KR100468594B1 - LCD and its manufacturing method - Google Patents
LCD and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- KR100468594B1 KR100468594B1 KR1019970038572A KR19970038572A KR100468594B1 KR 100468594 B1 KR100468594 B1 KR 100468594B1 KR 1019970038572 A KR1019970038572 A KR 1019970038572A KR 19970038572 A KR19970038572 A KR 19970038572A KR 100468594 B1 KR100468594 B1 KR 100468594B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transparent electrode
- color filter
- electrodeposition
- filter layer
- forming
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
Abstract
본 발명에 의한 액정표시소자 및 그 제조방법은, 복수의 데이터 라인 및 게이트 라인에 각각 접속되도록, 박막트랜지스터와 화소전극이 구비된 TFT 기판의, 화소전극 상에 전착법을 이용하여 제 1 내지 제 3 칼라 필터층을 순차 반복적으로 각각 형성하는 공정 및, 상기 제 1 내지 제 3 칼라 필터층 상에 투명전극을 형성하는 공정으로 이루어져, 1) 보호층 증착 공정없이 곧바로 투명전극을 형성하는 것이 가능하게 되므로 공정 단순화 및 비용 절감을 실현할 수 있게 되고, 2) 폴리 실리콘 TFT의 경우, 화소전극에 R, G, B 각각의 구동 파형을 인가할 수 있으므로, 전압이 인가된 투명전극 상에만 선택적으로 전착액 성분이 석출되도록 하는 것이 가능하여, 비정질 실리콘 TFT에서 요구되는 별도의 포토 마스크없이도 제 1 내지 제 3 칼라 필터층 형성이 가능하게 된다.The liquid crystal display device according to the present invention and its manufacturing method are the first to the first through the electrodeposition method on a pixel electrode of a TFT substrate equipped with a thin film transistor and a pixel electrode so as to be connected to a plurality of data lines and a gate line, respectively. Forming a three color filter layer sequentially and sequentially; and forming a transparent electrode on the first to third color filter layers, 1) forming a transparent electrode immediately without a protective layer deposition process. Simplification and cost reduction can be realized. 2) In the case of the polysilicon TFT, the driving waveforms of R, G, and B can be applied to the pixel electrode, so that the electrodeposition liquid is selectively added only to the transparent electrode to which the voltage is applied. It is possible to make it possible to be deposited, so that the first to third color filter layers can be formed without a separate photo mask required in the amorphous silicon TFT. .
Description
본 발명은 노우트 북 퍼스널 컴퓨터(note book PC)등에 사용되는 액정표시소자(liquid crystal dispay:이하, LCD라 한다) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 TFT 기판의 화소전극 상에 색상을 표현하는 칼라 필터층을 형성한 LCD 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device (hereinafter referred to as LCD) used in a note book PC and the like, and more particularly, to a color on a pixel electrode of a TFT substrate. An LCD having a color filter layer to be expressed and a method of manufacturing the same.
근래에 고품위 TV(high definition TV:이하, HDTV라 한다) 등의 새로운 첨단 영상기기가 개발됨에 따라 브라운관(CRT) 대신에 LCD, ELD(electro luminescence display), VFD(vacuum fluorescence display), PDP(plasma display panel) 등과 같은 평판 표시기에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. In recent years, new advanced imaging devices such as high definition TVs (hereinafter referred to as HDTVs) have been developed. Instead of CRTs, LCDs, ELDs (vacuum fluorescence displays) and VFDs (plasma) are used instead of CRTs. Research on flat panel displays such as display panels is being actively conducted.
그중에서도 LCD는 평판 표시기의 대표적인 기술로써 박형, 저가, 저소비 전력 구동이 가능할 뿐 아니라 집적회로와의 정합성이 좋은 등의 특징을 가져 랩 톱 컴퓨터(lap top computer)나 포켓 컴퓨터(pocket computer)의 표시외에 차량 적재용, 칼라 TV의 화상용으로서 그 용도를 급속하게 확대하고 있다. Among them, LCD is a representative technology of flat panel display. It is not only capable of driving thin, low cost, low power consumption, but also good matching with integrated circuit, so that besides the display of lap top computer or pocket computer Its use is rapidly expanding as a vehicle loading and a color TV image.
이러한 특성을 갖는 상기 LCD는 상부기판인 C/F(color filter) 기판과 하부기판인 TFT 기판이 서로 대향되도록 배치되고, 그 사이에 유전 이방성을 갖는 액정이 삽입되는 구조를 가져, 화소 선택용 어드레스(address) 배선(예컨대, 데이터 구동회로 및 게이트 구동회로)을 통해 수십만개의 화소에 부가된 TFT를 스위칭 동작시켜 해당 화소에 전압을 인가해 주는 방식으로 LCD가 구동되게 된다. The LCD having such characteristics has a structure in which a C / F (color filter) substrate, which is an upper substrate, and a TFT substrate, which is a lower substrate, are disposed to face each other, and a liquid crystal having dielectric anisotropy is inserted therebetween, thereby providing a pixel selection address. The LCD is driven by switching a TFT added to hundreds of thousands of pixels through an address line (for example, a data driver circuit and a gate driver circuit) to apply a voltage to the pixel.
이때, 상기 상부기판에 형성되는 칼라 필터층은 염색법, 안료를 이용한 안료 분산법, 인쇄법, 전착법 등으로 제조되는데, 여기서는 일 예로서 본 발명과 직접적으로 관련된 전착법을 이용한 종래의 칼라 필터 제조방법을 살펴보고자 한다. 상기 제조방법은 크게 4 단계로 구분되는데, 이를 도 1 내지 도 4에 제시된 공정수순도를 참조하여 설명하면 다음과 같다. In this case, the color filter layer formed on the upper substrate is manufactured by a dyeing method, a pigment dispersion method using a pigment, a printing method, an electrodeposition method, etc. Here, as an example, a conventional color filter manufacturing method using an electrodeposition method directly related to the present invention. Let's look at. The manufacturing method is largely divided into four steps, which will be described with reference to the process purity shown in FIGS. 1 to 4.
제 1 단계로서, 도 1에 도시된 바와 같이 사진식각공정을 이용하여 CP(cutting, polishing) 처리를 한 C/F 기판(예컨대, 유리 기판)(10) 상에 복수의 제 1 투명전극(12)을 형성한다. As a first step, a plurality of first
제 2 단계로서, 도 2에 도시된 바와 같이 전착법을 이용하여 상기 투명전극(12) 상에 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(14),(16),(18)으로서, R(red) 패턴과 G(green) 패턴 및 B(blue) 패턴을 순차적으로 형성한다. 이때, 상기 전착법을 이용한 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(14),(16),(18) 형성 공정은, 다음의 (a) ~ (c) 과정을 거쳐 진행된다. As a second step, as shown in FIG. 2, R (red) patterns as first to third
(a) 과정으로서, 먼저 상기 투명전극(12)을 포함한 기판(10) 전면에 감광막을 증착한 다음, 포토 마스크를 이용하여 제 1 칼라 필터층(14)이 형성될 부분의 투명전극(12) 표면이 노출되도록 상기 감광막을 식각처리한다. 이어, 투명전극(12)이 형성된 기판이 양극 전극판에 접속되도록, 전해질 용매가 담겨진 전착조 내에 기판(10)을 담그고, 전하 조정제가 첨가된 고분자 수지(전하를 갖는 가용성 수지)와 착색 안료를 상기 전해질 용매 중에 용해(분산)시켜 준 뒤, 상기 전착조 내의 전극에 전압을 걸어 주어 표면이 노출된 투명전극(12) 상에만 선택적으로 전착액 성분이 석출되도록 하여 제 1 칼라 필터층(14)으로서, 최적화된 레드 분광특성을 갖는 R 패턴을 형성한다. As a process, first, a photosensitive film is deposited on the entire surface of the
(b) 과정으로서, 패터닝된 상기 감광막을 제거하고 다시 그 전면에 감광막을 증착한 다음, 포토 마스크를 이용하여 제 2 칼라 필터층(16)이 형성될 부분의 투명전극(12) 표면이 노출되도록 상기 감광막을 식각처리하고, (a) 과정과 동일한 방법으로 표면이 노출된 상기 투명전극(12) 상에만 선택적으로 전착액 성분이 석출되도록 하여, 제 2 칼라 필터층(16)으로서, 최적화된 그린 분광특성을 갖는 G 패턴을 형성한다. (b) removing the patterned photoresist and depositing the photoresist over the entire surface of the patterned photoresist, and then exposing the surface of the
(c) 과정으로서, 패터닝된 상기 감광막을 제거하고 다시 그 전면에 감광막을 증착한 다음, 포토 마스크를 이용하여 제 3 칼라 필터층(18)이 형성될 부분의 투명전극(12) 표면이 노출되도록 상기 감광막을 식각처리하고, (a) 과정과 동일한 방법으로 표면이 노출된 상기 투명전극(12) 상에만 선택적으로 전착액 성분이 석출되도록 하여, 제 3 칼라 필터층(18)으로서, 최적화된 블루 분광특성을 갖는 B 패턴을 형성한다. (c) removing the patterned photoresist layer and depositing the photoresist layer on the entire surface of the photoresist layer, and then exposing the surface of the
제 3 단계로서, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(14),(16),(18)과 투명전극(12)을 포함한 기판 상의 소정 부분에, 외부 충격으로부터 이들을 보호하고 평활성이 좋도록 하기 위하여, 표면 경도가 높고 광투과성이 우수한 유기 투명 수지(예컨대, 아크릴, 폴리이미드, 폴리아크릴레이트, 폴리우레탄 등)를 소정 두께로 형성하고, 약 200℃ 정도의 온도를 갖는 베이크 오븐(bake oven)에서 1시간 정도 가열하여 보호층(20)을 형성한다. As a third step, as shown in FIG. 3, a predetermined portion on the substrate including the first to third
제 4 단계로서, 도 4에 도시된 바와 같이 액정 구동을 위한 전압을 인가시켜 주기 위하여, 상기 보호층(20) 상에 제 2 투명전극(22)을 1500Å 이하의 두께로 형성해 주므로써, 상부기판 제조를 완료한다. As a fourth step, in order to apply a voltage for driving the liquid crystal as shown in Figure 4, by forming a second
그러나, 상기에 언급된 공정을 적용하여 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(14),(16),(18)을 형성할 경우에는, 3회의 포토 마스크를 이용한 식각 공정이 요구되므로 LCD 제조 공정 자체가 복잡하고 까다롭다는 단점이 발생하게 된다. However, in the case of forming the first to third
이에 본 발명의 과제는, LCD 제조시 TFT 기판의 화소전극 상에 색상을 표현하는 칼라 필터층을 형성해 주므로써, 공정단순화를 기할 수 있도록 한 LCD 및 그 제조방법을 제공함에 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an LCD and a method of manufacturing the same by forming a color filter layer expressing color on the pixel electrode of a TFT substrate during LCD manufacturing, thereby simplifying the process.
상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는, 복수의 데이터 라인 및 게이트 라인에 각각 접속되도록, TFT와 제1 투명전극이 형성된 TFT 기판과, 상기 제1 투명전극 상에 순차 반복적으로 각각 형성된 제 1 내지 제 3 칼라 필터층 및, 상기 제 1 내지 제 3 칼라 필터층 표면에 형성된 제2 투명전극으로 이루어진 LCD가 제공된다. In order to achieve the above object, in the present invention, a TFT substrate on which a TFT and a first transparent electrode are formed so as to be connected to a plurality of data lines and a gate line, respectively, and first to first, respectively, sequentially formed on the first transparent electrode. There is provided an LCD comprising a three color filter layer and a second transparent electrode formed on the surfaces of the first to third color filter layers.
상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는, 복수의 데이터 라인 및 게이트 라인에 각각 접속되도록, TFT와 제1 투명전극이 구비된 TFT 기판의, 제1 투명전극 상에 전착법을 이용하여 제 1 내지 제 3 칼라 필터층을 순차 반복적으로 형성하는 공정 및, 전착법을 이용하여 상기 제 1 내지 제 3 칼라 필터층 상에 제 2 투명전극을 형성하는 공정으로 이루어진 LCD 제조방법이 제공된다. In order to achieve the above object, in the present invention, the first to the first transparent electrode of the TFT substrate provided with the TFT and the first transparent electrode so as to be connected to the plurality of data lines and the gate line, respectively, using the electrodeposition method. There is provided an LCD manufacturing method comprising a step of repeatedly forming a three color filter layer sequentially and a step of forming a second transparent electrode on the first to third color filter layers using an electrodeposition method.
이와 같이 공정을 진행할 경우, 제 1 내지 제 3 칼라 필터층이, 제1 투명전극을 구동하기 위한 데이터 구동회로 및 게이트 구동회로와 동일 기판(TFT 기판) 상에 형성되므로, 보호층 증착 공정없이 곧바로 제2 투명전극을 형성하는 것이 가능하여 공정 단순화를 기할 수 있게 된다. 또한, 상기 LCD가 구동회로가 집적된 폴리 실리콘 TFT일 경우에는 전압이 인가된 제1 투명전극 상에만 선택적으로 전착액 성분이 석출되도록 하는 것이 가능하여, 별도의 포토 마스크없이도 제 1 내지 제 3 칼라 필터층 형성이 가능하게 된다. In such a process, since the first to third color filter layers are formed on the same substrate (TFT substrate) as the data driving circuit and the gate driving circuit for driving the first transparent electrode, the first to third color filter layers are immediately formed without the protective layer deposition process. 2 it is possible to form a transparent electrode to simplify the process. In addition, when the LCD is a polysilicon TFT in which a driving circuit is integrated, it is possible to selectively deposit the electrodeposition liquid component only on the first transparent electrode to which a voltage is applied, so that the first to third colors are not required without a separate photo mask. Filter layer formation becomes possible.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
본 발명은 액정에 선택적으로 전압을 인가할 수 있는 구동회로가 집적된 폴리 실리콘 TFT나 또는 구동회로가 집적되지 않은 비정질 실리콘 TFT의 화소 전극 상에 색상을 표현하는 칼라 필터층을 형성해 주므로써, 공정단순화를 기할 수 있도록 하는데 주안점을 둔 기술로서, 이를 도 5 내지 도 7에 제시된 공정수순도를 참조하여 제 4 단계로 구분하여 살펴보면 다음과 같다. The present invention simplifies the process by forming a color filter layer expressing color on the pixel electrode of a polysilicon TFT in which a driving circuit capable of selectively applying voltage to a liquid crystal or an amorphous silicon TFT in which the driving circuit is not integrated. As a technology that focuses on making it possible, this will be described as follows by referring to the fourth step with reference to the process purity shown in FIGS. 5 to 7.
제 1 단계로서, 도 5에 도시된 바와 같이 TFT 기판(100) 상에 복수의 데이터 라인 및 게이트 라인에 각각 접속되도록, 박막트랜지스터(T)와 ITO 또는 SnO2 재질의 제1 투명전극(102)을 형성한다.As a first step, as shown in FIG. 5, the thin film transistor T and the first
제 2 단계로서, 도 6에 도시된 바와 같이 전착법을 이용하여 상기 제1 투명전극(102) 상에 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(104),(106),(108)을 순차 반복적으로 각각 형성한다. 이때, 상기 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(104),(106),(108) 형성 공정은 상기 TFT가 비정질 실리콘 TFT인지 아니면 폴리 실리콘 TFT인지에 따라 크게 두가지 방법으로 대변되는데, 이를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다. As a second step, as shown in FIG. 6, the first to third
먼저, 구동회로가 집적되지 않은 비정질 실리콘 TFT인 경우에 대하여 살펴본다. 비정질 실리콘 TFT의 경우, 전착법을 이용한 칼라 필터층 형성시, R, G, B 전착을 위한 각 구동 파형을 선택적으로 제1 투명전극(102) 상에 인가할 수 없는 관계로 인하여, 각각의 칼라 필터층 형성시마다 포토 마스크를 이용한 마스크 패턴 형성 공정을 첨가해 주어야 하므로, 폴리 실리콘 TFT의 경우에 비해서는 공정 진행이 다소 복잡하게 된다. 이를 (a) ~ (c) 과정으로 구분하여 설명하면 다음과 같다. First, a case of an amorphous silicon TFT in which a driving circuit is not integrated will be described. In the case of the amorphous silicon TFT, when the color filter layer is formed using the electrodeposition method, each color filter layer can be selectively applied to each of the driving waveforms for R, G, and B electrodeposition on the first
(a) 과정으로서, 상기 제1 투명전극(102)과 TFT(T)를 포함한 기판(10) 전면에 감광막(미 도시)을 증착한 다음, 포토 마스크를 이용하여 제 1 칼라 필터층이 형성될 부분의 상기 제1 투명전극(102) 표면이 노출되도록 상기 감광막을 식각처리한다. 이어, 상기 기판(100)을 전해질 용매가 담겨진 전착조 내의 양극 전극판에 접속시키고, 전하 조정제가 첨가된 고분자 수지(전하를 갖는 가용성 수지)와 착색 안료를 상기 전해질 용매 중에 용해(분산)시켜 준 뒤, 상기 전착조 내의 전극에 전압을 걸어 주어 표면이 노출된 제1 투명전극(102) 상에만 선택적으로 최적화된 레드 분광특성을 갖는 제 1 칼라 필터층(R 패턴)(104)을 형성한 후, 상기 감광막을 제거한다. As a process (a), a photoresist film (not shown) is deposited on the entire surface of the
(b) 과정으로서, 상기 제 1 칼라 필터층(104)을 포함한 기판(100) 전면에 감광막을 증착한 다음, 포토 마스크를 이용하여 제 2 칼라 필터층이 형성될 부분의 제1 투명전극(102) 표면이 노출되도록 상기 감광막을 식각처리하고, (a) 과정과 동일한 방법으로 표면이 노출된 상기 제1 투명전극(102) 상에만 선택적으로 최적화된 그린 분광특성을 갖는 제 2 칼라 필터층(G 패턴)(106)을 형성한 후, 상기 감광막을 제거한다. (b) As a process, after the photosensitive film is deposited on the entire surface of the
(c) 과정으로서, 상기 제 1 및 제 2 칼라 필터층(104),(106)을 포함한 기판(100) 전면에 감광막을 증착한 다음, 포토 마스크를 이용하여 제 3 칼라 필터층이 형성될 부분의 제1 투명전극(12) 표면이 노출되도록 상기 감광막을 식각처리하고, (a) 과정과 동일한 방법으로 표면이 노출된 상기 제1 투명전극(102) 상에만 선택적으로 최적화된 블루 분광특성을 갖는 제 3 칼라 필터층(B 패턴)(108)을 형성한 후, 상기 감광막을 제거한다. (C) as a process, by depositing a photosensitive film on the entire surface of the
다음으로, 구동회로가 집적된 폴리 실리콘 TFT인 경우에 대하여 살펴본다. 폴리 실리콘 TFT의 경우, 액정에 선택적으로 전압을 인가하는 것이 가능하여 전착법을 이용한 칼라 필터층 형성시, R, G, B 각 구동 파형을 선택적으로 제1 투명전극(102) 상에 인가할 수 있게 되므로, 포토 마스크를 이용한 마스크 패턴 형성 공정없이도 순차적으로 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(104),(106),(108)을 형성할 수 있게 된다. 이를 (a) ~ (c) 과정으로 구분하여 설명하면 다음과 같다. Next, a case in which the driving circuit is an integrated polysilicon TFT will be described. In the case of the polysilicon TFT, it is possible to selectively apply a voltage to the liquid crystal so that each driving waveform of R, G and B can be selectively applied on the first
(a) 과정으로서, 전해질 용매가 담겨진 전착조 내의 양극 전극판에 제1 투명전극(102)과 TFT(T)가 구비된 기판(100)을 접속시키고, 전하 조정제가 첨가된 고분자 수지(전하를 갖는 가용성 수지)와 착색 안료를 상기 전해질 용매 중에 용해(분산)시켜 준 뒤, 상기 전착조 내의 전극에 R 구동 파형을 인가하여 제 1 칼라 필터층이 형성될 부분의 제1 투명전극(102) 상에만 선택적으로 최적화된 레드 분광특성을 갖는 제 1 칼라 필터층(R 패턴)(104)을 형성한다.As a process (a), the first
(b) 과정으로서, 상기 전착조 내의 양극 전극판에 G 구동 파형을 인가하여 제 2 칼라 필터층이 형성될 부분의 제1 투명전극(102) 상에만 선택적으로 최적화된 그린 분광특성을 갖는 제 2 칼라 필터층(G 패턴)(106)을 형성한다. (b) a second color having a green spectral characteristic selectively optimized only on the first
(c) 과정으로서, 상기 전착조 내의 양극 전극판에 B 구동 파형을 인가하여 제 3 칼라 필터층이 형성될 부분의 제1 투명전극(102) 상에만 선택적으로 최적화된 블루 분광특성을 갖는 제 3 칼라 필터층(B 패턴)을 형성한다. (c) a third color having a blue spectral characteristic selectively optimized only on the first
제 3 단계로서, 도 7에 도시된 바와 같이 전착법을 이용하여 상기 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(104),(106),(108) 상에만 선택적으로 400 ~ 1600Å의 두께를 갖는 ITO(또는 SnO2) 재질의 제2 투명전극(110)을 형성하므로써, 본 공정을 완료한다.As a third step, ITO having a thickness of 400-1600 kPa selectively on the first to third color filter layers 104, 106 and 108 using electrodeposition as shown in FIG. This process is completed by forming the second
이때, 상기 제 3 단계의 공정은 크게, 다음의 (a) ~ (c) 과정을 거쳐 진행된다. (a) 과정으로서, 상기 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(104),(106),(108)이 구비된 기판(100)을 전해질 용매가 담겨진 전착조 내의 양극 전극판에 접속시키고 (b) 과정으로서, 투명 도전성 물질(전착액)을 상기 전해질 용매 중에 분산시켜 준 뒤 (c) 과정으로서, 상기 양극 전극판에 R, G, B 구동 파형을 동시에 인가하여 상기 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(104),(106),(108) 상에만 선택적으로 제2 투명전극(110)을 형성한다. At this time, the process of the third step is largely proceeded through the following (a) ~ (c) process. (A) process, the
그 결과, 도 7의 단면도에서 알 수 있듯이 TFT 기판(100) 상에는 복수의 데이터 라인 및 게이트 라인에 각각 접속되도록, TFT(T)와 제1 투명전극(102)이 형성되고, 상기 제1 투명전극(102) 상에는 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(104),(106),(108)이 순차 반복적으로 형성되고, 상기 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(104),(106),(108) 상에는 제2 투명전극(110)이 형성된 구조의 LCD용 칼라필터가 제조된다. As a result, as shown in the cross-sectional view of FIG. 7, the TFT (T) and the first
이와 같이, TFT 기판(100) 상에 제 1 내지 제 3 칼라 필터층(104),(106),(108)을 형성해 줄 경우, 칼라 필터층 형성후 보호층 증착 공정없이 곧바로 제2 투명전극(110)을 형성하는 것이 가능하게 되고, 또한 폴리 실리콘 TFT 의 경우 전착법을 이용한 칼라 필터층 형성시 요구되는 노광 공정을 스킵할 수 있게 되므로, 공정 단순화를 기할 수 있게 된다. 게다가, TFT 기판(100) 상에 칼라 필터층과 데이터 및 게이트 구동회로가 모두 형성되므로, LCD 패널 외부에 배치된 구동회로와 최소한의 전극 단자 연결만으로도 R, G, B 패턴에 영상신호를 각각 인가하는 것이 가능하게 된다. As such, when the first to third color filter layers 104, 106, and 108 are formed on the
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 1) 제 1 내지 제 3 칼라 필터층이 전착법에 의해 TFT 기판 상의 제1 투명전극 위에 형성되므로, 보호층 증착 공정없이 곧바로 제2 투명전극을 형성하는 것이 가능하게 되어 공정 단순화 및 비용 절감을 실현할 수 있게 되고, 2) 폴리 실리콘 TFT의 경우, 제1 투명전극에 R, G, B 각각의 구동 파형을 인가할 수 있으므로, 전압이 인가된 제2 투명전극 상에만 선택적으로 전착액 성분이 석출되도록 하는 것이 가능하여, 비정질 실리콘 TFT에서 요구되는 별도의 포토 마스크없이도 제 1 내지 제 3 칼라 필터층 형성이 가능하게 된다.As described above, according to the present invention, since 1) the first to third color filter layers are formed on the first transparent electrode on the TFT substrate by the electrodeposition method, it is possible to form the second transparent electrode immediately without the protective layer deposition process. The process simplification and cost reduction can be realized. 2) In the case of the polysilicon TFT, the driving waveforms of R, G, and B can be applied to the first transparent electrode, so that the voltage is applied on the second transparent electrode. It is possible to selectively deposit the electrodeposition liquid component only so that the first to third color filter layers can be formed without a separate photo mask required for the amorphous silicon TFT.
도 1 내지 도 4는 종래 기술에 의한 TFT-LCD의 칼라 필터 제조방법을 나타낸 공정수순도,1 to 4 is a process flowchart showing a color filter manufacturing method of a TFT-LCD according to the prior art,
도 5 내지 도 7은 본 발명에 의한 TFT-LCD의 칼라 필터 제조방법을 나타낸 공정수순도. 5 to 7 is a process flowchart showing a color filter manufacturing method of a TFT-LCD according to the present invention.
Claims (13)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970038572A KR100468594B1 (en) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | LCD and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970038572A KR100468594B1 (en) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | LCD and its manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990016123A KR19990016123A (en) | 1999-03-05 |
KR100468594B1 true KR100468594B1 (en) | 2005-07-11 |
Family
ID=37303333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970038572A KR100468594B1 (en) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | LCD and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100468594B1 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07333595A (en) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Toppan Printing Co Ltd | Liquid crystal display device |
JPH08122824A (en) * | 1994-10-19 | 1996-05-17 | Sony Corp | Color display device |
JPH08334755A (en) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Toppan Printing Co Ltd | Production of electrode substrate for liquid crystal display device and liquid crystal display device formed by using the same |
JPH09101544A (en) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Toppan Printing Co Ltd | Liquid crystal display device |
KR19980077392A (en) * | 1997-04-18 | 1998-11-16 | 김영환 | Thin film transistor liquid crystal display and manufacturing method thereof |
-
1997
- 1997-08-13 KR KR1019970038572A patent/KR100468594B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07333595A (en) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Toppan Printing Co Ltd | Liquid crystal display device |
JPH08122824A (en) * | 1994-10-19 | 1996-05-17 | Sony Corp | Color display device |
JPH08334755A (en) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Toppan Printing Co Ltd | Production of electrode substrate for liquid crystal display device and liquid crystal display device formed by using the same |
JPH09101544A (en) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Toppan Printing Co Ltd | Liquid crystal display device |
KR19980077392A (en) * | 1997-04-18 | 1998-11-16 | 김영환 | Thin film transistor liquid crystal display and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19990016123A (en) | 1999-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6989876B2 (en) | Four color liquid crystal display and panel therefor | |
US8411216B2 (en) | Active matrix substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display unit, liquid crystal display device, television receiver, and active matrix substrate manufacturing method | |
KR100294194B1 (en) | Liquid crystal display | |
KR20050054216A (en) | The in-plain switching liquid disply device and the method for fabricating the same | |
US20040127135A1 (en) | Method for fabricating color filter of liquid crystal display device | |
US20040126678A1 (en) | Method for fabricating color filter of liquid crystal display device | |
US7359014B2 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
KR101222953B1 (en) | Method For Fabricating Color Filter Array Substrate | |
KR100672645B1 (en) | Method For Fabricating A Color Filter Substrate | |
US8675156B2 (en) | Color filter substrate for liquid crystal display, and manufacturing method thereof | |
US7438947B2 (en) | Color filter process | |
KR100468594B1 (en) | LCD and its manufacturing method | |
KR100648218B1 (en) | High aperture ratio color liquid crystal display | |
KR100710141B1 (en) | Method for fabricating a color filter substrate | |
KR100242435B1 (en) | Color filter of liquid crystal display and method of production thereof | |
KR960000260B1 (en) | Lcd device and its manufacturing method | |
KR101121997B1 (en) | Color filter substrate for liquid crystal display and method for fabricating the same | |
JPH05257137A (en) | Color liquid crystal display device | |
JP3258128B2 (en) | Liquid crystal display panel manufacturing method | |
KR100502157B1 (en) | Mask for manufacturing color filter substrate of LCD device | |
US20040253526A1 (en) | Manufacturing method for color filter | |
KR950008936B1 (en) | Color filter and its manufacturing method | |
KR100246040B1 (en) | Manufacturing method for a liquid crystal display | |
KR200255831Y1 (en) | Liquid Crystal Display | |
JP2596727B2 (en) | Liquid crystal optical device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |