KR100327227B1 - 표면광 레이저 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

선택적 산화법에 의하여 전류의 흐름을 가이드하는 고저항부가 형성되는 표면광 레이저 및 그 제조방법이 개시되어 있다.

개시된 표면광 레이저는 인가된 전원에 의해 레이저 광을 생성 조사하는 포스트와; 포스트 주위의 상부반사기층과, 활성층 및 하부반사기층의 적어도 일부분에 걸쳐 인입 형성된 트렌치와; 트렌치에 의해 소정 간격 이격된 채로 포스트를 감싸도록 형성된 블록과; 윈도우 및 그 주위를 제외한 포스트 상면 일부와, 트렌치 및, 블록 상에 형성된 절연막과; 절연막 상부에 형성되며, 윈도우 주변에서는 포스트 상면에 직접 형성된 상부전극과; 기판 하면에 형성된 하부전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 그 제조방법으로 인입된 트렌치를 형성하여, 트렌치를 경계로 포스트와, 포스트를 감싸도록 된 블록으로 구분하는 단계와; 소정 시간동안 수증기 분위기에서 산화에 의해 고저항부를 형성하는 단계와; 절연막을 형성하는 단계와; 상부전극을 형성하는 단계와; 기판을 소정 두께로 래핑하고, 그 래핑면에 하부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

표면광 레이저 및 그 제조방법

본 발명은 표면광 레이저(VCSEL ; Vertical Cavity Surface Emitting Laser)및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 선택적 산화법(Selective Oxidation Method)에 의하여 전류의 흐름을 가이드하는 고저항부가 형성되는 표면광 레이저 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 표면광 레이저는 모서리 발광레이저와는 달리 반도체 물질층의 적층방향으로 원형에 가까운 가우시안빔을 출사하므로, 출사광의 형상 보정을 위한 광학계가 불필요하다. 그리고, 그 크기를 작게 할 수 있으므로, 하나의 반도체 웨이퍼 상에 복수개의 표면광 레이저가 집적 가능하여 이차원 배열이 용이하다. 이러한 이점으로 인해, 표면광 레이저는 광통신분야, 전자계산기, 음향 영상기기, 레이저 프린터, 레이저 스캐너 및 의료장비 등 광응용 분야에서 널리 응용될 수 있다.

이 표면광 레이저는 전극을 통해 공급된 전류의 흐름을 가이드하여 광출력 특성을 향상시키고자, 상부 반사기층에 형성된 고저항부를 가진다. 이 고저항부는 크게 상부반사기층을 형성한 후, 양성자, 이온 등을 주입하는 방법과, 시간을 조절하여 전류의 가이드 영역을 제외한 주변 부분을 산화시키는 선택적 산화법으로 나눌 수 있다. 양성자 주입법에 의한 공정은 주입된 양성자 분포가 일정하지 않으므로, 양산시 재현성이 떨어지는 단점이 있다.

이에 비하여 선택적 산화법은 상부 반사기층의 하부 층 일부 즉, 고저항 영역을 형성하고자 하는 부분을 AlAs로 적층한 상태로, 일 기판 상에 성장된 복수의 표면광 레이저 주변을 식각한 후, 산화분위기[H2O(↑)]에서 시간을 조절하면 상기 AlAs층이 외측에서 내측으로 산화되어Al2O3 산화 절연막 즉, 고저항부를 형성하는 방법이다. 기판에 대해 성장된 복수의 표면광 레이저의 재현성이 뛰어나다는 이점이 있어서, 표면광 레이저 제조 공정에 널리 이용된다.

도 1a 내지 도 1e를 참조하여, 종래의 선택적 산화법에 의한 표면광 레이저 제조공정을 살펴보면 다음과 같다.

도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(10) 위에 순차로 하부반사기층(13), 활성층(15) 및, 상부반사기층(19)을 적층 형성한다. 여기서, 활성층(15)과 상부반사기층(19) 사이에는 예비산화층(17)이 형성되어 있다.

