KR100397714B1 - 섬유질전장방출기를사용한디스플레이패널 - Google Patents

섬유질전장방출기를사용한디스플레이패널 Download PDF

Info

Publication number
KR100397714B1
KR100397714B1 KR10-1998-0701066A KR19980701066A KR100397714B1 KR 100397714 B1 KR100397714 B1 KR 100397714B1 KR 19980701066 A KR19980701066 A KR 19980701066A KR 100397714 B1 KR100397714 B1 KR 100397714B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
valleys
parallel
diamond
display panel
substrate
Prior art date
Application number
KR10-1998-0701066A
Other languages
English (en)
Inventor
아서 밀러
데니스 죤 베치스
스티븐 앨런 립
제프리 폴 존슨
다니엘 어윈 쥬니어 어메이
Original Assignee
이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니 filed Critical 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니
Application granted granted Critical
Publication of KR100397714B1 publication Critical patent/KR100397714B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/04—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/126—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using line sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453—Carbon types
    • H01J2201/30457—Diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

디스플레이 패널은 전장 방출기로 구성된 1종 이상의 현수성 섬유질 캐쏘드로 구성된다. 섬유질 캐쏘드는 마루 및 골로 이루어진 일련의 제1 및 제2 평행렬을 포함하는 기판(10)에 의하여 지지된다. 마루(11) 및 골(12)로 이루어진 일련의 제1 평행렬은 섬유질 캐쏘드가 정렬되는 골을 제공한다. 마루(13) 및 골(14)로 이루어진 일련의 제2 평행렬은 제1 평행렬에 수직이다. 골(14)은 섬유질 캐쏘드를 현수시키는 수단을 제공한다.

Description

섬유질 전장 방출기를 사용한 디스플레이 패널 {Display Panels Using Fibrous Field Emitters}
디스플레이 스크린은 가정용 및 상업용 대형 스크린 텔레비젼, 랩탑 및 데스크탑 컴퓨터 그리고 실내 및 실외 광고용 표시 및 정보 표시와 같은 광범위하고 다양한 용도에 사용된다. 소위 평판 디스플레이는 대부분의 텔레비젼 및 데스크탑 컴퓨터에 존재하는 두꺼운 음극선관 모니터에 비해 두께가 불과 몇 인치이다. 평판 디스플레이는 랩탑 컴퓨터에 필수적이지만, 또한 많은 다른 용도에도 크기 및 중량 면에서 이점을 제공한다. 현재, 랩탑 컴퓨터 평판 디스플레이는 적은 전기적 신호를 인가함으로써 투명한 상태에서 불투명한 상태로 전환될 수 있는 액정을 이용한다. 이러한 디스플레이를 랩탑 컴퓨터에 적합한 크기보다 더 크게 신뢰성 있게 제조하는 것은 어렵다.
플라즈마 디스플레이가 액정 디스플레이에 대한 대체물로서 제안되어 왔다. 플라즈마 디스플레이는 이미지를 형성하기 위하여 전기적으로 하전된 기체의 얇은화소의 셀을 이용하며, 작동하기 위해서는 비교적 큰 전기력을 필요로 한다.
전장 방출 전자 공급원, 즉 전장 방출 물질 또는 전장 방출기를 사용하는 캐쏘드, 및 전장 방출기에 의해 방출된 전자에 의해 폭발할 때 빛을 방사할 수 있는 인광 물질을 갖는 디스플레이 패널이 제안되어 왔다. 이러한 디스플레이 패널은 종래의 음극선 관의 시각적인 디스플레이 면에서의 장점 및 평판 디스플레이의 두께, 중량 및 전력 소비 면에서의 장점을 제공할 수 있다. 미국 특허 제4,857,799호 및 제5,015,912호에는 텅스텐, 몰리브덴 또는 실리콘으로 구성된 마이크로-팁 캐쏘드를 사용하는 행렬식으로 접지된 평판 디스플레이가 개시되어 있다. 국제 특허 공개 제WO 94-15352호, 제WO 94-15350호 및 제WO 94-28571호에는 캐쏘드가 비교적 편평한 방출 표면을 갖는 평판 디스플레이가 개시되어 있다.
섬유질 캐쏘드가 비교적 편평한 방출 표면을 갖는 캐쏘드보다 유리함이 본 발명에서 발견되었다. 섬유질 캐쏘드는 기판에 의해 지지되며, 전자 방출이 일어나는 접지된 섬유질 캐쏘드의 부분들은 현수되어 기판에 직접 물리적으로 접촉되어 있지 않을 때 더 향상된 성능을 수행한다. 결과적으로, 이러한 모든 용도에 대하여 우수한 특성의 능률적인 디스플레이 패널을 제조하고 필요시에 이들을 대형으로 제조할 수 있는 대체적인 기술이 필요하다. 본 발명의 다른 목적 및 장점은 첨부된 도면 및 하기에 서술되는 발명의 상세한 설명을 참조로 당업자들에게 분명해질 것이다.
발명의 요약
본 발명은 전장 방출 물질로 구성된 1종 이상의 섬유로 형성되는 섬유질 캐쏘드, 애노드로서 작용하며 섬유질 캐쏘드로부터 이격되어 있는 전기 전도성 필름, 및 섬유 전장 방출 물질에 의해 방출된 전자에 의하여 폭발할 때 빛을 방사할 수 있고 애노드에 접하여 위치되는 인광 물질층을 포함하며, 섬유질 캐쏘드는 기판에 의해 지지되며, 전자 방출이 일어나는 접지된 섬유질 캐쏘드의 부분들은 현수되어 기판에 직접 물리적으로 접촉되어 있지 않는 디스플레이 패널을 제공한다.
한 가지 실시 양태는
a. 마루(crest) 및 골(valley)로 이루어진 일련의 제1 평행렬 및 마루 및 골로 이루어진 일련의 제2 평행렬을 갖는, 상기 기판상의 규칙적인 파상형의 표면 (제1 평행렬의 마루 및 골의 열은 제2 평행렬의 마루 및 골의 열과 평행하지 않다);
b. 마루 및 골로 이루어진 일련의 제1 평행렬의 각각의 골의 길이를 따라 정렬된 전장 방출 물질로 구성된 1종 이상의 섬유로 본질적으로 구성된 섬유질 캐쏘드; 및
c. 마루 및 골로 이루어진 일련의 제2 평행렬의 각각의 골의 길이를 따라 배열되며 섬유질 캐쏘드를 지지하는 현수 요소를 제공한다.
바람직하게는, 마루 및 골로 이루어진 일련의 제1 평행렬이 마루 및 골로 이루어진 일련의 제2 평행렬과 수직이다. 또한, 기판이 마루 및 골로 이루어진 일련의 제2 평행렬의 골 및 이 골의 측면을 제외하고 전기 전도성 물질로 코팅되는 것이 바람직하다. 이러한 전기 전도성 코팅은 게이트 전극으로서 작용한다. 현수 요소는 마루 및 골로 이루어진 일련의 제2 평행렬의 각각의 골의 길이를 따라 정렬된 비방출성 섬유로 구성될 수 있다. 상기 섬유질 캐쏘드의 상부에 제2의 비방출성 섬유가 마루 및 골로 이루어진 일련의 상기 제2 평행렬의 각각의 골의 길이를 따라 정렬됨으로써, 상기 섬유질 캐쏘드를 적소에 고정시킬 수 있다.
또 다른 실시 양태는
a. 골 및 본질적으로 편평한 마루의 평행렬로 구성되는 기판상의 규칙적인 파상형의 표면, 및
b. 기판의 본질적으로 편평한 마루 상에 지지되며 기판의 골 상부에 현수되어 있는, 본질적으로 규칙적으로 이격된 방출 물질로 구성된 섬유의 평행한 배열로 구성된 섬유질 캐쏘드를 제공한다.
상기 실시 양태에서, 기판이 골 및 본질적으로 편평한 마루로 이루어진 일련의 평행렬의 골 및 이 골의 측면에서 전기 전도성 물질로 코팅되는 것이, 즉 기판이 각각의 골의 열을 지나지만 본질적으로 편평한 마루는 지나지 않게 전기 전도성 물질로된 연속적인 스트립으로 코팅되는 것이 바람직하다. 상기 전기 전도성의 코팅 스트립은 각기 게이트 전극으로 작용한다. 파상형 표면은 본질적으로 편평한 마루는 기판의 약하게 에칭된 부분에 상응하고 골은 기판의 보다 많이 에칭된 부분에 상응하도록 평활한 기판을 에칭함으로써 형성할 수 있다. (골 및 마루를 형성하기 위한 물질을 제거 또는 개조하는 기타의 방법이 또한 본 발명에 응용될 수 있음이 이해될 것이다.)
상술한 실시 양태 모두에서, 전자의 방출을 보다 잘 조절하기 위하여 하나 이상의 추가의 게이트 전극이 제공될 수 있다. 섬유질 캐쏘드가 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소의 1종 이상의 복합 섬유로 구성되는 것이 특히 바람직하며, 상기 복합 섬유는 비-다이아몬드 코어 상의 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소로 본질적으로 구성된다. 또한, 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소 코팅을 갖는다는 복합 섬유에 관한 설명은 이의 배합물로 구성되는 코팅을 포함함이 이해될 것이다.
이들 실시 양태는 디스플레이 패널에서 전자 방출을 잘 조절한다.
본 발명은 일반적으로 디스플레이 패널에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 전자장 방출기를 포함하는 현수된 섬유질 캐쏘드를 갖는 디스플레이 패널에 관한 것이다.
도 1(a)는, 마루 및 골로 이루어진 일련의 제2 평행렬에 수직인, 마루 및 골로 이루어진 일련의 제1 평행렬을 갖는 기판을 갖는 본 발명의 실시 양태를 나타낸다.
도 1(b) 및 1(c)는, 현수 요소 및 고정 요소 사이에 섬유질 캐쏘드를 포함하는, 마루 및 골로 이루어진 일련의 평행렬을 나타내는 도 1(a)의 정사도를 나타낸다.
도 2(a), 2(b) 및 2(c)는, 기판이 출발 다이아몬드형 패턴으로부터 형성된 골 및 본질적으로 편평한 마루로 이루어진 일련의 평행렬로 구성되는, 본 발명의 또다른 가능한 실시 양태를 나타낸다.
본 발명은 전자 방출이 일어나는 접지된 섬유질 캐쏘드의 부분들이 현수되어 기판에 직접 물리적으로 접촉되어 있지 않은 섬유질 캐쏘드를 포함하는 디스플레이 패널을 제공한다.
바람직하게는, 본 발명에 의해 제공된 디스플레이 패널은 (a) 전장 방출 물질로 구성된 다수의 섬유로 형성된 섬유질 캐쏘드, (b) 애노드로서 작용하며 섬유질 캐쏘드로부터 이격되어 있는 패턴화된, 광학적으로 투명한 전기 전도성 필름, 및 (c) 애노드에 바로 인접하여 위치되며 섬유질 캐쏘드의 섬유에 의해 방출된 전자에 의하여 폭발할 때 빛을 방사할 수 있는 인광 물질층을 포함한다.
애노드와 인광 물질층의 배열 및 배치는 본 발명의 사상으로부터 벗어남이 없이 변경할 수 있음이 이해될 것이다. 예를 들면, 인광 물질층은 애노드와 캐쏘드 사이에 위치될 수 있으며, 또는 애노드가 인광 물질층과 캐쏘드 사이에 위치될 수 있다. 또한, 디스플레이 패널은 통상적으로 애노드와 섬유질 캐쏘드 사이에 위치된 하나 이상의 게이트 전극을 포함할 수 있다. 일반적으로 게이트 전극은 애노드의 패턴화된 필름에 대해 실질적으로 직각으로 배열된 패턴화된 구조의 전도성 경로를 포함한다. 각각의 전도성 경로는 선택적으로 전자 공급원에 실시 가능하게 접속된다.
평판 디스플레이는 두께가 수 인치 정도로 매우 얇기 때문에 평판 디스플레이라 불려진다. 이들은 일반적으로 편평하지만, 특정한 용도로서 요구될 때에는 구부러지거나 다른 형상을 가질 수 있다. 따라서, 본 발명에서 사용될 때, "디스플레이 패널" 또는 "평판 디스플레이" 라는 용어는 다른 가능한 형태뿐만 아니라 평면 및 곡면을 포함한다.
애노드는 지지판 상의 전기 전도성 필름이다. 통상적으로, 지지판은 유리와 같은 광학적으로 투명한 물질이며, 전기 전도성 필름은 인듐-주석 산화물일 것이다. 전도성 필름은 캐쏘드에 면해 있는 애노드 지지판의 측면에 위치한다. 전도성필름은 패턴화될 수 있으며, 이러한 실시 양태에서, 패턴화된 전도성 필름은 바람직하게는 전도성 물질의 열로 구성된다. 캐쏘드 및 애노드는 그 표면이 전장 방출기의 성능을 최적화하기 위하여 조형될 수 있다 하더라도 통상적으로는 평면 구조이다. 애노드의 평면은 본질적으로 캐쏘드의 평면과 평행하다. 통상적으로, 캐쏘드와 애노드는 기계적인 스페이서에 의해 서로 이격된다. 인광 물질층은 섬유질 캐쏘드에 의해 방출된 전자에 의한 폭발시에 원하는 파장의 빛을 방사하는 것이다. 이러한 인광 물질의 예로는 산화 아연, 황화 아연, 도핑된 황화 아연 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 인광 물질층은 애노드 가까이에 인접하며, 제조상의 편의를 위하여 전도성 필름의 바로 위에 놓일 수 있다.
사용할 때에, 게이트 전극은 통상적으로 섬유질 캐쏘드 및 인광 물질층을 포함하는 애노드로부터 전기적으로 절연되는 패턴화된 전기 전도성 물질로 구성된다. 이것은 패턴화된 전기 전도성 물질을 캐쏘드와 인광 물질층 사이 또는 캐쏘드 뒤에 위치한 전기적인 절연 물질 상에 적층하여 캐쏘드가 게이트 전극과 애노드 사이에 위치하도록 함으로써 가장 용이하게 수행된다. 게이트 전극은 섬유질 캐쏘드를 지지하는 기판이 적합한 유형의 표면을 가질 때 (즉, 편평하거나 또는 파상형일 수 있다), 이러한 기판 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극으로 적합한 물질로는 구리, 금, 알루미늄, 인듐-주석 산화물, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬 등과 같은 통상적으로 필름 전도체로서 사용되는 임의의 금속 전도체를 들 수 있다. 패턴화된 물질은 열 또는 스트립 형태일 수 있다.
애노드가 캐쏘드와 인광 물질층 사이에 있다면, 캐쏘드와 인광 물질층 사이또는 캐쏘드와 애노드 사이의 영역에 적합한 진공이 제공되어야 한다. 디스플레이 패널의 형성시에 사용된 진공에 접해 있거나 또는 노출된 모든 물질은 이러한 진공에 대해 상용성이 있어야 한다.
본 발명의 섬유질 캐쏘드에 사용된 전장 방출기 또는 전장 방출 물질은 전장 방출 전자 공급원이다. 이러한 섬유 1종 이상으로 구성된 섬유질 캐쏘드의 형성시에 다양한 섬유 또는 섬유형 구조가 가능하다. "섬유"라 함은 하나의 치수가 실질적으로 다른 두 개의 치수에 비하여 더 긴 것을 의미한다. "섬유형"이라 함은 그 구조가 가동성이 없으며 그 자신의 중량을 지지할 수 없다 하더라도 섬유와 유사한 임의의 구조를 의미한다. 예를 들면, 통상적으로 직경이 10 ㎛ 미만인 임의의 "섬유형" 구조가 기판 상에 직접 만들어질 수 있다. 섬유는 제조 방법 (즉, 다이 또는 방적 돌기의 설계)에 의해서만 제한되는 임의적 형상의 섬유 단면을 가질 수 있다. 추가로, 방적 돌기의 형상의 변화가 섬유 자체 내부에 바람직한 내부 분자 미세구조를 형성할 수 있다. 섬유는 다수의 필라멘트 형태로 묶여질 수 있다.
이들 섬유는 전장 방출기 단독으로 제조되거나 또는 비전장 방출기 코어와 코어를 둘러싸는 전장 방출기의 얇은 층 또는 코팅과의 복합 섬유일 수 있다. 바람직하게는, 코어 물질은 전도성 또는 반전도성이다. 또다른 실시 양태에서, 섬유는 보다 복잡한 구조, 예를 들면 전도성 또는 반전도성 물질의 얇은 코팅에 의해 둘러싸인 비전도성 코어와 코팅을 둘러싸는 전장 방출 물질의 보다 복잡한 구조로 구성될 수 있다.
본 발명은 전장 방출 물질로서, 예를 들면 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소또는 유리질 탄소를 포함할 수 있다. 섬유질 캐쏘드는 비-다이아몬드 코어 섬유 상의 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소로 본질적으로 구성되는 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소의 복합 섬유로 구성될 수 있다. 코어 물질은 예를 들면, 흑연과 같은 전도성 탄소 또는 텅스텐, 구리, 티타늄 또는 몰리브덴과 같은 금속일 수 있으며, 또는 예를 들면 실리콘 또는 실리콘 카바이드와 같은 반도체일 수 있다. 또다른 실시 양태에서, 코어는 비전도성 폴리에스테르, 나일론 또는 케블라 (Kevlar) 섬유 (케블라는 델라웨어주 윌밍톤의 이. 아이. 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 (E. I. Du Pont de Nemours and Company, Wilmington, DE)의 등록 상표이다) 상에 코팅된 텅스텐과 같은 금속화된 절연체일 수 있다. 다른 실시 양태에서, 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소 전구체는 비-다이아몬드 코어상에 코팅될 수 있고, 계속하여 이 전구체를 적합하게 처리하여 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소를 형성한다.
바람직하게는, 다이아몬드-코팅된 흑연 또는 다이아몬드-코팅된 탄소와 같은 다이아몬드 섬유 및 섬유질 다이아몬드 복합물은 서브-미크론 크기의 다이아몬드 결정 구조를 포함한다. 즉 다이아몬드가 일반적으로 하나 이상의 결정 치수가 약 1 미크론 미만인 결정 크기를 갖는다. 서브-미크론 크기의 다이아몬드 결정 중에, 이러한 다이아몬드 결정은 적어도 약간 노출된 111-배향의 결정면, 약간 노출된 100-배향의 결정면, 또는 이들 모두를 약간 포함한다. 적합한 서브-미크론 크기를 갖는 또 다른 형태의 다이아몬드는 통상적으로 피라미드 구조와 반대되는 것으로서 미세한 돌결 무늬의 구형인 콜리플라우어-다이아몬드로서 언급된다.
