crystal oscillator characterized in that it comprises an input and output terminal formed in the terminal recess recessed in each side of the chip assembly and electrically connected to the IC chip.

바람직하게는 상기 입출력단자는 상기 칩조립체의 중심으로부터 연장되는 X,Y축과 직각으로 교차하는 각 외벽에 형성된다. Preferably, the input and output terminals are formed on each outer wall crossing at right angles with the X and Y axes extending from the center of the chip assembly.

보다 바람직하게는 상기 입출력단자는 상기 IC칩의 상부면에 형성되는 복수개의 패드와 일대일 대응접속된다. More preferably, the input / output terminals have one-to-one correspondence with a plurality of pads formed on the upper surface of the IC chip.

이하, 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

도 2는 본 발명에 따른 수정발진기의 사시도이고, 도 3(a)(b)(c)(d)는 본 발명에 따른 수정발진기의 평면도, 정면도, 측면도및 배면도이다. 2 is a perspective view of a crystal oscillator according to the present invention, Figure 3 (a) (b) (c) (d) is a plan view, front view, side view and rear view of the crystal oscillator according to the present invention.

본 발명의 수정발진기(1)는 도 2와 3에 도시한 바와같이, 수정편과 더불어 조립되는 IC칩(I)의 기억부내에 데이터를 입력하고 IC칩(I)의 기억부로부터 조정된 데이터를 외부로 출력하는데 사용되는 입출력단자를 칩조립체(20)의 각 외부 벽면마다 분산배치하여 단자부의 크기를 줄이지 않고 소형화설계할 수 있는 것으로서, 이러한 수정발진기(1)는 수정편조립체(10), 칩조립체(20), 입출력단자(30a~30d)로 구성된다. As shown in Figs. 2 and 3, the crystal oscillator 1 of the present invention inputs data into a storage unit of the IC chip I assembled with the crystal piece and adjusts data from the storage unit of the IC chip I. By distributing the input and output terminals used to output the external to each outer wall of the chip assembly 20 can be designed to be compact without reducing the size of the terminal portion, the crystal oscillator (1) is a crystal assembly (10), The chip assembly 20, the input and output terminals 30a ~ 30d.

그리고, 본 발명에 의해 구성되는 수정발진기(1)의 구조는 전압조정형 수정발진기(VCXO), 온도보상형 수정발진기(TCXO), 항온조정형 수정발진기(OCXO)등에 선택적으로 적용가능한 것으로 이해되어야 한다. In addition, it is to be understood that the structure of the crystal oscillator 1 constituted by the present invention is selectively applicable to a voltage controlled crystal oscillator (VCXO), a temperature compensated crystal oscillator (TCXO), a constant temperature controlled crystal oscillator (OCXO), and the like.

즉, 상기 수정편조립체(10)는 장방형의 수정편(B)이 내부공간에 탑재되도록 일정크기의 오목한 내부공간을 갖는 세라믹기판(13)과 그 상부를 덮는 덮개(14)로 구성된다. That is, the crystal piece assembly 10 is composed of a ceramic substrate 13 having a concave internal space of a predetermined size and a cover 14 covering the upper portion thereof so that the rectangular crystal piece B is mounted in the internal space.

상기 세라믹기판(13)은 회로패턴이 상부면이 인쇄된 제 1세라믹층(11)과, 그 외측 테두리를 따라 상하적층되어 오목한 내부공간을 형성하는 사각틀형상의 제 2세라믹층(12)으로 구성되며, 상기 덮개(14)는 수정편(B)이 수용되는 내부공간을 외부와 완전히 차단하도록 상기 세라믹기판(13)의 상부면에 솔더링방식으로 접합된다. The ceramic substrate 13 is composed of a first ceramic layer 11 having a circuit pattern printed on the upper surface thereof, and a second ceramic layer 12 having a rectangular frame shape which is stacked up and down along its outer edge to form a concave inner space. The cover 14 is bonded to the upper surface of the ceramic substrate 13 by soldering so as to completely block the internal space in which the crystal piece B is accommodated.

그리고, 상기 칩조립체(20)는 다양한 회로부및 기억부가 집적된 IC칩(I)이 탑재되도록 일정크기의 오목한 내부공간을 갖는 세라믹기판(24)으로 구성되는바, 상기 세라믹기판(24)은 상부면에 회로패턴이 인쇄된 제 1세라믹층(21)과 그 외측 테두리를 따라 상하적층되어 오목한 내부공간을 형성하는 사각틀형상의 적어도 1개이상의 제 2세라믹층(22)(23)으로 구성된다. In addition, the chip assembly 20 is composed of a ceramic substrate 24 having a concave inner space of a predetermined size so that the IC chip I in which various circuit parts and memory parts are integrated is mounted, and the ceramic substrate 24 has an upper portion. A first ceramic layer 21 printed with a circuit pattern on its surface and at least one second ceramic layer 22, 23 having a rectangular frame shape which is stacked up and down along its outer edge to form a concave inner space.

상기 제 2세라믹층(22)에는 내부공간으로 연장되는 돌출부(22a)를 형성하고, 상기 돌출부(22a)에는 복수개의 본딩패드(25)를 형성하고, 이와 대응하는 IC칩(I)의 상부면에는 단자패드(26a)를 복수개 형성함에 따라 상기 본딩패드(25)와 단자패드(26)는 서로 전기적으로 연결되도록 와이어(27)로서 각각 와이어본딩연결된다. The second ceramic layer 22 is formed with a protrusion 22a extending into an inner space, and the protrusion 22a has a plurality of bonding pads 25 formed thereon, and a corresponding upper surface of the IC chip I. As the plurality of terminal pads 26a are formed therein, the bonding pads 25 and the terminal pads 26 are wire-bonded as wires 27 so as to be electrically connected to each other.

여기서, 메인기판(미도시)의 상부면에 탑재되는 칩조립체(20)의 바닥면 모서리부에는 전압제어용 단자, 접지용 단자, 출력용 단자및 전원용 단자로 사용되는 복수개의 외부단자(29a)(29b)(29c)(29d)가 형성되고, 이들은 상기 IC칩(I)측으로 전원을 공급하고, 보상된 주파수를 출력할 수 있도록 각 단자패드(26a)와 전기적으로 연결된다. Here, a plurality of external terminals 29a and 29b used as voltage control terminals, ground terminals, output terminals, and power terminals on the bottom edge of the chip assembly 20 mounted on the upper surface of the main board (not shown). 29c and 29d are formed, and they are electrically connected to each terminal pad 26a so as to supply power to the IC chip I side and output a compensated frequency.

또한, 상기 입출력단자(30a)(30b)(30c)(30d)는 상기 칩조립체(20)를 구성하는 세라믹기판(24)의 각 외부벽면에 함몰된 호형단면상의 단자요홈마다 일정두께로 도선성부재로서 도포되는 단자부이다. In addition, the input / output terminals 30a, 30b, 30c, and 30d have a conductive thickness for each terminal groove on the arc-shaped cross section recessed in the outer wall surface of the ceramic substrate 24 constituting the chip assembly 20. It is a terminal part apply | coated as a member.

이러한 각각의 입출력단자(30a)(30b)(30c)(30d)는 수정발진기(1)의 중심(O)으로부터 연장되는 X축(X),Y축(Y)과 직각으로 교치하는 세라믹기판(24)의 외부벽면에 형성된다. 이에 따라, 장변과 단변으로 이루어진 장방형상의 세라믹기판(23)의 각 변마다 입출력단자(30a)(30b)(30c)(30d)가 각각 독립적으로 구비되는 것이다. Each of the input / output terminals 30a, 30b, 30c, and 30d is a ceramic substrate that intersects at right angles to the X-axis X and the Y-axis Y extending from the center O of the crystal oscillator 1 ( 24 is formed on the outer wall surface. Accordingly, the input and output terminals 30a, 30b, 30c and 30d are independently provided for each side of the rectangular ceramic substrate 23 having the long side and the short side.

그리고, 상기 칩조립체(20)의 각 외벽의 길이중앙마다 형성되는 입출력단자(30a)(30b)(30c)(30d)는 모두 동일한 폭크기로 구비되는 것이 바람직하다.In addition, the input / output terminals 30a, 30b, 30c, and 30d formed at the center of the length of each outer wall of the chip assembly 20 are preferably provided with the same width.

여기서, 상기 입출력단자(30a)(30b)(30c)(30d)는 상기 칩조립체(20)의 하부면에 형성된 외부단자(29a)(29b)(29c)(29d)와 전기적으로 연결되지 않는 나머지 패드와 각각 전기적으로 일대일 대응접속되는 데이터입출력용 단자(DIO), 칩셀렉용 단자(CS), 유틸용 단자(UTIL)및 클런신호용 단자(SCLK)이다. Here, the input and output terminals 30a, 30b, 30c and 30d are not electrically connected to the external terminals 29a, 29b, 29c and 29d formed on the lower surface of the chip assembly 20. Data input / output terminals (DIO), chip select terminals (CS), utility terminals (UTIL), and clock signals (SCLK) are electrically connected one-to-one with pads.

상기한 구성을 갖는 수정발진기(1)는 칩조립체(20)의 세라믹기판(24)에 탑재된 IC칩(I)이 상부로 노출된 상태에서, 그 상부면에 상기 수정편조립체(10)의 세라믹기판(13)을 상부부품으로 하여 상하적층하며, 적층된 수정편조립체(10)와 칩조립체(20)는 상기 수정편조립체(10)의 제 1세라믹층(11)에 형성된 솔더패드와 칩조립체(20)의 최상층 제 2세라믹층(23)에 형성된 솔더패드(27)사이마다 배치되는 솔더볼에 의해서 일체로 접합된다. The crystal oscillator 1 having the above-described configuration has the IC chip I mounted on the ceramic substrate 24 of the chip assembly 20 exposed to the upper side of the crystal oscillator 1. The upper and lower parts of the ceramic substrate 13 are stacked on top of each other, and the stacked crystal piece assembly 10 and the chip assembly 20 are solder pads and chips formed on the first ceramic layer 11 of the crystal piece assembly 10. It is integrally bonded by solder balls arranged between the solder pads 27 formed on the uppermost second ceramic layer 23 of the assembly 20.

이러한 경우, 상기 칩조립체(20)의 각 변인 외벽에 구비되는 입출력단자(30a)(30b)(30c)(30d)는 상기 외부단자(29a)(29b)(29c)(29d)와는 전기적으로 연결되지 않는 반면에 상기 IC칩(I)의 기억부와 전기적으로 연결되도록 상기 IC칩(I)의 상부면에 구비되는 단자패드(26a)들과 각각 연결되는 회로구성을 갖는다. In this case, the input / output terminals 30a, 30b, 30c and 30d provided on the outer wall of each side of the chip assembly 20 are electrically connected to the external terminals 29a, 29b, 29c and 29d. On the other hand, it has a circuit configuration that is connected to the terminal pads 26a provided on the upper surface of the IC chip I so as to be electrically connected to the memory of the IC chip I.

따라서, 상기 IC칩(I)의 기억부에 데이터를 입력하여 조정하고, 조정된 데이터를 외부출력하는 작업은, 상기 칩조립체(20)의 각 변마다 데이터입출력기(40)를 배치하고, 상기 데이터입출력기(40)의 프로브(41)를 상기 칩조립체(20)의 각 외벽마다 형성된 입출력단자(30a)(30b)(30c)(30d)와 일대일 대응시킨다. Therefore, the operation of inputting and adjusting data in the storage unit of the IC chip I, and outputting the adjusted data externally include disposing the data input / output 40 at each side of the chip assembly 20, The probe 41 of the data input / output 40 is one-to-one corresponded to the input / output terminals 30a, 30b, 30c, 30d formed on each outer wall of the chip assembly 20.

연속하여, 상기 데이터입출력기(40)를 칩조립체(20)측으로 전진이동시켜 상기 프로브(41)의 선단부와 이에 대응되는 입출력단자(30a)(30b)(30c)(30d)를 서로 각각 접촉시킨 상태에서, 사전에 조정된 데이터를 상기 입출력단자(30a)(30b)(30c)(30d)를 통하여 상기 IC칩(I)내로 입력하고, 조정된 데이터는 상기 입출력단자(30a)(30b)(30c)(30d)를 통하여 외부로 출력되어 작업자가 모니터링할 수 있는 것이다. Subsequently, the data input / output 40 is moved forward toward the chip assembly 20 so that the tip portion of the probe 41 and the corresponding input / output terminals 30a, 30b, 30c, and 30d are brought into contact with each other. In the state, pre-adjusted data is input into the IC chip I through the input / output terminals 30a, 30b, 30c and 30d, and the adjusted data is input / output terminals 30a and 30b ( It is output to the outside through 30c) (30d) can be monitored by the operator.

상술한 바와같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, IC칩내에 구비된 기억부에 특성에 맞는 데이터를 입력하고, 외부로 데이터를 출력하는데 사용되는 입출력단자를 칩조립체의 각 외벽마다 하나씩 갖춤으로서, 소형화설계에 맞추어 데이터입출력기의 프로브를 구조변경하거나 재제작할 필요가 없기 때문에, 입출력단자를 축소시키지 않고도 제품의 소형화설계가 가능해지고, 데이터 입력/출력작업을 쇼트사고의 염려없이 안전하고, 원할하게 수행할 수있는 효과가 얻어진다. According to the present invention having the above-described configuration, miniaturization is achieved by inputting data suited to characteristics into a storage unit provided in the IC chip, and having one input / output terminal used for outputting data to each outer wall of the chip assembly. Since there is no need to restructure or restructure the probe of the data I / O according to the design, it is possible to design the product compactly without reducing the input / output terminals, and to perform the data input / output operation safely and smoothly without fear of short accident. The effect to be obtained is obtained.

본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자는 용이하게 알수 있음을 밝혀두고자 한다. While the invention has been shown and described with respect to specific embodiments thereof, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the spirit or scope of the invention as set forth in the claims below. I would like to clarify that knowledge is easy to know.

도 1은 일반적인 수정발진기의 사시도이다.1 is a perspective view of a general crystal oscillator.

도 2는 본 발명에 따른 수정발진기의 사시도이다. 2 is a perspective view of a crystal oscillator according to the present invention.

도 3(a)(b)(c)(d)는 본 발명에 따른 수정발진기의 평면도, 정면도, 측면도및 배면도이다. 3 (a) (b) (c) (d) are a plan view, a front view, a side view and a back view of a crystal oscillator according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *      Explanation of symbols on main parts of drawing

10 ...... 수정편조립체 11,12 ... 제 1,2세라믹층10 ... crystal assembly 11,12 ... 1st and 2nd ceramic layer

13,24 ...... 세라믹기판 14 ...... 덮개13,24 ...... Ceramic substrate 14 ...... Cover

20 ...... 칩조립체 21,22,23 ... 제 1,2세라믹층20 ...... Chip assembly 21,22,23 ... 1st, 2nd ceramic layer

30a,30b,30c,30d ... 입출력단자 40 ...... 데이터입출력기30a, 30b, 30c, 30d ... I / O terminal 40 ...... Data I / O

B ....... 수정편 I ....... IC칩 B ....... Edition I ....... IC Chip

Claims (3)

수정편과 IC칩을 갖는 수정발진기에 있어서, In a crystal oscillator having a crystal piece and an IC chip, 상기 수정편이 내장되는 내부공간을 형성하도록 복수개의 세라믹층이 적층되는 수정편조립체; A crystal piece assembly in which a plurality of ceramic layers are laminated to form an internal space in which the crystal piece is embedded; 상기 IC칩이 내장되는 내부공간을 형성하도록 복수개의 세라믹층이 적층되는 칩조립체;A chip assembly in which a plurality of ceramic layers are stacked to form an internal space in which the IC chip is embedded; 상기 칩조립체의 각 변마다 함몰된 단자요홈에 형성되어 상기 IC칩과 전기적으로 연결되는 입출력단자를 포함하고, And an input / output terminal formed in the terminal recess recessed at each side of the chip assembly and electrically connected to the IC chip. 상기 입출력단자는 상기 칩조립체의 중심으로부터 연장되는 X,Y축과 직각으로 교차하는 각 외벽마다 하나씩 형성됨을 특징으로 하는 수정발진기. And the input / output terminals are formed one for each outer wall crossing at right angles to the X and Y axes extending from the center of the chip assembly. 삭제delete 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 입출력단자는 상기 IC칩의 상부면에 형성되는 복수개의 패드와 일대일 대응접속됨을 특징으로 하는 수정발진기.And the I / O terminal is connected one-to-one with a plurality of pads formed on the upper surface of the IC chip.
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