KR100479915B1 - 반도체의리드프레임 - Google Patents

Abstract

반도체의 리드프레임을 개시한다. 본 발명에 따른 리드프레임은 기판과, 상기 기판위에 도금된 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층과, 상기 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층의 상면에 상기 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층보다 미세한 입자로 이루어진 역전성 니켈도금층을 구비하여 된 것을 특징으로 한다. 본 발명을 채용함으로써, 도금후 2차가공이 가능해지고 도금욕의 관리가 용이한 이점이 있다.

Description

반도체의 리드프레임{Leadframe of semiconductor}

본 발명은 반도체의 리드프레임에 관한 것으로, 특히, 도금층의 구조가 개선된 반도체의 리드프레임에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 패키지는 기억소자인 칩을 리드프레임에 의해 지지하여 몰딩수지와의 몰딩과정을 거쳐 이루어지게 되는 것으로서, 이때, 리드프레임은 웨이퍼와 함께 중요한 반도체 재료중의 하나이며, 트랜지스터, 집적회로 등의 물리적 취약점을 보강하여 편리하게 사용토록 상업화한 제품으로 반도체 패키지의 내부와 외부를 연결해주는 도선역할과 반도체 칩을 지지해주는 핵심구조 재료이다.

도 1은 종래의 일반적인 반도체 리드프레임의 일부를 발췌하여 도시한 단면도이다. 도면을 참조하면, 리드프레임은 기판(10)과, 상기 기판(10)의 상면에 도포된 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(11)과, 상기 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(11)의 상면에 도포된 광택성 니켈도금층(12)으로 대별된다. 상기한 도금층은 광택차가 다른 니켈을 이중으로 도금하며, 내식성의 차를 가지는 두 도금층을 형성하게 된다. 즉, 기판(10)의 상면에는 내식성이 큰 상기 반광택성 또는 무광택성 니켈을 도금하고 반광택성 또는 무광택성 니켈 도금층(11)의 상면에는 보다 낮은 내식성을 가지는 광택성 니켈도금층(12)을 도포하게 된다. 따라서, 니켈도금층 표면에 부식이 발생하게 되면, 우선적으로 광택성 니켈도금층(12)이 부식됨으로써 기판(10)의 상면에 도포된 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(11)은 영향을 적게 받게되어 전체적인 도금층의 내식성을 향상시키게 된다. 하지만, 2차 기계적인 가공 예컨데, 벤딩가공을 요하는 리드프레임의 경우에는 광택성 니켈도금층(12)의 손상이 수월해져 곧바로 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(11)에 영향이 가해지므로 내식성이 저하되어 도금층의 손상을 유발하기 쉽다. 또한, 광택성 니켈을 도금하기 위해서는 광택제를 첨가하여야하는데, 이 광택제로 인하여 광택성 니켈도금층(12)은 취성을 갖게 되어 손상되기 쉽기 때문에, 2차 기계가공 예컨데, 벤딩(bending)가공시, 광택성 니켈도금층(12)은 상기한 취성(brittleness)으로 쉽게 크랙이 발생되고 광택성 니켈도금층(12)의 하면에 위치한 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(11)까지도 크랙을 유발시켜 도 2에 도시된 바와 같이 기판(10)의 크랙을 촉진시키게 된다. 그리고, 광택성 니켈도금층(12)의 크랙에 의한 반광택성 니켈도금층(12)의 크랙이 발생하게 되면, 광택성 니켈도금층(12)은 더 이상 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(11) 및 기판(10)을 보호하는 기능을 하지 못하고 오히려, 기판(10)에 부식을 촉진시키는 영향을 미치게 된다. 따라서, 2차 기계가공이 필요한 리드프레임등에는 상기한 도금법을 사용하지 못하는 문제점이 있다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 양호한 상태를 유지한채로 2차가공이 가능하게 도금층의 구조를 개선한 반도체의 리드프레임을 제공함에 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판과, 상기 기판위에 도금된 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층과, 상기 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층의 상면에 상기 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층보다 미세한 입자로 이루어진 역전성 니켈도금층을 구비하여 된 것을 특징으로 한다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체의 리드프레임 일 실시예를 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명에 따른 반도체의 리드프레임을 개략적으로 도시한 부분발췌 단면도이다.

본 발명에 따른 반도체의 리드프레임은 금속기판(20)의 상면에 도포된 도금층을 구비한다. 상기 도금층은 니켈도금층으로서, 니켈도금후 기계적 가공이 필요한 리드프레임의 내식성 향상을 위해 도포된다. 기판(20)의 상면에는 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(21)이 도포되고, 이 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(21)의 상면에는 역전성 니켈도금층(22)이 도포된다. 상기 역전성 니켈도금층(22)은 첨가제를 사용하지 않고 도금시의 전류파형을 변조시켜 니켈도금입자의 크기를 조절함으로써 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층보다 작은 내식성을 가지게 만든다. 이때, 형성된 역전성 니켈도금층(22)은 첨가제를 사용하지 않으므로 취성(brittleness)이 없고 연성이 저하되지 않는다. 따라서, 상기한 방법에 의하여 반광택성 니켈도금층의 상면에 역전성 니켈도금층(22)을 갖는 리드프레임의 도금층은 2차 기계적 가공에 의해서도 역전성 니켈도금층(22)과 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(21)에 커다란 손상을 주지 않으므로 역전성 니켈도금층(22)이 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(21)과 기판(20)의 보호층 역할을 하게되어 전체적인 리드프레임의 내식성이 크게 향상된다.

본 발명에 따른 반도체의 리드프레임은 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 리드프레임의 니켈도금 가공후 2차 기계가공이 가능해진다.

본 발명에 따른 반도체의 리드프레임은 기판(20)의 상면에 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(21)을 도포하고, 이 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(21)의 상면에 역전성 니켈도금층(22)을 도포하게 되는데, 상기 역전성 니켈도금층(22)은 첨가제를 사용하지 않고 도금시의 전류파형을 변조시켜 도금입자의 크기를 조절하여 상기 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층보다 부식성이 작게 만들어지므로 취성이 없고 연성이 저하되지 않기 때문에 상기한 두 개의 도금층 도포후에 2차 기계가공을 해도 역전성 니켈도금층(22)과 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(21)에 영향을 주지 않는 이점이 있다.

둘째, 도금욕의 관리가 용이해진다.

본 발명에 따른 반도체 리드프레임은 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층(21)의 상면에 첨가제를 사용하지 않고 역전성 니켈도금층(22)을 도포하기 때문에 첨가제를 별도로 관리할 필요가 없어 도금욕의 관리가 용이해지는 효과가 있다.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야의 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

도 1은 종래 반도체의 리드프레임을 개략적으로 도시한 부분발췌 단면도이다.

도 2는 기계가공으로 발생되는 반도체의 리드프레임 크랙현상을 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 3은 본 발명에 따른 반도체의 리드프레임을 개략적으로 도시한 부분발췌단면도이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 >

10, 20...기판

11, 21...반광택성 또는 무광택성 니켈도금층

12...광택성 니켈도금층 22... 역전성 니켈도금층

Claims (1)

1. 기판과,

   상기 기판위에 도금된 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층과,

   상기 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층의 상면에 상기 반광택성 또는 무광택성 니켈도금층보다 미세한 입자로 이루어진 역전성 니켈도금층을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 반도체의 리드프레임.

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