JPH1161412A - Industrial pretreatment apparatus - Google Patents
Industrial pretreatment apparatusInfo
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- JPH1161412A JPH1161412A JP22936197A JP22936197A JPH1161412A JP H1161412 A JPH1161412 A JP H1161412A JP 22936197 A JP22936197 A JP 22936197A JP 22936197 A JP22936197 A JP 22936197A JP H1161412 A JPH1161412 A JP H1161412A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、除去されるべき成
分を含有する被除害ガスをスクラバによって処理し、こ
の処理後の被除去成分含有ガスを更に熱分解処理し、こ
の熱分解処理後のガスを排出するように構成した除害装
置において、例えば、プラズマCVD設備における排気
ガス処理を行う除害装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a scrubber for treating a gas to be removed containing a component to be removed, further pyrolyzing the gas containing the component to be removed after the treatment, For example, the present invention relates to an abatement apparatus configured to discharge gas of the type described above, for example, an abatement apparatus that performs an exhaust gas treatment in a plasma CVD facility.
【0002】[0002]
【従来の技術とその問題点】従来、ウエハ上への薄膜の
形成は、減圧下で反応性ガスのプラズマ放電分解によっ
て薄膜を形成するプラズマCVD装置が用いられている
が、この装置に使用される反応性ガスの成分によって各
種の反応生成物が生成される。2. Description of the Related Art Conventionally, for forming a thin film on a wafer, a plasma CVD apparatus for forming a thin film by plasma discharge decomposition of a reactive gas under reduced pressure has been used. Various reaction products are generated depending on the components of the reactive gas.
【0003】このようなプラズマCVD装置における排
出ガス中の被除害ガスの処理方法としては、処理ガス
(SiH4 、NH3 、O2 、C2 F6 )を除害スクラバ
と熱酸化分解する反応器により除去処理が行われている
が、配管内壁に除去できずに残った反応生成物が付着し
て蓄積し、差圧計ノズル取付け部の静圧や差圧計に変動
が生じ易い。[0003] As a method of treating a gas to be removed in exhaust gas in such a plasma CVD apparatus, a processing gas (SiH 4 , NH 3 , O 2 , C 2 F 6 ) is thermally oxidized and decomposed with a scrubber. Although the removal process is performed by the reactor, the reaction product that cannot be removed and remains on the inner wall of the pipe adheres and accumulates, and the static pressure and the differential pressure gauge at the differential pressure gauge nozzle mounting portion are likely to fluctuate.
【0004】図3は、プラズマCVD装置からの排出ガ
ス中に含まれている被除害ガスの除去処理装置(以下、
処理装置と称することがある。)を示す概略図である。FIG. 3 shows an apparatus for removing a harmful gas contained in an exhaust gas from a plasma CVD apparatus (hereinafter, referred to as an apparatus).
It may be called a processing device. FIG.
【0005】図示の如く、複数のプラズマCVD装置か
ら排出される排出ガスGは、例えば配管2a、2b、2
cを経由して集合管3に集められ、導入管4でタンク5
に導かれ、更に導出管6を経て排出口19から排出され
るまでの間に、排出ガスGに含まれる有害物質を除去す
るための各種の処理が行われる。As shown in FIG. 1, exhaust gas G discharged from a plurality of plasma CVD apparatuses is, for example, pipes 2a, 2b, 2
c, is collected in the collecting pipe 3,
And various processes for removing harmful substances contained in the exhaust gas G are performed until the exhaust gas G is discharged from the outlet 19 through the outlet pipe 6.
【0006】この装置では、集合管3から導入管4を通
りタンク5に導入されるガスGは、導入管4の内部に設
けられ、スクラバ12を構成しているシャワー8から噴
霧する純水で洗浄されて一部の有害物質が固形化、また
は水に溶けてタンク5内へ落ちる。そして、複数のプラ
ズマCVD装置から集合管3に集められ、排出口19か
ら排出されるまでの間、処理装置21内を通過するガス
Gの流量を調節するためのバルブ10が導入管4に設け
られ、導出管6にバルブ17が設けられている。そし
て、導入管4側のバルブ10の近傍上流には差圧計11
の先端がフラットなノズル11aが導入管4内に位置し
て取り付けられ、常にガスの流量を検知し、バルブによ
ってガスの流量を制御している。In this apparatus, the gas G introduced from the collecting pipe 3 into the tank 5 through the introducing pipe 4 is pure water sprayed from a shower 8 provided inside the introducing pipe 4 and constituting the scrubber 12. After being washed, some harmful substances are solidified or dissolved in water and fall into the tank 5. A valve 10 for adjusting the flow rate of the gas G passing through the inside of the processing apparatus 21 is provided in the inlet pipe 4 until the gas is collected from the plurality of plasma CVD apparatuses into the collecting pipe 3 and discharged from the discharge port 19. The outlet pipe 6 is provided with a valve 17. The differential pressure gauge 11 is located upstream of the valve 10 on the introduction pipe 4 side.
