KR100391082B1 - Method for identifying whether flash memory cell is erased or not - Google Patents

Method for identifying whether flash memory cell is erased or not Download PDF

Info

Publication number
KR100391082B1
KR100391082B1 KR1019960024986A KR19960024986A KR100391082B1 KR 100391082 B1 KR100391082 B1 KR 100391082B1 KR 1019960024986 A KR1019960024986 A KR 1019960024986A KR 19960024986 A KR19960024986 A KR 19960024986A KR 100391082 B1 KR100391082 B1 KR 100391082B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
erase
block
blocks
erasing
erased
Prior art date
Application number
KR1019960024986A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR980005024A (en
Inventor
박재관
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1019960024986A priority Critical patent/KR100391082B1/en
Publication of KR980005024A publication Critical patent/KR980005024A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100391082B1 publication Critical patent/KR100391082B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3436Arrangements for verifying correct programming or erasure
    • G11C16/344Arrangements for verifying correct erasure or for detecting overerased cells
    • G11C16/3445Circuits or methods to verify correct erasure of nonvolatile memory cells

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

PURPOSE: A method for identifying a flash memory cell is erased or not provided to reduce a time of identifying the erasing state by dividing a total cell block into plural cell blocks and performing simultaneously processes for identifying whether two cell blocks are erased or not. CONSTITUTION: A plurality of signal values are decided according to an erasing command, and each state of signals for ending an erasing process are checked(201,202). The erasing process is finished according to a checked result or the present erasing number is compared to the maximum erasing number(203). The erasing process is finished according to the present erasing number or the first path is decided, the erasing process is prepared, and the second path signal is identified(204-209,235). An erasing identification process is prepared or a signal state due to the selection of a final block is checked according to an identified result of the second path signal. The erasing identification process for one block of the erasing blocks is performed or the erasing identification number of a loop counter of the block is checked. The erasing identification process is prepared or the erasing identification process is performed according to a checked result of the erasing identification number(212). An erasing state is checked(213). The maximum erasing number is checked according to the erasing state and the erasing process is finished by setting the first path in a low state. The erasing process is performed repeatedly by increasing the erasing identification number(214-216). A bad state of the present block is reported according to the result of the erasing identification number and the erasing process is finished by resetting the erasing identification number and setting the first path in the low state(218).

Description

플래쉬 메모리셀의 소거확인 방법Confirmation method of flash memory cell

본 발명은 플래쉬 메모리셀의 소거확인 방법에 관한 것으로, 특히 플래쉬 메모리셀의 설계시 내부 알고리즘을 개선하여 소거(ERASE) 기능을 향상시킬 수 있도록 한 플래쉬 메모리셀의 소거확인 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an erase confirmation method of a flash memory cell, and more particularly, to an erase confirmation method of a flash memory cell capable of improving an erase function by improving an internal algorithm when designing a flash memory cell.

일반적으로 셀의 소거동작을 실행한 후 셀의 소거상태를 확인 하도록 한 종래의 플래쉬 메모리셀의 소거 방법을 제 1 도를 통해 동작을 설명하면 다음과 같다.In general, an operation of erasing a conventional flash memory cell for confirming an erased state of a cell after performing an erase operation of a cell will be described with reference to FIG. 1.

