KR100491861B1 - memory control method for realizing zero wait accessing to synchronous memory buit-in MCU with ARM core - Google Patents
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Abstract
제1 상태에서 선택신호와 쓰기신호가 각각 1인 경우에 제3 상태로 천이하는 과정과, 상기한 제3 상태에서 선택신호와 쓰기신호가 각각 1인 경우에 제5 상태로 천이하고 선택신호가 0이고 쓰기신호가 X인 경우에 제4 상태로 천이하는 과정과, 상기한 제4 상태에서 선택신호가 1이고 쓰기신호가 0인 경우에 제2 상태로 천이하고 선택신호가 0이고 쓰기신호가 X인 경우에 제1 상태로 천이하는 과정과, 상기한 제5 상태에서 선택신호가 0이고 쓰기신호가 X인 경우에 제4 상태로 천이하는 과정을 포함하여 이루어지며, 정에지에서 동작하는 동기 메모리를 이용하여서 웨이트 상태를 추가하지 않은 제로 웨이트 상태로서 메모리에 읽기동작 및 쓰기동작을 글리치나 타이밍 문제가 없이 모두 할 수 있도록 하여 시스템의 성능을 향상시킬 수 있는, 제로 웨이트로서 동기 메모리를 억세스하는 방법을 제공한다.Transition to the third state when the selection signal and the write signal are each 1 in the first state; and transition to the fifth state when the selection signal and the write signal are each 1 in the third state; Transition to the fourth state when 0 and the write signal is X; transition to the second state when the selection signal is 1 and the write signal is 0 in the fourth state; A transition to the first state in the case of X, and a transition to the fourth state in the case where the selection signal is 0 and the write signal is X in the fifth state. It is a zero weight state that does not add the weight state by using the memory. It is a zero weight state that can improve the performance of the system by enabling both read and write operations to the memory without glitches or timing problems. It provides a way to access the memory.
Description
본 발명은 제로 웨이트로서 동기 메모리를 억세스하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 말하자면 정에지에서 동작하는 동기 메모리를 이용하여서 웨이트 상태를 추가하지 않은 제로 웨이트 상태로서 메모리에 읽기동작 및 쓰기동작을 글리치나 타이밍 문제가 없이 모두 할 수 있도록 하여 시스템의 성능을 향상시킬 수 있는, 제로 웨이트로서 동기 메모리를 억세스하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of accessing a synchronous memory as a zero weight. More specifically, the present invention relates to a method of accessing a synchronous memory as a zero weight state. The present invention relates to a method of accessing synchronous memory as a zero weight, which can improve performance of a system by allowing all to be done without a timing problem.
암(ARM)사에서 제안한 암 코어(ARM core)를 내장하고 있는 마이크로 컨트롤러 유니트(Micro Controller Unit, MCU)는, 암 코어가 가지는 저전력 특성, 가격상 이점 등으로 인해서 많은 시스템의 제어에 사용되고 있다. Microcontroller units (Micro Controller Units, MCUs) incorporating ARM cores proposed by ARM have been used to control many systems due to low power characteristics and cost advantages of the arm cores.
상기한 암 코어 내장 마이크로 컨트롤러 유니트는 암(ARM)사에서 제안하는 AMBA 버스를 이용해서 내부 버스 시스템을 구현한다. The microcontroller unit with an arm core implements an internal bus system using an AMBA bus proposed by ARM.
또한, 상기한 암 코어 내장 마이크로 컨트롤러 유니트는 내부 메모리로서 동기 메모리를 일반적으로 많이 사용하고 있다. 상기한 동기 메모리로서는, 코드를 저장하기 위해서 ROM이 이용되고, 데이터를 저장하기 위해서 RAM이 이용된다. In addition, the above-described female core built-in microcontroller unit generally uses synchronous memory as its internal memory. As the synchronous memory, a ROM is used to store a code and a RAM is used to store data.