A nozzle 11a having a flat tip is positioned and installed in the introduction pipe 4, and constantly detects the gas flow rate, and controls the gas flow rate by a valve.
【0007】このシャワー8による洗浄によって排出ガ
スGに含有されているガス状の有害成分が水に溶けたり
固形化して除去され、タンク5内に落ちて溜まるが、除
去されなかった成分はガス状のままタンク5内の上部を
通って排出口19の方へ流れ始める。しかし、除去され
なかった有害成分を含むガスGは、熱処理部15におい
てヒーター14により加熱されて熱分解され、熱分解後
の成分は一部は固形物となってタンク5内の洗浄液内に
落ち、更に一部はガス状のまま排出口19へ向かう。従
って、導出管6内に設けられたスクラバ18を構成する
シャワー16によって再度洗浄して有害物質が除去さ
れ、有害成分を含まないガスとしてファン7によって排
出口19から排出される。By the washing with the shower 8, gaseous harmful components contained in the exhaust gas G are dissolved or solidified in water and removed, and fall and accumulate in the tank 5, but the components not removed are gaseous. It starts to flow toward the outlet 19 through the upper part in the tank 5 as it is. However, the gas G containing the harmful components that have not been removed is heated by the heater 14 in the heat treatment unit 15 and thermally decomposed, and some of the components after the pyrolysis fall into the cleaning liquid in the tank 5 as solids. Further, a part of the gas goes to the discharge port 19 in a gaseous state. Therefore, the harmful substances are removed again by the shower 16 constituting the scrubber 18 provided in the outlet pipe 6 to remove the harmful substances, and the harmful substances are discharged from the discharge port 19 by the fan 7 as a gas containing no harmful components.
【0008】タンク5は仕切り板5aによって2槽に分
離され、導入管4側の槽には、主としてシャワー8によ
る第1次の洗浄により除去された物質が溜まり、導出管
6側の槽には、主としてシャワー16による第2次の洗
浄により除去された物質が溜められ、タンク5内の洗浄
水は純水に変えて循環させ、再度シャワーによる洗浄用
に利用される。The tank 5 is separated into two tanks by a partition plate 5a, and the tank on the introduction pipe 4 side mainly stores the substance removed by the first washing by the shower 8, and the tank on the outlet pipe 6 side. The substance mainly removed by the secondary cleaning by the shower 16 is stored, and the cleaning water in the tank 5 is changed to pure water and circulated, and is again used for cleaning by the shower.
【0009】しかしながら、図3に示す如く、シャワー
8の設置部より上流の導入管4の内壁4a及び集合管3
の内壁3aにSiH4 やNH3 等の反応生成物13が付
着して堆積し、差圧計11による測定圧の変動が生じ、
また図4に示すように、先端が導入管4の内壁4a面に
位置している差圧計11のノズル11aの開口部を塞ぐ
ようになり易い。このため、差圧計が十分に作動しなく
なる。このためバルブ10、17が作動しなくなり、流
量が調節されないままの高圧力のガスGが流れ込み、シ
ャワー8、16による有害物質の除去効率が低下する。However, as shown in FIG. 3, the inner wall 4a of the introduction pipe 4 and the collecting pipe 3 upstream of the installation portion of the shower 8 are provided.
Reaction products 13 such as SiH 4 and NH 3 adhere to and accumulate on the inner wall 3a of the, and the pressure measured by the differential pressure gauge 11 fluctuates.
Further, as shown in FIG. 4, the tip tends to close the opening of the nozzle 11 a of the differential pressure gauge 11 located on the inner wall 4 a surface of the introduction pipe 4. For this reason, the differential pressure gauge does not operate sufficiently. For this reason, the valves 10 and 17 do not operate, the high-pressure gas G flows without adjusting the flow rate, and the efficiency of removing harmful substances by the showers 8 and 16 decreases.
