CN110774676B - 壳体组件、制备方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了壳体组件、制备方法和电子设备。该方法包括：制备陶瓷基体，所述陶瓷基体具有一个底部，以及与所述底部相连的侧壁；提供缓冲层，所述缓冲层的尺寸与所述陶瓷基体相一致；将所述缓冲层和所述陶瓷基体置于仿形模具内进行热压成型处理，以获得所述壳体组件。该方法获得的壳体组件具有陶瓷质感的外观，且壳体组件的总质量较小，壳体组件耐冲击性较好，且该方法获得的壳体组件可具有较好的外观形态，无严重的由于应力释放而导致的变形扭曲。

Description

壳体组件、制备方法和电子设备
技术领域
本申请涉及电子技术领域，具体的，涉及壳体组件、制备方法和电子设备。
背景技术
随着材料和电子技术的发展，用户对于电子设备外观的要求也随之提高。并且，由于5G通讯的需求，不导电材料构成的壳体被越来越广泛的应用于各类电子设备中。陶瓷材料由于具有良好的外观质感以及手握质感，以及不导电可满足5G通讯需求的特征逐渐被应用于电子设备的壳体中。然而，陶瓷材料形成的壳体质量较重，不利于减轻电子设备的中体质量，且陶瓷材料形成的壳体组件较脆，耐冲击性不足，导致壳体组件的使用寿命较低。
因此，目前的壳体组件，特别是陶瓷壳体组件、制备方法和电子设备仍有待改进。
发明内容
本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
在本申请的一个方面，本申请提供了制备壳体组件的方法。该方法包括：制备陶瓷基体，所述陶瓷基体具有一个底部，以及与所述底部相连的侧壁；提供缓冲层，所述缓冲层的尺寸与所述陶瓷基体相一致；将所述缓冲层和所述陶瓷基体置于仿形模具内进行热压成型处理，以获得所述壳体组件。该方法获得的壳体组件具有陶瓷质感的外观，且壳体组件的总质量较小，壳体组件耐冲击性较好，且该方法获得的壳体组件可具有较好的外观形态，无严重的由于应力释放而导致的变形扭曲。
在本申请的另一方面，本申请提出了一种壳体组件。该壳体组件包括：陶瓷基体，所述陶瓷基体具有底部以及和所述底部相连的侧壁，所述底部和所述侧壁限定出壳体容纳空间；以及缓冲层，所述缓冲层位于所述陶瓷基体朝向所述壳体容纳空间一侧的表面，所述缓冲层覆盖所述陶瓷基体的底部以及所述侧壁，所述壳体组件的厚度为0.45～0.65mm。该壳体组件具有陶瓷质感的外观，且壳体组件的总质量较小，壳体组件耐冲击性较好，且具有较好的外观形态，无严重的由于应力释放而导致的变形扭曲。
在本申请的又一方面，本申请提出了一种电子设备。该电子设备包括：前面所述的壳体组件；显示屏以及主板，所述显示屏和所述主板相连，且所述显示屏以所述主板均收纳于所述壳体组件的容纳空间内。该电子设备具有外观质感较好、壳体无严重的由于应力释放而导致的变形扭曲，整体质量较轻等优点的至少之一。
附图说明
图1显示了根据本申请一个示例的制备壳体组件的方法的流程示意图；
图2显示了根据本申请一个示例的制备壳体组件的方法的流程示意图；
图3显示了根据本申请一个示例的制备壳体组件的截面结构示意图；
图4显示了根据本申请一个示例的制备壳体组件的方法中热压成型处理的示意图；
图5显示了根据本申请一个示例的壳体组件的结构示意图；
图6显示了根据本申请一个示例的壳体组件的纵剖面结构示意图；
图7显示了根据本申请一个示例的电子设备的结构示意图；
图8显示了根据本申请示例1的壳体组件的平面扫描CAV结果图；
图9显示了根据本申请对比例2的壳体组件的平面扫描CAV结果图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
在本申请的一个方面，本申请提供了一种制备壳体组件的方法。该方法采用厚度较薄的陶瓷基体和缓冲层结合，可大幅降低壳体组件的整体质量，并提升壳体组件的耐冲击性能。并且，通过将陶瓷基体和缓冲层在模具中热压成型的方式，可缓解将陶瓷基体以及缓冲层进行结合时由于应力释放而导致的壳体基体表面发生的整体3D形态扭曲失真等不良。
为了方便理解，下面首先对该方法能够实现上述有益效果的原理进行说明：
如前所述，陶瓷材料构成的电子设备壳体具有质量较重、质脆等缺点。例如，用作电池盖的陶瓷壳体的厚度为0.45mm时，6.5吋3D形态的ZrO2陶瓷后盖重量约为32g。而厚度为0.55mm的同样尺寸的玻璃后盖重量仅为18g，两者相差14g，这严重影响到手机整机重量。与此同时，在做单体测试的落球实验显示0.55m厚度的钢化后的玻璃盖板可承受的落球高度约为75～85mm，而0.45mm氧化锆陶瓷的落球高度仅为65～70mm，耐冲击特性不足。虽然质量过重的问题可以通过将陶瓷壳体的陶瓷层减薄，在陶瓷层内侧(朝向电子设备内部的一侧)贴合由玻璃纤维等材料形成的缓冲层得到一定程度的改善，但这一方案目前仅能够适用于2D或2.5D形态的后盖：在贴合缓冲层时，贴合的方式能够实现平面贴合，但针对弯曲程度较大的形态(如3D后盖)，需要先将缓冲层热弯固化成为3D状态，再喷涂胶水与3D的陶瓷贴合固化。该工艺容易在与陶瓷贴合固化过程中出现扭曲，即在贴合固化的第二次加热过程中，玻纤板第一次热弯过程中存在的应力会释放，导致贴合后整体3D形态扭曲失真。本申请所提出的方法通过在热压模具中实现陶瓷基体和缓冲层的复合，可利用模具限制玻纤材料与陶瓷的应力释放，令最终形成的壳体组件的外观与模具形状保持一致，从而缓解应力释放导致的壳体形状扭曲。
具体地，参考图1，根据本申请示例的方法可包括以下步骤：
S100：制备陶瓷基体，所述陶瓷基体具有底部以及与所述底部相连的侧壁
根据本发明的实施例，在该步骤中，首先制备具有侧壁和底部的陶瓷基体。陶瓷基体可以具有平面或是曲面的底部，侧壁的数量可以为2个，也可以为4个。例如，具体地参考图3，底部110以及侧壁(如图中所示出的120A以及120B)之间可以具有较大的折弯角，也即是说，该步骤制备的陶瓷基体经过后续处理获得的壳体组件，可以是集电子设备的后壳以及侧壁(中框)一体化的壳体。该步骤中形成的陶瓷基体的厚度可以较薄，例如可以为0.25～0.33mm。陶瓷基体侧壁的厚度和底面的厚度可以相等，也可以不相等。
例如，根据本申请一些具体的示例，参考图2，制备陶瓷基体可以具体包括：
S110：采用干压压制法制备陶瓷胚体
具体地，在该步骤中可利用包括但不限于干压成型的工艺，将陶瓷粉填充在金属模腔中，并施加适当压力以形成具有特定形状的陶瓷胚体。更具体地，进行干压压制成型之后，还可以对获得的陶瓷胚体进行排胶烧结处理。该步骤中陶瓷胚体的具体化学组成，本领域技术人员可根据最终获得的壳体组件的性能要求进行选择，而不受特别限制。
S120：对所述陶瓷胚体进行修整
根据本发明的示例，该步骤中可对经过排胶烧结处理的陶瓷胚体进行修整，并将陶瓷胚体的厚度减薄至0.25～0.33mm，以形成所述陶瓷基体。例如具体地，可通过包括但不限于数控机床切割(CNC)的工艺，对陶瓷胚体的形状进行修整，以获得和设计的预定尺寸相符的陶瓷基体。具体地，在进行CNC工艺之后，还可通过包括但不限于平面磨设备进行减薄。由此，可获得形状、尺寸可控且厚度较薄的陶瓷基体。经过平面磨处理之后的陶瓷基体可以进行清洗、去除表面污渍、烘干等处理备用。
