JP2016171236A - Ceramic electronic component and method of manufacturing the same - Google Patents

Ceramic electronic component and method of manufacturing the same Download PDF

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JP2016171236A JP2015050871A JP2015050871A JP2016171236A JP 2016171236 A JP2016171236 A JP 2016171236A JP 2015050871 A JP2015050871 A JP 2015050871A JP 2015050871 A JP2015050871 A JP 2015050871A JP 2016171236 A JP2016171236 A JP 2016171236A
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奈緒子 西村
Naoko Nishimura
奈緒子 西村
光典 井上
Mitsunori Inoue
光典 井上
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ceramic electronic component in which troubles hardly occur at the time of mounting, and to provide a method of manufacturing the same.SOLUTION: A multilayer ceramic inductor 10, as a ceramic electronic component, includes a ceramic element body 12 having a substantially rectangular parallelepiped shape. A coil 16 is formed inside the ceramic element body 12. External electrodes 24a and 24b are formed on end surfaces 12e and 12f of the ceramic element body 12, respectively. On the surface of the ceramic element body 12, a water-repellent/flux-repellent film 34 having water-repellency and flux-repellency is formed on portions on which the external electrodes 24a and 24b are not formed, that is, main surfaces 12a and 12b and side surfaces. The water-repellent/flux-repellent film 34 contains Sn and an organosilane having a fluoroalkyl group.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

この発明はセラミック電子部品およびその製造方法に関し、特に、細孔を有するセラミック素体およびセラミック素体の表面に形成された複数の外部電極を有する、たとえば、積層セラミックインダクタ、積層セラミックコンデンサ、セラミック圧電部品などのセラミック電子部品およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a ceramic electronic component and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a ceramic body having pores and a plurality of external electrodes formed on the surface of the ceramic body, for example, a multilayer ceramic inductor, multilayer ceramic capacitor, ceramic piezoelectric The present invention relates to a ceramic electronic component such as a component and a manufacturing method thereof.

国際公開第02/082480号公報には、たとえばチップインダクタなどのセラミック電子部品が開示されている(特許文献1参照)。特許文献1に開示されているセラミック電子部品では、イオンマイグレーションの発生を防止するために、所定の距離を保って配置された2つ以上の電極間において外部に通じる隙間に撥水膜が形成されている。撥水膜は、たとえば、パーフルオロアルキル基を含むシランカップリング剤により形成されている。なお、特許文献1に開示されているセラミック電子部品では、セラミック電子部品の焼結体表面および内部に細孔を有している。
国際公開第2010/073493号公報には、たとえば積層セラミックインダクタなどのセラミック電子部品が開示されている(特許文献2参照)。特許文献2に開示されているセラミック電子部品は、ポリフルオロエーテル化合物を主成分として含み、ハイドロフルオロエーテルを溶媒として含む撥油処理剤を用いてセラミック素体に撥油処理を施し、セラミック素体の表面にフラックス侵入防止膜を形成したセラミック電子部品である。フラックス浸入防止膜は、セラミック素体の細孔へフラックスが浸入することを防止するために形成される。
International Publication No. WO02 / 082480 discloses a ceramic electronic component such as a chip inductor (see Patent Document 1). In the ceramic electronic component disclosed in Patent Document 1, in order to prevent the occurrence of ion migration, a water repellent film is formed in a gap that leads to the outside between two or more electrodes arranged at a predetermined distance. ing. The water repellent film is formed of, for example, a silane coupling agent containing a perfluoroalkyl group. The ceramic electronic component disclosed in Patent Document 1 has pores on the surface and inside of the sintered body of the ceramic electronic component.
International Publication No. 2010/073493 discloses a ceramic electronic component such as a multilayer ceramic inductor (see Patent Document 2). The ceramic electronic component disclosed in Patent Document 2 is a ceramic body that is obtained by subjecting a ceramic body to an oil repellency treatment using an oil repellency treatment agent that contains a polyfluoroether compound as a main component and hydrofluoroether as a solvent. This is a ceramic electronic component in which a flux intrusion prevention film is formed on the surface. The flux intrusion prevention film is formed to prevent the flux from entering the pores of the ceramic body.

国際公開第02/082480号公報International Publication No. 02/082480 国際公開第2010/073493号公報International Publication No. 2010/073493

近年、セラミック電子部品にはますますの信頼性の向上が求められており、特許文献1、2に開示されているような従来のセラミック電子部品が備える撥水膜やフラックス浸入防止膜についてもさらなる撥フラックス性の向上が求められている。   In recent years, ceramic electronic components have been increasingly required to be improved in reliability. Further, the water-repellent film and the flux infiltration prevention film provided in the conventional ceramic electronic components as disclosed in Patent Documents 1 and 2 are further increased. There is a need for improved flux repellency.

それゆえに、この発明の主たる目的は、実装時の不具合が起こりにくい、セラミック電子部品およびその製造方法を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, a main object of the present invention is to provide a ceramic electronic component and a method for manufacturing the same, which are less prone to problems during mounting.

この発明にかかるセラミック電子部品は、細孔を有するセラミック素体およびセラミック素体の表面に間隔を隔てて形成された複数の外部電極を有するセラミック電子部品において、セラミック素体の表面には、撥水性および撥フラックス性を有する撥水・撥フラックス膜が形成され、撥水・撥フラックス膜は、フルオロアルキル基を含むオルガノシランとSnとを含むことを特徴とする、セラミック電子部品である。
この発明にかかるセラミック電子部品では、撥水・撥フラックス膜は、Clをさらに含むことが好ましい。
また、この発明にかかるセラミック電子部品では、撥水・撥フラックス膜は、XPS分析において、セラミック素体の構成元素に対する原子濃度比でSnを0.01以上0.2以下、Clを0.01以上0.7以下含有した膜であることが好ましい。
さらに、この発明にかかるセラミック電子部品では、オルガノシランは、
CF3−(CF2n1−R−Si(O−R’)3
(ただし、n1は、0以上の整数であり、Rは、SiまたはOを含む置換基あるいはアルキレン基であり、R’は、アルキル基である)
で表されるシランカップリング剤、あるいは、
CF3−(CF2n2−CONH−(CH2m−Si(O−R’’)3
(ただし、n2は、0以上の整数であり、mは、0以上の整数であり、R’’は、アルキル基である)
で表されるアミド結合含有シランカップリング剤
から形成されていることが好ましい。
この発明にかかる他のセラミック電子部品は、細孔を有するセラミック素体およびセラミック素体の表面に間隔を隔てて形成された複数の外部電極を有するセラミック電子部品において、セラミック素体の表面であって複数の外部電極が形成されない部分に、撥水性および撥フラックス性を有する撥水・撥フラックス膜が形成され、撥水・撥フラックス膜は、
CF3−(CF2n2−CONH−(CH2m−Si(O−R’’)3
(ただし、n2は、0以上の整数であり、mは、0以上の整数であり、R’’は、アルキル基である)
で表されるアミド結合含有シランカップリング剤から形成されたことを特徴とする、セラミック電子部品である。
この発明にかかるセラミック電子部品およびこの発明にかかる他のセラミック電子部品では、たとえば、複数の外部電極は、それぞれ、セラミック素体の表面に形成された下地電極を含む。
この発明にかかるセラミック電子部品およびこの発明にかかる他のセラミック電子部品では、たとえば、複数の外部電極は、それぞれ、下地電極上に形成された少なくとも1層のめっき膜をさらに含む。
この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法は、この発明にかかるセラミック電子部品を製造するためのセラミック電子部品の製造方法であって、セラミック素体を準備する工程、セラミック素体の表面に間隔を隔てて複数の外部電極を形成する工程、およびセラミック素体の表面であって複数の外部電極が形成されない部分に、フルオロアルキル基を含むオルガノシランとSnとを含む撥水・撥フラックス膜を形成する工程を含む、セラミック電子部品の製造方法である。
この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法において、撥水・撥フラックス膜を形成する工程では、たとえば、
CF3−(CF2n1−R−Si(O−R’)3
(ただし、n1は、0以上の整数であり、Rは、SiまたはOを含む置換基あるいはアルキレン基であり、R’は、アルキル基である)で表されるシランカップリング剤とSn化合物とを含むSn含有シランカップリング剤溶液を準備し、Sn含有シランカップリング剤溶液に外部電極が形成されたセラミックス素体を浸漬させる。
この発明にかかる他のセラミック電子部品の製造方法は、この発明にかかる他のセラミック電子部品を製造するためのセラミック電子部品の製造方法であって、セラミック素体を準備する工程、セラミック素体の表面に間隔を隔てて複数の外部電極を形成する工程、およびセラミック素体の表面であって複数の外部電極が形成されない部分に、
CF3−(CF2n2−CONH−(CH2m−Si(O−R’’)3
(ただし、n2は、0以上の整数であり、mは、0以上の整数であり、R’’は、アルキル基である)
で表されるアミド結合含有シランカップリング剤から撥水・撥フラックス膜を形成する工程を含む、セラミック電子部品の製造方法である。
この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法およびこの発明にかかる他のセラミック電子部品の製造方法では、複数の外部電極を形成する工程は、セラミック素体の表面に間隔を隔てて複数の下地電極を形成する工程を含み、撥水・撥フラックス膜を形成する工程は、複数の下地電極を形成する工程の後に行われることが好ましい。
さらに、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法およびこの発明にかかる他のセラミック電子部品の製造方法では、複数の外部電極を形成する工程は、複数の下地電極上にそれぞれ少なくとも1層のめっき膜を形成する工程をさらに含み、撥水・撥フラックス膜を形成する工程は、めっき膜を形成する工程の前に行われることが好ましい。
また、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法およびこの発明にかかる他のセラミック電子部品の製造方法では、複数の外部電極を形成する工程は、複数の下地電極上にそれぞれ少なくとも1層のめっき膜を形成する工程をさらに含み、撥水・撥フラックス膜を形成する工程は、めっき膜を形成する工程の後に行われてもよい。
The ceramic electronic component according to the present invention is a ceramic electronic component having a ceramic element body having pores and a plurality of external electrodes formed on the surface of the ceramic element element at intervals. A water repellent / flux repellent film having water and flux repellent properties is formed, and the water repellent / flux repellent film is a ceramic electronic component comprising organosilane containing a fluoroalkyl group and Sn.
In the ceramic electronic component according to the present invention, the water repellent / flux repellent film preferably further contains Cl.
In the ceramic electronic component according to the present invention, the water-repellent / flux-repellent film has an Sn concentration ratio of 0.01 to 0.2 and a Cl content of 0.01 with respect to the constituent elements of the ceramic body in XPS analysis. A film containing 0.7 or more and less is preferable.
Furthermore, in the ceramic electronic component according to the present invention, the organosilane is
CF 3 — (CF 2 ) n1 —R—Si (O—R ′) 3
(Where n1 is an integer of 0 or more, R is a substituent or alkylene group containing Si or O, and R ′ is an alkyl group)
Or a silane coupling agent represented by
CF 3 - (CF 2) n2 -CONH- (CH 2) m -Si (O-R '') 3
(Where n2 is an integer of 0 or more, m is an integer of 0 or more, and R ″ is an alkyl group)
It is preferable that it is formed from the amide bond containing silane coupling agent represented by these.
Another ceramic electronic component according to the present invention is a surface of a ceramic body in a ceramic electronic component having a ceramic body having pores and a plurality of external electrodes formed at intervals on the surface of the ceramic body. Water repellent / flux repellent film having water repellency and flux repellency is formed on a portion where a plurality of external electrodes are not formed.
CF 3 - (CF 2) n2 -CONH- (CH 2) m -Si (O-R '') 3
(Where n2 is an integer of 0 or more, m is an integer of 0 or more, and R ″ is an alkyl group)
It is formed from the amide coupling containing silane coupling agent represented by these, It is a ceramic electronic component characterized by the above-mentioned.
In the ceramic electronic component according to the present invention and other ceramic electronic components according to the present invention, for example, each of the plurality of external electrodes includes a base electrode formed on the surface of the ceramic body.
In the ceramic electronic component according to the present invention and the other ceramic electronic component according to the present invention, for example, each of the plurality of external electrodes further includes at least one plated film formed on the base electrode.
A method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention is a method for manufacturing a ceramic electronic component for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention. Forming a plurality of external electrodes spaced apart, and forming a water-repellent / flux-repellent film containing organosilane containing a fluoroalkyl group and Sn on the surface of the ceramic body where the plurality of external electrodes are not formed A method for manufacturing a ceramic electronic component, comprising the step of:
In the method of manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention, in the step of forming the water-repellent / flux-repellent film, for example,
CF 3 — (CF 2 ) n1 —R—Si (O—R ′) 3
(Wherein n1 is an integer of 0 or more, R is a substituent or alkylene group containing Si or O, and R ′ is an alkyl group) and a Sn compound represented by An Sn-containing silane coupling agent solution containing is prepared, and the ceramic body on which the external electrode is formed is immersed in the Sn-containing silane coupling agent solution.
Another method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention is a method for manufacturing a ceramic electronic component for manufacturing another ceramic electronic component according to the present invention, comprising the steps of preparing a ceramic element, The step of forming a plurality of external electrodes at intervals on the surface, and the portion of the surface of the ceramic body where the plurality of external electrodes are not formed,
CF 3 - (CF 2) n2 -CONH- (CH 2) m -Si (O-R '') 3
(Where n2 is an integer of 0 or more, m is an integer of 0 or more, and R ″ is an alkyl group)
A method for producing a ceramic electronic component comprising a step of forming a water-repellent / flux-repellent film from an amide bond-containing silane coupling agent represented by:
In the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention and the method for manufacturing another ceramic electronic component according to the present invention, the step of forming the plurality of external electrodes includes the step of forming a plurality of base electrodes at intervals on the surface of the ceramic body. The step of forming the water-repellent / flux-repellent film including the step of forming is preferably performed after the step of forming the plurality of base electrodes.
Furthermore, in the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention and the method for manufacturing another ceramic electronic component according to the present invention, the step of forming the plurality of external electrodes includes at least one plated film on each of the plurality of base electrodes. The step of forming the water repellent / flux repellent film is preferably performed before the step of forming the plating film.
In the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention and the method for manufacturing another ceramic electronic component according to the present invention, the step of forming the plurality of external electrodes includes at least one plated film on each of the plurality of base electrodes. The step of forming the water repellent / flux repellent film may be performed after the step of forming the plating film.

この発明にかかるセラミック電子部品では、撥水・撥フラックス膜がフルオロアルキル基を含むオルガノシランとSnとを含むので、セラミック素体と撥水・撥フラックス膜を形成するシランカップリング剤との反応性を高めることができる。そのため、セラミック素体の表面に緻密な撥水・撥フラックス膜を形成することができる。したがって、この発明にかかるセラミック電子部品では、水分やフラックスのセラミック素体の細孔への浸入を防止し、水分に起因するイオンマイグレーションの発生やフラックスに起因する実装不良の発生を防止することができる。よって、この発明にかかるセラミック電子部品では、セラミック電子部品の信頼性を向上することができる。
また、この発明にかかるセラミック電子部品では、撥水・撥フラックス膜がClをさらに含む場合、セラミック素体とオルガノシランを形成するシランカップリング剤との反応性がより高まる。そのため、セラミック素体の表面により緻密な撥水・撥フラックス膜を形成することができる。この場合、撥水・撥フラックス膜がSnおよびClを含む場合、セラミック素体の表面にさらに緻密な撥水・撥フラックス膜を形成することができる。したがって、撥水・撥フラックス膜がSnおよびClを含む場合、セラミック電子部品の信頼性をさらに向上することができる。
さらに、この発明にかかるセラミック電子部品では、撥水・撥フラックス膜を形成するための溶液がSnを含む場合、この溶液を外部電極に付着させるとSn化合物に由来するSn成分が外部電極上に吸着される。そして、吸着されたSn上には、オルガノシランが付着しにくい。そのため、撥水・撥フラックス膜中のオルガノシランが、セラミック素体の表面に対して選択的に付きやすく、外部電極上に付くことを防ぐことができる。これによって、外部電極上においてめっき未着やはんだ不濡れなどの不具合を防止することができる。したがって、撥水・撥フラックス膜がSnおよびClを含む場合、この点においても、セラミック電子部品の信頼性を向上することができる。
この発明にかかるセラミック電子部品において、上述のようにさらに緻密な撥水・撥フラックス膜を形成するためには、撥水・撥フラックス膜は、XPS分析において、セラミック素体の構成元素に対する原子濃度比でSnを0.01以上0.2以下、Clを0.01以上0.7以下含有した膜であることが好ましい。
また、この発明にかかるセラミック電子部品において、上述のように緻密な撥水・撥フラックス膜を形成するためには、オルガノシランは、
CF3−(CF2n1−R−Si(O−R’)3
(ただし、n1は、0以上の整数であり、Rは、SiまたはOを含む置換基あるいはアルキレン基であり、R’は、アルキル基である)
で表されるシランカップリング剤、あるいは、
CF3−(CF2n2−CONH−(CH2m−Si(O−R’’)3
(ただし、n2は、0以上の整数であり、mは、0以上の整数であり、R’’は、アルキル基である)
で表されるアミド結合含有シランカップリング剤
から形成されていることが好ましい。
この発明にかかる他のセラミック電子部品では、撥水・撥フラックス膜がフルオロアルキル基とアミド結合とを有するアミド結合含有シランカップリング剤から形成されているので、セラミック素体と撥水・撥フラックス膜との密着性が高まる。そのため、この発明にかかる他のセラミック電子部品でも、水分やフラックスのセラミック素体の細孔への浸入を防止し、水分に起因するイオンマイグレーションの発生やフラックスに起因する実装不良の発生を防止することができる。したがって、この発明にかかる他のセラミック電子部品でも、セラミック電子部品の信頼性を向上することができる。
この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法およびこの発明にかかる他のセラミック電子部品の製造方法では、複数の外部電極を形成する工程は、セラミック素体の表面に間隔を隔てて複数の下地電極を形成する工程を含み、撥水・撥フラックス膜を形成する工程は、複数の下地電極を形成する工程の後に行われる場合、撥水・撥フラックス膜を形成する際にセラミック素体の表面であって外部電極が形成される部分に下地電極がすでに形成されているので、撥水・撥フラックス膜を、セラミック素体の表面であって複数の外部電極が形成されない部分に容易に形成することができる。
さらに、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法およびこの発明にかかる他のセラミック電子部品の製造方法において、複数の外部電極を形成する工程は、複数の下地電極上にそれぞれ少なくとも1層のめっき膜を形成する工程をさらに含み、撥水・撥フラックス膜を形成する工程は、めっき膜を形成する工程の前に行われる場合、めっき膜を形成する際にセラミック素体の表面であって外部電極が形成されない部分に撥水・撥フラックス膜がすでに形成されているので、めっき液や洗浄液のセラミック素体の細孔への浸入を防止することもできる。
また、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法およびこの発明にかかる他のセラミック電子部品の製造方法において、複数の外部電極を形成する工程は、複数の下地電極上にそれぞれ少なくとも1層のめっき膜を形成する工程をさらに含み、撥水・撥フラックス膜を形成する工程は、めっき膜を形成する工程の後に行われる場合、めっき膜を形成する際に撥水・撥フラックス膜がまだ形成されていないので、めっき膜を下地電極上に容易に形成することができる。
In the ceramic electronic component according to the present invention, the water repellent / flux repellent film contains organosilane containing fluoroalkyl group and Sn, so that the reaction between the ceramic body and the silane coupling agent that forms the water repellent / flux repellent film. Can increase the sex. Therefore, a dense water / flux repellent film can be formed on the surface of the ceramic body. Therefore, in the ceramic electronic component according to the present invention, it is possible to prevent moisture and flux from entering the pores of the ceramic body, and to prevent occurrence of ion migration due to moisture and occurrence of mounting failure due to flux. it can. Therefore, in the ceramic electronic component according to the present invention, the reliability of the ceramic electronic component can be improved.
In the ceramic electronic component according to the present invention, when the water-repellent / flux-repellent film further contains Cl, the reactivity between the ceramic body and the silane coupling agent forming organosilane is further increased. Therefore, a dense water-repellent / flux-repellent film can be formed on the surface of the ceramic body. In this case, when the water / flux repellent film contains Sn and Cl, a finer water / flux repellent film can be formed on the surface of the ceramic body. Therefore, when the water-repellent / flux-repellent film contains Sn and Cl, the reliability of the ceramic electronic component can be further improved.
Furthermore, in the ceramic electronic component according to the present invention, when the solution for forming the water-repellent / flux-repellent film contains Sn, the Sn component derived from the Sn compound is deposited on the external electrode when the solution is attached to the external electrode. Adsorbed. And organosilane is hard to adhere on adsorbed Sn. Therefore, the organosilane in the water-repellent / flux-repellent film can easily be selectively attached to the surface of the ceramic body, and can be prevented from attaching to the external electrode. As a result, problems such as non-plating or solder non-wetting on the external electrode can be prevented. Therefore, when the water-repellent / flux-repellent film contains Sn and Cl, the reliability of the ceramic electronic component can be improved also in this respect.
In the ceramic electronic component according to the present invention, in order to form a finer water-repellent / flux-repellent film as described above, in XPS analysis, the water-repellent / flux-repellent film is subjected to an atomic concentration relative to the constituent elements of the ceramic body. The film preferably contains Sn in a ratio of 0.01 to 0.2 and Cl in a range of 0.01 to 0.7.
Moreover, in the ceramic electronic component according to the present invention, in order to form a dense water-repellent / flux-repellent film as described above,
CF 3 — (CF 2 ) n1 —R—Si (O—R ′) 3
(Where n1 is an integer of 0 or more, R is a substituent or alkylene group containing Si or O, and R ′ is an alkyl group)
Or a silane coupling agent represented by
CF 3 - (CF 2) n2 -CONH- (CH 2) m -Si (O-R '') 3
(Where n2 is an integer of 0 or more, m is an integer of 0 or more, and R ″ is an alkyl group)
It is preferable that it is formed from the amide bond containing silane coupling agent represented by these.
In another ceramic electronic component according to the present invention, the water repellent / flux repellent film is formed of an amide bond-containing silane coupling agent having a fluoroalkyl group and an amide bond. Adhesion with the film is increased. Therefore, even in other ceramic electronic components according to the present invention, moisture and flux are prevented from entering the pores of the ceramic body, and ion migration caused by moisture and mounting defects caused by flux are prevented. be able to. Therefore, the reliability of the ceramic electronic component can be improved also in other ceramic electronic components according to the present invention.
In the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention and the method for manufacturing another ceramic electronic component according to the present invention, the step of forming the plurality of external electrodes includes the step of forming a plurality of base electrodes at intervals on the surface of the ceramic body. When the water repellent / flux repellent film is formed after the step of forming the plurality of base electrodes, the step of forming the water repellent / flux repellent film is performed on the surface of the ceramic body when forming the water repellent / flux repellent film. Since the base electrode is already formed on the part where the external electrode is formed, the water-repellent / flux-repellent film can be easily formed on the surface of the ceramic body where a plurality of external electrodes are not formed. it can.
Furthermore, in the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention and the method for manufacturing another ceramic electronic component according to the present invention, the step of forming the plurality of external electrodes includes at least one plated film on each of the plurality of base electrodes. The step of forming the water-repellent / flux-repellent film is performed before the step of forming the plating film, and is the surface of the ceramic body when forming the plating film and the external electrode. Since the water-repellent / flux-repellent film is already formed in the portion where the film is not formed, it is possible to prevent the plating solution and the cleaning solution from entering the pores of the ceramic body.
In the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention and the method for manufacturing another ceramic electronic component according to the present invention, the step of forming the plurality of external electrodes includes at least one plated film on each of the plurality of base electrodes. The step of forming the water-repellent / flux-repellent film is further performed after the step of forming the plated film, and the water-repellent / flux-repellent film is still formed when the plated film is formed. Therefore, the plating film can be easily formed on the base electrode.

