KR100436007B1

KR100436007B1 - Apparatus for improving chemical wetting on wafer and etch and etch method thereof

Info

Publication number: KR100436007B1
Application number: KR1019960029127A
Authority: KR
Inventors: 김진수
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 1996-07-19
Filing date: 1996-07-19
Publication date: 2004-10-14
Also published as: KR980011991A

Abstract

PURPOSE: An etch apparatus and an etch method are provided to improve the wetting and remove the generation of the unetch without adding an ashing process. CONSTITUTION: A loading unit(100) loads a wafer. A first rinse unit(110) rinses the wafer. A first dry unit(120) dries the rinsed wafer. A chemical part(130) coats a photoresist on the dried wafer. A second rinse unit(140) rinses the wafer on which the photoresist is coated. A second dry unit(150) dries the cleaned wafer. An unload unit(160) unloads the dried wafer.

Description

Etching Fixtures and Etching Methods

본 발명은 에치 설비 및 에치 방법에 관한 것으로, 더욱 상세히 말하자면, 웨이퍼에 화학적 웨팅 향상을 위한 설비 및 에치 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an etch facility and an etch method, and more particularly, to a facility and an etch method for improving chemical wetting on a wafer.

웨이퍼에 포토 레지스트를 입히는 것은 표면 처리부터 해서 벽에 페인트를 칠하는 것과 유사한다. 표면이 깨끗하고 건조해야 페인트가 잘 붙는 것과 같이, 웨이퍼도 깨끗하고 건조해야 포토 레지스트가 잘 붙는다.Coating photoresist on a wafer is similar to painting a wall from surface treatment. Just as the surface must be clean and dry for the paint to adhere well, the wafer must be clean and dry for the photoresist to adhere.

포토 레지스트 부착 불량으로 인한 공정상의 문제는 에치을 할 때의 언더컷이다. 에치 도중 막 제거에는 아랫쪽과 옆 쪽의 두 방향이 있다.A process problem due to poor photoresist adhesion is undercut when etched. There are two directions for membrane removal during etch: bottom and side.

두 방향으로 에치가 동일하게 진행되는 것을 등방성 에치라고 한다. 이렇게해서 패턴이 넓어지는데, 이때 포토 레지스트가 벗겨지면 에치되는 패턴의 크기가 넓어지며, 심한 경우 패턴이 변한다. 언더컷과 포토 레지스트 탈리가 일어나는 원인은 공정 관리의 불량, 공정 환경, 웨이퍼 표면, 포토 레지스트의 형태 등이다.양성 포토 레지스트는 음성보다 접착 특성이 나쁘다. 보통의 반도체 제조 공정라인은 포토 레지스트의 점착성을 높이기 위해 표면 처리 공정을 채택하고 있다. 마스킹 공정에 필요한 정확도의 수준과 기술 능력, 그리고 웨이퍼 마스킹스텝에 따라 회사마다 그 공정 순서와 공정 조건이 다르다. 그러나 입자없는 표면, 건조한 표면, 그리고 화학적으로 처리된 표면은 반드시 필요하다.The same progression of etch in two directions is called isotropic etch. In this way, the pattern is widened. When the photoresist is peeled off, the size of the pattern to be etched is widened. Undercut and photoresist stripping can be caused by poor process control, process environment, wafer surface, and photoresist. Positive photoresist has poor adhesive properties than negative. The normal semiconductor manufacturing process line adopts the surface treatment process to increase the adhesion of the photoresist. Depending on the level of accuracy required for the masking process, the technical capabilities, and the wafer masking step, different companies have different process sequences and process conditions. But particle-free, dry, and chemically treated surfaces are essential.

확산, 이온 주입, 화학 증착 및 금속 배선 공정은 보통 마스킹 스텝이 선행된다. 모든 공정은 깨끗하고 건조한 환경에서 행해진다. 보통 웨이퍼 표면은 포토레지스터층이 형성되기에 적당한 상태에 있다. 입자 오염이 많은 반응실에서 나온 웨이퍼나 높은 인 도핑을 한 웨이퍼, 또는 층 형성을 한 웨이퍼는 예외이다. 그런데 웨이퍼가 마스킹하는 곳으로 옮겨와야 하므로 그 동안 대기, 용기 혹은 취급으로부터 오염될 가능성이 크다. 이런 경우의 오염은 보통 화학적이 아니고 입자일 가능성이 크다.Diffusion, ion implantation, chemical vapor deposition, and metallization processes are usually preceded by masking steps. All processes are done in a clean and dry environment. Usually the wafer surface is in a state suitable for forming a photoresist layer. Exceptions are wafers from reaction chambers with high particle contamination, wafers with high phosphorus doping, or wafers layered. However, because the wafer must be moved to the masking area, it is likely to be contaminated from the atmosphere, the container, or the handling. Contamination in these cases is usually not chemical, but likely a particle.

그리고 웨이퍼에 다층 배선을 하게 되는데 각 층마다 패턴을 형성하기 위해서는 에치 공정에서 사용되는 화학 물질인 포토 레지스트등이 유리 기판에 잘 웨팅되어야 된다. 왜냐하면 포토 레지스트가 언하는 부분에 제대로 도포되어야 에치이 제대로 이루어지기 때문이다.In order to form a pattern for each layer, a photoresist, which is a chemical used in an etching process, must be well wetted to a glass substrate. This is because the photoresist must be properly applied to the frozen portion to etch properly.

제1도는 종래의 에치 설비 흐름도이다.1 is a flow chart of a conventional etch facility.

제1도에 도시한 바와 같이, 먼저 로드부(10)에 웨이퍼가 이동되어 옮겨지고, 다음, 케미칼부(12)에서 웨이퍼 위에 포토레지스트를 도포한다. 다음, 린스부(14)에서 세척을 하고, 다음 드라이부(16)에서 건조한 다음, 언로드부(18)에서 웨이퍼를 언로드한다.As shown in FIG. 1, the wafer is first moved to the rod section 10, and then the photoresist is applied onto the wafer in the chemical section 12. FIG. Next, the rinse section 14 is cleaned, the next dry section 16 is dried, and the unload section 18 unloads the wafer.

그러나 이러한 종래의 에치 설비 구조는 유리 기판 위에 에치 공정시 케미칼부(12)인 포토 레지스트등이 웨이퍼 위에 잘 웨팅되지 않아 언에치(unetch)가 쉽게 발생한다.However, such a conventional etch facility structure does not easily wet the photoresist, which is the chemical part 12, on the wafer during the etch process on the glass substrate, so that unetching occurs easily.

따라서 언에치 발생을 제거하기 위하여 에싱(ashing) 공정을 추가한다. 그러므로 에싱 공정 추가에 따른 비용 발생이 일어나며, 생산성 저하가 일어난다.Therefore, an ashing process is added to eliminate unetching. Therefore, there is a cost incurred by adding an ashing process and a decrease in productivity.

그러므로 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로 에싱 공정의 추가없이 웨팅을 향상하고 언에치 발생을 제거하기 위한 에치 설비 및 에치 방법을 제공하기 위한 것이다.Therefore, the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to provide an etch facility and an etch method for improving the wetting and eliminating the occurrence of unetching without the addition of an ashing process.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은,The present invention for achieving this object,

로드부에서 웨이퍼를 로드하는 단계;Loading a wafer in a load unit;

제1린스부에서 상기 웨이퍼를 세척하는 단계;Cleaning the wafer in a first rinse unit;

제1드라이부에서 상기 세척된 웨이퍼를 건조하는 단계;Drying the cleaned wafer in a first dry portion;

케미칼부에서 상기 건조된 웨이퍼 위에 포토레지스트를 도포하는 단계;Applying a photoresist on the dried wafer in a chemical portion;

제2린스부에서 상기 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 재세척하는 단계;Re-washing the photoresist-coated wafer in a second rinse portion;

제2드라이부에서 상기 재세척된 웨이퍼를 재건조하는 단계;Redrying the rewashed wafer in a second dry portion;

언로드부에서 상기 재건조된 웨이퍼를 언로드하는 단계Unloading the rebuilt wafer in an unloading unit

를 포함하는 에치 방법을 제공한다.It provides an etch method comprising a.

또한, 본 발명은,In addition, the present invention,

웨이퍼가 로드되는 로드부;A load unit in which a wafer is loaded;

상기 웨이퍼를 세척하는 제1린스부;A first rinse unit for cleaning the wafer;

상기 세척된 웨이퍼를 건조시키는 제1드라이부;A first dry part drying the washed wafer;

상기 건조된 웨이퍼 위에 포토 레지스트를 도포하는 케미칼부;A chemical unit for applying a photoresist on the dried wafer;

상기 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼를 재세척하는 제2린스부;A second rinse portion for re-cleaning the wafer to which the photoresist is applied;

상기 재세척된 웨이퍼를 재건조하는 제2드라이부;A second dry unit rebuilding the rewashed wafer;

상기 재건조된 웨이퍼가 언로드되는 언로드부;An unload unit in which the rebuilt wafer is unloaded;

를 포함하는 에치 설비를 제공한다.Provides an etch facility comprising a.

첨부한 도면을 참고로 하여, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

제2도는 본 발명의 실시예에 따른 에치 설비 흐름도이다.2 is a flowchart of an etch facility according to an embodiment of the present invention.

제2도에 도시한 바와 같이, 먼저 로드부(100)에 웨이퍼가 이동되어 옮겨지고, 다음, 제1린스부(110)에서 웨이퍼를 세척하고, 다음 웨이퍼를 제1드라이부(120)에서 건조한 다음, 케미칼부(130)에서 웨이퍼 위에 포토레지스트를 도포한다. 다음, 제2린스부 (140)에서 웨이퍼를 세척하고, 다음 제2드라이부(150)에서 웨이퍼를 건조한 다음, 언로드부(18)에서 웨이퍼를 언로드한다.As shown in FIG. 2, the wafer is first moved to the load unit 100, the wafer is washed in the first rinse unit 110, and the wafer is dried in the first dry unit 120. Next, the photoresist is coated on the wafer in the chemical unit 130. Next, the wafer is washed in the second rinse unit 140, the wafer is dried in the second dry unit 150, and the wafer is unloaded in the unload unit 18.

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 시각 설비는 에치 전 린스부 도입에 따른 웨팅을 향상시키는 효과가 있다.As such, the visual facility according to the embodiment of the present invention has an effect of improving the wetting due to the introduction of the rinse portion before etching.

제1도는 종래의 에치 설비 흐름도이고,1 is a flow chart of a conventional etch facility,

Claims

Loading a wafer in a load unit;

Cleaning the wafer in a first rinse unit;

Drying the cleaned wafer in a first dry portion;

Applying a photoresist on the dried wafer in a chemical portion;

Re-washing the photoresist-coated wafer in a second rinse portion;

Redrying the rewashed wafer in a second dry portion;

Unloading the rebuilt wafer in an unloading unit

Etching method comprising a.