KR100397598B1 - Method of forming multiple thin films using electron beam - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전자빔에 의한 다중 박막 형성 방법에 관한 것으로, 상세하게는 파장에 따른 빛의 반사율, 투과율, 편광상태 등의 광학적 특성을 주어진 목적에 맞게 변화시키는 방법으로 널리 사용되고 있는 광학 박막(optical thin film)의 두께를 적절하게 조절하여 형성할 수 있는 전자빔에 의한 다중 박막 형성 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a multi-layered thin film by an electron beam, and more particularly, an optical thin film widely used as a method of changing optical characteristics such as reflectance, transmittance, and polarization state of light according to a wavelength according to a given purpose. The present invention relates to a method for forming a multi-film by an electron beam, which can be formed by appropriately adjusting the thickness of the layer.
일반적으로 광학 박막으로는 광학 부품에서 반사율을 줄이기 위해 사용되는 비반사 코팅막, 장(단)파장을 투과시키고 단(장) 파장영역은 반사시키는 장(단)파장 투과필터, 특정 파장만을 투과시키는 간섭필터, 금속 박막의 보호 코팅막 및 반사율을 증가 코팅막, 편광된 빛을 편광방향에 따라 분리시키는 편광 분리기, 레이저 공진기의 고반사 거울 코팅막 등이 있다.In general, an optical thin film is a non-reflective coating film used to reduce reflectance in optical components, a long wavelength transmission filter that transmits a short wavelength and a short wavelength region, and an interference that transmits only a specific wavelength. A filter, a protective coating film of a metal thin film and a coating film of increasing reflectance, a polarization separator for separating polarized light according to a polarization direction, a high reflection mirror coating film of a laser resonator, and the like.
이러한 광학 박막은, 제1도에 도시된 바와 같이, 진공 챔버(100)에서 증착하고자하는 물질(타켓: 15)을 열저항 또는 전자빔(10)으로 가열하여 증발된 입자(11)가 진공중을 날아가게 해서 기판(13)에 비평형 상태로 응집되게 하여 막이 형성되도록 하는 방법으로 제조된다. 여기서, 전원 제어부(200)는 전체 장비에 전원을 공급하고 챔버 내의 온도를 조절하며, 기판 홀더(12)의 회전 등을 조절한다. 진공 제어부(300)는 박막 형성을 위하여 진공 챔버(100) 내를 확산 펌프 혹은 로터리 펌프 등으로 고진공 분위기로 만든다. 전자빔 제어부(400)는 전자총(14)의 출력을 조절하여 증착 물질인 타켓(15)에 적당한 에너지의 전자빔이 조사되도록 한다. 모노크로미터 제어부(500)는 형성되는 박막의 광학적 두께를 정확하게 제어하기 위하여박막의 두께를 모니터한다.In the optical thin film, as shown in FIG. 1, the material (target 15) to be deposited in the vacuum chamber 100 is heated by heat resistance or the electron beam 10 so that the vaporized particles 11 can be vacuumed. It is produced by the method of making a film | membrane by making it fly and making it coagulate | flour in a non-equilibrium state to the board | substrate 13. Here, the power control unit 200 supplies power to the entire equipment, adjusts the temperature in the chamber, and adjusts the rotation of the substrate holder 12 and the like. The vacuum controller 300 makes a high vacuum atmosphere in the vacuum chamber 100 by using a diffusion pump or a rotary pump to form a thin film. The electron beam controller 400 adjusts the output of the electron gun 14 so that the electron beam of suitable energy is irradiated to the target 15, which is a deposition material. The monochromator controller 500 monitors the thickness of the thin film in order to accurately control the optical thickness of the formed thin film.
또한, 상기와 같은 방법으로 광학 박막을 제조함에 있어서, 제조되는 박막의 두께는 모노크로미터 제어부(500)로 정확하게 측정하여 원하는 두께의 다중 박막을 형성하게 된다. 즉, 셔터(19)로 증착빔(11)을 차단한 후 모노크로미터 광원(16)으로 기판(13)에 형성되는 박막에 빛(18)을 조사하여 반사되는 반사광을 모노크로미터 광검출기(17)로 검출하여 그 광학적 두께를 측정한다. 두께 측정시, 광학 박막에서 이론적 최대의 반사율과 투과율은 위상차가 π/2일 때 이므로, 광학 박막의 두께가 4분의 1파장일 때 최대값을 얻는다. 그러므로 고반사 다중 박막의 코팅시에는 굴절률이 큰 물질과 작은 물질을 4분의 1파장의 두께로 반복해서 코팅을 하게 된다.In addition, in manufacturing the optical thin film as described above, the thickness of the thin film is accurately measured by the monochromator controller 500 to form a multi-layer of the desired thickness. That is, after the deposition beam 11 is blocked by the shutter 19, the reflected light reflected by the light 18 is irradiated onto the thin film formed on the substrate 13 by the monochromator light source 16 to reflect the reflected light. 17) and the optical thickness thereof is measured. In the thickness measurement, the theoretical maximum reflectance and transmittance in the optical thin film are obtained when the phase difference is π / 2, and thus the maximum value is obtained when the optical thin film is 1/4 wavelength. Therefore, when coating a highly reflective multiple thin film, the material having a large refractive index and the small material are repeatedly coated at a thickness of a quarter wavelength.
그런데 고반사의 특성이 요구되는 거울용의 광학 다중 박막을 전자빔을 이용하여 형성할 경우 다중 박막 각각의 두께가 일정하게 유지되어야 좋은 특성을 얻을 수 있다. 그래서 형성되는 각 박막의 두께는 모니터용 칩으로 관찰하게 된다. 즉, 다증 박막의 두께는 각 층마다 모노크로미터(monochromator)의 광원으로부터 광 신호를 반사식의 모니터용 칩에 입사시킨 다음, 두께의 변화에 따라 일정한 주기를 가지고 변화되는 반사광의 신호를 광검출기(detector)에서 검출하여 모니터하게 된다. 따라서, 광학 박막의 두께는 모노크로미터의 기준 파장에 따라 다르게 되므로, 기준 파장의 선택이 두께와 밀접한 관계가 있다. 실제로 광학 박막의 두께는 재료의 굴절률(n)과 모노크로미터의 기준 파장(d)의 곱으로 나타난다. 그래서 만약 532nm에서 특정한 반사율을 얻고자 할 경우 모노크로미터의 기준 파장을 532nm에놓고 다중 박막의 코팅을 실시하게 된다. 그런데 모노크로미터의 파장 영역을 벗어나는 파장 영역의 광(光)들에서 원하는 특성을 갖는 다중 박막을 형성할 경우 정확한 두께 조절이 어려워 양질의 다중 박막을 기대하기 어렵다. 일례로서, 모노크로미터의 파장 영역이 가시광 영역인 경우, 이 영역을 벗어나는 적외선 영역의 특성을 요하는 박막의 두께는 모니터할 수 없거나 정확한 값을 모니터하기 어려우므로, 모노크로미터의 파장 영역을 벗어나는 적외선 영역의 특성을 갖는 박막은 형성하기가 어렵다.However, when the optical multiple thin film for mirrors requiring high reflection characteristics is formed by using an electron beam, the thickness of each of the multiple thin films may be kept constant to obtain good characteristics. Thus, the thickness of each thin film to be formed is observed by a monitor chip. That is, the thickness of the multi-layer thin film is a photodetector for each layer, the incident light signal from the light source of the monochromator (monochromator) to the reflective monitor chip, and then the signal of the reflected light that is changed at regular intervals according to the change in thickness It will be detected and monitored by the detector. Therefore, since the thickness of the optical thin film varies depending on the reference wavelength of the monochromator, the selection of the reference wavelength is closely related to the thickness. In fact, the thickness of the optical thin film is expressed as the product of the refractive index of the material (n) and the reference wavelength (d) of the monochromator. Therefore, if you want to get a specific reflectance at 532nm, the multi-layer coating is performed with the reference wavelength of monochromator at 532nm. However, when forming multiple thin films having desired characteristics in the light of the wavelength region beyond the wavelength range of the monochromator, it is difficult to precisely control the thickness, so it is difficult to expect a high quality multiple thin film. As an example, when the wavelength region of the monochromator is in the visible region, the thickness of the thin film that requires the characteristics of the infrared region outside of this region cannot be monitored or it is difficult to monitor an accurate value. Thin films having characteristics in the infrared region are difficult to form.
또한, 전자 빔에 의한 코팅시, 원하는 파장에서 반사율과 투과율을 얻기 위하여, 모노크로미터의 하나의 기준 파장에서 λ/4 광학적 두께로 코팅하여, 얻고자하는 다층 박막의 층 수 만큼 모니터용 칩을 바꾸어 가면서 실시한다. 모노크로미터를 사용하여 서로 다른 코팅 물질을 사용하는 고반사 다중 박막 형성시에는 모노크로미터의 기준 파장에 의해 형성된 다중 박막들은 형성 재료에 따라 광학적 두께에 오차가 있으므로, 1/4 파장 피크에서 정확히 박막 형성을 중지하여도 형성된 박막들 각각의 두께가 서로 다르게 된다. 즉, 제2도에 도시된 바와 같이, 박막 형성이 안된 기판의 굴절률을 기준으로하여 굴절률이 큰 ZrO2박막과 굴절률이 작은 SiO2박막의 모노크로미터의 기준 파장에 대한 반사율은 상기 기판의 반사율을 기준으로 기준 파장의 1/4 에서 각각 상하로 피크값을 가지지만, 이러한 피크값에는 약간의 오차가 있을 수 있으므로, 동일한 반사율 오차(ΔR)에 대한 광학적 두께는 ZrO2박막의 경우 Δnd(H)이고 SiO2박막의 경우 Δnd(L)이어서 서로 같지 않다. 따라서, 다중 박막 형성시 작은 피크들이 나타나서 좋은 결과를 기대하기 어렵다.In addition, in order to obtain reflectance and transmittance at a desired wavelength when coating by an electron beam, the coating chip for the monitor as many as the number of layers of the multilayer thin film to be obtained by coating with a λ / 4 optical thickness at one reference wavelength of the monochromator Carry out while changing. In the case of forming highly reflective multiple thin films using different coating materials using a monochromator, the multiple thin films formed by the reference wavelength of the monochromator have an error in optical thickness depending on the material of formation, so Even when the thin film formation is stopped, the thicknesses of the formed thin films are different from each other. That is, as shown in FIG. 2 , the reflectance with respect to the reference wavelength of the monochromator of the ZrO 2 thin film having a large refractive index and the SiO 2 thin film having a small refractive index is based on the refractive index of the substrate on which the thin film is not formed. Although each peak has a peak value up and down at a quarter of the reference wavelength, there may be a slight error in the peak value, so the optical thickness for the same reflectance error (ΔR) is Δnd (H for ZrO 2 thin films). ) And Δnd (L) in the case of SiO 2 thin films, which are not equal to each other. Therefore, it is difficult to expect good results because small peaks appear when forming multiple thin films.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안된 것으로, 모노크로메터의 파장 영역을 벗어나는 파장 영역의 광특성을 갖는 다중 박막을 오차없이 형성하기 위한 전자빔에 의한 다중 박막 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was devised to improve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for forming a multi-film by an electron beam for forming a multi-film having an optical characteristic of a wavelength region beyond the wavelength range of a monochromator without error. have.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 전자 빔에 의한 다중 박막 형성 방법은,In order to achieve the above object, a multi-film forming method by an electron beam according to the present invention,
제1파장 영역 내의 기준 파장을 갖는 적어도 하나의 모노크로미터 및 적어도 하나의 광검출기를 구비하여 다중 박막을 형성하는 전자 빔을 사용한 다중 박막 형성 방법에 있어서,In the multiple thin film formation method using an electron beam having at least one monochromator and at least one photodetector having a reference wavelength in the first wavelength region to form multiple thin films,
상기 제1파장 영역을 벗어나는 제2파장 영역 내의 제2파장의 광에 대응하는 광학 특성을 갖도록 상기 다중 박막들의 두께를 (제2파장/임의의 제1정수 N1)로 형성하되,The thicknesses of the multiple thin films are formed to be (second wavelength / arbitrary first integer N1) to have optical characteristics corresponding to light of a second wavelength in a second wavelength region outside the first wavelength region,
상기 제2파장이 상기 제1파장 영역 내에 포함되는 파장에 대응하도록 하기 위하여 상기 제2파장을 임의의 제2정수 N2로 나눈 제1파장을 상기 모노크로메터의 기준 파장으로 설정하는 단계; 및Setting a first wavelength obtained by dividing the second wavelength by an arbitrary second integer N2 to a reference wavelength of the monochromator so that the second wavelength corresponds to a wavelength included in the first wavelength region; And
상기 기준 파장에 해당하는 박막의 두께를 N2/N1배 형성하는 단계:를Forming a thickness of the thin film corresponding to the reference wavelength N2 / N1 times:
포함하는 것을 특징으로 한다.It is characterized by including.
이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 전자빔에 의한 다중 박막 형성 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of forming multiple thin films by an electron beam according to the present invention will be described with reference to the drawings.
다중 박막에서 원하는 파장의 광특성을 얻기 위한 중요한 파라미터들은 막의층수, 막의 두께, 기판 물질과 각 층의 흡수 계수와 굴절률 등인데, 이러한 파라미터들 외에 원하는 광특성의 다중 박막 형성에 더욱 중요하게 요구되는 것은 시스템이다. 또한, 위의 파라미터를 적용하여 소망하는 광특성을 갖도록 하는 다중 박막의 코팅 기술이 매우 정밀하고 복잡하며, 굴절률이 큰 층Important parameters for obtaining optical properties of desired wavelengths in multiple thin films are the number of layers of the film, the thickness of the film, the absorption coefficient and the refractive index of the substrate material and each layer. Is a system. In addition, the coating technology of multiple thin films, which apply the above parameters to have desired optical properties, is very precise, complex, and has a high refractive index layer.
과 작은 층의 광학적 두께가 같게 다중 박막을 쌓아 주어야하고, 광학적 다중 박막은 각각의 막의 두께에 긴밀하게 의존된다. 그러므로 코팅하는 동안 막 두께 제어가 매우 중요하다. 이와 같은 두께 제어를 위한 칩의 광학적 모니터링에 의한 간접적인 반사 광학적 모니터링은 각층의 광학적 두께를 측정하기 위해 모노크로미터를 사용한다. 그러나, 원하는 광특성의 파장(λ)이 사용되는 모노크로메터의 파장 영역을 벗어날 경우가 있다. 본 발명에서는 모노크로미터의 파장영역을 벗어나는 파장 영역의 광에 대하여 특정 투과율 또는 반사율을 갖는 다중 박막을 형성하는 방법을 제공한다.Multiple thin films should be stacked in such a way that the optical thicknesses of the and the small layers are the same, and the optical multiple thin films are closely dependent on the thickness of each film. Therefore, film thickness control during coating is very important. Indirect reflection optical monitoring by optical monitoring of the chip for thickness control uses a monochromator to measure the optical thickness of each layer. However, there is a case where the wavelength? Of the desired optical characteristic deviates from the wavelength range of the monochromator used. The present invention provides a method of forming multiple thin films having a specific transmittance or reflectance for light in a wavelength region outside the wavelength region of a monochromator.
예로서, 가시광 영역에 기준 파장을 갖는 모노크로미터를 사용하여 가시광 영역을 벗어나는 파장대인 적외선 영역 등의 장파장 영역의 특정 광에 대하여 특정 투과율이나 반사율을 갖는 다중 박막을 형성하는 방법을 설명하면 다음과 같다.For example, a method of forming a multi-film having a specific transmittance or reflectance with respect to specific light in a long wavelength region such as an infrared region that is outside the visible region using a monochromator having a reference wavelength in the visible region is as follows. same.
우선, 모노크로미터의 파장 영역에 속하는 기준 파장을 이용하여 모노크로미터의 파장 영역(가시광 영역)을 벗어난 적외선 영역의 어느 한 파장의 광에 대하여 특정 광특성을 갖는 다중 박막을 형성해야 하므로, 형성할 박막의 원하는 파장 특성이 적외선 영역 또는 장파장 영역의 어느 한 파장(λ)에 있는 경우, 이 파장(λ)이 모노크로미터의 파장(가시광) 영역에 속하는 어느 파장에 대응하도록 정수 N1으로 나누고, 나누어서 얻은 값(λ/N1)을 모노크로미터의 기준 파장(λ1)으로 설정한다(여기서 λ1은 λ/N1이 됨). 이 모노크로미터의 새로운 기준 파장 λ1에 대응하는 광학 특성을 갖는 두께의 N1/N2배(주로 N1/4배) 만큼 박막을 코팅 해주면 원하는 특정 파장 λ에 대해 1/N2(주로1/4) 파장의 두께를 갖는 박막을 형성할 수 있게 된다. 즉, 제2도에 도시된 바와 같이, 각각의 박막의 형성을 중지하는 피크점(λ/4)에서 발생하는 오차는 새로운 기준파장 λ1(=λ/N1)으로 하게되면 같은 구간을 N1회로 나누어 코팅을 실시하므로, 피크 구간이 새로운 기준 파장(λ1)으로 되면 큰 기준 파장(λ)에 비해서 짧아져서 박막 형성을 중지하는 λ/4(λ/N2) 파장에서의 광학적 두께의 오차를 줄여줄 수 있다. 그래서 두께 제어의 시점이 보다 정확하게 판독되어서 다중 박막의 두께 조절이 훨씬 용이하게 된다.First, since multiple thin films having a specific optical characteristic should be formed with respect to light of any wavelength in the infrared region beyond the wavelength region (visible region) of the monochromator using a reference wavelength belonging to the wavelength region of the monochromator, When the desired wavelength characteristic of the thin film is to be at any wavelength (λ) in the infrared region or the long wavelength region, the wavelength (λ) is divided by an integer N1 so as to correspond to any wavelength belonging to the wavelength (visible light) region of the monochromator, The value obtained by dividing (λ / N1) is set to the reference wavelength λ 1 of the monochromator (where λ 1 becomes λ / N 1 ). Coating the thin film by N1 / N2 times the thickness of the monochromometer with the optical characteristic corresponding to the new reference wavelength λ 1 (mainly N1 / 4 times) will yield 1 / N2 (usually 1/4) for the desired specific wavelength λ. It is possible to form a thin film having a thickness of the wavelength. That is, as shown in FIG. 2, when the error occurring at the peak point (λ / 4) that stops the formation of each thin film is set to a new reference wavelength λ 1 (= λ / N1), the same section is divided into N1 circuits. Since the coating is divided, the peak section becomes a new reference wavelength (λ 1 ), which is shorter than the large reference wavelength (λ), thereby reducing the optical thickness error at the wavelength of λ / 4 (λ / N2), which stops the thin film formation. Can give Thus, the timing of the thickness control is more accurately read, making the thickness control of the multiple thin films much easier.
실제로, 제2고조파 녹색 레이저 다이오드에 있어서 공진기의 구성을 위한 비선형 단결정 소자 및 입력과 출력 거울용으로 전자빔(electron-beam)방식에 의한 다중 박막 코팅을 실시하였다. 즉, 기판의 굴절율을 기준으로 굴절율이 큰 ZrO2와 굴절률이 작은 SiO2의 박막을 교대로 30층 이상을 λ/4의 두께로(여기서λ=1200nm를 기준 파장으로함) 형성하였다. 이 때, 형성하고자 하는 박막의 요구되는 광학 특성이 파장 1200nm에 대한 것이었으므로, 모노크로미터의 기준 파장(control wavelength)은 1100nm 이상이 되어야 하였는데 실제 모노크로미터의 파장 영역은 400~750nm이었으므로, 상기 모노크로미터로 원하는 파장대의 광학 특성을 갖는 다중 박막의 형성이 어려웠다. 그래서 원하는 파장(λ=1200nm)을 3등분하였다. 즉, 본 예에서 모노크로미터의 새로운 기준 파장을 λ1=400nm로 설정하여 3λ1/4 두께 만큼 상기 다중 박막의 두께를 제어해주어 원하는 파장(λ=1200nm)에 대해 광학 특성을 갖도록 λ/4에 대응하는 두께의 박막을 얻을 수 있었다. 레이저 공진기의 효율을 향상시키기 위하여, 이와 같은 모노크로미터의 기준 파장에 의한 반사 방식으로 고반사 다중 박막을 형성함으로써, 제3도에 도시된 바와 같이, 파장 809nm에서 투과율(Transmittance):≥90%, 적외선 영역의 파장 1064nm에서 반사율(Reflectance):≥99.9%, 파장 532nm에서 투과율:≥90%의 광특성을 얻게 되었다. 이것은 다중박막 코팅 시 각층의 두께 조절을 모노크로메터의 영역을 벗어나는 파장의 결과를 얻은 것이다.In fact, in the second harmonic green laser diode, multiple thin film coating by electron beam method was performed for the nonlinear single crystal element for the construction of the resonator and for the input and output mirrors. That is, based on the refractive index of the substrate, 30 or more layers of ZrO 2 having a large refractive index and SiO 2 having a small refractive index were alternately formed to have a thickness of λ / 4 (where λ = 1200 nm is a reference wavelength). At this time, since the required optical properties of the thin film to be formed were for a wavelength of 1200 nm, the control wavelength of the monochromator had to be 1100 nm or more, and since the wavelength range of the actual monochromator was 400 to 750 nm, It was difficult to form multiple thin films having optical characteristics of a desired wavelength range with the monochromator. Thus, the desired wavelength (λ = 1200 nm) was divided into three parts. That is, to have the optical characteristics for setting a new reference wavelength of the monochrometer in this example as a λ 1 = 400nm and 3λ 1/4 thickness as the desired wavelength (λ = 1200nm) haejueo control the thickness of the multiple thin film λ / 4 A thin film having a thickness corresponding to was obtained. In order to improve the efficiency of the laser resonator, by forming a highly reflective multiple thin film by the reflection method by the reference wavelength of such a monochromator, as shown in FIG. 3, the transmittance at a wavelength of 809 nm: ≥90% In the infrared region, optical properties of reflectance: ≥99.9% and wavelength 532nm at a wavelength of 1064 nm were obtained. This resulted in wavelength control of the thickness of each layer in the multi-layer coating beyond the region of the monochromator.
이상 설명한 바와 같이, 각각의 파장에 따른 최적의 기준 파장(control wavelength)을 설정하여 모노크로미터의 교체없이 각각의 파장을 바꾸어 가면서 코팅을 실시할 경우 보다 효과적이고 유용하게 다중 박막을 얻을 수 있다. 특히, 이 방법은 레이저 공진기 등에 사용되는 고반사 거울 코팅에 유용하다.As described above, it is possible to obtain multiple thin films more effectively and usefully by setting the optimum control wavelength according to each wavelength to perform coating while changing each wavelength without replacing the monochromator. In particular, this method is useful for high reflection mirror coatings used in laser resonators and the like.
제1도는 일반적인 전자빔에 의한 다중 박막 형성 장치의 개략적 구조도이고,1 is a schematic structural diagram of an apparatus for forming a multiple thin film by a general electron beam,
제2도는 종래의 전자 빔에 의한 다중 박막 형성 방법으로 광학 박막 형성시 생기는 두께 오차를 나타내는 그래프이며,2 is a graph showing a thickness error generated when forming an optical thin film by a conventional method of forming a multi thin film by an electron beam,
그리고 제3도는 본 발명에 따른 전자 빔에 의한 다중 박막 형성 방법으로 형성된 다중 박막의 파장에 따른 광투과율을 나타내는 그래프이다.3 is a graph showing the light transmittance according to the wavelength of the multiple thin film formed by the multiple thin film formation method by the electron beam according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100... 진공 챔버 200... 전원 제어부100 ... vacuum chamber 200 ... power control
300...진공 제어부 400....전자빔 제어부300 vacuum control 400 electron beam control
500... 모노크로미터 제어부500 ... Monochromator control
10... 전자빔 11.... 증착빔10 ... electron beam 11 .... deposition beam
12... 기판 홀더 13... 기판12 ... PCB Holder 13 ... PCB
14....전자총 15... 타켓14 .... EMG 15 ... Target
16.... 모노크로미터 광원 17......모노크로미터 광출기16 ... Monochromator light source 17 ...... Monochromator light emitter
18....빛 19.... 셔터18 .... light 19 .... shutter
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| KR (1) | KR100397598B1 (en) |
Citations (5)
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| KR900003614A (en) * | 1988-08-17 | 1990-03-26 | 이시다 도쿠지로오 | Film thickness measuring method and device |
| JPH06125149A (en) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Canon Inc | Semiconductor element and manufacture thereof |
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1996
- 1996-05-09 KR KR1019960015238A patent/KR100397598B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970076025A (en) | 1997-12-10 |
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