KR100403140B1 - heat block device for manufacturing semiconductor package - Google Patents
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Abstract
이 발명은 반도체패키지 제조용 히트블럭 장치에 관한 것으로, 온도 제어가 용이하고, 또한 열손실에 의한 온도 변차를 최소화할 수 있도록, 반도체칩과 리드프레임을 도전성와이어로 본딩시, 상기 반도체칩 및 리드프레임에 소정 온도를 제공하는 히트블럭 장치에 있어서, 상기 반도체칩 및 리드프레임이 안착되는 히트블럭 표면에는 일정 전류를 인가하면 소정의 열을 발산하는 박형(薄形)의 히팅수단이 설치된 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat block device for manufacturing a semiconductor package, wherein the semiconductor chip and lead frame are bonded when the semiconductor chip and the lead frame are bonded with a conductive wire to facilitate temperature control and minimize temperature variations due to heat loss. A heat block device for providing a predetermined temperature to a heat block device, characterized in that thin heating means for dissipating predetermined heat is provided on a surface of the heat block on which the semiconductor chip and lead frame are seated. .
Description
본 발명은 반도체패키지 제조용 히트블럭 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게 설명하면 온도 제어가 용이하고, 열손실에 의한 온도 변차를 최소화할 수 있는 반도체패키지 제조용 히트블럭 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heat block device for manufacturing a semiconductor package, and more particularly, to a heat block device for manufacturing a semiconductor package, which can be easily controlled in temperature and minimizes a temperature variation caused by heat loss.
통상적으로 리드프레임을 이용한 반도체패키지는 다음과 같은 제조 공정에 의해 제조된다.Typically, a semiconductor package using a lead frame is manufactured by the following manufacturing process.
1. 절단 공정으로, 웨이퍼상에 형성된 다수의 반도체칩들을 낱개의 반도체칩으로 절단하여 그 중에서 양품의 반도체칩과 불량의 반도체칩을 분류한다.1. In the cutting process, a plurality of semiconductor chips formed on a wafer are cut into individual semiconductor chips, and classified into good semiconductor chips and defective semiconductor chips.
2. 반도체칩 탑재 공정으로, 분류된 상기 양품의 반도체칩들을 전도성 또는 비전도성 접착제가 도포된 리드프레임의 칩탑재판에 탑재시켜 접착시킨다.2. In the semiconductor chip mounting process, the classified semiconductor chips of good quality are mounted on the chip mounting plate of the lead frame to which the conductive or non-conductive adhesive is applied and bonded.
3. 와이어 본딩 공정으로, 상기 칩탑재판에 탑재된 반도체칩의 입출력패드와 내부리드를 도전성 와이어로 전기적인 본딩을 한다.3. In the wire bonding process, the I / O pad and the inner lead of the semiconductor chip mounted on the chip mounting plate are electrically bonded with conductive wires.
4. 봉지 공정으로, 상기 도전성 와이어가 연결된 반도체칩과 리드프레임의 내부리드를 봉지재로 봉지한다.4. In the encapsulation process, the semiconductor chip connected to the conductive wire and the inner lead of the lead frame are encapsulated with an encapsulant.
5. 트리밍(trimming) 공정으로, 봉지 공정이 완료된 후, 상기 댐바를 절단하여 다수의 내부리드가 각각 전기적으로 독립되도록 한다.5. In the trimming process, after the encapsulation process is completed, the dam bars are cut so that a plurality of internal leads are electrically independent from each other.
6. 솔더 플레이팅(solder plating) 공정으로, 마더보드(mother board)와 반도체패키지의 본딩력 또는 실장력을 향상시키기 위하여 반도체패키지의 외부리드를 납(Pb)과 주석(Sn) 등으로 도금한다.6. In the solder plating process, the external lead of the semiconductor package is plated with lead (Pb) and tin (Sn) in order to improve the bonding or mounting force of the motherboard and the semiconductor package. .
7. 포밍(forming) 공정으로, 도금이 완료된 상기 반도체패키지를 반도체패키지의 목적에 부합되는 각 형상이 되도록 외부리드를 절곡시킨다.7. In the forming process, the external lead is bent so that the semiconductor package after the plating is completed has a shape corresponding to the purpose of the semiconductor package.
