KR100426818B1 - Apparatus for fabricating semiconductor devices - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 웨이퍼의 출입을 위하여 그 벽에 개구부를 가지는 반응챔버와, 상기 개구부와 연결되는 웨이퍼 이송관과, 상기 웨이퍼 이송관의 차단 여부를 결정하도록 상기 웨이퍼 이송관에 설치된 슬롯밸브를 구비함으로써 상기 반응챔버의 웨이퍼 출입용 개구부에서 상기 웨이퍼 이송관에 있는 슬롯밸브을 향하여 함입된 공간을 갖는 공지의 반도체 소자 제조 장치를 개량한 것으로서, 그 개량내용은, 상기 슬롯밸브와 반응챔버의 웨이퍼 출입용 개구부 사이에 위치하는 웨이퍼 이송관 부분에 퍼지용 기체가 외부로부터 주입될 수 있도록 퍼지용 포트를 설치된다는 것이다. 본 발명에 의하면, 공정 진행 중에 상기 퍼지용 포트를 통하여 퍼지용 기체를 미세하게 불어넣어 줌으로써 상기 반응챔버내의 기체가 상기 웨이퍼 이송관의 내부로 확산할 수 없게 할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 반응챔버에 인접한 상기 웨이퍼 이송관에서 미세 입자가 형성되는 것을 방지할 수 있다.The present invention provides a reaction chamber having an opening in a wall thereof for entering and exiting a wafer, a wafer transfer pipe connected to the opening, and a slot valve installed in the wafer transfer pipe to determine whether the wafer transfer pipe is blocked. An improvement of a known semiconductor device manufacturing apparatus having a space recessed from a wafer entrance opening of the reaction chamber toward a slot valve in the wafer transfer pipe, the improvement being made by the wafer valve opening of the reaction valve and the reaction chamber. The purge port is installed in the portion of the wafer transfer pipe located in between so that the purge gas can be injected from the outside. According to the present invention, the gas in the reaction chamber can not be diffused into the wafer transfer pipe by injecting the purge gas finely through the purge port during the process. Therefore, it is possible to prevent the formation of fine particles in the wafer transfer tube adjacent to the reaction chamber as in the prior art.
Description
본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로서 특히, 반응챔버에 인접한 웨이퍼 이송관 내부에서 미세입자가 발생하는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor device manufacturing apparatus capable of preventing generation of fine particles in a wafer transfer pipe adjacent to a reaction chamber.
일반적으로, 웨이퍼는 반응챔버로 유입되거나 유출될 때 로드락(load lock)부를 거치게 된다. 이 때, 웨이퍼는 로드락부와 반응챔버를 연결하는 웨이퍼 이송관을 통하여 이송된다. 그리고, 웨이퍼 이송관에는 슬롯 밸브가 설치되어 있으며, 이 슬롯 밸브에 의하여 반응챔버와 로드락부의 연통 여부가 결정된다.In general, the wafer goes through a load lock part when it enters or exits the reaction chamber. At this time, the wafer is transferred through the wafer transfer pipe connecting the load lock unit and the reaction chamber. The wafer transfer pipe is provided with a slot valve, and the slot valve determines whether the reaction chamber communicates with the load lock part.
그런데, 슬롯 밸브가 반응챔버와 소정의 거리만큼 떨어진 곳에 설치되기 때문에 반응챔버 쪽에 있는 웨이퍼 이송관 내부도 실질적으로 반응 공간을 형성하게 된다. 이 때문에 웨이퍼 이송관의 일부에도 박막이 증착되고, 공정 진행 중이나 진행 후에 박막이 일부 박리됨으로써 원하지 않게 미세입자가 발생하게 된다.However, since the slot valve is installed at a distance away from the reaction chamber, the inside of the wafer transfer pipe on the reaction chamber side also substantially forms a reaction space. For this reason, a thin film is deposited on a part of the wafer transfer pipe, and the thin film is partially peeled off during or after the process, thereby causing undesired fine particles.
도 1은 종래의 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 구체적으로, 반응챔버(10)는 그 내부에 웨이퍼를 안착시키기 위한 서셉터(Susceptor, 15)를 구비한다. 여기서, 상기 서셉터(15)는 안착되는 웨이퍼를 가열시키기 위하여 그 내부에 히터(미도시)를 구비한다. 그리고, 상기 반응챔버(10)는 웨이퍼 이송관(30)에 의해 로드락부(20)와 연결되며, 상기 웨이퍼 이송관(30)을 통해 상기 로드락부(20)에서 상기 반응챔버(10)로 웨이퍼가 이송된다. 상기 웨이퍼 이송관(30)에는 슬롯 밸브(34)가 설치되어 있으며, 이 슬롯 밸브(34)에 의하여 상기 웨이퍼 이송관(30)의 차단 여부가 결정된다.1 is a schematic view for explaining a conventional semiconductor device manufacturing apparatus. Specifically, the reaction chamber 10 has a susceptor 15 for seating a wafer therein. Here, the susceptor 15 is provided with a heater (not shown) therein for heating the wafer to be seated. In addition, the reaction chamber 10 is connected to the load lock unit 20 by a wafer transfer tube 30, and the wafer from the load lock unit 20 to the reaction chamber 10 through the wafer transfer tube 30. Is transferred. The wafer transfer pipe 30 is provided with a slot valve 34, and the slot valve 34 determines whether the wafer transfer pipe 30 is blocked.
상기 슬롯 밸브(34)를 닫음으로써 상기 반응챔버(10)에 의한 독립적인 반응 공간이 제공된다. 그러나, 이 경우 상기 슬롯 밸브(34)와 반응챔버(10) 사이의 웨이퍼 이송관(30) 내부도 상기 반응챔버(10)의 내부와 함께 반응 공간을 형성하게되어 문제이다.Closing the slot valve 34 provides an independent reaction space by the reaction chamber 10. However, in this case, the inside of the wafer transfer pipe 30 between the slot valve 34 and the reaction chamber 10 also forms a reaction space together with the inside of the reaction chamber 10.
이를 구체적으로 설명하면, 상기 반응챔버(10) 내에서 박막 증착 공정이 진행될 경우 상기 반응챔버(10)와 접해 있는 웨이퍼 이송관(30) 내부에도 약간의 박막이 증착된다. 따라서, 나중에 이들이 일부 박리되어 원하지 않는 미세 입자가 발생하게 된다. 뿐만 아니라, 상기 히터에서 발생하는 열에 의해 상기 반응 챔버(10)가 이와 접해 있는 웨이퍼 이송관(30)보다 더 뜨겁게 되기 때문에, 상대적으로 차가운 상기 웨이퍼 이송관(30)에 기체들이 응축되어 증착되거나 미세 입자(particle)가 발생하게 된다.In detail, when a thin film deposition process is performed in the reaction chamber 10, some thin films are also deposited inside the wafer transfer pipe 30 in contact with the reaction chamber 10. Thus, later they are partially peeled off, resulting in unwanted fine particles. In addition, since the heat generated by the heater causes the reaction chamber 10 to be hotter than the wafer transfer tube 30 which is in contact with it, gases are condensed or deposited in the relatively cold wafer transfer tube 30. Particles will be generated.
이를 방지하기 위하여 상기 반응챔버(10) 내부를 세정해줘야 하는데, 그 기하학적인 구조 때문에 상기 웨이퍼 이송관(30)의 내부는 제대로 세정되지 않게 된다. 예컨대, 플라즈마를 이용하는 제조 공정의 경우, 일반적으로 그 제조 공정에 사용되는 플라즈마를 그대로 이용하여 반응챔버의 내부를 세정하는데, 상기 반응챔버(10)와 접해 있는 웨이퍼 이송관(30) 내부에는 플라즈마가 형성되지 않기 때문에 플라즈마에 의한 건식 세정이 되지 않는다. 또한, 습식 세정도 마찬가지 이유로 제대로 되지 않는다.In order to prevent this, the inside of the reaction chamber 10 needs to be cleaned. Due to its geometric structure, the inside of the wafer transfer pipe 30 is not properly cleaned. For example, in the case of a manufacturing process using plasma, generally, the plasma used in the manufacturing process is used to clean the inside of the reaction chamber, and the plasma is inside the wafer transfer pipe 30 in contact with the reaction chamber 10. Since it is not formed, dry cleaning by plasma is not performed. In addition, wet cleaning is also not performed for the same reason.
상기 슬롯 밸브(34)는 인서트 밸브(34a)의 상하 운동에 의해 그 게이트부(34b)가 열리고 닫힌다. 상기 게이트부(34b)에는, 상기 반응챔버(10)가 진공 상태일 경우 이를 잘 밀폐시키기 위하여 O-링(34c)이 설치되어 있다. 그러나, 상기 O-링(34c)은 상기 히터로부터 가까운 곳에 위치하기 때문에 상기 히터에서 발생하는 열에 의하여 쉽게 열적 손상을 받게 된다.The slot valve 34 is opened and closed by the vertical movement of the insert valve 34a. The gate portion 34b is provided with an O-ring 34c to seal the reaction chamber 10 well when the reaction chamber 10 is in a vacuum state. However, since the O-ring 34c is located close to the heater, it is easily thermally damaged by the heat generated by the heater.
상기 웨이퍼 이송관(30)은 상기 슬롯 밸브(34)와 로드락부(20) 사이에 웨이퍼 감지부(32)를 구비한다. 상기 웨이퍼 감지부(32)에 의해 그 위치에 웨이퍼가 있는가의 여부가 감지되며, 이에 의해 상기 슬롯 밸브(34)의 열림/닫힘 여부가 결정된다.The wafer transfer pipe 30 includes a wafer detector 32 between the slot valve 34 and the load lock unit 20. The wafer detection unit 32 detects whether there is a wafer at that position, and thereby determines whether the slot valve 34 is opened or closed.
상술한 바와 같이 종래의 반도체 소자 제조 장치에 의하면, 상기 슬롯 밸브(34)와 반응챔버(10) 사이의 웨이퍼 이송관(30) 내부도 상기 반응챔버(10)의 내부와 함께 실질적으로 반응 공간을 형성하게 되고, 이로 인해 결과적으로 상기 반응챔버(10)와 접해 있는 웨이퍼 이송관(30) 내부가 미세입자의 발생 근원지가 된다. 이를 방지하기 위하여 상기 반응챔버(10)의 내부를 세정한다 하더라도, 그 기하학적인 구조 때문에 상기 웨이퍼 이송관(30)의 내부는 제대로 세정되지 않게 된다. 또한, 상기 O-링(34c)이 상기 히터에서 발생하는 열에 의하여 쉽게 열적 손상을 받기 때문에, 상기 반응챔버(10)를 진공으로 할 때, 상기 반응챔버(10)와 로드락부(20)에 리크(leak)가 발생한다.As described above, according to the semiconductor device manufacturing apparatus of the related art, the inside of the wafer transfer pipe 30 between the slot valve 34 and the reaction chamber 10 also substantially reacts with the inside of the reaction chamber 10. As a result, the inside of the wafer transfer pipe 30 in contact with the reaction chamber 10 becomes a source of generation of fine particles. Even if the inside of the reaction chamber 10 is cleaned to prevent this, the inside of the wafer transfer pipe 30 may not be properly cleaned because of its geometric structure. In addition, since the O-ring 34c is easily thermally damaged by the heat generated by the heater, the leakage occurs in the reaction chamber 10 and the load lock unit 20 when the reaction chamber 10 is vacuumed. Leak occurs.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반응챔버에 인접한 웨이퍼 이송관 내부에서 미세입자가 발생하는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, O-링이 열적으로 손상을 받는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is not only to prevent the generation of fine particles in the wafer transfer pipe adjacent to the reaction chamber, but also to prevent the O-ring from being thermally damaged. To provide.
도 1은 종래의 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이고,1 is a schematic view for explaining a conventional semiconductor device manufacturing apparatus,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다.2 is a schematic view for explaining a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 ><Description of Reference Numbers for Main Parts of Drawings>
10, 110: 반응챔버 15, 115: 서셉터10, 110: reaction chamber 15, 115: susceptor
20, 120: 로드락부 30, 130: 웨이퍼 이송관20, 120: load lock portion 30, 130: wafer transfer pipe
34, 134: 슬롯 밸브 34a, 134a: 인서트 밸브34, 134: slot valve 34a, 134a: insert valve
34b, 134b: 게이트부 34c, 134c: O-링34b, 134b: gate portion 34c, 134c: O-ring
134d: 온도조절관 134e: 퍼지용 포트134d: temperature control tube 134e: purge port
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예는, 웨이퍼의 출입을 위하여 그 벽에 개구부를 가지는 반응챔버와, 상기 개구부와 연결되는 웨이퍼 이송관과, 상기 웨이퍼 이송관의 차단 여부를 결정하도록 상기 웨이퍼 이송관에 설치된 슬롯밸브를 구비함으로써 상기 반응챔버의 웨이퍼 출입용 개구부에서 상기 웨이퍼 이송관에 있는 슬롯밸브을 향하여 함입된 공간을 갖는 공지의 반도체 소자 제조 장치에 있어서, 상기 슬롯밸브와 반응챔버의 웨이퍼 출입용 개구부 사이에 위치하는 웨이퍼 이송관 부분에 퍼지용 기체가 외부로부터 주입될 수 있도록 퍼지용 포트를 설치된 것을 특징으로 한다.Embodiments of the present invention for achieving the technical problem, the reaction chamber having an opening in the wall for the entrance and exit of the wafer, the wafer transfer pipe connected to the opening, and to determine whether to block the wafer transfer pipe A well-known semiconductor device manufacturing apparatus having a space enclosed from a wafer entrance opening and exit of the reaction chamber toward a slot valve in the wafer transfer pipe by providing a slot valve provided in a wafer transfer pipe, wherein the slot valve and the wafer of the reaction chamber are provided. A purge port may be installed in a portion of the wafer transfer pipe located between the entrance and exit openings so that the purge gas may be injected from the outside.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치에 있어서, 상기 퍼지용 포트가 슬롯밸브에 인접하게 설치되는 것이 바람직하다.In the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, it is preferable that the purge port is provided adjacent to the slot valve.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 상기 슬롯 밸브가 자신의 온도 조절을 위하여 그 내부에 유체가 흐를 수 있는 온도조절관을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention is characterized in that the slot valve further comprises a temperature control tube through which a fluid flows therein for temperature control thereof.
본 발명에 의하면, 공정 진행 중에 상기 퍼지용 포트를 통하여 퍼지용 기체를 미세하게 불어넣어 줌으로써 상기 반응챔버내의 기체가 상기 웨이퍼 이송관의 내부로 확산할 수 없게 할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 반응챔버에 인접한 상기 웨이퍼 이송관에서 미세 입자가 형성되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, the gas in the reaction chamber can not be diffused into the wafer transfer pipe by injecting the purge gas finely through the purge port during the process. Therefore, it is possible to prevent the formation of fine particles in the wafer transfer tube adjacent to the reaction chamber as in the prior art.
또한, 상기 온도조절관을 통하여 적당한 온도를 갖는 물을 흘러보냄으로써 상기 슬롯 밸브내에 있는 O-링이 열적 손상을 받거나, 상기 슬롯 밸브 부근과 상기 반응챔버의 온도 구배에 의해 미세입자가 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, the O-ring in the slot valve is thermally damaged by flowing water having a proper temperature through the temperature control tube, or fine particles are generated by the temperature gradient of the vicinity of the slot valve and the reaction chamber. You can prevent it.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 구체적으로, 반응챔버(110)는 그 내부에 웨이퍼를 안착시키기 위한 서셉터(Susceptor, 115)를 구비하며, 그 내부 및 외부가 원통형의 형상을 갖는다. 여기서, 상기 서셉터(115)는 그 위에 안착되는 웨이퍼를 가열시키기 위하여 그 내부에 히터(미도시)를 구비한다.2 is a schematic view for explaining a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention. Specifically, the reaction chamber 110 has a susceptor 115 for mounting a wafer therein, the inside and the outside of which has a cylindrical shape. Here, the susceptor 115 has a heater (not shown) therein to heat the wafer seated thereon.
상기 반응챔버(110)는 웨이퍼 이송관(130)에 의해 로드락부(120)와 연결되며, 상기 웨이퍼 이송관(130)을 통해 상기 로드락부(120)에서 상기 반응챔버(110)로 웨이퍼가 이송된다. 상기 웨이퍼 이송관(130)에는 슬롯 밸브(134)가 설치되어 있으며, 이 슬롯 밸브(134)에 의하여 상기 웨이퍼 이송관(130)의 차단 여부가 결정된다.The reaction chamber 110 is connected to the load lock unit 120 by a wafer transfer tube 130, and the wafer is transferred from the load lock unit 120 to the reaction chamber 110 through the wafer transfer tube 130. do. The wafer transfer pipe 130 is provided with a slot valve 134, and the slot valve 134 determines whether the wafer transfer pipe 130 is blocked.
상기 슬롯 밸브(134)는 상기 슬롯밸브(134)와 반응챔버(110) 사이에 위치하는 웨이퍼 이송관(130)에 Ar 또는 N2기체와 같은 퍼지용 기체가 외부로부터 주입될 수 있도록 퍼지용 포트(134e)를 구비한다. 그리고, 상기 슬롯 밸브(134)는 인서트 밸브(134a)의 상하 운동에 의해 그 게이트부(134b)가 열리고 닫힌다. 여기서, 상기 게이트부(134b)에는 상기 반응챔버(110)가 진공 상태일 경우 이를 잘 밀폐시키기 위하여 O-링(134c)이 설치되어 있다.The slot valve 134 is a purge port so that a purge gas such as Ar or N 2 gas may be injected from the outside into the wafer transfer pipe 130 positioned between the slot valve 134 and the reaction chamber 110. 134e is provided. In addition, the gate valve 134b is opened and closed by the vertical movement of the insert valve 134a. Here, the gate part 134b is provided with an O-ring 134c to seal the reaction chamber 110 well in a vacuum state.
상기 슬롯 밸브(134)를 닫음으로써 상기 반응챔버(110)의 내부와 함께, 상기슬롯 밸브(134)와 반응챔버(110) 사이의 웨이퍼 이송관(130) 내부도 반응 공간을 형성하게 된다. 상기 반응챔버(110) 내에서 소정의 공정, 예컨데 증착공정을 진행하면서 상기 퍼지용 기체를 미세하게 불어넣어주게 되면, 그 분압차로 인하여 상기 반응챔버(110) 내의 기체가 상기 웨이퍼 이송관(130)의 내부로 확산할 수 없게 된다. 따라서, 종래와 같이 상기 웨이퍼 이송관(130)의 내부에 박막이 증착됨으로 인한 원하지 않는 미세입자의 발생을 감소시킬 수 있다. 특히, PH3도핑공정에서 Ar을 불어넣어주게 되면 PH3가 Ar에 용해되기 때문에 상기 반응챔버(110)에 인접한 웨이퍼 이송관(130)에 PH3가 증착되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.By closing the slot valve 134, together with the inside of the reaction chamber 110, the inside of the wafer transfer pipe 130 between the slot valve 134 and the reaction chamber 110 also forms a reaction space. When the purge gas is minutely blown in the reaction chamber 110 during a predetermined process, for example, a deposition process, the gas in the reaction chamber 110 is transferred to the wafer transfer pipe 130 due to the partial pressure difference. You will not be able to spread inside. Therefore, it is possible to reduce the generation of unwanted fine particles due to the deposition of a thin film inside the wafer transfer pipe 130 as in the prior art. In particular, when Ar is blown in the PH 3 doping process, since PH 3 is dissolved in Ar, PH 3 may be effectively prevented from being deposited in the wafer transfer pipe 130 adjacent to the reaction chamber 110.
상기 슬롯 밸브(134)는 자신의 온도 조절을 위하여 그 내부에 유체가 흐를 수 있는 온도조절관(134d)을 구비한다. 따라서, 상기 온도조절관(134d)을 통하여 냉각수를 흘려보내주므로써 종래와 같이 상기 O-링(134c)이 열적 손상을 받게 되는 것을 방지할 수 있다. 경우에 따라서는 상기 슬롯 밸브(134) 부근과 상기 반응챔버(110)의 온도 구배를 줄이기 위하여 적당한 온도의 물을 흘러보냄으로써 온도차에 의한 미세입자의 발생을 방지할 수 있다. 예컨데, TiN 증착 공정의 경우는 통상 웨이퍼의 온도가 400℃~450℃ 되고 이로 인해 상기 반응챔버(110) 벽의 온도가 약 150℃ 가 되므로 100℃~160℃ 범위내의 온도를 갖는 물을 흘러보내주는 것이 바람직하다. 물론, 상기 O-링(134c)이 열적으로 손상을 받지 않도록 너무 고온의 물을 흘러보내는 것은 바람직하지 않다.The slot valve 134 is provided with a temperature control tube 134d through which a fluid can flow for controlling the temperature thereof. Therefore, by flowing the cooling water through the temperature control tube (134d) it is possible to prevent the O-ring (134c) from being thermally damaged as in the prior art. In some cases, it is possible to prevent the generation of fine particles due to the temperature difference by flowing water of a suitable temperature in order to reduce the temperature gradient of the vicinity of the slot valve 134 and the reaction chamber 110. For example, in the case of the TiN deposition process, the temperature of the wafer is generally 400 ° C. to 450 ° C., and thus the temperature of the wall of the reaction chamber 110 is about 150 ° C., so that water having a temperature within the range of 100 ° C. to 160 ° C. It is desirable to give. Of course, it is not desirable to flow the water too hot so that the O-ring 134c is not thermally damaged.
해당 위치에 웨이퍼가 있는가의 여부를 감지하는 웨이퍼 감지부(132)는 상기로드락부(120)와 상기 슬롯 밸브(134) 사이에 위치하며, 상기 웨이퍼 감지부(132)에 의해 상기 슬롯 밸브(134)의 열림/닫힘 여부가 결정된다.The wafer detector 132, which detects whether a wafer is present at a corresponding position, is positioned between the load lock unit 120 and the slot valve 134, and the slot valve 134 is disposed by the wafer detector 132. ) Is open or closed.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 의하면, 공정 진행 중에 상기 퍼지용 포트(134e)를 통하여 퍼지용 기체를 미세하게 불어넣어 줌으로써 상기 반응챔버(110) 내의 기체가 상기 웨이퍼 이송관(130)의 내부로 확산할 수 없게 할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 반응챔버에 인접한 상기 웨이퍼 이송관(130)에서 미세 입자가 형성되는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, the gas in the reaction chamber 110 is discharged to the wafer transfer pipe 130 by injecting the purge gas through the purge port 134e finely during the process. It can make it impossible to spread inside. Therefore, it is possible to prevent the formation of fine particles in the wafer transfer tube 130 adjacent to the reaction chamber as in the prior art.
또한, 상기 온도조절관(134d)을 통하여 적당한 온도를 갖는 물을 흘러보냄으로써 상기 O-링(134c)이 열적 손상을 받거나, 상기 슬롯 밸브(134) 부근과 상기 반응챔버(110)의 온도 구배에 의해 미세입자가 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, the O-ring 134c may be thermally damaged by flowing water having an appropriate temperature through the temperature control tube 134d, or the temperature gradient between the slot valve 134 and the reaction chamber 110 may be reduced. By this, it is possible to prevent the generation of fine particles.
본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1999-0042182A KR100426818B1 (en) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | Apparatus for fabricating semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1999-0042182A KR100426818B1 (en) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | Apparatus for fabricating semiconductor devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010035553A KR20010035553A (en) | 2001-05-07 |
| KR100426818B1 true KR100426818B1 (en) | 2004-04-13 |
Family
ID=19613524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-1999-0042182A KR100426818B1 (en) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | Apparatus for fabricating semiconductor devices |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100426818B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101428519B1 (en) * | 2008-03-06 | 2014-08-12 | 주식회사 원익아이피에스 | Valve Assembly and Vacuum Processing Apparatus having the Same |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352712B1 (en) * | 2000-11-14 | 2002-09-16 | 미래산업 주식회사 | Structure for sealing transfer for handler |
| KR100454439B1 (en) * | 2002-01-07 | 2004-10-28 | 주성엔지니어링(주) | Composition of improved slot valve for uniform deposition on a wafer |
| US20130239889A1 (en) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Valve purge assembly for semiconductor manufacturing tools |
| CN112768330B (en) * | 2019-10-21 | 2023-10-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | Plasma processing device and method for preventing leakage of reaction gas |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR980011777A (en) * | 1996-07-19 | 1998-04-30 | 김광호 | Uneven silicon film manufacturing apparatus |
| KR19980050643U (en) * | 1996-12-30 | 1998-10-07 | 문정환 | Semiconductor Chemical Vapor Deposition Equipment |
| KR200149296Y1 (en) * | 1996-06-03 | 1999-06-15 | 윤종용 | Semiconductor wafer load lock chamber |
| KR100269411B1 (en) * | 1992-12-04 | 2001-01-15 | 히가시 데쓰로 | Processing equipment |
| KR20010026091A (en) * | 1999-09-03 | 2001-04-06 | 윤종용 | Deposition device for manufacturing semiconductor |
-
1999
- 1999-10-01 KR KR10-1999-0042182A patent/KR100426818B1/en not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010035553A (en) | 2001-05-07 |
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| A201 | Request for examination | ||
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |