KR100414487B1 - CRT of Transposed scan - Google Patents
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Abstract
본 발명의 구성은, R(Red), G(Green), B(Blue) 3색의 전자빔들을 발생하는 3개의 캐소드가 수직 인라인으로 배열된 전자총, 상기 전자총에서 방출된 전자빔이 형광면에 부딪혀 색을 재현하는 스크린, 단축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 핀쿠션자계를 형성하는 수직코일과 장축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 바렐형 편향자계를 형성하는 수평코일로 구성된 편향요크, 및 전자빔 통과홀이 형성된 새도우마스크를 포함하는 상하주사형 음극선관에 있어서, 상기 새도우마스크의 전자빔 통과 홀의 수직피치를 a 라하고, 상기 새도우마스크에 수직열로 배열된 전자빔 통과홀의 중심과 상기 수직열에 인접하여 배열된 전자빔 통과홀의 중심간의 거리를 b 라고 할 때, 다음 식 0.4 < b/a < 0.9 을 만족하는 것을 특징으로 한다.According to the configuration of the present invention, an electron gun in which three cathodes that generate three colors of R (Red), G (Green), and B (Blue) electron beams are arranged in a vertical inline, and the electron beam emitted from the electron gun strike a fluorescent surface A shadow mask with a reproducing screen, a deflection yoke consisting of a vertical coil forming a pincushion magnetic field for deflecting the electron beam in a short axis direction, a horizontal coil forming a barrel-shaped deflection magnetic field for deflecting the electron beam in a long axis direction, and a shadow mask having an electron beam through hole formed therein. In the vertical scanning cathode ray tube comprising a, the vertical pitch of the electron beam through hole of the shadow mask is a, the center of the electron beam through hole arranged in a vertical column in the shadow mask and the center of the electron beam through hole arranged adjacent to the vertical column When the distance between the b is characterized by satisfying the following equation 0.4 <b / a <0.9.
따라서, 본 발명에 의하면, 상하주사형 음극선관의 새도우마스크의 수평피치를 최적화함으로써 모아레 현상을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.Therefore, according to the present invention, it is possible to obtain the effect of preventing the moiré phenomenon by optimizing the horizontal pitch of the shadow mask of the vertical scanning cathode ray tube.
Description
본 발명은 상하주사형 음극선관에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 모아레 현상을 방지하기 위하여 새도우마스크의 수평피치를 최적화하는 상하주사형 음극선관에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical scanning cathode ray tube, and more particularly to a vertical scanning cathode ray tube for optimizing the horizontal pitch of the shadow mask to prevent moiré phenomenon.
도 1은 상하주사형 음극선관의 수직단면도이다.1 is a vertical sectional view of a vertical scanning cathode ray tube.
도 1에서와 같이, 상하주사형 음극선관은 내면에 형광체(3)가 도포되어 있는 패널(1)과, R(Red), G(Green), B(Blue) 3색의 전자빔들(8,9,10)을 발생하는 3개의 캐소드가 수직 인라인으로 배열된 전자총(4)과, 상기 전자총에서 방출된 전자빔이 형광면에 부딪혀 색을 재현하는 스크린(2)과, 단축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 핀쿠션자계를 형성하는 수직코일과 장축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 바렐형 편향자계를 형성하는 수평코일로 구성된 편향요크(5), 및 상기 전자빔이 통과홀(7)들이 형성된 새도우마스크(6)등으로 구성되어있다.As shown in FIG. 1, the vertical scanning cathode ray tube includes a panel 1 having a phosphor 3 coated on its inner surface, and electron beams 8 of three colors R (Red), G (Green), and B (Blue). An electron gun 4 in which three cathodes 9 and 10 are arranged in a vertical inline, a screen 2 in which the electron beam emitted from the electron gun hits a fluorescent surface to reproduce color, and for deflecting the electron beam in a uniaxial direction A deflection yoke (5) consisting of a vertical coil forming a pincushion magnetic field and a horizontal coil forming a barrel-shaped deflection magnetic field for deflecting the electron beam in the long axis direction, and a shadow mask (6) having the electron beam passing through holes (7). Consists of
이와 같이 구성된 도 1의 음극선관은 전자총(4)의 히터에 전원이 인가되어 음극으로부터 전자빔이 발생된 R,G,B 3색의 전자빔이 다수개의 전극을 차례로 통과하면서 가속 및 집속된 다음, 편향요크(5)의 자계에 의해 수직 및 수평방향으로 편향된 상태로 스크린(2)을 향해 주사된다.The cathode ray tube of FIG. 1 configured as described above is accelerated and focused while the electron beams of three colors R, G, and B, in which an electron beam is generated from the cathode, are sequentially passed through a plurality of electrodes, and then deflected. Scanned toward the screen 2 in a state deflected in the vertical and horizontal directions by the magnetic field of the yoke 5.
