JPH01301870A - Ion beam milling device - Google Patents

Ion beam milling device

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JPH01301870A
JPH01301870A JP13134588A JP13134588A JPH01301870A JP H01301870 A JPH01301870 A JP H01301870A JP 13134588 A JP13134588 A JP 13134588A JP 13134588 A JP13134588 A JP 13134588A JP H01301870 A JPH01301870 A JP H01301870A
Authority
JP
Japan
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holder
chamber
ion beam
substrate
processing chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP13134588A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Tanaka
滋 田中
Isao Hashimoto
勲 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH01301870A publication Critical patent/JPH01301870A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent temp. rise in substrates by a simplified constitution by disposing spare chambers capable of evacuation on both sides of a treatment chamber, moving holders to move objects of working into the treatment chamber, and providing means of cooling the holders in the spare chambers, respectively. CONSTITUTION:Gate valves 4a, 4b are closed and the inside of a treatment chamber 1 is evacuated to high vacuum. A substrate 11 is placed on a stand 8a3 of a holder 8a in a spare chamber 3a and the inside of the spare chamber 3a is reduced to high vacuum. The gate valve 4a is opened and the holder 8a is turned and allowed to reach the treatment chamber 1, and an ion beam from an ion source 2 irradiates the substrate 11 ion milling treatment to the substrate 11 is executed. In a spare chamber 3b also, a substrate 11 is introduced and the inside of the chamber 3b is reduced to high vacuum. In the course of alternately repeated ion milling operations, cooling water via cooling water-introducing pipes 9a1, 9b1 is allowed to flow through the tubes inserted in the holders 8a, 8b, respectively, by which the substrates 11 placed on the stand 8a3 and a stand 8b3, respectively, are cooled. By this method, temp. rise in the substrates 11 can be inhibited and the breakage of the substrates 11 can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、イオンビームを用いて加工対象物のミリング
を行なうイオンビームミリング装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an ion beam milling apparatus that mills a workpiece using an ion beam.

[従来の技術] イオンビームミリング装置は1周知のように、高真空と
された処理室内に加工対象物例えば半導体基板(以下基
板という)を置き、イオン源からのイオンビームを基板
に照射することにより加工を行なう装置である。この種
装置において、高真空の処理室内に加工対象物を導入す
る手段として、例えば特開昭59−208836号公報
に記載の手段が提案されている。この手段では、独立し
た2つの予備室が設置されており、一方の予備室に挿入
された基板は搬送装置により処理室入口に搬送され、処
理室内の移載器に移載され、さらにこの移載器から処理
室内の電極に移載されて加工が施され、加工終了後は前
記移載器に移載された後、この移載器から他の搬送装置
に移載され、この搬送装置により他方の予備室に搬送さ
れる。このような構成により処理室内における加工が実
行される。
[Prior Art] As is well known, an ion beam milling apparatus places a workpiece, such as a semiconductor substrate (hereinafter referred to as a substrate), in a high vacuum processing chamber, and irradiates the substrate with an ion beam from an ion source. This is a device that performs processing. In this type of apparatus, as a means for introducing a workpiece into a high-vacuum processing chamber, for example, the means described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-208836 has been proposed. In this method, two independent preliminary chambers are installed, and a substrate inserted into one preliminary chamber is transported to the entrance of the processing chamber by a transport device, transferred to a transfer device inside the processing chamber, and then transferred to a transfer device inside the processing chamber. The material is transferred from the loading device to the electrode in the processing chamber and processed, and after the processing is completed, it is transferred to the transfer device, and then transferred from this transfer device to another transfer device, and by this transfer device. Transported to the other preliminary room. With such a configuration, processing within the processing chamber is executed.

[発明が解決しようとする課題] ところで、一般にイオンビームミリング装置においては
、基板が受けるエネルギーは非常に大であり、基板の温
度上昇は著しい。このため、基板に損傷を生じるおそれ
もある。したがって、処理中に基板を冷却することが望
ましい。しかしながら、上記従来の装置では、このよう
な冷却を行なうことが困難であり、仮に何らかの冷却手
段を設けるとしても、その構成が極めて複雑になるのを
避けることができない。
[Problems to be Solved by the Invention] In general, in an ion beam milling apparatus, the substrate receives a very large amount of energy, and the temperature of the substrate increases significantly. Therefore, there is a possibility that the substrate may be damaged. Therefore, it is desirable to cool the substrate during processing. However, it is difficult to perform such cooling with the above-mentioned conventional apparatus, and even if some kind of cooling means is provided, the configuration will inevitably become extremely complicated.

本発明の目的は、上記従来技術における課題を解決し、
簡単な構成で基板の冷却を行なうことができるイオンビ
ームミリング装置を提供するにある。
The purpose of the present invention is to solve the problems in the above-mentioned prior art,
An object of the present invention is to provide an ion beam milling device capable of cooling a substrate with a simple configuration.

[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するため、本発明は、イオンビームを
発生しそのイオンビームを加速するイオン源と、当該イ
オンビームにより加工対象物に対する加工が行なわれる
処理室と、この処理室の両側に配置さ九真空排気可能と
された予備室と、これら各予備室と前記処理室との間を
高真空度を保持して封じる弁装置とを備えたイオンビー
ムミリング装置において、前記各予備室に備えられ前記
加工対象物を載置するとともにこれを当該予備室および
前記処理室内の所定位置間に移動させるホルダと、この
ホルダに備えられてこれを冷却する冷却手段とを設けた
ことを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides an ion source that generates an ion beam and accelerates the ion beam, and a processing chamber in which a workpiece is processed using the ion beam. Ion beam milling is equipped with nine preliminary chambers arranged on both sides of this processing chamber that can be evacuated, and a valve device that maintains a high degree of vacuum and seals the gap between each of these preliminary chambers and the processing chamber. In the apparatus, a holder provided in each of the preparatory chambers for placing the workpiece and moving it between predetermined positions in the preparatory chamber and the processing chamber; and a cooling means provided in the holder for cooling the workpiece. It is characterized by having the following.

[作用] 一方の予備室のホルダに加工対象物を載置し、この予備
室の真空排気を行なう。次に、弁装置を開いて当該予備
室と処理室との間を開放状態とする。そして、ホルダを
動かして加工対象物を処理室内の所定の位置に位置せし
める。この状態でイオンビームにより加工対象物に対す
る加工が実行される。この加工の間、他方の予備室のホ
ルダに加工対象物を載置してこの予備室の真空排気が行
なわれる。
[Operation] A workpiece is placed on a holder in one of the preliminary chambers, and the preliminary chamber is evacuated. Next, the valve device is opened to open the space between the preliminary chamber and the processing chamber. Then, the holder is moved to position the workpiece at a predetermined position within the processing chamber. In this state, the workpiece is processed by the ion beam. During this processing, the workpiece is placed on a holder in the other preliminary chamber, and this preliminary chamber is evacuated.

加工が終了するとホルダを動かして加工対象物を前記一
方の予備室内に位置せしめ、この予備室と処理室との間
の弁装置を閉じ、当該予備室を大気に開放して加工が終
了した加工対象物を取出す。
When processing is completed, the holder is moved to position the workpiece in one of the preliminary chambers, the valve device between this preliminary chamber and the processing chamber is closed, and the preliminary chamber is opened to the atmosphere to complete the process. Take out the object.

この間に、前記他方の予備室の真空排気が終了すると、
処理室との間の弁装・置を開き、ホルダを動かして加工
対象物を処理室内の所定位置に位置せしめ、加工が実行
される。このような動作が交互に繰返される。そしてこ
の動作の間、ホルダは冷却手段により冷却されるので、
ホルダに載置された加工対象物も冷却される。
During this time, when the evacuation of the other preliminary chamber is completed,
The valve device/device between the processing chamber and the processing chamber is opened, the holder is moved to position the workpiece at a predetermined position within the processing chamber, and processing is executed. Such operations are repeated alternately. During this operation, the holder is cooled by the cooling means, so
The workpiece placed on the holder is also cooled.

[実施例] 以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明する。[Example] Hereinafter, the present invention will be explained based on illustrated embodiments.

第1図および第2図はそれぞれ本発明の実施例に係るイ
オンビームミリング装置の平面断面図および正面断面図
である。各図で、1はイオンビームにより基板に対して
加工を行なう処理室、2は処理室1上に配置されたイオ
ン源である。イオン源2は、Ar、CF、等のガスを導
入するガス導入口2g、導入されたガスをイオン化する
フィラメント2f、このフィラメント2fの端子2t工
1 and 2 are a plan sectional view and a front sectional view, respectively, of an ion beam milling apparatus according to an embodiment of the present invention. In each figure, 1 is a processing chamber in which a substrate is processed with an ion beam, and 2 is an ion source placed above the processing chamber 1. The ion source 2 includes a gas inlet 2g for introducing gas such as Ar, CF, etc., a filament 2f for ionizing the introduced gas, and a terminal 2t for the filament 2f.

2t、、および発生したイオンを加速しイオンビームと
して処理室1内に放射するイオン源電極2eで構成され
ている。
2t, and an ion source electrode 2e that accelerates generated ions and emits them into the processing chamber 1 as an ion beam.

3a、3bは処理室1の両側に配置された予備室、4a
、4bは処理室1と各予備室3a、3bとの間に設けら
れたゲート弁、5a、5bは予備室3a、3bと外部と
の開閉を行なう開閉扉である。上記ゲート弁4a、4b
は、弁作用により処理室1と各予備室3a、3bとの間
を密閉し、又は開放する。6は処理室1の内部を高真空
度に排気する真空排気口であり、図示されていない真空
排気装置に接続されている。7a、7bは予備室3a、
3bの内部を高真空度に排気する真空排気口であり、同
じく図示、されていない真空排気装置に接続されている
3a and 3b are preliminary chambers located on both sides of the processing chamber 1; 4a;
, 4b are gate valves provided between the processing chamber 1 and each preliminary chamber 3a, 3b, and 5a, 5b are opening/closing doors for opening and closing the preliminary chambers 3a, 3b and the outside. The above gate valves 4a, 4b
seals or opens the space between the processing chamber 1 and each preliminary chamber 3a, 3b by valve action. A vacuum exhaust port 6 evacuates the inside of the processing chamber 1 to a high degree of vacuum, and is connected to a vacuum exhaust device (not shown). 7a and 7b are preliminary rooms 3a,
This is a vacuum exhaust port for evacuating the inside of 3b to a high degree of vacuum, and is connected to a vacuum exhaust device, which is also not shown.

8a、8bは各予備室に備えられたホルダであり、基板
を載置してこれを移動せしめる機能を有する。各ホルダ
8a、8bは、回転軸8a1,8b1、この回転軸8a
□、8b□に固定された腕8a2゜8b2、および腕8
a2,8b2に固定され基板を載置する台8a、、8b
、で構成されている。なお。
Reference numerals 8a and 8b are holders provided in each preparatory chamber, and have the function of placing a substrate thereon and moving it. Each holder 8a, 8b has a rotating shaft 8a1, 8b1, and this rotating shaft 8a.
□, arm 8a2°8b2 fixed to 8b□, and arm 8
Tables 8a, 8b fixed to a2 and 8b2 and on which the substrate is placed
, is composed of. In addition.

図示されていないが、ホルダ8a、8bには、基板を加
工に都合の良いように回転、傾斜させる回転機構、傾斜
機構が備えられている。9a、9bはホルダ8a、8b
を回転駆動するとともに冷却水を導入するホルダ冷却駆
動部である。9a1゜9a2はそれぞれホルダ冷却駆動
部9aにおける冷却水導入管および冷却水排出管であり
又、9b、、9b、はそれぞれホルダ冷却駆動部9bに
おける冷却水導入管および冷却水排出管である。
Although not shown, the holders 8a and 8b are equipped with a rotation mechanism and a tilting mechanism for rotating and tilting the substrate to suit processing. 9a and 9b are holders 8a and 8b
This is a holder cooling drive unit that rotates the holder and introduces cooling water. 9a1 and 9a2 are a cooling water introduction pipe and a cooling water discharge pipe, respectively, in the holder cooling drive section 9a, and 9b, 9b are a cooling water introduction pipe and a cooling water discharge pipe, respectively, in the holder cooling drive section 9b.

これら冷却水導入管および冷却水排出管は各ホルダ8a
、8bの内部で連通され1台8a38b3まで達してい
る。なお、9a、、9b3は冷却水回転導出入機構であ
り、ホルダ8a、8bが回転しても何ら支障なく冷却水
の供給、排出が可能である。
These cooling water inlet pipes and cooling water discharge pipes are connected to each holder 8a.
, 8b and reaches one unit 8a38b3. Incidentally, reference numerals 9a, 9b3 are cooling water rotation introduction/extraction mechanisms, and even if the holders 8a, 8b rotate, the cooling water can be supplied and discharged without any problem.

このような機構は周知であるので、説明は省略する。1
0a、10bはゲート弁4a、4bの開閉を行なうゲー
ト弁操作部を示す。11は基板を示す。
Since such a mechanism is well known, its explanation will be omitted. 1
Reference numerals 0a and 10b indicate gate valve operation units that open and close the gate valves 4a and 4b. 11 indicates a substrate.

次に、本実施例の動作を説明する。最初、ゲート弁操作
部10a、10bにより各ゲート弁4a。
Next, the operation of this embodiment will be explained. First, each gate valve 4a is operated by the gate valve operation parts 10a and 10b.

4bを閉じて処理室1を密封状態とし、真空排気口6に
より処理室1内を高真空とする。次に、予備室3aの開
閉扉5aを開き、基板11をホルダ8aの台8a3に載
置し、開閉扉5aを閉じる。
4b is closed to seal the processing chamber 1, and the inside of the processing chamber 1 is brought to a high vacuum through the vacuum exhaust port 6. Next, the opening/closing door 5a of the preliminary chamber 3a is opened, the substrate 11 is placed on the stand 8a3 of the holder 8a, and the opening/closing door 5a is closed.

そして、真空排気ロアaにより予備室3a内を高真空度
とする。この状態で、ゲート弁操作部10aを操作して
ゲート弁4aを開くが、ゲート弁4aを開いても処理室
1の真空は破られない。次いで。
Then, the inside of the preparatory chamber 3a is brought to a high degree of vacuum by the vacuum evacuation lower a. In this state, the gate valve operating section 10a is operated to open the gate valve 4a, but even if the gate valve 4a is opened, the vacuum in the processing chamber 1 is not broken. Next.

ホルダ駆動部9aによりホルダ8aの回転軸8a□を回
転すると、腕8a25台8a3は回転軸8a□を中心に
回動し、開放状態にあるゲート弁4aを通って図に破線
で示すように処理室1の所定位置(イオンビームにより
処理が行なわれる位置)に到達し停止する。この状態で
イオン源4からイオンビームが放射され、イオンミリン
グ処理が行なわれる。
When the rotation axis 8a□ of the holder 8a is rotated by the holder drive unit 9a, the arm 8a25 and the stand 8a3 rotate around the rotation axis 8a□, and pass through the gate valve 4a which is in the open state to perform processing as shown by the broken line in the figure. It reaches a predetermined position in chamber 1 (the position where processing is performed by the ion beam) and stops. In this state, an ion beam is emitted from the ion source 4, and ion milling processing is performed.

上記の動作中、予備室3bにおいても予備室3aにおけ
る動作と同じく、開閉1i5bを開いて基板11をホル
ダ8bの台8b、に載せ、開閉i5bを閉じて真空排気
ロアbにより室内を高真空度とする動作が実施される。
During the above operation, in the preliminary chamber 3b, the opening/closing 1i5b is opened and the substrate 11 is placed on the stand 8b of the holder 8b, and the opening/closing i5b is closed and the vacuum evacuation lower b is used to bring the chamber to a high vacuum. The following operations are performed.

一方、処理室1における処理が終了すると、ホルダ即動
部9aによりホルダ8aが回動され、腕8a、および台
8a、は図示実線の位置に戻る1次いで、ゲート弁操作
部10aによりゲート弁4aが閉じられ、予備室3aと
処理室1とは遮断される0次に、図示しないリーク弁に
より予備室3aが大気リークされ、その後開閉7jii
5aが開かれ、処理済の基板11が外され新しい基板1
1が台8a3に載置される。そして開閉扉5aが閉じら
れ、予備室3a内が高真空度に排気される。
On the other hand, when the processing in the processing chamber 1 is completed, the holder 8a is rotated by the holder quick-acting part 9a, and the arm 8a and the stand 8a return to the position shown by the solid line in the figure. is closed, and the preliminary chamber 3a and the processing chamber 1 are cut off.Next, the preliminary chamber 3a is leaked to the atmosphere by a leak valve (not shown), and then opened/closed 7jii
5a is opened, the processed substrate 11 is removed, and a new substrate 1 is removed.
1 is placed on the stand 8a3. Then, the opening/closing door 5a is closed, and the interior of the preliminary chamber 3a is evacuated to a high degree of vacuum.

上記処理済の基板11の取出し動作において、ホルダ8
aが予備室3aに戻されてゲート弁4aが閉じた後、今
度はゲート弁操作部10bによりゲート弁4bが開かれ
、ホルダ駆動部9bによりホルダ8bが回動され、台8
b、は図示破線位置に移動せしめられる。次いで、イオ
ン源2からのイオンビームにより台8b、上の基板に対
してイオンミリング処理が実施される。この処理が終了
すると、ホルダ8bが予備室3bに戻り、ゲート弁4b
が閉じ、予備室3bが大気リークされ、開閉扉5bが開
かれ、新らしい基板11が台8a3に載置される。この
ような動作が顔次交互に繰返されてイオンミリングが実
行されてゆく。
In the operation of taking out the processed substrate 11, the holder 8
After a is returned to the preliminary chamber 3a and the gate valve 4a is closed, the gate valve 4b is opened by the gate valve operation section 10b, the holder 8b is rotated by the holder drive section 9b, and the table 8
b is moved to the position indicated by the broken line in the figure. Next, the ion beam from the ion source 2 performs ion milling on the substrate on the table 8b. When this process is completed, the holder 8b returns to the preliminary chamber 3b, and the gate valve 4b
is closed, the preliminary chamber 3b is leaked to the atmosphere, the opening/closing door 5b is opened, and a new substrate 11 is placed on the stand 8a3. Ion milling is performed by repeating these operations alternately from face to face.

以上の動作中、冷却水導入管9a0,9b□からは冷却
水が供給され、この冷却水はホルダ8a。
During the above operation, cooling water is supplied from the cooling water introduction pipes 9a0 and 9b□, and this cooling water is supplied to the holder 8a.

8b内に挿通されている管内を流れ、台8a、。It flows through the tube inserted into the tube 8b, and the base 8a.

8b□の近くを通って戻り、この間ホルダ8a。Pass near 8b□ and return, during this time holder 8a.

8bおよび基板から熱を奪った後冷却水排出管9a、、
9b2から排出される。このため、ホルダ8a、8bは
冷却され、これにより1台8a、。
8b and a cooling water discharge pipe 9a after removing heat from the board.
It is discharged from 9b2. For this reason, the holders 8a and 8b are cooled, so that one holder 8a, 8b is cooled.

8b、に載置されている基板11も冷却される。The substrate 11 placed on 8b is also cooled.

このように、本実施例では、処理室の両側に予両室を配
し、各予備室に基板をセットするホルダを設け、このホ
ルダ内部に冷却水を流すようにしたので、簡単な構成に
より基板の温度上昇を抑制することができ、ひいては、
基板の破損を防止することができる。さらに、各予備室
と処理室間のゲート弁を開閉することにより、常に、高
真空度とされた予備室側のホルダの回動、復帰を行なっ
て基板を出し入れするようにしたので、処理室は大気に
開放されず高真空度を保持したままの状態とすることが
できる。この結果、処理室内壁に付着した膜の吸湿を防
止することができ、処理動作中において処理室の排気を
行なう場合もその排気時間は極めて短かくて済む。又、
膜の吸湿が防止できるので、吸湿により膜が剥離してこ
れが基板上に落下するおそれもなくなり、不良品の発生
を抑制することができる。さらに、一方のホルダに載置
された基板の処理を行なっている間に他方のホルダに新
らたな基板をセットできるので、処理室の排気時間の短
縮と相俟って全体の処理時間を大幅に短縮することがで
きる。さらに又、基板を処理室の所定位置に位置せしめ
るにはホルダを回転させるだけであり、基板の移動手段
を簡素に構成することができる。
In this way, in this embodiment, preparatory chambers are arranged on both sides of the processing chamber, and a holder for setting the substrate is provided in each preparatory chamber, and cooling water is allowed to flow inside this holder. It is possible to suppress the temperature rise of the substrate, and as a result,
Damage to the board can be prevented. Furthermore, by opening and closing the gate valves between each preparatory chamber and the processing chamber, the holder in the preparatory chamber, which has a high degree of vacuum, is always rotated and returned to its original position to take substrates in and out of the processing chamber. can be maintained at a high degree of vacuum without being exposed to the atmosphere. As a result, it is possible to prevent the film adhering to the inner wall of the processing chamber from absorbing moisture, and even when the processing chamber is evacuated during the processing operation, the evacuation time can be extremely short. or,
Since the film can be prevented from absorbing moisture, there is no fear that the film will peel off due to moisture absorption and fall onto the substrate, and the occurrence of defective products can be suppressed. Furthermore, while the substrate placed in one holder is being processed, a new substrate can be set in the other holder, which reduces the time required to exhaust the processing chamber and reduces the overall processing time. It can be significantly shortened. Furthermore, in order to position the substrate at a predetermined position in the processing chamber, it is only necessary to rotate the holder, so that the means for moving the substrate can be simply configured.

なお、上記実施例の説明では、基板を1枚だけセットす
るホルダについて述べたが、複数の基板をセットするホ
ルダを用いることもできる。第3図はこのようなホルダ
の一部平面図であり、8a2はホルダの腕、8a3′は
ホルダの台である。台8a、′には4枚の基板11を載
置することができ、この場合、前述したホルダに備えら
れている回転機構により台8a、′を回転させて各基板
llを順次所定位置に位置付けすることができる。なお
又、ホルダは回転動作するものに限ることはなく、加工
対象物を予備室から処理室に変化させ得るものであれば
どのような動作ををするものであってもよい。さらに、
冷却は冷却水に限らず、ガス等適宜な媒体を用いること
ができる。
In addition, in the description of the above embodiment, a holder for setting only one substrate was described, but a holder for setting a plurality of substrates may also be used. FIG. 3 is a partial plan view of such a holder, where 8a2 is an arm of the holder, and 8a3' is a base of the holder. Four substrates 11 can be placed on the bases 8a, ′, and in this case, the rotation mechanism provided in the holder described above rotates the bases 8a, ′ to sequentially position each substrate 11 at a predetermined position. can do. Furthermore, the holder is not limited to one that rotates, and may be any type of holder that can move the workpiece from the preliminary chamber to the processing chamber. moreover,
Cooling is not limited to cooling water, and any suitable medium such as gas can be used.

[発明の効果] 以上述べたように、本発明では、処理室の両側に、ホル
ダを備えた予備室を配し、前記ホルダに冷却手段を設け
たので、簡単な構成により基板の温度上昇を抑制するこ
とができ、基板の破損を防止することができる。しかも
、各予備室と処理室間を弁装置により開閉することによ
り、常に、高真空度とされている側の予備室のホルダを
作動して加工対象物の処理室への出し入れを行なうよう
にしたので、処理室は大気に開放されることなく、これ
により処理室内壁に付着した膜の吸湿を防止することが
でき、ひいては処理室の排気時間を大幅に短縮すること
ができ、かつ、膜の剥離を防止して製品の不良化を抑制
することができる。又、処理室における処理中に他方の
予備室のホルダに加工対象物をセットすることができる
ので、処理室の排気時間の短縮と相俟って、全体の処理
時間を大幅に短縮することができる6
[Effects of the Invention] As described above, in the present invention, a preliminary chamber equipped with a holder is arranged on both sides of a processing chamber, and a cooling means is provided in the holder, so that temperature rise of the substrate can be suppressed with a simple configuration. damage to the substrate can be prevented. Moreover, by opening and closing the valves between each preparatory chamber and the processing chamber, the holder in the preparatory chamber on the side with a high degree of vacuum is always activated to take the workpieces in and out of the processing chamber. As a result, the processing chamber is not exposed to the atmosphere, which prevents the film adhering to the walls of the processing chamber from absorbing moisture, which in turn greatly shortens the exhaust time of the processing chamber. It is possible to prevent deterioration of the product by preventing peeling. Additionally, since the workpiece can be set in the holder in the other pre-chamber during processing in the processing chamber, this reduces the exhaust time of the processing chamber and significantly reduces the overall processing time. Can do 6

