KR100414496B1 - CRT of Transposed scan - Google Patents

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KR100414496B1
KR100414496B1 KR10-2002-0007009A KR20020007009A KR100414496B1 KR 100414496 B1 KR100414496 B1 KR 100414496B1 KR 20020007009 A KR20020007009 A KR 20020007009A KR 100414496 B1 KR100414496 B1 KR 100414496B1
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Abstract

본 발명의 구성은, 상하주사형 음극선관에 있어서, 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯들의 수직피치를 Pvo라하고, 상기 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯들의 수직피치를 Pvc라 할 때, 다음 식, 1.1 < Pvc / Pvo < 1.7을 만족하고, 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯의 수직공경을 Dvo라하고, 상기 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯의 수직공경을 Dvc라 할 때, 다음 식, 1.1 < Dvc / Dvo < 1.7을 만족하는 것을 특징으로 한다.The configuration of the present invention, in the vertical scanning cathode ray tube, when the vertical pitch of the slots located in the center of the shadow mask Pvo, and the vertical pitch of the slots located in the corner of the shadow mask Pvc, the following equation, When 1.1 <Pvc / Pvo <1.7 is satisfied, the vertical diameter of the slot located in the center of the shadow mask is referred to as Dvo, and the vertical diameter of the slot located at the corner of the shadow mask is referred to as Dvc, 1.1 <Dvc / Dvo <1.7.

따라서, 본 발명에 의하면, 상하주사형 음극선관에 있어서 새도우마스크의 구조적 강도를 향상시켜 내충격성 향상 및 하울링 현상을 방지하고 퓨리티의 특성도 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.Therefore, according to the present invention, the structural strength of the shadow mask in the vertical scanning cathode ray tube can be improved, thereby improving the impact resistance and the howling phenomenon, and improving the characteristics of the purity.

Description

상하주사형 음극선관{CRT of Transposed scan}Vertical scanning cathode ray tube {CRT of Transposed scan}

본 발명은 상하주사형 음극선관에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 음극선관의 드롭특성 및 퓨리티 특성을 향상시키기 위한 상하주사형 음극선관의 새도우마스크구조개선에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical scan type cathode ray tube, and more particularly, to an improvement of a shadow mask structure of a vertical scan type cathode ray tube for improving drop characteristics and purity characteristics of a cathode ray tube.

도 1은 상하주사형 음극선관의 수직단면도이다.1 is a vertical sectional view of a vertical scanning cathode ray tube.

도 1에서와 같이, 상하주사형 음극선관은 내면에 형광체(3)가 도포되어 있는 패널(1)과, R(Red), G(Green), B(Blue) 3색의 전자빔들(8,9,10)을 발생하는 3개의 캐소드가 수직 인라인으로 배열된 전자총(4)과, 상기 전자총에서 방출된 전자빔이 형광면에 부딪혀 색을 재현하는 스크린(2)과, 단축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 핀쿠션자계를 형성하는 수직코일과 장축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 바렐형 편향자계를 형성하는 수평코일로 구성된 편향요크(5), 및 상기 전자빔이 통과하는 장축의 긴홀들(7) 형성된 새도우마스크(6)등으로 구성되어있다.As shown in FIG. 1, the vertical scanning cathode ray tube includes a panel 1 having a phosphor 3 coated on its inner surface, and electron beams 8 of three colors R (Red), G (Green), and B (Blue). An electron gun 4 in which three cathodes 9 and 10 are arranged in a vertical inline, a screen 2 in which the electron beam emitted from the electron gun hits a fluorescent surface to reproduce color, and for deflecting the electron beam in a uniaxial direction A shadow mask having a deflection yoke (5) composed of a vertical coil forming a pincushion magnetic field and a horizontal coil forming a barrel-shaped deflection magnetic field for deflecting the electron beam in the long axis direction, and long holes (7) of the long axis through which the electron beam passes ( 6) and so on.

