JP3099053B2 - Vacuum equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、真空装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程におけるＣＶ
Ｄ法による成膜処理は、処理ガスに光や熱などのエネル
ギーを与えて化学反応例えば分解反応を起こし、その生
成物を半導体ウエハ（以下ウエハという。）表面に堆積
させていく処理である。このような成膜処理において例
えば熱エネルギーを処理ガスに与える方法では、ウエハ
を加熱するようにしているが、その加熱手段として、ウ
エハを急加熱できる利点から加熱ランプ例えば赤外線ラ
ンプやハロゲンランプなどを用いる場合がある。2. Description of the Related Art CV in a semiconductor device manufacturing process
The film forming process by the D method is a process in which energy such as light or heat is applied to a processing gas to cause a chemical reaction, for example, a decomposition reaction, and the product is deposited on a surface of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer). In such a film forming process, for example, in a method of applying heat energy to the processing gas, the wafer is heated. However, a heating lamp such as an infrared lamp, a halogen lamp, or the like is used because of the advantage that the wafer can be rapidly heated. May be used.
【０００３】例えば従来の成膜装置の中で加熱ランプを
用いた枚葉式の装置について図７を参照しながら説明す
ると、この装置では、気密なチャンバ１の上面に処理ガ
ス供給部１１が設けられ、この処理ガス供給部１１の下
方側にこれに対向してウエハを位置させるよう、ウエハ
Ｗの周縁を支持する載置部１２が配置されている。For example, a single-wafer type apparatus using a heating lamp in a conventional film forming apparatus will be described with reference to FIG. 7. In this apparatus, a processing gas supply unit 11 is provided on the upper surface of an airtight chamber 1. A mounting section 12 that supports the peripheral edge of the wafer W is disposed below the processing gas supply section 11 so that the wafer is positioned to face the processing gas supply section 11.
【０００４】更にウエハＷの下方側に加熱ランプ１３が
設けられると共に、その下方位置におけるチャンバ１の
底壁に排気路１４が接続されている。この排気路１４は
チャンバ１に一体的に形成された排気ポート１５やその
下流側に取り付けられた流量調整用のスロットバルブ１
６、真空ポンプ１７などから構成されている。Further, a heating lamp 13 is provided below the wafer W, and an exhaust passage 14 is connected to a bottom wall of the chamber 1 at a position below the heating lamp 13. The exhaust passage 14 is provided with an exhaust port 15 formed integrally with the chamber 1 and a slot valve 1 for adjusting a flow rate attached to a downstream side thereof.
6, a vacuum pump 17 and the like.
【０００５】このような構成の成膜装置では、真空ポン
プ１７によりチャンバ１内を真空排気し、スロットバル
ブ１６の弁体により流量を調整してチャンバ１内を所定
の真空度に維持すると共に加熱ランプ１３によりウエハ
Ｗを所定温度に加熱しながら処理ガスを供給してウエハ
Ｗ表面に成膜処理を施すようにしている。In the film forming apparatus having such a configuration, the inside of the chamber 1 is evacuated by the vacuum pump 17, the flow rate is adjusted by the valve body of the slot valve 16, and the inside of the chamber 1 is maintained at a predetermined degree of vacuum and heated. A processing gas is supplied while the wafer W is heated to a predetermined temperature by the lamp 13 to perform a film forming process on the surface of the wafer W.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述の装置では、排気
路１４をチャンバ１の底部中央に設けているため、小型
化が図れることなどの利点があるが、スロットバルブ１
６の弁体（バタフライバルブ）が加熱ランプ１３の輻射
熱をまともに受けるためかなり高い温度例えば２５０℃
以上にもなり、弁体が熱膨張して動かなくなったり、動
いたとしてもスムーズな動きが得られないなど、排気制
御部としての機能を失うかあるいはその信頼性が低下
し、この結果圧力制御が困難になるかまたはできなくな
ってしまうという問題があった。In the above-described apparatus, since the exhaust passage 14 is provided at the center of the bottom of the chamber 1, there is an advantage that the size can be reduced.
6, the valve body (butterfly valve) receives the radiant heat of the heating lamp 13 at a considerably high temperature, for example, 250 ° C.
As a result, the valve body loses its function as an exhaust control unit or its reliability decreases, for example, it does not move due to thermal expansion and it does not move smoothly even if it moves, and as a result, pressure control There is a problem that it becomes difficult or impossible.