하지만, 암 코어 내장 마이크로 컨트롤러 유니트에서 이와 같은 동기 메모리를 이용하는 경우에, 읽기동작과 쓰기동작 모두를 제로 웨이트 상태로 구현하는 것은 AMBA 버스의 특성상 어려운 문제점이 있다.However, in the case of using such a synchronous memory in the built-in female core microcontroller unit, it is difficult to implement both the read operation and the write operation in the zero weight state, which is difficult due to the characteristics of the AMBA bus.
도 1에는 일반적인 AMBA 버스의 타이밍 동작이 도시되어 있다. 도 1에서 볼 수 있듯이, 메모리 쓰기 동작의 경우에 유효 데이터 신호(BD)가 메모리 제어부의 선택을 나타내는 선택신호(DSELMem)보다 한 시스템 사이클이 늦게 메모리 컨트롤러 안으로 인가된다. 즉, 메모리 쓰기 동작의 경우에, 쓰려는 데이터가 어드레스 신호(BA) 등과 같은 제어신호가 끝난 다음에 메모리로 공급되어지므로, 동기 메모리의 경우에 어드레스 신호(BA)와 동기되어 인가되는 선택신호(DSELMem)가 1인 구간의 정에지(positive edge) 상태에서는 유효한 데이터 신호(BD)가 공급되지 않게 된다. 그러므로, 이러한 AMBA 버스 구조하에서는 제로 웨이트로서 메모리 동작을 정에지에서 동작하는 동기 메모리를 쓸 수 없다. 1 shows the timing operation of a typical AMBA bus. As shown in FIG. 1, in the case of a memory write operation, one system cycle is applied into the memory controller later than the selection signal DSELMem indicating the selection of the memory controller. That is, in the case of the memory write operation, since the data to be written is supplied to the memory after the control signal such as the address signal BA is finished, in the case of the synchronous memory, the selection signal (synchronized with the address signal BA) is applied. In the positive edge state of the section in which the DSELMem is 1, the valid data signal BD is not supplied. Therefore, under this AMBA bus structure, it is not possible to write a synchronous memory that operates the memory operation at the positive edge as a zero weight.
이를 해결하기 위해서 부에지(negative edge)를 이용하는 동기 메모리를 이용하더라도, 읽기 동작에서 제로 웨이트 상태의 동작을 보장할 수 없게 된다. 읽기 동작에 있어서 유효한 데이터 신호(BD)는 쓰기 동작에서와 마찬가지의 타이밍으로 메모리 외부 버스에 공급되어져야 하기 때문이다. In order to solve this problem, even when a synchronous memory using a negative edge is used, the operation of the zero weight state in the read operation cannot be guaranteed. This is because the valid data signal BD in the read operation must be supplied to the memory external bus at the same timing as in the write operation.
따라서, 암 코어 내장 마이크로 컨트롤러 유니트에서 동기 메모리를 이용하는 경우에, 정에지를 이용하게 되면 쓰기 동작이 제로 웨이트 상태로 수행할 수 없게 되고, 부에지를 이용하게 되면 읽기 동작이 제로 웨이트 상태로 수행할 수 없게 된다. Therefore, when the synchronous memory is used in the built-in female core microcontroller unit, when the positive edge is used, the write operation cannot be performed in the zero weight state, and when the negative edge is used, the read operation is performed in the zero weight state. It becomes impossible.
도 1에서 웨이트 신호(BWAIT)가 0인 상태, 만일, 제로 웨이트가 아니라면, 메모리 컨트롤러는 웨이트 신호(BWAIT)를 한 클럭 주기동안 인가해서 선택신호(DSELMem)와 같은 신호를 한클럭 더 길게 늘여서 사용하여야 한다. 결국 쓰기동작이나 읽기동작중에 하나는 웨이트 상태를 가지고 구현되어야 한다.In FIG. 1, if the weight signal BWAIT is 0, and if it is not zero weight, the memory controller applies the weight signal BWAIT for one clock period to extend a signal such as the selection signal DSELMem by one clock longer. shall. After all, either a write or read operation must be implemented with a weighted state.
종래에는 메모리의 쓰기 동작에서 하나의 웨이트 상태를 인가하는 구조를 이용하여서 암 코어 내장 마이크로 컨트롤러 유니트를 구성하였다.In the related art, a female core embedded microcontroller unit is constructed by using a structure for applying one weight state in a memory write operation.
