KR20000062400A - Inlet structures for introducing a particulate solids containing and/or solids forming gas stream to a gas processing system - Google Patents

Inlet structures for introducing a particulate solids containing and/or solids forming gas stream to a gas processing system Download PDF

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Abstract

본 발명은 기체의 상류 공급원(90)으로부터 하류 지점으로 기류를 통과시키기 위한 입구 구조체(60)에 관한 것으로, 이 입구 구조체(60)는 입자와 박막의 침적 및 형성을 억제할 뿐만 아니라 유체역학적 악영향을 억제하도록 구성되고, 배치 및 작동된다.The present invention relates to an inlet structure 60 for passing airflow from an upstream source 90 of gas to a downstream point, which not only inhibits the deposition and formation of particles and thin films, but also adversely affects hydrodynamics. Are configured, arranged and operated.

Description

입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 기체 처리 시스템에 주입하기 위한 입구 구조체{INLET STRUCTURES FOR INTRODUCING A PARTICULATE SOLIDS CONTAINING AND/OR SOLIDS FORMING GAS STREAM TO A GAS PROCESSING SYSTEM}INLET STRUCTURES FOR INTRODUCING A PARTICULATE SOLIDS CONTAINING AND / OR SOLIDS FORMING GAS STREAM TO A GAS PROCESSING SYSTEM}

입상 고체 함유 기류 및/또는 입상 고체 형성 기류를 처리하는 공정에 있어서, 처리 장비의 입구 구조체가 상기 기류의 입상 고체에 의해 막히는 것은 종종 문제가 된다. 입상 고체 함유 기류 및/또는 입상 고체 형성 기류가 상기 처리 장비를 통해 유동함에 따라, 상기 고형물은 입구 구조체의 표면 및 통로에 침적될 수 있다.In the process of treating the particulate solid-containing air stream and / or the particulate solid-forming air stream, it is often a problem that the inlet structure of the processing equipment is blocked by the particulate solid in the air stream. As the particulate solid containing air stream and / or particulate solid forming air flow flows through the processing equipment, the solids may be deposited on the surfaces and passages of the inlet structure.

상기 처리 장비가 계속 운전되면서 입상 고체들이 축적된다면, 이러한 장비의 입구 구조체는 완전히 막히기에 충분할 정도로 막힐 수도 있다. 또는, 이러한 고형물들의 축적으로 인해 처리 유닛의 유입구가 막히지는 않을 수도 있지만, 상기 처리 장비가 그 의도한 목적을 달성하기에는 상당히 비효율적으로 될 정도로 기류의 유동이 손상되고 상기 시스템에서의 압력 강하가 증대될 수도 있다.If particulate solids accumulate as the processing equipment continues to run, the inlet structure of such equipment may be blocked enough to completely block it. Alternatively, the accumulation of such solids may not block the inlet of the processing unit, but the flow of airflow will be impaired and the pressure drop in the system will be increased to such an extent that the processing equipment is considerably inefficient to achieve its intended purpose. It may be.

일반적으로, 기류와 관련된 입자들은 (i) 상류의 처리 유닛에서 발생되어 기류와 함께 하류의 입구 구조체에 이르는 입자, (ii) 시스템 라인으로 들어가는 누설물로부터의 산소와, 처리 기체 성분과의 반응에 의해 상기 시스템 라인에 형성된 입자, (iii) 기류가 하류의 입구 구조체에 이르는 유동 중에 둘 이상의 처리 기체 차단(process off-gas) 반응으로 인해 상기 시스템 라인에 형성된 입자, (iv) 하류의 입구 구조체에 이르는 차단 기체들의 (부분적인) 응축에 의해 형성된 입자, (v) 예컨대, 하류의 물 정화 장치(water scrubber)와 같은 하류의 기류 처리 유닛으로부터의 역확산(back-diffusion) 산소 또는 수증기와, 처리 기체들과의 반응에 의해 형성된 입자 등을 비롯한 여러 공급원으로부터 유래될 수 있다. 응축에 의해 입자가 형성되는 몇몇 상황에 있어서, 기류의 응축 가능한 부분을 제거하기 위하여, 처리 라인을 가열함으로써 상기 문제점을 개선할 수 있다. 그러나, 처리 라인을 가열한다 하더라도, 다른 공급원들에서 유래하는 입자와 관련된 문제들은 여전히 남아 있다.In general, particles associated with the air stream are (i) particles generated in the upstream treatment unit and upstream with the air stream to the downstream inlet structure, (ii) oxygen from the leaks entering the system line, and reaction with the treatment gas component. Particles formed in the system line by means of (iii) particles formed in the system line due to two or more process off-gas reactions during the flow of air to the downstream inlet structure, and (iv) in the inlet structure downstream. Treatment with particles formed by (partial) condensation of the blocking gases leading to, (v) back-diffusion oxygen or water vapor from a downstream air flow treatment unit, such as a downstream water scrubber, And from various sources, including particles formed by reaction with gases. In some situations where particles are formed by condensation, this problem may be ameliorated by heating the processing line to remove condensable portions of the air stream. However, even if the treatment line is heated, problems with particles from other sources still remain.

특히, 반도체 제조 분야에 있어서, (a) 기류를 처리하기 위하여 이용되는 하류의 산화 작업 및/또는 물 정화 작업의 연소 생성물과 같이, 유입되는 수 민감성(water sensitive) BCl3, WF6, DCS, TCS, SiF4등의 기체와 비균질한 방식으로 또는 균질한 방식으로 가수 분해 반응(hydrolysis reaction)을 야기하는 모세관 작용에 의한 수증기 또는 액상 물의 유입구로의 복귀 이동, (b) 열적으로 민감한 유입 기체들의 열분해, (c) 시스템 내의 전이점(transition point)으로 인한 유입 기체들의 응축 등으로 인해 유입구의 막힘 현상이 일어나기 쉽다.In particular, in the field of semiconductor manufacturing, (a) incoming water sensitive BCl 3 , WF 6 , DCS, such as combustion products of downstream oxidation and / or water purification operations used to treat the airflow; Return movement of water vapor or liquid water to the inlet by capillary action causing a hydrolysis reaction in a heterogeneous or homogeneous manner with a gas such as TCS, SiF 4 , (b) Pyrolysis, and (c) condensation of inlet gases due to transition points in the system, are likely to cause clogging of the inlet.

전술한 유입구 막힘 문제로 인해, 유입구에 고형물들이 축적되지 않도록 하기 위하여 플런저 기구 또는 다른 고형물 제거 수단을 합체할 필요가 있다. 그러나, 이러한 기계적 고정 장치들은 상기 시스템에 상당한 비용 및 노동력을 추가시키고, 시간이 경과할수록 유입을 손상시킬 수 있다. 다른 경우에 있어서, 유입구의 막힘 문제는 시스템 전체에 영향을 줄 수 있고, 유입구에 고형물들이 축적되지 않도록 하기 위하여 주기적인 예방 조치를 취할 필요가 있다. 그러나, 이러한 조치를 하기 위해서는 시스템을 정지시켜야 하고, 이러한 조치를 취하게 되면 유입구가 연관되어 있는 제조 설비 또는 처리 설비의 생산성이 저하된다.Due to the inlet blockage problem described above, it is necessary to incorporate a plunger mechanism or other solids removal means to prevent solids from accumulating at the inlet. However, these mechanical fasteners add significant cost and labor to the system and can damage the ingress over time. In other cases, clogging of the inlet can affect the entire system and it is necessary to take periodic precautions to ensure that solids do not accumulate at the inlet. However, these measures require the system to be shut down, which reduces the productivity of the manufacturing or processing plant to which the inlet is associated.

반도체 공정 유출 기류 처리 시스템에서 수증기 또는 물이 모세관 작용에 의해, 하류 물 정화 장치로부터 상류 입구 구조체로 역류하는 현상이 발생하는 것을 고려하여[물 정화 장치로부터 방출된 수증기는 처리 기체의 통상적인 유동 방향과는 반대로, 물 정화 장치 유입구로부터 처리 공구를 향해 복귀 이동한다], 수증기의 복귀 이동 수송시에 여러 매카니즘이 포함될 수 있다.In view of the phenomenon that water vapor or water flows back from the downstream water purification device to the upstream inlet structure in the semiconductor process outflow airflow treatment system, the water vapor discharged from the water purification device is subjected to the normal flow direction of the processing gas. In contrast, return movement from the water purification device inlet toward the processing tool], various mechanisms may be involved in the return movement transport of water vapor.

이러한 매카니즘 중 하나는 기체-기체 상호 확산이다. 수증기가 복귀 이동하는 것을 피하는 유일한 실질적인 방법은 확산 경계를 물 정화 장치 유입구에 추가하는 것이다.One such mechanism is gas-gas interdiffusion. The only practical way to avoid the return movement of water vapor is to add a diffusion boundary to the water purifier inlet.

수증기의 이러한 역확산을 위한 다른 매카니즘은 이른바 리차드슨 환형 효과(Richardson effect annular effect)이다. 모든 건식 펌프(dry pump)는 기체 유동 기류에 어떤 양의 압력 진동을 야기한다. 이러한 압력 진동은 기체들을 통상적인 기체 유동 방향과는 반대로 펌핑하는 역류 수송 매카니즘을 야기한다. 이러한 현상은 경계층 환형 효과의 결과이다. 이러한 효과 때문에, 역류 이동 속도는 벽의 표면에서 짧은 거리로 떨어져 있는 곳에서 가장 크다.Another mechanism for this despreading of water vapor is the so-called Richardson effect annular effect. All dry pumps cause some amount of pressure vibration in the gas flow stream. This pressure oscillation causes a countercurrent transport mechanism that pumps the gases in opposition to the usual gas flow direction. This phenomenon is the result of the boundary layer annular effect. Because of this effect, the reverse flow velocity is greatest where it is a short distance away from the surface of the wall.

처리 장비들이 계속 운전되면서 입상 고체들이 계속 축적된다면, 이러한 장비의 입구 구조체는 전체가 막히기에 충분할 정도로 막힐 수 있다. 또는, 이러한 고형물들의 축적에 의해 처리 유닛의 유입구가 막히지는 않을 수 있지만 처리 장비가 그 의도한 목적을 달성하기에는 상당히 비효율적으로 될 정도로 기류의 유동이 손상되고 시스템에서의 압력 강하가 증대될 수 있다.If the granular solids continue to accumulate as the processing equipment continues to run, the inlet structure of such equipment may be blocked enough to block the entirety. Alternatively, the accumulation of such solids may not block the inlet of the processing unit but may impair the flow of airflow and increase the pressure drop in the system to such an extent that the processing equipment is considerably inefficient to achieve its intended purpose.

특히, 반도체 장치의 제조시에 발생된 폐기류와 같은 기류를 세정하는 데 사용되는 물 정화 장치의 경우에, 물 정화 장치로 유입하는 기류를 구성하는 폐기체는 CVD 또는 다른 증착 작업에 의해 생기는 초미세 실리카 입자, 금속 입자와 같이 상당히 미세한 입자들을 함유하거나 (반응 또는 응축에 의해) 그러한 입자들을 생성할 수 있다. 이러한 폐기류는 폐기체 물 정화 장치의 유입구를 매우 쉽게 막히는 경향이 있다. 그 결과, 물 정화 장치의 유입구를 빈번하게 수작업으로 세척할 필요가 있다.In particular, in the case of a water purification device used to clean airflow such as waste stream generated in the manufacture of a semiconductor device, waste material constituting the airflow flowing into the water purification device may be prepared by CVD or other deposition operations. It may contain fairly fine particles, such as fine silica particles, metal particles, or produce such particles (by reaction or condensation). These waste streams tend to clog the inlet of the waste water purification system very easily. As a result, it is necessary to frequently wash the inlet of the water purification device manually.

이처럼 유입구가 막히기 쉽다는 것은 반도체 산업에서 현재 시판되고 있는 물 정화 장치 유닛의 주단점이다. 이러한 용례에서, 물 정화 장치의 입구가 막히는 데 필요한 시간은 공정에 의존하고, 위치에 따라 특유하다. 유입구의 막힘으로 인해 물 정화 장치가 고장나는데 드는 평균 시간에 영향을 주는 인자들로는, 물 정화 장치에서 처리될 입자 함유 처리 유출 기류을 발생시키는 처리 공구, 물 정화 장치에서 처리될 상기 유출 기류을 발생시키는 상류 처리 유닛에서 이용되는 특정 처리법(specific process recipe) 및 화학 작용, 상기 시스템 내의 펌프 및 처리 라인을 씻어내는 데 사용되는 불활성 기체 세정물(inert gas purge)의 특성 등이 있다. 처리 시스템에 입자들이 축적되는 것에 기여하거나 영향을 미치는 것으로 의심되는 다른 처리 조건 및 인자들이 있지만, 아직 명확히 정의되지는 않았다. 애브루 알(Abreu, R.), 트룹 에이(Troup, A.) 및 사암 엠(Sahm, M.)의 "저압의 화학적 증착 및 플라스마 강화 화학적 증착 반도체 공정의 배출 시스템에서의 이례적인 고형물 형성 원인(Causes of anomalous solid formation in the exhaust systems of low-pressure chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition semiconductor processes)"(1994년 7월/8월, J.Vac.Sci.Technol.B 12(4)의 2763-2767)을 참조한다.Such inlet plugging is a major drawback of water purification unit units currently available in the semiconductor industry. In this application, the time required for the inlet of the water purification device to be clogged depends on the process and is unique to the location. Factors affecting the average time for the water purification unit to fail due to blockage of the inlet include: a processing tool for generating a particle-containing treatment outflow airflow to be treated in the water purification unit, and an upstream treatment for generating the outflow airflow to be treated in the water purification unit. The specific process recipes and chemistries used in the unit, the nature of the inert gas purge used to flush the pumps and processing lines in the system. There are other treatment conditions and factors suspected of contributing or affecting the accumulation of particles in the treatment system, but not yet clearly defined. Abreu, R., Troup, A., and Sahm, M., "The Causes of Unusual Solid Formation in Low Pressure Chemical Deposition and Plasma Enhanced Chemical Deposition Semiconductor Process Discharge Systems. Causes of anomalous solid formation in the exhaust systems of low-pressure chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition semiconductor processes "(July / August 1994, J. Vac. Sci. Technol. B 12 (4), 2763 -2767).

반도체 제조 작업 중에 유출되는 기체들의 처리와 같은 작업의 경우에, 폐기체들은 유출 기체의 산화 가능한 유해 성분들을 산화력에 의해 줄이기 위하여, 열산화 또는 다른 산화 반응 공정에 의해 산화 처리될 수 있다. 이러한 산화에 의해서, 처리 설비로부터 대기로의 배출시 유해할 수 있는 다른 성분들이 산화력에 의해 제거될 수 있을 뿐만 아니라, 유출 기류 중의 자연성(自燃性, phyrophoric) 성분 및 유독 성분들이 상당히 감소될 수 있다.In the case of an operation such as the treatment of gases flowing out during a semiconductor manufacturing operation, the wastes may be oxidized by thermal oxidation or other oxidation reaction process, in order to reduce the oxidizable harmful components of the effluent gas by oxidizing power. By this oxidation, not only the other components that may be harmful when discharged from the treatment plant to the atmosphere can be removed by the oxidizing power, but also the natural and phyrophoric components and toxic components in the effluent stream can be significantly reduced. .

이와 같이 처리되는 유출 기체들에는 예컨대, CVD 또는 다른 증착 작업 중에 발생하는 초미세 실리카 입자, 금속 입자 등과 같이 상당히 미세한 입자가 함유될 수 있지만, 이러한 기류에는 산화 처리시 통상적으로 사용되는 고온, 처리 환경에서 부식성이 있을 수 있는 상당한 기체 성분들이 함유될 수 있다. 이러한 부식 특성으로 인해, 산화 처리 중에 나오는 고온의 유출 기류와 관련하여 문제가 생기고, 이러한 유출 기류 중의 입자 함량에 기여할 수 있는 고체의 누적성 문제가 생긴다.The effluent gases thus treated may contain fairly fine particles, such as ultrafine silica particles, metal particles, etc., generated during CVD or other deposition operations, but such air flows include high temperature, processing environments typically used in oxidation treatments. Significant gas components may be contained that may be corrosive at. These corrosive properties create problems with the hot effluent air streams present during the oxidation treatment, and with the cumulative problem of solids that can contribute to the particle content in these effluent air streams.

이러한 기류 중의 입상 고체들은 예컨대, 물 정화 작업을 비롯한 하류의 처리 작업과 같이 하류의 처리 장비를 막히게 할 수 있다. 정화 장비가 막히는 것은 당업계에서 상당한 문제가 된다. 이것은 연소 장치에 고유한 고온의 산화 상태로부터 냉각실(quench chamber)의 저온 습식 상태로의 전이가 있는 경우에 특히 문제가 된다. 자명한 일로서, 고온의 연소 상태로부터 습식의 냉각 상태로의 유동 전이가 일어나는 전이 영역이 존재한다. 이러한 산화/정화/냉각 시스템과 관련된 문제로는 입자들의 축적 문제, 습식 구역 바로 위 냉각 영역 부분에 축적되는 점착성 부착 입자(sticky adhering particulate)를 생성하는 습식 냉각 구역으로부터의 수분 및 스프레이의 역확산으로 인한 단면이 막히는 문제 등이 있다.Granular solids in this air stream can clog downstream treatment equipment, such as downstream treatment operations, including water purification operations. Clogging of the purification equipment is a significant problem in the art. This is especially a problem when there is a transition from the high temperature oxidation state inherent in the combustion device to the low temperature wet state of the quench chamber. Obviously, there is a transition region where a flow transition from a hot combustion state to a wet cooling state occurs. Problems associated with this oxidation / purification / cooling system include the accumulation of particles, the despreading of water and spray from the wet cooling zone, which produces sticky adhering particulate that accumulates in the cooling zone portion just above the wet zone. There is a problem such that the cross section is blocked.

습식/건식 계면의 위치를 항구적으로 정하지 못하는 데에는 다른 문제가 있다. 시스템의 유체 역학적 상태가 변함에 따라 습식/건식 계면의 위치가 변할 수 있기 때문에, 이에 상응하여 습식/건식 계면을 정확히 정하기가 매우 어려워 진다. 상기 계면의 위치에 영향을 미치는 인자들로는 (a) 연소 차단 기체 유량 및 열적 총효율(thermal duty), (b) 냉각 스프레이 유량 및 오버플로 위어 유량(overflow weir flow rate), (c) 상기 냉각 스프레이 또는 오버플로 위어 유동의 역혼합 및 소용돌이 등이 있다. 습식/건식 계면의 위치를 고정할 수 없음으로 인해 다음과 같은 두 가지 문제점이 생긴다. 즉 (1) 입자가 응결되기 쉬운 영역이 생기고, (2) 그 결과 상기 냉각 영역의 재료들이 부식될 수 있다.Another problem is the inability to permanently locate the wet / dry interface. Since the position of the wet / dry interface can change as the hydrodynamic state of the system changes, it becomes very difficult to pinpoint the wet / dry interface correspondingly. Factors affecting the location of the interface include (a) combustion shutoff gas flow rate and thermal duty, (b) cooling spray flow rate and overflow weir flow rate, and (c) the cooling spray. Or backmixing and vortexing of overflow weir flows. The inability to fix the location of the wet / dry interface results in two problems: That is, (1) areas where particles tend to condense are created, and (2) the materials in the cooling zones can be corroded as a result.

연소 및 냉각 장비에 사용되는 대부분의 합금들은 특정 조합의 조건들에 대하여 내부식성이 있다. 고온의 산화 조건에 견디는 이들 합금은 통상적으로 습식 부식 조건에 대해서는 적절하지 못하고, 그 반대 조건에서도 마찬가지이다. 이러한 문제점은 할로겐, 황화제(sulfidizing agent) 등과 같이 부식 또는 산화를 가속시키는 다른 물질들이 존재하는 경우에 더욱 악화된다. 구성 재료의 특정 전이를 정확히 정하는 것은 불가능하기 때문에, 상당히 비싸고 단지 보통의 수준으로 기능을 수행하는 신종 구성 재료를 사용할 필요가 있게 된다.Most alloys used in combustion and cooling equipment are corrosion resistant to certain combinations of conditions. These alloys that withstand high temperature oxidation conditions are typically unsuitable for wet corrosion conditions and vice versa. This problem is exacerbated in the presence of other materials that accelerate corrosion or oxidation, such as halogens, sulfidizing agents and the like. Since it is impossible to pinpoint specific transitions of constituent materials, it is necessary to use new constituent materials that are quite expensive and only function at a moderate level.

이러한 문제를 해결하기 위해, 상당한 노력이 기울여져 왔다. 최근까지, 받아들여질만한 어떠한 해결책도 발견되지 않았고, 제안된 해결책들은 모두 여러 결점들이 있었다. 통상적으로, 필요성의 문제로서 두 가지의 접근법이 이용된다. 첫 번째 방법은 상기 전이부에서 벽을 적시기 위하여 오버플로 위어를 이용하는 것이다. 두 번째 방법은 서브머지드 냉각(submerged quench)을 이용하는 것이다. 상기 오버플로 위어는 입자가 축적되는 것을 방지하는 데 최적의 작업을 수행하지만, 3가지의 주요 단점이 있다. 오버플로 위어는 물의 주입 지점에서 습식/건식 계면을 여전히 갖고 있기 때문에 입자가 축적되는 것을 방지하는 데 단지 보통의 작업만을 수행한다. 오버플로 위어는 최소의 금속 표면 습식률(wetting rate)을 유지하기 위하여, 상당 수준의 물을 필요로 한다. 또한, 오버플로 위어는 냉각 영역의 금속을 보호하는 균일한 하강 박막(falling film)을 유지하기 위하여 정확한 레벨링(leveling)을 필요로 한다.To solve this problem, considerable effort has been made. Until recently, no acceptable solution was found, and all of the proposed solutions had several drawbacks. Typically, two approaches are used as a matter of necessity. The first method is to use an overflow weir to wet the wall at the transition. The second method is to use submerged quench. The overflow weir does an optimal job of preventing the accumulation of particles, but there are three major drawbacks. The overflow weirs still have a wet / dry interface at the point of injection of water, so they only do the usual work to prevent the accumulation of particles. Overflow weirs require a significant amount of water to maintain a minimum metal surface wetting rate. In addition, overflow weirs require accurate leveling to maintain a uniform falling film that protects the metal in the cooling zone.

이러한 문제들 중에서, 가장 중요한 것은 오버플로 위어 물 첨가율을 최소 습윤 속도 및 장치의 수준(levelness)과 직접 결부시키는 것이다. 이들 인자는 오버플로 위어에의 물 첨가율을 최소화하는 것을 배제하고, 받아들일 수 없는 제한을 구성한다. 냉각 장비를 레벨링하는 데 아무리 많은 노력이 투입되어도, 연소/냉각 공정 중에 포함되는 고유의 열응력으로 인해 공차 범위 내에 냉각 레벨을 유지하기 위해서는 장치를 일정하게 재레벨링할 필요가 있다는 것이 발견되었다. 이러한 상황에서는 허용 할 수 없는 정도의 유지 노력이 수반되어야 한다. 습윤 속도 및 구조체의 수준을 최소로 하는데에 필요한 조건들에 대한 논의는 페이와 칠턴(Perry & Chilton)의 "화학 공학 핸드북"(제5판 pp. 5-57)에서 발견할 수 있다. 또한, 헤위트 지. 에프(Hewitt, G.F.) 등의 "열전달 처리"(CRC Press, pp. 539-541)와, 서브머지드 냉각의 상세한 설명을 위해 상기 참고 문헌의 475면을 참조한다.Of these problems, the most important is to directly associate the overflow weir water addition rate with the minimum wetting speed and level of the device. These factors preclude minimizing the rate of water addition to the overflow weir and constitute an unacceptable limit. No matter how much effort is put into leveling the cooling equipment, it has been found that due to the inherent thermal stresses involved during the combustion / cooling process, it is necessary to constantly relevel the device in order to maintain the cooling level within the tolerance range. In these situations, an unacceptable maintenance effort must be involved. A discussion of the conditions necessary to minimize the rate of wetting and the structure can be found in Pey & Chilton's "Chemical Engineering Handbook" (Fifth Edition pp. 5-57). Also, Hewitt. See "Heat Transfer Treatment" (CRC Press, pp. 539-541) by Hewitt, G.F. et al., And page 475 of this reference for a detailed description of submerged cooling.

산업 폐기류의 처리시에, 공정 장치의 (폐기체 유동 방향에 대해) 하류에 세정 장치를 합체하는 것은 통상적인 일이다. 세정 장치는 상류의 처리 작업 중에 발생되는 유출물들을 수용하고 처리하는 기능을 한다.In the treatment of industrial waste streams, it is common to incorporate a cleaning device downstream of the processing equipment (relative to the waste flow direction). The cleaning apparatus functions to receive and treat effluents generated during the upstream treatment operation.

예컨대, 반도체 제조 산업에서, 여러 통합식 세정 장치가 상업적으로 이용 가능하고 반도제 제조 공정에서 나오는 유출물 및 차단 기체들을 처리하는 데 종종 사용된다. 반도체 제조 공정에는 화학적 증착, 금속 에칭, 에칭 및 이온 주입 작업 등이 포함될 수 있다. 상업적인 통합식 기류 세정 장치의 예로는, 델라테크 제어식 분해 산화제(Delatech Controlled Decomposition Oxidizer), 던쉬흐트 아나라젠 시스템 이스케이프 시스템(Dunnschicht Analagen System Escape system), 에드워드 열 처리 유닛(Edwards Thermal Processing Unit) 등이 있다. 이들 각 시스템에는 고온 산화부로부터 나오는 방출 기체의 온도를 제어하도록 습식 냉각 장치가 합체되어 있고, 유출 기체들을 산화적으로 분해시키기 위한 열 처리 유닛과, 산화 공정시 발견되는 산성 기체 및 입자들을 제거하기 위한 습식 정화 시스템이 포함되어 있다.For example, in the semiconductor manufacturing industry, several integrated cleaning apparatuses are commercially available and are often used to treat effluents and barrier gases from semiconductor manufacturing processes. Semiconductor manufacturing processes may include chemical vapor deposition, metal etching, etching and ion implantation operations. Examples of commercially integrated air cleaners include the Delatech Controlled Decomposition Oxidizer, the Dunnschicht Analagen System Escape system, and the Edwards Thermal Processing Unit. have. Each of these systems incorporates a wet cooling device to control the temperature of the off-gas from the hot oxidizer, and includes a heat treatment unit to oxidatively decompose the effluent gases and to remove acid gases and particles found during the oxidation process. Wet purge system is included.

상기 사용된 것들과 같은 정화 장치에는 일반적으로, 유출물들을 수용하고 이들 수용물들을 액체 용매, 반응 용액 또는 슬러리와 역류 접촉(counter-current contact)시키는 긴 칼럼(elongated column)이 포함되어 있다. 역류 접촉 결과 밀접한 혼합(intimate mixing)이 일어나고, 이는 유출물에서 불순물들을 제거하는 흡착 공정을 도와준다.Purification devices, such as those used above, generally include an elongated column to receive the effluents and to counter-current contact them with a liquid solvent, reaction solution or slurry. Backflow contact results in intimate mixing, which assists the adsorption process to remove impurities from the effluent.

통합식 세정 시스템은 상기 제조 시스템의 필수 부분이 되도록 상기 제조 시스템에 설치될 수 있다. 이와는 대조적으로, 고립형 시스템(stand-alone system)은 상기 처리 또는 제조 시스템과는 독립적으로 하우징 구조체에 유지된다. 이러한 고립형 유닛은 상류 공정의 장비에 일체로 될 수 있지만, 고립형 유닛은 통합식 세정 시스템의 대응부보다 더 상당히 유동성이 있다.An integrated cleaning system can be installed in the manufacturing system to be an integral part of the manufacturing system. In contrast, a stand-alone system is maintained in the housing structure independent of the processing or manufacturing system. Such isolated units may be integrated into the equipment of the upstream process, but the isolated units are more fluid than the counterparts of the integrated cleaning system.

정화 기술을 이용하는 것은 통합식 세정 시스템에 제한되지 않고, 고립형 작동 시스템에도 합체될 수도 있다. 예로서, a) 가열되지 않고 화학적으로 반응하는 적층형 베드 건식 정화 장치, b) 가열되지 않고 화학적으로 흡수하는 방식의 적층형 베드 건식 정화 장치, c) 가열되고 화학적으로 반응하는 적층형 베드 건식 정화 장치, d) 가열되고 촉매식으로 반응하는 적층형 베드 건식 정화 장치, e) 습식 정화 장치, f) 화염을 기초로 하는(flame-based) 열처리 유닛 등이 있다. 이들 각각의 유닛은 처리 중의 기류 성질에 따라 선택된 용도에 적용할 수 있다.The use of purge technology is not limited to integrated cleaning systems, but may also be incorporated into isolated operating systems. For example: a) stacked bed dry purifier that is not heated and chemically reacted, b) stacked bed dry purifier that is not heated and chemically absorbed, c) stacked bed dry purifier heated and chemically reacted, d E) wet bed type purifier, e) wet purifier, f) flame-based heat treatment unit, and the like. Each of these units can be adapted to the selected application depending on the nature of the airflow during the treatment.

정화 장치 기술을 이용하면 정화 장치의 유입구, 라인 및 매니폴드가 입자에 의해 막히는 것을 비롯한 여러 결점이 수반된다. 부분적으로라도 막힌 라인 및/또는 매니폴드는 이를 통해 처리 기체가 효율적으로 유동하는 것을 방해한다. 부분적으로 막힌 라인 또는 매니폴드는 세정 장치의 통상적인 작업, 예컨대 용매 매체 내에 포함된 기체 성분(들)의 분해와 함께 발생하는 흡착 공정을 방해할 수도 있다.Purifier technology entails several drawbacks, including blockage of the inlet, line, and manifold of the purifier. Partially clogged lines and / or manifolds thereby prevent the processing gas from flowing efficiently. Partially clogged lines or manifolds may interfere with the normal operation of the cleaning apparatus, such as the adsorption process that occurs with the decomposition of gaseous component (s) contained in the solvent medium.

유출 기류를 정화시키는 용례에 있어서, 정화 장치를 막는 여러 원인들이 제시되어 왔다. 막힘은 물 또는 수증기와 반응하는 실리콘 함유 유입 성분(incoming species)과의 반응에 의해 야기될 수 있고, 실리콘을 함유하고 있는 작은 물방울이 정화 장치의 입구에 침적됨으로써 야기될 수 있다. 이러한 막힘 형성 기구는, 웨이퍼 상에서의 에피택셜형 성장(epitaxial growth)을 위해 사용되는 반도체 공구에 적용되고 트리클로로 실란(trichloro silane) 및 디클로로 실란(dichloro silane)을 사용하는 공정에서 나타난다. 막힘은 유입부 내의 응결 가능한 성분이 물 정화 장치에 응축 침적되어 야기될 수도 있다. 막힘은 수증기가 물 정화 장치로부터 유입 처리 라인으로 복귀 이동함으로써 야기될 수도 있다. 다음에, 상기 복귀 이동하는 수증기는 유입 성분과 반응하고, 저휘발성(low volatility) 재료를 형성하여 물 정화 장치로의 입구에 침적될 수 있다. 이 마지막 매카니즘은, 예컨대 금속 에칭 처리용 공구의 정화 장치를 감퇴시키는 특징이 있다.In applications for purifying effluent airflow, several causes of obstruction have been suggested. The blockage can be caused by reaction with a silicon-containing incoming species that reacts with water or water vapor, and can be caused by droplets containing silicon deposited at the inlet of the purification device. This clogging mechanism is applied to semiconductor tools used for epitaxial growth on a wafer and appears in processes using trichloro silane and dichloro silane. The blockage may also be caused by condensation of condensable components in the inlet to the water purification device. The blockage may be caused by water vapor moving back from the water purification apparatus to the inlet treatment line. The return moving water vapor can then react with the incoming components, form a low volatility material and deposit at the inlet to the water purification apparatus. This last mechanism is characterized, for example, by decaying the purification device of the tool for metal etching treatment.

금속 에칭 기계 작업 중에, 예컨대 BCl3(삼염화붕소)와 같은 방출 기체가 생성될 수 있다. BCl3는 수증기와 반응하여 비휘발성의 입상 붕산을 형성하는데, 이 붕산은 응결되고, 축적되며 입구 또는 입구 라인을 적어도 부분적으로 막히게 한다.During metal etching machine operation, release gases such as BCl 3 (boron trichloride) may be produced. BCl 3 reacts with water vapor to form nonvolatile granular boric acid, which is condensed, accumulates and at least partially blocks the inlet or inlet lines.

기존의 실시에 있어서, 이러한 형태의 막힘을 제거하고자 하는 몇 가지 방법이 시도 되었다. 한 가지 방법은 이렇게 막힌 부분을 통해 주기적으로 물을 분출시키는 것이다. 이는 압축 수류(pressurized water stream)를 막힌 부분에 가함으로써, 막힌 부분을 용해시켜 물을 분출시킨다. 그러나, 이러한 분출 처리에서는 바람직하지 않게도, 물의 복귀 이동이 이제는 분출수(fulsh water)의 주입 지점에서 발생되어 상류에서 WF6(텅스텐 헥사플루오라이드)와 같은 물에 민감한 기체와의 가수 분해 반응을 증대시키고, 그저 막힌 부분을 더욱 상류로 이동시킬 뿐이다.In existing practice, several methods have been attempted to remove this type of blockage. One way is to periodically pour water through these obstructions. This adds a pressurized water stream to the blocked portion, which dissolves the blocked portion and ejects water. However, undesirably in such a jetting process, the return movement of water is now generated at the injection point of the fulsh water, leading to hydrolysis reaction with water-sensitive gases such as WF 6 (tungsten hexafluoride) upstream. It simply increases the blockage further upstream.

다른 방법에서는 유입구 및 라인에서 고체의 축적이 일어나지 않도록 하기 위하여 기계식 플런저 기구 또는 다른 고체 제거 수단을 이용한다. 그러나, 이러한 기계식 해결 방법은 비용이 비싸고, 노동 집약적이며, 상당한 유지가 요구되고, 기계적으로 파손되기 쉽다.Other methods use mechanical plunger mechanisms or other solid removal means to ensure that no accumulation of solids occurs at the inlets and lines. However, this mechanical solution is expensive, labor intensive, requires substantial maintenance and is prone to mechanical breakage.

본 발명은 기류를 하류의 기체 처리 장치와 같은 하류 처리 장비에 주입하기 위한 입구 구조체에 관한 것이다. 특정 양태에 있어서, 본 발명은 입상 고체 함유 기류 및/또는 입상 고체 형성 기류를 기체 처리 시스템에 주입하기 위한 막힘 방지 입구 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to an inlet structure for injecting airflow into a downstream treatment equipment, such as a downstream gas treatment device. In certain embodiments, the present invention relates to an anti-clogging inlet structure for injecting particulate solid-containing air streams and / or particulate solid-forming air streams into a gas treatment system.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 막힘 방지 처리된(clogging-resistent) 입구 구조체에 대한 개략적인 도면.1 is a schematic diagram of a clogging-resistent inlet structure in accordance with an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 막힘 방지 처리된 입구 구조체에 대한 개략적인 도면.2 is a schematic view of a blockage-treated inlet structure according to another embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 막힘 방지 처리된 입구 구조체에 대한 개략적인 도면.3 is a schematic view of a blockage-resistant inlet structure according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 막힘 방지 처리된 입구 구조체에 대한 개략적인 도면.4 is a schematic view of an anti-clogging inlet structure according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 기체/액체 계면 구조체를 개략적으로 도시한 단면도.5 is a schematic cross-sectional view of a gas / liquid interface structure in accordance with an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 장치에 대한 평면도로서, 도 5에 도시된 계면 구조체에 포함된 환형 내용적부로 통과되는 액체에 대한 접선 방향 공급 장치를 나타내는 면.FIG. 6 is a plan view of the device of FIG. 5, showing a tangential feed device for liquid passing through the annular volume portion contained in the interface structure shown in FIG. 5. FIG.

도 7은 (1) 상류 반도체 제조 시스템; (2) 매니폴드 조립체; (3) 하류 정화 유닛을 포함하는 시스템을 개략적으로 도시한 도면.7 shows (1) an upstream semiconductor manufacturing system; (2) manifold assembly; (3) A schematic illustration of a system including a downstream purification unit.

도 8은 본 발명의 예시적인 실시예의 개략적인 도면.8 is a schematic diagram of an exemplary embodiment of the present invention.

도 9는 도 8의 예시적인 실시예에서 실행될 수 있는 세정 사이클의 단계들을 도시한 블록도.9 is a block diagram illustrating steps of a cleaning cycle that may be executed in the exemplary embodiment of FIG. 8.

넓은 관점에서, 본 발명은 예를 들면 입상 고체 함유 기류 및/또는 고체 형성 기류와 같은 기류를 기체 처리 시스템과 같은 하류의 처리 유닛으로 주입하는 입구 구조체에 관한 것으로, 상기 구조체는 (예를 들어, 고체 침적물, 기류 분해 등에 의한) 막힘 현상 및 기체 유동 기류의 우회(bypassing), 단락(short-circuiting) 등의 부정적인 유체역학적 효과를 최소화하도록 구성, 배열 및 작동된다.In a broad aspect, the present invention relates to an inlet structure that injects an air stream, such as, for example, a particulate solid containing air stream and / or a solid forming air stream into a downstream processing unit, such as a gas treatment system. It is constructed, arranged and operated to minimize negative hydrodynamic effects such as blockages (by solid deposits, air stream decomposition, etc.) and bypassing, short-circuiting of gas flow streams.

일 양태에서, 상기 입구 구조체에는 기체 유동 경로를 에워싸는 기체 투과성 벽과, 이 기체 투과성 벽을 포위하여 그 사이에 환형의 기체 저장조를 획정하는 외측 환형 재킷이 포함된다. 상기 외측 환형 재킷에는 입상 고체 함유 기류 및/또는 고체 형성 기류가 종래의 압축 기체 실린더와 같은 압축 기체 공급 용기를 부착하기 위한 재킷에 있는 포트와 같은 입구 구조체를 통해 기체 처리 시스템으로 유동하는 중에 상기 환형의 기체 저장조로 기체를 주입하는 수단이 제공된다. 이러한 구조체에 있어서, 상기 환형의 기체 저장조로 공급되는 기체는 기체 투과성 벽부의 내표면에 고체가 침적 또는 형성되는 것을 방지할 목적으로 상기 기체 투과성 벽을 통과하여 빠져나오기에 충분하게 압축된다.In one aspect, the inlet structure includes a gas permeable wall surrounding a gas flow path and an outer annular jacket surrounding the gas permeable wall and defining an annular gas reservoir therebetween. The outer annular jacket includes an annular solid containing air stream and / or a solid forming air stream while flowing into the gas treatment system through an inlet structure such as a port in a jacket for attaching a compressed gas supply vessel, such as a conventional compressed gas cylinder. Means for injecting gas into the gas reservoir are provided. In such a structure, the gas supplied to the annular gas reservoir is compressed sufficiently to escape through the gas permeable wall for the purpose of preventing solids from depositing or forming on the inner surface of the gas permeable wall portion.

다른 변형예로서, 전술한 입구 구조체에는 선택적으로 펄스화 고압 기체를 상기 환형의 기체 저장조로 주입하는 포트가 포함될 수 있고, 이 포트는 고압 기체 공급원 및 이 공급원으로부터 상기 환형의 기체 저장조로 기체를 펄스식으로 이송하는 이송 수단에 연결된다. 작동시, 이러한 펄스화 고압 기체 주입에 의하여 기체 투과성 벽 상에 추가의 막힘 저항 작용이 일어나며, 저압 기체가 벽부를 통해 일정하게 투과되는 경우에도, 맥동 현상(pulsatility)에 의해서 기체 투과성 벽의 내표면 상에 형성 또는 침적된 입상 물질이 제거된다. 외측 환형 재킷에 있는 포트는 환형 저장조로 유입되는 고압 기체가 접선 방향으로 유동하도록 구성 또는 배열될 수 있다.As another variation, the inlet structure described above may include a port for selectively injecting pulsed high pressure gas into the annular gas reservoir, which port pulses gas from the source and the annular gas reservoir from the source. It is connected to the conveying means for conveying in a manner. In operation, such pulsing high pressure gas injection causes additional blockage resistance on the gas permeable wall, and even when low pressure gas is permeated through the wall, the inner surface of the gas permeable wall is caused by pulsatility. The particulate matter formed or deposited on the phase is removed. Ports in the outer annular jacket can be configured or arranged to allow tangential flow of high pressure gas into the annular reservoir.

광범위하게 전술된 입구 구조체의 또 다른 변형예로서, 상기 기체 투과성 벽 및 외측 환형 재킷은 선택적으로 하류의 유동 경로 섹션과 연결되며, 이 하류의 유동 경로 섹션은, 기체 유동 경로의 대응하는 다른 섹션을 에워싸고 기체 투과성 벽과 함께 그 사이에 슬롯을 형성하는 벽을 포함한다. 상기 하류의 유동 경로 섹션의 벽은 외측 환형 재킷에 의하여 포위되어 상기 슬롯과 액체 넘침 관계로 그 사이에 환형의 액체 저장조를 획정함으로써, 환형의 액체 저장조가 상기 벽부의 높이에 의하여 정해지는 소정의 지점 이상으로 물이나 다른 액체로 채워지는 경우에, 상기 액체는 벽부를 넘어 하강 액막(falling liquid film)의 형태로 벽부의 내표면을 따라 아래로 연장된다. 따라서, 이러한 하강 액막은 벽부의 내표면에 고체가 침적되거나 형성되는 것을 방지하는 차폐 매체 또는 보호 매체를 제공하며, 또한 그럼에도 불구하고 벽부의 내표면에 침적되거나 형성된 고체를 모두 씻어내는 역할도 한다.As another variant of the inlet structure extensively described above, the gas permeable wall and outer annular jacket are optionally connected with a downstream flow path section, the downstream flow path section defining a corresponding other section of the gas flow path. It includes an enclosed, gas permeable wall and a wall forming a slot therebetween. The wall of the downstream flow path section is surrounded by an outer annular jacket to define an annular liquid reservoir between the slot and the liquid overflow relationship therebetween, whereby the annular liquid reservoir is defined by the height of the wall portion. In the case of filling with water or other liquid as above, the liquid extends downward along the inner surface of the wall portion in the form of a falling liquid film beyond the wall portion. Thus, the falling liquid film provides a shielding medium or a protective medium which prevents solids from depositing or forming on the inner surface of the wall portion, and nevertheless also serves to wash off any solids deposited or formed on the inner surface of the wall portion.

상기 입구 구조체의 하류 유동 경로 섹션의 외측 환형 재킷에는 포트 또는 다른 유입 수단이 제공될 수 있는데, 이 유입 수단은 유동 제어 밸브나 다른 유동 조절 수단을 포함하는 라인 또는 도관 등에 의해서 액체 수용 용기와 같은 액체 공급원에 연결된다.The outer annular jacket of the downstream flow path section of the inlet structure may be provided with a port or other inlet means, the inlet means being a liquid, such as a liquid containment vessel, by a line or conduit or the like comprising a flow control valve or other flow control means. Connected to the source.

전술한 구조체에 포함된 포트 요소로는 단일형 개구부, 채널, 연결 도관, 니플, 또는 다른 입구 구조체 및/또는 복수 개의 상기 구조체, 예를 들어 일련의 수직으로 및/또는 원주 방향으로 서로 일정 간격을 두고 배치된 입구 구조체 등이 있으며, 이를 통하여 각 경우에 유체는 그 포트와 연관된 환형 저장조의 내용적부로 이송된다.Port elements included in the above-mentioned structures may include a unitary opening, channel, connecting conduit, nipple, or other inlet structure and / or a plurality of said structures, for example, spaced from one another in a series of vertical and / or circumferential directions. There is an inlet structure, etc., through which in each case fluid is transferred to the contents of the annular reservoir associated with the port.

다른 양태에서, 본 발명의 입구 구조체는 서로 직렬 관계로 연결되고 대체로 연직 방향으로 배치된 제1 유동 통로 섹션 및 제2 유동 통로 섹션을 포함하며, 이러한 직렬 연결 관계에서 대체로 수직인 유동 통로를 획정하고, 이 통로를 통하여 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류는 입상 고체 함유 유체 및/또는 체 형성 유체의 상류 공급원으로부터 입구 구조체와 유체 기류를 수용하는 관계로 배치된 하항류 유체 처리 시스템을 향하여 흐를 수 있다.In another aspect, the inlet structure of the present invention comprises a first flow passage section and a second flow passage section connected in series with one another and generally disposed in a vertical direction, defining a generally vertical flow passage in this series connection relationship. Through this passage, the particulate solid-containing and / or solid-forming airflow may flow from the upstream source of the particulate solid-containing fluid and / or sieve fluid toward the downstream downstream fluid treatment system arranged to receive the inlet structure and the fluid airflow. have.

상기 제1 유동 통로 섹션은 입구 구조체의 상부이며 기체 투과성 내벽을 포함하고, 이 벽은 다공성 금속, 다공성 세라믹, 다공성 플라스틱, 또는 다른 적절한 구성 재료로 형성될 수 있으며, 유동 통로 섹션의 제1 상부를 둘러싼다. 다공성 내벽에는 유동 통로의 상부의 경계를 구획하는 내표면이 있다.The first flow passage section is the top of the inlet structure and includes a gas permeable inner wall, which wall may be formed of a porous metal, porous ceramic, porous plastic, or other suitable constituent material, the first top of the flow passage section Surround. The porous inner wall has an inner surface that partitions the upper boundary of the flow passage.

상기 기체 투과성 벽은 다공성 내벽과 간격을 두고 배치된 외벽에 의하여 포위되어 둘러싸인다. 외벽은 특성상 다공성이 아니지만, 그 외벽에는 기체 유동 포트가 제공된다. 이런한 배치에 의하여, 각각의 다공성 내벽과 이를 포위하는 외벽 사이에 환형의 내용적부가 형성된다.The gas permeable wall is surrounded and surrounded by an outer wall spaced apart from the porous inner wall. The outer wall is not porous in nature, but the outer wall is provided with a gas flow port. By this arrangement, an annular inner portion is formed between each porous inner wall and the outer wall surrounding it.

상기 기체 유동 포트는 다시 상기 기체 공급원에 유동이 이루어질 수 있는 관계로 연결될 수 있어, 기체가 환형의 내용적부로, 예를 들어 적당한 밸브 및 제어 수단에 의하여 미리 지정된 낮은 유량으로 유동하도록 하며, 이어서 기체가 환형의 내용적부로부터 유동 통로로 유동하도록 한다. 또한, 고압 기체 유동 포트가 제1 유동 통로 섹션의 외벽에 제공되며, 고압 기체 공급원과 유동이 이루어질 수 있는 관계로 연결되어 기체가 환형의 내용적부로 간헐적으로 유동하도록 하고, 이러한 고압 기체 유동은 다공성 내벽에 침적될 수 있는 입상 물질들을 (제1 유동 통로 섹션에 있는 유동 통로의 경계를 획정하는) 그 내벽으로부터 제거하는 역할을 한다. 마찬가지로, 고압 기체는 적당한 밸브 및 조절 수단에 의하여 원하는 압력으로 제어 유동될 수 있다.The gas flow port can in turn be connected in such a way that flow can be made to the gas source, allowing the gas to flow into the annular volume, for example at a low flow rate predetermined by suitable valves and control means, and then the gas To flow from the annular volume into the flow passage. In addition, a high pressure gas flow port is provided on the outer wall of the first flow passage section and is connected in such a way that flow can be made with the high pressure gas source to allow the gas to flow intermittently into the annular inner volume, which high pressure gas flow is porous Serves to remove particulate matter that may be deposited on the inner wall from its inner wall (which delimits the flow passage in the first flow passage section). Likewise, the high pressure gas can be controlled to flow to the desired pressure by suitable valves and regulating means.

제2 유동 통로 섹션은 제1 유동 통로 섹션과 직렬로 연결되어 입상 고체 함유 유체가 제1 유동 통로 섹션으로부터 하류의 제2 유동 통로 섹션으로 유동하도록 한다. 제2 유동 통로 섹션에는 유체 주입 포트가 마련된 외벽이 있으며, 상기 포트는 물이나 다른 처리 액체와 같은 액체 공급원과 연결된다. 외벽은 제1 유동 통로 섹션 및 제2 유동 통로 섹션의 각 외벽에 있는 덮개식 플랜지와 같은 것에 의해 제1 유동 통로 섹션과 연결된다. 제2 유동 통로 섹션은 외벽과 간격을 두고 배치된 내벽을 포함하고, 그 사이에 환형의 내용적부를 획정하며, 위어 내벽은 제1 유동 통로 섹션의 다공성 내벽을 향하여 연장되고 그 벽 부근에서 종지되어, 위어를 획정하는 제1 유동 통로 섹션 및 제2 유동 통로 섹션의 각 내벽 사이에 간극을 제공한다. 액체가 제2 유동 통로 섹션의 외벽과 그 내벽 사이의 환형 내용적부로 유동하는 경우, 유입된 액체는 위어를 넘어서 제2 유동 통로 섹션의 내벽의 내표면을 따라 흘러내린다. 내벽을 흘러 내리는 이러한 액체 유동은 벽으로부터 입상 고체를 씻어내고, 내벽의 내표면에 고체가 침적되거나 형성되는 것을 억제하는 역할을 한다.The second flow passage section is connected in series with the first flow passage section to allow particulate solid containing fluid to flow from the first flow passage section to the second flow passage section downstream. The second flow passage section has an outer wall provided with a fluid injection port, which port is connected with a liquid source such as water or other processing liquid. The outer wall is connected with the first flow passage section by something like a flap flange in each outer wall of the first flow passage section and the second flow passage section. The second flow passage section includes an inner wall spaced from the outer wall and defines an annular content therebetween, the weir inner wall extending toward the porous inner wall of the first flow passage section and ending near the wall. A gap is provided between each inner wall of the first flow passage section and the second flow passage section defining the weir. When liquid flows into the annular volume between the outer wall of the second flow passage section and the inner wall thereof, the introduced liquid flows over the weir along the inner surface of the inner wall of the second flow passage section. This liquid flow down the inner wall washes away the particulate solid from the wall and inhibits the deposition or formation of solid on the inner surface of the inner wall.

제1 유동 통로 섹션 및 제2 유동 통로 섹션을 서로 플랜지 식으로 연결하는 것은 신속하게 해제될 수 있는 클램프 조립을 포함할 수 있는데, 입구 구조체의 제1 유동 통로 섹션 및 제2 유동 통로 섹션을 용이하게 분해할 수 있다.Flanging the first flow passage section and the second flow passage section to each other may include a clamp assembly that can be quickly released, which facilitates the first flow passage section and the second flow passage section of the inlet structure. Can be disassembled.

추가로, 입구 구조체의 제1 유동 통로 섹션은 최상단부 입구 구조체의 신속 해체 입구 섹션과 연결될 수 있으며, 마찬가지로 이는 세정 및 유지를 위하여 용이하게 분해될 수 있다.In addition, the first flow passage section of the inlet structure can be connected with the quick dismantling inlet section of the top inlet structure, which likewise can be easily disassembled for cleaning and maintenance.

또 다른 양태에서, 본 발명은 부식 성분을 함유하는 고온의 입자 축적 함유 기류가 유동하는 경우에, 고체의 침적, 막힘 및 부식을 방지할 수 있는 기류 수용 구조체에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명의 이러한 양태는 상류 기체 공급원으로부터 하류의 처리 유닛으로 유동하는 고온의 입상 고체 함유 기체를 이송하는 데 유용한 기체/액체 계면 구조체에 관한 것이다.In another aspect, the present invention relates to an airflow receiving structure capable of preventing depositing, clogging and corrosion of solids when a high temperature particle accumulation-containing airflow containing a corrosion component flows. More specifically, this aspect of the present invention relates to a gas / liquid interfacial structure useful for transferring hot particulate solid-containing gas flowing from an upstream gas source to a downstream processing unit.

이러한 기체/유체 계면 구조체는, 제1 기류 유동 경로를 그 내부에 획정하는 연직 방향으로 뻗은 제1 입구 유동 통로 부재로서, 기류를 기류 유동 경로로 주입시키는 상부 입구와, 입구 유동 경로 부재 내의 기체 유동 경로를 통해 유동하는 기류 유동에 후속하여, 기류를 배출시키는 하부 출구 단부를 구비하는 제1 입구 유동 통로 부재와; 상기 제1 유동 통로 부재를 외측으로 간격을 두고 사이에 환형 용적부가 형성되도록 둘러싸는 제2 유동 통로 부재로서, 그 하부 출구 단부가 제1 유동 통로 부재의 하부 출구 단부의 아래쪽으로 하방으로 연장되며, 제2 유동 통로 부재의 기류 유동 통로를 획정하는 하부 액체 불투과성 부분 및 상부 액체 투과성 부분을 구비하는 제2 유동 통로 부재와; 상기 제2 유동 통로 부재를 에워싸고 제2 유동 통로 부재와 함께 환형의 내용적부를 획정하는 외벽 부재와; 외벽 부재와 제2 유동 통로 부재 사이의 환형 내용적부로 액체를 주입하기 위한 외벽 부재의 액체 유동 입구 포트를 포함하며, 이로써 외벽 부재의 액체 유동 유입 포트를 통해 주입된 유체는 포위된 환형의 내용적부로 들어가고 제2 유동 통로 부재의 상부 액체 투과성 부분을 통하여 스며나오며, 이어서 제2 유동 통로 부재의 유체 불투과성 부분의 내표면을 따라 아래로 유동하여 제2 유동 통로 부재의 액체 불투과성 부분의 내표면 상에서 하방으로 흐르는 액막을 제공함으로써 그 위에 입상 고체가 침적되거나 축적되는 것을 방지하며, 제1 유동 통로 부재를 통해 유동하는 기류는 그 하부 출구 단부에서 배출되어 제2 유동 통로 부재의 유동 통로를 통해 유동하고, 이어서 기체/유체 계면 구조체로부터 방출된다.This gas / fluid interface structure is a first inlet flow passage member extending in a vertical direction defining a first air flow flow path therein, the upper inlet for injecting air flow into the air flow flow path, and the gas flow in the inlet flow path member. A first inlet flow passage member having a lower outlet end for discharging the air stream following the air flow flowing through the path; A second flow passage member that surrounds the first flow passage member to be spaced outwardly so that an annular volume is formed therebetween, the lower outlet end of which extends downwardly below the lower outlet end of the first flow passage member, A second flow passage member having a lower liquid impermeable portion and an upper liquid permeable portion defining an air flow flow passage of the second flow passage member; An outer wall member enclosing the second flow passage member and defining an annular inner portion with the second flow passage member; A liquid flow inlet port of the outer wall member for injecting liquid into the annular volume between the outer wall member and the second flow passage member, whereby the fluid injected through the liquid flow inlet port of the outer wall member is enclosed Enters and oozes through the upper liquid permeable portion of the second flow passage member, and then flows down along the inner surface of the fluid impermeable portion of the second flow passage member to cause an inner surface of the liquid impermeable portion of the second flow passage member. Providing a liquid film flowing downward in the bed prevents particulate solids from depositing or accumulating thereon, and airflow flowing through the first flow passage member is discharged from its lower outlet end and flows through the flow passage of the second flow passage member. And then released from the gas / fluid interface structure.

이러한 배치에 의하여, 기류가 구조체의 하부 벽과 직접 접촉하는 것이 방지되며, 기류 유동 통로는 제2 유동 통로 부재의 내측 벽면에 의하여 획정된다. 제2 유동 통로 부재 상부의 "위핑 위어(weeping weir)"로부터 흘러내리는 수막(water film)은 입상 고체가 제2 유동 통로 부재의 벽면에 축적되는 것을 방지한다. 상기 벽면 상의 유동 액체 기류는 수막과 접촉하는 기류의 입자를 하방으로 이송하여 기체/액체 계면 구조체로부터 방출시킨다. 추가로, 기류 내의 부식성 성분들은 벽과 접촉하는 것이 방지되며, 벽은 계면 구조체의 하부에서 아래로 흐르는 수막에 의하여 보호된다.By this arrangement, the airflow is prevented from directly contacting the lower wall of the structure, and the airflow flow passage is defined by the inner wall surface of the second flow passage member. A water film flowing down from the “weeping weir” above the second flow passage member prevents particulate solids from accumulating on the wall surface of the second flow passage member. The flowing liquid airflow on the wall transports particles of the airflow in contact with the water film downwards and releases them from the gas / liquid interface structure. In addition, the corrosive components in the airflow are prevented from contacting the wall, which is protected by a water film flowing down from the bottom of the interface structure.

또 다른 구체적인 양태에서, 본 발명은 전열식 산화 유닛과 같은 상류 산화 유닛과, 기체에 포함된 입상 고체가 제거되도록 물로 정화시키는 하류의 물 정화기 사이에 배치된다.In another specific embodiment, the present invention is disposed between an upstream oxidation unit, such as an electrothermal oxidation unit, and a downstream water purifier that purifies with water to remove particulate solids contained in the gas.

제2 유동 통로 부재의 상부 액체 투과성 부분은 적당한 다공성으로 구성될 수 있으며, 예를 들어 다공성 소결 금속, 다공성 플라스틱, 또는 다공성 세라믹 벽부를 포함할 수 있고, 여기서 기공의 크기는, 예를 들어 약 0.5 내지 약 30 미크론 범위이며, 더 클 수도 있다.The upper liquid permeable portion of the second flow passage member may consist of a suitable porosity, for example comprising a porous sintered metal, a porous plastic, or a porous ceramic wall, wherein the pore size is, for example, about 0.5 To about 30 microns, and may be larger.

본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 본 발명은 처리 기류를 하류의 처리 유닛, 예컨대 반도체 제조 유출 기류의 경우에 정화 유닛으로 이송하는 매니폴드의 입구 라인을 정화하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.In another aspect of the present invention, the present invention is directed to an apparatus and method for purifying an inlet line of a manifold that directs processing airflow to a downstream processing unit, such as a purification unit in the case of a semiconductor manufacturing outflow airflow.

상기 장치에는 상류 공급원, 예컨대 반도체 제조 공정 시스템 또는 공구로부터 기체를 수용하는 매니폴드가 포함된다. 이 매니폴드에는 기체를 하류 공정으로 유동시키는 데 번갈아 사용되는 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인이 포함된다. 이들 라인은 그 제1 (상류측) 단부에서 매니폴드 도관에 연결되고, 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인 각각은 그 제2 (하류) 단부에서 예컨대, 정화 유닛을 포함할 수 있는 하류의 처리 유닛에 유동 연통 관계로 접속된다.The apparatus includes a manifold that receives gas from an upstream source, such as a semiconductor manufacturing process system or tool. The manifold includes a first inlet line and a second inlet line that are alternately used to flow the gas to a downstream process. These lines are connected to the manifold conduit at its first (upstream) end, and each of the first inlet line and the second inlet line may comprise a downstream treatment, which may include, for example, a purge unit at its second (downstream) end. The unit is connected in flow communication.

상기 각각의 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인에는 그 안에, 예컨대 기체를 유동시키고 단속(斷續)하도록 각각 선택적으로 개폐될 수 있는 공압식 밸브가 포함된다.Each of the first inlet line and the second inlet line includes a pneumatic valve that can be selectively opened and closed therein, for example, to flow and interrupt the gas.

상기 매니폴드는 상류 공급원으로부터 기체를 수용하고 매니폴드 및 제1 입구 라인 또는 제2 입구 라인을 통해 기체를 유동시키도록 배열되어, 이들 라인 중 하나는 상류 공급원으로부터 하류 공정으로 기체를 능동적으로 유동시키고, 다른 입구 라인은 그 안의 밸브를 폐쇄시킴으로써 그 라인을 통한 기체의 유동을 차단한다.The manifold is arranged to receive gas from an upstream source and to flow gas through the manifold and the first inlet line or the second inlet line, one of which lines actively flow gas from the upstream source to the downstream process. The other inlet line blocks the flow of gas through the line by closing the valve therein.

압축수 공급원(pressurized water source)이 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인에의 수류 라인(water flow line)에 의해 상기 매니폴드에 연결된다. 각각의 수류 라인에는, 예컨대 공압식 밸브가 포함된다. 각각의 밸브는 이를 통해 압축수가 유동하거나 단속되도록 선택적으로 개폐될 수 있다.A pressurized water source is connected to the manifold by water flow lines to the first inlet line and the second inlet line. Each water flow line includes, for example, a pneumatic valve. Each valve can be selectively opened and closed to allow compressed water to flow or intervene therethrough.

2개의 입구 라인 중 적어도 하나의 입구 라인의 온도를 선택적으로 상승시키기 위하여, 열원이 예컨대 각각의 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인 부근에 배치된 열 재킷에 의해 각각의 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인에 열적으로 연결될 수 있다.In order to selectively raise the temperature of at least one of the inlet lines of the two inlet lines, the heat source is each of the first inlet line and the second by a heat jacket disposed near each of the first inlet line and the second inlet line, for example. It may be thermally connected to the inlet line.

작동시, 상류 처리 유닛으로부터의 기체는 매니폴드 내로 유동한다. 능동적인 처리 중에, 상기 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인 중 어느 하나의 밸브는 개방되고, 다른 입구 라인의 밸브는 폐쇄되어, 매니폴드로 들어가는 기체는 개방된 밸브를 포함하는 특정 입구 라인을 통해 유동한다. 이러한 방식으로, 기체는 개방 밸브를 포함하는 특정 입구 라인을 통해 유동하여 하류 공정을 통과한다. 개방 밸브를 포함하는 입구 라인은 이하에서 종종 간단히 지칭하기 위해 "개방 입구 라인"이라 하고, 매니폴드의 다른 라인은 "흐름 차단 라인(off-stream line)"이라 지칭한다. 흐름 차단 라인에서, 밸브는 이를 통해 기체가 유동하는 것을 방지하도록 폐쇄된다.In operation, gas from the upstream processing unit flows into the manifold. During active processing, the valve of either the first inlet line or the second inlet line is open and the valve of the other inlet line is closed so that gas entering the manifold is through a specific inlet line comprising an open valve. Flow. In this way, the gas flows through a specific inlet line that includes an open valve and passes the downstream process. The inlet line comprising an open valve is referred to hereinafter as “open inlet line” for the sake of simplicity, and the other line of the manifold is referred to as the “off-stream line”. In the flow shutoff line, the valve is closed to prevent gas from flowing through it.

입구 라인의 밸브는 본 발명의 장치에 채택된 것과 같이, 종래의 통상적인 형태의 적당한 사이클 타이머 수단 및 제어 수단에 의해 작동식으로 통합 및 제어될 수 있다.The valve of the inlet line can be operatively integrated and controlled by suitable cycle timer means and control means of conventional conventional form, as employed in the apparatus of the present invention.

기체를 유동시키지 않는 흐름 차단 라인은 추가 처리를 위한 기체를 재발생시키도록 정화된다. 따라서, 장치를 연속적으로 작동시키는 경우에, 각 입구 라인 내의 밸브는 이들 밸브 중 하나가 주어진 시간에 개방되고, 다른 하나는 흐름 차단 라인을 정화하고 이어서, 흐름 접속(on-stream) 작업을 위해 라인을 새롭게 하기 위해 폐쇄되도록 제어된다.The flow shutoff line, which does not flow gas, is purged to regenerate gas for further processing. Thus, in the case of continuous operation of the apparatus, the valves in each inlet line are opened at one of these valves at a given time, the other is to purify the flow shutoff line and then the line for on-stream operation. It is controlled to close to renew.

상기 흐름 차단 라인은 압축수 공급원을 흐름 차단 라인과 연통시키는 수류 라인 내의 밸브를 개방함으로써, 압축수 공급원으로부터 흐름 차단 라인까지 압축수가 유입되도록 함으로써 세정된다. 다른 수류 라인에서, 수류 라인 밸브는 폐쇄되어, 압축수가 압축수 공급원으로부터 흐름 접속 라인까지 유동하는 것을 방지한다.The flow cutoff line is cleaned by opening a valve in the water flow line that communicates the compressed water source with the flow cutoff line, thereby allowing compressed water to flow from the compressed water source to the flow cutoff line. In other water lines, the water line valves are closed to prevent compressed water from flowing from the compressed water source to the flow connection line.

이러한 방식으로, 이제 고립 상태로 인해 비어 있는 흐름 차단 라인은 압축수 세척 등을 비롯하여 활발히 세정된다.In this way, the flow blocking lines, which are now empty due to their isolation, are actively cleaned, including compressed water washing and the like.

선택적으로, 압축 건조 기체 공급원이 각각의 제1 입구 라인 및 제2 입구 라인에의 건조 기체 유동 라인에 의해 매니폴드에 연결된다. 각 건조 기체 유동 라인에는 예컨대 공압식 밸브가 포함된다. 각 밸브는 이를 통해 압축 건조 기체가 유동하거나 단속되도록 선택적으로 개폐될 수 있다.Optionally, a source of compressed dry gas is connected to the manifold by a dry gas flow line to each of the first inlet line and the second inlet line. Each dry gas flow line includes, for example, a pneumatic valve. Each valve can be selectively opened and closed to allow the compressed dry gas to flow or be interrupted.

압축수가 흐름 차단 라인을 통해 유동한 후에, 흐름 차단 라인은 후속하여 새롭게 기체가 상류 공급원으로부터 하류 처리 유닛으로 유동하도록 준비시키기 위하여 건조될 수 있다. 이는 흐름 차단 라인 내표면의 물에 압축수 분출/정화 작용을 중단시키기 위하여, 압축수 유동 라인 내의 밸브를 폐쇄함으로써 이루어진다. 동시에, 흐름 차단 라인과 연통되어 있는 건조 기체 유동 라인 내의 밸브는 압축 건조 기체가 밸브를 통해 흐름 차단 라인 내로 유입될 수 있도록, 그리고 흐름 차단 라인의 내표면을 건조시키도록 개방되어, 분출수는 매니폴드의 흐름 차단 라인으로부터 완전히 제거된다. 이러한 방식으로, 흐름 차단 라인은, 세정되고 건조된 라인을 통한 처리 기체 유동이 재개되는 경우, 즉 흐름 차단 라인이 다시 흐름 접속 라인으로 되고 이전의 흐름 접속 라인이 차단 라인 상태가 될 때, 전체 시스템의 후속 작업시 가수 분해 반응을 피하도록 완전히 건조될 수 있다.After the compressed water flows through the flow shutoff line, the flow shutoff line can subsequently be dried to prepare fresh gas to flow from the upstream source to the downstream treatment unit. This is done by closing the valve in the compressed water flow line to stop the compressed water jetting / purging action on the water at the surface of the flow interrupting line. At the same time, the valve in the dry gas flow line in communication with the flow shutoff line is opened to allow compressed dry gas to enter the flow shutoff line through the valve and to dry the inner surface of the flow shutoff line, so that the effluent is manifolded. It is completely removed from the flow shutoff line of the fold. In this way, the flow shutoff line is the entire system when the process gas flow through the cleaned and dried line is resumed, i.e. when the flow shutoff line is back to the flow connection line and the previous flow connection line is to the shutoff line. It may be completely dried to avoid hydrolysis reaction in the subsequent work of.

이러한 연속 변환 작업은 처리 기체가 후속하여 밸브를 통해 유동할 수 있도록 흐름 차단 라인 내의 밸브를 먼저 개방시키는 것을 포함한다. 흐름 차단 라인 내의 밸브가 일단 개방되도록 변경되면, 건조 기체 라인 내의 밸브는 폐쇄된다. 이러한 과정에 의해서, 밸브가 폐쇄되기도 하고 상류 처리 유동에 데드헤드 상태(deadhead condition)가 발생하는 것이 방지된다.This continuous conversion operation involves first opening the valve in the flow shutoff line so that the process gas can subsequently flow through the valve. Once the valve in the flow shutoff line is changed to open, the valve in the dry gas line is closed. This process prevents the valve from closing and the occurrence of deadhead conditions in the upstream treatment flow.

이러한 방식으로, 상기 매니폴드형 기체 처리 시스템은 기체가 상류 공급원으로부터 입구 라인을 통해 하류의 처리 유닛을 통해 유동하도록 작동되고, 이 기체는 각 입구 라인을 통해 번갈아 가면서 연속적으로 유동하여, 주어진 입구 라인의 흐름 차단 기간 중에, 그 라인은 압축수로 분출되고 선택적으로, 그리고 바람직하게는, 압축 건조 기체의 입구 라인을 통한 유동에 의해 건조되어, 후속하여 기체가 입구 라인을 통해 유동하도록 입구 라인을 새롭게 한다.In this way, the manifold gas treatment system is operated such that gas flows from the upstream source through the inlet line through the downstream treatment unit, and the gas flows continuously through each inlet line alternately, giving a given inlet line. During the flow interruption period of the line, the line is spouted with compressed water and optionally and preferably, dried by flow through the inlet line of the compressed drying gas, thereby refreshing the inlet line so that the gas flows through the inlet line. do.

압축수 플러시 단계 및 압축 기체 건조 단계로부터의 상기 물은 흐름 차단 입구 라인을 통해 유동할 수 있고, 물 정화 장치 속으로 방출될 수 있거나, 아니면 이러한 목적의 밸브식 배출 라인을 통해 흐름 차단 라인으로부터 배출된다. 하류 정화에 의한 반도체 제조 배출 기체의 처리시에, 분출수 및 압축 건조 기체를 하류의 정화 장치로 배출하는 것이 통상 유리하다.The water from the compressed water flush step and the compressed gas drying step can flow through the flow block inlet line and can be discharged into a water purification device or discharged from the flow block line through a valved discharge line for this purpose. do. In the treatment of the semiconductor production exhaust gas by downstream purification, it is usually advantageous to discharge the jetted water and the compressed dry gas into the downstream purification device.

제1 입구 라인 및 제2 입구 라인에는 전기 저항 히터, 흐름 추적 라인(stream tracing line), 가열 재킷 등의 관련 가열 수단이 제공될 수도 있는데, 이러한 가열 수단에 의해 건조 공정이 보다 빨리 실행될 수 있고, 그렇지 않으면 매니폴드의 입구 라인의 청정화를 용이하게 하도록 공정에 열을 제공한다.The first inlet line and the second inlet line may be provided with associated heating means such as electric resistance heaters, stream tracing lines, heating jackets, etc., by which the drying process can be carried out faster, Otherwise heat is provided to the process to facilitate cleaning of the inlet line of the manifold.

방법 양태에서, 본 발명은 상류 공급원으로부터, 기체가 통과 유동하는 2개의 입구 라인을 포함하는 매니폴드를 통해 하류의 처리 유닛으로 기체를 유동시키는 방법에 관한 것으로서, (a) 입구 라인 중 하나는 흐름 접속 입구 라인이고, 다른 하나는 상류 공급원으로부터 하류 처리 유닛으로의 기체 유동에 대해 격리되어 있는 입구 라인인 상기 2개의 입구 라인 중 흐름 접속 입구 라인을 통해 상기 기체를 유동시키는 단계와; (b) 입상 고체, 물에 용해 가능한 고체 등을 상기 격리된 입구 라인의 내표면으로부터 제거하기 위해 그 격리된 입구 라인을 압축수로 분출시키는 단계와; (c) 상기 격리된 입구 라인을 통한 압축수의 유동을 단속하는 단계와; (d) 선택적으로, 상기 격리된 입구 라인의 내표면을 건조시키기 위하여 상기 격리된 입구 라인을 통해 압축 건조 기체를 유동시키는 단계와; (e) 상기 격리된 입구 라인을 통한 압축 건조 기체의 유동을 단속하는 단계와; (f) 흐름 접속 입구 라인을 구성하도록 상기 격리된 입구 라인을 격리 분리시키는 단계와; (g) 흐름 접속 입구 라인을 통한 기체의 유동을 단속하고, 격리된 흐름 차단 입구 라인을 구성하도록 상기 흐름 접속 입구 라인을 격리하는 단계와; (h) 상기 기체를 상류 공급원으로부터 격리 분리된 흐름 접속 입구 라인을 통해 하류 처리 유닛으로 재유동시키는 단계를 포함하며, 주기적으로, 번갈아가면서 그리고 반복적으로 (a) 내지 (h) 단계를 수행하여, 상류 공급원으로부터 하류 처리 유닛으로의 기체 유동 중에, 입구 라인들 중 하나에는 이를 통해 유동된 상류 공급원으로부터의 기체가 있고, 다른 라인은 흐름 차단 상태이며, 고압수 분출 및 건조가 선택적으로 진행되는 것을 특징으로 한다.In a method aspect, the invention relates to a method of flowing gas from an upstream source through a manifold comprising two inlet lines through which gas flows, wherein (a) one of the inlet lines is a flow Flowing said gas through a flow connection inlet line of said two inlet lines, wherein said inlet line is an inlet line that is isolated for gas flow from an upstream source to a downstream processing unit; (b) ejecting the isolated inlet line with compressed water to remove particulate solids, water soluble solids, and the like from the inner surface of the isolated inlet line; (c) regulating the flow of compressed water through the isolated inlet line; (d) optionally, flowing compressed dry gas through the isolated inlet line to dry the inner surface of the isolated inlet line; (e) regulating the flow of compressed dry gas through the isolated inlet line; (f) isolating said isolated inlet line to constitute a flow connection inlet line; (g) intercepting the flow of gas through the flow connection inlet line and isolating the flow connection inlet line to form an isolated flow blockage inlet line; (h) reflowing said gas through a flow connection inlet line isolated from an upstream source to a downstream processing unit, performing steps (a) to (h) periodically, alternately and repeatedly, During the gas flow from the upstream source to the downstream treatment unit, one of the inlet lines contains gas from the upstream source that flows through it, the other line is in a flow interruption state, and the high pressure water jet and drying are optionally carried out. It is done.

상기 처리는 입구 라인들을 가열함으로써 선택적으로 실행될 수도 있다.The treatment may optionally be carried out by heating the inlet lines.

본 발명의 다른 양태, 특징 및 실시예들은 후속하는 개시 및 청구항들을 통해 보다 명확하게 이해할 수 있을 것이다.Other aspects, features and embodiments of the invention will be more clearly understood from the following disclosure and claims.

도면을 참조하면, 도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 막힘 방지 입구 구조체에 대한 개략적인 도면이다.Referring to the drawings, FIG. 1 is a schematic diagram of an anti-clogging inlet structure according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 입구 구조체는 입구 구조체와 그러한 구조체로 주입되는 기류 공급원을 서로 연결하는 공정 파이프에 접속될 수 있다. 그러한 상류 관 이음은 상류 기류 공급원인 반도체 제조 공구 등으로부터 상기 도시된 입구 구조체의 입구 플랜지에 이르기까지 통상적인 방법으로 적절하게 열 추적될 수 있다. 그러한 열 추적의 목적은 파이프 내의 기류에 충분한 에너지를 공급함으로써 그러한 기류의 성분이 입구 구조체에서 응결 또는 승화되지 않도록 하는 것이다.The inlet structure shown in FIG. 1 can be connected to a process pipe connecting the inlet structure and the airflow source injected into such a structure with each other. Such upstream pipe joints can be appropriately heat traced in a conventional manner from the semiconductor fabrication tool or the like, which is the upstream airflow source, to the inlet flange of the inlet structure shown above. The purpose of such heat tracing is to provide sufficient energy to the airflow in the pipe so that the components of such airflow do not condense or sublimate in the inlet structure.

도 1에 도시된 입구 구조체(60)는 입구 플랜지(16)를 포함하는 입구 섹션(7)을 구비한다. 상기 입구 플랜지는 상단부가 플랜지에서 종지하는 상측 환형 섹션(8)의 플랜지(18)와 대응 관계로 결합될 수 있다. 입구 섹션은 예를 들면, 반도체 제조 공구와 같은 상류의 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 흐름 발생 설비(90)에 연결될 수 있다.The inlet structure 60 shown in FIG. 1 has an inlet section 7 comprising an inlet flange 16. The inlet flange can correspondingly be engaged with the flange 18 of the upper annular section 8 whose upper end terminates in the flange. The inlet section may, for example, be connected to an upstream particulate solid containing and / or solid forming flow generating facility 90, such as a semiconductor manufacturing tool.

환형 섹션(8)은 기체 투과성의 적정 다공성을 갖는 다공성 내벽(6)과, 그 내벽과의 사이에 환형 내용적부(20)를 형성하는 단단한 외벽(9)을 구비한다. 따라서, 다공성 내벽(6)의 내표면은 상부의 환형 섹션(8)에서 유동 통로(66)를 획정한다. 단단한 외벽(9)은 환형 내용적부를 둘러싸는 단부벽(40, 42)에 의해 상단부 및 하단부가 상기 내벽(6)에 대해 폐쇄된다. 외벽(9)에는 기체 입구 포트(22)가 마련되고, 그 포트에 기체 공급 라인(24)이 접속된다. 기체 공급 라인(24)은 그 외측 단부가 기체 공급원(4)에 연결된다. 기체 공급 라인(24)에는 환형 내용적부(20) 안으로 흐르는 기류를 조절하기 위해 체크 밸브(14)를 배치한다. 상기 공급 라인(24)에는 다른 유동 제어 수단(도시 생략)을 설치하여, 시스템의 작동중에 기체를 공급원(4)으로부터 환형 내용적부(20)까지 필요한 양과 유속으로 선택적으로 공급할 수 있다.The annular section 8 has a porous inner wall 6 having an appropriate porosity of gas permeability and a rigid outer wall 9 forming an annular inner portion 20 therebetween. The inner surface of the porous inner wall 6 thus defines the flow passage 66 in the upper annular section 8. The rigid outer wall 9 is closed against the inner wall 6 by means of end walls 40 and 42 which surround the annular inner portion. A gas inlet port 22 is provided on the outer wall 9, and a gas supply line 24 is connected to the port. The gas supply line 24 is connected at its outer end to the gas source 4. The gas supply line 24 is arranged with a check valve 14 to regulate the airflow flowing into the annular inner portion 20. The supply line 24 may be provided with other flow control means (not shown) to selectively supply gas from the source 4 to the annular volume 20 at the required amount and flow rate during operation of the system.

다공성 벽(6)을 통과하는 기체의 온도를 상승시키기 위해, 기체 공급 라인(24)을 가열하는 수단을 포함할 수 있다. 기체 공급 라인(24)의 가열 수단은 전기 저항형 히터, 유동 추적 라인, 가열 재킷 또는 당업자에게 공지되어 있고 또 열에너지를 기체 공급 라인(24)의 내부 통로로 전달하여 기체의 온도를 상승시키는데 유용한 기타 가열 시스템을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 1의 실시예에 채용된 가열 수단은 가열 코일(23)로 구성된다. 열 재킷도 역시 상기 가열 수단과 공조하여 기체 공급관(24)의 내부 온도를 상승시킬 수 있다.Means for heating the gas supply line 24 may be included to raise the temperature of the gas passing through the porous wall 6. The heating means of the gas supply line 24 are electric resistance heaters, flow tracing lines, heating jackets or other that are known to those skilled in the art and are useful for transferring thermal energy to the internal passages of the gas supply line 24 to raise the temperature of the gas. And a heating system. For example, the heating means employed in the embodiment of FIG. 1 is composed of a heating coil 23. The heat jacket may also cooperate with the heating means to raise the internal temperature of the gas supply line 24.

상부 환형 섹션(8)은 고압 기체 사출 포트(50)를 선택적으로 구비할 수 있으며, 그 포트는 고압 기체 공급 라인(52)에 연결되고, 이 고압 기체 공급 라인은 다시 고압 기체 공급원(5)에 연결된다. 기체 공급관은 유동 제어 밸브(51)를 내장하는 것으로 도시되어 있으며, 흐름 제어 밸브는 그 밸브를 예정된 순서에 따라 작동시키는 유동 제어 수단(도시 생략)에 연결될 수 있다. 고압 기체 공급 라인(52)은 고압 기체 사출 포트(50)에 대해 적정 각도, 예를 들면 경사진 각도로 배치될 수 있다.The upper annular section 8 can optionally have a high pressure gas injection port 50, which is connected to the high pressure gas supply line 52, which in turn is connected to the high pressure gas source 5. Connected. The gas supply line is shown with a built in flow control valve 51, which can be connected to flow control means (not shown) which operates the valve in a predetermined order. The high pressure gas supply line 52 may be arranged at an appropriate angle, for example at an inclined angle, with respect to the high pressure gas injection port 50.

선택적 사항인 고압 기체 사출 포트(50)와 고압 기체 공급 라인(52)은 그 공급 라인(24)에서 환형 내용적부(20)로 저압 기체가 일정한 유속(또는 "유출(bleed-through)")으로 주입되더라도, 만일 기체 투과성의 벽의 내표면 상에서 고체의 축적이 발생하는 경우에는 유익하다. 고압 기체 공급 라인(52)의 가열 수단이 기체의 온도를 상승시키기 위해 포함될 수 있다. 기체 공급 라인(52)의 가열 수단은 전기 저항형 히터, 흐름 추적 라인, 가열 재킷 또는 당업자에게 공지되어 있고 또 열에너지를 기체 공급관(24)의 내부 통로로 전달하여 기체의 온도를 상승시키는데 유용한 기타 가열 시스템을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 1의 실시예에 채용된 가열 수단은 가열 코일(23)로 구성된다. 열 재킷도 역시 상기 가열 수단과 공조하여 기체 공급 라인(52)의 내부 온도를 상승시킬 수 있다.The optional high pressure gas injection port 50 and the high pressure gas supply line 52 allow the low pressure gas at a constant flow rate (or “bleed-through”) from the supply line 24 to the annular volume 20. Even if injected, it is beneficial if accumulation of solids occurs on the inner surface of the gas permeable wall. Heating means of the high pressure gas supply line 52 may be included to raise the temperature of the gas. The heating means of the gas supply line 52 is an electric resistance heater, a flow trace line, a heating jacket or other heating which is known to those skilled in the art and which is useful for transferring heat energy to the inner passage of the gas supply line 24 to raise the temperature of the gas. It may include a system. For example, the heating means employed in the embodiment of FIG. 1 is composed of a heating coil 23. The heat jacket may also cooperate with the heating means to raise the internal temperature of the gas supply line 52.

상부 환형 섹션(8)은 그 하단부가 플랜지(26)에서 종지하며, 그 플랜지는 하부 환형 섹션(30)의 플랜지(28)와 대응하는 관계로 맞물린다. 플랜지들(26 및 28)은 도 1에 도시된 O-링(10)과 같은 밀봉 수단에 의해 밀봉될 수 있다.The upper annular section 8 terminates at its lower end at the flange 26, which engages in a corresponding relationship with the flange 28 of the lower annular section 30. The flanges 26 and 28 may be sealed by a sealing means such as the o-ring 10 shown in FIG. 1.

하부 환형 섹션(30)은 그 상단부가 플랜지(28)에서 종지하는 외벽(12)을 포함한다. 상기 외벽은 일종의 재킷 부재로서 그 하단부가 단부벽(44)에 의해 내부 위어 벽(11)에 결합되어, 그 외벽(12)과 내부 위어 벽(11) 사이에 환형 내용적부(32)를 형성한다. 상기 내부 위어 벽(11)은 도시된 바와 같이 수직 상향으로 돌출하지만, 상부 환형 섹션(8)의 다공성 내벽(6)의 하단부에 대해 간격을 둔 상태로 상단부(46)에서 종지하여, 그 하단부와 상단부 사이에 상기 하부 환형 섹션(30)에 대한 오버플로 위어를 형성하는 갭(36)을 형성한다.The lower annular section 30 includes an outer wall 12 whose upper end terminates at the flange 28. The outer wall is a type of jacket member whose lower end is joined to the inner weir wall 11 by an end wall 44, forming an annular inner portion 32 between the outer wall 12 and the inner weir wall 11. . The inner weir wall 11 protrudes vertically upward as shown, but terminates at the upper end 46 at intervals with respect to the lower end of the porous inner wall 6 of the upper annular section 8, with its lower end and Between the upper ends a gap 36 is formed which forms an overflow weir for the lower annular section 30.

하부 환형 섹션(30)의 외벽(12)에는 물 입구 포트(48)가 제공되며, 그 포트는 액체 유동 제어 밸브(81)를 내장하는 물 공급원(3)에 연결되며, 상기 액체 유동 제어 밸브는 다른 유동 제어 수단과 작동 가능하게 결합되어 하부 환형 섹션(30)으로 유동하는 액체의 유속을 필요한 정도로 유지한다. 물 입구 포트(48)는 하부 환형 섹션(30)에 반경 방향 또는 접선 방향으로 고정될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서는 물 입구 포트(48)가 하부 환형 섹션(30)에 접선 방향으로 고정되어 있어서, 그 하부 환형 섹션에 주입된 물 모멘트 제트(water momentum jet)는 고정된 벽에 대해 진행되지 않고, 오히려 하부 환형 섹션에서 넘치는 물을 접선 방향으로 소용돌이치도록 설정함으로써 스스로 방산된다. 이때 접선 방향으로의 물의 주입은 수막의 상층 높이에 대한 모멘트 교란으로서 하부 환형 섹션을 넘쳐흐르는 수막의 높이를 최적화시킨다.The outer wall 12 of the lower annular section 30 is provided with a water inlet port 48, which is connected to a water source 3 containing a liquid flow control valve 81, the liquid flow control valve being It is operatively coupled with other flow control means to maintain the flow rate of liquid flowing into the lower annular section 30 to the extent necessary. The water inlet port 48 may be fixed to the lower annular section 30 in the radial or tangential direction. In a preferred embodiment of the invention, the water inlet port 48 is fixed tangentially to the lower annular section 30 so that the water momentum jet injected into the lower annular section travels against the fixed wall. Rather, it dissipates itself by setting the vortex to overflow in the lower annular section. The injection of water in the tangential direction optimizes the height of the water film flowing over the lower annular section as a moment disturbance to the upper layer height of the water film.

입상 고체 함유 기류 및/또는 입상 고체 형성 기류를 입구 구조체의 특정 위치에 주입하는데 긴 기류 운송 튜브(70)가 사용될 수 있다. 운송 튜브(70)는 기류를 수용하는 관계로 상류 공급원(90)과 연결되며, 그 기류를 내부 기체 유동 통로(66) 내의 적정 위치로 진행 및 배출시켜 입구 구조체 내에 고체가 형성되는 것을 최소화한다. 운송 튜브(70)는 입구(7)가 운송 튜브(70)를 수용하도록 변형된 단단한 외벽(9)으로 둘러싸여 있다. 운송 튜브(70)는 그 관(70) 사이로 유동하는 기류가 응축되지 않도록 가열될 수 있다.Long air flow conveying tubes 70 may be used to inject the particulate solid containing air stream and / or the particulate solid forming air stream to a specific location of the inlet structure. The transport tube 70 is connected to the upstream source 90 in a manner that accommodates the airflow, and propagates and exhausts the airflow to an appropriate location in the internal gas flow passage 66 to minimize the formation of solids in the inlet structure. The transport tube 70 is surrounded by a rigid outer wall 9 in which the inlet 7 is modified to receive the transport tube 70. The transport tube 70 can be heated to prevent condensation of the airflow flowing between the tube 70.

도 1에 도시된 입구 구조체에서, 관(70)은 다공성 내벽(6)으로 둘러싸이며, 그 내벽(6)과 동심을 이루고 있다. 운송 튜브(70)의 외표면과 다공성 내벽(6)의 내표면은 그 사이에 환형 용적부를 형성한다. 기체 운송 튜브(70)는 기류 공급원(90)에 기류 수용 관계로 연결된 제1 단부(72)와, 기류 통로(66) 내에서 기류를 배출하는 제2 단부(74)를 포함한다. 제2 단부(74)는 상부 환형 섹션(8)이나 하부 환형 섹션(30) 내에 포함된 기류 통로(66)에서 기류를 배출시킨다. 도시된 실시예에서, 튜브(70)는 위어 벽 상단부(46) 아래로 약 1/2 인치 위치에서 기류를 배출시키고 있지만, 그 튜브(70)는 기류, 공정 용도 및 조건에 따라 위어 벽 상단부(46) 아래로 더 연장되거나 또는 위어 벽 상단부(46) 위에서 종지될 수 있다.In the inlet structure shown in FIG. 1, the tube 70 is surrounded by a porous inner wall 6 and is concentric with the inner wall 6. The outer surface of the transport tube 70 and the inner surface of the porous inner wall 6 form an annular volume therebetween. The gas delivery tube 70 includes a first end 72 connected to an airflow source 90 in an airflow receiving relationship, and a second end 74 for discharging airflow in the airflow passage 66. The second end 74 discharges airflow in the airflow passage 66 included in the upper annular section 8 or the lower annular section 30. In the illustrated embodiment, the tube 70 is venting airflow at a position about 1/2 inch below the weir wall top 46, while the tube 70 is a weir wall top (depending on the air flow, process usage and conditions). 46) may extend further down or terminate above the weir wall top 46.

운송 튜브(70)는 예컨대, 약 0.5 내지 4인치 내경의 스테인레스 강으로 구성될 수 있다. 당업자들은 상기 튜브(70)가 다양한 재료, 크기, 단면 및 배열로 구성될 수 있음을 인식할 것이다. 다공성 벽(6)과 오버플로 위어 벽(11)에 대해 운송 튜브(70)를 배치하는 것에 의해 생기는 공통의 환형 유동 패턴은 공정 기체가 운송 튜브를 빠져나가 통로(66) 영역으로 진입할 때 그 공정 기체가 방벽(11)으로부터의 수증기와 혼합되는 것을 최소화시키는 역할을 한다. 따라서, 운송 튜브(70)을 빠져나가는 공정 기체와 방벽(11)으로부터의 수증기 사이의 고체상 형성 반응이 충분히 하류의 위치에 이르기까지 매우 감소되기 때문에 방벽(11)의 작용으로써 임의의 고체상이 하류 감소 기구로 분출될 수 있다.The delivery tube 70 may be comprised of, for example, stainless steel with an internal diameter of about 0.5 to 4 inches. Those skilled in the art will appreciate that the tube 70 can be constructed in a variety of materials, sizes, cross sections and arrangements. The common annular flow pattern created by placing the transport tube 70 relative to the porous wall 6 and the overflow weir wall 11 is that when the process gas exits the transport tube and enters the passageway 66 region. It serves to minimize the process gas from mixing with the water vapor from the barrier 11. Thus, any solid phase is reduced downstream by the action of the barrier 11 because the solid phase forming reaction between the process gas exiting the transport tube 70 and the water vapor from the barrier 11 is greatly reduced to a sufficiently downstream position. May be ejected into the appliance.

본 발명의 범위 내의 주어진 입구 구성에 대한 막힘 방지 효능을 결정하기 위해, 적정한 판단 기법으로써, 평균 유속의 질소 캐리어 기체와 1-5 slpm 유속의 트리클로로실란 하에서 수분이 경과한 후에 특정 입구 구조체의 위치 및 고체상의 형성량을 모니터링함으로써, 상기 구성의 적합성 및 입구 구조체에 있어서의 소정의 매개변수 변화에 대한 영향을 결정한다. 고체상의 성장 특성을 관측하기 위해서는 보다 오랜 관찰 기간이 바람직할 것이다. 또한, 기류, 공정 용도 및 조건에 따라, 기체 운송 튜브과, 기체 운송 튜브 외부와 다공질 벽 내부 사이의 환형 섹션에서 층상의 축방향 기류 유동을 유지함으로써, 입구의 벽을 적절히 보유하고 흘러나오는 기류의 피복을 보장한다.In order to determine the anti-clogging efficacy for a given inlet configuration within the scope of the present invention, as an appropriate judgment technique, the location of a particular inlet structure after moisture has elapsed under a nitrogen carrier gas of average flow rate and trichlorosilane of 1-5 slpm flow rate And by monitoring the amount of formation of the solid phase to determine the suitability of the configuration and the effect on any parameter change in the inlet structure. Longer observation periods would be desirable to observe growth characteristics of the solid phase. In addition, depending on the airflow, process application and conditions, the layered axial airflow flow is maintained in the annular section between the gas delivery tube and the outside of the gas delivery tube and the interior of the porous wall, thereby adequately retaining the inlet wall and covering the outflow of airflow. To ensure.

운송 튜브(70)은 응축 기체의 감소를 위해 가열될 수도 있다. 관 사이로 흐르는 기체의 응축에 의해 관(70)의 벽 상에는 고체상이 형성된다. 관(70)을 가열하는 적정 수단은 전기 저항 히터, 기류 추적 라인, 가열 재킷 등을 포함할 수 있으며, 그러한 가열 시스템은 열에너지를 운송 튜브(70)의 내부 통로로 전달하여 응축을 방지하도록 구성 및 배열된다. 예를 들면, 상기 가열 수단은 가열 코일(76)을 구비하는 것으로 도시되어 있다. 가열 재킷도 역시 상기 가열 수단과 공조하여 운송 튜브(70)의 내부 온도를 상승시킬 수 있다. 가열 재킷은 측벽의 온도를 상승시켜, 응축 가능한 공정 기체가 관 내에서 응축되지 않도록 방지할 수 있다.The transport tube 70 may be heated to reduce the condensation gas. The condensation of gas flowing between the tubes forms a solid phase on the walls of the tubes 70. Appropriate means for heating the tube 70 may include an electrical resistance heater, an airflow tracing line, a heating jacket, etc., wherein the heating system is configured to transfer thermal energy to the inner passage of the transport tube 70 to prevent condensation and Are arranged. For example, the heating means is shown with a heating coil 76. The heating jacket may also cooperate with the heating means to raise the internal temperature of the transport tube 70. The heating jacket can raise the temperature of the sidewalls to prevent condensable process gases from condensing in the tubes.

하단부에서, 상기 하부 환형 섹션(30)은 물 세정기(13)의 하우징에 적절히 연결될 수 있다. 상기 물 세정기는 공정 기류중의 입자와 용해 성분을 세정 제거하도록 통상의 방식으로 구성될 수 있다. 선택적으로, 입구 구조체(60)는 그 입구 구조체를 입구측 단부로부터 방출 단부로까지 통과하는 기류의 처리를 위해 다른 공정 설비에 연결될 수 있다.At the bottom, the lower annular section 30 can be properly connected to the housing of the water washer 13. The water scrubber may be configured in a conventional manner to scrub away particles and dissolved components in the process stream. Optionally, the inlet structure 60 may be connected to other process equipment for the treatment of airflow passing the inlet structure from the inlet end to the outlet end.

따라서, 입구 구조체(60)에는 유입 기체가 도 1의 화살표 "1"로 지시된 방향에서 도 1의 화살표 "2"로 지시된 방향의 방출 단부로 유동할 수 있는 통로인 기체 유동 통로(66)가 구비되어 있다.Thus, inlet structure 60 has a gas flow passage 66 which is a passage through which inlet gas can flow from the direction indicated by arrow "1" in FIG. 1 to the discharge end in the direction indicated by arrow "2" in FIG. Is provided.

작동시, 과립 고체상 함유 기체는 적절한 접속 파이프에 의해 반도체 제조 기구(도시 생략)와 같은 상류 공급원으로부터 주입되며, 상기 접속 파이프는 전술한 바 있지만 입구 구조체 내에서 기류의 유해한 승화 또는 응착을 억제하기 위해 열전사될 수 있다. 상기 기류은 화살표 "1"로 지시된 유동 방향으로 입구 구조체로 진입하여 입구 섹션(7)[또는, 설치되어 있다면 운송 튜브(70)]을 통과하고 다시 상부 환형 섹션(8)으로 진입한다. 질소나 다른 기체와 같은 기체는 공급원(4)으로부터, 포트(22)에 연결된 기체 공급관(24)을 통해 환형 내용적부(20)로 진입한다. 환형의 내용적부(20)로부터 상기 주입된 기체는 기체 투과성 벽(6)을 통해 내부 기체 흐름 통로(66)로 유동한다. 따라서, 과립상 함유 또는 과립상 형성 기체는 기체 공급관(24)으로부터의 기체가 환형 내용적부(20) 안에서 기체 투과성 벽(6)을 통해 유동함에 따라 내부 기체 유동 통로(66)를 통해 물 세정기(13) 안으로 유동한다.In operation, the granular solid phase containing gas is injected from an upstream source, such as a semiconductor manufacturing tool (not shown), by an appropriate connection pipe, which connection has been described above to prevent harmful sublimation or adhesion of airflow in the inlet structure. Can be thermally transferred. The air flow enters the inlet structure in the flow direction indicated by arrow "1", passes through inlet section 7 (or transport tube 70 if installed) and back into upper annular section 8. Gas, such as nitrogen or other gas, enters the annular inner volume 20 from the source 4 through a gas supply line 24 connected to the port 22. The injected gas from the annular inner portion 20 flows through the gas permeable wall 6 into the internal gas flow passage 66. Thus, the granular containing or granular forming gas is passed through the water gas scrubber 66 through the internal gas flow passage 66 as the gas from the gas supply pipe 24 flows through the gas permeable wall 6 in the annular volume 20. 13) Flow in.

이 방법에서, 환형 내용적부(20)는 공급원(4)으로부터의 기체에 의해 가압된다. 그러한 압력에 의해, 기체는 다공질 벽을 통해 내부의 기체 유동 통로(66) 내로 일정하게 유동되는 것이 보장된다. 투과성 벽을 통한 기체의 그러한 낮은 유동 속도의 일정한 흐름은 내부 기체 유동 통로를 통해 흐르는 기류의 입자를 입구 구조체의 내부 벽면으로부터 멀리 유지시키는 역할을 한다. 또한, 내부 유동 통로(66) 내에서 기체 유동류와 함께 존재하는 소정의 기체도 역시 입구 구조체의 내부 벽면으로부터 멀리 유지된다.In this way, the annular inner portion 20 is pressurized by the gas from the source 4. By such pressure, it is ensured that the gas is constantly flowing through the porous wall into the gas flow passage 66 therein. Such a low flow rate constant flow of gas through the permeable wall serves to keep particles of airflow flowing through the inner gas flow passage away from the inner wall surface of the inlet structure. In addition, any gas present with the gas flow in the inner flow passage 66 is also kept away from the inner wall of the inlet structure.

기체 공급관(24)은 원하는 경우 열전사될 수 있다. 그러한 열전사는 입구 구조체를 통해 흐르는 기류가 입구 구조체의 벽에 응축 또는 승화되어 침적될 수 있는 화학종을 함유하고 있는 경우에 바람직할 수 있다.Gas supply line 24 may be thermally transferred if desired. Such thermal transfer may be desirable when the airflow flowing through the inlet structure contains chemical species that can condense or sublimate and deposit on the walls of the inlet structure.

동시에, 고압 기체 공급원(5)으로부터의 고압 기체는 고압 기체 공급관(52)과 고압 기체 사출 포트(50)를 통해 환형 내용적부(20)로 주기적으로 유동될 수 있다. 예를 들면, 상기 공급관(52)은 유동 제어 밸브(도시 생략)를 내장하여, 펄스화되어 주입되는 고압 기체를 수용한다. 이 방식에서, 고압 기체는 환형 내용적부 내로 특정 또는 예정된 간격으로 사출됨으로써 기체 투과성 벽(6)의 내표면상에 형성된 임의의 입자 형성물이 제거된다. 펄스화되어 주입되는 고압 기체의 시퀀스 지속도 및 타이밍은 당업계에서의 부적합한 실험에 의하지 않고, 기체 투과성 벽면에 고체상의 축적물을 방지할 수 있는 소망의 벽 스코어링(scouring) 효과를 달성하도록 용이하게 결정될 수 있다. 필요한 경우, 입구 구조체가 반도체 제조 기구로 기능하는 물 세정기와 관련하여 채용되었을 때, 그러한 고압 분사는 상기 기구 제어 시스템에 작동적으로 연결된 제어 수단을 적절히 통합함으로써 기구 배출 포트에서의 압력 변동을 제거하기 위해 상기 기구의 1회 처리 사이클 중에 중단될 수 있다. 이를 위해, 솔레노이트 밸브와 같은 제어 밸브가 상기 기구 조립체의 제어 수단에 적절히 연결될 수 있다.At the same time, the high pressure gas from the high pressure gas source 5 can be periodically flowed through the high pressure gas supply pipe 52 and the high pressure gas injection port 50 into the annular inner volume 20. For example, the supply pipe 52 has a built-in flow control valve (not shown) to accommodate the high-pressure gas injected into the pulse. In this way, the high pressure gas is injected into the annular volume at specific or predetermined intervals to remove any particle formations formed on the inner surface of the gas permeable wall 6. The sequence continuity and timing of the pulsed injected high pressure gas is not due to inadequate experimentation in the art, and it is easy to achieve a desired wall scoring effect that can prevent the accumulation of solid phase on the gas permeable wall. Can be determined. If necessary, when the inlet structure is employed in connection with a water scrubber functioning as a semiconductor fabrication tool, such high pressure spraying may eliminate pressure fluctuations at the instrument outlet port by appropriately incorporating control means operatively connected to the instrument control system. May be interrupted during one treatment cycle of the instrument. For this purpose, a control valve, such as a solenoid valve, can be suitably connected to the control means of the instrument assembly.

도시된 실시예의 인렛 구조체(inlet structure)에서, 플랜지(26, 28)는 상부 환상 섹션(8)이 하부 환상 섹션(30)으로부터 신속하게 분리될 수 있도록 상호 체결될 수 있다. 그러한 목적을 위해, 신속 분리 클램프를 이용할 수 있다. 플랜지(26, 28) 사이의 밀봉 기체킷(10)은 내식성 고온 탄성 중합재(elastomer material)와 같은 적절한 재료로 형성될 수 있다. 이러한 탄성 중합 기체킷은 인렛 구조체의 상부 환상 섹션으로부터 하부 환상 섹션으로의 열 전달을 최소화하도록 열 장벽으로서 추가적으로 작용하는데, 이는 본 발명의 히트 트레이스형(heat traced) 실시예에서 특히 중요한 특징이다.In the inlet structure of the illustrated embodiment, the flanges 26, 28 can be interlocked so that the upper annular section 8 can be quickly separated from the lower annular section 30. For that purpose, quick disconnect clamps can be used. The sealing gasket 10 between the flanges 26, 28 may be formed of a suitable material, such as a corrosion resistant high temperature elastomeric material. Such elastomeric gaskets additionally act as a thermal barrier to minimize heat transfer from the upper annular section of the inlet structure to the lower annular section, which is a particularly important feature in the heat traced embodiment of the present invention.

인렛 구조체의 상부 환상 섹션의 기체 투과성 벽(6)은 세라믹, 금속, 합금 및 플라스틱 등의 적절한 기체 투과성 재료로 형성될 수 있다. 특정한 예로서, 벽은 하스텔로이(Hastelloy) 276 재료로 형성될 수 있다. 상부 환상 섹션의 외벽(9)은 이와 유사하게 적절한 재료로 형성될 수 있으며, 예컨대 얇은 벽으로 된 스테인레스 강 파이프일 수 있다.The gas permeable wall 6 of the upper annular section of the inlet structure may be formed of a suitable gas permeable material such as ceramics, metals, alloys and plastics. As a specific example, the wall may be formed of Hastelloy 276 material. The outer wall 9 of the upper annular section can likewise be formed of a suitable material, for example a thin walled stainless steel pipe.

인렛 구조체의 하부 환상 섹션(30)은 폴리비닐클로라이드 플라스틱과 같은 적절한 재료로 형성될 수 있다. 급수원(3)으로부터 라인(50)을 통해 외벽(12)과 내부의 위어형 둑 벽(wier wall; 11) 사이의 환형의 내용적부(32)로 물을 분사한다. 물이 접선 방향으로 분사됨으로써, 환형 내용적부(32) 내의 물의 각운동량에 의해, 물이 인렛 구조체의 둑 벽(11)의 상단부(46) 상방과 내부 유동 통로(66) 내의 둑 벽의 내부 표면 하방으로 나선 운동하게 되면 좋다. 그와 같이 물을 둑 벽(11)의 내부 표면 하방으로 흐르게 하여, 소정의 미립분을 유동 통로(66) 하방으로 인렛 구조체 아래쪽의 물 정화 장치(water scrubber; 14) 쪽으로 세정한다. 전술한 바와 같이, 하부 환상 섹션(30)은 예컨대 하류 프로세스 유닛이 연소 세정 장치인 때에는 생략될 수 있는 선택적인 구조적 특성이다.The lower annular section 30 of the inlet structure may be formed of a suitable material such as polyvinylchloride plastic. Water is sprayed from the water supply source 3 through the line 50 to the annular inner portion 32 between the outer wall 12 and the inner weir wall 11. The water is sprayed in the tangential direction so that, due to the angular momentum of the water in the annular inner portion 32, the water is above the upper end 46 of the weir wall 11 of the inlet structure and below the inner surface of the weir wall in the internal flow passage 66. It's good to do a spiral workout. Thus, water flows below the inside surface of the dam wall 11, and the predetermined fines are washed below the flow passage 66 toward the water scrubber 14 below the inlet structure. As mentioned above, the lower annular section 30 is an optional structural feature that may be omitted, for example when the downstream process unit is a combustion cleaning apparatus.

인렛 구조체의 상류 프로세스 유닛과 하류의 세정 장치 유닛으로부터의 배출 파이프에 압력 탭을 형성하여, 인렛 구조체를 통한 압력 강하를 측정한다. 포토헬릭 게이지(Photohelic gauge) 또는 기타 적절한 압력 감지 게이지로 압력 강하를 감지할 수 있으며, 그러한 압력 강하 해독치는 스크러버 인렛 속이 막히는 현상인 클로깅(clogging)을 모니터하도록 적절한 모니터 및 제어 장치로 보내질 수 있다.A pressure tap is formed in the discharge pipe from the upstream process unit of the inlet structure and the downstream cleaning device unit to measure the pressure drop through the inlet structure. The pressure drop can be detected by a photohelic gauge or other suitable pressure-sensing gauge, and such pressure drop readings can be sent to appropriate monitors and controls to monitor clogging, which is a blockage in the scrubber inlet. .

본 발명에 따른 인렛 구조체의 사용에 의해, 반도체 제조 작업으로부터의 툴 배출 흐름과 워터 스크러버 사이에는 통상의 프로세스 작업에서 반복해서 막히지 않는 걔면이 제공될 수 있다. 본 발명의 인렛 구조체는 정상(定常)의 저유량 정화 흐름(steady low flow purge stream)과 고압 펄스 흐름의 두 가지의 보조적인 프로세스 흐름을 갖는 계면을 제공한다. 저유량 정화 흐름은 상부 환상 섹션의 내부 표면으로부터 중앙 유동 통로(66)의 중앙선을 향한 질소와 같은 불활성 기체의 네트 플럭스(net flux)를 형성한다. 고압 기류 흐름은 솔리드 클로깅(solid clogging), 즉 고상 물질로 인해 막히는 현상에 대한 자체 세정 능력을 제공한다. 고압 기류를 이용하면, 중앙 유동 통로의 인렛 구조체의 상부 환상 섹션의 내부 표면 상에 어떠한 입자도 집적(buildup)되지 않게 된다.By the use of the inlet structure according to the invention, it is possible to provide a face which is not clogged repeatedly in a normal process operation between the tool discharge flow from the semiconductor manufacturing operation and the water scrubber. The inlet structure of the present invention provides an interface with two secondary process flows: a steady low flow purge stream and a high pressure pulse flow. The low flow purge flow forms a net flux of inert gas, such as nitrogen, from the inner surface of the upper annular section towards the centerline of the central flow passage 66. The high pressure air stream provides solid clogging, ie self-cleaning capability against clogging due to solid phase material. Using high pressure airflow, no particles build up on the inner surface of the upper annular section of the inlet structure of the central flow passage.

이어서, 기체, 동반된 입자 및 이전에 고착된 입자는 인렛 구조체의 하부 환상 섹션 내의 내벽 표면에서 오버플로(overflow) 흐름으로 유도되어 인렛 구조체 하류의 워터 스크러버 안으로 분출된다. 이렇게 해서, 인렛 구조체의 상부 환상 섹션의 기체 투과성 벽과 하부 환상 섹션의 둑 벽 사이의 직접 계면에 의해, 작업 중에 미립형 고체의 집적을 효율적으로 최소화하는 고효율의 인렛이 확실히 제공된다.The gas, entrained particles and previously fixed particles are then directed to an overflow flow at the inner wall surface in the lower annular section of the inlet structure and ejected into the water scrubber downstream of the inlet structure. In this way, the direct interface between the gas permeable wall of the upper annular section of the inlet structure and the weir wall of the lower annular section ensures a high efficiency inlet that efficiently minimizes the accumulation of particulate solids during operation.

본 발명에 따른 인렛 구조체는 다수의 장점을 갖는다. 반도체 제조 설비와, 반도체 프로세스 설비 내의 툴로부터 배출되는 폐 기체를 처리하는 워터 스크러버 처리 시스템에 대한 용례에 있어서, 반도체 툴로부터의 배출 기체는 툴 배출 포트로부터 워터 스크러버 인렛 구조체 내의 물 계면까지 줄곧 지속적으로 가열될 수 있다. 에너지를 도관에 전달하여 라인을 가열하도록 인렛 라인 상의 히트 트레이싱을 사용할 수 있는데, 이것은 에너지를 강제 대류에 의해 유동 기체 흐름에 전달한다. 기체를 상부 환상 섹션으로 유동시키는 기류 라인을 히트 트레이싱시키고 또한 인렛 구조체의 상부 환상 섹션의 내부 환형 내용적부로 펄스형 고압 기체를 이송하는 고압 기류 라인을 히트 트레이싱시킴으로써, 프로세스 기체는 인렛 구조체의 하부 환상 섹션의 오버플로 둑 벽 쪽으로 줄곧 가열될 수 있다. 가열된 기체의 그러한 유동에 의해, 상류 프로세스 유닛으로부터 인렛 구조체로 유동되는 기체 흐름 중의 소정의 미립분 형성 기체의 증기압에 의해 측정되는 소정 온도에서 프로세스 기체가 인렛 구조체의 중앙 유동 통로를 통해 계속 유동될 것이며, 그렇지 않은 경우, 이 기체는 인렛 구조체의 벽 상에서 응측되거나 승화 및 고착될 것이다.The inlet structure according to the invention has a number of advantages. In applications for semiconductor manufacturing facilities and water scrubber treatment systems that treat waste gas discharged from tools in semiconductor process equipment, the exhaust gas from the semiconductor tool continues to flow from the tool discharge port to the water interface in the water scrubber inlet structure. Can be heated. Heat tracing on the inlet line can be used to deliver energy to the conduit to heat the line, which delivers energy to the flowing gas stream by forced convection. By heat tracing the air flow line flowing gas into the upper annular section and heat tracing the high pressure air flow line delivering the pulsed high pressure gas into the inner annular volume of the upper annular section of the inlet structure, the process gas is It can be heated all the way to the overflow dam wall of the section. Such a flow of heated gas allows the process gas to continue to flow through the central flow passage of the inlet structure at a predetermined temperature measured by the vapor pressure of the desired particulate forming gas in the gas stream flowing from the upstream process unit to the inlet structure. Otherwise, this gas will condense or sublimate and settle on the walls of the inlet structure.

본 발명의 인렛 구조체의 다른 장점으로서, 그러한 구조체는 용이하게 분해될 수 있다. 작업시 인렛 구조체가 막히게 되는 경우, 인렛 구조체는 이 구조체의 플랜지를 상호 유지시키는 클램프 또는 다른 고정 요소를 분리하기만 하면 용이하게 분해된다. 따라서, 개별 플랜지를 적소에 유지시키는 클램프를 분리하고, 상부 환상 섹션에 연결된 개별 기체 이송 라인을 분리하면, 상부 환상 섹션을 교체할 수 있다.As another advantage of the inlet structure of the present invention, such a structure can be easily disassembled. If the inlet structure becomes clogged during operation, the inlet structure is easily dismantled simply by removing the clamps or other fastening elements that hold the flanges of the structure together. Thus, by separating the clamps that hold the individual flanges in place and the individual gas delivery lines connected to the upper annular section, the upper annular section can be replaced.

본 발명에 따른 인렛 구조체의 또 다른 장점으로서, 이것은 자체 세정 특성을 갖는다. 상류 프로세스 유닛으로부터 인렛 구조체로 유동하는 기체 흐름 중에 동반되었거나 인렛 구조체 내의 화학 반응에 의해 형성된 입자는 인렛 구조체의 상부 환상 섹션 내의 내부 환형 내용적부로 펄스형으로 분사되는 고압 기체에 의해 인렛 구조체의 기체 투과성 벽으로부터 용이하게 세정될 수 있다. 이어서, 그 때 인렛 구조체의 상부 환상 섹션의 내벽 표면으로부터 떨어져 나온 입자는 그러한 미립형 고체가 하류 스크러버로 분출되는 둑 벽의 오버플로부로 유도된다. 시스템 미립분 농도의 주요 조건과 그러한 고체의 특성을 수용하도록 고압 기체 압력 펄스의 압력, 지속성 및 주기성을 설정하는 것은 용이할 수 있다. 간헐적인 고압 기체 분사의 효율은 미립형 고체의 특성에 의존할 것이다. 따라서, 본 발명의 인렛 구조체가 갖는 자체 세정의 특성은 종래 기술의 유체 처리 시스템의 소위 자체 세정형 장치에서 전형적인 스크레이퍼 또는 플런저 장치를 사용하지 않는 것이다.As another advantage of the inlet structure according to the invention, it has self cleaning properties. Particles entrained in the gas flow flowing from the upstream process unit to the inlet structure or formed by chemical reactions within the inlet structure are gas permeable of the inlet structure by high pressure gas that is pulsed into the inner annular volume within the upper annular section of the inlet structure. It can be easily cleaned from the wall. The particles that then fall off the inner wall surface of the upper annular section of the inlet structure are directed to the overflow portion of the weir wall where such particulate solids are ejected into the downstream scrubber. It may be easy to set the pressure, persistence and periodicity of the high pressure gas pressure pulse to accommodate the key conditions of the system particulate concentration and the properties of such solids. The efficiency of intermittent high pressure gas injection will depend on the nature of the particulate solid. Therefore, the characteristic of the self-cleaning of the inlet structure of the present invention is that it does not use the scraper or plunger device typical of the so-called self-cleaning device of the prior art fluid treatment system.

인렛 구조체의 상부 환상 섹션의 다공질 벽 요소의 재료 특성은 상류 프로세스 유닛으로부터 유입되는 프로세스 기체에 의존한다. 기체 흐름이 산성 기체 성분을 포함하는 경우, 그러한 기체는 워터 스크러버 중에 흡수되고, 인렛 구조체의 하부 환상 섹션 내의 오버플로 둑 벽에 재순환되는 물 속에 존재할 것이다. 오버플로 둑 벽의 물 중의 일부가 인렛 구조체의 상부 환상 섹션의 다공질 내벽에 튀길 수 있을 것이다. 그 경우, 다공질 벽은 내식성의 구조 재료로 선택되면 바람직하다. 그러한 목적으로 바람직한 금속 재료는 하스텔로이 276 강으로, 저온의 산 수용액 조건하에서 탁월한 내식성을 나타낸다.The material properties of the porous wall element of the upper annular section of the inlet structure depend on the process gas coming from the upstream process unit. If the gas stream comprises an acidic gas component, such gas will be absorbed in the water scrubber and present in the water recycled to the overflow dam wall in the lower annular section of the inlet structure. Some of the water in the overflow dam wall may splash into the porous inner wall of the upper annular section of the inlet structure. In that case, the porous wall is preferably selected as the corrosion resistant structural material. A preferred metal material for this purpose is Hastelloy 276 steel, which exhibits excellent corrosion resistance under low temperature acid aqueous solution conditions.

본 발명의 인렛 구조체의 또 하나의 장점으로서, 본원에서 예시한 바와 같이 인렛 구조체가 워터 스크러버의 상류에 사용되는 때 워터 스크러버의 상부로부터 프로세스 배관 안으로 수증기가 역류하는 것이 최소화된다. 이러한 장점의 설명에 의해, 미립분이 몇몇 반도체 툴의 배출 흐름 중에, 프로세스 툴로부터 동반된 미립분이나 기체 흐름의 유동 경로 내부의 화학 반응의 반응물로서 존재할 수 있음이 이해될 것이다.As another advantage of the inlet structure of the present invention, water backflow into the process piping from the top of the water scrubber is minimized when the inlet structure is used upstream of the water scrubber as illustrated herein. By explaining this advantage, it will be appreciated that the fines may be present in the exhaust stream of some semiconductor tools as reactants of chemical reactions within the flow path of the particulate or gas stream entrained from the process tool.

본 발명은 전술한 리차드슨 환상 효과(Richardson annular effect)를 최소화하거나 제거한다. 인렛 구조체의 상부 환상 섹션의 다공질 벽의 내부 표면에서의 기체의 정상(定常) 유출에 기인해, 정적 경계 층 조건은 상부 환상 섹션의 내벽 표면에서는 발휘될 수 없다. 기체 투과성 벽으로부터 유출되는 기체의 네트 플럭스가 프로세스 기류를 인렛 구조체의 중앙 유동 통로를 둘러싸는 벽으로부터 "밀어내도록"작용하고 정적 경계 조건이 존재하지 않게 함으로써 리차드슨 환상 효과를 없애게 된다. 따라서, 입자가 기류 흐름 내의 화학 반응의 결과로 형성되는 경우, 그에 따라 형성된 입자는 그것이 응결할 벽에 도달하지 못한다. 그 대신 입자는 기체 흐름과 함께 워터 스크러버 안으로 유동될 것이다. 동반된 입자에 대해서도 동일하다. 일단 입자가 인렛의 상부에 도달하면, 이들 입자는 그들이 응결될 벽이 없기 때문에 기류 흐름 중에 동반될 것이다.The present invention minimizes or eliminates the aforementioned Richardson annular effect. Due to the steady outflow of gas at the inner surface of the porous wall of the upper annular section of the inlet structure, static boundary layer conditions cannot be exerted on the inner wall surface of the upper annular section. The net flux of gas exiting the gas permeable wall acts to “punish” the process airflow from the wall surrounding the central flow passage of the inlet structure and eliminate the Richardson annular effect by the absence of static boundary conditions. Thus, when particles are formed as a result of chemical reactions in an airflow stream, the particles thus formed do not reach the wall to which they condense. Instead the particles will flow into the water scrubber along with the gas stream. The same applies to the entrained particles. Once the particles reach the top of the inlet, these particles will be entrained during the airflow because they have no wall to condense.

리차드슨 환상 효과를 야기하는 조건을 저지함으로써, 본 발명의 인렛 구조체의 상부 환상 섹션 내의 다공질 벽은 수증기가 프로세스 시스템의 배출 라인으로 역 이동(back migration)하는 것에 대한 효과적인 장벽으로서 작용한다. 어떠한 역 이동도 전술한 상호 확산 기구에 기인해 극히 느릴 것이다. 이러한 인자는 스크러버의 평균 고장 시간을 크게 감소시키게 되는데, 이는 스크러버 진입 및 배출 라인이 본 발명의 인렛 구조체에서는 빈번하게 막히지 않게 될 것이기 때문이다. 송출 튜브(70)가 사용되는 때에는, 다공질 벽(6)을 통해 유동하는 기체의 작용에 의해 형성된 환상 기체 블랭킷에 기인해 수증기의 역 이동은 최소화되거나 제거된다.By retarding the conditions causing the Richardson annular effect, the porous wall in the upper annular section of the inlet structure of the present invention acts as an effective barrier to back migration of water vapor to the discharge line of the process system. Any reverse movement will be extremely slow due to the interdiffusion mechanism described above. This factor greatly reduces the average failure time of the scrubber, since the scrubber inlet and outlet lines will not be frequently blocked in the inlet structure of the present invention. When the delivery tube 70 is used, the reverse movement of water vapor is minimized or eliminated due to the annular gas blanket formed by the action of the gas flowing through the porous wall 6.

비록 본 발명의 인렛 구조체의 상부 환상 섹션의 다공질 벽 부재가 금속 재료로 구성되는 것으로 본원에서 기재되었지만, 그러한 기체 투과성 벽은 모든 적절한 구조 재료로 형성될 수 있음을 이해할 것이다. 예컨대, 다공질 벽은 다공질 세라믹, 플라스틱(예컨대 다공질 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리테트라플루오로에틸렌 등), 또는 본 발명의 인렛 구조체의 사용에서 존재할 수 있는 부식 환경, 극한 온도 및 입력 압력에 견디는 능력을 갖는 다른 재료로 형성될 수 있다.Although the porous wall member of the upper annular section of the inlet structure of the present invention has been described herein as being composed of a metallic material, it will be appreciated that such gas permeable walls may be formed of any suitable structural material. For example, the porous walls have the ability to withstand the corrosive environments, extreme temperatures and input pressures that may be present in the use of porous ceramics, plastics (such as porous polyethylene, polypropylene, polytetrafluoroethylene, etc.), or inlet structures of the present invention. It may be formed of other materials.

비록 본 발명은 예컨대 플랜지 및 관련 신속 분리 클램프 또는 기타 상호 연결 수단에 의해 상호 접속되는 개별적인 분리된 상부 및 하부 환상 섹션을 구비하는 것으로 도 1에서 예시된 실시예에 기재되었지만, 그러한 인렛 구조체는 본 발명의 주어진 최종 사용 용례에서 바람직하거나 필요하다면 단일 또는 일체형 구조체로서 형성될 수 있고, 하부 환상 섹션은 몇몇 경우에서는 불필요한 상부 환상 섹션에 대한 선택적인 섹션일 수 있다.Although the invention is described in the embodiment illustrated in FIG. 1 as having separate separate upper and lower annular sections interconnected by, for example, flanges and associated quick disconnect clamps or other interconnecting means, such inlet structures are described herein. It may be formed as a single or integral structure if desired or necessary for a given end use application, and the lower annular section may in some cases be an optional section for the unnecessary upper annular section.

도 2를 참조하면, 다른 실시예의 막힘 방지 입구 구조체가 도시되어 있다. 이 입구 구조체(100)는 단단한 외벽(110)에 의해 주위가 둘러싸여 있는 원추형 스커트(105)를 선택적으로 포함할 수도 있다. 운송관(112)의 외표면과 원추형 스커트(105)의 내표면 사이에는 환형의 기체 유동 통로(115)가 형성되어 있다. 원추형 스커트는 불활성 기체 및/또는 액체에 의해 입상 고체 함유 및/또는 입상 고체 형성 기류를 환형으로 포위한다. 불활성 기체는 공급 라인(120)을 통해 입구 구조체에 들어간다. 하방으로 외측으로 갈수록 벌어지는 원추형 스커트는 단면적이 점진적으로 감소하도록 되어 있어, 불활성 기체의 속도가 빨라지게 되며 압력은 감소되게 된다. 원추형 스커트(105)는 운송관(112)으로부터 방출되는 기류의 속도와 불활성 기체의 속도가 같아지도록 설계된다. 이와 같이 불활성 기체와 기류의 유속을 일치시키는 것은 동등한 층류(co-laminar flow)를 생성하여 기류 내의 난류(亂流)를 방지하며 이 둘의 유동 기류 사이의 계면에서의 상호 혼합을 방지하는데 유리하다. 따라서, 이 입구 구조체의 효율은 작동 중에 입상 고체의 축적을 최소화함으로써 향상된다.Referring to FIG. 2, another embodiment of the anti-clogging inlet structure is shown. The inlet structure 100 may optionally include a conical skirt 105 that is surrounded by a rigid outer wall 110. An annular gas flow passage 115 is formed between the outer surface of the delivery pipe 112 and the inner surface of the conical skirt 105. The conical skirt annularly surrounds the particulate solid-containing and / or particulate solid-forming airflow with an inert gas and / or liquid. Inert gas enters the inlet structure via supply line 120. The conical skirt which opens downwards to the outside is gradually reduced in cross-sectional area, so that the speed of the inert gas is increased and the pressure is reduced. The conical skirt 105 is designed such that the velocity of the airflow discharged from the delivery pipe 112 and the velocity of the inert gas are the same. This matching of the flow rates of the inert gas and the airflow creates an equivalent co-laminar flow to prevent turbulence in the airflow and to prevent mutual mixing at the interface between the two flows of airflow. . Thus, the efficiency of this inlet structure is improved by minimizing the accumulation of particulate solids during operation.

하방으로 외측으로 갈수록 벌어지는 원추형 스커트는 입구 구조체에 액체를 주입하는 데에도 유리하게 사용될 수 있다. 외벽(110)과 원추형 스커트의 하단(바닥 둘레)은 서로 횡 방향으로 간격을 두고 떨어져 있는 관계로, 그 사이에 액체 유동 통로(135)를 형성한다. 분무 노즐(125)이 액체를 분산시키기 위해 입구 구조체 내에서 서로에 대해 원주 방향으로 간격을 두고 떨어져 배치될 수 있다. 원추형 스커트는 액체를 벽면(130)을 향해 안내한다. 예를 들어, 액체가 물인 경우, 물로 이루어진 박막이 벽면(130)에 형성되어 입상 고체를 하류 스크러버(scrubber)로 분출시킨다. 원추형 스커트의 재료 명세서는 불활성 기체와, 운송관(112)을 통과하여 유동하는 기류에 좌우된다. 기류이 산성 기체 성분을 함유한 경우, 이러한 기체는 분무 노즐(125)로 재순환 되는 물에 존재하게 된다. 이러한 예의 원추형 스커트는 내부식성 재료로 제조되는 것이 바람직하다. 도 1의 실시예를 참조하여 기술된 바와 같이, 운송관, 불활성 기체 및/또는 물은 응축을 감소시키도록 가열될 수도 있다.The conical skirt that opens downward outwardly may also be advantageously used to inject liquid into the inlet structure. The outer wall 110 and the lower end (bottom circumference) of the conical skirt are spaced apart from each other in the transverse direction, forming a liquid flow passage 135 therebetween. Spray nozzles 125 may be spaced apart in the circumferential direction with respect to each other in the inlet structure to disperse the liquid. The conical skirt guides the liquid towards the wall surface 130. For example, if the liquid is water, a thin film of water is formed on the wall surface 130 to eject the granular solid into a downstream scrubber. The material specification of the conical skirt depends on the inert gas and the airflow flowing through the delivery conduit 112. If the air stream contains an acidic gas component, this gas is present in the water recycled to the spray nozzle 125. The conical skirt of this example is preferably made of a corrosion resistant material. As described with reference to the embodiment of FIG. 1, the conduit, inert gas and / or water may be heated to reduce condensation.

도 3에는 또 다른 실시예의 막힘 방지 입구 구조체(200)가 도시되어 있다. 단단한 외벽(205)과 다공성 내벽(210)은 그 사이에 환형의 내용적부(內容積部)를 형성한다. 입상 고체 함유 및/또는 입상 고체 형성 기류를 입구 구조체의 특정한 소정 위치에 주입하기 위해, 연장된 형태의 기류 운송관(212)이 사용될 수도 있다. 운송관(212)은 상류 공급원과 기체 유동 수용 관계로 결합되고 기류를 입구 구조체 내부의 적당한 위치로 안내하여 방출한다. 다공성 내벽(210)의 내표면은 운송관(212)의 외표면 주위를 둘러싼다. 외벽(205)의 상단은 단부 캡(215)에 의해 에워싸인다.3, another embodiment of the anti-clogging inlet structure 200 is shown. The rigid outer wall 205 and the porous inner wall 210 form an annular inner portion therebetween. An extended form air flow conduit 212 may be used to inject the particulate solid-containing and / or particulate solid-forming airflow into a particular predetermined location of the inlet structure. The delivery conduit 212 is coupled in a gas flow receiving relationship with the upstream source and directs airflow to a suitable location within the inlet structure. The inner surface of the porous inner wall 210 wraps around the outer surface of the delivery tube 212. The upper end of the outer wall 205 is surrounded by the end cap 215.

외벽에는 물 공급원에 연결될 수도 있는 물 유입 포트(225)가 마련된다. 단부 캡(215)에는 기체 유입 포트(230)가 마련되어 차폐용 불활성 기체를 입구 구조체 내로 축 방향으로 주입한다. 단부 캡(215)은 불활성 기체를 입구 구조체 내로 축 방향으로 분산시키는 다공성의 분산 기기를 선택적으로 포함할 수도 있다. 임의로 기체 공동이나 저장조가 유입 장치로 주입되는, 예를 들어 질소와 같은 불활성 기체를 내포할 수도 있다. 이 실시예에서는, 물이 다공성 내벽(210)을 통해 뿜어 내어져 액체 박막을 형성하여, 입구 구조체를 통과하여 미립자를 분출시킨다. 다공성 벽(210)은, 예를 들어 세라믹, 금속, 합금, 또는 폴리비닐염화물과 같은 플라스틱 등의 적당한 재료로 형성될 수도 있다. 전술한 바와 같이, 운송관, 불활성 기체 및/또는 물은 응축을 감소 또는 배제시키도록 가열될 수도 있다.The outer wall is provided with a water inlet port 225 that may be connected to a water source. The end cap 215 is provided with a gas inlet port 230 to inject a shielding inert gas axially into the inlet structure. End cap 215 may optionally include a porous dispersing device that axially disperses inert gas into the inlet structure. Optionally a gas cavity or reservoir may contain an inert gas, such as nitrogen, which is injected into the inlet device. In this embodiment, water is blown out through the porous inner wall 210 to form a liquid thin film, which passes through the inlet structure to eject particulates. Porous wall 210 may be formed of a suitable material, such as, for example, ceramic, metal, alloy, or plastic, such as polyvinylchloride. As mentioned above, the delivery tube, inert gas and / or water may be heated to reduce or eliminate condensation.

도 3에 도시된 특정 구조체의 다른 변형예로서, 다공성 내벽(210)이 도 1에 도시된 유형의 위어(weir)와 대체될 수 있다. 예를 들어, 위어 벽의 상단이 상측의 단부 캡(215)과의 사이에 배수 위어를 형성하는 틈새가 마련되도록 단부 캡에 대해 간격을 둔 상태로 구성될 수 있다.As another variation of the particular structure shown in FIG. 3, the porous inner wall 210 may be replaced with a weir of the type shown in FIG. 1. For example, the upper end of the weir wall may be configured to be spaced with respect to the end cap such that a gap is formed between the upper end cap 215 and the upper end cap 215.

도 4는 또 다른 실시예의 막힘 방지 입구 구조체(300)를 보여주고 있다. 환형 상측 섹션(305)은 그 사이에 환형 상측 내부 챔버(320)를 형성하는 다공성 상측 내벽(310)과 단단한 상측 외벽(315)을 포함한다. 연장된 형태의 기류 운송관(322)은 다공성 상측 벽(310)에 의해 주위가 둘러싸여 있으며, 다공성 벽(310)과 동축으로 배치되어 있는 것으로 도시되어 있다. 기체 운송관의 외표면과 다공성 상측 벽의 내표면은 그 사이에 환형 용적부를 형성한다. 운송관(332)은 상류 기체 공급원과 기체 유동 수용 관계로 결합된다. 단단한 상측 벽(315)은 유입 포트(325)를 포함하여 적당한 유체를 상측 내부 챔버(320)로 주입한다.4 shows another embodiment of the anti-clogging inlet structure 300. The annular upper section 305 includes a porous upper inner wall 310 and a rigid upper outer wall 315 forming an annular upper inner chamber 320 therebetween. The elongated air flow carrier 322 is shown surrounded by a porous upper wall 310 and is disposed coaxially with the porous wall 310. The outer surface of the gas delivery pipe and the inner surface of the porous upper wall form an annular volume therebetween. The delivery pipe 332 is coupled in a gas flow receiving relationship with an upstream gas source. The rigid upper wall 315 includes an inlet port 325 to inject suitable fluid into the upper inner chamber 320.

환형 하측 섹션(330)은 그 사이에 환형 하측 내부 챔버(345)를 형성하는 다공성 하측 내벽(335)과 단단한 하측 외벽(340)을 포함한다. 단단한 하측 벽은 유입 포트(350)를 포함하여 유체를 하측 챔버(345)로 주입한다. 작동 시에, 도 4의 입구 구조체에 의해, 불활성 기체가 다공성 상측 벽(310)을 통해 침투할 수 있게 되며 물이 다공성 하측 벽(335)을 통해 뿜어내어질 수 있게 된다. 불활성 기체의 이러한 유동은 기류 내의 미립자를 입구 구조체의 벽 내표면으로부터 멀리에 유지한다. 하측의 다공성 내벽(335)의 내표면 상의 물로 이루어진 박막은 입구 구조체로부터 어떠한 미립자도 씻어낸다.The annular lower section 330 includes a porous lower inner wall 335 and a rigid lower outer wall 340 defining an annular lower inner chamber 345 therebetween. The rigid lower wall includes an inlet port 350 to inject fluid into the lower chamber 345. In operation, the inlet structure of FIG. 4 allows inert gas to penetrate through the porous upper wall 310 and allow water to bleed through the porous lower wall 335. This flow of inert gas keeps particulates in the airflow away from the inner surface of the wall of the inlet structure. The thin film of water on the inner surface of the lower porous inner wall 335 washes away any particulates from the inlet structure.

도 4는 상측 섹션(305)과 하측 섹션(330) 사이의 전이 영역(355) 위에 기류를 방출하는 운송관(322)을 보여주고 있다. 전이 영역(355)은 환형 상측 섹션(305)과 환형 하측 섹션(330)을 접하게 하여 결합시키고 있는 영역일 수도 있다. 전이 영역(355)은 또한, 하측 섹션(330)으로부터 상측 섹션(305)을 분리시키며 기체 운송관(322)의 주위를 둘러싸고 있는 영역을 포함할 수도 있다. 운송관이 선택적으로 전이 영역(355) 아래로 하측 섹션까지 연장될 수도 있음이 이해될 것이다. 운송관(322)이 기류를 상측 섹션 내부에 방출할 것인지, 전이 영역 내부에 방출할 것인지, 또는 하측 섹션 내부에 방출할 것인지는 기류, 사용 방법 및 조건에 좌우된다. 전술한 바와 같이, 운송관, 불활성 기체 및/또는 물은 응축을 감소 또는 배제시키도록 가열될 수도 있다.4 shows a delivery conduit 322 that releases airflow above the transition region 355 between the upper section 305 and the lower section 330. The transition region 355 may be a region in which the annular upper section 305 and the annular lower section 330 are brought into contact with and coupled to each other. The transition region 355 may also include a region that separates the upper section 305 from the lower section 330 and surrounds the gas delivery tube 322. It will be appreciated that the conduit may optionally extend down the transition region 355 to the lower section. Whether the delivery pipe 322 emits airflow inside the upper section, inside the transition zone, or inside the lower section depends on the airflow, the method of use and the conditions. As mentioned above, the delivery tube, inert gas and / or water may be heated to reduce or eliminate condensation.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기체/액체 계면 구조체(410)의 대략적인 입단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of a gas / liquid interface structure 410 in accordance with an embodiment of the present invention.

기체/액체 계면 구조체(410)는 긴 원통형 벽(414)에 의해 형성되는 수직으로 연장되는 제1 유입 유동 통로 부재(412)를 포함한다. 원통형 벽(414)은 유입 유동 통로 부재(412)의 유입 통로(418)의 주위를 둘러싼다. 원통형 벽(414)의 상단에는 반경 방향 외측으로 연장되는 플랜지(416)가 마련되는데, 이 플랜지는 기체/액체 계면 구조체를 관련 공정의 유동 배관, 도관, 설비 등에 결합시키기 위한 것이다.The gas / liquid interface structure 410 includes a vertically extending first inlet flow passage member 412 formed by the elongated cylindrical wall 414. The cylindrical wall 414 surrounds the inlet passage 418 of the inlet flow passage member 412. At the top of the cylindrical wall 414 is provided a flange 416 extending radially outward, which is for joining the gas / liquid interface structure to flow piping, conduits, installations, etc. of the associated process.

제1 유입 유동 통로 부재(412)는 따라서 상단에 유입구(420)를 그리고 하단에는 대응 유출구(422)를 구비하여, 이 개방된 유입 단부와 유출 단부가 내용적부와 함께 유동 통로(418)를 포함하는 유동 경로를 형성하며, 상류 처리 유닛(458)으로부터의 기체가 도 5에 라인(460)으로 예시적으로 도시된 바와 같이 이 유동 경로를 통과하여 유동될 수도 있다.The first inlet flow passage member 412 thus has an inlet 420 at the top and a corresponding outlet 422 at the bottom such that the open inlet and outlet ends comprise a flow passage 418 with the contents. And a gas from upstream processing unit 458 may be flowed through this flow path as exemplarily shown by line 460 in FIG.

제1 유입 유동 통로 부재(412)의 길이는 도 5에 도시된 것보다 상당히 짧아질 수도 있으며, 이러한 유동 통로 부재의 말단 유출구(422)가 구조체의 환형 내용적부(430)의 상단 벽(438) 바로 아래에서 종지될 수도 있다. 선택적으로, 이러한 유동 통로 부재의 말단 유출구(422)가 도 5에 예시적으로 도시된 것보다 더 제2 유동 통로 부재(424) 내부의 수직 방향 아래 지점에서 종지될 수도 있다.The length of the first inlet flow passage member 412 may be considerably shorter than that shown in FIG. 5, with the distal outlet 422 of this flow passage member having a top wall 438 of the annular content 430 of the structure. It may end immediately below. Optionally, the distal outlet 422 of this flow passage member may be terminated at a point below the vertical direction inside the second flow passage member 424 more than illustratively shown in FIG. 5.

따라서, 제1 유입 유동 통로 부재(412)의 하방 수직 범위는 본 발명의 실시에 따라 변할 수도 있으며, 특정 길이와 치수 특성이 부적당한 실험 없이 바로 즉각적으로 결정될 수도 있어 본 발명의 입구 구조체의 특정 사용례의 필요한 작동 특성을 달성하는 구조 및 배열이 선택된다.Accordingly, the downward vertical range of the first inlet flow passage member 412 may vary in accordance with the practice of the present invention, and certain length and dimensional characteristics may be determined immediately without improper experiments so that the particular use of the inlet structure of the present invention. The structure and arrangement are selected to achieve the required operating characteristics of.

상류 처리 유닛(458)은, 예를 들어 반도체 제조 공구 및 관련된 방출 기체 처리 장치를 포함할 수도 있다. 이러한 방출 처리 장치는 또한 방출 기체 중의 산화 가능한 성분의 산화를 위한 산화 기기(oxidizer)를 포함할 수도 있다. 적당한 산화 기기로는 상당히 다양한 유형이 있으며, 예를 들어 열 산화 유닛, 전열 산화 기기 등으로 구성될 수도 있다.The upstream processing unit 458 may include, for example, a semiconductor manufacturing tool and associated emission gas processing apparatus. Such release treatment apparatus may also include an oxidizer for the oxidation of the oxidizable component in the emission gas. Suitable oxidation devices are of a wide variety of types and may be comprised, for example, of thermal oxidation units, electrothermal oxidation devices and the like.

상류 처리 유닛(458)이 반도체 제조 공정용 기체 발생 수단과 기체 처리 수단을 포함하는 경우, 제1 유입 유동 통로 부재(412)의 유입구(420)에 주입되는 기류은 상승된 온도에 있을 수도 있으며, 예를 들어 미크론 이하 크기의 입자 형태의 입상 고체가 상당히 농축되어 있을 수도 있다.When the upstream processing unit 458 includes a gas generating means and a gas processing means for the semiconductor manufacturing process, the airflow injected into the inlet 420 of the first inflow flow passage member 412 may be at an elevated temperature, for example For example, particulate solids in the form of particles of submicron size may be significantly concentrated.

계면 구조체(410)는 제2 유동 통로 부재(424)를 추가로 포함하며, 이 통로 부재는 제1 유동 통로 부재(412)의 주위를 둘러싸고 있으면서 도시된 바와 같이 제1 유동 통로 부재와의 사이에 환형 용적부(430)를 형성하도록 간격을 두고 배치되어 있다. 제2 유동 통로 부재(424)는 하단(468)까지 하방으로 연장되며 이 하단은 제1 유동 통로 부재(412)의 하단 아래에 위치하므로, 제1 유동 통로 부재의 개방 유출구(422)는 제2 유동 통로(424)의 개방 하단(468)과 수직 방향으로 간격을 둔 관계에 있다. 전술한 바와 같이, 제1 유동 통로 부재의 유출구(422)의 위치는 본 발명의 광범위한 실시에 따라 수직 방향으로 폭넓게 변화할 수도 있다.The interface structure 410 further includes a second flow passage member 424, which is enclosed around the first flow passage member 412 and between the first flow passage member as shown. Spaced so as to form an annular volume 430. The second flow passage member 424 extends downward to the bottom 468, and the bottom thereof is located below the bottom of the first flow passage member 412, so that the open outlet 422 of the first flow passage member is second. Is in a vertically spaced relationship with the open bottom 468 of the flow passage 424. As described above, the position of the outlet 422 of the first flow passage member may vary widely in the vertical direction in accordance with the broad implementation of the present invention.

제2 유동 통로 부재(424)는 도시된 바와 같은, 액체 침투 가능한 상부(426)과, 이 액체 침투 가능한 부분(426)으로부터 하방으로 연장되는 나머지 액체 불침투성 부분(428)을 포함한다. 액체 침투 가능한 상부(426)과 액체 불침투성 하부(428)은, 예를 들어 다공성 원통형 상측 세그먼트(426)를 처음에는 분리되어 있는 단단한 벽으로된 원통형 하부(428)에 납땜, 땜납, 기계적 패스너 고정구, 또는 다른 적당한 방식에 의해 서로 결합시킴으로써 적당한 방식으로, 또는 이외의 다른 적절한 결합 수단 및 방법으로 형성될 수도 있다.The second flow passage member 424 includes a liquid permeable top 426, as shown, and the remaining liquid impermeable portion 428 extending downward from the liquid permeable portion 426. The liquid permeable top 426 and the liquid impermeable bottom 428 are for example soldered, soldered, mechanical fastener fixtures to the porous cylindrical upper segment 426 which is initially separated from the rigid walled cylindrical bottom 428. It may be formed in a suitable manner or by other suitable bonding means and methods by, or by bonding to each other by other suitable manner.

선택적으로, 제2 유동 통로 부재(424)는 하나의 원통형 관상 부재를 사용하여 형성될 수도 있는데, 그 상부은 물 분출 기계 가공, 에칭, 소결, 마이크로 전기 가공, 또는 다공성 또는 침투 특성을 상기 관상 부재의 상부에 부여할 수 있는 다른 적당한 기술과 같은 가공에 의해 액체 침투 가능한을 나타내게 된다. 바람직하게, 제2 유동 통로 부재는 처음에는 분리되어 있다가 함께 결합되는 상부과 하부으로 형성되며, 그 상부은 다공성의 소결 처리된 금속 재료, 다공성 플라스틱 재료, 다공성 세라믹 재료, 또는 다른 다공성 재료로 구성되며, 그 구멍의 크기는 보다 상세히 후술한 바와 같이, 그것을 통하여 액체가 침투할 수 있을 만큼 충분히 크다.Optionally, the second flow passage member 424 may be formed using a single cylindrical tubular member, the upper portion of which is characterized by water jet machining, etching, sintering, microelectroma processing, or porous or penetrating properties of the tubular member. It is possible to demonstrate liquid permeability by processing such as other suitable techniques that can be imparted on top. Preferably, the second flow passage member is initially formed of a top and a bottom that are separated and joined together, the top of which is composed of a porous sintered metal material, a porous plastic material, a porous ceramic material, or other porous material, The size of the hole is large enough to allow liquid to penetrate through it, as described in more detail below.

기체/액체 계면 구조체(410)는, 제2 유동 통로 부재의 주위를 완전히 둘러싸고 있으면서 이것과 함께 환형 내용적부(470)를 형성하는 외벽 부재(434)를 추가로 포함한다. 외벽 부재(434)는 원통형 측벽(436)과, 상단벽(438) 그리고 하단벽(440)을 포함하며, 이들은 협동하여 내용적부(470)를 에워싼다. 측벽(436)에는 액체 주입 포트(442)가 마련된다. 이 주입 포트는 적당한 방식으로 제공될 수도 있지만, 도시된 실시예에서는 관상 포트 연장부(444)로 구성된다. 선택적으로, 주입 포트는 단순히 측벽 내의 개구나 오리피스, 또는 다른 액체 입구 구조체일 수도 있으며, 이것에 의해, 액체가 외부 액체 공급원으로부터 환형 내용적부(470)로 주입될 수 있다.The gas / liquid interface structure 410 further includes an outer wall member 434 that completely surrounds the second flow passage member and forms an annular inner portion 470 therewith. The outer wall member 434 includes a cylindrical sidewall 436, a top wall 438 and a bottom wall 440, which cooperate to surround the interior portion 470. The side wall 436 is provided with a liquid injection port 442. This injection port may be provided in a suitable manner, but in the illustrated embodiment consists of a tubular port extension 444. Optionally, the injection port may simply be an opening or orifice in the sidewall, or other liquid inlet structure, whereby liquid can be injected into the annular volume 470 from an external liquid source.

도 5의 실시예에서, 액체 주입 포트(442)는 내부에 유동 제어 밸브(448)를 내장한 액체 주입 라인(446)과 결합된다. 액체 입구 라인(446)은 액체 공급 저장조(450)에 연결된다.In the embodiment of FIG. 5, the liquid injection port 442 is coupled with a liquid injection line 446 having a flow control valve 448 therein. The liquid inlet line 446 is connected to the liquid supply reservoir 450.

도 6은 도 5의 장치의 상측 평면도로, 도 6에 도시된 계면 구조체의 환형 내용적부(470)로 흐르는 액체 공급용의 접선 방향 장치를 보여주고 있다. 도 6은 관상 포트 연장부(444)기 외벽 부재의 원통형 측벽과 접선 방향으로 교차하여 결합되도록 배열되는 것을 보여주고 있다. 이러한 방식으로 주입 액체는 다공성의 원통형 상측 세그먼트[액체 침투 가능한 상부(426)] 둘레에 원주 방향으로 상당히 균일하게 분산되므로, 다공성의 원통형 세그먼트를 통하여 스며들어 생성되는 액체 박막도 따라서, 보다 상세히 후술한 바와 같이, 벽 내표면(472)을 원주 방향으로 균일하게 덮어 싼다.FIG. 6 is a top plan view of the device of FIG. 5 showing a tangential device for liquid supply flowing into the annular inner portion 470 of the interface structure shown in FIG. 6. FIG. 6 shows that the tubular port extension 444 is arranged to tangentially intersect the cylindrical sidewall of the outer wall member. In this way the injection liquid is fairly evenly distributed in the circumferential direction around the porous cylindrical upper segment (liquid penetrating top 426), so that a liquid thin film which seeps through the porous cylindrical segment is thus described in more detail below. As such, the wall inner surface 472 is uniformly covered in the circumferential direction.

라인(446) 내의 액체 유동 제어 밸브(448)는, 저장조(450)로부터 라인(446)을 통과하여 액체 유입 포트(442)까지 액체의 예정된 또는 다시 말해 선택된 유동을 제공하기 위해, 중앙 처리 장치(CPU), 마이크로프로세서, 유동 제어 콘솔(console) 및/또는 보조 감시 및 제어 수단을 포함하는 적당한 제어기/타이머 수단에 결합될 수도 있다. 이렇게 주입된 액체는 환형 내용적부(470)를 채우며, 이러한 액체는 적당한 처리 조건에서 주입될 수도 있다.The liquid flow control valve 448 in line 446 passes through the central processing unit to provide a predetermined or in other words a selected flow of liquid from reservoir 450 through line 446 to liquid inlet port 442. CPU), microprocessor, flow control console, and / or auxiliary controller / timer means, including suitable monitoring and control means. The injected liquid fills the annular inner portion 470, which may be injected under suitable processing conditions.

반도체 제조 공정으로부터의 고온의 미립자 축적된 방출 기류과 같은 기체의 처리를 위해, 환형 내용적부(470)의 액체는 물이나 다른 수성 매체일 수도 있다.For the treatment of gases such as hot particulate accumulated release air streams from semiconductor manufacturing processes, the liquid in the annular volume 470 may be water or other aqueous media.

제2 유동 통로 부재(424)의 액체 침투 가능한 상부(426)의 액체 침투 특성 덕택으로, 액체는 환형 내용적부(470)로부터 제2 유동 통로 부재의 상부(426)을 통하여 침투되며, 이러한 상부의 벽 내표면(432)에 액체 방울(454)로서 나타나게 된다.Due to the liquid penetrating properties of the liquid permeable top 426 of the second flow passage member 424, the liquid penetrates from the annular volume 470 through the top 426 of the second flow passage member, It appears as a liquid drop 454 on the wall inner surface 432.

이러한 유출 액체 방울은 중력의 영향을 받아 낙하하여 다른 액체 방울과 합쳐져 전체적으로 모아져, 제2 유동 통로 부재의 액체 불침투성 부분의 벽 내표면(472) 상에 하방 유동 액체 박막(456)을 형성한다. 제2 유동 통로 부재의 하측 개방단(68)으로부터 방출되는 액체 박막 내의 액체는, 예를 들어 라인(462) 내의 하류 처리 유닛(464)에서 이곳으로 유동되는 제2 유동 통로 부재의 기체 유동 통로(452)로부터의 기류과 함께 처리되도록 적당한 수집 및 처리 수단(도시하지 않음)으로 안내될 수도 있다.These spilled liquid droplets fall under the influence of gravity and merge with other liquid droplets to collect as a whole, forming a downward flow liquid thin film 456 on the wall inner surface 472 of the liquid impermeable portion of the second flow passage member. The liquid in the liquid thin film discharged from the lower open end 68 of the second flow passage member is, for example, the gas flow passage of the second flow passage member which flows here in the downstream processing unit 464 in line 462. It may be directed to suitable collection and processing means (not shown) to be treated with the airflow from 452.

하류 처리 유닛(464)은 물 스크러버, 반응 챔버, 또는 다른 처리 장치 또는 가공 구역일 수도 있으며, 이곳에서 라인(462) 내의 통로(452)로부터 유동되어 흐름 접속에는 추가의 처리가 가해지며, 라인(466) 내의 하류 처리 유닛으로부터 최종 방출 기체가 배출된다.The downstream treatment unit 464 may be a water scrubber, reaction chamber, or other processing apparatus or processing zone, where it flows from the passage 452 in the line 462 where additional processing is applied to the flow connection. The final offgas is discharged from the downstream processing unit in 466.

기체/액체 계면 구조체(410)는 따라서, 제2 유동 통로 부재의 액체 침투 가능한 상부(426)과, 제1 및 제2 유동 부재 사이의 환형 용적부(430)를 제공하도록 구성되므로, 액체 침투 가능한 상부을 통과하여 스며든 액체는 합쳐져 낙하 액체 박막(456)으로 발전될 수 있다. 이러한 배열에 의해, 유동 통로(418)로부터 유동 통로(452)로 유동된 기체는 보호 액체 박막(456)으로 덮여 있는 제2 유동 통로 부재의 하부의 벽 내표면(472)에 부딪친다. 따라서, 제1 유동 통로 부재의 하측 개방단(422)으로부터 방출된 기체 중의 어떠한 부식성 물질도 벽 내표면과 관련하여 검출될 수 있어, 제2 유동 통로 부재의 이러한 벽 내표면 상의 부식 및 안 좋은 반응 효과를 최소화한다.The gas / liquid interface structure 410 is thus configured to provide a liquid permeable top 426 of the second flow passage member and an annular volume 430 between the first and second flow members, thereby providing liquid permeability. The liquid that has permeated through the top may be combined to develop into the falling liquid thin film 456. By this arrangement, the gas flowing from the flow passage 418 into the flow passage 452 impinges the inner wall surface 472 of the lower portion of the second flow passage member covered with the protective liquid thin film 456. Accordingly, any corrosive substances in the gas discharged from the lower open end 422 of the first flow passage member can be detected in relation to the wall inner surface, so that corrosion and poor reaction on this wall inner surface of the second flow passage member can be detected. Minimize the effect.

또한, 제2 유동 통로 부재와 외벽 부재(434) 사이의 환형 내용적부(470)에 액체를 주입함으로써, 액체 저장조 구조체가 제공된다. 그 때문에, 액체가 제2 유동 통로 부재의 다공성의 상부에 제공되어 이것을 통과하여 침투하게 되며, 하방으로 흘러내려 제2 유동 통로 부재의 벽 내표면 상에 보호 박막을 형성한다.In addition, a liquid reservoir structure is provided by injecting liquid into the annular inner portion 470 between the second flow passage member and the outer wall member 434. As a result, a liquid is provided on top of the porosity of the second flow passage member to penetrate therethrough and flows downward to form a protective thin film on the wall inner surface of the second flow passage member.

제2 유동 통로 부재의 내표면(472) 상의 이러한 낙하 박막은 또한, 이러한 액체 박막이 없는 경우에는 제2 유동 통로 부재의 벽 내표면 상에 침적되어 모아질 수도 있는 어떠한 미립자도 기류으로부터 비말 동반시켜 추출하는 역할을 한다.This falling thin film on the inner surface 472 of the second flow passage member is also extracted by entraining any particulates that may be deposited and collected on the wall inner surface of the second flow passage member in the absence of such liquid thin film from the air stream. It plays a role.

따라서, 낙하 액체 박막은 제2 유동 통로 부재의 벽 내표면과 관련하여 보호 기능을 제공할 뿐만 아니라, 유동 통로 부재의 벽 내표면에 축적되면 해가될 수 있는 입상 고체 및 다른 기체상 성분을 추출하는 비말 동반 매체를 제공한다.Thus, the falling liquid thin film not only provides a protective function with respect to the inner wall surface of the second flow passage member, but also extracts particulate solids and other gaseous components that may be harmful if accumulated on the inner wall surface of the flow passage member. To provide a companion medium to splash.

도 5에 예시적으로 도시된 이러한 구조체의 다른 장점이 되는 액체 침투 가능한 상부(426)의 사용은 액체 범람 위어와 같은 구조체의 설치에 비해 액체 사용량을 최소화시키는 역할을 하며, 이러한 구조체에서, 환형 내용적부(470)로부터의 액체는 간단하게 벽(426)의 상단을 범람하여 제2 유동 통로 부재 내표면의 전체 길이에 걸쳐 벽의 박막 형태로 하방으로 유동한다. 작동에 필요한 액체는 본 발명의 위핑식 위어 구조체(weeping weir structure)에 의해 매우 낮은 레벨에 유지된다.Another advantage of this structure, which is illustrated by way of example in FIG. 5, is the use of a liquid penetrable top 426, which serves to minimize liquid usage compared to the installation of structures such as liquid overflow weirs, in which the annular content The liquid from the drop 470 simply overflows the top of the wall 426 and flows downward in the form of a thin film of wall over the entire length of the inner surface of the second flow passage member. The liquid required for operation is maintained at a very low level by the whipping weir structure of the present invention.

간단한 액체 범람 위어 구조체를 능가하는 본 발명의 위핑식 위어 구조체의 다른 장점은, 액체 범람 위어 구조체는 위어가 설계된 바에 따라 효율적으로 작동하기 위해서는 수직으로 정확하게 정렬되어야 하는 반면, 위핑식 위어 구조체는 작동 구조 효율의 손상이나 감손 없이 보통의(수직) 방위로부터 편향 여유가 있는 것이다.Another advantage of the whipping weir structures of the present invention over simple liquid flooding weir structures is that the liquid flooding weir structures must be aligned vertically and precisely in order for the weirs to operate efficiently, while the whipping structures have a working structure. There is room for deflection from normal (vertical) orientation without compromising or degrading efficiency.

다시 말해, 본 발명의 위핑식 위어 구조체는 구조체의 수평에 의해서 뿐만 아니라 액체 침투 가능한 위어 벽에 의한 최소 습윤 비율에 의해 범람 위어 물의 추가 비율을 완화하는 것을 특징으로 한다(통상적인 범람 구조체에 따르면, 위어로부터의 액체 유출 시작을 설정 및 유지하는 시초 액체 목록이 없으므로).In other words, the whipping weir structure of the present invention is characterized by mitigating the additional rate of overflowing weir water not only by the horizontal of the structure but also by the minimum wet rate by the liquid penetrating weir wall (according to conventional flooding structures Since there is no list of starting liquids to set and maintain the start of liquid outflow from the weir).

도 5에 예시적으로 도시된 유형의 기체/액체 계면 구조체의 예시적인 일예로서, 이러한 구조체는 반도체 제조 공정으로부터 열 산화 기기 유닛 처리 방출 기체의 하류에 사용될 수도 있으므로, 계면 구조체(410)에 들어가는 라인(460) 내의 기류에는 규소와 같은 미립자, 금속 미립자 및 미크론 이하 크기의 입자나 보다 큰 고형물 뿐만 아니라 부식성 고형물 등이 축적되어 있으며 고온이다.As an illustrative example of a gas / liquid interfacial structure of the type shown illustratively in FIG. 5, such a structure may be used downstream of a thermal oxidation device unit process releasing gas from a semiconductor manufacturing process, thus leading to a line entering the interfacial structure 410. The airflow in 460 accumulates not only fine particles such as silicon, fine metal particles, and particles having a submicron size, larger solids, but also corrosive solids and the like, and is hot.

이러한 실시예에서, 제2 유동 통로 부재의 상부(426)은 평균 크기가 약 2 미크론인 구멍이 형성된 두께가 1/16 인치 정도의 소결 처리된 금속 벽으로 구성될 수도 있다. 제1 유동 통로 부재(412)는 길이가 4.48 인치 정도이고 직경은 2.5 인치 정도일 수도 있다. 대응하는 제2 유동 통로 부재(424)는 이에 맞춰 길이는 13.5 인치 정도이며, 직경은 4.5 인치 정도이다. 외벽 부재(434)는 수직 방향 길이가 5.5 인치 정도이고 직경은 6 인치 정도일 수도 있다.In such an embodiment, the top 426 of the second flow passage member may be comprised of a sintered metal wall about 1/16 inch thick with holes formed with an average size of about 2 microns. The first flow passage member 412 may be about 4.48 inches long and may be about 2.5 inches in diameter. The corresponding second flow passage member 424 is accordingly about 13.5 inches long and about 4.5 inches in diameter. The outer wall member 434 may be about 5.5 inches in vertical length and about 6 inches in diameter.

이러한 시스템에 물이 액체 매체로서 사용될 수 있는데, 물은 저장조(450)로부터 환형 내용적부(470)로 주입되어, 제2 유동 통로 부재의 액체 침투 가능한 상부(426)의 내표면(432) 상으로 이것을 통과하여 스며든다. 이러한 시스템의 물 사용량은 작동 중 1분당 0.1 내지 0.3 갤론 정도일 수도 있다.Water may be used as a liquid medium in such a system, where water is injected from the reservoir 450 into the annular interior portion 470 and onto the inner surface 432 of the liquid permeable top 426 of the second flow passage member. Soak through it. The water usage of such a system may be on the order of 0.1 to 0.3 gallons per minute during operation.

도 7에는 배출 기체를 발생시키는 상류 시스템(512), 배출 라인(514), 매니폴드 덕트 라인(516), 제1 흡입 라인(518)과 제2 흡입 라인(520), 및 하류의 스크러버 유닛(550)으로 구성된 시스템(510)의 개략도가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 예컨대 반도체 제조 설비 또는 반도체 처리 공구를 포함할 수 있는 상류 시스템은 매니폴드와 흡입 라인을 경유하여 스크러버와 기체 기밀하게 연결된다. 배출 라인, 매니 폴드 라인 및 흡입 라인의 직경은 어떠한 적절한 직경, 예컨대 1.5 내지 3 인치(3.81 내지 7.62㎝)일 수 있다.7 shows an upstream system 512 for generating exhaust gas, an exhaust line 514, a manifold duct line 516, a first suction line 518 and a second suction line 520, and a downstream scrubber unit ( A schematic diagram of a system 510 consisting of 550 is shown. As shown, an upstream system, which may include, for example, a semiconductor manufacturing facility or semiconductor processing tool, is gas tightly connected with the scrubber via the manifold and the suction line. The diameter of the discharge line, the manifold line and the suction line can be any suitable diameter, such as 1.5 to 3 inches (3.81 to 7.62 cm).

도 8에는 본 발명의 예시적인 실시예의 개략도가 도시되어 있다. 상류 시스템(612), 예컨대 반도체 제조 공구는 배출 라인(614)에 연결된다. 배출 라인(614)은 내부 흐름 통로와 제2 단부의 상류에 제1 단부가 있는 긴 관형의 형상을 이루는 벽을 구비한다. 상기 배출 라인(614)의 내부 흐름 통로는 제1 단부에서 상류 시스템(612)에 연결되어 상류 시스템으로부터의 배출 기체를 수용한다. 배출 라인(614)의 제2 단부는 흡입 매니폴드 라인(616)의 대략 중간 지점에 연결된다. 흡입 매니폴드 라인(616)은 내부 흐름 통로와 제1 단부 및 제2 단부가 있는 긴 몸체를 이루는 벽을 구비한다. 흡입 매니폴드 라인(616)의 제1 단부 및 제2 단부는 대략 중간 지점에 있는 배출 라인(614)과의 연결부로부터 하류에 있다. 배출 라인(614)과 매니폴드 라인(616)의 연결부는 배출 기체가 배출 라인(614)의 내부 흐름 통로로부터 매니폴드 라인(616)의 내부 흐름 통로로 효율적으로 통과하게 한다.8 is a schematic diagram of an exemplary embodiment of the present invention. An upstream system 612, such as a semiconductor manufacturing tool, is connected to the discharge line 614. Discharge line 614 has an elongated tubular wall with an inner flow passageway and a first end upstream of the second end. An internal flow passage of the discharge line 614 is connected to the upstream system 612 at the first end to receive the exhaust gas from the upstream system. The second end of the outlet line 614 is connected to approximately an intermediate point of the intake manifold line 616. Suction manifold line 616 has an inner flow passageway and a wall that forms an elongated body having a first end and a second end. The first and second ends of the intake manifold line 616 are downstream from the connection with the outlet line 614 at approximately an intermediate point. The connection of the discharge line 614 and the manifold line 616 allows the exhaust gas to efficiently pass from the internal flow passage of the discharge line 614 into the internal flow passage of the manifold line 616.

제1 흡입 라인(618)과 제2 흡입 라인(620)은 내부 통로와 제1 및 제2 단부를 이루는 벽을 구비한다. 제1 흡입 라인(618)과 제2 흡입 라인(620) 각각의 제1 단부는 매니폴드 라인(616)의 제1 단부 및 제2 단부에 연결되어 배출 기체가 매니 폴드 라인(616)의 내부 흐름 통로로부터 흡입 라인(618, 620)의 내부 흐름 통로로 통과하는 것을 용이하게 한다. 흡입 라인의 제2 단부는 제1 단부로부터 하류에 있다. 제1 흡입 라인(618) 및 제2 흡입 라인(620) 각각의 제2 단부는 스크러버 유닛(650)에 연결된다.The first suction line 618 and the second suction line 620 have internal passageways and walls that form first and second ends. The first ends of each of the first suction line 618 and the second suction line 620 are connected to the first and second ends of the manifold line 616 such that the exhaust gas flows into the manifold line 616. Facilitate passage from the passage to the internal flow passages of the suction lines 618, 620. The second end of the suction line is downstream from the first end. A second end of each of the first suction line 618 and the second suction line 620 is connected to the scrubber unit 650.

도시된 바와 같이, 스크러버 유닛(650)은 스크러버 수로(652)에 연결되어 있다. 연결부는 물이 스크러버 수로(652)로부터 스크러버(650)로 통과하는 것을 용이하게 한다. 또한, 스크러버(650)는 배기 기체 방전 방출 라인(654)에 연결되어, 스크러버(650)로부터의 기체가 방출 라인(654)을 통하여 방출 위치로 통과하게 한다. 또한, 스크러버(650)는 액체 폐기물 라인(656)에 연결되어 스크러버(650)로부터의 액체 폐기물이 액체 폐기물 방출 위치로 막힘없이 통과하게 한다. 스크러버 수로(652), 배기 기체 배출 라인(654), 액체 폐기물 라인(656), 배출 라인(614), 매니폴드 흡입 라인(616) 및, 제1 흡입 라인(618) 및 제2 흡입 라인(620)은 특정 기체 유량과 설비 내에 마련된 처리 유닛 작동에 적절한 어떠한 직경을 가질 수 있다.As shown, the scrubber unit 650 is connected to the scrubber channel 652. The connection facilitates the passage of water from the scrubber channel 652 to the scrubber 650. In addition, the scrubber 650 is connected to the exhaust gas discharge discharge line 654 to allow gas from the scrubber 650 to pass through the discharge line 654 to the discharge position. In addition, the scrubber 650 is connected to the liquid waste line 656 to allow the liquid waste from the scrubber 650 to pass through to the liquid waste discharge position without clogging. Scrubber channel 652, exhaust gas discharge line 654, liquid waste line 656, discharge line 614, manifold suction line 616, and first suction line 618 and second suction line 620 ) May have any diameter suitable for the particular gas flow rate and operation of the processing unit provided in the installation.

매니폴드 흡입 라인과 제1 및 제2 흡입 라인 사이의 연결부는 45 내지 90°사이의 각도로 편향되어 있으며, 이에 따라 매니폴드 흡입 라인의 내부 통로는 물이 제1 및 제2 흡입 라인의 내부 통로의 내부로부터 물이 역류하는 것을 억제하는 물 배플(water baffle)로서의 역할을 한다.The connection between the manifold suction line and the first and second suction lines is deflected at an angle of between 45 and 90 °, so that the internal passage of the manifold suction line causes water to flow into the internal passages of the first and second suction lines. It serves as a water baffle that suppresses the backflow of water from the interior of the.

제1 흡입 덕트와 제2 흡입 덕트의 상류 단부에 인접하게 제1 흡입 밸브(622) 및 제2 흡입 밸브(624)가 연결되어 있다. 흡입 밸브는 2방향 밸브이며, 각각 개방 위치와 폐쇄 위치를 가진다. 폐쇄 위치에 있는 경우, 흡입 밸브는 매니폴드 라인(616)으로부터의 배출 기체의 흐름이 흡입 라인으로 흐르는 것을 방지한다.A first suction valve 622 and a second suction valve 624 are connected adjacent upstream ends of the first suction duct and the second suction duct. The intake valve is a two-way valve, each having an open position and a closed position. When in the closed position, the intake valve prevents the flow of exhaust gas from the manifold line 616 into the intake line.

흡입 라인의 제2 하류 단부에 인접하게 제1 가열 수단(646) 및 제2 가열 수단(648)이 위치된다. 가열기 코일로서 도시되어 있지만, 가열 수단은 열 에너지를 제1 및 제2 흡입 라인의 내부 통로에 전달하기 위하여 당업자에게 공지되어 있는 어떠한 가열 시스템도 구비할 수 있다.The first heating means 646 and the second heating means 648 are located adjacent the second downstream end of the suction line. Although shown as a heater coil, the heating means can be provided with any heating system known to those skilled in the art for transferring thermal energy to the inner passages of the first and second suction lines.

기체 공급원으로부터 기체를 제1 흡입 라인과 제2 흡입 라인의 내부 통로로 이송하는 기체 이송 시스템을 설명하기로 한다. 본 발명의 기체 이송 시스템은 기체 공급원(626), 내부 통로가 있는 제1 기체 이송 라인(628) 및 제2 기체 이송 라인(632), 제1 단부 및 제2 단부, 및 그 안의 기체 흐름 제어 밸브(630, 634)를 구비한다.A gas delivery system for transferring gas from a gas source to the inner passages of the first and second suction lines will be described. The gas delivery system of the present invention includes a gas source 626, a first gas transfer line 628 and a second gas transfer line 632 with internal passages, first and second ends, and a gas flow control valve therein. 630 and 634.

본 명세서에서 설명된 기체 이송 시스템이 하나 이상의 기체 공급원을 구비할 수 있다는 것을 이해할 수 있다. 복수 개의 기체 공급원은 기체 공급원 매니폴드에 기체 연통되게 연결된다. 기체 공급원 매니폴드는 각각의 기체 공급원마다 기체 공급원 차단 밸브를, 그리고 각각의 기체 공급원마다 기체 공급원 흐름 제어 밸브를 구비할 수 있다. 그러므로, 기체 공급원 매니폴드는 기체 이송 시스템에 기체 연통되게 연결된다.It will be appreciated that the gas delivery system described herein may have one or more gas sources. The plurality of gas sources are connected in gas communication with the gas source manifold. The gas source manifold may have a gas source shutoff valve for each gas source and a gas source flow control valve for each gas source. Therefore, the gas source manifold is connected in gas communication with the gas delivery system.

기체 공급원(626)은 제1 및 제2 흡입 라인에 인접하게 위치된다. 기체 공급원(626)은 시간당 2 내지 100ft3의 비율로 질소와 같은 기체를 제1 흡입 라인(618) 및 제2 흡입 라인(620)의 내부 통로로 이송한다. 흡입 라인으로의 효과적인 기체 이송은 제1 및 제2 기체 이송 라인과 제1 및 제2 흡입 라인의 연결부(커플링, 커넥터 등과 같은 어떠한 적절한 연결 수단)에 의하여 용이해진다.Gas source 626 is located adjacent to the first and second suction lines. The gas source 626 delivers gas, such as nitrogen, to the internal passages of the first suction line 618 and the second suction line 620 at a rate of 2 to 100 ft 3 per hour. Effective gas transfer to the suction line is facilitated by the connections of the first and second gas transfer lines and the first and second suction lines (any suitable connection means such as couplings, connectors, etc.).

기체 공급원(626)은 제1 기체 이송 라인(628)의 제1 단부에서 제1 기체 이송 라인(628)에 연결된다. 제2 기체 이송 라인(632)의 제1 단부는 제1 기체 이송 라인(628)의 길이를 따라 대략 중간 지점에서 제1 기체 이송 라인에 연결된다. 상기 제1 기체 이송 라인(628)과 제2 기체 라인(632)의 연결부는 제1 라인(628)에 수용된 기체가 막힘 또는 누설없이 제2 라인(632)의 내부 통로로 통과하도록 연결된다. 제2 기체 이송 라인(632)은 제1 기체 이송 라인(628)의 길이를 따라 제1 기체 이송 라인(628)과 기체 공급원(626) 사이의 연결부 하류의 어떤 지점에서 제1 기체 이송 라인(628)에 연결된다.The gas source 626 is connected to the first gas transfer line 628 at the first end of the first gas transfer line 628. The first end of the second gas transfer line 632 is connected to the first gas transfer line at approximately an intermediate point along the length of the first gas transfer line 628. The connection portion of the first gas transfer line 628 and the second gas line 632 is connected so that the gas contained in the first line 628 passes through the inner passage of the second line 632 without being blocked or leaked. The second gas transfer line 632 is along the length of the first gas transfer line 628 at a point downstream of the connection between the first gas transfer line 628 and the gas source 626. )

제1 기체 이송 라인(628)의 하류 단부는 제2 밸브(624)의 하류에서 일정 길이의 제2 흡입 라인(620)에 연결된다. 제1 기체 이송 라인(628)과 흡입 라인(620) 사이의 연결부는 제1 기체 이송 라인(628)의 내부 통로에 수용된 기체가 막힘없이 흐르게 하여 기체는 자유롭이 누설없이 흡입 라인(620)의 내부 통로로 흐른다. 제2 기체 이송 라인(632)의 제1 단부로부터 하류에 있는 제2 기체 이송 라인(632)의 제2 단부는 제1 흡입 라인(618)에 연결된다. 제2 기체 이송 라인(632)과 흡입 라인(618) 사이의 연결부는 제2 기체 이송 라인(632)에 수용된 기체가 자유로이 누설없이 흡입 라인(618)의 내부로 막힘없이 흐르도록 한다.The downstream end of the first gas delivery line 628 is connected to a second length of the second suction line 620 downstream of the second valve 624. The connection between the first gas transfer line 628 and the suction line 620 allows the gas contained in the inner passage of the first gas transfer line 628 to flow without clogging so that the gas freely leaks inside the suction line 620. Flow into the passage. The second end of the second gas transfer line 632 downstream from the first end of the second gas transfer line 632 is connected to the first suction line 618. The connection between the second gas transfer line 632 and the suction line 618 allows the gas contained in the second gas transfer line 632 to freely flow into the suction line 618 without leaking.

제2 흡입 라인(620)과의 연결부로부터 상류에, 그리고 제2 기체 이송 라인(632)과의 연결부의 하류에, 제1 기체 이송 라인(628)을 따라 제1 기체 밸브가 위치되어 있다. 제1 기체 밸브(630)는 전술한 제1 및 제2 흡입 밸브와 같은 2방향 밸브이다. 제1 기체 밸브(630)는 기체가 제1 기체 이송 라인(628)의 내부를 따라 제2 흡입 라인(620)으로 통과하는 것을 조절한다. 제1 흡입 라인과의 연결부로부터 상류에서, 제2 기체 이송 라인에는 제2 기체 밸브(634)가 위치되어 있다. 제2 기체 밸브(634)는 제2 기체 이송 라인으로부터의 기체가 제1 흡입 라인으로 통과하는 것을 용이하게 한다.A first gas valve is located along the first gas transfer line 628 upstream from the connection with the second suction line 620 and downstream of the connection with the second gas transfer line 632. The first gas valve 630 is a two-way valve such as the first and second intake valves described above. The first gas valve 630 controls the passage of gas to the second suction line 620 along the interior of the first gas transfer line 628. Upstream from the connection with the first suction line, a second gas valve 634 is located in the second gas delivery line. The second gas valve 634 facilitates the passage of gas from the second gas transfer line to the first suction line.

이제, 압축수 이송 시스템을 설명하기로 한다. 물 이송 시스템은 수원(636)과, 제1 및 제2 단부와 내부 통로가 있는 제1 물 공급 라인(638) 및 제2 물 공급 라인(642)과, 제1 물 밸브(640) 및 제2 물 밸브(644)를 구비한다.Now, a compressed water delivery system will be described. The water transport system includes a water source 636, a first water supply line 638 and a second water supply line 642 with first and second ends and internal passageways, a first water valve 640 and a second. And a water valve 644.

제1 흡입 라인 및 제2 흡입 라인에 인접하게 압축수 공급원(636)이 위치된다. 압축수 공급원(636)은 압력이 분당 0.5 내지 5 갤론인 물의 흐름을 발생시킨다. 물 공급원(636)은 제1 물 공급 라인(638)의 일단부에서 물 공급 라인(638)의 내부 통로에 연결된다. 연결부는 압축수가 물 공급원으로부터 제1 물 공급 라인(638)의 내부 통로로 효율적으로 흐르게 한다. 상기 제1 단부로부터 하류에 있는 물 공급 라인(638)의 제2 단부는 제1 물 공급 라인(638)의 내부 통로로부터 압축수를 제2 흡입 라인(620)으로 이송하기 위하여 제2 흡입 라인(620)에 연결된다. 제2 흡입 라인(620)과의 연결부로부터 상류에서, 제1 물 공급 라인(638)에는 제1 물 밸브(640)가 위치되며, 이 제1 물 밸브는 압축수가 흡입 라인(620)을 통하여 흡입 라인으로 선택적으로 용이하게 흐르게 한다. 제1 물 밸브는 2방향 밸브이다.Compressed water source 636 is located adjacent to the first suction line and the second suction line. Compressed water source 636 generates a flow of water with a pressure of 0.5 to 5 gallons per minute. The water supply 636 is connected to an internal passage of the water supply line 638 at one end of the first water supply line 638. The connection allows the compressed water to flow efficiently from the water source into the inner passage of the first water supply line 638. The second end of the water supply line 638 downstream from the first end is connected to a second suction line (620) to transfer compressed water from the inner passage of the first water supply line 638 to the second suction line 620. 620. Upstream from the connection with the second suction line 620, a first water valve 640 is positioned in the first water supply line 638, where the compressed water is sucked through the suction line 620. Easily and easily flow into the line. The first water valve is a two-way valve.

제2 물 이송 라인(642)의 제1 단부는 제1 물 밸브(640)로부터 상류와 물 공급원(636)의 하류 위치 사이에서 제1 물 이송 라인(638)에 연결된다. 제1 단부로부터 하류에 있는 제2 물 이송 라인(642)의 제2 단부는 제1 물 이송 라인(638)의 내부 통로로부터의 압축수를 제1 흡입 라인(618)의 내부 통로로 이송하기 위하여 제1 흡입 밸브(618)에 연결된다. 제1 흡입 라인(618)과의 연결부로부터 상류에서, 제2 물 이송 라인에는 제2 물 밸브(644)가 연결되어 압축수가 통과하는 것을 선택적으로 제어한다. 제2 물 밸브(644)는 2방향 밸브이다.The first end of the second water transfer line 642 is connected to the first water transfer line 638 upstream from the first water valve 640 and between a position downstream of the water source 636. The second end of the second water transfer line 642 downstream from the first end is configured to transfer compressed water from the internal passage of the first water transfer line 638 to the internal passage of the first suction line 618. Is connected to the first intake valve 618. Upstream from the connection with the first suction line 618, a second water valve 644 is connected to the second water transfer line to selectively control the passage of compressed water. The second water valve 644 is a two-way valve.

제1 열 재킷(658)은 소정 길이의 제1 흡입 라인(618), 제1 흡입 밸브(622), 상기 흡입 라인(618)과 제2 기체 이송 라인(634)과의 연결부, 상기 흡입 라인(618)과 제2 물 이송 라인(634)과의 연결부, 그리고 제1 가열 수단(648)을 수용한다. 상기 제1 열 재킷은 그 내부에 수용된 구성 요소들에 절연 특성을 제공하고, 가열 수단과 상호 작동하여 제1 흡입 라인(618)의 내부 열 온도를 상승시킨다. 상기 열 재킷(658)은, N2가 유동하고 있는 동안 측벽의 온도를 상승시켜 측벽에 침적된 물을 증발시키며, 그리고 측벽의 온도를 상승시켜 응축 가능한 프로세스 기체가 상기 라인에서 응축되는 것을 방지한다. 금속 엣칭 가공의 경우, 이 가공으로부터의 BCl3은 가수 분해 반응이 일어날 때 세정기 유입부에서 붕산을 형성하게 될 것이지만, 상기 프로세스 라인은 이 라인을 따라 유입부에서 AlCl3가 또한 응축되는 것을 방지하도록 가열되어야 한다. 그 다음, 상기 라인은 금속 엣칭 혹은 WCVD 가공의 경우와 마찬가지로 프로세스 공급원으로부터 가열될 수 있다.The first heat jacket 658 may include a first suction line 618 of a predetermined length, a first suction valve 622, a connection between the suction line 618 and the second gas transfer line 634, and the suction line ( A connection between the 618 and the second water transfer line 634 and the first heating means 648. The first heat jacket provides insulating properties to the components contained therein and cooperates with the heating means to raise the internal heat temperature of the first suction line 618. The heat jacket 658 raises the temperature of the sidewalls to evaporate the water deposited on the sidewalls while N 2 is flowing, and raises the temperature of the sidewalls to prevent condensable process gases from condensing in the line. . In the case of metal etching processing, the BCl 3 from this processing will form boric acid at the scrubber inlet when the hydrolysis reaction occurs, but the process line is designed to prevent AlCl 3 from condensing at the inlet along this line as well. It must be heated. The line can then be heated from the process source as in the case of metal etching or WCVD processing.

제2 열 재킷(660)은 소정 길이의 제2 흡입 라인(620), 제2 흡입 밸브(624), 상기 흡입 라인(620)과 제2 기체 라인(628)과의 연결부, 상기 흡입 라인(620)과 제2 물 라인(634)과의 연결부, 그리고 제2 가열 수단(646)을 수용한다. 상기 제2 열 재킷은 그 내부에 수용된 구성 요소들에 절연 특성을 제공하고, 가열 수단과 상호 작동하여 제2 흡입 라인(620)의 내부 열 온도를 상승시킨다.The second heat jacket 660 may include a second suction line 620 of a predetermined length, a second suction valve 624, a connection between the suction line 620 and the second gas line 628, and the suction line 620. ) And the connection of the second water line 634 and the second heating means 646. The second heat jacket provides insulating properties to the components contained therein and cooperates with the heating means to raise the internal heat temperature of the second suction line 620.

전술한 밸브는 개방 위치와 폐쇄 위치를 각각 구비하는 2방향 밸브이다. 후술하는 목적에 따라, 이 밸브는 공기의 작동에 의해 개방되고 스프링의 작동에 의해 폐쇄되는 형태(시스템의 요구 조건, 성능 및 용도에 따라가 공기에 의해 폐쇄되거나 스프링에 의해 개방될 수도 있음)의 공압식 밸브인 것으로 가정한다. 이러한 공압식 밸브는 KF-50 연결부와, 공기 솔레노이드 밸브와 일체로 된 전기-공기식 밸브와, 그리고 스위치 개폐 방지용 도선을 포함할 수 있다. 이러한 밸브로는 MKS 인스트루먼트사의 HPS 디비젼에서 시판하는 모델명 190을 사용할 수 있다. 전술한 밸브와 후술하는 밸브 사이의 전기적 연결은 제어 패널(도시 생략)에서 유지된다. 이 제어 패널은 시스템 밸브에 전기적으로 연결되고 프로그램 가능한 논리 컨트롤러(PLC)를 포함한다. 상기 PLC는 상기 밸브와의 전기적 연결을 유지하고 밸브 위치를 감지하여 밸브 위치(즉 개방 혹은 폐쇄 위치)를 조절한다. 추가적으로, 타이머가 PLC에 설치되어 PLC에 의한 밸브 위치의 타이밍 작업을 용이하게 해준다. 그러나, 본 발명의 취지와 영역을 벗어나지 않는 한 다른 밸브 및 제어와 관련한 또 다른 실시예로 대체될 수 있다는 것이 당업자들에게는 명백할 것이다. 예컨대, 상기 밸브로는 시판되는 어떠한 종류의 전기 밸브, 기계식 밸브, 자기식 밸브 등으로 구성될 수 있다. 이러한 밸브는, 특히 사이클 타이머 제어 수단 혹은 교류 제어 수단에 전기적으로 결합되는 리미트 스위치를 포함할 수 있다. 이 리미트 스위치는 밸브 위치 확인을 제공하고 또 상호 잠금을 조절하여 프로세스 기체의 유동이 회송되지 못하게 보장하며, 그리고 접속 라인(흐름 접속) 기체 유동 라인으로의 물 유입 방지를 보조하게 된다.The valve described above is a two-way valve having an open position and a closed position, respectively. For the purpose described below, this valve is opened by the operation of air and closed by the operation of the spring (depending on the requirements, performance and use of the system, which may be closed by air or opened by the spring). It is assumed to be a pneumatic valve. Such a pneumatic valve may include a KF-50 connection, an electro-pneumatic valve integrated with an air solenoid valve, and a switch opening and closing conductor. Such a valve may be a model name 190 available from MKS Instruments Inc., HPS Division. The electrical connection between the valve described above and the valve described below is maintained in a control panel (not shown). The control panel includes a programmable logic controller (PLC) electrically connected to the system valve. The PLC maintains an electrical connection with the valve and senses the valve position to adjust the valve position (ie, open or closed position). In addition, a timer is installed in the PLC to facilitate timing of valve positions by the PLC. However, it will be apparent to those skilled in the art that alternative embodiments of other valves and controls may be substituted without departing from the spirit and scope of the present invention. For example, the valve may be composed of any type of electric valve, mechanical valve, magnetic valve, and the like. Such a valve may in particular comprise a limit switch electrically coupled to a cycle timer control means or an alternating current control means. This limit switch provides valve positioning and regulates mutual locking to ensure that no flow of process gas is returned, and assists in preventing water from entering the connection line (flow connection) gas flow line.

도 8에 도시된 본 발명의 전술한 실시예의 작동 방법이 이하에 도 9의 플로차트와 관련하여 설명될 것이다. 이 실시예에서 동일한 구성 요소에 대한 참조 부호는 도 8의 참조 부호와 일치하게 되어 있다.The method of operation of the above-described embodiment of the present invention shown in FIG. 8 will be described below in connection with the flowchart of FIG. 9. In this embodiment, reference numerals for the same components are made to coincide with reference numerals in FIG. 8.

본 발명의 작동 방법의 제1 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (701) 참조)에서, 모든 밸브(622, 624, 630, 634, 640, 644)를 폐쇄시킨다. 프로그램 가능한 논리 컨트롤러(PLC)는 상기 밸브들로 향하는 압축 공기(도시 생략)의 유동을 조절함으로써 밸브들의 개폐를 제어한다. 밸브로 향하는 압축 공기의 차단은, 스프링이 밸브 배플을 차단 위치로 이동시킬 수 있게 해주므로, 기체 스트립 물질이 밸브의 상류 위치로부터 밸브의 하류 위치로 유동하는 것을 방지한다. 상기 제1 단계는 전술한 덕트 라인들 중 어느 것을 통해 어떠한 유출 기체의 유동, 압축된 물의 유동, 혹은 다른 기체의 유동을 방지한다. 이러한 초기 단계는 본 발명의 장치를 사용하기에 앞서 안전 예방 단계로서, 흡입 덕트 라인이 항시 상류 시스템(612)으로부터의유출 기체의 기류에 의해 채워져 있다는 것을 작동자에게 알려 준다. 이러한 초기 단계는 유출 기체(기체 공급원(636)으로부터 압축된 물 및 기체와 함께)의 유동이 아직 시작되지 않고 있다는 사실을 확실하게 해준다.In the first step of the method of operation of the present invention (see block 701 in the flowchart of FIG. 9), all valves 622, 624, 630, 634, 640, 644 are closed. A programmable logic controller (PLC) controls the opening and closing of the valves by regulating the flow of compressed air (not shown) to the valves. The blocking of compressed air to the valve allows the spring to move the valve baffle to the shut off position, thereby preventing gas strip material from flowing from the upstream position of the valve to the downstream position of the valve. The first step prevents any effluent gas flow, compressed water flow, or other gas flow through any of the aforementioned duct lines. This initial step is a safety precautionary step prior to using the device of the present invention, informing the operator that the intake duct line is always filled by the airflow of outflow gas from the upstream system 612. This initial step ensures that the flow of effluent gas (along with water and gas compressed from gas source 636) has not yet begun.

본 발명의 작동 방법에서 제2 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (702) 참조)는 모든 밸브가 차단되었는지의 여부를 검색하는 단계를 포함한다. 이러한 검색은 제어 패널에 내장된 PLC에 의해 실행된다. 전술한 바와 같이, PLC는 전술한 밸브에 내장된 전기 위치 표시기 수단과 전기적으로 통하는 상태로 있다. 이러한 검색은 PLC에 의해 위치 표시기 수단으로부터의 신호를 감지하여 이 신호를 폐쇄 위치 표시의 예정치와 비교함으로써 실행된다. 이러한 수치를 폐쇄 위치의 수치로 판단할 경우, 제3 단계가 개시된다. 상기 수치가 폐쇄 위치의 수치이다고 판단할 때는 경고음이 울리고 이전의 단계를 반복하게 된다.The second step in the method of operation of the present invention (see block 702 in the flowchart of FIG. 9) includes searching whether all valves are closed. This search is performed by a PLC built into the control panel. As mentioned above, the PLC is in electrical communication with the electrical position indicator means incorporated in the aforementioned valve. This search is performed by detecting a signal from the position indicator means by the PLC and comparing this signal with a predetermined value of the closed position indication. When determining this value as the value of the closed position, the third step is initiated. When it is determined that the value is the value of the closed position, a beep sounds and the previous step is repeated.

제3 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (703) 참조)는 제2 흡입 밸브(624)의 개방 작동을 수반한다. 흡입 밸브(624)의 개방은 상기 밸브로 압축 공기의 유동을 허용하여, 내부 스프링이 밸브 배플의 위치를 매니폴드(616)로부터의 유출 기체가 제2 흡입 밸브(624)를 통해 제2 흡입 라인(620)으로 통과할 수 있게 하는 위치로 조절시키도록 함으로써 이루어진다.The third step (see block 703 in the flowchart of FIG. 9) involves the opening operation of the second intake valve 624. Opening of the intake valve 624 allows the flow of compressed air to the valve, such that the inner spring positions the position of the valve baffle and the outflow gas from the manifold 616 passes through the second intake valve 624 to the second intake line. By adjusting it to a position that allows it to pass to 620.

제2 흡입 밸브(624)의 개방은 상기 PLC에 의해 작동된다. 제1 흡입 밸브(622)는 폐쇄 위치로 유지되기 때문에 제1 흡입 라인을 유출 기체 및 흐름 차단 기체의 유동으로부터 밀봉하여 이 기체가 제2 흡입 라인(620)을 통해서만 유동되도록 한다.Opening of the second suction valve 624 is operated by the PLC. Since the first intake valve 622 is maintained in the closed position, the first intake line is sealed from the flow of the effluent gas and the flow blocker gas so that this gas flows only through the second intake line 620.

제4 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (704) 참조)는 제2 흡입 밸브(624)가 개방되었는지의 여부를 검색하는 단계를 수반한다. 이러한 흡입 밸브의 검색은 상기 제2 단계에서 수행하는 밸브 위치 검색과 동일한 방법으로 PLC에 의해 수행된다. 만약, PLC가 제2 흡입 밸브가 폐쇄되어 있다고 판단할 경우, 경고음이 울리고 이전의 단계를 반복하게 된다. 만약, PLC가 제2 흡입 밸브가 개방되어 있다고 판단할 경우, 작동 순서의 다음 단계를 수행하게 된다.The fourth step (see block 704 in the flowchart of FIG. 9) involves searching whether the second intake valve 624 is open. This retrieval of the suction valve is performed by the PLC in the same manner as the valve position retrieval performed in the second step. If the PLC determines that the second intake valve is closed, the alarm sounds and the previous step is repeated. If the PLC determines that the second suction valve is open, the next step of the operation sequence is performed.

제5 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (705) 참조)는 제2 물 밸브(644)를 개방시키는 단계를 수반한다. 밸브(644)의 개방은 전술한 방법과 유사하게 PLC에 의해 실행된다. 밸브(644)의 개방은 제1 물 이송 라인(638)과 제2 물 이송 라인(642)을 통해 제1 흡입 라인(618)으로 향해 물 공급원(636)으로부터 압축된 물의 유동을 위한 배출부를 형성한다. 제1 물 밸브(640)는 폐쇄 위치에 유지되어 물 공급원(636)으로부터의 물이 제1 물 밸브를 통해 제2 흡입 라인(620)으로 유동하지 못하게 해준다. 상기 밸브(644)는 제1 시간 설정 기간 동안 PLC에 의해 개방된 채 유지되어 PLC와 협동하는 타이머에 의해 감지된다. 제1 흡입 라인(618)으로 향하는 압축된 물의 유동은 용융성 미립무을 분해시킬 뿐만 아니라 라인(618)의 내부 통로로부터 분출하여 그 통로를 청소하여, 미립물 등이 제1 흡입 라인의 제2 단부를 통해 세정기 유닛(650)으로 배출되도록 해준다.The fifth step (see block 705 in the flowchart of FIG. 9) involves opening the second water valve 644. Opening of the valve 644 is performed by the PLC similarly to the method described above. Opening of the valve 644 forms an outlet for the flow of compressed water from the water source 636 towards the first suction line 618 via the first water transfer line 638 and the second water transfer line 642. do. The first water valve 640 is maintained in a closed position to prevent water from the water source 636 from flowing through the first water valve to the second suction line 620. The valve 644 remains open by the PLC during the first time period and is sensed by a timer cooperating with the PLC. The flow of compressed water directed to the first suction line 618 not only decomposes the molten particulates, but also ejects from the internal passages of the line 618 to clean the passages so that particulates and the like end up at the second end of the first suction line. Through the scrubber unit 650 through.

제6 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (706A) 참조)는 제1 시간 설정 기간이 지난 후 물 밸브(644)를 폐쇄하는 단계를 수반한다. 제2 물 밸브(664)를 폐쇄시킨 후, 제2 기체 밸브(634)를 개방하고(도 3의 플로차트에서 블록 (706B) 참조), 만약 이미 작동하고 있지 않을 경우 제1 가열 수단을 작동시킨다(도 3의 플로차트에서 블록 (706C) 참조). 밸브의 폐쇄 및 개방은 전술한 방법으로 PLC에 의해 실행된다. 제1 가열 요소는 이 요소를 통해 흐르고 PLC에 의해 제어되는 전류를 발생시킴으로써 작동된다. 상기 전류 흐름은 가열 수단의 고유 저항에 영향을 미치게 되며, 전기 저항의 확실한 보장에 기인한 열을 생성한다. 제2 기체 밸브(664)는 제2 시간 설정 기간 동안 개방된 채로 유지되며, PLC와 상호 작용하는 타이머에 의해 감지된다. 제2 기체 밸브를 개방시킨 채로 방치하는 시간과 가열 수단의 작동 시간의 양호한 범위는 30분 내지 8시간이다. 제1 기체 밸브는 폐쇄 위치에 유지되어 기체 공급원(626)으로부터의 기체 유동이 제1 기체 이송 라인(628)을 따라 제2 기체 이송 라인(632)과 제1 흡입 라인(618)으로 향하게 된다. 제1 가열 수단(648)에 의해 전달된 열과 상호 작용하는 기체는 제1 흡입 라인의 내부 벽을 건조시킨다.A sixth step (see block 706A in the flowchart of FIG. 9) involves closing the water valve 644 after the first time period has passed. After closing the second water valve 664, open the second gas valve 634 (see block 706B in the flowchart of FIG. 3), and activate the first heating means if it is not already operating ( Block 706C in the flowchart of FIG. 3). Closing and opening of the valve is performed by the PLC in the manner described above. The first heating element is operated by generating a current flowing through this element and controlled by the PLC. The current flow affects the intrinsic resistance of the heating means and generates heat due to the reliable guarantee of electrical resistance. The second gas valve 664 remains open for a second timed period and is sensed by a timer that interacts with the PLC. The preferred range of the time for leaving the second gas valve open and the operating time of the heating means is 30 minutes to 8 hours. The first gas valve is maintained in the closed position such that gas flow from the gas source 626 is directed along the first gas transfer line 628 to the second gas transfer line 632 and the first suction line 618. The gas interacting with the heat transferred by the first heating means 648 dries the inner wall of the first suction line.

제7 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (707) 참조)는 제1 가열 수단을 분리시키는 단계와 제1 흡입 밸브(622)를 개방시키는 단계를 수반한다. 제1 흡입 밸브(622)의 개방은 전술한 방법과 유사하게 실행된다. 상기 가열 수단은 PLC에 의한 제어와 함께 이 가열 수단으로 흐르는 전류를 차단시킴으로써 분리된다.The seventh step (see block 707 in the flowchart of FIG. 9) involves separating the first heating means and opening the first intake valve 622. Opening of the first intake valve 622 is performed similarly to the method described above. The heating means are separated by cutting off the current flowing to this heating means with control by the PLC.

제8 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (708) 참조)는 제1 흡입 밸브(622)가 개방되었는지의 여부를 검색하는 단계를 수반한다. 상기 검색은 전술한 검색 방법과 유사하게 PLC에 의해 실행된다. 만약, PLC가 제1 흡입 밸브가 개방되어 있다고 판단했을 경우 경고음이 울리고 상기 제7 단계를 반복하게 된다. PLC가 새로 청소된 유입부가 개방되었다고 확신할 때에만, PLC는 청소를 위해 다른 유입부를 폐쇄할 것이고, 그렇지 않을 경우 프로세스 기체의 유동은 차단될 수 있을 것이다. 만약 PLC가 제1 흡입 밸브가 개방되었다고 판단할 때, 작동 순서의 다음 단계가 실행된다.An eighth step (see block 708 in the flowchart of FIG. 9) involves searching whether the first intake valve 622 is open. The retrieval is executed by the PLC similarly to the retrieval method described above. If the PLC determines that the first intake valve is open, an alarm sounds and the seventh step is repeated. Only when the PLC is sure that the newly cleaned inlet is open, the PLC will close the other inlet for cleaning, otherwise the flow of process gas may be interrupted. If the PLC determines that the first suction valve is open, the next step of the operating sequence is executed.

제9 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (709) 참조)는 제2 흡입 밸브(624)를 폐쇄하는 단계를 수반한다. 제1 흡입 밸브(622)는 개방 위치에 유지된다. 제2 흡입 밸브(624)를 폐쇄시킴으로써, 유출하는 유동이 현재 폐쇄중인 제2 흡입 라인으로부터 현재 개방 중인 제1 흡입 라인으로 전환되게 해준다.The ninth step (see block 709 in the flowchart of FIG. 9) involves closing the second intake valve 624. The first suction valve 622 is maintained in the open position. By closing the second intake valve 624, the outflow flow is diverted from the second intake line that is currently closed to the first intake line that is currently open.

제10 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (710) 참조)는 제2 흡입 밸브(622)가 폐쇄되었는지의 여부를 검색하는 단계를 수반한다. 이러한 검색은 전술한 바와 같이 제2 흡입 밸브에 전기적으로 연결되어 있는 PLC에 의해 실행된다. 만약, PLC가 제2 흡입 밸브가 폐쇄되어 있다고 판단했을 경우 경고음이 울리고 상기 제9 단계를 반복하게 된다. 만약, 제2 흡입 밸브가 폐쇄되었다고 판단할 경우에는 작동 순서의 다음 단계를 실행하게 된다.The tenth step (see block 710 in the flowchart of FIG. 9) involves searching whether the second intake valve 622 is closed. This search is performed by a PLC which is electrically connected to the second intake valve as described above. If the PLC determines that the second intake valve is closed, the alarm sounds and the ninth step is repeated. If it is determined that the second intake valve is closed, the next step of the operation sequence is executed.

제11 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (711) 참조)는 제1 물 밸브(640)를 개방시키는 단계를 수반한다. 제2 물 밸브(644)는 폐쇄 위치에 유지된다. 제1 물 밸브를 개방시킴으로써(제2 물 밸브(644)를 폐쇄한 상태에서), 압축된 물의 통로가 개방되어 제1 물 이송 라인(638)과 제1 물 밸브(640)를 통해 물 공급원(36)으로부터 제2 흡입 라인(620)으로 유동하게 된다. 제2 물 밸브(644)는 폐쇄 위치에 유지되어 이 밸브를 통해 제1 흡입 라인(618)으로 물이 유동하지 못하게 한다. 압축된 물은 제2 흡입 라인(620)을 통해 유동하여 제1 흡입 라인과 관련하여 전술한 바와 같이 세척 및 세정 작용을 하게 된다. 압축된 물은 세정기(650)에 연결된 제2 단부를 통해 제2 흡입 라인으로 배출된다. 압축된 물은 1 내지 10분 동안의 예정된 시간 동안 제2 흡입 라인 바깥으로 분출된다. PLC와 전기적으로 연결된 조절 가능한 타이머는 압축된 물의 배출과 동시에 PLC와 협동하게 된다.The eleventh step (see block 711 in the flowchart of FIG. 9) involves opening the first water valve 640. The second water valve 644 is maintained in the closed position. By opening the first water valve (with the second water valve 644 closed), the passage of compressed water is opened to provide a water supply source through the first water transfer line 638 and the first water valve 640. From 36 to the second suction line 620. The second water valve 644 is maintained in the closed position to prevent water from flowing through the valve to the first suction line 618. The compressed water flows through the second suction line 620 to perform the cleaning and cleaning action as described above in connection with the first suction line. The compressed water is discharged to the second suction line through the second end connected to the scrubber 650. The compressed water is ejected out of the second suction line for a predetermined time period of 1 to 10 minutes. An adjustable timer electrically connected to the PLC cooperates with the PLC at the same time as the discharge of the compressed water.

제12 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (712) 참조)는 제1 물 밸브(640)를 폐쇄시키는 단계를, 제13 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (713) 참조)는 제1 기체 밸브(630)를 개방시키는 단계를, 그리고 제14 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (714) 참조)는 제2 가열 수단(646)을 작동시키는 단계를 수반한다. 상기 밸브들의 개폐는 전술한 방법과 유사한 방법으로 PLC에 의해 실행된다. 제2 물 밸브(644)는 폐쇄 위치에 유지하여 기체가 이 밸브를 지나 제1 흡입 덕트 라인(618)으로 통과하지 못하게 한다. 제1 기체 밸브(630)의 개방에 의해 기체 통로가 개방되어, 기체는 제1 기체 이송 라인(628) 및 제1 기체 밸브(630)를 지나 기체 공급원(626)으로부터 제2 흡입 라인(660)으로 유동하게 된다. 제2 가열 수단의 작동은, 제2 열 재킷(660)과 상호 작용하여 제2 흡입 라인의 내부 온도를 상승시킨다. 제2 가열 수단으로부터 발생된 기체 및 열은 제2 흡입 라인(620)의 내부 통로를 건조시킨다. 기체는 제2 흡입 라인을 통해 유동하여, 이 흡입 라인의 제2 단부를 지나 세정기(650)로 유입된다. 제1 기체 밸브는 개방 상태로 유지되며, 제2 가열 수단은 30분 내지 몇 시간 범위 동안 작동하게 된다. 시간 설정 기간은 전술한 바와 같이 PLC와 협동하는 타이머에 의해 감지된다.The twelfth step (see block 712 in the flowchart of FIG. 9) closes the first water valve 640, and the thirteenth step (see block 713 in the flowchart of FIG. 9) the first gas valve ( Opening 630 and the fourteenth step (see block 714 in the flowchart of FIG. 9) involve actuating the second heating means 646. Opening and closing of the valves is executed by the PLC in a manner similar to the above-described method. The second water valve 644 is held in the closed position to prevent gas from passing through the valve and into the first inlet duct line 618. Opening of the first gas valve 630 opens the gas passage so that gas passes through the first gas transfer line 628 and the first gas valve 630 from the gas source 626 to the second suction line 660. To flow. The operation of the second heating means interacts with the second heat jacket 660 to raise the internal temperature of the second suction line. Gas and heat generated from the second heating means dry the inner passage of the second suction line 620. The gas flows through the second suction line and enters the scrubber 650 past the second end of the suction line. The first gas valve is kept open and the second heating means is operated for a range of 30 minutes to several hours. The time setting period is sensed by a timer cooperating with the PLC as described above.

제15 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (715) 참조)는 설정 시간에 도달한 후 제1 기체 밸브(630)를 폐쇄시키는 단계와 제2 가열 수단(646)을 분리시키는 단계를 수반한다. 제16 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (716) 참조)에서는, PLC가 제1 흡입 밸브(622)를 검색하여 밸브가 개방 상태로 유지되어 있게 해준다.The fifteenth step (see block 715 in the flowchart of FIG. 9) involves closing the first gas valve 630 and separating the second heating means 646 after reaching the set time. In a sixteenth step (see block 716 in the flowchart of FIG. 9), the PLC searches for the first intake valve 622 to keep the valve open.

제17 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (717) 참조)는 제2 흡입 밸브(624)를 개방시켜 PLC에 의해 제2 흡입 밸브(624)가 개방되었는지의 여부를 검색하는 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (718) 참조)를 수반한다. 만약, 제2 흡입 밸브가 개방되어 있지 않다고 판단할 경우 경고음이 울리고 이전의 단계를 반복한다. PLC는 전술한 방법과 유사한 검색 프로세스를 수행한다.The seventeenth step (see block 717 in the flowchart of FIG. 9) opens the second intake valve 624 to retrieve whether the second intake valve 624 has been opened by the PLC (the flowchart of FIG. 9). In block 718). If it is determined that the second intake valve is not open, an alarm sounds and the previous step is repeated. The PLC performs a search process similar to the method described above.

제19 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (719) 참조)는 제1 흡입 밸브(622)를 폐쇄시켜 이 제1 흡입 밸브가 확실히 폐쇄되었는지를 검색하는 단계(도 9의 플로차트에서 블록 (720) 참조)를 수반한다. 만약 밸브(622)가 폐쇄되어 있지 않을 경우, 경고음이 울기고 이전의 단계를 반복한다. 만약 제1 흡입 밸브(622)가 폐쇄되어 있을 경우, 조작자는 이하의 작동 프로세스를 검색한다.A nineteenth step (see block 719 in the flowchart of FIG. 9) closes the first intake valve 622 to detect whether the first intake valve is securely closed (see block 720 in the flowchart of FIG. 9). Entails). If valve 622 is not closed, a beep sounds and the previous step is repeated. If the first intake valve 622 is closed, the operator searches for the following actuation process.

끝으로, 조작자는 전술한 세척 단계를 반복하고 제5 단계로 되돌아 갈 것인지, 아니면 세척 사이클을 종료할 것인지를 검색한다(도 9의 플로차트에서 블록 (721) 참조).Finally, the operator repeats the washing step described above and searches to return to the fifth step or to end the washing cycle (see block 721 in the flowchart of FIG. 9).

본 발명의 흡입부 구조체는, 기류 세정기, 정화기, 필터, 중화 장치, 스트립 성분의 회수를 위한 추출 시스템, 상류 위치에서 획득한 기체의 조성에 대해 추가의 기체 처리를 위한 반응 시스템 등과 같은 하류 프로세스 유닛과 연결된 상태에서 항시 사용된다. 상기 흡입부 구조체는 미립물의 침적, 기류의 성분으로부터의 박막 형성, 그리고 부적합한 유체 역학적 효과의 발생 빈도를 최소화시키도록 구성, 배열 및 작동된다.The inlet structure of the present invention comprises a downstream process unit such as an air flow scrubber, purifier, filter, neutralizer, extraction system for recovery of strip components, reaction system for further gas treatment of the composition of gas obtained at an upstream location, and the like. Always used in conjunction with The intake structure is constructed, arranged, and operated to minimize the frequency of deposition of particulates, thin film formation from components of the airflow, and inadequate hydrodynamic effects.

Claims (78)

상류의 공급원으로부터 하류 지점으로 기류를 통과시키기 위한 입구 구조체로서,An inlet structure for passing airflow from an upstream source to a downstream point, (A) 기체 유동로를 포위하는 기체 투과성 벽과;(A) a gas permeable wall surrounding the gas flow path; 상기 기체 투과성 벽을 에워싸서 이 기체 투과성 벽과의 사이에 환형 기체 저장조를 형성하는 외측의 환형 재킷과;An outer annular jacket surrounding the gas permeable wall to form an annular gas reservoir between the gas permeable wall; 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류가 상기 입구 구조체를 통해서 기체 처리 시스템으로 유동하는 동안, 상기 기체가 상기 기체 투과성 벽을 투과하여 고체가 상기 기체 투과성 벽의 내표면상에 침적 또는 형성되는 것을 억제할 만큼 충분한 압력으로 상기 환형 기체 저장조 내에 기체를 주입하는 기체 주입 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체와,While the particulate solid containing and / or solid forming airflow flows through the inlet structure to the gas treatment system, the gas penetrates through the gas permeable wall and inhibits solids from depositing or forming on the inner surface of the gas permeable wall. An inlet structure comprising gas injecting means for injecting gas into said annular gas reservoir at a pressure sufficient to make it suitable for use; (B) 상기 기류를 주입하기 위한 상부 도입부와 상기 기류를 배출하기 위한 하단부를 구비한 연직 방향으로 뻗은 제1 입구 유동 통로 부재와;(B) a first inlet flow passage member extending in a vertical direction having an upper introduction portion for injecting the airflow and a lower end portion for discharging the airflow; 상기 제1 입구 유동 통로 부재를 일정 간격을 두고 에워싸서 그 부재와의 사이에 환형 공간을 형성하며, 하단부가 하방으로 상기 제1 입구 유동 통로 부재의 하단부 아래까지 뻗어 있으며, 상부의 액체 투과성 부분과 이 액체 투과성 부분 아래에 있는 하부의 액체 불투과성 부분을 구비하고 있는 제2 유동 통로 부재와;Surround the first inlet flow passage member at regular intervals to form an annular space therebetween, the lower end extending downward below the lower end of the first inlet flow passage member, A second flow passage member having a lower liquid impermeable portion below the liquid permeable portion; 상기 제2 유동 통로 부재를 포위하여 에워싸서 그 통로 부재와 함께 포위된 내측 환형 공간을 형성하는 외벽 부재; 그리고An outer wall member surrounding and enclosing the second flow passage member to form an inner annular space surrounded with the passage member; And 상기 외벽 부재에 배치되어 상기 제2 유동 통로 부재와 상기 외벽 부재와의 사이의 상기 포위된 내측 환형 공간에 액체를 주입하는 액체 유동 입구 포트A liquid flow inlet port disposed in the outer wall member for injecting liquid into the enclosed inner annular space between the second flow passage member and the outer wall member 를 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체와,And the inlet structure, characterized in that provided with, (C) 상기 상류의 공급원으로부터의 기체를 수용하며, 기체가 하류의 공정으로 유동하게 하는데 선택적으로 이용되는 제1 입구 라인과 제2 입구 라인을 구비하는 매니폴드로서, 상기 입구 라인의 각각의 제1 단부는 매니폴드 도관에 연결되고, 상기 입구 라인의 각각의 제2 단부는 하류의 처리 유닛과 연통되게 연결되며, 제1 및 제2 입구 라인 각각이 라인을 통과하는 기류를 유동하게 하거나 차단하도록 선택적으로 개방 또는 폐쇄될 수 있는 밸브를 그 안에 포함하도록 되어 있는 그 매니폴드와;(C) a manifold having a first inlet line and a second inlet line for receiving gas from said upstream source and optionally used to cause gas to flow into a downstream process, wherein each manifold of said inlet line One end is connected to the manifold conduit, and each second end of the inlet line is connected in communication with a downstream processing unit to allow each of the first and second inlet lines to flow or block airflow through the line. A manifold adapted to include therein a valve that can be selectively opened or closed; 제1 및 제2 입구 라인으로 유동하는 수류 라인에 의하여 상기 매니폴드와 결합되는 압축수 공급원, 그리고A pressurized water source coupled with the manifold by a water flow line flowing to first and second inlet lines, and 상기 매니폴드와 밸브의 조작을 제어하여 그들이 작동 상태에 있게 하도록 구성되고 배치되는 사이클 타이머 제어 수단을 구비하며,Cycle timer control means configured and arranged to control the operation of the manifold and valve so that they are in an operating state, 상기 매니폴드는 상류의 공급원으로부터의 기체를 수용하여 기체가 매니폴드와 제1 입구 라인 또는 제2 입구 라인 중 하나를 통하여 유동하게 하도록 배치되어, 입구 라인 중 하나는 상류 공급원으로부터의 기체가 하류 프로세스(lower process)로 활발하게 유동하게 하는 반면, 다른 입구 라인은 그 안에 있는 각각의 밸브를 차단함으로써 기체가 그곳을 통하여 유동하는 것을 막으며,The manifold is arranged to receive gas from an upstream source such that gas flows through the manifold and either the first inlet line or the second inlet line, so that one of the inlet lines allows the gas from the upstream source to flow downstream. active flow into the lower process, while the other inlet line shuts off each valve in it, preventing gas from flowing through it, 상기 각각의 수류 라인(water flow line)은 그곳을 각각 통과하는 압축수의 유동을 발생시키거나 차단하도록 선택적으로 개방되거나 차단될 수 있는 밸브를 포함하며,Each of the water flow lines includes a valve that can be selectively opened or shut off to generate or block a flow of compressed water therethrough, respectively, 상기 제1 및 제2 입구 라인중 하나에 배치되어 있는 밸브는 개방되어 있는 반면, 제1 및 제2 입구 라인중 다른 하나에 배치되어 있는 밸브는 폐쇄되어 있는 상태에서 기체는 상류 프로세스로부터 매니폴드로 유동하며, 매니폴드로 유입되는 기체는 밸브가 개방되어 있는 특정 입구 라인을 통하여 유동하고, 기체는 개방된 밸브를 포함하여 흐름 접속 라인으로 구성된 특정 입구 라인을 통하여 유동하여 하류의 프로세스로 운송되며, 그 동안 매니폴드의 다른 라인은 기체가 그곳을 통과하는 것을 방지하도록 밸브가 닫혀있는 흐름 차단 라인으로 구성되며,The valve disposed in one of the first and second inlet lines is open, while the gas disposed in the other of the first and second inlet lines is closed, and the gas flows from the upstream process to the manifold. Flows, the gas entering the manifold flows through a specific inlet line with a valve open, the gas flows through a specific inlet line consisting of a flow connection line including an open valve and transported to a downstream process, Meanwhile, the other line of the manifold consists of a flow shutoff line with the valve closed to prevent gas from passing there, 기체가 그곳을 통하여 유동하지 못하는 흐름 차단 라인은 다음의 공정을 위한 기체를 재생하도록 청소되고, 각각의 입구 라인에 있는 밸브는 그 중 하나가 소정의 시간에 개방되고, 다른 밸브는 뒤이은 흐름 접속 작용을 위하여 라인을 새롭게 하고 라인의 흐름 차단을 제거하도록 차단되며,The flow shutoff line, where gas cannot flow through it, is cleaned to regenerate the gas for the next process, the valve at each inlet line is opened one at a time and the other valve is connected to the subsequent flow. To ensure that the line is renewed for action and to remove the flow blockage of the line, 상기 흐름 차단 라인은 흐름 차단 상태에서 압축부 공급원과 연통하는 수류 라인의 밸브를 개방함으로써 압축수 공급원으로부터의 압축수가 흐름 차단 라인에 유입되어 청소되고, 반면에, 다른 수류 라인에서는, 수류 라인 밸브는 차단되어 압축수가 압축수 공급원으로부터 흐름 접속 라인으로 흐르는 것을 방지하며, 압축수가 흐름 접속 라인을 청소하도록 흐름 접속 라인을 통하여 유동한 후에, 각각의 입구 라인에 있는 입구 라인의 밸브는 반대되는 개방/폐쇄 상태로 절환되며,The flow shutoff line is cleaned of the compressed water from the compressed water source by entering the flow shutoff line by opening the valve of the water flow line in communication with the compressor source in the flow shutoff state, while in the other flow line, the water flow line valve is Shut off to prevent compressed water from flowing from the compressed water source to the flow connection line, and after compressed water flows through the flow connection line to clean the flow connection line, the valve of the inlet line at each inlet line is opposed to the open / closed To a state, 기류는 번갈아서, 연속적으로 각각의 입구 라인으로 향하는 상태로, 특정 입구 라인의 흐름 차단 기간 중에, 흐름 차단 라인은 압축수로 가득차서 기체가 그 라인을 통하여 연속적으로 흐르도록 입구 라인을 새롭게 하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체With the air flow alternately directed to each inlet line, during the flow shutoff period of a particular inlet line, the flow shutoff line is filled with compressed water to update the inlet line so that gas flows continuously through the line. Entrance structure 로 구성되는 군으로부터 선택되는 구조체.A structure selected from the group consisting of: 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 기체 처리 시스템에 주입하기 위한 막힘 방지 입구 구조체로서,An anti-clogging inlet structure for injecting a particulate solid containing and / or solid forming air stream into a gas treatment system, 기체 유동로를 포위하는 기체 투과성 벽과;A gas permeable wall surrounding the gas flow path; 상기 기체 투과성 벽을 에워싸서 이 기체 투과성 벽과의 사이에 환형 기체 저장조를 형성하는 외측의 환형 재킷과;An outer annular jacket surrounding the gas permeable wall to form an annular gas reservoir between the gas permeable wall; 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류가 상기 입구 구조체를 통해서 기체 처리 시스템으로 유동하는 동안, 상기 기체가 상기 기체 투과성 벽을 투과하여 고체가 상기 기체 투과성 벽의 내표면상에 침적 또는 형성되는 것을 억제할 만큼 충분한 압력으로 상기 환형 기체 저장조 내에 기체를 주입하는 기체 주입 수단While the particulate solid containing and / or solid forming airflow flows through the inlet structure to the gas treatment system, the gas penetrates through the gas permeable wall and inhibits solids from depositing or forming on the inner surface of the gas permeable wall. Gas injection means for injecting gas into the annular gas reservoir at a pressure sufficient to cause 을 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.Inlet structure comprising a. 제2항에 있어서, 펄스화 고압 기체(pulsed high pressure gas)를 환형 저장조에 주입하기 위한 포트를 또한 구비하며, 이 포트는 고압 기체 공급원 및 이 공급원으로부터 환형 저장조로의 펄스화 고압 기체 분배 수단(means for pulsed delivery)에 연결되어, 기체 투과성 벽에 추가의 막힘 방지 작용을 수행하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.3. The apparatus of claim 2, further comprising a port for injecting pulsed high pressure gas into the annular reservoir, the port being a high pressure gas source and means for distributing pulsed high pressure gas from the source to the annular reservoir. means for pulsed delivery to perform an additional anti-clogging action on the gas permeable wall. 제2항에 있어서, 상기 기체 투과성 벽과 상기 외측의 환형 재킷은 대응하는 추가의 기체 유동로 섹션을 둘러싸고 가스 투과성 벽과 함께 그 사이에 슬롯을 형성하는 벽을 포함하는 하향 유동로 섹션에 연결되어, 하향 유동로 섹션의 벽은 외측의 환형 재킷에 의해 에워싸여 그들 사이에 상기 슬롯과 액체 넘침 관계의(in liquid overflow relation with the slot) 환형 저장조를 형성하여, 상기 환형 액체 저장조에 상기 벽의 높이에 의해 정해지는 어떤 지점을 지나 액체가 충전되는 경우, 이 액체는 하강하는 액막(falling liquid film)으로 상기 벽의 내표면 위로 유동하며, 이에 의하여 하강하는 액막은 벽 내면에 배리어 매체를 제공하여, 이러한 내부면 상에서의 고형 침전물 또는 형성물이 발생하는 것을 방지하고, 그럼에도 불구하고 벽의 내부면에 침적되거나 형성되는 어떤 고형물도 제거할 수 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The gas flow permeable wall and the outer annular jacket are connected to a downward flow path section including a wall surrounding a corresponding further gas flow path section and forming a slot therebetween with the gas permeable wall. The wall of the downcomer section is surrounded by an outer annular jacket to form an annular reservoir in liquid overflow relation with the slot therebetween, so that the height of the wall in the annular liquid reservoir When the liquid is filled past a point defined by the liquid, the liquid flows over the inner surface of the wall with a falling liquid film, whereby the falling liquid film provides a barrier medium to the inner surface of the wall, Solid deposits or formations on these inner surfaces are prevented from occurring and nevertheless deposited or formed on the inner surfaces of the walls Inlet structure, characterized in that any solids can be removed. 제4항에 있어서, 입구 구조체의 하향류 유동로 섹션의 외측 환형 재킷에는 액체 공급부와 연결된 포트가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.5. The inlet structure according to claim 4, wherein the outer annular jacket of the downflow flow section of the inlet structure is provided with a port connected to the liquid supply. 제2항에 있어서, 기체 유동로의 제1 단부는 반도체 제조 공구와 기체 유동 관계로서 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 2, wherein the first end of the gas flow path is connected in a gas flow relationship with the semiconductor manufacturing tool. 제6항에 있어서, 기체 유동로의 제2 단부는 기체 유동 관계로 물 정화 유닛(water scrubber unit)과 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.7. The inlet structure according to claim 6, wherein the second end of the gas flow path is connected with a water scrubber unit in a gas flow relationship. 제6항에 있어서, 기체 유동로의 제2 단부는 연소 정화 유닛(combustion scrubber unit)과 기체 유동 관계로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.7. The inlet structure according to claim 6, wherein the second end of the gas flow path is connected in a gas flow relationship with a combustion scrubber unit. 제2항에 있어서, 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 입구 구조체에 운송하기 위하여 외부 환형 재킷에 의하여 둘러싸인 기류 운송 튜브를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.3. The inlet structure according to claim 2, further comprising an airflow transport tube surrounded by an outer annular jacket for transporting particulate solid-containing and / or solid-forming airflow to the inlet structure. 제9항에 있어서, 기류 운송 튜브를 통해서 유동하는 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류의 응결을 방지하기 위하여 상기 기류 운송 튜브를 가열하는 가열 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.10. The inlet structure according to claim 9, further comprising heating means for heating said airflow transport tube to prevent condensation of particulate solid-containing and / or solid-forming airflow flowing through the airflow transport tube. 제4항에 있어서, 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 입구 구조체에 운송하기 위하여 기체 투과성 벽에 의하여 둘러싸인 기류 운송 튜브를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.5. The inlet structure according to claim 4, further comprising an airflow transport tube surrounded by a gas permeable wall for transporting particulate solid-containing and / or solid-forming airflow to the inlet structure. 제11항에 있어서, 기류 운송 튜브를 통해서 유동하는 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류의 응결을 방지하기 위하여 상기 기류 운송 튜브를 가열하는 가열 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.12. The inlet structure according to claim 11, further comprising heating means for heating said airflow transport tube to prevent condensation of particulate solids and / or solids forming airflow flowing through the airflow transport tube. 제11항에 있어서, 기류 운송 튜브는 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 하류의 유동로 섹션의 상단벽 아래로 배출하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.12. The inlet structure according to claim 11, wherein the air flow conveying tube discharges particulate solid containing and / or solid forming airflow below the top wall of the downstream flow section. 제2항에 있어서, 상기 입구 구조체는 상기 기체 투과성 벽을 투과하는 기체를 가열하는 기체 가열 수단을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 2, wherein the inlet structure also comprises gas heating means for heating the gas passing through the gas permeable wall. 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 기체 처리 시스템에 주입하기 위한 막힘 방지 입구 구조체로서,An anti-clogging inlet structure for injecting a particulate solid containing and / or solid forming air stream into a gas treatment system, 상호 직렬로 연결된 관계로서 대체로 연직 방향으로 배치된 제1 유동 통로 섹션 및 제2 유동 통로 섹션과;A first flow passage section and a second flow passage section disposed generally in a vertical direction in a mutually connected relationship; 상기 제1 유동 통로 부분의 외벽에 있는 기체 유동 포트를 구비하며,A gas flow port on an outer wall of the first flow passage portion, 상기 제1 유동 통로 섹션과 상기 제2 유동 통로 섹션은 상기 직렬로 연결된 관계에서 연직 방향의 유동 통로를 형성하며, 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류가 상기 유동 통로를 통해서 상기 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류의 상류 공급원으로부터 상기 입구 구조체와 기류 수용 관계(in gas stream-receiving relationship)로 배치된 하류의 기체 처리 시스템으로 유동하며,The first flow passage section and the second flow passage section form a vertical flow passage in the series-connected relationship, wherein a particulate solid containing and / or solid forming air stream contains the particulate solid through and through the flow passage; Or from an upstream source of solid forming airflow to a downstream gas treatment system disposed in an gas stream-receiving relationship with the inlet structure, 상기 제1 유동 통로 섹션은 입구 구조체의 상부 섹션을 포함함과 아울러, 유동 통로의 상부를 획정하는 내표면을 갖는 기체 투과성 벽과 이 기체 투과성 벽을 포위하여 에워싸서 그 기체 투과성 벽과의 사이에 내측 환형 공간을 형성하는 외벽을 구비하며,The first flow passage section includes an upper section of the inlet structure, and between the gas permeable wall and the gas permeable wall having an inner surface defining an upper portion of the flow passage and surrounding the gas permeable wall. Having an outer wall forming an inner annular space, 상기 기체 유동 포트는 상기 내측 환형 공간으로부터 입구 구조체의 유동 통로 내로의 기체의 계속된 유동을 위하여 기체를 예정된 기체 유량으로 상기 내측 환형 공간 내로 유입시키는 기체 공급원에 연결될 수 있으며,The gas flow port may be connected to a gas source that introduces gas into the inner annular space at a predetermined gas flow rate for continued flow of gas from the inner annular space into the flow passage of the inlet structure, 상기 제2 유동 통로 섹션은 입상 고체 함유 유체가 상기 제1 유동 통로 섹션으로부터 하방으로 상기 제2 유동 통로 속으로 유입하도록 상기 제1 유동 통로 섹션에 직렬로 연결되어 있으며, 상기 제2 유동 통로는 속에 액체 분사 포트를 구비한 외벽과 이 외벽에 대하여 일정 간격을 두고 배치되어 그 외벽과의 사이에 내측 환형 공간을 형성하는 내측의 위어 벽(inner weir wall)을 구비하며, 상기 제2 유동 통로 섹션의 외벽은 상기 제1 유동 통로 섹션과 연결되어 있고, 상기 위어 벽은 상기 제1 유동 통로 섹션의 기체 투과성 벽을 향하여 뻗지만 그 기체 투과성 벽 바로 전에서 종지하여 사이에 위어(weir)를 형성하는 갭을 제공하며, 상기 위어 벽은 상기 제2 유동 통로 섹션의 유동 통로를 획정하는 내표면을 구비하고,The second flow passage section is connected in series to the first flow passage section such that particulate solid containing fluid flows downwardly from the first flow passage section into the second flow passage section, the second flow passage being An inner weir wall disposed at regular intervals with respect to the outer wall and having an inner annular space therebetween, the outer wall having a liquid injection port, An outer wall is connected with the first flow passage section, the weir wall extending toward the gas permeable wall of the first flow passage section but terminating just before the gas permeable wall to form a weir therebetween. Wherein the weir wall has an inner surface defining a flow passage of the second flow passage section, 이로써, 액체가 상기 제2 유동 통로 섹션의 외벽과 그것의 내측 위어 벽 사이의 내측 환형 공간 내로 유입할 때, 주입된 액체가 상기 위어를 넘쳐서 하방으로 제2 유동 통로 섹션의 내측 벽의 내측 표면으로 유동함으로써 그 벽으로부터 어떤 입상 고체도 씻어내고, 입상 고체 함유 기류가 입구 구조체의 상기 유동 통로를 통해서 유동됨에 따라, 상기 위어 벽의 내표면 상에 고체가 침적 또는 형성되는 것을 억제하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.Thus, when liquid flows into the inner annular space between the outer wall of the second flow passage section and the inner weir wall thereof, the injected liquid overflows the weir downwards to the inner surface of the inner wall of the second flow passage section. Flowing to wash away any particulate solid from the wall and to prevent deposits or formation of solid on the inner surface of the weir wall as the particulate solid-containing air flow flows through the flow passage of the inlet structure. Inlet structure. 제15항에 있어서, 제1 유동 통로 섹션의 외벽에 고압 기체 유동 포트를 또한 구비하며, 이 고압 기체 유동 포트는 상기 기체 투과성 벽으로부터 침적 또는 형성되는 입자들을 세정하도록 고압 기체를 내측 환형 공간 내로 유입시키기 위하여 고압 기체 공급원에 연결될 수 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The apparatus of claim 15, further comprising a high pressure gas flow port on an outer wall of the first flow passage section, the high pressure gas flow port introducing high pressure gas into the inner annular space to clean particles deposited or formed from the gas permeable wall. Inlet structure, characterized in that it can be connected to a high pressure gas source. 제15항에 있어서, 기체 공급원은 상기 제1 유동 통로 섹션의 외벽에 있는 기체 포트와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure according to claim 15, wherein a gas source is connected to a gas port at an outer wall of the first flow passage section. 제16항에 있어서, 고압 기체 공급원은 제1 유동 통로 섹션의 외벽에 있는 고압 기체 포트에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.17. The inlet structure as claimed in claim 16, wherein the high pressure gas source is connected to a high pressure gas port on an outer wall of the first flow passage section. 제15항에 있어서, 제2 유동 통로 섹션의 하단부는 입구 구조체의 유동 통로를 통해서 유동되는 입상 고체 함유 기류를 정화하는 물 정화기에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure according to claim 15, wherein the lower end of the second flow passage section is connected to a water purifier for purifying particulate solid-containing airflow flowing through the flow passage of the inlet structure. 제15항에 있어서, 상기 제1 유동 통로 섹션과 제2 유동 통로 섹션은 상호 신속하게 분리 가능하게 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure according to claim 15, wherein said first flow passage section and said second flow passage section are detachably connected to one another. 제15항에 있어서, 상기 제1 유동 통로 섹션과 제2 유동 통로 섹션은 상호 동축으로 정렬되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 15, wherein the first flow passage section and the second flow passage section are coaxially aligned with each other. 제15항에 있어서, 상기 기체 투과성 벽은 다공성 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 15, wherein the gas permeable wall is formed of a porous metal. 제15항에 있어서, 상기 기체 투과성 벽은 다공성 세라믹으로 형성되는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 15, wherein the gas permeable wall is formed of porous ceramics. 제15항에 있어서, 상기 기체 투과성 벽은 다공성 플라스틱으로 형성되는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 15, wherein the gas permeable wall is formed of porous plastic. 제15항에 있어서, 상기 기체 투과성 벽과 외측의 환형 재킷은 원형 단면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure according to claim 15, wherein said gas permeable wall and outer annular jacket are formed in a circular cross section. 제15항에 있어서, 상기 제2 유동 통로 섹션의 외벽과 내측 위어 벽은 원형 단면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure according to claim 15, wherein the outer wall and the inner weir wall of the second flow passage section are formed in a circular cross section. 제15항에 있어서, 상기 제1 유동 통로 섹션은 상류의 반도체 제조 공구와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.The inlet structure according to claim 15, wherein the first flow passage section is connected with an upstream semiconductor fabrication tool. 제15항에 있어서, 기체 투과성 벽의 내표면에 의해 에워싸여 있는 기류 분배 튜브를 또한 구비하며, 이 기류 분배 튜브는 상류의 공급원과 기체 유동 수용 관계에 있으며, 상기 기류 분배 튜브는 대체로 연직 방향의 유동 통로 내의 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 배출하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The air flow distribution tube of claim 15 further comprising an air flow distribution tube surrounded by an inner surface of the gas permeable wall, the air flow distribution tube in a gas flow receiving relationship with an upstream source, the air flow distribution tube being generally in a vertical direction. An inlet structure characterized by discharging a particulate solid containing and / or solid forming air stream in the flow passage. 제28항에 있어서, 상기 기류 분배 튜브는 상기 제2 유동 통로 섹션 내의 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 배출하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.29. The inlet structure as claimed in claim 28, wherein said air flow distribution tube discharges particulate solid containing and / or solid forming airflow in said second flow passage section. 제28항에 있어서, 상기 기류 분배 튜브는 상기 위어를 형성하는 갭 아래에서 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 배출하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.29. The inlet structure as claimed in claim 28, wherein said air flow distribution tube discharges particulate solid containing and / or solid forming airflow below a gap forming said weir. 제28항에 있어서, 기류 분배 튜브는 위어를 형성하는 갭 위에서 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 배출하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.29. The inlet structure of claim 28, wherein the airflow distribution tube discharges particulate solids containing and / or solids forming airflow above the gap that forms the weir. 제15항에 있어서, 기류 분배 튜브를 통해서 유동하는 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류의 응결을 방지하기 위하여 상기 기류 분배 튜브를 가열하는 가열 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure according to claim 15, further comprising heating means for heating said airflow distribution tube to prevent condensation of particulate solid-containing and / or solid-forming airflow flowing through the airflow distribution tube. 제15항에 있어서, 상기 기체 투과성 벽을 투과하는 기체를 가열하는 기체 가열 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.16. The inlet structure according to claim 15, further comprising gas heating means for heating a gas passing through said gas permeable wall. 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 주입하기 위한 막힘 방지 입구 구조체로서, 상부 다공성 벽을 구비한 상부 섹션과 하부 다공성 벽을 구비한 하부 섹션을 포함하고, 상기 상부 다공성 벽과 하부 다공성 벽은 기체 유동로를 에워싸고 각 다공성 벽이 쉬라우드 유체를 수용하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.An anti-clogging inlet structure for injecting particulate solid-containing and / or solid-forming airflow, comprising: an upper section with an upper porous wall and a lower section with a lower porous wall, the upper porous wall and the lower porous wall being a gas; An inlet structure surrounding the flow path and wherein each porous wall receives a shroud fluid. 제34항에 있어서, 상기 상부 다공성 벽에 의하여 에워싸여 있는, 상기 상부 섹션 내의 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류 배출용의 기류 분배 튜브를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.35. The inlet structure according to claim 34, further comprising an airflow distribution tube for discharging particulate solids and / or solids forming airflow in said upper section, surrounded by said upper porous wall. 제34항에 있어서, 상기 상부 다공성 벽에 의하여 에워싸여 있는, 상기 하부 섹션 내의 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류 배출용의 기류 분배 튜브를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.35. The inlet structure according to claim 34, further comprising an airflow distribution tube for discharging particulate solids and / or solids forming airflow in said lower section, surrounded by said upper porous wall. 제34항에 있어서, 상기 상부 섹션과 하부 섹션 사이의 전이 영역과 기류 분배 튜브를 또한 구비하고, 상기 기류 분배 튜브는 상기 전이 영역 내의 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 배출하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.35. The system of claim 34, further comprising a transition region and an airflow distribution tube between the upper section and the lower section, wherein the airflow distribution tube discharges particulate solid containing and / or solid forming airflow in the transition region. Inlet structure. 제34항에 있어서, 유체를 입구 구조체로 주입하기 위하여 축방향으로 배치된 다공성 구조체를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 입구 구조체.35. The inlet structure of Claim 34, further comprising an axially disposed porous structure for injecting fluid into the inlet structure. 기류를 상류의 기체 공급원으로부터 하류의 처리 유닛으로 운송하는 기체/액체 계면 구조체로서,A gas / liquid interface structure that delivers airflow from an upstream gas source to a downstream processing unit, 상기 기류를 주입하기 위한 상부 도입부와 상기 기류를 배출하기 위한 하단부를 구비한 연직 방향으로 뻗은 제1 입구 유동 통로 부재와;A first inlet flow passage member extending in a vertical direction having an upper introduction portion for injecting the airflow and a lower end portion for discharging the airflow; 상기 제1 입구 유동 통로 부재를 일정 간격을 두고 에워싸서 그 부재와의 사이에 환형 공간을 형성하며, 하단부가 하방으로 상기 제1 입구 유동 통로 부재의 하단부 아래까지 뻗어 있으며, 상부의 액체 투과성 부분과 이 액체 투과성 부분 아래에 있는 하부의 액체 불투과성 부분을 구비하고 있는 제2 유동 통로 부재와;Surround the first inlet flow passage member at regular intervals to form an annular space therebetween, the lower end extending downward below the lower end of the first inlet flow passage member, A second flow passage member having a lower liquid impermeable portion below the liquid permeable portion; 상기 제2 유동 통로 부재를 포위하여 에워싸서 그 통로 부재와 함께 포위된 내측 환형 공간을 형성하는 외벽 부재; 그리고An outer wall member surrounding and enclosing the second flow passage member to form an inner annular space surrounded with the passage member; And 상기 외벽 부재에 배치되어 상기 제2 유동 통로 부재와 상기 외벽 부재와의 사이의 상기 포위된 내측 환형 공간에 액체를 주입하는 액체 유동 입구 포트A liquid flow inlet port disposed in the outer wall member for injecting liquid into the enclosed inner annular space between the second flow passage member and the outer wall member 를 구비하는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.A gas / liquid interface structure comprising a. 제39항에 있어서, 상기 제2 유동 통로 부재의 상부 액체 투과성 부분은 다공성의 원통형 벽 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.40. The gas / liquid interface structure of claim 39, wherein the upper liquid permeable portion of the second flow passage member comprises a porous cylindrical wall member. 제40항에 있어서, 상기 다공성의 원통형 벽 부재는 소결 금속 재료, 다공성 세라믹 재료 및 다공성 플라스틱 재료로 이루어지는 군으로부터 선택된 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.41. The gas / liquid interface structure of claim 40, wherein the porous cylindrical wall member is formed of a material selected from the group consisting of sintered metal material, porous ceramic material, and porous plastic material. 제40항에 있어서, 상기 제2 유동 통로 부재의 상부의 액체 투과성 부분은 다공성의 소결된 금속 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.41. The gas / liquid interface structure of claim 40, wherein the liquid permeable portion of the upper portion of the second flow passage member is formed of a porous sintered metal material. 제40항에 있어서, 상기 액체 투과성 부분은 평균 기공 치수가 약 0.5 내지 30 미크론 범위인 다공성 벽에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.41. The gas / liquid interface structure of claim 40, wherein the liquid permeable portion is constituted by a porous wall having an average pore dimension in the range of about 0.5 to 30 microns. 제39항에 있어서, 상기 제1 유동 통로 부재와 상기 제2 유동 통로 부재는 각기 원통형 형상으로서 상호 동축인 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.40. The gas / liquid interface structure of claim 39, wherein the first flow passage member and the second flow passage member are each cylindrical in shape and coaxial with each other. 제39항에 있어서, 상기 제2 유동 통로 부재를 포위하여 에워싸는 외벽 부재는 상기 제2 유동 통로 부재에 대하여 반경 방향으로 일정 간격을 두는 관계로서 배치되어 있는 원통형 측벽, 연장하는 상기 제1 유동 통로 부재가 관통하는 상단 벽, 그리고 상기 제2 유동 통로 부재와 상기 외벽 부재의 측벽과의 사이의 하단 벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.40. The cylindrical wall of claim 39, wherein the outer wall member surrounding and enclosing the second flow passage member has a cylindrical sidewall disposed in a radially spaced relationship with respect to the second flow passage member, and the extending first flow passage member. And a bottom wall between which the second flow passage member and a side wall of the outer wall member pass. 제39항에 있어서, 상기 외벽 부재에 배치되어 상기 제2 유동 통로 부재와 외벽 부재와의 사이의 포위된 내측 환형 공간 내로 액체를 주입하는 액체 유동 입구 포트는 주입된 액체를 상기 제2 유동 통로 부재의 상부의 액체 투과성 부분 둘레로 원주 방향으로 분포시키기 위하여 액체를 상기 포위된 내측 환형 공간 내로 접선 방향으로 공급하도록 구성 및 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.40. The liquid flow inlet port of claim 39, wherein a liquid flow inlet port disposed in said outer wall member for injecting liquid into an enclosed inner annular space between said second flow passage member and said outer wall member further comprises injecting injected liquid into said second flow passage member. A gas / liquid interface structure, configured and arranged to tangentially feed liquid into the enclosed inner annular space for circumferential distribution around a liquid permeable portion of the top of the substrate. 제39항에 있어서, 위어 액체 속도(weir liquid rate)가 구조체의 수준(levelness)과는 독립되도록(decoupled) 구성 및 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.40. The gas / liquid interface structure of claim 39, wherein the weir liquid rate is configured and arranged such that the weir liquid rate is decoupled from the level of the structure. 제39항에 있어서, 위어 액체 속도가 최소의 습윤 속도(minimum wetting rate)와는 독립되도록 구성 및 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.40. The gas / liquid interface structure of claim 39, wherein the weir liquid rate is configured and arranged to be independent of the minimum wetting rate. 기류를 상류의 기류 공급원으로부터 하류의 처리 유닛으로 운반하는 기체/액체 계면 구조체로서, 사이에 환형 공간을 형성하는 제1 유동 통로 부재와 제2 유동 통로 부재를 구비하고, 제2 유동 통로 부재는 상기 제1 유동 통로 부재의 하단부 보다 더 낮은 높이로 하방으로 뻗어 있으며, 상기 제2 유동 통로 부재를 외벽 부재가 포위하여 에워싸서 그 통로 부재와 포위된 내부의 환형 공간을 형성하며, 외벽 부재에는 포위된 내부 황형 공간 내로 액체를 주입시키기 위한 액체 유동 포트가 있으며, 제2 유동 통로 부재는 상기 포위된 내부 환형 공간과 액체 유통 관계의 액체 투과성 상부를 구비하고 있고, 이로써 그러한 공간으로부터의 액체가 투과성 부분을 통해서 흐를 수 있고, 또한 제2 유동 통로 부재의 내표면 부분에 제2 유동 통로 부재용 보호 액체 계면으로서 하강 액막(falling liquid film)을 형성하는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.A gas / liquid interface structure for conveying airflow from an upstream airflow source to a downstream processing unit, comprising a first flow passage member and a second flow passage member defining an annular space therebetween, wherein the second flow passage member comprises: Extending downwardly at a lower level than a lower end of the first flow passage member, wherein the second flow passage member is surrounded by an outer wall member to form an inner annular space surrounded by the passage member and surrounded by the outer wall member. There is a liquid flow port for injecting liquid into the inner sulfurous space, and the second flow passage member has a liquid permeable upper portion in liquid circulation relationship with the enclosed inner annular space, whereby liquid from such space is directed to the permeable portion. A protective liquid system for the second flow passage member that can flow therethrough and also to an inner surface portion of the second flow passage member A falling liquid film (falling liquid film) formed in the gas / liquid interface structure characterized in that. 제49항에 있어서, 제2 유동 통로 부재의 액체 투과성 상부는 다공성의 원통형 벽 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.50. The gas / liquid interface structure of claim 49, wherein the liquid permeable top of the second flow passage member comprises a porous cylindrical wall member. 제50항에 있어서, 상기 다공성의 원통형 벽 부재는 소결된 금속 재료, 다공성 세라믹 재료 및 다공성 플라스틱 재료로 구성되는 군으로부터 선택된 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.51. The gas / liquid interface structure of claim 50, wherein the porous cylindrical wall member is formed of a material selected from the group consisting of sintered metal material, porous ceramic material, and porous plastic material. 제50항에 있어서, 제2 유동 통로 부재의 액체 투과성 상부은 다공성의 소결된 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.51. The gas / liquid interface structure of claim 50, wherein the liquid permeable top of the second flow passage member is formed of a porous sintered metal. 제50항에 있어서, 상기 액체 투과성의 상부은 평균 기공치수가 약 0.5 내지 30 미크론 범위인 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.51. The gas / liquid interface structure of claim 50, wherein the top of the liquid permeability ranges from about 0.5 to 30 microns in average pore size. 제49항에 있어서, 상기 제1 유동 통로 부재와 제2 유동 통로 부재는 각기 원통형으로서 상호 동축인 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.50. The gas / liquid interface structure of claim 49, wherein the first flow passage member and the second flow passage member are cylindrical and coaxial with each other. 제49항에 있어서, 상기 제2 유동 통로 부재를 포위하여 에워싸는 외벽 부재는 상기 제2 유동 통로 부재에 대하여 반경 방향으로 일정 간격을 두는 관계로서 배치되어 있는 원통형 측벽, 연장하는 상기 제1 유동 통로 부재가 관통하는 상단 ㅂ겨, 그리고 상기 제2 유동 통로 부재와 상기 외벽 부재의 측벽과의 사이의 하단 벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.52. The cylindrical wall member of claim 49, wherein the outer wall member surrounding and enclosing the second flow passage member has a cylindrical sidewall disposed in a radially spaced relationship with respect to the second flow passage member, and the first flow passage member extending. And a bottom wall between which the second flow passage member and the side wall of the outer wall member pass through. 제49항에 있어서, 상기 외벽 부재에 배치되어 상기 제2 유동 통로 부재와 외벽 부재와의 사이의 포위된 내측 환형 공간 내로 액체를 주입시키는 액체 유동 입구 포트는 주입된 액체를 상기 제2 유동 통로 부재의 상부의 액체 투과성 부분 둘레로 원주 방향으로 분포시키기 위하여 액체를 상기 포위된 내측 환형 공간 내로 접선 방향으로 공급하도록 구성 및 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.50. The liquid flow inlet port of claim 49, wherein the liquid flow inlet port disposed in the outer wall member to inject liquid into an enclosed inner annular space between the second flow passage member and the outer wall member directs the injected liquid to the second flow passage member. A gas / liquid interface structure, configured and arranged to tangentially feed liquid into the enclosed inner annular space for circumferential distribution around a liquid permeable portion of the top of the substrate. 제49항에 있어서, 위어 액체 속도가 최소의 습윤 속도(minimum wetting rate) 독립되도록 구성 및 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기체/액체 계면 구조체.50. The gas / liquid interface structure of claim 49, wherein the weir liquid rate is constructed and arranged to be independent of minimum wetting rate. 반도체 제조시의 유출 기체 처리용 시스템으로서,As a system for treating outflow gas in semiconductor manufacturing, 유출 기류를 발생시키는 반도체 제조 유닛과;A semiconductor manufacturing unit for generating outflow airflow; 유출 기류를 산화 처리하는 산화 유닛과;An oxidation unit for oxidizing the outflow air stream; 기류를 산화 유닛으로부터 하류의 처리 유닛으로 운반하는 기체/액체 계면 구조체Gas / liquid interface structure that delivers airflow from the oxidation unit to downstream processing units 를 구비하며, 상기 기체/액체 계면 구조체는And a gas / liquid interface structure 상기 기류를 주입시키기 위한 상부 도입부와 상기 기류를 배출하기 위한 하단부를 구비한 연직 방향으로 뻗은 제1 입구 유동 통로 부재와;A first inlet flow passage member extending in a vertical direction having an upper introduction portion for injecting the airflow and a lower end portion for discharging the airflow; 상기 제1 입구 유동 통로 부재를 일정 간격을 두고 에워싸서 그 부재와의 사이에 환형 공간을 형성하며, 그 하단부가 하방으로 상기 제1 입구 유동 통로 부재의 하단부 아래까지 뻗어 있으며, 상부의 액체 투과성 부분과 이 액체 투과성 부분 아래에 있는 하부의 액체 불투과성 부분을 구비하고 있는 제2 유동 통로 부재와;Surrounds the first inlet flow passage member at regular intervals to form an annular space therebetween, the lower end of which extends downwards below the bottom of the first inlet flow passage member, the upper liquid permeable portion And a second flow passage member having a lower liquid impermeable portion below the liquid permeable portion; 상기 제2 유동 통로 부재를 포위하여 에워싸서 그 통로 부재와 함께 포위된 내측 환형 공간을 형성하는 외벽 부재;An outer wall member surrounding and enclosing the second flow passage member to form an inner annular space surrounded with the passage member; 상기 외벽 부재에 배치되어 상기 제2 유동 통로 부재와 상기 외벽 부재와의 사이의 상기 포위된 내측 환형 공간에 액체를 주입하는 액체 유동 입구 포트; 그리고A liquid flow inlet port disposed in said outer wall member for injecting liquid into said enclosed inner annular space between said second flow passage member and said outer wall member; And 기체/액체 계면 구조체로부터 유출 기류를 수용하는 하류 처리 유닛Downstream treatment unit for receiving an outlet airflow from the gas / liquid interface structure 을 구비하는 것을 특징으로 하는 유출 기체 처리용 시스템.Emission gas treatment system comprising a. 처리 기류를 상류의 공급원으로부터 하류의 처리 유닛으로 이송하는 이송 장치로서,A conveying apparatus for transferring a processing air stream from an upstream supply source to a downstream processing unit, 상기 상류의 공급원으로부터의 기체를 수용하며, 기체가 하류의 공정으로 유동하게 하는데 선택적으로 이용되는 제1 입구 라인과 제2 입구 라인을 구비하는 매니폴드로서, 상기 입구 라인의 각각의 제1 단부는 매니폴드 도관에 연결되고, 상기 입구 라인의 각각의 제2 단부는 하류의 처리 유닛과 연통되게 연결되며, 제1 및 제2 입구 라인 각각이 라인을 통과하는 기류를 유동하게 하거나 차단하도록 선택적으로 개방 또는 폐쇄될 수 있는 밸브를 그 안에 포함하도록 되어 있는 그 매니폴드와;A manifold having a first inlet line and a second inlet line for receiving gas from said upstream source and optionally used to cause gas to flow into a downstream process, each first end of said inlet line being Connected to a manifold conduit, each second end of the inlet line is in communication with a downstream processing unit and is selectively open to allow each of the first and second inlet lines to flow or block airflow through the line Or a manifold adapted to contain therein a valve that can be closed; 제1 및 제2 입구 라인으로 유동하는 수류 라인에 의하여 상기 매니폴드와 결합되는 압축수 공급원, 그리고A pressurized water source coupled with the manifold by a water flow line flowing to first and second inlet lines, and 상기 매니폴드와 밸브의 조작을 제어하여 그들이 작동 상태에 있게 하도록 구성되고 배치되는 사이클 타이머 제어 수단을 구비하며,Cycle timer control means configured and arranged to control the operation of the manifold and valve so that they are in an operating state, 상기 매니폴드는 상류의 공급원으로부터의 기체를 수용하여 기체가 매니폴드와 제1 입구 라인 또는 제2 입구 라인 중 하나를 통하여 유동하게 하도록 배치되어, 입구 라인 중 하나는 상류 공급원으로부터의 기체가 하류 프로세스(lower process)로 활발하게 유동하게 하는 반면, 다른 입구 라인은 그 안에 있는 각각의 밸브를 차단함으로써 기체가 그곳을 통하여 유동하는 것을 막으며,The manifold is arranged to receive gas from an upstream source such that gas flows through the manifold and either the first inlet line or the second inlet line, so that one of the inlet lines allows the gas from the upstream source to flow downstream. active flow into the lower process, while the other inlet line shuts off each valve in it, preventing gas from flowing through it, 상기 각각의 수류 라인(water flow line)은 그곳을 각각 통과하는 압축수의 유동을 발생시키거나 차단하도록 선택적으로 개방되거나 차단될 수 있는 밸브를 포함하며,Each of the water flow lines includes a valve that can be selectively opened or shut off to generate or block a flow of compressed water therethrough, respectively, 상기 제1 및 제2 입구 라인중 하나에 배치되어 있는 밸브는 개방되어 있는 반면, 제1 및 제2 입구 라인중 다른 하나에 배치되어 있는 밸브는 폐쇄되어 있는 상태에서 기체는 상류 프로세스로부터 매니폴드로 유동하며, 매니폴드로 유입되는 기체는 밸브가 개방되어 있는 특정 입구 라인을 통하여 유동하고, 기체는 개방된 밸브를 포함하여 흐름 접속 라인으로 구성된 특정 입구 라인을 통하여 유동하여 하류의 프로세스로 운송되며, 그 동안 매니폴드의 다른 라인은 기체가 그곳을 통과하는 것을 방지하도록 밸브가 닫혀있는 흐름 차단 라인으로 구성되며,The valve disposed in one of the first and second inlet lines is open, while the gas disposed in the other of the first and second inlet lines is closed, and the gas flows from the upstream process to the manifold. Flows, the gas entering the manifold flows through a specific inlet line with a valve open, the gas flows through a specific inlet line consisting of a flow connection line including an open valve and transported to a downstream process, Meanwhile, the other line of the manifold consists of a flow shutoff line with the valve closed to prevent gas from passing there, 기체가 그곳을 통하여 유동하지 못하는 흐름 차단 라인은 다음의 공정을 위한 기체를 재생하도록 청소되고, 각각의 입구 라인에 있는 밸브는 그 중 하나가 소정의 시간에 개방되고, 다른 밸브는 뒤이은 흐름 접속 작용을 위하여 라인을 새롭게 하고 라인의 흐름 차단을 제거하도록 차단되며,The flow shutoff line, where gas cannot flow through it, is cleaned to regenerate the gas for the next process, the valve at each inlet line is opened one at a time and the other valve is connected to the subsequent flow. To ensure that the line is renewed for action and to remove the flow blockage of the line, 상기 흐름 차단 라인은 흐름 차단 상태에서 압축부 공급원과 연통하는 수류 라인의 밸브를 개방함으로써 압축수 공급원으로부터의 압축수가 흐름 차단 라인에 유입되어 청소되고, 반면에, 다른 수류 라인에서는, 수류 라인 밸브는 차단되어 압축수가 압축수 공급원으로부터 흐름 접속 라인으로 흐르는 것을 방지하며, 압축수가 흐름 접속 라인을 청소하도록 흐름 접속 라인을 통하여 유동한 후에, 각각의 입구 라인에 있는 입구 라인의 밸브는 반대되는 개방/폐쇄 상태로 절환되며,The flow shutoff line is cleaned of the compressed water from the compressed water source by entering the flow shutoff line by opening the valve of the water flow line in communication with the compressor source in the flow shutoff state, while in the other flow line, the water flow line valve is Shut off to prevent compressed water from flowing from the compressed water source to the flow connection line, and after compressed water flows through the flow connection line to clean the flow connection line, the valve of the inlet line at each inlet line is opposed to the open / closed To a state, 기류는 번갈아서, 연속적으로 각각의 입구 라인으로 향하는 상태로, 특정 입구 라인의 흐름 차단 기간 중에, 흐름 차단 라인은 압축수로 가득차서 기체가 그 라인을 통하여 연속적으로 흐르도록 입구 라인을 새롭게 하는 것을 특징으로 하는 이송 장치.With the air flow alternately directed to each inlet line, during the flow shutoff period of a particular inlet line, the flow shutoff line is filled with compressed water to update the inlet line so that gas flows continuously through the line. Transfer device. 제59항에 있어서, 물 세척에 이어서 흐름 차단 라인을 건조시키는 건조 수단을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 이송 장치.60. The transport apparatus of claim 59, further comprising drying means for drying the flow interruption line following water washing. 제60항에 있어서, 상기 건조 수단은 건조 가스 공급원과, 이 건조 가스 공급원에 입구 라인 각각을 상호 연결하는 건조 가스 라인, 그리고 건조 가스 라인 내에 설치되어 이것을 통과하는 건조 가스를 선택적으로 유동시키거나 그 유동을 방지하는 밸브를 포함하며, 상기 밸브는 사이클 타이머 제어 수단과 제어 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 이송 장치.61. The method according to claim 60, wherein said drying means selectively flows or provides a dry gas source, a dry gas line interconnecting each inlet line to said dry gas source, and a dry gas installed in and passing through the dry gas line. A valve for preventing flow, said valve being controllably coupled with a cycle timer control means. 제59항에 있어서, 건조를 향상시키도록 흐름 차단 라인을 가열하는 가열 수단을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 이송 장치.60. The transport apparatus of claim 59, further comprising heating means for heating the flow interruption line to enhance drying. 제62항에 있어서, 상기 가열 수단은 열 저항 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 이송 장치.63. The transport apparatus of claim 62, wherein the heating means comprises a heat resistant element. 제59항에 있어서, 상기 각각의 밸브는 공압 밸브인 것을 특징으로 하는 이송 장치.60. The transport apparatus of claim 59, wherein each valve is a pneumatic valve. 제59항에 있어서, 흐름 차단 입구 라인을 통과하여 유동한 후 압력수 공급원으로부터 물이 하류 처리 유닛으로 방출되는 것을 특징으로 하는 이송 장치.60. The transport apparatus of claim 59, wherein water flows through the flow blocking inlet line and then discharges water from the pressure water source to the downstream treatment unit. 제59항에 있어서, 상기 상류 공급원은 반도체 제조 공구인 것을 특징으로 하는 이송 장치.60. The transfer apparatus of claim 59, wherein the upstream source is a semiconductor manufacturing tool. 제59항에 있어서, 상기 하류 처리 유닛은 물 정화 처리 유닛은 것을 특징으로 하는 이송 장치.60. The transport apparatus of claim 59, wherein the downstream treatment unit is a water purification treatment unit. 제59항에 있어서, 상기 사이클 타이머 제어 수단은 밸브의 위치를 결정하는 하나 이상의 제한 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 이송 장치.60. The transport apparatus of claim 59, wherein the cycle timer control means comprises one or more limit switches for determining the position of the valve. 제59항에 있어서, 상기 사이클 타이머 제어 수단은 제1 및 제2 입구 라인이 동시에 폐쇄되는 것을 방지하도록 작동하는 것을 특징으로 하는 이송 장치.60. A transport apparatus according to claim 59, wherein said cycle timer control means operates to prevent the first and second inlet lines from closing at the same time. 제59항에 있어서, 상기 사이클 타이머 제어 수단은 압력수가 처리 기류를 유동시키는 흐름 접속 라인으로 유동하는 것을 방지하도록 작동하는 것을 특징으로 하는 이송 장치.60. A transport apparatus according to claim 59, wherein said cycle timer control means is operable to prevent pressure water from flowing into the flow connection line through which the treatment airflow is flowed. 상류 공급원으로부터 가스가 유동 가능한 2개의 입구 라인을 포함하는 매니폴드를 통과하여 하류 처리 유닛으로 가스를 유동시키는 방법에 있어서,A method of flowing gas from an upstream source through a manifold comprising two inlet lines through which gas can flow, to a downstream processing unit; (a) 흐름 접속 입구 라인이 되는 입구 라인을 통과하여 가스를 유동시키면서, 다른 입구 라인은 상류 공급원으로부터 하류 처리 유닛으로 가스를 유동시키도록 격리되는 단계와,(a) flowing the gas through an inlet line, which becomes a flow connection inlet line, while the other inlet line is isolated to flow the gas from an upstream source to a downstream processing unit; (b) 격리된 입구 라인의 내표면으로부터 입상 고체와, 물에 용해 가능한 고체 등을 제거하는 압력수를 격립된 입구 라인에서 분출시키는 단계와,(b) ejecting granular solids and pressure water from the inner surface of the isolated inlet line in a separate inlet line to remove solids, such as water soluble solids, and the like; (c) 격리된 입구 라인을 통과하는 압력수의 유동을 중단하는 단계와,(c) stopping the flow of pressure water through the isolated inlet line, (d) 선택적으로, 상기 격리된 입구 라인의 내표면을 건조시키기 위하여 상기 격리된 입구 라인을 통해 압축 건조 기체를 유동시키는 단계와,(d) optionally, flowing compressed dry gas through the isolated inlet line to dry the inner surface of the isolated inlet line, (e) 상기 격리된 입구 라인을 통한 압축 건조 기체의 유동을 단속하는 단계와,(e) regulating the flow of compressed dry gas through the isolated inlet line, (f) 흐름 접속 입구 라인을 구성하도록 상기 격리된 입구 라인을 격리 분리시키는 단계와,(f) isolating said isolated inlet line to constitute a flow connection inlet line; (g) 흐름 접속 입구 라인을 통한 기체의 유동을 단속하고, 격리된 흐름 차단 입구 라인을 구성하도록 상기 흐름 접속 입구 라인을 격리하는 단계와,(g) intercepting the flow of gas through the flow connection inlet line and isolating the flow connection inlet line to form an isolated flow blockage inlet line; (h) 상기 기체를 상류 공급원으로부터 격리 분리된 흐름 접속 입구 라인을 통해 하류 처리 유닛으로 재유동시키는 단계를 포함하며,(h) reflowing the gas to a downstream processing unit through a flow connection inlet line that is isolated from an upstream source, 주기적으로, 번갈아가면서 그리고 반복적으로 (a) 내지 (h) 단계를 수행하여, 상류 공급원으로부터 하류 처리 유닛으로의 기체 유동 중에, 입구 라인들 중 하나에는 이를 통해 유동된 상류 공급원으로부터의 기체가 있고, 다른 라인은 흐름 차단 상태이며, 고압수 분출 및 건조가 선택적으로 진행되는 것을 특징으로 하는 방법.Periodically, alternately and repeatedly performing steps (a) to (h), during gas flow from the upstream source to the downstream processing unit, one of the inlet lines contains gas from the upstream source flowed through it, The other line is in a flow interruption state and is characterized in that the high pressure water jet and drying are optionally carried out. 제71항에 있어서, 상기 고압수 분출에 이어서 흐름 차단 라인을 통과하여 가압 건조 가스를 유동시키는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.72. The method of claim 71, further comprising flowing the pressurized dry gas through the flow shutoff line following the high pressure water jet. 제71항에 있어서, 상기 흐름 차단 라인이 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.72. The method of claim 71, wherein the flow blocking line is heated. 제71항에 있어서, 상기 상류 공급원은 반도체 제조 공구인 것을 특징으로 하는 장치.72. The apparatus of claim 71, wherein the upstream source is a semiconductor manufacturing tool. 제71항에 있어서, 상기 가스는 반도체 제조 유출 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.72. The method of claim 71, wherein the gas comprises a semiconductor fabrication effluent gas. 제71항에 있어서, 상기 하류 처리는 가스의 물 정화를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.72. The method of claim 71, wherein the downstream treatment comprises water purification of the gas. 제71항에 있어서, 상기 매니폴드는 상류 공급원으로부터 하류 처리 유닛으로의 가스의 유동을 유지하도록 단계(a) 내지 단계(h)를 제어하는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.72. The method of claim 71, wherein the manifold further comprises controlling steps (a) through (h) to maintain the flow of gas from the upstream source to the downstream processing unit. 제71항에 있어서, 압력수에 의한 흐름 접속 라인의 분출을 방지하도록 단계 (a) 내지 단계(h)를 제어하는 단계와, 동시에 상류 공급원으로부터 하류 처리 유닛으로의 가스의 유동을 차단하며 각각의 입구 라인을 격리시키는 것을 방지하도록 단계(a) 내지 단계(h)를 제어하는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.72. The method of claim 71, further comprising controlling steps (a) to (h) to prevent ejection of the flow connection line by pressure water, simultaneously blocking the flow of gas from the upstream source to the downstream processing unit and Controlling the steps (a) to (h) to prevent isolation of the inlet line.
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