상기 기판(10)은 예컨대 n형 불순물을 함유하는 반도체물질Ga As 등으로 되어 있다. 상기 하부반사기층(13)은 상기 기판(10) 상에 형성되어 있으며, 상기 기판(10)과 같은 형의 불순물 예를 들면, 조성이 다른 n형 Alx Ga1-x As 가 20 내지 30층 적층되어 이루어진다. 상기 상부반사기층(19)은 상기 하부반사기층(13)과 반대형의 불순물을 함유하는 같은 종류의 불순물 반도체 물질로 되어 있다. 즉, 활성층(15) 상에 조성이 다른 p형Alx Ga1-x As 가 적층되어 이루어진다. 상기 예비산화층(17)은 증기 상태의H2O 에 의해 산화되어 Al2O3 산화막이 되도록 AlAs 로 되어 있다.

이후, 도 1b를 참조하면, 기판(10) 상에 각각 독립적으로 광을 조사하는 복수의 표면광 레이저 포스트(Ⅰ)(Ⅱ)(Ⅲ)가 형성됨과 아울러, 상기 예비산화층(17) 주변이 산화분위기[H2O(↑)]가 될 수 있도록 상기 상부반사기층(19) 상에 소정의 패턴(미도시)을 형성한 후, 드라이 에칭을 통해 공간부(21)를 형성한다. 이와 같이 준비한 후, 도 1c에 도시된 바와 같이 소정 시간 동안 산화분위기[H2O(↑)]를 조성하면, 상기 예비산화층(17)은 그 외측에서 내측으로 산화되어 Al2O3 로 된 고저항부(18)가 형성된다. 이후, 도 1d를 참조하면 상기 공간부(21)에 폴리이미드(23)를 충진하여 후술하는 기판(10)의 래핑공정시 포스트(Ⅰ)(Ⅱ)(Ⅲ)의 손상을 방지한다. 이와 같이 폴리이미드(23)를 충진한 후 상기 포스트(Ⅰ)(Ⅱ)(Ⅲ)와 그 주변을 평탄화시킨다. 이후, 뒤집어서 상기 기판(10)의 대부분을 래핑공정을 통해 제거한다.

마지막으로 도 1e에 도시된 바와 같이, 포스트(Ⅰ)(Ⅱ)(Ⅲ)와 폴리이미드(23) 상에 상부전극(25)을 형성하고, 래핑된 기판(10')의 하면에 하부전극(27)을 형성함으로써 표면광 레이저의 제작이 완료된다. 여기서, 상기 상부전극(25)에는 상기 활성층(15)에서 생성된 광이 출사될 수 있도록 윈도우(25a)가 형성되며, 이웃한 표면광 레이저와 독립적으로 구동되도록 각 표면광 레이저에 대해 상부전극(25)은 독립적으로 형성되어 있다.

이와 같은 구조의 표면광 레이저는 원 칩화한 어레이 구조로 사용될 수 있으며, 각 폴리이미드 부분을 절개하여 개별적으로 이용할 수 있다.

한편, 상기한 바와 같은 선택적 산화법에 의한 표면광 레이저의 제조는 포스트 주변의 공간부에 폴리이미드를 충진시키는 공정이 포함되므로 그 구조가 복잡할 뿐만 아니라 상기 폴리이미드 상면의 평탄화 공정이 어렵다. 또한, 기판의 래핑공정시 상기한 포스트 상면이 손상될 우려가 있다.

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 점을 감안하여 안출된 것으로서, 표면광 레이저 포스트 주변의 공간부를 트렌치 형상으로 변경하고, 이 트렌치에 의해 구분되는 블록이 형성되도록 하여 공간부 충진을 위한 공정을 근본적으로 배제할수 있도록 된 표면광 레이저 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1a 내지 도 1e 각각은 종래의 선택적 산화법에 의한 표면광 레이저 제조공정을 보인 도면.

도 2는 본 발명에 따른 표면광 레이저를 보인 개략적인 사시도.

도 3은 도 2의 단면도.

도 4 내지 도 10 각각은 본 발명에 따른 표면광 레이저 제조공정을 보인 도면.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

100,100'...기판 110...하부반사기층 120...활성층

130...예비산화층 135...고저항부 140...상부반사기층

150...절연막 160...상부전극 170...하부전극

180...보호막 200...포스트 210...윈도우

220...트렌치 300...블록 350...공간부

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 기판과; 이 기판 상에 적층 형성된 하부반사기층과; 이 하부반사기층 상에 형성되며 전자와 정공의 재결합으로 광을 생성하는 활성층과; 이 활성층 상에 형성되어 전류의 흐름을 가이드하는 고저항부와; 상기 고저항부 상에 형성된 상부반사기층;을 포함한 표면광 레이저는 윈도우를 가지며, 인가된 전원에 의해 레이저 광을 생성 조사하는 포스트와; 상기 포스트 주위의 상기 상부반사기층과, 활성층 및 하부반사기층의 적어도 일부분에 걸쳐 인입 형성된 트렌치와; 상기 트렌치에 의해 소정 간격 이격된 채로 상기 포스트를 감싸도록 형성된 블록과; 상기 윈도우 및 그 주위를 제외한 상기 포스트 상면 일부와, 트렌치 및, 블록 상에 형성된 절연막과; 상기 절연막 상부에 형성되며, 상기 윈도우 주변에서는 상기 포스트 상면에 직접 형성된 상부전극과; 상기 기판 하면에 형성된 하부전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 따른 표면광 레이저 제조방법은 준비된 기판 상에 순차로 적층하여 하부반사기층, 활성층, 예비산화층 및, 상부반사기층을 형성하는 단계와; 상기 상부반사기층 상에 소정 패턴을 만들고 식각하여 상기 상부반사기층, 예비산화층, 활성층 및, 하부반사기층의 적어도 일부분에 걸쳐 인입된 트렌치를 형성하여, 상기 트렌치를 경계로 포스트와, 상기 포스트를 감싸도록 된 블록으로 구분하는 단계와; 소정 시간동안 수증기 분위기에서 상기 예비산화층을 산화시켜 고저항부를 형성하는 단계와; 상기 포스트, 트렌치 및 블록을 감싸도록 절연막을 형성하는 단계와; 상기 포스트 상면에 형성된 절연막의 일부분을 식각하여 상기 포스트 상의 상부반사기층 일부가 노출되도록 하는 단계와; 상기 상부반사기층의 노출부분의 윈도우를 제외한 부분과 상기 절연막 상부에 상부전극을 형성하는 단계와; 상기 기판을 소정 두께로 래핑하고, 그 래핑면에 하부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 표면광 레이저 및 그 제조방법의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표면광 레이저는 그 적층 구조를 살펴보면, 기판(100')과, 이 기판(100')의 하면에 형성된 하부전극(170), 기판(100') 상에 순차로 적층 형성된 하부반사기층(110), 활성층(120), 부분 산화에 의하여 형성된 고저항부(135), 상부반사기층(140), 절연막(150) 및, 상부전극층(160)을 포함하여 구성된다.

상기 기판(100')은 예컨대 n형 불순물을 함유하는 반도체물질Ga As 등으로 되어 있으며, 이 기판(100') 상에 동일 공정에 의해 복수의 표면광 레이저가 동시에 형성된다. 상기 하부반사기층(110)은 상기 기판(100') 상에 형성되어 있으며, 상기 기판(100')과 같은 형의 불순물 예를 들면, 조성이 다른 n형 Alx Ga1-x As 가 적층되어 이루어진다. 상기 상부반사기층(140)은 상기 하부반사기층(110)과 반대형의 불순물을 함유하는 같은 종류의 불순물 반도체 물질로 되어 있다. 즉, 활성층(120) 상에 조성이 다른 p형Alx Ga1-x As 가 적층되어 이루어진다. 상기 상부반사기층(140)과 하부반사기층(110)은 상기 상,하부전극(160)(170)을 통해 인가된 전류에 의하여 전자와 정공의 흐름을 유도한다. 상기 활성층(120)은 전자와 정공의 재결합으로 인한 에너지 천이에 의하여 광을 생성하는 영역으로 단일 또는 다중 양자-우물 구조, 초격자(super lattice) 구조 등을 가진다.

상기 고저항부(135)는 상기 상부반사기층(140)과 상기 활성층(120) 사이에 형성되며, 기본적으로 그 재질이AlAs 또는 y 값이 대략 0.90 이상이며 상기 상부반사기층(140)과 같은 구조의 p형Aly Ga1-y As 로 된 예비산화층(130)에 대해, 증기 상태의H2O 에 의해 소정 시간동안 산화되어 산화분위기와 접촉되는 외측부에서 소정 깊이만큼 형성된 Al2O3 절연 산화막이다. 이 고저항부(135)는 상기한 선택적 산화법에 의해 형성되므로, 산화된 부분과 활성층(120)에서 생성된 광이 조사되는 부분 사이의 경계 위치를 정밀하게 설정할 수 있어서, 양산시 재현성이 뛰어나다는 장점이 있다.

상기 절연막(150)은 그 재질이 SiO2 로 되어 있으며, 상기 상부반사기층(140)의 광이 출사될 부분인 윈도우(210) 및 그 주변을 제외한 전역에 걸쳐 형성된다. 상기 상부전극(160)은 상기 절연막(150) 상에 형성되며, 상기 윈도우(210) 부분에 대해서는 상기 상부반사기층(140)과 접촉된다. 상기 하부전극(170)은 상기 기판(100')의 하면에 형성된다.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 상기 표면광 레이저의 형상을 살펴보면, 일 표면광 레이저에 대하여, 광이 출사되는 영역인 윈도우(210)를 갖는 포스트(200)와, 이 포스트(200) 주변에 상기한 상부반사기층(140), 고저항부(35), 활성층(120) 및 하부반사기층(110)의 일부 깊이로 인입 형성된 트렌치(trench)(220)와, 상기 포스트(200)와 동일 반도체 적층 구조를 가지는 블록(300)으로 구분된다. 여기서, 상기 절연막(150)은 상기 윈도우(210) 주변을 제외한 상기 포스트(200), 트렌치(220) 및, 블록(300)에 형성된다. 즉, 상기 포스트(200)는 인가된 전류에 따라 광을 생성 조사하는 기능을 하는 부분으로, 윈도우(210) 주변의 상부반사기층(140) 상에 상부전극(160)의 일부가 직접 형성됨에 의해 동작된다. 이에 따라, 상기 상,하부전극(160)(170)에 전원을 인가시 상기 절연막(150)에 의해 상기 블록(300)으로의 전류 흐름이 차단되고, 상기 포스트(200)의 윈도우(210) 주변을 통해 전원이 공급되므로, 상기 포스트(200)에서 광을 조사하게 된다. 물론, 상기한 반도체 층 내부로 인가되는 전류는 고저항부(135)에 의해 가이드된다. 상기 블록(300)은 그 상면이 상기 포스트(200) 상면보다 넓게 형성되므로, 그 상면에 형성된 상부전극에 전원을 인가하기 위하여 와이어 본딩되는 본딩 패드로 이용된다.

여기서, 단일의 표면광 레이저를 예로 들어 그 구조를 설명하였으나, 단일 기판 상에 복수의 표면광 레이저를 일체로 형성한 어레이 구조도 가능하다. 이 경우, 포스트와 블록을 구분짓는 트렌치 이외에 각 표면광 레이저를 구분짖도록 이웃한 블록들 사이에 공간부(도 6의 350 참조)가 형성되어 각 표면광 레이저를 독집적으로 구동할 수 있다.

이하, 도 4 내지 도 10을 참조하여 본 발명에 따른 표면광 레이저의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

우선, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(100)을 준비하고, 이 준비된 기판(100) 상에 순차로 적층하여 하부반사기층(110), 활성층(120),예비산화층(130) 및, 상부반사기층(140)을 형성한다. 여기서, 상기 하부반사기층(110), 활성층(120) 및, 상부반사기층(140)은 도 2 및 도 3을 참조하여 설명된 구성과 동일하다. 한편, 도 2의 기판(100')은 래핑공정 이후 상태로 대략 120 ∼ 130㎛의 두께를 가지는 반면 상기한 기판(100)은 래핑 이전 상태로 대략 650㎛의 두께를 가진다. 상기 예비산화층(130)은 산화되지 않은 상태로 그 재질이AlAs 또는 y 값이 대략 0.90 이상인 Aly Ga1-y As 로 되어 있다.

여기서, 상기 상부반사기층(140) 상에는 후술하는 산화 공정시 상기 상부반사기층(140)의 산화를 방지하기 위한 보호막(180)을 입히는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 보호막(180)은 그 재질이SiO2 로 되어, 산화공정 후 드라이 에칭을 통해 용이하게 제거될 수 있도록 된 것이 바람직하다.

이후, 상부반사기층(140) 또는 보호막(180) 상에 소정 패턴을 만들고 드라이 에칭을 통해 식각하여, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 상부반사기층(140), 예비산화층(130), 활성층(120) 및, 하부반사기층(110)의 적어도 일부분에 걸쳐 인입된 트렌치(220)를 형성한다. 따라서, 상기 트렌치(220)를 경계로 포스트(200)와 블록(300)으로 구분된다. 여기서, 상기 포스트(200)는 광이 조사되는 부분이고, 상기 블록(300)은 상기한 반도체 물질층들의 손상을 방지하기 위한 것으로 와이어 본딩을 위한 본딩패드로 이용되는 부분이다. 상기한 식각공정은 단일 기판(100) 상에 복수의 표면광 레이저를 동시에 형성하는 것으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 트렌치(220) 형성과 함께 각 표면광 레이저를 구분짖도록 이웃한 블록들(300) 사이에 공간부(350)를 형성한다. 여기서, 상기한 패턴을 만들기 위한 포토레지스트 도포, 노광 및 세정공정은 통상의 방법을 따르므로, 그 자세한 설명은 생략한다.

다음으로 도 7에 도시된 바와 같이, 소정 시간동안 산화분위기[H2O(↑)]를 조성하면, 상기 예비산화층(130)은 그 외측에서 내측으로 산화된다. 이에 따라, Al2O3 로 된 고저항부(135)가 형성된다.

여기서, 상기 보호막(180)이 형성된 경우, 상기 보호막(180)을 드라이 에칭등을 통해 제거하는 공정을 포함할 수 있다.

도 8에 도시된 바와 같이, 다음 단계로 상기 포스트(200), 트렌치(220) 및 블록(300)을 감싸도록 절연막(150)을 형성한다. 이 절연막(150)은 그 재질이 SiO2 로 된 것이 바람직하며, 대략 4000Å 정도의 두께로 형성된다.

이 후, 상기 포스트(200) 상면에 형성된 절연막(150)의 일부분 즉, 윈도우(210)가 형성될 부분을 식각하여 상기 포스트(200) 상의 상부반사기층(140) 일부가 노출되도록 한다. 여기서, 절연막(150)의 식각은 드라이 에칭등이 이용되며, 소정의 드라이 에칭 패턴을 만든 후 식각을 통해 절연막(150)의 일부분이 제거된다.

다음단계로, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 상부반사기층(140)의 노출부분의 윈도우(210)를 제외한 부분 상부와, 상기 절연막(150) 상부에 상부전극(160)을 형성한다. 여기서, 상부전극(160) 형성부분에 대한 패턴은 포토레지스트 및 노광공정을 통해 형성될 수 있다.

마지막으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기한 기판(100)을 소정 두께로 래핑하여 얇은 두께의 기판(100')이 되도록 하고, 그 래핑면에 하부전극(180)을 형성하는 것으로 표면광 레이저의 제조가 완료된다.

상기한 바와 같이 제조된 표면광 레이저는 단일 광학부품으로 이용될 수도 있고, 어레이 구조로 이용될 수 있다. 특히, 어레이 구조로 이용하고자 하는 경우 상기한 블록(300)의 형상을 다양화 함으로써 상부전극(160)에 대한 와이어 본딩 패드의 배치를 조절할 수 있다.

상기한 바와 같이, 구성된 표면광 레이저는 양산시 재현성과 신뢰성 향상을 위해 사용되는 선택적 산화법에 의한 고저항부 형성시 이용되던 폴리이미드 충진 구조를 트렌치에 의해 포스트와 구별되는 블록으로 대체함으로써, 그 구성이 간단해진다는 이점이 있다.

또한, 본 발명에 따른 표면광 레이저 제조방법으로 포스트 주변 일부분을 식각하여 트렌치를 형성하여 이 트렌치에 위해 의해 구분되는 블록을 형성함으로써, 포스트 주변의 평탄화 공정을 위해 사용되는 폴리이미드 충진 공정을 배제할 수 있어서 그 제조공정을 단순해지는 이점이 있다.

Claims (7)

1. 기판과; 이 기판 상에 적층 형성된 하부반사기층과; 이 하부반사기층 상에 형성되며 전자와 정공의 재결합으로 광을 생성하는 활성층과; 이 활성층 상에 형성되어 전류의 흐름을 가이드하는 고저항부와; 상기 고저항부 상에 형성된 상부반사기층;을 포함한 표면광 레이저에 있어서,

   윈도우를 가지며, 인가된 전원에 의해 레이저 광을 생성 조사하는 포스트와; 상기 포스트 주위의 상기 상부반사기층과, 활성층 및 하부반사기층의 적어도 일부분에 걸쳐 인입 형성된 트렌치와; 상기 트렌치에 의해 소정 간격 이격된 채로 상기 포스트를 감싸도록 형성된 블록과; 상기 윈도우 및 그 주위를 제외한 상기 포스트 상면 일부와, 트렌치 및, 블록 상에 형성된 절연막과; 상기 절연막 상부에 형성되며, 상기 윈도우 주변에서는 상기 포스트 상면에 직접 형성된 상부전극과; 상기 기판 하면에 형성된 하부전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면광 레이저.
2. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 그 재질이SiO2 로 된 것을 특징으로 하는 표면광 레이저.
3. 준비된 기판 상에 순차로 적층하여 하부반사기층, 활성층, 예비산화층 및, 상부반사기층을 형성하는 단계와;

   상기 상부반사기층 상에 소정 패턴을 만들고 식각하여 상기 상부반사기층,예비산화층, 활성층 및, 하부반사기층의 적어도 일부분에 걸쳐 인입된 트렌치를 형성하여, 상기 트렌치를 경계로 포스트와, 상기 포스트를 감싸도록 된 블록으로 구분하는 단계와;

   소정 시간동안 수증기 분위기에서 상기 예비산화층을 산화시켜 고저항부를 형성하는 단계와;

   상기 포스트, 트렌치 및 블록을 감싸도록 절연막을 형성하는 단계와;

   상기 포스트 상면에 형성된 절연막의 일부분을 식각하여 상기 포스트 상의 상부반사기층 일부가 노출되도록 하는 단계와;

   상기 상부반사기층의 노출부분의 윈도우를 제외한 부분과 상기 절연막 상부에 상부전극을 형성하는 단계와;

   상기 기판을 소정 두께로 래핑하고, 그 래핑면에 하부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면광 레이저 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 절연막은 그 재질이SiO2 로 된 것을 특징으로 하는 인 것을 특징으로 하는 표면광 레이저 제조방법.
5. 제3항에 있어서, 상기 트렌치 형성 이전에 상기 상부반사기층 상에 보호막을 형성하는 단계;를 더 포함하여 산호로부터 상기 상부반사기층을 보호할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 표면광 레이저 제조방법.
6. 제5항에 있어서, 상기 보호막은 그 재질이SiO2 로 된 것을 특징으로 하는 인 것을 특징으로 하는 표면광 레이저 제조방법.
7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 산화단계 후 상기 보호막을 제거하는 단계를 더 포함하여 상기 절연막이 소정 두께로 형성될 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 표면광 레이저 제조방법.