KR100356823B1 - Probe card - Google Patents

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KR100356823B1 KR1020010000361A KR20010000361A KR100356823B1 KR 100356823 B1 KR100356823 B1 KR 100356823B1 KR 1020010000361 A KR1020010000361 A KR 1020010000361A KR 20010000361 A KR20010000361 A KR 20010000361A KR 100356823 B1 KR100356823 B1 KR 100356823B1
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 레벨의 번-인 테스트 장치내에 사용되는 프로브카드에 관한 것이다.The present invention relates to a probe card for use in a wafer level burn-in test apparatus.

본 발명은 웨이퍼 번-인 테스트 장치내에 설치되어 외부 테스트 신호를 제공받아 내부 회로를 경유한 상기 신호를 신호 출력단자를 통해 신호전달 수단으로 전달하는 프로브 보드를 포함하는 프로브 카드에 있어서, 신호전달 수단은 다수개의 관통홀이 형성된 탄성재질의 원판형 몸체와; 각 관통홀 내에 삽설되는 탄성 도전핀으로 이루어지고, 각 탄성 도전핀의 상단 및 하단은 각각 각 신호 출력단자 하면 및 테스트할 웨이퍼의 칩 패드 상면에 접촉되어 테스트 신호를 프로브 보드로부터 웨이퍼의 각 칩 패드로 공급하도록 된 것이 특징이다.A probe card comprising a probe board installed in a wafer burn-in test apparatus for receiving an external test signal and transferring the signal through an internal circuit to a signal transmission means through a signal output terminal. Is a disk-shaped body of elastic material formed with a plurality of through holes; It consists of elastic conductive pins inserted in each through hole, and the upper and lower ends of each elastic conductive pin are in contact with the lower surface of each signal output terminal and the upper surface of the chip pad of the wafer to be tested, so that test signals are transmitted from the probe board to each chip pad of the wafer. It is characterized by being supplied with.

Description

프로브 카드 {PROBE CARD}Probe card {PROBE CARD}

본 발명은 웨이퍼 레벨 번-인 테스트 장치에 사용되는 프로브 카드에 관한 것으로 특히, 웨이퍼 레벨 번-인 테스트를 효과적으로 수행하면서도 연속 사용이 가능하도록 하여 테스트의 정확성 및 경제성을 높인 프로브 카드에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card used in a wafer level burn-in test apparatus, and more particularly, to a probe card that enables continuous use while effectively performing a wafer level burn-in test.

프로브 카드는 회로가 형성된 프로브 보드와, 테스트 할 반도체 칩의 패드와 프로브 보드상의 회로를 전기적으로 연결하는 전기적 연결수단으로 구성되어 테스터와 반도체 칩 패드를 전기적으로 연결하여 반도체 칩의 이상유무를 테스트 할 수 있도록 한 것이다.The probe card consists of a probe board on which a circuit is formed, and an electrical connection means for electrically connecting the pads of the semiconductor chip to be tested and the circuits on the probe board. The probe card electrically connects the tester and the semiconductor chip pad to test whether there is an abnormality of the semiconductor chip. I would have to.

반도체 칩(chip)은 최종 소비자에게 공급되기 이전에 여러 가지 테스트를 거쳐 양질의 제품으로 판명된 경우만 출하가 된다.Semiconductor chips are only shipped if they are tested and found to be of good quality before being shipped to the end consumer.

그중 번-인 테스트(burn-in test)는 일반적인 사용 조건에서는 많은 시간이 소요되므로 사용 조건이 훨씬 열악한 환경에서 제품을 테스트하는 것이다.Among them, the burn-in test takes a lot of time under normal use conditions, so the product is tested in an environment where the use conditions are much worse.

즉, 온도를 높이고(125℃ 이상) 보통 사용전압(5.0V)보다 높은 전압을 인가해 스트레스 전압을 가하므로써 불량이 발생할 가능성이 있는 제품을 정해진 시간내에 가려내는 것이다. 번인 테스트는 제품에 스트레스를 가해서 초기 불량을 사전에 점검한 후 출하하는데 목적이 있으며, 일반적인 번인 테스트는 패케지 레벨에서 실시되었다.In other words, by raising the temperature (above 125 ℃) and applying a voltage higher than the normal operating voltage (5.0V), a product that is likely to cause defects is selected within a predetermined time. The burn-in test is intended to stress the product and to check for the initial failure before shipping, and the general burn-in test was carried out at the package level.

하지만, 근래에 와서는 웨이퍼 가공상태에서 칩의 불량을 초기에 판별할 수 있는 웨이퍼 레벨에서의 번인 테스트가 일반화되고 있다.However, in recent years, the burn-in test at the wafer level which can discriminate the defect of a chip | tip early in a wafer processing state is common.

웨이퍼 레벨에서의 번인 테스트를 위해서는 웨이퍼 상에 형성된 전체 칩의 테스트가 한번에 가능해야 하므로 웨이퍼에 형성된 전체 칩을 테스트 할 수 없었던 종래의 프로브 니들(probe needle)이 형성된 구조의 프로브 카드를 개선한 풀 컨택(full contact)용 즉, 웨이퍼 상의 모든 칩을 한 번에 테스트 할 수 있는 여러 가지 프로브 카드가 개발되어 왔다.Burn-in testing at the wafer level requires testing of all chips formed on the wafer at one time, so a full contact improves on a probe card with a conventional probe needle structure that could not test the entire chip formed on the wafer. Several probe cards have been developed for full contact, ie to test all the chips on a wafer at once.

이하, 웨이퍼(9) 레벨 번인 테스트를 위한 종래의 프로브 카드의 구조에 대해 설명한다.The structure of a conventional probe card for wafer 9 level burn-in test will now be described.

도 1a는 프로브 보드의 상면이 보이도록 도시된 사시도이며 도 1b는 프로브 보드의 하면이 보이도록 도시된 사시도이다. 또, 도 2는 종래의 프로브 카드에서 사용된 접촉 시트의 일부 사시도이고, 도 3a는 종래의 프로브 카드의 분해 단면도이며 도 3b는 웨이퍼 보트 내에 장착된 종래의 프로브 카드를 나타낸 단면도이다.1A is a perspective view showing the top surface of the probe board and FIG. 1B is a perspective view showing the bottom surface of the probe board. 2 is a partial perspective view of a contact sheet used in a conventional probe card, FIG. 3A is an exploded sectional view of a conventional probe card, and FIG. 3B is a sectional view showing a conventional probe card mounted in a wafer boat.

종래의 프로브 카드는 회로(1-1)가 형성된 프로브 보드(1)와, 프로브 보드의 회로와 테스트 할 웨이퍼(9) 상에 형성된 다수개의 칩 패드(10)를 전기적으로 연결하는 전도성 융기(5)가 형성된 접촉 시트(4)와, 접촉 시트와 프로브 보드(1)사이에 개재되어 완충 및 상하 전도를 위한 탄성 유전체판(6)으로 구성된다.The conventional probe card has a conductive board 5 which electrically connects a probe board 1 having a circuit 1-1 and a plurality of chip pads 10 formed on the wafer 9 to be tested with the circuit of the probe board. ) Is formed of a contact sheet 4 formed with an elastic dielectric plate 6 interposed between the contact sheet and the probe board 1 for buffering and vertical conduction.

프로브 보드(1)의 하단 표면에는 다수개의 제 1단자(2)와 제 2단자(3)가 돌출 형성되어 있다.A plurality of first terminals 2 and second terminals 3 protrude from the bottom surface of the probe board 1.

제 1단자(2)와 제 2단자(3)는 프로브 보드(1) 내에서 서로 전기적으로 연결되어 있으며 제 1단자(2)는 프로브 보드(1) 중앙에 밀집 형성되어있다.The first terminal 2 and the second terminal 3 are electrically connected to each other in the probe board 1, and the first terminal 2 is densely formed in the center of the probe board 1.

또, 제 2단자(3)는 제 1단자(2) 그룹 외부 주위에 원형을 형성하며 그룹(group)화 되어 분포하며, 테스트시 테스트 신호 발생기(7)와 접촉하여 전기적으로 연결된다.In addition, the second terminal 3 is circularly distributed around the outside of the first terminal group 2 and grouped and distributed, and is electrically connected to the test signal generator 7 during the test.

프로브 보드(1)의 직경은 웨이퍼(9)의 직경보다 길게 형성되어 제 2단자가 테스트신호발생기(7)와 접촉할 수 있도록 되어 있다.The diameter of the probe board 1 is longer than the diameter of the wafer 9 so that the second terminal can contact the test signal generator 7.

접촉 시트(4)는 웨이퍼(9) 크기의 얇은 시트(sheet)로, 시트 내에는 표면이 도금 처리된 다수개의 전도성 융기(5)가 상/하면으로 돌출형성되어 있다.The contact sheet 4 is a thin sheet of the size of a wafer 9, in which a plurality of conductive bumps 5 whose surface is plated are protruded upwards and downwards.

전도성 융기(5) 상면에는 X,Y 축방향으로 절연되고 Z축 방향 즉, 상하 방향으로만 도전되도록 구성된 탄성 유전체판(6)이 접합된다.An elastic dielectric plate 6 configured to be insulated in the X and Y axial directions and electrically conductive only in the Z-axis direction, that is, the up-down direction, is joined to the upper surface of the conductive ridge 5.

탄성 유전체판(6)과 접합된 접촉 시트(4)는 핫 척(hot-chuck)(8)상에 안치된 웨이퍼(9)와 프로브 보드(1) 사이에 개재되고, 프로브 보드의 제 1단자(2) 및 웨이퍼(9) 상의 칩 패드(10)는 전도성 융기(5)와 탄성 유전체판(6)을 통해 전기적으로 연결된다.The contact sheet 4 bonded to the elastic dielectric plate 6 is interposed between the probe 9 and the wafer 9 placed on the hot-chuck 8, and the first terminal of the probe board. 2 and the chip pad 10 on the wafer 9 are electrically connected through the conductive bumps 5 and the elastic dielectric plate 6.

또한, 제 1단자(2)는 제 2단자(3)와 전기적으로 연결되어 있고, 제 2단자(3)는 테스트 신호발생기(7)와 전기적으로 연결되어 있으므로 번인 테스트가 가능해 진다.In addition, since the first terminal 2 is electrically connected to the second terminal 3 and the second terminal 3 is electrically connected to the test signal generator 7, burn-in test is possible.

번인 테스트는 웨이퍼 번인 장치(미도시) 내의 웨이퍼 보트(15)에 형성된 핫척(8) 상에 테스트 할 웨이퍼(9)를 안치한 후 각 구성요소들 간의 전기 접촉 위치를 정렬하여 적재한 다음 웨이퍼 보트(15)의 가압용 지그(18)로써 프로브 보드(1) 상면을 소정 압력으로 가압하여 접촉을 유지시킨 다음 이루어진다.The burn-in test involves placing a wafer 9 to be tested on a hot chuck 8 formed in a wafer boat 15 in a wafer burn-in apparatus (not shown), then aligning and placing electrical contact positions between the respective components, and then placing a wafer boat ( The press jig 18 for pressurizing the upper surface of the probe board 1 to a predetermined pressure to maintain contact.

그리고, 프로브 보드(1)의 열팽창 계수는 웨이퍼(9)의 열팽창계수와 동일하다.The thermal expansion coefficient of the probe board 1 is the same as the thermal expansion coefficient of the wafer 9.

그런데, 상술한 종래의 프로브 카드에 사용되는 접촉 시트(4)에 형성된 다수개의 전도성 융기(5)는 표면이 도금 처리된 것이라 고열과 접촉압력에 의해 한 번 사용하면 녹아 버리기 때문에 연속해서 사용할 수 없고 교체해야 하며 사용한 제품은 폐기해야 한다. 따라서, 상당한 비용손실이 따랐다.However, the plurality of conductive bumps 5 formed on the contact sheet 4 used in the above-described conventional probe card are plated and cannot be used continuously because they melt after one use due to high heat and contact pressure. Replace and discard used products. Thus, there was a significant cost loss.

뿐만 아니라 열이 가해지면 웨이퍼(9)에 변형이 발생하는데, 특히 z축 방향의 변형에 의해 접촉 상태를 이루고 있던 웨이퍼(9) 상의 칩 패드(10)와 접촉 시트(4)의 융기가 서로 떨어져 버리는 경우가 발생하여 정확한 테스트를 실시하기 힘들다는 문제점이 있었다.In addition, when heat is applied, deformation occurs in the wafer 9. In particular, the bumps of the chip pad 10 and the contact sheet 4 on the wafer 9 which are in contact with each other due to the deformation in the z-axis direction are separated from each other. There was a problem that it is difficult to carry out accurate testing.

따라서, 본 발명은 웨이퍼 레벨 번-인 테스트시 접촉 시트의 교체없이 반복 사용할 수 있고 테스트 중 프로브 보드 및 웨이퍼 칩패드간의 지속적인 전기적 연결을 가능하게 하는 프로브 카드를 제공하고자 하는 목적을 갖는다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a probe card which can be used repeatedly during the wafer level burn-in test without replacement of the contact sheet and which enables a continuous electrical connection between the probe board and the wafer chip pad during the test.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기술적 수단은 웨이퍼 번-인 테스트 장치내에 설치되어 외부 테스트 신호를 제공받아 내부 회로를 경유한 상기 신호를 신호 출력단자를 통해 신호전달 수단으로 전달하는 프로브 보드를 포함하는 프로브 카드에 있어서, 신호전달 수단은 다수개의 관통홀이 형성된 탄성재질의 원판형 몸체와; 각 관통홀 내에 삽설되는 탄성 도전핀으로 이루어지고, 각 탄성 도전핀의 상단 및 하단은 각각 각 신호 출력단자 하면 및 테스트할 웨이퍼의 칩 패드 상면에 접촉되어 테스트 신호를 프로브 보드로부터 웨이퍼의 각 칩 패드로 공급하도록 된 것이 특징이다.The technical means of the present invention for achieving the above object is a probe board installed in the wafer burn-in test apparatus for receiving an external test signal and transferring the signal via the internal circuit to the signal transmission means through a signal output terminal; A probe card comprising: a signal transmission means comprising: a disc-shaped body of elastic material having a plurality of through holes; It consists of elastic conductive pins inserted in each through hole, and the upper and lower ends of each elastic conductive pin are in contact with the lower surface of each signal output terminal and the upper surface of the chip pad of the wafer to be tested, so that test signals are transmitted from the probe board to each chip pad of the wafer. It is characterized by being supplied with.

또, 원판형 몸체는 열팽창 계수가 웨이퍼와 동일한 것을 사용하며 탄성 도전핀으로 포고핀을 사용한 것이 특징이다.In addition, the disk-shaped body is characterized in that the coefficient of thermal expansion is the same as the wafer and using the pogo pin as the elastic conductive pin.

도 1a과 도 1b는 각각 프로브 보드의 상측 및 하측 사시도1A and 1B are top and bottom perspective views of the probe board, respectively

도 2는 종래의 프로브 카드에서 사용된 접촉 시트의 일부 사시도2 is a partial perspective view of a contact sheet used in a conventional probe card

도 3a는 종래의 프로브 카드의 분해 단면도Figure 3a is an exploded cross-sectional view of a conventional probe card

도 3b는 웨이퍼 보트 내에 장착된 종래의 프로브 카드를 나타낸 단면도.3B is a cross-sectional view of a conventional probe card mounted in a wafer boat.

도 4a ~ 도 4c는 본 발명에 의한 프로브 카드의 접촉 원판을 나타낸 도면.4A to 4C show a contact disc of a probe card according to the present invention;

도 5a는 본 발명에 의한 프로브 카드의 분해 단면도.5A is an exploded cross-sectional view of a probe card according to the present invention.

도 5b는 웨이퍼 보트내에 장착된 본 발명에 의한 프로브 카드를 나타낸 단면도.Fig. 5B is a sectional view of a probe card according to the present invention mounted in a wafer boat.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1: 프로브 보드 2: 제 1단자 3: 제 2단자1: probe board 2: first terminal 3: second terminal

24: 접촉 원판 25:탄성 도전핀 26:상부 도전핀24: contact disc 25: elastic conductive pin 26: upper conductive pin

27: 하부 도전핀 28: 핫척(hot chuck) 29:테스트 신호 발생기27: lower conductive pin 28: hot chuck 29: test signal generator

30: 웨이퍼 31: 칩패드 32: 스프링30: wafer 31: chip pad 32: spring

33: 관통홀 35: 웨이퍼 보트 38: 가압용 지그33: through hole 35: wafer boat 38: pressing jig

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4a ~ 도 4c는 본 발명에 의한 프로브 카드의 접촉 원판을 나타낸 도면이며, 도 5a는 본 발명에 의한 프로브 카드의 분해 단면도이고, 도 5b는 웨이퍼 보트내에 장착된 본 발명에 의한 프로브 카드를 나타낸 단면도이다.4A to 4C show a contact disc of a probe card according to the present invention, FIG. 5A is an exploded cross-sectional view of the probe card according to the present invention, and FIG. 5B shows a probe card according to the present invention mounted in a wafer boat. It is a cross section.

본 발명의 프로브 카드는 번-인 테스트 장치 내에 설치되어 웨이퍼 상에 형성된 다수 칩의 불량 여부를 테스트하는데 사용된다.The probe card of the present invention is installed in a burn-in test apparatus and used to test whether a plurality of chips formed on a wafer are defective.

이하, 본 발명의 구조에 대해 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the structure of this invention is demonstrated.

본 발명의 프로브 카드는 회로가 형성된 프로브 보드(1)와, 테스트할 웨이퍼(30)와 보드(1)사이에 개재되어 보드에 형성된 회로와 테스트 할 웨이퍼 상의 칩(31)을 전기적으로 연결하는 탄성 도전핀(25)이 포함된 접촉 원판(24)으로 구성된다.The probe card of the present invention has an elasticity that electrically connects a probe board 1 having a circuit formed therebetween, and a chip 31 on the wafer to be tested and a circuit formed on the board interposed between the wafer 30 to be tested and the board 1 to be tested. It consists of a contact disc 24 including a conductive pin 25.

테스트 할 웨이퍼(30)는 웨이퍼 번인 테스트 장치(35) 내의 핫-척(HOT-CHUCK)(28)상에 안치된다.The wafer 30 to be tested is placed on a hot-chuck (HOT-CHUCK) 28 in the wafer burn-in test apparatus 35.

웨이퍼(30) 상면에 형성된 각 칩에는 외부와의 전기적 연결을 위해 패드(31)가 형성되어 있다.Each chip formed on the upper surface of the wafer 30 has a pad 31 for electrical connection with the outside.

프로브 보드(1)는 회로가 구성된 평탄한 보드로서, 하단 표면에는 다수개의 전기 단자(2,3)들이 형성되어 있다.The probe board 1 is a flat board composed of a circuit, and a plurality of electrical terminals 2 and 3 are formed on the bottom surface.

프로브 보드(1)에 형성된 다수개의 전기 단자(2,3)들은 프로브 보드내에 형성되어 있는 회로와 전기적으로 연결되어 있는 제 1단자(2)와, 웨이퍼 번인 테스트 장치(35)의 테스트 신호 발생기(29)와 접촉되는 제 2단자(3)로 구분된다.The plurality of electrical terminals 2 and 3 formed on the probe board 1 include a first terminal 2 electrically connected to a circuit formed in the probe board, and a test signal generator of the wafer burn-in test apparatus 35. 29) in contact with the second terminal (3).

제 1단자(2)는 프로브 보드(1) 하면 중앙부에 그룹지어 돌출 형성되어 있다.The first terminal 2 is formed to protrude in the center of the lower surface of the probe board 1.

그리고, 제 2단자(3)는 프로브 보드(1) 하면의 제 1단자(2)가 형성된 중앙부를 둘러싼 외곽에 형성된다.In addition, the second terminal 3 is formed outside the center portion in which the first terminal 2 on the lower surface of the probe board 1 is formed.

제 1단자(2)는 프로브 보드(1)내에 형성된 회로와 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 단자(2) 와 제2 단자(3)는 프로브 보드(1)내에서 서로 전기적으로 접속되어 있다.The first terminal 2 is electrically connected to a circuit formed in the probe board 1, and the first terminal 2 and the second terminal 3 are electrically connected to each other in the probe board 1.

또, 제2 단자(3)는 테스트 신호 발생기(29)에 접촉되어 전기적으로 연결된다.In addition, the second terminal 3 is in contact with the test signal generator 29 and electrically connected.

핫 척(28)상에 안치된 웨이퍼(30)와 프로브 보드(1) 사이에는 접촉원판(24)이 개재된다.A contact disc 24 is interposed between the wafer 30 and the probe board 1 placed on the hot chuck 28.

접촉 원판(24)은 테스트 할 웨이퍼(30) 정도의 크기로 된 원판이다.The contact disc 24 is a disc about the size of the wafer 30 to be tested.

원판 내에는 다수개의 상하 관통홀(33)이 형성되어 있고, 각각의 관통홀에는 포고핀(POGO PIN)(등록 상표명)(25)이 삽입된다.A plurality of upper and lower through holes 33 are formed in the disc, and a POGO PIN (registered trade name) 25 is inserted into each through hole.

포고핀(25)은 서로 연결된 상하 도전핀(26,27) 사이에 스프링(32)을 삽설하여 핀에 탄성력을 부여한 것이다.The pogo pin 25 inserts a spring 32 between the upper and lower conductive pins 26 and 27 connected to each other to impart elastic force to the pin.

그리고, 원판의 재질로는 열 팽창 계수가 웨이퍼의 열팽창 계수와 동일하며 고무재질이 포함되어 탄성을 갖는 것을 사용한다.In addition, as the material of the disc, the thermal expansion coefficient is the same as the thermal expansion coefficient of the wafer, and the rubber material is used to have elasticity.

이는, 번인 테스트 공정 중 열에 의해 웨이퍼에 변형이 발생해도 계속적인 접착 상태를 유지하기 위함이다.This is to maintain a continuous adhesive state even if deformation occurs in the wafer due to heat during the burn-in test process.

각각의 하부 도전핀(27)은 웨이퍼 상의 각 칩 패드(31)에 접촉되며 각각의 상부 도전핀(26)은 프로브 보드(1)의 제 1단자(1)에 접촉된다.Each lower conductive pin 27 is in contact with each chip pad 31 on the wafer and each upper conductive pin 26 is in contact with the first terminal 1 of the probe board 1.

이하, 본 발명의 웨이퍼 번-인 장치의 작용에 대해 설명한다.Hereinafter, the operation of the wafer burn-in apparatus of the present invention will be described.

웨이퍼 번인 테스트장치(35)내에 설치된 웨이퍼 핫척(HOT-CHUCK)(28)상에 번인 테스트할 웨이퍼(30)가 안치된다.The wafer 30 to be burned-in test is placed on the wafer hot chuck (HOT-CHUCK) 28 installed in the wafer burn-in test apparatus 35.

웨이퍼(30) 상면에는 다수개의 칩 패드(31)가 형성되어 있다.A plurality of chip pads 31 are formed on the upper surface of the wafer 30.

접촉 원판(24)의 각 포고핀(25)이 테스트 할 웨이퍼(30)의 각 패드(31)에 대응되도록 웨이퍼(30) 상에 접촉한다.Each pogo pin 25 of the contact disc 24 contacts the wafer 30 so as to correspond to each pad 31 of the wafer 30 to be tested.

이때, 웨이퍼 상의 각 패드(31)는 각 포고핀(25)의 하부핀(27)과 접촉한다.At this time, each pad 31 on the wafer contacts the lower pin 27 of each pogo pin 25.

그리고, 접촉 원판(24)내 각 포고핀(25)의 상부핀(26)과 프로브 보드(1)의 제 1단자(2)가 접촉된다.Then, the upper pin 26 of each pogo pin 25 in the contact disc 24 and the first terminal 2 of the probe board 1 come into contact with each other.

이후, 웨이퍼 번인 테스트 장치의 가압용 지그(38)를 이용하여 일정 압력으로 프로브 보드(1) 상면을 가압하여 각 접촉부의 접촉상태를 견고히 하며, 테스트 신호 발생기(29)의 단자와 프로브 보드(1)의 제 2단자(3)를 접촉시킨다.Subsequently, the upper surface of the probe board 1 is pressurized using a pressure jig 38 of the wafer burn-in test apparatus at a predetermined pressure to firmly contact each contact portion, and the terminal of the test signal generator 29 and the probe board 1 Contact the second terminal (3).

테스트 신호 발생기(29)에서는 신호를 발생시켜 제 2단자(3)를 통해 웨이퍼내의 각 칩으로 신호를 전달시키고, 이와 동시에 핫척(28)에서는 웨이퍼로 열을 가하면서 테스트가 진행된다.The test signal generator 29 generates a signal and transmits the signal to each chip in the wafer through the second terminal 3, and at the same time, the test is performed while the hot chuck 28 applies heat to the wafer.

웨이퍼(30)내의 각 칩들과 테스트 신호 발생기(29)의 전기적 연결 경로를 살펴보면 다음과 같다.Looking at the electrical connection path of each chip in the wafer 30 and the test signal generator 29 as follows.

테스트 신호 발생기(29)에서 발생된 전기 신호는 프로브 보드(1)의 제 2단자(3)를 통해 제 1단자(2)로 전달된다. 제 1단자는 프로브 보드(1)에 형성되어 있는 회로(미도시)와 연결되어 있고, 또한 접촉 원판(24) 상면으로 돌출된 포고핀(25)의 상부핀(26)과 접촉되어 있다.The electrical signal generated by the test signal generator 29 is transmitted to the first terminal 2 through the second terminal 3 of the probe board 1. The first terminal is connected to a circuit (not shown) formed on the probe board 1 and is in contact with the upper pin 26 of the pogo pin 25 protruding to the upper surface of the contact disc 24.

상부핀(26)을 지나 하부핀(27)으로 전달된 전기 신호는 하부핀과 접촉해 있는 칩패드(31)를 통해 웨이퍼(30) 상의 각 칩으로 전달된다.The electrical signal transmitted through the upper pin 26 to the lower pin 27 is transmitted to each chip on the wafer 30 through the chip pad 31 in contact with the lower pin.

그리고, 프로브 보드(1) 뿐 아니라 접촉 원판(24)의 열 팽창 계수도 웨이퍼(30)의 열 팽창계수와 동일하므로 가해진 열에 대해 웨이퍼(30)의 열 변형과 동일한 변형이 발생되며, 접촉 원판(24)이 탄성재질로 되어 있고, 포고핀(25) 역시 탄성을 가지므로 가압에 의한 충격을 흡수하며, 테스트 중 z축 변형이 발생해도 테스트가 끝날 때까지 접촉 상태를 계속 유지할 수 있다.In addition, the thermal expansion coefficient of not only the probe board 1 but also the contact disk 24 is the same as the thermal expansion coefficient of the wafer 30, so that the same deformation as the thermal deformation of the wafer 30 occurs with respect to the applied heat. 24) is made of an elastic material, and the pogo pin 25 also has elasticity, so it absorbs the impact caused by pressure, and even if a z-axis deformation occurs during the test, the contact state can be maintained until the end of the test.

이상에서 설명한 바 와같이 본 발명은 웨이퍼 번인 테스트시 사용되는 종래의 접촉 시트와 탄성 유전체 판을 탄성을 갖는 원판에 포고핀을 삽입한 접촉 원판으로 대체 하므로써 반복 사용할 수 있게 하여 막대한 비용 절감 효과를 가져온다.As described above, the present invention replaces the conventional contact sheet and the elastic dielectric plate used in the wafer burn-in test with a contact disk in which pogo pins are inserted into an elastic disk, thereby bringing enormous cost savings. .

또한, 프로브 보드의 단자와 웨이퍼상의 칩패드에 각각 접촉하여 서로를 전기적으로 연결시키는 수단으로 탄성을 갖는 핀 특히, 포고핀을 사용하므로 테스트중 열 변형등에 의해 수직방향의 변형이 발생하여도 탄성을 이용하여 접촉상태를 계속 유지하므로 보다 정확한 테스트를 가능하게 하는 효과를 갖는다.In addition, since elastic pins, in particular, pogo pins, are used as the means for electrically connecting the terminals of the probe board and the chip pads on the wafer, respectively, the elasticity is maintained even when vertical deformation occurs due to thermal deformation during testing. It maintains the contact state by using it, which has the effect of enabling more accurate testing.

Claims (3)

웨이퍼 번-인 테스트 장치내에 설치되어 외부 테스트 신호를 제공받아 내부 회로를 경유한 상기 신호를 신호 출력단자를 통해 신호전달 수단으로 전달하는 프로브 보드를 포함하는 프로브 카드에 있어서,A probe card installed in a wafer burn-in test apparatus, the probe card comprising a probe board receiving an external test signal and transferring the signal through an internal circuit to a signal transmission means through a signal output terminal. 상기 신호전달 수단은 다수개의 관통홀이 형성된 탄성재질의 원판형 몸체와;The signal transmission means includes a disk-shaped body of elastic material having a plurality of through holes; 상기 각 관통홀 내에 삽설되는 탄성 도전핀으로 이루어지고,It is made of an elastic conductive pin inserted in each through hole, 상기 각 탄성 도전핀의 상단 및 하단은 각각 상기 각 신호 출력단자 하면 및 테스트할 웨이퍼의 칩 패드 상면에 접촉되어 상기 테스트 신호를 상기 프로브 보드로부터 상기 웨이퍼의 각 칩 패드로 공급하도록 된 것이 특징인 프로브 카드.The upper and lower ends of the elastic conductive pins respectively contact the lower surface of each signal output terminal and the upper surface of the chip pad of the wafer to be tested to supply the test signal from the probe board to each chip pad of the wafer. Card. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 원판형 몸체는 열팽창 계수가 웨이퍼와 동일한 것이 특징인 프로브 카드.And said disc-shaped body has the same coefficient of thermal expansion as a wafer. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 탄성 도전핀으로 포고핀을 사용한 것이 특징인 프로브 카드Probe card, characterized in that using the pogo pin as the elastic conductive pin
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