KR100437264B1 - 더미 웨이퍼와 그 제조방법 - Google Patents

더미 웨이퍼와 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 더미 웨이퍼와 상기 더미 웨이퍼를 제조하는 방법에 관한 것으로, 접착성 수지재에 섬유재가 일렬로 함침되어 이루어진 복합재료를 소정크기의 금속박판에 상호 등방성을 갖도록 적층하고, 경면처리된 금형의 경면이 상기 복합재료에 전사되도록 가압 및 가열함으로써 더미 웨이퍼를 완성하는 더미웨이퍼와 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

더미 웨이퍼와 그 제조방법{A Dummy Wafer And Manufacturing Method Thereof}
본 발명은 더미 웨이퍼와 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복합재료를 금속박판에 상호 등방성을 갖도록 적층한 뒤, 경면처리된 금형으로 압착하여 금형의 경면이 상기 복합재료 표면에 전사되도록 하여 더미 웨이퍼를 제조하는 더미 웨이퍼와 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼(Wafer)는 통상적으로 실리콘 웨이퍼라는 명칭으로 불리워지는 것으로, 순도 99.9%의 단결정(單結晶) 규소를 얇게 잘라 표면을 경면처리한 것이다.
이러한 상기 반도체 웨이퍼는 두께가 약 0.8㎜ 정도이며, 지름은 약 300mm 정도인 원판 형상으로, 소정의 검사과정을 거쳐 일정한 크기의 칩 형태로 절단되어 반도체 집적회로로 이용된다.
아울러, 상기 반도체 웨이퍼는 제작과정에 상당한 정밀도를 요하기 때문에, 상기 반도체 웨이퍼를 가공하는 장비의 개발 및 그 설치과정에는 일종의 모형 반도체 웨이퍼가 사용되는 것이 일반적이다.
이렇게 반도체 웨이퍼의 형상 뿐만 아니라 질량, 강성까지 거의 흡사한 모형의 반도체 웨이퍼는 통상적으로 더미 웨이퍼(Dummy Wafer)라고 불리우는데, 반도체 산업의 발전으로 인해 그 수요가 기하급수적으로 증가하고 있다.
종래 이러한 상기 더미 웨이퍼는 세라믹을 재질로 하여 제조되고 있는데, 재질로 이용되는 세라믹의 가격이 비교적 고가이며, 제조후에는 취성이 비교적 높기 때문에, 쉽게 깨져버리는 문제점이 있다.
아울러, 반도체 개발 및 테스팅 과정에 다량의 더미 웨이퍼가 투입되어야 함에도 불구하고 그 수명이 비교적 짧기 때문에, 상당한 더미 웨이퍼 교체비용이 소요되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점들을 감안하여 안출된 것으로써, 본 발명의 제 1목적은 강성 및 인성을 겸비할 수 있는 더미 웨이퍼를 비교적 간단한 공정으로 제조할 수 있는 더미웨이퍼와 그 제조방법을 제공하는 것이다.
그리고, 본 발명의 제 2목적은 상호 등방성을 갖도록 금속박판에 적층된 복합재료를 경면처리하여 반도체 웨이퍼로 대용할 수 있는 더미 웨이퍼와 그 제조방법을 제공하는 것이다.
이러한 본 발명은 목적들은 접착성 수지재에 섬유재가 일렬로 함침되어 이루어진 복합재료(20)를 소정크기의 금속박판(10)에 상호 등방성을 갖도록 적층하는 단계(S110);
경면처리된 금형(30)에 탈형재를 도포한 뒤, 상기 복합재료(20)의 노출면에 압착하는 단계(S120);
상기 금형(30)과 더불어 상기 복합재료(20) 및 금속박판(10)이 포함되도록 진공백(40)으로 포장하고, 진공펌프로 상기 진공백(40) 안측의 공기를 뽑아내어 진공처리한 뒤, 오토클레이브(50)내에 정착하는 단계(S130);
상기 오토클레이브(50) 내의 압력 및 온도를 상승시켜 금형(30)의 경면이 복합재료(20)에 전사되도록 가압하는 동시에 상기 접착성 수지재가 경화되도록 가열하는 단계(S140);
상기 금형(30)으로부터 상기 복합재료(20) 및 금속박판(10)을 탈형한 뒤, 소망하는 치수 및 형상에 맞게 레이져 절단기 또는 워터젯 커팅기로 절단하여 더미웨이퍼로 완성하는 단계(S150);로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법에 의하여 달성된다.