또한, 적합한 단거리 크기, 즉 sp2및 sp3결합의 적합한 조합을 갖는 다이아몬드형 탄소를 포함하는 섬유가 전류 밀도가 높은 전장 방출 물질을 제공할 수 있다. 일반적으로, "단거리 크기"라 함은 임의의 치수 중의 약 10 나노미터 (㎚) 미만의 원자의 질서있는 배열을 의미한다. 또한, 다반루 (Davanloo) 등에 의해 기재된 바와 같이 [참고: J. Mater. Res., Vol. 5, No. 11, Nov. 1990], 레이저 절제를 통하여 비정형 다이아몬드로 코팅된 섬유, 즉 탄소 섬유를 사용하는 것이 가능할 수 있다.
또한, 전장 방출 물질로서, 약 1380 ㎝-1및 1598 ㎝-1에서 라만 (Raman) 피크를 나타내는 비정형 물질인 유리질 탄소로 구성된 섬유를 사용할 수 있다. 본 명세서에 사용된 "다이아몬드형 탄소"는 유리질 탄소 및 유리질 탄소를 미소량 포함하여 구성된 탄소뿐만 아니라 문헌에 다이아몬드형 탄소로서 언급된 물질을 분명히 나타내며, 이들 모두는 전장 방출 물질로서의 기능 면에서 다이아몬드와 유사하다.
일반적으로, 복합 섬유는 약 1 미크론 내지 약 100 미크론, 바람직하게는 약 3 미크론 내지 약 15 미크론 범위의 총 직경을 갖는다. 방출 물질층 또는 이러한 복합 섬유 중의 코팅은 일반적으로 약 50 Å (5 ㎚) 내지 약 50,000 Å (5 ㎛), 바람직하게는 약 1000 Å (0.1 ㎛) 내지 약 20,000 Å (2 ㎛), 보다 바람직하게는 약 1000 Å (0.1 ㎛) 내지 약 5,000 Å (0.5 ㎛)일 수 있다.
통상적으로 다이아몬드는 낮거나 음성의 전자 친화도를 나타내는 몇 가지 낮은 지수의 결정면을 갖는다. 예를 들면, 100-결정면 다이아몬드는 낮은 친화도를나타내는 반면 111-결정면 다이아몬드는 음성 전자 친화도를 나타낸다. 바람직하게는, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소는 보다 많은 전자를 제공하고 물질의 일 함수를 감소시키기 위하여, 예를 들어 질소 또는 인으로 n-형으로 도핑될 수 있다.
바람직하게는, 이러한 다이아몬드 또는 다이아몬드형 탄소층은 거친 톱니형의 모서리를 가지므로 다이아몬드 또는 다이아몬드형 탄소층 상에 일련의 스파이크 및 골이 존재한다. 다이아몬드 코팅 중에, 이러한 표면 형태는 다이아몬드 물질의 미세결정성 구조에 기인한다. 최상의 결과를 위하여, 소량의 흑연을 상기 다이아몬드 코팅 내부의 상기 다이아몬드 결정 사이의 적어도 일부분에 위치시키는 것이 바람직할 수 있다. 또한, 성장하는 결정 사이에서의 약간의 틀린 배열로 인하여, 화학 기상 증착 (CVD) 방법에 의한 다이아몬드의 성장이 종형으로 전개되는 것이 바람직할 수 있다. 또한, 이러한 틀린 배열이 다이아몬드 형태의 거친 톱니형 모서리의 발달을 촉진시킬 수 있다.
다이아몬드 복합 섬유를 제공하는 하나의 방법은 메탄, 에틸렌, 카본 모노옥사이드 등과 같은 소량의 탄소 함유 기체 및 다량의 수소를 포함하는 공급 가스 혼합물의 마이크로파 여기, 라디오파 여기 또는 열 필라멘트 여기를 사용하여 플라즈마 CVD 방법에 의해 섬유형 기판을 다이아몬드로 코팅하는 것이다. 흑연이 다이아몬드 복합물 코어의 코어일 때, 다이아몬드 CVD 코팅 방법을 약간 변형시키는데, 이것은 플라즈마 중의 수소 원자에 의해 흑연 기판이 에칭됨으로 인하여 흑연이 CVD 방법에 의해서 다이아몬드로 코팅시키기 어려운 물질이라고 공지되어 있기 때문이다. 따라서, 다이아몬드가 흑연 섬유 표면상에 핵을 형성하는 부위의 밀도를 증가시키기 위하여, 흑연 섬유를 전처리하는 것이 바람직하다. 흑연 섬유는 액체 매질, 바람직하게는 메탄올과 같은 유기 용매 매질 중에서 다이아몬드 분말 또는 그릿으로 교반하여, 표면을 융삭하고 다이아몬드 분말 입자를 흑연 내에 매립할 수 있다.
마루 및 골로 이루어진 일련의 제1 및 제2 평행렬을 포함하는, 본 발명의 실시 양태에서 사용되는 기판(10)이 도 1(a)에 나타나 있다. 마루(11) 및 골(12)로 이루어진 일련의 제1 평행렬은 섬유질 캐쏘드 (본질적으로 전장 방출 물질로 구성된 1종 이상의 섬유로 구성된다)가 정렬되는 골을 제공한다. 제1 평행렬과 수직인 마루(13) 및 골(14)로 이루어진 일련의 제2 평행렬이 나타나 있으며, 이것이 보다 바람직한 배열이다. 마루와 골 사이에 수직의 벽을 갖는 마루 및 골로 이루어진 두 평행렬이 나타나 있지만 경사지거나 굽은 단면이 사용될 수 있다. 일정 간격으로 떨어져 있는, 즉 두 개의 이웃하는 마루의 중심간의 거리 또는 두 개의 이웃하는 골의 중심간의 거리가 각각의 평행렬 내에서는 동일한 마루 및 골로 이루어진 평행렬이 나타나 있다. 이와는 달리, 몇몇 인광 물질이 사용될 때 (즉, 컬러 디스플레이를 제공하기 위하여 세 가지 인광 물질이 사용될 수 있다), 제1 평행렬의 크기는 상이한 인광 물질의 효율성의 차이를 보상하도록 변화될 수 있다. 이러한 경우, 각각의 트라이어드 (triad), 즉 세 쌍의 마루 및 골의 세트 각각은 일정한 간격을 유지하게 될 것이다.
