KR100483943B1 - Ceramic electronic parts and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
소정 거리를 유지하여 배치된 2개 이상의 전극(5, 6)을 구비하며, 작동시에는 상기 전극간(5, 6)에서 전위차를 가지며, 상기 전극간(5, 6)에는 외부로 통하는 틈새(9)를 가지며, 상기 틈새(9)에는 발수막(10)이 형성되어 있는 세라믹 전자 부품으로 한다. 이것으로, 전극(5, 6)간을 연결하는 틈새(9) 내에 수증기가 증착하지 않으며, 도통 패스가 형성되는 것을 방지하여, 이온 이동이 발생하지 않는 전자 부품을 얻을 수 있다.Two or more electrodes 5 and 6 arranged to maintain a predetermined distance, and have an electric potential difference between the electrodes 5 and 6 at the time of operation, and a gap to the outside between the electrodes 5 and 6, 9), the gap 9 is a ceramic electronic component having a water repellent film 10 formed thereon. Thereby, the electronic component which does not vapor-deposit in the clearance gap 9 which connects between the electrodes 5 and 6, prevents a conductive path from being formed, and does not generate ion migration can be obtained.
Description
본 발명은 칩 인덕터, 세라믹 콘덴서 및 인덕터-커패시터(LC) 복합 부품 등의 세라믹 전자 부품과 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to ceramic electronic components, such as chip inductors, ceramic capacitors, and inductor-capacitor (LC) composite components, and a method of manufacturing the same.
최근, 전자 기기의 소형화, 휴대화와 더불어, 이들에 수용되는 각종 전자 부품의 경박-단소화의 요망이 높아지고 있다. 그것과 함께, 전자 기기가 사용되는 환경도 다양해져, 그 사용 환경에 대한 고신뢰성의 요망도 높아지고 있다. In recent years, along with the miniaturization and portability of electronic devices, there has been a growing demand for thinning and shortening of various electronic components housed therein. At the same time, the environment in which electronic devices are used is also diversified, and the demand for high reliability for the use environment is also increasing.
이와 같은 배경 중에서, 세라믹 전자 부품에 있어서, 종래부터 고습 하에서의 이온 이동(ion migration)의 문제가 있었다.Among these backgrounds, there has been a problem of ion migration under high humidity in ceramic electronic components.
세라믹 전자 부품은 마이크로 단위 또는 서브 마이크로 단위의 입자를 소결하여 얻어지기 때문에, 그 소결체 표면 및 내부에 많은 세공, 즉 포어(pore)를 가지고 있는 것이 있다. 그 때문에, 세라믹 전자 부품을 고습 하에 방치하면, 세라믹 소결체 표면과 통하는 소결체 내부의 오픈 포어에는 수증기가 침입하며, 충분히 가는 포어에서는 모세관 응축에 의해, 수증기가 결로한다. 그들 오픈 포어 중에는 세라믹 층을 개재하게 설치된 전극간을 관통하는 오픈 관통 포어도 존재한다. 이 오픈 관통 포어 내에서 결로한 물방울이 전극간을 연결한 상태, 결국, 결로수에 의해 도통 패스를 형성한 상태로 전극간에 전압이 걸린 경우, Ag 전극으로 대표되는 전극 금속이 이온화하여, 이온 이동이 발생한다. 이온 이동이 생기면, 예를 들면, 세라믹 콘덴서에서는 전극간의 절연 저항이 낮게 되어, 전기 특성 열화의 원인이 된다. 이와 같은 문제는 오픈 포어를 가지는 것뿐만 아니라, 외부로부터 전극간에 통하는 공간(결함)부를 가지는 부품에서도 마찬가지로 발생한다.Since a ceramic electronic component is obtained by sintering the particle | grains of a micro unit or a sub micro unit, there exist some pores, ie, pores, in the surface and the inside of the sintered compact. Therefore, when the ceramic electronic component is left under high humidity, water vapor penetrates into the open pore inside the sintered body which communicates with the surface of the ceramic sintered body, and water vapor condenses by capillary condensation at a sufficiently thin pore. Among these open pores, there are also open through pores that penetrate between electrodes provided via a ceramic layer. In the open through pores, when condensed water droplets are connected between electrodes, and finally, when a voltage is applied between the electrodes with a conductive path formed by condensation water, the electrode metal represented by the Ag electrode ionizes and ion migration This happens. If ion migration occurs, for example, in the ceramic capacitor, the insulation resistance between the electrodes becomes low, which causes deterioration of electrical characteristics. This problem not only has an open pore, but also occurs in a part having a space (defect) portion communicated between electrodes from the outside.
그래서, 이 이온 이동을 억제하기 위해서, 종래는 세라믹 소결체를 합성 수지로 전면 피복하는 방법, 또는, 세라믹 소결체 표면의 전체 포어를 합성 수지나 유리로 막는 방법이 취해져 왔다.Therefore, in order to suppress this ion movement, the method of covering the ceramic sintered body entirely with a synthetic resin, or the method of covering the whole pore of the surface of the ceramic sintered body with the synthetic resin or glass has been conventionally taken.
그렇지만, 세라믹 소결체를 합성 수지로 전면 피복하여도, 수증기의 오픈 관통 포어 내로의 침투 속도를 억제할 뿐으로, 장시간 고습 하에 방치해 두면, 수증기는 합성 수지 내를 확산하며, 오픈 관통 포어 내로 침투한 수증기는 모세관 응축에 의해 결로한다. 이 현상은 고온-고습 하에서 가속되어 결로가 발생하기 쉬워진다. 이 결로한 물방울이 전극간에 도통 패스를 형성하여, 이온 이동을 발생시켜, 세라믹 전자 부품의 전기 특성 변동을 야기하고 있다.However, even when the ceramic sintered body is completely covered with synthetic resin, the water vapor penetrates into the open through pore only by suppressing the penetration rate of the water vapor into the open through pore, and if left for a long time under high humidity. Condensation by capillary condensation. This phenomenon is accelerated under high temperature and high humidity, and condensation tends to occur. This dew condensation forms a conduction path between the electrodes, causing ion movement, causing variation in electrical characteristics of the ceramic electronic component.
한편, 세라믹 소결체 표면의 전체 포어를 막기 위해서 합성 수지를 사용하는 경우는 수지와 용제를 혼합한 액체를 세라믹 소결체에 함침시킨 후, 경화시키는 방법이 취해지는 것에 대해, 유리를 사용하는 경우는, 유리 페이스트를 인쇄, 굽는 방법이 취해진다. 이들 방법을 취하는 경우, 합성 수지의 가교 또는 경화, 또는 유리의 용융 소결시의 체적 수축을 고려하면, 전체 포어를 막는 것은 매우 곤란하다. 가령, 막을 수 있더라도, 포어 내의 공간 전체를 충족시키는 것은 불가능으로, 틈새가 남거나, 포어에 막이 피복된 상태로 된다. 이 경우, 틈새를 통하여, 또는 피복막을 확산, 투과하여, 수증기가 세라믹 소결체 내부의 포어에 침입하며, 장시간 고습 하에 방치하면, 내부에서 결로하여 전극간에 도통 패스를 형성하여, 이온 이동이 발생하는 일이 있었다.On the other hand, when using synthetic resin in order to prevent the whole pore on the surface of a ceramic sintered compact, when glass is used, the method which hardens after impregnating the liquid which mixed resin and a solvent with the ceramic sintered compact is taken, The method of printing and baking a paste is taken. When taking these methods, considering the crosslinking or hardening of a synthetic resin, or the volume shrinkage at the time of melt-sintering of glass, it is very difficult to prevent a whole pore. For example, even if it can be prevented, it is impossible to fill the entire space in the pore, leaving gaps or covering the pore with a film. In this case, when water vapor enters the pores inside the ceramic sintered body through diffusion, or the coating film diffuses and penetrates, and is left under high humidity for a long time, condensation is formed inside to form a conductive path between the electrodes, and ion movement occurs. There was this.
또, 포어 내의 공간에 틈새를 남기지 않게 합성 수지나 유리를 형성하기 위해서, 세라믹 소결체로 침투시키는 용액의 합성 수지 성분이나 유리 페이스트의 유리 성분의 농도를 높이는 방법도 채용된다. 그러나, 용액 및 유리 페이스트의 농도를 높이면 점도가 높게 되어, 용액 및 유리 페이스트를 세라믹 소결체 표면의 전체 포어에 함침시키는 것이 매우 곤란해진다. 또, 가령, 세라믹 소결체 표면의 전체 포어 내로 용액을 도달시켰다 하여도, 소결체 내부의 포어 내까지 용액을 도달시키는 것은 불가능하다. 합성 수지로 세라믹 소결체 표면의 전체 포어를 막는 것만으로는 상술한 바와 같이, 수증기는 합성 수지 중을 확산하여, 세라믹 소결체 내부로 침투하여 버린다. 그리고, 이온 이동이 발생하여, 전기 특성 변동이 발생하였다. 또, 유리로 전면을 완전히 덮으면 수분의 확산 침투는 방지되지만, 유리를 굽는 때에 세라믹으로의 유리 확산이 발생하여, 특성 변화하는 것으로부터, 구성상 사용할 수 없는 경우가 많다.Moreover, in order to form synthetic resin and glass so that a space may not be left in the space inside a pore, the method of raising the density | concentration of the synthetic resin component of the solution permeated with a ceramic sintered compact, and the glass component of glass paste is also employ | adopted. However, when the concentration of the solution and the glass paste is increased, the viscosity becomes high, and it becomes very difficult to impregnate the solution and the glass paste into all the pores on the surface of the ceramic sintered body. In addition, even if the solution is reached into all the pores on the surface of the ceramic sintered body, it is impossible to reach the solution to the pores inside the sintered body. As described above, only the entire pores on the surface of the ceramic sintered body are blocked with the synthetic resin, and water vapor diffuses in the synthetic resin and penetrates into the ceramic sintered body. And ion movement generate | occur | produced and the electrical characteristic change generate | occur | produced. Further, if the entire surface is completely covered with glass, diffusion penetration of moisture is prevented, but glass diffusion into ceramics occurs when the glass is baked, and in many cases, it cannot be used in construction because of its characteristic change.
