KR100326623B1 - Inlet structures for introducing a particulate solids containing and/or solids forming gas stream to a gas processing system - Google Patents

Inlet structures for introducing a particulate solids containing and/or solids forming gas stream to a gas processing system Download PDF

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Abstract

본 발명은 기체의 상류 공급원(90)으로부터 하류 지점으로 기류를 통과시키기 위한 입구 구조체(60)에 관한 것으로, 이 입구 구조체(60)는 입자와 박막의 침적 및 형성을 억제할 뿐만 아니라 유체역학적 악영향을 억제하도록 구성되고, 배치 및 작동된다.The present invention relates to an inlet structure 60 for passing airflow from an upstream source 90 of gas to a downstream point, which not only inhibits the deposition and formation of particles and thin films, but also adversely affects hydrodynamics. Are configured, arranged and operated.

Description

입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 기체 처리 시스템에 주입하기 위한 입구 구조체{INLET STRUCTURES FOR INTRODUCING A PARTICULATE SOLIDS CONTAINING AND/OR SOLIDS FORMING GAS STREAM TO A GAS PROCESSING SYSTEM}INLET STRUCTURES FOR INTRODUCING A PARTICULATE SOLIDS CONTAINING AND / OR SOLIDS FORMING GAS STREAM TO A GAS PROCESSING SYSTEM}

입상 고체 함유 기류 및/또는 입상 고체 형성 기류를 처리하는 공정에 있어서, 처리 장비의 입구 구조체가 상기 기류의 입상 고체에 의해 막히는 것은 종종 문제가 된다. 입상 고체 함유 기류 및/또는 입상 고체 형성 기류가 상기 처리 장비를 통해 유동함에 따라, 상기 입상 고체는 입구 구조체의 내표면 및 통로에 침적될 수 있다.In the process of treating the particulate solid-containing air stream and / or the particulate solid-forming air stream, it is often a problem that the inlet structure of the processing equipment is blocked by the particulate solid in the air stream. As the particulate solid containing air stream and / or the particulate solid forming air flow flows through the processing equipment, the particulate solid may be deposited on the inner surface and the passageway of the inlet structure.

상기 처리 장비가 계속 운전되면서 입상 고체가 축적된다면, 이러한 장비의 입구 구조체는 완전히 막히기에 충분할 정도로 막힐 수도 있다. 또는, 이러한 입상 고체의 축적으로 인해 처리 유닛의 입구가 막히지는 않을 수도 있지만, 상기 처리 장비가 그 의도한 목적을 달성하기에는 상당히 비효율적으로 될 정도로 기류의 유동이 손상되고 상기 시스템에서의 압력 강하가 증대될 수도 있다.If particulate solids accumulate as the processing equipment continues to run, the inlet structure of such equipment may be blocked enough to completely block it. Alternatively, the accumulation of such particulate solids may not block the inlet of the processing unit, but the flow of airflow is impaired and the pressure drop in the system is increased to such an extent that the processing equipment is considerably inefficient to achieve its intended purpose. May be

일반적으로, 기류와 관련된 입자들은 (i) 상류의 처리 유닛에서 발생되어 기류와 함께 하류의 입구 구조체에 이르는 입자, (ii) 시스템 라인으로 들어가는 누설물로부터의 산소와, 처리 기체 성분과의 반응에 의해 상기 시스템 라인에 형성된 입자, (iii) 기류가 하류의 입구 구조체에 이르는 유동 중에 둘 이상의 처리 기체 차단(process off-gas) 반응으로 인해 상기 시스템 라인에 형성된 입자, (iv) 하류의 입구 구조체에 이르는 차단 기체들의 (부분적인) 응결에 의해 형성된 입자, (v) 예를 들어, 하류의 물 정화기(water scrubber)와 같은 하류의 기류 처리 유닛으로부터 역확산되는 산소 또는 수증기와, 처리 기체와의 반응에 의해 형성된 입자 등을 비롯한 여러 공급원으로부터 유래될 수 있다. 응결에 의해 입자가 형성되는 몇몇 상황에 있어서, 기류 중의 응결 가능한 성분을 제거하기 위하여, 처리 라인을 가열함으로써 상기 문제점을 개선할 수 있다. 그러나, 처리 라인을 가열한다 하더라도, 다른 공급원들로부터 유래하는 입자와 관련된 문제들은 여전히 남아 있다.In general, particles associated with the air stream are (i) particles generated in the upstream treatment unit and upstream with the air stream to the downstream inlet structure, (ii) oxygen from the leaks entering the system line, and reaction with the treatment gas component. Particles formed in the system line by means of (iii) particles formed in the system line due to two or more process off-gas reactions during the flow of air to the downstream inlet structure, and (iv) in the inlet structure downstream. Particles formed by (partial) condensation of the blocking gases leading to (v) reaction with the treatment gas, with oxygen or water vapor being despread from, for example, a downstream air flow treatment unit, such as a downstream water scrubber. From various sources, including particles formed by and the like. In some situations where particles are formed by condensation, the problem can be ameliorated by heating the processing line to remove condensable components in the air stream. However, even when the treatment line is heated, problems with particles from other sources still remain.

특히, 반도체 제조 분야에 있어서, (a) 기류를 처리하기 위하여 이용되는 하류의 산화 작업 및/또는 물 정화 작업의 연소 생성물이 주입 물에 민감한 BCl3, WF6, DCS, TCS, SiF4등의 기체와 비균질한 방식으로 또는 균질한 방식으로 가수 분해 반응을 야기함에 따른 모세관 작용에 의한 수증기 또는 액상 물의 입구로 역류, (b) 열에 민감한 주입 기체들의 열저하, (c) 시스템 내의 전이점(transition point)으로 인한 주입 기체들의 응결 등으로 인해 입구가 막히는 현상이 일어나기 쉽다.In particular, in the field of semiconductor manufacturing, (a) the combustion products of downstream oxidation and / or water purification operations used to treat airflow are susceptible to injection water such as BCl 3 , WF 6 , DCS, TCS, SiF 4, etc. Backflow into the inlet of water vapor or liquid water by capillary action resulting in a hydrolysis reaction in a heterogeneous or homogeneous manner with the gas, (b) thermal degradation of the heat sensitive injection gases, (c) a transition point in the system The inlet is likely to be clogged due to condensation of the injection gases due to the point).

전술한 입구 막힘 문제로 인해, 입구에 입상 고체가 축적되지 않도록 하기 위하여 플런저 기구 또는 다른 입상 고체 제거 수단을 합체할 필요가 있다. 그러나, 이러한 기계적 고정 장치들은 상기 시스템에 상당한 비용 및 노동력을 추가시키고, 시간이 경과할수록 입구를 손상시킬 수 있다. 다른 경우에 있어서, 입구의 막힘 문제는 시스템 전체에 영향을 줄 수 있고, 입구에 입상 고체가 축적되지 않도록 하기 위하여 주기적인 예방 조치를 취할 필요가 있다. 그러나, 이러한 조치를 하기 위해서는 시스템을 정지시켜야 하고, 이러한 조치를 취하게 되면 입구가 관련이 있는 제조 설비 또는 처리 설비의 생산성이 저하된다.Due to the inlet blockage problem described above, it is necessary to incorporate a plunger mechanism or other particulate solid removal means in order to prevent particulate solids from accumulating at the inlet. However, these mechanical fasteners add significant cost and labor to the system and can damage the inlet over time. In other cases, clogging of the inlet can affect the entire system and it is necessary to take periodic precautions to ensure that no particulate solids accumulate at the inlet. However, these measures require the system to be shut down, which reduces the productivity of the manufacturing or processing plant to which the inlet is associated.

반도체 공정의 방출 기류 처리 시스템에서, 수증기 또는 액상 물이 모세관 작용에 의해 하류 물 정화기로부터 상류 입구 구조체로 역류하는 현상이 발생하는 것을 고려하여[물 정화기로부터 방출된 수증기는 처리 기류의 통상적인 유동 방향과는 반대로, 물 정화기 입구로부터 반도체 처리 공구를 향해 복귀 이동한다], 수증기의 복귀 이동에 여러 매카니즘이 포함될 수 있다.In the discharge airflow treatment system of a semiconductor process, considering that water vapor or liquid water flows back from the downstream water clarifier to the upstream inlet structure by capillary action, the water vapor discharged from the water clarifier is a conventional flow direction of the treatment airflow. In contrast, the return movement from the water purifier inlet toward the semiconductor processing tool], several mechanisms may be included in the return movement of the water vapor.

이러한 매카니즘 중 하나는 기체-기체 상호 확산이다. 수증기가 복귀 이동하는 것을 피하는 유일한 실질적인 방법은 확산 경계를 물 정화기 입구에 추가하는 것이다.One such mechanism is gas-gas interdiffusion. The only practical way to avoid the return movement of water vapor is to add a diffusion boundary to the water purifier inlet.

수증기의 이러한 역확산을 위한 다른 매카니즘은 소위 리차드슨 환형 효과(Richardson effect annular effect)이다. 모든 건식 펌프(dry pump)는 기류 중의 소정량의 압력 진동을 야기한다. 이러한 압력 진동은 기체를 통상적인 기체 유동 방향과는 반대로 급송하는 역류 수송 매카니즘을 야기한다. 이러한 현상은 경계층 환형 효과의 결과이다. 이러한 효과 때문에, 역류 이동 속도는 벽의 표면에서 짧은 거리로 떨어져 있는 곳에서 가장 크다.Another mechanism for this despreading of water vapor is the so-called Richardson effect annular effect. All dry pumps cause some amount of pressure vibration in the air stream. This pressure oscillation results in a backflow transport mechanism that feeds the gas in opposition to the usual gas flow direction. This phenomenon is the result of the boundary layer annular effect. Because of this effect, the reverse flow velocity is greatest where it is a short distance away from the surface of the wall.

처리 장비들이 계속 운전되면서 입상 고체들이 계속 축적된다면, 이러한 장비의 입구 구조체는 전체가 막히기에 충분할 정도로 막힐 수 있다. 또는, 이러한 입상 고체의 축적에 의해 처리 유닛의 입구가 막히지는 않을 수 있지만 처리 장비가 그 의도한 목적을 달성하기에는 상당히 비효율적으로 될 정도로 기류의 유동이 손상되고 시스템에서의 압력 강하가 증대될 수 있다.If the granular solids continue to accumulate as the processing equipment continues to run, the inlet structure of such equipment may be blocked enough to block the entirety. Alternatively, the accumulation of such particulate solids may not block the inlet of the processing unit but may impair the flow of airflow and increase the pressure drop in the system so that the processing equipment is considerably inefficient to achieve its intended purpose. .

특히, 반도체 장치의 제조시에 발생되는 폐기류와 같은 기류를 세정하는 데 사용되는 물 정화기의 경우에, 물 정화기로 주입되는 기류를 구성하는 폐기체는 CVD 또는 다른 증착 작업에 의해 생기는 초미세 실리카 입자, 금속 입자와 같이 상당히 미세한 입자들을 함유하거나 그러한 입자들을 생성(반응 또는 응결에 의해)할 수 있다. 이러한 폐기류는 폐기체 물 정화기의 입구를 매우 쉽게 막히게 하는 경향이 있다. 그 결과, 물 정화기의 입구를 빈번하게 수작업으로 세척할 필요가 있다.In particular, in the case of water purifiers used to clean air streams such as waste streams generated in the manufacture of semiconductor devices, the waste streams constituting the air stream injected into the water purifier are ultrafine silicas produced by CVD or other deposition operations. It may contain fairly fine particles, such as particles, metal particles, or produce (by reaction or condensation) such particles. Such waste streams tend to clog the inlet of the waste water purifier very easily. As a result, the inlet of the water purifier needs to be frequently cleaned manually.

이처럼 입구가 막히기 쉽다는 것은 반도체 산업에서 현재 사용되고 있는 물 정화기 유닛의 주단점이다. 이러한 용례에서, 물 정화기의 입구가 막히는 데 필요한 시간은 공정 및 특정 위치에 좌우된다. 입구의 막힘으로 인해 물 정화기가 고장나는 데에 드는 평균 시간에 영향을 주는 인자들로는, 물 정화기에서 처리될 입자 함유 처리 방출류를 발생시키는 처리 공구, 물 정화기에서 처리될 상기 유출 기류를 발생시키는 상류 처리 유닛에서 이용되는 특정 처리법(specific process recipe) 및 화학 작용, 상기 시스템 내의 펌프 및 처리 라인을 씻어내는 데에 사용되는 불활성 기체 세정 특성 등이 있다. 처리 시스템에 입자들이 축적되는 것에 기여하거나 영향을 미치는 것으로 의심되는 다른 처리 조건 및 인자들이 있지만, 아직 명확히 정의되지는 않았다. 애브루 알(Abreu, R.), 트룹 에이(Troup, A.) 및 사암 엠(Sahm, M.)의 '저압의 화학적 증착 및 플라스마 강화 화학적 증착 반도체 공정의 배출 시스템에서의 이례적인 고체 형성 원인(Causes of anomalous solid formation in the exhaust systems of low-pressure chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition semiconductor processes)'(1994년 7월/8월, J.Vac.Sci.Technol.B 12(4)의 2763-2767)을 참조한다.This easy opening is a major drawback of water purifier units currently used in the semiconductor industry. In this application, the time required for the inlet of the water purifier to be blocked depends on the process and the specific location. Factors affecting the average time it takes for a water purifier to fail due to blockage of the inlet include: a processing tool generating a particle-containing treatment discharge flow to be treated in the water purifier; an upstream stream generating the outflow air stream to be treated in the water purifier Specific process recipes and chemistries used in processing units, inert gas cleaning properties used to flush pumps and processing lines in the system, and the like. There are other treatment conditions and factors suspected of contributing or affecting the accumulation of particles in the treatment system, but not yet clearly defined. Aberu, R., Troup, A., and Sahm, M.'s Low Pressure Chemical Vapor Deposition and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Causes Unusual Solid Formation in the Exhaust Systems of Semiconductor Processes ( Causes of anomalous solid formation in the exhaust systems of low-pressure chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition semiconductor processes' (July / August 1994, J. Vac. Sci. Technol. B 12 (4), 2763 -2767).

반도체 제조 작업 중에 유출되는 기체들의 처리와 같은 작업의 경우에, 폐기체들은 유출 기체의 산화 가능한 유해 성분들을 산화력에 의해 줄이기 위하여, 열산화 또는 다른 산화 반응 공정에 의해 산화 처리될 수 있다. 이러한 산화에 의해서, 처리 설비로부터 대기로의 배출시 유해할 수 있는 다른 성분들이 산화력에 의해 제거될 수 있을 뿐만 아니라, 유출 기류 중의 자연성(自燃性;phyrophoric) 성분 및 유독 성분들이 상당히 감소될 수 있다.In the case of an operation such as the treatment of gases flowing out during a semiconductor manufacturing operation, the wastes may be oxidized by thermal oxidation or other oxidation reaction process, in order to reduce the oxidizable harmful components of the effluent gas by oxidizing power. By this oxidation, not only the other components that may be harmful when discharged from the treatment plant to the atmosphere can be removed by the oxidizing power, but also the natural and toxic components in the effluent stream can be significantly reduced. .

이와 같이 처리되는 유출 기체들에는 예를 들어, CVD 또는 다른 증착 작업 중에 발생하는 초미세 실리카 입자, 금속 입자 등과 같이 상당히 미세한 입자가 함유될 수 있지만, 이러한 기류에는 산화 처리시 통상적으로 사용되는 고온에서 부식성일 수 있는 상당한 기체 성분들이 함유될 수 있다. 이러한 부식 특성으로 인해, 산화 처리 중에 나오는 고온의 유출 기류와 관련하여 문제가 생길 뿐만 아니라, 이러한 유출 기류 중의 입자 함량에 기여할 수 있는 고체 축척 문제가 생긴다.The effluent gases thus treated may contain fairly fine particles, such as, for example, ultrafine silica particles, metal particles, etc., generated during CVD or other deposition operations, but these air flows at high temperatures typically used in oxidation treatments. Significant gas components may be contained that may be corrosive. These corrosive properties not only lead to problems with the hot effluent air streams present during the oxidation treatment, but also to the problems of solid accumulation that can contribute to the particle content in these effluent air streams.

이러한 기류 중의 입상 고체는 예를 들어, 물 정화 작업을 비롯한 하류의 처리 작업과 같이 하류의 처리 장비를 막히게 할 수 있다. 정화 장비가 막히는 것은 당업계에서 상당한 문제가 된다. 이것은 연소 장치 고유의 고온 산화 상태로부터 냉각실(quench chamber)의 저온 습윤 상태로의 전이부가 존재하는 경우에 특히 문제가 된다. 자명한 일로서, 고온 연소 상태로부터 습윤 냉각 상태로의 유동 전이가 일어나는 전이 영역은 존재한다. 이러한 산화/정화/냉각 시스템과 관련된 문제로는 입자들의 축적 문제, 습식 구역 바로 위 냉각 영역 부분에 축적되는 점착성 부착 입자를 생성하는 습식 냉각 구역으로부터 분무되는 수분의 역확산으로 인해 단면이 막히는 문제 등이 있다.Particulate solids in this air stream can clog downstream processing equipment, such as downstream processing operations, including, for example, water purification operations. Clogging of the purification equipment is a significant problem in the art. This is particularly a problem when there is a transition from the high temperature oxidation state inherent in the combustion device to the low temperature wet state of the quench chamber. Obviously, there is a transition region where a flow transition from the hot combustion state to the wet cooling state occurs. Problems related to this oxidation / purification / cooling system include problems of accumulation of particles, blockage of the cross section due to despreading of the water sprayed from the wet cooling zone, which produces sticky adherent particles that accumulate in the cooling zone portion just above the wet zone. There is this.

습식/건식 계면의 위치를 항구적으로 정하지 못하는 데에는 다른 문제가 있다. 시스템의 유체 역학적 상태가 변함에 따라 습식/건식 계면의 위치가 변할 수 있기 때문에, 이에 상응하여 습식/건식 계면을 정확히 정하기가 매우 어려워 진다. 상기 계면의 위치에 영향을 미치는 인자들로는, (a) 연소 기체 유량 및 열효율, (b) 냉각 분무 유량 및 둑 넘침 유량(overflow weir flow rate), (c) 상기 냉각 분무 유동 또는 둑 넘침 유동의 역혼합 및 소용돌이 등이 있다. 습식/건식 계면의 위치를 고정할 수 없음으로 인해 다음과 같은 두 가지 문제점이 생긴다. 즉, (1) 입자가 응결되기 쉬운 영역이 생기고, (2) 그 결과 상기 냉각 영역의 재료들이 부식될 수 있다.Another problem is the inability to permanently locate the wet / dry interface. Since the position of the wet / dry interface can change as the hydrodynamic state of the system changes, it becomes very difficult to pinpoint the wet / dry interface correspondingly. Factors affecting the location of the interface include (a) combustion gas flow rate and thermal efficiency, (b) cooling spray flow rate and overflow weir flow rate, and (c) the inverse of the cooling spray flow or weir overflow flow. Mixing and swirling. The inability to fix the location of the wet / dry interface results in two problems: That is, (1) areas where particles tend to condense are created, and (2) the materials in the cooling zones can be corroded as a result.

연소 및 냉각 장비에 사용되는 대부분의 합금들은 특정 조합의 조건들에 대하여 내식성이 있다. 고온 산화 조건에 견디는 이들 합금은 통상적으로 습식 부식 조건에 대해서는 적절하지 못하고, 그 반대의 경우도 마찬가지이다. 이러한 문제점은 할로겐, 황화제 등과 같이 부식 또는 산화를 가속시키는 다른 물질들이 존재하는 경우에 더욱 악화된다. 구성 재료의 특정 전이를 정확히 정하는 것은 불가능하기 때문에, 상당히 비싸면서도 단지 보통의 수준으로 기능을 수행하는 신종 구성 재료를 사용할 필요가 있게 된다.Most alloys used in combustion and cooling equipment are corrosion resistant to certain combinations of conditions. These alloys that withstand high temperature oxidation conditions are typically unsuitable for wet corrosion conditions and vice versa. This problem is exacerbated in the presence of other materials that accelerate corrosion or oxidation, such as halogens, sulfiding agents and the like. Since it is impossible to pinpoint specific transitions of constituent materials, it is necessary to use new constituent materials that are quite expensive but only function at a moderate level.

이러한 문제를 해결하기 위해, 상당한 노력이 기울여져 왔다. 최근까지, 받아들여질만한 어떠한 해결책도 발견되지 않았고, 제안된 해결책들은 모두 여러 결점들이 있었다. 통상적으로, 필요성의 문제로서 두 가지의 접근법이 이용된다. 첫 번째 방법은 상기 전이부에서 벽을 적시기 위하여 넘침 둑을 이용하는 것이다. 두 번째 방법은 서브머지드 냉각(submerged quench)을 이용하는 것이다. 상기 넘침 둑은 입자가 축적되는 것을 방지하는 데에 최적의 작업을 수행하지만, 세 가지의 주요 단점이 있다. 넘침 둑은 물의 주입 지점에서 습식/건식 계면을 여전히 갖고 있기 때문에 입자가 축적되는 것을 방지하는 데에 단지 보통의 작업만을 수행한다. 넘침 둑은 최소의 금속 표면 습윤률을 유지하기 위하여, 상당 수준의 물을 필요로 한다. 또한, 넘침 둑은 냉각 영역의 금속을 보호하는 균일한 하강 박막을 유지하기 위하여 정확한 레벨링(leveling)을 필요로 한다.To solve this problem, considerable effort has been made. Until recently, no acceptable solution was found, and all of the proposed solutions had several drawbacks. Typically, two approaches are used as a matter of necessity. The first method is to use an overflow bank to wet the wall at the transition. The second method is to use submerged quench. The overflow bank performs an optimal operation to prevent the accumulation of particles, but there are three major disadvantages. The overflow banks still have a wet / dry interface at the point of injection of water, so they only do the usual work to prevent the accumulation of particles. Overflow banks require a significant amount of water to maintain a minimum metal surface wetting rate. In addition, overflow banks require accurate leveling to maintain a uniform falling film that protects the metal in the cooling zone.

이러한 문제들 중에서, 가장 중요한 것은 넘침 둑 물 첨가율을 최소 습윤 속도 및 장치의 수준과 직접 결부시키는 것이다. 이들 인자는 넘침 둑에의 물 첨가율을 최소화하는 것을 방해하여, 허용 불가능한 한계치를 형성한다. 냉각 장비를 레벨링하는 데에 아무리 많은 노력이 투입되어도, 연소/냉각 공정 중에 포함된 고유한 열응력으로 인해 공차 범위 내에 냉각 레벨을 유지하기 위해서는 장치를 일정하게 재레벨링할 필요가 있다는 것이 발견되었다. 이러한 상황에서는 허용 할 수 없는 정도의 유지 노력이 수반된다. 습윤 속도 및 구조체의 수준을 최소로 하는 데에 필요한 조건들에 대한 논의는 페이와 칠턴(Perry & Chilton)의 '캐미컬 엔지니어 핸드북(Chemical Engineers Handbook)'(제5판 pp. 5-57)에서 발견할 수 있다. 또한, 헤위트 지. 에프(Hewitt, G.F.) 등의 '열전달 처리(Process Heat Transfer)'(CRC Press, pp. 539-541)와, 서브머지드 냉각의 상세한 설명을 위해 상기 참고 문헌의 475면을 참조한다.Of these problems, the most important is to directly associate the overflow wetting rate with the minimum wetting rate and the level of the device. These factors prevent minimizing the rate of water addition to the overflow bank, creating an unacceptable limit. No matter how much effort is put into leveling the cooling equipment, it has been found that due to the inherent thermal stresses involved during the combustion / cooling process, it is necessary to constantly relevel the device in order to maintain the cooling level within the tolerance range. This situation involves an unacceptable amount of maintenance effort. A discussion of the conditions necessary to minimize the rate of wetting and the level of the structure can be found in the Chemical Engineers Handbook (5th edition, pp. 5-57) by Perry & Chilton. You can find it. Also, Hewitt. See 'Process Heat Transfer' (CRC Press, pp. 539-541) by Hewitt, G.F. et al., And page 475 of the above reference for a detailed description of submerged cooling.

산업 폐기류의 처리에 있어서, 공정 장치의 (폐기체 유동 방향에 대해) 하류에 세정 장치를 합체하는 것은 통상적인 일이다. 세정 장치는 상류의 처리 작업 중에 발생되는 유출물들을 수용하고 처리하는 기능을 한다.In the treatment of industrial waste streams, it is common to incorporate a cleaning device downstream of the process equipment (relative to the waste flow direction). The cleaning apparatus functions to receive and treat effluents generated during the upstream treatment operation.

예를 들어, 반도체 제조 산업에서, 여러 통합식 세정 장치가 상업적으로 이용 가능하고 반도제 제조 공정에서 나오는 유출물 및 차단 기체들을 처리하는 데에 종종 사용된다. 반도체 제조 공정에는 화학적 증착, 금속 에칭, 에칭 및 이온 주입 작업 등이 포함될 수 있다. 상업적인 통합식 기류 세정 장치의 예로는, 델라테크 제어식 분해 산화제(Delatech Controlled Decomposition Oxidizer), 던쉬흐트 분해 시스템 방출 시스템(Dunnschicht Analagen System Escape system), 에드워드 열 처리 유닛(Edwards Thermal Processing Unit) 등이 있다. 이들 각 시스템에는 고온 산화 섹션으로부터 나오는 방출 기체의 온도를 제어하도록 습식 냉각 장치가 합체되어 있고, 유출 기체들을 산화적으로 분해시키기 위한 열 처리 유닛과, 산화 공정시 발견되는 산성 기체 및 입자들을 제거하기 위한 습식 정화 시스템이 포함되어 있다.For example, in the semiconductor manufacturing industry, several integrated cleaning devices are often used to treat effluents and barrier gases from commercially available and semiconducting manufacturing processes. Semiconductor manufacturing processes may include chemical vapor deposition, metal etching, etching and ion implantation operations. Examples of commercial integrated air scrubbers include the Delatech Controlled Decomposition Oxidizer, the Dunnschicht Analagen System Escape system, the Edwards Thermal Processing Unit, and the like. Each of these systems incorporates a wet cooling device to control the temperature of the effluent gas from the hot oxidation section, and a heat treatment unit to oxidatively decompose the effluent gases and to remove acid gases and particles found in the oxidation process. Wet purge system is included.

상기 사용된 것들과 같은 정화기에는 일반적으로, 유출물들을 수용하고 이들 수용물들을 액체 용매, 반응 용액 또는 슬러리와 역류 접촉시키는 긴 칼럼(elongated column)이 포함되어 있다. 역류 접촉 결과 밀접한 혼합이 일어나고, 이는 유출물에서 불순물들을 제거하는 흡착 공정을 도와준다.Purifiers, such as those used above, generally include an elongated column to receive effluents and to countercurrently contact these waters with a liquid solvent, reaction solution or slurry. Backflow contact results in intimate mixing, which assists the adsorption process to remove impurities from the effluent.

통합식 세정 시스템은 상기 제조 시스템의 일체형 부분이 되도록 그 제조 시스템에 설치될 수 있다. 이와는 대조적으로, 고립형 시스템(stand-alone system)은 상기 처리 또는 제조 시스템과는 독립적으로 하우징 구조체에 유지된다. 이러한 고립형 유닛은 상류 공정의 장비에 일체로 될 수 있긴 하지만, 통합식 세정 시스템의 대응부보다 상당히 더 유동성이 있다.An integrated cleaning system can be installed in the manufacturing system to be an integral part of the manufacturing system. In contrast, a stand-alone system is maintained in the housing structure independent of the processing or manufacturing system. While this isolated unit can be integrated into the equipment of the upstream process, it is considerably more fluid than the counterpart of the integrated cleaning system.

정화 기술을 이용하는 것은 통합식 세정 시스템에 제한되지 않고, 고립형 작동 시스템에도 합체될 수도 있다. 예로서, a) 가열되지 않고 화학적으로 반응하는 적층형 베드 건식 정화기, b) 가열되지 않고 화학적으로 흡수하는 방식의 적층형 베드 건식 정화기, c) 가열되고 화학적으로 반응하는 적층형 베드 건식 정화기, d) 가열되고 촉매식으로 반응하는 적층형 베드 건식 정화기, e) 습식 정화기, f) 화염 방식의 열처리 유닛 등이 있다. 이들 각각의 유닛은 처리 중의 기류의 성질에 따라 선택된 용도로 적용할 수 있다.The use of purge technology is not limited to integrated cleaning systems, but may also be incorporated into isolated operating systems. For example: a) stacked bed dry purifier that is not heated and chemically reacts, b) stacked bed dry purifier that is not heated and chemically absorbed, c) stacked bed dry purifier that is heated and chemically reacted, d) is heated and Catalyzed stacked bed dry purifiers, e) wet purifiers, f) flame heat treatment units, and the like. Each of these units can be applied for a selected use depending on the nature of the airflow during the treatment.

정화기 기술을 이용하면 정화기의 입구, 라인 및 매니폴드가 입자에 의해 막히는 것을 비롯한 여러 결점이 수반된다. 부분적으로라도 막힌 라인 및/또는 매니폴드는 이를 통해 처리 기체가 효율적으로 유동하는 것을 방해한다. 부분적으로 막힌 라인 또는 매니폴드는 세정 장치의 통상적인 작업, 예를 들어 용매 매체 내에 포함된 기체 성분(들)의 분해와 함께 발생하는 흡착 공정을 방해할 수도 있다.Purifier technology involves several drawbacks, including blockage of the inlet, line and manifold of the purifier. Partially clogged lines and / or manifolds thereby prevent the processing gas from flowing efficiently. Partially clogged lines or manifolds may interfere with the normal operation of the cleaning apparatus, such as the adsorption process that occurs with the decomposition of gaseous component (s) contained in the solvent medium.

유출 기류를 정화시키는 용례에 있어서, 정화기를 막는 여러 원인들이 제시되어 왔다. 막힘은 물 또는 수증기와 반응하는 실리콘 함유 주입 성분과의 반응에 의해 야기될 수 있고, 실리콘을 함유하고 있는 작은 물방울이 정화기의 입구에 침적됨으로써 야기될 수 있다. 이러한 막힘 형성 기구는, 웨이퍼 상에서의 에피택셜형 성장(epitaxial growth)을 위해 사용되는 반도체 공구에 적용되고 트리클로로 실란 및 디클로로 실란을 사용하는 공정에서 나타난다. 막힘은 입구부 내의 응결 가능한 성분이 물 정화기에 응결 침적되어 야기될 수도 있다. 막힘은 수증기가 물 정화기로부터 입구 처리 라인으로 복귀 이동함으로써 야기될 수도 있다. 다음에, 상기 복귀 이동하는 수증기는 주입 성분과 반응하여, 저휘발성 재료를 형성하여 물 정화기쪽 입구에 침적될 수 있다. 이 마지막 매카니즘은, 예를 들어 금속 에칭 처리용 공구의 정화기를 감퇴시키는 특징이 있다.In applications for purifying effluent airflow, several causes of obstruction have been suggested. The blockage can be caused by reaction with a silicon-containing injection component that reacts with water or water vapor, and can be caused by droplets containing silicon deposited at the inlet of the purifier. Such clogging mechanisms are applied to semiconductor tools used for epitaxial growth on a wafer and appear in processes using trichloro silane and dichloro silane. The blockage may also be caused by condensation of the condensable components in the inlet to the water purifier. The blockage may be caused by water vapor moving back from the water purifier to the inlet treatment line. The return moving water vapor can then react with the injection component to form a low volatility material and deposit at the water purifier side inlet. This last mechanism is characterized by decaying, for example, the purifier of the tool for metal etching treatment.

금속 에칭 기계 작업 중에, 예를 들어 BCl3(삼염화붕소)와 같은 방출 기체가 생성될 수 있다. 삼염화붕소는 수증기와 반응하여 비휘발성의 입상 붕산을 형성하는데, 이 붕산은 응결되고, 축적되며 입구 또는 입구 라인을 적어도 부분적으로 막히게 한다.During metal etching machine operation, release gases such as BCl 3 (boron trichloride) may be produced. Boron trichloride reacts with water vapor to form nonvolatile granular boric acid, which bores, condenses, accumulates and at least partially blocks the inlet or inlet lines.

기존의 실시에 있어서, 이러한 형태의 막힘을 제거하고자 하는 몇 가지 방법이 시도되었다. 한 가지 방법은 이렇게 막힌 부분을 통해 주기적으로 물을 분출시키는 것이다. 이는 가압수 흐름을 막힌 부분에 가함으로써, 막힌 부분을 용해시켜 물을 분출시킨다. 그러나, 이러한 분출 처리에서는 바람직하지 않게도, 물의 복귀 이동이 이제는 분출수의 주입 지점에서 발생되어 상류에서 WF6(텅스텐 헥사플루오라이드)와 같은 물에 민감한 기체와의 가수 분해 반응을 증대시키고, 그저 막힌 부분을 더욱 상류로 이동시킬 뿐이다.In existing practice, several methods have been attempted to remove this type of blockage. One way is to periodically pour water through these obstructions. This adds a pressurized water stream to the blocked portion, which dissolves the blocked portion and ejects water. However, undesirably in such a jetting process, the return movement of the water now occurs at the injection point of the jetting water, increasing the hydrolysis reaction with water-sensitive gases such as WF 6 (tungsten hexafluoride) upstream, It just moves the blockage further upstream.

다른 방법에서는 입구 및 라인에 고체가 축적되지 않도록 하기 위하여 기계식 플런저 기구 또는 다른 고체 제거 수단을 이용한다. 그러나, 이러한 기계식 해결 방법은 비용이 비싸고, 노동 집약적이며, 상당한 유지가 요구되고, 기계적으로 파손되기 쉽다.Other methods use mechanical plunger mechanisms or other solid removal means to prevent solids from accumulating at the inlet and line. However, this mechanical solution is expensive, labor intensive, requires substantial maintenance and is prone to mechanical breakage.

본 발명은 하류의 기체 처리 장치와 같은 하류 처리 장비에 기류를 주입하기 위한 입구 구조체에 관한 것이다. 특정 양태에 있어서, 본 발명은 입상 고체 함유 기류 및/또는 입상 고체 형성 기류를 기체 처리 시스템에 주입하기 위한 막힘 방지 입구 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to an inlet structure for injecting airflow into a downstream treatment equipment, such as a downstream gas treatment apparatus. In certain embodiments, the present invention relates to an anti-clogging inlet structure for injecting particulate solid-containing air streams and / or particulate solid-forming air streams into a gas treatment system.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 막힘 방지 처리된 입구 구조체를 개략적으로 도시한 도면.1 is a schematic illustration of an anti-clogging inlet structure in accordance with an exemplary embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 막힘 방지 처리된 입구 구조체를 개략적으로 도시한 도면.FIG. 2 is a schematic view of a blockage preventing ingress structure according to another embodiment of the present invention; FIG.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 막힘 방지 처리된 입구 구조체를 개략적으로 도시한 도면.3 is a schematic view of an anti-clogging inlet structure according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 막힘 방지 처리된 입구 구조체를 개략적으로 도시한 도면.4 is a schematic view of an anti-clogging inlet structure according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 기체/액체 계면 구조체를 개략적으로 도시한 도면.5 schematically illustrates a gas / liquid interface structure in accordance with an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 장치에 대한 평면도로서, 도 5에 도시된 계면 구조체의 포위된 환형 내용적부를 통과하는 액체에 대한 접선 방향 공급 장치를 나타내는 도면.FIG. 6 is a plan view of the device of FIG. 5, showing a tangential feed device for liquid passing through the enclosed annular volume portion of the interface structure shown in FIG. 5; FIG.

도 7은 (1) 상류 반도체 제조 시스템; (2) 매니폴드 조립체; (3) 하류 정화기 유닛을 포함하는 시스템을 개략적으로 도시한 도면.7 shows (1) an upstream semiconductor manufacturing system; (2) manifold assembly; (3) A schematic illustration of a system including a downstream purifier unit.

도 8은 본 발명의 예시적인 실시예의 개략적인 도면.8 is a schematic diagram of an exemplary embodiment of the present invention.

도 9는 도 8의 예시적인 실시예에서 실행될 수 있는 세정 사이클의 단계들을 도시한 순서도.9 is a flow chart illustrating the steps of a cleaning cycle that may be executed in the example embodiment of FIG. 8.

넓은 관점에서, 본 발명은 예를 들어 입상 고체 함유 기류 및/또는 고체 형성 기류와 같은 기류를 기체 처리 시스템과 같은 하류의 처리 유닛으로 주입하는 입구 구조체에 관한 것으로, 상기 구조체는 (예를 들어, 고체 침적물, 기류 분해 등에 의한) 막힘 현상 및 기체 유동 기류의 우회(bypassing), 단락(short-circuiting) 등의 부정적인 유체역학적 효과를 최소화하도록 구성, 배열 및 작동된다.In a broad aspect, the present invention relates to an inlet structure that injects an air stream, such as, for example, a particulate solid containing air stream and / or a solid forming air stream into a downstream processing unit, such as a gas treatment system, for example, It is constructed, arranged and operated to minimize negative hydrodynamic effects such as blockages (by solid deposits, air stream decomposition, etc.) and bypassing, short-circuiting of gas flow streams.

일 양태에서, 상기 입구 구조체에는 기체 유동로를 에워싸는 기체 투과성 벽과, 이 기체 투과성 벽을 포위하여 그 사이에 환형의 기체 저장조를 획정하는 외측 환형 재킷(jacket)이 포함된다. 상기 외측 환형 재킷에는 입상 고체 함유 기류 및/또는 고체 형성 기류가 종래의 압축 기체 실린더와 같은 압축 기체 공급 용기를 부착하기 위한 재킷에 있는 포트와 같은 입구 구조체를 통해 기체 처리 시스템으로 유동하는 중에 상기 환형의 기체 저장조로 기체를 주입하는 수단이 제공된다. 이러한 입구 구조체에 있어서, 상기 환형의 기체 저장조로 공급되는 기체는 기체 투과성 벽의 내표면에 고체가 침적 또는 형성되는 것을 방지할 목적으로 상기 기체 투과성 벽을 통과하여 빠져나오기에 충분할 정도로 압축된다.In one aspect, the inlet structure includes a gas permeable wall surrounding a gas flow path and an outer annular jacket surrounding the gas permeable wall and defining an annular gas reservoir therebetween. The outer annular jacket includes an annular solid containing air stream and / or a solid forming air stream while flowing into the gas treatment system through an inlet structure such as a port in a jacket for attaching a compressed gas supply vessel, such as a conventional compressed gas cylinder. Means for injecting gas into the gas reservoir are provided. In such an inlet structure, the gas supplied to the annular gas reservoir is compressed enough to exit through the gas permeable wall for the purpose of preventing solids from depositing or forming on the inner surface of the gas permeable wall.

다른 변형예로서, 전술한 입구 구조체에는 선택적으로 펄스화 고압 기체(pulsed higher pressure gas)를 상기 환형의 기체 저장조로 주입하는 포트가 포함될 수 있고, 이 포트는 고압 기체 공급원 및 이 공급원으로부터 상기 환형의 기체 저장조로 기체를 펄스식으로 운송하는 운송 수단에 연결된다. 작동시, 이러한 펄스화 고압 기체 주입에 의하여 기체 투과성 벽 상에 추가의 막힘 저항 작용이 일어나며, 저압 기체가 벽을 통해 일정하게 투과되는 경우에도, 맥동 현상(pulsatility)에 의해서 기체 투과성 벽의 내표면 상에 형성 또는 침적된 입상 물질이 제거된다. 외측 환형 재킷에 있는 포트는 환형 저장조로 주입되는 고압 기체가 접선 방향으로 유동하도록 구성 또는 배열될 수 있다.In another variation, the inlet structure described above may optionally include a port for injecting pulsed higher pressure gas into the annular gas reservoir, the port being a high pressure gas source and the annular from the source. It is connected to a vehicle that pulses gas into a gas reservoir. In operation, such pulsing high pressure gas injection causes additional blockage resistance on the gas permeable wall, and even when low pressure gas is permeated through the wall, the inner surface of the gas permeable wall is caused by pulsatility. The particulate matter formed or deposited on the phase is removed. Ports in the outer annular jacket may be configured or arranged to allow tangential flow of high pressure gas into the annular reservoir.

광범위하게 전술된 입구 구조체의 또 다른 변형예로서, 상기 기체 투과성 벽 및 외측 환형 재킷은 선택적으로 하류의 유동로 섹션과 연결되며, 이 하류의 유동로 섹션은, 기체 유동로의 대응하는 다른 섹션을 에워싸고 기체 투과성 벽과 함께 그 사이에 슬롯을 형성하는 벽을 포함한다. 상기 하류의 유동로 섹션의 벽은 외측 환형 재킷에 의하여 포위되어 상기 슬롯과 액체 넘침 관계로 그 사이에 환형의 액체 저장조를 획정함으로써, 환형의 액체 저장조가 상기 벽의 높이에 의하여 정해지는 소정의 지점 이상으로 물이나 다른 액체로 채워지는 경우에, 상기 액체는 벽부를 넘어 하강 액막의 형태로 벽부의 내표면을 따라 아래로 연장된다. 따라서, 이러한 하강 액막은 벽의 내표면에 고체가 침적되거나 형성되는 것을 방지하는 차폐 매체 또는 보호 매체를 제공하며, 또한 벽부의 내표면에 침적되거나 형성된 고체를 모두 씻어내는 역할도 한다.As another variant of the inlet structure described above extensively, the gas permeable wall and outer annular jacket are optionally connected with downstream flow passage sections, the downstream flow passage sections defining corresponding other sections of the gas flow passage. It includes an enclosed, gas permeable wall and a wall forming a slot therebetween. The wall of the downstream flow passage section is surrounded by an outer annular jacket to define an annular liquid reservoir between the slot and the liquid overflow relationship therebetween, whereby an annular liquid reservoir is defined by the height of the wall. In the case of filling with water or other liquid above, the liquid extends down the wall portion along the inner surface of the wall portion in the form of a falling liquid film. Thus, the falling liquid film provides a shielding medium or a protective medium which prevents solids from depositing or forming on the inner surface of the wall, and also serves to wash off all the solids deposited or formed on the inner surface of the wall.

상기 입구 구조체의 하류 유동로 섹션의 외측 환형 재킷에는 포트 또는 다른 진입 수단이 제공될 수 있는데, 이 진입 수단은 유동 제어 밸브나 다른 유동 조절 수단을 포함하는 라인 또는 도관 등에 의해서 액체 수용 용기와 같은 액체 공급원에 연결된다.The outer annular jacket of the downstream flow passage section of the inlet structure may be provided with a port or other entry means, which may be a liquid such as a liquid containment vessel by a line or conduit or the like comprising a flow control valve or other flow control means. Connected to the source.

전술한 구조체에 포함된 포트 요소로는 단일형 개구, 채널, 연결 도관, 니플, 또는 다른 입구 구조체 및/또는 복수 개의 상기 구조체, 예를 들어 일련의 연직으로 및/또는 원주 방향으로 서로 일정 간격을 두고 배치된 입구 구조체 등이 있으며, 이를 통하여 각 경우에 유체는 그 포트와 연관된 환형 저장조의 내용적부로 운송된다.Port elements included in the above-mentioned structures may include a unitary opening, channel, connecting conduit, nipple, or other inlet structure and / or a plurality of said structures, for example in series in a vertical and / or circumferential direction to one another. There is an inlet structure, etc., through which in each case the fluid is transported to the contents of the annular reservoir associated with the port.

다른 양태에서, 본 발명의 입구 구조체는 서로 직렬 관계로 연결되고 대체로 연직 방향으로 배치된 제1 유동 통로 섹션 및 제2 유동 통로 섹션을 포함하며, 이러한 직렬 연결 관계에서 대체로 연직인 유동 통로를 획정하고, 이 유동 통로를 통하여 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나가 입상 고체 함유 유체 및/또는 고체 형성 유체의 상류 공급원으로부터 입구 구조체와 유체 흐름을 수용하는 관계로 배치된 하항류 처리 시스템을 향하여 흐를 수 있다.In another aspect, the inlet structure of the present invention includes a first flow passage section and a second flow passage section connected in series and generally perpendicular to each other, defining a flow passage that is generally vertical in this series connection relationship. A downstream flow treatment system disposed through the flow passage in such a way as to receive the inlet structure and the fluid flow from an upstream source of particulate solid containing and / or particulate solid forming airflow, or particulate solid containing fluid and / or solid forming fluid. Can flow towards

상기 제1 유동 통로 섹션은 입구 구조체의 상부이며 기체 투과성 내벽을 포함하고, 이 벽은 다공성 금속, 다공성 세라믹, 다공성 플라스틱, 또는 다른 적절한 구성 재료로 형성될 수 있으며, 유동 통로 섹션의 제1 상부를 둘러싼다. 다공성 내벽에는 유동 통로 상부의 경계를 구획하는 내표면이 있다.The first flow passage section is the top of the inlet structure and includes a gas permeable inner wall, which wall may be formed of a porous metal, porous ceramic, porous plastic, or other suitable constituent material, the first top of the flow passage section Surround. The porous inner wall has an inner surface that partitions the boundary above the flow passage.

상기 기체 투과성 벽은 다공성 내벽과 간격을 두고 배치된 외벽에 의하여 포위되어 둘러싸인다. 외벽은 특성상 다공성이 아니지만, 그 외벽에는 기체 유동 포트가 제공된다. 이러한 배치에 의하여, 각각의 다공성 내벽과 이를 포위하는 외벽 사이에 환형의 내용적부가 형성된다.The gas permeable wall is surrounded and surrounded by an outer wall spaced apart from the porous inner wall. The outer wall is not porous in nature, but the outer wall is provided with a gas flow port. By this arrangement, an annular inner portion is formed between each porous inner wall and the outer wall surrounding it.

상기 기체 유동 포트는 다시 상기 기체 공급원에 유동 관계로 연결될 수 있어, 기체가 환형의 내용적부로, 예를 들어 적당한 밸브 및 제어 수단에 의하여 예정된 저유량으로 유동하도록 하며, 이어서 기체가 환형의 내용적부로부터 유동 통로로 유동하도록 한다. 또한, 고압 기체 유동 포트가 제1 유동 통로 섹션의 외벽에 제공되며, 고압 기체 공급원과 유동 관계로 연결되어 기체가 환형의 내용적부로 간헐적으로 유동하도록 하고, 이러한 고압 기체 유동은 다공성 내벽(제1 유동 통로 섹션에 있는 유동 통로의 경계를 획정하는)에 침적될 수 있는 입상 물질들을 그 내벽으로부터 제거하는 역할을 한다. 마찬가지로, 고압 기체는 적당한 밸브 및 조절 수단에 의하여 원하는 압력으로 제어 유동될 수 있다.The gas flow port may in turn be connected in flow relation to the gas source, allowing the gas to flow into the annular volume, for example at a predetermined low flow rate by suitable valves and control means, and then the gas into the annular volume portion. Flow from the flow path. In addition, a high pressure gas flow port is provided on the outer wall of the first flow passage section and is connected in flow relationship with the high pressure gas source to cause the gas to flow intermittently into the annular volume portion, which high pressure gas flow is the porous inner wall (first Removing particulate matter from its inner wall which may be deposited on the flow passage section in the flow passage section). Likewise, the high pressure gas can be controlled to flow to the desired pressure by suitable valves and regulating means.

제2 유동 통로 섹션은 제1 유동 통로 섹션과 직렬로 연결되어 입상 고체 함유 유체가 제1 유동 통로 섹션으로부터 하류의 제2 유동 통로 섹션으로 유동하도록 한다. 제2 유동 통로 섹션의 외벽에는 액체 분사 포트가 마련되며, 상기 포트는 물이나 다른 처리 액체와 같은 액체 공급원과 연결된다. 외벽은 제1 유동 통로 섹션 및 제2 유동 통로 섹션의 각 외벽에 있는 덮개식 플랜지 등에 의해 제1 유동 통로 섹션과 연결된다. 제2 유동 통로 섹션은 외벽과 간격을 두고 배치된 내부 둑 벽을 포함하고, 그 사이에 환형의 내용적부를 획정하며, 상기 내부 둑 벽은 제1 유동 통로 섹션의 다공성 내벽을 향하여 연장되고 그 벽 부근에서 종지되어, 둑 벽을 획정하는 제1 유동 통로 섹션 및 제2 유동 통로 섹션의 각 내벽 사이에 간극을 제공한다. 액체가 제2 유동 통로 섹션의 외벽과 그 내벽 사이의 환형 내용적부로 유동하는 경우, 주입 액체는 둑을 넘쳐 제2 유동 통로 섹션의 내벽의 내표면을 따라 흘러내린다. 내벽을 흘러 내리는 이러한 액체 유동은 벽으로부터 입상 고체를 씻어내고, 내벽의 내표면에 고체가 침적되거나 형성되는 것을 억제하는 역할을 한다.The second flow passage section is connected in series with the first flow passage section to allow particulate solid containing fluid to flow from the first flow passage section to the second flow passage section downstream. The outer wall of the second flow passage section is provided with a liquid injection port, which port is connected to a liquid source, such as water or other processing liquid. The outer wall is connected to the first flow passage section by a flap flange or the like on each outer wall of the first flow passage section and the second flow passage section. The second flow passage section includes an inner weir wall spaced from the outer wall, and defines an annular content therebetween, the inner weir wall extending toward the porous inner wall of the first flow passage section and the wall. Terminated in the vicinity, a gap is provided between each inner wall of the first flow passage section and the second flow passage section defining the dam wall. When liquid flows into the annular content between the outer wall of the second flow passage section and its inner wall, the injected liquid overflows the dam and flows along the inner surface of the inner wall of the second flow passage section. This liquid flow down the inner wall washes away the particulate solid from the wall and inhibits the deposition or formation of solid on the inner surface of the inner wall.

제1 유동 통로 섹션 및 제2 유동 통로 섹션의 플랜지에 의한 연결부로는 신속하게 해제될 수 있는 클램프 조립체를 포함할 수 있는데, 이것은 입구 구조체의 제1 유동 통로 섹션과 제2 유동 통로 섹션이 용이하게 분해될 수 있도록 한다.The flanged connection of the first flow passage section and the second flow passage section may include a clamp assembly that can be quickly released, which facilitates the first flow passage section and the second flow passage section of the inlet structure. Allow disassembly.

추가로, 입구 구조체의 제1 유동 통로 섹션은 입구 구조체의 최상부 신속 해체 입구 섹션과 연결될 수 있으며, 마찬가지로 이것은 세정 및 유지를 위하여 용이하게 분해될 수 있다.In addition, the first flow passage section of the inlet structure can be connected with the top quick release inlet section of the inlet structure, which likewise can be easily disassembled for cleaning and maintenance.

또 다른 양태에서, 본 발명은 부식 성분을 함유하는 고온의 입자 축적 함유 기류가 유동하는 경우에, 고체의 침적, 막힘 및 부식을 방지할 수 있는 기류 수용 구조체에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명의 이러한 양태는 상류 기체 공급원으로부터 하류의 처리 유닛으로 유동하는 고온의 입상 고체 함유 기체를 운송하는 데에 유용한 기체/액체 계면 구조체에 관한 것이다.In another aspect, the present invention relates to an airflow receiving structure capable of preventing depositing, clogging and corrosion of solids when a high temperature particle accumulation-containing airflow containing a corrosion component flows. More specifically, this aspect of the invention relates to a gas / liquid interfacial structure useful for transporting hot, particulate solid-containing gas flowing from an upstream gas source to a downstream processing unit.

이러한 기체/액체 계면 구조체는, 제1 기류 유동로를 그 내부에 획정하는 연직 방향으로 뻗은 제1 유동 통로 부재로서, 기류를 기류 유동로로 주입시키는 상부 입구와, 입구 유동로 부재 내의 기체 유동로를 통해 유동하는 기류 유동에 후속하여 기류를 배출시키는 하부 출구 단부를 구비하는 제1 유동 통로 부재와; 상기 제1 유동 통로 부재를 외측으로 간격을 두고 사이에 환형 용적부가 형성되도록 둘러싸는 제2 유동 통로 부재로서, 그 하부 출구 단부가 제1 유동 통로 부재의 하부 출구 단부의 아래쪽으로 하방으로 연장되며, 제2 유동 통로 부재의 기류 유동 통로를 획정하는 하부 액체 불투과성 부분 및 상부 액체 투과성 부분을 구비하는 제2 유동 통로 부재와; 상기 제2 유동 통로 부재를 에워싸고 제2 유동 통로 부재와 함께 환형의 내용적부를 획정하는 외벽 부재와; 외벽 부재와 제2 유동 통로 부재 사이의 환형 내용적부로 액체를 주입하기 위한 외벽 부재의 액체 유동 입구 포트를 포함하며, 이로써 외벽 부재의 액체 유동 입구 포트를 통해 주입된 유체는 포위된 환형의 내용적부로 들어가고 제2 유동 통로 부재의 상부 액체 투과성 부분을 통하여 스며나오며, 이어서 제2 유동 통로 부재의 액체 불투과성 부분의 내표면을 따라 아래로 유동하여 제2 유동 통로 부재의 액체 불투과성 부분의 내표면 상에서 하방으로 흐르는 액막을 제공함으로써 그 위에 입상 고체가 침적되거나 축적되는 것을 방지하며, 제1 유동 통로 부재를 통해 유동하는 기류는 그 하부 출구 단부에서 배출되어 제2 유동 통로 부재의 유동 통로를 통해 유동하고, 이어서 기체/유체 계면 구조체로부터 방출된다.Such a gas / liquid interface structure is a first flow passage member extending in a vertical direction defining a first air flow passage therein, the upper inlet through which air flow is introduced into the air flow passage, and a gas flow passage in the inlet flow passage member. A first flow passage member having a lower outlet end for discharging airflow subsequent to the airflow flowing through the airflow; A second flow passage member that surrounds the first flow passage member to be spaced outwardly so that an annular volume is formed therebetween, the lower outlet end of which extends downwardly below the lower outlet end of the first flow passage member, A second flow passage member having a lower liquid impermeable portion and an upper liquid permeable portion defining an air flow flow passage of the second flow passage member; An outer wall member enclosing the second flow passage member and defining an annular inner portion with the second flow passage member; A liquid flow inlet port of the outer wall member for injecting liquid into the annular volume between the outer wall member and the second flow passage member, whereby the fluid injected through the liquid flow inlet port of the outer wall member is surrounded Enters and exudes through the upper liquid permeable portion of the second flow passage member, and then flows down along the inner surface of the liquid impermeable portion of the second flow passage member to flow into the inner surface of the liquid impermeable portion of the second flow passage member. Providing a liquid film flowing downward in the bed prevents particulate solids from depositing or accumulating thereon, and airflow flowing through the first flow passage member is discharged from its lower outlet end and flows through the flow passage of the second flow passage member. And then released from the gas / fluid interface structure.

이러한 배치에 의하여, 기류가 입구 구조체의 하부 벽과 직접 접촉하는 것이 방지되며, 기류 유동 통로는 제2 유동 통로 부재의 벽 내표면에 의하여 획정된다. 제2 유동 통로 부재 상부의 '위핑 둑(weeping weir)'로부터 흘러내리는 수막은 입상 고체가 제2 유동 통로 부재의 벽면에 축적되는 것을 방지한다. 상기 벽면 상의 유동 액체 기류는 수막과 접촉하는 기류의 입자를 하방으로 운송하여 기체/액체 계면 구조체로부터 방출시킨다. 추가로, 기류 중의 부식성 성분들은 벽과 접촉하는 것이 방지되며, 벽은 계면 구조체의 하부에서 아래로 흐르는 수막에 의하여 보호된다.By this arrangement, the airflow is prevented from directly contacting the lower wall of the inlet structure, and the airflow flow passage is defined by the wall inner surface of the second flow passage member. The water film flowing down from the 'weeping weir' above the second flow passage member prevents particulate solids from accumulating on the wall surface of the second flow passage member. The flowing liquid airflow on the wall transports particles of the airflow in contact with the water film downwards and releases them from the gas / liquid interface structure. In addition, corrosive components in the airflow are prevented from contacting the wall, which is protected by a water film flowing down from the bottom of the interface structure.

또 다른 구체적인 양태에서, 본 발명은 전열식 산화 유닛과 같은 상류 산화 유닛과, 기체에 포함된 입상 고체가 제거되도록 물로 기체를 정화시키는 하류의 물 정화기 사이에 배치된다.In another specific embodiment, the present invention is disposed between an upstream oxidation unit, such as an electrothermal oxidation unit, and a downstream water purifier that purifies the gas with water to remove particulate solids contained in the gas.

제2 유동 통로 부재의 상부 액체 투과성 부분은 적당한 다공성으로 구성될 수 있으며, 예를 들어 다공성 소결 금속, 다공성 플라스틱, 또는 다공성 세라믹 벽을 포함할 수 있고, 여기서 기공의 크기는, 예를 들어 약 0.5 내지 약 30 미크론 범위이며, 더 클 수도 있다.The upper liquid permeable portion of the second flow passage member may consist of a suitable porosity, for example comprising a porous sintered metal, a porous plastic, or a porous ceramic wall, wherein the pore size is, for example, about 0.5 To about 30 microns, and may be larger.

본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 본 발명은 처리 기류를 하류의 처리 유닛, 예를 들어 반도체 제조 유출 기류의 경우에, 정화 유닛으로 기체를 운송하는 매니폴드의 입구 라인을 정화하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.In another aspect of the present invention, the present invention relates to an apparatus and method for purifying an inlet line of a manifold that transports gas to a purge unit, in the case of a process unit downstream of a process unit, e. It is about.

상기 정화기에는 상류 공급원, 예를 들어 반도체 제조 공정 시스템 또는 공구로부터 기체를 수용하는 매니폴드가 포함된다. 이 매니폴드에는 기체를 하류 공정으로 유동시키는 데에 번갈아 사용되는 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인이 포함된다. 이들 라인은 그 제1 (상류측) 단부에서 매니폴드 도관에 연결되고, 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인 각각은 그 제2 (하류) 단부에서 예를 들어, 정화 유닛을 포함할 수 있는 하류의 처리 유닛에 유동 연통 관계로 접속된다.The purifier includes a manifold that receives gas from an upstream source, such as a semiconductor manufacturing process system or tool. The manifold includes a first inlet line and a second inlet line that are alternately used to flow the gas to a downstream process. These lines are connected to the manifold conduit at its first (upstream) end, and each of the first inlet line and the second inlet line may comprise, for example, a purification unit at its second (downstream) end. Is connected to the processing unit in a flow communication relationship.

상기 각각의 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인에는 그 안에, 예를 들어 기체를 유동시키고 단속(斷續)하도록 각각 선택적으로 개폐될 수 있는 공압식 밸브가 포함된다.Each of the first inlet line and the second inlet line includes therein a pneumatic valve, which can be selectively opened and closed, respectively, for example to flow and interrupt the gas.

상기 매니폴드는 상류 공급원으로부터 기체를 수용하고 매니폴드 및 제1 입구 라인 또는 제2 입구 라인을 통해 기체를 유동시키도록 배열되어, 이들 라인 중 하나는 상류 공급원으로부터 하류 처리 유닛으로 기체를 능동적으로 유동시키고, 다른 입구 라인은 그 안의 밸브를 폐쇄시킴으로써 그 라인을 통한 기체의 유동을 차단한다.The manifold is arranged to receive gas from an upstream source and to flow gas through the manifold and the first inlet line or the second inlet line, one of which lines actively flow gas from the upstream source to the downstream processing unit. And the other inlet line shuts off the flow of gas through the line by closing the valve therein.

가압수 공급원이 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인에 연결된 수류 라인에 의해 상기 매니폴드에 연결된다. 각각의 수류 라인에는, 예를 들어 공압식 밸브가 포함된다. 각각의 밸브는 이를 통해 가압수가 유동하거나 단속되도록 선택적으로 개폐될 수 있다.A pressurized water source is connected to the manifold by a water flow line connected to the first inlet line and the second inlet line. Each water flow line includes, for example, a pneumatic valve. Each valve can be selectively opened and closed to allow pressurized water to flow or intervene therethrough.

2개의 입구 라인 중 적어도 하나의 입구 라인의 온도를 선택적으로 상승시키기 위하여, 예를 들어 각각의 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인 부근에 배치된 열 재킷에 의해 각각의 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인에 열원이 연결될 수 있다.In order to selectively raise the temperature of at least one inlet line of the two inlet lines, for example, each of the first inlet line and the second by a thermal jacket disposed near each of the first inlet line and the second inlet line. A heat source can be connected to the inlet line.

작동시, 상류 처리 유닛으로부터 나온 기체는 매니폴드 내로 유동한다. 능동적인 처리 중에, 상기 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인 중 어느 하나의 밸브는 개방되고 나머지 입구 라인의 밸브는 폐쇄되어, 매니폴드로 들어가는 기체는 개방 밸브를 포함하는 특정 입구 라인을 통해 유동한다. 이러한 방식으로, 기체는 개방 밸브를 포함하는 특정 입구 라인을 통해 유동하여 하류 처리 유닛을 통과한다. 개방 밸브를 포함하는 입구 라인은 이하에서 종종 간단히 지칭하기 위해 '개방 입구 라인'이라 하고, 매니폴드의 나머지 라인은 '흐름 차단 라인(off-stream line)'이라 지칭한다. 흐름 차단 라인에서, 밸브는 이를 통해 기체가 유동하는 것을 방지하도록 폐쇄된다.In operation, gas from the upstream processing unit flows into the manifold. During active processing, the valve of either the first inlet line or the second inlet line is open and the valves of the other inlet line are closed so that gas entering the manifold flows through a specific inlet line including an open valve. . In this way, the gas flows through a particular inlet line that includes an open valve and passes through the downstream processing unit. The inlet line comprising the open valve is referred to below as the 'open inlet line' for the sake of simplicity, and the remaining line of the manifold is referred to as the 'off-stream line'. In the flow shutoff line, the valve is closed to prevent gas from flowing through it.

입구 라인 내의 밸브는 본 발명의 장치에 채택된 것과 같이, 종래의 통상적인 형태의 적당한 사이클 타이머 수단 및 제어 수단에 의해 작동식으로 통합 및 제어될 수 있다.The valve in the inlet line can be operatively integrated and controlled by suitable cycle timer means and control means in conventional conventional form, as employed in the apparatus of the present invention.

기체를 유동시키지 않는 흐름 차단 라인은 추가 처리를 위한 기체를 재발생시키도록 정화된다. 따라서, 장치를 연속적으로 작동시키는 경우에, 각 입구 라인 내의 밸브는 이들 밸브 중 하나가 주어진 시간에 개방되고 다른 하나는 흐름 차단 라인을 정화하고, 이어서 흐름 접속(on-stream) 작업을 위해 라인을 새롭게 하기 위해 폐쇄되도록 제어된다.The flow shutoff line, which does not flow gas, is purged to regenerate gas for further processing. Thus, in the case of continuous operation of the apparatus, the valves in each inlet line will open one of these valves at a given time and the other to purge the flow shutoff line, and then open the line for flow on-stream operation. It is controlled to be closed for updating.

상기 흐름 차단 라인은 가압수 공급원을 흐름 차단 라인과 연통시키는 수류 라인 내의 밸브를 개방함으로써, 가압수 공급원으로부터 흐름 차단 라인까지 가압수가 주입되도록 함으로써 세정된다. 다른 수류 라인에서, 수류 라인 밸브는 폐쇄되어, 가압수가 가압수 공급원으로부터 흐름 접속 라인까지 유동하는 것을 방지한다.The flow shutoff line is cleaned by opening the valve in the water flow line that communicates the pressurized water source with the flow shutoff line, thereby allowing pressurized water to be injected from the pressurized water source to the flow shutoff line. In another water line, the water line valve is closed to prevent pressurized water from flowing from the pressurized water source to the flow connection line.

이러한 방식으로, 고립 상태로 인해 비어 있는 흐름 차단 라인은 가압수 세척 등을 비롯한 다양한 세정 작업으로 활발히 세정된다.In this way, the flow interruption line, which is empty due to isolation, is actively cleaned by various cleaning operations, including pressurized water washing and the like.

선택적으로, 가압 건조 기체 공급원이 각각의 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인에 연결되는 건조 기체 유동 라인에 의해 매니폴드에 연결된다. 각 건조 기체 유동 라인에는, 예를 들어 공압식 밸브가 포함된다. 각 밸브는 이를 통해 가압 건조 기체가 유동하거나 단속되도록 선택적으로 개폐될 수 있다.Optionally, a pressurized dry gas source is connected to the manifold by a dry gas flow line that is connected to each of the first inlet line and the second inlet line. Each dry gas flow line includes, for example, a pneumatic valve. Each valve can be selectively opened and closed to allow pressurized dry gas to flow or intervene therethrough.

가압수가 흐름 차단 라인을 통해 유동한 후에, 흐름 차단 라인은 후속하여 새롭게 기체가 상류 공급원으로부터 하류 처리 유닛으로 유동하도록 준비시키기 위하여 건조될 수 있다. 이는 흐름 차단 라인 내표면의 물에 가압수 분출/정화 작용을 중단시키기 위하여, 가압수 유동 라인 내의 밸브를 폐쇄함으로써 이루어진다. 동시에, 흐름 차단 라인과 연통되어 있는 건조 기체 유동 라인 내의 밸브는 압축 건조 기체가 밸브를 통해 흐름 차단 라인 내로 주입될 수 있도록, 그리고 흐름 차단 라인의 내표면을 건조시키도록 개방되어, 분출수가 매니폴드의 흐름 차단 라인으로부터 완전히 제거된다. 이러한 방식으로, 흐름 차단 라인은, 세정되고 건조된 라인을 통한 처리 기체 유동이 재개되는 경우, 즉 흐름 차단 라인이 다시 흐름 접속 라인으로 되고 이전의 흐름 접속 라인이 흐름 차단 라인 상태가 될 때, 전체 시스템의 후속 작업시 가수 분해 반응을 피하도록 완전히 건조될 수 있다.After the pressurized water flows through the flow shutoff line, the flow shutoff line can subsequently be dried to prepare fresh gas to flow from the upstream source to the downstream treatment unit. This is done by closing the valve in the pressurized water flow line to stop the pressurized water jetting / purging action on the water at the surface of the flow interrupting line. At the same time, the valve in the dry gas flow line in communication with the flow shutoff line is opened to allow compressed dry gas to be injected through the valve into the flow shutoff line and to dry the inner surface of the flow shutoff line, so that the jet water is manifolded. Is completely removed from the flow blocking line. In this way, the flow shutoff line becomes full when the process gas flow through the cleaned and dried line is resumed, i.e. when the flow shutoff line is back to the flow connection line and the previous flow connection line is in the flow shutoff line state. It may be completely dried to avoid hydrolysis reactions in subsequent work of the system.

이러한 연속 변환 작업은 처리 기체가 후속하여 밸브를 통해 유동할 수 있도록 흐름 차단 라인 내의 밸브를 먼저 개방시키는 것을 포함한다. 흐름 차단 라인 내의 밸브가 일단 개방되도록 변경되면, 건조 기체 라인 내의 밸브는 폐쇄된다. 이러한 과정에 의해서, 밸브가 폐쇄되기도 하고 상류 처리 유동이 회송되는 상태가 발생하는 것이 방지된다.This continuous conversion operation involves first opening the valve in the flow shutoff line so that the process gas can subsequently flow through the valve. Once the valve in the flow shutoff line is changed to open, the valve in the dry gas line is closed. This process prevents the valve from closing and the occurrence of a return flow of the upstream treatment flow.

이러한 방식으로, 상기 매니폴드형 기체 처리 시스템은 기체가 상류 공급원으로부터 입구 라인을 통해 하류의 처리 유닛을 통해 유동하도록 작동되고, 이 때 기체는 각 입구 라인을 통해 번갈아 가면서 연속적으로 유동하므로, 주어진 입구 라인의 흐름 차단 기간 중에, 그 라인은 가압수로 분출되고 선택적으로, 그리고 바람직하게는, 압축 건조 기체의 입구 라인을 통한 유동에 의해 건조되어, 후속하여 기체가 입구 라인을 통해 유동하도록 입구 라인을 새롭게 한다.In this way, the manifold gas treatment system is operated such that gas flows from the upstream source through the inlet line through the downstream treatment unit, where the gas flows continuously through each inlet line alternately, During the flow interruption period of the line, the line is spouted with pressurized water and optionally and preferably dried by flow through the inlet line of the compressed drying gas, which subsequently causes the inlet line to flow through the inlet line. Update.

가압수 분출 단계 및 압축 기체 건조 단계로부터 후 물은 흐름 차단 입구 라인을 통해 유동할 수 있고, 물 정화기 내로 방출되거나, 아니면 이러한 목적의 밸브식 배출 라인을 통해 흐름 차단 라인으로부터 배출된다. 하류 정화에 의한 반도체 제조 배출 기체의 처리시에, 분출수 및 압축 건조 기체를 하류의 정화기로 배출하는 것이 통상 유리하다.Water from the pressurized water jet step and the compressed gas drying step can flow through the flow block inlet line and be discharged into the water purifier or from the flow block line through a valved discharge line for this purpose. In the treatment of semiconductor production exhaust gas by downstream purification, it is usually advantageous to discharge the jetted water and the compressed dry gas into the downstream purifier.

제1 입구 라인 및 제2 입구 라인에는 전기 저항 히터, 흐름 트레이싱 라인(stream tracing line), 가열 재킷 등의 관련 가열 수단이 제공될 수도 있는데, 이러한 가열 수단에 의해 건조 공정이 보다 빨리 실행될 수 있고, 그렇지 않으면 매니폴드의 입구 라인의 청정화를 용이하게 하도록 공정에 열을 제공한다.The first inlet line and the second inlet line may be provided with associated heating means such as electric resistance heaters, stream tracing lines, heating jackets, etc., by which the drying process can be carried out faster, Otherwise heat is provided to the process to facilitate cleaning of the inlet line of the manifold.

방법 양태에서, 본 발명은 상류 공급원으로부터, 기체가 통과 유동하는 2개의 입구 라인을 포함하는 매니폴드를 통해 하류의 처리 유닛으로 기체를 유동시키는 방법에 관한 것으로서, (a) 입구 라인 중 하나는 흐름 접속 입구 라인이고, 다른 하나는 상류 공급원으로부터 하류 처리 유닛으로의 기체 유동에 대해 격리되어 있는 입구 라인일 때에 상기 2개의 입구 라인 중 흐름 접속 입구 라인을 통해 상기 기체를 유동시키는 단계와; (b) 입상 고체, 물에 용해 가능한 고체 등을 상기 격리된 입구 라인의 내표면으로부터 제거하기 위해 그 격리된 입구 라인을 가압수로 분출시키는 단계와; (c) 상기 격리된 입구 라인을 통한 가압수의 유동을 단속하는 단계와; (d) 선택적으로, 상기 격리된 입구 라인의 내표면을 건조시키기 위하여 상기 격리된 입구 라인을 통해 압축 건조 기체를 유동시키는 단계와; (e) 상기 격리된 입구 라인을 통한 압축 건조 기체의 유동을 단속하는 단계와; (f) 흐름 접속 입구 라인을 구성하도록 상기 격리된 입구 라인을 격리 분리시키는 단계와; (g) 흐름 접속 입구 라인을 통한 기체의 유동을 단속하고, 격리된 흐름 차단 입구 라인을 구성하도록 상기 흐름 접속 입구 라인을 격리하는 단계와; (h) 상기 기체를 상류 공급원으로부터 격리 분리된 흐름 접속 입구 라인을 통해 하류 처리 유닛으로 재유동시키는 단계를 포함하며, 주기적으로, 번갈아가면서 그리고 반복적으로 단계 (a) 내지 (h)를 수행하여, 상류 공급원으로부터 하류 처리 유닛으로의 기체 유동 중에, 입구 라인들 중 하나에는 이를 통해 유동된 상류 공급원으로부터의 기체가 존재하며 다른 라인은 흐름 차단 상태이고, 고압수 분출 및 건조가 선택적으로 진행되는 것을 특징으로 한다.In a method aspect, the invention relates to a method of flowing gas from an upstream source through a manifold comprising two inlet lines through which gas flows, wherein (a) one of the inlet lines is a flow Flowing said gas through a flow connection inlet line of said two inlet lines when said inlet line is an inlet line that is isolated for gas flow from an upstream source to a downstream processing unit; (b) ejecting the isolated inlet line with pressurized water to remove particulate solids, water soluble solids, and the like from the inner surface of the isolated inlet line; (c) regulating the flow of pressurized water through the isolated inlet line; (d) optionally, flowing compressed dry gas through the isolated inlet line to dry the inner surface of the isolated inlet line; (e) regulating the flow of compressed dry gas through the isolated inlet line; (f) isolating said isolated inlet line to constitute a flow connection inlet line; (g) intercepting the flow of gas through the flow connection inlet line and isolating the flow connection inlet line to form an isolated flow blockage inlet line; (h) reflowing the gas through a flow connection inlet line isolated from an upstream source to a downstream processing unit, performing steps (a) to (h) periodically, alternately and repeatedly, During gas flow from the upstream source to the downstream treatment unit, one of the inlet lines contains gas from the upstream source that flows through it and the other line is in flow shutoff, and the high pressure water jet and drying are optionally carried out. It is done.

전술한 바와 같은 처리는 입구 라인들을 가열함으로써 선택적으로 실행될 수도 있다.The treatment as described above may optionally be performed by heating the inlet lines.

본 발명의 다른 양태, 특징 및 실시예들은 이하의 설명 및 청구범위를 통해 보다 명확하게 이해할 수 있을 것이다.Other aspects, features and embodiments of the invention will be more clearly understood from the following description and claims.

도면을 참조하면, 도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 막힘 방지 입구 구조체를 개략적으로 도시한 도면이다.Referring to the drawings, FIG. 1 is a schematic illustration of an anti-clogging inlet structure in accordance with an exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 입구 구조체는 그러한 구조체로 주입되는 기류 공급원과 입구 구조체를 서로 연결하는 처리 배관에 접속될 수 있다. 이 상류의 처리 배관은 반도체 제조 공구와 같은 상류의 기류 공급원으로부터 도시된 바와 같은 입구 구조체의 입구 플랜지에 이르기까지 통상적인 방법으로 적절하게 히트 트레이스 처리(heat-tracing)될 수 있다. 그러한 히트 트레이스 처리의 목적은 배관 내의 기류에 충분한 에너지를 공급함으로써 기류 중의 일부 성분이 입구 구조체에서 응결 또는 승화되지 않도록 하는 것이다.The inlet structure shown in FIG. 1 may be connected to a process piping connecting the inlet structure with the airflow source injected into such a structure. This upstream treatment tubing may be appropriately heat-tracing in a conventional manner from an upstream airflow source, such as a semiconductor manufacturing tool, to the inlet flange of the inlet structure as shown. The purpose of such heat trace treatment is to provide sufficient energy to the airflow in the piping so that some components in the airflow do not condense or sublimate in the inlet structure.

도 1에 도시된 입구 구조체(60)는 입구 플랜지(16)를 구비하는 입구 섹션(7)을 포함한다. 상기 입구 플랜지는 이 플랜지에서 상단부가 종지되고 있는 상부 환형 섹션(8)의 플랜지(18)와 대응 관계로 결합될 수 있다. 입구 섹션은 예를 들어, 반도체 제조 공구와 같은 상류의 입상 고체 함유 및/또는 입상 고체 형성 기류 발생 설비(90)에 연결될 수 있다.The inlet structure 60 shown in FIG. 1 comprises an inlet section 7 with an inlet flange 16. The inlet flange can correspondingly engage the flange 18 of the upper annular section 8 in which the upper end is terminated. The inlet section may be connected to an upstream particulate solid containing and / or particulate solids forming airflow generation facility 90, such as, for example, a semiconductor manufacturing tool.

환형 섹션(8)은 기체 투과성의 적정 다공성을 갖는 다공성 내벽(6)과, 그 내벽과의 사이에 환형 내용적부(20)를 형성하는 단단한 외벽(9)을 구비한다. 따라서, 다공성 내벽(6)의 내표면은 상부 환형 섹션(8)에 유동 통로(66)를 획정한다. 단단한 외벽(9)의 상단부 및 하단부는 상기 내벽(6)에 대해 단부벽(40, 42)에 의해 포위되어 환형 내용적부를 포위한다. 외벽(9)에는 기체 입구 포트(22)가 마련되고, 그 포트에 기체 공급 라인(24)이 접속된다. 기체 공급 라인(24)은 그 외측 단부가 기체 공급원(4)에 연결된다. 기체 공급 라인(24)에는 환형 내용적부(20) 안으로 흐르는 기류를 조절하기 위해 체크 밸브(14)를 배치한다. 기체 공급 라인(24)에는 다른 유동 제어 수단(도시 생략)을 설치하여, 시스템의 작동 중에 기체를 기체 공급원(4)으로부터 환형 내용적부(20)까지 필요한 양과 유속으로 선택적으로 공급할 수 있다.The annular section 8 has a porous inner wall 6 having an appropriate porosity of gas permeability and a rigid outer wall 9 forming an annular inner portion 20 therebetween. Thus, the inner surface of the porous inner wall 6 defines a flow passage 66 in the upper annular section 8. The upper and lower ends of the rigid outer wall 9 are surrounded by the end walls 40, 42 with respect to the inner wall 6 to surround the annular contents. A gas inlet port 22 is provided on the outer wall 9, and a gas supply line 24 is connected to the port. The gas supply line 24 is connected at its outer end to the gas source 4. The gas supply line 24 is arranged with a check valve 14 to regulate the airflow flowing into the annular inner portion 20. The gas supply line 24 may be provided with other flow control means (not shown) to selectively supply gas from the gas source 4 to the annular volume 20 at the required amount and flow rate during operation of the system.

다공성 내벽(6)을 통과하는 기체의 온도를 상승시키기 위해, 기체 공급 라인(24)을 가열하는 수단을 포함할 수 있다. 기체 공급 라인(24)의 가열 수단은 전기 저항 히터, 히트 트레이스 처리 라인, 가열 재킷 또는 당업자에게 공지되어 있고 열에너지를 기체 공급 라인(24)의 내부 통로로 전달하여 기체의 온도를 상승시키는 데에 유용한 기타 가열 시스템을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1의 실시예에 채용된 가열 수단은 가열 코일(23)로 구성된다. 또한, 열 재킷이 상기 가열 수단과 공조하여 기체 공급 라인(24)의 내부 온도를 상승시킬 수 있다.Means for heating the gas supply line 24 may be included to raise the temperature of the gas passing through the porous inner wall 6. The heating means of the gas supply line 24 are known to electric resistance heaters, heat trace processing lines, heating jackets or those skilled in the art and are useful for transferring thermal energy to the internal passages of the gas supply line 24 to raise the temperature of the gas. Other heating systems. For example, the heating means employed in the embodiment of FIG. 1 consists of a heating coil 23. In addition, a heat jacket can cooperate with the heating means to raise the internal temperature of the gas supply line 24.

상부 환형 섹션(8)은 고압 기체 분사 포트(50)를 선택적으로 구비할 수 있으며, 그 포트는 고압 기체 공급 라인(52)에 연결되고, 이 고압 기체 공급 라인은 다시 고압 기체 공급원(5)에 연결된다. 기체 공급 라인은 유동 제어 밸브(51)를 내장하는 것으로 도시되어 있으며, 이 유동 제어 밸브는 그 밸브를 예정된 순서에 따라 작동시키는 유동 제어기 수단(도시 생략)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 고압 기체 공급 라인(52)은 고압 기체 분사 포트(50)에 대해 적정 각도, 예를 들어 경사진 각도로 배치될 수 있다.The upper annular section 8 may optionally have a high pressure gas injection port 50, which is connected to a high pressure gas supply line 52, which in turn is connected to the high pressure gas source 5. Connected. The gas supply line is shown with a built in flow control valve 51, which can be connected to flow controller means (not shown) that operates the valve in a predetermined order. Optionally, the high pressure gas supply line 52 may be arranged at an appropriate angle, such as an inclined angle, with respect to the high pressure gas injection port 50.

선택적 사항인 고압 기체 분사 포트(50)와 고압 기체 공급 라인(52)은 기체 공급 라인(24)에서 환형 내용적부(20)로 주입되는 저압 기체가 일정한 유량으로 유동(또는 추출)됨에도 불구하고, 기체 투과성 벽의 내표면 상에 고체의 축적이 발생하는 경우 유익하다. 고압 기체 공급 라인(52)을 가열하는 수단이 마련되어 그 라인의 기체의 온도를 상승시키기 위해 포함될 수 있다. 이러한 기체 공급 라인(52) 가열 수단은 전기 저항 히터, 흐름 추적 라인, 가열 재킷 또는 당업자에게 공지되어 있고 또 열에너지를 기체 공급 라인(52)의 내부 통로로 전달하여 기체의 온도를 상승시키는 데에 유용한 기타 가열 시스템을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1의 실시예에 채용된 가열 수단은 가열 코일(54)로 구성된다. 또한, 열 재킷이 상기 가열 수단과 공조하여 기체 공급 라인(52)의 내부 온도를 상승시킬 수 있다.Although the optional high pressure gas injection port 50 and the high pressure gas supply line 52 may be flowed (or extracted) at a constant flow rate, even though the low pressure gas injected into the annular volume portion 20 from the gas supply line 24, It is beneficial if accumulation of solids occurs on the inner surface of the gas permeable wall. Means for heating the high pressure gas supply line 52 may be provided and included to raise the temperature of the gas in that line. Such gas supply line 52 heating means are known to electric resistance heaters, flow tracking lines, heating jackets or those skilled in the art and are useful for transferring thermal energy to the internal passages of gas supply line 52 to raise the temperature of the gas. Other heating systems. For example, the heating means employed in the embodiment of FIG. 1 consists of a heating coil 54. In addition, a heat jacket can cooperate with the heating means to raise the internal temperature of the gas supply line 52.

상부 환형 섹션(8)은 그 하단부가 플랜지(26)에서 종지되며, 이 플랜지는 하부 환형 섹션(30)의 플랜지(28)와 대응 관계로 맞물린다. 이들 플랜지(26, 28)는 도 1에 도시된 O-링(10)과 같은 밀봉 수단에 의해 밀봉될 수 있다.The upper annular section 8 has its lower end terminated at the flange 26, which engages in a corresponding relationship with the flange 28 of the lower annular section 30. These flanges 26, 28 may be sealed by a sealing means such as the O-ring 10 shown in FIG. 1.

하부 환형 섹션(30)은 그 상단부가 플랜지(28)에서 종지되는 외벽(12)을 포함한다. 상기 외벽은 일종의 재킷 부재로서 그 하단부가 단부벽(44)에 의해 내부 둑 벽(11)에 결합되어, 그 외벽(12)과 내부 둑 벽(11) 사이에 환형 내용적부(32)를 형성한다. 상기 내부 둑 벽(11)은 도시된 바와 같이 연직 상향으로 연장하지만, 그 상단부(46)가 상부 환형 섹션(8)의 다공성 내벽(6)의 하단부에 대해 간격을 둔 상태로 종지하여, 다공성 내벽의 하단부와 내부 둑 벽의 상단부 사이에는 틈새(36)가 형성되어 상기 하부 환형 섹션(30)에 대한 넘침 둑을 형성한다.The lower annular section 30 includes an outer wall 12 whose upper end terminates at the flange 28. The outer wall is a type of jacket member whose lower end is joined to the inner weir wall 11 by an end wall 44, forming an annular inner portion 32 between the outer wall 12 and the inner weir wall 11. . The inner weir wall 11 extends vertically upward as shown, but terminates with its upper end 46 spaced apart from the lower end of the porous inner wall 6 of the upper annular section 8. A gap 36 is formed between the lower end of the upper end and the upper end of the inner weir wall to form an overflow wed for the lower annular section 30.

하부 환형 섹션(30)의 외벽(12)에는 물 입구 포트(48)가 제공되며, 그 포트는 액체 유동 제어 밸브(81)를 내장한 물 공급 라인(80)에 연결되어 물 공급원(3)에 연결될 수 있으며, 상기 액체 유동 제어 밸브는 다른 유동 제어 수단과 작동 가능하게 결합되어 하부 환형 섹션(30)으로 유동하는 액체의 유속을 필요한 정도에 유지한다. 물 입구 포트(48)는 하부 환형 섹션(30)에 반경 방향으로 또는 접선 방향으로 고정될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서는 물 입구 포트(48)가 하부 환형 섹션(30)에 접선 방향으로 고정되어 있어서, 그 하부 환형 섹션에 주입되는 물 제트의 모멘트가 고정된 벽에 대해 진행되는 것이 아니라, 하부 환형 섹션에서 넘쳐 흐르는 물이 접선 방향으로 소용돌이쳐 스스로 방산되도록 한다. 이 때 이와 같이 접선 방향으로 물을 주입함으로써 수막 상측의 모멘트를 교란시켜 하부 환형 섹션을 넘쳐흐르는 수막의 높이를 최적화시킨다.The outer wall 12 of the lower annular section 30 is provided with a water inlet port 48, which is connected to a water supply line 80 incorporating a liquid flow control valve 81 and connected to the water source 3. The liquid flow control valve is operatively coupled with other flow control means to maintain the flow rate of liquid flowing into the lower annular section 30 to the required degree. The water inlet port 48 may be fixed to the lower annular section 30 in the radial or tangential direction. In a preferred embodiment of the invention the water inlet port 48 is fixed tangentially to the lower annular section 30 so that the moment of the water jet injected into the lower annular section does not proceed against the fixed wall, The overflowing water in the lower annular section swirls tangentially so that it dissipates itself. At this time, by injecting water in the tangential direction, the moment above the water film is disturbed to optimize the height of the water film flowing over the lower annular section.

입상 고체 함유 기류 및/또는 입상 고체 형성 기류를 입구 구조체의 특정 위치에 주입하는 데에 긴 기류 운송관(70)이 사용될 수 있다. 운송관(70)은 기류를 수용하는 관계로 상류 기류 공급원(90)과 연결되며, 그 기류를 내부 기체 유동 통로(66) 내의 적정 위치로 진행 및 배출시켜 입구 구조체 내에 고체가 형성되는 것을 최소화한다. 운송관(70)은 이 운송관(70)을 수용하도록 변형된 입구 섹션(7)과 단단한 외벽(9)으로 둘러싸여 있다. 운송관(70)은 이 운송관(70)을 통과하여 유동하는 기류가 응결되지 않도록 가열될 수 있다.An elongate air flow conduit 70 may be used to inject the particulate solid containing air stream and / or the particulate solid forming air stream to a specific location of the inlet structure. The delivery conduit 70 is connected to the upstream airflow source 90 in accommodating the airflow, and propagates and exhausts the airflow to an appropriate position in the internal gas flow passage 66 to minimize the formation of solids in the inlet structure. . The conduit 70 is surrounded by an inlet section 7 and a rigid outer wall 9 modified to receive the conduit 70. The delivery pipe 70 may be heated to prevent condensation of the airflow flowing through the delivery pipe 70.

도 1에 도시된 입구 구조체에서, 운송관(70)은 다공성 내벽(6)으로 둘러싸이며, 그 다공성 내벽(6)과 동심을 이루고 있다. 운송관(70)의 외표면과 다공성 내벽(6)의 내표면은 그 사이에 환형 용적부를 형성한다. 기류 운송관(70)은 기류 공급원(90)과 기류 수용 관계로 연결된 제1 단부(72)와, 기류 통로(66) 내에 기류를 배출하는 제2 단부(74)를 포함한다. 제2 단부(74)는 상부 환형 섹션(8)이나 하부 환형 섹션(30) 내에 마련된 기류 통로(66)에 기류를 배출시킨다. 도시된 실시예에서, 운송관(70)은 내부 둑 벽의 상단부(46) 아래 약 1/2 인치 지점에서 기류를 배출시키고 있지만, 운송관(70)이 기류, 공정 용도 및 조건에 따라 둑 벽의 상단부(46) 아래로 더 연장되거나 내부 둑 벽의 상단부(46) 위에서 종지될 수도 있다.In the inlet structure shown in FIG. 1, the delivery conduit 70 is surrounded by a porous inner wall 6 and concentric with the porous inner wall 6. The outer surface of the delivery pipe 70 and the inner surface of the porous inner wall 6 form an annular volume therebetween. The air flow conduit 70 includes a first end 72 connected to an airflow source 90 in an airflow receiving relationship, and a second end 74 for discharging airflow in the airflow passage 66. The second end 74 discharges airflow in the airflow passage 66 provided in the upper annular section 8 or the lower annular section 30. In the illustrated embodiment, the delivery conduit 70 is venting airflow about half an inch below the upper end 46 of the internal weir wall, while the delivery conduit 70 is based on the airflow, process usage, and conditions. It may extend further below the top 46 of or end above the top 46 of the inner weir wall.

운송관(70)은 예를 들어, 스테인레스 강을 사용하여 약 0.5 내지 4 인치 내경으로 형성될 수 있다. 당업자들은 상기 운송관(70)이 다양한 재료, 크기, 단면 및 형상으로 구성될 수 있음을 인식할 것이다. 다공성 내벽(6)과 넘침 둑 벽(11)에 대해 운송관(70)을 배치함으로써 발생하는 공통의 환형 유동 패턴은 처리 기체가 운송관을 빠져나가 유동 통로(66) 영역으로 진입할 때 그 처리 기체가 내부 둑 벽(11)으로부터 나오는 수증기와 혼합되는 것을 최소화시키는 역할을 한다. 따라서, 운송관(70)을 빠져나가는 처리 기체와 내부 둑 벽(11)으로부터 나오는 수증기 사이의 고체 형성 반응은 하류 위치에 이르기까지 매우 감소되기 때문에 내부 둑 벽(11)의 작용으로써 고체는 하류 감소 기구로 분출될 수 있다.The delivery conduit 70 can be formed, for example, with an internal diameter of about 0.5 to 4 inches using stainless steel. Those skilled in the art will appreciate that the delivery conduit 70 can be constructed in a variety of materials, sizes, cross sections and shapes. The common annular flow pattern generated by placing the delivery conduit 70 relative to the porous inner wall 6 and the overflow embankment wall 11 is treated when the processing gas exits the delivery conduit and enters the flow passage 66 region. It serves to minimize gas mixing with water vapor coming from the inner weir wall (11). Therefore, the solid formation reaction between the processing gas exiting the delivery pipe 70 and the water vapor coming from the inner weir wall 11 is greatly reduced to the downstream position, so that the solids are reduced downstream by the action of the inner weir wall 11. May be ejected into the appliance.

본 발명의 범위 내에서 주어진 입구 구조의 막힘 방지 효능을 결정하기 위해, 적정한 판단 기법으로써, 평균 유속의 질소 캐리어 기체와 1-5 slpm 유량의 트리클로로실란을 수분 경과 후 입구 구조체의 특정 위치 및 고체 형성량을 감시함으로써, 상기 구조의 적합성 및 입구 구조체에 있어서의 소정의 매개변수 변화에 대한 영향을 결정한다. 고체 성장 특성을 감시하기 위해서는 보다 오랜 관찰 기간이 필요할 수도 있다. 또한, 기류, 공정 용도 및 조건에 따라, 기체 운송관과, 기체 운송관의 외표면과 다공성 벽의 내표면 사이의 환형 섹션에 축방향 층류를 유지함으로써, 입구 구조체 벽의 유지와 방출류의 적절힌 보호가 보장된다.In order to determine the anti-clogging efficacy of a given inlet structure within the scope of the present invention, as an appropriate judgment technique, the nitrogen carrier gas at an average flow rate and trichlorosilane at a flow rate of 1-5 slpm are subjected to a specific position and solid of the inlet structure after a few minutes. By monitoring the amount of formation, the suitability of the structure and the influence on the change of a predetermined parameter in the inlet structure is determined. Longer observation periods may be required to monitor solid growth properties. Also, depending on the air flow, process use and conditions, by maintaining the axial laminar flow in the annular section between the gas delivery line and the outer surface of the gas delivery line and the inner surface of the porous wall, appropriate maintenance of the inlet structure wall and discharge flow Hin protection is guaranteed.

운송관(70)은 또한 기체의 응결을 감소시키도록 가열될 수도 있다. 운송관을 통과하여 흐르는 기체의 응결에 의해 운송관(70)의 벽 상에 고체가 형성된다. 운송관(70)을 가열하는 적절한 수단은 전기 저항 히터, 기류 트레이스 라인, 가열 재킷 등을 포함할 수 있으며, 그러한 가열 시스템은 열에너지를 운송관(70)의 내부 통로로 전달하여 응결을 방지하도록 구성 및 배열된다. 예를 들어, 상기 가열 수단은 가열 코일(76)을 구비하는 것으로 도시되어 있다. 또한, 가열 재킷이 상기 가열 수단과 공조하여 운송관(70)의 내부 온도를 상승시킬 수 있다. 가열 재킷은 측벽의 온도를 상승시켜, 응결 가능한 공정 기체가 운송관 내에서 응결되는 것을 방지하도록 채용될 수 있다.The delivery conduit 70 may also be heated to reduce condensation of the gas. Solids form on the walls of the delivery conduit 70 by condensation of gas flowing through the delivery conduit. Suitable means for heating the conduit 70 may include an electrical resistance heater, an air flow trace line, a heating jacket, and the like, wherein the heating system is configured to deliver thermal energy to the internal passageway of the conduit 70 to prevent condensation. And arranged. For example, the heating means is shown with a heating coil 76. In addition, the heating jacket may cooperate with the heating means to increase the internal temperature of the delivery pipe 70. The heating jacket may be employed to raise the temperature of the sidewalls to prevent condensable process gases from condensing in the conduit.

하부 환형 섹션(30)은 하단부에서 물 정화기(13)의 하우징에 적절히 연결될 수 있다. 상기 물 정화기는 공정 기류 중의 입자와 용해 성분을 세정시켜 제거하도록 통상의 방식으로 구성될 수 있다. 선택적으로, 입구 구조체(60)는 그 입구 구조체를 입구측 단부로부터 방출 단부까지 통과하는 기류의 처리를 위해 다른 처리 설비에 연결될 수 있다.The lower annular section 30 can be suitably connected to the housing of the water purifier 13 at the bottom. The water purifier may be configured in a conventional manner to clean and remove particles and dissolved components in the process air stream. Optionally, the inlet structure 60 may be connected to another processing facility for the treatment of airflow passing the inlet structure from the inlet end to the outlet end.

따라서, 입구 구조체(60)에는 입구 기체가 도 1의 화살표 '1'로 지시된 방향에서 도 1의 화살표 '2'로 지시된 방향의 방출 단부로 유동할 수 있는 통로인 기체 유동 통로(66)가 구비되어 있다.Thus, the inlet structure 60 has a gas flow passage 66 which is a passage through which the inlet gas can flow from the direction indicated by arrow '1' in FIG. 1 to the discharge end in the direction indicated by arrow '2' in FIG. Is provided.

작동시, 입상 고체 함유 기체는 적절한 연결 배관에 의해 반도체 제조 공구(도시 생략)와 같은 상류 공급원으로부터 주입되며, 상기 연결 배관은 전술한 바 있지만 입구 구조체 내에서 기류 성분의 유해한 승화 또는 응착을 억제하기 위해 히트 트레이스 처리될 수 있다. 상기 기류는 화살표 '1'로 지시된 유동 방향으로 입구 구조체로 진입하여 입구 섹션(7)[또는, 설치되어 있다면 운송관(70)]을 통과하여 상부 환형 섹션(8)으로 진입한다. 질소와 같은 기체 또는 다른 기체가 기체 공급원(4)으로부터 유동하여 기체 입구 포트(22)에 연결된 기체 공급 라인(24)을 통해 환형 내용적부(20)로 진입한다. 이 환형 내용적부(20)로부터 주입 기체가 기체 투과성 내벽(6)을 통해 내부 기체 유동 통로(66)로 유동한다. 따라서, 입상 함유 또는 입상 형성 기체가 기체 공급 라인(24)으로부터 기체 투과성 내벽(6)을 통해 환형 내용적부(20) 내로 유동할 때, 내부 기체 유동 통로(66)를 통해 물 정화기(13) 안으로 유동한다.In operation, the particulate solid-containing gas is injected from an upstream source, such as a semiconductor manufacturing tool (not shown), by appropriate connection piping, which has been described above to prevent harmful sublimation or adhesion of airflow components within the inlet structure. To be heat traced. The airflow enters the inlet structure in the flow direction indicated by the arrow '1' and passes through the inlet section 7 (or, if installed, the conveying pipe 70) to the upper annular section 8. Gas or other gas, such as nitrogen, flows out of the gas source 4 and enters the annular volume 20 through a gas supply line 24 connected to the gas inlet port 22. From this annular inner portion 20 the injection gas flows through the gas permeable inner wall 6 into the internal gas flow passage 66. Thus, when the granular containing or particulate forming gas flows from the gas supply line 24 through the gas permeable inner wall 6 into the annular inner volume 20, into the water purifier 13 through the inner gas flow passage 66. Flow.

이러한 방식으로, 환형 내용적부(20)는 기체 공급원(4)으로부터 나오는 기체에 의해 가압된다. 이때의 압력은 기체가 다공성 내벽을 통해 내부 기체 유동 통로(66) 내로 일정하게 정상 유동하게 되는 것을 보장한다. 기체 투과성 내벽을 통한 기체의 그러한 저속, 정상 유동은 내부 기체 유동 통로(66)를 통해 흐르는 기류의 입자를 입구 구조체의 내벽 내표면으로부터 멀리에 유지한다. 또한, 내부 유동 통로(66) 내의 기류와 함께 존재하는 임의의 기체 역시 입구 구조체의 내벽 내표면으로부터 멀리에 유지한다.In this way, the annular inner portion 20 is pressurized by the gas coming from the gas source 4. The pressure at this time ensures that the gas is constantly steady flowing into the inner gas flow passage 66 through the porous inner wall. Such a slow, steady flow of gas through the gas permeable inner wall keeps particles of airflow flowing through the inner gas flow passage 66 away from the inner wall inner surface of the inlet structure. In addition, any gas present with the airflow in the inner flow passage 66 also keeps away from the inner wall inner surface of the inlet structure.

기체 공급 라인(24)은 필요한 경우 히트 트레이스 처리될 수 있다. 그러한 히트 트레이스 처리는 입구 구조체를 통해 흐르는 기류가 그 입구 구조체의 벽에 응결 또는 승화되어 침적될 수 있는 화학종(species)을 함유하고 있는 경우에 바람직할 수도 있다.Gas supply line 24 may be heat traced if desired. Such heat trace treatment may be desirable when the airflow flowing through the inlet structure contains species that can condense or sublimate and deposit on the walls of the inlet structure.

동시에, 고압 기체가 고압 기체 공급원(5)으로부터 고압 기체 공급 라인(52)과 고압 기체 분사 포트(50)를 통해 환형 내용적부(20)로 주기적으로 유동될 수 있다. 예를 들어, 기체 공급 라인(52)에는 유동 제어 밸브(도시 생략)가 내장되어, 펄스화되어 주입되는 고압 기체를 수용한다. 이러한 방식으로, 고압 기체는 환형 내용적부 내로 특정한 예정된 간격으로 분사됨으로써 기체 투과성 내벽(6)의 내표면 상에 형성된 임의의 입자를 제거한다. 고압 기체가 펄스화되어 주입되는 기간 및 시간 순서는 당업자라면 과도한 실험에 의하지 않고서도 용이하게 결정할 수 있는 것으로, 기체 투과성 벽면에 고체가 축적되는 것을 방지하는 소망하는 벽 세정 효과를 달성한다. 필요한 경우, 입구 구조체가 반도체 제조 공구를 손질하는 물 정화기와 관련하여 채용되었을 때, 그러한 고압 분사는 반도체 제조 공구 제어 시스템에 작동적으로 연결된 제어 수단을 적절히 통합함으로써 반도체 제조 공구 배출 포트에서 압력 변동이 발생하지 않도록 상기 반도체 제조 공구의 1회 처리 사이클 중에 중단될 수 있다. 이를 위해, 솔레노이드 밸브와 같은 제어 밸브가 반도체 제조 공구 조립체의 제어 수단과 적절히 연결될 수 있다.At the same time, high pressure gas can be periodically flowed from the high pressure gas source 5 through the high pressure gas supply line 52 and the high pressure gas injection port 50 to the annular inner volume 20. For example, the gas supply line 52 has a built-in flow control valve (not shown) to accommodate the high pressure gas injected into the pulse. In this way, the high pressure gas is injected into the annular volume at certain predetermined intervals to remove any particles formed on the inner surface of the gas permeable inner wall 6. The period and time sequence in which the high pressure gas is pulsed and injected can be readily determined by those skilled in the art without undue experimentation, achieving the desired wall cleaning effect of preventing the accumulation of solids on the gas permeable wall. If necessary, when the inlet structure is employed in connection with a water purifier for grooming the semiconductor manufacturing tool, such high pressure spraying can provide adequate pressure control at the semiconductor manufacturing tool outlet port by integrating control means operatively connected to the semiconductor manufacturing tool control system. It can be interrupted during one processing cycle of the semiconductor manufacturing tool so as not to occur. For this purpose, a control valve, such as a solenoid valve, can be properly connected with the control means of the semiconductor manufacturing tool assembly.

도시된 실시예의 입구 구조체에서, 플랜지(26, 28)는 상부 환형 섹션(8)이 하부 환형 섹션(30)으로부터 신속하게 분리될 수 있도록 상호 체결될 수 있다. 그러한 목적을 위해, 신속 분리 체결을 이용할 수 있다. 플랜지(26, 28) 사이의 밀봉 가스켓, 또는 O-링(10)은 내식성 고온 탄성 중합제 재료와 같은 적절한 재료로 형성될 수 있다. 이러한 탄성 중합체 가스켓은 또한 입구 구조체의 상부 환형 섹션으로부터 하부 환형 섹션으로 열이 전달되는 것을 최소화하는 열 장벽으로서 기능하는데, 이는 본 발명의 히트 트레이스형 실시예에서 특히 중요한 특징이다.In the inlet structure of the illustrated embodiment, the flanges 26, 28 can be interlocked so that the upper annular section 8 can be quickly separated from the lower annular section 30. For that purpose, quick disconnect fastening can be used. The sealing gasket between the flanges 26, 28, or the O-ring 10 may be formed of a suitable material, such as a corrosion resistant high temperature elastomeric material. Such elastomeric gaskets also function as a thermal barrier to minimize the transfer of heat from the upper annular section of the inlet structure to the lower annular section, which is a particularly important feature in the heat traced embodiment of the present invention.

입구 구조체의 상부 환형 섹션의 기체 투과성 내벽(6)은 세라믹, 금속, 합금 및 플라스틱 등의 적절한 기체 투과성 재료로 형성될 수 있다. 특정한 예로서, 기체 투과성 내벽은 하스텔로이 276(Hastelloy 276) 재료로 형성될 수 있다. 상부 환형 섹션의 외벽(9)도 마찬가지로 적절한 재료로 형성될 수 있으며, 예를 들어 얇은 벽으로 된 스테인레스 강 파이프일 수 있다.The gas permeable inner wall 6 of the upper annular section of the inlet structure may be formed of a suitable gas permeable material such as ceramics, metals, alloys and plastics. As a specific example, the gas permeable inner wall may be formed of Hastelloy 276 material. The outer wall 9 of the upper annular section can likewise be formed of a suitable material, for example a thin walled stainless steel pipe.

입구 구조체의 하부 환형 섹션(30)은 폴리비닐클로라이드 플라스틱과 같은 적절한 재료로 형성될 수 있다. 물이 물 공급원(3)으로부터 물 공급 라인(80)을 통해 외벽(12)과 내부 둑 벽(11) 사이의 환형 내용적부(32)로 분사된다. 바람직하게, 물이 접선 방향으로 분사됨으로써, 물은 환형 내용적부(32) 내에서 각을 이뤄 운동하게 되어, 입구 구조체의 내부 유동 통로(66) 내에서 내부 둑 벽(11)의 상단부(46) 위와 그 내부 둑 벽의 아래에서 나선 운동하게 된다. 그와 같이 물을 둑 벽(11)의 내표면 하방으로 흐르게 하여, 소정 입자를 유동 통로(66) 하방으로 입구 구조체 아래 물 정화기(13)까지 씻어낸다. 전술한 바와 같이, 하부 환형 섹션(30)은, 예를 들어 하류 처리 유닛이 연소 정화기인 경우 생략될 수도 있는 선택적인 구조적 특징부이다.The lower annular section 30 of the inlet structure may be formed of a suitable material such as polyvinylchloride plastic. Water is sprayed from the water source 3 through the water supply line 80 to the annular inner portion 32 between the outer wall 12 and the inner weir wall 11. Preferably, the water is sprayed in a tangential direction such that the water moves at an angle within the annular inner portion 32, such that the upper end 46 of the inner weir wall 11 in the inner flow passage 66 of the inlet structure. Spiralized above and below its inner dam wall. Thus, water flows below the inner surface of the dam wall 11, and the predetermined particle | grains are wash | cleaned below the flow path 66 to the water purifier 13 below the inlet structure. As mentioned above, the lower annular section 30 is an optional structural feature that may be omitted, for example if the downstream processing unit is a combustion purifier.

입구 구조체에서의 압력 강하는 입구 구조체의 상류 처리 유닛과 하류 정화기 유닛의 배출 배관의 압력을 태핑(tapping)함으로써 용이하게 결정될 수 있다. 이러한 압력 강하는 포토헬릭 게이지(Photohelic gauge) 또는 기타 적절한 압력 검출 게이지로 검출될 수 있으며, 그러한 압력 강하 해독치는 정화기 입구의 막힘을 감시하는 적절한 모니터 및 제어 설비로 전송될 수 있다.The pressure drop in the inlet structure can be easily determined by tapping the pressures of the upstream processing unit of the inlet structure and the discharge piping of the downstream purifier unit. This pressure drop can be detected with a Photohelic gauge or other suitable pressure detection gauge, and such pressure drop readings can be sent to a suitable monitor and control facility that monitors for blockage of the purifier inlet.

본 발명에 따른 입구 구조체의 사용에 의해, 반도체 제조 작업으로부터 반도체 제조 공구 방출류와 물 정화기 사이에 계면이 제공될 수 있으며, 이것은 정상 작동 중에 반복해서 막히지 않는다. 본 발명의 입구 구조체는 두 가지의 보조적인 처리 기류, 즉 저속 퍼지 정상류와 고압 펄스 기류를 갖는 계면을 제공한다. 저속 퍼지 기류는 상부 환형 섹션의 내표면으로부터 중앙 유동 통로(66)의 중앙선을 향해 흐르는 질소와 같은 불활성 기체의 총 유량을 형성한다. 고압 기류는 고체 막힘을 방지하는 자체 세정 능력을 제공한다. 고압 기류를 이용하면, 입구 구조체의 중앙 유동 통로(66)의 상부 환형 섹션의 내표면 상에 어떠한 입자도 형성되지 않게 된다.By using the inlet structure according to the invention, an interface can be provided between the semiconductor manufacturing tool discharge and the water purifier from the semiconductor manufacturing operation, which is not repeatedly blocked during normal operation. The inlet structure of the present invention provides an interface with two auxiliary processing air streams, a low speed purge stationary stream and a high pressure pulse air stream. The low speed purge air stream forms a total flow rate of inert gas, such as nitrogen, flowing from the inner surface of the upper annular section toward the centerline of the central flow passage 66. High pressure airflow provides self cleaning capability to prevent solid blockages. Using high pressure airflow, no particles are formed on the inner surface of the upper annular section of the central flow passage 66 of the inlet structure.

이어서, 기체, 동반 입자 및 이전에 침착된 입자가 입구 구조체의 하부 환형 섹션의 내표면에서 넘침 기류로 안내되어 입구 구조체 하류의 물 정화기 내로 아래로 분출된다. 이렇게 해서, 입구 구조체의 상부 환형 섹션의 기체 투과성 벽과 하부 환형 섹션의 내부 둑 벽 사이의 직접 계면에 의해 작업 중에 입상 고체의 형성을 효율적으로 최소화하는 고효율의 입구 구조체가 형성된다.The gas, companion particles and previously deposited particles are then guided to the overflow air stream at the inner surface of the lower annular section of the inlet structure and blown down into the water purifier downstream of the inlet structure. In this way, the direct interface between the gas permeable wall of the upper annular section of the inlet structure and the inner weir wall of the lower annular section forms a high efficiency inlet structure that effectively minimizes the formation of particulate solids during operation.

본 발명에 따른 입구 구조체는 다수의 장점을 갖는다. 반도체 제조 설비와, 반도체 처리 설비의 반도체 제조 공구로부터 배출되는 폐기류를 처리하는 물 정화기 처리 시스템에 대한 용례에 있어서, 반도체 제조 공구로부터 배출되는 기체는 반도체 제조 공구 배출 포트로부터 물 정화기 입구 구조체의 물 계면까지 줄곧 지속적으로 가열될 수 있다. 에너지를 배관에 전달하여 입구 라인을 가열하도록 입구 라인 상에 히트 트레이스 처리를 할 수 있는데, 이것은 강제 대류에 의해 에너지를 유동 기류에 전달한다. 공정 기체는 기체를 상부 환형 섹션으로 유동시키는 기류 라인을 히트 트레이싱 처리함으로써 또한 입구 구조체의 상부 환형 섹션의 환형 내용적부로 펄스형 고압 기체를 공급하는 고압 기류 라인을 히트 트레이스 처리함으로써, 입구 구조체의 하부 환형 섹션의 넘침 둑 벽 쪽으로 아래로 줄곧 가열될 수 있다. 이러한 가열된 기체의 유동은 입구 구조체의 중앙 유동 통로를 통해 계속 유동하는 공정 기체를 상류 처리 유닛으로부터 입구 구조체로 유동하는 기류 중의 소정의 입상 형성 기체의 증기압에 의해 측정되는 온도에 유지하며, 그렇지 않은 경우, 이 기체는 입구 구조체의 내벽 상에 응측되거나 승화되어 침적된다.The inlet structure according to the invention has a number of advantages. In the application for a semiconductor manufacturing facility and a water purifier treatment system for processing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing tool of a semiconductor processing facility, the gas discharged from the semiconductor manufacturing tool is the water of the water purifier inlet structure from the semiconductor manufacturing tool discharge port. It can be heated continuously all the way to the interface. Heat trace treatment may be performed on the inlet line to transfer energy to the piping to heat the inlet line, which delivers the energy to the flow airflow by forced convection. The process gas is subjected to heat tracing treatment of the air flow line flowing gas into the upper annular section and heat trace treatment of the high pressure air flow line supplying the pulsed high pressure gas to the annular volume of the upper annular section of the inlet structure. It can be heated all the way down to the overflow dam wall of the annular section. This heated gas flow maintains the process gas that continues to flow through the central flow passage of the inlet structure at a temperature measured by the vapor pressure of the desired particulate forming gas in the air stream flowing from the upstream processing unit to the inlet structure; In this case, the gas condenses or sublimes and deposits on the inner wall of the inlet structure.

본 발명의 입구 구조체의 다른 장점은 용이하게 분해될 수 있다는 점이다. 작업 중에 입구 구조체가 막히는 경우, 입구 구조체는 이 구조체의 플랜지들을 상호 유지하는 클램프 또는 다른 고정 요소를 단순히 분리시킴으로써 용이하게 분해된다. 따라서, 각 플랜지를 적소에 유지시키는 클램프를 분리하고, 상부 환형 섹션에 연결된 각각의 기체 공급 라인을 분리함으로써 상부 환형 섹션을 교체할 수 있다.Another advantage of the inlet structure of the present invention is that it can be easily disassembled. If the inlet structure is clogged during operation, the inlet structure is easily disassembled by simply separating the clamp or other fastening element that holds the flanges of the structure together. Thus, it is possible to replace the upper annular section by removing the clamps that hold each flange in place and separating each gas supply line connected to the upper annular section.

본 발명에 따른 입구 구조체의 또 다른 장점은 자체 세정 특성이다. 상류 처리 유닛으로부터 입구 구조체로 유동하는 기류에 동반되었거나, 입구 구조체 내에서의 화학 반응에 의해 형성된 입자는 입구 구조체의 상부 환형 섹션 내의 환형 내용적부 내에 펄스형으로 분사되는 고압 기체를 분사함으로써 입구 구조체의 기체 투과성 내벽으로부터 용이하게 세정될 수 있다. 이어서, 입구 구조체의 상부 환형 섹션의 내표면으로부터 떨어져 나온 입자는 내부 둑 벽의 넘침 부분으로 안내되어 이곳에서 그러한 입상 고체가 하류 정화기로 분출된다. 펄스형 고압 기체의 압력, 지속 기간 및 주기성은 시스템 입자 농도의 주요 조건과 그러한 고체의 특성을 수용하도록 용이하게 설정될 수 있다. 펄스형 고압 기체의 분사 효율은 입상 고체의 특성에 좌우된다. 따라서, 본 발명의 입구 구조체는 종래 기술의 유체 처리 시스템에서 통상적으로 사용하였던 소위 자체 세정 장치인 스크레이퍼(scraper) 또는 플런저(plunger) 장치를 사용하지 않는 자체 세정 특성을 갖는다.Another advantage of the inlet structure according to the invention is its self cleaning properties. Particles entrained in the airflow flowing from the upstream processing unit to the inlet structure, or formed by chemical reactions in the inlet structure, are injected into the annular volume portion in the upper annular section of the inlet structure by injecting high pressure gas which is pulsed into the annular structure It can be easily cleaned from the gas permeable inner wall. Subsequently, particles falling off the inner surface of the upper annular section of the inlet structure are directed to the overflow of the inner weir wall where such particulate solids are ejected to the downstream purifier. The pressure, duration and periodicity of the pulsed high pressure gas can be easily set to accommodate the key conditions of the system particle concentration and the properties of such solids. The injection efficiency of the pulsed high pressure gas depends on the characteristics of the particulate solid. Thus, the inlet structure of the present invention has self-cleaning properties without the use of a scraper or plunger device, a so-called self-cleaning device commonly used in prior art fluid treatment systems.

입구 구조체의 상부 환형 섹션의 다공성 내벽의 재료 특성은 상류 처리 유닛으로부터 입구되는 처리 기체에 좌우된다. 기류가 산성 기체 성분을 함유한 경우, 그러한 기체는 물 정화기에 흡수되고, 입구 구조체의 하부 환형 섹션 내의 넘침 둑 벽으로 재순환되는 물 속에 존재할 것이다. 넘침 둑 벽의 물 중 일부가 입구 구조체의 상부 환형 섹션의 다공성 내벽에 분출될 수 있을 것이다. 그 경우, 다공성 벽은 내식성 구성 재료로 선택되는 것이 바람직하다. 그러한 목적으로 바람직한 금속 재료는 하스텔로이 276 강으로, 이것은 저온의 함수(含水) 산 조건하에서도 탁월한 내식성을 나타낸다.The material properties of the porous inner wall of the upper annular section of the inlet structure depend on the processing gas entering from the upstream processing unit. If the air flow contains an acidic gas component, such gas will be absorbed in the water purifier and present in the water that is recycled to the overflow bank wall in the lower annular section of the inlet structure. Some of the water in the overflow bank wall may be ejected to the porous inner wall of the upper annular section of the inlet structure. In that case, the porous wall is preferably selected as the corrosion resistant constituent material. A preferred metal material for this purpose is Hastelloy 276 steel, which exhibits excellent corrosion resistance even under low temperature hydrous acid conditions.

본 발명의 입구 구조체의 또 다른 장점은, 본원에서 예시한 바와 같이 입구 구조체가 물 정화기의 상류에 사용되는 때 물 정화기의 상부로부터 처리 배관 안으로 수증기가 역류하는 것이 최소화된다는 점이다. 이러한 장점의 설명에 의해, 입자가 몇몇 반도체 제조 공구의 배출류 중에, 처리 공구로부터 동반된 입자로서 또는 기류의 유동로 내에서의 화학 반응의 반응물로서 존재할 수 있음이 이해될 것이다.Another advantage of the inlet structure of the present invention is that the backflow of water vapor from the top of the water purifier into the treatment piping is minimized when the inlet structure is used upstream of the water purifier as illustrated herein. By describing this advantage, it will be appreciated that the particles may be present during the discharge flow of some semiconductor manufacturing tools, as particles entrained from the processing tool, or as reactants of chemical reactions in the flow path of the air stream.

본 발명은 전술한 리차드슨 환형 효과(Richardson annular effect)를 최소화하거나 제거한다. 입구 구조체의 상부 환형 섹션의 다공성 내벽의 내표면에서 기체가 정상 유출됨으로써, 정적 경계 층 조건이 상부 환형 섹션의 내표면에서 발전될 수 없다. 기체 투과성 벽으로부터 유출되는 기체의 총 유량은 처리 기류를 입구 구조체의 중앙 유동 통로를 둘러싸는 벽으로부터 '밀어내는' 작용을 하고 정적 경계 조건이 존재하지 않게 함으로써 리차드슨 환형 효과를 없애게 된다. 따라서, 입자가 기류 내의 화학 반응의 결과로서 형성되는 경우, 그에 따라 형성된 입자는 벽에 응집되지 않는다. 그 대신 입자는 기류와 함께 물 정화기 안으로 유동될 것이다. 이것은 동반된 입자에 대해서도 마찬가지이다. 일단 입자가 입구 구조체의 상부에 도달하면, 이들 입자는 그들이 응집될 벽이 없기 때문에 기류 중에 동반될 것이다.The present invention minimizes or eliminates the aforementioned Richardson annular effect. As gas normally flows out of the inner surface of the porous inner wall of the upper annular section of the inlet structure, static boundary layer conditions cannot develop at the inner surface of the upper annular section. The total flow rate of gas flowing out of the gas permeable wall acts to 'push' the treatment air flow out of the wall surrounding the central flow passage of the inlet structure and eliminate the Richardson annular effect by the absence of static boundary conditions. Thus, when the particles are formed as a result of chemical reactions in the air stream, the particles thus formed do not aggregate on the walls. Instead, the particles will flow with the air stream into the water purifier. The same is true for the entrained particles. Once the particles reach the top of the inlet structure, these particles will be entrained in the air stream because they have no walls to aggregate.

리차드슨 환형 효과를 야기하는 조건을 저지함으로써, 본 발명의 입구 구조체의 상부 환형 섹션 내의 다공성 내벽은 수증기가 처리 시스템의 배출 라인으로 역 이동(back migration)하는 것을 차단하는 효과적인 장벽으로서 작용한다. 전술한 상호 확산 기구로 인해 어떠한 역 이동도 극히 느려질 것이다. 이러한 인자는 정화기의 평균 고장 시간을 크게 감소시키게 되는데, 그 이유는 정화기 입구와 배출 라인이 본 발명의 입구 구조체의 경우에는 빈번하게 막히지 않기 때문이다. 운송관(70)이 사용되는 때에는, 다공성 내벽(6)을 통한 기체의 유동 작용에 의해 형성된 환형 기체 블랭킷(blanket)으로 인해 수증기의 역 이동이 최소화되거나 제거된다.By retarding the conditions causing the Richardson annular effect, the porous inner wall in the upper annular section of the inlet structure of the present invention acts as an effective barrier to prevent back migration of water vapor to the discharge line of the treatment system. Any reverse movement will be extremely slow due to the interdiffusion mechanism described above. This factor greatly reduces the average downtime of the purifier, since the purifier inlet and outlet lines are not frequently blocked in the case of the inlet structure of the present invention. When the delivery conduit 70 is used, the reverse movement of water vapor is minimized or eliminated due to the annular gas blanket formed by the flow of gas through the porous inner wall 6.

비록 본 발명의 입구 구조체의 상부 환형 섹션의 다공성 내벽 부재가 금속 재료로 구성되는 것으로 본원에 기재되었지만, 그러한 기체 투과성 내벽은 임의의 적절한 구성 재료로 형성될 수 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 다공성 내벽은 다공성 세라믹, 플라스틱(예를 들어, 다공성 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리테트라플루오로에틸렌 등), 또는 본 발명의 입구 구조체의 사용시 존재할 수 있는 부식 환경, 극한 온도 및 입력 압력에 견디는 능력을 갖는 다른 재료로 형성될 수 있다.Although the porous inner wall member of the upper annular section of the inlet structure of the present invention has been described herein as being composed of a metallic material, it will be understood that such gas permeable inner wall may be formed of any suitable component material. For example, the porous inner wall may be subjected to corrosive environments, extreme temperatures and input pressures that may be present when using porous ceramics, plastics (eg, porous polyethylene, polypropylene, polytetrafluoroethylene, etc.), or inlet structures of the present invention. It may be formed of another material having the ability to withstand it.

비록 본 발명이 도 1에 도시된 본원의 실시예에 대하여, 예를 들어 플랜지 및 관련 신속 분리 클램프 또는 기타 상호 연결 수단에 의해 상호 연결되는 각각의 상부 환형 섹션 및 하부 환형 섹션을 구비하는 것으로 기재되었지만, 그러한 입구 구조체는 본 발명의 주어진 최종 사용 용례에 바람직하거나 필요하다면 단일체 또는 일체형 구조체로서 형성될 수 있고, 하부 환형 섹션은 상부 환형 섹션에 대한 선택적인 섹션으로서, 몇몇 경우에서는 불필요할 수도 있다.Although the present invention has been described with respect to the embodiments herein shown in FIG. 1, each has an upper annular section and a lower annular section interconnected by flanges and associated quick disconnect clamps or other interconnecting means. Such inlet structures may be formed as monolithic or monolithic structures if desired or necessary for a given end use application of the present invention, and the lower annular section is an optional section for the upper annular section and may be unnecessary in some cases.

도 2를 참조하면, 다른 실시예의 막힘 방지 입구 구조체가 도시되어 있다. 이 입구 구조체(100)는 단단한 외벽(110)으로 둘러싸여 있는 원추형 스커트(105)를 선택적으로 포함할 수도 있다. 운송관(112)의 외표면과 원추형 스커트(105)의 내표면 사이에는 환형의 기체 유동 통로(115)가 형성되어 있다. 원추형 스커트는 불활성 기체 및/또는 액체에 의해 입상 고체 함유 및/또는 입상 고체 형성 기류를 환형으로 포위한다. 불활성 기체는 공급 라인(120)을 통해 입구 구조체에 진입한다. 하방 외측으로 갈수록 벌어지는 원추형 스커트는 단면적이 점진적으로 감소하도록 되어 있어, 불활성 기체의 속도가 빨라지게 되며 압력은 감소되게 된다. 원추형 스커트(105)는 운송관(112)으로부터 방출되는 기류의 속도와 불활성 기체의 속도가 같아지도록 설계된다. 이와 같이 불활성 기체와 기류의 유속을 일치시키는 것은 동등한 층류(co-laminar flow)를 생성하여 기류 내의 난류(亂流) 생성을 방지하며 이 둘의 유동 기류 사이의 계면에서의 상호 혼합을 방지하는 데에 유리하다. 따라서, 이 입구 구조체의 효율은 작동 중에 입상 고체의 축적을 최소화함으로써 향상된다.Referring to FIG. 2, another embodiment of the anti-clogging inlet structure is shown. The inlet structure 100 may optionally include a conical skirt 105 surrounded by a rigid outer wall 110. An annular gas flow passage 115 is formed between the outer surface of the delivery pipe 112 and the inner surface of the conical skirt 105. The conical skirt annularly surrounds the particulate solid-containing and / or particulate solid-forming airflow with an inert gas and / or liquid. Inert gas enters the inlet structure via supply line 120. The conical skirt that opens outwards is designed to gradually decrease in cross-sectional area, thereby increasing the speed of the inert gas and decreasing the pressure. The conical skirt 105 is designed such that the velocity of the airflow discharged from the delivery pipe 112 and the velocity of the inert gas are the same. This matching of the flow rates of the inert gas and the airflow creates an equivalent co-laminar flow to prevent the formation of turbulent flow in the airflow and to prevent mutual mixing at the interface between the two flow streams. It is advantageous to Thus, the efficiency of this inlet structure is improved by minimizing the accumulation of particulate solids during operation.

하방 외측으로 갈수록 벌어지는 원추형 스커트는 또한 입구 구조체에 액체를 주입하는 데에도 유리하게 사용될 수 있다. 외벽(110)과 원추형 스커트의 하단(바닥 둘레)은 서로 횡 방향으로 간격을 두고 떨어져 있는 관계로, 그 사이에 액체 유동 통로(135)를 형성한다. 분무 노즐(125)이 액체를 분산시키기 위해 입구 구조체 내에서 서로에 대해 원주 방향으로 간격을 두고 떨어져 배치될 수 있다. 원추형 스커트는 액체를 벽표면(130)을 향해 안내한다. 예를 들어, 액체가 물인 경우, 물로 이루어진 박막이 벽면(130)에 형성되어 입상 고체를 하류 정화기로 분출시킨다. 원추형 스커트의 재료 특성은 불활성 기체와, 운송관(112)을 통과하여 유동하는 기류에 좌우된다. 기류가 산성 기체 성분을 함유한 경우, 이러한 기체는 분무 노즐(125)로 재순환 되는 물에 존재하게 된다. 이러한 예의 원추형 스커트는 내식성 재료로 제조되는 것이 바람직하다. 도 1의 실시예를 참조하여 기술된 바와 같이, 운송관, 불활성 기체 및/또는 물은 응결을 감소시키도록 가열될 수도 있다.Conical skirts that spread outwards may also be advantageously used to inject liquid into the inlet structure. The outer wall 110 and the lower end (bottom circumference) of the conical skirt are spaced apart from each other in the transverse direction, forming a liquid flow passage 135 therebetween. Spray nozzles 125 may be spaced apart in the circumferential direction with respect to each other in the inlet structure to disperse the liquid. The conical skirt guides the liquid towards the wall surface 130. For example, if the liquid is water, a thin film of water is formed on the wall surface 130 to eject the particulate solid to the downstream purifier. The material properties of the conical skirt depend on the inert gas and the airflow flowing through the delivery conduit 112. If the air stream contains an acidic gas component, this gas is present in the water recycled to the spray nozzle 125. The conical skirt of this example is preferably made of a corrosion resistant material. As described with reference to the embodiment of FIG. 1, the delivery conduit, inert gas and / or water may be heated to reduce condensation.

도 3에는 또 다른 실시예의 막힘 방지 입구 구조체(200)가 도시되어 있다. 단단한 외벽(205)과 다공성 내벽(210)은 그 사이에 환형 내용적부를 형성한다. 긴 기류 운송관(2121)이 입상 고체 함유 및/또는 입상 고체 형성 기류를 입구 구조체의 특정한 소정 위치에 주입하기 위해 사용될 수도 있다. 운송관(212)은 상류 공급원과 기체 유동 수용 관계로 결합되어 기류를 입구 구조체 내부의 적당한 위치로 안내하여 방출한다. 다공성 내벽(210)의 내표면은 운송관(212)의 외표면 주위를 둘러싼다. 외벽(205)의 상단은 단부 캡(215)에 의해 에워싸인다.3, another embodiment of the anti-clogging inlet structure 200 is shown. The rigid outer wall 205 and the porous inner wall 210 form an annular content therebetween. An elongate air flow conduit 2121 may be used to inject the particulate solid-containing and / or particulate solid-forming airflow into a particular predetermined location of the inlet structure. The delivery conduit 212 is coupled to the upstream source in a gas flow receiving relationship to direct and discharge the airflow to a suitable location within the inlet structure. The inner surface of the porous inner wall 210 wraps around the outer surface of the delivery tube 212. The upper end of the outer wall 205 is surrounded by the end cap 215.

외벽에는 물 공급원에 연결될 수도 있는 물 입구 포트(225)가 마련된다. 단부 캡(215)에는 기체 입구 포트(230)가 마련되어 보호용 불활성 기체를 입구 구조체 내로 축방향으로 주입한다. 단부 캡(215)은 불활성 기체를 입구 구조체 내로 축방향으로 분산시키는 다공성 분산기 구조체를 선택적으로 포함할 수도 있다. 임의로 기체 공동이나 저장조가 입구 장치로 주입되는, 예를 들어 질소와 같은 불활성 기체를 내포할 수도 있다. 이 실시예에서는, 물이 다공성 내벽(210)을 통해 뿜어 내어져 액막을 형성하여, 입구 구조체를 통과하여 입자를 분출시킨다. 다공성 벽(210)은, 예를 들어 세라믹, 금속, 합금, 또는 폴리비닐염화물과 같은 플라스틱 등의 적당한 재료로 형성될 수도 있다. 전술한 바와 같이, 운송관, 불활성 기체 및/또는 물은 응결을 감소 또는 제거시키도록 가열될 수도 있다.The outer wall is provided with a water inlet port 225 that may be connected to a water source. The end cap 215 is provided with a gas inlet port 230 to axially inject a protective inert gas into the inlet structure. End cap 215 may optionally include a porous disperser structure that axially disperses inert gas into the inlet structure. Optionally, a gas cavity or reservoir may contain an inert gas, such as nitrogen, which is injected into the inlet device. In this embodiment, water is blown out through the porous inner wall 210 to form a liquid film, which passes through the inlet structure to eject particles. Porous wall 210 may be formed of a suitable material, such as, for example, ceramic, metal, alloy, or plastic, such as polyvinylchloride. As mentioned above, the delivery tube, inert gas and / or water may be heated to reduce or eliminate condensation.

도 3에 도시된 특정 구조체의 다른 변형예로서, 다공성 내벽(210)이 도 1에 도시된 유형의 둑 벽과 대체될 수 있다. 예를 들어, 둑 벽은 그 상단이 상부 단부 캡(215)과의 사이에 넘침 둑을 형성하는 틈새가 마련되도록 단부 캡에 대해 간격을 두도록 구성될 수 있다.As another variation of the particular structure shown in FIG. 3, the porous inner wall 210 may be replaced with a weir wall of the type shown in FIG. 1. For example, the dam wall may be configured to be spaced relative to the end cap such that a gap is formed between the top end and the top end cap 215 to form an overflow bank.

도 4는 또 다른 실시예의 막힘 방지 입구 구조체(300)를 보여주고 있다. 상부 환형 섹션(305)은 상부 다공성 내벽(310)과 상부의 단단한 외벽(315)을 포함하여, 그 사이에 상부 환형 내부 챔버(320)를 형성한다. 긴 기류 운송관(322)은 상부의 다공성 내벽(310)으로 둘러싸여 있으며, 그 다공성 내벽(310)과 동축으로 배치되어 있는 것으로 도시되어 있다. 기체 운송관의 외표면과 상부 다공성 내벽의 내표면은 그 사이에 환형 용적부를 형성한다. 운송관(332)은 상류 기체 공급원과 기체 유동 수용 관계로 결합된다. 상부의 단단한 외벽(315)은 적당한 유체를 상부 내부 챔버(320)로 주입하는 입구 포트(325)를 포함한다.4 shows another embodiment of the anti-clogging inlet structure 300. The upper annular section 305 includes an upper porous inner wall 310 and an upper rigid outer wall 315, forming an upper annular inner chamber 320 therebetween. The long air flow tube 322 is shown surrounded by an upper porous inner wall 310 and is disposed coaxially with the porous inner wall 310. The outer surface of the gas delivery pipe and the inner surface of the upper porous inner wall form an annular volume therebetween. The delivery pipe 332 is coupled in a gas flow receiving relationship with an upstream gas source. The upper rigid outer wall 315 includes an inlet port 325 that injects suitable fluid into the upper inner chamber 320.

하부 환형 섹션(330)은 하부 다공성 내벽(335)과 하부의 단단한 외벽(340)을 포함하여, 그 사이에 하부 환형 내부 챔버(345)를 형성한다. 하부의 단단한 외벽은 유체를 하부 챔버(345)로 주입하는 입구 포트(350)를 포함한다. 작동 중에, 도 4의 입구 구조체는 불활성 기체가 상부 다공성 내벽(310)을 통해 투과할 수 있도록 하며 물이 하부 다공성 내벽(335)을 통해 뿜어내어질 수 있도록 한다. 불활성 기체의 이러한 유동은 기류 중의 입자를 입구 구조체의 내벽 내표면으로부터 멀리에 유지한다. 하부의 다공성 내벽(335)의 내표면 상의 얇은 수막은 입구 구조체로부터 어떠한 입자도 씻어낸다.The lower annular section 330 includes a lower porous inner wall 335 and a lower rigid outer wall 340, forming a lower annular inner chamber 345 therebetween. The bottom rigid outer wall includes an inlet port 350 that injects fluid into the lower chamber 345. In operation, the inlet structure of FIG. 4 allows inert gas to penetrate through the upper porous inner wall 310 and allow water to be pumped out through the lower porous inner wall 335. This flow of inert gas keeps particles in the airflow away from the inner wall inner surface of the inlet structure. The thin water film on the inner surface of the lower porous inner wall 335 washes away any particles from the inlet structure.

도 4는 상부 섹션(305)과 하부 섹션(330) 사이의 전이 영역(355) 위에 기류를 방출하는 운송관(322)을 보여주고 있다. 전이 영역(355)은 상부 환형 섹션(305)과 하부 환형 섹션(330)이 접하여 연결되는 영역이다. 전이 영역(355)은 또한, 하부 섹션(330)과 상부 섹션(305)을 분리시키며 기체 운송관(322)을 둘러싸고 있는 영역을 포함할 수도 있다. 운송관이 선택적으로 전이 영역(355) 아래 하부 섹션까지 연장될 수도 있음이 이해될 것이다. 운송관(322)이 기류를 상부 섹션 내에 방출할 것인지, 전이 영역 내에 방출할 것인지, 또는 하부 섹션 내에 방출할 것인지는, 기류, 공정 용도 및 조건에 좌우된다. 전술한 바와 같이, 운송관, 불활성 기체 및/또는 물은 응결을 감소 또는 제거시키도록 가열될 수도 있다.4 shows a delivery conduit 322 that releases airflow above the transition region 355 between the upper section 305 and the lower section 330. The transition region 355 is a region where the upper annular section 305 and the lower annular section 330 are in contact with each other. The transition region 355 may also include an area separating the lower section 330 and the upper section 305 and surrounding the gas delivery pipe 322. It will be appreciated that the conduit may optionally extend to the lower section below the transition region 355. Whether the delivery conduit 322 emits airflow in the upper section, in the transition zone, or in the lower section depends on the airflow, process use and conditions. As mentioned above, the delivery tube, inert gas and / or water may be heated to reduce or eliminate condensation.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기체/액체 계면 구조체(410)의 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of a gas / liquid interface structure 410 in accordance with one embodiment of the present invention.

기체/액체 계면 구조체(410)는 긴 원통형 벽(414)에 의해 형성되는 연직으로 연장되는 제1 유동 통로 부재(412)를 포함한다. 원통형 벽(414)은 유동 통로 부재(412) 내의 입구 통로(418)를 둘러싼다. 원통형 벽(414)의 상단에는 반경 방향 외측으로 연장되는 플랜지(416)가 마련되어, 기체/액체 계면 구조체를 관련 공정의 유동 배관, 도관, 설비 등에 결합시킨다.The gas / liquid interface structure 410 includes a vertically extending first flow passage member 412 formed by the elongated cylindrical wall 414. The cylindrical wall 414 surrounds the inlet passage 418 in the flow passage member 412. At the top of the cylindrical wall 414 is a flange 416 extending radially outwardly to couple the gas / liquid interface structure to flow piping, conduits, fixtures, and the like in related processes.

따라서, 제1 유동 통로 부재(412)는 그 상단에 입구(420)를, 하단에는 대응 출구(422)를 구비함으로써, 개방 입구 단부와 출구 단부는 유동 통로(418)를 포함한 유동로가 되는 내용적부를 형성하게 되어, 이 유동로를 통해, 상류 처리 유닛(458)으로부터 공급된 기체가 도 5에 라인(460)으로 예시적으로 도시된 바와 같이 유동될 수도 있다.Accordingly, the first flow passage member 412 has an inlet 420 at its upper end and a corresponding outlet 422 at its lower end, so that the open inlet end and the outlet end are flow paths including the flow passage 418. In this case, the gas supplied from the upstream processing unit 458 may be flowed as illustrated by line 460 in FIG. 5 through this flow path.

제1 유동 통로 부재(412)의 길이는 도 5에 도시된 것보다 상당히 짧아질 수도 있으며, 이러한 유동 통로 부재의 말단 출구(422)가 기체/액체 계면 구조체의 환형 내용적부(430)의 상단 벽(438) 바로 아래에서 종지될 수도 있다. 선택적으로, 이러한 유동 통로 부재의 말단 출구(422)가 제2 유동 통로 부재(424) 내의, 도 5에 예시적으로 도시된 것보다 연직 방향 아래 지점에서 종지될 수도 있다.The length of the first flow passage member 412 may be significantly shorter than that shown in FIG. 5, with the distal outlet 422 of this flow passage member being the top wall of the annular interior portion 430 of the gas / liquid interface structure. (438) may be terminated just below. Optionally, the distal outlet 422 of this flow passage member may terminate in a second flow passage member 424 at a point below the vertical direction than illustratively shown in FIG. 5.

따라서, 제1 유동 통로 부재(412)의 하방 연직 범위는 본 발명의 실시에 따라 변할 수도 있으며, 특정 길이와 치수 특성은 본 발명의 입구 구조체의 특정 사용례에서 필요한 작동 특성을 달성하는 구성 및 배열을 선택하도록 과도한 실험 없이 즉각적으로 결정될 수도 있다.Accordingly, the downward vertical range of the first flow passage member 412 may vary in accordance with the practice of the present invention, and certain length and dimensional characteristics may be configured and arranged to achieve the operating characteristics required for the particular use of the inlet structure of the present invention. The choice may be made immediately without undue experimentation.

상류 처리 유닛(458)은, 예를 들어 반도체 제조 공구 및 관련 방출 기체 처리 장치를 포함할 수도 있다. 이러한 방출 처리 장치는 또한 방출 기체 중의 산화 가능한 성분을 산화시키는 산화 기기(oxidizer)를 포함할 수도 있다. 적당한 산화 기기로는 상당히 다양한 유형이 있으며, 예를 들어 열 산화 유닛, 전열 산화 기기 등으로 구성될 수도 있다.The upstream processing unit 458 may include, for example, a semiconductor manufacturing tool and associated emission gas processing apparatus. Such emission treatment apparatus may also include an oxidizer for oxidizing the oxidizable component in the emission gas. Suitable oxidation devices are of a wide variety of types and may be comprised, for example, of thermal oxidation units, electrothermal oxidation devices and the like.

상류 처리 유닛(458)이 반도체 제조 공정용의 기체 발생 수단과 기체 처리 수단을 포함하는 경우, 제1 유동 통로 부재(412)의 입구(420)에 주입되는 기류는 온도가 상승될 수도 있으며, 또한 이 기류에 예를 들어 미크론 이하 크기의 입자 형태의 입상 고체가 상당히 농축되어 있을 수도 있다.When the upstream processing unit 458 includes gas generating means and gas processing means for the semiconductor manufacturing process, the airflow injected into the inlet 420 of the first flow passage member 412 may be elevated in temperature. There may be a substantial concentration of particulate solids in the form of particles, for example, submicron size.

계면 구조체(410)는 제2 유동 통로 부재(424)를 추가로 포함하며, 이 유동 통로 부재는 제1 유동 통로 부재(412)를 둘러싸고 있으면서 도시된 바와 같이 제1 유동 통로 부재와 간격을 두고 배치되어 그 사이에 환형 용적부(430)를 형성한다. 제2 유동 통로 부재(424)의 하단(468)은 제1 유동 통로 부재(412)의 하단 아래까지 하방으로 연장되므로, 제1 유동 통로 부재의 개방 출구(422)는 제2 유동 통로(424)의 개방 하단(468)과 연직 방향으로 간격을 둔 관계에 있다. 전술한 바와 같이, 제1 유동 통로 부재의 출구(422)의 위치는 본 발명의 광범위한 실시에 따라 연직 방향으로 폭넓게 변화할 수도 있다.The interface structure 410 further includes a second flow passage member 424, which is spaced from the first flow passage member as shown while surrounding the first flow passage member 412. To form an annular volume 430 therebetween. The lower end 468 of the second flow passage member 424 extends downwards below the lower end of the first flow passage member 412, so that the open outlet 422 of the first flow passage member 424 is the second flow passage 424. Is spaced in the vertical direction with the open bottom 468 of. As mentioned above, the position of the outlet 422 of the first flow passage member may vary widely in the vertical direction in accordance with the broad practice of the present invention.

제2 유동 통로 부재(424)는 도시된 바와 같은, 액체 투과성 상부(426)와, 이것으로부터 하방으로 연장되는 나머지 액체 불투과성 하부(428)를 포함한다. 액체 투과성 상부(426)와 액체 불투과성 하부(428)는, 처음에는 분리되어 있는 다공성 원통형 상부(426)와 단단한 벽으로된 원통형 하부(428)를 접합함으로써 임의의 적당한 방식으로 형성될 수도 있으며, 이 때 이들 부분은 납땜, 땜납, 용접, 기계적 체결 고정구, 또는 적절한 접합 수단 및 방법에 의한 다른 적당한 방법에 의해 서로 결합된다.The second flow passage member 424 includes a liquid permeable top 426, as shown, and the remaining liquid impermeable bottom 428 extending downward therefrom. The liquid permeable top 426 and the liquid impermeable bottom 428 may be formed in any suitable manner by first joining the separated porous cylindrical top 426 and the rigid walled cylindrical bottom 428, These parts are then joined to each other by soldering, soldering, welding, mechanical fastening fixtures, or other suitable methods by suitable joining means and methods.

선택적으로, 제2 유동 통로 부재(424)는 하나의 원통형 관상 부재를 사용하여 형성될 수도 있는데, 그 상부는 물 제트 기계 가공, 에칭, 소결, 마이크로 전기 가공, 또는 다공성 또는 투과성을 상기 관상 부재의 상부에 부여할 수 있는 다른 적당한 기술과 같은 공정들에 의해 액체 투과성을 나타내게 된다. 바람직하게, 제2 유동 통로 부재는 처음에는 분리되어 있다가 함께 결합되는 상부와 하부로 형성되며, 그 상부는 다공성의 소결 처리된 금속 재료, 다공성 플라스틱 재료, 다공성 세라믹 재료, 또는 다른 다공성 재료로 구성되며, 그 다공성은 보다 상세히 후술한 바와 같이, 구멍을 통하여 액체가 투과하기에 충분하다.Optionally, the second flow passage member 424 may be formed using one cylindrical tubular member, the upper portion of which may be water jet machined, etched, sintered, micro electromachined, or porous or permeable of the tubular member. Liquid permeability is exhibited by processes such as other suitable techniques that can be imparted on top. Preferably, the second flow passage member is formed of a top and a bottom that are initially separated and then joined together, the top of which consists of a porous sintered metal material, a porous plastic material, a porous ceramic material, or other porous material. The porosity is sufficient to allow liquid to permeate through the pores, as described in more detail below.

기체/액체 계면 구조체(410)는, 제2 유동 통로 부재를 완전히 둘러싸고 있으면서 이것과 함께 환형 내용적부(470)를 형성하는 외벽 부재(434)를 추가로 포함한다. 외벽 부재(434)는 원통형 측벽(436)과, 상단벽(438) 그리고 하단벽(440)을 포함하며, 이들은 공조하여 환형 내용적부(470)를 에워싼다. 측벽(436)에는 액체 주입 포트(442)가 마련된다. 이 액체 주입 포트는 적당한 방식으로 제공될 수도 있지만, 도시된 실시예에서는 관상 포트 연장부(444)로 구성된다. 선택적으로, 액체 주입 포트는 단순히 측벽의 개구나 오리피스, 또는 다른 액체 입구 구조체일 수도 있으며, 이것에 의해, 액체는 외부 액체 공급원으로부터 환형 내용적부(470)로 주입될 수 있다.The gas / liquid interface structure 410 further includes an outer wall member 434 that completely surrounds the second flow passage member and forms an annular inner portion 470 therewith. The outer wall member 434 includes a cylindrical sidewall 436, a top wall 438 and a bottom wall 440, which cooperate to surround the annular inner portion 470. The side wall 436 is provided with a liquid injection port 442. This liquid injection port may be provided in a suitable manner, but in the illustrated embodiment consists of a tubular port extension 444. Optionally, the liquid injection port may simply be an opening or orifice in the side wall, or other liquid inlet structure, whereby liquid can be injected into the annular volume 470 from an external liquid source.

도 5의 실시예에서, 액체 주입 포트(442)는 유동 제어 밸브(448)를 내장한 액체 주입 라인(446)과 결합된다. 액체 주입 라인(446)은 액체 공급 저장조(450)에 연결된다.In the embodiment of FIG. 5, the liquid injection port 442 is coupled with a liquid injection line 446 that incorporates a flow control valve 448. Liquid injection line 446 is connected to liquid supply reservoir 450.

도 6은 도 5의 장치의 상측 평면도로, 도 6에 도시된 계면 구조체의 환형 내용적부(470)로 흐르는 액체 공급용의 접선 방향 공급 장치를 보여주고 있다. 도 6은 외벽 부재의 원통형 측벽과 접선 방향으로 교차하여 결합되도록 배열된 관상 포트 연장부(444)를 보여주고 있다. 이러한 방식으로 주입 액체가 다공성의 원통형 상측 세그먼트 또는 액체 투과성 상부(426) 둘레에 원주 방향으로 상당히 균일하게 분산되므로, 다공성의 원통형 세그먼트를 통하여 스며들어 생성되는 액막도 따라서, 보다 상세히 후술한 바와 같이, 벽 내표면(472)을 원주 방향으로 균일하게 에워싼다.FIG. 6 is a top plan view of the apparatus of FIG. 5, showing a tangential feeding device for liquid supply flowing into the annular inner portion 470 of the interface structure shown in FIG. 6. FIG. 6 shows a tubular port extension 444 arranged to tangentially intersect with the cylindrical sidewall of the outer wall member. In this way, the injection liquid is fairly evenly distributed in the circumferential direction around the porous cylindrical upper segment or the liquid permeable top 426, so that the liquid film that seeps through the porous cylindrical segment is thus also described in more detail below, The wall inner surface 472 is evenly enclosed in the circumferential direction.

액체 주입 라인(446)의 액체 유동 제어 밸브(448)는 중앙 처리 장치(CPU), 마이크로프로세서, 유동 제어 콘솔(flow control console) 및/또는 보조 감시 및 제어 수단을 포함한 적당한 제어기/타이머 수단에 결합되어, 저장조(450)로부터 액체 주입 라인(446)을 통과하여 액체 입구 포트(442)까지 예정된 또는 다시 말해 선택된 액체 유동을 제공할 수 있다. 이렇게 주입된 액체는 환형 내용적부(470)를 채우는데, 이 액체는 적당한 처리 조건에서 주입될 수도 있다.The liquid flow control valve 448 of the liquid injection line 446 is coupled to a suitable controller / timer means including a central processing unit (CPU), a microprocessor, a flow control console and / or auxiliary monitoring and control means. To provide a predetermined or in other words a selected liquid flow from reservoir 450 through liquid injection line 446 to liquid inlet port 442. The injected liquid fills the annular inner portion 470, which may be injected under suitable processing conditions.

반도체 제조 작업 중 방출되는 입자가 상당히 축적된 방출 기류과 같은 기류의 처리를 위해, 환형 내용적부(470) 내의 액체는 물이나 다른 수성 매체일 수도 있다.The liquid in the annular volume 470 may be water or other aqueous media for the treatment of an airflow, such as an emission airflow, in which particles released during semiconductor manufacturing operations accumulate significantly.

제2 유동 통로 부재(424)의 액체 투과성 상부(426)의 액체 투과성 덕택으로, 액체는 환형 내용적부(470)로부터 제2 유동 통로 부재의 액체 투과성 상부(426)를 통하여 투과되며, 액체 투과성 상부의 벽 내표면(432)에 액체 방울(454)로서 나타나게 된다.Thanks to the liquid permeability of the liquid permeable top 426 of the second flow passage member 424, the liquid is permeated from the annular inner volume 470 through the liquid permeable top 426 of the second flow passage member and the liquid permeable top It appears as a droplet 454 on the wall inner surface 432 of the substrate.

이러한 유출 액체 방울은 중력의 영향을 받아 하강하여 다른 액체 방울과 합쳐져 응집되어, 제2 유동 통로 부재의 액체 불투과성 하부의 벽 내표면(472) 상에 하방 유동 액막(456)을 형성한다. 제2 유동 통로 부재의 하측 개방단(468)으로부터 방출되는 액막 내의 액체는, 예를 들어 하류 처리 유닛(464)의 공동 처리를 위한 적당한 수집 및 처리 수단(도시하지 않음)으로 안내될 수도 있으며, 기류가 액체 주입 라인(462)의 제2 유동 통로 부재의 기체 유동 통로(452)로부터 유동된다.These effluent droplets descend under the influence of gravity to coalesce and coalesce with other liquid droplets to form a downward flow liquid film 456 on the wall inner surface 472 of the liquid impermeable lower portion of the second flow passage member. The liquid in the liquid film discharged from the lower open end 468 of the second flow passage member may, for example, be directed to suitable collection and processing means (not shown) for the co-treatment of the downstream processing unit 464, Airflow flows from the gas flow passage 452 of the second flow passage member of the liquid injection line 462.

하류 처리 유닛(464)은 물 정화기, 반응 챔버, 또는 다른 처리 장치 또는 가공 구역일 수도 있으며, 이곳에서는 액체 주입 라인(462)의 기체 유동 통로(452)로부터 유동되어 온 기류에 추가 처리가 이루어지고, 이 때 액체 주입 라인(466)의 하류 처리 유닛으로부터 최종 방출 기체가 배출된다.The downstream treatment unit 464 may be a water purifier, a reaction chamber, or other treatment apparatus or processing zone, where further processing is performed on the airflow that has flowed from the gas flow passage 452 of the liquid injection line 462. At this time, the final discharge gas is discharged from the processing unit downstream of the liquid injection line 466.

따라서, 기체/액체 계면 구조체(410)는 제2 유동 통로 부재의 액체 투과성 상부(426)에 의해, 제1 유동 통로 부재와 제2 유동 통로 부재 사이에 환형 용적부(430)를 제공하도록 구성되므로, 액체 투과성 상부를 통과하여 스며든 액체가 합쳐져 하강 액막(456)으로 발전될 수 있다. 이러한 배열에 의해, 유동 통로(418)로부터 유동 통로(452)로 유동된 기체는 제2 유동 통로 부재 하부의 벽 내표면(472)에 부딪쳐 보호 액막(456)으로 덮여진다. 따라서, 제1 유동 통로 부재의 개방 하단(422)으로부터 방출되는 기체 중 부식성 화학종은 벽 내표면과 관련하여 '완화(buffered)'될 수 있어, 제2 유동 통로 부재의 이러한 벽 내표면 상의 부식 및 안좋은 반응 영향을 최소화한다.Thus, the gas / liquid interface structure 410 is configured to provide an annular volume 430 between the first flow passage member and the second flow passage member by the liquid permeable top 426 of the second flow passage member. In addition, the liquid penetrated through the liquid permeable upper portion may be combined to generate the falling liquid film 456. By this arrangement, the gas flowing from the flow passage 418 to the flow passage 452 impinges on the wall inner surface 472 below the second flow passage member and is covered with the protective liquid film 456. Thus, corrosive species in the gas discharged from the open bottom 422 of the first flow passage member may be 'buffered' with respect to the wall inner surface, thereby causing corrosion on this wall inner surface of the second flow passage member. And minimize adverse reaction effects.

또한, 제2 유동 통로 부재와 외벽 부재(434) 사이의 환형 내용적부(470)에 액체를 주입함으로써, 액체 저장조 '재킷' 구조체가 제공된다. 그 때문에, 액체가 제2 유동 통로 부재의 다공성 상부에 제공되어 이것을 통과하여 투과하며, 하방으로 흘러내려 제2 유동 통로 부재의 벽 내표면 상에 보호 박막을 형성한다.In addition, by injecting liquid into the annular inner portion 470 between the second flow passage member and the outer wall member 434, a liquid reservoir 'jacket' structure is provided. As a result, a liquid is provided on the porous top of the second flow passage member, passes through it, and flows downward to form a protective thin film on the wall inner surface of the second flow passage member.

제2 유동 통로 부재의 내표면(472) 상의 이러한 하강 박막은 또한, 이러한 액막이 없는 경우에는 제2 유동 통로 부재의 벽 내표면 상에 침적되어 응집될 수도 있는 입자를 기류으로부터 동반 추출하는 역할을 한다.This falling thin film on the inner surface 472 of the second flow passage member also serves to co-extract particles from the air stream which may be deposited and aggregated on the wall inner surface of the second flow passage member in the absence of such a liquid film. .

따라서, 하강 액막은 제2 유동 통로 부재의 벽 내표면과 관련하여 보호 기능을 제공할 뿐만 아니라, 제2 유동 통로 부재의 벽 내표면에 축적되면 해로울 수 있는 입상 고체 및 다른 기체 성분을 추출하는 동반 매체를 제공한다.Thus, the falling liquid film not only provides a protective function with respect to the inner wall surface of the second flow passage member, but also entrains the extraction of particulate solids and other gaseous components that may be harmful if accumulated on the inner wall surface of the second flow passage member. Provide the medium.

도 5에 예시적으로 도시된 이러한 구조체의 다른 장점으로서, 액체 투과성 상부(426)의 사용은 액체 넘침 둑과 같은 구조체의 설치에 비해 액체 사용량을 최소화시키는 역할을 하며, 이러한 구조체에서, 환형 내용적부(470)로부터 나오는 액체는 단순히 액체 투과성 상부(426)의 상단에서 넘쳐 제2 유동 통로 부재 내표면의 전체 길이에 걸쳐 벽 상의 박막 형태로 하방으로 유동한다. 작동에 필요한 액체는 본 발명의 위핑식 둑 구조체(weeping weir structure)에 의해 매우 낮은 레벨에 유지된다.As another advantage of this structure, which is illustrated by way of example in FIG. 5, the use of the liquid permeable top 426 serves to minimize liquid usage compared to the installation of structures such as liquid overflow banks, in which the annular content The liquid exiting 470 simply flows downward at the top of the liquid permeable top 426 and flows downward in the form of a thin film on the wall over the entire length of the inner surface of the second flow passage member. The liquid required for operation is maintained at a very low level by the wetting weir structure of the present invention.

간단한 액체 넘침 둑 구조체를 능가하는 본 발명의 위핑식 둑 구조체의 다른 장점은, 액체 넘침 둑 구조체는 넘침 둑 구조체가 설계된 바와 같이 효율적으로 작동하도록 연직으로 정확하게 정렬되어 있으면서도, 작동 구조 효율의 손상이나 감손 없이 연직 방위로부터 편향될 수 있는 여유가 있는 것이다.Another advantage of the inventive weeping weir structure over the simple liquid overflow weir structure is that the liquid overflow weir structure is impaired or impaired in operating structure efficiency, while the liquid overflow weir structure is vertically precisely aligned to operate efficiently as designed. There is room to be deflected from the vertical orientation without.

다시 말해, 본 발명의 위핑식 둑 구조체는 그리고 액체 투과성 둑 벽에 의한 최소 습윤 비율로 인해 계면 구조체의 높이로부터 추가로 둑을 넘쳐 흐른 물이 줄어드는 것을 특징으로 한다(통상적인 넘침 구조체에 따르면, 둑으로부터 액체 유출이 시작되도록 액체 한계치가 설정되어 유지되지 않기 때문이다).In other words, the weeping weir structure of the present invention is characterized in that the water flowing over the weir further decreases from the height of the interface structure due to the minimum wet rate by the liquid permeable weir wall (according to conventional overflow structures, weir Liquid thresholds are not set and maintained so that liquid outflow starts from).

도 5에 예시적으로 도시된 유형의 기체/액체 계면 구조체의 예시적인 일예로서, 이러한 구조체는 반도체 제조 공정으로부터 방출되는 기체를 처리하는 열 산화 기기 유닛의 하류에 사용될 수도 있으므로, 라인(460) 내의 계면 구조체(410)에 진입하는 기류의 온도가 상승되며, 또한 이 기류에는 미크론 이하 크기의 입자 또는 보다 큰 고형체 뿐만 아니라 부식성 고체와 같은 규소와 같은 입자, 입상 금속 등이 축적되어 있다.As an illustrative example of a gas / liquid interfacial structure of the type illustrated illustratively in FIG. 5, such a structure may be used downstream of a thermal oxidizer unit that processes gas emitted from a semiconductor manufacturing process, thus, within line 460. The temperature of the air stream entering the interface structure 410 is raised, and not only particles of submicron size or larger solids but also particles such as silicon such as corrosive solids, granular metals, and the like are accumulated.

이러한 실시예에서, 제2 유동 통로 부재의 액체 투과성 상부(426)는 두께가 1/16 인치이며 형성 구멍의 평균 크기가 약 2 미크론인 소결 처리된 금속 벽으로 구성될 수도 있다. 제1 유동 통로 부재(412)는 길이가 4.48 인치 정도이고 직경은 2.5 인치 정도일 수도 있다. 이에 맞춰, 제2 유동 통로 부재(424)의 길이는 13.5 인치 정도이며, 직경은 4.5 인치 정도이다. 외벽 부재(434)는 연직 방향 길이가 5.5 인치 정도이고 직경은 6 인치 정도일 수도 있다.In such an embodiment, the liquid permeable top 426 of the second flow passage member may be comprised of a sintered metal wall that is 1/16 inch thick and the average size of the forming holes is about 2 microns. The first flow passage member 412 may be about 4.48 inches long and may be about 2.5 inches in diameter. In accordance with this, the length of the second flow passage member 424 is about 13.5 inches and the diameter is about 4.5 inches. The outer wall member 434 may have a vertical length of about 5.5 inches and a diameter of about 6 inches.

이 시스템에서는, 물이 액체 매체로서 사용될 수 있는데, 물은 저장조(450)로부터 환형 내용적부(470)로 주입되어, 제2 유동 통로 부재의 액체 투과성 상부(426)의 내표면(432) 상으로 스며든다. 이러한 시스템의 물 사용량은 작동 중 1분당 0.1 내지 0.3 갤론 정도일 수도 있다.In this system, water may be used as the liquid medium, where water is injected from the reservoir 450 into the annular volume 470 and onto the inner surface 432 of the liquid permeable top 426 of the second flow passage member. Soak in. The water usage of such a system may be on the order of 0.1 to 0.3 gallons per minute during operation.

도 7에는 배출 기체를 발생시키는 상류 시스템(512), 배출 라인(514), 매니폴드 덕트 라인(516), 제1 흡입 라인(518)과 제2 흡입 라인(520), 그리고 하류 정화기 유닛(550)으로 구성된 시스템(510)이 개략적으로 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 예를 들어 반도체 제조 설비 또는 반도체 처리 공구를 포함할 수 있는 상류 시스템은 매니폴드와 흡입 라인을 경유하여 정화기 유닛과 기밀 상태로 유체 연통된다. 배출 라인, 매니 폴드 덕트 라인 및 흡입 라인의 직경은 적절하게, 예를 들어 1.5 내지 3 인치(3.81 내지 7.62㎝)일 수 있다.7 shows an upstream system 512, a discharge line 514, a manifold duct line 516, a first suction line 518 and a second suction line 520, and a downstream purifier unit 550 that generate exhaust gas. A system 510 is shown schematically. As shown, an upstream system, which may include, for example, a semiconductor manufacturing facility or semiconductor processing tool, is in fluid communication with the purifier unit in airtight fashion via the manifold and the suction line. The diameter of the discharge line, the manifold duct line and the suction line can suitably be, for example, 1.5 to 3 inches (3.81 to 7.62 cm).

도 8에는 본 발명의 예시적인 실시예가 개략적으로 도시되어 있다. 상류 시스템(612), 예를 들어 반도체 제조 공구는 배출 라인(614)에 연결된다. 배출 라인(614)은 내부 유동 통로를 구비하며 제2 단부와 그 상류의 제1 단부를 구비한 긴 관상 벽을 구비한다. 배출 라인(614)의 제1 단부는 상류 시스템(612)에 연결되어 상기 내부 통로가 상류 시스템으로부터 배출되는 기체를 수용한다. 배출 라인(614)의 제2 단부는 흡입 매니폴드 라인(616)의 대략 중간 지점에 연결된다. 흡입 매니폴드 라인(616)은 내부 유동 통로와 제1 단부 및 제2 단부를 구비한 긴 본체 형성 벽을 구비한다. 흡입 매니폴드 라인(616)의 제1 단부 및 제2 단부의 대략 중간 지점이 배출 라인(614)의 하류가 된다. 배출 라인(614)과 흡입 매니폴드 라인(616)의 연결은 배출 기체가 배출 라인(614)의 내부 유동 통로로부터 매니폴드 라인(616)의 내부 유동 통로로 효율적으로 통과하도록 한다.8 schematically illustrates an exemplary embodiment of the present invention. The upstream system 612, for example a semiconductor manufacturing tool, is connected to the discharge line 614. Discharge line 614 has an inner flow passage and has an elongated tubular wall with a second end and an upstream first end thereof. A first end of the discharge line 614 is connected to the upstream system 612 such that the internal passageway receives gas exiting the upstream system. The second end of the outlet line 614 is connected to approximately an intermediate point of the intake manifold line 616. Suction manifold line 616 has an inner flow passage and an elongated body forming wall having a first end and a second end. Approximately midpoint of the first and second ends of the intake manifold line 616 is downstream of the discharge line 614. The connection of the discharge line 614 and the intake manifold line 616 allows the exhaust gas to efficiently pass from the internal flow passage of the discharge line 614 into the internal flow passage of the manifold line 616.

제1 흡입 라인(618)과 제2 흡입 라인(620)은 내부 유동 통로와 제1 및 제2 단부를 형성하는 벽을 구비한다. 제1 흡입 라인(618)과 제2 흡입 라인(620) 각각의 제1 단부는 매니폴드 라인(616)의 제1 단부 및 제2 단부에 연결되어, 배출 기체가 매니 폴드 라인(616)의 내부 유동 통로로부터 흡입 라인(618, 620)의 내부 유동 통로로 용이하게 통과하도록 한다. 흡입 라인들은 제2 단부가 제1 단부 하류에 있다. 제1 흡입 라인(618) 및 제2 흡입 라인(620) 각각의 제2 단부는 정화기 유닛(650)에 연결된다.First suction line 618 and second suction line 620 have internal flow passages and walls forming first and second ends. The first end of each of the first suction line 618 and the second suction line 620 is connected to the first end and the second end of the manifold line 616 such that the exhaust gas is inside the manifold line 616. Easy passage from the flow passage to the internal flow passages of the suction lines 618, 620. The suction lines have a second end downstream of the first end. A second end of each of the first suction line 618 and the second suction line 620 is connected to the purifier unit 650.

도시된 바와 같이, 정화기 유닛(650)은 정화기 수로(652)에 연결되어 있다. 연결은 물이 정화기 유닛 수로(652)로부터 정화기 유닛(650)으로 용이하게 통과하도록 한다. 또한, 정화기 유닛(650)은 기체 방출 라인(654)에 연결되어, 정화기 유닛(650)로부터의 기체가 방출 라인(654)을 통하여 방출 위치로 통과한다. 또한, 정화기 유닛(650)은 액체 폐기 라인(656)에 연결되어, 정화기 유닛(650)으로부터 액체 폐기물이 액체 폐기물 방출 위치로 막힘없이 통과한다. 정화기 수로(652), 기체 배출 라인(654), 유체 폐기 라인(656), 배출 라인(614), 매니폴드 흡입 라인(616), 그리고 제1 흡입 라인(618) 및 제2 흡입 라인(620)은 특정한 기체 유량과 설비 내에 마련된 처리 유닛 작동에 적절한 직경을 가질 수 있다.As shown, the purifier unit 650 is connected to the purifier channel 652. The connection allows water to pass easily from purifier unit channel 652 to purifier unit 650. Purifier unit 650 is also connected to gas discharge line 654 so that gas from purifier unit 650 passes through discharge line 654 to the discharge position. Purifier unit 650 is also connected to liquid waste line 656 so that liquid waste passes from purifier unit 650 to the liquid waste discharge location without blockage. Purifier channel 652, gas discharge line 654, fluid waste line 656, discharge line 614, manifold suction line 616, and first suction line 618 and second suction line 620. May have a specific gas flow rate and a diameter suitable for operation of a processing unit provided in the installation.

매니폴드 흡입 라인과 제1 흡입 라인 및 제2 흡입 라인 사이의 연결은 45 내지 90°사이의 각도로 이루어지므로, 매니폴드 흡입 라인의 내부 유동 통로는 제1 흡입 라인 및 제2 흡입 라인의 내부 통로 내에서 물이 역류하는 것을 억제하는 물 배플(water baffle)로서의 역할을 한다.Since the connection between the manifold suction line and the first suction line and the second suction line is made at an angle between 45 and 90 °, the internal flow passage of the manifold suction line is the internal passage of the first suction line and the second suction line. It serves as a water baffle that inhibits water backflow within.

제1 흡입 덕트와 제2 흡입 덕트의 상류 단부에 인접하게, 제1 흡입 밸브(622) 및 제2 흡입 밸브(624)가 연결되어 있다. 이들 흡입 밸브는 2방향 밸브이며, 각각 개방 위치와 폐쇄 위치를 가진다. 폐쇄 위치에 있는 경우, 흡입 밸브는 매니폴드 라인(616)으로부터 흡입 라인으로 배출 기체가 유동하는 것을 방지한다.Adjacent to the upstream ends of the first suction duct and the second suction duct, a first suction valve 622 and a second suction valve 624 are connected. These intake valves are two-way valves, each having an open position and a closed position. When in the closed position, the intake valve prevents exhaust gas from flowing from the manifold line 616 to the intake line.

흡입 라인의 하류 제2 단부에 인접하게, 제1 가열 수단(646) 및 제2 가열 수단(648)이 위치된다. 가열 코일로서 도시되어 있지만, 이들 가열 수단은 당업자에게 공지되어 있는 열 에너지를 제1 흡입 라인과 제2 흡입 라인의 내부 통로에 전달하는 소정의 가열 시스템을 포함할 수 있다. 예시를 위해, 가열 수단을 가열 코일로서 간주한다.Adjacent to the downstream second end of the suction line, first heating means 646 and second heating means 648 are located. Although shown as a heating coil, these heating means can include any heating system that delivers thermal energy known to those skilled in the art to the internal passages of the first and second suction lines. For illustration, the heating means is considered as a heating coil.

기체 공급원으로부터 기체를 제1 흡입 라인과 제2 흡입 라인의 내부 통로로 운송하는 기체 운송 시스템을 설명하기로 한다. 본 발명의 기체 운송 시스템은 기체 공급원(626), 내부 통로가 있는 제1 기체 운송 라인(628) 및 제2 기체 운송 라인(632), 제1 단부 및 제2 단부, 그리고 기류 제어 밸브(630, 634)를 구비한다.A gas delivery system for delivering gas from a gas source to the inner passages of the first and second suction lines will now be described. The gas delivery system of the present invention comprises a gas source 626, a first gas delivery line 628 and a second gas delivery line 632 with internal passages, a first end and a second end, and an air flow control valve 630, 634.

본 명세서에서 설명된 기체 운송 시스템이 하나 이상의 기체 공급원을 구비할 수 있다는 것을 이해할 수 있다. 복수 개의 기체 공급원이 기체 공급원 매니폴드에 기체 우동 연통 상태로 연결된다. 기체 공급원 매니폴드는 각각의 기체 공급원영의 기체 공급원 차단 밸브와, 각각의 기체 공급원용의 기체 공급원 유동 제어 밸브를 구비할 수 있다. 따라서, 기체 공급원 매니폴드는 기체 운송 시스템에 기체 유동 연통 상태로 연결된다.It will be appreciated that the gas delivery system described herein may have one or more gas sources. A plurality of gas sources are connected in gas udon communication to the gas source manifold. The gas source manifold may comprise a gas source shutoff valve of each gas supply zone and a gas source flow control valve for each gas source. Thus, the gas source manifold is connected in gas flow communication to the gas delivery system.

기체 공급원(626)은 제1 흡입 라인과 제2 흡입 라인에 인접하게 위치된다. 기체 공급원(626)은 시간당 2 내지 100 ft3의 비율로 질소와 같은 기체를 제1 흡입 라인(618) 및 제2 흡입 라인(620)의 내부 통로에 공급한다. 흡입 라인에 대한 효과적인 기체 운송은 제1 기체 운송 라인과 제2 기체 운송 라인과 제1 및 제2 흡입 라인의 연결(커플링, 커넥터 등과 같은 적절한 연결 수단에 의한)에 의하여 용이해진다.Gas source 626 is located adjacent to the first suction line and the second suction line. The gas source 626 supplies gas, such as nitrogen, to the internal passages of the first suction line 618 and the second suction line 620 at a rate of 2 to 100 ft 3 per hour. Effective gas delivery to the suction line is facilitated by the connection (by appropriate connection means such as couplings, connectors, etc.) of the first and second gas delivery lines with the first and second suction lines.

기체 공급원(626)은 제1 기체 운송 라인(628)의 제1 단부에 연결된다. 제2 기체 운송 라인(632)의 제1 단부는 제1 기체 운송 라인(628)의 길이를 따라 대략 중간 지점에서 제1 기체 운송 라인에 연결된다. 제1 기체 운송 라인(628)과 제2 기체 운송 라인(632)의 연결은 제1 기체 운송 라인(628)에 수용된 기체가 막힘 또는 누설 없이 제2 기체 운송 라인(632)의 내부 통로로 통과한다. 제2 기체 운송 라인(632)은 제1 기체 운송 라인(628)의 길이를 따라 제1 기체 운송 라인(628)과 기체 공급원(626) 사이의 연결부 하류의 일 지점에서 제1 기체 운송 라인(628)에 연결된다.Gas source 626 is connected to the first end of first gas delivery line 628. The first end of the second gas delivery line 632 is connected to the first gas delivery line at approximately an intermediate point along the length of the first gas delivery line 628. The connection of the first gas transportation line 628 and the second gas transportation line 632 passes through the inner passage of the second gas transportation line 632 without the blockage or leakage of gas contained in the first gas transportation line 628. . The second gas delivery line 632 is along the length of the first gas delivery line 628 at a point downstream of the connection between the first gas delivery line 628 and the gas source 626. )

제1 기체 운송 라인(628)의 하류 단부는 제2 밸브(624)의 하류에서 제2 흡입 라인(620)에 연결된다. 제1 기체 운송 라인(628)과 흡입 라인(620) 사이의 연결은 제1 기체 운송 라인(628)의 내부 통로에 수용된 기체가 막힘 없이 흐르게 하여, 기체는 누설 없이 자유롭게 흡입 라인(620)의 내부 통로로 흐르게 된다. 제2 기체 운송 라인(632)의 제1 단부 하류에 있는 그 제2 단부는 제1 흡입 라인(618)에 연결된다. 제2 기체 운송 라인(632)과 흡입 라인(618) 사이의 연결은 제2 기체 운송 라인(632)에 수용된 기체가 자유로이 누설 없이 흡입 라인(618)의 내부로 막힘 없이 흐르도록 한다.The downstream end of the first gas delivery line 628 is connected to the second suction line 620 downstream of the second valve 624. The connection between the first gas delivery line 628 and the suction line 620 allows the gas contained in the inner passage of the first gas delivery line 628 to flow without clogging, so that the gas is free to leak and freely enter the interior of the suction line 620. It flows into the passage. The second end downstream of the first end of the second gas delivery line 632 is connected to the first suction line 618. The connection between the second gas delivery line 632 and the suction line 618 allows the gas contained in the second gas delivery line 632 to flow freely into the suction line 618 without leakage and free of leakage.

제1 기체 운송 라인(628)을 따라 제2 흡입 라인(620)과의 연결부 상류로 제2 기체 운송 라인(632)과의 연결부 하류에, 제1 기체 밸브가 위치되어 있다. 제1 기체 밸브(630)는 전술한 제1 흡입 밸브와 제2 흡입 밸브와 같은 2방향 밸브이다. 제1 기체 밸브(630)는 기체가 제1 기체 운송 라인(628)의 내부를 따라 제2 흡입 라인(620)으로 통과하는 것을 조절한다. 제2 기체 운송 라인 상의 제1 흡입 라인과의 연결부 상류에 제2 기체 밸브(634)가 위치되어 있다. 제2 기체 밸브(634)는 제2 기체 운송 라인으로부터 제1 흡입 라인으로 기체가 통과하는 것을 용이하게 한다.A first gas valve is located downstream of the connection with the second gas delivery line 632 upstream of the connection with the second suction line 620 along the first gas delivery line 628. The first gas valve 630 is a two-way valve such as the first suction valve and the second suction valve described above. The first gas valve 630 controls the passage of gas to the second suction line 620 along the interior of the first gas delivery line 628. A second gas valve 634 is located upstream of the connection with the first suction line on the second gas delivery line. The second gas valve 634 facilitates the passage of gas from the second gas delivery line to the first suction line.

이제, 가압수 운송 시스템을 설명하기로 한다. 물 운송 시스템은 가압수 공급원(636)과, 제1 및 제2 단부와 내부 통로가 있는 제1 물 공급 라인(638) 및 제2 물 공급 라인(642)과, 제1 물 밸브(640) 및 제2 물 밸브(644)를 구비한다.The pressurized water transport system will now be described. The water transport system includes a pressurized water source 636, a first water supply line 638 and a second water supply line 642 having first and second ends and internal passageways, a first water valve 640, and A second water valve 644 is provided.

제1 흡입 라인 및 제2 흡입 라인에 인접하게 가압수 공급원(636)이 위치된다. 가압수 공급원(636)은 압력 하에 분당 0.5 내지 5 갤론의 물 흐름을 발생시킨다. 가압수 공급원(636)은 제1 물 공급 라인(638)의 일단부에서 그 내부 통로에 연결된다. 이 연결은 가압수가 가압수 공급원으로부터 제1 물 공급 라인(638)의 내부 통로로 효율적으로 흐르도록 한다. 물 공급 라인(638)의 상기 제1 단부 하류의 제2 단부는 제2 흡입 라인(620)에 연결되어 가압수를 제1 물 공급 라인(638)의 내부 통로로부터 제2 흡입 라인(620)의 내부 통로로 운송한다. 제1 물 공급 라인(638) 상의 제2 흡입 라인(620)과의 연결부 상류에 제1 물 밸브(640)가 위치되어 가압수가 선택적으로 흡입 라인(620)을 통하여 용이하게 흐르도록 한다. 제1 물 밸브는 2방향 밸브이다.A pressurized water source 636 is positioned adjacent to the first suction line and the second suction line. Pressurized water source 636 generates a flow of 0.5 to 5 gallons of water per minute under pressure. The pressurized water source 636 is connected at one end of the first water supply line 638 to its inner passage. This connection allows pressurized water to flow efficiently from the pressurized water source into the internal passageway of the first water supply line 638. A second end downstream of the first end of the water supply line 638 is connected to the second suction line 620 to direct pressurized water from the internal passage of the first water supply line 638 to the second suction line 620. Transport by internal passage. A first water valve 640 is positioned upstream of the connection with the second suction line 620 on the first water supply line 638 to facilitate pressurized water to selectively flow through the suction line 620. The first water valve is a two-way valve.

제2 물 운송 라인(642)의 제1 단부는 제1 물 밸브(640) 상류로 가압수 공급원(636)의 하류의 위치에서 제1 물 운송 라인(638)에 연결된다. 제2 물 운송 라인(642)의 제1 단부 하류의 제2 단부는 제1 흡입 라인(618)에 연결되어 가압수를 제1 물 운송 라인(638)의 내부 통로로부터 제1 흡입 라인(618)의 내부 통로로 운송한다. 제2 물 운송 라인 상으로 제1 흡입 라인(618)과의 연결부 상류에는 제2 물 운송 라인에는 제2 물 밸브(644)가 연결되어, 가압수의 통과를 선택적으로 제어한다. 제2 물 밸브(644)는 2방향 밸브이다.The first end of the second water delivery line 642 is connected to the first water delivery line 638 at a location downstream of the pressurized water source 636 upstream of the first water valve 640. A second end downstream of the first end of the second water transport line 642 is connected to the first suction line 618 to direct pressurized water from the internal passage of the first water transport line 638 to the first suction line 618. To the inner passageway. A second water valve 644 is connected to the second water transport line upstream of the connection with the first suction line 618 on the second water transport line to selectively control the passage of pressurized water. The second water valve 644 is a two-way valve.

제1 열 재킷(658)은 소정 길이의 제1 흡입 라인(618), 제1 흡입 밸브(622), 상기 제1 흡입 라인(618)과 제2 기체 운송 라인(634)과의 연결부, 상기 제1 흡입 라인(618)과 제2 물 운송 라인(634)과의 연결부, 그리고 제1 가열 수단(648)을 수용한다. 상기 제1 열 재킷은 그 내부에 수용된 구성 요소들에 절연 특성을 제공하고, 가열 수단과 공조하여 제1 흡입 라인(618)의 내부 온도를 상승시킨다. 상기 제1 열 재킷(658)은 질소가 유동하는 동안 측벽의 온도를 상승시켜 측벽에 침적된 물을 증발시키며, 응결 가능한 처리 기체가 제1 흡입 라인에서 응결되는 것을 방지한다. 금속 엣칭 가공의 경우, 가공에 의해 정화기의 진입부에서 삼염화붕소는 가수 분해 반응 하에 붕산을 형성하지만, 상기 처리 라인은 AlCl3이 이 라인을 따라 응결되는 것을 방지하도록 가열되어야 한다. 그 다음, 상기 라인은 금속 엣칭 혹은 WCVD 가공의 경우와 마찬가지로 처리 공급원으로부터 가열될 수 있다.The first heat jacket 658 has a first suction line 618 of a predetermined length, a first suction valve 622, a connection between the first suction line 618 and the second gas transportation line 634, the first A connection between the first suction line 618 and the second water transport line 634 and the first heating means 648 are received. The first heat jacket provides insulating properties to the components contained therein and, in coordination with the heating means, raises the internal temperature of the first suction line 618. The first heat jacket 658 raises the temperature of the sidewalls while nitrogen flows to evaporate the water deposited on the sidewalls and prevents the condensable process gas from condensing in the first suction line. In the case of metal etching processing, boron trichloride forms boric acid under hydrolysis at the entrance of the clarifier by processing, but the treatment line must be heated to prevent AlCl 3 from condensing along this line. The line can then be heated from the processing source as in the case of metal etching or WCVD processing.

제2 열 재킷(660)은 소정 길이의 제2 흡입 라인(620), 제2 흡입 밸브(624), 상기 제2 흡입 라인(620)과 제2 기체 라인(628)과의 연결부, 상기 제2 흡입 라인(620)과 제2 물 라인(638)과의 연결부, 그리고 제2 가열 수단(646)을 수용한다. 상기 제2 열 재킷은 그 내부에 수용된 구성 요소들에 절연 특성을 제공하고, 가열 수단과 공조하여 제2 흡입 라인(620)의 내부 온도를 상승시킨다.The second heat jacket 660 has a second suction line 620 of a predetermined length, a second suction valve 624, a connection between the second suction line 620 and the second gas line 628, and the second A connection between the suction line 620 and the second water line 638 and the second heating means 646 are received. The second heat jacket provides insulation properties to the components contained therein and, in coordination with the heating means, increases the internal temperature of the second suction line 620.

전술한 밸브들은 각각 개방 위치와 폐쇄 위치를 갖는 2방향 밸브이다. 후술하는 목적을 위해, 이들 밸브는 작동 중에 공기에 의해 개방되고 스프링에 의해 폐쇄되는(이들 밸브는 또한 시스템의 요구 조건, 성능 및 용도에 따라 공기에 의해 폐쇄되거 스프링에 의해 개방될 수도 있음) 공압식 밸브인 것으로 가정한다. 이러한 공압식 밸브는 KF-50 연결부와, 공기 솔레노이드 밸브와 일체형의 전기-공기식 밸브, 그리고 스위치 개폐 시험용 도선을 포함할 수 있다. 이러한 밸브로는 MKS 인스트루먼트사의 HPS 디비젼에서 시판하는 모델명 190을 사용할 수 있다. 전술한 밸브와 후술하는 밸브 사이의 전기 접속은 제어판(도시 생략)에서 유지된다. 이 제어판은 시스템 밸브와 전기 접속되어 있는 프로그램 가능한 논리 제어기(PLC)를 포함한다. 상기 PLC는 상기 밸브와의 전기 접속을 유지하여 밸브 위치와 밸브 작동 위치(즉, 개방 혹은 폐쇄 위치)를 감시한다. 추가적으로, 타이머가 PLC와 협동하여 밸브 위치의 PLC 타이밍을 용이하게 한다. 그러나, 당업자라면 다른 밸브 및 제어 실시예를 본 발명의 정신과 영역을 벗어나지 않고 대체시킬 수 있음이 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 밸브는 전기 밸브, 기계식 밸브, 전자기식 밸브, 또는 시판되는 다양한 종류의 기타 다른 밸브 등으로 구성될 수 있다. 이러한 밸브는, 특히 사이클 타이머 제어 수단 또는 교류 제어 수단에 전기적으로 결합되는 리미트 스위치를 포함할 수 있다. 이 리미트 스위치는 밸브 위치를 확인할 수 있도록 하며 상호 잠금을 조절하여 처리 기류가 회송되지 않는 것을 보장하며, 물이 접속 라인(흐름 접속) 기체 유동 라인으로 주입되는 것을 방지한다.The aforementioned valves are two-way valves each having an open position and a closed position. For the purposes described below, these valves are pneumatically opened by air and closed by springs during operation (these valves may also be closed by air or open by springs depending on the requirements, performance and use of the system). Assume it is a valve. Such pneumatic valves may include a KF-50 connection, an electro-pneumatic valve integrated with an air solenoid valve, and a switch opening and closing test lead. Such a valve may be a model name 190 available from MKS Instruments Inc., HPS Division. The electrical connection between the valve described above and the valve described later is maintained at a control panel (not shown). The control panel includes a programmable logic controller (PLC) in electrical connection with the system valve. The PLC maintains an electrical connection with the valve to monitor the valve position and the valve actuation position (ie, open or closed position). In addition, a timer cooperates with the PLC to facilitate PLC timing of the valve position. However, it will be understood by those skilled in the art that other valve and control embodiments may be substituted without departing from the spirit and scope of the present invention. For example, the valve may be composed of an electric valve, a mechanical valve, an electromagnetic valve, or other valves of various kinds on the market. Such a valve may in particular comprise a limit switch electrically coupled to a cycle timer control means or an alternating current control means. This limit switch allows the valve position to be identified and controls mutual locks to ensure that no process airflow is returned and prevents water from being injected into the connection line (flow connection) gas flow line.

도 8에 도시된 본 발명의 전술한 실시예의 작동 방법이 이하에 도 9의 순서도와 관련하여 설명될 것이다. 이 실시예에서 동일한 구성 요소에 대한 참조 부호는 도 8의 참조 부호와 일치하게 되어 있다.The method of operation of the above-described embodiment of the present invention shown in FIG. 8 will now be described with reference to the flowchart of FIG. 9. In this embodiment, reference numerals for the same components are made to coincide with reference numerals in FIG. 8.

본 발명의 작동 방법의 제1 단계(도 9의 순서도에서 블록(701) 참조)에서, 모든 밸브(622, 624, 630, 634, 640, 644)를 폐쇄시킨다. 프로그램 가능한 논리 제어기(PLC)가 상기 밸브들로 향하는 압축 공기(도시 생략)의 유동을 조절함으로써 밸브들의 개폐를 제어한다. 밸브로 향하는 압축 공기를 차단하면, 스프링이 밸브 배플을 차단 위치로 이동시켜, 기류가 밸브 상류의 위치로부터 밸브 하류의 위치로 유동하는 것을 방지한다. 이 제1 단계는 전술한 덕트 라인들 중 어느 것을 통해, 유출 기체, 가압수 또는 다른 기체가 유동하는 것을 방지한다. 이러한 초기 단계는 본 발명의 장치를 사용하기 이전의 안전 예방 단계로서, 조작자가 흡입 덕트 라인이 항시 상류 시스템(612)으로부터 배출되는 기체로 채워져 있다는 것을 알 수 있게 해준다. 이 초기 단계는 유출 기체(기체 공급원(636)으로부터 나오는 가압수 및 기체와 함께)의 유동이 아직 시작되지 않았음을 보장해준다.In a first step of the method of operation of the present invention (see block 701 in the flow chart of FIG. 9), all valves 622, 624, 630, 634, 640, 644 are closed. A programmable logic controller (PLC) controls the opening and closing of the valves by regulating the flow of compressed air (not shown) directed to the valves. Shut off the compressed air directed to the valve causes the spring to move the valve baffle to the shut off position, preventing airflow from flowing from the upstream valve position to the downstream valve position. This first step prevents effluent gas, pressurized water or other gas from flowing through any of the aforementioned duct lines. This initial step is a safety precaution before using the device of the present invention, allowing the operator to know that the intake duct line is always filled with gas exiting the upstream system 612. This initial step ensures that the flow of effluent gas (along with pressurized water and gas from gas source 636) has not yet begun.

본 발명의 작동 방법의 제2 단계(도 9의 순서도에서 블록(702) 참조)는 모든 밸브가 차단되었는지 여부를 검색하는 단계를 포함한다. 이러한 검색은 제어판에 내장된 PLC에 의해 실행된다. 전술한 바와 같이, PLC는 전술한 밸브에 내장된 전기 위치 표시기 수단과 전기 연통한다. 이러한 검색은 PLC에 의해 위치 표시기 수단으로부터의 신호를 감지하여 이 신호를 폐쇄 위치를 표시하는 예정된 밸브와 비교함으로써 실행된다. 전술한 밸브가 폐쇄 위치인 것으로 판단되면, 제3 단계가 개시된다. 전술한 밸브가 개방 위치인 것으로 판단되면, 경고음이 울리고 이전의 단계를 반복하게 된다.The second step of the method of operation of the present invention (see block 702 in the flow chart of FIG. 9) includes searching for whether all valves are closed. This search is performed by a PLC built into the control panel. As mentioned above, the PLC is in electrical communication with an electrical position indicator means built in the aforementioned valve. This search is carried out by detecting a signal from the position indicator means by the PLC and comparing this signal with a predetermined valve indicating the closed position. If it is determined that the aforementioned valve is in the closed position, a third step is initiated. If it is determined that the valve described above is in the open position, a beep sounds and the previous step is repeated.

제3 단계(도 9의 순서도에서 블록(703) 참조)는 제2 흡입 밸브(624)의 개방 작동을 수반한다. 제2 흡입 밸브(624)의 개방은 압축 공기가 밸브로 유동하여, 내부 스프링이 밸브 배플의 위치를 조절함으로써 이루어지며, 이에 따라 유출 기체가 매니폴드(616)로부터 제2 흡입 밸브(624)를 통해 제2 흡입 라인(620)으로 통과할 수 있게 된다. 제2 흡입 밸브(624)의 개방은 상기 PLC에 의해 작동된다. 제1 흡입 밸브(622)는 폐쇄 위치에 유지되기 때문에 제1 흡입 라인은 밀봉되어 유출 기체가 흐르지 않으며 기체가 제2 흡입 라인(620)을 통해서만 유동하도록 한다.The third step (see block 703 in the flow chart of FIG. 9) involves the opening operation of the second intake valve 624. Opening of the second intake valve 624 is accomplished by the flow of compressed air into the valve such that the inner spring adjusts the position of the valve baffle such that the effluent gas is forced from the manifold 616 to the second intake valve 624. The second suction line 620 may be passed through. Opening of the second suction valve 624 is operated by the PLC. Since the first intake valve 622 is held in the closed position, the first intake line is sealed so that no outflow gas flows and the gas flows only through the second intake line 620.

제4 단계(도 9의 순서도에서 블록(704) 참조)는 제2 흡입 밸브(624)가 개방되었는지 여부를 검색하는 단계를 수반한다. 이러한 제2 흡입 밸브의 위치 검색은 상기 제2 단계에서 수행된 밸브 위치 검색과 동일한 방법으로 PLC에 의해 수행된다. 만약 제2 흡입 밸브가 폐쇄되어 있다고 PLC가 판단한 경우, 경고음이 울리고 이전의 단계를 반복하게 된다. 만약 제2 흡입 밸브가 개방되어 있다고 PLC가 판단한 경우, 작동 순서의 다음 단계를 수행하게 된다.The fourth step (see block 704 in the flow chart of FIG. 9) involves searching for whether the second intake valve 624 is open. The position search of the second suction valve is performed by the PLC in the same manner as the valve position search performed in the second step. If the PLC determines that the second intake valve is closed, the alarm sounds and the previous step is repeated. If the PLC determines that the second suction valve is open, the next step of the operation sequence is performed.

제5 단계(도 9의 순서도에서 블록(705) 참조)는 제2 물 밸브(644)를 개방시키는 단계를 수반한다. 제2 물 밸브(644)의 개방은 전술한 방법과 유사하게 PLC에 의해 실행된다. 제2 물 밸브(644)의 개방은 가압수 공급원(636)으로부터 제1 물 운송 라인(638)과 제2 물 운송 라인(642)을 통해 제1 흡입 라인(618)으로 가압수를 유동시키는 배출구를 형성한다. 제1 물 밸브(640)가 폐쇄 위치에 유지되어 가압수 공급원(636)으로부터 제1 물 밸브를 통해 제2 흡입 라인(620)으로 가압수가 전혀 유동하지 않는 것을 보장한다. 제2 물 밸브(644)는 제1 시간 설정 기간 동안 PLC에 의해 개방된 채 유지되어 PLC와 협동하는 타이머에 의해 감시된다. 제2 물 밸브(644)는 1 내지 10분 동안 개방된 채로 유지된다. 제1 흡입 라인(618)으로 유동하는 가압수는 분출되어 제1 흡입 라인(618)의 내부 통로를 씻어낼 뿐만 아니라 용해 입자를 분해하여, 입자 등이 제1 흡입 라인의 제2 단부를 통해 정화기 유닛(650)으로 배출되도록 한다.The fifth step (see block 705 in the flow chart of FIG. 9) involves opening the second water valve 644. Opening of the second water valve 644 is performed by the PLC similarly to the method described above. The opening of the second water valve 644 is an outlet for flowing pressurized water from the pressurized water source 636 through the first water transport line 638 and the second water transport line 642 to the first suction line 618. To form. The first water valve 640 is maintained in the closed position to ensure that no pressurized water flows from the pressurized water source 636 through the first water valve to the second suction line 620. The second water valve 644 is kept open by the PLC during the first timed period and monitored by a timer that cooperates with the PLC. The second water valve 644 remains open for 1 to 10 minutes. The pressurized water flowing into the first suction line 618 is jetted to not only flush the internal passageway of the first suction line 618 but also dissolve the dissolved particles such that the particles and the like are purged through the second end of the first suction line. Discharge to unit 650.

제6 단계(도 9의 순서도에서 블록(706A) 참조)는 제1 기간이 지난 후 제2 물 밸브(644)를 폐쇄하는 단계를 수반한다. 제2 물 밸브(664)를 폐쇄시킨 후, 제2 기체 밸브(634)를 개방하고(도 3의 순서도에서 블록(706B) 참조), 만약 이미 작동하고 있지 않은 경우, 제1 가열 수단을 작동시킨다(도 3의 순서도에서 블록(706C) 참조). 밸브의 폐쇄 및 개방은 전술한 방법으로 PLC에 의해 실행된다. 제1 가열 요소는 이 요소를 통해 흐르는 전류를 발생시킴으로써 작동되며, PLC에 의해 제어된다. 전류는 가열 수단의 고유 저항에 영향을 받아 그 전기 저항으로 인해 열을 생성한다. 제2 기체 밸브(664)는 제2 기간 동안 개방된 채로 유지되며, PLC와 상호 작용하는 타이머에 의해 감시된다. 제2 기체 밸브를 개방시킨 채로 방치하는 시간과 가열 수단의 작동 시간의 양호한 범위는 30분 내지 8시간이다. 제1 기체 밸브는 폐쇄 위치에 유지되어, 기체 공급원(626)으로부터 나온 기체 유동이 제1 기체 운송 라인(628)을 따라 제2 기체 운송 라인(632)과 제1 흡입 라인(618)으로 안내된다. 제1 가열 수단(648)에 의해 전달된 열과 공조하여 기체는 제1 흡입 라인의 내벽을 건조시킨다.A sixth step (see block 706A in the flowchart of FIG. 9) involves closing the second water valve 644 after the first period of time. After closing the second water valve 664, open the second gas valve 634 (see block 706B in the flow chart of FIG. 3) and activate the first heating means if it is not already operating. (See block 706C in the flow chart of FIG. 3). Closing and opening of the valve is performed by the PLC in the manner described above. The first heating element is operated by generating a current flowing through the element and controlled by the PLC. The electric current is affected by the intrinsic resistance of the heating means and generates heat due to its electrical resistance. The second gas valve 664 remains open for a second period of time and is monitored by a timer that interacts with the PLC. The preferred range of the time for leaving the second gas valve open and the operating time of the heating means is 30 minutes to 8 hours. The first gas valve is maintained in the closed position such that gas flow from the gas source 626 is directed along the first gas delivery line 628 to the second gas delivery line 632 and the first suction line 618. . In cooperation with the heat transferred by the first heating means 648, the gas dries the inner wall of the first suction line.

제7 단계(도 9의 순서도에서 블록(707) 참조)는 제1 가열 수단을 분리시키고 제1 흡입 밸브(622)를 개방시키는 단계를 수반한다. 제1 흡입 밸브(622)의 개방은 전술한 방법과 유사하게 실행된다. 상기 가열 수단은 PLC에 의한 제어에 따라 가열 수단으로 흐르는 전류를 차단함으로써 분리된다.The seventh step (see block 707 in the flow chart of FIG. 9) involves separating the first heating means and opening the first intake valve 622. Opening of the first intake valve 622 is performed similarly to the method described above. The heating means are separated by cutting off the current flowing to the heating means under control by the PLC.

제8 단계(도 9의 순서도에서 블록(708) 참조)는 제1 흡입 밸브(622)가 개방되었는지 여부를 검색하는 단계를 수반한다. 상기 검색은 전술한 검색 방법과 유사하게 PLC에 의해 실행된다. 만약 PLC가 제1 흡입 밸브가 개방되어 있다고 판단한 경우 경고음이 울리고 상기 제7 단계를 반복하게 된다. PLC가 새로 세정된 입구가 개방되었다고 표시한 때에만, PLC는 세정을 위해 다른 입구를 폐쇄할 것이고, 그렇지 않을 경우 처리 기체의 유동은 차단될 수 있다. 만약 PLC가 제1 흡입 밸브가 개방되었다고 판단한 때, 작동 순서의 다음 단계가 실행된다.An eighth step (see block 708 in the flow chart of FIG. 9) involves searching for whether the first intake valve 622 is open. The retrieval is executed by the PLC similarly to the retrieval method described above. If the PLC determines that the first intake valve is open, an alarm sounds and the seventh step is repeated. Only when the PLC indicates that the newly cleaned inlet is open, the PLC will close the other inlet for cleaning, otherwise the flow of process gas may be interrupted. If the PLC determines that the first suction valve is open, the next step of the operating sequence is executed.

제9 단계(도 9의 순서도에서 블록(709) 참조)는 제2 흡입 밸브(624)를 폐쇄하는 단계를 수반한다. 제1 흡입 밸브(622)는 개방 위치에 유지된다. 제2 흡입 밸브(624)를 폐쇄시킴으로써 기체의 유동이 현재 폐쇄 중인 제2 흡입 라인으로부터 현재 개방 중인 제1 흡입 라인으로 전환된다.The ninth step (see block 709 in the flow chart of FIG. 9) involves closing the second intake valve 624. The first suction valve 622 is maintained in the open position. By closing the second intake valve 624 the flow of gas is diverted from the second intake line that is currently closed to the first intake line that is currently open.

제10 단계(도 9의 순서도에서 블록(710) 참조)는 제2 흡입 밸브(624)가 폐쇄되었는지 여부를 검색하는 단계를 수반한다. 이러한 검색은 전술한 바와 같이 제2 흡입 밸브에 전기 접속되어 있는 PLC에 의해 실행된다. 만약 PLC가 제2 흡입 밸브가 폐쇄되어 있지 않다고 판단한 경우 경고음이 울리고 상기 제9 단계를 반복하게 된다. 만약, 제2 흡입 밸브가 폐쇄되었다고 판단한 경우에는 작동 순서의 다음 단계를 실행하게 된다.The tenth step (see block 710 in the flow chart of FIG. 9) involves searching for whether the second intake valve 624 is closed. This retrieval is performed by a PLC that is electrically connected to the second intake valve as described above. If the PLC determines that the second intake valve is not closed, an alarm sounds and the ninth step is repeated. If it is determined that the second suction valve is closed, the next step of the operation sequence is executed.

제11 단계(도 9의 순서도에서 블록(711) 참조)는 제1 물 밸브(640)를 개방시키는 단계를 수반한다. 제2 물 밸브(644)는 폐쇄 위치에 유지된다. 제1 물 밸브를 개방시킴으로써(제2 물 밸브(644)를 폐쇄한 상태에서), 가압수 통로가 개방되어 가압수가 가압수 공급원(636)으로부터 제1 물 운송 라인(638)과 제1 물 밸브(640)를 통해 제2 흡입 라인(620)으로 유동하게 된다. 제2 물 밸브(644)는 폐쇄 위치에 유지되어 이 밸브를 통해 제1 흡입 라인(618)으로 물이 유동하지 못하게 한다. 가압수는 제2 흡입 라인(620)을 통해 유동하여 제1 흡입 라인과 관련하여 전술한 바와 같이 세척 및 세정 작용을 하게 된다. 가압수는 정화기(650)에 연결된 제2 단부를 통해 제2 흡입 라인으로 배출된다. 가압수는 1 내지 10분의 예정된 시간 동안 제2 흡입 라인으로부터 분출된다. PLC와 전기 접속된 조절 가능한 타이머는 가압수의 배출과 동시에 PLC와 공조한다.The eleventh step (see block 711 in the flow chart of FIG. 9) involves opening the first water valve 640. The second water valve 644 is maintained in the closed position. By opening the first water valve (with the second water valve 644 closed), the pressurized water passage is opened so that the pressurized water from the pressurized water source 636 and the first water transport line 638 and the first water valve Flow through 640 to a second suction line 620. The second water valve 644 is maintained in the closed position to prevent water from flowing through the valve to the first suction line 618. Pressurized water flows through the second suction line 620 to perform a cleaning and cleaning action as described above in connection with the first suction line. Pressurized water is discharged to the second suction line through a second end connected to the clarifier 650. Pressurized water is ejected from the second suction line for a predetermined time of 1 to 10 minutes. An adjustable timer, electrically connected to the PLC, cooperates with the PLC simultaneously with the discharge of pressurized water.

제12 단계(도 9의 순서도에서 블록(712) 참조)는 제1 물 밸브(640)를 폐쇄시키는 단계를, 제13 단계(도 9의 순서도에서 블록(713) 참조)는 제1 기체 밸브(630)를 개방시키는 단계를, 그리고 제14 단계(도 9의 순서도에서 블록(714) 참조)는 제2 가열 수단(646)을 작동시키는 단계를 수반한다. 상기 밸브들의 개폐는 전술한 방법과 유사한 방법으로 PLC에 의해 실행된다. 제2 기체 밸브(634)는 폐쇄 위치에 유지되어 기체가 이 밸브를 통과하여 제1 흡입 라인(618)으로 유출되지 못하게 한다. 제1 기체 밸브(630)의 개방에 의해 기체 통로가 개방되어, 기체가 기체 공급원(626)으로부터 제1 기체 운송 라인(628) 및 제1 기체 밸브(630)를 통해 제2 흡입 라인(660)으로 유동하게 된다. 제2 가열 수단의 작동은, 제2 열 재킷(660)과 공조하여, 제2 흡입 라인의 내부 온도를 상승시킨다. 제2 가열 수단으로부터 발생된 기체 및 열은 제2 흡입 라인(620)의 내부 통로를 건조시킨다. 기체는 제2 흡입 라인을 통해 그 제2 단부를 경유하여 정화기(650)로 입구된다. 제1 기체 밸브는 개방 상태로 유지되며, 제2 가열 수단은 30분 내지 몇 시간 범위 동안 작동하게 된다. 이 기간은 전술한 바와 같이 PLC와 협동하는 타이머에 의해 감지된다.The twelfth step (see block 712 in the flowchart of FIG. 9) closes the first water valve 640, and the thirteenth step (see block 713 in the flowchart of FIG. 9) the first gas valve ( Opening 630 and the fourteenth step (see block 714 in the flow chart of FIG. 9) involve operating second heating means 646. Opening and closing of the valves is executed by the PLC in a manner similar to the above-described method. The second gas valve 634 is maintained in the closed position to prevent gas from flowing out of the first suction line 618 through this valve. Opening of the first gas valve 630 opens the gas passage so that gas flows from the gas source 626 through the first gas delivery line 628 and the first gas valve 630 to the second suction line 660. To flow. The operation of the second heating means cooperates with the second heat jacket 660 to raise the internal temperature of the second suction line. Gas and heat generated from the second heating means dry the inner passage of the second suction line 620. Gas enters purifier 650 via a second suction line via its second end. The first gas valve is kept open and the second heating means is operated for a range of 30 minutes to several hours. This period is sensed by a timer cooperating with the PLC as described above.

제15 단계(도 9의 순서도에서 블록(715) 참조)는 설정 기간에 도달한 후 제1 기체 밸브(630)를 폐쇄시켜 제2 가열 수단(646)을 분리시키는 단계를 수반한다. 제16 단계(도 9의 순서도에서 블록(716) 참조)에서는, PLC가 제1 흡입 밸브(622)가 개방 상태로 유지되어 있는지를 검색한다. 밸브는 전술한 바와 같은 방식으로 작동된다.The fifteenth step (see block 715 in the flow chart of FIG. 9) involves closing the first gas valve 630 to separate the second heating means 646 after reaching the set period. In a sixteenth step (see block 716 in the flow chart of FIG. 9), the PLC searches if the first intake valve 622 remains open. The valve is operated in the manner as described above.

제17 단계(도 9의 순서도에서 블록(717) 참조)는 제2 흡입 밸브(624)를 개방시키는 단계를 수반하고, 제18 단계(도 9의 순서도에서 블록(718) 참조)는 PLC에 의해 제2 흡입 밸브(624)가 개방되었는지 여부를 검색하는 단계를 수반한다. 만약 제2 흡입 밸브가 개방되어 있지 않다고 판단한 경우 경고음이 울리고 이전의 단계를 반복한다. PLC는 전술한 방법과 유사한 검색 처리를 수행한다.The seventeenth step (see block 717 in the flowchart of FIG. 9) involves opening the second intake valve 624, and the eighteenth step (see block 718 in the flowchart of FIG. 9) is performed by the PLC. Retrieving whether the second intake valve 624 is open. If it is determined that the second intake valve is not open, a beep sounds and the previous step is repeated. The PLC performs search processing similar to the above-described method.

제19 단계(도 9의 순서도에서 블록(719) 참조)는 제1 흡입 밸브(622)를 폐쇄시키는 단계를 수반하고 제20 단계(도 9의 순서도에서 블록(720) 참조)는 이 제1 흡입 밸브가 확실히 폐쇄되었는지를 검색하는 단계를 수반한다. 만약 밸브(622)가 폐쇄되어 있지 않을 경우, 경고음이 울기고 이전의 단계를 반복한다. 만약 제1 흡입 밸브(622)가 폐쇄되어 있을 경우, 조작자는 이하의 작동 처리를 검색한다.A nineteenth step (see block 719 in the flow chart of FIG. 9) involves closing the first intake valve 622 and a twentieth step (see block 720 in the flow chart of FIG. 9) refers to this first suction. Investigating whether the valve is securely closed. If valve 622 is not closed, a beep sounds and the previous step is repeated. If the first suction valve 622 is closed, the operator searches for the following operation processing.

끝으로, 조작자는 전술한 세척 단계를 반복하기 위하여 제5 단계로 되돌아 갈 것인지를, 또는 세정 사이클을 종료할 것인지를 검색한다(도 9의 순서도에서 블록(721) 참조).Finally, the operator retrieves whether to return to the fifth step to repeat the above-described cleaning step, or to end the cleaning cycle (see block 721 in the flowchart of FIG. 9).

본 발명의 입구 구조체는, 기류 정화기, 정화기, 여과기, 중화 유닛, 기류 성분의 회수를 위한 추출 시스템, 상류 위치에서 획득한 기체의 조성에 대해 추가의 기체 처리를 위한 반응 시스템 등과 같은 하류 처리 유닛과 연결되어 사용하기에 유용하다. 이 입구 구조체는 입구의 침적, 기류 성분으로 인한 박막 형성, 그리고 유해한 유체 역학적 효과의 발생 빈도를 최소화시키도록 구성, 배열 및 작동된다.The inlet structure of the present invention comprises a downstream processing unit such as an air purifier, purifier, filter, neutralization unit, extraction system for recovery of airflow components, reaction system for further gas treatment of the composition of gas obtained at an upstream location, and the like. This is useful for connecting and using. The inlet structure is constructed, arranged, and operated to minimize the frequency of deposition of the inlet, thin film formation due to airflow components, and the occurrence of harmful hydrodynamic effects.

Claims (78)

상류의 공급원으로부터 하류 지점으로 기류를 통과시키는 입구 구조체로서,An inlet structure for passing airflow from an upstream source to a downstream point, (A) 기체 유동로를 포위하는 기체 투과성 벽과;(A) a gas permeable wall surrounding the gas flow path; 상기 기체 투과성 벽을 에워싸서 이 기체 투과성 벽과의 사이에 환형 기체 저장조를 형성하는 외측의 환형 재킷과;An outer annular jacket surrounding the gas permeable wall to form an annular gas reservoir between the gas permeable wall; 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나가 상기 입구 구조체를 통해서 기체 처리 시스템으로 유동하는 동안, 상기 기체가 상기 기체 투과성 벽을 투과하여 상기 기체 투과성 벽의 내표면 상에 고체가 침적 또는 형성되는 것을 억제할 만큼 충분한 압력으로 상기 환형 기체 저장조 내에 기체를 주입하는 기체 주입 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체와,While the gas flows through the gas permeable wall through either the particulate solid containing air stream and the particulate solid forming air stream, or both, through the inlet structure, solids deposit on the inner surface of the gas permeable wall, or An inlet structure comprising gas injection means for injecting gas into said annular gas reservoir at a pressure sufficient to prevent formation thereof; (B) 상기 기류를 주입하기 위한 상부 도입부와 상기 기류를 배출하기 위한 하단부를 구비한 연직 방향으로 뻗은 제1 유동 통로 부재와;(B) a first flow passage member extending in a vertical direction having an upper introduction portion for injecting the airflow and a lower end portion for discharging the airflow; 상기 제1 유동 통로 부재를 일정 간격을 두고 에워싸서 그 부재와의 사이에 환형 용적부를 형성하며, 하단부가 하방으로 상기 제1 유동 통로 부재의 하단부 아래까지 뻗어 있으며, 상부의 액체 투과성 부분과 이 액체 투과성 부분 아래에 있는 하부의 액체 불투과성 부분을 구비하고 있는 제2 유동 통로 부재와;Surrounds the first flow passage member at regular intervals to form an annular volume therebetween, the bottom portion extending downward below the bottom portion of the first flow passage member, the liquid permeable portion of the upper portion and the liquid A second flow passage member having a lower liquid impermeable portion below the permeable portion; 상기 제2 유동 통로 부재를 포위하여 에워싸서 그 통로 부재와 함께 포위된 환형 내용적부를 형성하는 외벽 부재; 그리고An outer wall member surrounding and enclosing the second flow passage member to form an annular inner portion surrounded with the passage member; And 상기 외벽 부재에 배치되어 상기 제2 유동 통로 부재와 상기 외벽 부재와의 사이의 상기 포위된 환형 내용적부에 액체를 주입하는 액체 유동 입구 포트를 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체An inlet structure disposed in said outer wall member, said liquid flow inlet port for injecting liquid into said enclosed annular internal volume between said second flow passage member and said outer wall member; 로 구성되는 군으로부터 선택되는 입구 구조체.An inlet structure selected from the group consisting of: 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나를 기체 처리 시스템에 주입하기 위한 막힘 방지 입구 구조체로서,An anti-clogging inlet structure for injecting a particulate solid containing air stream and a particulate solid forming air stream, or one of them into the gas treatment system, 기체 유동로를 포위하는 기체 투과성 벽과;A gas permeable wall surrounding the gas flow path; 상기 기체 투과성 벽을 에워싸서 이 기체 투과성 벽과의 사이에 환형 기체 저장조를 형성하는 외측의 환형 재킷과;An outer annular jacket surrounding the gas permeable wall to form an annular gas reservoir between the gas permeable wall; 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나가 상기 입구 구조체를 통해서 기체 처리 시스템으로 유동하는 동안, 상기 기체가 상기 기체 투과성 벽을 투과하여 고체가 상기 기체 투과성 벽의 내표면 상에 침적 또는 형성되는 것을 억제할 만큼 충분한 압력으로 상기 환형 기체 저장조 내에 기체를 주입하는 기체 주입 수단While the particulate solid containing air stream and the particulate solid forming air stream, or one of them, flow through the inlet structure to the gas treatment system, the gas penetrates the gas permeable wall so that solids deposit on the inner surface of the gas permeable wall or Gas injection means for injecting gas into the annular gas reservoir at a pressure sufficient to inhibit formation 을 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.Inlet structure comprising a. 제2항에 있어서, 펄스화 고압 기체(pulsed high pressure gas)를 환형 저장조에 주입하기 위한 포트를 또한 구비하며, 이 포트는 고압 기체 공급원 및 이 공급원으로부터 환형 기체 저장조로 고압 기체를 펄스화 운송하는 수단에 연결되어, 기체 투과성 벽에 추가의 막힘 방지 작용을 수행하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.3. The system of claim 2, further comprising a port for injecting pulsed high pressure gas into the annular reservoir, the port for pulsed conveying high pressure gas from and to the annular gas reservoir. An inlet structure, connected to the means, to perform an additional anti-clogging action on the gas permeable wall. 제2항에 있어서, 상기 기체 투과성 벽과 상기 외측의 환형 재킷은 대응하는 추가의 기체 유동로 섹션을 둘러싸고 기체 투과성 벽과 함께 그 사이에 슬롯을 형성하는 벽을 포함하는 하향 유동로 섹션에 연결되며, 이 하향 유동로 섹션의 벽은 외측의 환형 재킷에 의해 에워싸여 그들 사이에 상기 슬롯과 액체 넘침 관계에 있는 환형 기체 저장조를 형성하므로, 상기 환형 액체 저장조가 상기 벽의 높이에 의해 정해지는 어떤 지점을 지나 액체가 충전되는 경우, 이 액체는 하강 액막으로서 상기 벽의 내표면 상에서 아래로 유동하며, 이에 의하여 상기 하강 액막은 벽 내면에 장벽 매체를 제공하여, 이러한 내표면 상에서 고체가 침적되거나 형성되는 것을 방지하고, 그럼에도 불구하고 벽의 내표면에 침적되거나 형성되는 어떤 고형물도 제거할 수 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The gas flow permeable wall and the outer annular jacket are connected to a downward flow path section including a wall surrounding a corresponding further gas flow section and forming a slot therebetween with the gas permeable wall. The wall of this downward flow passage section is surrounded by an outer annular jacket to form an annular gas reservoir in liquid overflow relationship with the slot therebetween, so that the point where the annular liquid reservoir is determined by the height of the wall When a liquid is filled past the liquid flows down on the inner surface of the wall as a falling liquid film, whereby the falling liquid film provides a barrier medium to the inner wall of the wall to deposit or form a solid on this inner surface. To remove any solids deposited or formed on the inner surface of the wall and nevertheless Inlet structure characterized in that. 제4항에 있어서, 상기 입구 구조체의 하향류 유동로 섹션의 외측 환형 재킷에는 액체 공급부와 연결된 포트가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.5. The inlet structure according to claim 4, wherein an outer annular jacket of the downflow flow section of the inlet structure is provided with a port connected to the liquid supply. 제2항에 있어서, 상기 기체 유동로의 제1 단부는 반도체 제조 공구와 기체 유동 관계로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 2, wherein the first end of the gas flow path is connected to the semiconductor manufacturing tool in a gas flow relationship. 제6항에 있어서, 상기 기체 유동로의 제2 단부는 물 정화 유닛과 기체 유동 관계로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.7. The inlet structure according to claim 6, wherein the second end of the gas flow path is connected to the water purification unit in a gas flow relationship. 제6항에 있어서, 상기 기체 유동로의 제2 단부는 연소 정화 유닛과 기체 유동 관계로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.7. The inlet structure according to claim 6, wherein the second end of the gas flow path is connected to the combustion purification unit in a gas flow relationship. 제2항에 있어서, 상기 입구 구조체는 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나를 입구 구조체에 운송하기 위하여 외부 환형 재킷에 의하여 둘러싸인 기류 운송관을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 2, wherein the inlet structure further comprises an air flow conduit surrounded by an outer annular jacket for transporting the particulate solid-containing air stream and the particulate solid-forming air stream, or either of these, to the inlet structure. . 제9항에 있어서, 상기 입구 구조체는 기류 운송관을 통해서 유동하는 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나의 응결을 방지하기 위하여 상기 기류 운송관을 가열하는 가열 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.10. The inlet structure of claim 9, wherein said inlet structure further comprises heating means for heating said airborne conduit to prevent condensation of particulate solid-containing airflow and particulate solid-forming airflow flowing through said airflow conduit, or one of these. Inlet structure, characterized in that. 제4항에 있어서, 상기 입구 구조체는 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나를 입구 구조체에 운송하기 위하여 기체 투과성 벽에 의하여 둘러싸인 기류 운송관을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.5. The inlet structure according to claim 4, wherein the inlet structure further comprises an air flow conduit enclosed by a gas permeable wall for transporting a particulate solid containing air stream and a particulate solid forming air stream, or both. . 제11항에 있어서, 상기 입구 구조체는 기류 운송관을 통해서 유동하는 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나의 응결을 방지하기 위하여 상기 기류 운송관을 가열하는 가열 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.12. The inlet structure of claim 11, wherein said inlet structure further comprises heating means for heating said airborne conduit to prevent condensation of particulate solids and particulate solid forming airflow flowing therethrough. Inlet structure, characterized in that. 제11항에 있어서, 기류 운송관은 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나를 하류의 유동로 섹션의 벽의 상단부 아래로 배출하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.12. The inlet structure as claimed in claim 11, wherein the air flow pipe discharges the particulate solid-containing air stream and the particulate solid-forming air stream, or one of them below the upper end of the wall of the downstream flow section. 제2항에 있어서, 상기 입구 구조체는 기체 투과성 벽을 투과하는 기체를 가열하는 기체 가열 수단을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 2, wherein the inlet structure also comprises gas heating means for heating the gas passing through the gas permeable wall. 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나를 기체 처리 시스템에 주입하기 위한 막힘 방지 입구 구조체로서,An anti-clogging inlet structure for injecting a particulate solid containing air stream and a particulate solid forming air stream, or one of them into the gas treatment system, 상호 직렬로 연결된 관계로서 대체로 연직 방향으로 배치된 제1 유동 통로 섹션 및 제2 유동 통로 섹션과;A first flow passage section and a second flow passage section disposed generally in a vertical direction in a mutually connected relationship; 상기 제1 유동 통로 섹션의 외벽에 있는 기체 유동 포트를 구비하며,A gas flow port on an outer wall of the first flow passage section, 상기 제1 유동 통로 섹션과 상기 제2 유동 통로 섹션은 상기 직렬로 연결된 관계에서 연직 방향의 유동 통로를 형성하며, 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나가 상기 유동 통로를 통해서 상기 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나의 상류 공급원으로부터 상기 입구 구조체와 기류 수용 관계로 배치된 하류의 기체 처리 시스템으로 유동하며,The first flow passage section and the second flow passage section form a vertical flow passage in the series connected relationship, wherein one of the granular solid-containing air flow and the granular solid-forming air flow, or one of the granular flow paths, is formed through the flow passage. Flow from a solid containing air stream and a particulate solid forming air stream, or one of the upstream sources, to a downstream gas treatment system disposed in an air flow receiving relationship with the inlet structure, 상기 제1 유동 통로 섹션은 입구 구조체의 상부 섹션을 포함함과 아울러, 그 제1 유동 통로의 상부를 획정하는 내표면을 갖는 기체 투과성 벽과 이 기체 투과성 벽을 포위하여 에워싸서 그 기체 투과성 벽과의 사이에 환형 내용적부를 형성하는 외벽을 구비하며,The first flow passage section includes an upper section of the inlet structure, and has a gas permeable wall having an inner surface defining an upper portion of the first flow passage and surrounding and enclosing the gas permeable wall; An outer wall forming an annular inner portion between 상기 기체 유동 포트는 상기 환형 내용적부로부터 입구 구조체의 유동 통로 내로의 기체의 계속된 유동을 위하여 기체를 예정된 기체 유량으로 상기 환형 내용적부 내로 유입시키는 기체 공급원에 연결될 수 있으며,The gas flow port may be connected to a gas source that introduces gas into the annular volume at a predetermined gas flow rate for continued flow of gas from the annular volume into the flow passage of the inlet structure, 상기 제2 유동 통로 섹션은 입상 고체 함유 유체가 상기 제1 유동 통로 섹션으로부터 하방으로 상기 제2 유동 통로 섹션 내로 유입되도록 상기 제1 유동 통로 섹션에 직렬로 연결되어 있으며, 상기 제2 유동 통로는 내측에 액체 분사 포트를 구비한 외벽과 이 외벽에 대하여 일정 간격을 두고 배치되어 그 외벽과의 사이에 환형 내용적부를 형성하는 내부 둑 벽(inner weir wall)을 구비하며, 상기 제2 유동 통로 섹션의 외벽은 상기 제1 유동 통로 섹션과 연결되어 있고, 상기 내부 둑 벽은 상기 제1 유동 통로 섹션의 기체 투과성 벽을 향하여 뻗지만 그 기체 투과성 벽 바로 전에서 종지하여 사이에 둑을 형성하는 틈새를 제공하며, 상기 내부 둑 벽은 상기 제2 유동 통로 섹션의 유동 통로를 획정하는 내표면을 구비하고The second flow passage section is connected in series to the first flow passage section such that particulate solid containing fluid flows downwardly from the first flow passage section into the second flow passage section. And an inner weir wall disposed at regular intervals with respect to the outer wall, the inner weir wall forming an annular inner portion between the outer wall and the second flow passage section. An outer wall is connected with the first flow passage section and the inner weir wall extends toward the gas permeable wall of the first flow passage section but terminates just before the gas permeable wall to provide a gap therebetween. Wherein the inner weir wall has an inner surface defining a flow passage of the second flow passage section; 이로써, 액체가 상기 제2 유동 통로 섹션의 외벽과 그것의 내부 둑 벽 사이의 환형 내용적부 내로 유입될 때, 주입 액체는 상기 둑을 넘쳐서 하방으로 제2 유동 통로 섹션의 내벽의 내표면으로 유동함으로써 그 내부 둑 벽으로부터 어떤 입상 고체도 씻어내고, 입상 고체 함유 기류가 입구 구조체의 상기 유동 통로를 통해서 유동됨에 따라, 상기 둑 벽의 내표면 상에 고체가 침적 또는 형성되는 것을 억제하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.Thus, when liquid enters into the annular volume between the outer wall of the second flow passage section and its inner weir wall, the injected liquid overflows the weir and flows downwards to the inner surface of the inner wall of the second flow passage section. To wash away any particulate solid from its inner weir wall and to prevent solids from depositing or forming on the inner surface of the weir wall as the flow of particulate solids flows through the flow passages of the inlet structure. Inlet structure. 제15항에 있어서, 상기 제1 유동 통로 섹션의 외벽에 고압 기체 유동 포트를 또한 구비하며, 이 고압 기체 유동 포트는 상기 기체 투과성 벽으로부터 그 위에 침적 또는 형성된 입자들을 세정하도록 고압 기체를 환형 내용적부 내로 유입시키기 위하여 고압 기체 공급원에 연결될 수 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The apparatus of claim 15, further comprising a high pressure gas flow port on an outer wall of the first flow passage section, the high pressure gas flow port configured to pressurize the high pressure gas to clean particles deposited or formed thereon from the gas permeable wall. An inlet structure, which can be connected to a high pressure gas source for inlet. 제15항에 있어서, 상기 입구 구조체는 기체 공급원은 상기 제1 유동 통로 섹션의 외벽에 있는 기체 포트와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure of claim 15, wherein said inlet structure is connected to a gas source at a gas port on an outer wall of said first flow passage section. 제16항에 있어서, 상기 입구 구조체는 고압 기체 공급원은 제1 유동 통로 섹션의 외벽에 있는 고압 기체 포트에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.17. The inlet structure as claimed in claim 16, wherein the inlet structure is connected to a high pressure gas port at an outer wall of the first flow passage section. 제15항에 있어서, 상기 입구 구조체는 제2 유동 통로 섹션의 하단부는 입구 구조체의 유동 통로를 통해서 유동되는 입상 고체 함유 기류를 정화하는 물 정화기에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure according to claim 15, wherein the inlet structure is connected to a water purifier for purifying particulate solid-containing airflow flowing through the flow passage of the inlet structure. 제15항에 있어서, 상기 제1 유동 통로 섹션과 제2 유동 통로 섹션은 상호 신속 분리 가능하게 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 15, wherein the first flow passage section and the second flow passage section are connected to each other so as to be quickly separated from each other. 제15항에 있어서, 상기 제1 유동 통로 섹션과 상기 제2 유동 통로 섹션은 상호 동축으로 정렬되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure according to claim 15, wherein said first flow passage section and said second flow passage section are coaxially aligned with each other. 제15항에 있어서, 상기 기체 투과성 벽은 다공성 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 15, wherein the gas permeable wall is formed of a porous metal. 제15항에 있어서, 상기 기체 투과성 벽은 다공성 세라믹으로 형성되는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 15, wherein the gas permeable wall is formed of porous ceramics. 제15항에 있어서, 상기 기체 투과성 벽은 다공성 플라스틱으로 형성되는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 15, wherein the gas permeable wall is formed of porous plastic. 제15항에 있어서, 상기 기체 투과성 벽과 그 외측의 환형 재킷은 원형 단면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure according to claim 15, wherein the gas permeable wall and the annular jacket on the outside thereof are formed in a circular cross section. 제15항에 있어서, 상기 제2 유동 통로 섹션의 외벽과 내부 둑 벽은 원형 단면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure according to claim 15, wherein the outer wall and the inner weir wall of the second flow passage section are formed in a circular cross section. 제15항에 있어서, 상기 제1 유동 통로 섹션은 상류의 반도체 제조 공구와 연결되는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure as claimed in claim 15, wherein said first flow passage section is connected with an upstream semiconductor fabrication tool. 제15항에 있어서, 상기 입구 구조체는 기체 투과성 벽의 내표면에 의해 에워싸여 있는 기류 운송관을 또한 구비하며, 이 기류 운송관은 상류의 공급원과 기체 유동 수용 관계에 있으며, 상기 기류 운송관은 대체로 연직 방향의 유동 통로 내의 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나를 배출하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The air flow conduit of claim 15, wherein the inlet structure further comprises an air flow conduit surrounded by an inner surface of the gas permeable wall, the air flow conduit in a gas flow receiving relationship with an upstream source. An inlet structure, characterized in that it discharges a particulate solid-containing air stream and a particulate solid-forming air stream, or both, generally in a vertical flow passage. 제28항에 있어서, 상기 기류 운송관은 상기 제2 유동 통로 섹션 내의 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나를 배출하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.29. The inlet structure as claimed in claim 28, wherein said air flow conduit discharges either a particulate solid containing air stream and a particulate solid forming air stream in the second flow passage section, or one of them. 제28항에 있어서, 상기 기류 운송관은 상기 둑을 형성하는 틈새 아래에서 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나를 배출하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.29. The inlet structure according to claim 28, wherein said air flow pipe discharges a granular solid containing air stream and a granular solid forming air stream, or one of them, below the gap forming said weir. 제28항에 있어서, 상기 기류 운송관은 둑을 형성하는 틈새 위에서 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나를 배출하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.29. The inlet structure as claimed in claim 28, wherein the air flow pipe discharges the granular solid-containing air stream and the granular solid-forming air stream, or one of them, over the gap forming the embankment. 제15항에 있어서, 상기 입구 구조체는 기류 운송관을 통해서 유동하는 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나의 응결을 방지하기 위하여 상기 기류 운송관을 가열하는 가열 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The apparatus of claim 15, wherein the inlet structure further comprises heating means for heating the airborne conduit to prevent condensation of particulate solid containing air and granular solid forming airflow, or one of them, flowing through the airflow conduit. Inlet structure characterized in that. 제15항에 있어서, 상기 입구 구조체는 상기 기체 투과성 벽을 투과하는 기체를 가열하는 기체 가열 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure according to claim 15, wherein said inlet structure also comprises gas heating means for heating a gas passing through said gas permeable wall. 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나를 기체 처리 시스템에 주입하기 위한 막힘 방지 입구 구조체로서, 상부 다공성 벽을 구비한 상부 섹션과 하부 다공성 벽을 구비한 하부 섹션을 포함하고, 상기 상부 다공성 벽과 하부 다공성 벽은 기체 유동로를 에워싸며 각 다공성 벽은 보호용 유체를 수용하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.An anti-clogging inlet structure for injecting a particulate solid containing air stream and a particulate solid forming air stream, or one of them into a gas treatment system, comprising: an upper section having an upper porous wall and a lower section having a lower porous wall; An inlet structure, wherein the porous wall and the lower porous wall surround a gas flow path and each porous wall contains a protective fluid. 제34항에 있어서, 상기 입구 구조체는 상기 상부 다공성 벽에 의하여 에워싸여 있는, 상기 상부 섹션 내의 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나의 배출용의 기류 운송관을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.35. The air flow conduit of claim 34 wherein the inlet structure further comprises an air flow conduit for particulate solid-containing air and particulate solid-forming airflow in the upper section, or one of the outlets, surrounded by the upper porous wall. Inlet structure. 제34항에 있어서, 상기 입구 구조체는 상기 상부 다공성 벽에 의하여 에워싸여 있는, 상기 하부 섹션 내의 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나 배출용의 기류 운송관을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.35. The inlet structure of claim 34, wherein the inlet structure further comprises an air flow conduit for evacuating particulate solid-containing air and particulate solid-forming airflow in the lower section, or one of which is surrounded by the upper porous wall. The entrance structure. 제34항에 있어서, 상기 입구 구조체는 상기 상부 섹션과 하부 섹션 사이의 전이 영역과 기류 운송관을 또한 구비하고, 상기 기류 운송관은 상기 전이 영역 내의 입상 고체 함유 기류와 입상 고체 형성 기류, 또는 이중 하나를 배출하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.35. The air flow passage of claim 34, wherein the inlet structure also includes a transition region and an air flow conduit between the upper section and the lower section, wherein the air flow conduit comprises particulate solid-containing air flow and particulate solid forming airflow within the transition region, or double Inlet structure, characterized in that to discharge one. 제34항에 있어서, 상기 입구 구조체는 유체를 입구 구조체로 주입하기 위하여 축방향으로 배치된 다공성 구조체를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.35. The inlet structure of claim 34, wherein said inlet structure also comprises a porous structure disposed axially for injecting fluid into the inlet structure. 기류를 상류의 기체 공급원으로부터 하류의 처리 유닛으로 운송하는 기체/액체 계면 구조체로서,A gas / liquid interface structure that delivers airflow from an upstream gas source to a downstream processing unit, 상기 기류를 주입하기 위한 상부 도입부와 상기 기류를 배출하기 위한 하단부를 구비한 연직 방향으로 뻗은 제1 유동 통로 부재와;A first flow passage member extending in a vertical direction having an upper introduction portion for injecting the airflow and a lower end portion for discharging the airflow; 상기 제1 유동 통로 부재를 일정 간격을 두고 에워싸서 그 부재와의 사이에 환형 용적부를 형성하며, 하단부가 하방으로 상기 제1 유동 통로 부재의 하단부 아래까지 뻗어 있으며, 상부의 액체 투과성 부분과 이 액체 투과성 부분 아래에 있는 하부의 액체 불투과성 부분을 구비하고 있는 제2 유동 통로 부재와;Surrounds the first flow passage member at regular intervals to form an annular volume therebetween, the bottom portion extending downward below the bottom portion of the first flow passage member, the liquid permeable portion of the upper portion and the liquid A second flow passage member having a lower liquid impermeable portion below the permeable portion; 상기 제2 유동 통로 부재를 포위하여 에워싸서 그 통로 부재와 함께 포위된 환형 내용적부를 형성하는 외벽 부재; 그리고An outer wall member surrounding and enclosing the second flow passage member to form an annular inner portion surrounded with the passage member; And 상기 외벽 부재에 배치되어 상기 제2 유동 통로 부재와 상기 외벽 부재와의 사이의 상기 포위된 환형 내용적부에 액체를 주입하는 액체 유동 입구 포트A liquid flow inlet port disposed in the outer wall member for injecting liquid into the enclosed annular inner volume between the second flow passage member and the outer wall member 를 구비하는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.A gas / liquid interface structure comprising a. 제39항에 있어서, 상기 제2 유동 통로 부재의 상부 액체 투과성 부분은 다공성의 원통형 벽 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.40. The gas / liquid interface structure of claim 39, wherein the upper liquid permeable portion of the second flow passage member comprises a porous cylindrical wall member. 제40항에 있어서, 상기 다공성의 원통형 벽 부재는 소결 금속 재료, 다공성 세라믹 재료 및 다공성 플라스틱 재료로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.41. The gas / liquid interface structure of claim 40, wherein the porous cylindrical wall member is formed of a material selected from the group consisting of sintered metal material, porous ceramic material, and porous plastic material. 제40항에 있어서, 상기 제2 유동 통로 부재의 상부 액체 투과성 부분은 다공성의 소결 금속 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.41. The gas / liquid interface structure of claim 40, wherein the upper liquid permeable portion of the second flow passage member is formed of a porous sintered metal material. 제40항에 있어서, 상기 상부 액체 투과성 부분은 평균 기공 치수가 약 0.5 내지 30 미크론 범위인 다공성 벽에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.41. The gas / liquid interface structure of claim 40, wherein the upper liquid permeable portion is constituted by a porous wall having an average pore dimension in the range of about 0.5 to 30 microns. 제39항에 있어서, 상기 제1 유동 통로 부재와 상기 제2 유동 통로 부재는 각각 원통형으로서 상호 동축인 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.40. The gas / liquid interface structure of claim 39, wherein the first flow passage member and the second flow passage member are cylindrical and coaxial with each other. 제39항에 있어서, 상기 제2 유동 통로 부재를 포위하여 에워싸는 외벽 부재는 상기 제2 유동 통로 부재에 대하여 반경 방향으로 일정 간격을 두는 관계로서 배치되어 있는 원통형 측벽, 상기 제1 유동 통로 부재가 관통하여 연장하는 상단 벽, 그리고 상기 제2 유동 통로 부재와 상기 외벽 부재의 측벽과의 사이의 하단 벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.40. The cylindrical wall member of claim 39, wherein the outer wall member surrounding and enclosing the second flow passage member has a cylindrical side wall disposed in a radially spaced relation with respect to the second flow passage member, and the first flow passage member penetrates. And a bottom wall extending between the second flow passage member and the side wall of the outer wall member. 제39항에 있어서, 상기 외벽 부재에 배치되어 상기 제2 유동 통로 부재와 외벽 부재와의 사이의 포위된 환형 내용적부 내로 액체를 주입하는 액체 유동 입구 포트는 주입된 액체를 상기 제2 유동 통로 부재의 상부의 액체 투과성 부분 둘레로 원주 방향으로 분포시키기 위하여 액체를 상기 포위된 환형 내용적부 내로 접선 방향으로 공급하도록 구성 및 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.40. The liquid flow inlet port of claim 39, wherein the liquid flow inlet port disposed in the outer wall member for injecting liquid into the enclosed annular volume portion between the second flow passage member and the outer wall member further comprises injecting injected liquid into the second flow passage member. A gas / liquid interface structure, configured and arranged to tangentially feed liquid into the enclosed annular volume to distribute circumferentially around a liquid permeable portion of the top of the substrate. 제39항에 있어서, 상기 둑에서의 액체 속도(weir liquid rate)가 구조체의 높이와는 독립되도록 구성 및 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.40. The gas / liquid interface structure of claim 39, wherein the liquid liquid rate at the weir is constructed and arranged to be independent of the height of the structure. 제39항에 있어서, 상기 둑에서의 액체 속도가 최소의 습윤 속도와는 독립되도록 구성 및 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.40. The gas / liquid interface structure of claim 39, wherein the liquid velocity at the weir is constructed and arranged to be independent of the minimum wetting velocity. 기류를 상류의 기류 공급원으로부터 하류의 처리 유닛으로 운반하는 기체/액체 계면 구조체로서, 사이에 환형 용적부를 형성하는 제1 유동 통로 부재와 제2 유동 통로 부재를 구비하고, 제2 유동 통로 부재는 상기 제1 유동 통로 부재의 하단부 보다 더 낮은 높이로 하방으로 뻗어 있으며, 상기 제2 유동 통로 부재를 외벽 부재가 포위하여 에워싸서 그 통로 부재와 포위된 내부의 환형 용적부를 형성하며, 외벽 부재에는 포위된 내부 환형 용적부 내로 액체를 주입시키기 위한 액체 유동 포트가 있으며, 제2 유동 통로 부재는 상기 포위된 내부 환형 용적부와 액체 유통 관계의 액체 투과성 상부를 구비하고 있고, 이로써 그러한 용적부로부터의 액체가 투과성 부분을 통해서 흐를 수 있고, 또한 제2 유동 통로 부재의 내표면 부분에 제2 유동 통로 부재용 보호 액체 계면으로서 하강 액막을 형성하는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.A gas / liquid interface structure for conveying airflow from an upstream airflow source to a downstream processing unit, comprising a first flow passage member and a second flow passage member defining an annular volume therebetween, wherein the second flow passage member comprises: Extending downwardly at a lower level than a lower end of the first flow passage member, the outer flow member is surrounded by an outer wall member to form an annular interior volume surrounded by the passage member and surrounded by the outer wall member. There is a liquid flow port for injecting liquid into the inner annular volume, and the second flow passage member has a liquid permeable top in liquid circulation relationship with the enclosed inner annular volume, thereby allowing liquid from such volume to Protection for the second flow passage member which can flow through the permeable portion and which is also in the inner surface portion of the second flow passage member A gas / liquid interface structure, which forms a falling liquid film as a liquid interface. 제49항에 있어서, 상기 제2 유동 통로 부재의 액체 투과성 상부는 다공성의 원통형 벽 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.50. The gas / liquid interface structure of claim 49, wherein the liquid permeable top of the second flow passage member comprises a porous cylindrical wall member. 제50항에 있어서, 상기 다공성의 원통형 벽 부재는 소결 금속 재료, 다공성 세라믹 재료 및 다공성 플라스틱 재료로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.51. The gas / liquid interface structure of claim 50, wherein the porous cylindrical wall member is formed of a material selected from the group consisting of sintered metal material, porous ceramic material, and porous plastic material. 제50항에 있어서, 상기 제2 유동 통로 부재의 액체 투과성 상부는 다공성의 소결된 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.51. The gas / liquid interface structure of claim 50, wherein the liquid permeable top of the second flow passage member is formed of a porous sintered metal. 제50항에 있어서, 상기 액체 투과성의 상부는 평균 기공 치수가 약 0.5 내지 30 미크론 범위인 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.51. The gas / liquid interface structure of claim 50, wherein the top of the liquid permeability has an average pore dimension in the range of about 0.5 to 30 microns. 제49항에 있어서, 상기 제1 유동 통로 부재와 상기 제2 유동 통로 부재는 각각 원통형으로서 상호 동축인 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.50. A gas / liquid interface structure according to claim 49, wherein said first flow passage member and said second flow passage member are each cylindrical and coaxial with each other. 제49항에 있어서, 상기 제2 유동 통로 부재를 포위하여 에워싸는 외벽 부재는 상기 제2 유동 통로 부재에 대하여 반경 방향으로 일정 간격을 두는 관계로서 배치되어 있는 원통형 측벽, 상기 제1 유동 통로 부재가 관통하여 연장하는 상단 벽, 그리고 상기 제2 유동 통로 부재와 상기 외벽 부재의 측벽과의 사이의 하단 벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.50. The cylindrical wall member of claim 49, wherein the outer wall member surrounding and enclosing the second flow passage member has a cylindrical side wall disposed in a radially spaced relation with respect to the second flow passage member, and the first flow passage member penetrates. And a bottom wall extending between the second flow passage member and the side wall of the outer wall member. 제49항에 있어서, 상기 외벽 부재에 배치되어 상기 제2 유동 통로 부재와 외벽 부재와의 사이의 포위된 환형 내용적부 내로 액체를 주입시키는 액체 유동 입구 포트는 주입된 액체를 상기 제2 유동 통로 부재의 상부의 액체 투과성 부분 둘레로 원주 방향으로 분포시키기 위하여 액체를 상기 포위된 환형 내용적부 내로 접선 방향으로 공급하도록 구성 및 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.50. The liquid flow inlet port of claim 49, wherein the liquid flow inlet port disposed in the outer wall member for injecting liquid into the enclosed annular volume portion between the second flow passage member and the outer wall member includes: A gas / liquid interface structure, configured and arranged to tangentially feed liquid into the enclosed annular volume to distribute circumferentially around a liquid permeable portion of the top of the substrate. 제49항에 있어서, 상기 둑에서의 액체 속도가 입구 구조체의 높이와 최소의 습윤 속도와 무관하도록 구성 및 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.50. The gas / liquid interface structure of claim 49, wherein the liquid velocity at the weir is constructed and arranged to be independent of the height of the inlet structure and the minimum wetting velocity. 반도체 제조시의 유출 기체 처리용 시스템으로서,As a system for treating outflow gas in semiconductor manufacturing, 유출 기류를 발생시키는 반도체 제조 유닛과;A semiconductor manufacturing unit for generating outflow airflow; 유출 기류를 산화 처리하는 산화 유닛과;An oxidation unit for oxidizing the outflow air stream; 기류를 산화 유닛으로부터 하류의 처리 유닛으로 운반하는 기체/액체 계면 구조체Gas / liquid interface structure that delivers airflow from the oxidation unit to downstream processing units 를 구비하며, 상기 기체/액체 계면 구조체는And a gas / liquid interface structure 상기 기류를 주입시키기 위한 상부 도입부와 상기 기류를 배출하기 위한 하단부를 구비한 연직 방향으로 뻗은 제1 유동 통로 부재와;A first flow passage member extending in a vertical direction having an upper introduction portion for injecting the airflow and a lower end portion for discharging the airflow; 상기 제1 유동 통로 부재를 일정 간격을 두고 에워싸서 그 부재와의 사이에 환형 용적부를 형성하며, 그 하단부가 하방으로 상기 제1 유동 통로 부재의 하단부 아래까지 뻗어 있으며, 상부의 액체 투과성 부분과 이 액체 투과성 부분 아래에 있는 하부의 액체 불투과성 부분을 구비하고 있는 제2 유동 통로 부재와;Surrounds the first flow passage member at regular intervals to form an annular volume therebetween, the lower end of which extends downwards below the lower end of the first flow passage member, A second flow passage member having a lower liquid impermeable portion below the liquid permeable portion; 상기 제2 유동 통로 부재를 포위하여 에워싸서 그 통로 부재와 함께 포위된 환형 내용적부를 형성하는 외벽 부재;An outer wall member surrounding and enclosing the second flow passage member to form an annular inner portion surrounded with the passage member; 상기 외벽 부재에 배치되어 상기 제2 유동 통로 부재와 상기 외벽 부재와의 사이의 상기 포위된 환형 내용적부에 액체를 주입하는 액체 유동 입구 포트; 그리고A liquid flow inlet port disposed in said outer wall member for injecting liquid into said enclosed annular internal volume between said second flow passage member and said outer wall member; And 기체/액체 계면 구조체로부터 유출 기류를 수용하는 하류 처리 유닛Downstream treatment unit for receiving an outlet airflow from the gas / liquid interface structure 을 구비하는 것을 특징으로 하는 유출 기체 처리용 시스템.Emission gas treatment system comprising a. 기류를 기체 처리 시스템에 주입하는 입구 구조체로서,An inlet structure for injecting airflow into a gas treatment system, 기체 유동로의 상부 섹션을 에워싸는 상부 벽 섹션과, 기체 유동로의 하부 섹션을 에워싸는 하부 벽 섹션으로 이루어진 기체 유동로 포위 벽과;A gas flow passage surrounding wall consisting of an upper wall section surrounding an upper section of the gas flow passage and a lower wall section surrounding a lower section of the gas flow passage; 기류가 들어와 관통하여 유동하도록 배열된 기체 운송관으로서, 기체 유동로의 내부에 배치되며, 상기 상부 벽 섹션에 의해 포위된 기체 유동로의 상부 섹션의 적어도 일부까지 축방향으로 뻗어 통과하고, 기체 유동로의 출구 단부에서 종지되어 층류 유동하는 기류를 기체 유동로의 하부 섹션으로 방출하도록 배치되는 기체 운송관과;A gas delivery conduit arranged to allow airflow to enter and flow therethrough, disposed in an interior of a gas flow passage, extending axially through at least a portion of an upper section of the gas flow passage surrounded by the upper wall section, and flowing the gas flow. A gas delivery line terminated at the outlet end of the furnace and arranged to discharge the laminar flow of air into the lower section of the gas flow path; 기체 운송관을 통해 유동하여 그 출구 단부에서 기체 유동로의 하부 섹션으로 방출되는 기류의 공동 환형 층류 유동의 기체 유동로의 상부 섹션의 보호용 가스를, 그 보호용 가스의 축방향 층류 유동이 기체 운송관으로부터 방출된 기류의 층류 유동을 보호하도록, 기체 유동로의 하부 섹션으로 주입하는 수단The protective gas in the upper section of the gas flow path of the cavity annular laminar flow of air flow flowing through the gas delivery pipe and exiting from the outlet end to the lower section of the gas flow path, the axial laminar flow of the protective gas being the gas delivery pipe. Means for injecting into the lower section of the gas flow path to protect the laminar flow of the air stream discharged from the 을 포함하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.Inlet structure comprising a. 제59항에 있어서, 상기 벽은 액체 공급원과 공급 관계로 구성 및 배치되어, 상기 벽과 기류의 접촉을 방지하도록 그 벽의 표면 상에 하강 액막을 제공하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.60. The inlet structure as claimed in claim 59, wherein said wall is constructed and arranged in a supply relationship with a liquid source to provide a falling liquid film on the surface of said wall to prevent contact of said wall with airflow. 제59항에 있어서, 상기 입구 구조체는 기체가 기체 정화기 유닛으로 방출되도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체60. The inlet structure as claimed in claim 59, wherein the inlet structure is arranged such that gas is released into the gas purifier unit. 제59항에 있어서, 상기 기체 운송관은 기체 유동로의 하부 섹션의 출구 단부에서 종지하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.60. The inlet structure according to claim 59, wherein the gas delivery line terminates at the outlet end of the lower section of the gas flow path. 제59항에 있어서, 상기 상부 벽 섹션은 보호용 기체를 공급원으로부터 수용하도록 배치된 기체 투과성 벽을 포함하여, 기체 투과성 벽을 통해 보호용 기체가 유동하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.60. The inlet structure of claim 59, wherein the upper wall section comprises a gas permeable wall disposed to receive a protective gas from a source, such that the protective gas flows through the gas permeable wall. 제59항에 있어서, 상기 하부 벽 섹션은 액체 넘침 둑을 형성하는 벽 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.60. The inlet structure as claimed in claim 59, wherein said lower wall section comprises a wall portion forming a liquid overflow bank. 제59항에 있어서, 상기 상부 벽 섹션과 하부 벽 섹션은 직경이 동일하며, 상기 기체 운송관은 상부 벽 섹션 및 하부 벽 섹션과 동축인 것을 특징으로 하는 입구 구조체.60. The inlet structure according to claim 59, wherein the upper wall section and the lower wall section are the same diameter and the gas delivery line is coaxial with the upper wall section and the lower wall section. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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