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第2図はそれぞれ本発明の実施例に係るイ
オンビームミリング装置の平面断面図および正面断面図
、第3図はホルダの一部の平面図である。 1・・・・・・処理室、2・・・・・・イオン源、3a
、3b・・・・・・予備室、4a、4b・・・・・・ゲ
ート弁、5a、5b・・・・・・開閉扉、6,7a、7
b・・・・・・真空排気口、8a、8b・・・・・・ホ
ルダ、9a、9b・・・・・・ホルダ冷却駆動部、9a
1,9b、・・・・・・冷却水導入管、9a2,9b、
・・・・・・冷却水排出管、 9a3.9b、・・・・
・・冷却水回転導出入機構、11・・・・・・基板。 第1図 1 :危」更℃ 2 :イ^ノ源 3a、3b・す4室 4a 、4b   ケート弁 8a、8b   /II+レク” 9a、9b:ホセクンラJ昂l動邪 9cn、9b+沖fllXJ入管 9a2,9b2:、’/ThZIIAJlF出育9a3
,9b3:;+#*Oo 季Xi*入J[11:1叔 第2図 第3図
1 and 2 are a plan sectional view and a front sectional view, respectively, of an ion beam milling apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan view of a part of a holder. 1...Processing chamber, 2...Ion source, 3a
, 3b... Preparation room, 4a, 4b... Gate valve, 5a, 5b... Opening/closing door, 6, 7a, 7
b...Vacuum exhaust port, 8a, 8b...Holder, 9a, 9b...Holder cooling drive section, 9a
1, 9b,... Cooling water introduction pipe, 9a2, 9b,
......Cooling water discharge pipe, 9a3.9b,...
...Cooling water rotation lead-in/out mechanism, 11... Board. Figure 1: 1: Danger 2: Inogen 3a, 3b, 4th room 4a, 4b Kate valve 8a, 8b /II + Rec' 9a, 9b: Josekunra J excitement 9cn, 9b + Oki full XJ immigration 9a2, 9b2:,'/ThZIIAJIF birth 9a3
, 9b3: ;+#*Oo Ji Xi * Enter J [11:1 Uncle Fig. 2 Fig. 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、イオンビームを発生しそのイオンビームを加速する
イオン源と、当該イオンビームにより加工対象物に対す
る加工が行なわれる処理室と、この処理室の両側に配置
され真空排気可能とされた予備室と、これら各予備室と
前記処理室との間を高真空度を保持して封じる弁装置と
を備えたイオンビームミリング装置において、前記各予
備室に備えられ前記加工対象物を載置するとともにこれ
を当該予備室および前記処理室内の所定位置間に移動さ
せるホルダと、このホルダに備えられてこれを冷却する
冷却手段とを設けたことを特徴とするイオンビームミリ
ング装置。 2、特許請求の範囲第1項において、前記ホルダは、前
記予備室に設けられた回動軸と、この回動軸に取付けら
れた腕と、この腕に取付けられ前記加工対象物を載置す
る台とを備えていることを特徴とするイオンビームミリ
ング装置。 3、特許請求の範囲第1項において、前記冷却手段は、
前記ホルダ内部に挿通された冷却管であることを特徴と
するイオンビームミリング装置。
[Claims] 1. An ion source that generates an ion beam and accelerates the ion beam, a processing chamber in which a workpiece is processed with the ion beam, and an ion source arranged on both sides of the processing chamber and capable of being evacuated. In the ion beam milling apparatus, the ion beam milling apparatus is equipped with a preparatory chamber and a valve device that maintains and seals a high degree of vacuum between each of the preparatory chambers and the processing chamber. An ion beam milling apparatus comprising: a holder for placing the ion beam and moving the holder between predetermined positions in the preparatory chamber and the processing chamber; and a cooling means provided in the holder for cooling the holder. 2. In claim 1, the holder includes a rotating shaft provided in the preliminary chamber, an arm attached to the rotating shaft, and an arm attached to the arm on which the workpiece is placed. An ion beam milling device comprising: 3. In claim 1, the cooling means:
An ion beam milling device characterized in that the ion beam milling device is a cooling pipe inserted into the holder.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0840355A1 (en) * 1996-10-29 1998-05-06 Nissin Electric Co., Ltd. Apparatus and method for processing substrate
US6949174B2 (en) 2002-05-28 2005-09-27 Canon Kabushiki Kaisha Milling apparatus

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