KR100427725B1 - 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법 - Google Patents

나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 나노 입자를 구조적 친화력이나 정전기력을 이용하여 블록공중합체에 도입시킴으로써 나노 복합체를 제조할 수 있는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 나노 복합체를 제조하는 방법에 있어서, 나노 복합체로 제조하기 위한 물질을 나노 단위 크기로 가공하여 나노 입자를 얻는 단계와; 상기 나노 입자와 결합되어 나노 복합체를 형성하기 위한 블록공중합체를 합성하여 블록공중합체를 얻는 단계와; 상기 나노 입자를 상기 블록공중합체에 선택적으로 도입시켜 나노 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법을 제공한다.

Description

나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법{Manufacturing Process of Nanocomposites Using Nanoparticles And Copolymers}
본 발명은 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 나노 입자를 구조적 친화력이나 정전기력을 이용하여 블록공중합체에 도입시킴으로써 나노 복합체를 제조할 수 있는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 블록공중합체는 두 블록에 의한 미세 상분리가 이루어지는데, 두블록의 비를 조절함으로써 상분리 구조를 판상형에서 원통형 그리고 구형까지 변화시킬 수 있다.
그리고, 나노 입자라 함은 지름이 1∼100nm인 나노미터 차원을 가진 금속, 금속 산화물, 혹은 반도체 소재의 초미세 입자를 일컫는다. 이렇게 제조된 나노 입자는 양자 크기 효과(quantum size effect)나 큰 표면으로부터 작은 입자들의 부피 비에 의해서 원자나 벌크 크기 입자들의 특성들과 다른 성질을 갖는다.
이 물질들은 광학 그리고 전기자기장 소자, 발광 소자 (LED), 금속 촉매 등에 응용된다. [H. Kurita, A. Takami, and S. Koda, Appl. Phys. Lett., 1998, 72, 789.; B. H. Sohn, R. E. Cohen, G. C. Papaefthymiou, J. Magnetism and Magnetic Materials, 1998, 182, 216.; B. H. Sohn and R. E. Cohen, Chem. Mater.,1997, 9, 264.]
이러한 나노 입자를 제조하는데 있어서 가장 큰 문제점은 뭉침 현상(aggregation)이다. 나노 입자들의 뭉침 현상을 방지하기 위해 계면활성제 혹은 고분자를 이용한 다양한 방법들이 시도되어 왔다. 특히 대부분 고분자는 가공성이 좋기 때문에 흔히 나노 입자의 안정화를 위한 바탕물질(matrix)로 사용되고 있다.
용액 혹은 용융 상태에서 고분자와 나노 입자를 혼합하여 물리적, 화학적 결합을 통하여 나노 입자를 안정화시켜 얻어지는 나노 복합체는 배터리 양극, 비선형 광학, 센서 등과 같은 다양한 분야에 응용이 가능하다. 더욱이 블록공중합체에서 상분리가 된 한 영역에 나노 입자가 선택적으로 삽입된다면 재료의 물성 뿐만 아니라 전기 화학적, 광학적, 전자기학적 성질을 향상시킬 수 있다.
구체적인 예로 균일한 크기를 갖고 표면이 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine) 층으로 둘러싸인 카드뮴세레나이드(CdSe)를 곁사슬(side group)에 알킬 그룹을 갖는 블록고분자 내에 분자간 반데르발스 인력을 이용하여 나노 입자를 한 블록에만 선택적으로 도입한 예가 보고된 바 있다. [D. E. Fogg, L. H. Radzilowski, R. Blanski, R. R. Schrock, and E. L. Thomas, Macromolecules, 1997, 30, 417.; D. E. Fogg, L. H. Radzilowski, B. O. Dabbousi, R. R. Schrock, E. L. Thomas, and M. G. Bawendi, Macromolecules, 1997, 30, 8433.; H. Mattoussi, L. H. Radzilowski, B. O. Dabbousi, D. E. Fogg, R. R. Schrock, E. L. Thomas, M. F. Rubner, and M. G. Bawendi, J. Appl. Phys., 1999, 86, 4390.]
상기와 같이, 나노 입자를 블록 고분자에 선택적으로 도입하려는 시도가 최근에 많이 있었으나 아직 성공적으로 도입된 예는 많지 않다. 또한 이러한 나노 입자의 선택적 도입을 이용한 응용의 예는 더욱 찾아보기 어렵다. 입자의 도입이 어려운 이유는 나노 입자와 고분자간의 친화력이 없기 때문이다.
본 발명에서는 금속 및 세라믹 나노 입자와 블록공중합체로 이루어진 유기/무기 나노 복합체를 제조하여 나노 입자를 안정화시킬 뿐만 아니라 블록공중합체의 한쪽 블록에만 나노 입자가 선택적으로 도입된 나노 복합체를 제조하고자 하였다.
따라서, 본 발명은 이러한 종래 기술의 문제점을 감안하여 안출된 것으로,그 목적은 블록 고분자 물질에 도입되는 나노 입자의 표면을 여러 형태로 변화시키거나, 나노 입자에 음전하를 하전시키고 이에 결합되는 고분자 물질에 양전하를 부가함으로써 나노 입자와 고분자 물질을 결합시켜 줄 수 있는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법을 제공하는데 있다.
도 1a는 본 발명에서의 구조적 친화력을 이용한 나노 복합체 제조의 원리를 설명하기 위한 예시도.
도 1b는 본 발명에서의 정전기 인력을 이용한 나노 복합체 제조의 원리를 설명하기 위한 예시도.
도 2는 블록고분자의 4가화 이전과 이후의 UV 흡수를 보여주는 도면.
도 3은 팔라듐 나노 입자의 제조시 환류 이전과 환류 이후의 UV 흡수를 보여주는 도면.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 나노 복합체를 제조하는 방법에 있어서, 나노 복합체를 제조하는 방법에 있어서, 나노 복합체로 제조하기 위한 물질을 나노 단위 크기로 가공하여 나노 입자를 얻는 단계와; 상기 나노 입자와 결합되어 나노 복합체를 형성하기 위한 블록공중합체를 합성하여 블록공중합체를 얻는 단계와; 구조적 친화력을 이용한 결합 방법과 정전기적 인력을 이용한 결합 방법 중에서 어느 한 방법을 선택하여 상기 나노 입자를 상기 블록공중합체에 선택적으로 도입시켜 나노 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법을 제공한다.
상기 나노 입자는 팔라듐, 플라티늄, 금, 은 중에서 선택된 어느 하나이며, 상기 블록공중합체는 좁은 분자량 분포를 갖는 고분자 물질이다.
상기 구조적 친화력을 이용한 결합 방법은 상기 나노 입자에 상기 블록공중합체로 이용되는 고분자 물질과 유사 구조를 갖는 고분자 물질을 선택하여 나노 입자의 표면을 코팅하여 서로를 결합시킨다.
여기서, 나노 입자의 표면에 코팅되는 고분자 물질은 비공유 전자쌍을 함유하는 고분자 물질이며, 이 고분자 물질은 폴리2-비닐피리딘(P2VP), 폴리 4-비닐피리딘(P4VP), 아민을 함유하는 고분자 물질이며, 상기 아민을 함유하는 고분자 물질은 폴리피롤(PPy, polypyrrole), 폴리이소시아네이트(PIC, polyisocyanate) 중 선택된 어느 하나이다.
상기 블록공중합체는 폴리스티렌(PS)과 P2VP, PS-b-P4VP, PS-b-PIC의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질과, 폴리이소프렌(PI)과 P2VP, PI-b-P4VP, PI-b-PIC의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질과, 폴리부타디엔(PB)과 P2VP, PB-b-P4VP, PB-b-PIC의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질과, 폴리메타아크릴레이트(PMMA)와 P2VP, PMMA-b-P4VP, PMMA-b-PIC의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질 중에서 선택된 어느 하나이다.
또한, 정전기적 인력을 이용한 결합 방법은 상기 나노 입자를 음전하로 하전시키고, 상기 블록공중합체에 양전하를 부가시켜 서로를 정전기적으로 결합되도록 한다. 상기 나노 입자의 음전하 하전은 금속 물질을 나노 단위 크기의 나노 입자로 제조할 때에 자연 발생하는 음전하가 하전되는 것을 이용한다. 그리고, 상기 나노 입자는 팔라듐, 플라티늄, 금, 은 중에서 선택된 어느 하나이다. 상기 블록공중합체는 4가화된 폴리2-비닐피리딘(P2VP+), 폴리 4-비닐피리딘(P4VP+), 폴리스티렌(PS)과 P2VP+, PS-b-P4VP+의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질, 폴리이소프렌(PI)과 P2VP+, PI-b-P4VP+의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질, 폴리부타디엔(PB)과 P2VP+, PB-b-P4VP+의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질, 폴리메타아크릴레이트(PMMA)와 P2VP+, PMMA-b-P4VP+의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질 중에서 선택된 적어도 어느하나이다.
본 발명은 상기와 같이 블록공중합체 내에 나노 입자를 선택적으로 도입하는 것에 관한 것이며, 다시 말하면, 나노 입자를 블록공중합체의 한 블록에만 선택적으로 삽입하는 새로운 방법으로 나노 복합체를 제조하였다. 이를 위하여, 나노 복합체의 형성을 위한 구심력으로서 구조적 친화력에 의한 당김 효과 혹은 정전기적 인력을 사용하여 나노 복합체를 형성하였다.
나노 복합체를 제조하기 위해 먼저 팔라듐, 실리카 그리고 티타늄 나노 입자를 제조하였고, 블록의 분자량을 조절하여 다양한 상분리 구조를 갖는 블록공중합체(PS-b-P2VP)를 음이온 중합으로 합성하였다.
구조적 친화력에 의한 당김 효과를 이용하기 위해서는 알코올 환원법으로 제조된 입자 표면에 P2VP이 붙어있는 팔라듐 입자와 PS-b-P2VP 블록공중합체를 이용하였다. 정전기적 인력을 이용하기 위해서는 졸-겔법을 이용하여 제조된 실리카 졸 (혹은 티타늄 졸)과 4가화된(quaternized) PS-b-P2VP를 이용하였다.
1. 제 1실시예
PS-b-P2VP 합성과 4가화(Quaternization)
모든 고분자는 진공상태의 유리 장치를 이용하여 합성하였다. 블록공중합체의 합성은 하기와 같다.
1) 2차 부틸-리튬(s-BuLi)을 개시제로 하여 -78℃, 테트라히드로퓨란(THF) 하에서 스티렌을 첨가하여 먼저 스티렌 단독중합체를 얻는다.
2) 1시간 후, 폴리스티렌에 음이온의 반응성을 줄이기 위해 -78℃에서 THF에녹아 있는 디페닐에틸렌(DPE) 용액을 첨가하고, -78℃에서 30분간 반응한다.
3) 30분 후, 2-비닐피리딘을 첨가하여 4시간 동안 -78℃, THF 하에서 중합을 행하고, 메탄올을 첨가하여 반응을 종료하고, THF와 메탄올을 제거하고 벤젠에 녹인 후 말려서 중합체를 얻는다.
그리고, PS-b-P2VP의 피리딘 블록을 4가화(quaternization)하기 위해서,
1) PS-b-P2VP를 수분을 제거한 메틸에틸케톤(MEK)에 녹여 상온에서 4시간동안 교반한다.
2) 10배 과량의 요드화 메탄을 반응 혼합물에 첨가한다, 반응한 용액의 색은 투명한 무색에서 4가화가 되었다는 증거인 약간 불투명한 노란 용액으로 변하였다.
3) 4일 동안 반응한 후에 반응 혼합물을 헥산(hexane)에 붓고, 여과를 한 다음 건조한다. 그 침전물은 고순도의 고분자 샘플을 얻기 위해 반복 침전 후 고분자를 벤젠에 녹이고 동결 건조한다.
2. 제 2실시예
알코올 환원법에 의한 팔라듐 나노 입자들의 제조
표면에 P2VP을 포함하고 있는 팔라듐 나노 입자는 균일 벤젠(benzene) 용액에서 제조하였다.
1) 음이온 중합에 의해 합성된 P2VP(0.2g)를 벤젠(150ml)에 녹이고, 30분 동안 교반한다.
2) Pd(acac)2(0.23g)과 1-프로판올(1-propanol, 15㎖)을 첨가하고 84℃에서50시간 동안 반응시킨다.
3) 알코올 환원 후에, 벤젠과 1-프로판올을 없애고, 상기 1), 2)의 과정에 의해 제조된 나노 입자들을 클로로포름(chloroform) 용매에 녹이고, 미반응 염을 제거하기 위해 아세톤(acetone)에서 침전시킨다. 그 침전물을 다시 벤젠에 녹여, 미반응 P2VP를 제거하기 위해 3차례 원심 분리하여 정제한다.
4) 표면에 P2VP을 포함하고 있는 팔라듐 나노 입자를 벤젠 용액에서 동결 건조(freeze-drying)하여 얻는다.
3. 제 3실시예
탈수 축합반응에 의한 실리카, 티타늄 입자의 제조
실리카 나노 입자의 제조는 하기와 같다.
1) 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS)를 가수 분해하여 졸을 제조하기 위해 염산 수용액(0.015%, 2.4㎖)을 제조한다.
2) 제조된 0.015% HCl 수용액중 0.36㎖를 TEOS(5.2g)에 첨가하고 0℃에서 15분 동안 교반 한 후, 온도를 22℃까지 올리고 15분간 교반을 행한다. 완전한 가수 분해를 위해 잔류 염산 용액(2.04㎖)을 첨가하고 반응 혼합물을 1 시간 동안 교반하여 졸 상태의 실리카 입자를 얻는다.
티타늄 입자도 TiOCl2를 이용하여 동일한 방법으로 제조하였다.
4. 제 4실시예
구조적 친화력에 의한 당김 효과를 이용한 나노 복합체 제조(도 1a 참조)
표면에 P2VP을 포함하고 있는 팔라듐 나노 입자를 클로로포름에 희석시키고, 뭉쳐진 팔라듐 나노 입자들을 제거하기 위해 15분 동안 음속화(sonication)한다.
PS-b-P2VP(0.1g)를 클로로포름에 녹이고 팔라듐 입자 용액에 첨가한 후 균일하게 팔라듐 입자들과 고분자를 혼합하기 위해 1시간 동안 교반한다.
5. 제 5실시예
정전기적 인력에 의한 나노 복합체 제조(도 1b 참조)
4가화된 PS-b-P2VP(0.1g)를 DMF에 용해하였다. 상기 제 3실시예에서 제조된 실리카 혹은 티타늄 입자를 고분자 용액에 첨가한 후 교반을 행하였다. 2시간 후, 그 혼합물을 페트리디쉬(petri dish)에 옮기고 70℃ 진공 오븐에서 건조하였다.
6. 제 1시험예
블록공중합체, PS-b-P2VP의 분석
다른 분자량(MW)과 다른 블록비(r)를 가진 나노 복합체를 제조하기 위해서 블록공중합체를 음이온 중합에 의해 중합하였다. 사용된 고분자들의 분석을 표 1에 요약하였다. 고분자의 MW와 분자량 분포(MWD)는 GPC에 의해 결정되었고, 블록공중합체의 블록비는 HNMR 스펙트라에서 적분 값으로부터 계산되었다. 블록비,r은 P2VP/PS을 의미한다.
중합된 고분자들의 분석
분자량(Mn) 블록비(r) 분자량 분포
PVS01 90,000 3.0 1.75
PVS02 90,000 1.1 1.14
PVS03 91,000 0.32 1.19
PVS04 38,000 0.45 1.29
도 2는 블록공중합체와 4가화된 블록공중합체의 UV/VIS 흡수를 보여주고 있다. 4가화 후에, 스티렌의 흡수 피크는 변화가 없는데 피리딘의 흡수 피크는 장파장으로 이동함을 알 수 있고, 피리딘과 요오드의 착체에 의한 피크가 가장 장파장에서 나옴을 확인할 수 있다.
또한, FT-IR 스펙트라에서도 질소원자가 4가화 되었다는 증거를 확인할 수 있다. 3차 질소 피크인 1433cm-1의 피크가 4가화 후에 사라짐을 확인 할 수 있다.
4가화된 고분자는 피리딘 블록/스티렌 블록(pyridine block/styrene block) 비(r)를 변화시켜 미세상 구조를 변화시킬 수 있다.
7. 제 2시험예
입자 농도가 다른 팔라듐 나노 입자 콜로이드의 제조
표면에 P2VP을 포함하고 있는 균일한 팔라듐 나노 입자를 알코올 환원 방법을 이용하여 제조하였다. 이를 UV/VIS 흡수 스펙트럼에 의해 확인하였다(도 3).
환류(reflux) 전에 반응 용액은 희미한 노란색이고 PdII(acac)2의 리간드로부터 금속으로의 전하전이(ligand-to-metal charge-transfer, MLCT) 때문에 295nm에서 피크가 나타난다. 그러나, 반응 후 용액은 검은 콜로이드로 변하고 295nm에 있는 피크가 환류 후에 사라졌다. 여러 입자 농도의 팔라듐 입자 콜로이드가 표 2와 같은 방법으로 제조되었다.
여러 농도의 콜로이드 팔라듐을 위한 실험 조건들
PdII(acac)2(10-5mol) 1-Propanol(mol) P2VP(10-5mol) Pd(acac)2/1-propanol(10-3mol)
7 75.5 0.2 0.95 3.8
8 151 0.4 1.90 3.8
9 302 0.8 3.80 3.8
단, 벤젠 140ml에서의 조건.
상기와 같이 제조된 경우에 팔라듐의 농도가 증가함에 따라 나노 입자끼리 뭉침 현상이 나타난다.
8. 제 3시험예
구조적 친화력에 의한 당김 효과를 이용한 나노 복합체(NCS)
구조적 친화력에 의한 당김 효과를 이용한 나노 복합체는 P2VP-b-PS와 P2VP로 표면이 입혀진 팔라듐 나노 입자로부터 제조되었다. NCS에서, 팔라듐 입자는 P2VP와 친화성이 좋아 P2VP 도메인에 존재하며, 이를 스핀 캐스팅(spin casting)으로 필름을 제조하여 그 구조를 확인하면 팔라듐 입자가 P2VP 도메인에 성공적으로 삽입된다.
다른 입자 농도를 가진 NCS에 대한 실험 조건
고분자 팔라듐 입자
형태 함유량(mg) 형태 함유량(mg)
10 PVS02 100 PS01 5
11 20
12 PVS03 5
13 20
다양한 입자 농도를 가진 NCS를 표 3과 같은 조건으로 제조하였다. 그리고, 이를 울트라커팅(ultracutting)으로 나노 복합체 필름을 제조하여 그 구조를 살펴보면 PVS02의 상분리가 된 도메인구조와 라멜라 구조를 유지하였다.
작고 검은 점으로 나타난 P2VP를 가지고 있는 대부분의 팔라듐 입자들은 표 3의 10에서 P2VP 라멜라 도메인에 선택적으로 편재되었다. 그러나, 표 3의 11의 경우에, 입자들의 농도가 증가함에 따라, 팔라듐 입자들은 두 도메인사이의 계면과 백색의 PS 도메인까지 분포하게 되었다.
9. 제 4시험예
정전기적 인력을 이용한 나노 복합체(NCE)
정전기적 인력에 의한 나노 복합체는 실리콘 졸(silica sol)과 4가화된 P2VP-b-PS로 제조되었다. 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS)를 가수분해하여 NCE을 위한 실리콘 졸(silica sol)을 제조하였다. 실리콘 졸은 그들 표면에서 수산기(hydroxyl groups)를 포함하고 있다. P2VP 블록의 양전하를 부여하기 위해 4가화(quaternized)된 P2VP-b-PS이 사용되었다. NCE은 표 4에서 설명한 것처럼 여러 고분자 샘플과 여러 졸 농도를 사용하여 제조하였다. 그리고, 상기와 같이 제조된 NCE의 미세 도메인 구조를 관찰하면 정상적으로 실리콘 분산을 보인다.
다른 졸 농도를 가진 NCE의 실험 조건
고분자 실리카 졸(mg)
형태 함유량(mg)
14 PVS01 100 15
15 PVS02 5
16 15
PVS02는 규칙적으로 실린더 모양의 PS 도메인을 연속적인 P2VP도메인에서 갖는다. 표 4의 14에서, 규칙적인 도메인 구조는 비 규칙적인 구조로 변하였다. 그러나, 판상형 모양의 도메인을 유지하였으며, PVS02는 라멜라 도메인 구조를 가지고있다. 표 4의 15는 PVS02의 라멜라 구조를 유지하고 실리카 졸은 선택적으로 P2VP안으로 삽입되었다. 실리카 졸의 농도가 증가함에 따라(표 4의 16), 라멜라 구조는 유지되었으나 모든 졸이 P2VP에 삽입되지는 않았다. 그리고, 실리카 졸 분포는 표 4의 15보다 덜 선택적이었다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명은 금속 또는 세라믹의 나노 입자와 고분자를 구조적 친화력에 의한 당김 효과나 정전기적 인력을 이용하여 결합시켜 나노 복합체를 제조할 수 있도록 한다.
상기와 같이 이루어지는 나노 복합체는 고분자 물질로 된 블록공중합체의 한 블록에 선택적으로 나노 입자를 삽입시켜서 제조하는 새로운 방법에 의하여 제조되며, 나노 입자가 매우 안정적으로 결합되는 특성을 가진다.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예를 예로 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.

Claims (11)

  1. 나노 복합체를 제조하는 방법에 있어서,
    나노 복합체로 제조하기 위한 물질을 나노 단위 크기로 가공하여 나노 입자를 얻는 단계와;
    상기 나노 입자와 결합되어 나노 복합체를 형성하기 위한 블록공중합체를 합성하여 블록공중합체를 얻는 단계와;
    상기 블록공중합체로 이용되는 고분자 물질과 유사 또는 동일한 구조를 갖는 고분자 물질을 선택하여 상기 나노 입자의 표면을 코팅하여 서로를 결합시키는 구조적 친화력을 이용한 결합 방법과, 상기 나노 입자를 음전하로 하전시키고 상기 블록공중합체에 양전하를 부가시켜 서로를 정전기적으로 결합시키는 정전기적 인력을 이용한 결합 방법 중에서 어느 한 방법을 선택하여 상기 나노 입자를 상기 블록공중합체에 선택적으로 도입시켜 나노 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 나노 입자는 팔라듐, 플라티늄, 금, 은, 실리카, 티타늄 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서, 나노 입자의 표면에 코팅되는 고분자 물질은 비공유 전자쌍을 함유하는 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 고분자 물질은 폴리2-비닐피리딘(P2VP), 폴리 4-비닐피리딘(P4VP), 아민을 함유하는 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 아민을 함유하는 고분자 물질은 폴리피롤(PPy, polypyrrole), 폴리이소시아네이트(PIC, polyisocyanate) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌(PS)과 P2VP, PS-b-P4VP, PS-b-PIC의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질과, 폴리이소프렌(PI)과 P2VP, PI-b-P4VP, PI-b-PIC의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질과, 폴리부타디엔(PB)과 P2VP, PB-b-P4VP, PB-b-PIC의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질과, 폴리메타아크릴레이트(PMMA)와 P2VP, PMMA-b-P4VP, PMMA-b-PIC의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질 중에서 선택된 어느 하나로 이루어져, 상기 구조적 친화력을 이용한 결합 방법에 의하여 상기 나노 입자와 결합되는 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 제 1항에 있어서, 상기 나노 입자의 음전하 하전은 금속 물질을 나노 단위 크기의 나노 입자로 제조할 때에 자연 발생하는 음전하가 하전되는 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 4가화된 폴리2-비닐피리딘(P2VP+), 폴리 4-비닐피리딘(P4VP+), 폴리스티렌(PS)과 P2VP+, PS-b-P4VP+의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질, 폴리이소프렌(PI)과 P2VP+, PI-b-P4VP+의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질, 폴리부타디엔(PB)과 P2VP+, PB-b-P4VP+의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질, 폴리메타아크릴레이트(PMMA)와 P2VP+, PMMA-b-P4VP+의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질 중에서 선택된 적어도 어느 하나로 이루어져, 상기 정전기적 인력을 이용한 결합 방법에 의하여 상기 나노 입자와 결합되는 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법.
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