S200：提供缓冲层
根据本发明的实施例，在该步骤中制备缓冲层。缓冲层可以具有与陶瓷基体一致的尺寸，以便进行后续的热压成型处理。缓冲层的具体材料不受特别限制，本领域技术人员可根据最终获得壳体组件的性能要求进行选择。例如，缓冲层可由树脂、塑料等材料形成，只要能够改善陶瓷基体的脆质特性，提升壳体组件的耐冲击性能即可。例如，根据本申请的一些具体示例，缓冲层可以是由玻璃纤维材料形成的。玻纤材料形成的缓冲层可以更好的提升壳体组件耐冲击性能，并且由玻纤材料形成的缓冲层也具有更好的机械强度。由此，可进一步提升该壳体组件的整体性能。
根据本申请的一些具体示例，参考图2，缓冲层可以是通过以下步骤获得的：
S210：对玻璃纤维布进行预处理
根据本发明的实施例，在该步骤中，对玻璃纤维布进行预处理，例如可将玻璃纤维布浸泡在胶水中并固化。
具体地，预处理可以包括：将玻璃纤维布置于胶水中进行浸泡。胶水可以是由树脂材料形成的，并将其加热至熔融状态下对玻璃纤维布进行浸泡。根据本申请的一些示例，胶水包括环氧酚醛树脂，浸泡的温度可以为100～180摄氏度，浸泡的时间可以为1～15分钟。由此，可令玻璃纤维布充分吸收熔融状态的树脂胶水。随后可在玻璃纤维布的两侧表面均包覆硅油膜。然后，通过辊压去除玻璃纤维布吸附的多余的胶水，最后对玻璃纤维布进行冷却，以令胶水固化。根据本申请的一些示例，经过辊压固化的玻璃纤维布的厚度可以为0.2～0.4mm。也即是说，可在该步骤中控制选用的玻璃纤维布的厚度以及预处理的参数，以令最终形成的缓冲层的厚度为0.2～0.4mm。
S220：对经过所述预处理的所述玻璃纤维布进行切割处理
在该步骤中，对经过预处理的玻璃纤维布进行切割处理，以获得尺寸与陶瓷基板相符的缓冲层。具体地，在该步骤中可以玻璃纤维布的边缘进行切割，以获得面积与陶瓷基板面积相一致的缓冲层。如前所述，缓冲层的厚度可以为0.2～0.4mm。该步骤中的切割处理可以不对所述玻璃纤维布进行减薄，而是仅通过切割处理获得面积与陶瓷基板一致的缓冲层。需要特别说明的是，在本申请中，“相一致”、“相匹配”等应做广义理解，即该步骤中提供的缓冲层与陶瓷基体相接触一侧的面积，和陶瓷基体与缓冲层相接触一侧的面积基本相等，也包括缓冲层的面积略大于陶瓷基体的情况。例如，根据本申请的一些具体示例，切割处理时，可以令形成的缓冲层的每个边缘均预留出10～20mm的余量。由此，可防止由于该步骤中提供的缓冲层面积过小而导致热压成型处理之后陶瓷基体的边缘存在未被缓冲层覆盖的部分。预留出的余量可以在热压成型处理之后的整形步骤中去除。
此处需要特别说明的是，制备陶瓷基体和制备缓冲层的步骤可以互换，即可以先制备陶瓷基体再制备缓冲层，也可以先制备缓冲层再制备陶瓷基体。或者，也可以采用满足前面描述的方法获得的陶瓷基体和缓冲层进行后续处理。
S300：将所述缓冲层和所述陶瓷基体置于仿形模具内进行热压成型处理，以获得所述壳体组件
根据本申请的示例，在该步骤中将前面获得的陶瓷基体和缓冲层置于仿形模具中进行热压成型处理。具体地，可以在陶瓷基体以及缓冲层之间设置包括但不限于树脂等材料形成的胶水，以在热压成型过程中将陶瓷基体和缓冲层粘结在一起，例如利用树脂等材料在热压成型过程中的固化过程实现陶瓷基体和缓冲层的粘结在该步骤中，将缓冲层和陶瓷基体粘结的过程中，胶水、缓冲层和陶瓷基体均处于模具中，在模具中受热，缓冲层应力释放，随后的冷却固化过程受到模具的限制，因此这一个过程中的陶瓷基体和缓冲层的应力释放会受到模具的限制，进而可以缓解由于应力释放导致的壳体组件外形扭曲，最终获得与模具形状保持一致，也即是与预先设计好的尺寸、形状保持一致的壳体组件。
此处需要特别说的是，该步骤中“热压成型”仅表示在模具的限制以及一定的压力、温度下，将缓冲层仿形为与陶瓷基体内表面(朝向壳体容纳空间的一侧)一致的形状，并将缓冲层与陶瓷基体相贴合固定的过程，而非对陶瓷基体进行二次成型。
根据本申请的具体实施例，在该步骤中，还可以在陶瓷基体以及模具之间，和缓冲层以及模具之间处设置硅胶缓冲套。由此，可进一步提升陶瓷基体以及缓冲层之间贴合的效果。具体地，参考图4，陶瓷基体的侧壁以及底部之间限定出壳体容纳空间，仿形模具可包括相配合的第一模具400以及第二模具300，第一模具和第二模具之间限定出成型空间，缓冲层200置于第一模具400一侧，陶瓷基体100置于第二模具300一侧，第二模具300朝向成型空间一侧的表面具有与陶瓷基体100远离壳体容纳空间一侧的表面相匹配的形状，第一模具400和缓冲层200之间设置有硅胶缓冲套500。由此，可依靠硅胶缓冲套500排出贴合过程中产生的气泡，并令缓冲层以及陶瓷基体之间贴合更加紧密。同时，可以让陶瓷基体与仿形模具之间无相对变形，进而在热压成型之后，获得的壳体组件的外表面的形状一致性更高。
根据本申请的一些示例，硅胶缓冲套500的邵氏硬度可以为65～75HSD。发明人发现，硬度在上述范围内的硅胶缓冲套的硬度适中，既不会出现由于硬度过大而导致仿形模具以及缓冲层之间无形变流动能力，无法排出气泡的情况，也不会出现由于硬度过小，硅胶缓冲套流动性太强，而造成陶瓷基体内部整体受力均一性太差，降低该方法的产品良率。
根据本申请的实施例，粘合陶瓷基体以及缓冲层的胶水可以是在将缓冲层和陶瓷基体置于仿形模具内之前喷涂的。具体地，可预先在缓冲层上喷涂固化溶液。根据本申请的一些示例，固化溶液可为包括环氧酚醛树脂和固化剂的混合液，混合溶液中所述环氧酚醛树脂和固化剂的质量比可以为(100:1)～(100:15)，例如可以为100:5，100:8，100:10，或是100:12，根据本申请一些具体的示例，固化剂可以包括双氰氨。上述组分的固化溶液可将缓冲层，特别是玻纤材料形成的缓冲层与陶瓷基体较为牢固的粘附在一起。喷涂固化溶液可以采用喷淋的方式进行，以缓冲层表面布满固化溶液为准。
根据本申请一些具体的示例，热压成型处理时的模具温度可以为模具内树脂材料的热固化温度，例如可以为120～180摄氏度，模具温度在上述范围内时可以较好地控制树脂材料(如固化溶液中的树脂以及缓冲层中浸渍的树脂)的流动性，使得其既可以具有足够的流动性以铺满整个陶瓷基体的表面。发明人发现，模具温度过高则会造成玻纤碳化，导致壳体组件的强度降低。而模具温度过低，则胶水(树脂)无法固化。热压成型处理时的模具内压强可为0.5～10MPa，保压时间为1～100分钟。例如，压强可以为1MPa，3MPa，5MPa，6MPa，7MPa，8MPa，9MPa等等。保压时间可根据压强调节，压强较大时可适当缩短保压时间。例如，保压时间可以为10分钟、15分钟、30分钟、40分钟、45分钟、55分钟、80分钟等等。由于缓冲层，例如玻纤缓冲层在热压的初始状态下为平板状的，因此需要通过模具合模，来达到与陶瓷仿形的目的。此时如果模具压力太高，则容易出现陶瓷基体碎裂，模具压力太低则玻纤缓冲层与陶瓷贴合不够紧密。当模具内压强在上述范围内时，可以较好地实现缓冲层的仿形，同时防止陶瓷基体碎裂。