상기와 같이 주사된 전자빔은 색선별 역할을 하는 새도우마스크(6)의 전자빔 통과홀(7)을 통과하여 패널(1)의 내면에 도포된 형광체(3)를 발광시키게 되므로 화상이 재현된다.The electron beam scanned as described above passes through the electron beam passage hole 7 of the shadow mask 6, which serves as color screening, and emits the phosphor 3 coated on the inner surface of the panel 1, thereby reproducing an image.
종래에 도 2a와 같은 수평주사형 칼라음극선관의 새도우마스크에서는 주사방향이 좌측에서 우측으로 주사하기 때문에 모아레 현상 발생의 주요한 인자는 새도우마스크의 수직피치(Pv)에 있었다.Conventionally, in the shadow mask of a horizontal scanning type color cathode ray tube as shown in FIG. 2A, since the scanning direction is scanned from left to right, the main factor of the moiré phenomenon is the vertical pitch (Pv) of the shadow mask.
그러나, 도 1과 같은 상하주사형의 칼라음극선관에서는 도 2b와 같이, 주사방향이 상측에서 하측으로 주사하기 때문에 모아레 현상을 발생시키는 주요한 인자는 수평피치(Ph)에 있게 된다.However, in the vertical scanning type color cathode ray tube as shown in Fig. 1, as shown in Fig. 2B, since the scanning direction is scanned from the upper side to the lower side, the main factor for generating the moiré phenomenon is at the horizontal pitch Ph.
따라서, 상하주사형 칼라음극선관의 모아레 현상을 방지하기 위해서는 새도우마스크의 수평피치 및 수직피치의 최적화가 필요하다.Therefore, in order to prevent the moiré phenomenon of the vertical scanning type color cathode ray tube, it is necessary to optimize the horizontal pitch and the vertical pitch of the shadow mask.
따라서, 본 발명의 목적은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 상하주사형 음극선관의 모아레 현상을 발생시키는 새도우마스크의 수평피치를 최적화하기 위한 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of the present invention is to solve the conventional problems, and to aim to optimize the horizontal pitch of the shadow mask to generate the moiré phenomenon of the vertical scanning type cathode ray tube.
도 1은 상하주사형 음극선관의 수직단면도,1 is a vertical cross-sectional view of the vertical scanning cathode ray tube,
도 2a는 수평주사형 음극선관의 새도우마스크에 형성된 전자빔 통과 홀을 나타낸 도면,Figure 2a is a view showing an electron beam through hole formed in the shadow mask of the horizontal scanning cathode ray tube,
도 2b는 상하주사형 음극선관의 새도우마스크에 형성된 전자빔 통과홀을 나타낸 도면,Figure 2b is a view showing an electron beam through hole formed in the shadow mask of the vertical scanning cathode ray tube,
도 3a는 본 발명에 따른 상하주사형 음극선관의 새도우마스크에 형성된 전자빔 통과홀을 나타낸 도면.Figure 3a is a view showing an electron beam through hole formed in the shadow mask of the vertical scanning cathode ray tube according to the present invention.