【0010】このような状態が発生すると、処理装置の
排気ガス処理能力が低下すると共に処理装置の運転は自
動的に停止するため、生産設備(プラズマCVD装置)
の運転停止を余儀なくされ、処理装置を点検整備し、正
常な稼働に復帰するまでの生産ロスが生じ、生産効率を
低下させる。[0010] When such a state occurs, the exhaust gas processing capability of the processing apparatus is reduced and the operation of the processing apparatus is automatically stopped.
Operation is forced to stop, the processing equipment is inspected and maintained, and a production loss occurs before returning to normal operation, thereby reducing production efficiency.
【0011】上記の如く、こような処理装置は1基で複
数のプラズマCVD装置に連結されているため、1台の
装置が停止することにより、連結されている複数のプラ
ズマCVD装置の運転を停止しなければならず、更に、
このようにして生成される生成物に起爆性の物質を含む
場合もあり、配管等のつまりが原因でガス爆発の危険性
さえある。As described above, since one such processing apparatus is connected to a plurality of plasma CVD apparatuses, the operation of the plurality of connected plasma CVD apparatuses is stopped when one apparatus stops. Must stop, and
Products produced in this way may contain explosive substances, and there is even a danger of gas explosion due to clogging of piping and the like.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたものであって、配管内壁への反応生成
物の付着を防止すると共に、排気ガス中の有害物質の除
去効率を高め、設備の稼働率を高めることのできる除害
装置を提供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has been made to prevent the reaction products from adhering to the inner wall of a pipe and to improve the efficiency of removing harmful substances in exhaust gas. It is an object of the present invention to provide an abatement apparatus capable of increasing the operating rate of equipment.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、除去さ
れるべき成分を含有する被除害ガスをスクラバによって
処理し、この処理後の被除去成分含有ガスを更に熱分解
処理し、この熱分解処理後のガスを排出するように構成
した除害装置において、前記被除害ガスを前記スクラバ
へ導くための配管の内壁に付着した堆積物を洗浄すべ
く、前記スクラバの前位に第2の洗浄手段が付加されて
いることを特徴とする除害装置に係るものである。That is, according to the present invention, a gas to be removed containing a component to be removed is treated by a scrubber, and the gas containing the component to be removed after the treatment is further subjected to a thermal decomposition treatment. In the abatement apparatus configured to discharge the gas after the thermal decomposition treatment, in order to clean deposits adhered to an inner wall of a pipe for leading the abatement gas to the scrubber, a scrubber is disposed in front of the scrubber. The present invention relates to an abatement apparatus characterized by the addition of a second cleaning means.
【0014】本発明によれば、洗浄手段の前位に更に第
2の洗浄手段が付加されているため、配管内壁を広範囲
に亘って洗浄して堆積物の付着を防止し、しかも2段階
に配置された洗浄手段によって排出ガス中の有害物質を
効率よく除去することができる。According to the present invention, since the second cleaning means is further added in front of the cleaning means, the inner wall of the pipe is cleaned over a wide area to prevent deposition of deposits, and furthermore, in two steps. Harmful substances in the exhaust gas can be efficiently removed by the disposed cleaning means.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】本発明の除害装置においては、前
記スクラバがシャワーノズル構造に構成され、前記洗浄
手段が新鮮な洗浄液を供給するシャワーノズル構造に形
成することが望ましい。In the abatement apparatus according to the present invention, it is preferable that the scrubber has a shower nozzle structure, and the cleaning means has a shower nozzle structure for supplying a fresh cleaning liquid.
【0016】この場合、前記シャワーノズル構造が、下
向きのノズル孔を有していることが望ましい。In this case, it is preferable that the shower nozzle structure has a downward nozzle hole.
【0017】また、前記スクラバと前記洗浄手段との間
に差圧計が設けられ、この差圧計が、下向きのノズル孔
を有するノズル部が前記配管内に突設したノズル構造か
らなっていることが望ましい。Further, a differential pressure gauge is provided between the scrubber and the cleaning means, and the differential pressure gauge has a nozzle structure in which a nozzle portion having a downward nozzle hole protrudes into the pipe. desirable.
【0018】更に、前記差圧計と前記スクラバとの間の
配管内に流量測定バルブが設けられていることが望まし
い。Further, it is preferable that a flow rate measuring valve is provided in a pipe between the differential pressure gauge and the scrubber.
【0019】また、上記の除害装置においては、洗浄液
に代わる洗浄媒体としてチッ素(N2 )などの不活性ガ
スを用いてもよい。In the above detoxification apparatus, an inert gas such as nitrogen (N 2 ) may be used as a cleaning medium instead of the cleaning liquid.
【0020】以下、本発明の好ましい実施の形態を説明
する。この実施形態においては、上述した図3及び図4
と共通する部位には共通の符号を用いる。Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. In this embodiment, FIG. 3 and FIG.
The same reference numerals are used for the parts in common with.
【0021】図1は、除害装置の実施形態を示す概略図
である。図示の如く、基本的な構成は上述した図3と同
様であるが、従来例と異なる点は集合管3内にシャワー
9が付加され、差圧計のノズル11が導入管4内に突設
されていることである。FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of the abatement apparatus. As shown in the drawing, the basic configuration is the same as that of FIG. 3 described above, except that a shower 9 is added in the collecting pipe 3 and a nozzle 11 of the differential pressure gauge is protrudingly provided in the introducing pipe 4. That is.
【0022】本実施形態の装置においても、上述した図
3の場合と同様に、複数のプラズマCVD装置に連結さ
れ、それぞれのプラズマCVD装置から排出される排出
ガスGが配管2a、2b、2cを経由して集合管3に集
められる。そして、導入管4、タンク5、導出管6を経
て排出口19から排出される間に排出ガスG中に含まれ
る有害物質除去のための各種の処理がなされる。Also in the apparatus of this embodiment, similarly to the case of FIG. 3 described above, the exhaust gas G connected to a plurality of plasma CVD apparatuses and discharged from each of the plasma CVD apparatuses passes through the pipes 2a, 2b, 2c. Via the collecting pipe 3. Then, various kinds of processing for removing harmful substances contained in the exhaust gas G are performed while being discharged from the discharge port 19 through the introduction pipe 4, the tank 5, and the discharge pipe 6.
【0023】本実施形態の装置は、導入管4の入口上部
に位置して集合管3内にもシャワー9が第2の洗浄手段
として設けられているので、集合管3からタンク5側へ
導入されるガスGはこのシャワー9と本来設置されてい
るシャワー8とによって洗浄される。しかも、シャワー
9には新水が供給されて導入管4の入口でガスGを洗浄
し、更にシャワー8による洗浄と合わせて、導入管4の
全ての内壁4aが洗浄対象領域となる。In the apparatus of the present embodiment, since the shower 9 is provided as a second cleaning means in the collecting pipe 3 at the upper portion of the inlet of the introducing pipe 4, the liquid is introduced from the collecting pipe 3 to the tank 5 side. The gas G is washed by the shower 9 and the originally installed shower 8. Moreover, fresh water is supplied to the shower 9 to clean the gas G at the inlet of the introduction pipe 4, and together with the cleaning by the shower 8, all the inner walls 4 a of the introduction pipe 4 become the cleaning target area.
【0024】この洗浄によって導入管内壁4aに反応生
成物が付着することがないため、差圧計が正常に作動し
てガスGの流量を検知し、この検知結果に基づいて、バ
ルブ10、17が作動して集合管3から導入するガスG
の流量を制御することによりシャワー8、9による洗浄
効率を高める。しかも、図2に示す如く、差圧計11の
ノズル11aが導入管4の内壁から突設され、ノズル孔
が下向きになっているので、洗浄水及び除去された堆積
物が侵入することがない。Since the reaction product does not adhere to the inner wall 4a of the introduction pipe due to this washing, the differential pressure gauge operates normally to detect the flow rate of the gas G, and based on the detection result, the valves 10, 17 are operated. The gas G that operates and is introduced from the collecting pipe 3
By controlling the flow rate, the cleaning efficiency by the showers 8 and 9 is increased. Moreover, as shown in FIG. 2, the nozzle 11a of the differential pressure gauge 11 is protruded from the inner wall of the introduction pipe 4, and the nozzle hole is directed downward, so that the cleaning water and the removed deposits do not enter.
【0025】これらのシャワー8、9による2段階の洗
浄によって、プラズマCVD装置から排出されて来たガ
スGに含有されている有害成分は、従来例に比べて更に
高効率で除去されて水に溶け、又は固形物化してタンク
5内に落ちる。By the two-stage cleaning by the showers 8 and 9, the harmful components contained in the gas G discharged from the plasma CVD apparatus are removed with higher efficiency than in the conventional example, and the water G is removed. It melts or solidifies and falls into the tank 5.
【0026】しかし、上記の如く、導入管4における2
段階のシャワー洗浄によっても除去されずにガスG内に
残った有害物質は、熱処理部15における加熱により熱
分解され固形物化してタンク5の中に溜まるが、除去残
りの有害物質は更に導出管6内のシャワー16により洗
浄され、有害物質が完全に除去されたクリーンガスとな
って排出される。However, as described above, 2
The harmful substances remaining in the gas G without being removed even by the shower cleaning at the stage are thermally decomposed by heating in the heat treatment section 15 to be solidified and accumulated in the tank 5, but the remaining harmful substances are further removed from the discharge pipe. The gas is cleaned by the shower 16 in the chamber 6 and discharged as a clean gas from which harmful substances are completely removed.
【0027】上述したように、導入管4の領域において
2段階に配置されたシャワーで洗浄するため、導入管4
の内壁4aへの反応生成物の付着は防止されるものの、
図1に示す如く、集合管3の内壁3aにおいてシャワー
9の作用が及ばない部分には若干の付着物13が生じる
が、定期的な設備のメンテナンスにより除去できるため
生産効率には支障とならない。なお、設備のメンテナン
スの所要時間が、従来の週1回のメンテナンスによる月
間合計36時間から、月2回のメンテナンスにより月間
合計12時間に短縮することができた。As described above, in order to perform washing with the shower arranged in two stages in the area of the introduction pipe 4, the introduction pipe 4
Although the reaction product is prevented from adhering to the inner wall 4a,
As shown in FIG. 1, a small amount of deposit 13 is formed on a portion of the inner wall 3 a of the collecting pipe 3 where the action of the shower 9 does not reach, but this can be removed by regular maintenance of the facility, so that it does not hinder production efficiency. The time required for maintenance of the equipment was reduced from a total of 36 hours per month by conventional once-weekly maintenance to a total of 12 hours per month by twice-monthly maintenance.
【0028】本実施形態によれば、既設位置のシャワー
8のほかに導入管4の入口上方に新設のシャワー9を付
加し、しかもシャワー9には純水に代え新水を用いる洗
浄により、導入管の内壁4aへの生成物の付着を十分に
防止できると共に、導入管4における洗浄効率を高める
ことができる。According to the present embodiment, a new shower 9 is added above the inlet of the introduction pipe 4 in addition to the shower 8 at the existing position, and the shower 9 is introduced by washing using fresh water instead of pure water. The product can be sufficiently prevented from adhering to the inner wall 4a of the tube, and the washing efficiency of the inlet tube 4 can be increased.
【0029】また、ガス中の有害物質の配管内への付着
を生じさせないため、生成物の化学反応等による爆発の
危険性が排除され安全性を向上させることができる。Further, since harmful substances in the gas do not adhere to the inside of the pipe, the danger of explosion due to a chemical reaction of the product is eliminated and safety can be improved.
【0030】また、メンテナンスの所要時間が短縮され
るため、設備の稼働率が高められて生産性を向上させる
ことができる。Further, since the time required for maintenance is shortened, the operation rate of the equipment is increased, and the productivity can be improved.
【0031】[0031]
【発明の効果】上述した如く、本発明は、被除害ガスを
スクラバへ導くための配管の内壁に付着した堆積物を洗
浄すべく、スクラバの前位に第2の洗浄手段が付加され
ているので、配管内壁の広範囲域を洗浄することにより
この領域の配管内壁への堆積物の付着を防止することが
できると共に、2段階方式の如き洗浄手段によって被除
害ガス中の被除去成分を高効率に除去することができ
る。そしてこれをプラズマCVD装置の排出ガスの処理
装置に適用すれば、排出ガス中の有害物質が効率的に除
去されると共に設備の稼働率を高めて生産性を向上させ
ることができる。As described above, according to the present invention, the second scrubber is provided in front of the scrubber in order to clean the deposits adhering to the inner wall of the pipe for introducing the gas to be scrubbed to the scrubber. Therefore, it is possible to prevent deposits from adhering to the inner wall of the pipe by cleaning a wide area of the inner wall of the pipe, and to remove the components to be removed from the harmful gas by a cleaning means such as a two-stage method. It can be removed with high efficiency. If this is applied to an exhaust gas processing apparatus of a plasma CVD apparatus, harmful substances in the exhaust gas can be efficiently removed, and the operation rate of the equipment can be increased to improve productivity.
【図1】本発明の実施例による除害装置の概略図であ
る。FIG. 1 is a schematic view of an abatement apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】同、除害装置の差圧計ノズル取付け部の拡大概
略断面図である。FIG. 2 is an enlarged schematic sectional view of a differential pressure gauge nozzle mounting portion of the abatement apparatus.
【図3】従来例による除害装置の概略図である。FIG. 3 is a schematic view of a conventional abatement apparatus.
【図4】同、除害装置の差圧計ノズル取付け部の拡大概
略断面図である。FIG. 4 is an enlarged schematic sectional view of a differential pressure gauge nozzle mounting portion of the abatement apparatus.
1…除害装置、2a、2b、2c…配管、3…集合管、
3a、4a…内壁、4…導入管、5…タンク、5a…仕
切り板、6…導出管、7…ファン、8、9、16…シャ
ワー、10、17…バルブ、11…差圧計、11a…ノ
ズル、12、18…スクラバ、13…付着物、14…ヒ
ーター、15…熱処理部、19…排出口、G…排出ガス1 ... abatement equipment, 2a, 2b, 2c ... piping, 3 ... collecting pipe,
3a, 4a ... inner wall, 4 ... introduction pipe, 5 ... tank, 5a ... partition plate, 6 ... outlet pipe, 7 ... fan, 8, 9, 16 ... shower, 10, 17 ... valve, 11 ... differential pressure gauge, 11a ... Nozzles, 12, 18 ... Scrubbers, 13 ... Deposits, 14 ... Heaters, 15 ... Heat treatment units, 19 ... Outlets, G ... Exhaust gas
Claims (6)
スをスクラバによって処理し、この処理後の被除去成分
含有ガスを更に熱分解処理し、この熱分解処理後のガス
を排出するように構成した除害装置において、前記被除
害ガスを前記スクラバへ導くための配管の内壁に付着し
た堆積物を洗浄すべく、前記スクラバの前位に第2の洗
浄手段が付加されていることを特徴とする除害装置。An abatement gas containing a component to be removed is treated by a scrubber, a gas containing the component to be removed after the treatment is further subjected to a thermal decomposition treatment, and the gas after the thermal decomposition treatment is discharged. In the abatement apparatus configured as described above, a second cleaning means is added in front of the scrubber in order to clean deposits adhered to an inner wall of a pipe for guiding the abatement gas to the scrubber. Abatement device characterized by the above-mentioned.
成され、前記第2の洗浄手段が新鮮な洗浄液を供給する
シャワーノズル構造に形成されている、請求項1に記載
した除害装置。2. The abatement apparatus according to claim 1, wherein the scrubber has a shower nozzle structure, and the second cleaning means has a shower nozzle structure for supplying a fresh cleaning liquid.
ズル孔を有している、請求項2に記載した除害装置。3. The abatement device according to claim 2, wherein the shower nozzle structure has a downward nozzle hole.
間に差圧計が設けられている、請求項1に記載した除害
装置。4. The abatement apparatus according to claim 1, wherein a differential pressure gauge is provided between the scrubber and the second cleaning means.
るノズル部が前記配管内に突設したノズル構造からなっ
ている、請求項4に記載した除害装置。5. The abatement apparatus according to claim 4, wherein the differential pressure gauge has a nozzle structure in which a nozzle portion having a downward nozzle hole protrudes into the pipe.
内に流量調節バルブが設けられている、請求項4に記載
した除害装置。6. The abatement apparatus according to claim 4, wherein a flow control valve is provided in a pipe between the differential pressure gauge and the scrubber.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22936197A JPH1161412A (en) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | Industrial pretreatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22936197A JPH1161412A (en) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | Industrial pretreatment apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1161412A true JPH1161412A (en) | 1999-03-05 |
Family
ID=16890972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22936197A Pending JPH1161412A (en) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | Industrial pretreatment apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1161412A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100750406B1 (en) | 2006-02-06 | 2007-08-17 | 크린시스템스코리아(주) | Powder removing device of scrubber for processing semiconductor by-product gas |
-
1997
- 1997-08-26 JP JP22936197A patent/JPH1161412A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100750406B1 (en) | 2006-02-06 | 2007-08-17 | 크린시스템스코리아(주) | Powder removing device of scrubber for processing semiconductor by-product gas |
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