여기서, 상기 더미 웨이퍼의 표면에 무전해도금(Electroless Plating)으로 니켈 또는 구리를 전착시킨 뒤, 상기 니켈 또는 구리에 전자기적으로 상응하는 크롬을 전해도금(Electrochemical Plating)으로 전착하여 도체화하는 단계(S160);를 더 포함하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 섬유재는 탄소섬유를 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하다.
또한, 상기 섬유재는 유리섬유를 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하다.
아울러, 상기 수지재는 에폭시 또는 페놀수지를 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 금속박판(10)은 구리를 포함하는 금속재질군으로부터 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하다.
아울러, 상기의 본 발명의 목적들은 상기 제조방법에 기초하여 제조되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼에 의하여 달성된다.
그리고, 상기의 본 발명의 목적들은 접착성 수지재에 섬유재가 일렬로 함침된 복합재료(20) 및 소정크기의 금속박판(10)을 동일한 형상 및 치수로 절단한 뒤, 상호 등방성을 갖도록 적층하는 단계(S210);
경면처리된 금형(30)에 탈형재를 도포한 뒤, 상기 복합재료(20)의 노출면에압착하는 단계(S220);
상기 금형(30)과 더불어 상기 복합재료(20) 및 금속박판(10)이 포함되도록 진공백(40)으로 포장하고, 진공펌프로 상기 진공백(40) 안측의 공기를 뽑아내어 진공처리한 뒤, 오토클레이브(50)내에 정착하는 단계(S230);
상기 오토클레이브(50) 내의 압력 및 온도를 상승시켜 금형(30)의 경면이 복합재료(20)에 전사되도록 가압하는 동시에 상기 접착성 수지재가 경화되도록 가열하는 단계(S240);
상기 금형(30)으로부터 상기 복합재료(20) 및 금속박판(10)을 탈형하여 더미 웨이퍼로 완성하는 단계(S250);로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법에 의하여 달성된다.
여기서, 상기 더미 웨이퍼의 표면에 무전해도금(Electroless Plating)으로 니켈 또는 구리를 전착시킨 뒤, 상기 니켈 또는 구리에 전자기적으로 상응하는 크롬을 전해도금(Electrochemical Plating)으로 전착하여 도체화하는 단계(S260);를 더 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 섬유재는 탄소섬유를 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 섬유재는 유리섬유를 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하다.
또한, 상기 수지재는 에폭시 또는 페놀수지를 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하다.
아울러, 상기 금속박판(10)은 구리를 포함하는 금속재질군으로부터 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하다.
이러한 본 발명의 목적들은 상기 제조방법에 기초하여 제조되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼에 의하여 달성된다.
본 발명의 그 밖의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 분명해질 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 더미 웨이퍼 제조방법의 제 1공정실시도,
도 2는 본 발명에 따른 더미 웨이퍼의 사시도,
도 3은 도 2에 도시된 A-A선에 따른 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 동시경화법에 관한 실시도,
도 5는 본 발명에 따른 더미 웨이퍼 제조방법의 제 2공정실시도이다.
< 도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명 >
10: 금속박판 20: 복합재료
30: 금형 40: 진공백
50: 오토클레이브 60: 컴퓨터
100: 더미 웨이퍼
본 발명에 따른 더미 웨이퍼와 그 제조방법의 구성에 관한 설명에 앞서 본 발명에서 일관되게 사용되고 있는 더미 웨이퍼(Dummy Wafer)는 "반도체 가공장비의 개발 및 개발된 가공장비의 셋팅에 테스트 용도로 사용되는 반도체 웨이퍼의 대용품"이다.
아울러, 본 발명에서의 복합재료(Composite Material)는 보통 일방향 장섬유 복합재료 또는 고분자 기지 섬유강화 복합재료라고 불리우는 것으로 직경이 약 7~8 ㎛의 탄소 섬유 혹은 유리섬유를 에폭시 수지나 페놀 수지 등에 함침시킨 재료를 말하며, 섬유재와 수지재의 부피 비율은 6:4 정도이다.
본 발명은 금속박판에 상기 복합재료를 적층하여 경면처리하는 공정으로 이루어진 더미 웨이퍼 제조방법 및 이러한 방법에 의해 제조되는 더미 웨이퍼에 관한 것이다.
다음으로는 본 발명에 따른 더미 웨이퍼와 그 제조방법에 관하여 첨부되어진도면과 더불어 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 더미 웨이퍼 제조방법의 제 1공정실시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 더미 웨이퍼의 사시도이며, 도 3은 도 2에 도시된 A-A선에 따른 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 동시경화법에 관한 실시도이다.
도 1, 도 2, 도 3, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 더미 웨이퍼(100)는 둥근 원판 형태를 하고 있는 것으로 직경은 약 300mm 정도이고, 두께는 약 0.8mm 정도인데, 이러한 치수는 모조를 소망하는 반도체 웨이퍼의 수치에 기초하여 변경될 수 있다.
이러한 상기 더미 웨이퍼(100)는 복합재료(20)를 사이에 두고 상기 복합재료 (20)의 양측면에 대칭적으로 적층되어 있는 구리재질의 금속박판(10) 및 상기 금속박판(10)을 사이에 두고 역시 대칭적으로 적층되어 복합재료(20)로 이루어진다.
이때, 상기 더미 웨이퍼(100)의 표층을 이루는 복합재료(20)의 노출면은 경면으로 처리되어 있는데, 이러한 경면처리 뒤에 무전해도금 및 전해도금과정을 거침으로써, 도체화되어 반도체 개발장비의 테스팅시 발생할 수 있는 정전기를 방지할 수 있다.
아울러, 상기 더미 웨이퍼(100)의 제조방법을 단계별로 살펴보기로 한다.
우선, 복합재료(20) 사이에 금속박판(10)이 위치하도록 순차적으로 적층하는데, 이때 상기 복합재료(20)는 일렬로 배열된 탄소섬유 또는 유리섬유와 같은 섬유재에 유동성의 접착성 수지재를 묻히고 롤러로 권취하여 반응고상태로 경화시킨 것이다.
이 때, 상기 접착성 수지재는 페놀 수지 또는 에폭시 수지이며, 온도변화에 기초하여 경화정도가 변화되다가 일정한 임계 온도에 도달하면 완전히 경화되면서 잉여 레진을 분출하는 열경화성 수지재이다.
이러한, 상기 복합재료(20)는 상기 유리 섬유 또는 탄소섬유의 배열방향에 따라 이방성을 갖는 고분자 재료이다.
아울러, 상기 금속박판(10)은 제조당시 성형롤러(미도시)에 의해 박판화되어짐으로써, 성형방향을 따라 이방성을 갖게 되며, 성형 후에는 성형방향을 따라 권취되어 보관된다.
그런데, 상기 금속박판(10)의 강성이 상기 복합재료(20)의 강성에 비해 떨어지고, 일정 기간동안 권취되어 보관되었기 때문에, 성형방향을 따라 굽힘 현상이 발생할 수 있으므로 상기 금속박판(10)의 성형방향과 상기 복합재료(20)의 섬유재 배열방향이 동일하도록 적층하여 상호 등방성을 갖게 된다.
따라서, 상기 금속박판(10)의 강성에 비해 보다 큰 강성을 소유하고 있는 상기 복합재료(20)가 상기 금속박판(10)에 적층 및 부착됨으로써, 상기 금속박판(10)의 강성을 보강할 수 있다.(S110)
그리고, 상기 복합재료(20)의 노출면에 경면을 전사할 금형(30)을 압착하는데, 압착이전에 미리 탈형재를 상기 금형(30)에 도포함으로써, 가공 이후에 복합재료(20)로부터의 이탈을 용이하게 할 수 있다.
이러한, 상기 금형(30)은 상기 노출면에 맞닿는 면이 연삭 및 연마가공을 거쳐 경면처리된 것으로 이렇게 경면처리된 부분을 상기 복합재료(20)에 전사하여 상기 복합재료(20)의 노출면이 경면처리되도록 할 수 있다.(S120)
아울러, 상기 금형(30)과 상기 금형(30)에 의해 압착된 복합재료(20) 및 금속박판(10)을 나일론 재질의 진공백(40)으로 포장한 뒤, 진공펌프(미도시)로 안측의 공기를 뽑아내어 진공처리하고, 상기 금형(30)의 가압 및 복합재료(20)의 가열을 위하여 오토클레이브(50, Autoclave)에 넣어 정착시킨다.
이러한 상기 오토클레이브(50)는 온도와 압력을 제어할 수 있는 일종의 오븐으로서, 이에 상기 진공백(40) 포장 및 진공처리를 더함으로써, 상기 복합재료(20) 및 금속박판(10)의 표면에 보다 균일한 압력이 가해질 수 있다.(S130)
그리고, 상기 오토클레이브(50)를 전기적으로 연결된 컴퓨터(60)로 원격 제어하여 그 안의 온도 및 압력을 서서히 변화시킨다.
이 때 상기 오토클레이브(50)의 온도범위는 약 80 내지 120℃ 정도이며, 압력 범위는 대기압 기준으로 약 0.6MPa 정도이다.
그러면, 상기 금형(30)은 상기 복합재료(20) 및 금속박판(10)을 압박하게 됨으로써, 금형(30)의 경면처리된 부분이 밀착된 복합재료(20) 표면에 전사될 수 있다.
아울러, 상기 복합재료(20)의 접착성 수지재는 상기 온도범위에서 점차적으로 점도가 낮아지면서 유동성을 갖게 되는데, 가열과 동시에 이루어진 가압으로 잉여 레진이 외부로 분출되어 나오게 된다.
그리고, 상기 온도범위에 포함되는 임계온도에 이르러서는 상기잉여 레진이 상기 금속박판(10)과 함께 경화되면서 접착될 수 있다.
이러한, 상기 복합재료(20)의 접착 또는 적층방법을 통상적으로 동시경화법이라 하며, 부수적인 접착재의 도포없이도 임계온도 이상으로 가열함으로써 인접한 물질에 접착될 수 있다.(S140)
다음으로 상기 오토클레이브(50)에서 금형(30)과 금형(30)에 압착된 복합재료(20) 및 금속박판(10)을 꺼낸 후, 상기 금형(30)을 탈형하여 제거한다.
그리고, 레이져 절단기(미도시) 또는 워터젯 커팅기(미도시)를 사용하여 소망하는 형상 및 치수에 맞게 절단하여 더미 웨이퍼(100)를 완성한다.(S150)
또한, 이에 더하여 상기 더미 웨이퍼(100)의 복합재료(20) 표면에 무전해도금(Electroless Plating)과정을 통해 니켈 또는 구리를 도금한 뒤, 전해도금 (Electrochemical Plating)과정을 통하여 상기 니켈 또는 구리에 전자기적으로 대응하는 크롬을 상기 복합재료(20) 표면에 도금함으로써, 정전기 발생을 억제할 수 있도록 도체화된다.
이러한 상기 무전해도금은 일명 화학도금이라 불리우는 것으로 외부로부터 전기에너지를 공급받지 않은 상태에서 상기 니켈 또는 구리 수용액 중의 금속이온을 포름알데히드나 하이드리진 같은 환원제의 힘에 의해 자기 촉매적으로 환원시켜 상기 복합재료(20) 표면 위에 금속을 석출시키는 것이다.
이러한 상기 무전해도금 이후에는 상기 복합재료(20) 표면에 석출된 상기 니켈 또는 구리를 음극으로 하고 이에 전자기적으로 대응하는 크롬을 양극으로 하여, 크롬 이온을 함유한 전해액에 상기 더미 웨이퍼(100)를 수장한 뒤, 전류를 인가함으로써, 상기 크롬이 상기 니켈 또는 구리로 도금된 복합재료(20) 표면에 전착된다.(S160)
상기와 같은 도 1에서의 제조방법은 반도체 웨이퍼의 모조품 또는 모형품인 더미 웨이퍼(100)를 상기 반도체 웨이퍼에 비해 비교적 큰 치수로 제작할 경우 시행하는 방법으로 더미 웨이퍼 제조방법의 최종단계에서 소망하는 치수 및 크기로 절단하게 된다.
아울러, 다음으로는 본 발명에 따른 더미웨이퍼 제조방법의 제 2공정실시예에 관하여 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명에 따른 더미 웨이퍼 제조방법의 제 2공정실시도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 우선 더미 웨이퍼(100) 성형 이전에 금속박판(10) 및 복합재료(20)를 모조하고자 하는 반도체 웨이퍼의 형상 및 치수에 기초하여 절단한 뒤, 상기 금속박판(10)에 대해 상호 등방성을 갖도록 복합재료(20)를 적층한다.
이러한, 상기 금속박판(10)은 성형되어진 방향으로 이방성을 갖기 때문에, 성형방향으로 굽힘 되기가 쉽다.
따라서, 상기 복합재료(20)의 섬유재 배열방향이 상기 금속박판(10) 성형방향과 동일하도록 적층하여 상호 등방성을 갖도록 할 수 있다.
또한 이를 통해 상기 금속박판(10)의 비교적 낮은 강성을 상기 복합재료(20)의 적층으로 보완할 수 있으며, 상기 금속박판(10)의 굽힘 현상 또한 방지할 수 있다.(S210)
다음으로 상기 복합재료(20)와 직경이 동일하며 표면이 경면처리된 금형(30)을 상기 복합재료(20)에 압착하는데, 이 때 압착 이전에 미리 상기 금형(30)에 탈형재를 도포하여 추후 탈형이 용이하도록 한다.
이러한 상기 금형(30)은 연삭과정과 연마과정을 거쳐 경면처리된 것으로 이후의 가압과정을 통해 금형(30)의 경면처리부분이 상기 복합재료(20) 표면에 전사되도록 하여 상기 복합재료(20) 표면이 실제 반도체 웨이퍼의 표면처럼 경면화 되도록 하는 것이다.(S220)
아울러, 상기 금형(30)을 포함한 상기 복합재료(20) 및 금속박판(10) 전체를 나일론 재질의 진공백(40)으로 포장한 뒤, 진공펌프로 안측의 공기를 뽑아내어 진공처리하고, 오토클레이브(50)에 넣어 정착시킨다.(S230)
그리고, 상기 오토클레이브(50)에 전기적으로 연결되어 있는 컴퓨터(60)로 상기 오토클레이브(50)를 원격제어하여 내부의 온도 및 압력을 서서히 변화시킨다.
이 때, 상기 온도범위는 약 80 내지 120℃ 정도이고, 압력범위는 약 0.6MPa 정도이다.
아울러, 이러한 가압을 통해 상기 금형(30)은 상기 복합재료(20)의 표면을 압박하면서 경면처리된 부분이 상기 복합재료(20) 표면에 전사된다.
그리고, 상기 복합재료(20)의 접착성 수지재는 상기 온도범위에 이르러 점도가 저하되어 유동성을 지니게 되면서 상기 가압에 의해 잉여 레진이 분출되는데, 이러한 잉여 레진이 상기 온도범위 내에 포함되는 임계온도에 다다르게 되면, 금속박판(10)과 더불어 경화되어 결국 상기 복합재료(20)에 접착될 수 있다.(S240)
그리고, 상기 금형(30)을 포함하여 상기 복합재료(20) 및 금속박판(10)을 오토클레이브(50)에서 꺼낸 후, 상기 금형(30)을 탈형하여 더미 웨이퍼(100)를 완성한다.(S250)
이에 덧붙여 완성된 상기 더미 웨이퍼(100)의 표면에 무전해도금과정으로 니켈 또는 구리를 도금한 뒤, 상기 니켈 또는 구리에 전자기적으로 대응하는 크롬을 전해도금과정으로 도금함으로써 도체화한다.
이를 통해 보다 정밀한 작업환경이 요구되는 반도체 개발장비 테스팅 과정에서의 정전기 발생을 억제할 수 있다.(S260)
이상에서의 더미 웨이퍼 제조방법은 모조하고자 하는 반도체 웨이퍼에 비해 크기가 동일한 더미 웨이퍼(100)를 제조하고자 할 경우 시행하는 방법이다.
상기와 같은 본 발명에 더미 웨이퍼와 그 제조방법에서, 상기 복합재료(20)는 금형(30)으로 압착되어 경면이 전사되는것 이외에, 표면이 경면처리된 고온 고압의 압착프레스에 의해 압착되어 경면처리될 수 있다.
아울러, 상기 페놀 수지나 에폭시 수지 외에, 폴리에스터(Polyester)수지, 비닐에스터(Vinylester)수지 등에서 임의로 택일하여 사용할 수 있다.
그리고, 상기 금속박판(10)은 재질이 구리 외에, 아연, 크롬, 니켈, 철 등과 같은 금속재질 중에서 임의로 택일하여 사용할 수 있다.
또한, 상기 더미 웨이퍼(100)의 크기 및 형상은 모조하고자 하는 반도체 웨이퍼에 기초하여 변경될 수 있다.
이상에서와 같은 본 발명에 따른 더미웨이퍼와 그 제조방법에 따르면, 강성및 인성을 겸비하는 복합재료를 더미 웨이퍼의 경면에 해당하는 부분에 이용하였기 때문에, 기존 더미 웨이퍼의 취성을 극복하여 보다 장기간의 사용이 가능한 특징이 있다.
아울러, 기존의 복합재료 가공에 사용되었던 동시경화법 및 오토클레이브를 활용하기 때문에, 보다 저렴한 생산경비가 소요되며, 공정 또한 단순하므로 제작 및 생산이 용이한 효과가 있다.
비록 본 발명이 상기에서 언급한 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 본 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다른 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 첨부된 청구의 범위는 본 발명의 진정한 범위내에 속하는 그러한 수정 및 변형을 포함할 것이라고 여겨진다.

Claims (16)

  1. 접착성 수지재에 섬유재가 일렬로 함침되어 이루어진 복합재료(20)를 소정크기의 금속박판(10)에 상호 등방성을 갖도록 적층하는 단계(S110);
    경면처리된 금형(30)에 탈형재를 도포한 뒤, 상기 복합재료(20)의 노출면에 압착하는 단계(S120);
    상기 금형(30)과 더불어 상기 복합재료(20) 및 금속박판(10)이 포함되도록 진공백(40)으로 포장하고, 진공펌프로 상기 진공백(40) 안측의 공기를 뽑아내어 진공처리한 뒤, 오토클레이브(50)내에 정착하는 단계(S130);
    상기 오토클레이브(50) 내의 압력 및 온도를 상승시켜 금형(30)의 경면이 복합재료(20)에 전사되도록 가압하는 동시에 상기 접착성 수지재가 경화되도록 가열하는 단계(S140);
    상기 금형(30)으로부터 상기 복합재료(20) 및 금속박판(10)을 탈형한 뒤, 소망하는 치수 및 형상에 맞게 레이져 절단기 또는 워터젯 커팅기로 절단하여 더미 웨이퍼로 완성하는 단계(S150);로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 더미 웨이퍼의 표면에 무전해도금(Electroless Plating)으로 니켈 또는 구리를 전착시킨 뒤, 상기 니켈 또는 구리에 전자기적으로 상응하는 크롬을 전해도금(Electrochemical Plating)으로 전착하여 도체화하는 단계(S160);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 섬유재는 탄소섬유로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 섬유재는 유리섬유로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 수지재는 에폭시 또는 페놀수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 금속박판(10)은 구리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법.
  7. 제 1항의 방법에 기초하여 제조되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼.
  8. 제 2항의 방법에 기초하여 제조되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼.
  9. 접착성 수지재에 섬유재가 일렬로 함침된 복합재료(20) 및 소정크기의 금속박판(10)을 동일한 형상 및 치수로 절단한 뒤, 상호 등방성을 갖도록 적층하는 단계(S210);
    경면처리된 금형(30)에 탈형재를 도포한 뒤, 상기 복합재료(20)의 노출면에 압착하는 단계(S220);
    상기 금형(30)과 더불어 상기 복합재료(20) 및 금속박판(10)이 포함되도록 진공백(40)으로 포장하고, 진공펌프로 상기 진공백(40) 안측의 공기를 뽑아내어 진공처리한 뒤, 오토클레이브(50)내에 정착하는 단계(S230);
    상기 오토클레이브(50) 내의 압력 및 온도를 상승시켜 금형(30)의 경면이 복합재료(20)에 전사되도록 가압하는 동시에 상기 접착성 수지재가 경화되도록 가열하는 단계(S240);
    상기 금형(30)으로부터 상기 복합재료(20) 및 금속박판(10)을 탈형하여 더미 웨이퍼로 완성하는 단계(S250);로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 더미 웨이퍼의 표면에 무전해도금(Electroless Plating)으로 니켈 또는구리를 전착시킨 뒤, 상기 니켈 또는 구리에 전자기적으로 상응하는 크롬을 전해도금(Electrochemical Plating)으로 전착하여 도체화하는 단계(S260);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 섬유재는 탄소섬유로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 섬유재는 유리섬유로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 수지재는 에폭시 또는 페놀수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법.
  14. 제 9항에 있어서,
    상기 금속박판(10)은 구리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법.
  15. 제 9항의 방법에 기초하여 제조되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼.
  16. 제 10항의 방법에 기초하여 제조되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼.
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