이와 같이 구성된 도 1의 음극선관은 전자총(4)의 히터에 전원이 인가되어 음극으로부터 전자빔이 발생된 R,G,B 3색의 전자빔이 다수개의 전극을 차례로 통과하면서 가속 및 집속된 다음, 편향요크(5)의 자계에 의해 수직 및 수평방향으로 편향된 상태로 스크린(2)을 향해 주사된다.The cathode ray tube of FIG. 1 configured as described above is accelerated and focused while the electron beams of three colors R, G, and B, in which an electron beam is generated from the cathode, are sequentially passed through a plurality of electrodes, and then deflected. Scanned toward the screen 2 in a state deflected in the vertical and horizontal directions by the magnetic field of the yoke 5.

상기와 같이 주사된 전자빔은 색선별 역할을 하는 새도우마스크(6)의 장축으로 긴 전자빔 통과홀(7)을 통과하여 패널(1)의 내면에 도포된 형광체(3)를 발광시키게 되므로 화상이 재현된다.The electron beam scanned as described above passes through the long electron beam passing hole 7 at the long axis of the shadow mask 6, which serves as color screening, and emits the phosphor 3 coated on the inner surface of the panel 1, thereby reproducing an image. do.

종래 수평주사형 음극선관에서 새도우마스크의 수평피치는 새도우마스크의 곡률을 결정하는 주요인자였다.In the conventional horizontal scanning cathode ray tube, the horizontal pitch of the shadow mask was a major factor in determining the curvature of the shadow mask.

그러나, 도 1과 같은 상하주사형 음극선관에서의 새도우마스크(6)는 상기와 같은 수평주사형 음극선관과는 주사방식이 다르기 때문에 새도우마스크(6)의 곡률를 결정하는 주요인자는 새도우마스크의 수직피치(Pv)가 된다.However, since the shadow mask 6 in the vertical scanning cathode ray tube as shown in FIG. 1 is different from the horizontal scanning cathode ray tube as described above, the main factor for determining the curvature of the shadow mask 6 is the verticality of the shadow mask. The pitch Pv is obtained.

상기와 같은 종래 상하주사형 음극선관의 새도우마스크는 도 2에서와 같이,새도우마스크의 중심에서 상측 및 하측으로의 수직피치(Pv) 변화율이 작아 새도우마스크의 신뢰특성 중 가장 중요하게 평가하는 드롭(Drop)특성이 취약해지며, 그에 따른 새도우마스크의 중심에서 상측 및 하측으로의 슬롯의 수직공경의 변화율도 작아 퓨리티 특성에도 효과적으로 대응할 수 없는 문제점이 있었다.The shadow mask of the conventional vertical scanning cathode ray tube as described above has a small vertical pitch (Pv) change rate from the center of the shadow mask to the upper side and the lower side, as shown in FIG. Drop) characteristics become weak, and there is a problem that the change rate of the vertical pore diameter of the slot from the center of the shadow mask to the upper side and the lower side is also small so that it cannot effectively cope with the purity characteristic.

따라서, 본 발명의 목적은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 상하주사형 음극선관의 새도우마스크의 구조적 강도를 향상시켜 드롭특성을 향상시키고 퓨리티 특성에도 효과적으로 대응할 수 있는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the conventional problems, and to improve the structural strength of the shadow mask of the vertical scanning cathode ray tube, to improve drop characteristics and to effectively cope with purity characteristics.

도 1은 상하주사형 음극선관의 수직단면도.1 is a vertical cross-sectional view of the vertical scanning cathode ray tube.

도 2는 상하주사형 음극선관의 새도우마스크 구조.Figure 2 is a shadow mask structure of the vertical scanning cathode ray tube.

도 3은 본 발명에 따른 상하주사형 음극선관의 새도우마스크 구조.Figure 3 is a shadow mask structure of the vertical scanning cathode ray tube according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

2:스크린 3:형광체2: screen 3: phosphor

6:새도우마스크 7:새도우마스크의 전자빔 통과홀.6: Shadow mask 7: Electron beam passing hole in shadow mask.

Pvo:새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯들의 수직피치.Pvo: Vertical pitch of the slots in the center of the shadow mask.

Pvc:새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯들의 수직피치.Pvc: Vertical pitch of the slots at the corners of the shadow mask.

Dvo:새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯의 수직공경.Dvo: Vertical bore of slot located in the center of the shadow mask.

Dvc:새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯의 수직공경.Dvc: Vertical bore of slot located at the corner of shadow mask.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, R(Red), G(Green), B(Blue) 3색의 전자빔들을 발생하는 3개의 캐소드가 수직 인라인으로 배열된 전자총, 단축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 핀쿠션자계를 형성하는 수직코일과 장축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 바렐형 편향자계를 형성하는 수평코일로 구성된 편향요크, 및 상기 전자빔이 통과하는 슬롯이 형성된 새도우마스크를 포함하는 상하주사형 음극선관에 있어서, 상기 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯들의 수직피치를 Pvo라하고, 상기 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯들의 수직피치를 Pvc라 할 때, 다음 식, 1.1 < Pvc / Pvo < 1.7을 만족하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the object as described above, the electron beam in which the three cathodes generating electron beams of three colors R (Red), G (Green), B (Blue) are arranged in a vertical inline, the electron beam in the short axis direction A vertical yoke comprising a deflection yoke consisting of a vertical coil forming a pincushion magnetic field for deflection and a horizontal coil forming a barrel-shaped deflection magnetic field for deflecting the electron beam in the long axis direction, and a shadow mask having a slot through which the electron beam passes. In the cathode ray tube, when the vertical pitch of the slots located at the center of the shadow mask is Pvo, and the vertical pitch of the slots located at the corners of the shadow mask is Pvc, the following formula, 1.1 <Pvc / Pvo <1.7 It is characterized by being satisfied.

본 발명의 다른 기술적 해결 수단은, R(Red), G(Green), B(Blue) 3색의 전자빔들을 발생하는 3개의 캐소드가 수직 인라인으로 배열된 전자총, 단축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 핀쿠션자계를 형성하는 수직코일과 장축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 바렐형 편향자계를 형성하는 수평코일로 구성된 편향요크, 및 상기 전자빔이 통과하는 슬롯이 형성된 새도우마스크를 포함하는 상하주사형 음극선관에 있어서, 상기 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯의 수직공경을 Dvo라하고, 상기 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯의 수직공경을 Dvc라 할 때, 다음 식, 1.1 < Dvc / Dvo < 1.7을 만족하는 것을 특징으로 한다.Another technical solution of the present invention is an electron gun in which three cathodes generating electron beams of three colors R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a vertical inline, and a pincushion for deflecting the electron beam in a uniaxial direction. A vertical yoke type cathode ray tube comprising a deflection yoke comprising a vertical coil forming a magnetic field, a horizontal coil forming a barrel-shaped deflection magnetic field for deflecting an electron beam in a long axis direction, and a shadow mask having a slot through which the electron beam passes. When the vertical diameter of the slot located in the center of the shadow mask is referred to as Dvo, and the vertical diameter of the slot located at the corner of the shadow mask is referred to as Dvc, the following equation, 1.1 <Dvc / Dvo <1.7, is satisfied. It is done.

이하에서는 상기의 목적을 달성하는 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the present invention to achieve the above object will be described in detail.

본 발명은 도 1에서와 같이 R(Red), G(Green), B(Blue) 3색의 전자빔들(8,9,10)을 발생하는 3개의 캐소드가 수직 인라인으로 배열된 전자총(4)과, 상기 전자총에서 방출된 전자빔이 형광면에 부딪혀 색을 재현하는 스크린(2)과, 단축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 핀쿠션자계를 형성하는 수직코일과 장축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 바렐형 편향자계를 형성하는 수평코일로 구성된 편향요크(5), 및 상기 전자빔이 통과하는 장축의 긴홀들(7) 형성된 새도우마스크(6)등으로 구성된 상하주사형 음극선관이다.As shown in FIG. 1, an electron gun 4 in which three cathodes generating three electron beams 8, 9, and 10 of R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a vertical inline. And a screen (2) for reproducing color by the electron beam emitted from the electron gun hitting a fluorescent surface, a vertical coil for forming a pincushion magnetic field for deflecting the electron beam in a short axis direction, and a barrel-type deflection magnetic field for deflecting the electron beam in a long axis direction. It is a vertical scanning type cathode ray tube consisting of a deflection yoke (5) consisting of a horizontal coil forming a, and a shadow mask (6) formed with long holes (7) of long axes through which the electron beam passes.

도 1과 같은 상하주사형 음극선관은 주사방식이 수직으로 주사되기 때문에 수직피치 변화율이 새도우마스크 곡률설계에 이용되므로, 새도우마스크의 중심에서 상측 및 하측으로의 수직피치 변화율과 새도우마스크의 중심에서 상측 및 하측으로의 슬롯의 수직공경의 변화율은 새도우마스크의 구조강도를 향상시키기 위한 중요한 변수가 된다.Since the vertical scanning rate is used in the shadow mask curvature design because the scanning method is vertically scanned as shown in FIG. 1, the vertical pitch change rate from the center of the shadow mask to the top and bottom and the center of the shadow mask are from the center of the shadow mask. And the rate of change of the vertical pore diameter of the slot toward the lower side is an important variable for improving the structural strength of the shadow mask.

본 발명은 상하주사형 음극선관의 새도우마스크의 중심에서 상측 및 하측으로의 수직피치 변화율을 크게 하고 상기 수직피치의 변화율과 비슷한 변화율로 새도우마스크의 중심에서 상측 및 하측으로의 슬롯의 수직 공경의 크기를 변화시킴으로써, 새도우마스크의 곡률반경을 작게하여 새도우마스크의 구조적 강도를 높이고 퓨리티특성을 향상시키는 것이다.The present invention is to increase the vertical pitch change rate from the center of the shadow mask of the upper and lower scanning type cathode ray tube to the upper side and the lower side, and the vertical pore size of the slot from the center of the shadow mask to the upper side and the lower side at the rate of change similar to the vertical pitch change rate. By changing the, the radius of curvature of the shadow mask is reduced to increase the structural strength of the shadow mask and to improve the purity characteristics.

도 3은 본 발명에 따른 상하주사형 음극선관의 새도우마스크의 구조를 나타낸 것이다.Figure 3 shows the structure of the shadow mask of the vertical scanning cathode ray tube according to the present invention.

도 3에서, 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯들의 수직피치(Pvo)와 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯들의 수직피치(Pvc)는 하기의 식을 만족하도록 한다.In FIG. 3, the vertical pitch Pvo of the slots located at the center of the shadow mask and the vertical pitch Pvc of the slots located at the corners of the shadow mask satisfy the following equation.

1.1 < Pvc / Pvo < 1.71.1 <Pvc / Pvo <1.7

만약, Pvc / Pvo < 1.1 이면 수직피치(Pv)의 변화율이 작아져 드롭(Drop)특성이 저하되고, 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯들의 수직피치(Pvo)와 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯들의 수직피치(Pvc)가 Pvc / Pvo > 1.7 가 되면 해상도에 문제가 발생하게 된다.If Pvc / Pvo <1.1, the change rate of the vertical pitch (Pv) decreases so that the drop characteristic decreases, and the vertical pitch (Pvo) of the slots located in the center of the shadow mask and the slots of the corners of the shadow mask When the vertical pitch (Pvc) is Pvc / Pvo> 1.7, there is a problem in resolution.

상기 범위에서 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯들의 수직피치(Pvo)와 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯들의 수직피치(Pvc)는 1.2 < Pvc / Pvo < 1.5In the above range, the vertical pitch (Pvo) of the slots located at the center of the shadow mask and the vertical pitch (Pvc) of the slots located at the corners of the shadow mask are 1.2 <Pvc / Pvo <1.5

의 범위에 속할 때, 새도우마스크의 드롭특성 및 퓨리티 특성을 향상시키는 가장 바람직한 슬롯의 수직피치 변화율을 갖는다.When it is in the range of, it has the most preferable slot vertical pitch change rate to improve the drop characteristics and purity characteristics of the shadow mask.

도 3의 새도우마스크 슬롯의 수지공경(Dv) 또한 새도우마스크의 구조강도에 주요한 변수가 되며, 상기 새도우마스크의 수직피치(Pv)의 변화와 비슷한 변화율을 갖는다.The resin pore diameter (Dv) of the shadow mask slot of FIG. 3 also becomes a major variable in the structural strength of the shadow mask, and has a change rate similar to the change of the vertical pitch (Pv) of the shadow mask.

도 3에서, 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯의 수직공경(Dvo)과 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯의 수직공경(Dvc)은 하기 식을 만족하도록 한다.In Figure 3, the vertical pore diameter (Dvo) of the slot located in the center of the shadow mask and the vertical pore diameter (Dvc) of the slot located in the corner of the shadow mask to satisfy the following equation.

1.1 < Dvc / Dvo < 1.71.1 <Dvc / Dvo <1.7

상기 새도우마스크의 수직피치(Pv)의 변화와 비슷한 변화율을 갖는 상기 새도우마스크 슬롯의 수지공경(Dv)의 범위도 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯의 수직공경(Dvo)과 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯의 수직공경(Dvc)이 Dvc / Dvo < 1.1 이면 수직피치(Pv)의 변화율이 작아져 드롭(Drop)특성이 저하되며, 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯의 수직공경(Dvo)과 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯의 수직공경(Dvc)이 Dvc / Dvo > 1.7 가 되면 해상도의 문제가 발생하게 된다.The range of the resin pore diameter (Dv) of the shadow mask slot having a change rate similar to the change of the vertical pitch (Pv) of the shadow mask is also located at the corners of the vertical pore diameter (Dvo) and the shadow mask located at the center of the shadow mask. If the vertical diameter (Dvc) of the slot is Dvc / Dvo <1.1, the change rate of the vertical pitch (Pv) decreases and the drop characteristic is reduced, and the vertical diameter (Dvo) of the slot located in the center of the shadow mask and the shadow mask If the vertical diameter (Dvc) of the slot located at the corner is Dvc / Dvo> 1.7, the problem of resolution occurs.

상기 범위에서 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯의 수직공경(Dvo)과 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯의 수직공경(Dvc)은 1.13 < Dvc / Dvo < 1.30의 범위에 속할 때, 새도우마스크의 드롭특성 및 퓨리티 특성을 향상시키는 가장 바람직한 슬롯의 수직공경 변화율을 갖는다.In the above range, the vertical void diameter (Dvo) of the slot located at the center of the shadow mask and the vertical void diameter (Dvc) of the slot located at the corner of the shadow mask are in the range of 1.13 <Dvc / Dvo <1.30 And a rate of change in the vertical pore diameter of the most preferred slot for improving the purity property.

또한, 도 3의 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯들의 수직피치(Pvo)와 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯들의 수직피치(Pvc)가 1.1 < Pvc / Pvo < 1.7의 범위에 속하고, 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯의 수직공경(Dvo)과 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯의 수직공경(Dvc)이 1.1 < Dvc / Dvo < 1.7의 범위에 속할 때 새도우마스크의 구조적 강도가 확보되어 드롭(Drop)특성이 향상된다.In addition, the vertical pitch (Pvo) of the slots located in the center of the shadow mask of Figure 3 and the vertical pitch (Pvc) of the slots located at the corner of the shadow mask is in the range of 1.1 <Pvc / Pvo <1.7, When the vertical diameter (Dvo) of the slot located at the center and the vertical diameter (Dvc) of the slot located at the corner of the shadow mask are in the range of 1.1 <Dvc / Dvo <1.7, the structural strength of the shadow mask is secured and is dropped. Characteristics are improved.

상기와 같은 본 발명의 범위가 적용되어 설계된 새도우마스크는 곡률반경이 작아져 새도우마스크의 구조강도를 높이고 상하주사형 음극선관의 전체적인 화이트 유니포미티(White Uniformity)를 향상시킬 수 있다.The shadow mask designed by applying the scope of the present invention as described above can reduce the radius of curvature to increase the structural strength of the shadow mask and improve the overall white uniformity of the vertical scanning cathode ray tube.

따라서, 본 발명에 의하면, 상하주사형 음극선관의 새도우마스크의 수직피치 및 슬롯의 수직공경의 변화를 크게하므로써, 새도우마스크의 구조강도를 충분히 확보하여 외부 충격에 대한 신뢰성 특성인 드롭특성을 향상시키고, 퓨리티 특성을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.Therefore, according to the present invention, by increasing the vertical pitch of the shadow mask and the vertical diameter of the slot of the vertical scanning cathode ray tube, the structural strength of the shadow mask is sufficiently secured to improve the drop characteristic, which is a reliability characteristic against external impacts. The effect of improving the purity characteristics can be obtained.

Claims (5)

R(Red), G(Green), B(Blue) 3색의 전자빔들을 발생하는 3개의 캐소드가 수직 인라인으로 배열된 전자총, 단축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 핀쿠션자계를 형성하는 수직코일과 장축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 바렐형 편향자계를 형성하는 수평코일로 구성된 편향요크, 및 상기 전자빔이 통과하는 슬롯이 형성된 새도우마스크를 포함하는 상하주사형 음극선관에 있어서,Three cathodes generating three colors of R (Red), G (Green) and B (Blue) electron beams arranged vertically in line, vertical coil and long axis direction forming a pincushion magnetic field for deflecting the electron beam in the uniaxial direction In the vertical scanning cathode ray tube comprising a deflection yoke composed of a horizontal coil for forming a barrel-type deflection magnetic field for deflecting the electron beam, and a shadow mask having a slot through which the electron beam passes; 상기 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯들의 수직피치를 Pvo라하고, 상기 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯들의 수직피치를 Pvc라 할 때, 다음 식, 1.1 < Pvc / Pvo < 1.7을 만족하는 것을 특징으로 하는 상하주사형 음극선관.When the vertical pitch of the slots located at the center of the shadow mask is Pvo, and the vertical pitch of the slots located at the corners of the shadow mask is Pvc, the following equation, 1.1 <Pvc / Pvo <1.7 is satisfied. Up and down scanning cathode ray tube. R(Red), G(Green), B(Blue) 3색의 전자빔들을 발생하는 3개의 캐소드가 수직 인라인으로 배열된 전자총, 단축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 핀쿠션자계를 형성하는 수직코일과 장축방향으로 전자빔을 편향시키기 위한 바렐형 편향자계를 형성하는 수평코일로 구성된 편향요크, 및 상기 전자빔이 통과하는 슬롯이 형성된 새도우마스크를 포함하는 상하주사형 음극선관에 있어서,Three cathodes generating three colors of R (Red), G (Green) and B (Blue) electron beams arranged vertically in line, vertical coil and long axis direction forming a pincushion magnetic field for deflecting the electron beam in the uniaxial direction In the vertical scanning cathode ray tube comprising a deflection yoke composed of a horizontal coil for forming a barrel-type deflection magnetic field for deflecting the electron beam, and a shadow mask having a slot through which the electron beam passes; 상기 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯의 수직공경을 Dvo라하고, 상기 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯의 수직공경을 Dvc라 할 때, 다음 식, 1.1 < Dvc / Dvo < 1.7을 만족하는 것을 특징으로 하는 상하주사형 음극선관.When the vertical diameter of the slot located in the center of the shadow mask is referred to as Dvo, and the vertical diameter of the slot located at the corner of the shadow mask is referred to as Dvc, it satisfies 1.1 <Dvc / Dvo <1.7. Up and down scanning cathode ray tube. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 Pvo 및 Pvc가 바람직하게는 1.2 < Pvc / Pvo < 1.5 인 것을 특징으로 하는 상하주사형 음극선관.The Pvo and Pvc is preferably a vertical scanning cathode ray tube, characterized in that 1.2 <Pvc / Pvo <1.5. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 Dvo 및 Dvc가 바람직하게는 1.13 < Dvc / Dvo < 1.30 인 것을 특징으로 하는 상하주사형 음극선관.The Dvo and Dvc is preferably a vertical scan type cathode ray tube, characterized in that 1.13 <Dvc / Dvo <1.30. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 새도우마스크의 중심부에 위치한 슬롯의 수직공경을 Dvo라하고, 상기 새도우마스크의 코너부에 위치한 슬롯의 수직공경을 Dvc라 할 때, 다음 식, 1.1 < Dvc / Dvo < 1.7을 만족하는 것을 특징으로 하는 상하주사형 음극선관.When the vertical diameter of the slot located in the center of the shadow mask is referred to as Dvo, and the vertical diameter of the slot located at the corner of the shadow mask is referred to as Dvc, it satisfies 1.1 <Dvc / Dvo <1.7. Up and down scanning cathode ray tube.
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