도 1(a)에 도시된 바와 같이, 제2 평행렬의 골은 전형적으로 제1 평행렬의골에 비하여 좁고 얕다. 일반적으로, 제1 평행렬의 골은 깊이가 약 25 ㎛ 내지 약 250 ㎛, 바람직하게는 약 100 ㎛ 내지 약 150 ㎛ 이고, 폭이 약 10 ㎛ 내지 약 350 ㎛, 바람직하게는 약 150 ㎛ 내지 약 250 ㎛ 이며, 제1 평행렬의 마루는 폭이 약 25 ㎛ 내지 약 250 ㎛, 바람직하게는 약 50 ㎛ 내지 약 150 ㎛ 이다. 일반적으로, 제2 평행렬의 골은 깊이가 약 10 ㎛ 내지 150 ㎛, 바람직하게는 약 20 ㎛ 내지 약 50 ㎛ 이고, 폭이 약 50 ㎛ 내지 약 125 ㎛ 이며, 제2 평행렬의 마루는 폭이 약 600 ㎛ 내지 약 700 ㎛ 이다. 기판은 소다 석회 유리, 파이렉스 및 유리 세라믹과 같은 절연체로 만들어질 수 있다.
상술한 치수들이 고밀도 텔레비젼을 완성하는데 전형적이라 하더라도, 당업자들은 더 작거나 더 큰 화소 크기를 갖는 기타 유형의 디스플레이 패널에 대하여 또는 상이한 형상에 대하여 상기 치수들이 변할 것임을 이해할 것이다.
이러한 기판 물질 상에 마루 및 골로 이루어진 일련의 이러한 제1 및 제2 평행렬을 형성하는 통상적인 방법으로는, 에칭(etching), 세라믹 그린 테이프 (GREEN TAPE) (등록 상표; 델라웨어주 윌밍톤의 이. 아이. 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니로부터 시판된다)의 사용, 샌드 블래스팅 (sandblasting), 후막 순차적 적층, 레이저 절제 및 단조 (forging)를 들 수 있으며, 기타의 방법이 본 발명으로부터 배제되지 않고 가능하다.
제2 평행렬의 골은 섬유질 캐쏘드를 현수시키는 수단을 제공한다. 섬유질 캐쏘드는 이들 골의 깊이가 제1 평행렬의 깊이에 비하여 얕을 때 제1 평행렬의 각각의 골의 길이를 따라 배치되며, 제2 평행렬의 골의 표면에 의해 현수될 수 있다.바람직하게는, 현수 요소가 섬유질 캐쏘드를 지지하도록 제2 평행렬의 각각의 골의 길이를 따라 배치된다. 현수 요소는 연속적인 구조, 예를 들어 비방출성 섬유가 각각의 골의 길이를 따라 정렬되며 그 상부에 방출성 섬유질 캐쏘드가 위치되는 연속적인 구조일 수 있다. 또한 각각의 골의 길이를 따라 연장된 필름을 사용할 수 있다. 현수 요소로서 각각의 골의 길이를 따라 정렬된 비방출성 섬유를 사용하는 실시 양태가 도 1(a)의 기판에 대한 두 개의 정사도인 도 1(b) 및 도 1(c)에 나타나 있다. 섬유질 캐쏘드가 기판 상에 위치되기 전에, 전압을 인가하고 방출에 필요한 전기장을 생성하는 수단을 제공하기 위하여 기판을 전기 전도성 물질로 코팅하는 것이 바람직하다. 이러한 전기 전도성 물질(15)는 도 1(b) 및 1(c)에 나타나 있다. 전기 전도성 물질은 제2 평행렬의 골 및 골의 측면을 제외하고 기판을 코팅하여, 전기 전도성 물질로된 연속적인 스트립의 평행한 배열로 코팅된 기판을 제공한다. 이러한 평행한 배열의 스트립은 각기 게이트 전극으로 작용한다. 제2 평행렬의 각각의 골을 관통하는 비방출성 섬유(17) 위에 놓여있는 섬유질 캐쏘드(16)이 나타나 있다. 또한, 상기 섬유질 캐쏘드의 상부에 제2 평행렬의 각각의 골을 따라 정렬되어 상기 섬유질 캐쏘드를 적소에 고정시키는 제2의 비방출성 섬유(18)가 나타나 있다. 또한, 비방출성 섬유 이외의 수단에 의하여 현수될 때, 상기 섬유질 캐쏘드의 상부에 제2 평행렬의 각각의 골을 따라 배열되어 상기 섬유질 캐쏘드를 적소에 고정시키는 비방출성 섬유를 사용할 수 있다.
별법으로, 현수 요소는 제1 평행렬의 골과의 교차점 각각에서 제2 평행렬의 각각의 골의 상부에 일련의 받침대 또는 필름으로 구성된 비연속성 구조일 수 있다. 제2 평행렬의 골이 제1 평행렬의 골에 비하여 동일한 깊이일 때 또는 더 깊을 때, 현수 요소를 사용하는 것이 필요하다.
전자의 방출을 더 잘 조절하기 위하여, 하나 이상의 추가의 게이트 전극이 더 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 양태에서, 디스플레이 패널은 골 및 본질적으로 편평한 마루로 이루어진 일련의 평행렬을 갖는 기판상의 규칙적인 파상 표면을 갖는다. 본 실시 양태에서, 섬유질 캐쏘드는 본질적으로 편평한 마루 상에 지지되며 기판의 골 상부에 현수되어 있는, 본질적으로 규칙적으로 이격된 섬유의 평행한 배열로 구성된다. 예를 들면, 파상형 표면은 본질적으로 편평한 마루가 기판의 약하게 에칭된 부분에 상응하고 골이 기판의 보다 많이 에칭된 부분에 상응하도록 평활한 기판을 에칭함으로써 형성될 수 있다. 또한, 레이저 절제를 포함하는, 상술한 제1 실시 양태에 제공된 방법에 의해 이러한 유형의 구조를 갖는 기판을 형성할 수 있다. 바람직하게는, 섬유질 캐쏘드의 섬유는 골 및 본질적으로 편평한 마루로 이루어진 평행렬과 본질적으로 수직이다. 또한, 기판이 골 및 본질적으로 편평한 마루로 이루어진 일련의 평행렬의 골 및 골의 측면에서 전도성 물질로된 연속적인 스트립으로 코팅되는 것 (즉, 기판이 각각의 골의 열을 지나지만 본질적으로 편평한 마루는 지나지 않게 전기 전도성 물질로된 연속적인 스트립으로 코팅되는 것)이 바람직하다. 따라서, 본 발명은 전기 전도성 물질로된 연속적인 스트립의 평행한 배열로 각각의 골의 열을 따라 하나의 스트립으로 코팅된 기판을 제공한다. 이러한 평행한 배열은 섬유질 캐쏘드의 섬유가 지나가는 골을 가로지르는 다수의 게이트 전극 (즉, 상기스트립은 각기 게이트 전극으로 작용한다)을 제공한다.