여기서, 상기 와이어 본딩 공정은 통상 히트블럭 장치에서 실시되는데 이를 좀더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, the wire bonding process is usually performed in a heat block device, which will be described in more detail as follows.
히트블럭 장치는 기본적으로 와이어 본딩 공정 동안 리드프레임을 저면에서안정적으로 지지 및 고정하고, 또한 리드프레임을 소정 온도(대략 200~230℃) 이상으로 가열함으로써, 반도체칩의 입출력패드와 리드프레임의 내부리드에 대한 도전성 와이어의 본딩력을 향상시키기 위해 사용된다.The heat block device basically supports and fixes the lead frame on the bottom surface stably during the wire bonding process, and also heats the lead frame to a predetermined temperature (approximately 200 to 230 ° C.) or more, thereby providing the inside and outside of the semiconductor chip input / output pad and the lead frame. It is used to improve the bonding force of the conductive wire to the lead.
이러한 히트블럭 장치(100')는 도1에 도시된 바와 같이 리드프레임(12) 등 각종 구성 부품을 안정적으로 지지하기 위한 베이스(2)가 설치되어 있고, 상기 베이스(2)에는 히트블럭(8)이 안착되어 있으며, 상기 베이스(2)의 일측에는 상기 히트블럭(8)을 베이스(2)에 고정시키기 위한 클램프(4)가 설치되어 있다.As shown in FIG. 1, the heat block device 100 ′ is provided with a base 2 for stably supporting various components such as a lead frame 12, and the base block 2 includes a heat block 8. ) Is seated on one side of the base (2) is provided with a clamp (4) for fixing the heat block (8) to the base (2).
상기 베이스(2)를 좀더 구체적으로 보면, 중앙에 상기 히트블럭(8)이 안착될 수 있도록 일정깊이를 갖는 요부(3)(凹部)가 형성되어 있고, 상기 요부(3)의 하단부에는 상기 베이스(2) 및 히트블럭(8)을 일정온도로 가열하기 위한 다수의 히트카트리지(9)(열선)가 삽입되어 있다.In more detail, the base 2 has a recess 3 having a predetermined depth so that the heat block 8 can be seated in the center thereof, and a lower end of the recess 3 is formed at the base. (2) and a plurality of heat cartridges 9 (hot wires) are inserted for heating the heat blocks 8 to a constant temperature.
이와 같은 구조의 종래 히트블럭 장치(100')는 와이어 본딩 공정중 상기 히트카트리지(9)에 일정한 전류가 흐름으로써 그 히트카트리지(9)가 소정 온도로 가열된다. 또한, 상기 히트카트리지(9)의 열은 베이스(2) 및 히트블럭(8)에 전달되고 따라서 상기 히트블럭(8)에 안착된 리드프레임(12) 및 반도체칩(14) 역시 일정 온도로 가열하게 된다.In the conventional heat block apparatus 100 ′ having such a structure, a constant current flows in the heat cartridge 9 during the wire bonding process, thereby heating the heat cartridge 9 to a predetermined temperature. In addition, the heat of the heat cartridge 9 is transmitted to the base 2 and the heat block 8, and thus the lead frame 12 and the semiconductor chip 14 seated on the heat block 8 are also heated to a predetermined temperature. Done.
상기와 같이 리드프레임 등이 가열된 상태에서 와이어 본딩이 수행되며, 상기 제공된 온도가 기준치 이하이거나 또는 기준치 이상인 경우에는 와이어 본딩 불량을 유발하기 때문에 상기 히트블럭의 온도 제어는 매우 중요하다고 할 수 있다.As described above, wire bonding is performed in a state in which the lead frame or the like is heated, and when the provided temperature is below the reference value or above the reference value, the wire bonding is caused to cause poor temperature control of the heat block.
그러나 이러한 종래의 히트블럭 장치는 히트카트리지에 의한 열이 베이스 및히트블럭으로 전달된 후 다시, 그 열이 리드프레임 등에 전달됨으로써, 실제 리드프레임에 전달되는 온도는 히트카트리지에서 발생된 온도와 심한 차이를 나타낸다. 즉, 상기 히트카트리지에서 제공되는 온도와 리드프레임에 전달되는 실제 온도는 다르며, 이는 히트카트리지의 열이 베이스 및 히트블럭을 통하여 리드프레임에 전달되는 동안 손실되기 때문이다.However, in the conventional heat block device, heat is transferred to the base and the heat block by the heat cartridge, and then, the heat is transferred to the lead frame, etc., so that the temperature transmitted to the actual lead frame is significantly different from the temperature generated in the heat cartridge. Indicates. That is, the temperature provided by the heat cartridge and the actual temperature delivered to the leadframe are different because heat of the heat cartridge is lost while being transferred to the leadframe through the base and the heatblock.
따라서, 종래에는 이러한 온도 차이를 제거하기 위해, 실제 리드프레임에 제공되는 온도보다 더 높은 온도가 전달되도록 히트카트리지의 온도를 제어해야 했으며, 이로써 와이어 본딩 공정중 실제 리드프레임에 제공되는 온도와 히트카트리지에서 제공되는 온도의 제어에 많은 어려움이 있다.Therefore, in order to eliminate such a temperature difference, it is necessary to control the temperature of the heat cartridge so that a temperature higher than that provided in the actual lead frame is transmitted. Thus, the temperature and the heat cartridge provided in the actual lead frame during the wire bonding process are thus required. There are many difficulties in controlling the temperature provided by.
더욱이, 상기 히트블럭에 안착되는 리드프레임, 반도체칩 또는 반도체패키지 종류는 매우 다양함으로써 이에 제공되는 적정 온도 또는 적정 열량도 모두 다르게 된다. 이는 매우 치명적인 문제인데 왜냐하면, 상기와 같이 리드프레임 등의 종류가 바뀔 때 마다 그에 알맞게 제작된 히트블럭으로 교체해야할 필요가 있기 때문이다. 상기와 같이 히트블럭이 교체된 후에는 일정시간 동안 소정 온도를 맞추기 위해 작업을 진행할 수 없을 뿐만 아니라, 또한 그 온도 범위를 정확히 찾고 제어하는데 많은 시간이 걸린다.In addition, since the types of lead frames, semiconductor chips, or semiconductor packages mounted on the heat blocks are very diverse, the appropriate temperature or the appropriate amount of heat provided thereto are also different. This is a very fatal problem because it needs to be replaced with a heat block made accordingly whenever the type of lead frame is changed as described above. After the heat block is replaced as described above, not only work cannot be performed to set a predetermined temperature for a predetermined time, but also it takes a lot of time to accurately find and control the temperature range.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 온도 제어가 용이하고 열손실이 적어 온도 변차를 최소화할 수 있는 반도체패키지 제조용 히트블럭 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and to provide a heat block device for manufacturing a semiconductor package which can easily control temperature and reduce heat loss to minimize temperature variations.
도1은 종래의 히트블럭 장치 및 히트블럭 장치에 리드프레임이 안착된 상태를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a state in which a lead frame is mounted on a conventional heat block device and a heat block device.
도2는 본 발명에 의한 반도체패키지 제조용 히트블럭 장치 및 그 히트블럭 장치에 리드프레임이 안착된 상태를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a heat block device for manufacturing a semiconductor package according to the present invention and a state in which a lead frame is seated on the heat block device.
- 도면중 주요 부호에 대한 설명 --Description of the main symbols in the drawings-
100; 본 발명에 의한 히트블럭 장치100; Heat block device according to the present invention
2; 베이스 4; 클램프2; Base 4; clamp
8;히트블럭 10; 히팅수단8; heat block 10; Heating means
12; 리드프레임 14; 반도체칩12; Leadframe 14; Semiconductor chip
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 반도체칩과 리드프레임을 도전성와이어로 본딩시, 상기 반도체칩 및 리드프레임에 소정 온도를 제공하는 히트블럭 장치에 있어서, 상기 반도체칩 및 리드프레임이 안착되는 히트블럭 표면에는 박형(薄形)의 히팅수단이 설치된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a heat block device for providing a predetermined temperature to the semiconductor chip and the lead frame when bonding the semiconductor chip and the lead frame with a conductive wire, the heat that the semiconductor chip and the lead frame is seated The surface of the block is characterized in that a thin heating means is installed.
상기 히팅수단은 내측에 전기적 도전체가 형성되고, 상기 도전체 표면에는 전기적 부도체가 감싸여서 이루어짐이 바람직하다.The heating means is preferably formed with an electrical conductor formed on the inner surface, the electrical non-conductive wrapped on the surface of the conductor.
상기 도전체는 알루미나이즈드 스틸(Aluminized Steel), 스테인레스 스틸(Stainless Steel), 징크 스틸(Zinc Steel) 중 어느 하나로 함이 바람직하다.The conductor is preferably made of any one of aluminized steel, stainless steel, and zinc steel.
상기 부도체는 리프랙터리(Refractory), 마이카(Mica), 미네랄(Mineral) 중 어느 하나로 함이 바람직하다.The insulator is preferably made of any one of Refractory, Mica, and Mineral.
또한, 상기 히팅수단은 아이런 - 크롬 - 알루미늄(iron-chrome-aluminum (ICA)) 저항 소자와 상기 저항 소자를 감싸는 세라믹 파이버 절연층으로 이루어진 세라믹 파이버 히터일 수도 있다.In addition, the heating means may be a ceramic fiber heater consisting of an iron-chrome-aluminum (ICA) resistance element and a ceramic fiber insulation layer surrounding the resistance element.
또한, 상기 히팅수단은 일정 전류를 인가하면 소정의 열을 발산하는 것을 특징으로 한다.In addition, the heating means is characterized in that to dissipate a predetermined heat when a constant current is applied.
상기 히트블럭에는 그 온도를 측정하기 위해 서모커플(Thermocouple)이 설치됨이 바람직하다.Preferably, the heat block is provided with a thermocouple to measure its temperature.
상기와 같이 하여 본 발명에 의한 반도체패키지 제조용 히트블럭 장치에 의하면, 히트블럭 표면에 얇은 판 형태의 히팅수단이 설치되고, 또한 상기 히팅수단의 온도를 측정할 수 있는 서모커플이 설치되어 있음으로써, 히팅수단에 흐르는 전류 및 서모커플을 이용하여 그 온도 제어가 대단히 용이해진다. 또한 상기 히팅수단에 직접 리드프레임이 안착됨으로써 히팅수단으로부터의 열이 직접 상기 리드프레임에 전달되어 열손실이 최소화되는 잇점도 있다.As described above, according to the heat block apparatus for manufacturing a semiconductor package according to the present invention, a thin plate type heating means is provided on the surface of the heat block, and a thermocouple capable of measuring the temperature of the heating means is provided. It is very easy to control the temperature by using the current flowing through the heating means and the thermocouple. In addition, since the lead frame is directly seated on the heating means, heat from the heating means is transferred directly to the lead frame, thereby minimizing heat loss.
또한, 단순히 히팅수단에 제공되는 전류만을 변화시켜 온도를 제어하게 됨으로써, 종래와 같이 리드프레임, 반도체칩 또는 반도체패키지의 형태가 바뀔 때마다 히트블럭 자체를 교체할 필요도 없다.In addition, since the temperature is controlled by changing only the current provided to the heating means, it is not necessary to replace the heat block itself whenever the shape of the lead frame, the semiconductor chip, or the semiconductor package changes as in the related art.
이하 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings such that those skilled in the art can easily implement the present invention.
도2는 본 발명에 의한 반도체패키지 제조용 히트블럭 장치(100) 및 그 히트블럭 장치(100)에 리드프레임(12)이 안착된 상태를 도시한 단면도이다.Figure 2 is a cross-sectional view showing a state in which the lead frame 12 is seated on the heat block device 100 and the heat block device 100 for manufacturing a semiconductor package according to the present invention.
먼저 가장 하단부에는 중앙에 일정 공간의 요부(3)(凹部)가 형성되어 있고, 일측에는 클램프(4)가 설치된 베이스(2)가 위치되어 있다. 상기 베이스(2)의 요부(3) 내측에는 히트블럭(8)이 안착되어 있으며, 상기 히트블럭(8)의 상부에는 와이어 본딩시 리드프레임(12) 및 반도체칩(14)에 일정한 열을 가하기 위해 히팅수단(10)이 설치되어 있다. 즉, 히트블럭(8)의 상면에는 일정 전류를 흘려 보내면 그에 비례하여 열을 발산하는 매우 얇게 제작된 박형(薄形)의 히팅수단(10)이 설치되어 있다.First, a recess 3 in a predetermined space is formed at the bottom of the bottom, and a base 2 provided with a clamp 4 is located at one side. The heat block 8 is seated inside the recess 3 of the base 2, and a predetermined heat is applied to the lead frame 12 and the semiconductor chip 14 during wire bonding on the upper part of the heat block 8. The heating means 10 is installed. That is, a very thin thin heating means 10 is provided on the top surface of the heat block 8 to emit heat in proportion to a constant current flowing therethrough.
상기 히팅수단(10)은 바람직하기로 내측에 전기적 도전체가 형성되어 있고,그 표면은 전기적 부도체(열적 전도체)가 감싸는 형태의 것으로 함이 바람직하다.Preferably, the heating means 10 has an electrical conductor formed therein, and the surface thereof is preferably in the form of an electrical non-conductor (thermal conductor) wrapped therein.
이러한 히팅수단(10)의 구체적 예로서, 상기 도전체를 알루미나이즈드 스틸(Aluminized Steel), 스테인레스 스틸(Stainless Steel), 징크 스틸(Zinc Steel) 중 어느 하나로 구비하고, 상기 전기적 부도체(열적 전도체)로서 리프랙터리(Refractory), 마이카(Mica), 미네랄(Mineral) 중 어느 하나를 이용할 수 있다.As a specific example of the heating means 10, the conductor is provided with any one of aluminized steel, stainless steel, zinc steel, and the electrical insulator (thermal conductor). Refractory, Mica, or Mineral can be used as one.
이러한 히팅수단(10)으로서는 미국의 "WATLOW"사에서 제작한 스트립히터를 구입하여 이용할 수 있다.As the heating means 10, a strip heater manufactured by "WATLOW" company in the United States can be purchased and used.
또한 상기 히팅수단(10)의 다른 예로서, 상기 도전체를 아이런 - 크롬 - 알루미늄(iron-chrome-aluminum (ICA)) 저항 소자로 하고, 상기 저항 소자를 감싸는 부도체로서 세라믹 파이버 절연층으로 이루어진 것을 이용할 수 있다.In addition, as another example of the heating means 10, the conductor is an iron-chrome-aluminum (ICA) resistance element, and the non-conductor surrounding the resistance element is made of a ceramic fiber insulating layer It is available.
이러한 히팅수단(10)으로서는 역시, 미국의 "WATLOW"사에서 제작한 세라믹 파이버 히터를 구입하여 이용할 수 있다.As such heating means 10, it is also possible to purchase and use a ceramic fiber heater manufactured by "WATLOW" company in the United States.
이러한 모든 히팅수단(10)은 상기 도전체에 일정 전류를 인가하면 소정의 열을 발산하도록 되어 있으며, 또한 상기 도전체는 부도체가 감싸고 있음으로 상기 리드프레임과는 전기적으로 절연된 상태가 된다.All of the heating means 10 is configured to dissipate a predetermined heat when a predetermined current is applied to the conductor, and the conductor is electrically insulated from the lead frame because the conductor is wrapped.
한편, 상기 히트블럭(8)에는 도시되지 않았지만 서모커플을 설치함이 바람직하다. 즉, 두 금속간의 온도가 다르면 일측으로 소정 전류를 흘려보내어 2접점간의 온도차를 알 수 있게 함으로써 통상 고열로(高熱爐)의 온도 측정에 많이 사용되는 서모커플을 설치하는 것이다. 이러한 서모커플로서는, 통상 와이어본딩시 제공되는 온도가 200~230℃ 이므로, 이 범위의 온도를 감지할 수 있는 동-콘스탄탄 등을 이용함이 바람직하다.On the other hand, although not shown in the heat block 8, it is preferable to install a thermocouple. That is, when the temperature between the two metals is different, a predetermined current flows to one side so that the temperature difference between the two contacts can be known, thereby providing a thermocouple, which is commonly used for high temperature furnace temperature measurement. As such a thermocouple, since the temperature provided during wire bonding is usually 200 to 230 ° C., it is preferable to use copper-constantan or the like that can sense the temperature in this range.
이러한 구조의 본 발명은 리드프레임(12), 반도체칩(14) 또는 반도체패키지 종류가 바뀔 때 마다 상기 히트블럭(8)을 교체할 필요가 전혀 없으며, 상기 히팅수단(10)에 제공되는 온도만을 제어하면 된다.According to the present invention having this structure, there is no need to replace the heat block 8 every time the lead frame 12, the semiconductor chip 14, or the semiconductor package type is changed, and only the temperature provided to the heating means 10 is provided. You can control it.
또한, 상기 히팅수단(10)에 직접 리드프레임(12), 반도체칩(14) 등이 안착됨으로써 열손실도 최소화할 수 있게 된다.In addition, since the lead frame 12, the semiconductor chip 14, etc. are directly seated on the heating means 10, heat loss can be minimized.
이상에서와 같이 본 발명은 비록 상기의 실시예에 한하여 설명하였지만 여기에만 한정되지 않으며, 본 발명의 범주 및 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지로 변형된 실시예도 가능할 것이다.As described above, although the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited thereto, and various modified embodiments may be possible without departing from the scope and spirit of the present invention.
따라서, 본 발명에 의한 반도체패키지 제조용 히트블럭 장치에 의하면, 히트블럭 상면에 얇은 판 형태의 히팅수단이 설치되고, 또한 상기 히팅수단의 온도를 측정할 수 있는 서모커플이 설치되어 있음으로써, 상기 히팅수단에 흐르는 전류 및 상기 서모커플에 의한 피드백을 이용하여 그 히팅수단의 온도제어가 대단히 용이해지는 효과가 있다.Therefore, according to the heat block apparatus for manufacturing a semiconductor package according to the present invention, the heating means having a thin plate shape is provided on the upper surface of the heat block, and a thermocouple capable of measuring the temperature of the heating means is provided. There is an effect that the temperature control of the heating means is greatly facilitated by using the current flowing through the means and the feedback by the thermocouple.
또한 상기 히팅수단에 리드프레임 및 반도체칩 등이 직접 안착됨으로써 히팅수단으로부터의 열이 상기 리드프레임 및 반도체칩 등에 직접 전달되어 종래와 같은 열손실에 의한 온도 변차가 최소화되는 효과가 있다.In addition, since a lead frame and a semiconductor chip are directly seated on the heating means, heat from the heating means is directly transferred to the lead frame and the semiconductor chip, thereby minimizing temperature variations due to heat loss as in the prior art.
또한, 리드프레임, 반도체칩 또는 반도체패키지의 형태가 바뀌게 되면, 종래에는 히트블럭 또는 히트카트리지 등을 교체해야 했으나 본 발명은 단순히 히팅수단에 제공되는 전류만을 변화시켜 대응할 수 있는 효과가 있다.In addition, when the shape of the lead frame, the semiconductor chip or the semiconductor package is changed, in the past, the heat block or the heat cartridge has to be replaced, but the present invention has the effect of responding by simply changing the current provided to the heating means.
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| JPH08203948A (en) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Fujitsu Ltd | Wire bonding equipment and semiconductor device assembling method |
| KR980012353A (en) * | 1996-07-24 | 1998-04-30 | 김광호 | A heater block of a wire bonding apparatus having a heat insulating material for prevention of thermal oxidation |
| JPH1174306A (en) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Nec Kyushu Ltd | Method for wire-bonding and heater plate for wire-bonding |
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1999
- 1999-12-17 KR KR10-1999-0058518A patent/KR100403140B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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|---|---|
| KR20010056867A (en) | 2001-07-04 |
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