KR100413884B1 - Substrate processing apparatus and method - Google Patents

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KR100413884B1 KR1019970055863A KR19970055863A KR100413884B1 KR 100413884 B1 KR100413884 B1 KR 100413884B1 KR 1019970055863 A KR1019970055863 A KR 1019970055863A KR 19970055863 A KR19970055863 A KR 19970055863A KR 100413884 B1 KR100413884 B1 KR 100413884B1
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야스노리 안도
마사토시 오노다
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닛신덴키 가부시키 가이샤
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Abstract

기판처리장치는 처리실과 진공밸브를 통해 처리실에 인접한 진공예비실을 구비한다. 처리실은 기판을 동일측면에 고정하기 위한 두 개의 홀더를 가진다. 처리실에는 이온원을 설치하고 각각 처리위치 P에 도달하는 홀더위의 기판에 이온빔을 조사하여 이온주입을 시행한다. 처리실 내부에는 두 개의 홀더를 상호 독립적으로 평행하게 이동하여 처리위치 P를 횡단하고, 처리실의 내측과 진공예비실의 사이에서 진공밸브를 통해 동시에 평행하게 이동하는 작업을 수행하는 홀더이동기구를 설치한다. 진공예비실 내부에는 홀더이동기구와 협동하여 두 개의 홀더에 대해 처리된 기판과 미처리된 기판을 동시에 교환하는 기판교환기구를 설치한다.The substrate processing apparatus has a processing chamber and a vacuum preliminary chamber adjacent to the processing chamber through a vacuum valve. The process chamber has two holders for fixing the substrate to the same side. An ion source is installed in the treatment chamber and ion implantation is performed by irradiating the substrate on the holder reaching the treatment position P with an ion beam. There is provided a holder moving mechanism for moving the two holders in parallel in the process chamber P independently of each other and traversing the processing position P and simultaneously moving the inside of the processing chamber and the vacuum preliminary chamber in parallel through the vacuum valve . Inside the vacuum preliminary chamber, a substrate exchange mechanism for simultaneously exchanging the processed substrate and the unprocessed substrate with respect to the two holders in cooperation with the holder moving mechanism is provided.

Description

가판처리장치 및 방법Plate processing apparatus and method

본 발명은 기판에 예컨데, 이온주입, 이온주입을 병용하는 박막형성, 플라즈마처리 등의 처리를 실시하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로는, 장치구성의 간소화와 처리량의 향상을 가능하게 하는 수단과 관련된 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing, for example, processes such as ion implantation, ion implantation, thin film formation, and plasma processing on a substrate, and more specifically, Lt; / RTI >

도10은 종래의 기판처리장치의 일례를 도시한 평면도이다. 이 기판처리장치는, 구체적으로는 이온도핑장치(질량분리 없는 이온주입기. 이하 동일함)로서, 처리실(8), 반출(搬出)로봇실(16) 및 두 개의 진공예비실(14)로 된 합계 4개의 진공조(眞空槽)를 갖는다. (20) 내지 (22)는 진공밸브를 표시한다.10 is a plan view showing an example of a conventional substrate processing apparatus. This substrate processing apparatus is composed of a processing chamber 8, a carrying robot room 16, and two vacuum preparatory chambers 14 as an ion doping apparatus (an ion implanter without mass separation, the same applies hereinafter) And has a total of four vacuum chambers. (20) to (22) denote vacuum valves.

처리실(8)은 기판(예를들면, 액정 디스플레이용 기판 또는 반도체용 기판 등. 이하 동일함)(2)을 처리하기 위한 것으로서, 처리실 내부에는 기판(2)을 고정하는 홀더(4)가 설치된다. 벽면에는 이온원(源)(10)이 부착된다. 홀더(4)위의 기판(2)에 이온빔(12)을 조사하여 이온주입 등의 처리를 실시한다. 홀더(4)는 홀더구동기구(6)에 의해 기판처리를 위한 직립상태와, 기판교환을 위한 수평상태 사이에서 회전한다.The processing chamber 8 is for processing a substrate (for example, a substrate for a liquid crystal display or a substrate for a semiconductor, etc. hereinafter the same) 2, and a holder 4 for fixing the substrate 2 is provided inside the processing chamber do. An ion source (10) is attached to the wall surface. The substrate 2 on the holder 4 is irradiated with the ion beam 12 to perform a treatment such as ion implantation. The holder 4 is rotated by the holder driving mechanism 6 between an upright state for substrate processing and a horizontal state for substrate exchange.

반출로봇실(16)은 진공중에서 기판(2)의 반출을 행하는 반출로봇(18)을 수납하기 위한 것이다. 반출로봇(18)은 2개의 축 또는 3개의 축을 장착한 로봇으로서, 기판(2)을 설치하는 암(arm)(19)을 가지며, 처리실(8)내의 수평상태에 있는 홀더(4)에 대한 처리된 기판과 미처리된 기판을 상호 대체하고, 당해기판(2)의 양 진공예비실(14)에 대한 반출입(搬出入)을 행한다.The take-out robot room 16 is for accommodating the carry-out robot 18 for carrying out the carrying out of the substrate 2 in vacuum. The carrying robot 18 is a robot equipped with two shafts or three shafts and has an arm 19 for mounting the substrate 2 and has an arm 19 for holding the holder 4 in a horizontal state in the processing chamber 8 The processed substrate and the untreated substrate are replaced with each other and the substrate 2 is carried in and out of the vacuum preliminary chamber 14.

각 진공예비실(14)은, 기판(2)을 진공중과 대기중의 사이에서 반출입하기 위한 것으로서, 진공실(14)의 전방의 대기중에는, 암(25)을 가지고 그위에 배치된 기판(2)을 각 진공예비실(14)내에 반출입하는 3축의 반송로봇(24)이 설치된다.Each of the vacuum preparatory chambers 14 is for introducing and discharging the substrate 2 between the vacuum chamber and the atmosphere and includes an arm 25 provided on the front side of the vacuum chamber 14, ) Into and out of each vacuum preliminary chamber (14).

상기 기판처리장치의 전체적인 동작예를 설명하기로 한다. 대기중으로 부터 미처리된 기판(2)을 도10의 화살표 a 내지 c로 표시된 경로를 따라 처리실(8)내에 반송하고, 미처리된 기판(2)에 이온빔(12)을 조사하여 이온주입 등의 처리를 실시하며, 처리된 기판(2)을 화살표 d 내지 f로 표시된 경로를 따라 대기중에 반출한다. 이런 방법으로 기판(2)을 하나씩 처리한다.An overall operation example of the substrate processing apparatus will be described. The substrate 2 untreated from the atmosphere is transported into the processing chamber 8 along the path indicated by the arrows a to c in Fig. 10 and the ion beam 12 is irradiated to the untreated substrate 2, And the processed substrate 2 is taken out to the atmosphere along the path indicated by the arrows d to f. In this way, the substrates 2 are processed one by one.

상기 기판처리장치는 진공조를 4개(즉, 처리실(8), 반송로봇실(16) 및 2개의 진공예비실(14))를 가지며, 또한, 이 진공용기들은 반드시 각기 진공에 배기되어야 한다. 이로 인해 장치구성이 복잡해진다.The substrate processing apparatus has four vacuum chambers (i.e., a process chamber 8, a transfer robot chamber 16, and two vacuum chambers 14), and these vacuum chambers must be evacuated to a vacuum . This complicates the configuration of the device.

또한, 진공중에서의 기판반송에, 2개 또는 3개의 축을 장착한 전술한 암(arm)식 반송로봇(18)을 사용하며, 그와 같은 반송로봇(18)은 구조가 복잡하고 비싸다. 이로 인해 역시 장치구성이 복잡해진다.In addition, the above-described arm type conveying robot 18 in which two or three shafts are mounted is used for substrate transportation in vacuum. Such a conveying robot 18 is complicated in structure and expensive. This also complicates the device configuration.

진공예비실(14)(및 대기측의 반송로봇(24))들을 하나의 예비실로 통합하고, 처리전후의 기판을 진공중과 대기중의 사이에서 하나씩 차례로 출입시킬 수 있다. 그러나, 그와 같은 구성에서는 진공예비실(14)이 하나 감소하면 기판(2)의 출입에 필요한 시간이 길어져, 처리량(기판(2)의 단위시간당 처리능력)이 저하된다. 이 경우에도 진공조(眞空槽)가 3개 필요하다.It is possible to integrate the vacuum reserve chamber 14 (and the transfer robot 24 on the atmospheric side) into one preliminary chamber, and allow the substrate before and after the processing to go in and out one by one between the vacuum and the atmosphere. However, in such a configuration, when the number of the vacuum preliminary chambers 14 is reduced, the time required for entering and exiting the substrate 2 becomes longer, and the throughput (the processing capability per unit time of the substrate 2) is lowered. In this case, three vacuum chambers are required.

진공조의 수를 처리실(8)과 진공예비실(14)의 두 개로 줄일 수 있다면, 장치구성은 매우 간소화될 수 있다.If the number of vacuum chambers can be reduced to two of the processing chamber 8 and the vacuum preparatory chamber 14, the device configuration can be greatly simplified.

그러나, 그와 같은 단순한 구성으로 인해, 반송로봇(18)은 진공예비실(14)내에 수납되어야 한다. 그와 같은 구성에서는, ①반송로봇(18)이 매우 큰 용적을 점유하기 때문에 진공예비실(14)을 대용적화(大容積化)해야 하고, ②반송로봇(18)이 복잡한 구조를 가짐으로써 주위 대기(大氣)는 진공에 배기되기 어렵게 되는 등의 단점이 있다. 이와 같은 두가지 이유 때문에, 진공예비실의 진공배기속도가 줄어들어 장치의 처리량을 저하시킨다. 또한, 진공예비실(14)을 하나로 하는 것은 상기한 바와 같이 처리량을 저하시킨다. 따라서, 장치의 처리량이 매우 저하된다.However, due to such a simple configuration, the carrying robot 18 must be housed in the vacuum preparation room 14. [ In such a configuration, (1) the transfer robot 18 occupies a very large volume, the vacuum preparatory chamber 14 must be made large in volume, (2) the transfer robot 18 has a complicated structure, And the atmosphere is difficult to be exhausted to the vacuum. Because of these two reasons, the vacuum evacuation rate of the vacuum preparation chamber is reduced and the throughput of the apparatus is reduced. In addition, the use of one vacuum preliminary chamber 14 reduces the throughput as described above. Thus, the throughput of the apparatus is greatly reduced.

본 발명은, 장치구성의 간소화 및 처리량의 향상을 가능케 하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of simplifying the apparatus configuration and improving the throughput.

도1은 본 발명의 기판처리장치의 일례를 도시한 횡단면도.1 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus of the present invention.

도2는 도1의 기판처리장치의 이온원(源) 주위를 부분적으로 나타내는 사시도.2 is a perspective view partially showing the vicinity of an ion source of the substrate processing apparatus of Fig. 1; Fig.

도3은 도1의 기판처리장치의 진공밸브 주위를 부분적으로 나타내는 사시도.Fig. 3 is a perspective view partially showing the periphery of a vacuum valve of the substrate processing apparatus of Fig. 1; Fig.

도4는 도1중의 홀더의 예를 나타내는 평면도.4 is a plan view showing an example of a holder in Fig. 1;

도5는 냉각기구의 일례를 나타내는 개략측면도.5 is a schematic side view showing an example of a cooling mechanism.

도6은 도1중의 기판교환기구를 Y-Y선 방향으로 본 도면.6 is a view of the substrate exchange mechanism in Fig. 1 viewed in the Y-Y line direction; Fig.

도7A 내지 도7B는 진공예비실내의 홀더에 대해 기판을 교환하는 동작의 일례를 X-X선 방향으로 본 도면.7A to 7B are views showing an example of an operation of exchanging a substrate with respect to a holder of a vacuum preliminary chamber in the X-X line direction;

도8A 내지 도8C는 진공예비실내의 기판교환기구에 대해 대기측으로 부터 기판을 교환하는 동작의 일례를 X-X선 방향으로 본 도면.8A to 8C are views showing an example of an operation of exchanging a substrate from the atmospheric side with respect to the substrate exchange mechanism of the vacuum preliminary chamber in the X-X line direction.

도9A 내지 도9B는 본 발명의 기판처리방법의 일례를 나타내는 공정도.9A to 9B are process drawings showing an example of a substrate processing method of the present invention.

도10은 종래의 기판처리장치의 일례를 나타내는 개략평면도.10 is a schematic plan view showing an example of a conventional substrate processing apparatus.

본 발명의 기판처리장치는. 진공에 배기하는 기판의 처리를 행하는 처리실과, 이 처리실내에 상호 수납된 기판을 상호 동일한 측면에 배치하는 다수의 홀더와, 상기 처리실내의 소정의 처리위치에 있는 각각의 홀더에 배치된 기판을 순차적으로 처리하는 처리장치와, 처리실에 인접하여 배치된 진공예비실과, 이 진공예비실과 상기 처리실과의 사이에 끼여 기판을 고정하는 다수의 홀더가 동시에 통과되도록 하는 진공밸브와, 다수의 홀더가 처리실내에서 상호 독립적으로 왕복직선이동을 하여 다수의 홀더가 처리위치를 횡단하고, 다수의 홀더가 진공밸브를 통하여 처리실 내측과 진공예비실 사이에서 동시에 왕복직선이동을 하도록 수행하는 홀더이동기구와, 상기 홀더와 동수의 미처리된 기판 및 처리된 기판을 고정할 수 있는 진공예비실내에 배치되고, 상기 홀더이동기구와 협동하여 진공예비실내에 이동한 상기 다수의 홀더에 대해 처리된 기판과 미처리된 기판과의 교환을 행하는 기판교환기구를 구비하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus of the present invention comprises: A plurality of holders arranged on the same side of the substrates housed mutually in the processing chamber, and a substrate disposed in each holder at a predetermined processing position of the processing chamber, A vacuum preliminary chamber disposed adjacent to the processing chamber, a vacuum valve for allowing a plurality of holders sandwiched between the vacuum preliminary chamber and the processing chamber to be fixed to the substrate to pass simultaneously, and a plurality of holders A holder moving mechanism for performing reciprocating linear movement independently of each other in the chamber so that a plurality of holders traverse the processing position and a plurality of holders reciprocatingly move linearly between the inside of the processing chamber and the vacuum preparation chamber through the vacuum valve, A holder disposed in a vacuum preliminary chamber capable of fixing an untreated substrate and a processed substrate to the same number as the holder, And a substrate exchange mechanism for exchanging the processed substrate and the unprocessed substrate with respect to the plurality of holders moved in cooperation with the vacuum preliminary chamber.

본 발명에서는 단지 2개의 진공조가 필요하고, 기판반송기구가 간소화되어 장치배열이 간소화될 수 있다. 또한, 기판반송, 진공예비실에 대한 기판교환 및 진공배기의 횟수가 줄어들 수 있고, 진공예비실의 용적이 줄어들어 진공시간을 단축함으로써 장치의 처리량이 향상될 수 있다.In the present invention, only two vacuum chambers are required, and the substrate transport mechanism is simplified, so that the device arrangement can be simplified. Further, the number of times of substrate transfer, substrate exchange and vacuum evacuation to the vacuum preliminary chamber can be reduced, and the volume of the vacuum preliminary chamber can be reduced, and the throughput of the apparatus can be improved by shortening the vacuum time.

본 발명의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법은, 기판을 처리위치위에 고정하고 처리수단에 의해 기판을 처리하는 다수의 홀더를 왕복이동시키고, 왕복이동시키는 단계 동안에, 기판을 고정하는 나머지 홀더들을 기판이 처리되지 않는 대기위치에 배치하는 단계들을 구비한다. 왕복이동시키는 단계와 배치하는 단계는 다수의 홀더에 대해 순차적으로 이루어지며, 다수의 홀더에 대한 일련의 연속공정은 1회 이상 반복된다.A method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of the present invention includes the steps of reciprocating a plurality of holders for fixing a substrate on a processing position and processing the substrate by processing means, Placing the holders in a standby position where the substrate is not processed. The reciprocating and disposing steps are sequentially performed for a plurality of holders, and a series of continuous processes for a plurality of holders are repeated one or more times.

본 발명의 기판처리방법에서, 하나의 기판은 2개 이상의 단계로 분리되어 처리될 수 있기 때문에, 기판이 하나의 단계에서 필요량을 처리하는 경우에 비하여 기판의 온도상승이 감소될 수 있다. 기판이 처리되는 동안에 처리장치에 변화가 발생하여도, 전술한 경우(기판이 하나의 단계에서 필요량을 처리하는 경우)에 비해 그와 같은 변화로 인한 영향이 감소될 수 있으며, 기판처리의 균일성의 약화가 완화될 수 있다.In the substrate processing method of the present invention, since one substrate can be processed separately in two or more steps, the temperature rise of the substrate can be reduced compared to when the substrate processes the required amount in one step. Even if a change occurs in the processing apparatus during the processing of the substrate, the influence due to such a change can be reduced as compared with the case described above (when the substrate processes the required amount in one step), and the uniformity The weakening can be mitigated.

이하에서 본 발명에 대해 상술하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 기판처리장치는 처리실, 다수의 홀더, 처리장치, 진공예비실, 진공밸브, 홀더이동기구 및 기판교환기구를 가진다. 처리실은 기판처리를 위해 진공에 배기된다. 다수의 홀더는 처리실내에 상호 평행하게 배열되어 기판을 동일측의 표면위에 고정한다. 처리장치는 상기 처리실내의 소정의 처리위치에 있는 각각의 홀더에 배치된 기판을 순차적으로 처리한다. 진공예비실은 처리실에 인접하여 배치된다. 진공밸브는 진공예비실과 처리실 사이에 끼여 기판을 고정하는 다수의 홀더가 동시에 통과되도록 한다. 홀더이동기구는 다수의 홀더가 처리실내에서 상호 독립적으로 왕복직선이동을 하여 다수의 홀더가 처리위치를 횡단하고 다수의 홀더가 진공밸브를 통하여 처리실 내측과 진공예비실 사이에서 동시에 왕복직선이동을 하도록 수행한다. 기판교환기구는 상기 홀더와 동수의 미처리된 기판과 처리된 기판을 고정할 수 있는 상기 진공예비실내에 배치되고, 상기 홀더이동기구와 협동하여 진공예비실내에 이동한 상기 다수의 홀더에 대해 처리된 기판과 미처리된 기판과의 교환을 행한다.The substrate processing apparatus of the present invention has a processing chamber, a plurality of holders, a processing apparatus, a vacuum reserve chamber, a vacuum valve, a holder movement mechanism, and a substrate exchange mechanism. The process chamber is evacuated to vacuum for substrate processing. A plurality of holders are arranged parallel to each other in the processing chamber to fix the substrate on the same side surface. The processing apparatus sequentially processes the substrates arranged in the respective holders at the predetermined processing positions of the processing chamber. The vacuum preparation chamber is disposed adjacent to the processing chamber. The vacuum valve is sandwiched between the vacuum reserve chamber and the process chamber so that a plurality of holders for fixing the substrate are passed simultaneously. The holder movement mechanism allows the plurality of holders to make reciprocating linear movements independently of each other in the processing chamber so that a plurality of holders traverse the processing position and a plurality of holders make a reciprocating linear movement simultaneously between the inside of the processing chamber and the vacuum preliminary chamber through the vacuum valve . The substrate exchange mechanism is disposed in the vacuum preliminary chamber capable of fixing a processed substrate and an untreated substrate of the same number as the holder, and a plurality of holders moved in cooperation with the holder moving mechanism and moved to the vacuum preliminary chamber The substrate is exchanged with the unprocessed substrate.

상기 구성은 처리실과 진공예비실의 2개의 진공조만를 가진다. 또한, 홀더 이동기구는 다수의 홀더가 상호 독립적으로 왕복직선이동을 하여 처리실내의 처리위치를 횡단하도록 하고, 각 홀더에 고정된 기판을 순차적으로 처리한다. 동일한 홀더이동기구는 기판을 고정하는 다수의 홀더가 처리실의 내측과 진공예비실 사이에서 왕복직선이동을 하고 상기 양실 사이에서 기판을 반송하게 한다. 이러한 이유때문에, 종래기술과 달리, 진공에서의 기판반송을 위한 반송로봇을 설치할 필요가 없으므로, 진공에서의 기판반송기구를 간소화 한다.The above configuration has only two vacuum chambers of the treatment chamber and the vacuum preparation chamber. In addition, the holder moving mechanism allows a plurality of holders to perform reciprocating linear movements independently of each other to traverse processing positions in the processing chamber, and successively processes the substrates fixed to the respective holders. The same holder movement mechanism allows a plurality of holders for fixing the substrate to make a reciprocating linear movement between the inside of the process chamber and the vacuum reserve chamber and to transport the substrate between the chambers. For this reason, unlike the prior art, there is no need to provide a transfer robot for carrying a substrate in a vacuum, thereby simplifying the substrate transport mechanism in vacuum.

그래서, 단지 2개의 진공조만이 필요하고, 진공에서의 기판반송기구가 간소하게 되며, 장치구성도 간소화 될 수 있다.Thus, only two vacuum chambers are required, the substrate transport mechanism in vacuum is simplified, and the device configuration can be simplified.

또한, 기판을 고정하는 다수의 홀더가 홀도이동기구에 의해 진공예비실내로 이동할 수 있다. 진공예비실내에서 다수의 홀더에 대해, 처리된 기판과 미처리된 기판은 홀더이동기구와 기판교환기구의 협동으로 동시에 상호 교환된다. 그러므로, 종래기술에서와 같이 처리된 기판과 미처리된 기판 사이에서 교환이 하나씩 차례로 수행되는 경우에 비해, 기판반송, 기판교환 및 진공예비실의 진공배기의 횟수가 감소되어 장치의 처리량이 향상될 수 있다.In addition, a plurality of holders for fixing the substrate can be moved to the vacuum reserve chamber by the hole movement mechanism. For a plurality of holders in the vacuum preliminary chamber, the processed substrate and the unprocessed substrate are simultaneously exchanged in cooperation with the holder moving mechanism and the substrate exchange mechanism. Therefore, compared to the case where exchange is performed one by one between the processed substrate and the untreated substrate as in the prior art, the number of times of substrate transfer, substrate exchange, and vacuum evacuation of the vacuum reserve chamber is reduced, have.

기판교환기구는 홀더이동기구와 협동하여 기판교환을 수행한다. 따라서, 기판교환기구는 종래기술의 반송로봇보다 더 간단하고 소형일 수 있다. 그리하여, 진공예비실의 용적이 감소될 수 있고, 간소한 기구로 인해 진공배기가 용이하게 될 수 있다. 따라서, 진공예비실의 진공배기시간이 단축될 수 있다. 이로 인해, 장치의 처리량이 향상될 수 있다.The substrate exchange mechanism cooperates with the holder movement mechanism to perform substrate exchange. Therefore, the substrate exchange mechanism can be simpler and smaller than the conventional transfer robot. Thus, the volume of the vacuum preparatory chamber can be reduced, and the vacuum evacuation can be facilitated by the simple mechanism. Therefore, the vacuum evacuation time of the vacuum preparation chamber can be shortened. As a result, the throughput of the apparatus can be improved.

본 발명의 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도1은 본 발명의 기판처리장치의 일례의 횡단면도이다. 도2는 도1의 기판처리장치의 이온원(源) 주위를 부분적으로 나타내는 사시도이다. 도3은 도1의 기판처리장치와 진공밸브 주위를 부분적으로 나타내는 사시도이다. 도4는 도1중의 홀더의 예를 나타내는 평면도이다.1 is a cross-sectional view of an example of a substrate processing apparatus of the present invention. Fig. 2 is a perspective view partially showing the vicinity of the ion source of the substrate processing apparatus of Fig. 1; Fig. Fig. 3 is a perspective view partially showing the periphery of the substrate processing apparatus and the vacuum valve of Fig. 1; Fig. 4 is a plan view showing an example of a holder in Fig. 1;

기판처리장치는 처리실(30)과 그것에 인접한 진공예비실(62)의 합계 두 개의 진공조를 갖는 이온도핑장치이다.The substrate processing apparatus is an ion doping apparatus having a total of two vacuum tanks, that is, a processing chamber 30 and a vacuum preparation chamber 62 adjacent thereto.

처리실(30)은 기판(2)의 처리를 행하기 위한 것으로서, 도시되지 않은 진공펌프에 의해 예컨데 10-6내지 10-7Torr 정도로 진공배기된다.The processing chamber 30 is for performing the processing of the substrate 2, and is evacuated to a vacuum of, for example, about 10 -6 to 10 -7 Torr by a vacuum pump (not shown).

진공예비실(62)은, 처리실(30)을 대기압에 돌려보내지 않고 기판(2)을 이 처리실(30)내와 대기중과의 사이에서 출입시키며, 도시되지 않은 진공펌프에 의해 예컨데 10-2내지 10-3Torr 정도로 진공배기된다.A vacuum pre-chamber 62, the processing chamber 30 and out of the sikimyeo does not return to the atmospheric pressure, the substrate (2) between itself and of the processing chamber 30 in the air, by an unshown vacuum pump for example 10 -2 To 10 < -3 > Torr.

처리실(30)과 진공예비실(62)은 진공밸브(예: 게이트 밸브)(64)에 의해 상호 분리된다. 이 실시예에서, 도3에 나타나 있는 바와 같이, 진공밸브(64)는 수평방향으로 길게 배치되고, 기판(2)을 고정하는 2개의 홀더(32)가 수평상태에서 각기 동시에 통과되도록 하는 폭(W)과 높이(H)를 가진다.The processing chamber 30 and the vacuum reserve chamber 62 are separated from each other by a vacuum valve (e.g., a gate valve) In this embodiment, as shown in Fig. 3, the vacuum valve 64 is arranged to be long in the horizontal direction, and has a width (i.e., a width) for allowing the two holders 32 for fixing the substrate 2 to pass therethrough at the same time W) and a height (H).

진공예비실(62)과 대기는 진공밸브(예 : 플랩밸브(flap valve))(72)에 의해 상호 분리된다. 진공밸브(72)의 대기측 전방에는 암(74)을 갖고 그 위에 놓인 기판을 화살표 E로 표시된 것 처럼 진공예비실(62)과 대기사이에서 출입시킬 수 있는 2개 또는 3개의 반송로봇(도시되지 않음)이 설치된다. 이 반송로봇은 도10의 반송로봇(24)과 동일한 것이다.The vacuum reserve chamber 62 and the atmosphere are separated from each other by a vacuum valve (e.g., a flap valve) Two or three transfer robots (having a plurality of arms) 74 having arms 74 on the front side of the atmosphere side of the vacuum valve 72 and capable of moving the substrate placed thereon between the vacuum preliminary chamber 62 and the atmosphere Not installed). This conveying robot is the same as the conveying robot 24 in Fig.

처리실(30)에는 전술한 기판(20)을 상호 동일한 측면(이온원(54)의 측면)에 고정하는 2개의 홀더(32)가 수납된다. 양 홀더(32)는 후술하는 홀더이동기구(34)에 의해 상호 평행하게 지지된다. 각 홀더(32)는 기판(2)의 주변부를 제지하는 환상(環狀)또는 복수개의 클램프와 같은 공지된 홀더(도시되지 않음)를 가진다.In the treatment chamber 30, two holders 32 for holding the aforementioned substrate 20 on the same side (the side of the ion source 54) are housed. Both the holders 32 are supported in parallel by the holder moving mechanism 34 to be described later. Each holder 32 has a known holder (not shown) such as a ring or a plurality of clamps for restricting the periphery of the substrate 2.

기판(2)은 예컨데, 액정 디스플레이용의 글래스(glass)기판을 가지며 550mm×650mm의 크기를 갖는다. 각 홀더(32)의 크기는 예컨데 당해기판 크기 보다도 종횡 각각 10mm 내지 20mm정도 큰 표면크기이다.The substrate 2 has, for example, a glass substrate for a liquid crystal display and has a size of 550 mm x 650 mm. The size of each holder 32 is, for example, a surface size larger than the size of the substrate by about 10 to 20 mm in each of the longitudinal and lateral directions.

처리장치의 일례로서 이온원(54)이 처리실(30)의 중심점에 있는 벽에 부착된다. 벽앞의 처리위치 P에서, 이온원(54)은 홀더(32)에 의해 고정된 기판(2)에 이온빔을 순차적으로 조사하여 기판(2)에 이온주입 처리를 한다. 이 실시예에서, 도2에 도시된 바와 같이 이온원(54)은 홀더(32)의 화살표 B로 표시된 이동방향에 수직인 방향으로 길고, 상기 수직방향에 있는 기판(2)의 길이 L 보다 긴 밴드형 이온빔을 사출한다.As an example of the processing apparatus, an ion source 54 is attached to a wall at the center point of the processing chamber 30. [ In the processing position P in front of the wall, the ion source 54 sequentially irradiates the substrate 2 fixed by the holder 32 with the ion beam to perform ion implantation processing on the substrate 2. 2, the ion source 54 is elongated in the direction perpendicular to the direction of movement indicated by the arrow B of the holder 32 and longer than the length L of the substrate 2 in the vertical direction And emits a band-type ion beam.

처리실(30) 내측으로 부터 그 외부에 뻗는 부분에 홀더이동기구(34)가 설치된다. 처리실(3)내에서 홀더이동기구(34)는 처리실(30)과 진공관(64)과 진공예비실(62)을 상호 평행하게 연결하는 선(92)에 평행하게 배열된 볼 스크류(40)를 가진다. 볼 스크류의 양단은 지지부(42, 52)에 의해 회전가능하게 지지된다. 이 실시예에서, 화살표 C로 표시된 것 처럼 양 지지부(42, 52)는 양 볼 스크류(40) 사이의 중심축에 대해 처리실의 벽면을 중심으로 회전가능하다. 그 회전구역은 O링 등의 패킹(도시되지 않음)에 의해 진공밀폐된다. 볼 스크류(40)가 지지부(42)를 통과하는 구역은 또한 O링 등의 패킹(도시되지 않음)에 의해 진공밀폐된다.A holder moving mechanism (34) is provided at a portion extending from the inside of the processing chamber (30) to the outside thereof. The holder moving mechanism 34 in the processing chamber 3 is provided with a ball screw 40 arranged in parallel to a line 92 connecting the processing chamber 30, the vacuum tube 64 and the vacuum reserve chamber 62 in parallel, I have. Both ends of the ball screw are rotatably supported by the support portions (42, 52). In this embodiment, both support portions 42 and 52 are rotatable about the wall surface of the treatment chamber with respect to the center axis between both ball screws 40, as indicated by the arrow C. The rotary section is vacuum sealed by a packing (not shown) such as an O-ring. The area through which the ball screw 40 passes through the support portion 42 is also vacuum-sealed by a packing (not shown) such as an O-ring.

전술한 바와 같이, 직립상태와 수평상태 사이에서 각 홀더(32)의 자세를 바꾸기 위해, 이 실시예에서는 처리실(30)은 대기위치와 처리위치 사이의 구역에서 수직방향으로 길고, 홀더회전위치 R의 부분은 홀더(32)의 회전을 허용하기 위해1/4 실린더에 가까운 형상을 한다. 진공예비실(62)은 수평상태의 홀더(32)를 받아들이기 위해 횡방향으로 넓고 종방향으로 낮은 형상이다.As described above, in order to change the postures of the holders 32 between the upright state and the horizontal state, in this embodiment, the processing chamber 30 is long in the vertical direction in the region between the standby position and the processing position, Of the holder 32 has a shape close to the 1/4 cylinder in order to allow the holder 32 to rotate. Vacuum reserve chamber 62 is wide in the lateral direction and low in the longitudinal direction to receive the holder 32 in the horizontal state.

진공예비실(62)내에는 기판교환기구(66)가 설치된다. 이 기판교환기구(66)는 구체적으로는 기판승하강기구이다. 도1, 도6 및 도7에 도시된 바와 같이, 기판 승하강기구는 4개의 지주(68)와, 이 각 지주(68)의 내측에 돌출된 기판(2)의 주변부를 지지하는 4단의 지지핀(70)과, 지주(68)를 동시에 승하강하는 구동기구(71)(도6참조)를 가진다. 이 실시예에서, 상측의 2단의 지지핀(70)에 2개의 미처리된 기판(2)(2a)을, 하측의 2단의 지지핀(70)에 2개의 처리된 기판을 고정시킨다. 상기 각 홀더(32)의 주변부에는, 도4에서와 같이, 상기 지지핀(70)이 통과하는 4개의 노치(notch)(33)가 설치된다.A substrate exchange mechanism (66) is provided in the vacuum reserve chamber (62). Specifically, the substrate exchange mechanism 66 is a substrate up-and-down mechanism. As shown in Figs. 1, 6 and 7, the substrate up-and-down mechanism includes four struts 68 and four stages 68 for supporting the periphery of the substrate 2 protruding inside the struts 68 A support pin 70 and a drive mechanism 71 (see Fig. 6) for lifting and lowering the support 68 at the same time. In this embodiment, two untreated substrates 2 and 2a are fixed to the upper two support pins 70, and two processed substrates are fixed to the lower two support pins 70. [ As shown in FIG. 4, four notches 33 through which the support pins 70 pass are provided in the periphery of the respective holders 32.

비록 상세히 후술하겠지만, 상기 기판교환기구(66)는 전술한 홀더이동기구(34)와 협동하여, 즉 2개의 홀더(32)를 도7B 내지 7C의 화살표 ①,③,⑤,⑦로 표시하도록 전술한 화살표 B방향으로 전후이동하는 것과의 소정의 관계로서, 지주(68)를 도7B 내지 7C의 화살표 ② 및 ⑥에 표시된 것과 같이 상하이동하는 것에 의해, 진공예비실(62)내에 있는 2개의 홀더(32)에 대해 2개의 처리된 기판(2b)을 동시에 꺼내고, 2개의 미처리된 기판(2a)을 동시에 장착할 수 있다.Although the substrate exchanging mechanism 66 will be described in detail in conjunction with the above-described holder moving mechanism 34, that is, in order to display two holders 32 as arrows?,?,?, And? In FIGS. 7B to 7C 7B to 7C in the vertical direction as indicated by the arrows 2 and 6 in Figs. 7B to 7C as a predetermined relationship with the back and forth movement in the direction of one arrow B, The two processed substrates 2b can be simultaneously removed from the substrate 32 and the two untreated substrates 2a can be simultaneously mounted.

화살표 B로 표시된 것과 같은 2개의 홀더(32)의 왕복직선이동 및 상기 화살표 C로 표시된 것과 같은 자세의 변화, 그리고 상기 기판교환기구(66)의 승하강의 제어는, 구체적으로는 제어장치(60)에 의해 상기 2개의 모터(46, 50) 및 구동기구를 제어함으로써 행한다. 제어장치(60)는 또한, 이온원(54)으로 부터의 이온빔(56)의 인출을 제어하고, 도9A 내지 9B를 참조한 기판처리방법의 제어를 행한다.The reciprocating linear movement of the two holders 32 as indicated by the arrow B and the change of the attitude as indicated by the arrow C and the control of the ascending and descending of the substrate exchanging mechanism 66 are carried out specifically by the controller 60, By controlling the two motors (46, 50) and the driving mechanism. The control device 60 also controls the withdrawal of the ion beam 56 from the ion source 54 and controls the substrate processing method with reference to Figs. 9A to 9B.

기판처리장치는 처리실(30)과 진공예비실(62)의 2개의 진공조를 갖는다.The substrate processing apparatus has two vacuum chambers, a processing chamber 30 and a vacuum preparation chamber 62.

홀더이동기구(34)는 2개의 홀더(32)가 상호 독립하여 왕복직선이동을 하고 처리실(30)내의 처리위치 P를 횡단하게 하여, 각 홀더(32)에 고정된 기판에 이온주입을 시행한다. 또한, 홀더이동기구는 각각 기판을 고정하는 2개의 홀더(32)가 처리실(30)과 진공예비실(62) 사이에서 왕복직선이동을 하고 양실 사이에서 기판을 반송하게 한다. 이러한 이유 때문에, 도10의 종래기술과 달리, 진공에서의 기판반송을 위한 반송로봇을 설치할 필요가 없으며, 따라서 진공에서의 기판반송기구를 간소화 한다.The holder moving mechanism 34 causes the two holders 32 to perform reciprocating linear movement independently of each other and traverses the processing position P in the processing chamber 30 to perform ion implantation on the substrate fixed to each holder 32 . Further, the holder moving mechanism causes each of the two holders 32 for fixing the substrate to reciprocate linearly between the processing chamber 30 and the vacuum reserve chamber 62, and to transport the substrate between the both chambers. For this reason, unlike the prior art shown in Fig. 10, there is no need to provide a transfer robot for transferring a substrate in a vacuum, thus simplifying the substrate transfer mechanism in vacuum.

그래서, 본 발명의 기판처리장치에는 단지 2개의 진공조만이 필요하고, 진공에서의 기판반송기구가 간소하게 되며, 장치구성이 간소화 될 수 있다.Therefore, only two vacuum chambers are required in the substrate processing apparatus of the present invention, the substrate transport mechanism in vacuum is simplified, and the structure of the apparatus can be simplified.

또한, 기판(2)을 고정하는 2개의 홀더(32)가 홀더이동기구(34)에 의해 동시에 진공예비실(62)내로 이동할 수 있다. 진공예비실(62)내에서 다수의 홀더에 대해, 처리된 기판(2b)과 미처리된 기판(2a)은 홀더이동기구(34)와 기판교환기구(66)의 협동으로 동시에 상호 교환된다. 그러므로, 도10의 종래기술에서와 같이 처리된 기판과 미처리된 기판 사이에서 교환이 하나씩 차례로 수행되는 경우에 비해, 기판반송, 기판교환 및 진공예비실의 진공배기의 횟수가 감소되어 장치의 처리량이 향상될 수 있다.In addition, two holders 32 for fixing the substrate 2 can be simultaneously moved into the vacuum preliminary chamber 62 by the holder moving mechanism 34. The processed substrate 2b and the unprocessed substrate 2a are simultaneously exchanged in cooperation with the holder moving mechanism 34 and the substrate exchange mechanism 66 for a plurality of holders in the vacuum reserve chamber 62. [ Therefore, the number of times of substrate transfer, substrate exchange, and vacuum evacuation of the vacuum preliminary chamber is reduced as compared with the case where replacement is performed one by one between the processed substrate and the untreated substrate as in the prior art of FIG. 10, Can be improved.

구체적으로는, 2개의 기판의 교환이 동시에 이루어지기 때문에 기판 하나의 교환에 소요되는 시간이 절반으로 감소된다. 그리하여 기판처리에 소요되는 전체시간이 그만큼 단축되어 장치의 처리량이 향상될 수 있다. 반면, 교환시간이 단축되는 만큼 처리량이 향상되는 대신에, 기판(2)의 실제 처리에 소요되는 시간이 길어질 수 있다. 이 경우, 기판에 대한 단위시간당 이온빔의 입사전력(入射電力)은 작게 억제될 수 있고, 처리시의 기판의 온도상승도 억제될 수 있다.Specifically, since the two substrates are exchanged at the same time, the time required for exchanging one substrate is reduced by half. Thus, the total time required for the substrate processing can be shortened so that the throughput of the apparatus can be improved. On the other hand, instead of improving the throughput as the exchange time is shortened, the time required for actual processing of the substrate 2 may be prolonged. In this case, the incident power (incident power) of the ion beam per unit time with respect to the substrate can be suppressed to be small, and the temperature rise of the substrate during processing can be suppressed.

기판교환기구(66)는 홀더이동기구(34)와 협동하여 기판(2)의 교환을 행하기 때문에, 기판교환기구(66)는 도10의 종래의 기술의 반송로봇(18)보다 단순하고 소형으로 되어, 진공예비실(62)의 용적은 감소될 수 있고, 이러한 간단한 구조로 인해 진공배기가 용이하게 된다. 따라서, 진공예비실(62)의 진공배기시간이 단축될 수 있고, 장치의 처리량도 향상될 수 있다.Since the substrate exchange mechanism 66 exchanges the substrate 2 in cooperation with the holder movement mechanism 34, the substrate exchange mechanism 66 is simpler and smaller than the carrier robot 18 of the prior art shown in Fig. So that the volume of the vacuum reserve chamber 62 can be reduced, and this simple structure facilitates vacuum evacuation. Therefore, the vacuum evacuation time of the vacuum reserve chamber 62 can be shortened, and the throughput of the apparatus can also be improved.

예를 들어, 지지핀(70)들 간의 상하의 간격은 20mm 내지 30mm 이다. 또한 상기 실시예와 같이 4단 지지핀(70)이 설치되는 경우에는, 진공예비실(62)의 내벽과 지지핀(70)사이의 간격은 10mm이고, 진공예비실(62)의 내측높이는 예컨데 100mm내지 150mm 정도로 매우 작을 수 있다. 따라서, 진공예비실(62)의 용적이 감소될 수 있다.For example, the vertical distance between the support pins 70 is 20 mm to 30 mm. The distance between the inner wall of the vacuum reserve chamber 62 and the support pin 70 is 10 mm and the inner height of the vacuum reserve chamber 62 is, for example, And may be as small as about 100 mm to 150 mm. Therefore, the volume of the vacuum preparation chamber 62 can be reduced.

그러나, 2단의 지지핀(70)을 가지는 종래의 장치에서, 지지핀(70)들 간의 종간격과, 진공예비실(62)의 내벽과 지지핀(70)의 간격이 본 실시예와 동일하게 설정되면, 진공예비실(62)의 내부높이는 60mm 내지 80mm이다. 그러나, 종래의 장치에서는 2개의 진공예비실(62)이 필요하므로 진공예비실의 합계 높이는 120mm 내지 160mm이다. 따라서, 본 발명은 종래의 장치에 비해 진공예비실(62)의 용적을 감소시킬 수 있다.However, in the conventional apparatus having the two-stage support pins 70, the spacing between the support pins 70, the gap between the inner wall of the vacuum reserve chamber 62 and the support pins 70 is the same as in the present embodiment The internal height of the vacuum preparation chamber 62 is 60 mm to 80 mm. However, in the conventional apparatus, since two vacuum preparation chambers 62 are required, the total height of the vacuum preparation chambers is 120 mm to 160 mm. Therefore, the present invention can reduce the volume of the vacuum preparation chamber 62 as compared with the conventional apparatus.

일본특허공보 평4-502534에서는, 각각 기판을 고정하는 2개의 홀더를 처리위치의 정면에서 공통의 구동벨트에 의해 상호 반대방향으로 동시에 이동하는 장치를 기재하고 있다. 그러나, 이 공보에는 ① 이 처리실에 인접하게 진공예비실을 배열하는 것과 ② 처리실과 진공예비실 사이에서 기판을 반송하는 기구 ③ 상기 두개의 홀더에 대해 처리된 기판과 미처리된 기판을 상호 교환하는 기구에 관해서는 기재하지 않고 있다.Japanese Patent Laying-Open No. 4-502534 discloses an apparatus for simultaneously moving two holders for fixing a substrate in mutually opposite directions by a common drive belt at the front of a processing position. In this publication, however, there are disclosed: (1) arranging a vacuum reserve chamber adjacent to the treatment chamber, (2) a mechanism for transporting the substrate between the treatment chamber and the vacuum reserve chamber, (3) a mechanism for exchanging the substrate processed with the two holders and the unprocessed substrate Is not described.

상기 구동벨트는 홀더를 처리실 외측으로 이동할 수 없기 때문에, 진공예비실이 설치되는 경우에도 일반적으로 상기한 반송로봇을 그 중간에 설치할 필요가 있다. 이와 같은 구성은 도10의 종래의 기술에서와 같은 동일한 문제를 야기한다.Since the drive belt can not move the holder to the outside of the processing chamber, even when the vacuum preliminary chamber is provided, it is generally necessary to install the conveying robot in the middle thereof. Such a configuration causes the same problem as in the conventional technique of FIG.

도2에서 명백히 볼 수 있듯이 본 발명의 실시예에서는, 홀더(32)의 지지체인 암(36)이 홀더(32)의 후방부에 설치되어 그 후방으로 약간 돌출한다. 도9에서 보는 바와 같이, 이와 같은 구성에서는 홀더가 진공예비실(62)내로 삽입될 때, 암(36)이 진공밸브(64)에 부딪히지 않으므로 진공밸브(64)의 폭을 증가시킬 필요가 없다. 폭 W은 기판(2)을 고정하는 홀더(32)가 통과할 수 있는 크기를 가진다.2, in the embodiment of the present invention, the arm 36, which is the support of the holder 32, is provided at the rear portion of the holder 32 and slightly protrudes rearward thereof. 9, it is not necessary to increase the width of the vacuum valve 64 since the arm 36 does not hit the vacuum valve 64 when the holder is inserted into the vacuum reserve chamber 62 . The width W has such a size that the holder 32 for fixing the substrate 2 can pass through.

기판에 대한 이온주입처리 때문에 온도가 상승하는 홀더(32)는 냉각기구를 설치함으로써 냉각될 수 있다. 냉각에 관한 실시예는 도5에 도시되어 있다.The holder 32 whose temperature rises due to the ion implantation treatment on the substrate can be cooled by installing a cooling mechanism. An embodiment relating to cooling is shown in Fig.

도5에서, 냉각기구(80)는 4개의 회전조인트(82)와 그것들을 연결하는 3개의 배관(84)을 포함한다. 이 부재들은 냉매(86)의 왕복의 유로(流路)를 형성하고, 물과 같은 냉매는 처리실(30)의 외측으로 부터 암(36)과 홀더(32)를 통과함으로써 본 실시예의 홀더(32)와 암(36)은 냉각될 수 있다.In Fig. 5, the cooling mechanism 80 includes four rotating joints 82 and three pipes 84 connecting them. These members form a reciprocating flow path of the refrigerant 86 and the refrigerant such as water passes through the arm 36 and the holder 32 from the outside of the processing chamber 30 to thereby form the holder 32 And the arm 36 can be cooled.

보다 구체적으로는, 팁 조인트(tip joint)(82a)는 홀더(32)의 중심축(90)의 주위의 암(36)에 부착되고, 루트 조인트(root joint)(82b)는 지지부(42)에 부착된다. 루트 조인트(82b)는 지지부(42)에 직접 부착되거나, 지지부(42)와 조인트(82) 사이에 설치된 냉매의 유로를 갖는 지주를 통해 도5에 도시된 것 처럼 홀더(32)의 주위에 배치되도록 부착될 수 있다. 중간의 2개의 조인트(82)는 고정되지 않고 전후 및 상하로 자유로이 이동할 수 있다. 그리하여, 냉각기구(80)에서, 조인트(82)는 홀더(32)의 병진(

Figure pat00015
進)동작에 따라 도5의 실선과 2점쇄선으로 표시된 것 처럼 신축(伸縮)할 수 있다.More specifically, the tip joint 82a is attached to the arm 36 around the central axis 90 of the holder 32, and the root joint 82b is attached to the support 42, Respectively. The root joint 82b may be attached directly to the support portion 42 or disposed around the holder 32 as shown in Figure 5 through a support having a flow path of the coolant provided between the support portion 42 and the joint 82 Respectively. The two intermediate joints 82 can be freely moved back and forth and up and down without being fixed. Thus, in the cooling mechanism 80, the joint 82 can be rotated
Figure pat00015
5), as shown by the solid line and the two-dot chain line in FIG.

이 냉각기구(80)를 각 홀더(32)에 대해 한 개씩 상호 반대측에 설치하여 냉각기구들은 상호 충돌하지 않으며, 두 개의 홀더(32)간의 간격은 가능한 한 짧게 만들어질 수 있다. 구체적으로는, 이온원(54)에 가까운 측에 있는 홀더(32)에 대해, 하나의 냉각기구(80)는 이온원(54)에 가까운 측의 면에 부착되고, 반면에, 반대측에 있는 홀더(32)에 대해 다른 냉각기구는 반대측의 면에 부착된다. 그리하여, 2개의 냉각기구는 홀더(32)의 내측과 외측에 대해 대칭적으로 배열된다.The cooling mechanisms 80 are provided on mutually opposite sides of the respective holders 32 so that the cooling mechanisms do not collide with each other and the gap between the two holders 32 can be made as short as possible. Concretely, with respect to the holder 32 near the ion source 54, one cooling mechanism 80 is attached to the side close to the ion source 54, while the other holder The other cooling mechanism is attached to the opposite side with respect to the cooling mechanism 32. [ Thus, the two cooling mechanisms are arranged symmetrically with respect to the inside and the outside of the holder 32.

냉각기구(8)를 설치함으로써 홀더(32)를 냉각시킬 수 있으며, 이로 인해, ① 홀더(32)의 열변형을 방지하고 ② 홀더(32)로 부터 나오는 가스방출의 억제에 의해 처리실(30)내의 진공도(眞空度)의 약화를 방지하며 ③ 기판(2)의 처리시의 온도상승을 억제함으로써 기판(2)의 변질을 방지하는 것 등을 구현할 수 있다.The holder 32 can be cooled by providing the cooling mechanism 8 so that the thermal deformation of the holder 32 is prevented and the discharge of gas from the holder 32 is suppressed, (3) preventing deterioration of the substrate (2) by suppressing temperature rise during processing of the substrate (2), and the like.

상기 냉각기구(80) 대신에 합성수지제 또는 금속제의 가요성(可撓性)튜브를 사용하는 것을 생각해볼 수 있지만, 합성수지제 튜브는 진공에서 가스방출이 많으므로 실제 사용될 수가 없고, 금속제 튜브는 반복되는 피로에 약하므로 사용될 수가 없다.It is conceivable to use a flexible tube made of synthetic resin or metal in place of the cooling mechanism 80. However, the synthetic resin tube can not be actually used because of a large amount of gas discharge in vacuum, It can not be used because it is weak to fatigue.

이 실시예에서와 같이, 암(36)의 열변형을 방지하고 암(36)으로 부터의 가스방출을 억제할 수 있기 때문에, 냉매를 흘려서 암(36)을 냉각하는 것이 보다 바람직하다.As in this embodiment, it is more preferable to cool the arm 36 by flowing the coolant, because it prevents thermal deformation of the arm 36 and suppresses the release of gas from the arm 36. [

이 실시예에서와 같이, 팁 조인트(82a)는 홀더(32)의 중심축(90)의 주위에 부착된다. 따라서, 냉각기구(80)는 수축하고, 중간의 조인트(82)와 배관(84)은 중심축(90)으로 부터 동일한 정도로 상하로 돌출한다. 그러므로, 그들중 하나만이 크게 돌출하는 경우에 비해 처리실(30)의 높이를 작게하여 처리실(30)의 여분의 용적증가를 방지한다.As in this embodiment, the tip joint 82a is attached around the center axis 90 of the holder 32. As shown in Fig. Therefore, the cooling mechanism 80 contracts, and the intermediate joint 82 and the pipe 84 protrude up and down to the same degree from the central axis 90. Therefore, the height of the treatment chamber 30 is reduced to prevent an increase in the volume of the treatment chamber 30, compared to a case where only one of them protrudes greatly.

다시 도1을 참조하여, 이 실시예에서는, 상기 화살표 C로 표시된 것과 같이 홀더이동기구(34)를 회전시키기 위해 모터(50)등으로 구성된 회전기구를 설치한다. 따라서, 홀더(32)의 직립상태에서 기판(2)을 처리함으로써 처리시 기판(2)의 처리면에 먼지등이 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 홀더의 수평상태에서 기판교환을 수행함으로써 기판의 교환이 용이하게 되고, 기판교환기구(66)의 구조를 간소화할 수 있다.Referring again to Fig. 1, in this embodiment, as shown by the arrow C, a rotation mechanism composed of a motor 50 or the like is provided for rotating the holder moving mechanism 34. Fig. Therefore, by treating the substrate 2 in the standing state of the holder 32, it is possible to prevent dust or the like from adhering to the treated surface of the substrate 2 during processing. Further, by performing the substrate exchange in the horizontal state of the holder, the substrate can be easily exchanged, and the structure of the substrate exchange mechanism 66 can be simplified.

이 실시예에서, 기판을 고정하는 홀더(32)는 처리위치 P위에서 왕복병진(往復

Figure pat00016
進)하고, 이온원(54)으로 부터 사출된 이온빔(56)을 도2에서와 같이 대상(帶狀)으로 한다. 그러므로, 이온빔(56)을 기판(2)의 전체면에 조사할 수 있고, 이온빔을 전기적으로(즉, 전계(電界) 또는 자계(磁界)에 의해) 주사함이 없이 기판을균일하게 처리하거나 또는 기판(2)전체를 에워쌀 수 있을 만큼 큰 면적을 제공하며, 이온빔(56)을 기판(2)의 전체면에 조사하여 기판을 균일하게 처리한다.In this embodiment, the holder 32 for holding the substrate is reciprocated (reciprocating
Figure pat00016
And the ion beam 56 emitted from the ion source 54 is made into a band as shown in FIG. Therefore, it is possible to irradiate the entire surface of the substrate 2 with the ion beam 56 and uniformly treat the substrate without scanning the ion beam electrically (that is, by an electric field or a magnetic field) And the ion beam 56 is irradiated to the entire surface of the substrate 2 to uniformly treat the substrate.

기판(2)의 처리방법으로서는, 하나의 기판(2)을 한 방향으로 1회씩 이동(병진)시키는 것에 의해 당해기판의 필요한 처리를 전부 완료하고, 그 후에, 다음 기판(2)을 동일하게 한 방향으로 1회씩 이동하는 것에 의해 당해기판(20)의 필요한 처리를 전부 완료하는 방법으로 할 수도 있지만, 다음과 같은 처리방법으로 처리하는 것이 보다 바람직하다.As a method of processing the substrate 2, a single substrate 2 is moved (translated) once in one direction to complete the necessary processing of the substrate, and thereafter the next substrate 2 is made identical It is possible to complete the necessary processing of the substrate 20 by moving the substrate 20 once in the direction of the substrate 20. However, it is more preferable to perform processing by the following processing method.

도9A 내지 9B에서 볼 수 있듯이, 기판(2)을 고정하는 하나의 홀더(32)는, 이온빔(56)을 기판(2)에 조사하여 이온주입을 하는 동안에 화살표(a)와 (b)로 표시된 것 처럼 처리위치 P를 왕복하게 된다. 다른 홀더는 이온빔(56)이 닿지 않는 대기위치 Q에 대기한다(도9A 참조). 도9에서는, 이 하나의 홀더(32)는 이온원(54)근처의 측에 배치된 것이지만, 반대측에 있는 홀더를 사용할 수도 있다.9A to 9B, one holder 32 for fixing the substrate 2 is provided with a plurality of holders 32 for holding the substrate 2 in the directions indicated by arrows a and b during the ion implantation by irradiating the substrate 2 with the ion beam 56. [ And the processing position P is reciprocated as shown. The other holder stands by at the standby position Q where the ion beam 56 does not reach (see Fig. 9A). In Fig. 9, this one holder 32 is disposed on the side near the ion source 54, but it is also possible to use a holder on the opposite side.

다음, 기판(2)을 고정하는 다른 홀더(32)는 이온빔(56)을 기판(2)에 조사하여 이온주입을 하는 동안에 화살표(c)와 (d)로 표시된 것 처럼 처리위치 P를 왕복이동하게 된다. 이온원(54) 근처의 측에 있는 하나의 홀더는 대기위치 Q에 대기한다(도9B 참조). 이것은 대응하는 암(36)(도2 참조)이 이온빔(56)을 차단하는 것을 방지하기 위해서이다.Next, another holder 32 for fixing the substrate 2 irradiates the substrate 2 to irradiate the substrate 2, and during the ion implantation, the processing position P is moved back and forth as indicated by arrows c and d . One holder on the side near the ion source 54 waits at the standby position Q (see Fig. 9B). This is to prevent the corresponding arm 36 (see FIG. 2) from interrupting the ion beam 56.

9A도와 9B도에 도시된 일련의 처리단계를 수회 반복하여 각 기판에 필요량의 처리를 한다.A series of processing steps shown in Figs. 9A and 9B are repeated a number of times to perform a necessary amount of processing on each substrate.

이와 같은 처리방법에 따라, 하나의 기판(2)에는 2회(즉, 왕로(往路)에서 1회, 복로(復路)에서 1회)이상 이온빔(56)을 조사하는 방법으로 2회 이상 처리한다. 그러므로, 이 방법은, 하나의 단계에서 기판(2)에 완전히 필요량의 처리를 하는 경우에 비해 기판(2)의 온도상승을 억제할 수 있다. 이것은 처리단계와 처리단계의 사이에서 기판의 온도감소가 예상될 수 있기 때문이다. 또한, 처리시 이온빔(56)의 빔전류 등에 변화가 발생하여도, 둘 이상의 단계로 나누어 처리하는 경우는 하나의 단계에서 필요량의 처리를 하는 경우보다 변화의 영향이 작으므로, 기판처리의 균일성 약화를 억제할 수 있다.According to such a treatment method, the substrate 2 is treated twice or more in such a manner as to irradiate the ion beam 56 more than twice (that is, once in the forward path and once in the return path) . Therefore, this method can suppress the temperature rise of the substrate 2 compared with the case where the substrate 2 is completely processed in a required amount in one step. This is because a temperature reduction of the substrate between the processing step and the processing step can be expected. Even if a change in the beam current or the like occurs in the ion beam 56 during the treatment, the influence of the change is smaller than that in the case of performing a necessary amount of treatment in one step, Weakening can be suppressed.

도9A 및 도9에 도시된 일련의 처리단계를 반복하는 횟수는 필요한 처리량(즉, 이온주입량), 이온빔(56)의 빔전류 등에 의해 변한다. 1회 이상 여러번 처리단계를 수행하는 것이 상기 효과가 더 크므로 바람직하다. 그러나, 과도하게 여러번 처리단계를 수행하는 것은 처리에 소요되는 시간을 길게하여 처리량을 감소시키므로, 10회 이하, 구체적으로는 2회 내지 6회의 처리횟수가 바람직하다.The number of times the series of process steps shown in Figs. 9A and 9 is repeated depends on the required throughput (i.e., the amount of ion implantation), the beam current of the ion beam 56, and the like. It is preferable to carry out the treatment step several times or more, because the above effect is more significant. However, it is preferable to carry out the excessive number of times of processing to reduce the throughput by lengthening the processing time, so that the number of processing times is preferably 10 times or less, more specifically, 2 to 6 times.

진공예비실(62)내에서, 2개의 홀더(32)에 대해 동시에, 처리된 기판과 미처리된 기판을 교환하는 방법의 상세예를 도7A 내지 7C를 참조하여 설명하기로 한다.A detailed example of a method for replacing the processed substrate and the untreated substrate simultaneously with the two holders 32 in the vacuum reserve chamber 62 will be described with reference to FIGS. 7A to 7C.

기판교환기구(66)의 상부 2단의 지지핀(70)에는 도7A에 도시된 바와 같이, 2개의 미처리된 기판(2a)이 이미 배치되어 있는 것으로 본다 (이에 대해서는 도8A 내지 8C를 참조하여 후술한다).It is assumed that the support pins 70 at the upper two stages of the substrate exchange mechanism 66 are already arranged with two untreated substrates 2a as shown in Fig. 7A (see Figs. 8A to 8C Described later).

도7B에서 보는 바와 같이, 처리된 기판(2b)을 고정하는 2개의 홀더(32)는 하부 2단의 지지핀(70)위로 삽입되고, 화살표 (2)로 표시된 것 처럼 기판교환기구(66)(구체적으로는 지주(68) 및 지지핀(70). 이하 동일함)를 들어올려, 하부 2단의 지지핀(70)에 의해 2개의 처리된 기판(2b)을 들어올린다(이때, 지지핀(70)은 홀더(32)의 노치(33)를 통과한다). 이때, 화살표 (3)으로 표시된 것 처럼 양 홀더(32)를 동시에 끌어낸다.7B, the two holders 32 for fixing the processed substrate 2b are inserted over the lower two-stage support pins 70, and the substrate exchange mechanism 66, as indicated by arrow 2, (Specifically, the support 68 and the support pins 70, the same shall apply hereinafter) are lifted and the two processed substrates 2b are lifted by the support pins 70 at the lower two stages (70 passes through the notch 33 of the holder 32). At this time, both the holders 32 are pulled out at the same time as indicated by the arrow (3).

도7C에서 보는 바와 같이, 화살표(4)로 표시된 것 처럼 기판교환기구(66)를 두단계 낮추고, 화살표(5)로 표시된 것 처럼 두 개의 홀더(32)를 상부 2단의 지지핀(70) 아래에 삽입한다. 화살표 (6)으로 표시된 것 처럼 기판교환기구(66)를 더 낮추고 상부 2단 지지핀(70)위의 미처리된 기판(2a)을 각각의 홀더(32)위에 배치한다(이때, 지지핀(70)은 홀더(32)의 노치(33)를 통과함). 그리고, 양 홀더(32)를 화살표(7)로 표시된 것 처럼 동시에 끌어낸다. 그리하여 기판교환이 완성된다.7C, the substrate exchange mechanism 66 is lowered in two steps as indicated by the arrow 4 and the two holders 32 are moved to the upper two-stage support pins 70, as indicated by the arrow 5, Insert it below. The substrate exchange mechanism 66 is lowered and the unprocessed substrate 2a on the upper second stage support pins 70 is placed on each of the holders 32 as indicated by the arrow 6 Passes through the notch 33 of the holder 32). Then, both holders 32 are pulled out at the same time as indicated by the arrow 7. Thus, the substrate exchange is completed.

진공예비실(62)의 내부와 대기 사이에서 처리된 기판과 미처리된 기판의 반출입을 수행하기 위한 방법에 대해 도8A 내지 8C를 참조하여 상세히 설명한다.A method for carrying out the loading / unloading of the processed substrate and the untreated substrate between the inside of the vacuum reserve chamber 62 and the atmosphere will be described in detail with reference to FIGS. 8A to 8C.

대기측 위의 반송로봇(74)의 하나 또는 두개의 팔(74)을 사용할 수 있다. 그러나, 반송로봇은 하나의 암을 장착하는 것으로 가정한다.One or two arms 74 of the transfer robot 74 on the waiting side can be used. However, it is assumed that the carrying robot mounts one arm.

도8A로 부터 보듯이, 두 개의 처리된 기판은 도7A 내지 7C에 나타나 있는 작동에 의해 기판교환기구(66)의 하부 2단지지핀에 이미 배치되는 것으로 가정한다.As seen from FIG. 8A, it is assumed that the two processed substrates are already placed in the lower half of the substrate exchange mechanism 66 by the operation shown in FIGS. 7A to 7C.

도8B로 부터 보듯이, 화살표(1)로 표시된 것 처럼, 대기측위의 반송로봇의 암을 꼭대기로 부터 3단의 지지핀(70)위로 삽입하고, 기판교환기구(66)를 화살표(2)로 표시된 것 처럼 낮춘다(이때, 암(74)은 그 폭이 도1에서 보는 바와 같이 반대측의 지지핀(70) 사이의 간격보다 작기 때문에 지지핀(70)과 부딪히지 않는다). 기판(74)이 설치된 암을 화살표(3)으로 표시된 것처럼 끌어낸다. 그리하여,처리된 기판(2b)은 대기속으로 반송된다.8B, the arm of the transfer robot of the standby position is inserted from the top into the third-stage support pin 70 as indicated by the arrow 1, and the substrate exchange mechanism 66 is moved in the direction of the arrow 2, (The arm 74 does not collide with the support pin 70 because its width is smaller than the distance between the support pins 70 on the opposite side as shown in Fig. 1). The arm provided with the substrate 74 is pulled out as indicated by the arrow 3. Thus, the processed substrate 2b is transported into the atmosphere.

이 실시예에서와 같은 하나의 암의 경우에는, 기판교환기구(66)를 화살표(4)와 같이 한단계 들어올린다. 그 다음, 상기와 같은 방법으로 하부단계의 처리된 기판을 대기속으로 반송한다.In the case of one arm as in this embodiment, the substrate exchange mechanism 66 is lifted up one step as shown by the arrow 4. Then, the processed substrate in the lower step is transported into the atmosphere in the same manner as described above.

도8C로 부터 보듯이, 완전히 빈 기판교환기구(66)를 화살표(5)로 표시된 것 처럼 두단계 낮춘다. 미처리된 기판(2a)이 설치되어 있는 암(74)을 지지핀(70)의 최상부위로 삽입한다. 화살표(7)로 표시된 것 처럼, 기판교환기구(66)를 들어올려 지지핀은 암(74)으로 부터 미처리된 기판(2a)을 수납한다. 그 후 암(74)을 화살표(8)로 표시된 것 처럼 들어올린다. 마찬가지로, 미처리된 기판(2a)을 또한 꼭대기로 부터 두단계위의 지지핀(70)위에 배치한다. 그리하여, 기판의 교환이 완성된다.As shown in FIG. 8C, the completely empty substrate exchange mechanism 66 is lowered in two steps as indicated by the arrow 5. The arm 74 on which the untreated substrate 2a is mounted is inserted over the top of the support pin 70. [ As indicated by the arrow 7, the substrate exchange mechanism 66 is lifted to receive the unprocessed substrate 2a from the arm 74. The arm 74 is then lifted as indicated by arrow 8. Likewise, the untreated substrate 2a is also placed on top of the support pins 70 in two steps from the top. Thus, the replacement of the substrate is completed.

홀더(32)의 수는 3개 또는 그 이상이다. 이 경우, 기판이동기구(34)와 기판교환기구(66)는 서로 대응하게 설계된다. 그러나, 홀더의 수가 더 많을수록 기판교환기구(66)의 높이가 더 높아지고 그에 따라 진공예비실(62)의 용적이 증가하며, 따라서 진공예비실의 진공예비시간이 길어진다. 이러한 관점에서 볼 때, 홀더의 수는 3개정도, 즉, 2개 내지 3개가 바람직하다.The number of the holders 32 is three or more. In this case, the substrate moving mechanism 34 and the substrate exchange mechanism 66 are designed to correspond to each other. However, the greater the number of holders, the higher the height of the substrate exchange mechanism 66 and thus the volume of the vacuum reserve chamber 62, and thus the vacuum reserve time of the vacuum reserve chamber becomes longer. From this point of view, the number of the holders is preferably three, that is, two or three.

기판(2)을 처리하는 장치로서, 이온원 대신에 아크(arc)식 증발원(蒸發源)등의 박막형성수단을 설치할 수 있다. 그 대용으로는, 플라즈마 생성수단을 설치하여 플라즈마 CVD 등에 의해 기판(2)에 플라즈마 처리를 시행할 수도 있다.As a device for processing the substrate 2, a thin film forming means such as an arc evaporation source may be provided in place of the ion source. As a substitute, a plasma generating means may be provided and plasma treatment may be performed on the substrate 2 by plasma CVD or the like.

또한, 홀더이동기구(34)를 회전하기 위한 모터(50)로 구성되는 회전기구를설치하지 않고, 홀더(32)의 자세를 일정하게 하여 기판(2)의 처리와 교환을 행할 수도 있다.It is also possible to exchange the processing of the substrate 2 with a fixed posture of the holder 32 without providing a rotating mechanism constituted by a motor 50 for rotating the holder moving mechanism 34.

상기와 같은 구성으로 된 본 발명은 다음과 같은 효과를 제공한다.The present invention having the above-described configuration provides the following effects.

본 발명에서는, 2개의 진공조만이 필요하고, 기판을 반송하는 기구 또한 간소하여 장치배열이 간소화 될 수 있다. 또한, 기판반송, 기판교환 및 진공예비실에 대한 진공배기의 횟수가 감소될 수 있고, 진공예비실의 용적이 감소되어 진공시간을 단축시킴으로써 장치의 처리량이 향상될 수 있다.In the present invention, only two vacuum chambers are required, and the mechanism for transporting the substrate is also simplified, so that the arrangement of the apparatus can be simplified. In addition, the number of times of vacuum evacuation to the substrate transporting, substrate exchanging and vacuum preliminary chambers can be reduced, and the volume of the vacuum preliminary chambers can be reduced, so that the throughput of the apparatus can be improved by shortening the vacuum time.

각각의 홀더는 냉각기구에 의해 냉각될 수 있으며, 홀더의 열변형, 홀더로부터의 가스방출을 억제함에 의한 처리실내의 진공도의 약화, 기판처리시의 온도상승을 억제함에 의한 기판의 변형 등을 방지할 수 있다.Each of the holders can be cooled by a cooling mechanism, and the degree of vacuum in the processing chamber is suppressed by suppressing thermal deformation of the holder, gas release from the holder, and prevention of deformation of the substrate due to suppression of temperature rise during substrate processing can do.

기판은 홀더의 직립상태에서 처리될 수 있기 때문에, 처리시 기판의 처리표면에 먼지가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 기판은 수평상태에서 교환될 수 있기 때문에 용이하게 수행될 수 있고, 기판교환기구의 구조가 간소화될 수 있다.Since the substrate can be processed in the upright state of the holder, dust can be prevented from adhering to the treated surface of the substrate during processing. Since the substrate can be exchanged in a horizontal state, it can be easily performed, and the structure of the substrate exchange mechanism can be simplified.

전계 또는 자계에 의해 이온빔을 주사하거나 또는 기판전체를 둘러쌀 만큼 충분히 큰 구역을 갖는 이온빔을 이용하여 이온빔을 주사하지 않고 이온빔을 기판의 전체면에 균일하게 조사할 수 있기 때문에, 기판이 균일하게 처리될 수 있다.It is possible to uniformly irradiate the entire surface of the substrate with the ion beam without scanning the ion beam using an ion beam having a region sufficiently large enough to surround the entire substrate or by scanning the ion beam with an electric or magnetic field, .

하나의 기판을 둘 이상의 단계로 나누어 처리할 수 있기 때문에, 한단계에서 기판의 필요량의 처리를 수행하는 경우에 비해 기판의 온도상승이 감소될 수 있다. 또한 비록 기판의 처리시 처리장치에 변화가 발생하여도, 상기와 같은 한단계에서기판의 필요량의 처리를 수행하는 경우에 비해 변화에 의한 영향이 감소될 수 있으므로 기판처리의 균일성의 약화가 완화될 수 있다.Since one substrate can be processed in two or more steps, the temperature rise of the substrate can be reduced compared with the case where the required amount of processing of the substrate is performed in one step. Even if a change occurs in the processing apparatus during the processing of the substrate, the influence due to the change can be reduced as compared with the case where the required amount of processing of the substrate is performed in one step as described above, so that the weakening of the uniformity of the substrate processing can be mitigated have.

Claims (10)

기판을 처리하기 위하여 진공에 배기되는 처리실과,A processing chamber which is evacuated to a vacuum for processing the substrate, 상기 처리실내에 상호 평행하게 배열되어 각각 기판을 그 동일측면에 고정하는 다수의 홀더와,A plurality of holders arranged parallel to each other in the processing chamber and fixing the substrates to the same side, 상기 처리실내의 전술한 위치에 있는 각각의 홀더에 고정된 기판을 순차적으로 처리하는 처리장치와,A processing device for sequentially processing substrates fixed to respective holders at the aforementioned positions in the processing chamber, 상기 처리실에 인접하여 배치된 진공예비실과,A vacuum preparation chamber disposed adjacent to the treatment chamber, 상기 진공예비실과 상기 처리실 사이에 끼여 기판을 고정하는 상기 다수의 홀더가 동시에 통과되도록 하는 진공밸브와,A vacuum valve for allowing the plurality of holders sandwiched between the vacuum preliminary chamber and the processing chamber to fix the substrate, 상기 처리실 내에서 상호 독립적으로 상기 다수의 홀더의 왕복직선이동을 수행하여 다수의 홀더가 처리위치를 횡단하며, 상기 처리실의 내측과 진공예비실 사이에서 상기 진공밸브를 통하여 상기 다수의 홀더의 왕복직선이동을 동시에 수행하는 홀더이동기구와,Wherein a plurality of holders are reciprocally moved linearly in the process chamber so that a plurality of holders traverse the processing position and between the inside of the process chamber and the vacuum reserve chamber through the vacuum valve, A holder movement mechanism for simultaneously performing movement, 상기 홀더와 동수의 미처리된 기판과 처리된 기판을 고정할 수 있는 상기 진공예비실내에 배치되어, 홀더이동기구와 협동하여 상기 진공예비실로 이동한 상기 다수의 홀더에 대해 처리된 기판과 미처리된 기판을 동시에 교환하는 기판교환기구로 구성되는 기판처리장치.A substrate disposed in the vacuum preliminary chamber capable of fixing a processed substrate and an untreated substrate of the same number as the holder, the substrate being processed with respect to the plurality of holders moved to the vacuum preliminary chamber in cooperation with the holder moving mechanism, And a substrate exchange mechanism for simultaneously exchanging the substrates. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 홀더를 냉각하기 위한 냉각장치를 추가로 구비하는 기판처리장치.And a cooling device for cooling the holder. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 냉각장치는 다수의 회전조인트와, 상기 회전조인트를 연결하는 배관에 의해 냉매의 왕복유로를 형성하는 다수의 냉각기구를 구비하고, 상기 유로를 경유하여 각 홀더를 통해 냉매를 통과할 수 있는 기판처리장치.The cooling device includes a plurality of rotating joints and a plurality of cooling mechanisms for forming a reciprocating flow path of the refrigerant by a pipe connecting the rotating joints, Processing device. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 홀더이동기구를 회전하여 상기 처리실내에서 상기 다수의 홀더가 직립상태 또는 수평상태의 자세를 취하도록 하는 회전기구를 구비하며,And a rotating mechanism for rotating the holder moving mechanism so that the plurality of holders take an upright or horizontal posture in the processing chamber, 상기 처리장치는 직립상태의 상기 홀더에 고정된 기판을 처리하고, 상기 진공밸브는 수평상태의 홀더를 통과시키며, 상기 기판교환기구는 수평상태의 홀더에 대해 기판의 교환을 행하는, 기판처리장치.Wherein the processing apparatus processes a substrate fixed to the holder in an upright state, the vacuum valve passes through a holder in a horizontal state, and the substrate exchange mechanism exchanges a substrate with respect to a holder in a horizontal state. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 처리장치는 상기 처리실내의 상기 홀더의 이동방향에 직각인 방향으로 길고 상기 직각방향에 있는 각각의 기판의 길이보다 긴 밴드형 이온빔을 방출하는 이온원인, 기판처리장치.Wherein the processing apparatus discharges a band-form ion beam that is longer in the direction perpendicular to the moving direction of the holder in the processing chamber and longer than the length of each substrate in the perpendicular direction. 기판을 처리하기 위하여 진공에 배기되는 처리실과, 상기 처리실내에 상호평행하게 배열되어 각각 기판을 그 동일측면에 고정하는 다수의 홀더와, 상기 처리실내의 전술한 위치에 있는 각각의 홀더에 고정된 기판을 순차적으로 처리하는 처리장치와, 상기 처리실에 인접하여 배치된 진공예비실과, 상기 진공예비실과 상기 처리실 사이에 끼여 기판을 고정하는 상기 다수의 홀더가 동시에 통과되도록 하는 진공밸브와, 상기 처리실 내에서 상호 독립적으로 상기 다수의 홀더의 왕복직선이동을 수행하여 다수의 홀더가 처리위치를 횡단하며, 상기 처리실의 내측과 진공예비실 사이에서 상기 진공밸브를 통하여 상기 다수의 홀더의 왕복직선이동을 동시에 수행하는 홀더이동기구와, 상기 홀더와 동수의 미처리된 기판과 처리된 기판을 고정할 수 있는 상기 진공예비실내에 배치되어, 홀더이동기구와 협동하여 상기 진공예비실로 이동한 상기 다수의 홀더에 대해 처리된 기판과 미처리된 기판을 동시에 교환하는 기판교환기구로 구성된 기판처리장치를 이용하며,A plurality of holders arranged parallel to each other in the processing chamber to fix the substrate on the same side thereof, and a plurality of holders fixed to the respective holders at the above-mentioned positions in the process chamber, A vacuum preliminary chamber disposed adjacent to the processing chamber, a vacuum valve for allowing the plurality of holders sandwiched between the vacuum preliminary chamber and the processing chamber to fix the substrate to pass therethrough at the same time, Reciprocating linear movements of the plurality of holders independently of each other so that a plurality of holders traverse the processing position and a reciprocating linear movement of the plurality of holders through the vacuum valve between the inside of the treatment chamber and the vacuum reserve chamber A holder movable mechanism for moving the holder, a holder moving mechanism for moving the holder, Is disposed in the vacuum pre-house, using the movement mechanism and the holder cooperating with the substrate processing apparatus consisting of a substrate exchange mechanism to exchange processed substrates and unprocessed substrates at the same time for the plurality of holders to move the vacuum chamber and the preliminary, 상기 기판처리장치에 의해 기판을 처리하기 위해 처리위치위로 상기 기판을 고정하는 다수의 홀더중의 하나를 왕복이동하고, 상기 왕복이동시, 기판을 고정하는 나머지 홀더들을 기판이 처리되지 않는 대기위치에 두는 공정을 구비하며, 상기 왕복이동공정과 대기위치에 두는 공정은 상기 다수의 홀더에 대해 순차적으로 수행되고, 상기 다수의 홀더에 대한 상기 일련의 순차적인 공정은 1회이상 반복되는, 기판처리방법.Wherein the substrate processing apparatus is configured to reciprocate one of a plurality of holders that secure the substrate over a processing position for processing the substrate by the substrate processing apparatus and to hold the remaining holders holding the substrate on the reciprocating movement in a non- Wherein the reciprocating process and the positioning process are sequentially performed on the plurality of holders, and the series of sequential processes for the plurality of holders is repeated one or more times. 제6항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 홀더를 냉각하기 위한 냉각장치를 추가로 구비하는 기판처리방법.And a cooling device for cooling the holder. 제7항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 냉각장치는 다수의 회전조인트와, 상기 회전조인트를 연결하는 배관에 의해 냉매의 왕복유로를 형성하는 다수의 냉각기구를 구비하고, 상기 유로를 경유하여 각 홀더를 통해 냉매를 통과할 수 있는 기판처리방법.The cooling device includes a plurality of rotating joints and a plurality of cooling mechanisms for forming a reciprocating flow path of the refrigerant by a pipe connecting the rotating joints, Processing method. 제6항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 홀더이동기구를 회전하여 상기 처리실내에서 상기 다수의 홀더가 직립상태 또는 수평상태의 자세를 취하도록 하는 회전기구를 구비하며,And a rotating mechanism for rotating the holder moving mechanism so that the plurality of holders take an upright or horizontal posture in the processing chamber, 상기 처리장치는 직립상태의 상기 홀더에 고정된 기판을 처리하고, 상기 진공밸브는 수평상태의 홀더를 통과시키며, 상기 기판교환기구는 수평상태의 홀더에 대해 기판의 교환을 행하는, 기판처리방법.Wherein the processing apparatus processes a substrate fixed to the holder in an upright state, the vacuum valve passes through a holder in a horizontal state, and the substrate exchange mechanism exchanges a substrate with respect to a holder in a horizontal state. 제6항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 처리장치는 상기 처리실내의 상기 홀더의 이동방향에 직각인 방향으로 길고 상기 직각방향에 있는 각각의 기판의 길이보다 긴 밴드형 이온빔을 방출하는 이온원인, 기판처리방법.Wherein the processing apparatus discharges a band-form ion beam that is longer in the direction perpendicular to the moving direction of the holder in the processing chamber and longer than the length of each substrate in the perpendicular direction.
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