この発明によれば、実装時の不具合が起こりにくい、信頼性を向上したセラミック電子部品が得られる。   According to the present invention, it is possible to obtain a ceramic electronic component with improved reliability that is unlikely to cause problems during mounting.

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。   The above-described object, other objects, features, and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of embodiments for carrying out the invention with reference to the drawings.

この発明にかかるセラミック電子部品としての積層セラミックインダクタの一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the multilayer ceramic inductor as a ceramic electronic component concerning this invention. 図1に示す積層セラミックインダクタの図1の線II−IIにおける断面図である。2 is a cross-sectional view of the multilayer ceramic inductor shown in FIG. 1 taken along line II-II in FIG. 図1に示す積層セラミックインダクタの要部構成を模式的に示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows typically the principal part structure of the multilayer ceramic inductor shown in FIG. 図1に示す積層セラミックインダクタのセラミック素体の細孔および不連続な耐水・耐フラックス膜の一例を示す部分拡大図解図である。FIG. 2 is a partially enlarged schematic view showing an example of pores and discontinuous water / flux resistant films of the ceramic body of the multilayer ceramic inductor shown in FIG. 1. 図1に示す積層セラミックインダクタの撥水・撥フラックス膜に用いられるシランカップリング剤の一例の構造式を示す図である。It is a figure which shows the structural formula of an example of the silane coupling agent used for the water repellent / flux repellent film of the multilayer ceramic inductor shown in FIG. 図1に示す積層セラミックインダクタの撥水・撥フラックス膜に用いられるアミド結合含有シランカップリング剤の一例の構造式を示す図である。It is a figure which shows the structural formula of an example of the amide bond containing silane coupling agent used for the water repellent / flux repellent film of the multilayer ceramic inductor shown in FIG.

図1は、この発明にかかるセラミック電子部品としての積層セラミックインダクタの一例を示す斜視図であり、図2は、図1に示す積層セラミックインダクタの図1の線II−IIにおける断面図であり、図3は、図1に示す積層セラミックインダクタの要部構成を模式的に示す分解斜視図である。図4は、図1に示す積層セラミックインダクタのセラミック素体の細孔および不連続な耐水・耐フラックス膜の一例を示す部分拡大図解図である。   FIG. 1 is a perspective view showing an example of a multilayer ceramic inductor as a ceramic electronic component according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the multilayer ceramic inductor shown in FIG. FIG. 3 is an exploded perspective view schematically showing a main configuration of the multilayer ceramic inductor shown in FIG. FIG. 4 is a partially enlarged schematic view showing an example of pores and discontinuous water / flux resistant film of the ceramic body of the multilayer ceramic inductor shown in FIG. 1.

図1に示す積層セラミックインダクタ10は、たとえば、フェライトからなる略直方体状のセラミック素体12を含む。セラミック素体12は、図1に示すように、複数のフェライト層14を含んでいてもよい。これらのフェライト層14は、積層された状態で一体的に焼結されている。このセラミック素体12は、表面および内部に細孔を有する(例えば、図4参照)。また、セラミック素体12は、互いに対向する第1の主面12aおよび第2の主面12bと、互いに対向する第1の側面12cおよび第2の側面12dと、互いに対向する第1の端面12eおよび第2の端面12fとを有する。第1の側面12cおよび第2の側面12dは、それぞれ、第1の主面12aおよび第2の主面12bに接続する。第1の端面12eおよび第2の端面12fは、それぞれ、第1の主面12a、第2の主面12b、第1の側面12cおよび第2の側面12dに接続する。このセラミック素体12には、コーナー部および稜部に丸みがつけられている。なお、セラミック素体12は、他の形状に形成されてもよい。   A multilayer ceramic inductor 10 shown in FIG. 1 includes a substantially rectangular parallelepiped ceramic body 12 made of ferrite, for example. As shown in FIG. 1, the ceramic body 12 may include a plurality of ferrite layers 14. These ferrite layers 14 are integrally sintered in a laminated state. The ceramic body 12 has pores on the surface and inside (for example, see FIG. 4). The ceramic body 12 includes a first main surface 12a and a second main surface 12b facing each other, a first side surface 12c and a second side surface 12d facing each other, and a first end surface 12e facing each other. And a second end face 12f. The first side surface 12c and the second side surface 12d are connected to the first main surface 12a and the second main surface 12b, respectively. The first end surface 12e and the second end surface 12f are connected to the first main surface 12a, the second main surface 12b, the first side surface 12c, and the second side surface 12d, respectively. The ceramic body 12 has rounded corners and ridges. The ceramic body 12 may be formed in other shapes.

セラミック素体12の内部には、コイル16がある。コイル16は、たとえばCuやAgからなる。コイル16は、パターン化導体18を含む。これらのパターン化導体18は、各フェライト層14上に形成されている。また、これらのパターン化導体18は、フェライト層14に形成されたビアホール20によってコイル状に接続されている。コイル16の一端部は、第1の引き出し電極22aとして、セラミック素体12の第1の端面12eに引き出されている。また、コイル16の他端部は、第2の引き出し電極22bとして、セラミック素体12の第2の端面12fに引き出されている。コイル16は、コイル状に巻かれた導線であってもよい。   Inside the ceramic element body 12 is a coil 16. The coil 16 is made of, for example, Cu or Ag. The coil 16 includes a patterned conductor 18. These patterned conductors 18 are formed on each ferrite layer 14. The patterned conductors 18 are connected in a coil shape by via holes 20 formed in the ferrite layer 14. One end of the coil 16 is led out to the first end face 12e of the ceramic body 12 as a first lead electrode 22a. The other end of the coil 16 is led out to the second end face 12f of the ceramic body 12 as the second lead electrode 22b. The coil 16 may be a conducting wire wound in a coil shape.

セラミック素体12の第1および第2の端面12e、12f側には、第1および第2の外部電極24a、24bがそれぞれ形成される。
第1の外部電極24aは、セラミック素体12の第1の端面12eから第1および第2の主面12a、12bと第1および第2の側面12c、12dとにわたって形成される。この場合、第1の外部電極24aは、コイル16の第1の引き出し電極22aと電気的に接続される。
また、第2の外部電極24bは、セラミック素体12の第2の端面12fから第1および第2の主面12a、12bと第1および第2の側面12c、12dとにわたって形成される。この場合、第2の外部電極24bは、コイル16の第2の引き出し電極22bと電気的に接続される。
On the first and second end faces 12e, 12f side of the ceramic body 12, first and second external electrodes 24a, 24b are formed, respectively.
The first external electrode 24a is formed from the first end face 12e of the ceramic body 12 to the first and second main faces 12a, 12b and the first and second side faces 12c, 12d. In this case, the first external electrode 24 a is electrically connected to the first extraction electrode 22 a of the coil 16.
The second external electrode 24b is formed from the second end face 12f of the ceramic body 12 to the first and second main faces 12a, 12b and the first and second side faces 12c, 12d. In this case, the second external electrode 24 b is electrically connected to the second extraction electrode 22 b of the coil 16.

外部電極24aは、セラミック素体12側から順に、下地電極26aおよびめっき膜28aを含む。
下地電極26aは、たとえばAg、Ag合金などの導体からなる。また、下地電極26aは、セラミック素体12の表面に、すなわち第1の端面12eなどに形成される。この場合、下地電極26aは、第1の引き出し電極22aと電気的に接続される。
めっき膜28aは、Niめっき膜30aおよびSnめっき膜32aを含む2層構造である。Niめっき膜30aは、下地電極26a上に形成される。また、Snめっき膜32aは、Niめっき膜30a上に形成される。
The external electrode 24a includes a base electrode 26a and a plating film 28a in this order from the ceramic body 12 side.
The base electrode 26a is made of a conductor such as Ag or an Ag alloy. The base electrode 26a is formed on the surface of the ceramic body 12, that is, on the first end face 12e. In this case, the base electrode 26a is electrically connected to the first extraction electrode 22a.
The plating film 28a has a two-layer structure including the Ni plating film 30a and the Sn plating film 32a. The Ni plating film 30a is formed on the base electrode 26a. The Sn plating film 32a is formed on the Ni plating film 30a.

外部電極24bは、外部電極24aと同様に、セラミック素体12側から順に、下地電極26bおよびめっき膜28bを含む。
下地電極26bは、たとえばAg、Ag合金などの導体からなる。また、下地電極26bは、セラミック素体12の表面に、すなわち第2の端面12fなどに形成される。この場合、下地電極26bは、第2の引き出し電極22bと電気的に接続される。
めっき膜28bは、Niめっき膜30bおよびSnめっき膜32bを含む2層構造である。Niめっき膜30bは、下地電極26b上に形成される。また、Snめっき膜32bは、Niめっき膜30b上に形成される。
Similarly to the external electrode 24a, the external electrode 24b includes a base electrode 26b and a plating film 28b in this order from the ceramic body 12 side.
The base electrode 26b is made of a conductor such as Ag or an Ag alloy. The base electrode 26b is formed on the surface of the ceramic body 12, that is, on the second end face 12f and the like. In this case, the base electrode 26b is electrically connected to the second extraction electrode 22b.
The plating film 28b has a two-layer structure including the Ni plating film 30b and the Sn plating film 32b. The Ni plating film 30b is formed on the base electrode 26b. The Sn plating film 32b is formed on the Ni plating film 30b.

セラミック素体12の表面において、外部電極24a、24bが形成されない部分に、すなわち外部電極24a、24b間の主面12a、12bと側面12c、12dとには、撥水性および撥フラックス性を有する撥水・撥フラックス膜34が形成される。撥水・撥フラックス膜34は、外部からセラミック素体12の細孔へ水分やフラックスなどが浸入することを防止するためのものである。   On the surface of the ceramic body 12, the portions where the external electrodes 24a, 24b are not formed, that is, the main surfaces 12a, 12b and the side surfaces 12c, 12d between the external electrodes 24a, 24b have water repellency and flux repellency. A water / flux repellent film 34 is formed. The water repellent / flux repellent film 34 is for preventing moisture and flux from entering the pores of the ceramic body 12 from the outside.

撥水・撥フラックス膜34は、たとえば、フルオロアルキル基を含むオルガノシランとSnとを含む。撥水・撥フラックス膜34は、Clをさらに含むことが好ましい。また、撥水・撥フラックス膜34は、XPS分析において、セラミック素体12の構成元素に対する原子濃度比でSnを0.01以上0.2以下、Clを0.01以上0.7以下含有した膜であることが好ましい。
あるいは、撥水・撥フラックス膜34は、アミド結合含有シランカップリング剤から形成される。
The water repellent / flux repellent film 34 includes, for example, organosilane containing a fluoroalkyl group and Sn. The water repellent / flux repellent film 34 preferably further contains Cl. Further, the water-repellent / flux-repellent film 34 contained Sn in the range of 0.01 to 0.2 and Cl in the range of 0.01 to 0.7 in terms of the atomic concentration ratio with respect to the constituent elements of the ceramic body 12 in XPS analysis. A membrane is preferred.
Alternatively, the water / flux repellent film 34 is formed from an amide bond-containing silane coupling agent.

ここで、X線光電子分光法を用いた分析(以下、XPS分析ともいう)を用いた原子濃度比の計算方法について説明する。
原子濃度比は、以下の式を用いて求めることができる。
原子濃度比=(撥フラックス膜中の対象元素の原子濃度)/(セラミック素体の構成元素の構成原子濃度)
原子濃度は、XPS分析により測定することができる。
セラミック素体の構成原子は、セラミック中の遷移金属元素をさす。酸素は含まない。たとえば、Cu−Ni−Zn系フェライトを素体の原料とした場合は、構成元素はFe、Cu、Ni、Znである。XPS分析の測定条件は以下のとおりである。
測定条件
X線光電子分光装置としてアルバック・ファイ社製のVersaProbeを用いる。この場合、測定領域としては、直径100μm、分析深さ数nmの領域とする。X線源はAlKα線である。サーベイ積算回数は10回である。サーベイエネルギー範囲は0〜1200eVである。
Here, a method for calculating an atomic concentration ratio using analysis using X-ray photoelectron spectroscopy (hereinafter also referred to as XPS analysis) will be described.
The atomic concentration ratio can be obtained using the following equation.
Atomic concentration ratio = (atomic concentration of target element in flux repellent film) / (constituent atomic concentration of constituent elements of ceramic body)
The atomic concentration can be measured by XPS analysis.
The constituent atoms of the ceramic body indicate transition metal elements in the ceramic. Does not contain oxygen. For example, when Cu—Ni—Zn-based ferrite is used as the raw material of the element body, the constituent elements are Fe, Cu, Ni, and Zn. The measurement conditions for XPS analysis are as follows.
Measurement conditions VersaProbe manufactured by ULVAC-PHI is used as an X-ray photoelectron spectrometer. In this case, the measurement region is a region having a diameter of 100 μm and an analysis depth of several nm. The X-ray source is AlKα radiation. The total number of surveys is 10. The survey energy range is 0-1200 eV.

撥水・撥フラックス膜34に含まれるオルガノシランは、
CF3−(CF2n1−R−Si(O−R’)3
(ただし、n1は、0以上の整数であり、Rは、SiまたはOを含む置換基あるいはアルキレン基であり、R’は、アルキル基である)
で表されるシランカップリング剤から形成されていることが好ましい。
例えば、n1は0以上7以下の整数であってよい。R’はメチル基あるいはエチル基であってよい。
Organosilane contained in the water / flux repellent film 34 is:
CF 3 — (CF 2 ) n1 —R—Si (O—R ′) 3
(Where n1 is an integer of 0 or more, R is a substituent or alkylene group containing Si or O, and R ′ is an alkyl group)
It is preferable that it is formed from the silane coupling agent represented by these.
For example, n1 may be an integer from 0 to 7. R ′ may be a methyl group or an ethyl group.

この発明において用いられるシランカップリング剤は、反応性基であるアルコキシ基を少なくとも1つ備える。また、シランカップリング剤は、パーフルオロアルキル基を1つ以上備える。
具体的には、シランカップリング剤として、たとえば、図5に示すシランカップリング剤:
CF3(CF25(CH22Si(OCH33
や、
CF3(CF23(CH22Si(OCH33
CF3(CF23(CH22Si(OC253
CF3(CF27(CH22Si(OCH33
CF3CH2O(CH215Si(OCH33
CF3(CH22Si(CH32(CH215Si(OCH33
CF3(CF23(CH22Si(CH32(CH29Si(OCH33
CF3COO(CH215Si(OCH33
CF3(CF25(CH22Si(OC253
CF3(CF27(CH22Si(CH32(CH29Si(OC253
CF3(CF27(CH22Si(CH32(CH26Si(OC253
CF3(CF27(CH22Si(OC253
CF3CH2O(CH215Si(OC253
CF3COO(CH215Si(OC253
CF3(CF24CONH(CH23Si(OCH33
CF3(CF27CONH(CH23Si(OCH33
CF3(CF25CONH(CH23Si(OC253、または、
CF3(CF27CONH(CH23Si(OC253
を用いることができる。
The silane coupling agent used in the present invention includes at least one alkoxy group that is a reactive group. The silane coupling agent has one or more perfluoroalkyl groups.
Specifically, as the silane coupling agent, for example, the silane coupling agent shown in FIG.
CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3
Or
CF 3 (CF 2 ) 3 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 3 (CH 2 ) 2 Si (OC 2 H 5 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 CH 2 O (CH 2 ) 15 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 15 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 3 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 9 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 COO (CH 2 ) 15 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 ) 2 Si (OC 2 H 5 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 9 Si (OC 2 H 5 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 6 Si (OC 2 H 5 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (OC 2 H 5 ) 3 ,
CF 3 CH 2 O (CH 2 ) 15 Si (OC 2 H 5 ) 3 ,
CF 3 COO (CH 2 ) 15 Si (OC 2 H 5 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 4 CONH (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 7 CONH (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 5 CONH (CH 2 ) 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 , or
CF 3 (CF 2 ) 7 CONH (CH 2 ) 3 Si (OC 2 H 5 ) 3
Can be used.

また、撥水・撥フラックス膜34は、たとえば、
CF3−(CF2n2−CONH−(CH2m−Si(O−R’’)3
(ただし、n2は、0以上の整数であり、mは、0以上の整数であり、R’’は、アルキル基である)
で表されるアミド含有シランカップリング剤から形成される。
n2は0以上7以下の整数であってよい。mは0以上7以下の整数であってよい。R’’はメチル基あるいはエチル基であってよい。
具体的には、このアミド含有シランカップリング剤は、たとえば、図6に示すシランカップリング剤:
CF3(CF24CONH(CH23Si(OCH33
や、
CF3(CF27CONH(CH23Si(OCH33
CF3(CF25CONH(CH23Si(OC253、または、
CF3(CF27CONH(CH23Si(OC253
を用いることができる。
In addition, the water repellent / flux repellent film 34 is, for example,
CF 3 - (CF 2) n2 -CONH- (CH 2) m -Si (O-R '') 3
(Where n2 is an integer of 0 or more, m is an integer of 0 or more, and R ″ is an alkyl group)
It is formed from the amide containing silane coupling agent represented by these.
n2 may be an integer of 0 or more and 7 or less. m may be an integer from 0 to 7. R ″ may be a methyl group or an ethyl group.
Specifically, the amide-containing silane coupling agent is, for example, a silane coupling agent shown in FIG.
CF 3 (CF 2 ) 4 CONH (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3
Or
CF 3 (CF 2 ) 7 CONH (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 5 CONH (CH 2 ) 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 , or
CF 3 (CF 2 ) 7 CONH (CH 2 ) 3 Si (OC 2 H 5 ) 3
Can be used.

次に、この積層セラミックインダクタ10の製造方法の一例について説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the multilayer ceramic inductor 10 will be described.

まず、セラミック素体を準備する工程について説明する。
たとえば酸化第二鉄(Fe23)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニッケル(NiO)、酸化銅(CuO)を所定の比率で秤量した材料を原材料としてボールミルに仕込み、所定の時間、湿式調合を行って、混合物を得る。
この混合物を乾燥、粉砕することにより得られる粉末をたとえば700℃で1時間仮焼して、仮焼粉末を得る。この仮焼粉末をボールミルにて所定の時間湿式粉砕した後、乾燥、解砕して、フェライト粉末を得る。
First, the process for preparing the ceramic body will be described.
For example, fermented oxide (Fe 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), nickel oxide (NiO), and copper oxide (CuO) are weighed at a predetermined ratio and charged into a ball mill as raw materials. To obtain a mixture.
The powder obtained by drying and pulverizing this mixture is calcined at 700 ° C. for 1 hour to obtain a calcined powder. This calcined powder is wet pulverized for a predetermined time with a ball mill, and then dried and crushed to obtain a ferrite powder.

このフェライト粉末に対してバインダー樹脂と可塑剤、湿潤剤、分散剤を加え、ボールミルで所定の時間混合を行い、その後、減圧下で脱泡を行って、スラリーを得る。
このスラリーをリップコータ、またはマルチコータを用いて、剥離性を有するフィルム上に塗布し、乾燥させることにより、所望の膜厚を有する長尺フェライトグリーンシートを得る。
A binder resin, a plasticizer, a wetting agent, and a dispersing agent are added to the ferrite powder, mixed for a predetermined time with a ball mill, and then defoamed under reduced pressure to obtain a slurry.
The slurry is applied onto a peelable film using a lip coater or a multi coater and dried to obtain a long ferrite green sheet having a desired film thickness.

この長尺フェライトグリーンシートを所定の寸法に裁断し、レーザー加工などの方法でビアホールを形成することにより、所定の位置にビアホールを備えたフェライトシートを得る。
このフェライトシート上に、スクリーン印刷などの方法により、AgまたはAg合金を主成分とする導体ペーストを所定のパターンとなるように塗布し、加熱乾燥して、コイル導体を備えた電極形成フェライトシートを得る。
The long ferrite green sheet is cut into a predetermined size, and a via hole is formed by a method such as laser processing to obtain a ferrite sheet having a via hole at a predetermined position.
On this ferrite sheet, a conductor paste mainly composed of Ag or an Ag alloy is applied in a predetermined pattern by a method such as screen printing, and is heated and dried to obtain an electrode-formed ferrite sheet provided with a coil conductor. obtain.

この電極形成フェライトシートを、コイル導体が層間接続されてコイルが形成されるように重ねて積層体を形成し、積層体の上下に導体ペーストを塗布していないフェライトグリーンシートを重ねて未焼成積層体を得る。
なお、コイル導体を備えた電極形成フェライトシートが積層されると、コイル導体が、上述のビアホールを介してコイル状に層間接続され、未焼成積層体の内部にコイルが形成される。
This electrode-formed ferrite sheet is laminated so that coil conductors are connected to each other to form a coil, thereby forming a laminate, and ferrite green sheets not coated with a conductive paste are placed on the upper and lower sides of the laminate to form an unfired laminate. Get the body.
In addition, when the electrode-formed ferrite sheet provided with the coil conductor is laminated, the coil conductor is interlayer-connected in a coil shape through the above-described via hole, and a coil is formed inside the unfired laminated body.

それから、この未焼成積層体をたとえば45℃、1.0t/cm2の圧力で圧着して、積層圧着体を得る。そして、この積層圧着体を、ダイサーによるダイシングや、押し切り刃によるカットなどの方法で、所定の寸法に裁断して、未焼成セラミック素体を得る。 Then, this unfired laminated body is pressure-bonded, for example, at 45 ° C. and a pressure of 1.0 t / cm 2 to obtain a laminated pressure-bonded body. And this laminated press-bonded body is cut into a predetermined size by a method such as dicing with a dicer or cutting with a press cutting blade to obtain an unfired ceramic body.

次に、未焼成セラミック素体を所定の条件で脱バインダーした後、焼成を行う。脱バインダーは、たとえば低酸素雰囲気中で500℃、2時間加熱の条件で実施する。また、焼成は、たとえばAir雰囲気中で870℃、150分焼成の条件で実施する。これにより、セラミック素体12(図1、図2、図3参照)が形成される。セラミック素体12は、複数のフェライト層14を含む。これらのフェライト層14は、積層された状態で一体的に焼結されている。また、セラミック素体12の内部には、コイル16が形成されている。コイル16は、各パターン化導体18を含む。各パターン化導体18は、各フェライト層14上に形成されている。また、各パターン化導体18は、ビアホール20でコイル状に接続されている。
なお、図1および図2は、セラミック素体12の端面12e、12fに外部電極24a、24bを形成した積層セラミックインダクタ10を示している。
Next, the unfired ceramic body is debindered under predetermined conditions and then fired. The binder removal is performed, for example, under conditions of heating at 500 ° C. for 2 hours in a low oxygen atmosphere. Further, the firing is performed, for example, under the conditions of firing at 870 ° C. for 150 minutes in an Air atmosphere. As a result, the ceramic body 12 (see FIGS. 1, 2, and 3) is formed. The ceramic body 12 includes a plurality of ferrite layers 14. These ferrite layers 14 are integrally sintered in a laminated state. A coil 16 is formed inside the ceramic body 12. The coil 16 includes each patterned conductor 18. Each patterned conductor 18 is formed on each ferrite layer 14. Further, each patterned conductor 18 is connected in a coil shape by a via hole 20.
1 and 2 show the multilayer ceramic inductor 10 in which the external electrodes 24a and 24b are formed on the end faces 12e and 12f of the ceramic body 12. FIG.

次に、外部電極を形成する工程について説明する。
まず、コイル16の引き出し電極22a、22bが露出するセラミック素体12の端面12e、12fに、浸漬法により外部電極形成用の電極材料ペーストを塗布し、たとえば120℃で10分乾燥した後、800℃にて15分間電極材料ペーストを焼き付けることにより、外部電極24a、24bの下地電極26a、26bを形成する。
Next, a process for forming the external electrode will be described.
First, an electrode material paste for forming an external electrode is applied to the end faces 12e and 12f of the ceramic body 12 from which the lead electrodes 22a and 22b of the coil 16 are exposed, and dried at 120 ° C. for 10 minutes, for example. By baking the electrode material paste at 15 ° C. for 15 minutes, the base electrodes 26a and 26b of the external electrodes 24a and 24b are formed.

次に、撥水・撥フラックス膜を形成する工程について説明する。
まず、シランカップリング剤溶液を準備する。シランカップリング剤溶液は、Sn含有シランカップリング剤溶液であってもよく、アミド結合含有シランカップリング剤溶液であってもよい。
Sn含有シランカップリング剤溶液は、フルオロアルキル基を有するシランカップリング剤と、Sn化合物と、必要に応じて溶媒とを混合することにより準備することができる。シランカップリング剤は、たとえば、
CF3(CF25(CH22Si(OCH33
や、
CF3(CF23(CH22Si(OCH33
CF3(CF23(CH22Si(OC253
CF3(CF27(CH22Si(OCH33
CF3CH2O(CH215Si(OCH33
CF3(CH22Si(CH32(CH215Si(OCH33
CF3(CF23(CH22Si(CH32(CH29Si(OCH33
CF3COO(CH215Si(OCH33
CF3(CF25(CH22Si(OC253
CF3(CF27(CH22Si(CH32(CH29Si(OC253
CF3(CF27(CH22Si(CH32(CH26Si(OC253
CF3(CF27(CH22Si(OC253
CF3CH2O(CH215Si(OC253、または、
CF3COO(CH215Si(OC253
を用いることができる。
また、Sn含有シランカップリング剤溶液を準備するのに用いられるシランカップリング剤は、後述するアミド結合含有シランカップリング剤であってもよい。
溶媒は、例えば、メタノール、エタノール、またはイソプロパノールであってよい。Sn化合物は、SnCl2、SnCl4、ジブチルスズジアセテート、ビス(アセトキシジブチルスズ)オキサイド、ビス(ラウロキシジブチルスズ)オキサイド、ジブチルスズビスアセチルアセトナート、ジブチルスズビスマレイン酸モノブチルエステル、ジオクチルビスマレイン酸モノブチルエステルであってよい。この中で、Sn化合物としてSnCl2が好ましい。Sn含有シランカップリング剤溶液中のシランカップリング剤の濃度は、例えば0.1体積%以上5体積%以下であってよい。また、Sn含有シランカップリング剤溶液中のSnの濃度は、例えば0.01g/L以上1.0g/L以下であってよい。
アミド結合含有シランカップリング剤溶液は、フルオロアルキル基とアミド基とを含むアミド結合含有シランカップリング剤と溶媒とを混合することにより準備することができる。アミド結合含有シランカップリング剤としては、たとえば、
CF3(CF24CONH(CH23Si(OCH33
CF3(CF27CONH(CH23Si(OCH33
CF3(CF25CONH(CH23Si(OC253、または、
CF3(CF27CONH(CH23Si(OC253
を用いることができる。
そして、このように準備したシランカップリング剤溶液を、外部電極を形成したセラミック素体を付着させる。シランカップリング剤溶液をセラミック素体に付着させる方法は、浸漬や、塗布、スピンコーティングやスプレー法であってよい。その後、シランカップリング剤溶液が付着したセラミック素体を加熱することにより、セラミック素体上に撥水・撥フラックス膜を形成することができる。加熱温度は、60℃以上150℃以下であってよい。加熱時間は60分以上120分以下であってよい。
Next, a process of forming a water / repellent film is described.
First, a silane coupling agent solution is prepared. The silane coupling agent solution may be a Sn-containing silane coupling agent solution or an amide bond-containing silane coupling agent solution.
The Sn-containing silane coupling agent solution can be prepared by mixing a silane coupling agent having a fluoroalkyl group, an Sn compound, and a solvent as necessary. The silane coupling agent is, for example,
CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3
Or
CF 3 (CF 2 ) 3 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 3 (CH 2 ) 2 Si (OC 2 H 5 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 CH 2 O (CH 2 ) 15 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 15 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 3 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 9 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 COO (CH 2 ) 15 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 ) 2 Si (OC 2 H 5 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 9 Si (OC 2 H 5 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 6 Si (OC 2 H 5 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (OC 2 H 5 ) 3 ,
CF 3 CH 2 O (CH 2 ) 15 Si (OC 2 H 5 ) 3 , or
CF 3 COO (CH 2 ) 15 Si (OC 2 H 5 ) 3
Can be used.
The silane coupling agent used to prepare the Sn-containing silane coupling agent solution may be an amide bond-containing silane coupling agent described later.
The solvent can be, for example, methanol, ethanol, or isopropanol. Sn compounds include SnCl 2 , SnCl 4 , dibutyltin diacetate, bis (acetoxydibutyltin) oxide, bis (lauroxydibutyltin) oxide, dibutyltin bisacetylacetonate, dibutyltin bismaleic acid monobutyl ester, dioctyl bismaleic acid monobutyl ester It may be. Of these, SnCl 2 is preferred as the Sn compound. The concentration of the silane coupling agent in the Sn-containing silane coupling agent solution may be, for example, 0.1 volume% or more and 5 volume% or less. Further, the concentration of Sn in the Sn-containing silane coupling agent solution may be, for example, 0.01 g / L or more and 1.0 g / L or less.
The amide bond-containing silane coupling agent solution can be prepared by mixing an amide bond-containing silane coupling agent containing a fluoroalkyl group and an amide group with a solvent. As the amide bond-containing silane coupling agent, for example,
CF 3 (CF 2 ) 4 CONH (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 7 CONH (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 ,
CF 3 (CF 2 ) 5 CONH (CH 2 ) 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 , or
CF 3 (CF 2 ) 7 CONH (CH 2 ) 3 Si (OC 2 H 5 ) 3
Can be used.
And the ceramic body which formed the external electrode is made to adhere to the silane coupling agent solution prepared in this way. The method for attaching the silane coupling agent solution to the ceramic body may be dipping, coating, spin coating or spraying. Thereafter, by heating the ceramic body to which the silane coupling agent solution is attached, a water-repellent / flux-repellent film can be formed on the ceramic body. The heating temperature may be 60 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. The heating time may be 60 minutes or more and 120 minutes or less.

撥水・撥フラックス膜とは、撥水・撥フラックス膜を形成する工程を経て形成された、セラミック素体の表面に形成されたものをさす。撥水・撥フラックス膜は、不連続であってもよい。例えば、図4に示すように、突起が隣り合って形成されたものであってもよい。このような撥水・撥フラックス膜であっても、突起により、水分やフラックスのセラミック素体の細孔への浸入を防止し、水分に起因するイオンマイグレーションの発生やフラックスに起因する実装不良の発生を抑制することができる。   The water repellent / flux repellent film refers to a film formed on the surface of a ceramic body formed through a process of forming a water repellent / flux repellent film. The water repellent / flux repellent film may be discontinuous. For example, as shown in FIG. 4, the protrusions may be formed adjacent to each other. Even in such a water-repellent / flux-repellent film, the protrusion prevents the entry of moisture and flux into the pores of the ceramic body, and the occurrence of ion migration due to moisture and the mounting failure caused by the flux Occurrence can be suppressed.

それから、外部電極24a、24bの下地電極26a、26b上に、下層がNiめっき膜30a、30bで、上層がSnめっき膜32a、32bからなる2層構造のめっき膜26a、26bを形成する。
これにより、図1に示す積層セラミックインダクタ10を得る。
Then, on the base electrodes 26a and 26b of the external electrodes 24a and 24b, plating films 26a and 26b having a two-layer structure in which the lower layer is the Ni plating films 30a and 30b and the upper layer is the Sn plating films 32a and 32b are formed.
Thereby, the multilayer ceramic inductor 10 shown in FIG. 1 is obtained.

この積層セラミックインダクタ10では、撥水・撥フラックス膜34を形成するシランカップリング剤溶液がSn化合物を含むことにより、シランカップリング剤の反応性を高めることができる。そのため、セラミック素体12の表面(主面12a、12bと、側面12c、12d)に緻密な撥水・撥フラックス膜34を形成することができる。したがって、この場合、水分やフラックスのセラミック素体12の細孔への浸入を防止し、水分に起因するイオンマイグレーションの発生やフラックスに起因する実装不良の発生を防止することができる。よって、この場合、積層セラミックインダクタの信頼性を向上することができる。   In this multilayer ceramic inductor 10, the reactivity of the silane coupling agent can be increased by including the Sn compound in the silane coupling agent solution for forming the water / flux repellent film 34. Therefore, a dense water-repellent / flux-repellent film 34 can be formed on the surface of the ceramic body 12 (main surfaces 12a, 12b and side surfaces 12c, 12d). Therefore, in this case, it is possible to prevent moisture and flux from entering the pores of the ceramic body 12, and to prevent occurrence of ion migration due to moisture and occurrence of mounting defects due to flux. Therefore, in this case, the reliability of the multilayer ceramic inductor can be improved.

また、この積層セラミックインダクタ10では、撥水・撥フラックス膜34がClをさらに含む場合、セラミック素体12とオルガノシランを形成するシランカップリング剤との反応性がより高まる。そのため、セラミック素体12の表面により緻密な撥水・撥フラックス膜34を形成することができる。   Further, in the multilayer ceramic inductor 10, when the water / flux repellent film 34 further contains Cl, the reactivity between the ceramic body 12 and the silane coupling agent that forms organosilane is further increased. Therefore, a dense water / repellent film 34 can be formed on the surface of the ceramic body 12.

さらに、この積層セラミックインダクタ10では、撥水・撥フラックス膜34を形成するための溶液がSn化合物を含む場合、この溶液を外部電極24a、24bに付着されるとSn化合物に由来するSn成分が外部電極24a、24b(下地電極26a、26b)上に吸着される。そして、吸着されたSn成分上には、オルガノシランが付着しにくい。そのため、撥水・撥フラックス膜34中のオルガノシランが、セラミック素体12の表面に対して選択的に付きやすく、外部電極24a、24b(下地電極26a、26b)上に付くことを防ぐことができる。これによって、外部電極24a、24b(下地電極26a、26b)上においてめっき未着やはんだ不濡れなどの不具合を防止することができる。したがって、撥水・撥フラックス膜34がSnおよびClを含む場合、この点においても、積層セラミックインダクタの信頼性を向上することができる。   Furthermore, in this multilayer ceramic inductor 10, when the solution for forming the water-repellent / flux-repellent film 34 contains an Sn compound, when this solution is attached to the external electrodes 24a and 24b, the Sn component derived from the Sn compound is present. It is adsorbed on the external electrodes 24a and 24b (base electrodes 26a and 26b). And organosilane is hard to adhere on the adsorbed Sn component. Therefore, the organosilane in the water-repellent / flux-repellent film 34 is likely to be selectively attached to the surface of the ceramic body 12, thereby preventing the organosilane from adhering to the external electrodes 24 a and 24 b (underlying electrodes 26 a and 26 b). it can. As a result, problems such as non-plating and solder non-wetting can be prevented on the external electrodes 24a and 24b (base electrodes 26a and 26b). Therefore, when the water / flux repellent film 34 contains Sn and Cl, the reliability of the multilayer ceramic inductor can also be improved in this respect.

この積層セラミックインダクタ10において、上述のようにさらに緻密な撥水・撥フラックス膜34を形成するためには、撥水・撥フラックス膜34は、XPS分析において、セラミック素体の構成元素に対する原子濃度比でSnを0.01以上0.2以下、Clを0.01以上0.7以下含有した膜であることが好ましい。   In this multilayer ceramic inductor 10, in order to form a finer water-repellent / flux-repellent film 34 as described above, the water-repellent / flux-repellent film 34 has an atomic concentration relative to the constituent elements of the ceramic body in XPS analysis. The film preferably contains Sn in a ratio of 0.01 to 0.2 and Cl in a range of 0.01 to 0.7.

また、この積層セラミックインダクタ10において、上述のように緻密な撥水・撥フラックス膜を形成するためには、オルガノシランは、
CF3−(CF2n1−R−Si(O−R’)3
(ただし、n1は、0以上の整数であり、Rは、SiまたはOを含む置換基あるいはアルキレン基であり、R’は、アルキル基である)
で表されるシランカップリング剤、あるいは、
CF3−(CF2n2−CONH−(CH2m−Si(O−R’’)3
(ただし、n2は、0以上の整数であり、mは、0以上の整数であり、R’’は、アルキル基である)
で表されるアミド結合含有シランカップリング剤
から形成されていることが好ましい。
In addition, in order to form a dense water repellent / flux repellent film in the multilayer ceramic inductor 10 as described above,
CF 3 — (CF 2 ) n1 —R—Si (O—R ′) 3
(Where n1 is an integer of 0 or more, R is a substituent or alkylene group containing Si or O, and R ′ is an alkyl group)
Or a silane coupling agent represented by
CF 3 - (CF 2) n2 -CONH- (CH 2) m -Si (O-R '') 3
(Where n2 is an integer of 0 or more, m is an integer of 0 or more, and R ″ is an alkyl group)
It is preferable that it is formed from the amide bond containing silane coupling agent represented by these.

この積層セラミックインダクタ10では、撥水・撥フラックス膜34がフルオロアルキル基とアミド結合とを有するアミド結合含有シランカップリング剤から形成されている場合、セラミック素体12と撥水・撥フラックス膜34との密着性が高まる。そのため、この場合、水分やフラックスのセラミック素体12の細孔への浸入を防止し、水分に起因するイオンマイグレーションの発生やフラックスに起因する実装不良の発生を防止することができる。したがって、この場合、積層セラミックインダクタの信頼性を向上することができる。   In this multilayer ceramic inductor 10, when the water repellent / flux repellent film 34 is formed of an amide bond-containing silane coupling agent having a fluoroalkyl group and an amide bond, the ceramic body 12 and the water repellent / flux repellent film 34. Adhesion with is increased. Therefore, in this case, it is possible to prevent moisture and flux from entering the pores of the ceramic body 12, and to prevent occurrence of ion migration due to moisture and occurrence of mounting defects due to flux. Therefore, in this case, the reliability of the multilayer ceramic inductor can be improved.

上述の積層セラミックインダクタの製造方法では、撥水・撥フラックス膜34を形成する工程は、外部電極24a、24bの下地電極26a、26bを形成する工程の後に行われるので、撥水・撥フラックス膜34を形成する際にセラミック素体12の表面であって外部電極24a、24bが形成される部分に下地電極26a、26bがすでに形成されている。そのため、撥水・撥フラックス膜34を、セラミック素体12の表面であって外部電極24a、24bが形成されない部分に容易に形成することができる。   In the above-described manufacturing method of the multilayer ceramic inductor, the step of forming the water-repellent / flux-repellent film 34 is performed after the step of forming the base electrodes 26a, 26b of the external electrodes 24a, 24b. When forming 34, base electrodes 26 a and 26 b are already formed on the surface of the ceramic body 12 where the external electrodes 24 a and 24 b are formed. Therefore, the water / flux repellent film 34 can be easily formed on the surface of the ceramic body 12 where the external electrodes 24a and 24b are not formed.

さらに、上述の積層セラミックインダクタの製造方法では、撥水・撥フラックス膜34を形成する工程は、めっき膜28a、28bを形成する工程の前に行われるので、めっき膜28a、28bを形成する際にセラミック素体12の表面であって外部電極24a、24bが形成されない部分に撥水・撥フラックス膜34がすでに形成されている。そのため、めっき液や洗浄液のセラミック素体12の細孔への浸入を防止することもできる。   Furthermore, in the above-described method for manufacturing a multilayer ceramic inductor, the step of forming the water-repellent / flux-repellent film 34 is performed before the step of forming the plating films 28a and 28b. Further, a water repellent / flux repellent film 34 has already been formed on the surface of the ceramic body 12 where the external electrodes 24a and 24b are not formed. Therefore, it is possible to prevent the plating solution or the cleaning solution from entering the pores of the ceramic body 12.

また、上述の積層セラミックインダクタの製造方法において、撥水・撥フラックス膜34を形成する工程は、めっき膜28a、28bを形成する工程の後に行われる場合、めっき膜28a、28bを形成する際に撥水・撥フラックス膜34がまだ形成されていない。そのため、めっき膜28a、28bを下地電極26a、26b上に容易に形成することができる。   In the method for manufacturing a multilayer ceramic inductor described above, when the step of forming the water-repellent / flux-repellent film 34 is performed after the step of forming the plating films 28a and 28b, when the plating films 28a and 28b are formed. The water repellent / flux repellent film 34 has not yet been formed. Therefore, the plating films 28a and 28b can be easily formed on the base electrodes 26a and 26b.

(実験例)
実験例では、まず、サンプルとして上述の積層セラミックインダクタの製造方法と同様の方法で実施例1、実施例2および比較例の積層セラミックインダクタをそれぞれ製造した。具体的には、1005サイズ(1.0mm×0.5mm×0.5mm)の積層セラミックインダクタを準備した。セラミック素体のフェライト層は、Ni―Cu―Znフェライトからなる。コイルは、Agからなる。外部電極の下地電極は、Agからなる。このインダクタには、めっき膜は形成されていない。
(Experimental example)
In the experimental example, first, the multilayer ceramic inductors of Example 1, Example 2, and Comparative Example were each manufactured as a sample by the same method as the above-described manufacturing method of the multilayer ceramic inductor. Specifically, a 1005 size (1.0 mm × 0.5 mm × 0.5 mm) multilayer ceramic inductor was prepared. The ferrite layer of the ceramic body is made of Ni—Cu—Zn ferrite. The coil is made of Ag. The base electrode of the external electrode is made of Ag. A plating film is not formed on this inductor.

(実施例1)
実施例1では、シランカップリング剤溶液として、フルオロアルキル基およびアルキレン基を含むシランカップリング剤と、SnCl2と、イソプロパノールとが含まれるシランカップリング剤溶液を準備した。シランカップリング剤溶液中、シランカップリング剤の濃度は、1体積%、Snの濃度は、0.14g/Lとした。シランカップリング剤は、具体的には、
CF3(CF25(CH22Si(OCH33
を用いた。
そして、準備したシランカップリング剤溶液を容器に入れ、その中に、このセラミック素体を約5分間浸漬した。浸漬されたセラミック素体を100℃で約90分間熱処理を行うことにより、シランカップリング剤を反応させてオルガノシランとSnおよびClを含む撥水・撥フラックス膜を形成した。
このインダクタについて、下地電極上のフッ素原子濃度とセラミック素体上のフッ素原子濃度とをXPS分析で測定した。そして、セラミック素体上のフッ素原子濃度に対する下地電極上のフッ素原子濃度の比は0.50となった。これにより、撥水・撥フラックス膜が、下地電極上よりもセラミック素体の表面に選択的に形成されていることがわかった。
Example 1
In Example 1, a silane coupling agent solution containing a silane coupling agent containing a fluoroalkyl group and an alkylene group, SnCl 2 and isopropanol was prepared as a silane coupling agent solution. In the silane coupling agent solution, the concentration of the silane coupling agent was 1% by volume, and the concentration of Sn was 0.14 g / L. Specifically, the silane coupling agent is
CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3
Was used.
And the prepared silane coupling agent solution was put into the container, and this ceramic body was immersed in it for about 5 minutes. The immersed ceramic body was heat-treated at 100 ° C. for about 90 minutes to react with the silane coupling agent to form a water-repellent / flux-repellent film containing organosilane, Sn and Cl.
For this inductor, the fluorine atom concentration on the base electrode and the fluorine atom concentration on the ceramic body were measured by XPS analysis. The ratio of the fluorine atom concentration on the base electrode to the fluorine atom concentration on the ceramic body was 0.50. Thereby, it was found that the water-repellent / flux-repellent film was selectively formed on the surface of the ceramic body rather than on the base electrode.

(実施例2)
実施例2では、シランカップリング剤溶液として、フルオロアルキル基とアミド基とを含むアミド結合含有シランカップリング剤をイソプロピルアルコールで希釈したシランカップリング剤溶液を準備した。このアミド結合含有シランカップリング剤は、
CF3(CF24CONH(CH23Si(OCH33
を用いた。そして、このシランカップリング剤を用いて、実施例1と同様の方法で積層セラミックインダクタに撥水・撥フラックス膜を形成した。
(Example 2)
In Example 2, a silane coupling agent solution prepared by diluting an amide bond-containing silane coupling agent containing a fluoroalkyl group and an amide group with isopropyl alcohol was prepared as a silane coupling agent solution. This amide bond-containing silane coupling agent is
CF 3 (CF 2 ) 4 CONH (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3
Was used. Then, using this silane coupling agent, a water repellent / flux repellent film was formed on the multilayer ceramic inductor in the same manner as in Example 1.

(比較例)
比較例では、シランカップリング剤溶液として、フルオロアルキル基とアルキレン基とを含むシランカップリング剤をイソプロピルアルコールで希釈したシランカップリング剤溶液を準備した。このシランカップリング剤は、
CF3(CF25(CH22Si(OCH33
を用いた。
そして、このシランカップリング剤溶液を用いて、実施例1と同様の方法で、撥フラックス膜を形成した。比較例では、下地電極上のフッ素原子濃度とセラミック素体上のフッ素原子濃度とをXPS分析により測定したところ、セラミック素体上のフッ素原子濃度に対する下地電極上のフッ素原子濃度の比は0.93であった。
(Comparative example)
In the comparative example, a silane coupling agent solution prepared by diluting a silane coupling agent containing a fluoroalkyl group and an alkylene group with isopropyl alcohol was prepared as a silane coupling agent solution. This silane coupling agent
CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3
Was used.
Then, using this silane coupling agent solution, a flux repellent film was formed in the same manner as in Example 1. In the comparative example, when the fluorine atom concentration on the base electrode and the fluorine atom concentration on the ceramic body were measured by XPS analysis, the ratio of the fluorine atom concentration on the base electrode to the fluorine atom concentration on the ceramic base was 0. 93.

さらに、実施例1、実施例2および比較例では、それぞれ、コイル16、下地電極26a、26bおよび撥水・撥フラックス膜34を形成したセラミック素体12に対して、60℃で60分間バレルによるワット浴組成の電解Niめっきを行い、水洗の後、65℃で30分乾燥させて、下地電極26a、26b上にNiめっき膜30a、30bを形成した。なお、この実験例では、このようにセラミック素体12にコイル16、下地電極26a、26bおよびNiめっき膜30a、30bを形成したものをサンプルとした。   Furthermore, in Example 1, Example 2, and the comparative example, the ceramic body 12 on which the coil 16, the base electrodes 26a and 26b, and the water-repellent / flux-repellent film 34 are formed is subjected to a barrel at 60 ° C. for 60 minutes. Electrolytic Ni plating with a Watt bath composition was performed, washed with water, and dried at 65 ° C. for 30 minutes to form Ni plating films 30a and 30b on the base electrodes 26a and 26b. In this experimental example, the ceramic body 12 thus formed with the coil 16, the base electrodes 26a and 26b, and the Ni plating films 30a and 30b was used as a sample.

実施例1、実施例2および比較例の各サンプルについて、Niめっき膜30a、30bの形成前後の下地電極26a、26b間(Niめっき膜30a、30bの形成後はNiめっき膜30a、30b間)のインピーダンスを測定した。各サンプルのNiめっき膜30a、30bの形成前後でのインピーダンスの変化率を表1に示す。インピーダンス測定は、下部電極SMDテスト・フィクスチャ(Agilent Technologies 16197A)を用いて固定したサンプルについて、測定RFインピーダンス/マテリアル・アナライザ(Agilent Technologies E4991A)を用いてインピーダンスの絶対値|Z|を測定することにより行った。   For each sample of Example 1, Example 2 and Comparative Example, between the base electrodes 26a and 26b before and after the formation of the Ni plating films 30a and 30b (between the Ni plating films 30a and 30b after the formation of the Ni plating films 30a and 30b) The impedance of was measured. Table 1 shows the rate of change in impedance before and after the formation of the Ni plating films 30a and 30b of each sample. The impedance measurement is to measure the absolute value | Z | of the impedance using a measurement RF impedance / material analyzer (Agilent Technologies E4991A) for a sample fixed using the lower electrode SMD test fixture (Agilent Technologies 16197A). It went by.

撥水・撥フラックス処理が不十分だと、セラミック素体12の内部にめっき液が浸入し、インピーダンスが変化する。
緻密な撥水・撥フラックス膜34が形成されているほど、めっき液の浸入を防ぐことができるため、インピーダンスの変化率も小さくなる。
表1に示す結果より、実施例1および実施例2では、比較例と比較して、インピーダンスの変化率が小さく、撥水・撥フラックス膜34によるめっき液の浸入を防ぐ効果が大きい。この効果は、撥水・撥フラックス処理の回数が多くなるほど高くなる。
If the water-repellent / flux-repellent treatment is insufficient, the plating solution penetrates into the ceramic body 12 and the impedance changes.
The denser the water-repellent / flux-repellent film 34 is, the more the infiltration of the plating solution can be prevented, and the impedance change rate becomes smaller.
From the results shown in Table 1, in Example 1 and Example 2, the rate of change in impedance is smaller than in the comparative example, and the effect of preventing the infiltration of the plating solution by the water-repellent / flux-repellent film 34 is great. This effect becomes higher as the number of water repellent / flux repellent treatments is increased.

また、実施例1および実施例2のサンプルでは、それぞれ、はんだで実装した場合にもインピーダンスの変化率が小さく、撥フラックス性も良好であった。   In addition, in the samples of Example 1 and Example 2, the impedance change rate was small and the flux repellency was good even when mounted with solder.

また、実施例1、2および比較例のサンプルについて、はんだ付け信頼性評価(未凝集評価)を行った。はんだ付け信頼性評価は、以下の方法で行った。まず、FR4グレードのガラスエポキシ基板を用意した。ガラスエポキシ基板は表面に銅箔を備えている。この銅箔をパターニングして、基板上に長さ400μm、幅500μmの大きさのランドを2つ形成した。2つのランドは長さ方向に300μm離れて配置されるよう形成した。そして、2つのランドを50μmの間隔をあけて囲むようにソルダーレジストをガラスエポキシ基板上に形成した。ランドとソルダーレジストとが形成されたガラスエポキシ基板を四国化成工業株式会社製GLICOAT−SMD(F2)に40℃、60秒浸漬させたのち、水洗を行い、60℃、10分乾燥させた。ランドのそれぞれに、ソルダ―ペースト(千住金属工業株式会社製、商品名:S70G)を厚みが80μmとなるよう塗布した。サンプルを2つのランドの中心から長さ方向(図2の左右方向)に150μmずらし、2つのランドをまたぐように、塗布されたペースト上に搭載した。そして、サンプルが搭載されたガラスエポキシ基板を、以下の条件でリフローした。
(リフロー条件)
リフロー炉:品番TNR25−435PH(タムラ製作所製)
コンベア速度:0.75m/min
ブロワ回転数:2500rpm
ピーク温度:230℃
Moreover, the soldering reliability evaluation (non-aggregation evaluation) was performed on the samples of Examples 1 and 2 and the comparative example. The soldering reliability was evaluated by the following method. First, an FR4 grade glass epoxy substrate was prepared. The glass epoxy substrate has a copper foil on the surface. This copper foil was patterned to form two lands each having a length of 400 μm and a width of 500 μm on the substrate. The two lands were formed so as to be spaced apart by 300 μm in the length direction. Then, a solder resist was formed on the glass epoxy substrate so as to surround the two lands with an interval of 50 μm. The glass epoxy substrate on which the land and the solder resist were formed was immersed in GLICOAT-SMD (F2) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. at 40 ° C. for 60 seconds, washed with water, and dried at 60 ° C. for 10 minutes. Solder paste (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd., trade name: S70G) was applied to each of the lands so that the thickness was 80 μm. The sample was shifted by 150 μm in the length direction (left and right direction in FIG. 2) from the center of the two lands, and mounted on the applied paste so as to straddle the two lands. And the glass epoxy board | substrate with which the sample was mounted was reflowed on condition of the following.
(Reflow conditions)
Reflow furnace: Product number TNR25-435PH (manufactured by Tamura Corporation)
Conveyor speed: 0.75m / min
Blower speed: 2500rpm
Peak temperature: 230 ° C

リフローされた後のサンプルを、顕微鏡(カートン光学株式会社製、商品名:bDSZ−44PF)で観察し、1つのチップに対して、15〜50μmのはんだの未凝集物が60個以上あるものを未凝集と判断した。はんだの未凝集は、フラックスがセラミック素体に吸収されたことにより、はんだが溶融しないために生じるものと考えられる。
実施例1、2および比較例のサンプルを、それぞれ、100個評価し、未凝集の発生率について評価した。この結果を表2に示す。
The sample after reflow is observed with a microscope (trade name: bDSZ-44PF, manufactured by Carton Optics Co., Ltd.), and there are 60 or more 50 to 50 μm solder non-aggregates per chip. Judged as non-aggregated. It is considered that the solder non-aggregation occurs because the solder is not melted due to the flux being absorbed by the ceramic body.
100 samples of Examples 1 and 2 and Comparative Example were evaluated, and the occurrence rate of non-aggregation was evaluated. The results are shown in Table 2.

表2からわかるとおり、比較例に比べ、実施例1、2は未凝集と判断されたサンプルの発生率が低く、本発明で得られる電子部品は、信頼性が高いことがわかった。   As can be seen from Table 2, compared to the comparative example, Examples 1 and 2 had a lower incidence of samples judged to be non-aggregated, and the electronic parts obtained by the present invention were found to have high reliability.

上述の図1に積層セラミックインダクタ10では、外部電極24a、24bがそれぞれ下地電極26a、26bおよび2層構造のめっき膜28a、28bで構成されているが、この発明では、外部電極は、下地電極のみで構成されてもよく、または、下地電極と1層構造のめっき膜または3層以上の多層構造のめっき膜とで構成されてもよい。   In the multilayer ceramic inductor 10 shown in FIG. 1 described above, the external electrodes 24a and 24b are respectively composed of the base electrodes 26a and 26b and the two-layered plating films 28a and 28b. Or a base electrode and a plating film having a single layer structure or a plating film having a multilayer structure of three or more layers.

また、上述の積層セラミックインダクタ10では、1つのコイル16を有するが、この発明は、2つ以上のコイルを有するコモンモードチョークコイル、フィルタなど他のセラミック電子部品にも適用され得る。また、この発明は、積層セラミックインダクタのほかに、コンデンサ素子を有する積層セラミックコンデンサ、圧電素子を有する圧電部品などの他のセラミック電子部品にも適用され得る。つまり、セラミック素体の内部にはコイルがなくともよい。例えば、セラミック素体が誘電体で形成されて、セラミック素体と外部電極とで構成される部品がコンデンサとして機能してもよい。このとき、誘電体で形成されるセラミック素体の内部には内部電極があってもよい。   Further, although the above-described multilayer ceramic inductor 10 has one coil 16, the present invention can also be applied to other ceramic electronic components such as a common mode choke coil and a filter having two or more coils. In addition to the multilayer ceramic inductor, the present invention can also be applied to other ceramic electronic components such as a multilayer ceramic capacitor having a capacitor element and a piezoelectric component having a piezoelectric element. That is, the ceramic body need not have a coil. For example, a ceramic body may be formed of a dielectric, and a component including the ceramic body and external electrodes may function as a capacitor. At this time, an internal electrode may be provided inside the ceramic body formed of a dielectric.

また、この発明は、2つの外部電極を有するセラミックインダクタやセラミックコンデンサに限らず、3つ以上の外部電極を有するコモンモードチョークコイルやフィルタなどにも適用され得る。つまり、この発明は、複数の外部電極を有するセラミック電子部品に適用され得る。   The present invention is not limited to a ceramic inductor or a ceramic capacitor having two external electrodes, but can be applied to a common mode choke coil or a filter having three or more external electrodes. That is, the present invention can be applied to a ceramic electronic component having a plurality of external electrodes.

この発明にかかるセラミック電子部品およびその製造方法は、特に、細孔を有するセラミック素体およびセラミック素体の表面に形成された複数の外部電極を有する、たとえば、積層セラミックインダクタ、積層セラミックコンデンサ、セラミック圧電部品などのセラミック電子部品およびその製造方法に好適に用いられる。   The ceramic electronic component and the method of manufacturing the same according to the present invention have, in particular, a ceramic body having pores and a plurality of external electrodes formed on the surface of the ceramic body. For example, a multilayer ceramic inductor, a multilayer ceramic capacitor, a ceramic It is suitably used for ceramic electronic parts such as piezoelectric parts and the manufacturing method thereof.

10 積層セラミックインダクタ
12 セラミック素体
12a、12b 主面
12c、12d 側面
12e、12f 端面
14 フェライト層
16 コイル
18 パターン化導体
20 ビアホール
22a、22b 引き出し導体
24a、24b 外部電極
26a、26b 下地電極
28a、28b めっき膜
30a、30b Niめっき膜
32a、32b Snめっき膜
34 撥水・撥フラックス膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Multilayer ceramic inductor 12 Ceramic body 12a, 12b Main surface 12c, 12d Side surface 12e, 12f End surface 14 Ferrite layer 16 Coil 18 Patterned conductor 20 Via hole 22a, 22b Lead-out conductor 24a, 24b External electrode 26a, 26b Base electrode 28a, 28b Plating film 30a, 30b Ni plating film 32a, 32b Sn plating film 34 Water repellent / flux repellent film

Claims (13)

細孔を有するセラミック素体および前記セラミック素体の表面に間隔を隔てて形成された複数の外部電極を有するセラミック電子部品において、
前記セラミック素体の表面には、撥水性および撥フラックス性を有する撥水・撥フラックス膜が形成され、
前記撥水・撥フラックス膜は、フルオロアルキル基を含むオルガノシランとSnとを含むことを特徴とする、セラミック電子部品。
In a ceramic electronic component having a ceramic body having pores and a plurality of external electrodes formed on the surface of the ceramic body at intervals,
A water repellent / flux repellent film having water repellency and flux repellency is formed on the surface of the ceramic body,
The water-repellent / flux-repellent film contains organosilane containing a fluoroalkyl group and Sn.
前記撥水・撥フラックス膜は、Clをさらに含む、請求項1に記載のセラミック電子部品。   The ceramic electronic component according to claim 1, wherein the water repellent / flux repellent film further contains Cl. 前記撥水・撥フラックス膜は、XPS分析において、前記セラミック素体の構成元素に対する原子濃度比でSnを0.01以上0.2以下、Clを0.01以上0.7以下含有した膜である、請求項2に記載の電子部品。   The water repellent / flux repellent film is a film containing Sn in the range of 0.01 to 0.2 and Cl in the range of 0.01 to 0.7 with respect to the constituent elements of the ceramic body in XPS analysis. The electronic component according to claim 2. 前記オルガノシランは、
CF3−(CF2n1−R−Si(O−R’)3
(ただし、n1は、0以上の整数であり、Rは、SiまたはOを含む置換基あるいはアルキレン基であり、R’は、アルキル基である)
で表されるシランカップリング剤、あるいは、
CF3−(CF2n2−CONH−(CH2m−Si(O−R’’)3
(ただし、n2は、0以上の整数であり、mは、0以上の整数であり、R’’は、アルキル基である)
で表されるアミド結合含有シランカップリング剤
から形成された、請求項1ないし請求項3のいずれかの1項に記載のセラミック電子部品。
The organosilane is
CF 3 — (CF 2 ) n1 —R—Si (O—R ′) 3
(Where n1 is an integer of 0 or more, R is a substituent or alkylene group containing Si or O, and R ′ is an alkyl group)
Or a silane coupling agent represented by
CF 3 - (CF 2) n2 -CONH- (CH 2) m -Si (O-R '') 3
(Where n2 is an integer of 0 or more, m is an integer of 0 or more, and R ″ is an alkyl group)
The ceramic electronic component according to any one of claims 1 to 3, wherein the ceramic electronic component is formed from an amide bond-containing silane coupling agent represented by:
細孔を有するセラミック素体および前記セラミック素体の表面に間隔を隔てて形成された複数の外部電極を有するセラミック電子部品において、
前記セラミック素体の表面であって前記複数の外部電極が形成されない部分に、撥水性および撥フラックス性を有する撥水・撥フラックス膜が形成され、
前記撥水・撥フラックス膜は、
CF3−(CF2n2−CONH−(CH2m−Si(O−R’’)3
(ただし、n2は、0以上の整数であり、mは、0以上の整数であり、R’’は、アルキル基である)
で表されるアミド結合含有シランカップリング剤から形成されたことを特徴とする、セラミック電子部品。
In a ceramic electronic component having a ceramic body having pores and a plurality of external electrodes formed on the surface of the ceramic body at intervals,
A water repellent / flux repellent film having water repellency and flux repellency is formed on a portion of the surface of the ceramic body where the plurality of external electrodes are not formed,
The water repellent / flux repellent film is
CF 3 - (CF 2) n2 -CONH- (CH 2) m -Si (O-R '') 3
(Where n2 is an integer of 0 or more, m is an integer of 0 or more, and R ″ is an alkyl group)
A ceramic electronic component formed from an amide bond-containing silane coupling agent represented by:
前記複数の外部電極は、それぞれ、前記セラミック素体の表面に形成された下地電極を含む、請求項1ないし請求項5のいずれかの1項に記載のセラミック電子部品。   6. The ceramic electronic component according to claim 1, wherein each of the plurality of external electrodes includes a base electrode formed on a surface of the ceramic body. 前記複数の外部電極は、それぞれ、前記下地電極上に形成された少なくとも1層のめっき膜をさらに含む、請求項6に記載のセラミック電子部品。   The ceramic electronic component according to claim 6, wherein each of the plurality of external electrodes further includes at least one layer of a plating film formed on the base electrode. 請求項1に記載のセラミック電子部品を製造するためのセラミック電子部品の製造方法であって、
前記セラミック素体を準備する工程、
前記セラミック素体の表面に間隔を隔てて前記複数の外部電極を形成する工程、および
前記セラミック素体の表面であって前記複数の外部電極が形成されない部分に、フルオロアルキル基を含むオルガノシランとSnとを含む前記撥水・撥フラックス膜を形成する工程を含む、セラミック電子部品の製造方法。
A method of manufacturing a ceramic electronic component for manufacturing the ceramic electronic component according to claim 1,
Preparing the ceramic body,
A step of forming the plurality of external electrodes on the surface of the ceramic body at intervals, and an organosilane containing a fluoroalkyl group on a surface of the ceramic body where the plurality of external electrodes are not formed. A method for producing a ceramic electronic component, comprising the step of forming the water-repellent / flux-repellent film containing Sn.
前記撥水・撥フラックス膜を形成する工程では、
CF3−(CF2n1−R−Si(O−R’)3
(ただし、n1は、0以上の整数であり、Rは、SiまたはOを含む置換基あるいはアルキレン基であり、R’は、アルキル基である)で表されるシランカップリング剤とSn化合物とを含むSn含有シランカップリング剤溶液を準備し、前記Sn含有シランカップリング剤溶液に前記外部電極が形成された前記セラミックス素体を浸漬させる、
請求項8に記載のセラミック電子部品の製造方法。
In the step of forming the water repellent / flux repellent film,
CF 3 — (CF 2 ) n1 —R—Si (O—R ′) 3
(Wherein n1 is an integer of 0 or more, R is a substituent or alkylene group containing Si or O, and R ′ is an alkyl group) and a Sn compound represented by Preparing a Sn-containing silane coupling agent solution containing, and immersing the ceramic body on which the external electrode is formed in the Sn-containing silane coupling agent solution,
A method for manufacturing a ceramic electronic component according to claim 8.
請求項5に記載のセラミック電子部品を製造するためのセラミック電子部品の製造方法であって、
前記セラミック素体を準備する工程、
前記セラミック素体の表面に間隔を隔てて前記複数の外部電極を形成する工程、および
前記セラミック素体の表面であって前記複数の外部電極が形成されない部分に、
CF3−(CF2n2−CONH−(CH2m−Si(O−R’’)3
(ただし、n2は、0以上の整数であり、mは、0以上の整数であり、R’’は、アルキル基である)
で表されるアミド結合含有シランカップリング剤から前記撥水・撥フラックス膜を形成する工程を含む、セラミック電子部品の製造方法。
A method of manufacturing a ceramic electronic component for manufacturing the ceramic electronic component according to claim 5,
Preparing the ceramic body,
Forming the plurality of external electrodes at intervals on the surface of the ceramic body, and a portion of the surface of the ceramic body where the plurality of external electrodes are not formed,
CF 3 - (CF 2) n2 -CONH- (CH 2) m -Si (O-R '') 3
(Where n2 is an integer of 0 or more, m is an integer of 0 or more, and R ″ is an alkyl group)
The manufacturing method of a ceramic electronic component including the process of forming the said water repellent and flux repellent film | membrane from the amide bond containing silane coupling agent represented by these.
前記複数の外部電極を形成する工程は、前記セラミック素体の表面に間隔を隔てて複数の下地電極を形成する工程を含み、
前記撥水・撥フラックス膜を形成する工程は、前記複数の下地電極を形成する工程の後に行われる、請求項8ないし請求項10のいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。
The step of forming the plurality of external electrodes includes a step of forming a plurality of base electrodes at intervals on the surface of the ceramic body.
11. The method for manufacturing a ceramic electronic component according to claim 8, wherein the step of forming the water-repellent / flux-repellent film is performed after the step of forming the plurality of base electrodes.
前記複数の外部電極を形成する工程は、前記複数の下地電極上にそれぞれ少なくとも1層のめっき膜を形成する工程をさらに含み、
前記撥水・撥フラックス膜を形成する工程は、前記めっき膜を形成する工程の前に行われる、請求項11に記載のセラミック電子部品の製造方法。
The step of forming the plurality of external electrodes further includes a step of forming at least one plated film on each of the plurality of base electrodes,
The method for producing a ceramic electronic component according to claim 11, wherein the step of forming the water-repellent / flux-repellent film is performed before the step of forming the plating film.
前記複数の外部電極を形成する工程は、前記複数の下地電極上にそれぞれ少なくとも1層のめっき膜を形成する工程をさらに含み、
前記撥水・撥フラックス膜を形成する工程は、前記めっき膜を形成する工程の後に行われる、請求項11に記載のセラミック電子部品の製造方法。
The step of forming the plurality of external electrodes further includes a step of forming at least one plated film on each of the plurality of base electrodes,
The method for producing a ceramic electronic component according to claim 11, wherein the step of forming the water-repellent / flux-repellent film is performed after the step of forming the plating film.
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