KR100431988B1 - Method for removing particle of sog - Google Patents

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Abstract

본 발명은 SOG막의 미세 파티클 제거 방법에 관한 것으로, 고압 제거 공정 전에 1차 DI 린스 처리를 충분히 하여 SOG막을 친수화 처리한 후 DI 린스와 함께 고압 제거 공정을 실시하여 웨이퍼의 버퍼링으로 고압에 의한 파티클 생성을 억제하며, 고압 노즐압력과 스핀 속도를 조화시켜 웨이퍼 표면에 물방울이 튀지 않는 조건을 세팅하여 파티클 제거를 극대화함으로써 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The present invention relates to a method for removing fine particles of an SOG film, wherein the first DI rinse treatment is sufficiently performed before the high pressure removal process to hydrophilize the SOG film, and then the high pressure removal process is performed together with the DI rinse to buffer the wafer by buffering the wafer. By suppressing the generation, the high pressure nozzle pressure and the spin speed are set to maximize the particle removal by setting the condition that the droplet does not splash on the wafer surface, thereby improving the characteristics and reliability of the semiconductor device.

Description

ＳＯＧ막의 미세 파티클 제거 방법{METHOD FOR REMOVING PARTICLE OF SOG}Fine particle removal method of SOH film {METHOD FOR REMOVING PARTICLE OF SOG}

본 발명은 고압 제거 공정 전에 1차 DI 린스 처리를 충분히 하여 SOG막을 친수화 처리한 후 DI 린스와 함께 고압 제거 공정을 실시하여 웨이퍼의 버퍼링으로 고압에 의한 파티클 생성을 억제하며, 고압 노즐압력과 스핀 속도를 조화시켜 웨이퍼 표면에 물방울이 튀지 않는 조건을 세팅하여 파티클 제거를 극대화함으로써 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 SOG막의 미세 파티클 제거 방법에 관한 것이다.In the present invention, the first DI rinse treatment is sufficiently performed before the high pressure removal process to hydrophilize the SOG film, and then the high pressure removal process is performed together with the DI rinse to suppress the generation of particles due to the high pressure by buffering the wafer. The present invention relates to a method for removing fine particles of an SOG film that can improve the characteristics and reliability of a semiconductor device by maximizing particle removal by setting conditions under which water droplets do not splash on the wafer surface by matching speeds.

반도체 장치의 금속배선은 반도체 장치의 속도, 수율, 및 신뢰성에 큰 영향을 주기 때문에, 반도체 장치의 금속배선 형성 공정은 반도체 장치 제조 공정 중에 매우 중요한 위치를 차지하고 있다. 일반적으로, 반도체 장치는 그 집적도가 증가하고 내부 회로가 복잡해지는 추세에 부응하여 다층의 배선 구조를 가진다.Since metal wiring of a semiconductor device has a big influence on the speed, yield, and reliability of a semiconductor device, the metal wiring formation process of a semiconductor device occupies a very important position in the semiconductor device manufacturing process. In general, semiconductor devices have a multi-layered wiring structure in response to the trend of increasing their integration and increasing internal circuit complexity.

이러한 다층 금속배선의 형성 방법은 포토리소그래피(photolithography) 공정에서의 해상도(resolution)와 초점 심도(depth of focus)를 향상시키기 위하여 평탄화 공정을 수반한다. 특히, SOG(Spin On Glass)막을 사용하는 평탄화 공정은 비용이 작게 들고 공정이 간단하다는 등의 장점을 가지고 있어 평탄화 공정에 널리 사용되고 있다.The method of forming the multilayer metallization involves a planarization process in order to improve the resolution and depth of focus in a photolithography process. In particular, the planarization process using a spin on glass (SOG) film has advantages such as low cost and simple process, and thus is widely used in the planarization process.

도1은 SOG막의 베이크 후에 미세 파티클이 발생한 것을 나타내는 그림이다.1 is a diagram showing that fine particles are generated after baking of an SOG film.

반도체 기판 상에 도전층 패턴에 의해 제1도전층과 제1층간절연막을 증착하고, 이어서 Si-H 결합을 가진 무기 SOG막을 증착한 후 평탄화를 하게 되는데 평탄화 공정은 액체 상태의 SOG막을 도포한 후 용매 및 수분을 제거하기 위하여 약 150 - 400℃ 에서 베이크(bake)한다.The first conductive layer and the first interlayer insulating film are deposited on the semiconductor substrate by a conductive layer pattern, and then an inorganic SOG film having a Si-H bond is deposited and then planarized. The planarization process is performed by applying a liquid SOG film. Bake at about 150-400 ° C. to remove solvent and water.

이어, SOG막 베이크 후에 제 2 층간 절연막을 증착하게 되는데 Si-H 결합을 가진 무기 SOG 물질 베이크 공정후에 가스를 배출하고 나면 도1에 도시된 바와 같니 SOG 표면에 미세 파티클이 흡착되어 HSQ SOG막 표면의 웨이퍼 웨팅엥글(wetting angle)이 80°로 나타난다.Subsequently, after baking the SOG film, a second interlayer insulating film is deposited. After the gas is discharged after the baking process of the inorganic SOG material having the Si-H bond, as shown in FIG. The wafer wetting angle of is shown as 80 degrees.

도2는 도1에서 나타난 미세 파티클을 제거하기 위하여 고압 제거공정을 실시한 후의 웨이퍼 표면을 나타낸 그림이다.FIG. 2 is a view showing the wafer surface after performing a high pressure removal process to remove the fine particles shown in FIG.

우선, 도1의 미세 파티클을 제거하기 위하여 500rpm에서 5초동안 1차 DI 린스를 한 후 고압 제거 공정을 30초동안 실시하는데 도2에 나타난 바와 같이 SOG 표면에 흡착되어 있던 불순물들이 웨이퍼 가장자리로 밀려나기는 하나 여전히 파티클의 형태로 존재하며, 웨이퍼 웨팅 엥글(wetting angle)도 75°수준으로 거의 변화하지 않았다.First, in order to remove the fine particles of FIG. 1, the first DI rinse at 500 rpm for 5 seconds and a high pressure removal process are performed for 30 seconds. As shown in FIG. 2, impurities adsorbed on the SOG surface are pushed to the edge of the wafer. The group is still present in the form of particles, and the wafer wetting angle has hardly changed to 75 °.

이와 같이 종래 기술에 의한 SOG 표면 평탄화 공정으로는 웨이퍼 표면에 파티클이 발생하여 반도체 소자의 신뢰성을 저하시키는 문제가 있었다.As described above, in the SOG surface planarization process according to the related art, particles are generated on the wafer surface, thereby lowering the reliability of the semiconductor device.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 고압 제거 공정 전에 1차 DI 린스 처리를 충분히 하여 SOG막을 친수화 처리한 후 DI 린스와 함께 고압 제거 공정을 실시하여 웨이퍼의 버퍼링으로 고압에 의한 파티클 생성을 억제하며, 고압 노즐압력과 스핀 속도를 조화시켜 웨이퍼 표면에 물방울이 튀지 않는 조건을 세팅하여 파티클 제거를 극대화함으로써 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 SOG막 미세 파티클 제거 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to sufficiently hydrolyze the SOG film by performing a first DI rinse treatment before the high pressure removal process and then perform a high pressure removal process together with the DI rinse wafer. SOG film that suppresses particle generation due to high pressure and controls high pressure nozzle pressure and spin speed to set the condition that water droplets do not splash on the wafer surface to maximize particle removal. It is to provide a fine particle removal method.

도1은 SOG막의 베이크 후에 미세 파티클이 발생한 웨이퍼 표면을 나타낸 그림이다.1 is a diagram showing a wafer surface on which fine particles are generated after baking of an SOG film.

도2는 종래의 SOG막 고압 제거공정을 실시한 후의 웨이퍼 표면을 나타낸 그림이다.Fig. 2 is a view showing the wafer surface after the conventional SOG film high pressure removal process is performed.

도3은 본 발명에 의한 HSQ SOG막의 미세 파티클 제거 공정 후 의 SOG 표면의 파티클 데이터를 나타낸 그림이다.3 is a diagram showing particle data of the surface of the SOG after the fine particle removal process of the HSQ SOG film according to the present invention.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawings-

상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 반도체 기판 상에 도전층 패턴에 의해 제1도전층과 제1층간절연막을 증착하고, 이어서 Si-H 결합을 가진 액체 상태의 SOG막을 도포한 후 SOG막을 평탄화 공정에 있어서, SOG막을 도포하고 베이크하고 가스 배출을 한 후 1차 DI 린스처리 하는 단계와, 상기 1차 DI 린스 처리한 SOG막에 고압 제거 공정을 진행하는 단계와, 상기 고압 제거 공정을 진행한 SOG막을 2차 DI 린스처리 하는 단계와, 상기 2차 DI 린스 처리한 SOG막을 드라이하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SOG막 미세 파티클 제거방법에 관한 것이다.According to the present invention for realizing the above object, a first conductive layer and a first interlayer insulating film are deposited by a conductive layer pattern on a semiconductor substrate, and then a SOG film is coated after a liquid SOG film having a Si-H bond is coated. In the planarization process, applying a SOG film, baking, and evacuating the gas, performing a first DI rinse treatment, performing a high pressure removal process on the first DI rinsed SOG film, and performing the high pressure removing process. A method of removing fine particles of SOG film comprising the step of subjecting a SOG film to secondary DI rinse and drying the SOG film subjected to secondary DI rinse.

이때, 상기 SOG막 베이크는 450℃ 이하의 온도에서 진행하고, 상기 SOG막을 1차 DI 린스 처리하는 단계는 800~1200rpm에서 25초 동안 실시하는 것을 특징으로 한다.At this time, the SOG film bake proceeds at a temperature of 450 ℃ or less, and the step of subjecting the SOG film to the first DI rinse is carried out for 25 seconds at 800 ~ 1200rpm.

또한, 상기 SOG막을 고압 제거하는 단계는 DI 린스와 함께 800~1200rpm에서 25초 동안 4~5.5 MPa 압력으로 실시하고, 상기 SOG막을 2차 DI 린스 처리하는 단계는 800~1200rpm에서 10초 동안 실시하며, SOG막을 건조하는 단계는 800~1200rpm에서 15초 동안 실시하는 것을 특징으로 한다.In addition, the high pressure removing the SOG film is carried out at 4 ~ 5.5 MPa pressure for 25 seconds at 800 ~ 1200rpm with DI rinsing, the second DI rinsing process of the SOG film is carried out for 10 seconds at 800 ~ 1200rpm , Drying the SOG film is characterized in that carried out for 15 seconds at 800 ~ 1200rpm.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이며 종래 구성과 동일한 부분은 동일한 부호 및 명칭을 사용한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, the present embodiment is not intended to limit the scope of the present invention, but is presented by way of example only and the same parts as in the conventional configuration using the same reference numerals and names.

도3은 본 발명에 의한 HSQ SOG막의 미세 파티클 제거 공정 후 의 SOG 표면의파티클 데이터를 나타낸 그림이다.3 is a diagram showing particle data of the surface of the SOG after the fine particle removal process of the HSQ SOG film according to the present invention.

먼저, 반도체 기판 상에 도전층 패턴에 의해 제1도전층과 제1층간절연막을 증착하고, 이어서 Si-H 결합을 가진 액체 상태의 SOG막을 도포한 후 수분을 제거하기 위하여 450℃이하의 온도에서 베이크(bake)한 후 가스를 배출하고, 가스 배출후 SOG막 표면에 발생한 미세 파티클을 제거하기 위하여 800rpm~1200rpm에서 25초 동안 1차 DI 린스처리를 하는데 1차 DI 린스 처리 후 웨이퍼 웨팅 엥글(wetting angle)은 약 60°정도이다.First, a first conductive layer and a first interlayer insulating film are deposited on the semiconductor substrate by a conductive layer pattern, and then a liquid SOG film having a Si-H bond is coated thereon, and then at a temperature of 450 ° C. or lower to remove moisture. After baking, the gas is discharged, and in order to remove the fine particles generated on the surface of the SOG film after the discharge, the first DI rinse treatment is performed at 800 rpm to 1200 rpm for 25 seconds. angle) is about 60 degrees.

이어, DI 린스와 함께 4~5.5 MPa 노즐 압력으로 800rpm~1200rpm에서 25초 동안 고압 제거 공정을 진행하는데 이때, 웨이퍼 웨팅 엥글(wetting angle)은 약 50°정도로 저하가 된다.Subsequently, a high-pressure removal process is performed for 25 seconds at 800 rpm to 1200 rpm with a DI rinse at 4 to 5.5 MPa nozzle pressure. At this time, the wafer wetting angle is reduced to about 50 degrees.

이어, 800rpm~1200rpm에서 10초 동안 2차 DI 린스처리를 한 후 3500rpm에서 15초 동안 드라이한다.Then, the secondary DI rinse treatment for 10 seconds at 800rpm ~ 1200rpm and then dry for 15 seconds at 3500rpm.

이와 같이 본 발명은 고압 제거 공정 전에 1차 DI 린스 처리를 충분히 하여 SOG막을 친수화 처리한 후 DI 린스와 함께 고압 제거 공정을 실시하여 웨이퍼의 버퍼링으로 고압에 의한 파티클 생성을 억제 할 수 있다.As described above, the present invention may sufficiently hydrolyze the SOG film by performing the first DI rinse treatment before the high pressure remove process, and then perform the high pressure remove process together with the DI rinse to suppress particle generation due to the high pressure by buffering the wafer.

상기한 바와 같이 본 발명은 고압 제거 공정 전에 1차 DI 린스 처리를 충분히 하여 SOG막을 친수화 처리한 후 DI 린스와 함께 고압 제거 공정을 실시하여 웨이퍼의 버퍼링으로 고압에 의한 파티클 생성을 억제하며, 고압 노즐압력과 스핀 속도를 조화시켜 웨이퍼 표면에 물방울이 튀지 않는 조건을 세팅하여 파티클 제거를 극대화함으로써 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, in the present invention, the first DI rinse treatment is sufficiently performed before the high pressure removal process to hydrophilize the SOG film, and then the high pressure removal process is performed together with the DI rinse to suppress particle generation due to the high pressure by buffering the wafer. By adjusting the nozzle pressure and the spin speed to set the condition that water droplets do not splash on the wafer surface, the particle removal is maximized, thereby improving the characteristics and reliability of the semiconductor device.

Claims (6)

반도체 기판 상에 도전층 패턴에 의해 제1도전층과 제1층간절연막을 증착하고, 이어서 Si-H 결합을 가진 액체 상태의 SOG막을 도포한 후 SOG막을 평탄화 공정에 있어서,In the process of planarizing a SOG film after depositing a 1st conductive layer and a 1st interlayer insulation film on a semiconductor substrate by a conductive layer pattern, and then apply | coating a liquid SOG film with a Si-H bond, SOG막을 도포하고 베이크하고 가스 배출을 한 후 1차 DI 린스처리 하는 단계와,Applying and baking SOG film and exhausting the gas, followed by primary DI rinsing treatment, 상기 1차 DI 린스 처리한 SOG막에 는 DI 린스와 함께 고압 제거 공정을 진행하는 단계와,Performing a high pressure removal process on the first DI rinse treated SOG film together with DI rinse; 상기 고압 제거 공정을 진행한 SOG막을 2차 DI 린스처리 하는 단계와,Performing a second DI rinsing process on the SOG film subjected to the high pressure removal process; 상기 2차 DI 린스 처리한 SOG막을 드라이하는 단계,Drying the second DI rinsed SOG film, 를 포함하는 것을 특징으로 하는 SOG막 미세 파티클 제거 방법.SOG film fine particle removal method comprising a. 제 1항에 있어서, 상기 SOG막 베이크는 450℃ 이하의 온도에서 진행하는 것을 특징으로 하는 SOG막 미세 파티클 제거 방법.The method of claim 1, wherein the SOG film baking is performed at a temperature of 450 ℃ or less. 제 1항에 있어서, 상기 SOG막을 1차 DI 린스 처리하는 단계는 800~1200rpm에서 25초 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 SOG막 미세 파티클 제거 방법.The method of claim 1, wherein the primary DI rinse treatment is performed for 25 seconds at 800 to 1200 rpm. 제 1항에 있어서, 상기 SOG막을 고압 제거하는 단계는 800~1200rpm에서 25초 동안 4~5.5 MPa의 노즐 압력으로 실시하는 것을 특징으로 하는 SOG막 미세 파티클 제거 방법.2. The method of claim 1, wherein the high pressure removing of the SOG film is performed at a nozzle pressure of 4 to 5.5 MPa for 25 seconds at 800 to 1200 rpm. 제 1항에 있어서, 상기 SOG막을 2차 DI 린스 처리하는 단계는 800~1200rpm에서 10초 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 SOG막 미세 파티클 제거 방법.2. The method of claim 1, wherein the second DI rinse treatment is performed at 800 to 1200 rpm for 10 seconds. 제 1항에 있어서, 상기 SOG막을 건조하는 단계는 800~1200rpm에서 15초 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 SOG막 미세 파티클 제거 방법.The method of claim 1, wherein the drying of the SOG film is performed for 15 seconds at 800 to 1200 rpm.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05129247A (en) * 1991-11-07 1993-05-25 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
KR970052826A (en) * 1995-12-20 1997-07-29 김광호 Interlayer insulating film formation method using SOG film
KR19980038890A (en) * 1996-11-27 1998-08-17 김영환 Manufacturing method of semiconductor device
KR19980076210A (en) * 1997-04-08 1998-11-16 윤종용 Insulating Method of Semiconductor Device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05129247A (en) * 1991-11-07 1993-05-25 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
KR970052826A (en) * 1995-12-20 1997-07-29 김광호 Interlayer insulating film formation method using SOG film
KR19980038890A (en) * 1996-11-27 1998-08-17 김영환 Manufacturing method of semiconductor device
KR19980076210A (en) * 1997-04-08 1998-11-16 윤종용 Insulating Method of Semiconductor Device

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