본 발명은, 중량%로 Si:2.9~3.5%, C:0.01~0.06%, Mn:0.05~0.15%, Sol-Al:0.020~0.035%, S:0.025%이하, Cu:0.1~0.2%, 잔부 Fe 및 기타 불가피하게 첨가되는 불순물로 이루어지는 강 슬라브를 가열한 후 열간압연하고, 열연판소둔 및 냉간압연하여 최종 두께로 한 다음, 탈탄, 질화 및 1차 재결정소둔을 분리 또는 동시에 실시하고 고온소둔을 실시하는 방향성 전기강판의 제조방법에 있어서,상기 슬라브 가열온도가 1100~1150℃의 범위이면 상기 1차 재결정소둔을 850~890℃의 온도범위에서 실시하고,상기 슬라브 가열온도가 1150~1280℃의 범위이면 상기 1차 재결정소둔을 820~930℃의 온도범위에서 실시하며,
상기 슬라브 가열온도가 1280~1360℃의 범위이면 상기 1차 재결정소둔을 870~930℃의 온도범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 방향성 전기강판의 제조방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명에 대하여 설명한다.
본 발명의 발명자들은 안정적인 방향성 전기강판의 제조방법을 검토하던 중, 2차재결정과 1차재결정의 미세조직에 관한 새로운 사실을 발견하였다.
첫째, 2차재결정의 온도와 자성과의 관련성에 관한 것이다. 즉, 2차 재결정온도가 높을수록 자성은 좋은데, 그 이유는 다음과 같다. 2차 재결정은 고온소둔에서 일어나게 되는데 2차재결정이 일어나기 직전까지 통상 48시간 전후의 긴 가열시간이 필요하다. 이 때, 2차 재결정의 핵이 되는 {110}<001>과 다른 결정립과의 방위회전관계를 보면 결정립계의 이동속도가 빠른 결정립계의 빈도수가 증가하고, 통상의 전체적인 결정립계는 결정립계의 이동속도가 느린 결정립계의 빈도수가 감소하게 되는 것이다. 이러한 경향은 2차 재결정온도가 높아질수록 심해져, 높은 온도일수록 방향성이 좋은 {110}<001> 결정립이 2차 재결정되기 때문에 자성이 좋아진다. 반면에, 온도가 너무 높아지면 결정립계의 이동속도의 이방성(anisotropy)이 감소하게 되어, 2차 재결정(abnormal grain growth)이 일어나지 않고 오히려 결정립 크기가 작은 정상립성장(normail grain growth)이 일어나게 되므로 자성이 급격히 나빠진다.
둘째, 2차재결정 개시온도는 1차 재결정립의 평균크기와 밀접하게 연관되며, 1차 재결정립의 평균크기가 증가할수록 2차 재결정온도가 높아지는 것을 발견하였다. 즉, 1차 재결정립의 평균크기가 작아지면 결정립계의 면적이 커져 2차 재결정의 구동력이 증가하므로 같은 입성장억제력(inhibiting strength)하에서라면 낮은 온도에서 2차 재결정이 일어나게 되는 것이다.
셋째, 같은 조건의 강판내에서도 결정립크기에 따라 결정의 방향성이 달리 형성된다는 사실이다. 이것은, 각 결정립의 방위를 측정할 수 있는 EBSD(Electron Back Scattered Diffraction)라는 방법으로 결정립의 방위를 측정하여 결정립크기별로 통계분석하여 얻은 것이다. 즉, 큰 결정립은 작은 결정립에 비해 {110}<001>과 가까운 회전방위관계에 있고 {110}<001>방위와의 미스오리엔테이션 (misorientation)관계를 조사하였다. 미스오리엔테이션이란 이웃하는 결정립의 방위회전 관계를 말한다. 결정립계 이동도(mobility)가 빠른 미스오리엔테이션의 분포가 높았다. 반면에, 작은 결정립은 {111}<112>의 밀도가 높았다. {111}<112>는 {110}>001>과 <110>을 회전축으로 35도 관계에 있고 ∑9 대응입계 관계(coincidence site lattice relationship)를 갖고 있어 {110}<001>방위가 잠식해 들어가기 쉬운 방위이므로, {110}<001>방위가 2차 재결정핵으로 성장해 나가는데 우호적인 방위이다. 한편, 2차 재결정핵에 가까운 큰 결정립은 소경각입계의 빈도가 낮아서 2차 재결정의 초기단계에 성장하면서 작용을 하고, 작은 결정립은 상대적으로 2차 재결정핵이 잠식해 들어가기 쉬운 {111}<112>강도가 강하므로 2차 재결정의 중기 이후에 작용을 한다.
넷째, 작은 결정립과 큰 결정립 주위에 미스오리엔테이션 각도가 15도 이내인 소경각입계(low angle grain boundary)의 밀도를 조사한 바, 작은 결정립과 이웃하는 결정립 사이의 소경각입계의 빈도가 큰 결정립에 비해 현저히 많다는 사실을 발견하였다. 소경각입계는 결정립의 성장을 방해하는 것으로 잘 알려져 있다.
본 발명자들은, 상기한 사실들을 통해 정상립 성장이 일어나지 않는 한, 2차 재결정온도는 높은 편이 자성에 유리하며 이것은 1차 재결정립의 평균크기에 달려있음을 알았다. 또한, 자성의 안정적인 확보를 위해서는 다음과 같이 1차 재결정립의 분포가 되어야 하는 것을 발견하였다.
평균 결정립 지름: 최소 20㎛, 최대 30㎛
결정립 분포: 큰 결정립의 면적분율
(지름이 35㎛ 이상 결정립: 전체 면적의 25% 이상 55% 이하)
작은 결정립의 면적분율
(지름이 25㎛ 이하 결정립: 전체 면적의 15% 이상 45% 이하)
즉, 1차 재결정립의 크기에 따라 집합조직과 미스오리엔테이션이 틀리며 2차 재결정이 일어나는 단계의 역할도 틀리기 때문에, 최적의 자성을 얻기 위해서는 적절한 1차 재결정립의 분포가 필요한 것이다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명은, 이상적인 결정립 분포를 얻기 위해, 1차 재결정소둔조건을 슬라브 가열온도와 관련범위에 따라 달리하는 것을 특징으로 하는데, 이 때 적용되는 방향성 전기강판의 강 성분중 Si은, 그 함량범위를 2.9%~3.5%로 설정하는 것이 바람직하다. 그 이유는 상기 Si의 함량이 2.9% 미만이면 강판의 비저항이 작아져서 철손특성이 나빠지고, 그 함량이 3.5%보다 많으면 강판의 취성이 증가하여 기계적인 성질이 나빠지기 때문이다.
본 발명에서는 1회 냉연법에 비해 탈탄을 겸한 1차 재결정온도가 낮기 때문에, 상대적으로 C의 함량도 낮은 편이 자성에 유리하여, 그 함량범위를 0.01~0.06%로 설정하는 것이 바람직하다. 상기 C가 0.01% 미만으로 첨가되는 경우에는 고온소둔판의 2차 재결정핵이 잘 발달하지 않아 자성이 나빠지고, 반대로 0.06%보다 많이 첨가되면 탈탄이 어려워서 잔류탄소에 의한 자기시효현상이 발생하게 된다.
본 발명의 Mn은 0.05~0.15%의 범위로 첨가하는 것이 바람직한데, 그 이유는 상기 Mn의 함량이 0.05%미만이면 1차 재결정립 성장억제에 필요한 MnS화합물의 양이 적을 뿐 아니라, Mn과 결합하지 못한 잉여 S이 결정립계에 편석하여 에지 크랙(edge crack)을 심화시켜 생산성을 저해하기 때문이다. 반대로, 상기 Mn이 0.15%보다 많이 첨가되면, 조대한 MnS가 생겨 1차 재결정 입성장 억제력이 약해지는 문제가 있다.
본 발명의 S은 0.025%이하로 첨가하는 것이 바람직한데, 그 이유는 상기 S의 함량이 0.025% 보다 많으면 저온 슬라브 가열공정에서 MnS 석출물이 충분히 재고용 되지 않아 후속되는 열간압연공정에서 석출물이 조대해져 충분한 입성장 억제력을 얻는데 불리하기 때문이다.
본 발명의 Sol-Al은 총 Al함량에서 산화알루미늄으로 존재하는 Al의 양을 뺀 것을 의미하는데, 그 함량이 0.020% 미만이면 AlN양이 적어 1차 재결정립의 성장억제력이 약해져 고온소둔에서 2차 재결정이 충분히 일어나지 않고, 그 함량이 0.035%보다 많으면 AlN가 조대하게 석출하여 역시 1차 재결정립의 성장억제력이 약해지기 때문에, 상기 Sol-Al의 함량은 0.020~0.035%로 첨가하는 것이 바람직하다. 만일, 슬라브를 1400℃정도의 고온에서 가열하면 Sol-Al양을 0.04%까지 상향이 가능하나, 본 발명에서는 저온가열을 하므로 Sol-Al의 상한이 낮다.
또한, Cu는 그 함량이 0.1% 미만이거나 0.2%보다 많으면 2차 재결정이 불안정하여 자성이 나빠지므로, 0.1~0.2%의 범위로 첨가하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 조성된 강 슬라브는 통상의 방법에 의해 방향성 전기강판으로 제조한다. 즉, 슬라브를 가열하고 열간압연에 의해 일정 두께의 열연판을 만든 다음 950~1150℃의 온도범위에서 열연판소둔을 실시하고, 최종 두께로 2차 냉간압연한 후, 수소와 질소의 혼합 습윤분위기에서 탈탄을 겸한 1차 재결정 소둔을 하고 이어서 수소와 질소의 혼합분위기에서 질화소둔을 실시하거나, 수소, 질소와 암모니아의 혼합 습윤분위기로 탈탄, 질화를 겸한 1차 재결정 소둔을 동시에 실시한다.
이 때, 상기 슬라브 가열온도는 1100~1360℃의 범위로 하는 것이 바람직한데, 그 이유는 상기 슬라브 가열온도가 1360℃보다 높은 경우에는 열연판에 에지 크랙이 발생하기 쉽고, 상기 온도가 1100℃ 미만인 경우에는 열간압연기에 부하가 많이 걸리고 열간압연시 파단이 일어나 판의 형상을 제대로 유지할 수 없기 때문이다.
또한, 상기 열연판 소둔온도가 950℃ 미만인 경우에는 열연판 표면의 재결정립이 충분히 얻어지지 않아 2차 재결정이 불안정해지고 1150℃보다 높으면 중심부의 섬유조직이 과도하게 발달하여 고온소둔후에도 2차재결정에 의해 잠식되지 않은 미세결정립이 많이 생겨 자성에 좋지 않다.
한편, 본 발명의 특징은 1차 재결정소둔을 통해 1차 재결정립의 크기 및 크기분포를 제어한다는데 있으며, 상기 1차 재결정소둔은 슬라브 가열온도에 따라 820~930℃에서 1~10분간 실시하는 것이 바람직하다. 즉, 방향성 전기강판의 성분에 따라 슬라브 가열온도를 결정하고, 그 온도가 결정되면 그에 따라 1차 재결정 온도를 결정하여 적정 1차 재결정립의 분포를 얻어야 하는 것이다.
상기한 바와 같이, 슬라브 가열온도에 따라 1차 재결정소둔온도를 결정함에 있어, 보다 바람직하게는 슬라브 가열온도가 1150~1280℃의 범위인 경우에는 1차 재결정소둔을 850~890℃의 온도범위에서 실시하고, 상기 슬라브 가열온도가 1150~1280℃의 범위이면 상기 1차 재결정소둔을 820~930℃의 온도범위에서 실시하고, 또한 상기 슬라브 가열온도가 1280~1360℃의 범위이면 상기 1차 재결정소둔을 870~930℃의 온도범위에서 실시하는 것이다. 이와 같이 하면, 상기 1차 재결정소둔후, 평균지름이 20~30㎛이고, 35㎛ 이상인 1차 재결정립의 분포는 전체 결정립 면적의 25~55%이며, 25㎛ 이하인 결정립의 면적은 15~45%의 범위내에 있는 1차 재결정립을 얻을 수 있다.
만일, 상기 각각의 슬라브 가열온도범위에 있어서, 1차 재결정 소둔온도가 각각의 하한치 보다 낮은 경우에는, 1차 재결정소둔후 1차 재결정립의 크기가 적정 크기보다 작고, 지름이 25㎛ 이하인 작은 결정립이 차지하는 분율이 증가하는 반면, 지름이 35㎛ 이상인 큰 결정립이 차지하는 분율이 감소하여, {110}<001>의 방향성이 나빠지므로 자성에 좋지 않고 2차 재결정이 일어나는 급격히 일어나서 방향성이 나빠지며, 고온소둔 초기에 2차 재결정의 핵이 성장해 나가는 단계에서 방향성이 좋은 핵의 생성이 불리하다.
반면에, 상기 각각의 슬라브 가열온도범위에 있어서, 1차 재결정 소둔온도가 각각의 상한치 보다 높은 경우에는, 1차 재결정소둔후 1차 재결정립의 크기가 적정 크기보다 크고, 지름이 25㎛ 이하인 작은 결정립이 차지하는 분율이 감소하는 반면, 지름이 35㎛ 이상인 큰 결정립이 차지하는 분율이 증가하여, 2차 재결정온도가 지나치게 높아져 2차 재결정이 형성되는 비정상립 성장이 일어나지 않고 정상립 성장이 일어나기 쉽게 되며, 정상립 성장이 일어나 자성이 좋지 않고, 또한 2차 재결정의 구동력이 약해져서 2차 재결정립의 크기가 작아지는 단점이 있다.
한편, 종래에는 1차 재결정의 조업을 평균결정립 지름으로 하였으나, 본 발명은 실제적으로 의미가 있는 전체 면적분율로 하였다. 좀 더 이상적인 것은 체적분율로 관리하는 것이 좋으나 연구분석 도구의 한계로 2차원적인 면적분율로 하였다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 상세히 설명한다.
(실시예 1)
Si:3.05%, C:0.05%, Mn:0.1%, S:0.007%, Sol-Al:0.024%, Cu:0.15%로 조성된 강 슬라브를, 하기 표1과 같은 제조조건에 따라 슬라브 가열온도를 변화시켜 4시간 가열하여 종류가 서로 다른 슬라브로 한 다음, 열간압연을 거쳐 2.3mm두께의 열연판으로 제조하였다. 그 후, 제조된 열연판을 산세하여 1100℃에서 4분간의 열연판소둔을 실시하고 냉간압연하여 0.3mm 두께로 한 후, 하기 표1과 같은 1차 재결정온도에서 3분간 열처리시켜 1차 재결정된 시편의 단면의 결정립을 측정하고, 그 결과를 하기 표1에 나타내었다. 그 다음, 770℃에서 2분간 질소, 수소와 암모니아의 혼합분위기에서 질화소둔을 실시하고, 2차 재결정이 일어나는 고온소둔을 실시한 후 자기적 성질을 측정하여, 그 결과를 하기 표1에 나타내었다.
자기적 성질의 측정은 자장의 세기가 1000Amp/m일 때, 자속밀도의 값 B10(Tesla)을 기준으로 삼았다.
구분 |
제조조건 |
측정결과 |
자기특성 |
슬라브가열온도(℃) |
1차재결정온도(℃) |
평균지름(㎛) |
지름25㎛이하인결정립의면적분율(%) |
지름35㎛이상인 결정립의면적분율(%) |
자속밀도B10
(T) |
비교재1 |
1150 |
800 |
20 |
70 |
18 |
1.80 |
비교재2 |
830 |
23 |
46 |
20 |
1.83 |
발명재1 |
860 |
26 |
33 |
41 |
1.93 |
발명재2 |
890 |
29 |
20 |
50 |
1.90 |
비교재3 |
920 |
35 |
14 |
62 |
1.85 |
비교재4 |
950 |
37 |
10 |
78 |
1.77 |
비교재5 |
1250 |
800 |
10 |
80 |
15 |
1.83 |
발명재3 |
830 |
20 |
45 |
22 |
1.87 |
발명재4 |
860 |
21 |
43 |
28 |
1.92 |
발명재5 |
890 |
24 |
34 |
35 |
1.90 |
발명재6 |
920 |
28 |
19 |
52 |
1.89 |
비교재6 |
950 |
34 |
13 |
67 |
1.75 |
비교재7 |
1350 |
800 |
8 |
88 |
5 |
1.65 |
비교재8 |
830 |
11 |
72 |
12 |
1.72 |
비교재9 |
860 |
15 |
69 |
21 |
1.85 |
발명재7 |
890 |
21 |
45 |
26 |
1.88 |
발명재8 |
920 |
24 |
37 |
45 |
1.90 |
비교재10 |
950 |
31 |
29 |
50 |
1.85 |
상기 표1에 나타난 바와 같이, 본 발명의 발명재(1)~(8)은 비교재(1)~(10) 대비, 자속밀도가 우수한 것을 알 수 있다.
(실시예 2)
강성분을 Si:3.05%, C:0.05%, Mn:0.11%, S:0.007%, Sol-Al:0.027%, Cu:0.12%로 하고, 제조조건을 하기 표2와 같이 변화시킨 것을 제외하고는 실시예1과 같이한 다음, 자기적 성질을 측정하여, 그 결과를 하기 표2에 나타내었다.
구분 |
제조조건 |
측정결과 |
자기특성 |
슬라브가열온도(℃) |
1차재결정온도(℃) |
평균지름(㎛) |
지름25㎛이하인결정립의면적분율(%) |
지름35㎛이상인 결정립의면적분율(%) |
자속밀도B10
(T) |
비교예1 |
1120 |
820 |
18 |
65 |
18 |
1.78 |
비교예2 |
840 |
20 |
53 |
20 |
1.83 |
발명예1 |
860 |
24 |
25 |
38 |
1.91 |
발명예2 |
880 |
25 |
21 |
48 |
1.89 |
비교예3 |
900 |
33 |
13 |
63 |
1.83 |
비교예4 |
1180 |
800 |
18 |
60 |
20 |
1.82 |
발명예3 |
830 |
22 |
44 |
29 |
1.89 |
발명예4 |
860 |
26 |
33 |
41 |
1.92 |
발명예5 |
890 |
29 |
20 |
50 |
1.91 |
발명예6 |
920 |
30 |
15 |
55 |
1.88 |
비교예5 |
950 |
39 |
10 |
78 |
1.71 |
비교예6 |
1320 |
840 |
13 |
72 |
12 |
1.72 |
비교예7 |
865 |
18 |
69 |
21 |
1.85 |
발명예7 |
890 |
25 |
45 |
27 |
1.88 |
발명예8 |
915 |
29 |
37 |
44 |
1.89 |
비교예8 |
940 |
33 |
29 |
55 |
1.85 |
상기 표1에 나타난 바와 같이, 본 발명의 발명예(1)~(8)은 비교예(1)~(8) 대비, 자속밀도가 우수한 것을 알 수 있다.
상기 실시예 1과 실시예 2로 부터, 각각의 슬라브 가열온도범위에 따른 1차 재결정 소둔온도가 본 발명의 하한치 보다 낮은 비교재 및 비교예의 경우에는, 1차 재결정 온도가 낮아 결정립의 평균지름이 20㎛이하이고, 지름이 25㎛ 이하인 결정립의 면적분율은 45% 이상으로 높은 반면, 지름이 35㎛ 이상인 결정립의 면적분율은 25% 보다 낮은 것을 알 수 있다.
반면, 각각의 슬라브 가열온도범위에 따른 1차 재결정소둔온도가 본 발명의 상한치 보다 높은 비교재 및 비교예의 경우에는 1차 재결정 온도가 높아 결정립의 평균지름이 30㎛보다 크고, 지름이 25㎛ 이하인 결정립의 면적분율은 15% 미만으로 낮은 반면, 지름이 35㎛ 이상인 결정립의 면적분율은 55% 보다 높은 것을 알 수 있다.
따라서, 비교재 및 비교예에 있어서, 자속밀도는 본 발명 대비 낮은 값이어서, 자기특성을 열화함을 알 수 있다.