그러나, 이와 같이 메모리의 쓰기 동작에서 하나의 웨이트 상태를 인가하여 동기 메모리에 쓰기 동작을 수행하는 경우에 웨이트 상태가 추가됨으로써 암 코어 내장 시스템의 동작성능이 저하되는 문제점이 있다. 특히, 연속적으로 많은 데이터를 쓰는 경우에 시스템에 부과되는 성능저하는 더욱 커지게 되는 문제점이 있다.However, when the write operation is performed by applying one weight state to the write operation of the memory, the weight state is added, thereby degrading the operation performance of the female core embedded system. In particular, there is a problem in that the performance penalty imposed on the system becomes larger when writing a lot of data in a row.
또한, 신호들 사이에서 일어나는 글리치나 혹은 타이밍에 의해서 메모리의 정상동작을 보장하기 어려운 문제점도 있다. In addition, there is a problem that it is difficult to guarantee the normal operation of the memory due to the glitch or timing occurring between the signals.
설령 제로 웨이트 상태의 구현이 가능하더라도 내부에서 발생하는 글리치(glitch) 문제나 셋업(setup) 또는 홀드(hold) 시간의 문제 때문에, 많은 구현상의 제한을 갖게 되는 문제점이 있다.Even if the zero weight state can be implemented, there are many implementation limitations due to the glitches or the setup or hold time.
본 발명의 목적은 이와 같은 실정을 감안하여 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 정에지에서 동작하는 동기 메모리를 이용하여서 웨이트 상태를 추가하지 않은 제로 웨이트 상태로서 메모리에 읽기동작 및 쓰기동작을 글리치나 타이밍 문제가 없이 모두 할 수 있도록 하여 시스템의 성능을 향상시킬 수 있는, 암 코어 내장 마이크로 컨트롤러 유니트에 내장된 동기 메모리에 대한 제로 웨이트 억세스를 구현하기 위한 메모리 제어방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems in view of the above situation, and uses a synchronous memory operating at a forward edge to perform a read operation and a write operation in the memory as a zero weight state without adding a weight state. The present invention provides a memory control method for realizing zero weight access to the synchronous memory embedded in an arm core microcontroller unit, which can improve the performance of the system by allowing all to be done without glitches or timing problems.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 제1 상태 - 동기 메모리에 대한 억세스가 현재 버스구간에서 없는 상태 - 에서 선택신호와 쓰기신호가 각각 1인 경우에 제3 상태 - 동기 메모리를 쓰기 위한 제어신호가 외부로부터 들어오는 상태 - 로 천이하는 과정; 상기 제3 상태에서 상기 선택신호와 상기 쓰기신호가 각각 1인 경우에 제5 상태 - 동기 메모리에 대한 쓰기 동작이 연속적으로 일어나는 경우로서 동기 메모리 쓰기 동작이 내부적으로 한번 파이프라인되는 상태 - 로 천이하고 상기 선택신호가 0이고 상기 쓰기신호가 X(don't care)인 경우에 제4 상태 - 동기 메모리 쓰기 동작이 연속적으로 일어나지 않고 실제 메모리에 대한 쓰기 동작이 일어나는 상태 - 로 천이하는 과정; 상기 제4 상태에서 상기 선택신호가 1이고 상기 쓰기신호가 0인 경우에 제2 상태 - 동기 메모리에 대한 읽기 동작 상태 -로 천이하고 상기 선택신호가 0이고 상기 쓰기신호가 X인 경우에 제1 상태로 천이하는 과정; 및 상기 제5 상태에서 상기 선택신호가 0이고 상기 쓰기신호가 X인 경우에 제4 상태로 천이하는 과정을 포함하는 암 코어 내장 마이크로 컨트롤러 유니트에 내장된 동기 메모리에 대한 제로 웨이트 억세스를 구현하기 위한 메모리 제어방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, the third state-the synchronous memory when the selection signal and the write signal are each 1 in the first state-the access to the synchronous memory is not present in the current bus section; Transitioning to a state from which a control signal for writing a signal is input from the outside; In the third state, when the selection signal and the write signal are each 1, a transition is made to the fifth state, in which the write operation to the synchronous memory occurs continuously and the synchronous memory write operation is internally pipelined once. Transitioning to a fourth state in which the selection signal is 0 and the write signal is X (don't care)-a state in which a synchronous memory write operation does not occur continuously but a write operation to an actual memory occurs; In the fourth state, when the selection signal is 1 and the write signal is 0, the second state transitions to a read operation state for the synchronous memory, and the first selection signal is 0 and the write signal is X. Transition to a state; And transitioning to a fourth state when the selection signal is 0 and the write signal is X in the fifth state. A memory control method is provided.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 목적, 작용, 효과를 포함하여 기타 다른 목적들, 특징점들, 그리고 동작상의 이점들이 바람직한 실시예의 설명에 의해 보다 명확해질 것이다. Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. . Other objects, features, and operational advantages, including the object, operation, and effect of the present invention will become more apparent from the description of the preferred embodiment.
참고로, 여기에서 개시되는 실시예는 여러가지 실시가능한 예중에서 당업자의 이해를 돕기 위하여 가장 바람직한 예를 선정하여 제시한 것일 뿐, 본 발명의 기술적 사상이 반드시 이 실시예에만 의해서 한정되거나 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론, 균등한 타의 실시예가 가능함을 밝혀 둔다.For reference, the embodiments disclosed herein are only presented by selecting the most preferred examples to help those skilled in the art from the various possible examples, the technical spirit of the present invention is not necessarily limited or limited only by this embodiment. However, various changes and modifications are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention, as well as other equivalent embodiments.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 암 코어 내장 마이크로 컨트롤러 유니트에 내장된 동기 메모리에 대한 제로 웨이트 억세스를 구현하기 위한 메모리 컨트롤러의 알고리즘을 나타낸 상태 다이어그램이다. 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 제로 웨이트로서 동기 메모리를 억세스하는 방법의 구성은, 동기 메모리에 대한 억세스가 현재 버스구간에서 없음을 나타내는 제1 상태(BIDLE)에서 선택신호(DSELMem)와 쓰기신호(BWRITE)가 각각 1인 경우에 제3 상태(WRDDY)로 천이하는 과정과, 동기 메모리를 쓰기 위한 제어신호가 외부로부터 들어오는 상태를 나타내는 제3 상태(WRRDY)에서 선택신호(DSELMem)와 쓰기신호(BWRITE)가 각각 1인 경우에 제5 상태(WRSEQ)로 천이하고 선택신호(DSELMem)가 0이고 쓰기신호(BWRITE)가 X(don't care)인 경우에 제4 상태(WRNOS)로 천이하는 과정과, 동기 메모리 쓰기 동작이 연속적으로 일어나지 않고 실제 메모리에 대한 쓰기 동작이 일어나는 상태를 나타내는 제4 상태(WRNOS)에서 선택신호(DSELMem)가 1이고 쓰기신호(BWRITE)가 0인 경우에 제2 상태(RDMEM)로 천이하고 선택신호(DSELMem)가 0이고 쓰기신호(BWRITE)가 X인 경우에 제1 상태(BIDLE)로 천이하는 과정과, 동기 메모리에 대한 쓰기 동작이 연속적으로 일어나는 경우로서 동기 메모리 쓰기 동작이 내부적으로 한번 파이프라인되는 상태를 나타내는 제5 상태(WRSEQ)에서 선택신호(DSELMem)가 0이고 쓰기신호(BWRITE)가 X인 경우에 제4 상태(WRNOS)로 천이하는 과정을 포함하여 이루어진다.FIG. 2 is a state diagram illustrating an algorithm of a memory controller for implementing zero weight access to a synchronous memory embedded in an arm core embedded microcontroller unit according to an exemplary embodiment of the present invention. As shown in Fig. 2, the configuration of the method of accessing the synchronous memory as the zero weight according to the embodiment of the present invention is selected in the first state BIDLE indicating that there is no access to the synchronous memory in the current bus section. When the signal DSELMem and the write signal BWRITE are each 1, the process transitions to the third state WRDDY and the third state WRRDY indicating a state in which a control signal for writing the synchronous memory is input from the outside. When the signal DSELMem and the write signal BWRITE are each 1, the signal transitions to the fifth state WRSEQ, when the selection signal DSELMem is 0 and the write signal BWRITE is X (don't care). The selection signal DSELMem is 1 and the write signal BWRITE is in the process of transitioning to the four-state WRNOS and in the fourth state WRNOS indicating a state in which the synchronous memory write operation does not occur continuously but the write operation to the real memory occurs. ) Is 0 When the transition to the second state RDMEM, the selection signal DSELMem is 0, and the write signal BWRITE is X, the process transitions to the first state BIDLE, and the write operation to the synchronous memory occurs continuously. In the fifth state WRSEQ representing a state in which the synchronous memory write operation is internally pipelined once, the process transitions to the fourth state WRNOS when the selection signal DSELMem is 0 and the write signal BWRITE is X. It is made to include.
