KR100380426B1 - 액정조성물및이를사용한액정소자 - Google Patents

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Abstract

높은 굴절율 이방성 (△n), 높은 유전율 이방성 (△ε) 및 실온을 포함하는 넓은 범위의 N 상을 갖는 액정 조성물 및 그것을 사용한 광 셔터나 표시소자 등에 사용할 수 있는 액정 소자를 제공한다.
하기 일반식 (1)
[화 1]
(식중, R 은 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기 등을, X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3및 Y4는 각각 독립적으로 CH, CF 또는 N 을, A 는 수소원자, 4 - R1- (시클로알킬)기 등을 나타낸다. R1은 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기 등을 나타내고, p 는 0 또는 1 이다. Z 는 - C≡ C - 또는 단일결합을 나타낸다.) 로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과 하기 일반식 (4)
[화 4]
(식중, 고리 C, D, E 및 F 는 각각 독립적으로 불소원자로 치환되어 있어도좋은 1, 4 - 페닐렌 등을, R2는 수소원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기 등을, R3은 수소원자, 불소원자 등을 나타낸다. Z1, Z2, 및 Z3은 각각 독립적으로 -COO-, -OCO-, -OCH2- , -CH2O-, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기등을 나타낸다. J 및 K 는 각각 독립적으로 메틸렌 또는 -O- 을 나타낸다. a, b, c, d 및 e 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이며, b + c + d

Description

액정 조성물 및 이를 사용한 액정소자
본 발명은 신규한 네마틱 액정 조성물 및 그것을 사용한 액정소자에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 높은 굴절율 이방성 (△n) 을 갖는 액정 조성물 및 그것을 사용한 광셔터나, STN (초 비틀림 네마틱) 형 액정소자나 PDLC (중합체 분산형 액정) 형 액정소자로 대표되는 표시소자에 관한 것이다.
근래 정보화 사회의 진전에 수반하여 각종의 표시소자는 맨-머신 인터페이스의 하나로서, 그의 중요성이 점점 높아지고 있다. 이와 같은 속에서 평면디스플레이, 특히 액정디스플레이 (LCD) 는 박형ㆍ경량ㆍ저전압구동ㆍ저소비전력 등의 특징을 갖고 있기 때문에 급속히 보급되어 왔다. 액정 디스플레이로 대표되는 액정소자 중, 정보량이 큰 매트릭스형 액정소자에는, 액티브 매트릭스 방식과 단순 매트릭스 방식이라고 불리우고 있는 2 가지의 구동방식이 있다.
액티브 매트릭스 방식은, 폴리실리콘, 아모르파스 실리콘 등의 박막 트랜지스터 또는 다이오드를 화소마다 비선형 소자로서 장착한 것이다. 그러나 액티브 매트릭스 방식은 복잡한 제조 프로세스와 수율이 나쁜 것 때문에 대면적화, 저가격화, 고밀도화에 관하여 과제를 갖고 있으며, 가격이나 생산성 등을 고려하면 단순매트릭스 방식의 편이 유력하다.
현재 실용화되어 있는 단순 매트릭스 방식의 액정 소자로서는, TN (비틀림 네마틱) 형, STN (초비틀림 네마틱) 형 액정소자를 사용한 것이 주류이다. TN 형은 시계나, 전자식 탁상계산기 등의 표시소자로서 폭 넓게 응용되고 있으나, 이 방식에서는 전기 광학특성의 상승이 완만하고, 듀티비가 증가함에 따라 콘트라스트가 현저하게 저하하기 때문에, 원리적으로 대화면 표시가 곤란하다.
STN 형은 이와 같은 TN 형 액정소자의 결점을 보충하기 위하여 개발된 방식이며, 급준한 전기 광학특성을 가지고 있기 때문에 대화면화가 가능케 되었다. 현재 또는 무릅위에 올려놓을 수 있는 작은 P.C (laptop personal computer) 등의 디스플레이에 사용되고 있다.
그러나, STN 형 액정소자는 상기와 같이 TN 형 액정소자에 비하면 뛰어난 특성을 갖고 있다고 하나, 보다 한층의 대 면적화, 저가격화, 고밀도화를 위해서는 아직 해결할 과제를 남기고 있다.
예컨대 STN 형 액정소자는, 액티브 매트릭스 방식의 대표적인 액정소자인 TFT 형 액정소자와 비교한 경우, 시야각 특성이나 응답속도의 점에서 아직 불충분하다. 특히 더 한층의 대면적화나 고밀도화, 혹은 동화 (animation) 표시등을 하기 위해서는, 고속응답화는 불가결하다.
STN 형 액정소자를 고속응답화 하기 위해서는, 셀 두께를 얇게 하는 것이 유력한 방법의 하나이다. STN 형은 표시방법에 복굴절 효과를 이용하고 있으며, 이 방식을 사용하기 위해서는 패널의 색조나 광학 특성의 변화를 억제할 것, 즉 리타데이션을 일정한 최적치로 설정하는 것이 필요하다. 리타데이션 R 은 (식 - 1) 에서 표시되기 때문에 셀 두께 (d) 를 얇게 하기 위해서는 굴절율 이방성 △n 을 크게 할 필요가 있다.
그러나 큰 △n 을 갖는 액정 조성물은 일반적으로 점도가 크고 속응답화에는 부적합하며, △n 이 크고, 또한 저점도의 액성 조성물이 요망되고 있다.
또 △n 의 온도 의존성도 해결할 과제의 하나이다. 동작온도 범위에서의 △n 의 변화를 억제하기 위해서는 일반적으로 액정 조성물의 전이온도를 상승시키는 것이 유효하다고 되어 있다.
또, 저소비 전력이라는 관점에서 본 경우, 임계치 (threshold) 값 전압을 저하시키는 것이 유효하나, 이를 위해서는 통상 유전율 이방성 △ε을 크게 하는 것이 필요하다고 되어 있다.
본 발명은 높은 굴절율 이방성 (△n) 을 갖는 액정 조성물 및 그것을 사용한 광셔터나 표시소자 등에 사용할 수 있는 액정소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또 본 발명은 높은 굴절율 이방성 (△n) 에 더하여 높은 유전율 이방성 (△ε) 을 갖는 액정 조성물, 실온을 포함한 넓은 온도 범위로 N 상을 갖는 액정 조성물, 혹은 직접도로 응답 파라미터 (η/△n2) 가 작고 응답성이 뛰어난 액정 조성물, 및 그것들의 액정 조성물을 사용한 액정 소자를 제공하려고 하는 것이다.
상술한 바와 같은 것 때문에, 본 발명자들은 예의 검토를 거듭한 결과, 높은굴절율 이방성 (△n) 을 갖는 액정 조성물을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은 다음의 항 [1], [2] 및 [3] 에 기재한 액정 조성물에 관한 것이다.
[1] 하기 일반식 (1)
[화 1]
(식중, R 은 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 16 의 알케닐기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시 알킬기를 나타낸다. X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3및 Y4는 각각 독립적으로 CH, CF 또는 N 을 나타낸다. A 는 수소원자, 4 - R1- (시클로알킬) 기, 4 - R1 - (시클로알케닐) 기 또는 R1- (O)p 기를 나타내고, R1은 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알키닐기 또는 탄소수 2 ∼ 12 의 알콕시 알킬기를 나타내고, p 는 0 또는 1 이다. Z 는 - C ≡ C - 또는 단일결합을 나타낸다.] 로 표시되는 화합물 또는 하기 일반식 (2)
[화 2]
(식중, B 는 불소원자, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기 또는 시아노기를 나타낸다. R, X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3, Y4및 Z 는 상기와 같은 의미를표시한다.) 로 표시되는 화합물 또는 하기 일반식 (3)
[화 3]
(식중, C 는 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시 알킬기, 4 - R1- (시클로알킬) 기, 4 - R1- (시클로알케닐) 기, R1- (O)p 기, 불소원자, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기 또는 시아노기를 나타낸다. R, X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3, Y4, R1및 p 는 상기와 같은 의미를 표시한다.) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과 하기 일반식 (4)
[화 4]
(식중, 고리 C, 고리 D, 고리 E 및 고리 F 는 각각 독립적으로 불소원자로 치환되어 있어도 좋을 1, 4 - 페닐렌 및 1, 4 - 시클로헥실렌, 1, 4 - 시클로헥셀렌, 4, 1 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 시클로헥셀렌, 5, 2 - 시클로헥셀렌, 3, 6 - 시클로헥셀렌, 6, 3 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일, 5, 2 - 피리딘디일, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥산디일을 나타낸다. R2는 수소원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 16 의 알콕시기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시알킬기를 나타낸다. R3은 수소원자, 불소원자, 플루오로 메틸기, 디플루오로 메틸기, 트리플루오로 메틸기, 플루오로 메톡시기, 디플루오로 메톡시기, 트리플루오로 메톡시기, 시아노기, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 16 의 알콕시기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시 알킬기를 나타낸다. Z1, Z2및 Z3은 각각 독립적으로 -COO-, -OCO-, -OCH2-, -CH2O- , 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알케닐렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알키닐렌기 또는 단일결합을 나타낸다. J 및 K 는 각각 독립적으로 메틸렌 또는 -O- 을 나타낸다. a, b, c, d 및 e 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이며, b + c + d1 을 충족시키는 것이다. 단, R2가 알콕시기의 경우 a 가 0, R3이 알콕시기의 경우는 e 가 0 이다. 또 R2및 R3이 알콕시기가 아닌 경우에 있어서, b 가 1 이며 고리 C 가 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5- 피리딘디일, 또는 5, 2 -피리딘디일의 경우, b가 0, c 가 1, 또한 고리 D 가 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일, 또는 5, 2 - 피리딘디일의 경우, 및 b 가 0, c 가 0, d 가 1, 또한 고리 E 가 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 -피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리미딘디일, 또는 5, 2 - 피리딘디일의 경우는 a 가 1 이며, 또 F 가 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 -피리미딘디일, 2, 5 -피리딘디일, 또는 5, 2 -피리딘디일의 경우는 e 가 1 이다. 또 일반식 (1), (2) 및 (3) 에 포함되는 것은 제외한다.) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
[2] 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물, 상기 일반식 (3) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물 및 상기 일반식 (4) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
[3] 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물 및 상기 일반식 (4) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
또 본 발명은, 상기 항 [1] 내지 항 [3] 에 기재의 액정 조성물로부터 선택되는 적어도 1 종의 액정 조성물을 1 쌍의 전극기반 사이에 끼어 지지되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정소자에 관한 것이다.
이하에, 본 발명에 관하여 상세히 설명한다.
[발명의 실시의 형태]
본 발명의 바람직한 실시 태양으로서 다음에 기재하는 각 항의 액정 조성물을 들 수가 있다.
[4] 하기 일반식 (5)
[화 5]
(식중, R 은 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시알킬기를 나타낸다. X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3및 Y4는 각각 독립적으로 CH, CF 또는 N 을 나타낸다. A 는 수소원자, 4 - R1- (시클로알킬) 기, 4 - R1- (시클로알케닐) 기 또는 R1- (O)p 기를 나타내고 R1은 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알키닐기를 나타내고, p 는 0 또는 1 이다) 로 표시되는 화합물 또는 하기 일반식 (6)
[화 6]
(식중, B 는 불소원자, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기 또는 시아노기를 나타낸다. R, X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3및 Y4는 상기와 같은 의미를 표시한다.) 로 표시되는 화합물 또는 하기 일반식 (7)
[화 7]
(식중, C 는 수소원자, 4 - R1- (시클로알킬) 기, 4 - R1- (시클로알케닐기) 기, R1- (O)p 기, 불소원자, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기 또는 시아노기를 나타낸다. R1및 p 는 상기와 같은 의미를 표시한다. R 은 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시 알킬기를 나타낸다. X, Y 는 각각 독립적으로 수소원자 또는 불소원자를 나타낸다. r 및 s 는 0 부터 3 의 정수이다.) 로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종 화합물과, 하기 일반식 (8)
[화 8]
(식중, R2는 수소원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 16 의 알콕시기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시알킬기를 나타낸다. 그리고, 고리 L, 고리 M, 및 고리 N 은 각각 독립적으로 1, 4 - 페닐렌, 1, 4- 시클로헥실렌, 2, 5 - 피리딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 -디옥산디일 또는 5, 2 -디옥산디일을 나타낸다. Z1, Z2및 Z3은 각각 독립적으로 -COO- , -OCO-, -OCH2-, CH2O-, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알케닐렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알키닐렌기 또는 단일 결합을 나타낸다. W1은 수소원자, 불소원자, 플루오로 메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 플루오로메톡시기, 디플루오로메톡시기, 트리플루오로메톡시기 또는 시아노기를 나타내고, W2및 W3은 각각 독립적으로 수소원자 또는 불소원자를 나타내고, f 는 각각 독립적으로 0 또는 1 을 나타낸다.) 로 표시되는 화합물 또는 하기 일반식 (9)
[화 9]
(식중, R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 16 의 알콕시기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시알킬기를 나타낸다. 고리 L, 고리 M, 고리 N 및 고리 P 는 각각 독립적으로 1, 4 - 페닐렌 및 1, 4 - 시클로헥실렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥사디일을 나타낸다. Z1, Z2및 Z3은 각각 독립적으로 -COO-, -OCO-, -OCH2-, -CH2O-, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알케닐렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알키닐렌기 또는 단일결합을 나타낸다. f 는 각각 독립적으로 0 또는 1 을 나타낸다.) 로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
[5] 상기 일반식 (5) 및 일반식 (6) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물, 상기 일반식 (7) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물 및 상기 일반식 (8) 및 일반식 (9) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
[6] 상기 일반식 (5) 및 일반식 (6) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물 및 상기 일반식 (8) 및 일반식 (9) 로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
[7] 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 상기 일반식 (4) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 상기 항 [1] 기재의 액정 조성물, 단, 상기 일반식 (4) 에 있어서, 고리 C, 고리 D, 고리 E 및 고리 F 중 적어도 하나의 고리가 불소원자로 치환되어 있는 1, 4 - 페닐렌, 1, 4 - 시클로헥실렌, 4, 1 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 시클로헥셀렌, 5, 2 - 시클로헥셀렌, 3, 6 - 시클로헥셀렌, 6, 3 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일, 5, 2 - 피리딘디일, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥산디일인 화합물을 적어도 1 종 함유하는 것으로 한다.
[8] 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 상기 일반식 (4) 에 있어서, 고리 F 는 불소 치환되어 있어도 좋은 1, 4 - 시클로헥실렌, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥산디일인 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 상기 항 [1] 기재의 액정 조성물.
[9] 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 하기 일반식 (10)
[화 10]
(식중, 고리 C, 고리 D, 고리 E, R2, R3, Z1, Z2, Z3, J, a, b, c 및 d 는 상기 일반식 (4) 기재의 것과 같은 의미를 나타낸다.) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
[10] 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 상기 일반식 (4) 에 있어서, 고리 F 는 불소원자로 치환되어 있어도 좋은, 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 -피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리미딘디일 또는 5, 2 - 피리딘디일인 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 상기 항 [1] 기재의 액정 조성물.
[11] 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 하기 일반식 (11)
[화 11]
(식중, R2, J, 고리 C 및 고리 D 는 상기 일반식 (4) 기재의 것과 같은 의미를 나타낸다. a 또는 g 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이며, f 는 0, 1 또는 2 이다. 단 R2가 알콕시기인 경우는 a 는 0 이다. 또 R2가 알콕시기가 아닌 경우에 있어서, g 가 1 이며, 고리 C 가, 1,4 - 페닐렌, 2,5- 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일 또는 5, 2 - 피리딘디일인 경우, a 는 1 이며, 또 일반식 (1) 및 (2) 에 포함되는 것은 제외한다.) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
[12] 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 하기 일반식 (12)
[화 12]
(식중, R2, J, 고리 C, 고리 D, a, g 및 f 는 상기 일반식 (11) 기재의 것과, R3, K 는 상기 일반식 (4) 기재의 것과 각각 같은 의미를 나타낸다. e 는 R3이알콕시기일때 0 이며, 그 외의 것일때는 1 을 나타낸다. 단, 일반식 (1) 및 (2) 에 포함되는 것을 제외한다.) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
[13] 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 하기 일반식 (13)
[화 13]
(식중, R2, J, 고리 C, 고리 D, a, g 및 f 는 상기 일반식 (11) 기재의 것과 같은 의미를 나타낸다. 단, R2가 알콕시기인 경우는, a 는 0 이다. 또 R2가 알콕시기가 아닌 경우에 있어서, g 가 1 이며 고리 C 가 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일 또는 5, 2 - 피리딘디일인 경우, a 는 1 이며, 또 일반식 (1) 및 (2) 에 포함되는 것은 제외한다.) 및 하기 일반식 (14)
[화 14]
(식중, R2, J, C, a, g, R3, K, e 및 f 는 상기 일반식 (11) 기재의 것과 같은 의미를 나타낸다. h 는 0 또는 1 을 나타낸다. 단, 일반식 (1) 및 (2) 에 포함되는 것은 제외한다.) 로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
[14] 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 으로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 상기 일반식 (4) 에 있어서, 고리 F 는 불소원자로 치환되어 있어도 좋은 1, 4 - 시클로헥셀렌, 4, 1 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 시클로헥셀렌, 5, 2 - 시클로헥셀렌, 3, 6 - 시클로헥설렌, 6, 3 - 시클로헥셀렌의 어느 하나를 나타내는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 상기항 [1] 기재의 액정 조성물.
[15] 상기 일반식 (5), 일반식 (6) 및 일반식 (7) 으로 표시되는 화합물로 부터 적어도 1 종과 하기 일반식 (15)
[화 15]
(식중, R2는 수소원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 16 의 알콕시기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시알킬기를 나타내고, 고리 L 및 고리 M 은 각각 독립적으로 1, 4 - 페닐렌, 1, 4 - 시클로헥실렌,2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥산디일을 나타내고, W1은 수소원자, 불소원자, 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 플루오로메톡시기, 디플루오로메톡시기, 트리플루오로메톡시기 또는 시아노기를 나타내고, W2및 W3는 각각 독립적으로 수소원자 또는 불소원자를 나타내고, f 는 0 또는 1 을 나타낸다.) 로 표시되는 화합물 또는 하기 일반식 (16)
[화 16]
(식중, R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 16 의 알콕시기 또는 탄소수 2 ∼ 16 알콕시 알킬기를 나타내고, 그리고, 고리 L, 고리 M 및 N 은 각각 독립적으로 1, 4 - 페닐렌, 1, 4 - 시클로헥실렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥산디일을 나타내고, f 는 0 또는 1 을 나타낸다.) 로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
[16] 상기 일반식 (5) 및 일반식 (6) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물, 상기 일반식 (7) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물 및 상기 일반식 (15) 및 일반식 (16) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
[17] 상기 일반식 (5) 및 일반식 (6) 으로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과 상기 일반식 (15) 및 일반식(16) 으로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
또 본 발명의 바람직한 실시 태양으로서, 상기 항 [4] 부터 항 [17] 에 기재된 액정 조성물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 액정 조성물을 한쌍의 전극기반 사이에 끼어 지지되는 것을 특징으로 하는 액정 소자의 발명을 들 수가 있다.
이하에 본 발명의 액정 조성물에 사용하는 화합물에 관하여 상세히 설명한다.
일반식 (1) 및 (5) 에서 표시되는 화합물의 구체예를 이하에 표시한다. 일반식 (1) 및 (5) 에 있어서, A 로서는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 운데실, 도데실, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 헵테닐, 옥테닐, 노네닐, 데세닐, 운데세닐, 도데세닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐, 옥티닐, 노니닐, 데시닐, 도데시닐, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 헵틸옥시, 옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 운데실옥시, 도데실옥시, 비닐옥시, 프로페닐옥시, 부테닐옥시, 펜테닐옥시, 헥시닐옥시, 헵테닐옥시, 옥테닐옥시, 노네닐옥시, 데세닐옥시, 프로피닐옥시, 부티닐옥시, 펜티닐옥시, 헥시닐옥시, 헵티닐옥시, 옥티닐옥시, 노니닐옥시, 데시닐옥시, 운데시닐옥시, 도데시닐옥시, 메톡시메틸, 에톡시메틸, 프로폭시메틸, 부톡시메틸, 펜틸옥시메틸, 헥실옥시메틸, 헵틸옥시메틸, 옥틸옥시메틸, 노닐옥시메틸, 데실옥시메틸, 메톡시에틸, 에톡시에틸, 프로폭시에틸, 부톡시에틸, 펜틸옥시에틸, 헥실옥시에틸, 헵틸옥시에틸, 옥틸옥시에틸, 노닐옥시에틸, 데실옥시에틸, 메톡시프로필, 에톡시프로필, 프로폭시프로필, 부톡시프로필, 펜틸옥시프로필, 헥실옥시프로필, 헵틸옥시프로필, 옥틸옥시프로필, 노닐옥시프로필, 데실옥시프로필, 메톡시부틸, 에톡시부틸, 프로폭시부틸, 부톡시부틸, 펜틸옥시부틸, 헥실옥시부틸, 헵틸옥시부틸, 옥틸옥시부틸, 노닐옥시부틸, 데실옥시부틸, 메톡시펜틸, 에톡시펜틸, 프로폭시펜틸, 부톡시펜틸, 펜틸옥시펜틸, 헥실옥시펜틸, 헵틸옥시펜틸, 옥틸옥시펜틸, 노닐옥시펜틸, 데실옥시펜틸, 4 - 메틸시클로헥실, 4 - 에틸시클로헥실, 4 - 프로필시클로헥실, 4 - 부틸시클로헥실, 4 - 펜틸시클로헥실, 4 - 헥실시클로헥실, 4 - 헵틸시클로헥실, 4 - 옥틸시클로헥실, 4 - 노닐시클로헥실, 4 - 데실시클로헥실, 4 - 프로필시클로헥세닐, 수소원자 및 이들 기가 불소화된 것등을 들 수 있다.
R 로서는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 운데실, 도데실, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 헵테닐, 옥테닐, 노네닐, 데세닐, 운데세닐, 도데세닐, 메톡시메틸, 에톡시메틸, 프로폭시메틸, 부톡시메틸, 펜타옥시메틸, 헥실옥시메틸, 헵틸옥시메틸, 옥틸옥시메틸, 노닐옥시메틸, 데실옥시메틸, 메톡시에탄, 에톡시에틸, 프로폭시에틸, 부톡시에틸, 펜틸옥시에틸, 헥실옥시에틸, 헵틸옥시에틸, 옥틸옥시에틸, 노닐옥시에틸, 데실옥시에틸, 메톡시프로필, 에톡시프로필, 프로폭시프로필, 부톡시프로필, 펜틸옥시프로필, 헥실옥시프로필, 헵틸옥시프로필, 옥틸옥시프로필, 노닐옥시프로필, 데실옥시프로필, 메톡시부틸, 에톡시부틸, 프로폭시부틸, 부톡시부틸, 펜틸옥시부틸, 헥실옥시부틸, 헵틸옥시부틸, 옥틸옥시부틸, 노닐옥시부틸, 데실옥시부틸, 메톡시펜틸, 에톡시펜틸,프로폭시펜틸, 부톡시펜틸, 펜틸옥시펜틸, 헥시옥시펜틸, 헵틸옥시펜틸, 헵틸옥시펜틸, 옥틸옥시펜틸, 노닐옥시펜틸, 데실옥시펜틸 및 이들 기가 불소화된 것 등을 들 수 있다.
또 X1, X2, X3, X4를 함유하는 고리 구조로 이루어지는 방향환 및 Y1, Y2, Y3, Y4를 함유하는 고리구조로 이루어지는 방향환의 구체예로서는 각각 독립적으로 1, 4 - 페닐렌, 1, 4 - (2 - 플루오로) 페닐렌, 1, 4 - (3 - 플루오로) 페닐렌, 1, 4 - (2, 5 - 디플로오로) 페닐렌, 1, 4 - (3, 6 - 디플루오로) 페닐렌, 1, 4 - (2, 6 - 디플루오로) 페닐렌, 1, 4 - (3, 5 - 디플루오로)페닐렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일 및 5, 2 - 피리딘디일 등을 들 수 있다. 또 Z 의 구체예로서는 단일 결합 및 - C ≡ C - 를 들 수 있다.
일반식 (2) 및 (6) 에 있어서, B 의 구체예로서는, 불소원자, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기, 시아노기를 들 수 있고, 또 R, Z, X1, X2, X3, X4를 함유하는 고리구조로 이루어지는 방향환 및 Y1, Y2, Y3, Y4를 함유하는 고리구조로 이루어지는 방향환의 구체예로서는 상기 일반식 (1) 에 있어서의 R, Z, X1, X2, X3, X4를 함유하는 고리구조로 이루어지는 방향환 및 Y1, Y2, Y3, Y4를 함유하는 고리구조로 이루어지는 방향환의 구체예와 같다.
일반식 (3) 에 있어서, C 의 구체예는 일반식 (1) 에 있어서의 A 또는 일반식 (2) 에 있어서의 B 와 같으며, 또 R, X1, X2, X3, X4를 함유하는 고리구조로 이루어지는 방향환 및 Y1, Y2, Y3, Y4를 함유하는 고리구조로 이루어지는 방향환의 구체예는 상기 일반식 (1) 에 있어서의 R, X1, X2, X3, X4를 함유하는 고리구조로 이루어지는 방향환 및 Y1, Y2, Y3, Y4를 함유하는 고리구조로 이루어지는 방향환의 구체예와 같다.
일반식 (7) 에 있어서, C 및 R 의 구체에는 일반식 (3) 에 있어서의 것과 같으며, 또 X 및 Y 는 수소원자 또는 불소원자를 나타낸다. r 및 s 는 0 ∼ 3 의 정수이다.
일반식 (4) 로 표시되는 화합물의 구체예로서는, 이하에 표시한 화합물을 들 수 있다. 또 일반식 (8) 내지 (16) 으로 표시되는 화합물의 구체예도 이것들의 화합물 중에 포함된다.
[화 17]
[화 18]
[화 19]
[화 20]
[화 21]
[화 22]
[화 23]
[화 24]
[화 25]
[화 26]
[화 27]
[화 28]
[화 29]
[화 30]
[화 31]
[화 32]
[화 33]
[화 34]
[화 35]
[화 36]
[화 37]
[화 38]
[화 39]
[화 40]
[화 41]
[화 42]
[화 43]
[화 44]
[화 45]
[화 46]
[화 47]
[화 48]
[화 49]
[화 50]
[화 51]
[화 52]
[화 53]
[화 54]
[화 55]
[화 56]
[화 57]
[화 58]
[화 59]
[화 60]
[화 61]
상기 예시 중, R2의 구체예로서는 수소원자, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 운데실, 도데실, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 헵테닐, 옥테닐, 노네닐, 데세닐, 운데세닐, 도데세닐, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 헵틸옥시, 옥틸옥시, 노닐옥시,데실옥시, 운데실옥시, 도데실옥시, 비닐옥시, 프로페닐옥시, 부테닐옥시, 펜테닐옥시, 헥세닐옥시, 헵테닐옥시, 옥테닐옥시, 노네닐옥시, 데세닐옥시, 프로피닐옥시, 부티닐옥시, 펜티닐옥시, 헥시닐옥시, 헵티닐옥시, 옥티닐옥시, 노닐옥시, 데시닐옥시, 운데시닐옥시, 도데시닐옥시, 메톡시메틸, 에톡시메틸, 프로폭시메틸, 부톡시메틸, 펜틸옥시메틸, 헥실옥시메틸, 헵틸옥시메틸, 옥틸옥시메틸, 노닐옥시메틸, 데실옥시메틸, 메톡시에틸, 에톡시에틸, 프로폭시에틸, 부톡시에틸, 펜틸옥시에틸, 헥실옥시에틸, 헵틸옥시에틸, 옥틸옥시에틸, 노닐옥시에틸, 데실옥시에틸, 메톡시프로필, 에톡시프로필, 프로폭시프로필, 부톡시프로필, 펜틸옥시프로필, 헥실옥시프로필, 헵틸옥시프로필, 옥틸옥시프로필, 노닐옥시프로필, 데실옥시프로필, 메톡시부틸, 에톡시부틸, 프로폭시부틸, 부톡시부틸, 펜틸옥시부틸, 헥실옥시부틸, 헵틸옥시부틸, 옥틸옥시부틸, 노닐옥시부틸, 데실옥시부틸, 메톡시펜틸, 에톡시펜틸, 프로폭시펜틸, 부톡시펜틸, 펜틸옥시펜틸, 헥실옥시펜틸, 헵틸옥시펜틸, 헵틸옥시펜틸, 옥틸옥시펜틸, 노닐옥시펜틸, 데실옥시펜틸 등을 들 수 있다.
상기 예시 중, R3의 구체예로서는, 수소원자, 불소원자, 메틸, 메톡시, 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 플루오로메톡시기, 디플루오로메톡시기, 트리플루오로메톡시기, 시아노기, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 운데실, 도데실, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 헵테닐, 옥테닐, 노네닐, 데세닐, 운데세닐, 도데세닐, 에톡시, 프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 헵틸옥시, 옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 운데실옥시, 도데실옥시, 비닐옥시, 프로페닐옥시, 부테닐옥시, 펜테닐옥시, 헥세닐옥시, 헵테닐옥시, 옥테닐옥시, 노네닐옥시, 데세닐옥시, 프로피닐옥시, 부티닐옥시, 펜티닐옥시, 헥시닐옥시, 헵티닐옥시, 옥티닐옥시, 노닐옥시, 데시닐옥시, 운데시닐옥시, 도데시닐옥시, 메톡시메틸, 에톡시메틸, 프로폭시메틸, 부톡시메틸, 펜틸옥시메틸, 헥실옥시메틸, 헵틸옥시메틸, 옥틸옥시메틸, 노닐옥시메틸, 데실옥시메틸, 메톡시에틸, 에톡시에틸, 프로폭시에틸, 부톡시에틸, 펜틸옥시에틸, 헥실옥시에틸, 헵틸옥시에틸, 옥틸옥시에틸, 노닐옥시에틸, 데실옥시에틸, 메톡시프로필, 에톡시프로필, 프로폭시프로필, 부톡시프로필, 펜틸옥시프로필, 헥실옥시프로필, 헵틸옥시프로필, 옥틸옥시프로필, 노닐옥시프로필, 데실옥시프로필, 메톡시부틸, 에톡시부틸, 프로폭시부틸, 부톡시부틸, 펜틸옥시부틸, 헥실옥시부틸, 헵틸옥시부틸, 옥틸옥시부틸, 노닐옥시부틸, 데실옥시부틸, 메톡시펜틸, 에톡시펜틸, 프로폭시펜틸, 부톡시펜틸, 펜틸옥시펜틸, 헥실옥시펜틸, 헵틸옥시펜틸, 헵틸옥시펜틸, 옥틸옥시펜틸, 노닐옥시펜틸, 데실옥시펜틸 및 이들 기가 불소화된 것 등을 들 수 있다.
또 W 는 수소원자 또는 불소원자를 나타내고, x 는 0 ∼ 3 까지의 정수이다.
[화 62]
는 1, 4 - 시클로헥실렌을 나타내고,
[화 63]
는 불소원자로 치환되어 있어도 좋은 1, 4 -페닐렌, 1, 4 - 시클로헥실렌, 1, 4 - 시클로헥셀렌, 4, 1 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 시클로헥셀렌, 5, 2 - 시클로헥셀렌, 3, 6 - 시클로헥셀렌, 6, 3 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일, 5, 2 - 피리딘디일, 2, 5 - 디옥살디일 또는 5,2- 디옥산디일을 나타낸다.
더욱 바람직하기는 상기 에시 식중에 있어서, 고리 G 가 불소원자로 치환되어 있어도 좋은 1, 4 - 페닐렌, 1, 4 - 시클로헥실렌, 1, 4 - 시클로헥셀렌, 4, 1 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 시클로헥셀렌, 5, 2 - 시클로헥셀렌, 3, 6 - 시클로헥셀렌 또는 6, 3 - 시클로헥셀렌인 것이다.
일반식 (8), (9), (15) 및 (16) 에 있어서, W1는 수소원자, 불소원자, 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 플루오로메톡시기, 디플루오로메톡시기, 트리플루오로메톡시기 또는 시아노기를 나타내고, W2및 W3은 각각 독립적으로 수소원자 또는 불소원자를 나타낸다. Z1, Z2및 Z3은 각각 독립적으로 -COO- , -OCO-, -OCH2-, -CH2O-, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알케닐렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알키닐렌기 또는 단일결합을 나타낸다. 또 고리 L, 고리 M, 고리 N 및 고리 P 는 각각 독립적으로, 1, 4 - 페닐렌, 1, 4 - 시클로헥실렌,4, 1 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥산디일을 나타낸다. 더욱 바람직하기는 1, 4 - 페닐렌, 1, 4 - 시클로헥실렌 또는 4, 1 - 시클로헥셀렌인 것이다.
또 상기 조성물에는 비틀림제로서 카이랄 화합물이 1종 또는 복수종 포함되어 있어도 좋다. 카이랄 화합물로서는 특별히 한정되지 않으나, 바람직하기는 이하에 표시한 화합물을 들 수 있다.
[화 64]
[화 65]
실시예
이하 실시예에 의해, 본 발명에 관하여 보다 상세히 설명하겠으나, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 사용한 액정 조성물의 물성은 이하에 표시한 방법에 의해서 측정하였다.
굴질율 이방성 (△n) 은 세라르몬법을 사용하여, 리타데이션을 측정함으로써 구하였다. 이때의 측정파장은 589 nm 로 하였다.
액정분자의 장축방향과 단축방향의 유전율의 차인 유전율 이방성 (△ε) 은 액정 조성물의 정전용량을 측정함으로써, 이하와 같이 구하였다. 즉 투명전극이 부착된 균질 (homogeneous) 배향셀에 액정조성물을 사이에 끼어 지지하고, 이 셀에 전압을 인가 하였을시의 정전용량을 측정한다. 이때, 액정 분자 장축 방향의 유전율은, 인가 전압을 무한대로 하였을때의 정전용량을 정전용량과 인가전압의 역수의 플로트의 외삽치로 부터 구하여 식 - 2 를 사용하여 산출하였다. 한편 분자단축 방향의 유전율은 임계값 전압이하의 정전용량으로 부터 동일하게 해서 구하고, 양자의 유전율의 차를 취함으로써, 유전율 이방성 (△ε) 을 구하였다.
(ε0 : 진공의 유전율, C : 정전용량, d : 셀두께, s : 전극 면적)
° 액정 조성물의 N (네마틱) 상의 상한 온도(TNI) 는 편광현미경을 사용하여 승온시의 투명점을 측정함으로써 구하였다.
° 액정 조성물의 점도는 자동전락구 점도계 (Anton PAAR 사 (제), AMV-200) 에 의해서 측정하였다.
실시예 1
일반식 (4) 또는 (8) 또는 (11) 또는 (15) 로 표시되는 화합물 (4 - 1) ∼ (4 - 4) 을 표 1 에 기재된 비율로 혼합하여, 조성물 A 를 조정하였다.
표 1 (조성물 A 의 조성비)
이 조성물 A 에 일반식 (1) 또는 (5) 로 표시되는 화합물 (1 - 1) 을 표 2 에 기재의 비율로 혼합하여 조성물 B 를 조정하였다.
표 2 실시예 1 (조성물 B의 조성비)
이때의 조성물 A 와 조성물 B 의 굴절율 이방성 △n 을 표 3 에 표시하였다.
표 3 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 3 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서, 굴절율 이방성 (△n) 이 크게 되어 있다.
실시예 2
실시예 1 기재의 조성물 A 에 일반식 (1) 또는 (5) 로 표시되는 화합물 (1 - 2) 을 표 4 에 기재의 비율로 혼합하여 조성물 C 를 조정하였다.
표 4 실시예 2 (조성물 C 의 조성비)
이때의 조성물 A 와 조성물 C 의 굴절율 이방성 △n 와 N 상의 상한 온도 (TNI) 을 표 5 에 표시하였다.
표 5 △n 와 TNI 의 비교
표 5 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서, 굴절율 이방성 (△n) 이 크게되어 있다. 또 이것에 더하여 본 조성물에서는 N 상의 상한 온도 (TNI) 가 높아져 있다.
실시예 3
실시예 1 기재의 조성물 A 에 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 화합물 ( 2 - 1) 을 표 6 에 기재의 비율로 혼합하여 조성물 D 를 조정 하였다.
표 6 실시예 3 (조성물 D 의 조성비)
이때의 조성물 A 와 조성물 D 의 굴절율 이방성 △n 을 표 7 에 표시하였다.
표 7 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 7 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서, 굴절율 이방성 (△n) 이 크게 되어 있다.
실시예 4
실시예 1 기재의 조성물 A 에 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 화합물 (2 - 2) 를 표 8 에 기재된 비율로 혼합하여 조성물 E를 조정 하였다.
표 8 실시예 4 (조성물 E 의 조성비)
이때의 조성물 A 와 조성물 E의 굴절율 이방성 △n 과 유전율 이방성 (△ε) 을 표 9 에 표시하였다.
표 9 굴절율 이방성(△n) 및 유전율 이방성 (△ε) 의 비교
표 9 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서, 굴절율 이방성 (△n) 이 크게되어 있다. 또 이것에 더하여 본 조성물에서는 유전율 이방성 (△ε) 이 높아져 있다.
실시예 5
실시예 1 기재의 조성물 A 에 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 화합물 (2 - 3) 을 표 10 에 기재된 비율로 혼합하여 조성물 F 를 조정 하였다.
표 10 실시예 5 (조성물 F 의 조성비)
이때의 조성물 A 와 조성물 F의 굴절율 이방성 △n 을 표 11 에 표시하였다.
표 11 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 11 에서 명백한 바와 같이, 본 발명의 조성물에 있어서, 굴절율 이방성 (△n) 이 크게 되어 있다.
실시예 6
실시예 1 기재의 조성물 A 에 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 화합물 (2 - 4) 을 표 12 에 기재된 비율로 혼합하여 조성물 G 를 조정하였다.
표 12 실시예 6 (조성물 G 의 조성비)
이때의 조성물 A 와 조성물 G 의 굴절율 이방성 △n 을 표 13 에 표시하였다.
표 13 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 13 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서 굴절율 이방성 (△n) 이 크게 되어 있다.
실시예 7
실시예 1 기재의 조성물 A 에 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 화합물 (2 - 5) 를 표 14 에 기재의 비율로 혼합하여, 조성물 H 를 조정하였다.
표 14 실시예 7 (조성물 H) 의 조성비)
이때의 조성물 A 와 조성물 H 의 굴절율 이방성 △n 을 표 15 에 표시하였다.
표 15 굴절율 이방성 (△n) 및 유전율 이방성 (△ε) 의 비교
표 15 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서, 굴절율 이방성 (△n) 이 크게 되어 있다. 또 이것에 더하여 본 조성물에서는 유전율 이방성 (△ε) 이 높아져 있다.
실시예 8
일반식 (4) 또는 (8) 또는 (11) 또는 (15) 로 표시되는 화합물 (4 - 1) 과 일반식 (4) 또는 (9) 또는 (10) 또는 (12) 또는 (16) 으로 표시되는 화합물 (4 - 6) 및 화합물 (4 - 7) 을 표 16 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 J 를 조정하였다.
표 16 조성물 J 의 조성비
이 조성물 J 에 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 화합물 (2 - 2) 를 표17 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 K 를 조정하였다.
표 17 실시예 8 (조성물 K 의 조성비)
이때의 조성물 J 와 조성물 K 의 굴절율 이방성 △n 을 표 18 에 표시하였다.
표 18 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 18 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서, 굴절율 이방성 (△n) 이 크게되어 있다.
실시예 9
일반식 (4) 또는 (8) 또는 (11) 또는 (15) 에서 표시되는 화합물 (4 - 1), (4 - 8) 및 (4 - 9) 를 표 19 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 L 을 조정하였다.
표 19 조성물 L 의 조성비
이 조성물 L 에 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 (2 - 2) 를 표 20 에 표시하는 비율로 혼합하여 조성물 M 을 조정하였다.
표 20 실시예 9 (조성물 M 의 조성비)
이때의 조성물 L 과 조성물 M 의 굴절율 이방성 △n 을 표 21 에 표시하였다.
표 21 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 21 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서 굴절율 이방성 (△n) 이 크게되어 있다.
실시예 10
일반식 (4) 또는 (8) 또는 (11) 또는 (15) 로 표시되는 화합물 (4 - 8) 및 (4 - 9) 를 표 22 에 표시하는 비율로 혼합하여 조성물 N 을 조정하였다.
표 22 조성물 N 의 조성비
이 조성물 N 에 일반식 (1) 또는 (15) 에서 표시되는 화합물 (1 - 1) 및 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 화합물 (2 - 1) 을 표 23 에 표시하는 비율로 혼합하여 조성물 O 을 조정하였다 (표 23).
표 23 실시예 10 (조성물 0 의 조성비)
이때의 조성물 N 과 조성물 M 의 굴절율 이방성 △n 을 표 24 에 표시하였다.
표 24 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 24 에서 명백한 바와 같이, 본 발명의 조성물에 있어서, 굴절율 이방성 (△n) 이 크게되어 있다.
실시예 11
일반식 (4) 또는 (9) 또는 (10) 또는 (12) 또는 (16) 으로 표시되는 화합물 (4 - 6) 및 화합물 (4 - 7) 을 표 25 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 P 를 조정하였다.
표 25 조성물 P 의 조성비
이 조성물 P 에 일반식 (1) 또는 (5) 로 표시되는 화합물 (1 - 3), (1 - 4) 및 (1 - 5) 을 표 26 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 Q 를 조정하였다.
표 26 실시예 11 (조성물 Q 의 조성비)
이때의 조성물 P 와 조성물 Q 의 굴절율 이방성 △n 을 표 27 에 표시하였다.
표 27 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 27 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서 굴절율 이방성 (△n) 이 크게 되어 있다.
실시예 12
조성물 P 에 일반식 (1) 또는 (5) 로 표시되는 화합물 (1 - 3), (1 - 4), (1 - 5) 및 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 화합물 (2 - 5), (2 - 6) 을 표 28 에 표시한 비율로 혼합하여 첨가하여 조성물 R 을 조정하였다.
표 28 실시예 12 (조성물 R 의 조성비)
이때의 조성물 P 와 조성물 R의 굴절율 이방성 △n 을 표 29 에 표시하였다.
표 29 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 29 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서 굴절율 이방성(△n) 이 크게 되어 있다.
실시예 13
실시예 11 에 기재된 조성물 P 와, 일반식 (4) 또는 (8) 또는 (11) 또는 (15) 로 표시되는 화합물 (4 - 5) 를 표 30 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 S 를 조정하였다.
표 30 조성물 S 의 조성비
이 조성물 S 에 일반식 (1) 또는 (5) 로 표시되는 화합물 (1 - 5) 를 표 31 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 T 를 조정하였다.
표 31 실시예 13 (조성물 T 의 조성비)
이때의 조성물 S 와 조성물 T 의 굴절율 이방성 △n 을 표 32 에 표시하였다.
표 32 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 32 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서 굴절율 이방성 (△n) 이 크게 되어 있다.
실시예 14
조성물 S 에 일반식 (1) 또는 (5) 로 표시되는 화합물 (1 - 5) 및 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 화합물 (2 - 5) 을 표 33 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 U 를 조정하였다.
표 33 실시예 14 (조성물 U 의 조성비)
이때의 조성물 S 와 조성물 U 의 굴절율 이방성 △n 을 표 34 에 표시한다.
표 34 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 34 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서 굴절율 이방성 (△n) 이 크게 되어 있다.
실시예 15
실시예 11 에 기재된 조성물 P 와 일반식 (4) 또는 (8) 또는 (11) 또는 (15) 로 표시되는 화합물 (4 - 5) 를 표 35 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 V 를 조정하였다.
표 35 조성물 V 의 조성비
이 조성물 V 에 일반식 (1) 또는 (5) 로 표시되는 화합물 (1 - 3), (1 - 4), (1 - 5) 및 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 화합물 (2 - 5), (2 - 6) 을 표 36 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 W 를 조정하였다.
표 36 실시예 15 (조성물 W 의 조성비)
이때의 조성물 V 와 조성물 W 의 굴절율 이방성 △n 을 표 37 에 표시하였다.
표 37 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 37 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서, 굴절율 이방성 (△n) 이 크게 되어 있다.
실시예 16
실시예 11 에 기재한 조성물 P 와 일반식 (4) 또는 (8) 또는 (11) 또는 (15)로 표시되는 화합물 (4 - 5) 을 표 38 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 X 를 조정하였다.
표 38 조성물 X 의 조성비
이 조성물 X 에 일반식 (1) 또는 (5) 로 표시되는 화합물 (1 - 3), (1 - 4), (1 - 5) 및 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 화합물 (2 - 5), (2 - 6) 을 표 39 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 Y 를 조정하였다.
표 39 실시예 16 (조성물 Y 의 조성비)
이때의 조성물 X 와 조성물 Y 의 굴절율 이방성 △n 을 표 40 에 표시하였다.
표 40 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 40 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서 굴절율 이방성 (△n) 이 크게되어 있다.
실시예 17
실시예 1 에 기재한 조성물 A 에 일반식 (3) 으로 표시되는 화합물 (3 - 1) 을 표 41 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 Z 를 조정하였다.
표 41 실시예 17 (조성물 Z 의 조성비)
이때의 조성물 A 와 조성물 Z 의 굴절율 이방성 △n 과 N 상의 상한 온도 (TNI) 를 표 42 에 표시하였다.
표 42 굴절율 이방성 (△n) 과 N 상의 상한온도 (TNI) 비교
표 42 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서 굴절율 이방성 (△n) 이 크게 되어 있다.
실시예 18
실시예 11 에 기재한 조성물 P 에 일반식 (1) 으로 표시되는 화합물 (1 - 6) 을 표 43 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 AA 를 조정하였다.
표 43 (조성물 AA 의 조성비)
이때의 조성물 P 와 조성물 AA 의 굴절율 이방성 △n 을 표 44 에 표시하였다.
표 44 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 44 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서, 굴절율 이방성 (△n) 이 크게 되어 있다.
실시예 19
일반식 (4) 또는 (10) 으로 표시되는 화합물 (4 - 10) 및 (4 - 11) 를 표 45 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 AB 를 조정하였다.
표 45 (조성물 AB 의 조성비)
이 조성물 AB 에 일반식 (2) 또는 (6) 으로 표시되는 화합물 (2 - 2) 을 표 46 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 AC 를 조정하였다. (표 46)
표 46 (조성물 AC 의 조성비)
이때의 조성물 AB 와 조성물 AC 의 굴절율 이방성 △n, 유전율 이방성 △ε과 N 상의 상한온도(TNI) 를 표 47 에 표시하였다.
표 47 굴절율 이방성 △n, 유전율 이방성 △ε과 N 상의 상한 온도 (TNI) 의 비교
표 47 에서 명백한 바와 같이, 본 발명의 조성물에 있어서, 굴절율 이방성 (△n) 이 크게 되어 있다. 또 이것에 더하여 본 조성물에서는 유전율 이방성 (△ε)이 높게 되어 있으며, N 상의 상한 온도 (TNI) 가 높아져 있다.
실시예 20
실시예 11 에 기재한 조성물 P 에, 일반식 (4) 또는 (8) 또는 (13) 으로 표시되는 화합물 (4 - 12) 을 표 48 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 AD 를 조정하였다.
표 48 조성물 AD 의 조성비
이 조성물 AD 에 일반식 (1) 또는 (5) 로 표시되는 화합물 (1 - 7) 을 표 49 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 AE 를 조정하였다.
표 49 실시예 20 (조성물 AE 의 조성비)
이때의 조성물 AD 와 조성물 AE 의 굴절율 이방성 △n 을 표 50 에 표시하였다.
표 50 굴절율 이방성 (△n) 의 비교
표 50 에서 명백한 바와 같이 본 발명의 조성물에 있어서, 굴절율 이방성 (△n) 이 크게되어 있다.
실시예 21
일반식 (1) 또는 (5) 로 표시되는 화합물 (1 - 5), 일반식 (4) 또는 (9) 또는 (10) 또는 (12) 또는 (16) 으로 표시되는 화합물 (4 - 6) 및 화합물 (4 - 7), 및 일반식 (4) 또는 (8) 또는 (11) 또는 (15) 로 표시되는 화합물 (4 - 5) 을 표 51 에 표시한 비율로 혼합하여 조성물 AF 를 조제하였다.
표 51 실시예 21 (조성물 AF 의 조성비)
이 조성물 AF 와 상기 조성물 A 의 굴절율 이방성 (△n), 점도 η및 응답 파라미터 (η/△n2) 를 표 52 에 표시하였다.
표 52 굴절율 이방성 △n, 점도 η, 응답 파라미터 (η/△n2)
표 52 굴절율 이방성 △n, 점도 η과 응답 파라미터 (η/△n2)
표 52 에 명백한 바와 같이 본 발명의 액정 조성물은 높은 굴절율 이방성 (△n) 을 가지며, 저점도이며, 응답 파라미터 (η/△n2) 가 작게되어 있다.
본 발명의 액정 조성물은 높은 굴절율 이방성 (△n) 을 가졌으므로, 이것을사용함으로써, 광셔터나 STN (초비틀림 네마틱) 형 액정소자나 PDLC (중합체 분산형 액정) 형 액정소자에 대표되는 표시소자등으로 사용할 수 있는 액정 소자를 제공할 수가 있다. 또 본 발명의 액정 조성물에는 비저항치가 극히 큰 것도 있기 때문에, TFT 등의 액티브 구동을 사용한 액정소자에도 유용하다.
본 발명의 액정 조성물은 높은 굴절율 이방성 (△n) 을 가졌다. 또 본 발명의 액정 조성물에는 높은 굴절율 이방성에 더하여, 높은 유전율 이방성 (△ε), 실온을 포함한 넓은 범위의 N 상을 갖는 액정 조성물, 혹은 높은 굴절율 이방성에 더하여, 저점도이며 작은 응답 파라미터 (η/△n2) 를 나타내므로 응답성이 매우 뛰어난 액정 조성물이 함유된다. 또 본 발명의 액정 조성물은 그것을 구성하는 액정성 화합물의 구조때문에, 급준한 임계값 특성을 갖는 것이 기대되고 STN 액정소자의 화질의 향상이나 수율의 향상에도 매우 유용하다.

Claims (20)

  1. 하기 일반식 (1)
    (식중, R 은 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 16 의 알케닐기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시 알킬기를 나타낸다. X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3및 Y4는 각각 독립적으로 CH, CF 또는 N 을 나타낸다. A는 수소원자, 4 - R1- (시클로알킬) 기, 4 - R1- (시클로알케닐) 기 또는 R1- (O)p 기를 나타내고, R1은 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알키닐기 또는 탄소수 2 ∼ 12 의 알콕시 알킬기를 나타내고, p 는 0 또는 1 이다. Z 는 - C ≡ C - 1 또는 단일결합을 나타낸다.] 로 표시되는 화합물 또는 하기 일반식 (2)
    (식중, B 는 불소원자, 트리플루오로메틸기, 트리플루오르메톡시기, 또는 시아노기를 나타낸다. R, X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3, Y4및 Z 는 상기와 같은 의미를표시한다.) 로 표시되는 화합물 또는 하기 일반식 (3)
    (식중, C 는 수소원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시 알킬기, 4 - R1- (시클로알킬) 기, 4 - R1- (시클로알케닐) 기, R1- (O)p 기, 불소원자, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기 또는 시아노기를 나타낸다. R, X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3, Y4, R1및 p 는 상기와 같은 의미를 표시한다.) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과 하기 일반식 (4)
    (식중, 고리 C, 고리 D, 고리 E 및 고리 F 는 각각 독립적으로 불소원자로 치환되어 있어도 좋은 1, 4 - 페닐렌 및 1, 4 - 시클로헥실렌, 1, 4 - 시클로헥셀렌, 4, 1 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 시클로헥셀렌, 5, 2 - 시클로헥셀렌, 3, 6 - 시클로헥셀렌, 6, 3 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일, 5, 2 - 피리딘디일, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥산디일을 나타낸다. R2는 수소원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 16 의 알콕시기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시알킬기를 나타낸다. R3은 수소원자, 불소원자, 플루오로 메틸기, 디플루오로 메틸기, 트리플루오로 메틸기, 플루오로 메톡시기, 디플루오로 메톡시기, 트리플루오로 메톡시기, 시아노기, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 16 의 알콕시기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시 알킬기를 나타낸다. Z1, Z2및 Z3은 각각 독립적으로 -COO-, -OCO-, -OCH2-, -CH2O-, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알케닐렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알키닐렌기 또는 단일결합을 나타낸다. J 및 K 는 각각 독립적으로 메틸렌 또는 -O- 을 나타낸다. a, b, c, d 및 e 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이며, b + c + d1 을 충족시키는 것이다. 단, R2가 알콕시기의 경우 a 가 0', R3이 알콕시기의 경우는 e 가 0 이다.
    또 R2및 R3이 알콕시기가 아닌 경우에 있어서, b 가 1 이며 고리 C 가 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일, 또는 5, 2 - 피리딘디일의 경우, b 가 0, c 가 1, 또한 고리 D 가 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일, 또는 5, 2 - 피리딘디일의 경우, 및 b 가 0, c 가 0, d 가 1, 또한 고리 E 가 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 - 피리미디디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리미딘디일, 또는 5, 2 - 피리딘디일의 경우는 a 가 1 이며, 또 F 가 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일, 또는 5, 2 - 피리딘디일의 경우는 e 가 1 이다.또 일반식 (1), (2) 및 (3) 에 포함되는 것은 제외한다) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  2. 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물, 상기 일반식 (3) 으로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물 및 상기 일반식 (4) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  3. 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물 및 상기 일반식 (4) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  4. 하기 일반식 (5)
    (식중, R 은 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시 알킬기를 나타낸다. X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3및 Y4는 각각 독립적으로 CH, CF 또는 N 을 나타낸다. A 는 수소원자, 4 - R1- (시클로알킬) 기, 4 - R1- (시클로알케닐) 기 또는 R1- (O)p 기를 나타내고 R1은 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알키닐기를 나타내고, p 는 0 또는 1 이다) 로 표시되는 화합물 또는 하기 일반식 (6)
    (식중, B 는 불소원자, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기 또는 시아노기를 나타낸다. R, X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3및 Y4는 상기와 같은 의미를 표시한다.) 로 표시되는 화합물 또는 하기 일반식 (7)
    (식중, C 는 수소원자, 4 - R1- (시클로알킬) 기, 4 - R1- (시클로알케닐기)기 R1- (O)p 기, 불소원자, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기 또는 시아노기를 나타낸다. R1및 p 는 상기와 같은 의미를 표시한다. R 은 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시 알킬기를 나타낸다. X, Y 는 각각 독립적으로 수소원자 또는 불소원자를 나타낸다. r 및 s 는 0 부터 3 의 정수이다.) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종 화합물과, 하기 일반식 (8)
    (식중, R2는 수소원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 16 의 알콕시기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시알킬기를 나타낸다. 그리고, 고리 L, 고리 M, 및 고리 N 은 각각 독립적으로 1, 4 - 페닐렌, 1, 4 - 시클로헥실렌, 2, 5 - 피리딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥산디일을 나타낸다. Z1, Z2및 Z3은 각각 독립적으로 -COO- , -OCO-, -OCH2-, CH2O-, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알케닐렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알키닐렌기 또는 단일 결합을 나타낸다. W1은 수소원자, 불소원자, 플루오로 메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 플루오로메톡시기, 디플루오로메톡시기, 트리플루오로메톡시기 또는 시아노기를 나타내고, W2및 W3은 각각 독립적으로 수소원자 또는 불소원자를 나타내고, f 는 각각 독립적으로 0 또는 1 을 나타낸다) 로 표시되는 화합물 또는 하기 일반식 (9)
    [화 9]
    (식중 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 16 의 알콕시기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시알킬기를 나타낸다. 고리 L, 고리 M, 고리 N 및 고리 P 는 각각 독립적으로 1, 4 - 페닐렌 및 1, 4 - 시클로헥실렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥사디일을 나타낸다. Z1, Z2및 Z3은 각각 독립적으로 -COO-, -OCO-, -OCH2-, -CH2O-, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알케닐렌기, 탄소수 2 ∼ 5 의 알키닐렌기 또는 단일결합을 나타낸다. f 는 각각 독립적으로 0 또는 1 을 나타낸다.) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  5. 상기 일반식 (5) 및 일반식 (6) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물. 상기 일반식 (7) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물 및 상기 일반식 (8) 및 일반식 (9) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  6. 상기 일반식 (5) 및 일반식 (6) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물 및 상기 일반식 (8) 및 일반식 (9) 로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 상기 일반식 (4) 로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물로서, 단, 상기 일반식 (4) 에 있어서, 고리 C, 고리 D, 고리 E 및 고리 F 중 적어도 하나의 고리가 불소원자로 치환되어 있는 1, 4 - 페닐렌, 1, 4 - 시클로헥실렌, 4, 1 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 시클로헥셀렌, 5, 2 - 시클로헥셀렌, 3, 6 - 시클로헥셀렌, 6, 3 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일, 5, 2 - 피리딘디일, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥산디일인 화합물을 적어도 1 종 함유하는 액정 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 상기 일반식 (4) 에 있어서, 고리 F 는 불소 원자로 치환되어 있어도 좋은 1, 4 - 시클로헥실렌, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥산디일인 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
  9. 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도1 종의 화합물과, 하기 일반식 (10)
    (식중, 고리 C, 고리 D, 고리 E, R2, R3, Z1, Z2, Z3, J, a, b, c 및 d 는 상기 일반식 (4) 기재의 것과 같은 의미를 나타낸다.) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 으로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 상기 일반식 (4) 에 있어서, 고리 F 는 불소원자로 치환되어 있어도 좋은, 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리미딘디일 또는 5, 2 - 피리딘디일인 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
  11. 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 으로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 하기 일반식 (11)
    (식중, R2, J, 고리 C 및 고리 D 는 상기 일반식 (4) 기재의 것과 같은 의미를 나타낸다. a 또는 g 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이며, f 는 0, 1 또는 2 이다. 단 R2가 알콕시기인 경우는 a 는 0 이다. 또 R2가 알콕시기가 아닌 경우에 있어서, g 가 1 이며, 고리 C 가, 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일 또는 5, 2 - 피리딘디일인 경우, a 는 1 이며, 또 일반식 (1) 및 (2) 에 포함되는 것은 제외한다.) 로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
  12. 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2)으로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 하기 일반식 (12)
    (식중, R2, J, 고리 C, 고리 D, a, g 및 f 는 상기 일반식 (11) 기재의 것과, R3, K 는 상기 일반식 (4) 기재의 것과 각각 같은 의미를 나타낸다. e 는 R3이 알콕시기일때 0 이며, 그 외의 것일때는 1 을 나타낸다. 단, 일반식 (1) 및 (2)에 포함되는 것을 제외한다.) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
  13. 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 하기 일반식 (13)
    (식중, R2, J, 고리 C, 고리 D, a, g 및 f 는 상기 일반식 (11) 기재의 것과 같은 의미를 나타낸다. 단, R2가 알콕시기인 경우는, a 는 0 이다. 또 R2가 알콕시기가 아닌 경우에 있어서, g 가 1 이며 고리 C 가 1, 4 - 페닐렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 피리딘디일 또는 5, 2 - 피리딘디일인 경우, a 는 1 이며, 또 일반식 (1) 및 (2) 에 포함되는 것은 제외한다.) 및 하기 일반식 (14)
    (식중, R2, J, 고리 C, a, g, R3, K, e 및 f 는 상기 일반식 (11) 기재의 것과 같은 의미를 나타낸다. h 는 0 또는 1 을 나타낸다. 단, 일반식 (1) 및 (2) 에 포함되는 것은 제외한다.) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 일반식 (1) 및 일반식 (2) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 상기 일반식 (4) 에 있어서, 고리 F 는 불소원자로 치환되어 있어도 좋은 1, 4 - 시클로헥셀렌, 4, 1 - 시클로헥셀렌, 2, 5 - 시클로헥셀렌, 5, 2 - 시클로헥셀렌, 3, 6 - 시클로헥셀렌, 6, 3 - 시클로헥셀렌의 어느 하나를 나타내는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
  15. 상기 일반식 (5), 일반식 (6) 및 일반식 (7) 로 표시되는 화합물로 부터 적어도 1 종과 하기 일반식 (15)
    (식중 R2는 수소원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 16 의 알콕시기 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 알콕시알킬기를 나타내고, 고리 L 및 고리 M 은 각각 독립적으로 1, 4 - 페닐렌, 1, 4 - 시클로헥실렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥산디일을 나타내고, W1은 수소원자, 불소원자, 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 플루오로메톡시기, 디플루오로메톡시기, 트리플루오로메톡시기 또는 시아노기를 나타내고, W2및 W3는 각각 독립적으로 수소원자 또는 불소원자를 나타내고, f 는 0 또는 1 을 나타낸다.) 로 표시되는 화합물 또는 하기 일반식 (16)
    (식중, R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 12 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 16 의 알콕시기 또는 탄소수 2 ∼ 16 알콕시 알킬기를 나타내고, 그리고, 고리 L, 고리 M 및 N 은 각각 독립적으로 1, 4 - 페닐렌, 1, 4 - 시클로헥실렌, 2, 5 - 피리미딘디일, 5, 2 - 피리미딘디일, 2, 5 - 디옥산디일 또는 5, 2 - 디옥산디일을 나타내고, f 는 0 또는 1 을 나타낸다.) 로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
  16. 상기 일반식 (5) 및 일반식 (6) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물, 상기 일반식 (7) 로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물 및 상기 일반식 (15) 및 일반식 (16) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
  17. 상기 일반식 (5) 및 일반식 (6) 으로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물과 상기 일반식 (15) 및 일반식 (16) 으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
  18. 제 1 항 부터 17 항에 기재된 액정 조성물로 부터 선택되는 적어도 1 종의 액정 조성물을 한쌍의 전극기반 사이에 끼어 지지하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 소자.
  19. 제 1 항에 있어서, R 이 불소화된 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시알킬기, 또는 R1, R2또는 R3가 불소화된 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 또는 알콕시알킬기인 액정 조성물.
  20. 제 4 항에 있어서, R 이 불소화된 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시알킬기, 또는 R1또는 R2가 불소화된 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 또는 알콕시알킬기인 액정 조성물.
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