KR100375989B1 - 과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한고속차단제어장치 - Google Patents

과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한고속차단제어장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전력제어장치(Magnetic Contactor, SSR, TPR 등), 전력차단장치(NFB, FUSE 등), 전력변환장치(VVCF, VVVF 등) 등이 운용될 때 단락, 지락, 과부하 등에 의해 부하에 사고의 발생을 방지하기 위한 과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한 고속차단제어장치에 관한 것으로서, 상기 고속전원차단장치(200)는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)에 직렬 연결된 저항에서 출력되는 전압을 입력받아 기준전압과 비교하여 출력하는 비교부(210)와, 상기 비교부(210)에서 출력되는 신호를 입력받아 논리곱하여 출력하는 게이트부(220)와, 상기 게이트부(220)에서 출력되는 신호중 일단부는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)의 게이트단자에 신호를 인가하여 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)를 온,오프하도록 스위칭하는 스위칭부(250)와, 상기 게이트부(220)에서 출력되는 다른 신호를 입력받아 시스템을 리셋하는 리셋부(230)와, 상기 리셋부(230)에서 출력되는 신호를 입력받아 절연을 유지하면서 스위칭하는 포토스위치부(240)로 구성되어 있다.

Description

과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한 고속차단제어장치{HIGH SPEED CUT-OFF APPARATUS FOR PREVENTING DAMAGE OF LOAD OWING TO EXCESSIVE CURRENT}
본 발명은 과전류로 인한 부하의 파손 또는 전력사고를 방지하기 위한 고속차단제어장치에 관한 것으로서, 특히 각종 전력제어장치(Magnetic Contactor, SSR, TPR 등), 전력차단장치(NFB, FUSE 등), 전력변환장치(VVCF, VVVF 등) 등이 운용될 때 단락, 지락, 과부하 등에 의해 부하에 사고가 발생하여 사고전류가 흐를경우 이로인한 파급효과로서 아크(Arc)에 의한 화재, 폭발, 인체사고, 제어소자 파괴 등이 일어나 막대한 피 해를 입히게 되므로 이를 사고전류가 증가하기 전에 고속차단하여 제어기기류 보호 및 각종 전력사고를 방지하는 과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한 고속차단제어장치에 관한 것이다.
종래에 사고전류를 차단하기 위해서는 하기와 같이 크게 2가지 방법이 사용되고 있으며, 차단기류에서 보면, 첫째는, 퓨즈(FUSE)를 이용한 방법이며 이는 허용전류 이상의 과전류가 흐를경우 퓨즈(FUSE)가 가지는 고유한 저항값에 의해 열이 발생하게 되고 이 열에 의해 퓨즈(FUSE)가 용융되어 끊어짐으로써 전류를 차단시키게 된다.
특히 반도체소자 보호용으로 고속차단퓨즈(Rapid FUSE)가 개발되어 있으나 과전류에 비교적 강한 싸리이스터(Thyristor)류는 보호가 되지만 기타 반도체 제어소자들은 보호가 어렵다. 또한 퓨즈(FUSE)는 재사용이 불가함으로 신속한 복구가 어려운 문제점이 있었다.
그리고 둘째는, 상기한 퓨즈(FUSE)의 재사용이 불가한 단점을 보완하기 위해 개발된 배선용차단기(NFB)로써 이는 과전류가 흐르게되면 바이메탈 혹은 전자석이 트립장치를 작동시켜 접점을 분리시킨다. 또한 배선용차단기(NFB)는 과전류가 흘러 트립(Trip)가 되었더라도 손쉽게 복귀를 시킬 수 있다. 그러나 전류를 차단시키는 과정이 기계적인 작동에 의해 이루어지므로 퓨즈(FUSE) 보다 차단속도가 느려 단락사고시에는 이미 전류가 포화된 상태에서 차단되는 문제점이 있었다.
또한, 제어기기류에 있어서 보면, 각종 접촉기(Contactor)류 즉전자접촉기(Magnetic Contactor), 릴레이(Relay)는 현재 가장 널리 사용되고 있으나 기계적 작동을 하는 관계로 각종 부품의 마모가 발생하여 수명이 짧고 여러요인에 의해 접점의 접촉불량이 발생할 경우 화재사고등이 발생할 수 있으므로 정기적인 점검관리가 필요하다.