【０００７】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、気密なチャンバ内の被加熱
物を真空雰囲気下で加熱するにあたって、排気路中の排
気制御部の機能を損なわないようにすることのできる真
空装置を提供することにある。The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to heat an object to be heated in an airtight chamber under a vacuum atmosphere, by using an exhaust control unit in an exhaust path. It is an object of the present invention to provide a vacuum device capable of preventing a function from being impaired.
【０００８】本発明の他の目的は、気密なチャンバ内の
被加熱物を真空雰囲気下で加熱するにあたって、被加熱
物の搬送路を開閉する弁体の機能を損なわないようにす
ることにある。Another object of the present invention is to prevent a function of a valve body for opening and closing a conveying path of a heated object when heating the object to be heated in an airtight chamber in a vacuum atmosphere. .
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、真空
排気のための排気路が接続された気密なチャンバ内に加
熱手段を設け、チャンバ内の被加熱物を前記加熱手段に
より真空雰囲気下で加熱する装置であって、前記排気路
内にて前記加熱手段からの見通し内に排気制御部の弁体
が設けられた真空装置において、前記排気制御部よりも
チャンバ側の排気路に、通気路を備えた熱遮蔽板を設け
たことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, a heating means is provided in an airtight chamber to which an exhaust path for vacuum exhaust is connected, and an object to be heated in the chamber is evacuated to a vacuum atmosphere by the heating means. A device for heating below, in a vacuum device provided with a valve body of the exhaust control unit in the line of sight from the heating means in the exhaust path, in the exhaust path on the chamber side than the exhaust control unit, A heat shield plate provided with a ventilation path is provided.
【００１０】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、熱遮蔽板は、排気路の接続部をシールするためのガ
スケットを兼用したものであることを特徴とする。A second aspect of the present invention is characterized in that, in the first aspect of the present invention, the heat shield plate also serves as a gasket for sealing a connection portion of the exhaust path.
【００１１】請求項３の発明は、気密なチャンバ内に加
熱手段を設け、チャンバ内の被加熱物を真空雰囲気下で
前記加熱手段により加熱する装置であって、チャンバに
接続された排気路または被加熱物の搬送路内にて加熱手
段からの見通し内に弁体が設けられた真空装置におい
て、前記弁体の加熱手段側の面を鏡面としたことを特徴
とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided an apparatus for providing a heating means in an airtight chamber and heating an object to be heated in the chamber in a vacuum atmosphere by the heating means. In a vacuum apparatus provided with a valve body in a line of sight from a heating means in a conveying path of an object to be heated, a surface of the valve body on a heating means side is a mirror surface.
【００１２】[0012]
【作用】請求項１の発明では、例えば処理ガスをチャン
バ内に供給し、被加熱物を加熱手段で加熱しながら被加
熱物に対して所定の処理を行う。ここで排気路中におけ
る加熱手段からの見通し内に排気制御部の弁体が設けら
れていても、加熱手段からの輻射熱は熱遮蔽板により遮
蔽されるため、排気制御部の弁体の温度上昇を抑えるこ
とができ、弁体の熱変形の程度を小さくすることができ
る。また熱遮蔽板には通気路が形成されているので、排
気機能には支障をきたない。この場合請求項２の発明の
ようにガスケットを熱遮蔽板として兼用すれば、熱遮蔽
板を排気路中に別途追加して組み込まなくて済むので製
作が容易である。According to the first aspect of the present invention, for example, a processing gas is supplied into the chamber, and the object to be heated is subjected to a predetermined process while being heated by the heating means. Here, even if the valve body of the exhaust control unit is provided within the line of sight of the heating unit in the exhaust path, the radiant heat from the heating unit is shielded by the heat shielding plate, and the temperature of the valve body of the exhaust control unit rises. And the degree of thermal deformation of the valve body can be reduced. Further, since the ventilation path is formed in the heat shielding plate, the exhaust function is not hindered. In this case, if the gasket is also used as the heat shield plate as in the second aspect of the invention, the heat shield plate does not need to be additionally installed in the exhaust path, and thus the manufacture is easy.
【００１３】請求項３の発明によれば、排気制御部の弁
体あるいは被加熱物の搬送路を開閉する弁体のチャンバ
側の面を鏡面としているので、加熱手段からの輻射熱が
反射され、このため弁体の温度上昇が抑えられるからそ
の熱変形の程度を小さくできる。According to the third aspect of the present invention, since the chamber-side surface of the valve body of the exhaust control unit or the valve body that opens and closes the conveyance path of the object to be heated is a mirror surface, radiant heat from the heating means is reflected, For this reason, the temperature rise of the valve body is suppressed, so that the degree of the thermal deformation can be reduced.
【００１４】[0014]
【実施例】図１は本発明を枚葉式の成膜装置に適用した
実施例を示す図である。図中２は気密構造のチャンバで
あり、このチャンバ２の側壁には、夫々図示しない搬入
用ロードロック室搬出用ロードロック室との間を開閉す
るゲートバルブＧ１、Ｇ２が設けられている。このチャ
ンバ２の中央部には、ウエハＷの周縁部を支持するウエ
ハ載置部２１が配置されると共に、チャンバ２の上面に
は、処理ガス供給部２２がウエハ載置部２１と対向して
配設されている。この処理ガス供給部２２は、下面にガ
ス吹き出し穴（図示せず）を備えた通気室として構成さ
れ、ガス供給管２３を介して例えばＷＦ6 ガスのガス供
給源に接続されている。前記ウエハ載置部２１に載置さ
れるウエハＷの下方側には、このウエハＷを加熱するた
めの加熱手段例えば加熱ランプとしての赤外線ランプ２
０が設けられている。FIG. 1 is a view showing an embodiment in which the present invention is applied to a single wafer type film forming apparatus. In the drawing, reference numeral 2 denotes a chamber having an airtight structure, and gate valves G1 and G2 for opening and closing between a load lock chamber for carrying in and a load lock chamber for carrying out (not shown) are provided on the side walls of the chamber 2, respectively. At the center of the chamber 2, a wafer mounting portion 21 that supports the peripheral portion of the wafer W is arranged. On the upper surface of the chamber 2, a processing gas supply unit 22 faces the wafer mounting portion 21. It is arranged. The processing gas supply unit 22 is configured as a ventilation chamber having a gas blowing hole (not shown) on the lower surface, and is connected to a gas supply source of, for example, WF 6 gas via a gas supply pipe 23. A heating means for heating the wafer W, such as an infrared lamp 2 as a heating lamp, is provided below the wafer W mounted on the wafer mounting portion 21.
0 is provided.
【００１５】前記チャンバ２の底壁におけるウエハ載置
部２１に対向する位置には、排気口を形成する排気ポー
ト３が設けられている。この排気ポート３はチャンバ２
の底壁から下方に突出する短い筒状部よりなり、その下
端部にはフランジ部３１をなしている。前記排気ポート
３の下方側には排気路の排気制御部例えば弁体であるバ
タフライバルブ４１を備えたスロットバルブ４がガスケ
ットを兼ねた熱遮蔽板５を介して気密にかつ図示しない
ボルトにより着脱自在に接続されている。An exhaust port 3 forming an exhaust port is provided at a position on the bottom wall of the chamber 2 facing the wafer mounting portion 21. This exhaust port 3 is connected to the chamber 2
And a short cylindrical portion protruding downward from the bottom wall of the lower end, and has a flange portion 31 at the lower end thereof. Below the exhaust port 3, an exhaust control section of the exhaust path, for example, a slot valve 4 provided with a butterfly valve 41 as a valve body is airtight and detachable with a bolt (not shown) via a heat shield plate 5 also serving as a gasket. It is connected to the.
【００１６】前記熱遮蔽板５は、図１〜図３に示すよう
に例えば表面（チャンバ２側の面）が研磨加工あるいは
コーティングにより鏡面に形成された円形状のアルミニ
ウム板よりなり、周縁が排気ポート３のフランジ部３１
とスロットバルブ４の本体管壁上面との間に挟入されて
これらを気密にシールするガスケットとして構成されて
いる。そして熱遮蔽板５における排気路中の領域には、
排気路の軸に対して斜めに透設された、ガス通流路をな
すスリット５１が並行状に複数形成されている。またこ
こで排気路と熱遮蔽板５との具体的構成の一例を挙げる
と、例えば排気路の口径が１００ｍｍ、熱遮蔽板５の厚
さ及びスリット５１のスリット幅が夫々３ｍｍ及び２ｍ
ｍ、スリット数が１０本に設定される。As shown in FIGS. 1 to 3, the heat shield plate 5 is made of, for example, a circular aluminum plate whose surface (surface on the side of the chamber 2) is mirror-finished by polishing or coating, and its peripheral edge is exhausted. Port 3 flange 31
It is configured as a gasket that is sandwiched between and the upper surface of the main body tube wall of the slot valve 4 to hermetically seal them. Then, in a region in the exhaust path of the heat shielding plate 5,
A plurality of slits 51 which are formed obliquely with respect to the axis of the exhaust path and form a gas passage are formed in parallel. Here, as an example of a specific configuration of the exhaust path and the heat shield plate 5, for example, the diameter of the exhaust path is 100 mm, the thickness of the heat shield plate 5 and the slit width of the slit 51 are 3 mm and 2 m, respectively.
m and the number of slits are set to 10.
【００１７】また前記スロットバルブ４１の下端側に
は、真空ポンプ６がＯリング６１を介して気密にかつ図
示しないボルトにより着脱自在に接続されている。A vacuum pump 6 is connected to the lower end of the slot valve 41 via an O-ring 61 in an airtight manner and detachably by a bolt (not shown).
【００１８】次に上述実施例の作用について述べる。先
ず被加熱物であるウエハＷを図示しない搬送アームによ
りゲートバルブＧ１を介して載置部２１上に載置し、次
いで加熱ランプ２０を点灯してウエハＷを例えば３５０
〜５００℃に加熱すると共に、真空ポンプ６により排気
ポート３の排気口及び排気路を通じて、スロットバルブ
４のバタフライバルブ４１の開度に応じた流量で排気し
ながら、処理ガス供給部２２より処理ガス例えばＷＦ6
ガスを所定の流量例えば１０００ＳＣＣＭの流量でチャ
ンバ２内に供給し、チャンバ２内を所定の真空度例えば
１０-3Ｔｏｒｒに維持する。そしてＷＦ6 ガスはウエハ
Ｗの熱により分解されてＷ（タングステン）が生成さ
れ、ウエハＷの表面に膜状に堆積される。Next, the operation of the above embodiment will be described. First, the wafer W to be heated is mounted on the mounting portion 21 by the transfer arm (not shown) via the gate valve G1, and then the heating lamp 20 is turned on to load the wafer W to, for example, 350 mm.
While being heated to about 500 ° C., the processing gas is supplied from the processing gas supply unit 22 while being evacuated by the vacuum pump 6 through the exhaust port and the exhaust path of the exhaust port 3 at a flow rate corresponding to the opening of the butterfly valve 41 of the slot valve 4. For example, WF 6
The gas is supplied into the chamber 2 at a predetermined flow rate, for example, 1000 SCCM, and the inside of the chamber 2 is maintained at a predetermined vacuum degree, for example, 10 -3 Torr. The WF 6 gas is decomposed by the heat of the wafer W to generate W (tungsten), and is deposited on the surface of the wafer W in a film form.
【００１９】ここで赤外線ランプ２０からの輻射熱が排
気路中に入るが、排気路中には熱遮蔽板５が設けられて
おり、この熱遮蔽板５のスリット５１を通り抜けてバタ
フライバルブ４１に達する輻射熱の量はわずかであるた
め、赤外線ランプ２０からの直接的な輻射熱の大部分は
熱遮蔽板５により遮蔽される。しかも熱遮蔽板５の表面
は鏡面とされているため、図３に示すように輻射熱５２
がここで反射されて熱遮蔽板５の温度上昇も抑えられ、
このため熱遮蔽板５からバタフライバルブ４１に放射さ
れる二次輻射熱の量も少なくなる。この結果バタフライ
バルブ４１の温度上昇が抑えられ、熱変形の程度が小さ
いのでバタフライバルブ４１の機能を損なうおそれがな
く、一方気流５３はスリット５１を通して流れるので通
気機能を確保でき、従って信頼性の高い排気制御を行う
ことができる。Here, the radiant heat from the infrared lamp 20 enters the exhaust passage. The exhaust passage is provided with a heat shield plate 5, which passes through the slit 51 of the heat shield plate 5 and reaches the butterfly valve 41. Since the amount of radiant heat is small, most of the direct radiant heat from the infrared lamp 20 is shielded by the heat shield plate 5. Moreover, since the surface of the heat shielding plate 5 is a mirror surface, as shown in FIG.
Is reflected here and the temperature rise of the heat shielding plate 5 is also suppressed,
Therefore, the amount of secondary radiant heat radiated from the heat shield plate 5 to the butterfly valve 41 is also reduced. As a result, the temperature rise of the butterfly valve 41 is suppressed, and the degree of thermal deformation is small, so that the function of the butterfly valve 41 is not impaired. Exhaust control can be performed.
【００２０】また排気路の接続部をシールするガスケッ
トを熱遮蔽板として利用しているため、つまり通常のガ
スケットはリング状であるが、これを円板形状に構成し
てスリットを設けることにより熱遮蔽板として用いてい
るため、排気路の狭い空間に熱遮蔽板を別途追加して設
ける場合に比べて制作が格段に容易である。Further, since a gasket for sealing a connection portion of the exhaust path is used as a heat shielding plate, that is, an ordinary gasket has a ring shape, but by forming this into a disk shape and providing slits, Since it is used as a shielding plate, the production is much easier than in the case where a heat shielding plate is additionally provided separately in a narrow space of the exhaust passage.
【００２１】以上において熱遮蔽板５の表面は必ずしも
鏡面である必要はないが、鏡面にすれば熱遮蔽板５の温
度上昇が抑えられ、熱遮蔽板５の熱変形の程度が小さく
なる。そして熱遮蔽板５の熱変形はスリット５１により
その一部が吸収されるが、図４に示すように熱遮蔽板５
における排気路の内壁に近い領域に、例えば１２０度の
間隔をおいた微小領域５４を除いて円弧状の空隙５５を
形成し、この空隙５４により熱変形を吸収させるように
してもよいし、また排気路の周壁例えば排気ポート３の
管壁に冷却水路を形成して熱遮蔽板５を冷却し、これに
より熱変形を抑えるようにしてもよい。In the above description, the surface of the heat shield plate 5 does not necessarily have to be a mirror surface, but if it is a mirror surface, the temperature rise of the heat shield plate 5 is suppressed, and the degree of thermal deformation of the heat shield plate 5 is reduced. A part of the heat deformation of the heat shield plate 5 is absorbed by the slit 51, but as shown in FIG.
In an area near the inner wall of the exhaust path in the above, an arc-shaped gap 55 is formed except for a minute area 54 spaced at, for example, 120 degrees, and the gap 54 may absorb thermal deformation. A cooling water passage may be formed on the peripheral wall of the exhaust passage, for example, on the tube wall of the exhaust port 3, to cool the heat shield plate 5, thereby suppressing thermal deformation.
【００２２】更に熱遮蔽板５に設けられる通気路はスリ
ットに限らず小さな穴を多数形成したものであってもよ
く、通気路の面積は、赤外線ランプ２０の加熱温度、赤
外線ランプ２０と熱遮蔽板５との距離、及び確保すべき
排気コンダクタンスなどに応じて適宜設定される。なお
排気制御部の弁体は、加熱手段からの見通し内に配置さ
れるものでれば、加熱手段の真下に位置していなくと
も、本発明の適用は有効である。The air passage provided in the heat shield plate 5 is not limited to a slit, but may be formed with a large number of small holes. The area of the air passage depends on the heating temperature of the infrared lamp 20, the infrared lamp 20 and the heat shield. The distance is appropriately set according to the distance from the plate 5, the exhaust conductance to be ensured, and the like. In addition, the application of the present invention is effective even if the valve body of the exhaust control unit is located within the line of sight from the heating means, even if it is not located directly below the heating means.
【００２３】そしてまた排気中の排気制御部の弁体は、
バタフライバルブに限らずオリフィス部の開口面積を規
制する規制部材であってもよいし、本発明が適用される
真空装置は、ウエハを処理するものに限らず、被加熱物
である被測定物を真空雰囲気下のチャンバ内で加熱し
て、被測定物から放散する成分を測定する装置であって
もよい。Further, the valve body of the exhaust control unit during the exhaust is
It is not limited to the butterfly valve, and may be a regulating member that regulates the opening area of the orifice portion.The vacuum device to which the present invention is applied is not limited to a device that processes a wafer, and a device to be heated, which is an object to be heated. It may be an apparatus for measuring a component which is heated in a chamber under a vacuum atmosphere and radiates from an object to be measured.
【００２４】図５はこのような実施例を示す図であり、
この実施例では円筒状のチャンバ７の内壁に沿って配置
された加熱手段例えば抵抗加熱体７１によりチャンバ７
の中央部に配置された被測定物７２を加熱すると共に、
排気管７３に設けられた排気制御部である、オリフィス
部の開口面積の規制部材７４の上流側にガスケットを兼
用する、スリット（図示せず）を備えた熱遮蔽板７５が
設けられている。７６は真空ポンプである。このような
実施例によれば熱遮蔽板７５によって、抵抗加熱体７１
からの輻射熱により前記規制部材７４の先端の熱変形を
防止できる。FIG. 5 is a diagram showing such an embodiment.
In this embodiment, a heating means such as a resistance heating element 71 arranged along the inner wall of the cylindrical chamber 7 is used to form the chamber 7.
While heating the DUT 72 arranged at the center of the
A heat shield plate 75 provided with a slit (not shown) serving also as a gasket is provided on the upstream side of the regulating member 74 for regulating the opening area of the orifice portion, which is an exhaust control portion provided in the exhaust pipe 73. 76 is a vacuum pump. According to such an embodiment, the resistance heating body 71 is
Of the regulating member 74 can be prevented from being thermally deformed by the radiant heat.
【００２５】ここで図６は、本発明の更に他の実施例
（請求項３の発明の実施例）を示す図であり、この実施
例の装置は、例えば赤外線ランプ２０によりウエハＷを
加熱しながら成膜処理する装置において、熱遮蔽板５を
用いずにバタフライバルブ４１のチャンバ２側の面４２
を鏡面とし、更にロードロック室８との間のウエハＷの
搬送路に設けられた弁体としてのゲートバルブＧ１のチ
ャンバ２側の面を鏡面としたものである。このような構
成によれば、赤外線ランプ２０によるバタフライバルブ
４１及びゲートバルブ８１の温度上昇を抑えることがで
き、ゲートバルブ８１の熱変形を小さくできる。なお被
加熱物を処理する真空装置としては、熱ＣＶＤ装置に限
らず、プラズマＣＶＤ装置、エッチング装置、アッシン
グ装置、スパッタ装置などであってもよい。FIG. 6 is a view showing still another embodiment of the present invention (an embodiment of the third aspect of the present invention). The apparatus of this embodiment heats a wafer W by an infrared lamp 20 for example. In the apparatus for performing a film forming process, the surface 42 of the butterfly valve 41 on the chamber 2 side is used without using the heat shield plate 5.
Is a mirror surface, and a surface of the gate valve G1 as a valve provided on the transfer path of the wafer W between the load lock chamber 8 and the chamber 2 side is a mirror surface. According to such a configuration, the temperature rise of the butterfly valve 41 and the gate valve 81 due to the infrared lamp 20 can be suppressed, and the thermal deformation of the gate valve 81 can be reduced. The vacuum device for processing the object to be heated is not limited to the thermal CVD device, but may be a plasma CVD device, an etching device, an ashing device, a sputtering device, or the like.
【００２６】[0026]
【発明の効果】請求項１の発明によれば、チャンバ内の
加熱手段からの輻射熱は熱遮蔽板により遮蔽されるた
め、排気路中の排気制御部の弁体の温度上昇を抑えるこ
とができ、従って弁体の熱変形の程度を小さく抑えるこ
とができるので、信頼性の高い排気制御を行うことがで
きる。According to the first aspect of the present invention, since the radiant heat from the heating means in the chamber is shielded by the heat shield plate, the temperature rise of the valve body of the exhaust control unit in the exhaust path can be suppressed. Therefore, the degree of thermal deformation of the valve body can be suppressed to a small degree, so that highly reliable exhaust control can be performed.
【００２７】請求項２の発明によれば、熱遮蔽板とし
て、排気路の接続部をシールするためのガスケットを利
用しているため、熱遮蔽板を排気中に別途追加して組み
込まなくてもよく、従って製作が容易である。According to the second aspect of the present invention, since the gasket for sealing the connection portion of the exhaust passage is used as the heat shield plate, it is not necessary to separately add the heat shield plate to the exhaust gas. Good and therefore easy to fabricate.
【００２８】請求項３の発明によれば、排気路中の弁体
や被加熱物の搬送路の弁体の温度上昇を抑えることがで
き、弁体の動作の信頼性が損なわれない。According to the third aspect of the present invention, it is possible to suppress a rise in the temperature of the valve element in the exhaust path and the valve element in the conveying path of the object to be heated, and the operation reliability of the valve element is not impaired.
【図１】本発明の実施例の全体構成を示す断面図であ
る。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the overall configuration of an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例の要部を示す分解斜視図であ
る。FIG. 2 is an exploded perspective view showing a main part of the embodiment of the present invention.
【図３】熱遮蔽板の作用を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing an operation of a heat shielding plate.
【図４】熱遮蔽板の他の例を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing another example of the heat shield plate.
【図５】本発明の他の実施例を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing another embodiment of the present invention.
【図６】本発明の更に他の実施例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing still another embodiment of the present invention.
【図７】従来の成膜装置の一例を示す概略断面図であ
る。FIG. 7 is a schematic sectional view showing an example of a conventional film forming apparatus.
２ チャンバ ２０ 赤外線ランプ ２２ ガス供給部 ３ 排気ポート ４ スロットバルブ ４１ 弁体 ５ 熱遮蔽板 ５１ スリット ６ 真空ポンプ ７ チャンバ ７１ 抵抗発熱体 ７２ 被測定物 ７４ 開口面積の規制部材 ７５ 熱遮蔽板 ８ ロードロック室 Ｇ１、Ｇ２、８１ ゲートバルブ Ｗ 半導体ウエハ 2 Chamber 20 Infrared Lamp 22 Gas Supply Unit 3 Exhaust Port 4 Slot Valve 41 Valve Element 5 Heat Shielding Board 51 Slit 6 Vacuum Pump 7 Chamber 71 Resistance Heating Element 72 DUT 74 Opening Area Regulating Member 75 Heat Shielding Plate 8 Load Lock Chamber G1, G2, 81 Gate valve W Semiconductor wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−94117（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−73613（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−310455（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−53126（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/46 F01N 7/14 H01L 21/306 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-4-94117 (JP, A) JP-A-64-73613 (JP, A) JP-A-6-310455 (JP, A) 53126 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/205 C23C 16/46 F01N 7/14 H01L 21/306
Claims (3)
密なチャンバ内に加熱手段を設け、チャンバ内の被加熱
物を前記加熱手段により真空雰囲気下で加熱する装置で
あって、前記排気路内にて前記加熱手段からの見通し内
に排気制御部の弁体が設けられた真空装置において、 前記排気制御部よりもチャンバ側の排気路に、通気路を
備えた熱遮蔽板を設けたことを特徴とする真空装置。1. An apparatus in which a heating means is provided in an airtight chamber to which an exhaust path for vacuum exhaust is connected, and an object to be heated in the chamber is heated under a vacuum atmosphere by the heating means. In a vacuum device in which a valve body of an exhaust control unit is provided in a line of sight from the heating unit, a heat shield plate having a ventilation path is provided in an exhaust path on a chamber side of the exhaust control unit. A vacuum device characterized by the above-mentioned.
るためのガスケットを兼用したものであることを特徴と
する請求項１記載の真空装置。2. The vacuum apparatus according to claim 1, wherein the heat shield plate also serves as a gasket for sealing a connection portion of the exhaust path.
ャンバ内の被加熱物を真空雰囲気下で前記加熱手段によ
り加熱する装置であって、チャンバに接続された排気路
または被加熱物の搬送路内にて加熱手段からの見通し内
に弁体が設けられた真空装置において、 前記弁体の加熱手段側の面を鏡面としたことを特徴とす
る真空装置。3. An apparatus in which a heating means is provided in an airtight chamber, and an object to be heated in the chamber is heated by the heating means in a vacuum atmosphere, wherein an exhaust passage connected to the chamber or a conveyance of the object to be heated is provided. A vacuum device in which a valve body is provided in a line of sight from a heating means, wherein a surface of the valve body on a heating means side is a mirror surface.
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Cited By (2)
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