KR100459391B1 - Device for controlling access timing of dram of different types using programmable wait cycle - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A device for controlling access timing of a DRAM of different types using a programmable wait cycle is provided to access various kinds of DRAMs by changing a state machine of a DRAM controller and permit a system having a high frequency to access the DRAM by adding the programmable wait cycle to the state machine. CONSTITUTION: A CPU interface(2) controls/outputs the wait cycle according to data bandwidth of the DRAM(4) when the DRAM controller(3) outputs various control signals to control access of the DRAM under control of a CPU(1). The CPU interface outputs data in a preset unit to a printer(5) by receiving a bus wait signal and bus data from the DRAM controller. The DRAM controller controls/outputs the wait cycle according to the data bandwidth and a frequency of a clock signal when the control signals are output to the DRAM according to an input signal, latches the data sequentially supplied from the DRAM once or twice, and transfers it to the CPU interface.

Description

디램의 억세스 타이밍 제어장치DRAM access timing controller

본 발명은 디램(DRAM) 억세스를 위한 디램 콘트롤러의 설계기술에 관한 것으로, 특히 프로그램 가능한 웨이트 사이클(programable wait cycle)을 사용하여 데이터 밴드폭에 관계없이 각기 다른 형태의 기억용량을 갖는 디램을 억세스하는데적당하도록한 디램의 억세스 타이밍 제어장치에 관한 것이다.The present invention relates to a design technology of a DRAM controller for DRAM access. In particular, a programmable wait cycle is used to access DRAMs having different types of storage capacity regardless of data bandwidth. The present invention relates to an access timing control apparatus for a DRAM that is adapted.

통상적으로, 디램의 억세스 제어 장치에 적용되는 디램 콘트롤러는 디램을 억세스하는 마이크로프로세서에 의존하는 특성을 갖는다. 디램 억세스에 적용되는 ARM7 코어는 32bit 범용 마이크로프로세서이며, 디램 콘트롤러는 외부 디램 메모리 뱅크와 ASB 버스에 인터페이스되어 있다. 그리고, 시스템 버스인 ASB는 32bit 밴드폭을 갖으며, 시스템클럭 주파수는 20MHz이다.In general, a DRAM controller applied to an access control device of a DRAM has a characteristic depending on a microprocessor that accesses the DRAM. The ARM7 core for DRAM access is a 32-bit general purpose microprocessor, and the DRAM controller is interfaced to an external DRAM memory bank and an ASB bus. The ASB, a system bus, has a 32-bit bandwidth and the system clock frequency is 20 MHz.

이와 같은 구성의 디램 콘트롤러를 이용하는 경우, ASB 버스의 용량과 디램의 억세스 용량이 일치하는 경우에 한하여 억세스가 가능하였다. 예로써, 시스템버스인 ASB 버스가 32bit인 경우 디램의 억세스 용량도 32bit인 것만 콘트롤할 수 있다.In the case of using the DRAM controller having such a configuration, access was possible only when the capacity of the ASB bus and the access capacity of the DRAM were identical. For example, when the ASB bus, which is a system bus, is 32 bits, only the access capacity of the DRAM is 32 bits can be controlled.

즉, 도 1의 (a) 내지 (h)는 이때 사용되는 각 신호의 타이밍을 보인 것으로 이에 도시한 바와 같이, 디램의 데이터 밴드폭이 특정한 폭(예: 32bit)을 갖는 구조에 대해서만 워드 오퍼레이션이 가능하도록 고정되어 있으며, 오퍼레이션에 필요한 사이클의 수가 고정되어 있으므로 클럭신호의 주파수가 높아지면 디램의 억세스 타이밍시간을 만족시키지 않게 된다.In other words, (a) to (h) of FIG. 1 show the timing of each signal used at this time. As shown in FIG. It is fixed as possible and the number of cycles required for the operation is fixed. Therefore, when the frequency of the clock signal increases, the access timing time of the DRAM is not satisfied.

이와 같이 종래 디램의 억세스 제어 회로에 있어서는 ASB 버스의 용량에 상응되는 디램만을 콘트롤할 수 있게 되어 있어 사용상에 많은 제약이 따르는 결함이 있고, ASB 버스의 용량이 32bit인 경우 시스템 성능상 16bit 또는 8bit 단위 용량의 디램을 억세스할 수 없는 결함이 있다. 또한, 시스템 클럭 주파수를 높이고자하는 경우 디램 콘트롤러가 디램의 억세스 타임을 만족하지 않아 정상적인 억세스가 불가능하게 되는 결함이 있었다.As described above, in the conventional DRAM access control circuit, only the DRAM corresponding to the capacity of the ASB bus can be controlled. Therefore, there are many defects in use. If the capacity of the ASB bus is 32 bits, the capacity of the 16-bit or 8-bit unit is increased. There is a defect that cannot access DRAM. In addition, when the system clock frequency is to be increased, the DRAM controller does not satisfy the access time of the DRAM, thereby making it impossible to access normally.

따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 디램 콘트롤러의 스테이트 머신(state machine)을 변화시켜 다양한 종류(32bit,16bit,8bit)의 디램을 억세스할 수 있도록하고, 스테이트 머신에 프로그램 가능한 웨이트 사이클을 추가하여 고주파수를 갖는 시스템에서도 디램의 억세스가 가능하도록하는 디램의 억세스 타이밍 제어장치를 제공함에 있다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to change the state machine of the DRAM controller to access various kinds of DRAMs (32bit, 16bit, 8bit), and to add a programmable weight cycle to the state machine. It is an object of the present invention to provide an access timing control device for a DRAM that enables access to the DRAM even in a system having a high frequency.

도 1의 (a)~(h)는 종래 기술에 의한 디램의 억세스 타이밍도.1A to 1H are access timing diagrams of a DRAM according to the prior art.

도 2는 본 발명에 의한 디램의 억세스 타이밍 제어장치의 일실시 예시 블록도.Figure 2 is a block diagram of an embodiment of a DRAM access timing control apparatus according to the present invention.

도 3의 (a)~(h)는 본 발명에 의한 디램의 억세스 타이밍도.3A to 3H are access timing diagrams of a DRAM according to the present invention.

도 4의 (a)~(h)는 본 발명에 의한 디램의 다른 억세스 타이밍도.4 (a) to 4 (h) show another access timing diagram of the DRAM according to the present invention.

도 5의 (a)~(h)는 본 발명에 의한 디램의 또 다른 억세스 타이밍도.5 (a) to 5 (h) show still another access timing diagram of the DRAM according to the present invention.

***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명****** Description of the symbols for the main parts of the drawings ***

1 : 씨피유 2 : 씨피유 인터페이스부1: C oil 2: C oil interface

2A : 디코더 3 : 디램 콘트롤러2A: Decoder 3: DRAM Controller

4 : 디램 5 : 프린터4: DRAM 5: the printer

도 1은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 디램의 억세스 타이밍 제어장치에 대한 일실시 예시 블록도로서 이에 도시한 바와 같이, 씨피유(ARM710A)(1)의 제어하에 디램(4)을 억세스하여 획득한 데이터를 프린터(5)와 같은 외부 출력장치에 출력하는 디램 억세스 장치에 있어서, 상기 씨피유의 제어하에 상기 디램(4)의 억세스를 제어하기 위해 디램 콘트롤러(3)측으로 버스 클럭신호(B_CLK), 버스 어드레스신호(B_A), 버스 라이트신호(B_WRITE), 디바이스 선택신호(D_SEL)를 출력할 때 그 디램(4)의 데이터 밴드폭에 따라 웨이트 사이클을 조정하여 출력하고, 그로부터 버스 웨이트신호(B_WAIT), 버스 데이터(B_D)를 공급받아 상기 프린터(5)에 기 설정된 단위로 데이터를 출력하는 씨피유 인터페이스부(2)와; 상기 씨피유 인터페이스부 (2)로부터 각종 신호를 입력받아 상기 디램(4)에 디램 어드레스신호(DRAMA),로우어드레스 스트로브신호(

Figure pat00002
),칼럼어드레스 스트로브신호(
Figure pat00003
), 아웃인에이블신호 (
Figure pat00004
), 라이트인에이블신호(
Figure pat00005
)를 출력할 때 데이터 밴드폭과 클럭신호의 주파수에 따라 웨이트 사이클을 조정하여 출력하고, 그로부터 공급되는 데이터(M_D)를 한 번 또는 두 번에 래치하여 상기 씨피유 인터페이스부(2)에 전달하는 디램 콘트롤러 (3)를 포함하여 구성한 것으로, 이와 같이 구성한 본 발명의 작용을 첨부한 도 2 내지 도 4를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.FIG. 1 is a block diagram illustrating an apparatus for controlling access timing of a DRAM for achieving an object of the present invention. As shown in FIG. 1, the DRAM 4 is obtained by accessing the DRAM 4 under the control of an ARM710A 1. In a DRAM access device for outputting data to an external output device such as a printer (5), a bus clock signal (B_CLK), a bus to the DRAM controller 3 side for controlling access of the DRAM 4 under the control of the CPI. When outputting the address signal B_A, the bus write signal B_WRITE and the device selection signal D_SEL, the weight cycle is adjusted and output according to the data bandwidth of the DRAM 4, and the bus weight signal B_WAIT, A CPI interface unit 2 receiving bus data B_D and outputting data in a predetermined unit to the printer 5; Receives various signals from the CPI interface unit 2 and inputs a DRAM address signal DRAMA and a low address strobe signal to the DRAM 4.
Figure pat00002
), Column address strobe signal (
Figure pat00003
), Enable signal (
Figure pat00004
), Light enable signal (
Figure pat00005
) Outputs by adjusting the weight cycle according to the data bandwidth and the frequency of the clock signal, and latching the data (M_D) supplied therefrom once or twice to the CPI interface unit 2. The controller 3 is configured to be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4 attached to the operation of the present invention configured as described above.

먼저, 외부출력장치인 프린터(5)측으로 출력하고자 하는 데이터의 밴드폭이 32bit인 것에 비하여 데이터를 읽어내고자 하는 디램(4)의 구조가 16bit인 구조인 경우, 레지스터 셋팅 방식으로 웨이트 사이클을 조정하고, 이에 따라 그 디램(4)에서 두 번에 걸쳐 데이터를 읽어내어 그 데이터를 프린터(5)측으로 한 번에 출력하게 되는데, 이에 의한 워드 오퍼레이션 과정을 설명하면 다음과 같다.First, in the case where the structure of the DRAM 4 for reading data is 16 bits, the weight cycle is adjusted by the register setting method, whereas the bandwidth of the data to be output to the printer 5 which is an external output device is 32 bits. Accordingly, the data is read twice in the DRAM 4 and the data is output to the printer 5 at once. The word operation process according to this will be described below.

씨피유 인터페이스부(2)는 디램 콘트롤러(3)에 디바이스 선택신호(D_SEL)를 출력함에 있어서 도 3의 (a)와 같은 버스 클럭신호(B_CLK)를 기준으로 도 3의 (b)와 같이 액티브시간을 한 사이클 더 연장시켜(32bit 밴드폭을 기준으로) 출력한다.The CPI interface unit 2 outputs the device selection signal D_SEL to the DRAM controller 3 based on the bus clock signal B_CLK of FIG. 3A as shown in FIG. Is extended by one more cycle (based on 32-bit bandwidth).

또한, 상기 씨피유 인터페이스부(2)는 상기 디램 콘트롤러(3)에 어드레스신호(adr)를 출력함에 있어서 도 3의 (c)에서와 같이 액티브시간을 한 사이클 더 연장시켜 출력하고, 버스 라이트신호(B_WRITE)를 출력함에 있어서도 도 3의 (e)에서와 같이 "로우", "하이" 출력시간을 한 사이클 연장시켜 출력한다.In addition, the CPI interface unit 2 outputs the address signal adr to the DRAM controller 3 by extending the active time one more cycle as shown in FIG. B_WRITE) is also outputted by extending the "low" and "high" output time by one cycle as shown in FIG.

이와 함께 상기 디램 콘트롤러(3)는 상기 디램(4)에 로우어드레스 스트로브신호(

Figure pat00006
)를 출력함에 있어서, 도 3의 (f)에서와 같이 "로우" 출력시간을 한 사이클씩 더 연장시켜 출력하고, 칼럼어드레스 스트로브신호(
Figure pat00007
)를 출력함에 있어서, 도 3의 (g)에서와 같이 상기 버스클럭신호(B_CLK)와 동일한 두 주기의 칼럼어드레스 스트로브신호(
Figure pat00008
)를 출력한다.In addition, the DRAM controller 3 transmits a low address strobe signal to the DRAM 4.
Figure pat00006
), The "low" output time is extended by one cycle as shown in (f) of FIG. 3, and the column address strobe signal (
Figure pat00007
), The column address strobe signal of two cycles equal to the bus clock signal B_CLK as shown in (g) of FIG.
Figure pat00008
)

또한, 상기 디램 콘트롤러(3)는 디램 어드레스신호(DRAMA)를 출력함에 있어서, 도 3의 (h)와 같이 한 사이클씩(col2) 추가하여 출력하게 되므로 상위 16bit,하위 16bit 데이터를 순차적으로 래치할 수 있게 되며, 이렇게 래치된 디램(4)의 데이터를 읽어와 32bit 단위로 상기 씨피유 인터페이스부(2)에 출력하기 위하여 상기 씨피유 인터페이스부(2)에 도 3의 (d)에서와 같이 한 사이클 연장된 버스웨이트신호(B_WAIT)를 출력하게 된다.In addition, the DRAM controller 3 outputs the DRAM address signal DRAMA by adding one cycle (col2) as shown in FIG. 3 (h). Therefore, the DRAM controller 3 sequentially latches the upper 16-bit and the lower 16-bit data. In order to read the data of the latched DRAM 4 and output it to the CAPI interface 2 in 32-bit units, the CUI interface 2 is extended by one cycle as shown in FIG. The bus weight signal B_WAIT is output.

이에 따라 상기 씨피유 인터페이스부(2)는 상기 디램콘트롤러(3)로부터 공급되는 32bit 단위의 데이터를 프린터(5)측으로 출력할 수 있게 된다.Accordingly, the CPI interface unit 2 may output 32-bit data supplied from the DRAM controller 3 to the printer 5.

한편, 도 4의 (a) 내지 (h)는 본 발명의 다른 실시예를 보인 디램(4)의 억세스 타이밍도이다. 즉, 도 4의 (a) 내지 (h)는 상기 디램(4)의 데이터 밴드폭이 32bit 구조인 경우, 도 1의 (a) 내지 (h)에서와 같은 타이밍을 기준으로 1 웨이트 사이클을 각각 추가하여 그 디램(4)의 억세스 타임을 연장시키기 위한 것으로, 이에 의한 억세스 과정을 설명하면 다음과 같다.4 (a) to (h) are access timing diagrams of the DRAM 4 according to another embodiment of the present invention. That is, FIGS. 4A to 4H each show one weight cycle based on the timing as shown in FIGS. 1A to 1H when the data bandwidth of the DRAM 4 is 32 bit. In addition, to extend the access time of the DRAM 4, the access process by this will be described as follows.

씨피유 인터페이스부(2)에서 디램 콘트롤러(3)측으로 출력하는 디바이스 선택신호(D_SEL),버스 클럭신호(B_CLK),버스 웨이트신호(B_WAIT),버스 라이트신호 (B_WRITE)를 비롯하여 그 디램 콘트롤러(3)에서 디램(4)측으로 출력하는 로우어드레스 스트로브신호(

Figure pat00009
)는 도 3에서 각 해당 신호의 타이밍과 동일하다.The DRAM controller 3 includes the device selection signal D_SEL, the bus clock signal B_CLK, the bus weight signal B_WAIT, and the bus light signal B_WRITE, which are output from the CPI interface unit 2 to the DRAM controller 3. Address strobe signal output from the
Figure pat00009
) Is the same as the timing of each corresponding signal in FIG. 3.

그러나, 상기 디램 콘트롤러(3)에서 디램(4)측으로 출력하는 칼럼어드레스 스트로브신호(

Figure pat00010
) 및 디램 어드레스신호(DRAMA)는 도 3과 다른 형태로 출력한다.However, the column address strobe signal (output from the DRAM controller 3 to the DRAM 4 side)
Figure pat00010
) And the DRAM address signal DRAMA are output in a form different from that of FIG. 3.

즉, 칼럼어드레스 스트로브신호(

Figure pat00011
)는 도 4의 (g)에서와 같이 두 사이클동안 연속해서 "로우"로 액티브시켜 출력하고, 디램어드레스신호(DRAMA)는 도 4의 (h)에서와 같이 로우(row)와 칼럼(col) 방향에 대해 공히 동일한 시간간격으로 연속적으로 출력하게 된다. 이렇게 함으로써 고주파수 시스템에서의 디램 억세스 타이밍을 만족시킬 수 있게 된다.That is, the column address strobe signal (
Figure pat00011
) Is outputted by activating " low " continuously for two cycles as shown in (g) of FIG. 4, and the DRAM address signal DRAMA is outputted as shown in (h) of FIG. It outputs continuously at the same time interval for both directions. This makes it possible to satisfy the DRAM access timing in the high frequency system.

한편, 도 5의 (a) 내지 (h)는 본 발명의 또 다른 실시예를 보인 디램(4)의 억세스 타이밍도이다. 즉, 도 5의 (a) 내지 (h)는 상기 디램(4)의 데이터 밴드폭이 16bit 구조이고, 고주파수 시스템인 경우, 도 4의 (a) 내지 (h)에서와 같은 타이밍을 기준으로 두 개의 웨이트 사이클을 각각 추가하여 그 디램(4)의 억세스 타임을 맞추기 위한 것으로, 이에 의한 억세스 과정을 설명하면 다음과 같다.5 (a) to (h) are access timing diagrams of the DRAM 4 according to still another embodiment of the present invention. That is, FIGS. 5A to 5H show a 16-bit structure in which the data bandwidth of the DRAM 4 is a high-frequency system, based on the timing as shown in FIGS. Each of the four weight cycles is added to adjust the access time of the DRAM 4.

씨피유 인터페이스부(2)에서 디램 콘트롤러(3)측으로 출력하는 디바이스선택신호(D_SEL),버스클럭신호(B_CLK),버스웨이트신호(B_WAIT),버스라이트신호(B_WRITE)를 비롯하여 그 디램 콘트롤러(3)에서 디램(4)측으로 출력하는 로우어드레스 스트로브신호(

Figure pat00012
)는 도 3에서 각 해당 신호의 타이밍에 1 사이클 추가하였다.Device selection signal D_SEL, bus clock signal B_CLK, bus weight signal B_WAIT and bus light signal B_WRITE, which are output from the CPI interface unit 2 to the DRAM controller 3 side, as well as the DRAM controller 3 Address strobe signal output from the
Figure pat00012
) Is added one cycle to the timing of each corresponding signal in FIG.

또한, 상기 디램 콘트롤러(3)에서 디램(4)측으로 칼럼어드레스 스트로브신호 (

Figure pat00013
)를 출력함에 있어서, 도 4의 (g)와 같이 칼럼어드레스 스트로브신호(
Figure pat00014
)를 출력한 후 버스클럭신호(B_CLK)의 하강에지에서 다시 그 칼럼어드레스 스트로브신호(
Figure pat00015
)를 출력한다.In addition, a column address strobe signal from the DRAM controller 3 to the DRAM 4 side (
Figure pat00013
), The column address strobe signal (
Figure pat00014
) And then at the falling edge of the bus clock signal (B_CLK), the column address strobe signal (
Figure pat00015
)

또한, 상기 디램 콘트롤러(3)는 상기 디램(4)측으로 디램어드레스신호(DRAMA)를 출력함에 있어서, 도 5의 (h)에서와 같이 로우(row) 방향에 대해 출력한 후 칼럼(col1),(col2) 방향에 대해 공히 동일한 시간간격으로 연속적으로 출력하게 된다.In addition, the DRAM controller 3 outputs the DRAM address signal DRAMA to the DRAM 4 side, after outputting in the row direction as shown in FIG. Outputs continuously at the same time interval for the (col2) direction.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 웨이트 사이클을 사용하여 시스템에서 사용하는 디램의 데이터 밴드폭에 상관없이 각기 다른 형태의 기억용량을 갖는 디램을 억세스할 수 있게 함으로써 원가를 절감할 수 있을뿐더러 시스템의 성능에 따라 원하는 디램을 선택하여 사용할 수 있는 효과가 있고, 시스템 클럭의 주파수에 따라 디램의 억세스 타임을 맞추어 콘트롤할 수 있으므로 고성능 시스템의 클럭 주파수에 대해서도 디햄을 억세스할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention can reduce the cost by enabling the weight cycle to access DRAMs having different types of storage capacity regardless of the data bandwidth of the DRAM used in the system. According to the performance of the desired DRAM can be selected and used, and the access time of the DRAM can be controlled according to the frequency of the system clock, so that the access to the daemon for the clock frequency of a high-performance system.

Claims (4)

씨피유(1)의 제어하에 디램(4)을 억세스하여 획득한 데이터를 프린터(5)와 같은 외부 출력장치에 출력하는 디램 억세스 장치에 있어서, 상기 씨피유(1)의 제어하에 상기 디램(4)의 억세스를 제어하기 위해 디램 콘트롤러(3)측으로 각종 제어신호(B_CLK), (B_A),(B_WRITE),(D_SEL)를 출력할 때, 그 디램(4)의 데이터 밴드폭에 따라 웨이트 사이클을 조정하여 출력하고, 그로부터 버스 웨이트신호(B_WAIT), 버스 데이터(B_D)를 공급받아 상기 프린터(5)에 기 설정된 단위로 데이터를 출력하는 씨피유 인터페이스부(2)와; 상기 입력신호에 따라 상기 디램(4)에 각종 제어신호(DRAMA),
Figure pat00016
를 출력할 때, 데이터 밴드폭과 클럭신호의 주파수에 따라 웨이트 사이클을 조정하여 출력하고, 그로부터 순차적으로 공급되는 데이터(M_D)를 한 번 또는 두 번에 래치하여 상기 씨피유 인터페이스부(2)에 전달하는 디램 콘트롤러(3)를 포함하여 구성한 것을 특징으로 하는 디램의 억세스 타이밍 제어장치.A DRAM access device for accessing the DRAM 4 under the control of the CAPI 1 and outputting data obtained from the DRAM 4 to an external output device such as the printer 5, wherein the DRAM 4 is controlled under the control of the CUI 1. When outputting various control signals B_CLK, (B_A), (B_WRITE), (D_SEL) to the DRAM controller 3 in order to control access, the weight cycle is adjusted according to the data bandwidth of the DRAM 4 A CPI interface unit 2 for outputting the bus weight signal B_WAIT and the bus data B_D therefrom and outputting the data in a predetermined unit to the printer 5; According to the input signal, the DRAM 4 receives various control signals DRAMA,
Figure pat00016
When outputting, the weight cycle is adjusted according to the data bandwidth and the frequency of the clock signal and outputted, and the data M_D sequentially supplied therefrom is latched once or twice and transferred to the CPI interface unit 2. And a DRAM controller (3) for controlling access timing of the DRAM. 제1항에 있어서, 상기 디램(4)의 데이터 밴드폭이 16bit 구조이고, 출력하고자 하는 데이터의 밴드폭이 32bit인 경우, 상기 디램 콘트롤러(3)는 레지스터 셋팅에 의해 그 디램(4)의 억세스 타임을 지원하도록 구성한 것을 특징으로 하는 디램의 억세스 타이밍 제어장치.The DRAM controller 3 according to claim 1, wherein when the data bandwidth of the DRAM 4 has a 16-bit structure and the bandwidth of data to be output is 32 bits, the DRAM controller 3 accesses the DRAM 4 by setting a register. A DRAM access timing control device, characterized in that configured to support time. 제1항에 있어서, 상기 디램(4)의 데이터 밴드폭과 출력하고자 하는 데이터의 밴드폭이 모두 32bit이고 고주파수 시스템인 경우, 모든 제어신호들을 한 사이클 추가하여 그 디램(4)을 억세스하도록 구성한 것을 특징으로 하는 디램의 억세스 타이밍 제어장치.The method according to claim 1, wherein when the data bandwidth of the DRAM 4 and the bandwidth of the data to be output are both 32 bits and a high frequency system, all the control signals are added one cycle to access the DRAM 4. A DRAM access timing control device. 제1항에 있어서, 상기 디램(4)의 데이터 밴드폭이 16bit 구조이고, 출력하고자 하는 데이터의 밴드폭이 32bit이고 고주파수 시스템인 경우, 모든 제어신호들을 두 사이클 추가하여 그 디램(4)을 억세스하도록 구성한 것을 특징으로 하는 디램의 억세스 타이밍 제어장치.The method of claim 1, wherein the data bandwidth of the DRAM 4 has a 16-bit structure, and the bandwidth of the data to be output is 32 bits and the high frequency system adds two cycles of all control signals to access the DRAM 4. A DRAM access timing control device, characterized in that configured to.
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