도 1은 본 발명의 일실시 형태의 발수막을 세라믹 소결체의 전체에 형성한 알루미나 기판 상의 후막 세라믹 콘덴서의 단면 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a cross-sectional schematic diagram of the thick film ceramic capacitor on the alumina substrate in which the water repellent film of one Embodiment of this invention was formed in the whole ceramic sintered compact.
도 2는 본 발명의 일실시 형태의 구조를 도시하는 알루미나 기판 상의 후막 세라믹 콘덴서의 단면 모식도이다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a thick film ceramic capacitor on an alumina substrate showing the structure of one embodiment of the present invention. FIG.
도 3은 동일 알루미나 기판 상의 후막 세라믹 콘덴서의 단면 모식도이다.3 is a schematic cross-sectional view of a thick film ceramic capacitor on the same alumina substrate.
도 4a∼도 4d는 동일 알루미나 기판 상의 후막 세라믹 콘덴서의 제조 방법을 도시하는 공정 단면 모식도이다.4A to 4D are process cross-sectional schematic diagrams illustrating a method for manufacturing a thick film ceramic capacitor on the same alumina substrate.
도 5는 알루미나 기판 상의 후막 세라믹 콘덴서에 페놀 수지를 피복한 비교예 2의 단면 모식도이다.5 is a schematic cross-sectional view of Comparative Example 2 in which a phenol resin is coated on a thick film ceramic capacitor on an alumina substrate.
도 6은 알루미나 기판 상의 후막 세라믹 콘덴서의 표면 부분의 포어를 실리콘 수지로 막은 비교예 3의 단면 모식도이다.6 is a schematic cross-sectional view of Comparative Example 3 in which pores of a surface portion of a thick film ceramic capacitor on an alumina substrate are filmed with a silicone resin.
도 7은 본 발명의 실시예 5에서 이용한 복합 인덕터 부품의 외관 사시도이다.7 is an external perspective view of the composite inductor component according to the fifth exemplary embodiment of the present invention.
도 8은 동일 복합 인덕터 부품의 분해 사시도이다.8 is an exploded perspective view of the same composite inductor component.
도 9a∼도 9e는 동일 복합 인덕터 부품의 제조 방법을 도시하는 공정 모식도이다.9A to 9E are process schematic diagrams illustrating a method for manufacturing the same composite inductor component.
도 10은 도 7의 복합 인덕터 부품의 I-I선의 단면도이다.10 is a cross-sectional view taken along line I-I of the composite inductor component of FIG. 7.
도 11은 본 발명의 실시예 3 및 실시예 5에서 이용한 복합 인덕터 부품의 감압 가압 함침 장치의 모식도이다.It is a schematic diagram of the pressure reduction impregnation apparatus of the composite inductor component used by Example 3 and Example 5 of this invention.
도 12는 본 발명의 일실시예에서 이용한 적층 세라믹 콘덴서의 단면 모식도이다.12 is a schematic cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor used in an embodiment of the present invention.
도 13은 본 발명의 일실시 형태의 구조를 도시하는 적층 세라믹 콘덴서의 단면 확대도이다.13 is an enlarged cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor showing the structure of one embodiment of the present invention.
본 발명은 종래의 문제를 해결하기 위해, 장시간 고습 하에 방치하여도, 이온 이동의 발생을 방지하여, 그것에 의한 전기 특성 열화를 방지한 세라믹 전자 부품을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the conventional problems, an object of the present invention is to provide a ceramic electronic component which prevents the occurrence of ion migration and thereby prevents deterioration of electrical characteristics even when it is left under high humidity for a long time.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 세라믹 전자 부품은 소정 거리를 유지하여 배치된 2개 이상의 전극을 구비하며, 작동시에는 상기 전극간에서 전위차를 가지며, 상기 전극간에는 외부로 통하는 틈새를 가지는 세라믹 전자 부품으로서, 상기 틈새에는 발수막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the ceramic electronic component of the present invention includes two or more electrodes disposed to maintain a predetermined distance, and in operation, a ceramic having a potential difference between the electrodes and a gap communicating externally between the electrodes. The electronic component is characterized in that a water repellent film is formed in the gap.
다음에, 본 발명의 세라믹 전자 부품의 제조 방법은 소정 거리를 유지하여 배치된 2개 이상의 전극을 구비하며, 작동시에는 상기 전극간에서 전위차를 가지며, 상기 전극간에는 외부로 통하는 틈새를 가지는 세라믹 전자 부품의 제조 방법으로서, 상기 틈새에 불소를 포함하는 커플링제를 접촉시켜, 건조 후, 가열 처리하는 것을 특징으로 한다.Next, the method of manufacturing a ceramic electronic component of the present invention includes two or more electrodes arranged to maintain a predetermined distance, and in operation, ceramic electronics having a potential difference between the electrodes and a gap that passes through the electrodes to the outside. As a manufacturing method of a component, the said gap is made to contact a coupling agent containing fluorine, and it heats after drying, It is characterized by the above-mentioned.
본 발명에 의하면, 통상의 고습에 의한 모세관 응축이 전극간을 통하여 발생하는 것 없이, 예를 들어 온도차에 의해 결로가 강제적으로 발생하여도 전극간에 물의 패스, 즉, 이온이 이동할 수 있는 도통 패스가 형성되지 않기 때문에, 이온 이동을 방지할 수 있다.According to the present invention, the capillary condensation due to normal high humidity does not occur through the electrodes, and even if condensation is forcibly generated due to a temperature difference, for example, a path of water, that is, a conduction path through which ions can move, is formed. Since it is not formed, ion migration can be prevented.
본 발명에 있어서는 상기 발수막은 2개 이상의 전극간에만 형성해도 되고, 세라믹 소결체 내부 틈새 내 전체에 형성해도 된다. 2개 이상의 전극간에만 형성하는 경우는, 예를 들면 추후에 언급하는 커플링제를 포함하는 용액에 전자 부품을 침지하며, 그 후 표층부의 커플링제를 용액으로 세정하여 제거하여, 그 후 건조, 가열 처리함으로써 형성할 수 있다. 또, 세라믹 소결체 내부 틈새 내 전체에 형성하는 경우는, 상기 표층부의 세정 공정을 생략한다.In this invention, the said water repellent film may be formed only between two or more electrodes, and may be formed in the whole internal space of a ceramic sintered compact. When forming only between two or more electrodes, an electronic component is immersed in the solution containing the coupling agent mentioned later, for example, after that, the coupling agent of the surface layer part is wash | cleaned and removed with a solution, and it is dried and heated after that. It can form by processing. Moreover, when forming in the whole inside space of a ceramic sintered compact, the washing process of the said surface layer part is abbreviate | omitted.
상기 발수막은 커플링제 분자의 잔기로 이루어지며, 막의 두께가 1㎚ 이상 틈새 내부를 메우는 정도 이하인 것이 바람직하다. 발수 처리가 되어 있으면, 수분에 의한 이동은 개선된다. 상기 커플링제 분자는 세라믹 기재와 공유 결합하여 있는 것이 바람직하다. 공유 결합하여 있으면, 화학적으로도 장기간 안정하게 발수성을 유지할 수 있다.The water repellent membrane is composed of residues of a coupling agent molecule, and the thickness of the membrane is preferably 1 nm or more and less than or equal to the gap filling the gap. If water-repellent treatment is performed, movement by moisture is improved. It is preferable that the said coupling agent molecule is covalently bonded with the ceramic base material. If it is covalently bonded, it can chemically maintain water repellency stably for a long time.
또, 상기 커플링제 분자는 그 일부에 플루오로알킬기를 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 하기 일반식(화 1)으로 나타내는 퍼플루오로알킬 알킬 실란의 잔기인 것이 바람직하다. Moreover, it is preferable that the said coupling agent molecule contains a fluoroalkyl group in the one part. For example, it is preferable that it is a residue of the perfluoroalkyl alkyl silane represented by the following general formula (Formula 1).
CF3-(CF2)n-R-Si(O-)3 (화 1)CF 3- (CF 2 ) n -R-Si (O-) 3 (Form 1)
(다만, n은 0 또는 정수, R은 알킬렌기, Si 또는 산소 원자를 포함하는 치환기)(Wherein n is 0 or an integer, R is an alkylene group, a substituent containing Si or an oxygen atom)
상기 플루오로알킬기를 포함하는 커플링제 분자는 단분자로 기재와 결합하고 있어도 되지만, 폴리머화하여 있는 것이 바람직하다. 폴리머화하면, 치밀성이 커져, 발수 효과도 크기 때문이다. Although the coupling agent molecule | numerator containing the said fluoroalkyl group may be couple | bonded with a base material as a single molecule, it is preferable to polymerize. This is because if polymerized, the compactness is increased, and the water repellent effect is also large.
세라믹 전자 부품은 미세화, 소형화가 진행되고 있으며, 미세한 결함이 발생하기 쉽지만, 본 발명의 발수막을 형성함으로써, 상기 결함을 개선할 수 있다. 예를 들면, 세라믹 성형체가 인쇄에 의해 형성되어 소결되어 있는 전자 부품에도 적용할 수 있다. 또, 세라믹이 시트로 형성되어, 전극층과 교호로 적층 형성되어 소결된 전자 부품에도 적용할 수 있다. 또, 세라믹 층이 증착이나 스패터(spatter) 등에 의해 형성되어 있는 전자 부품에도 응용할 수 있다. 또, 상기 2개 이상의 전극이 세라믹 소결체 내부에 매입되어 있던가 또는 표면에 일체화되어 있는 전자 부품에도 적용할 수 있다. 또, 상기 전자 부품은 기재 상에 후막 형성된 세라믹 층과 적어도 2개 이상의 전극을 구비하는 후막 세라믹 전자 부품이어도 된다. 또한, 상기 전자 부품은 세라믹 소결체와 적어도 2개 이상의 도통 회로를 구비하는 복합 인덕터 부품이어도 된다. 또한, 적층 세라믹 콘덴서, 배리스터, 반도체 콘덴서, 세라믹 서미스터, 인덕터 어레이, 커먼 모드 쵸크 코일, 마이크로 트랜스, 및 이들의 적어도 1개를 내장한 세라믹 전자 기판이어도 된다.Miniaturization and miniaturization of ceramic electronic components are progressing, and minute defects tend to occur, but the defects can be improved by forming the water repellent film of the present invention. For example, it is applicable also to the electronic component in which the ceramic molded object is formed by printing and is sintered. Moreover, it is applicable also to the electronic component formed from the sheet | seat, laminated | stacked alternately with the electrode layer, and sintered. Moreover, it is applicable also to the electronic component in which a ceramic layer is formed by vapor deposition, a spatter, etc. Moreover, the said 2 or more electrode can be applied also to the electronic component integrated in the ceramic sintered compact, or the surface. The electronic component may be a thick film ceramic electronic component comprising a ceramic layer formed on a substrate and at least two or more electrodes. The electronic component may be a composite inductor component having a ceramic sintered body and at least two conductive circuits. In addition, a multilayer ceramic capacitor, a varistor, a semiconductor capacitor, a ceramic thermistor, an inductor array, a common mode choke coil, a micro transformer, and a ceramic electronic substrate containing at least one of these may be used.
다음에, 본 발명 방법에 있어서는 상기 커플링제가 플루오로알킬기를 포함하는 하기 일반식(화 2)으로 나타내는 퍼플루오로알킬 알킬 실란인 것이 바람직하다. Next, in the method of the present invention, the coupling agent is preferably a perfluoroalkyl alkyl silane represented by the following General Formula (Formula 2) containing a fluoroalkyl group.
CF3-(CF2)n-R-SiYq(OA)3-q (화 2)CF 3- (CF 2 ) n -R-SiY q (OA) 3-q (Tue 2)
(다만, n은 0 또는 정수, R은 알킬렌기, Si 또는 산소 원자를 포함하는 치환기, Y는 알킬기의 치환기, OA는 알콕시기, q는 0, 1 또는 2)(Wherein n is 0 or an integer, R is an alkylene group, a substituent containing Si or an oxygen atom, Y is a substituent of an alkyl group, OA is an alkoxy group, q is 0, 1 or 2)
상기 일반식(화 2)의 화합물이 예를 들면 CF3-CH2-O-(CH2)15-Si(OCH 3)3(화 3)의 경우를 설명한다. 전자 부품이 세라믹 기재의 경우는, 통상 산화물로 형성되어 있으며, 표면에는 활성 수소가 존재하고 있기 때문에, 이들 기재의 틈새에 (화 3) 화합물을 접촉시켜 가열하면, 탈알코올 반응이 발생하여, CF3-CH2-O-(CH2) 15-Si(O-)3(화 4)의 형태로 기재에 공유 결합한다. -Si(O-)3 부분은 분자를 통해 가교하는 경우도 있다. 따라서 폴리머화도 하기 쉽다.The case where the compound of the general formula (Formula 2) is, for example, CF 3 -CH 2 -O- (CH 2 ) 15 -Si (OCH 3 ) 3 (Formula 3 ) will be described. When the electronic component is a ceramic substrate, it is usually formed of an oxide, and since active hydrogen is present on the surface, a dealcohol reaction occurs when the compound is heated by contacting the (hwa 3) compound in the gap between these substrates. Covalently bonded to the substrate in the form of 3 -CH 2 -O- (CH 2 ) 15 -Si (O-) 3 (4). The -Si (O-) 3 part may be bridge | crosslinked through a molecule | numerator. Therefore, it is also easy to polymerize.
상기 가열 처리 조건은 온도 100∼200℃, 시간 5∼60분인 범위가 바람직하다.As for the said heat processing conditions, the range of temperature 100-200 degreeC and time 5-60 minutes is preferable.
또 상기 틈새에 불소를 포함하는 커플링제를 접촉시키는 방법은, 예를 들면 증기 접촉, 상압 침지, 감압 침지, 감압-가압 침지, 스프레이 코팅 등, 어떠한 방법이어도 된다. 또 상기 커플링제를 용매로 희석하여 이용하는 것이 실용상은 바람직하다.The method of bringing the coupling agent containing fluorine into contact with the gap may be any method such as vapor contact, atmospheric pressure immersion, reduced pressure immersion, reduced pressure-pressure immersion, spray coating, or the like. Moreover, it is preferable practically to dilute and use the said coupling agent with a solvent.
상기 일반식(화 2)으로 나타내는 퍼플루오로알킬 알킬 실란으로서는 하기 화합물로부터 선택되는 적어도 1개인 것이 바람직하다.As perfluoroalkyl alkyl silane represented by the said General formula (Formula 2), it is preferable that they are at least 1 chosen from the following compound.
(1) CF3(CF2)5(CH2)2Si(OCH3)3 (1) CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3
(2) CF3(CF2)7(CH2)2Si(OCH3)3 (2) CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3
(3) CF3CH2O(CH2)15Si(OCH3)3 (3) CF 3 CH 2 O (CH 2 ) 15 Si (OCH 3 ) 3
(4) CF3(CH2)2Si(CH3)2(CH2)15 Si(OCH3)3 (4) CF 3 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 15 Si (OCH 3 ) 3
(5) CF3(CF2)3(CH2)2Si(CH3)2(CH 2)9Si(OCH3)3 (5) CF 3 (CF 2 ) 3 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 9 Si (OCH 3 ) 3
(6) CF3COO(CH2)15Si(OCH3)3 (6) CF 3 COO (CH 2 ) 15 Si (OCH 3 ) 3
(7) CF3(CF2)5(CH2)2Si(OC2H5) 3 (7) CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 ) 2 Si (OC 2 H 5 ) 3
(8) CF3(CF2)7(CH2)2Si(CH3)2(CH 2)9Si(OC2H5)3 (8) CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 9 Si (OC 2 H 5 ) 3
(9) CF3(CF2)7(CH2)2Si(CH3)2(CH 2)6Si(OC2H5)3 (9) CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 6 Si (OC 2 H 5 ) 3
(10) CF3(CF2)7(CH2)2Si(OC2H5 )3 (10) CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (OC 2 H 5 ) 3
(11) CF3CH2O(CH2)15Si(OC2H5)3 (11) CF 3 CH 2 O (CH 2 ) 15 Si (OC 2 H 5 ) 3
(12) CF3COO(CH2)15Si(OC2H5)3 (12) CF 3 COO (CH 2 ) 15 Si (OC 2 H 5 ) 3
이하, 본 발명의 실시 형태에 관해서 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings.
<실시 형태 1><Embodiment 1>
도 3에 알루미나 기판 상에 형성된 후막 세라믹 콘덴서(1)의 단면 모식도를 도시한다. 2는 알루미나 기판, 3은 배면 전극, 4는 도통 구멍, 5는 표면 전극(하면 전극), 6은 상면 전극, 7은 유전체층이다. 유전체층(7) 내부에는 세라믹의 소결 네트워크(8)와, 세라믹 소결체 표면으로 통하며, 또한, 하면 전극(5)과 상면 전극(6) 사이를 관통하고 있는 오픈 관통 포어(9)가 존재한다.3, the cross-sectional schematic diagram of the thick film ceramic capacitor 1 formed on the alumina substrate is shown. 2 is an alumina substrate, 3 is a back electrode, 4 is a through hole, 5 is a surface electrode (lower electrode), 6 is an upper electrode, and 7 is a dielectric layer. Inside the dielectric layer 7 there is a ceramic sintering network 8 and an open through pore 9 which penetrates the ceramic sintered surface and penetrates between the lower electrode 5 and the upper electrode 6.
이상과 같이 구성된 알루미나 기판 상의 후막 세라믹 콘덴서에 관해서, 이하에 그 제조 방법을 도면을 참조하면서 설명한다. 도 4a∼도 4d는 알루미나 기판 상의 후막 세라믹 콘덴서의 제조 방법을 도시하는 제조 공정도이다. 첫째로, 도 4a에 도시하는 바와 같이 도통 구멍(4')을 형성한 알루미나 기판(2) 상에 Ag를 주성분으로 하는 페이스트를 스크린 인쇄하며, 열처리함으로써, 두께 5㎛의 배면 전극(3)을 형성한다. 이때, 동시에 도통 구멍(4') 중에도 Ag가 충전되어, 전극(4)이 형성된다. 다음에, 도 4b에 도시하는 바와 같이 배면 전극(3)을 인쇄한 역면에 Ag를 주성분으로 하는 페이스트를 스크린 인쇄하며, 열처리함으로써, 두께 5㎛의 표면 전극(하면 전극)(5)을 형성한다. 다음에, 도 4c에 도시하는 바와 같이 유전체 페이스트(7')를 스크린 인쇄하여, 건조시킨다. 다음에, 건조시킨 유전체 페이스트 위로부터 Ag, Pd를 주성분으로 하는 페이스트를 스크린 인쇄하며, 열처리함으로써, 두께 5㎛의 상면 전극(6)과, 하면 전극(5)과 상면 전극(6) 사이의 두께가 30㎛의 유전체층(7)을 형성한다. 이상의 공정에 의해, 도 4d에 도시하는 바와 같은 후막 세라믹 콘덴서(1)를 얻을 수 있다. A thick film ceramic capacitor on an alumina substrate configured as described above will be described below with reference to the drawings. 4A to 4D are manufacturing process diagrams showing a method for manufacturing a thick film ceramic capacitor on an alumina substrate. First, as shown in FIG. 4A, a paste mainly composed of Ag is screen printed on the alumina substrate 2 having the conductive holes 4 'formed thereon, and subjected to heat treatment to form the back electrode 3 having a thickness of 5 m. Form. At this time, Ag is also filled in the conduction hole 4 ', and the electrode 4 is formed. Next, as shown in Fig. 4B, a paste containing Ag as a main component is screen printed on the reverse surface on which the back electrode 3 is printed, and heat treated to form a surface electrode (lower surface electrode) 5 having a thickness of 5 m. . Next, as shown in Fig. 4C, the dielectric paste 7 'is screen printed and dried. Next, the paste containing Ag and Pd as a main component is screen-printed and heat-treated from the dried dielectric paste, and the thickness between the top electrode 6 and the bottom electrode 5 and the top electrode 6 having a thickness of 5 m is obtained. Forms a dielectric layer 7 of 30 mu m. Through the above steps, the thick film ceramic capacitor 1 as shown in FIG. 4D can be obtained.
이상과 같이 제조된 후막 세라믹 콘덴서에서는 전극으로서 Ag를 이용하고 있기 때문에, 유전체층(7) 형성시의 소성 온도를 Ag의 용융 온도 이상으로 올릴 수가 없다. 그 때문에, 유전체층(7)의 소결이 진행하지 않고, 유전체층(7) 내부에는 입자끼리 소결하여 망상으로 네트워크를 형성한 소결 네트워크(8)와 오픈 관통 포어(9)가 존재하는 것이 된다. In the thick film ceramic capacitor manufactured as described above, since Ag is used as an electrode, the firing temperature at the time of forming the dielectric layer 7 cannot be raised above the melting temperature of Ag. For this reason, the sintering of the dielectric layer 7 does not proceed, and the sintering network 8 and the open through-pore 9 in which the particles are sintered to form a network in a mesh form exist inside the dielectric layer 7.
도 1 및 도 2는 본 발명의 세라믹 전자 부품의 일형태에서의 후막 세라믹 콘덴서(1)의 단면 모식도이다. 도 1에서는 유전체층(7) 내의 전체 오픈 관통 포어(9)의 세라믹 표면에 발수막(10)을 형성하고 있다. 도 2에서는 하면 전극(5)과 상면 전극(6)을 결합하는 전체 오픈 관통 포어(9)의 세라믹 표면의 적어도 일부에 발수막(10)을 형성하고 있다.1 and 2 are cross-sectional schematic diagrams of a thick film ceramic capacitor 1 in one embodiment of the ceramic electronic component of the present invention. In FIG. 1, the water repellent film 10 is formed on the ceramic surface of the totally open through pores 9 in the dielectric layer 7. In FIG. 2, a water repellent film 10 is formed on at least a part of the ceramic surface of the totally open through pores 9 that couple the bottom electrode 5 and the top electrode 6.
도 1에 도시하는 바와 같은 후막 세라믹 콘덴서 발수막의 구체적인 성막 방법은 이하에 예시한다. 첫째로, 후막 세라믹 콘덴서(1)와 실란 커플링제를 용해한 실란 커플링 용액을 준비한다. 다음에, 후막 세라믹 콘덴서를 실란 커플링 용액 중에 침지하며, 외부로부터 초음파 진동을 부가함으로써, 유전체층(7) 내부의 오픈 관통 포어(9)에 실란 커플링 용액을 도달시킨다. 다음에, 후막 세라믹 콘덴서(1)를 실란 커플링 용액 중에서 건져내어, 수분간 실온에서 자연 건조를 행한 후, 열처리하여, 실란 커플링제의 축합 반응을 촉진시킨다. 이 반응은 친수성 표면에서 진행하기 때문에, 상기 실란 커플링제에 유래하는 소수성기는 오픈 관통 포어(9)의 세라믹 표면에 고정된다. 이렇게 하여, 도시한 바와 같이, 실란 커플링제의 탈분자 반응에 의해, 발수막(10)이 오픈 관통 포어(9)의 세라믹 표면에 형성된다. 이 발수막(10)은 화학 흡착에 의해 형성된 단분자 상당의 막이 된다.The specific film-forming method of the thick film ceramic capacitor water repellent film as shown in FIG. 1 is illustrated below. First, the silane coupling solution which melt | dissolved the thick film ceramic capacitor 1 and a silane coupling agent is prepared. Next, the thick film ceramic capacitor is immersed in the silane coupling solution, and ultrasonic vibration is added from the outside to reach the silane coupling solution to the open through pores 9 inside the dielectric layer 7. Next, the thick film ceramic capacitor 1 is taken out of the silane coupling solution, naturally dried at room temperature for several minutes, and then heat treated to promote the condensation reaction of the silane coupling agent. Since this reaction proceeds on the hydrophilic surface, the hydrophobic group derived from the silane coupling agent is fixed to the ceramic surface of the open through pores 9. In this way, as shown, the water repellent membrane 10 is formed on the ceramic surface of the open through pores 9 by the demolecular reaction of the silane coupling agent. This water repellent film 10 becomes a film corresponding to a single molecule formed by chemisorption.
또, 도 2에 도시하는 바와 같은 후막 세라믹 콘덴서의 발수막의 구체적인 성막 방법을 이하에 예시한다. 후막 세라믹 콘덴서(1)와 실란 커플링제를 용해한 실란 커플링 용액을 준비한다. 다음에, 후막 세라믹 콘덴서(1)를 실란 커플링 용액 중에 침지하며, 외부로부터 초음파 진동을 부가함으로써, 유전체층(7) 내부의 오픈 관통 포어(9)에 실란 커플링 용액을 도달시킨다. 다음에, 후막 세라믹 콘덴서(1)를 실란 커플링 용액 중에서 건져낸다. 다음에, 실란 커플링제가 용해 가능한 용액으로, 상면 전극(6) 근방 부근의 실란 커플링제를 세정 제거한다. 다음에, 수분간 실온에서 자연 건조를 행한 후, 열처리하여, 실란 커플링제의 축합 반응을 촉진시킨다.Moreover, the specific film-forming method of the water repellent film of the thick film ceramic capacitor shown in FIG. 2 is illustrated below. The silane coupling solution which melt | dissolved the thick film ceramic capacitor 1 and a silane coupling agent is prepared. Next, the thick film ceramic capacitor 1 is immersed in the silane coupling solution, and ultrasonic vibration is added from the outside to reach the silane coupling solution to the open through pores 9 in the dielectric layer 7. Next, the thick film ceramic capacitor 1 is taken out in the silane coupling solution. Next, the silane coupling agent in the vicinity of the upper electrode 6 is washed away with a solution in which the silane coupling agent is soluble. Next, after naturally drying at room temperature for several minutes, it heat-processes and accelerates the condensation reaction of a silane coupling agent.
이상의 방법에 의해 상면 전극(6)과 하면 전극(5) 사이를 결합하는 전체 오픈 관통 포어(9)의 적어도 일부에 반드시 발수된 부분을 형성할 수 있어, 전압이 걸린 때의 이온 이동을 방지할 수 있다. 도 2에 있어서, 상면 전극(6) 근방 부분을 세정 제거한 것은, 그 후, 제품화시에 상면 전극(6) 및 유전체층(7)의 피복층의 밀착성이나 전극 부분의 도금 저해를 방지하기 위해서이다.By the above method, a water repellent portion can be formed in at least a part of the entire open through-pore 9 which couples between the upper electrode 6 and the lower electrode 5, thereby preventing ion movement when a voltage is applied. Can be. In FIG. 2, the part in the vicinity of the upper electrode 6 is cleaned and removed thereafter in order to prevent adhesion of the coating layers of the upper electrode 6 and the dielectric layer 7 and plating inhibition of the electrode part at the time of commercialization.
또한, 본 발명의 발수 처리에 의한 이온 이동 억제 작용은 전극종으로서 이온화할 수 있는 금속을 이용한 전자 부품에 대하여 무엇이라도 효과가 있지만, 특히, Ag, Cu, AgPd를 이용한 전극을 포함하는 전자 부품에 대하여 유효하게 작용한다.In addition, the ion movement suppressing effect of the water repellent treatment of the present invention has any effect on electronic components using metals that can be ionized as electrode species, but is particularly effective for electronic components including electrodes using Ag, Cu, AgPd. It works effectively against.
이하에, 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같은 상면 전극(6)과 하면 전극(5) 사이의 오픈 관통 포어(9)의 세라믹 표면에 발수막(10)을 형성한 경우의 실시예에 관하여 설명한다.1 and 2, the embodiment in the case where the water repellent film 10 is formed on the ceramic surface of the open through pore 9 between the top electrode 6 and the bottom electrode 5 as shown in FIGS. Explain.
<실시예 1><Example 1>
발수제로서 불소계 커플링제인 하기식(화 3)의 화합물을 준비하였다.As a water repellent, the compound of following formula (Formula 3) which is a fluorine-type coupling agent was prepared.
CF3CH2O(CH2)15Si(OCH3)3 (화 3)CF 3 CH 2 O (CH 2 ) 15 Si (OCH 3 ) 3
다음에, 상기 화합물을 이소프로필알코올로 1 중량%로 희석하여, 실란 커플링 용액으로 하였다. 다음에, 상술한 바와 같이 도 4d에 도시하는 후막 세라믹 콘덴서를 실란 커플링 용액에 침지하여, 초음파 진동(100W, 45kHz)을 10분간 부가하였다. 다음에, 후막 세라믹 콘덴서를 실란 커플링 용액으로부터 건져내어, 10분간 실온에서 자연 건조한 후, 150℃에서 30분간 열처리하여 실란 커플링제의 축합 반응을 촉진시켰다.Next, the compound was diluted to 1% by weight with isopropyl alcohol to obtain a silane coupling solution. Next, as described above, the thick film ceramic capacitor shown in FIG. 4D was immersed in the silane coupling solution, and ultrasonic vibration (100 W, 45 kHz) was added for 10 minutes. Next, the thick film ceramic capacitor was taken out of the silane coupling solution, naturally dried at room temperature for 10 minutes, and then heat treated at 150 ° C. for 30 minutes to promote the condensation reaction of the silane coupling agent.
<실시예 2><Example 2>
실시예 1과 마찬가지의 순서로, 초음파 진동(100W, 45kHz)을 10분간 부가하며, 후막 세라믹 콘덴서를 실란 커플링 용액에서 건져낸 후, 이소프로필알코올로 상면 전극 근방의 실란 커플링제를 세정 제거하였다. 다음에, 10분간 실온에서 자연 건조한 후, 150℃에서 30분간 열처리하여 실란 커플링제의 축합 반응을 촉진시켰다.Ultrasonic vibration (100 W, 45 kHz) was added for 10 minutes in the same procedure as in Example 1, and the thick film ceramic capacitor was taken out of the silane coupling solution, and then the silane coupling agent near the upper electrode was washed away with isopropyl alcohol. Next, the mixture was naturally dried at room temperature for 10 minutes and then heat treated at 150 ° C. for 30 minutes to promote the condensation reaction of the silane coupling agent.
<비교예 1>Comparative Example 1
도 3에 비교예 1로서 이용한 후막 세라믹 콘덴서의 단면 모식도를 도시한다. 발수 처리는 행하지 않는다.The cross-sectional schematic diagram of the thick film ceramic capacitor used as the comparative example 1 in FIG. 3 is shown. No water repellent treatment is performed.
<비교예 2>Comparative Example 2
도 5에 비교예 2로서 이용한 후막 세라믹 콘덴서의 단면 모식도를 도시한다. 11은 후막 세라믹 콘덴서, 12는 페놀 수지이다. 첫째로, 도 4d에 도시하는 후막 세라믹 콘덴서와 페놀 수지를 준비하였다. 다음에, 후막 세라믹 콘덴서를 전면 피복하도록 페놀 수지를 스크린 인쇄하였다. 다음에, 150℃에서 열처리함으로써, 페놀 수지를 경화시켜, 후막 세라믹 콘덴서 상에 약 15㎛의 페놀 수지층을 형성하였다.The cross-sectional schematic diagram of the thick film ceramic capacitor used as the comparative example 2 in FIG. 5 is shown. 11 is a thick film ceramic capacitor and 12 is a phenol resin. First, the thick film ceramic capacitor and phenol resin shown in FIG. 4D were prepared. Next, the phenol resin was screen printed so that the thick film ceramic capacitor could be completely covered. Next, by heat-processing at 150 degreeC, a phenol resin was hardened and the phenol resin layer of about 15 micrometers was formed on the thick film ceramic capacitor.
<비교예 3>Comparative Example 3
도 6에 비교예 3으로서 이용한 후막 세라믹 콘덴서의 단면 모식도를 도시한다. 13은 후막 세라믹 콘덴서, 14는 실리콘 수지이다. 첫째로, 도 4d에 도시하는 후막 세라믹 콘덴서와 실리콘 수지 희석액(실리콘 오일로 5배 희석)을 준비하였다. 다음에, 후막 세라믹 콘덴서를 실리콘 수지 희석액 중에 침지하여, 초음파(100W, 45kHz)를 10분간 부가하였다. 다음에, 후막 세라믹 콘덴서를 실리콘 수지 희석액 중에서 건져내어, 300℃에서 1시간 열처리함으로써, 후막 세라믹 콘덴서 표면 부분의 포어를 막았다.The cross-sectional schematic diagram of the thick film ceramic capacitor used as the comparative example 3 in FIG. 6 is shown. 13 is a thick film ceramic capacitor and 14 is a silicone resin. First, the thick-film ceramic capacitor and silicone resin dilution liquid (5 times dilution with silicone oil) shown in FIG. 4D were prepared. Next, the thick film ceramic capacitor was immersed in the dilution of the silicone resin, and ultrasonic waves (100 W, 45 kHz) were added for 10 minutes. Next, the thick film ceramic capacitor was taken out in a silicone resin diluent and subjected to heat treatment at 300 ° C. for 1 hour to prevent pores on the surface portion of the thick film ceramic capacitor.
실시예 1, 실시예 2, 비교예 1, 비교예 2, 비교예 3에서 각각 제작한 후막 세라믹 콘덴서 각 30개를 온도 60℃, 상대 습도 95%의 분위기 하에서, 상면 전극(6)과 하면 전극(5) 사이에 5V를 약 500시간 인가한 후의 상면 전극(6)과 하면 전극(5) 사이의 절연 저항치를 측정하였다. 시험 전에는 1010Ω 이하였던 절연 저항이 108Ω 이하로 된 경우를 절연 저항 열화로 간주하였다. 열화 개수의 비율을 표 1에 나타냈다.Each of the thirty thick-film ceramic capacitors produced in Examples 1, 2, Comparative Example 1, Comparative Example 2, and Comparative Example 3 was subjected to the top electrode 6 and the bottom electrode in an atmosphere having a temperature of 60 ° C. and a relative humidity of 95%. The insulation resistance value between the upper surface electrode 6 and the lower surface electrode 5 after 5 V was applied for about 500 hours between (5) was measured. Before the test, the case where the insulation resistance which was 10 10 kPa or less became 10 8 kPa or less was considered as insulation resistance deterioration. The ratio of deterioration number is shown in Table 1.
<표 1>TABLE 1
표 1로부터 알 수 있듯이, 발수 처리를 행하지 않았던 비교예 1에서는 상당히 높은 확률로 절연 저항 열화가 발생하고 있다. 비교예 2로서, 페놀 수지막으로 후막 세라믹 콘덴서 표면을 전면 피복한 것에서는 절연 저항 열화에 대하여 어느 정도의 효과가 확인되었지만, 전체 열화를 억제할 수는 없었다. 이 원인으로서는 가령, 전체에 페놀 수지가 후막 세라믹 콘덴서 표면을 덮고 있어도, 수증기는 페놀 수지 내를 확산하기 때문에, 장시간 후에는 오픈 관통 포어 내에 침입하여, 모세관 응축에 의해, 결로하기 때문이라고 추정된다. 또, 비교예 3으로서, 후막 세라믹 콘덴서 표면의 포어에 실리콘 수지를 함침하며, 포어를 막은 것에서는 절연 저항 열화에 대하여, 상당한 효과를 확인할 수 있지만, 전체 열화를 억제할 수는 없었다. 이 경우도, 비교예 2와 마찬가지로, 후막 세라믹 콘덴서 표면 부분의 포어를 실리콘 수지로 막아도 수증기는 실리콘 수지 중을 확산하여 유전체층 내부의 오픈 관통 포어에 침입하여, 결로하였다고 추정된다. 또, 표면 부분의 포어를 완전히 막기 위해서 실리콘 수지 희석액 농도를 고농도로 하였기 때문에, 유전체층 내부의 오픈 관통 포어까지는 실리콘 수지 희석액이 침투하지 못했다고 추정된다.As can be seen from Table 1, in Comparative Example 1, in which the water repellent treatment was not performed, insulation resistance deterioration occurred with a considerably high probability. In Comparative Example 2, when the entire surface of the thick-film ceramic capacitor was coated with a phenol resin film, although some effects were observed on the insulation resistance deterioration, the entire deterioration could not be suppressed. The reason for this is that even if the phenol resin covers the entire surface of the thick film ceramic capacitor, for example, water vapor diffuses into the phenol resin, so that after a long time, it penetrates into the open through pores and condenses by capillary condensation. In Comparative Example 3, when the pores on the surface of the thick-film ceramic capacitor were impregnated with a silicone resin, and the pores were blocked, a considerable effect could be confirmed on the insulation resistance deterioration, but the entire deterioration could not be suppressed. Also in this case, similarly to Comparative Example 2, even if the pores on the surface portion of the thick film ceramic capacitor are blocked with the silicone resin, it is estimated that the water vapor diffuses into the silicone resin and penetrates into the open through pores inside the dielectric layer, causing condensation. Moreover, since the silicone resin diluent concentration was made high in order to completely prevent the pore of the surface part, it is presumed that the silicone resin diluent did not penetrate to the open through pores inside the dielectric layer.
한편, 실시예 1 및 실시예 2의 발수막을 형성한 것에 관하여는, 절연 저항 열화를 완전히 방지할 수 있었다. 이 구성에 있어서는 실란 커플링제를 매우 저농도로 희석하고 있기 때문에, 실란 커플링 용액이 유전체 내부의 오픈 관통 포어에까지 쉽게 침투하여, 유전체층 내부의 오픈 관통 포어의 세라믹 표면에 발수막을 형성한다. 또, 발수막은 공간적으로 오픈 관통 포어를 막는 것이 아니라, 오픈 관통 포어 내의 세라믹 표면에 동일 전위이지 않은 전극간에 모세관 응축에 의한 도통 패스가 형성되는 것을 방지하는 것만으로 된다. 결국, 오픈 관통 포어 내에 틈새를 발생하고 있는 상태라도, 그 역할을 충분히 완수한다.On the other hand, regarding the formation of the water repellent films of Examples 1 and 2, degradation of insulation resistance could be completely prevented. In this configuration, since the silane coupling agent is diluted at a very low concentration, the silane coupling solution easily penetrates into the open through pores in the dielectric, thereby forming a water repellent film on the ceramic surface of the open through pores in the dielectric layer. In addition, the water repellent membrane does not block the open through pores spatially, but merely prevents the formation of a conduction path by capillary condensation between electrodes that are not at the same potential on the ceramic surface in the open through pores. As a result, even if a gap is generated in the open through pore, the role is sufficiently fulfilled.
이상의 이유에 의해, 이 구성이 이온 이동에 대하여, 유효한 방법이라고 추정된다.For the above reasons, it is estimated that this configuration is an effective method for ion movement.
<실시 형태 2><Embodiment 2>
도 12에 적층 세라믹 콘덴서(41)의 단면 모식도를 도시한다. 42는 유전체층, 43은 내부 전극, 44는 외부 전극이다. 적층 세라믹 콘덴서는 일반적으로, 시트 형성에 의해 제작한 유전체 시트와 스크린 인쇄에 의해 제작한 내부 전극을 교호로 적층하여, 일체 소성한 후, 외부 전극을 형성하여 얻어진다.12 is a schematic cross-sectional view of the multilayer ceramic capacitor 41. 42 is a dielectric layer, 43 is an internal electrode, and 44 is an external electrode. A multilayer ceramic capacitor is generally obtained by alternately laminating a dielectric sheet produced by sheet formation and an internal electrode produced by screen printing, integrally firing, and then forming an external electrode.
이상과 같이 제조한 적층 세라믹 콘덴서에서는 그 소성이 상당한 고온에서 행하여지기 때문에, 유전체층이 치밀화되어, 소결 부족에 의한 틈새는 거의 존재하지 않는다. 그러나, 소성 전의 유전체층 시트에 이물질이 혼입되어 있는 경우, 소성 후 그 부분에는 틈새(결함)가 존재하는 것이 된다.In the multilayer ceramic capacitor manufactured as described above, since the firing is performed at a considerably high temperature, the dielectric layer is densified and there is almost no gap due to insufficient sintering. However, when foreign matter is mixed in the dielectric layer sheet before baking, a gap (defect) exists in the part after baking.
도 13은 본 발명의 세라믹 전자 부품의 일형태에서의 적층 세라믹 콘덴서의 확대 단면도이다. 유전체층(42) 중의 내부 전극(43a)과 (43b) 사이를 연결하는 오픈 관통 포어(9)의 세라믹 표면에 발수막(10)을 형성하고 있다.It is an expanded sectional view of the multilayer ceramic capacitor in one form of the ceramic electronic component of the present invention. The water repellent film 10 is formed on the ceramic surface of the open through pore 9 which connects between the internal electrodes 43a and 43b in the dielectric layer 42.
이하에, 도 13에 도시하는 바와 같은 내부 전극(43a)과 (43b) 사이를 연결하는 오픈 관통 포어(9)의 세라믹 표면에 발수막(10)을 형성한 경우의 실시예에 관해서 설명한다.An embodiment in the case where the water repellent film 10 is formed on the ceramic surface of the open through pores 9 connecting between the internal electrodes 43a and 43b as shown in FIG. 13 will be described.
<실시예 3><Example 3>
적층 세라믹 콘덴서(정격 전압: 6.3V, 유전체층 두께: 3㎛, 내부 전극 Ni제)와 발수제로서 불소계 커플링제인 상기 식(화 3)의 화합물을 준비하였다. 다음에, 상기 화합물을 이소프로필알코올로 1 중량%로 희석하여, 실란 커플링 용액으로 하였다. 다음에, 도 11에 도시하는 바와 같은 감압 가압 함침 장치(29)를 준비하였다. 다음에, 이 감압 가압 함침 장치(29) 내의 바스켓(30)에 적층 세라믹 콘덴서를, 용기(31)에 실란 커플링 용액(32)을 넣었다. 다음에, 감압 가압 함침 장치(29) 내를 감압(0.1Torr)으로 하여, 실란 커플링 용액(32) 내 및 적층 세라믹 콘덴서 내부에 잔존하고 있는 가스를 배제하였다. 가스의 배제는 20분간 행하였다. 다음에, 감압 상태로, 적층 세라믹 콘덴서를 바스켓(30) 통째로 실란 커플링 용액(32) 중에 10분간 침지하였다. 다음에, N2 가스로 감압 가압 함침 장치(29) 내를 상압으로 되돌리며, 또한, 가압(5kgf/㎠) 상태에서 30분간 방치하였다. 다음에, 감압 가압 함침 장치(29) 내를 상압으로 되돌려, 바스켓(30)을 실란 커플링 용액(32)에서 건져내었다. 다음에, 적층 세라믹 콘덴서를 바스켓(30)에서 꺼내어, 10분간 실온에서 자연 건조한 후, 150℃에서 30분간 열처리하여 실란 커플링제의 축합 반응을 촉진시켰다.As a multilayer ceramic capacitor (rated voltage: 6.3 V, dielectric layer thickness: 3 占 퐉, internal electrode Ni) and a water repellent, a compound of the formula (Formula 3) as a fluorine-based coupling agent was prepared. Next, the compound was diluted to 1% by weight with isopropyl alcohol to obtain a silane coupling solution. Next, the pressure reduction impregnation apparatus 29 as shown in FIG. 11 was prepared. Next, the multilayer ceramic capacitor was put into the basket 30 in the pressure reduction impregnation apparatus 29, and the silane coupling solution 32 was put into the container 31. Next, the pressure reduction impregnation apparatus 29 was depressurized (0.1 Torr) to remove gas remaining in the silane coupling solution 32 and inside the multilayer ceramic capacitor. The gas was removed for 20 minutes. Next, the multilayer ceramic capacitor was immersed in the silane coupling solution 32 for 10 minutes in the basket 30 whole under reduced pressure. Next, turning back to the N 2 gas within the vacuum pressure impregnation device 29 to a normal pressure, and was allowed to stand for 30 minutes at pressure (5kgf / ㎠) state. Next, the inside of the pressure reduction impregnation apparatus 29 was returned to normal pressure, and the basket 30 was rescued from the silane coupling solution 32. As shown in FIG. Next, the multilayer ceramic capacitor was taken out of the basket 30, naturally dried at room temperature for 10 minutes, and then heat treated at 150 ° C. for 30 minutes to accelerate the condensation reaction of the silane coupling agent.
<실시예 4><Example 4>
적층 세라믹 콘덴서(정격 전압: 6.3V, 유전체층 두께: 3㎛, 내부 전극 Ni제)와 발수제로서 불소계 커플링제인 상기 식(화 3)의 화합물을 준비하였다. 다음에, 적층 세라믹 콘덴서와 상기 화합물을 동일 용기 내에 넣어, 용기 내를 100℃로 가열하여, 30분간 방치하였다. 이 가열에 의해, 실란 커플링제는 증기가 되어, 적층 세라믹 콘덴서 내부의 오픈 관통 포어에까지 침입한다. 다음에, 적층 세라믹 콘덴서를 용기에서 꺼내어, 10분간 실온에서 자연 건조한 후, 150℃에서 30분간 열처리하여 실란 커플링제의 축합 반응을 촉진시켰다.As a multilayer ceramic capacitor (rated voltage: 6.3 V, dielectric layer thickness: 3 占 퐉, internal electrode Ni) and a water repellent, a compound of the formula (Formula 3) as a fluorine-based coupling agent was prepared. Next, the multilayer ceramic capacitor and the said compound were put in the same container, the inside of the container was heated to 100 degreeC, and left to stand for 30 minutes. By this heating, the silane coupling agent becomes vapor and invades the open through pores inside the multilayer ceramic capacitor. Next, the multilayer ceramic capacitor was taken out of the container, naturally dried at room temperature for 10 minutes, and then heat treated at 150 ° C. for 30 minutes to promote the condensation reaction of the silane coupling agent.
<비교예 4><Comparative Example 4>
발수 처리를 행하지 않는 점을 제외하고는 실시예 3 및 실시예 4와 마찬가지의 적층 세라믹 콘덴서를 이용하였다. The same multilayer ceramic capacitors as in Example 3 and Example 4 were used except that the water repellent treatment was not performed.
<비교예 5>Comparative Example 5
실시 형태 1의 실시예 1에서 행한 발수 처리와 마찬가지의 순서로, 적층 세라믹 콘덴서에 발수 처리를 실시하였다.In the same procedure as in the water repellent treatment performed in Example 1 of Embodiment 1, the water repellent treatment was performed on the multilayer ceramic capacitor.
실시예 3, 실시예 4, 비교예 4, 비교예 5에서 제작한 적층 세라믹 콘덴서 각 30개를 온도 85℃, 상대 습도 85%의 분위기 하에서, 24V를 500시간 인가한 후의 절연 저항치를 측정하였다. 시험 전에는 109Ω 이상이였던 절연 저항이 106Ω 이하로 된 경우를 절연 저항 열화로 간주하였다. 열화 개수의 비율을 표 2에 도시한다.The insulation resistance value after apply | coating 24V for 500 hours was measured for each of the 30 laminated ceramic capacitors produced by Example 3, Example 4, the comparative example 4, and the comparative example 5 in the atmosphere of 85 degreeC and 85% of a relative humidity. Before the test, the case where the insulation resistance which was 10 9 kPa or more became 10 6 kPa or less was considered insulation resistance deterioration. The ratio of deterioration number is shown in Table 2.
<표 2>TABLE 2
표 2로부터 알 수 있듯이, 발수 처리를 행하지 않았던 비교예 4에서는 절연 저항 열화가 발생하고 있다. 또, 초음파 진동에 의해 발수 처리를 행한 비교예 5에 있어서도, 절연 저항 열화가 발생하고 있다. 이 원인으로서는 적층 세라믹 콘덴서의 유전체층은 매우 치밀하게 소성되어 있기 때문에, 초음파 진동을 부가하는 것만으로는 실란 커플링 용액이 유전체층 내부의 결함에까지 도달하지 않았기 때문이라고 추정된다. 한편, 감압 가압 함침을 행한 실시예 3 및 증기 함침을 행한 실시예 4에서는 절연 저항 열화는 발생하지 않는다. 비교예 4 및 비교예 5에 있어서, 절연 저항 열화가 발생한 시료를 해석한 바, 결함부에 이동에 의한 금속부가 존재하였다. 한편, 실시예 3 및 실시예 4에서는 결함부는 존재하였지만, 그 중에 금속은 확인되지 않았다. 이것으로부터, 본 발명은 적층 세라믹 콘덴서와 같이 매우 치밀하게 소결한 세라믹 전자 부품에 있어서도, 그 내부에 결합 부분이 존재하는 경우, 이동 방지에 유효하게 작용한다.As can be seen from Table 2, insulation resistance deterioration occurs in Comparative Example 4 in which the water repellent treatment was not performed. Moreover, also in the comparative example 5 which performed the water repellent process by the ultrasonic vibration, degradation of insulation resistance has generate | occur | produced. The reason is that since the dielectric layers of the multilayer ceramic capacitors are very densely fired, the silane coupling solution does not reach the defects in the dielectric layers only by adding ultrasonic vibrations. On the other hand, in Example 3 which performed pressure reduction impregnation and Example 4 which performed steam impregnation, insulation resistance deterioration does not occur. In the comparative example 4 and the comparative example 5, when the sample which the insulation resistance degradation generate | occur | produced was analyzed, the metal part by moving to the defect part existed. On the other hand, in Example 3 and Example 4, although the defect part existed, the metal was not confirmed in it. From this, the present invention also works effectively to prevent movement when a bonding portion is present in the ceramic electronic component sintered very densely like a multilayer ceramic capacitor.
<실시 형태 3><Embodiment 3>
도 7에 복합 인덕터 부품의 외관 사시도를 도시한다. 복합 인덕터 부품(21)은 페라이트 소결체(22)와 외부 전극(23a, 23b, 23c, 23d)으로 구성되어 있다.7 shows an external perspective view of the composite inductor component. The composite inductor component 21 is composed of a ferrite sintered body 22 and external electrodes 23a, 23b, 23c, 23d.
도 8에 복합 인덕터 부품의 분해 사시도를 도시한다(외부 전극(23a, 23b, 23c, 23d)은 도시하지 않음). 24는 제1 페라이트 시트, 25a, 25b, 25c, 25d는 내부 도체, 26은 도전제를 충전한 도통 구멍, 27은 제2 페라이트 시트이다. 내부 도체(25a)와 (25b), (25c)와 (25d)는 각각 도전제를 충전한 도통 구멍(26)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 도통 회로(25a-26-25b), (25c-26-25d) 사이에는 전기적인 접속은 없다. 내부 도체(25a, 25b, 25c, 25d)는 각각 도 7에서의 외부 전극(23a, 23b, 23c, 23d)에 전기적으로 접속되어 있다.8 is an exploded perspective view of the composite inductor component (external electrodes 23a, 23b, 23c, 23d are not shown). 24 is a 1st ferrite sheet, 25a, 25b, 25c, 25d is an internal conductor, 26 is a through hole filled with the electrically conductive agent, 27 is a 2nd ferrite sheet. The internal conductors 25a, 25b, 25c, and 25d are electrically connected to each other by a conductive hole 26 filled with a conductive agent. There is no electrical connection between the conduction circuits 25a-26-25b and 25c-26-25d. The internal conductors 25a, 25b, 25c, and 25d are electrically connected to the external electrodes 23a, 23b, 23c, and 23d in Fig. 7, respectively.
이상과 같이 구성된 복합 인덕터 부품에 관해서, 이하에 그 제조 방법을 도면을 참조하면서 설명한다.A composite inductor component constructed as described above will be described below with reference to the drawings.
도 9a∼도 9e는 복합 인덕터 부품의 제조 방법을 도시하는 제조 공정도이다. 첫째로, 도 9a에 도시하는 바와 같이 페라이트 분체와 수지를 주성분으로 하는 슬러리로부터 닥터 블레이드(doctor blade)법에 의해, 제1 페라이트 시트(24)를 다수매 제작한다. 다음에, 도 9b에 도시하는 바와 같이, 제1 페라이트 시트(24)의 중앙부에 구멍 뚫기 가공을 하여 도통 구멍(26)을 형성하며, 이 도통 구멍(26)에 Ag 등의 도전 재료를 충전하여 이루어지는 제2 페라이트 시트(27)를 제작한다. 다음에, 도 9c에 도시하는 바와 같이, Ag 페이스트 인쇄 또는 Ag 도금에 의해, 내부 도체(25)를 형성한다. 이 내부 도체(25)는 중앙으로부터 외측으로 향하여 소용돌이 형상으로 형성되며, 또한 그 선단을 제2 페라이트 시트(27)의 한 쪽 끝 테두리까지 연장하여 형성하고 있다. 이상과 같이 제작한 제1 페라이트 시트(24)와 제2 페라이트 시트(27)와 내부 도체(25)를 도 8의 구성이 되도록 적층하며, 도 9d에 도시하는 바와 같은 페라이트 적층체(28)를 제작한다. 이때, 내부 도체(25a)와 (25b), (25c)와 (25d)는 제2 페라이트 시트(27)의 도전 재료를 충전한 도통 구멍(26)을 통하여 내부측 끝 테두리가 접속되도록 겹쳐 놓여 있다. 도통 회로(25a-26-25b)와 (25c-26-25d) 사이에는 전기적인 접속은 없다. 다음에, 페라이트 적층체(28)를 내부 도체(25)의 Ag가 용융하지 않는 온도에서 소성함으로써, 페라이트 소결체(도시 생략)를 얻는다. 다음에, 도 9e에 도시하는 바와 같이 페라이트 소결체의 단면에 내부 도체(25a, 25b, 25c, 25d)와 접속하도록 Ag 페이스트를 도포하며, 열처리를 행함으로써, 외부 전극(23a, 23b, 23c, 23d)을 형성한다. 다음에, 외부 전극(23a, 23b, 23c, 23d) 상에 순차로 Ni 도금, Sn 도금을 실시하여, 복합 인덕터 부품(21)을 얻는다. 복합 인덕터 부품의 경우, 소성시에 페라이트와 내부 도체 사이에 발생하는 잔류 응력이 완성품의 전기 특성을 열화시키기 때문에, 소성 조건은 제한되며, 페라이트 소결체 내부에는 오픈 관통 포어(9)가 존재하는 것이 된다. 9A to 9E are manufacturing process diagrams showing the manufacturing method of the composite inductor component. First, as shown in Fig. 9A, a plurality of first ferrite sheets 24 are produced by a doctor blade method from a slurry mainly containing ferrite powder and a resin. Next, as shown in Fig. 9B, a through hole is formed in the center portion of the first ferrite sheet 24 to form a through hole 26, and the through hole 26 is filled with a conductive material such as Ag. The second ferrite sheet 27 is produced. Next, as shown in FIG. 9C, the inner conductor 25 is formed by Ag paste printing or Ag plating. The inner conductor 25 is formed in a vortex from the center to the outer side, and its tip is extended to one edge of the second ferrite sheet 27. The first ferrite sheet 24, the second ferrite sheet 27, and the inner conductor 25 fabricated as described above are laminated so as to have the configuration of FIG. 8, and the ferrite laminate 28 as shown in FIG. 9D is formed. To make. At this time, the inner conductors 25a, 25b, 25c, and 25d are overlapped so that the inner end edges are connected through the through holes 26 filled with the conductive material of the second ferrite sheet 27. . There is no electrical connection between the conduction circuits 25a-26-25b and 25c-26-25d. Next, the ferrite laminate 28 is baked at a temperature at which Ag of the internal conductor 25 does not melt, thereby obtaining a ferrite sintered body (not shown). Next, as shown in FIG. 9E, Ag paste is applied to the end faces of the ferrite sintered body so as to be connected to the inner conductors 25a, 25b, 25c, and 25d, and subjected to heat treatment to thereby external electrodes 23a, 23b, 23c, and 23d. ). Next, Ni plating and Sn plating are sequentially performed on the external electrodes 23a, 23b, 23c, and 23d to obtain the composite inductor component 21. In the case of a composite inductor component, since the residual stress generated between the ferrite and the inner conductor during firing deteriorates the electrical properties of the finished product, the firing conditions are limited, and the open through pores 9 are present inside the ferrite sintered body. .
복합 인덕터 부품에 있어서 소망의 전기 특성을 얻을 수 있는 공극률은 2∼30%이다.In the composite inductor component, the porosity for obtaining the desired electrical characteristics is 2 to 30%.
도 10은 본 발명의 세라믹 전자 부품의 일형태에서의 복합 인덕터 부품으로, 도 7의 복합 인덕터 부품을 I-I에서 절단시의 페라이트 소결체(22) 중앙 부분의 단면 확대도이다. 페라이트 소결체(22) 중의 내부 도체(25b)와 (25c)를 연결하는 오픈 관통 포어(9)의 세라믹 표면에 발수막(10)을 형성하고 있다.FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of a center portion of the ferrite sintered body 22 when the composite inductor component of one embodiment of the ceramic electronic component of the present invention is cut at I-I. The water-repellent film 10 is formed in the ceramic surface of the open-through pore 9 which connects the internal conductors 25b and 25c in the ferrite sintered compact 22.
도 10에 도시하는 바와 같은 복합 인덕터 부품의 발수막의 구체적인 성막 방법을 이하에 예시한다. 첫째로, 복합 인덕터 부품(21)과 실란 커플링제를 준비하며, 증기 함침을 행하여, 페라이트 소결체(22) 내부의 오픈 관통 포어(9)에 실란 커플링제를 도달시킨다. 다음에, 복합 인덕터 부품(21)을 수분간 실온에서 자연 건조를 행한 후, 열처리하여 실란 커플링제의 축합 반응을 촉진시켜, 오픈 관통 포어(9)의 세라믹 표면에 발수막(10)을 형성한다.The specific film forming method of the water repellent film of the composite inductor component as shown in FIG. 10 is illustrated below. First, the composite inductor component 21 and the silane coupling agent are prepared, and vapor impregnation is carried out to reach the silane coupling agent to the open through pores 9 inside the ferrite sintered body 22. Next, the composite inductor component 21 is naturally dried at room temperature for several minutes, and then heat-treated to promote the condensation reaction of the silane coupling agent to form a water repellent film 10 on the ceramic surface of the open through pores 9. .
이하에, 도 10에 도시하는 바와 같은 도통 회로(25a-26-25b)와 (25c-26-25d) 사이의 오픈 관통 포어(9)의 세라믹 표면에 발수막(10)을 형성한 경우의 실시예에 관해서 설명한다.The case where the water repellent film 10 is formed on the ceramic surface of the open through pores 9 between the conductive circuits 25a-26-25b and 25c-26-25d as shown in FIG. 10 below. An example is demonstrated.
<실시예 5>Example 5
실시 형태 2의 실시예 3에서 행한 발수 처리와 마찬가지의 순서로, 복합 인덕터 부품에 발수 처리를 실시하였다.In the same procedure as in the water repellent treatment performed in Example 3 of Embodiment 2, the water repellent treatment was performed on the composite inductor component.
<실시예 6><Example 6>
실시 형태 2의 실시예 4에서 행한 발수 처리와 마찬가지의 순서로, 복합 인덕터 부품에 발수 처리를 실시하였다.The water repellent treatment was performed on the composite inductor component in the same procedure as the water repellent treatment performed in Example 4 of the second embodiment.
<비교예 6>Comparative Example 6
발수 처리를 행하지 않는 점을 제외하고는 실시예 5와 마찬가지의 복합 인덕터 부품을 이용하였다.The same composite inductor component as in Example 5 was used except that water repellent treatment was not performed.
<비교예 7>Comparative Example 7
실시 형태 1의 실시예 1에서 행한 발수 처리와 마찬가지의 순서로 복합 인덕터 부품에 발수 처리를 실시하였다.The water repellent treatment was performed on the composite inductor component in the same procedure as the water repellent treatment performed in Example 1 of the first embodiment.
실시예 5, 실시예 6, 비교예 6, 비교예 7에서 각각 제작한 복합 인덕터 부품의 각 30개를 온도 60℃, 상대 습도 95%의 분위기 하에서 도통 회로(25a-26-25b)와 (25c-26-25d) 사이에 5V를 100시간 인가한 후의 도통 회로(25a-26-25b)와 (25c-26-25d) 사이의 절연 저항치를 측정하였다. 시험 전에는 109Ω 이상이었던 절연 저항이 104Ω 이하로 된 경우를 절연 저항 열화로 간주하였다. 열화 개수의 비율을 표 3에 도시한다.Each of the 30 composite inductor components manufactured in Example 5, Example 6, Comparative Example 6, and Comparative Example 7 was subjected to the conduction circuits 25a-26-25b and 25c in an atmosphere having a temperature of 60 ° C. and a relative humidity of 95%. The insulation resistance value between the conduction circuits 25a-26-25b and 25c-26-25d after 5V was applied for 100 hours between -26-25d) was measured. Before the test, the case where the insulation resistance which was 10 9 kPa or more became 10 4 kPa or less was considered as insulation resistance deterioration. Table 3 shows the ratio of the deteriorated number.
<표 3>TABLE 3
표 3으로부터 알 수 있듯이, 발수 처리를 행하지 않았던 비교예 6에서는 상당한 확률로 절연 저항 열화가 발생하고 있다. 비교예 7로서, 실란 커플링 용액 중에 침지하여, 초음파 진동을 부가했을 뿐의 것이라도 절연 저항 열화가 발생하고 있다. 그 원인은 이하와 같이 추정된다. 발명자들은 상기 후막 세라믹 콘덴서에 비하여, 복합 인덕터 부품은 세라믹 부분이 치밀한 것을 SEM 관찰로 확인하였다. 그 때문에, 실란 커플링 용액 중에 침지하여, 초음파 진동을 부가하는 것만으로는 페라이트 소결체 내부의 전체 오픈 관통 포어에 실란 커플링 용액을 도달시킬 수 없으며, 발수막이 형성되어 있지 않은 오픈 관통 포어가 존재하게 된다.As can be seen from Table 3, in Comparative Example 6 in which the water repellent treatment was not performed, the insulation resistance deterioration occurred with a considerable probability. In Comparative Example 7, insulation resistance was deteriorated even by simply immersing in the silane coupling solution and adding ultrasonic vibration. The cause is estimated as follows. The inventors confirmed by SEM observation that the composite inductor component was denser than the thick film ceramic capacitor. Therefore, the silane coupling solution cannot reach the entire open through pores inside the ferrite sintered body simply by immersing in the silane coupling solution and adding ultrasonic vibration, so that an open through pore without a water repellent film is present. do.
이것에 대하여, 실시예 5 및 실시예 6의 방법으로 발수 처리를 행한 복합 인덕터 부품에서는 절연 저항 열화는 발생하지 않으며, 이들 경우는 전체 오픈 관통 포어의 세라믹 표면의 적어도 일부에 발수막이 형성되어 있다고 추정된다.On the other hand, the insulation resistance deterioration does not occur in the composite inductor component subjected to the water repellent treatment by the method of Example 5 and Example 6, and in these cases, it is estimated that at least part of the ceramic surface of the entire open through pores is formed with a water repellent film. do.
상기, 실시예 이외에, 인덕터 어레이, 커먼 모드 쵸크 코일, 마이크로 트랜스, 배리스터, 반도체 콘덴서, 세라믹 서미스터 및 이들을 내장한 세라믹 전자 기판에 있어서도 마찬가지 효과를 얻을 수 있는 것을 확인하였다.In addition to the above-described examples, it was confirmed that the same effect can be obtained in an inductor array, a common mode choke coil, a micro transformer, a varistor, a semiconductor capacitor, a ceramic thermistor, and a ceramic electronic substrate containing these.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 전극간에 발수막을 형성함으로써, 모세관 응축수에 의한 도통 패스가 형성되는 것을 방지하며, 그것에 수반하는 이온 이동의 발생을 방지하여, 고습 하에서도 절연 저항 열화가 발생하지 않는 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, by forming a water-repellent film between the electrodes, it is possible to prevent the formation of a conduction path due to the capillary condensate, to prevent the occurrence of ion migration accompanying it, and to prevent the deterioration of insulation resistance even under high humidity. A ceramic electronic component and a method of manufacturing the same can be provided.
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