상기한 구성에 의한, 본 발명의 실시예에 따른 제로 웨이트로서 동기 메모리를 억세스하는 방법의 작용은 다음과 같다.With the above configuration, the operation of the method of accessing the synchronous memory as the zero weight according to the embodiment of the present invention is as follows.
기본적으로 동기 메모리는 정에지에서 동작하여야 한다. 만일 부에지에서 동작하는 메모리가 IP의 형태로 주어진다면, 이는 메모리의 클럭을 반전시켜서 사용하면 된다.Basically, synchronous memory should operate at positive edge. If the memory running on the negative edge is given in the form of IP, it can be used by reversing the clock of the memory.
동기 메모리에 대한 읽기 동작은 기존의 방법과 다른 것이 없다. 하지만, 동기 메모리에 대한 쓰기 동작은 도 2에서와 같은 상태 천이를 통하여 일어난다. The read operation for synchronous memory is no different from the conventional method. However, the write operation to the synchronous memory occurs through the state transition as shown in FIG.
도 2에서 제1 상태(BIDLE)는 동기 메모리에 대한 억세스가 현재 버스구간에서 없음을 나타내고, 제2 상태(RDMEM)는 동기 메모리에 대한 읽기 동작을 나타내고, 제3 상태(WRRDY)는 동기 메모리를 쓰기 위한 제어신호가 외부로부터 들어오는 상태를 나타내고, 제4 상태(WRNOS)는 동기 메모리 쓰기 동작이 연속적으로 일어나지 않고 실제 메모리에 대한 쓰기 동작이 일어나는 상태를 나타내고, 제5 상태(WRSEQ)는 동기 메모리에 대한 쓰기 동작이 연속적으로 일어나는 경우로서 동기 메모리 쓰기 동작이 내부적으로 한번 파이프라인되는 상태를 나타낸다. In FIG. 2, the first state BIDLE indicates that access to the synchronous memory is not present in the current bus section, the second state RDMEM indicates a read operation to the synchronous memory, and the third state WRRDY indicates a synchronous memory. The fourth state WRNOS indicates a state in which a control signal for writing is input from the outside, and the fourth state WRNOS indicates a state in which a write operation to the real memory does not occur continuously, and the fifth state WRSEQ indicates to the synchronous memory. This is a case where the write operation is continuously performed, and the synchronous memory write operation is internally pipelined once.
동기 메모리에 대한 쓰기 억세스가 시도되어질 때, 메모리 컨트롤러는 내부적으로 동기 메모리에 대한 쓰기 동작이 아직 완료되지 않았지만 시스템 버스로는 동기 메모리에 대한 쓰기 동작이 완료되었다는 신호를 알려준다. 즉, 웨이트 신호(BWAIT)를 0으로 만들어준다. When a write access to the synchronous memory is attempted, the memory controller internally signals the system bus that the write operation to the synchronous memory has been completed, although the write operation to the synchronous memory has not yet been completed. That is, the weight signal BWAIT is made zero.
실제로 내부 메모리 블록에 대한 쓰기 동작은 제4 상태(WRNOS) 혹은 제5 상태(WRSEQ)에서 일어난다. 만일, 연속적으로 메모리 블록에 대한 억세스가 일어난다면 이 경우에는 메모리 블록의 쓰기 동작이 한번 파이프라인되어져서 일어나게 된다.In fact, the write operation to the internal memory block occurs in the fourth state WRNOS or the fifth state WRSEQ. If access to the memory block occurs continuously, in this case, the write operation of the memory block is pipelined once.
도 2에서와 같은 상태천이 특성으로 동기 메모리를 억세스하는 것이 가능한 이유는 AMBA 버스의 특성에 기인한다. AMBA 버스의 구조에서는 각각의 주변장치에 대한 연속적인 억세스가 버스를 제어하는 신호(BWRITE, BSIZE 등)가 이전의 억세스와 비교하여서 같을 경우에만 가능하다. 그러므로, 메모리 블록을 쓰고 읽고 하면서 연속적으로 억세스하는 것은 불가능하다. 결국, 이러한 이유 때문에 동기 메모리에 대한 쓰기 동작이 내부적으로 늦게 일어나지만, 다음 읽기 동작에서는 유효한 데이터를 읽을 수가 있는 것이다.The reason why the synchronous memory can be accessed with the state transition characteristic as shown in FIG. 2 is due to the characteristic of the AMBA bus. In the structure of the AMBA bus, continuous access to each peripheral is possible only if the signals controlling the bus (BWRITE, BSIZE, etc.) are the same as before. Therefore, it is impossible to access continuously while writing and reading memory blocks. As a result, the write operation to the synchronous memory is late internally for this reason, but the next read operation can read valid data.
본 발명에서 제안하는 상태천이 특성을 AMBA 버스에 이용하는 경우에, 동기 메모리를 읽고 쓰는 경우에 있어서 추가적인 웨이트 상태의 추가없이 메모리에 대한 억세스가 가능하다. 또한, 이 경우에 동기 메모리의 억세스시에 발생할 수 있는 글리치 문제 역시 해결할 수 있으므로 많은 암 코어 내장 시스템에 응용될 수 있다. In the case of using the state transition characteristic proposed in the present invention for the AMBA bus, in the case of reading and writing the synchronous memory, it is possible to access the memory without adding an additional weight state. In addition, in this case, the glitch problem that may occur when accessing the synchronous memory can also be solved, and thus it can be applied to many cancer core embedded systems.
이상의 설명에서와 같이 본 발명의 실시예에서, 정에지에서 동작하는 동기 메모리를 이용하여서 웨이트 상태를 추가하지 않은 제로 웨이트 상태로서 메모리에 읽기동작 및 쓰기동작을 글리치나 타이밍 문제가 없이 모두 할 수 있도록 하여 시스템의 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 가진 제로 웨이트로서 동기 메모리를 억세스하는 방법을 제공할 수가 있다. 본 발명의 이와 같은 효과는 메모리 억세스 분야에서 본 발명의 기술적 사상의 범위를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 응용되어 이용될 수가 있다.As described above, in the embodiment of the present invention, the zero-weight state without adding the weight state by using the synchronous memory operating at the positive edge so that both the read operation and the write operation in the memory can be performed without glitches or timing problems. Therefore, it is possible to provide a method of accessing the synchronous memory as a zero weight having an effect of improving the performance of the system. Such an effect of the present invention can be used in various applications within the scope of the technical concept of the present invention in the field of memory access.
도 1은 일반적인 AMBA 버스의 타이밍도이다.1 is a timing diagram of a typical AMBA bus.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제로 웨이트 억세스를 구현하기 위한 메모리 컨트롤러의 알고리즘을 나타낸 상태 다이어그램이다.2 is a state diagram illustrating an algorithm of a memory controller for implementing zero weight access according to an embodiment of the present invention.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols for the main parts of the drawings *
BIDLE : 제1 상태 RDMEM : 제2 상태BIDLE: First state RDMEM: Second state
WRDDY : 제3 상태 WRNOS : 제4 상태WRDDY: third state WRNOS: fourth state
WRSEQ : 제5 상태WRSEQ: fifth state
Claims (6)
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