KR100361573B1 - Brush unit of chemical mechanical polishing system - Google Patents

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Abstract

터브의 원주상에 다수개 설치된 롤러 가이드에 의해 웨이퍼를 지지하며, 터브 내부의 하부 브러쉬 및 브러쉬 암에 설치된 상부 브러쉬로 웨이퍼를 압착하며, 상, 하부 브러쉬를 회전함과 동시에 순수 분사노즐을 통해 순수를 분사하여 웨이퍼를 세정하는 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛에 있어서, 터브 내부에 설치되어 웨이퍼가 롤러 가이드에 정확히 로딩되었는지를 검출하는 다수개의 웨이퍼 검출수단과, 모든 웨이퍼 검출수단으로부터 웨이퍼 검출 신호가 인가되면 웨이퍼가 롤러 가이드에 정확히 로딩된 것으로 판단하여 브러쉬 세정 공정 진행을 위한 제어신호를 출력하며, 그렇지 않으면 미스 로딩된 것으로 판단하여 브러쉬 세정 공정을 중단하기 위한 제어 신호를 출력하는 제어수단과, 제어수단의 제어신호에 따라 브러쉬 세정 공정을 위한 브러쉬 암과 순수 분사노즐, 상, 하부 브러쉬, 브러쉬 암을 동작시키는 구동수단을 더 포함하여, 웨이퍼가 롤러 가이드에 정확히 로딩되지 않고 미스 로딩된 경우 브러쉬 유닛의 작동을 중단하여 브러쉬 세정 공정 및 웨이퍼 언로딩 공정에서 웨이퍼가 브러쉬 암 또는 로봇 암에 의해 파손되는 사고를 미연에 방지한다.The wafer is supported by a plurality of roller guides installed on the circumference of the tub, and the wafer is squeezed by the lower brush inside the tub and the upper brush installed on the brush arm, and the upper and lower brushes are rotated while A brush unit of a chemical mechanical polishing system for cleaning a wafer by spraying a wafer, the wafer unit comprising: a plurality of wafer detection means installed in the tub to detect whether the wafer is correctly loaded in the roller guide, and a wafer detection signal is applied from all the wafer detection means Control means for determining that the wafer is correctly loaded on the roller guide and outputting a control signal for proceeding the brush cleaning process; otherwise, determining that it is miss loaded and outputting a control signal for stopping the brush cleaning process; Brush cleaning process according to the control signal of It further includes a brush arm and a pure spray nozzle, the upper, lower brush, the drive means for operating the brush arm, the brush cleaning process and the wafer by stopping the operation of the brush unit when the wafer is not loaded correctly in the roller guide In the unloading process, the wafer is prevented from being damaged by the brush arm or the robot arm.

Description

화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛{BRUSH UNIT OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM}Brush unit of chemical mechanical polishing system {BRUSH UNIT OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM}

본 발명은 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing) 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화학 기계적 연마 장치에서 화학 기계적 연마된 웨이퍼를 세정하기 위한 브러쉬 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical mechanical polishing system, and more particularly to a brush unit for cleaning a chemical mechanically polished wafer in a chemical mechanical polishing apparatus.

최근 반도체 소자의 고속화 및 고집적화에 따라 다층 배선 구조에 있어서 배선 층수의 증가와 배선 패턴의 미세화에 대한 요구가 갈수록 높아져 다층 배선 기술이 서브 마이크론 공정에서 중요한 과제이다. 그리고, 0.35㎛ 이하의 공정 시대에 들어서면서 미세 패턴 형성을 실현하기 위한 노광 장치의 촛점 심도에 대한 공정 여유가 줄어듦에 따라 충분한 촛점 심도를 확보하기 위하여 칩 영역에 걸친 광역 평탄화 기술이 요구된다. 이와 같은 광역 평탄화를 실현하기 위해 현재 화학 기계적 연마라고 하는 기술이, 반도체 소자 제조 공정에 필수적으로 적용되고 있을 뿐만 아니라 차세대 소자에 대해 활발히 연구가 되어지고 있다. 현재, 화학 기계적 연마 기술은 소자의 고속화를 실현하기 위해 다층 배선이 요구되는 논리형 소자에 많이 적용되고 있으며, 또한 기억형 소자에서도 다층화 되어감에 따라 점차적으로 적용을 하고 있는 추세이다.In recent years, with the increase in the speed and the high integration of semiconductor devices, the demand for increasing the number of wiring layers and miniaturization of wiring patterns in the multilayer wiring structure is increasing, so that the multilayer wiring technology is an important problem in the submicron process. In addition, as the process margin for the depth of focus of the exposure apparatus for realizing fine pattern formation decreases as the process era of 0.35 μm or less is used, a wide area planarization technique over the chip region is required to secure a sufficient depth of focus. In order to realize such a wide area planarization, a technique called chemical mechanical polishing is not only applied to a semiconductor device manufacturing process but also actively researched next generation devices. At present, chemical mechanical polishing technology has been applied to logic devices that require multi-layer wiring in order to realize high speed of devices, and is increasingly applied to memory devices as they are multilayered.

이러한 화학 기계적 연마를 위한 일반적인 공정은 화학 기계적 연마 시스템의 화학 기계적 연마 장치에서 웨이퍼를 화학 기계적 연마하여 광역 평탄화한 후 브러쉬 유닛에서 웨이퍼를 세정하고, SRD(spin rinse dry)에서 건조함으로써 화학 기계적 연마에 의한 웨이퍼의 광역 평탄화 공정이 완료된다.A common process for chemical mechanical polishing is chemical mechanical polishing by chemical mechanical polishing of a wafer in a chemical mechanical polishing system, to planarize a wide area, clean the wafer in a brush unit, and dry it in a spin rinse dry (SRD). The wide area planarization process of the wafer is completed.

그러면, 도 1을 참조하여 화학 기계적 연마 시스템에서 화학 기계적 연마된 웨이퍼를 세정하기 위한 종래 브러쉬 유닛에 대해 개략적으로 설명한다.A conventional brush unit for cleaning a chemical mechanically polished wafer in a chemical mechanical polishing system will now be described with reference to FIG. 1.

도 1에서 알 수 있는 바와 같이 종래 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛은, 터브(tub)(1)의 원주상에 세정 공정을 위하여 로봇 암(미도시)에 의해 로딩되는 웨이퍼를 지지하며 회전 가능하도록 다수의 롤러 가이드(2)가 설치되어 있으며, 터브(1)의 내부에는 상부에 하부 브러쉬(B1)가 설치되어 있으며 제어부(미도시)의 제어 동작에 따라 회전하는 브러쉬 지지부(3)가 설치되어 있다. 그리고, 터브(1) 내부에 웨이퍼의 브러쉬 세정 동안 순수를 분사하기 위한 순수 분사노즐(4)이 설치되어 있다. 또한, 브러쉬 암(5)에는 상부 브러쉬(B2)가 설치되어 있으며, 제어부의 제어 동작에 따라 브러쉬 암(5)이 웨이퍼 측으로 이동하여 상부브러쉬(B2)가 웨이퍼와 접촉되도록 하며 상부 브러쉬(B2)가 회전하도록 한다.As can be seen in FIG. 1, the brush unit of the conventional chemical mechanical polishing system is rotatable while supporting a wafer loaded by a robot arm (not shown) for a cleaning process on the circumference of a tub 1. A plurality of roller guides (2) are installed, the lower brush (B1) is installed on the inside of the tub (1) and the brush support (3) that rotates in accordance with the control operation of the control unit (not shown) is installed have. And the pure water injection nozzle 4 for injecting pure water during the brush cleaning of the wafer is provided in the tub 1. In addition, the brush arm 5 is provided with an upper brush B2, and the brush arm 5 moves to the wafer side according to the control operation of the controller so that the upper brush B2 comes into contact with the wafer and the upper brush B2 To rotate.

