KR100326856B1 - 고주파 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

Abstract

본 발명은 어드레스 방전 특성이 향상된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.

본 발명의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 제 1 기판 상에 데이터전극이 형성되고, 그 데이터전극이 형성된 제 1 기판 상에 형성된 제 1 유전층과, 제 1 유전층 상에 스캔전극이 형성되고, 그 스캔전극이 형성된 제 1 유전층 상에 형성된 제 2 유전층과, 제1 및 제2 유전층에 의해 데이터전극에서 방전공간에 인가되는 데이터전압이 전압강하되는 것을 감소시키기 위하여, 스캔전극의 양측을 따라 제 1 및 제 2 유전층 내에 소정 깊이로 형성된 홈을 구비하고, 제1 유전층의 두께는 제2 유전층 보다 크게 설정된 것을 특징으로 한다.

이에 따라 어드레스 방전시 유전층에서의 전압강하가 줄어들게 되어 구동전압을 낮출 수 있고, 인접한 셀 간의 상호간섭이 방지되어 방전 균일성이 향상되며, 불필요한 에너지 손실을 줄일 수 있는 등의 어드레스 방전 특성이 향상되게 된다.

Description

고주파 플라즈마 디스플레이 패널{Radio Frequency Plasma Display Panel}

본 발명은 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 어드레스 방전 특성이 향상된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 'PDP'라 함)은 가스방전에 의해 발생되는 자외선이 형광체를 여기시켜 형광체로부터 가시광선이 발생되는 것을 이용한 표시장치이다. PDP는 지금까지 표시수단의 주종을 이루어왔던 음극선관(Cathode Ray Tube : CRT)에 비해 두께가 얇고 가벼우며 고선명 대형화면의 구현이 가능하다는 점과 넓은 시야각을 갖는다는 점등의 장점이 있다. PDP는 매트릭스 형태로 배열된 다수의 방전셀들로 구성되며, 하나의 방전셀은 화면의 한 화소를 이루게 된다. PDP에서는 각각의 방전셀 내에서 유지방전의 횟수를 조절함에 의해 화상표시에 필요한 단계적인 밝기, 즉 그레이 스케일(Gray Scale)을 구현한다.

도 1은 종래의 교류 면방전 PDP에서 방전셀의 종단면 구조를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 상판(20)과 하판(22)이 일정한 거리를 두고 평행하게 설치되어 있다. 상판(20)을 구성하는 상부기판(24)의 배면에는 교류 구동 신호가 공급되어 면방전을 이루는 방전유지전극(26)쌍이 각각의 방전셀 별로 나란하게 형성된다. 방전유지전극(26)쌍 위에 균일한 두께로 형성되는 상부유전층(28)은 방전시 전하를 축적하는 기능을 갖는다. 상부유전층(28) 상에 전면 도포되는 보호층(30)은 방전시 하전입자의 스퍼터링 충격으로부터 방전유지전극(26)쌍과 상부유전층(28)을 보호하여 방전셀의 수명을 연장시킨다. 하판(22)을 구성하는 하부기판(32) 상에는 어드레스 방전을 위한 데이터전극(34)이 상부기판(24) 상의 방전유지전극(26)쌍과 상호 직각으로 교차되도록 형성된다. 하부기판(32)과 데이터전극(34) 상에는 방전시 벽전하 형성을 위한 하부유전층(36)이 전면 도포된다. 또한 상판(20)과 하판(22) 사이에는 격벽(42)이 수직으로 형성된다. 격벽(42)은 상판(20) 및 하판(22)과 함께 셀의 방전영역(38)을 형성하고, 방전셀들을 서로 구분하여 이웃한 셀 간의 전기적, 광학적 상호간섭을 차단한다. 방전영역(38) 내에는 방전시 자외선을 발생하는 He+Xe 또는 Ne+Xe의 혼합가스가 충진된다. 하판(22)의 하부유전층(36) 상에는 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 가시광선을 발생하는 형광층(40)이 도포된다.

빛이 방출되는 과정을 간략히 설명하면, 먼저 상판(20)의 방전유지전극(26)과 하판(22)의 데이터전극(34) 간에 전압을 인가하면 어드레스 방전이 일어나 상/하부 유전층(28,36)에 벽전하가 형성된다. 형성된 벽전하는 유지 방전에 필요한 방전전압을 낮추는 역할을 한다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀들에서는 방전유지전극(26)쌍에 공급되는 교류 신호에 의해 방전유지전극(26) 간에 유지 방전이 일어난다. 교류 신호로는 듀티(Duty)비가 1인 구형파 형태의 펄스가 주로 사용된다. 교류 신호의 주파수는 보통 200 ~ 300㎑ 정도이고, 이 때 방전펄스 폭은 10 ~ 20㎲ 정도가 된다. 유지 방전시 방전영역(38)에서는 하전입자가 생성된다. 이 하전입자에 의해 방전가스가 여기된 후 천이되는 과정에서 자외선이 발생한다. 발생된 자외선은 형광층(40)을 여기시켜 가시광선을 발생시키게 되고, 이로써 PDP의 화상이 구현되어진다.

교류 면방전 PDP에서 유지방전은 하나의 구형펄스에 대해서 극히 짧은 순간에 한 번씩만 발생한다. 유지 면방전시 발생되는 하전입자들은 방전유지전극(26)간에 형성된 방전경로를 전극 극성에 따라 이동함으로써 상부유전층(28) 표면에 벽전하를 형성한다. 형성된 벽전하에 의해 방전영역(38) 내의 방전전압이 감소하게 됨으로써 방전이 멈추게 된다. 이에 따라 교류 면방전 PDP에서는 대부분의 방전 시간이 벽전하 형성 및 다음 방전을 위한 준비 단계로 소비되어 방전효율이 낮아지게 된다. 또한 네가티브 글로우(Negative glow)를 이용함에 따라 방전영역에 인가된 전기에너지가 대부분 가스의 여기 및 이온화에 소모되어 발광효율 및 휘도가 낮아지는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 고주파(Radio Frequency) 신호에 의해 방전이 연속적으로 유지되는 PDP(이하 'RF PDP'라 함)가 제안되고 있다. RF PDP에서는 PDP에 공급되는 고주파 신호의 힘을 받아 방전영역 내에서 진동운동을 하는 전자가 방전가스를 연속적으로 이온화시킴으로써 거의 대부분의 방전시간동안 연속적인 방전이 이루어지게 된다.

도 2는 종래의 RF PDP에서 방전셀의 종단면 구조를 나타낸 단면도이다. 도 2를 참조하면, 상판(60)과 하판(62)이 일정한 거리를 두고 평행하게 설치되어 있다. 상판(60)을 구성하는 상부기판(64)의 배면에는 고주파 신호가 공급되어 고주파 유지 방전을 이루는 고주파전극(66)들이 각각의 방전셀별로 나란하게 형성된다. 고주파전극(66) 위에 형성되는 상부유전층(68)은 방전시 전하를 축적하는 기능을 갖는다. 상부유전층(68) 상에 전면 도포되는 상부보호층(70)은 방전시 하전입자의 스퍼터링 충격으로부터 고주파전극(66)과 상부유전층(68)을 보호하여 방전셀의 수명을 연장시킨다. 하판(62)을 구성하는 하부기판(72) 상에는 어드레스 방전을 위한 데이터전극(74)이 상판(60)의 고주파전극(66)과 상호 직각으로 교차되도록 형성된다. 데이터전극(74) 위에는 전극들간의 절연을 위한 제 1 유전층(76)을 사이에 두고 스캔전극(78)이 데이터전극(74)과 상호 직교하는 방향으로 형성된다. 스캔전극(78)과 상판(60)의 고주파전극(66)은 서로 평행을 이룬다. 스캔전극(78)은 데이터전극(74)과 함께 어드레스 방전을 일으킴과 아울러 상판(60)의 고주파전극(66)과 함께 고주파 유지 방전을 일으키게 된다. 스캔전극(78) 위에는 다시 제 2 유전층(80)과 하부보호층(82)이 순차적으로 형성된다. 또한 상판(60)과 하판(62) 사이에는 격벽(84)이 수직으로 형성된다. 격벽(84)은 상판(60) 및 하판(62)과 함께 셀의 방전영역(86)을 형성하고, 방전셀들을 서로 구분하여 이웃한 셀 간의 전기적, 광학적 상호간섭을 차단한다. 방전영역(86) 내에는 방전시 자외선을 발생하는 He+Xe 또는 Ne+Xe의 혼합가스가 충진된다. 하판(62)의 제 2 유전층(80) 상에는 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 가시광선을 발생하는 형광층(88)이 도포된다.

RF PDP의 방전 과정을 개략적으로 설명하면, 하판(62)의 데이터전극(74)과 스캔전극(78) 사이에 교류 구동 신호가 공급되어 두 전극(74,78) 간에 어드레스 방전이 일어난다. 이 과정에서 방전영역(86)에는 전자 등의 하전입자가 생성된다. 그 다음 상판(60)의 고주파전극(66)에 공급되는 고주파 신호에 의해 방전영역(86)에서는 전계의 방향이 교번적으로 바뀌게 된다. 이에 따라 방전영역(86) 내에 생성된 전자들은 고주파전극(66)과 스캔전극(78) 사이에서 상하로 진동운동을 하면서 연속적으로 유지 방전을 일으킨다. 그리하여 글로우(Glow) 방전에서 전극간의 거리가 긴 경우 방전효율이 매우 높아지는 양광주(Positive column)와 같은 효과를 거둘 수 있게 된다. 진동운동하는 전자들은 대부분의 방전시간동안 연속적으로 방전가스를 여기 및 이온화시키게 된다. 이 과정에서 발생되는 자외선이 형광층(88)을 여기시켜 가시광선을 발생시키게 되고, 이에 따라 PDP의 화상이 구현되게 된다.

이와 같은 RF PDP에서 유지 방전 효율은 종래의 교류 면방전 PDP에 비해 향상되기는 하지만 셀 선택과 하전입자 생성을 위한 어드레스 방전에 있어서는 여전히 문제점을 내포하고 있다. 도 3a 및 도 3b를 결부하여 이러한 문제점을 설명하기로 한다. 도 3a은 기존의 RF PDP에서 어드레스 방전을 이루는 하판의 종단면 구조를 상세히 도시한다. 도 3a에 도시된 바와 같이 패널의 하판(62)에 형성된 스캔전극(78)과 데이터전극(74) 사이에는 전기적 절연을 위한 제 1 유전층(76)이 형성되고, 그 위에는 또다시 제 2 유전층(80)이 형성되게 된다. 제 2 유전층(80) 위에 형성되는 보호층과 형광층은 도 3a에서 생략되어 있다. 종래의 교류 면방전 PDP에서는 유지 방전뿐만이 아니라 어드레스 방전을 일으키는 방전유지전극쌍이 방전셀마다 나란하게 배치되고, 그 위에 유전층이 균일한 두께로 형성된다. 방전을 일으키기 위해 전극에 전압을 걸면 유전층에서는 그 두께에 비례하여 전압강하가 일어나게 되고, 그에 따른 차전압이 방전영역에 인가되어 방전을 일으키게 된다. 방전유지전극쌍 위에 형성된 유전층은 그 두께가 서로 동일하므로 방전유지전극에 전압이 인가되었을 때 유전층에서 발생하는 전압 강하의 양은 어디서나 동일하다. 따라서 방전유지전극쌍 중 어느 전극에 전압이 인가되더라도 유전층에서 동일한 전압강하가 발생하므로 방전셀 내부 어디에서나 방전이 균일하게 일어난다. 이와 같은 교류 면방전 PDP에서는 유전층의 두께를 조절함으로써 방전효율을 최적화시키기가 용이하다. 하지만 RF PDP에서는 도 3a에 도시된 바와 같이 데이터전극(74) 위에형성된 유전층의 두께(t₁+t₂)와 스캔전극(78) 위에 형성된 유전층의 두께(t₁)가 서로 다르다. 이에 따라 어드레스 방전시 스캔전극(78)과 데이터전극(74)에 전압을 인가하였을 때 유전층의 두께 차이에 따른 전압강하의 차이에 의해 실제 방전영역(86)에 인가되는 방전전압이 서로 달라져 방전이 위치에 따라 불균일해지는 문제가 발생한다. 또한 스캔전극(78)과 데이터전극(74) 사이에 절연을 위해 추가로 형성된 제 1 유전층(76)에 의해 유전층에서 발생되는 전압강하의 양이 종래의 교류 면방전 PDP에 비해 더욱 커진다. 스캔전극(78)과 데이터전극(74) 상에 형성된 유전층들(76,80)에서 발생하는 전압강하에 의해 RF PDP의 방전영역(86) 상에 실제 인가되는 방전전압은 데이터전극(74)과 스캔전극(78) 간에 인가하는 구동전압의 60 ~ 70% 정도인 것으로 추정되고 있다. 그리하여 방전영역(86) 내에서 어드레스 방전을 일으키기 위해 필요한 전압이 200V라고 한다면 실제 데이터전극(74)과 스캔전극(78) 간에는 290 ~ 330V의 더 높은 전압을 걸어주어야 한다. 아울러 RF PDP에서는 데이터전극(74)과 스캔전극(78) 사이의 기생 커패시턴스 성분(C2)에 의해 불필요한 에너지 소비가 발생하게 되어 방전효율이 저하되는 문제점이 있다. 이러한 기생 커패시턴스 성분(C2)은 제 1 유전층(76)의 두께 t₂를 증가시키면 감소하게 되지만, 제 1 유전층(76)의 두께를 증가시키면 유전층에서의 전압강하량이 커져 데이터전극(74)에 공급하는 구동전압을 높여야하고 이에 따른 또 다른 문제를 초래하게 된다. 어드레스 방전시 데이터전극(74)의 구동전압을 높이게 되면, 도 3b에 도시된 하판의 평면도에서 보여지는 바와 같이 데이터전극(74)의 길이 방향으로 어드레스 방전패턴(90)이 길게 형성된다. 그리하여 인접한 셀로의 하전입자의 확산 및 이동이 심해져 인접한 셀 간의 상호간섭이 발생한다. 이러한 문제는 패널의 전체적인 방전 균일성과 구동전압 마진에 심각한 영향을 미치게 된다.

따라서, 본 발명의 목적은 어드레스 방전 특성이 향상된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 제공함에 있다.

도 1은 종래의 교류 면방전 PDP에서 방전셀의 종단면 구조를 나타낸 단면도.

도 2는 종래의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서 방전셀의 종단면 구조를 나타낸 단면도.

도 3a는 종래의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서 하판의 종단면 구조를 도시하는 단면도.

도 3b는 종래의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서의 어드레스 방전 패턴을 도시하는 하판의 평면도.

도 4a는 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서 하판의 종단면 구조를 도시하는 단면도.

도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서의 어드레스 방전 패턴을 도시하는 하판의 평면도.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서 하판의 평면 구조를 도시하는 평면도.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이패널의 하판 제조방법을 단계적으로 도시하는 도면.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

20,60 : 상판 22,62,100 : 하판

24,64 : 상부기판 26 : 방전유지전극

28,68 : 상부유전층 30 : 보호층

32,72,102 : 하부기판 34,74,104 : 데이터전극

36 : 하부유전층 38,86 : 방전영역

40,88 : 형광층 42,84 : 격벽

66 : 고주파전극 70 : 상부보호층

76,106 : 제 1 유전층 78,108 : 스캔전극

80,110 : 제 2 유전층 82 : 하부보호층

90,116 : 어드레스 방전패턴 112 : 홈

114,118,120 : 유전체 장벽 140 : 포토 레지스트

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 제 1 기판 상에 데이터전극이 형성되고, 그 데이터전극이 형성된 제 1 기판 상에 형성된 제 1 유전층과, 제 1 유전층 상에 스캔전극이 형성되고, 그 스캔전극이 형성된 제 1 유전층 상에 형성된 제 2 유전층과, 제1 및 제2 유전층에 의해 데이터전극에서 방전공간에 인가되는 데이터전압이 전압강하되는 것을 감소시키기 위하여, 스캔전극의 양측을 따라 제 1 및 제 2 유전층 내에 소정 깊이로 형성된 홈을 구비하고, 제1 유전층의 두께는 제2 유전층 보다 크게 설정된 것을 특징으로 한다.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.

이하, 도 4a내지 도 6e를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.

도 4a는 본 발명의 실시 예에 따른 RF PDP의 하판의 종단면 구조를 도시한다. 도 4a를 참조하면, 하판(100)을 구성하는 하부기판(102) 상에 데이터전극(104)이 형성되고, 그 위에 제 1 유전층(106)이 전면 도포된다. 제 1 유전층(106) 상에는 스캔전극(108)이 데이터전극(104)과 직교하는 방향으로 형성되며, 그 위에 다시 제 2 유전층(110)이 도포된다. 각 방전셀 별로 형성되는 스캔전극(108) 사이의 일부 유전층 영역은 에칭 작업에 의해 식각된다. 식각된 영역은 홈(112)을 형성하고, 식각되지 않은 영역은 유전체 장벽(114)을 형성한다. 이러한 하판(100) 구조상에 또한 형성되는 보호층과 형광층은 도면에서 생략되어 있다. 스캔전극(108)과 데이터전극(104) 사이의 제 1 유전층(106)은 50 ~ 70㎛ 정도의 충분한 두께로 형성된다. 홈(112)에서는 제 1 유전층(110)은 물론 제 1 유전층(106)의 일부가 식각되어 데이터전극(104)과 방전영역 사이의 유전층 두께가 매우 얇게 된다. 유전체 장벽(114)에서는 데이터전극(104)과 방전영역 사이의 유전층 두께가 종래의 구조와 마찬가지로 매우 두껍다.

본 발명에 따른 하판 구조를 갖는 RF PDP에서 데이터전극(104)과 스캔전극(108)에 구동전압을 인가하면 어드레스 방전은 스캔전극(108)과 데이터전극(104)의 교차부에서 발생하여 데이터전극(104)의 길이 방향으로 확대되어 간다. 이 때 방전이 셀 내의 유전체 장벽(114)에 도달하게 되면 어드레스 방전패턴(116)은 더 이상 확대되지 못하고 도 4b에 도시되는 바와 같이 방전셀 내에 한정되게 된다. 그 이유는 두꺼운 유전층에서의 큰 전압강하로 인해 유전체 장벽(114) 위의 방전영역에 인가되는 방전전압이 매우 낮아지기 때문이다. 하지만 스캔전극(108) 위에 형성된 유전층과 홈(112)에서의 유전층 두께는 비교적 얇기 때문에 데이터전극(104)과 스캔전극(108)에 공급되는 구동전압의 대부분이 방전영역에 인가되게 된다. 이에 따라 어드레스 방전은 스캔전극(108) 위의 방전영역과 홈(112)의 방전영역에서 집중적으로 발생하고 유전체 장벽(114) 위에서는 방전이 억제된다. 또한 홈(112)을 갖는 본 발명의 RF PDP에서는 데이터전극(104)에 공급되는 구동전압 대부분이 방전영역에 인가될 수 있기 때문에 구동전압을 낮출 수 있게 된다. 데이터전극(104)의 구동전압이 낮아지면 어드레스 방전시 하전입자들이 인접한 셀로 확산되는 현상이 줄어들게 되므로 인접한 셀 간의 상호간섭을 더욱 줄일 수 있게 된다. 한편 제 1 유전층(106)은 충분한 두께로 형성되어 스캔전극(108)과 데이터전극(104) 사이의 기생 커패시턴스 성분을 최소화시킨다. 이에 따라 불필요한 에너지 손실을 막을 수 있게 된다. 본 발명에서는 스캔전극(108)과 데이터전극(104) 사이의 유전층 두께를 충분히 두껍게 함과 동시에 데이터전극(104) 위에 형성된 유전층 두께는 얇게 할 수 있어, 유전층에서의 에너지 손실과 전압강하의 문제를 동시에 해결할 수 있게 된다.

도 4b에 도시된 하판의 평면도에서 보여지는 바와 같이 어드레스 방전패턴(116)은 데이터전극(104)을 따라 분포하고 유전체 장벽(114)에서 멈추게 된다. 유전체 장벽(114)은 이러한 분포를 갖는 어드레스 방전패턴(116)이 인접한 셀로 확장되지 못하도록 막는 범위 내에서 다양한 형태로 형성될 수 있다. 즉 어드레스 방전패턴(116)은 데이터전극(104)의 길이 방향으로 분포하므로, 도 5a 내지 도 5b에 도시되는 바와 같이 짧은 직사각형 형태나 타원 형태를 갖는 유전체 장벽(118,120)이 데이터전극(104) 주변을 중심으로 형성되도록 하는 것도 가능하다. 그 외의 다른 어떠한 형태도 가능하며, 이러한 다양한 형태의 유전체 장벽은 유전층을 원하는 형태로 에칭하기 위해 하판 상에 도포하는 포토 레지스트(Photo-Resist)를 적절한 형태로 패터닝(Patterning)함으로써 손쉽게 구현될 수 있다.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 실시 예에 따른 RF PDP의 하판 제조방법을 단계적으로 도시하는 도면이다. 먼저 도 6a를 참조하면, 하부기판(102) 상에 데이터전극(104)과, 제 1 유전층(106)과, 데이터전극(104)과 직교하는 방향으로 배치되는 스캔전극(108)과, 제 2 유전층(110)이 순차적으로 적층된 하판(100)이 마련된다. 본 발명에서는 제 1 및 제 2 유전층(106,110)의 재료로서 자외선에 반응하여 그 형질이 변형되는 특성을 갖는 감광성 유리를 사용한다. 하판(100) 상에는 도 6b에 도시된 바와 같이 적절한 형태로 패터닝된 포토 레지스트(140)가 도포된다. 포토 레지스트(140)는 스캔전극(108)과 유전체 장벽이 형성되는 위치에만 형성되도록 패터닝된다. 그 다음 단계로 도 6c에 도시된 바와 같이 포토 레지스트(140)가 형성된 하판(100) 상에 자외선을 조사한다. 하판(100)에 자외선을 조사한 후 열처리하면, 자외선이 조사된 유전층 부분과 포토 레지스트(140)에 가려져 자외선이 조사되지 않은 유전층 부분은 조직적으로 서로 차이가 나게 된다. 자외선 조사 및 열처리 단계를 거친 후 하판(100)은 불산(HF)을 포함하는 수용액에 소정 시간동안 침전되어 에칭된다. 에칭되는 부분은 자외선 조사량과 열처리 온도 등에 따라 달라지게 된다. 자외선이 조사된 유전층 부분이 에칭되도록 하는 방법을 포지티브 감광성 유리 에칭법이라고 하고, 포토 레지스트(140)에 가려져 자외선이 조사되지 않은 부분이 에칭되도록 하는 방법을 네가티브 감광성 유리 에칭법이라고 한다. 도 6d에 도시된 방법은 자외선이 조사된 부분이 에칭되도록 하는 포지티브 감광성 유리 에칭법으로서, 이 경우 노광된 유전층 부분에는 열처리에 의해 결정상이 석출됨으로써 에칭액에 의해 에칭되게 된다. 네가티브 감광성 유리 에칭법의 경우에는 조사하는 자외선의 에너지가 포지티브 감광성 유리 에칭법의 경우보다 낮고, 반면 열처리 온도는 포지티브 감광성 유리 에칭법의 경우보다 더 높다. 네가티브 감광성 유리 에칭법에서 노광된 유전층 부분은 결정상이 형성된 치밀한 조직 구조를 갖는 반면, 포토레지스트에 가려진 미노광 부분은 과다 결함이 존재하는 비정질 구조를 갖게 된다. 이에 따라 에칭시에는 비정질 구조를 갖는 미노광 부분에 에칭액의 침투가 용이해져 미노광 부분이 빠르게 에칭되어 제거되게 된다. 이와 같은 네가티브 감광성 유리 에칭법을 본 발명의 제조방법에 이용할 경우에는 도 6b에 도시된 형태와는 반대로 포토 레지스트가 유전체 우물이 형성될 부분에만 형성되도록 하여야 한다. 포지티브 감광성 유리 에칭법에 의해 노광된 유전층을 제거하면 도 6d에 도시된 바와 같이 유전체 장벽(114)과 홈(112)이 형성된다. 마지막으로 도 6e의 과정에서 하판(100) 상의 포토 레지스트를 제거한 후 도면에 도시되지 않은 보호층과 형광층을 입히면 본 발명에 따른 RF PDP의 하판이 완성되게 된다.

본 발명에서 제 1 및 제 2 유전층(106,110)의 재료로서 사용되는 감광성 유리는 이방성 에칭 특성을 가지고 있다. 그리하여 에칭 시간을 적절히 조절하면 에칭되는 부분의 폭과 깊이를 쉽게 조절할 수 있어 정밀한 형상을 구현할 수 있게 된다. 이에 따라 본 발명의 하판 제조방법은 데이터전극 위의 유전층 두께를 균일하게 할 수 있어 어드레스 방전의 방전 균일성을 높일 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 유전체 장벽을 이용하여 어드레스 방전시 인접한 셀 간의 상호간섭을 효과적으로 억제할 수 있고, 이로써 방전셀 별 방전 균일성과 구동전압 마진을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한 데이터전극 위에 형성되는 유전층의 두께를 줄임으로써 어드레스 방전에 필요한 구동전압을 낮출 수 있다. 이에 따라 구동 소자의 부담을 줄이고 인접한 셀 간의 상호간섭을 더욱 줄일 수 있게 된다. 아울러 데이터전극과 스캔전극 사이의 유전층을 충분히 두껍게 형성함으로써 기생 커패시턴스 값을 줄일 수 있게 되고, 이에 따라 불필요한 에너지 손실을 줄일 수 있게 된다.

본 발명에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서는 감광성 유리를 이용한 이방성 에칭법을 이용하여 유전체 장벽 및 홈이 마련된 하판을 정밀하게 형성할 수 있다. 이에 따라 데이터전극 위에 형성된 유전층의 두께를 균일하게 할 수 있어 어드레스 방전의 방전 균일성과 구동전압 마진을 향상시킬 수 있게 된다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (6)

1. 제 1 기판에 서로 교차되게 형성되어 어드레스방전으로 방전셀을 선택하는 데이터전극 및 스캔전극과, 상기 제 1 기판과 방전공간을 사이에 둔 제 2 기판에 형성되어 상기 선택된 방전셀에서 상기 스캔전극과 함께 고주파 유지방전을 일으키는 고주파전극을 포함하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,

   상기 제 1 기판 상에 상기 데이터전극이 형성되고, 그 데이터전극이 형성된 제 1 기판 상에 형성된 제 1 유전층과,

   상기 제 1 유전층 상에 상기 스캔전극이 형성되고, 그 스캔전극이 형성된 상기 제 1 유전층 상에 형성된 제 2 유전층과,

   상기 제1 및 제2 유전층에 의해 상기 데이터전극에서 상기 방전공간에 인가되는 데이터전압이 전압강하되는 것을 방지하기 위하여, 상기 스캔전극의 양측을 따라 상기 제 1 및 제 2 유전층 내에 소정 깊이로 형성된 홈을 구비하고,

   상기 제1 유전층의 두께는 제2 유전층 보다 크게 설정된 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 홈과 상기 방전셀들간의 경계부 사이에는 상기 어드레스방전이 상기 데이터전극을 따라 확산되는 것을 방지하기 위하여 상기 데이터전극을 가로지는 방향으로 상기 제1 및 제2 유전층 두께를 갖는 유전체 장벽이 형성된 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
3. 제 2 에 있어서,

   상기 유전체장벽은 상기 데이터전극과 상기 방전셀들간의 경계부에만 부분적으로 형성된 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
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