상기한 접촉기(Contactor)류의 단점을 보완하기 위해 반도체소자를 이용한 무접점 릴레이(SSR)가 개발되었다. 무접점 릴레이(SSR)는 기계적 접점대신 반도체소자를 사용하기 때문에 수명이 반영구적이지만 부하에 단락사고 혹은 순간적인 과전류가 흐를경우 소자가 파괴되므로 제한적으로 사용되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 각종 전력제어장치(Magnetic Contactor, SSR, TPR 등) 등이 사용될 경우 단락, 지락, 과부하 등에 의해 부하에 사고가 발생하여 사고전류가 흐를 경우 이로인한 파급효과로서 아크(Arc)에 의한 화재, 폭발, 인체사고, 제어소자 파괴 등이 일어나 막대한 피 해를 입히게 되므로 이를 사고전류가 증가하기 전에 고속차단하여 제어기기류 보호 및 각종 전력사고를 방지하는 과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한 고속차단제어장치를 제공하는데 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 과전류로 인한 부하의 파손 또는 전력사고를 방지하기 위한 고속차단제어장치는, 시스템을 제어하는 시스템제어부와, 상기 시스템제어부에 연결되어 있으면서 비상사태시 고속으로 차단하도록 제어하는 복수개의고속전원차단장치와, 상기 복수개의 고속전원차단장치에 각각 연결되어 있는 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)와, 상기 전력반도체소자(FET1 내지 FET6) 사이에 연결되어 있는 복수개의 저항(R1 내지 R6)으로 구성되어 있는 과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한 고속차단제어장치에 있어서,
상기 고속전원차단장치는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)에 직력 연결된 저항에서 출력되는 전압을 입력받아 기준전압과 비교하여 출력하는 비교부와, 상기 비교부에서 출력되는 신호를 입력받아 논리곱하여 출력하는 게이트부와, 상기 게이트부에서 출력되는 신호중 일단부는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)의 게이트단자에 신호를 인가하여 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)를 온,오프하도록 스위칭하는 스위칭부와, 상기 게이트부에서 출력되는 다른 신호를 입력받아 시스템을 리셋하는 리셋부와, 상기 리셋부에서 출력되는 신호를 입력받아 절연을 유지하면서 스위칭하는 포토스위치부로 구성되어 있다.
그리고 본 발명의 상기 비교부에는 A점에서 출력되는 전압을 -단자에서 입력받고, 기준전압을 +단자에서 입력받아 이들의 값을 비교하여 출력하는 비교기와, C점에서 출력되는 신호를 -단자에서 입력받고, 기준전압을 +단자에서 입력받아 이들의 값을 비교하여 출력하는 비교기로 구성되어 있다.
그리고 본 발명의 상기 시스템제어부에서 출력되는 신호를 입력받아 스위칭하는 포토스위치부와, 상기 포토스위치부의 스위칭에 따라 신호를 반전하는 복수개의 낫게이트와, 상기 복수개의 낫게이트에 의해서 반전된 신호를 베이스단자에서입력받아 스위칭하는 스위칭부로 구성되어 있는 회생전류제어부을 추가로 구성하고 있는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 과전류로 인한 부하의 파손 또는 전력사고를 방지하기 위한 고속차단제어장치는, 시스템을 제어하는 시스템제어부와, 상기 시스템제어부에 연결되어 있으면서 비상사태시 고속으로 차단하도록 제어하는 복수개의 고속전원차단장치와, 상기 복수개의 고속전원차단장치에 각각 연결되어 있는 복수개의 전력반도체소자(FET1,FET3,FET5)와, 상기 전력반도체소자(FET1,FET3,FET5) 사이에 연결되어 있는 복수개의 저항(R1,R3,R5)과, 상기 시스템제어부에 연결되어 있으면서 비상사태시 고속으로 차단하도록 제어하는 복수개의 고속전원차단장치와, 상기 복수개의 고속전원차단장치에 각각 연결되어 있는 복수개의 전력반도체소자(FET2,FET4,FET6)와, 상기 전력반도체소자(FET2,FET4,FET6) 사이에 연결되어 있는 복수개의 저항(R2,R4,R6)으로 구성되어 있는 과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한 고속차단제어장치에 있어서,
상기 고속전원차단장치는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1,FET3,FET5)에 직렬 연결된 저항에서 출력되는 전압을 입력받아 기준전압과 비교하여 출력하는 비교부와, 상기 비교부에서 출력되는 신호를 입력받아 논리곱하여 출력하는 게이트부와, 상기 게이트부에서 출력되는 신호중 일단부는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1,FET3,FET5)의 게이트단자에 신호를 인가하여 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1,FET3,FET5)를 온,오프하도록 스위칭하는 스위칭부와, 상기 게이트부에서 출력되는 다른 신호를 입력받아 시스템을 리셋하는 리셋부와, 상기 리셋부에서 출력되는 신호를 입력받아 절연을 유지하면서 스위칭하는 포토스위치부로 구성되어 있으며,
상기 고속전원차단장치는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET2,FET4,FET6)에 직렬로 연결된 저항에서 출력되는 전압을 입력받아 기준전압과 비교하여 출력하는 비교부와, 상기 비교부에서 출력되는 신호를 입력받아 논리곱하여 출력하는 게이트부와, 상기 게이트부에서 출력되는 신호중 일단부는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET2,FET4,FET6)의 게이트단자에 신호를 인가하여 상기 복수개의 전력반도체소자(FET2,FET4,FET6)를 온,오프하도록 스위칭하는 스위칭부와, 상기 게이트부에서 출력되는 다른 신호를 입력받아 시스템을 리셋하는 리셋부와, 상기 리셋부에서 출력되는 신호를 입력받아 절연을 유지하면서 스위칭하는 포토스위치부로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 대한 단락 및 과전류 고속차단기와 전력변환장치(VVCF)를 표시하는 개략적인 블록도이며,
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 대한 모터(Motor)용 전력변환장치(VVCF)를 표시하는 도면이며,
도 3은 고속전원차단장치에 대한 구체적인 회로도이며,
도 4는 다른 고속전원차단장치에 대한 구체적인 회로도이며,
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예인 전력변환장치(VVVF)를 나타내는 개략적인 블록도이며,
도 6은 전력변환장치(VVVF)에 대한 고속전원차단장치의 구체적인 회로도이며,
도 7은 전력변환장치(VVVF)에 대한 고속전원차단장치의 구체적인 회로도이며,
도 8은 도 3의 실시예에 따른 동작을 설명하는 타이밍차트이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 시스템제어부
200, 400, 500 : 고속전원차단장치
210, 510 : 비교부
212, 214, 410 : 비교기
220, 420, 520 : 게이트부
222, 224 : 낸드게이트
230, 430, 530 : 리셋부
240, 310, 440, 540 : 포토스위치부
250, 330, 450, 550 : 스위칭부
300 : 회생전류제어부
320 : 낫게이트
본 발명의 과전류로 인한 부하의 파손 또는 전력사고를 방지하기 위한 고속차단제어장치에 대한 구체적인 구성은 첨부도면을 통하여 기술하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 대한 개략적인 블록도로서, 100은 시스템을 제어하는 시스템제어부이고, 상기 시스템제어부(100)에 연결되어 있으면서 비상사태시 고속으로 차단하도록 제어하는 복수개의 고속전원차단장치(200)와, 상기 복수개의 고속전원차단장치(200)에 각각 연결되어 있는 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)와, 상기 전력반도체소자(FET1 내지 FET6) 사이에 연결되어 있는 복수개의저항(R1 내지 R6)으로 구성되어 있다.
상기 고속전원차단장치(200)는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)에 직렬로 연결되어 있는 복수개의 저항(R1 내지 R6)과, 상기 저항(R1 내지 R6)에서 출력되는 전압을 입력받아 기준전압과 비교하여 출력하는 비교부(210)와, 상기 비교부(210)에서 출력되는 신호를 입력받아 논리곱하여 출력하는 게이트부(220)와, 상기 게이트부(220)에서 출력되는 신호중 일단부는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)의 게이트단자에 신호를 인가하여 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)를 온,오프하도록 스위칭하는 스위칭부(250)와, 상기 게이트부(220)에서 출력되는 다른 신호를 입력받아 시스템을 리셋하는 리셋부(230)와, 상기 리셋부(230)에서 출력되는 신호를 입력받아 절연을 유지하면서 스위칭하는 포토스위치부(240)로 구성되어 있다.
상기 비교부(210)에는 A점에서 출력되는 전압을 -단자에서 입력받고, 기준전압을 +단자에서 입력받아 이들의 값을 비교하여 출력하는 비교기(212)와, C점에서 출력되는 전압을 -단자에서 입력받고, 기준전압을 +단자에서 입력받아 이들의 값을 비교하여 출력하는 비교기(214)로 구성되어 있다.
그리고 상기 게이트부(220)에는 상기 비교기(212, 214)에서 출력되는 신호를 입력받아 처리하는 낸드게이트(222)와, 상기 비교기(212, 214) 및 포토스위치부(240)에서 출력되는 신호를 입력받아 처리하는 낸드게이트(224)로 구성되어 있다.
그리고 상기 스위칭부(250)에는 상기 낸드게이트(224)에서 출력되는 신호를베이스단자에서 입력받아 스위칭하는 것으로서 복수개의 트랜지스터(TR1 내지 TR6)로 구성되어 있는 것이다.
그리고 본 발명의 다른 실시예인 도 2는 도 1의 실시예에 회생전류제어부(300)와 모터가 추가되어 있는 것이며, 그외의 부분은 상기에 기술한 일실시예와 동일하다.
상기 회생전류제어부(300)의 구성은 도 4에 구체적으로 도시되어 있으며, 외부에서 입력되는 신호를 입력받아 스위칭하는 포토스위치부(310)와, 상기 포토스위치부(310)의 스위칭에 따라 신호를 반전하는 복수개의 낫게이트(320)와, 상기 복수개의 낫게이트(320)에 의해서 반전된 신호를 베이스단자에서 입력받아 트랜지스터(TR19 내지 TR27)을 스위칭하는 스위칭부(330)로 구성되어 있다.
그리고 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예이며, 상기에 기술한 실시예와 차이점은 고속전원차단장치(400) 및 고속전원차단장치(500)를 구성하는 구성부재의 개수에서 차이가 있다는 것이다. 즉, 도 1, 2는 입력된 교류전원에 대하여 출력의 전압만이 가변되는 VVCF인 반면에, 도 5에 도시된 구성은 직류전원을 교류전원으로 변환하고 주파수까지 변환하는 VVVF 또는 인버터(Inverter)이다.
즉, 상기 고속전원차단장치(400)는 도 6에 구체적으로 도시되어 있으며, 외부에서 입력되는 신호에 따라 전력반도체소자(FET1)가 동작하여 A점의 전압이 출력되면, 이러한 전압을 -단자에 입력받고 +단자는 가변저항을 통해 출력되는 기준전압을 통해서 이들의 값을 비교하여 출력하는 비교기(410)와, 상기 비교기(410)에서 출력되는 신호를 입력받아 논리연산하여 출력하는 게이트부(420)와, 상기게이트부(420)에서 출력하는 신호를 입력받아 시스템을 리셋하는 리셋부(430)와, 상기 리셋부(430)에서 출력되는 신호와 외부의 신호를 입력받아 스위칭하는 포토스위치부(440)와, 상기 게이트부(420)에서 출력되는 신호를 입력받아 상기 전력반도체소자(FET1)의 온,오프를 스위칭하는 스위칭부(450)로 구성되어 있다.
그리고 상기 고속전원차단장치(500)는 도 7에 도시된 바와 같이, 상기에서 기술한 실시예와 비슷하며, 다만 차이점은 비교기 등이 3쌍으로 구성되어 있다는 점이다.
상기 고속전원차단장치(500)는 도 7에 구체적으로 도시되어 있으며, 외부에서 입력되는 신호에 따라 전력반도체소자(FET2,FET4,FET6)가 동작하여 A,B,C점의 전압이 출력되면, 이러한 전압을 -단자에 입력받고 +단자는 가변저항을 통해 출력되는 기준전압을 통해서 이들의 값을 비교하여 출력하는 비교부(510)와, 상기 비교부(510)에서 출력되는 신호를 입력받아 논리연산하여 출력하는 게이트부(520)와, 상기 게이트부(520)에서 출력하는 신호를 입력받아 시스템을 리셋하는 리셋부(530)와, 상기 리셋부(530)에서 출력되는 신호와 외부의 신호를 입력받아 스위칭하는 포토스위치부(540)와, 상기 게이트부(520)에서 출력되는 신호를 입력받아 상기 전력반도체소자(FET2,FET2,FET6)의 온,오프를 스위칭하는 스위칭부(550)로 구성되어 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 일실시예인 도 1,2 및 도 8을 참고로를 설명하면,전력반도체소자(FET1, FET2)가 도통상태이고 전원입력단자(R)에 +가 인가될 경우에는, 전류의 흐름은 전원입력단자(R)를 통해서 전력반도체소자(FET1) - 저항(R1) - 저항(R2) - 다이오드(D2) - 출력(U) 방향으로 흐르게 된다.
이와 같이 전류가 흐르는 상태에서, 단락 또는 과전류가 발생하게 되면 GND(A)를 기준으로 하여 A전위는 + 전위의 과전압이 나타나게 되고 이 전압은 비교기(212) -단자(반전입력)에 인가된다.
이때 가변저항(VR1)에 설정된 전압(1)의 기준전압 보다 상기 A점에서 입력되는 전압이 높을 경우 비교기(212)의 출력은 로우가 되고 낸드게이트(224)는 입력이 적어도 하나 이상 로우이므로 구동신호 출력(E점)는 하이가 된다.
이와 같이 출력되는 신호는 트랜지스터(TR5)(TR6)를 오프시키게 되고, 이어서 트랜지스터(TR1)(TR3)는 오프가 되며, 한편 트랜지스터(TR2)(TR4)는 베이스에 인가되는 전압이 로우이므로 온 이 된다.
이에 따라 상기 전력반도체소자(FET1, FET2)의 게이트전압(24)(25)이 -가 되어 전력반도체소자(FET1, FET2)는 차단된다.
이와는 반대로, 전원입력단자(R)에 -가 인가될 경우에는, 전류의 흐름은 출력(U) - 전력반도체소자(FET2) - 저항(R2) - 저항(R1) - 다이오드(D1) - 전원입력단자(R) 방향으로 흐르게 되며 이때 단락 또는 과전류가 발생하게 되면 GND(B점)를 기준으로 하여 C점의 전위는 + 전위의 과전압이 나타나게 되고 이 전압은 비교기(214)에 인가된다.
이때 가변저항(VR1)에 설정된 전압보다 높을 경우 비교기(214)의 고장신호 출력(G점)는 로우가 되고 낸드게이트(224)는 입력이 적어도 하나이상 로우 이므로 구동신호 출력(E점)는 하이가 되고 트랜지스터(TR5)(TR6)는 오프가 되어 콜렉터 전압(22)(23)는 -가 되므로 트랜지스터(TR1)(TR3)는 오프가 된다.
이에 따라서 트랜지스터(TR2)(TR4)가 온이되고 전력반도체소자(FET1, FET2)의 게이트전압(24)(25)가 -가 되므로 전력반도체소자(FET1)(FET2)는 차단된다.
그리고 도 2에 도시된 다른 실시예의 구성도 상기의 실시예와 비슷하며, 다만, 모터(Motor)를 구동하기 위해 전력반도체소자(FET7,FET8,FET9)와 다이오드(D7)(D8)(D9) 및 회생전류제어부(300)로 구성된 회생전류 제어부로서, 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)가 오프일 때 전력반도체소자(FET7 내지 FET9)가 온이 되어 모터(Motor)의 회생전류를 모터(Motor)로 반환하며, 또한 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)가 온일때에는 전력반도체소자(FET7 내지 FET9)가 오프되어 모터(Motor)로 전류가 흐르게 된다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 과전류로 인한 부하의 파손 또는 전력사고를 방지하기 위한 고속차단제어장치는, 각종 전력제어장치(Magnetic Contactor, SSR, TPR 등) 등이 사용될 경우 단락, 지락, 과부하 등에 의해 부하에 사고가 발생하여 사고전류가 흐르게 되는 경우 이로인한 아크(Arc)에 의한 화재, 폭발, 인체사고,제어소자 파괴 등이 일어나 막대한 피 해를 입히게 되므로 이를 사고전류가 증가하기 전에 고속차단하여 제어기기류 보호 및 각종 전력사고를 방지하기 위한 발명이다.

Claims (4)

  1. 시스템을 제어하는 시스템제어부(100)와, 상기 시스템제어부(100)에 연결되어 있으면서 비상사태시 고속으로 차단하도록 제어하는 복수개의 고속전원차단장치(200)와, 상기 복수개의 고속전원차단장치(200)에 각각 연결되어 있는 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)와, 상기 전력반도체소자(FET1 내지 FET6) 사이에 연결되어 있는 복수개의 저항(R1 내지 R6)으로 구성되어 있는 과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한 고속차단제어장치에 있어서,
    상기 고속전원차단장치(200)는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)에 직렬로 연결되어 있는 복수개의 저항(R1 내지 R6)에서 출력되는 전압을 입력받아 기준전압과 비교하여 출력하는 비교부(210)와, 상기 비교부(210)에서 출력되는 신호를 입력받아 논리곱하여 출력하는 게이트부(220)와, 상기 게이트부(220)에서 출력되는 신호중 일단부는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)의 게이트단자에 신호를 인가하여 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1 내지 FET6)를 온,오프하도록 스위칭하는 스위칭부(250)와, 상기 게이트부(220)에서 출력되는 다른 신호를 입력받아 시스템을 리셋하는 리셋부(230)와, 상기 리셋부(230)에서 출력되는 신호를 입력받아 절연을 유지하면서 스위칭하는 포토스위치부(240)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한 고속차단제어장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 비교부(210)에는 A점에서 출력되는 신호를 -단자에서 입력받고, 기준전압을 +단자에서 입력받아 이들의 값을 비교하여 출력하는 비교기(212)와, C점에서 출력되는 신호를 -단자에서 입력받고, 기준전압을 +단자에서 입력받아 이들의 값을 비교하여 출력하는 비교기(214)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한 고속차단제어장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 시스템제어부(100)에서 출력되는 신호를 입력받아 스위칭하는 포토스위치부(310)와, 상기 포토스위치부(310)의 스위칭에 따라 신호를 반전하는 복수개의 낫게이트(320)와, 상기 복수개의 낫게이트(320)에 의해서 반전된 신호를 베이스단자에서 입력받아 스위칭하는 스위칭부(330)로 구성되어 있는 회생전류제어부(300)을 추가로 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한 고속차단제어장치.
  4. 시스템을 제어하는 시스템제어부(100)와, 상기 시스템제어부(100)에 연결되어 있으면서 비상사태시 고속으로 차단하도록 제어하는 복수개의 고속전원차단장치(400)와, 상기 복수개의 고속전원차단장치(400)에 각각 연결되어 있는 복수개의 전력반도체소자(FET1,FET3,FET5)와, 상기전력반도체소자(FET1,FET3,FET5) 사이에 연결되어 있는 복수개의 저항(R1,R3,R5)과, 상기 시스템제어부(100)에 연결되어 있으면서 비상사태시 고속으로 차단하도록 제어하는 복수개의 고속전원차단장치(500)와, 상기 복수개의 고속전원차단장치(500)에 각각 연결되어 있는 복수개의 전력반도체소자(FET2,FET4,FET6)와, 상기 전력반도체소자(FET2,FET4,FET6) 사이에 연결되어 있는 복수개의 저항(R2,R4,R6)으로 구성되어 있는 과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한 고속차단제어장치에 있어서,
    상기 고속전원차단장치(400)는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1,FET3,FET5)에 직렬로 연결되어 있는 복수개의 저항(R1,R3,R5)에서 출력되는 전압을 입력받아 기준전압과 비교하여 출력하는 비교부(410)와, 상기 비교부(410)에서 출력되는 신호를 입력받아 논리곱하여 출력하는 게이트부(420)와, 상기 게이트부(420)에서 출력되는 신호중 일단부는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1,FET3,FET5)의 게이트단자에 신호를 인가하여 상기 복수개의 전력반도체소자(FET1,FET3,FET5)를 온,오프하도록 스위칭하는 스위칭부(450)와, 상기 게이트부(420)에서 출력되는 다른 신호를 입력받아 시스템을 리셋하는 리셋부(430)와, 상기 리셋부(430)에서 출력되는 신호를 입력받아 절연을 유지하면서 스위칭하는 포토스위치부(440)로 구성되어 있으며,
    상기 고속전원차단장치(500)는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET2,FET4,FET6)에 직렬로 연결되어 있는 복수개의 저항(R2,R4,R6)에서 출력되는 전압을 입력받아 기준전압과 비교하여 출력하는 비교부(510)와, 상기 비교부(510)에서 출력되는 신호를 입력받아 논리곱하여 출력하는 게이트부(520)와, 상기 게이트부(520)에서 출력되는 신호중 일단부는 상기 복수개의 전력반도체소자(FET2,FET4,FET6)의 게이트단자에 신호를 인가하여 상기 복수개의 전력반도체소자(FET2,FET4,FET6)를 온,오프하도록 스위칭하는 스위칭부(550)와, 상기 게이트부(520)에서 출력되는 다른 신호를 입력받아 시스템을 리셋하는 리셋부(530)와, 상기 리셋부(530)에서 출력되는 신호를 입력받아 절연을 유지하면서 스위칭하는 포토스위치부(540)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 과전류로 인한 부하의 파손을 방지하기 위한 고속차단제어장치.
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