도 3b는 스크린의 형광체(R,G,B)를 설명하기 위한 도면.3B is a diagram for explaining phosphors R, G, and B on the screen.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
2:스크린 3:형광체2: screen 3: phosphor
6:새도우마스크 7:새도우마스크의 전자빔 통과홀.6: Shadow mask 7: Electron beam passing hole in shadow mask.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, R(Red), G(Green), B(Blue) 3색의 전자빔들을 발생하는 3개의 캐소드가 수직 인라인으로 배열된 전자총, 상기 전자총에서 방출된 전자빔이 형광면에 부딪혀 색을 재현하는 스크린, 단축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 핀쿠션자계를 형성하는 수직코일과 장축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 바렐형 편향자계를 형성하는 수평코일로 구성된 편향요크, 및 전자빔 통과홀이 형성된 새도우마스크를 포함하는 상하주사형 음극선관에 있어서, 상기 새도우마스크의 전자빔 통과홀의 수직피치를 a 라하고, 상기 새도우마스크에 수직열로 배열된 전자빔 통과홀의 중심과 상기 수직열에 인접하여 배열된 전자빔 통과 홀의 중심간의 거리를 b 라고 할 때, 다음 식 0.4 < b/a < 0.9 을 만족하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the object as described above, three cathodes for generating electron beams of three colors R (Red), G (Green), B (Blue), an electron gun arranged in a vertical inline, emitted from the electron gun A deflection yoke consisting of a screen for reproducing color by hitting a fluorescent surface, a vertical coil for forming a pincushion magnetic field for deflecting the electron beam in a short axis direction, and a horizontal yoke for forming a barrel-type deflection magnetic field for deflecting the electron beam in a major axis direction, and A vertical scanning cathode ray tube including a shadow mask having an electron beam through-hole formed therein, wherein the vertical pitch of the electron beam through-hole of the shadow mask is a, and is adjacent to the center and the vertical column of the electron beam through-holes arranged in a vertical row in the shadow mask. When the distance between the center of the electron beam passing holes arranged by b is characterized by satisfying the following equation 0.4 <b / a <0.9.
이하에서는 상기의 목적을 달성하는 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the present invention to achieve the above object will be described in detail.
본 발명은 도 1에서와 같이 R(Red), G(Green), B(Blue) 3색의 전자빔들(8,9,10)을 발생하는 3개의 캐소드가 수직 인라인으로 배열된 전자총(4)과, 상기 전자총에서 방출된 전자빔이 형광면에 부딪혀 색을 재현하는 스크린(2)과, 단축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 핀쿠션자계를 형성하는 수직코일과 장축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 바렐형 편향자계를 형성하는 수평코일로 구성된 편향요크(5), 및 상기 전자빔의 통과홀(7)들이 형성된 새도우마스크(6)등으로 구성된 상하주사형 음극선관이다.As shown in FIG. 1, an electron gun 4 in which three cathodes generating three electron beams 8, 9, and 10 of R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a vertical inline. And a screen (2) for reproducing color by the electron beam emitted from the electron gun hitting a fluorescent surface, a vertical coil for forming a pincushion magnetic field for deflecting the electron beam in a short axis direction, and a barrel-type deflection magnetic field for deflecting the electron beam in a long axis direction. It is a vertical scanning type cathode ray tube composed of a deflection yoke (5) consisting of a horizontal coil to form a, and a shadow mask (6) and the like formed with the through holes (7) of the electron beam.
상기와 같은 상하주사형 음극선관의 경우 스캔라인이 상측에서 하측 방향이기 때문에 새도우마스크의 수평피치(Ph)가 모아레 현상을 발생시키는 주요한 인자가 된다.In the case of the vertical scan type cathode ray tube as described above, the horizontal pitch Ph of the shadow mask becomes a major factor for generating the moiré phenomenon since the scan line is from the upper side to the lower side.
따라서, 상기 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 새도우마스크의 전자빔 통과홀의 수직피치(a)와, 새도우마스크에 수직열로 배열된 전자빔 통과홀의 중심과 상기 수직열에 인접하여 배열된 전자빔 통과홀의 중심간의 거리(b)의 관계가 0.4 < b/a < 0.9의 범위를 만족하도록 설계하였다.Therefore, in order to solve the above problem, in the present invention, the distance between the vertical pitch (a) of the electron beam through hole of the shadow mask and the center of the electron beam through hole arranged in a vertical column in the shadow mask and the center of the electron beam through hole arranged adjacent to the vertical column. The relationship of (b) was designed to satisfy the range of 0.4 <b / a <0.9.