시작신호로 부터 단계(101)에서 최초로 셀의 소거(erase) 명령에 따라 루프 카운터(N)에 설정된 소거확인 횟수가 제로(0)인 단계(102)로 진행한다. 상기 단계(102)에서 단계(103)로 진행하여 소거동작을 준비하고, 단계(104)에서 소거동작을 실행한 후 단계(105)로 진행하게 된다. 상기 단계(105)에서는 소거확인 동작을 준비하고, 단계(106)에서 소거확인 동작을 실행한 후 단계(107)로 진행하게 된다. 상기 단계(107)에서는 셀의 소거 확인 결과가 정상적으로 되었는지를 확인하게 된다. 상기 단계(107)에서 셀의 소거확인 결과가 정상적으로 되었으면 단계(108)로 진행하여 정상 플래그 정보를 출력하고 소거확인 동작을 종료하게 된다. 그러나, 상기 단계(107)에서 셀의 소거확인 결과가 정상적으로 되지 않았으면 단계(109)로 진행하게 된다. 상기 단계(109)에서는 루프 카운터(N)에 설정된 최대 소거 확인 횟수(N = Ni)와 동일함 여부를 확인하게 된다. 상기 단계(109)에서 루프 카운터(N)에 설정된 최대 소거확인 횟수와 일치할 경우에는 단계(111)로 진행하여 불량 플래그 정보를 출력하고 소거확인 동작을 종료하게 된다. 그러나, 상기 단계(109)에서 루프 카운터(N)에 설정된 최대 소거확인 횟수와 일치하지 않을경우에는 단계(110)로 진행하게 된다. 상기 단계(110)에서는 소거확인 횟수(N = N + 1)를 증가시켜 상기 단계(103)로 복귀하여 상기 소거확인 동작을 반복 시행하게 된다.From the start signal, step 102 proceeds to step 102 in which the erase confirmation number set in the loop counter N is zero (0) according to the erase command of the cell for the first time. In step 102, the process proceeds to step 103 to prepare for the erase operation. In step 104, the erase operation is performed, and then the process proceeds to step 105. In step 105, an erase confirmation operation is prepared, and in step 106, an erase confirmation operation is performed, and then the flow proceeds to step 107. In the step 107, it is confirmed whether the result of erasing confirmation of the cell is normal. If the erase check result of the cell is normal in step 107, the process proceeds to step 108 to output normal flag information and terminates the erase check operation. However, if the erase confirmation result of the cell is not normal in step 107, the process proceeds to step 109. In step 109, it is checked whether the number of times of the maximum erase check (N = Ni) set in the loop counter N is the same. If the maximum number of erase checks set in the loop counter N in step 109 is matched, the process proceeds to step 111 to output bad flag information and terminates the erase check operation. However, if the maximum erase confirmation number set in the loop counter N in step 109 does not match, the process proceeds to step 110. In step 110, the number of erase checks (N = N + 1) is increased to return to step 103 to repeatedly perform the erase check operation.

이러한 종래의 소거확인 동작은 플래쉬 메모리 셀의 용량이 커 질수록 셀 전체의 소거확인 동작 시간이 길어지게 되는 단점이 있다.The conventional erase check operation has a disadvantage in that as the capacity of the flash memory cell increases, the erase check operation time of the entire cell becomes longer.

따라서 본 발명은 소거확인 동작을 시행할 때 전체 셀 블럭(block)을 다수의 셀 블럭으로 나누어 동시에 두개의 셀 블럭에 대해 소거확인 동작이 수행 되도록함으로써, 상기한 단점을 해소할 수 있는 플래쉬 메모리 셀의 소거확인 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Therefore, in the present invention, when the erase check operation is performed, the entire memory block is divided into a plurality of cell blocks so that the erase check operation is performed on two cell blocks at the same time, thereby eliminating the above-mentioned disadvantages. It is an object of the present invention to provide a method for confirming erasure of a signal.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 셀의 소거확인 방법은 소거명령에 따라 다수의 신호들 값을 결정 한 후 소거동작을 종료 하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호 상태를 확인 하는 단계와, 상기 신호 상태의 확인 결과에 따라 소거확인 동작을 종료하거나 현재 선택된 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수가 최대 소거 확인 횟수 인지를 확인하는 단계와, 상기 소거확인 횟수 확인결과에 따라 현재 선택된 블럭이 불량임을 알리고 종료 하거나 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호 및 제 1 경로를 설정하고, 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭에 대해 소거 동작을 준비하고 소거 동작을 실행한 후 제 2 경로 신호를 확인 하는 단계와, 상기 제 2 경로 신호의 확인 결과에 따라 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭에 대해 소거 확인 동작을 준비하거나 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호 상태를 확인하는 단계와, 상기 신호 상태의 확인결과에 따라 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 준비하거나 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수를 확인하는 단계와, 상기 소거확인 횟수의 확인 결과에 따라 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 준비하거나 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 시 행하는 단계와, 상기 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 동작을 실행한 후 정상적으로 소거 되었는지를 확인하는 단계와, 상기 소거확인 결과에 따라 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수가 최대 소거확인 횟수 인지를 확인 하거나 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수를 리셋 하고, 제 1 경로를 로우상태로 한 후 종료하는 단계와, 상기 소거확인 횟수 결과에 따라 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수를 증가하여 상기 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 준비하는 단계로 복귀하여 소거 동작을 반복 시행하는 단계와 상기 소거확인 횟수 결과에 따라 현재 선택된 블럭이 불량임을 알리고, 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수를 리셋 하고, 제 1 경로를 로우상태로 한 후 종료하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.The erase confirmation method of a flash memory cell according to the present invention for achieving the above object is to determine the signal state generated when the final block for terminating the erase operation after determining the value of a plurality of signals according to the erase command is selected. Checking whether the erase check operation is terminated or whether the erase check count set in the loop counter of the currently selected block is the maximum erase check count according to the check result of the signal state, and according to the erase check count check result. Sets the signal and the first path that are generated when the last block to notify that the currently selected block is bad and ends or the erase operation is selected, and prepares an erase operation for any one of the blocks to be erased at the same time. Confirming the second path signal after the execution of the second path signal; Confirming a signal state generated when preparing an erasure check operation for one of the blocks to be erased simultaneously or when a final block for terminating the erase operation is selected; and simultaneously erasing according to a result of the confirmation of the signal state. Preparing an erase check operation for one of the blocks or confirming the number of erase checks set in a loop counter of one block, and erasing any one of the blocks to be erased simultaneously according to the result of the check of the erase check count. Performing an erase check operation on another of the blocks to be prepared or erased at the same time; and confirming whether the erase operation is normally performed after performing an erase check operation on one of the blocks to be erased at the same time. And a loop of any one of the blocks to be erased simultaneously according to the erase confirmation result. Checking whether the number of erase checks set in the counter is the maximum number of erase checks or resetting the erase check number set in the loop counter of any one of the blocks to be erased at the same time; According to the result of the number of erase checks, the number of erase checks set in the loop counter of one of the blocks to be erased simultaneously is increased to return to the step of preparing an erase check operation for any one of the blocks to be erased simultaneously and repeat the erase operation. Informing that the currently selected block is defective according to the step of performing and the result of the number of erase checks, resetting the number of erase checks set in the loop counter of one of the blocks to be erased at the same time, and ending the first path after turning it low Characterized in consisting of steps.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제 2A 내지 2B 도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리셀의 소거확인 방법을 설명하기 위해 도시한 플로우 챠트도로서, 그 동작을 설명하면 다음과 같다.2A to 2B are flowcharts illustrating a method of confirming erasing a flash memory cell according to the present invention. The operation thereof will be described below.

제 2A 도의 시작 신호로부터 단계(201)에서 최초로 셀의 소거 명령에 따라 단계(202)로 진행하여 제 1 경로(PATH1='L', 어느 한 블럭이 소거 동작중 일때 발생되는 신호)를 로우상태('L'), 제 2 경로(PATH2='L' 다른 한 블럭 이 소거동작중 일때 발생되는 신호)를 로우상태('L'), 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거 확인 횟수(Lcnt1)를 리셋(Reset), 현재 선택된 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수(Bcnt)를 리셋(Reset), 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭 이 선택될 경우에 발생되는 신호(END)를 로우상태('L')로 각각 초기화 한 후 단계(203)로 진행하게 된다.From the start signal of FIG. 2A, in step 201, the process proceeds to step 202 in accordance with the erase command of the cell for the first time. ('L'), the second path (PATH2 = 'L' signal generated when another block is in the erase operation) is set to the low state ('L'), and the loop counter of one of the blocks to be erased at the same time. Reset of the check count Lcnt1, reset of the erase check count Bcnt set in the loop counter of the currently selected block, and a signal END generated when the last block for terminating the erase operation is selected. Are initialized to the low state 'L', and then the process proceeds to step 203.

상기 단계(203)에서는 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호(END)가 하이상태('H')로 되었는지를 확인하게 된다. 상기 단계(203)에서 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호(END)가 하이상태('H')로 되었으면 소거확인 동작을 종료하게 되고, 그렇지 않으면 단계(204)로 진행하여 현재 선택된 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수(Bcnt)가 최대 소거확인 횟수(BMAX) 인지를 확인하게 된다.In the step 203, it is checked whether the signal END generated when the last block for terminating the erase operation is selected becomes the high state 'H'. If the signal END generated when the last block for terminating the erase operation is selected in step 203 becomes high ('H'), the erase check operation is terminated. Otherwise, the process proceeds to step 204. In operation, it is checked whether the erase check count Bcnt set in the loop counter of the currently selected block is the maximum erase check count B MAX .