전자 방출을 더 잘 조절할 수 있는 본 실시 양태의 변형은, 골과 본질적으로 편평한 마루가 열을 지어서 형성되지만 이러한 열이 연속적이지 않은 것이다 (즉, 일련의 골 및 본질적으로 편평한 마루를 갖는 파상형의 표면을 따라서 기판의 한 영역이 있고, 이러한 영역의 일면에 본질적으로 편평한 표면을 갖는 영역이 있으며, 이러한 편평한 영역의 다른 면에 일련의 골 및 본질적으로 편평한 마루를 가지는 파상형의 표면을 따라서 다른 영역이 존재하는 것이다). 그러므로, 이러한 변형된 실시 양태에 따라, 골 및 본질적으로 편평한 마루로 이루어진 평행렬이 여전히 존재하지만, 이들은 연속적인 열이 아니라, (1) 각각의 열을 따라 일정 간격을 두고 위치하는 골의 열 및 (2) 각각의 열을 따라 일정한 간격을 두고 위치하는 본질적으로 편평한 마루의 열이다. 이러한 실시 양태가 도 2에 나타나 있다. 도 2(a)는 기판의 표면상에 가능한 에칭 패턴을 나타낸다. 이러한 패턴은 골 및 본질적으로 편평한 마루를 형성하는데 사용될 수 있다. 도 2(b)는 에칭될 수 있는 기판의 영역을 나타내며, 도 2(c)는 도 2(b)의 선 21-22에 따른 심도 곡선을 나타낸다. 섬유질 캐쏘드의 섬유는 도 2(b) 및 2(c)의 선 21-22와 같은 선을 따라 정렬된다.
본 발명의 실시 양태에서, 섬유질 캐쏘드를 구성하는 각각의 섬유의 축은 필수적으로 캐쏘드의 면에 놓여진다는 것을 알아야 한다. 따라서, 이들 섬유로부터의 전자 방출은 사용되는 섬유의 길이를 따라 발생하며 섬유의 첨단 또는 말단으로부터 발생하지 않는다.
상술한 바와 같이, 기판은 소다 석회 유리, 파이렉스 (보로실리케이트 유리)및 유리 세라믹과 같은 절연체로 만들어질 수 있다. 골 및 본질적으로 편평한 마루는 공지된 에칭 기술에 의해 형성될 수 있다. 한가지 예로서, 유리 기판을 세제 (피셔 사이언티픽 (Fisher Scientific)사로부터 시판되는 스파클린 (Sparkleen; 등록 상표))를 사용하여 정제하고 탈이온수를 사용하여 세정하였다. 물을 이소프로필 알콜 증기 건조기 내에서 제거하였다. 에칭되고 패턴화된 유리면을 전자 빔 코터 (coater)를 사용하여 50 ㎚의 크롬 층으로 코팅한 후 200 ㎚의 금 층으로 코팅하였다. 양성 포토레지스트 (훽스트 세라니즈 (Hoechst Celanese)사로부터 시판되는 이피에이 914이2-30 (EPA 914E2-30))를 금 표면상에 스핀시키고 100 ℃에서 30 분 동안 베이킹하였다. 코라이트 (Colight) 진공 밀착 인화기를 사용하여 포토레지스트를 노광시키고 울트라맥 엠에프 96 (Ultramac MF 96) 현상액을 사용하여 이미지를 현상하였다. 노광된 금 이미지를 요오드/요오드화 칼륨 (I2/KI) 용액 내에서 에칭하고, 후속하여 이러한 에칭에 의하여 노출된 크롬을 케이티아이 크롬 에치 (KTI Chrome Etch)에서 식각하였다. 노출된 유리를 플루오르화 수소 (HF) 용액 중에서 에칭하여 유리 내에 적당한 에치 깊이를 얻었다.
본 발명의 특정한 실시 양태가 상술한 발명의 상세한 설명에서 서술되었지만, 본 발명은 본 발명의 사상 또는 본질적인 특성으로부터 벗어남이 없이 다양한 수정, 대용 및 각색이 가능하다는 것을 당업자들은 이해할 것이다. 본 발명의 범위를 한정하는 것으로서, 상술한 명세서보다는 오히려 첨부된 청구의 범위를 참고하여야 한다.

Claims (24)

  1. 전장 방출 물질로 구성된 1종 이상의 섬유로 형성되는 섬유질 캐쏘드, 애노드로서 작용하며 상기 섬유질 캐쏘드로부터 이격되어 있는 전기 전도성 필름, 및 상기 섬유 전장 방출 물질에 의해 방출된 전자에 의하여 폭발할 때 빛을 방사할 수 있고 상기 애노드에 인접하여 위치되는 인광 물질층을 포함하며, 상기 섬유질 캐쏘드는 기판에 의해 지지되며, 전자 방출이 일어나는 접지된 상기 섬유질 캐쏘드의 부분들은 현수되어 기판에 직접 물리적으로 접촉되어 있지 않으며,
    a. 마루 및 골로 이루어진 일련의 제1 평행렬 및 마루 및 골로 이루어진 일련의 제2 평행렬을 갖는, 상기 기판상의 규칙적인 파상형의 표면 (상기 제1 평행렬의 마루 및 골의 열은 상기 제2 평행렬의 마루 및 골의 열과 평행하지 않다);
    b. 마루 및 골로 이루어진 일련의 상기 제1 평행렬의 각각의 골의 길이를 따라 정렬된 전장 방출 물질로 구성된 1종 이상의 섬유로 본질적으로 구성된 상기 섬유질 캐쏘드; 및
    c. 섬유질 캐쏘드를 현수시키는 수단
    을 더 포함하는 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서, 섬유질 캐쏘드를 현수시키는 수단이 마루 및 골로 이루어진 일련의 제2 평행렬의 골의 표면이며, 제2 평행렬의 골은 제1 평행렬의 골 만큼 깊지 않은 디스플레이 패널.
  3. 제1항에 있어서, 섬유질 캐쏘드를 현수시키는 수단이 마루 및 골로 이루어진 일련의 제2 평행렬의 각각의 골의 길이를 따라 배치되고, 상기 섬유질 캐쏘드를 지지하는 현수 요소인 디스플레이 패널.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판이 마루 및 골로 이루어진 일련의 제2 평행렬의 골 및 이 골의 측면을 제외하고 전기 전도성 물질로 코팅됨으로써, 각각이 게이트 전극으로서 작용하는 전기 전도성 물질로 된 연속적인 스트립의 평행한 배열로 코팅된 기판을 제공하는 디스플레이 패널.
  5. 제4항에 있어서, 상기 섬유질 캐쏘드가 비-다이아몬드 코어 상의 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소로 본질적으로 구성되는, 1종 이상의 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소의 복합 섬유로 구성되는 디스플레이 패널.
  6. 제3항에 있어서, 상기 현수 요소가 마루 및 골로 이루어진 일련의 상기 제2 평행렬의 각각의 골의 길이를 따라 정렬된 비방출성 섬유로 구성되는 디스플레이 패널.
  7. 제6항에 있어서, 상기 섬유질 캐쏘드의 상부에 제2의 비방출성 섬유가 마루및 골로 이루어진 일련의 상기 제2 평행렬의 각각의 골의 길이를 따라 정렬됨으로써 상기 섬유질 캐쏘드를 적소에 고정시키는 디스플레이 패널.
  8. 제7항에 있어서, 하나 이상의 추가의 게이트 전극을 더 포함하는 디스플레이 패널.
  9. 제7항에 있어서, 마루 및 골로 이루어진 일련의 상기 제1 평행렬이 마루 및 골로 이루어진 일련의 상기 제2 평행렬과 수직인 디스플레이 패널.
  10. 제9항에 있어서, 하나 이상의 추가의 게이트 전극을 더 포함하는 디스플레이 패널.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제1 평행렬의 골은 깊이가 약 25 ㎛ 내지 약 250 ㎛이고 폭이 약 10 ㎛ 내지 약 350 ㎛이며, 상기 제1 평행렬의 마루는 폭이 약 25 ㎛ 내지 약 250 ㎛이고, 상기 제2 평행렬의 골은 깊이가 약 10 ㎛ 내지 약 150 ㎛이고 폭이 약 50 ㎛ 내지 약 125 ㎛이며, 상기 제2 평행렬의 마루는 폭이 약 600 ㎛ 내지 약 700 ㎛인 디스플레이 패널.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 평행렬의 골은 깊이가 약 100 ㎛ 내지 약 150 ㎛이고 폭이 약 150 ㎛ 내지 약 250 ㎛이며, 상기 제1 평행렬의 마루는 폭이 약 50㎛ 내지 약 150 ㎛이고, 상기 제2 평행렬의 골은 깊이가 약 20 ㎛ 내지 약 50 ㎛인 디스플레이 패널.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 게이트 전극을 더 포함하며, 마루 및 골로 이루어진 일련의 상기 제1 평행렬이 마루 및 골로 이루어진 일련의 상기 제2 평행렬과 수직인 디스플레이 패널.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 평행렬의 골은 깊이가 약 25 ㎛ 내지 약 250 ㎛이고 폭이 약 10 ㎛ 내지 약 350 ㎛이며, 상기 제1 평행렬의 마루는 폭이 약 25 ㎛ 내지 약 250 ㎛이고, 상기 제2 평행렬의 골은 깊이가 약 10 ㎛ 내지 약 150 ㎛이고 폭이 약 50 ㎛ 내지 약 125 ㎛ 이며, 상기 제2 평행렬의 마루는 폭이 약 600 ㎛ 내지 약 700 ㎛인 디스플레이 패널.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 평행렬의 골은 깊이가 약 100 ㎛ 내지 약 150 ㎛이고 폭이 약 150 ㎛ 내지 약 250 ㎛이며, 상기 제1 평행렬의 마루는 폭이 약 50 ㎛ 내지 약 150 ㎛이고, 상기 제2 평행렬의 골은 깊이가 약 20 ㎛ 내지 약 50 ㎛인 디스플레이 패널.
  16. 제15항에 있어서, 상기 섬유질 캐쏘드가 비-다이아몬드 코어 상의 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소로 본질적으로 구성되는, 1종 이상의 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소의 복합 섬유로 구성되는 디스플레이 패널.
  17. 전장 방출 물질로 구성된 1종 이상의 섬유로 형성되는 섬유질 캐쏘드, 애노드로서 작용하며 섬유질 캐쏘드로부터 이격되어 있는 전기 전도성 필름, 및 섬유 전장 방출 물질에 의해 방출된 전자에 의하여 폭발할 때 빛을 방사할 수 있고 애노드에 인접하여 위치되는 인광 물질층을 포함하며, 섬유질 캐쏘드는 기판에 의해 지지되며, 전자 방출이 일어나는 접지된 상기 섬유질 캐쏘드의 부분들은 현수되어 기판에 직접 물리적으로 접촉되어 있지 않으며,
    a. 골 및 본질적으로 편평한 마루의 평행렬로 구성되는 상기 기판상의 규칙적인 파상형의 표면; 및
    b. 상기 기판의 상기 본질적으로 편평한 마루 상에 지지되며 상기 기판의 상기 골 상부에 현수되어 있는, 본질적으로 규칙적으로 이격된 섬유의 평행한 배열로 구성된 상기 섬유질 캐쏘드를 더 포함하는 디스플레이 패널.
  18. 제17항에 있어서, 상기 기판이 골 및 본질적으로 편평한 마루로 이루어진 일련의 상기 평행렬의 골 및 이 골의 측면에서 전기 전도성 물질로 코팅됨으로써, 각각이 게이트 전극으로서 작용하는 전기 전도성 물질로 된 연속적인 스트립의 평행한 배열로 각각의 골의 열을 따라 하나의 스트립으로 코팅된 기판을 제공하는 디스플레이 패널.
  19. 제18항에 있어서, 상기 섬유질 캐쏘드가 비-다이아몬드 코어 상의 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소로 본질적으로 구성되는, 1종 이상의 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소의 복합 섬유로 구성되는 디스플레이 패널.
  20. 제19항에 있어서, 상기 파상형 표면은 평활한 기판을 에칭함으로써 형성되며, 상기 본질적으로 편평한 마루는 상기 기판의 약하게 에칭된 부분에 상응하고 상기 골은 상기 기판의 보다 많이 에칭된 부분에 상응하는 디스플레이 패널.
  21. 제17항에 있어서, 상기 섬유질 캐쏘드가 비-다이아몬드 코어 상의 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소로 본질적으로 구성되는, 1종 이상의 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소 또는 유리질 탄소의 복합 섬유로 구성되는 디스플레이 패널.
  22. 제17항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 섬유질 캐쏘드의 상기 섬유가 골 및 본질적으로 편평한 마루로 이루어진 상기 평행렬과 본질적으로 수직인 디스플레이 패널.
  23. 제17항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 추가의 게이트 전극을 더 포함하는 디스플레이 패널.
  24. 제23항에 있어서, 상기 섬유질 캐쏘드의 상기 섬유가 골 및 본질적으로 편평한 마루로 이루어진 상기 평행렬과 본질적으로 수직인 디스플레이 패널.
KR10-1998-0701066A 1995-08-14 1996-08-06 섬유질전장방출기를사용한디스플레이패널 KR100397714B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US227895P 1995-08-14 1995-08-14
US60/002,278 1995-08-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100397714B1 true KR100397714B1 (ko) 2003-10-17

Family

ID=21700041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0701066A KR100397714B1 (ko) 1995-08-14 1996-08-06 섬유질전장방출기를사용한디스플레이패널

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6097140A (ko)
EP (1) EP0845150B1 (ko)
JP (1) JPH11510949A (ko)
KR (1) KR100397714B1 (ko)
CN (1) CN1199500A (ko)
AU (1) AU6719396A (ko)
CA (1) CA2227510A1 (ko)
DE (1) DE69608284T2 (ko)
TW (1) TW333635B (ko)
WO (1) WO1997007524A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0932909B1 (en) * 1996-10-17 2004-09-22 E.I. Du Pont De Nemours And Company Connection method for fiber field emitters and field emitter cathodes made therefrom
EP0970499A1 (en) * 1997-03-25 2000-01-12 E.I. Du Pont De Nemours And Company Field emitter cathode backplate structures for display panels
JP2002509339A (ja) 1997-12-15 2002-03-26 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 被覆ワイヤーのイオン衝撃された黒鉛電子エミッタ
JP3877024B2 (ja) * 1998-04-13 2007-02-07 株式会社日立プラズマパテントライセンシング プラズマディスプレイパネルの蛍光体層形成方法と装置並びにそれらに用いるフィラメント状成形体とその成形体の製造方法
US6717254B2 (en) 2001-02-22 2004-04-06 Tru-Si Technologies, Inc. Devices having substrates with opening passing through the substrates and conductors in the openings, and methods of manufacture
US6787916B2 (en) 2001-09-13 2004-09-07 Tru-Si Technologies, Inc. Structures having a substrate with a cavity and having an integrated circuit bonded to a contact pad located in the cavity
CN100446166C (zh) * 2005-05-24 2008-12-24 中原工学院 带有平栅结构的场致发射显示器及其制作工艺
JP2009266405A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1394055A (en) * 1971-07-09 1975-05-14 Nat Res Dev Electron emitters
US4341980A (en) * 1979-09-05 1982-07-27 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Flat display device
JPS581956A (ja) * 1981-06-29 1983-01-07 Toshiba Corp 電子線加速型平板状ディスプレイ装置
US4857799A (en) * 1986-07-30 1989-08-15 Sri International Matrix-addressed flat panel display
US5015912A (en) * 1986-07-30 1991-05-14 Sri International Matrix-addressed flat panel display
DE68911846T2 (de) * 1988-10-26 1994-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Video-Bildschirm.
US5449970A (en) * 1992-03-16 1995-09-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Diode structure flat panel display
KR100284830B1 (ko) * 1992-12-23 2001-04-02 씨.알. 클라인 쥬니어 평면의 필드 방사 음극을 사용하는 3극 진공관 구조 평판 디스플레이
US5578901A (en) * 1994-02-14 1996-11-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Diamond fiber field emitters

Also Published As

Publication number Publication date
AU6719396A (en) 1997-03-12
EP0845150B1 (en) 2000-05-10
CA2227510A1 (en) 1997-02-27
DE69608284T2 (de) 2000-12-21
TW333635B (en) 1998-06-11
DE69608284D1 (de) 2000-06-15
EP0845150A1 (en) 1998-06-03
US6097140A (en) 2000-08-01
CN1199500A (zh) 1998-11-18
WO1997007524A1 (en) 1997-02-27
JPH11510949A (ja) 1999-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0745265B1 (en) Diamond or diamond-like or glassy carbon fiber field emitter
RU2141698C1 (ru) Способ изготовления систем дисплея с плоским экраном и компонентов
KR100362377B1 (ko) 탄소 나노 튜브를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조 방법
KR100405886B1 (ko) 전계전자방출물질과그제조방법및그물질을이용한소자
WO1995022168A1 (en) Diamond-graphite field emitters
KR20010056153A (ko) 카본나노 튜브막을 갖는 전계방출형 디스플레이 소자 및그의 제조방법
KR100397714B1 (ko) 섬유질전장방출기를사용한디스플레이패널
US6646282B1 (en) Field emission display device
US6825607B2 (en) Field emission display device
US6838814B2 (en) Field emission display device
US5556530A (en) Flat panel display having improved electrode array
CA2234429A1 (en) Annealed carbon soot field emitters and field emitter cathodes made therefrom
KR100471334B1 (ko) 섬유질 전계 방출기의 접속 방법 및 이에 의해 제조된 전계 방출 캐소드
JP3474142B2 (ja) 電界放出型電子源アレイの製造方法、電界放出型電子源アレイ、及びその製造装置
JP2006244857A (ja) 冷陰極電子源およびその製造方法
KR19990032745A (ko) 다이아몬드막 필드 에미터를 이용한 표시 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070823

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee