KR100346055B1 - 태양전지 반사 방지막의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
태양전지의 표면에 실리콘과 격자상수가 비슷한 CeO2를 증착한후 그 위에 다시 MgF2를 증착함으로써, 실리콘계 태양전지의 표면 반사율을 효과적으로 줄일 수 있고, 표면 패시베이션(passivation) 효과를 제공할 수 있는 CeO2/MgF2이중구조의 태양전지 반사 방지막의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따르면, 태양전지의 표면 상에 세륨(Ce) 금속 타겟을 이용하여 상온 내지 400℃ 온도 범위의 Ar/O2분위기에서 스퍼터링하여 CeO2층을 일정 두께로 증착하고, 다시 그위에 열증착법 (thermal evaporation)을 이용하여 MgF2층을 일정 두께로 증착시킨다. 이렇게 제작된 반사 방지막은 비교적 간단한 제조공정과 낮은 가격으로 인하여 태양전지의 광범위한 실용화에 기여할 수 있고, 태양전지 외에도 저반사율이 필수적인 기타 광학 기기에도 응용이 가능하다.
Description
본 발명은 태양전지 반사 방지막의 제조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 태양전지의 표면에 실리콘과 격자상수가 비슷한 CeO2를 증착한후 그 위에 다시 MgF2를 증착함으로써, 실리콘계 태양전지의 표면 반사율을 효과적으로 줄일 수 있고, 표면 패시베이션(passivation) 효과를 제공할 수 있는 CeO2/MgF2이중구조의 태양전지 반사 방지막의 제조방법에 관한 것이다.
현재 에너지원으로 사용되고 있는 거의 모든 화석연료는 심각한 환경오염을유발시키고 있다. 그러므로, 점차적으로는 화석연료나 핵연료의 사용을 금지시키고 있다.
이러한 추세에 따라 태양전지는 무한한 에너지원인 태양을 이용하여 무공해로 전기에너지를 얻을 수 있는 소자로서 각광받고 있다. 태양전지는 태양 에너지를 전기에너지로 바꿔주는 반도체 소자이므로 빛을 효과적으로 수집해야하는데, 현재 양산되고 있는 대부분의 태양전지는 단결정 및 다결정 실리콘을 사용하고 있으며, 태양전지에 사용되는 기판인 실리콘의 경우에는 거의가 입사된 빛의 30%가 표면에서 반사한다.
현재 효과적인 빛 수집을 위해서 태양전지의 표면을 처리하는 방법으로는 표면 텍스춰링(texturing)과 반사 방지막 형성을 들 수 있다.
표면 텍스춰링은 크게 기계적인 방법과 화학적인 방법으로 나눌 수 있는데, 먼저 기계적인 방법은 날의 각도를 변화시킬 수 있는 미세한 다이아몬드 블레이드를 이용하여 반도체의 표면에 피라미드 형태 또는 브이(V)자형 홈을 파는 것이며, 이 홈의 각도를 조정함으로 인해서 어느정도 반사율을 줄일 수 있다. 빠른 속도로 만들 수 있으므로, 수율 향상에 도움이 된다.
다음으로, 화학적인 방법은 포토리쏘그라피를 이용하여 태양전지의 표면에 SiO, 포토레지스트 등을 이용하여 마스크를 형성하고, 단결정인 경우에는 특정 면방향만을 식각하는 이방성 식각용액을 이용하여 피라미드 혹은 역피라미드 형태의 표면 구조물을 형성하며, 다결정인 경우에는 등방성 식각용액을 이용한다.
그런데, 전자는 표면에 심각한 손상을 주게되어 후에 등방성 식각용액을 이용한 화학적인 처리를 병행해야만 하는 결점이 있다. 후자는 900℃이상의 고온 산화막 공정이 수반되고 구조물의 형성 절차가 너무 복잡하여 수율향상에 도움을 주지 못한다. 따라서, 효과는 우수하지만, 실제 생산단계에서는 적용이 곤란하다.
따라서, 표면 텍스춰링에 비하여 간단하게 수행할 수 있는 반사 방지막 형성방법이 현재 거의 모든 태양전지에 적용되고 있다. 태양전지의 표면에 반사 방지막을 적용할 경우에는 반사율을 3% 미만으로 줄일 수 있다.
일반적으로, 반사 방지막은 적절한 굴절율비를 가지는 물질을 여러층 코팅할수록 보다 넓은 파장 영역에서 낮은 반사율을 얻을 수 있다. 그러나, 가격 경쟁력과 제품 수율을 동시에 만족하기 위해서 대부분 3층 이하로 사용하고 있다. 단층 구조의 경우에는 표면 텍스춰링과 병행하면 효과적으로 반사율을 줄일 수 있지만, 낮은 반사율을 얻을 수 있는 파장 범위가 좁아서 효과적이지 못하다. 3층 구조의 경우에는 이층 구조 보다 더 효과적이지만, 역시 가격이 상승하는 문제가 있다.
기존에 가장 많이 쓰이고 효율이 좋았던 이층 구조의 반사 방지막은 ZnS/MgF2의 구조를 가지고 있었다. 이 구조는 반사율을 효과적으로 줄여주고 있지만, ZnS/MgF2구조의 경우에는 표면 패시베이션 효과가 없는 단점이 있다. 따라서 최근의 고효율 태양전지에 사용되고 있는 패시베이션 층(passivatiion layer)을 추가로 형성시켜주어야 한다. 이들 패시베이션 층은 대부분 SiO2,Si3N4등으로 이루어지는데, 이들 층의 사용으로 인하여 반사방지막의 역할이 감소하게 된다.
또한, 표면 패시베이션 효과를 생각한 SiNx, Si3N4를 이용하는 경우에는 이들의 굴절율이 비교적 낮기 때문에 효과적인 반사 방지막의 역할을 기대하기 어렵다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 실리콘계 태양전지의 표면 반사율을 효과적으로 줄일 수 있고, 표면 패시베이션 효과를 얻을 수 있는 CeO2/MgF2이중구조의 태양전지 반사 방지막의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 제조 공정이 간단하고 제조 비용이 저렴하여 태양전지의 광범위한 실용화에 기여할 수 있고 태양전지 이외의 저반사율이 필수적인 광학 기기에도 응용이 가능한 CeO2/MgF2이중구조의 태양전지 반사 방지막의 제조방법을 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따라 제조된 태양전지 반사 방지막의의 구조를 개략적으로 나타낸 도면,
도 2는 CeO2의 증착온도에 따른 반사율 그래프, 그리고
도 3은 반사 방지막을 구성하는 CeO2와 MgF2층의 두께가 반사율에 미치는 영향을 나타낸 그래프이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은,
태양전지의 표면 상에 실리콘과 격자 상수가 서로 비슷한 CeO2를 스퍼터링법, 증착법(evaporation) 또는 CVD법을 이용하여 증착시켜서 CeO2층을 형성하고, 이렇게 형성된 CeO2층 위에 MgF2를 증착법, 분무법(spray) 또는 CVD법을 이용해서 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 반사 방지막의 제조방법을 제공한다.
상기 CeO2층은 상기 태양전지의 표면에 세륨(Ce) 금속 타겟을 이용하여 상온내지 400℃ 온도 범위의 Ar/O2분위기에서 스퍼터링하여 소정의 두께로 증착된다.
상기 MgF2는 열증착법(thermal evaporation)을 이용하여 상기 CeO2층 위에 소정의 두께로 증착된다.
이상에서 언급한 바와 같이, 본 발명에 따른 태양전지 반사 방지막의 제조방법에서는, 태양전지의 표면에 실리콘과 격자상수가 비슷한 CeO2를 증착한후 그 위에 다시 MgF2를 증착함으로써, 실리콘계 태양전지의 표면 반사율을 효과적으로 줄일 수 있다. 또한, 실리콘 위에 직접 성장되는 CeO2가 에피(단결정)로 성장될 수 있기 때문에 표면 패시베이션(passivation) 효과를 제공할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 태양전지 반사 방지막의 제조방법에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에서는 CeO2을 하부층으로 형성하고 그위에 MgF2를 증착시켜서 태양전지의 표면 상에 CeO2/MgF2이중 구조의 반사 방지막을 형성한다.
이때, CeO2는 실리콘과 격자 상수가 서로 비슷하여(CeO2=0.541nm, 실리콘=0.543nm) 실리콘 위에 단결정으로 성장된 예도 있듯이 계면 특성이 매우 우수하고, 이에 의해 효과적으로 반도체 표면의 댕글링 본드(dangling bond)나 불순물 등을 패시베이션할 수 있다. CeO2는 스퍼터링법, 증착법(evaporation), CVD법 등으로 형성이 가능하다.
본 발명에서는 CeO2의 형성을 위해서, 먼저 다양한 방법에 의해 제조된 태양전지의 표면에 패시베이션 층 없이 세륨(Ce) 금속 타겟을 이용하여 상온∼400℃의 온도범위와 Ar/O2분위기에서 스퍼터링함으로써, CeO2층을 약 608Å 정도의 두께로 증착한다. 이때, CeO2의 표면 거칠기, 굴절율, 패시베이션 효과등을 고려하여 최적의 증착 조건을 정하게 되는데, 이 세 가지 매개변수에 가장 큰 영향을 주는 인자는 증착 온도이다. 증착 온도가 증가할수록 표면 거칠기는 감소하며, 400℃에서 증착한 경우 굴절율이 약 2.4로서 약 1.38을 보이는 MgF2와 매우 우수한 굴절율 비를 보인다. 또한, 이 온도에서 증착된 CeO2는 실리콘과의 계면 상태 또한 좋아졌다.
도 2는 CeO2의 증착온도에 따른 반사율 그래프이다. 도 2에 나타난 바와 같이, 실리콘 태양전지가 흡수할 수 있는 파장 영역인 0.4∼1.1μm 영역에서 평균 반사율을 고려할 때, 상온과 400℃에서 증착한 시료가 가장 낮은 반사율을 보였다.
하기표 1에는 증착조건에 따른 CeO2의 굴절율 변화가 나타나 있다.
표 1에서 볼 수 있듯이 CeO2는 증착조건에 따라서 굴절율의 변화가 심하다. 일반적으로는 CeO2위에 증착될 상부 MgF2의 굴절율을 고려할 때, 약 2.4의 굴절율을 가져야 최소의 반사율을 얻을 수 있다. 그러므로, 증착 온도에 따라 굴절율을 2.4 ∼ 2.7까지 변화시킬 수 있기 때문에, 이를 최적화 하면 좀더 효과적인 반사 방지막을 얻을 수 있다. 최적의 이중 반사방지막은 각층의 굴절율이 (ntop)2 × ns= (nbottom)2인 관계를 만족해야 한다. 이와같이, 굴절율을 조절 할 수 있다는 것은 반사 방지막 물질의 큰 장점이라고 할 수 있다.
도 3은 반사 방지막을 구성하는 CeO2와 MgF2층의 두께가 반사율에 미치는 영향을 나타낸 그래프이다. 도 3에 나타난 바와 같이, 400℃에서 증착된 경우, 최적의 두께는 각각 608Å, 1,082Å이었다.
하부 CeO2를 증착한후에는 그 위에 MgF2를 증착시키는데, MgF2는 증착법(evaporation), 분무법(spray), CVD법을 이용해서 증착할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에서는 열증착법(thermal evaporation)을 이용하여 MgF2를 약 1,082Å정도의 두께로 증착한다. 이때, MgF2는 증착조건에 별다른 영향을 받지 않고 약 1.386의 굴절율을 보였으며, 200℃에서 가장 낮은 표면 거칠기를 보였다. 그러나, 그 이상의 온도에서는 나빠지는 경향을 보인다.
이러한 조건에 의해 제조된 반사 방지막의 이론적 반사율은 약 1.8%(파장범위 0.4∼1.1㎛)를 보이며, 실제 측정한 결과 약 2% 내외의 평균 반사율을 보였다.
이상에서 설명한 바와같이, 본 발명에 따른 태양전지 반사 방지막의 제조방법에서는, 태양전지의 표면에 실리콘과 격자상수가 비슷한 CeO2를 증착한후 그 위에 다시 MgF2를 증착함으로써, 실리콘계 태양전지의 표면 반사율을 2%까지 줄여서 단락 전류밀도를 향상시키는 효과를 얻음과 동시에 변환 효율 향상을 기대할 수 있다.
또한, 실리콘 위에 직접 성장되는 CeO2가 에피(단결정)로 성장될 수 있기 때문에 실리콘 표면을 패시베이션함으로써, 표면 재결합 속도를 낮추어 소수 반송자의 수명을 연장시켜 변환효율 향상효과를 기대할 수 있다.
게다가, 비교적 간단한 제조 공정과 낮은 가격으로 효율을 올릴 수 있기 때문에 태양전지의 광범위한 실용화에도 기여할 수 있다. 끝으로, 태양전지 외에 저반사율이 필수적인 기타 광학 기기에도 응용이 가능하다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할수 있을 것이다.
Claims (4)
- 실리콘을 기판으로 하는 태양전지에서 태양전지의 표면 상에 실리콘과 격자 상수가 서로 비슷한 CeO2를 스퍼터링법, 증착법(evaporation) 또는 CVD법을 이용하여 증착시켜서 CeO2층을 형성하고, 이렇게 형성된 CeO2층 위에 MgF2를 증착법, 분무법(spray) 또는 CVD법을 이용해서 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 반사 방지막의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 CeO2층은 상기 태양전지의 표면에 세륨(Ce) 금속 타겟을 이용하여 상온 내지 400℃ 온도 범위의 Ar/O2분위기에서 스퍼터링하여 소정의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 태양전지 반사 방지막의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 CeO2는 증착 온도에 따라 2.4 ∼ 2.7의 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지 반사 방지막의 제조방법.
- 제 2 항 또는 3 항에 있어서, 상기 MgF2는 열증착법(thermal evaporation)을 이용하여 상기 CeO2층 위에 소정의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 태양전지 반사 방지막의 제조방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101447433B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2014-10-10 | 주성엔지니어링(주) | 기판형 태양전지 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100452448B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2004-10-08 | 준 신 이 | 기판 상에 산화세륨 층을 갖는 태양전지 및 그 제조방법 |
| KR101134745B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2012-04-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4128303A (en) * | 1976-04-05 | 1978-12-05 | Kabushiki Kaisha Hoya Lens | Anti reflection coating with a composite middle layer |
| JPH08274358A (ja) * | 1995-04-03 | 1996-10-18 | Japan Energy Corp | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体太陽電池 |
-
1999
- 1999-08-31 KR KR1019990036482A patent/KR100346055B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4128303A (en) * | 1976-04-05 | 1978-12-05 | Kabushiki Kaisha Hoya Lens | Anti reflection coating with a composite middle layer |
| JPH08274358A (ja) * | 1995-04-03 | 1996-10-18 | Japan Energy Corp | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体太陽電池 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101447433B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2014-10-10 | 주성엔지니어링(주) | 기판형 태양전지 및 그 제조방법 |
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