상기 단계(204)에서 확인결과 최대 소거확인 횟수(BMAX)이면 단계(235)로 진행하여 현재 선택된 블럭이 불량임을 알리고 종료하고, 그렇지 않으면 단계(205)로 진행하게 된다. 상기 단계(205)에서는 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호(END)를 하이상태('H')로 하고, 단계(205)로 진행하여 제 1 경로(PATH1)를 하이상태('H')로 한후 단계(207)로 진행하게 된다.If it is determined in step 204 that the maximum number of erase checks B MAX is reached, the process proceeds to step 235 to notify that the currently selected block is bad and ends, otherwise proceeds to step 205. In step 205, the signal END generated when the last block for terminating the erase operation is selected is set to the high state 'H', and the process proceeds to step 205 where the first path PATH1 is set. After the high state (H), the process proceeds to step 207.

상기 단계(207)에서는 어느 한 블럭에 대해 소거 동작 준비(statel)를 하고 단계(208)로 진행하여 소거동작(statel)을 실행하게 된다. 이후 단계(209)로 진행하여 제 2 경로(PATH2)가 하이상태('H')인지를 확인하게 된다. 상기 단계(209)에서 제 2 경로(PATH2)가 하이상태('H')이면 단계(212)로 진행하고, 그렇지 않으면 단계(210)로 진행하게 된다. 상기 단계(210)에서는 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호(END)가 하이상태('H')인지를 확인하여 하이상태('H')이면 상기 단계(212)로 진행하고, 그렇지 않으면 단계(211)로 진행하게 된다.In step 207, an erase operation is prepared for one block, and the process proceeds to step 208 to execute an erase operation. Thereafter, the process proceeds to step 209 to check whether the second path PATH2 is high ('H'). In step 209, if the second path PATH2 is high ('H'), the process proceeds to step 212, otherwise it proceeds to step 210. In the step 210, it is checked whether the signal END generated when the last block for terminating the erase operation is selected is a high state 'H', and if it is a high state 'H', the step 212 is performed. Proceeds to step 211 otherwise.

상기 단계(211)에서는 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수(Lcnt1)가 제로('0')인지를 확인하여 제로('0')가 아닐 경우에는 상기 단계(212)로 진행하고, 그렇지 않으면 제 2B도의 단계(219)로 진행하게 된다.In the step 211, if the erase check count Lcnt1 set in the loop counter of one of the blocks to be erased at the same time is zero ('0'), and if it is not zero (0), the step 212 Otherwise, the process proceeds to step 219 of FIG. 2B.

한편, 상기 단계(212)에서는 소거확인 동작을 준비(state3)하고 단계(213)로 진행하여 소거확인 동작(state4)을 실행한 후 단계(214)로 진행하여 소거확인 결과가 정상 인지를 확인하게 된다. 상기 단계(214)에서 정상이 아닐 경우 단계(215)로 진행하여 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수(Lcnt1)가 최대 확인 횟수(LMAX)인지를 확인하게 된다. 상기 단계(215)에서 최대 확인 횟수(LMAX)가 아닐 경우에는 단계(216)로 진행하여 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수(Lcnt1)를 증가한 후(Lcnt1=Lcnt1+1) 상기 단계(207)로 복귀하여 소거확인 동작을 반복 시행하게 된다. 그러나, 상기 단계(215)에서 최대 확인 횟수(LMAX)일 경우는 단계(217)로 진행하여 현재 선택된 블럭이 불량임을 알리고 단계(218)로 진행하여 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수(Lcnt1)를 리셋하고, 제 1 경로(PATH1)를 로우상태('L')로 한 후 종료하게 된다.On the other hand, in step 212, the erase confirmation operation is prepared (state3), the process proceeds to step 213 to perform the erase check operation (state4), and then proceeds to step 214 to confirm whether the erase check result is normal. do. If it is not normal in step 214, the process proceeds to step 215 to determine whether the erase check count Lcnt1 set in the loop counter of any block to be erased simultaneously is the maximum check count L MAX . If it is not the maximum number of times (L MAX ) in step 215, the process proceeds to step 216 and increases the number of times of erasure check Lcnt1 set in the loop counter of one of the blocks to be erased simultaneously (Lcnt1 = Lcnt1). +1) Returning to step 207, the erase confirmation operation is repeatedly performed. However, if the maximum number of times (L MAX ) is determined in step 215, the process proceeds to step 217 to indicate that the currently selected block is bad, and to step 218, the loop counter of one of the blocks to be erased simultaneously. The erase confirmation count Lcnt1 set in the above manner is reset, and the first path PATH1 is set low ('L') and then terminated.

한편, 상기 제 2B 도의 단계(219)에서는 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호(END)가 하이상태('H')로 되었는 지를 확인하게된다. 상기 단계(219)에서 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호(END)가 하이상태('H')로 되었으면 소거확인 동작을 종료하게 되고, 그렇지 않으면 단계(220)로 진행하여 현재 선택된 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수(Bcnt)가 최대 소거확인 횟수(BMAX)인지를 확인하게 된다. 상기 단계(220)에서 확인결과 최대 소거 확인 횟수(BMAX)이면 단계(236)로 진행하여 현재 선택된 블럭이 불량임을 알리고 종료하고, 그렇지 않으면 단계(221)로 진행하게 된다. 상기 단계(221)에서는 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호(END)를 하이상태('H')로 하고, 단계(222)로 진행하여 제 2 경로(PATH2)를 하이상태('H )로 한후 단계(223)로 진행하게 된다. 상기 단계(223)에서는 다른 한 블럭에 대해 소거 동작 준비(Nstatel)를 하고 단계(224)로 진행하여 소거동작(Nstate2)을 시행하게 된다. 이후 단계(225)로 진행하여 제 1 경로(PATH1)가 하이상태('H')인지를 확인하게 된다. 상기 단계(225)에서 제 1 경로(PATH1)가 하이상태('H')이면 단계(228)로 진행하고, 그렇지 않으면 단계(226)로 진행하게 된다. 상기 단계(226)에서는 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호(END)가 하이상태('H')인지를 확인하여 하이상태('H')이면 상기 단계(228)로 진행하고, 그렇지 않으면 단계(227)로 진행하게 된다.On the other hand, in step 219 of FIG. 2B, it is checked whether the signal END generated when the last block for terminating the erase operation is selected is in the high state 'H'. If the signal END generated when the last block for terminating the erase operation is selected in step 219 becomes high ('H'), the erase check operation is terminated. In operation, it is checked whether the erase check count Bcnt set in the loop counter of the currently selected block is the maximum erase check count B MAX . If it is determined in step 220 that the maximum number of erase checks B MAX is reached, the process proceeds to step 236 to notify that the currently selected block is defective and ends, otherwise proceeds to step 221. In step 221, the signal END generated when the last block for terminating the erase operation is selected is set to the high state 'H', and the process proceeds to step 222 where the second path PATH2 is set. After going to the high state (H), the process proceeds to step 223. In step 223, an erase operation is prepared for another block (Nstatel), and the process proceeds to step 224 to perform an erase operation (Nstate2). Thereafter, the process proceeds to step 225 to check whether the first path PATH1 is high ('H'). In step 225, if the first path PATH1 is high ('H'), the process proceeds to step 228, otherwise it proceeds to step 226. In step 226, if the signal END generated when the last block for terminating the erase operation is selected is a high state ('H'), and if it is a high state ('H'), the step 228 is performed. Proceeds to step 227 otherwise.

상기 단계(227)에서는 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수(Lcnt2)가 제로('0')인지를 확인하여 제로('0')가 아닐 경우에는 상기 단계(228)로 진행하고, 그렇지 않으면 제 2A도의 단계(203)로 진행하게된다.In step 227, it is determined whether the erase check count Lcnt2 set in the loop counter of the other block among the blocks to be erased at the same time is zero ('0'). Otherwise, the process proceeds to step 203 of FIG. 2A.