이와 같이 구성된 종래의 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛은 로봇 암에 의해 화학 기계적 연마 장치에서 화학 기계적 연마된 웨이퍼가 롤러 가이드(2)에 위치되면 브러쉬 암(5)이 이동하여 상부 브러쉬(B2)를 웨이퍼에 접촉하도록 하고 순수 분사노즐(4)에 의해 순수를 분사함과 동시에 상부 브러쉬(B2)와 하부 브러쉬(B1)를 회전하여 브러쉬 세정 공정을 진행한다. 이때, 웨이퍼는 상부 브러쉬(B2)와 하부 브러쉬(B1)의 회전력에 의해 동시에 회전하게 되어 웨이퍼 전면에서의 균일한 세정이 이루어지며, 롤러 가이드(2)는 웨이퍼의 회전력에 의해 웨이퍼를 지지하며 회전하게 된다.The brush unit of the conventional chemical mechanical polishing system configured as described above moves the brush arm 5 when the wafer chemically polished in the chemical mechanical polishing apparatus by the robot arm is positioned on the roller guide 2 to move the upper brush B2. The brush cleaning process is performed by contacting the wafer and spraying pure water by the pure water spray nozzle 4 while rotating the upper brush B2 and the lower brush B1. At this time, the wafer is rotated at the same time by the rotational force of the upper brush (B2) and the lower brush (B1) to achieve a uniform cleaning on the entire surface of the wafer, the roller guide (2) is supported while rotating the wafer by the rotational force of the wafer Done.

그러나, 종래 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛에서는 로봇 암에 의해 웨이퍼가 롤러 가이드에 로딩될 때, 웨이퍼가 롤러 가이드에 정확히 위치되었는지를 알 수 없었다. 따라서, 웨이퍼가 롤러 가이드에 정확히 위치되지 않은 상태에서 브러쉬 세정 공정을 진행할 경우 브러쉬 암에 웨이퍼가 눌려 웨이퍼가 파손되는 사고가 발생하는 문제점이 있다. 또한, 브러쉬 세정 이후 웨이퍼를 언로딩할 경에도 로봇 암에 웨이퍼가 눌려 웨이퍼가 파손되는 사고가 발생하는 문제점이 있다.However, in the brush unit of the conventional chemical mechanical polishing system, when the wafer was loaded into the roller guide by the robot arm, it was not known whether the wafer was correctly positioned in the roller guide. Therefore, when the brush cleaning process is performed while the wafer is not exactly positioned on the roller guide, there is a problem that the wafer is pressed by the brush arm and the wafer is broken. In addition, even when the wafer is unloaded after the brush cleaning, there is a problem that the wafer is pressed by the robot arm and the wafer is broken.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛에서 브러쉬 롤러에 웨이퍼가 정확히 로딩되었을 경우에만 세정 공정이 진행되도록 하여 미스 로딩에 따른 웨이퍼의 파손 사고를 미연에 방지할 수 있도록 한 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛을 제공하는 데 있다.The present invention is to solve such a problem, the object of the cleaning process is to proceed only when the wafer is correctly loaded on the brush roller in the brush unit of the chemical mechanical polishing system to avoid the accident of the wafer damage due to mis loading It is to provide a brush unit of a chemical mechanical polishing system to prevent.

도 1은 종래 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛을 개략적으로 도시한 것이고,1 schematically illustrates a brush unit of a conventional chemical mechanical polishing system,

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛을 개략적으로 도시한 것이다.2 schematically illustrates a brush unit of a chemical mechanical polishing system according to an embodiment of the present invention.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 터브의 원주상에 다수개 설치된 롤러 가이드에 의해 웨이퍼를 지지하며, 터브 내부의 하부 브러쉬 및 브러쉬 암에 설치된 상부 브러쉬로 웨이퍼를 압착하며, 상부 브러쉬와 하부 브러쉬를 회전함과 동시에 순수 분사노즐을 통해 순수를 분사하여 웨이퍼를 세정하는 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛에 있어서, 상기 터브 내부에 설치되어 상기 웨이퍼가 상기 롤러 가이드에 정확히 로딩되었는지를 검출하는 다수개의 웨이퍼 검출수단과, 상기 모든 웨이퍼 검출수단으로부터 웨이퍼 검출 신호가 인가되면 상기 웨이퍼가 상기 롤러 가이드에 정확히 로딩된 것으로 판단하여 브러쉬 세정 공정 진행을 위한 제어신호를 출력하며, 그렇지 않으면 미스 로딩된 것으로 판단하여 브러쉬 세정 공정을 중단하기 위한 제어 신호를 출력하는 제어수단과, 상기 제어수단의 제어신호에 따라 브러쉬 세정 공정 진행을 위하여 상기 브러쉬 암과 순수 분사노즐, 상, 하부 브러쉬, 브러쉬 암을 동작시키기 위한 구동수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention supports the wafer by a plurality of roller guides installed on the circumference of the tub, compressing the wafer with the upper brush installed on the lower brush and brush arm inside the tub, and the upper brush and A brush unit of a chemical mechanical polishing system that cleans a wafer by spraying pure water through a pure jet nozzle while rotating a lower brush, wherein the brush unit is installed inside the tub to detect whether the wafer is correctly loaded in the roller guide. Two wafer detection means and the wafer detection signal are applied from all the wafer detection means, it is determined that the wafer is correctly loaded in the roller guide and outputs a control signal for proceeding the brush cleaning process, otherwise it is determined to be miss loaded To stop the brush cleaning process Control means for outputting a control signal for the control means, and the drive means for operating the brush arm and the pure spray nozzle, the upper, lower brush, brush arm to proceed with the brush cleaning process according to the control signal of the control means It features.

또한, 본 발명은 상기 제어수단의 브러쉬 세정 공정을 중단하기 위한 제어 신호에 따라 작업자가 상기 웨이퍼의 미스 로딩을 알 수 있도록 경보를 발생하는 경보수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that it further comprises an alarm means for generating an alarm so that the operator knows the miss loading of the wafer in accordance with a control signal for stopping the brush cleaning process of the control means.

상기에서 웨이퍼 검출수단은 근접 센서로 형성된 것이 바람직하며, 상기 근접 센서는 상기 터브 내부의 상기 롤러 가이드 측에 설치된 것이 바람직하다.Preferably, the wafer detection means is formed of a proximity sensor, and the proximity sensor is preferably installed at the roller guide side inside the tub.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛을 개략적으로 도시한 것이다.2 schematically illustrates a brush unit of a chemical mechanical polishing system according to an embodiment of the present invention.

도 2에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛은, 도 1의 종래 브러쉬 유닛의 터브(1) 내부, 바람직하게는 터브(1) 내부의 롤러 가이드(2) 측에 다수의 웨이퍼 검출부(S1, S2)를 설치한다. 이때, 웨이퍼 검출부(S1, S2)는 웨이퍼(W)가 근접하면 작동하는 근접 센서로 형성하는 것이 바람직하며, 근접 센서는 고주파 발진을 응용한 고주파 발진형, 자력을 이용한 자기형 및 전자 유도형 등 다양한 센서를 사용할 수 있다.As can be seen in Figure 2 the brush unit of the chemical mechanical polishing system according to an embodiment of the present invention, the roller guide (in the tub 1, preferably inside the tub 1 of the conventional brush unit of Figure 1) On the side 2), a plurality of wafer detection units S1 and S2 are provided. At this time, the wafer detection unit (S1, S2) is preferably formed as a proximity sensor that operates when the wafer (W) is close, the proximity sensor is a high frequency oscillation type applying high frequency oscillation, magnetic type and magnetic induction type using magnetic force, etc. Various sensors can be used.

그리고, 화학 기계적 연마 시스템의 전체적인 동작을 제어, 바람직하게는 브러쉬 유닛의 동작을 제어하는 제어부(11)는 각각의 웨이퍼 검출부(S1, S2)로부터 검출되는 신호를 분석하여, 모든 웨이퍼 검출부(S1, S2)로부터 웨이퍼 검출 신호가 있으면 웨이퍼가 롤러 가이드(2)에 정확히 위치된 것으로 판단하여 구동부(12)를 동작시킴으로써 웨이퍼(W)의 브러쉬 세정 공정을 진행한다. 그러나, 어느 하나 이상의 웨이퍼 검출부(S1, S2)로부터 웨이퍼 검출 신호가 없으면 웨이퍼(W)가 롤러 가이드(2)에 정확히 위치되지 않아 미스 로딩된 것으로 판단하여 브러쉬 유닛의 구동부(12) 동작을 중단하고 경보부(13)를 통해 경보를 발하여 이를 작업자가 알 수 있도록 한다.Then, the control unit 11 for controlling the overall operation of the chemical mechanical polishing system, preferably for controlling the operation of the brush unit, analyzes the signals detected from the respective wafer detection units S1 and S2, so that all the wafer detection units S1, If there is a wafer detection signal from S2, it is determined that the wafer is correctly positioned on the roller guide 2, and the brush cleaning process of the wafer W is performed by operating the drive unit 12. However, if there is no wafer detection signal from any one or more of the wafer detection units S1 and S2, the wafer W is not correctly positioned in the roller guide 2 and is determined to be miss loaded, thereby stopping the operation of the driving unit 12 of the brush unit. An alarm is issued through the alarm unit 13 so that an operator can know it.

이와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 시스템의브러쉬 유닛을 도 1과 도 2를 참조하여 그 동작 과정에 따라 설명한다.The brush unit of the chemical mechanical polishing system according to the exemplary embodiment of the present invention configured as described above will be described according to an operation process thereof with reference to FIGS. 1 and 2.

화학 기계적 연마 장치에서 화학 기계적 연마된 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여 로봇 암이 웨이퍼(W)를 브러쉬 유닛에 로딩한다. 그러면, 웨이퍼(W)의 로딩 공정에 따라 웨이퍼(W)는 터브(1)의 원주상에 설치된 다수의 롤러 가이드(2)에 위치된다.The robot arm loads the wafer W into the brush unit to clean the chemically polished wafer W in the chemical mechanical polishing apparatus. Then, according to the loading process of the wafer W, the wafer W is located in a plurality of roller guides 2 installed on the circumference of the tub 1.

그리고, 웨이퍼(W) 로딩을 위한 로봇 암의 배출 이후, 웨이퍼 검출부(S1, S2)는 롤러 가이드(2)에 위치된 웨이퍼(W)를 검출하여 그에 따른 웨이퍼 검출 신호를 제어부(11)에 인가한다.After discharging the robot arm for loading the wafer W, the wafer detectors S1 and S2 detect the wafer W located in the roller guide 2 and apply the wafer detection signal accordingly to the controller 11. do.

이때, 웨이퍼(W)가 롤러 가이드(2)에 정확히 위치되어 모든 웨이퍼 검출부(S1, S2)로부터 웨이퍼 검출 신호가 있으면, 제어부(11)는 웨이퍼 검출부(S1, S2)의 웨이퍼 검출 신호에 따라 웨이퍼(W)가 롤러 가이드(2)에 정확히 위치된 것으로 판단하여 웨이퍼(W)의 브러쉬 세정을 위하여 구동부(12)를 동작시킨다. 그러면, 구동부(12)의 동작에 따라 브러쉬 암(5)이 롤러 가이드(2)에 위치된 웨이퍼(W) 측으로 이동하여 상부 브러쉬(B2)가 웨이퍼(W)에 접촉되도록 하고, 순수 분사노즐(4)을 통해 순수를 분사하여 상부 브러쉬(B2)와 하부 브러쉬(B1)를 회전하며 화학 기계적 연마 공정 중 웨이퍼(W)에 발생된 오염원을 제거한다. 이때, 상부 브러쉬(B2)와 하부 브러쉬(B1)의 회전에 의해 웨이퍼(W)는 회전을 하여 웨이퍼(W) 전면에서 균일한 세정이 이루어지며, 롤러 가이드(2)는 웨이퍼(W)의 회전에 의해 회전하며 웨이퍼(W)를 지지하여 준다. 이후, 세정 공정이 완료되면 브러쉬 암(5)이 리턴되고, 로봇 암에 의해 웨이퍼(W)가 롤러 가이드(2)로부터 언로딩된다.At this time, if the wafer W is correctly positioned in the roller guide 2 and there are wafer detection signals from all the wafer detection units S1 and S2, the control unit 11 performs the wafer according to the wafer detection signals of the wafer detection units S1 and S2. It is judged that (W) is correctly positioned on the roller guide 2, and the drive unit 12 is operated for brush cleaning of the wafer (W). Then, the brush arm 5 moves toward the wafer W positioned in the roller guide 2 according to the operation of the driving unit 12 so that the upper brush B2 is in contact with the wafer W, and the pure jet nozzle ( Pure water is sprayed through 4) to rotate the upper brush B2 and the lower brush B1 to remove contaminants generated on the wafer W during the chemical mechanical polishing process. At this time, the wafer W is rotated by the rotation of the upper brush B2 and the lower brush B1 to uniformly clean the wafer W, and the roller guide 2 rotates the wafer W. Rotate by to support the wafer (W). Then, when the cleaning process is completed, the brush arm 5 is returned, and the wafer W is unloaded from the roller guide 2 by the robot arm.

그러나, 웨이퍼(W)가 롤러 가이드(2)에 정확히 위치되지 않아 하나 이상의 웨이퍼 검출부(S1, S2)로부터 웨이퍼 검출 신호가 없으면, 제어부(11)는 웨이퍼 검출부(S1, S2)의 신호에 따라 웨이퍼(W)가 롤러 가이드(2)에 정확히 위치되지 않은 것으로 판단하여 웨이퍼(W)의 브러쉬 세정을 위한 구동부(12)의 동작을 중단함으로써 웨이퍼(W)가 미스 로딩된 상태에서 브러쉬 암(5)이 이동하여 웨이퍼(W)를 누르는 것을 방지하여 웨이퍼(W) 파손을 미연에 방지하며, 더욱이 웨이퍼(W)의 미스 로딩 상태에서 브러쉬 세정 이후 웨이퍼(W)를 언로딩하기 위한 로봇 암의 동작에 따른 웨이퍼(W) 파손 사고를 미연에 방지한다. 그리고, 경보부(13)를 동작시켜 경보를 발생하여 웨이퍼(W)의 미스 로딩 상태를 작업자가 알 수 있도록 한다.However, if the wafer W is not exactly positioned in the roller guide 2 and there is no wafer detection signal from the one or more wafer detection units S1 and S2, the control unit 11 performs the wafer according to the signals of the wafer detection units S1 and S2. The brush arm 5 in the state in which the wafer W is misloaded by stopping the operation of the driving unit 12 for brush cleaning of the wafer W by judging that the W is not correctly positioned in the roller guide 2. This movement prevents the pressing of the wafer W to prevent damage to the wafer W, and furthermore, the operation of the robot arm for unloading the wafer W after brush cleaning in the mis-loaded state of the wafer W. It is possible to prevent the wafer W from being damaged. Then, the alarm unit 13 is operated to generate an alarm so that the operator can know the miss loading state of the wafer W.

이와 같이 본 발명은 브러쉬 세정을 위하여 웨이퍼가 롤러 가이드에 정확히 로딩되었는지를 검출하여 미스 로딩의 경우 브러쉬 유닛의 작동을 중단하여 브러쉬 세정 공정 및 웨이퍼 언로딩 공정에서 웨이퍼가 브러쉬 암 또는 로봇 암에 의해 파손되는 사고를 미연에 방지할 수 있어 브러쉬 세정 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention detects whether the wafer is correctly loaded on the roller guide for brush cleaning and stops the operation of the brush unit in case of miss loading so that the wafer is broken by the brush arm or the robot arm in the brush cleaning process and the wafer unloading process. Accidents can be prevented beforehand, improving the reliability of the brush cleaning process.

Claims (4)

(정정)(correction) 터브의 원주상에 다수개 설치된 롤러 가이드에 의해 웨이퍼를 지지하며, 터브 내부의 하부 브러쉬 및 브러쉬 암에 설치된 상부 브러쉬로 웨이퍼를 압착하며, 상부 브러쉬와 하부 브러쉬를 회전함과 동시에 순수 분사노즐을 통해 순수를 분사하여 웨이퍼를 세정하는 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛에 있어서,The wafer is supported by a plurality of roller guides installed on the circumference of the tub, and the wafer is squeezed by the lower brush inside the tub and the upper brush installed on the brush arm, and the upper brush and the lower brush are rotated at the same time through the pure spray nozzle. In the brush unit of the chemical mechanical polishing system for spraying pure water to clean the wafer, 상기 터브 내부에 설치되어 상기 웨이퍼가 상기 롤러 가이드에 정확히 로딩되었는지를 검출하는 다수개의 웨이퍼 검출수단과;A plurality of wafer detection means installed in the tub to detect whether the wafer is correctly loaded in the roller guide; 상기 모든 웨이퍼 검출수단으로부터 웨이퍼 검출 신호가 인가되면 상기 웨이퍼가 상기 롤러 가이드에 정확히 로딩된 것으로 판단하여 브러쉬 세정 공정 진행을 위한 제어신호를 출력하며, 그렇지 않으면 미스 로딩된 것으로 판단하여 브러쉬 세정 공정을 중단하기 위한 제어신호를 출력하는 제어수단과;When the wafer detection signal is applied from all the wafer detection means, it is determined that the wafer is correctly loaded on the roller guide and outputs a control signal for proceeding the brush cleaning process. Otherwise, the brush cleaning process is stopped by determining that it is miss loaded. Control means for outputting a control signal for performing; 상기 제어수단의 제어신호에 따라 브러쉬 세정 공정 진행을 위하여 상기 브러쉬 암과 순수 분사노즐, 상, 하부 브러쉬, 브러쉬 암을 동작시키기 위한 구동수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛.The brush unit of the chemical mechanical polishing system, characterized in that it further comprises a drive means for operating the brush arm, the pure spray nozzle, the upper and lower brushes, the brush arm in accordance with the control signal of the control means for proceeding the brush cleaning process. . 제 1 항에 있어서, 상기 제어수단의 브러쉬 세정 공정을 중단하기 위한 제어 신호에 따라 작업자가 상기 웨이퍼의 미스 로딩을 알 수 있도록 경보를 발생하는 경보수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛.The chemical mechanical polishing system according to claim 1, further comprising an alarm means for generating an alarm in response to a control signal for stopping the brush cleaning process of the control means so that an operator may know the miss loading of the wafer. Brush unit. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 웨이퍼 검출수단은 근접 센서로 형성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛.3. The brush unit of claim 1 or 2, wherein the wafer detection means is formed of a proximity sensor. 제 3 항에 있어서, 상기 근접 센서는 상기 터브 내부의 상기 롤러 가이드 측에 설치된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템의 브러쉬 유닛.4. The brush unit of claim 3, wherein the proximity sensor is installed on the roller guide side inside the tub.
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