그리고, 새도우마스크의 전자빔 통과홀의 수직피치(a)는 0.320mm < a < 0.480mm을, 상기 새도우마스크에 수직열로 배열된 전자빔 통과 홀의 중심과 상기 수직열에 인접하여 배열된 전자빔 통과 홀의 중심간의 거리(b)는 0.200mm < b < 0.280mm의 범위 값을 만족한다.In addition, the vertical pitch (a) of the electron beam through hole of the shadow mask is 0.320 mm <a <0.480 mm, and the distance between the center of the electron beam through hole arranged in a vertical column in the shadow mask and the center of the electron beam through hole arranged adjacent to the vertical column. (b) satisfies a range value of 0.200 mm <b <0.280 mm.
도 1의 새도우마스크(6)의 두께가 0.12t일 경우, 새도우마스크의 에칭성 문제 때문에 도 3a에 도시된 새도우마스크의 전자빔 통과홀의 소공경(7a)은 최소한 0.100mm 이상이 되어야 하고, 상기 새도우마스크의 대공경(7b)은 태퍼(Taper)를 고려하여 통상 0.200mm 이상이 되어야한다.When the thickness of the shadow mask 6 of FIG. 1 is 0.12t, the small hole diameter 7a of the electron beam through hole of the shadow mask shown in FIG. 3A should be at least 0.100 mm due to the etching problem of the shadow mask. The large diameter 7b of the mask should normally be 0.200 mm or more in consideration of the tapper.
그리고, 17" 경우 메인모드인 1024 × 768에서 해상도를 고려하면 도 3에서, 새도우마스크에 수직열로 배열된 전자빔 통과 홀의 중심과 상기 수직열에 인접하여 배열된 전자빔 통과 홀의 중심간의 거리(b)는 0.280mm보다는 작아야 한다.In consideration of the resolution in the main mode 1024 x 768 in the case of 17 ", in FIG. 3, the distance b between the center of the electron beam passing holes arranged in the vertical column and the center of the electron beam passing holes arranged adjacent to the vertical column are It should be less than 0.280mm.
왜냐하면, 상기 새도우마스크에 수직열로 배열된 전자빔 통과 홀의 중심과 상기 수직열에 인접하여 배열된 전자빔 통과 홀의 중심간의 거리(b)가 0.280mm이상일 경우에 메인모드인 1024 × 768의 해상도는 만족하지만, 실제화면이 듬성듬성 하게 보이기 때문에 실제로 0.280mm이상은 사용하지 않기 때문이다.Because, when the distance (b) between the center of the electron beam passing holes arranged in the vertical column and the center of the electron beam passing holes arranged adjacent to the vertical column is 0.280 mm or more, the resolution of the main mode 1024 × 768 is satisfied. This is because the actual screen looks sleek, so it doesn't use more than 0.280mm.
그러므로, 새도우마스크에 수직열로 배열된 전자빔 통과 홀의 중심과 상기 수직열에 인접하여 배열된 전자빔 통과 홀의 중심간의 거리(b)의 범위는 0.200mm < b < 0.280mm 이 된다.Therefore, the range b of the distance b between the center of the electron beam passing holes arranged in a vertical column in the shadow mask and the center of the electron beam passing holes arranged adjacent to the vertical column is 0.200 mm <b <0.280 mm.
도 1의 새도우마스크(6)를 통한 스크린상의 전자빔 통과 홀(7)의 확대율은 1.05이며, 도 3b의 스크린 형광체(R,G,B)의 관계를 고려할 때, 전자빔 통과 홀의수직피치(a)는 최소 0.320mm가 되어야 한다.The magnification of the electron beam passing holes 7 on the screen through the shadow mask 6 of FIG. 1 is 1.05, and considering the relationship of the screen phosphors R, G, and B of FIG. 3B, the vertical pitch (a) of the electron beam passing holes is shown. Should be at least 0.320mm.
새도우마스크 전자빔 통과홀(7)의 크기가 0.95mm일 때, 상기 새도우마스크를 통한 스크린상의 전자빔 통과 홀(7)의 확대율에 의해 도 3b의 스크린 형광체(R,G,B)의 각각의 크기는 0.100mm 가 된다.When the size of the shadow mask electron beam passing hole 7 is 0.95 mm, the size of each of the screen phosphors R, G, and B of FIG. 3B is increased by the enlargement ratio of the electron beam passing hole 7 on the screen through the shadow mask. 0.100 mm.
이때, 도 3b의 스크린 수직피치(a')는 0.300mm이고 상기 새도우마스크(6)를 통한 스크린상의 전자빔 통과 홀(7)의 확대율에 의해 새도우마스크 수직피치(a)는 0.280mm(0.300mm/1.05)가 된다.In this case, the screen vertical pitch a 'of FIG. 3B is 0.300 mm, and the shadow mask vertical pitch a is 0.280 mm (0.300 mm /) by the magnification of the electron beam passing hole 7 on the screen through the shadow mask 6. 1.05).
그런데, 도 3a 및 도 3b의 새도우마스크의 전자빔 통과 홀의 수직피치(a)가 0.280mm일 때, 도 3b의 스크린 형광체(R,G,B)는 서로 붙어있게 되며, 실제 스크린은 이와 같이 형성되지 않고 스크린 형광체(R,G,B)사이에 블랙메트릭스가 형성되어 있어 스크린 형광체(R,G,B)간에 여유공간을 가지게 된다.However, when the vertical pitch (a) of the electron beam passing hole of the shadow mask of FIGS. 3A and 3B is 0.280 mm, the screen phosphors R, G, and B of FIG. 3B are stuck to each other, and the actual screen is not formed in this way. Instead, black matrices are formed between the screen phosphors R, G, and B to have a clearance between the screen phosphors R, G, and B.
그러므로 스크린 형광체(R,G,B)간의 간격을 약 0.010mm씩 주게되면 스크린의 수직피치(a')는 0.340mm가 되며, 상기 새도우마스크(6)를 통한 스크린상의 전자빔통과 홀(7)의 확대율에 의해 이때의 새도우마스크 수직피치(a)는 0.320mm(0.340mm/1.05)가 된다.Therefore, when the distance between the screen phosphors R, G, and B is about 0.010 mm, the vertical pitch a 'of the screen becomes 0.340 mm, and the electron beam passing through the screen 7 through the shadow mask 6 At this time, the shadow mask vertical pitch a is 0.320 mm (0.340 mm / 1.05).
그리고, 수직방향의 해상도와 새도우마스크 구조적 곡률강도를 고려할 때 상기 새도우마스크의 전자빔 통과 홀의 수직피치(a)는 최대 0.480mm가 되어야 한다.In addition, considering the vertical resolution and the shadow mask structural curvature strength, the vertical pitch (a) of the electron beam through hole of the shadow mask should be at most 0.480 mm.
왜냐하면, 새도우마스크 곡률강도는 새도우마스크의 곡률이 더 꺽일수록 드롭 특성에 유리하나, 드롭 특성만을 고려하여 무한정 새도우마스크 수직피치를 키우게 되면 실제화면이 듬성듬성하게 보여서 새도우마스크의 전자빔 통과 홀의 수직피치(a)는 실제로 0.480mm이상 사용하지 않는다.Because the shadow mask curvature strength is more favorable for the drop characteristics as the curvature of the shadow mask is more bent, but if the shadow mask vertical pitch is increased indefinitely considering the drop characteristics, the actual screen appears sparsely and the vertical pitch of the electron beam passing hole of the shadow mask ( a) does not actually use more than 0.480mm.
그러므로 새도우마스크의 전자빔 통과홀의 수직피치(a)의 범위는 0.320mm < a < 0.480mm 의 값을 갖는다.Therefore, the vertical pitch (a) of the electron beam through hole of the shadow mask has a value of 0.320 mm <a <0.480 mm.
상기 새도우마스크의 전자빔 통과 홀의 수직피치(a) 범위와 새도우마스크에 수직열로 배열된 전자빔 통과 홀의 중심과 상기 수직열에 인접하여 배열된 전자빔 통과홀의 중심간의 거리(b)의 범위를 고려하여 도 3a의 새도우마스크 전자빔 통과 홀의 수평피치(c)의 범위를 구해보면 하기와 같다.3A in consideration of the range of the vertical pitch (a) of the electron beam through hole of the shadow mask and the distance (b) between the center of the electron beam through hole arranged in a vertical row in the shadow mask and the center of the electron beam through hole arranged adjacent to the vertical row (b) Looking at the range of the horizontal pitch (c) of the shadow mask electron beam through hole of the following.
b2= (a/s)2+ (c/2)2 b 2 = (a / s) 2 + (c / 2) 2
c2= 4b2- a2 c 2 = 4 b 2 -a 2
그러므로, c =이다.Therefore, c = to be.
상기 새도우마스크의 전자빔 통과홀의 수직피치(a) 값이 0.320mm 이고 상기 새도우마스크에 수직열로 배열된 전자빔 통과홀의 중심과 상기 수직열에 인접하여 배열된 전자빔 통과 홀의 중심간의 거리(b) 값이 0.200mm일 때, 새도우마스크 전자빔 통과홀의 수평피치(c)는 0.240mm의 값을 가진다.The vertical pitch (a) of the electron beam through hole of the shadow mask is 0.320 mm, and the distance (b) between the center of the electron beam through hole arranged in a vertical column on the shadow mask and the center of the electron beam through hole arranged adjacent to the vertical column is 0.200. When mm, the horizontal pitch (c) of the shadow mask electron beam through hole has a value of 0.240 mm.
그리고, 새도우마스크의 전자빔 통과홀의 수직피치(a) 값이 0.480mm 이고 상기 새도우마스크에 수직열로 배열된 전자빔 통과홀의 중심과 상기 수직열에 인접하여 배열된 전자빔 통과홀의 중심간의 거리(b) 값이 0.280mm일 때, 새도우마스크 전자빔 통과홀의 수평피치(c)는 0.280mm의 값을 가지므로, 새도우마스크의 수평피치(c)의 범위는 하기와 같다.In addition, the vertical pitch (a) of the electron beam through-hole of the shadow mask is 0.480 mm, and the distance (b) between the center of the electron beam through-hole arranged in the vertical column and the center of the electron beam through-hole arranged adjacent to the vertical column is When 0.280mm, the horizontal pitch (c) of the shadow mask electron beam through hole has a value of 0.280mm, the range of the horizontal pitch (c) of the shadow mask is as follows.
0.24mm < c < 0.28mm0.24mm <c <0.28mm
아래 표 1은 새도우마스크의 전자빔 통과홀의 수평피치(c) 값에 따라 모아레 특성을 나타내는 파장(λ)값의 변화를 나타내고 있다.Table 1 below shows the change of the wavelength (λ) value showing the moire characteristic according to the horizontal pitch (c) value of the electron beam through hole of the shadow mask.
〔 표 1〕[Table 1]
c = 0.24mmc = 0.24 mm
c = 0.25mmc = 0.25 mm
c = 0.26mmc = 0.26 mm
c = 0.27mmc = 0.27 mm
c = 0.28mmc = 0.28 mm
c = 0.29mmc = 0.29 mm
c = 0.30mmc = 0.30 mm
상기 표 1에서 보듯이, 상하주사형 음극선관의 새도우마스크의 수평피치(c) 값은 0.24mm < c < 0.28mm의 범위 값을 만족할 때, 모아레 특성을 나타내는 파장(λ)값이 작아짐을 알 수 있다.As shown in Table 1, when the horizontal pitch (c) value of the shadow mask of the vertical scanning cathode ray tube satisfies the range value of 0.24mm <c <0.28mm, it is understood that the wavelength (λ) value indicating the moiré characteristics becomes smaller. Can be.
따라서, 본 발명에 의하면, 상하주사형 음극선관의 새도우마스크의 수평피치를 최적화함으로써, 모아레 현상을 방지하고 상하주사형 음극선관에서 상대적으로 취약해지는 수직방향의 구조강도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, by optimizing the horizontal pitch of the shadow mask of the vertical scanning cathode ray tube, it is possible to prevent the moiré phenomenon and to improve the structural strength in the vertical direction that is relatively weak in the vertical scanning cathode ray tube. .
Claims (4)
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