根据本申请的示例，参考图2，所热压成型处理之后，还可以包括：
S310：去除多余的所述缓冲层
根据本申请的示例，在该步骤中，可利用包括但不限于数控机床切割、激光切割等方式，去除热压成型之后溢出陶瓷基体边缘的缓冲层以及熔融固化的树脂胶水等材料。由此，可获得边缘齐整的壳体组件。前述步骤中缓冲层边缘预留的余量也可在该步骤中同步去除。
进一步地，为了令该壳体组件的外观面(远离壳体组件容纳空间一侧的表面)具有更好的外观效果，该方法还可以包括：
S400：形成镀膜层以及抗指纹层
根据本申请的示例，在该步骤中可以在陶瓷基体远离缓冲层的一侧形成镀膜层。镀膜层可覆盖陶瓷基体的部分表面，并具有特定的图形，例如商标(LOGO)图案等。镀膜层的组成、颜色等均不受特别限制，本领域技术人员可根据需要进行选择。例如，可以为具有特定颜色的金属或合金的叠层，或是单层合金或金属。镀膜层可具有特定颜色，也可仅为具有金属光泽质感的半透明膜层。形成镀膜层的方式不受特别限制，可以通过溅射或是溅镀形成。
形成镀膜层之后，还可以在陶瓷基体远离缓冲层的一侧形抗指纹层，由此可提升壳体组件抗油污的能力。抗指纹层的具体组成和形成方式不受特别限制，本领域技术人员可根据实际需要进行选择。根据本申请的一些示例，也可仅形成镀膜层和抗指纹层中的一个。
总的来说，本申请提出的方法可以在利用陶瓷材料高硬度，高强度的同时，提升壳体组件的落球强度。根据本申请示例的陶瓷壳体组件的扭曲变形可以得到改善，并能够将陶瓷壳体组件的整体厚度控制在0.45～0.65mm厚度，同时降低壳体组件的整体质量。例如，以6.5吋大小的壳体组件计算，壳体组件的整体重量可维持在20g～27g。
在本申请的另一方面，本申请提出了一种壳体组件。该壳体组件包括陶瓷基体以及缓冲层，陶瓷基体具有底部以及和底部相连的侧壁，底部和侧壁限定出壳体容纳空间，缓冲层位于陶瓷基体朝向壳体容纳空间一侧的表面，缓冲层覆盖陶瓷基体的底部以及侧壁，壳体组件的厚度为0.45～0.65mm。该壳体组件采用厚度较薄的陶瓷基体和缓冲层结合，可大幅降低壳体组件的整体质量，并提升壳体组件的耐冲击性能。
根据本申请的一些示例，陶瓷基体的厚度与缓冲层的厚度之差可控制在不大于0.1mm，例如，具体地，陶瓷基体的厚度可以为0.25～0.3mm，缓冲层的厚度可以为0.2～0.3mm。缓冲层可以是经过树脂胶水浸泡的玻璃纤维布构成的。具体地，以6.5吋大小的壳体组件计算，壳体组件的整体重量可维持在20g～27g。需要特别说的是，本申请提出的壳体组件的尺寸不限于上述6.5吋的大小，本领域技术人员可根据电子设备的尺寸确定壳体组件的尺寸。相应地，壳体组件的整体重量也随尺寸的改变而改变。本申请提出的壳体组件可通过调整陶瓷基体的厚度，以及缓冲层的厚度达到降低壳体组件整体质量的效果，同时还可保证壳体组件整体强度维持相关技术中陶瓷壳体所具有的强度，并同时提升耐冲击性能。
根据本申请的一些示例，参考图5以及图6，该壳体组件的陶瓷基体100一侧为壳体组件1000的外观面，由此一方面可令该壳体组件具有陶瓷的外观，另一方面可为壳体组件提供较强的硬度。与此同时，位于内侧(朝向壳体组件容纳空间一侧)的缓冲层可提升壳体组件的耐冲击性能，改善陶瓷材料脆质而导致的壳体整体耐摔性能差的缺点。该壳体组件的陶瓷基体可以具有两个侧壁，也可以具有4个侧壁，即该壳体组件可具有两个侧壁，也可具有4个侧壁，为后壳和中框(侧边框)一体化的壳体。具体地，图6中所示出的壳体组件沿着A-A’方向的纵剖面可具有如图5中所示出的结构，缓冲层200覆盖陶瓷基体100的底部以及侧壁。在本申请的另一些示例中，壳体组件沿图6中所示出的B-B’方向的纵剖面也可具有如图5所示出的底部和侧壁的结构。
根据本申请的一些示例，该壳体组件可以是由前面所述的方法制备的。由此，该壳体组件具有前面描述的方法获得的壳体组件所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。例如，该壳体组件表面任意位置处的高度与预定高度之间的误差小于等于±0.06mm。壳体组件表面任意位置处的高度与预定高度之间的误差可通过包括但不限于平面扫描CAV测试获得，即通过对获得的壳体组件进行平面扫描CAV测试，获得的壳体组件表面的形状与预定形状之间的差异(可体现为各点处的高度差)，考察壳体发生扭曲变形的程度。需要特别说明的是，在本申请中“预定高度”特指壳体组件在制备之前设计蓝图中某一位置处的相对高度，或称为预定厚度。任意位置处的高度与预定高度之间的误差表示该壳体组件相对于预设的尺寸以及形状发生扭曲变形的程度，误差越小则实际获得的壳体组件中的扭曲变形的程度越小。
在本申请的另一方面，本申请提出了一种电子设备。参考图7，该电子设备2000包括前面所述的壳体组件1000，和显示屏以及主板(图中未示出)，显示屏和主板相连，且显示屏以主板均收纳于壳体组件1000的容纳空间内。由此，该电子设备具有外观质感较好、壳体无严重的由于应力释放而导致的变形扭曲，整体质量较轻等优点的至少之一。
下面通过具体的示例对本申请进行说明，本领域技术人员能够理解的是，下面的具体的示例仅仅是为了说明的目的，而不以任何方式限制本申请的范围。另外，在下面的示例中，除非特别说明，所采用的材料和设备均是市售可得的。如果在后面的示例中，未对具体的处理条件和处理方法进行明确描述，则可以采用本领域中公知的条件和方法进行处理。
实施例1制备壳体组件
制备陶瓷基体：采用干压压制法，并通过排胶烧结、CNC处理以及平磨减薄，获得具有一个底面以及4个侧壁，厚度为0.25mm的陶瓷基体。
制备缓冲层：将0.30mm的玻璃纤维布置于环氧酚醛树脂胶水中浸泡，加热温度为150摄氏度，令环氧酚醛树脂熔融，浸泡10min，后双面包覆硅油膜置于压辊机中辊压除去多余树脂，冷却待树脂固化，按照陶瓷后盖尺寸切割，单边留余量15mm。
热压成型：在仿形模具与缓冲层相接触一侧的模具上套设硅胶套，硅胶邵氏硬度为70HSD，在模具压合前玻纤板上喷淋环氧酚醛树脂和固化剂(双氰氨)混合液，质量比为100:10，喷淋以玻纤板表面布满混合液为准，模具温度为150℃，施加压强为5MPa，保压时长50min。
随后切割去除陶瓷边缘多余部分纤维，在陶瓷基体一侧表面进行PVD镀形成商标图案，并形成覆盖全部陶瓷基体表面(远离缓冲层一侧)的抗指纹膜。
实施例2制备壳体组件
其余操作同实施例1，所不同的是，在两个仿形模具(凸模一侧和凹模一侧)均套设硅胶套。
实施例3制备壳体组件
其余操作同实施例1，所不同的是，硅胶邵氏硬度为80HSD。
实施例4制备壳体组件
其余操作同实施例1，所不同的是，硅胶邵氏硬度为55HSD。
实施例5制备壳体组件
其余操作同实施例1，所不同的是，热压成型时模具温度为200℃。
实施例6制备壳体组件
其余操作同实施例1，所不同的是，热压成型时模具温度为80℃。
实施例7制备壳体组件
其余操作同实施例1，所不同的是，热压成型时压强为13MPa。
实施例8制备壳体组件
其余操作同实施例1，所不同的是，热压成型时压强为0.1MPa。
实施例9制备壳体组件
其余操作同实施例1，所不同的是，采用环氧树脂形成缓冲层，缓冲层在热压成型过程中实现与陶瓷基体的仿形以及成型固化。
对比例1制备壳体组件
采用厚度为0.45mm厚的陶瓷基体构成壳体组件。
对比例2制备壳体组件
陶瓷基体以及缓冲层材料同实施例1，所不同的是，不采用仿形模具，直接将缓冲层通过二次热固化的方式贴合在陶瓷基体上。热固化温度与实施例1中热压成型的模具温度相同。
对实施例1-9以及对比例1和对比例2制备的壳体组件进行落球冲击试验，实施例1-9获得的壳体组件能承受的落球高度均大于对比例1。实施例1-9中实施例5和实施例7的落球高度略低，发明人发现这主要是由于实施例5的缓冲层玻纤发生部分碳化而导致的，实施例7中由于模具压强较高，导致壳体局部的陶瓷出现裂纹，而导致壳体部分位置无法承受如实施例1的壳体组件可承受的落球高度。对比例2可承受的落球高度与实施例1-9大致一致。具体地，以实施例1获得的壳体组件为例，可承受的落球高度为85cm。而对比例1中获得的壳体组件为65mm。
对实施例1-9以及对比例2制备的壳体组件进行平面扫描CAV测试，以衡量壳体组件与预设的尺寸相比发生扭曲变形的程度。实施例1-9的壳体组件均可保持较好的壳体形态，扭曲变形较轻微，对比例2表面发生扭曲变形较为严重，具体请参考图8以及图9：图8以及图9中标记处的数字为该位置处的高度与预定高度之间的差值。高于预定高度为正值，低于预定高度为负值。因此，各点处标记的数值的绝对值越大，说明该位置处的扭曲变形约为严重。对比可知，实施例1的平面扫描CAV测试表明壳体组件各处的扭曲高度不高于0.06mm，而对比例2中壳体组件各处的扭曲程度较大，与预定高度之间的差值普遍偏高，最严重处的高度差在0.2mm以上。实施例3获得的壳体组件虽然陶瓷基体一侧无严重的扭曲变形，但由于硅胶套硬度过大，缓冲层贴合不如实施例1、2中的严密，存在部分气泡。类似地，实施例8获得的壳体组件在陶瓷基体一侧也无严重的扭曲变形，但由于模具压强较小，部分位置处的缓冲层与陶瓷基体贴合不如实施例1中获得的壳体组件的严密。
在本申请的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请而不是要求本申请必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (16)

1.一种制备壳体组件的方法，其特征在于，包括：
制备陶瓷基体，所述陶瓷基体具有一个底部，以及与所述底部相连的侧壁；
提供缓冲层，所述缓冲层的尺寸与所述陶瓷基体相一致；
将所述缓冲层和所述陶瓷基体置于仿形模具内进行热压成型处理，以获得所述壳体组件，
形成所述缓冲层包括：
对玻璃纤维布进行预处理，所述预处理包括：将所述玻璃纤维布置于胶水中进行浸泡，所述胶水是处于熔融状态下的；在经过所述浸泡的所述玻璃纤维布的表面包覆硅油膜，并辊压去除所述玻璃纤维布表面剩余的所述胶水；对去除所述剩余的胶水的所述玻璃纤维布进行冷却，以令所述胶水固化；
对经过所述预处理的所述玻璃纤维布进行切割处理，
其中，将所述缓冲层和所述陶瓷基体置于仿形模具内之前，预先在所述缓冲层上喷涂固化溶液，所述固化溶液包括环氧酚醛树脂和固化剂的混合液，所述混合液中所述环氧酚醛树脂和所述固化剂的质量比为(100:1)～(100:15)，
所述仿形模具和所述缓冲层之间，以及所述仿形模具和所述陶瓷基体之间的至少之一处，具有硅胶缓冲套，所述硅胶缓冲套的邵氏硬度为65～75HSD。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备陶瓷基体包括：
采用干压压制法制备陶瓷胚体，并对所述陶瓷胚体进行排胶烧结处理；
对经过所述排胶烧结处理的所述陶瓷胚体进行修整，并将所述陶瓷胚体的厚度减薄至0.25～0.33mm，以形成所述陶瓷基体。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为0.2～0.4mm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成的所述缓冲层的每个边缘均具有10～20mm的余量。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述玻璃纤维布的厚度为0.2～0.3mm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述胶水包括环氧酚醛树脂。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浸泡的时间为1～15分钟，浸泡温度为100～180摄氏度。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热压成型处理的模具温度为120～180摄氏度。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热压成型处理的压强为0.5～10MPa，保压时间为1～100分钟。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述固化剂包括双氰氨。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基体的侧壁以及底部之间限定出壳体容纳空间，所述仿形模具包括相配合的第一模具以及第二模具，所述第一模具和所述第二模具之间限定出成型空间，所述缓冲层置于所述第一模具一侧，所述陶瓷基体置于所述第二模具一侧，所述第二模具朝向所述成型空间一侧的表面具有与所述陶瓷基体远离所述壳体容纳空间一侧的表面相匹配的形状，所述第一模具和所述缓冲层之间设置有所述硅胶缓冲套。
12.根据权利要求1-11任一项所述的方法，其特征在于，所述热压成型处理之后，进一步包括以下步骤的至少之一：
在所述陶瓷基体远离所述缓冲层的一侧形成镀膜层；
在所述陶瓷基体远离所述缓冲层的一侧形成抗指纹层。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述镀膜层覆盖所述陶瓷基体的部分表面。
14.一种通过权利要求1-13任一项所述的方法制备的壳体组件，其特征在于，包括：
陶瓷基体，所述陶瓷基体具有底部以及和所述底部相连的侧壁，所述底部和所述侧壁限定出壳体容纳空间；以及
缓冲层，所述缓冲层位于所述陶瓷基体朝向所述壳体容纳空间一侧的表面，所述缓冲层覆盖所述陶瓷基体的底部以及所述侧壁，
其中，所述壳体组件的厚度为0.45～0.65mm。
15.根据权利要求14所述的壳体组件，其特征在于，所述壳体组件表面任意位置处的高度与预定高度之间的误差小于等于±0.06mm。
16.一种电子设备，其特征在于，包括：
权利要求14或15所述的壳体组件；
显示屏以及主板，所述显示屏和所述主板相连，且所述显示屏以所述主板均收纳于所述壳体组件的容纳空间内。
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