한편, 상기 단계(228)에서는 소거확인 동작을 준비 (Nstate3)하고 단계(229)로 진행하여 소거확인 동작(Nstate4)을 실행한 후 단계(230)로 진행하여 소거확인 결과가 정상 인지를 확인하게 된다. 상기 단계(230)에서 정상이 아닐 경우 단계(231)로 진행하여 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수(Lcnt2)가 최대 확인 횟수(LMAX)인지를 확인하게 된다. 상기 단계(231)에서 최대 확인 횟수(LMAX)가 아닐 경우에는 단계(232)로 진행하여 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수(Lcnt2)를 증가한 후(Lcnt2=Lcnt2+1) 상기 단계(223)로 복귀하여 소거확인 동작을 반복 시행하게 된다. 그러나, 상기 단계(231)에서 최대 확인 횟수(LMAX)일 경우는 단계(233)로 진행하여 현재 선택된 블럭 이 불량임을 알리고 단계(234)로 진행하여 동시 에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수(Lcnt2)를 리셋하고, 제 2 경로(PATH2)를 로우상태('L')로 한 후 종료하게 된다.On the other hand, in step 228, the erase confirmation operation is prepared (Nstate3), the process proceeds to step 229, the erase check operation (Nstate4) is executed, and the flow proceeds to step 230 to confirm whether the erase check result is normal. do. If it is not normal in step 230, the process proceeds to step 231 to check whether the erase check count Lcnt2 set in the loop counter of the other block among the blocks to be erased at the same time is the maximum check count L MAX . If it is not the maximum number of times (L MAX ) in step 231, the process proceeds to step 232, after which the number of times of erasure check Lcnt2 set in the loop counter of another block among the blocks to be erased simultaneously is increased (Lcnt2 = Lcnt2). +1) Returning to step 223, the erase confirmation operation is repeatedly performed. However, if the maximum number of times (L MAX ) in step 231 is reached, the process proceeds to step 233 to indicate that the currently selected block is bad, and the process proceeds to step 234 to loop a block of another block among the blocks to be erased simultaneously. The erase confirmation count Lcnt2 set in the counter is reset, and the second path PATH2 is set low ('L') and then terminated.

상술한 바와같이 본 발명에 의하면 소거확인 동작을 시행할 때 전체 셀 블럭(block)을 다수의 셀 블럭으로 나누어 동시에 두개의 셀 블럭에 대해 소거확인 동작이 수행 되도록 함으로써, 소거확인 시 간을 줄일 수 있어 생산성 향상에 탁월한 효과가 있다.As described above, according to the present invention, when the erase check operation is performed, the erase check time can be reduced by dividing the entire cell block into a plurality of cell blocks and simultaneously performing the erase check operation on two cell blocks. It has an excellent effect on productivity.

제 1 도는 종래의 플래쉬 메모리셀의 소거확인 방법을 설명하기 위해 도시한 플로우 챠트도.1 is a flowchart showing a conventional method for confirming erasing flash memory cells.

제 2A 및 2B 도는 본발명에 따른 플래쉬 메모리 셀의 소거확인 방법을 설명하기 위해 도시한 플로우 챠트도.2A and 2B are flowcharts for explaining an erase confirmation method of a flash memory cell according to the present invention;

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

N : 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수N: Number of erase checks set in loop counter

Ni : 루프 카운터에 설정된 최대 소거확인 횟수Ni: Maximum number of erase checks set in the loop counter

Claims (2)

소거명령에 따라 다수의 신호들 값을 결정 한 후 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호 상태를 확인하는 단계와,Determining a signal state generated when a final block for terminating the erase operation is selected after determining a plurality of signals according to the erase command; 상기 신호 상태의 확인 결과에 따라 소거확인 동작을 종료하거나 현재 선택된 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수가 최대 소거확인 횟수 인지를 확인하는 단계와,Terminating an erase check operation or checking whether the erase check count set in the loop counter of the currently selected block is the maximum erase check count according to the signal state check result; 상기 소거확인 횟수 확인결과에 따라 현재 선택된 블럭이 불량임을 알리고 종료 하거나 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호 및 제 1 경로를 설정하고, 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭에 대해 소거 동작을 준비하고 소거동작을 실행한 후 제 2 경로 신호를 확인 하는 단계와,According to the result of confirming the number of erase checks, a signal and a first path generated when the last block to notify that the currently selected block is defective or the end of the erase operation is selected are set, and at the same time any one of the blocks to be erased is set. Preparing an erase operation for the erase operation and confirming the second path signal after executing the erase operation; 상기 제 2 경로 신호의 확인 결과에 따라 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 준비하거나 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호 상태를 확인하는 단계와,Confirming a signal state generated when a final block for preparing an erase check operation or selecting an end of the erase operation is selected for any one of blocks to be erased at the same time according to the check result of the second path signal; 상기 신호 상태의 확인 결과에 따라 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 준비하거나 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수를 확인하는 단계와,Preparing an erase check operation for any one of the blocks to be erased at the same time or confirming the number of erase checks set in a loop counter of any one block according to the result of checking the signal state; 상기 소거확인 횟수의 확인 결과에 따라 동시 에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 준비하거나 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 시행하는 단계와,Preparing an erase check operation on one of the blocks to be erased simultaneously or performing an erase check operation on the other block among the blocks to be erased at the same time according to the result of the confirmation of the number of erase checks; 상기 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 실행한 후 정상적으로 소거 되었는지를 확인하는 단계와,Performing an erase check operation on any one of the blocks to be erased at the same time and confirming that the erase operation is normally performed; 상기 소거확인 결과에 따라 동시에 소거 할 블럭 중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수가 최대 소거확인 횟수 인지를 확인하거나 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거 확인 횟수를 리셋 하고, 제 1 경로를 로우상태로 한 후 종료하는 단계와,According to the erase check result, the controller checks whether the erase check count set in the loop counter of one of the blocks to be erased simultaneously is the maximum erase check count, or resets the erase check count set in the loop counter of any one of the blocks to be erased at the same time. Bringing the first path low and ending; 상기 소거확인 횟수 결과에 따라 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수를 증가하여 상기 동시에 소거할 블럭중 어느 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 준비하는 단계로 복귀하여 소거 동작을 반복 시행하는 단계와,According to the result of the number of times of the erase check, the number of erase checks set in the loop counter of one of the blocks to be erased simultaneously is increased to return to the step of preparing an erase check operation for any of the blocks to be erased simultaneously. Repeated steps, 상기 소거확인 횟수 결과에 따라 현재 선택된 블럭이 불량임을 알리고, 동시에 소거 할 블럭중 어느 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거 확인 횟수를 리셋 하고, 제 1 경로를 로우상태로 한 후 종료하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리셀의 소거확인 방법.Informing that the currently selected block is bad according to the result of the number of erase checks, resetting the number of erase checks set in the loop counter of any one of the blocks to be erased at the same time; An erase confirmation method of a flash memory cell characterized in that the. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 시행하는 단계는 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호 상태를 확인하는 단계와,The step of performing an erase check operation on another block among the blocks to be erased at the same time may include checking a signal state generated when a final block for terminating the erase operation is selected; 상기 신호 상태의 확인 결과에 따라 소거확인 동작을 종료하거나 현재 선택된 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수가 최대 소거확인 횟수 인지를 확인하는 단계와,Terminating an erase check operation or checking whether the erase check count set in the loop counter of the currently selected block is the maximum erase check count according to the signal state check result; 상기 소거확인 횟수의 확인결과에 따라 현재 선택된 블럭이 불량임을 알리고 종료하거나 소거동작을 종료하기 위 한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호 및 2 경로를 설정하고, 다른 한 블럭 에 대해 소거 동작을 준비하고 소거동작을 시행한 후 제 1 경로 신호를 확인 하는 단계와,According to the result of confirming the number of times of erasing confirmation, a signal and two paths generated when the last block to notify that the currently selected block is defective or the end of the erasing operation are selected are set, and the erase operation is performed for another block. Checking the first path signal after preparing and performing an erase operation; 상기 제 1 경로 신호의 확인 결과에 따라 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 준비하거나 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호 상태를 확인하는 단계와,Confirming a signal state generated when a final block for preparing an erase check operation or selecting an end of the erase operation is selected for another block among blocks to be erased at the same time according to the check result of the first path signal; 상기 신호 상태의 확인 결과에 따라 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 준비하거나 다른 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수를 확인하는 단계와,Preparing an erase check operation with respect to one of the blocks to be erased at the same time or confirming the number of erase checks set in a loop counter of the other block according to the check result of the signal state; 상기 소거확인 횟수의 확인 결과에 따라 동시 에 소거 한 블럭중 다른 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 준비하거나 상기 소거동작을 종료하기 위한 최종 블럭이 선택될 경우에 발생되는 신호 상태를 확인하는 단계로 복귀하는 단계와,Returning to the step of checking the signal state generated when the erase block is prepared for another one of the blocks that have been erased at the same time according to the result of checking the erase confirmation number or when the last block for terminating the erase operation is selected. To do that, 상기 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 동작을 실행한 후 정상적으로 소거 되었는지를 확인하는 단계와,Confirming whether the erase operation is normally performed after performing an erase check operation on another block among the blocks to be erased simultaneously; 상기 소거확인 결과에 따라 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수가 최대 소거확인 횟수 인지를 확인하거나 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거 확인 횟수를 리셋 하고,제 2 경로를 로우상태로 한 후 종료하는 단계와,According to the erase check result, the controller checks whether the erase check count set in the loop counter of the other block among the blocks to be erased simultaneously is the maximum erase check count or resets the erase check count set in the loop counter of the other block among the blocks to be erased at the same time. Bringing the second path low and ending; 상기 소거확인 횟수 결과에 따라 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거확인 횟수를 증가하여 상기 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭에 대해 소거확인 동작을 준비하는 단계로 복귀하여 소거 동작을 반복 시행하는 단계와,According to the result of the number of erase checks, the number of erase checks set in the loop counter of the other block among the blocks to be erased simultaneously is increased to return to the step of preparing an erase check operation for the other block among the blocks to be erased simultaneously. Repeated steps, 상기 소거확인 횟수 결과에 따라 현재 선택된 블럭이 불량임을 알리고, 동시에 소거 할 블럭중 다른 한 블럭의 루프 카운터에 설정된 소거 확인 횟수를 리셋 하고, 제 2 경로를 로우상태로 한 후 종료하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리셀의 소거확인 방법.Informing that the currently selected block is defective according to the result of the erase check count, resetting the erase check count set in the loop counter of the other block among blocks to be erased at the same time, putting the second path low, and ending the process. An erase confirmation method of a flash memory cell characterized in that the.
KR1019960024986A 1996-06-28 1996-06-28 Method for identifying whether flash memory cell is erased or not KR100391082B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960024986A KR100391082B1 (en) 1996-06-28 1996-06-28 Method for identifying whether flash memory cell is erased or not

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960024986A KR100391082B1 (en) 1996-06-28 1996-06-28 Method for identifying whether flash memory cell is erased or not

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980005024A KR980005024A (en) 1998-03-30
KR100391082B1 true KR100391082B1 (en) 2003-09-29

Family

ID=37421891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960024986A KR100391082B1 (en) 1996-06-28 1996-06-28 Method for identifying whether flash memory cell is erased or not

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100391082B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR980005024A (en) 1998-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7405976B2 (en) Nonvolatile semiconductor memory and method for controlling the same
JPWO2006040900A1 (en) Test apparatus and test method
KR100187671B1 (en) Erasing method of flash memory device
CN109273041B (en) OTP writing method
JP4257824B2 (en) Semiconductor memory device
KR100391082B1 (en) Method for identifying whether flash memory cell is erased or not
CN104809067A (en) Equality constraint-oriented test case generation method and device
CN116185563B (en) Software simulation algorithm based on vehicle-gauge microcontroller data flash memory
KR100237019B1 (en) Pre-program method for flash memory cells
CN112530508A (en) NAND FLASH memory parallel test and bad block write-back method
CN115470052A (en) Bad block detection method and device for memory chip and storage medium
US9690900B2 (en) Intra-run design decision process for circuit synthesis
US6966016B2 (en) System and method for erase test of integrated circuit device having non-homogeneously sized sectors
JP2017059278A (en) Semiconductor memory and verification method of semiconductor memory
CN110556150A (en) programming method and device of storage unit, electronic equipment and storage medium
KR100293632B1 (en) Method for erasing flash memory cell
JPH0315982A (en) Logical simulation system
KR20020055893A (en) Testing method for flash memory device
JP2000222886A (en) Nonvolatile semiconductor memory and method for writing it
KR100223280B1 (en) Erasing method and verifying circuit of flash memory cell
KR0182867B1 (en) Flash memory cell
CN113409870A (en) Flash memory erasing method, sector selection circuit, device and electronic equipment
CN110556146A (en) programming method and device of storage unit, electronic equipment and storage medium
CN115333546A (en) Universal polar code-oriented multi-bit parallel list decoding method and device
JP2845173B2 (en) Logical collation method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110526

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee