KR100398733B1

KR100398733B1 - 금속표면청정처리방법

Info

Publication number: KR100398733B1
Application number: KR10-1998-0043501A
Authority: KR
Inventors: 승 택 오
Original assignee: 주식회사 만도
Priority date: 1998-10-17
Filing date: 1998-10-17
Publication date: 2004-06-12
Also published as: KR20000026116A

Abstract

본 발명은 금속 성분의 팩킹 하우징의 표면의 분진 및 이물질을 제거하는 금속 표면 청정처리 방법에 관한 것으로, 고압공기(20)를 만드는 컴프래서(24)와, 고압공기(20)와 등유(22)가 혼합되는 혼합용기(26)와, 상기 혼합된 고압공기(20)와 등유(22)의 혼합비를 조절해주는 혼합비 조절기(28)와, 배합된 고압공기(20)와 등유(22)의 혼합 가스(42)를 점화시켜 고압의 가스 스팀을 노즐(40)로 발생시켜주는 건(32)으로 구성되고 상기와 같은 작동을 조절하는 컨트롤러(30)로 구성되어 금속 표면의 이물질을 제거하는 것으로 공정이 단순화되어 청정비용을 50%이상 절감할 수 있으며, 공정단축으로 인하여 공장 생산성을 향상시키며, 고온, 고속의 가스 스팀으로 이물질을 완벽하게 제거할 수 있는 효과가 있다.

Description

금속 표면 청정처리 방법

본 발명은 금속재료, 특히 강재의 튜브(Tube)등의 절단한 후, 그 내부에 어떤 전자부품이나 기계 시스템을 구성하고 그 시스템의 원활한 내구 작동을 위해 팩킹(Packing)처리 해야할 필요성이 있는 부품의 하우징 튜브 등의 절단이나 튜브제작등의 공정에서 미세 이물질이 내외부 금속 표면에 달라붙어 있어서 이를 제거하기 위한 청정공정의 방법에 관한 것이다.

종래의 금속 표면 청정처리 방법은 내부의 팩킹 처리하는 금속 튜브의 경우를 살펴보면,

금속튜브를 만들기 위해 강판을 말아서 심(Seam)용접을 하게되고 내식성 처리를 하기 위해서 각종 공정을 거치면서 팩킹처리 되어야할 내부에 미세 분진(예로 C가루, Fe₃O₄분진_,불용성분, Oil 이물질등) 달라붙어 있고 이를 세척하기 위해서 표면을 예비탈지(1)⇒본탈지(2)⇒본수세(3)⇒수세(4)⇒산세(5)⇒수세(6)⇒중화(7)⇒수세(8)⇒방청(9)⇒열풍건조(10)⇒고압세척(11)등의 공정을 거쳐 불순물을 제거하게 된다.

그러나, 종래의 방법은 공정의 과다로 인하여 분진제거에 소용되는 비용이 상당히 과다하게 들어가고, 이러한 공정을 통해서도 일부 미세 분진이 남아 팩킹후 내구 작동시 이물질이 시스템에 흘러 들어감으로써 작동 시스템에 내구성을 떨어뜨리는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 금속성분의 팩킹 하우징의 표면의 분진 및 이물질을 완전히 제거하고, 공정을 단순화시켜 청정비용을 감소시킬 수 있는 금속 표면청정처리의 방법을 제공하는 것이다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 금속 표면 청정처리의 방법은 컴프래서(Compressor)에 의해 생성된 고압공기를 등유와 혼합한 뒤, 상기 혼합 가스를 점화시켜 고압의 가스 스팀을 발생시킴으로써 이것이 분진 및 이물질을 제거하는 것을 그 기술적 특징으로 한다.

도 1 은 종래의 금속 표면 청정처리 방법의 공정도,

도 2 는 본 발명의 금속 표면 청정처리 방법의 구조를 나타낸 사시도,

도 3 은 본 발명의 금속 표면 청정처리 방법의 건의 내부의 구조를 나타낸 사시도

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

18: 팩킹할 하우징(Packing Housing) 20: 고압 공기

22: 등유 24: 컴프래서(Compressor)

26: 혼합 용기 28: 혼합비 조절기

30: 컨트롤러(Controller) 32: 건(Gun)

34: 점화장치 36: 냉각수

38: 연소방 40:노즐(Nozzle)

42: 혼합 가스

이하, 본 발명의 일실시예에 따른 금속 표면 청정처리 방법에 대해 첨부된 도면에 따라 상세히 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명의 금속 표면 청정처리 방법에 대한 구조를 나타낸 사시도이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명은 컴프래서를 이용해 고압공기를 생성하는 단계와, 생성된 고압공기를 등유과 일정혼합비로 혼합하는 단계와, 상기 고압공기와 등유의 혼합 가스를 점화시켜 발생된 고압의 가스 스팀을 금속 표면에 분출시켜주는 단계로 이루어진다.

상기와 같은 각 공정을 실행하기 위해, 본 실시예에서는 고압공기(20)를 만드는 컴프래서(24)와, 고압공기(20)와 등유(22)가 혼합되는 혼합용기(26)와, 상기 혼합된 고압공기(20)와 등유(22)의 혼합비를 조절해주는 혼합비 조절기(28)와, 배합된 고압공기(20)와 등유(22)의 혼합 가스(42)를 점화시켜 고압의 가스 스팀을 발생시켜주는 건(32)으로 구성되고 상기와 같은 작동을 조절하는 컨트롤러(30)로 구성되어 있다.

이를 좀더 상세히 설명하면, 상기 컴프레서(24)에서 고압공기(20)를 생성하고, 생성된 고압공기(20)는 등유(22)와 혼합용기(26)에서 혼합비 조절기(28)를 통해 고압공기(20)와 등유(22)의 혼합비가 20~80%:80~20%의 비율로 혼합된다.

이때 고압공기(20)와 혼합되는 연료는 등유(22)이외에 프로필랜(PROPYLENE), 아세틸랜(ACETYLENE), 아르곤(Ar), 수소가스(H₂GAS)등을 사용할 수 있다.

상기 혼합비 조절기(28)에서 혼합된 고압공기(20)와 연료인 등유(22)의 혼합 가스(42)는 도 3에서 도시된 바와 같이 건(32)의 연소방(38)으로 이동하여 점화장치(34)에 의해 점화되어 건(32)의 내부에 고압(1~8 MPa), 고온(최대 2,300 °K)의 가스 스팀이 발생하게되고, 이 가스 스팀을 미세한 노즐(40)로 분출시켜서 팩킹할 하우징(18)의 표면에 고속으로(1,600 m/sec~마하 4이상) 부딪침으로써 미세 이물질이 고압의 가스분자의 충돌에 의해서 제거되고, 유기성분은 고온으로 인하여 순간적으로 타서 없어지게 된다.(상기 도 3의 미설명된 냉각수(36)는 점화시 발생되는 고온에 의한 건(32)의 온도를 낮추기 위한 것이다.)

그리고, 상기의 모든 공정은 컨트롤러(30)에 의해서 조절된다.

상기와 같이 구성된 본 발명의 금속 표면 청정처리 방법은 공정이 단순화되어 청정비용을 50%이상 절감할 수 있으며, 공정단축으로 인하여 공장 생산성을 향상시키며, 고온, 고속의 가스 스팀으로 이물질을 완벽하게 제거할 수 있는 효과가 있다.

Claims

컴프래서를 이용해 고압공기를 생성하는 단계와;

상기 고압공기를 등유와 일정혼합비로 혼합하는 단계와;

상기 고압공기와 등유의 혼합 가스를 점화시켜 발생된 고압의 가스 스팀을 금속 표면에 분출시켜주는 단계;

로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 표면 청정처리 방법.
제 1항에 있어서,

상기 고압공기와 등유의 혼합비는 20~80% : 80~20% 의 비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 청정처리 방법.