KR100299877B1 - 콤팩션방법,콤팩션장치및배선방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 2차원 콤팩션이면서, 배선의 최적성을 손상시키지 않고, 보다 고밀도의 콤팩션 결과 또는 배선 결과를 얻는 것을 목적으로 하는 콤팩션 방법, 콤팩션 장치, 배선 방법, 배선 장치, 개략 배선 방법 및 개략 배선 장치에 관한 것이다.

배선의 접속점으로 되는 단자를 갖는 트랜지스터 등의 부품을 블록(1A, 1B)에 의해 추상화하고, 블록을 배치하는 배치 영역으로 블록을 세로로 관통하는 스핏(4A, 4B)을 도입한다. 스핏(4A, 4B) 상에 배선을 부설해야할 배선 접속점(5A, 5B)을 설정한다. 블록(1A) 상의 배선 접속점으로 되는 단자(2A), 배선 접속점(5A, 5B)을 네트 타겟으로서 설정하고, 이들의 접속 정보를 작성한다. 배선 영역의 좌단으로부터 우단을 향하여 주사하는 주사선(6) 및 네트 타겟(2A) 등을 추적하기 위한 프론트(7)를 도입한다. 주사선(6)을 우측 방향으로 주사시키면서, 프론트(7)를 네트 타겟(2A)으로부터 네트 타겟(5A) 위치로 이동시킨다. 프론트(7)의 궤적은 배선 요소(3a)로서 부설된다.

Description

콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법

제1도는 본 발명에 의한 콤팩션 결과와 종래의 방법에 의한 콤팩션 결과를 비교한 도면으로서,

제1(a)도는 콤팩션 처리전의 도면.

제1(b)도는 종래의 콤팩션 방법에 의한 전형적인 셀 레이아웃도.

제1(c)도는 본 발명에 의한 콤팩션 방법에 의한 셀 레이아웃도.

제2도는 본 발명의 제1, 제2 실시예에 의한 스캔라인과 프론트를 이용한 콤팩션 방법 및 배선방법의 개요를 도시한 것으로서,

제2(a)도는 프론트의 생성을 도시한 도면.

제2(b)도는 프론트가 스캔라인 상을 이동하는 도면.

제2(c)도는 블록을 콤팩션하는 도면.

제2(d)도는 포괄선을 갱신하는 도면.

제2(e)도는 프론트가 이동함에 따라 배선이 부설되는 것을 도시한 도면.

제3도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 장치를 중심으로 한 LSI 설계 장치를 도시한 블록도.

제4(a)도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 또는 제5 실시예에 의한 개략 배선방법의 입력으로 되는 레이아웃도.

제4(b)도는 제4(a)도에 도시한 레이아웃도를 추상화한 도면.

제5도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 및 배선방법에서의 추상화 공정의 구역 표현을 도시한 도면.

제6도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 및 배선방법에서의 추상화 공정의 상하 제약 그래프를 도시한 도면.

제7도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 또는 제5 실시예에 의한 개략 배선방법에서의 추상화 공정의 가상선(=스핏)을 도시한 도면.

제8도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 또는 제5 실시예에 의한 개략 배선방법에서의 추상화 공정의 네트 타겟을 도시한 도면.

제9도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 또는 제5 실시예에 의한 개략 배선방법에서의 스캔라인을 도시한 도면.

제10도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 또는 배선방법에서의 스캐닝 포인트 리스트를 도시한 도면.

제11도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법의 플로우챠트.

제12도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법의 초기화 처리의 플로우챠트.

제13도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 또는 배선방법에서의 배치영역의 주변부를 포함한 제약 그래프를 도시하며,

제13(a)도는 트랜지스터 및 트랜지스터의 배치영역을 도시한 도면.

제13(b)도는 상하 제약 그래프를 도시한 도면.

제13(c)도는 좌우 제약 그래프를 도시한 도면.

제14도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 포는 배선방법에서의 수직방향의 배선요소를 생성하는 도면으로서,

제14(a)도는 배선 처리 전의 도면.

제14(b)도는 배선 처리 후의 도면.

제15도는 본 할명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 또는 배선방법에서의 프론트의 병합에 의한 수직방향의 배선요소를 생성하는 도면.

제16도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 및 배선방법에서의 수평방향의 배선요소를 생성하는 도면.

제17도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 또는 배선방법에서의 스캔라인 상에 네트 타겟을 지시하는 프론트가 존재하지 않는 경우의 수평방향의 배선요소를 생성하는 도면으로서,

제17(a)도는 배선 처리전의 도면.

제17(b)도는 배선 처리후의 도면.

제18도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 또는 배선방법콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 스캔라인 상의 단자에 스캔방향으로 연장되는 배선을 부설하는 경우의 수평방향의 배선요소를 생성하는 도면.

제19도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 또는 배선방법콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 스캔라인 상의 단자에 스캔방향에 대하여 수직으로 연장되는 배선을 부설하는 경우의 수직방향의 배선요소를 생성하는 도면으로서,

제19(a)도는 단자간의 접속을 도시한 도면.

제19(b)도는 단자간에 배선 접속점이 개재된 접속을 도시한 도면.

제20도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 또는 배선방법콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 스캔라인 상의 단자보다 앞의 스캔방향에 네트 타겟이 존재하는 경우의 수직방향의 배선요소를 생성하는 도면.

제21도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 망법 또는 배선방법콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 스캔라인 상의 단자보다 앞의 스캔방향에 네트 타겟이 존재하지 않는 경우의 수직방향의 배선요소를 생성하는 도면.

제22도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법 또는 배선방법콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 복수의 MOS 트랜지스터가 불순물 확산영역을 공유하여 이루어지는 요철이 있는 도형을 복수의 블록에 의해 추상화하여 콤팩션을 실현하는 도면으로서,

제22(a)도는 콤팩션 처리 전의 도면.

제22(b)도는 콤팩션 처리 후의 도면.

제23도는 본 발명의 제2 실시예에 의한 콤팩션 방법콤팩션 방법, 콤팩션장치 및 배선 방법에 있어서 확산섬 내부 레이아웃 생성수단의 입력 데이터를 도시한 도면.

제24도는 본 발명의 제2 실시예에 의한 콤팩션 방법의 플로우챠트.

제25도의 (a)∼(c)는 본 발명의 제2 실시예에 의한 콤팩션 방법에서의 확산섬 내부 레이아웃 생성방법을 도시한 도면.

제26도는 본 발명의 제2 실시예에 의한 콤팩션 방법의 도형 요소를 표형식으로 도시한 도면.

제27도는 본 발명의 제2 실시예에 의한 콤팩션 방법의 도형 요소와 디자인 룰의 관계를 도시한 도면.

제28도는 본 발명의 제2 실시예에 의한 콤팩션 방법의 배치금지 영역을 도시한 도면.

제29도는 본 발명의 제2 실시예에 의한 콤팩션 방법콤팩션 방법, 콤팩션장치 및 배선 방법에 있어서 굴곡 게이트의 생성 방법을 도시한 도면.

제30도는 본 발명의 제2 실시예에 의한 콤팩션 방법콤팩션 방법, 콤팩션장치 및 배선 방법에 있어서 확산영역의 최적화 방법을 도시한 도면.

제31도의 (a)∼(h)는 본 발명의 제2 실시예에 의한 콤팩션 방법콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 확산섬 내부 레이아웃 생성수단의 확산도형 생성방법을 도시한 도면.

제32도는 본 발명의 제3 실시예에 의한 콤팩션 방법콤팩션 방법, 콤팩션장치 및 배선 방법에 있어서 디자인 룰 에러 해소 방법을 공정순으로 도시한 도면.

제33(a)도 및 제33(b)도는 본 발명의 제3 실시예에 의한 콤팩션 방법에서의 디자인 룰 에러 해소 방법을 공정순으로 도시한 도면.

제34(a)도 및 제34(b)도는 본 발명의 제3 또는 제4 실시예에 의한 콤팩션 방법에서의 디자인 룰 에러 해소 방법을 공정순으로 도시한 도면.

제35(a)도 및 제35(b)도는 본 발명의 제3 실시예에 의한 콤팩션 방법에서의 디자인 룰 에러 해소 방법을 공정순으로 도시한 도면.

제36(a)도 및 제36(b)도는 본 발명의 제4 실시예에 의한 콤팩션 방법에서의 디자인 룰 에러 해소 방법을 공정순으로 도시한 도면.

제37(a)도 및 제37(b)도는 본 발명의 제4 실시예에 의한 콤팩션 방법에서의 디자인 룰 에러 해소 방법을 공정순으로 도시한 도면.

제38도는 본 발명의 제5 실시예에 의한 개략 배선방법을 도시한 플로우챠트.

제39도는 본 발명의 제5 실시예에 의한 개략 배선방법을 도시한 플로우챠트.

제40도는 본 발명의 제5 실시예에 의한 개략 배선방법콤팩션 방법, 콤팩션장치 및 배선 방법에 있어서 네트 타겟의 교체 조작 순서를 도시한 도면.

제41도는 본 발명의 제5 실시예에 의한 개략 배선방법에서의 레이어 변경점의 이동 조작 순서를 도시한 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1A, 1B, IC, ID, 33, 33a, 33b, 33c, 33d, 33e, 33f : 블록

2A, 34, T : 단자 3, 3a, 3b : 배선요소

4A, 4B : 스핏

5A, 5B, 62, 62D, 62E, 62F, 62G, N1, N2, N3, N4, N5, N6, N7, N8, N9,

N10 N11, N12 : 네트 타겟 6, 81 : 스캔라인

7, 82, fr, fr1, fr2, fr3 : 프론트 8, 84 : 포괄선

9, 83 : 배선금지 영역 11 : 심벌릭 레이아웃부

12 : 디자인 룰부 13 : 도형 데이터부

14 : 기억장치 15 : 콤팩션 장치

16 : 계산기 17 : 표시장치

31A, 31B, 31C, 31D : 트랜지스터 32 : 콘택트

33A, 33B : 트랜지스터를 나타내는 블록군

33C, 33D : 콘택트를 나타내는 블록 35 : 배선요소

36 : 배선 접속점 51 : 정점

52 : 가지 61, 61A, 6lB, 61C : 스핏

62A : 단자(네트 타겟) 62B : 배선 분지점(네트 타겟)

62C : 교점(네트 타겟) 63 : 수평구역의 경계

82A : 수평방향의 프론트 82B : 수직방향의 프론트

85 : 스캐닝 포인트 91, 92, 93 : MOS 트랜지스터

91a, 92a, 93a : 불순물 확산영역 91b, 72b, 93b : 게이트 전극

94 : 제1 MOS 트랜지스터 95 : 제2 MOS 트랜지스터

Sp, 112 : 소스 Dn, 113 : 드레인

Sn, Dp : 중앙 분리대 Ap, Bp, Cp : p형 트랜지스터

An, Bn, Cn : n형 트랜지스터

wjold, wjnew, wj0, wj1, wj2 : 배선 접속점

ws, ws1, ws2 : 배선요소

101 : 확산섬 102 : 상층 통과 배선

103 : 상층 통과 배선용 스페이스 104 : 확산영역

107 : 최소 스페이싱 108 : 최소 오버랩

109 : 디자인·룰 111 : 게이트(굴곡 게이트)

114 : 제1 확산영역 115 : 제2 확산영역

120 : 도형 요소 121 : 배치금지 영역

122 : 벽 130 : 직렬 저항

140 : 굴곡부 141 : 배치 가능 범위

150 : 트랜지스터 폭 151 : 게이트 길이

160 : 확산 콘택트 161 : 확산 좌단

162 : 확산 우단 163 : 게이트 좌단

164 : 게이트 우단

165 : 상층 통과 배선에 대응하는 블록

201 : 금속배선 202 : 폴리실리콘 배선

본 발명은 CMOS·LSI 등의 집적 회로에 이용되는 표준 셀 또는 데이터 패스·모듈용 셀 등의 LSI에 있어서의 리프 셀의 레이아웃 콤팩션 방법, 리프 셀의 레이아웃 콤팩션 장치 및 배선방법에 관한 것이다.

최근의 반도체 집적회로 제조 시스템의 자동화 기술의 진전은 시스템 설계자가 제조 주물을 자유롭게 선택할 수 있게 해 주었다. 즉 시스템 설계자나 설계 벤더는 공통의 설계 데이터를 기초로, 가장 저가로서 가장 고성능인 프로세스 기술을 제공하는 제조 주물을 선택할 수 있게 되었다. 이러한 경향에 따라, 각 회사의 프로세스 기술의 차가 그대로 LSI의 수주 경쟁으로 직결하게 되고, 개방된 입장에서의 프로세스 기술의 경쟁이 심화되는 양상을 나타내었다.

프로세스 기술 경쟁의 심화는, 즉 프로세스 기술 혁신을 가속화하고, 더욱 더 고성능 시스템 설계를 가까운 장래에 실용화될 프로세스 기술에 맞추어 개발하게 하는 현상을 일으키고 있다. 더욱이 딥 서브 미크론 시대를 맞아 디자인 룰은 점점 복잡화되고 있고, 5년전에는 룰 수가 30개 정도였던 것이 현재는 100개를 넘는 룰 수를 필요로 하고, 더구나 각각이 제조 가격이나 제품 수율에 영향을 미치므로 조기에 룰을 결정하기가 어려워지고 있다. 이러한 사실은 표준 셀 또는 데이터 패스·모듈용 셀 등의 LSI에서의 리프 셀 개발에 다음과 같은 영향을 주고 있다.

1) 프로세스 기술 변화가 심화됨에 따라 셀 라이브러리를 설계하는 빈도는 매우 증가하고 있다. 5년전에는 2년에 1시리즈의 라이브러리를 개발하는 정도였지만, 최근에는 6개월에 1시리즈의 라이브러리를 개발할 정도의 빈도로 개발이 시행되고, 더욱이 각각의 라이브러리에 포함되는 셀의 개수도 5년전에 비하면 배정도로 되고 있다.

2) 디자인 룰이 확정되지 않은 중에 셀 설계를 개시하고, 마지막으로 룰이 확정된 시점에서 최종 레이아웃 수정을 하는 방법이 아니면 셀을 단기에 개발하거나 제공할 수 없다.

3) 설계의 추상도가 마스크 레이아웃이나 회로 설계에서 시스템 설계로 이동하고 있기 때문에, 마스크 설계나 회로 설계를 행하는 기술자의 수가 격감하고 있다.

상술한 점 때문에, 셀 합성 또는 셀 콤팩션 기술의 중요도는 중요하게 인식되고 있다. 또 리프 셀의 면적이 칩 면적, 나아가서는 칩 가격에 직접적으로 영향을 주기 때문에 셀 면적도 손에 넣을 수 있는 정도 또는 그 이상의 집적화가 요구된다.

종래의 콤팩션 방법은 1차원 콤팩션과 2차원 콤팩션으로 분류된다. 1차원 콤팩션은 콤팩션 대상물이 배치되는 배치영역의 한 변에 대하여 평행 또는 수직 중 어느 한 방향으로 밖에 고려하지 않는다. 구체적으로는 1차원 콤팩션은 격자를 이용하여 배치 배선을 표현하고, 배치영역에 대하여 수직 또는 평행한 띠형상의 빈 영역을 찾고, 이 빈 영역을 제거하는 것을 반복함으로써 면적을 축소하는 방법이 있다. 또 좌우 또는 상하의 위치 제약을 그래프로 표현하고, 배치 요소간의 실제의 거리와 최소 거리를 그래프의 가지에 정보로서 부여하고, 그래프의 최장 경로를 짧게 하도록 각각의 배치 요소를 이동시키는 방법이 있다.

상기 어느 방법도 동시에는 한 방향의 이동밖에 고려되지 않기 때문에 배치요소의 일부를 조금이라도 다른 방향으로 이동시킴으로써, 다시 전체의 콤팩션이 시행되는 경우에는 그것에 대응할 수 없는 등의 문제점이 있었다. 이와 같은 문제에 대응하기 위해 2방향을 동시에 이동하는 방법이 2차원 콤팩션으로서 제안되었다.

2차원 콤팩션의 대표적인 예는 「Hyunchul Shin, Alberto L. Sangiovanni-vincentelli, Carlo H. Sequin, " Two-Dimensional Compaction" by 'Zone Refining' 」에 개시되어 있는 바와 같이, 셀 내부의 배치 요소중 이동의 대상으로 되는 요소의 그룹을 가장 아래쪽에 위치하는 그룹으로부터 시작하고, 그들을 다시 아래쪽의 위치로 어긋나게 할 때에 그들의 수평방향의 최적 배치를 구하고, 2차원적으로 최적 위치로 이동한다. 이동의 대상으로 되는 그룹을 위의 배치 요소와 순차 어긋나게 해 가고, 각각을 마찬가치로 아래쪽의 최적 위치로 이동하는 조작을 반복한다. 이와 같은 방법을 이용하면 1차원 콤팩션에서 문제가 되는 것은 해결되어, 보다 좋은 콤팩션 결과를 얻을 수 있다.

그러나 상기 종래의 2차원 콤팩션 방법에는 배치 위치에 관한 적절한 지표가 없다는 문제점이 있다. 또 배치영역에 대하여 평행과 수직의 양방향으로 동시에 이동하기 때문에 배치의 최적화는 행해지더라도, 배치의 변화에 따른 배선의 변형이 많이 생기기 때문에 배선의 최적성이 손상되고, 그 결과 면적이 증가된다는 문제점이 있다. 또 굵기가 다른 배선을 효과적으로 취급하기가 어렵다는 문제점도 있다.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 2차원 콤팩션이면서 상기 종래의 문제점을 일시에 해결하여, 배선의 최적성이 손상되지 않고, 보다 실용적인 콤팩션 결과를 생성할 수 있는 콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선방법을 제공하기 위한 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 원래부터의 모든 배선을 일단 소거하고, 배선을 새로 행하면서 콤팩션을 동시에 실행하도록 구성하고 있다.

구체적으로 본 발명에 의한 제1의 콤팩션 방법은, 트랜지스터 등의 제1 부품 및 저항, 커패시터 또는 콘택트 등의 제2 부품을 주변부나 내부에 단자를 갖는 블록으로 각각 추상화하는 동시에, 상기 단자 및 이 단자들 끼리를 접속하는 배선을 배선 접속점과 배선요소로 추상화하는 제1 추상화 공정과, 상기 블록이 복수개 배치된 블록 상의 배치영역콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 이 배치영역의 한 변에 대하여 수직인 가상선을 설정하여 상기 제1 및 제2 부품을 접속하는 배선경로를, 상기 배선 접속점과 상기 가상선 위에 동일전위로 연결해야 할 대상으로 되는 상기 블록의 집합을 식별하기 위한 네트 식별자를 갖는 네트 타겟과, 이 네트 타겟 중 어떤 네트 타겟들끼리가 접속되는냐 하는 접속정보로 추상화하는 제2 추상화 공정과, 상기 네트 타겟 및 접속정보에 의해 상기 블록들끼리 접속하면서 콤팩션하는 배선 및 콤팩션 공정을 포함하며, 상기 배선 및 콤팩션 공정은 상기 배치영역의 상기 가상선에 대하여 평행으로 배치되고, 상기 배선요소가 배치되어야 할 선상의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인에서의 상기 프론트가 향하는 상기 네트 타겟을 상기 접속정보로부터 검색하는 공정과, 검색된 상기 네트 타겟콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 상기 배선 접속점의 위치와 상기 블록에서의 상기 스캔라인과 평행한 한 변 및 이 한 변과 대향하는 다른 변의 위치를 순서대로 나열하여 상기 스캔라인이 주사하는 순서를 결정하는 스캐닝 포인트 리스트를 작성하는 공정과, 상기 스캔라인을 상기 스캐닝 포인트 리스트에 따라 상기 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에, 상기 스캔라인 상의 상기 프론트를 상기 접속정보에서 추출한 상기 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인 상을 이동시켜, 상기 배선 접속점으로부터 이동장소의 상기 프론트를 연결하는 직선을 상기 스캔라인이 최초로 주사를 개시한 위치인 주사개시 방향으로 콤팩션하여 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 공정과, 상기 스캔라인 상의 2개의 프론트가 같은 방향을 향하고 있는 경우에, 상기 2개의 프론트를 병합하여 이 프론트들끼리 각각 접속함으로써 생성된 직선을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하여 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 배선 접속점의 위치에 있는 경우에 상기 배선 접속점에 프론트를 신설하여 이 프론트가 목표로 하는 네트 타겟으로 향하여 상기 배선요소를 부가한 후, 이 배선요소를 연장할 필요가 없어진 상기 프론트를 소거하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중의 상기 주사 개시측의 변에 위치하는 경우에 상기 블록을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기한 변 및 다른 변 중의 반주사 개시측의 변에 위치하는 경우에 상기 블록을 배선금지 영역으로 하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

제1의 콤팩션 방법에 의하면, 스캔라인을 이 스캔라인과 수직방향으로 이동시키는 동시에, 스캔라인 상의 프론트를 배선의 접속정보에서 추출하여 얻은 네트 타겟에 가까워지도록 스캔라인 상을 이동시켜, 배선 접속점의 선단에서 이동장소의 상기 프론트를 연결하는 직선을 주사개시 방향으로 콤팩션하고, 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 공정과, 스캔라인이 블록의 주사 개시측의 한 변에 위치했을 때, 그 블록을 주사개시 방향으로 콤팩션하는 공정을 구비하고 있기 때문에 부품을 추상화한 블록의 배치를 최적화할 수 있는 동시에, 블록을 콤팩션하면서 배선을 다시 접속하므로 불필요한 배선의 굴곡을 감소시킬 수 있다.

또 제1의 콤팩션 방법에 있어서, 상기 제1 추상화 공정은 상기 제1 부품이 CMOS 트랜지스터이며, 상기 CMOS 트랜지스터가 복수의 블록으로 구성되는 경우에 상기 복수의 블록을 수평방향 또는 수직방향으로 상대 이동시키는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

또한 제1의 콤팩션 방법에 있어서, 상기 제1 추상화 공정에서의 제2 부품은 콘택트로서, 상기 콘택트는 배선층이 서로 다르고 상기 블록의 내부에 각 단자를 갖는 복수의 블록으로 구성되어 있고, 상기 배선 접속점은 같은 배선층 내의 배선요소와만 접속되는 것이 바람직하다.

또 상기 제1의 콤팩션 방법에 있어서, 상기 제2 추상화 공정은 추상화된 상기 배선요소 및 배선 접속점을 상기 배치영역에 배치하는 동시에, 상기 배선이 분기하는 분기점으로 되는 배선 접속점과 상기 가상선 및 배선요소의 교점을 다른 네트 타겟에 설정하여, 상기 배선 접속정보에 따라 상기 네트 타겟 사이의 인접 관계를 정의하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에 의한 제1 콤팩션 장치는, 트랜지스터 등의 제1 부품 및 저항, 커패시터 또는 콘택트 등의 제2 부품을 주변부나 내부에 단자를 갖는 블록으로 각각 추상화하는 동시에, 상기 단자와 단자를 접속하는 배선을 배선 접속점과 배선요소로 추상화하는 제1 추상화 수단과, 상기 블록이 복수개 배치된 블록상의 배치영역콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 이 배치영역의 한 변에 대하여 수직인 가상선을 설정하여 상기 제1 및 제2 부품을 접속하는 배선경로를, 상기 배선 접속점과 상기 가상선 위에 동일전위로 연결해야 할 대상으로 되는 상기 블록의 집합을 식별하기 위한 네트 식별자를 갖는 네트 타겟과, 이 네트 타겟 중 어떤 네트 타겟들끼리 접속되는냐 하는 접속정보로 추상화하는 제2 추상화 수단과, 상기 네트 타겟 및 접속정보에 의해 상기 블록들끼리 접속하면서 콤팩션하는 배선 및 콤팩션 수단을 포함하고 있고, 상기 배선 및 콤팩션 수단은, 상기 배치영역의 상기 가상선에 대하여 평행으로 배치되고, 상기 배선요소가 배치되어야 할 선상의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인에서의 상기 프론트가 향하는 상기 네트 타겟을 상기 접속정보에서 검색하는 수단과, 검색된 상기 네트 타겟콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 상기 배선 접속점의 위치와 상기 블록에서의 상기 스캔라인과 평행한 한 변 및 이 한 변과 대향하는 다른 변의 위치를 순서대로 나열하여 상기 스캔라인이 주사하는 순서를 결정하는 스캐닝 포인터 리스트를 작성하는 수단과, 상기 스캔라인을 상기 스캐닝 포인트 리스트에 따라 상기 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에, 상기 스캔라인 상의 상기 프론트를 상기 접속정보에서 추출한 상기 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인 상을 이동시키고, 상기배선 접속점으로부터 이동 장소의 상기 프론트를 연결하는 직선을 상기 스캔라인이 최초에 주사를 개시한 위치인 주사개시 방향으로 콤팩션하여 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 수단과, 상기 스캔라인 상의 2개의 프론트가 같은 방향을 향하고 있는 경우에 상기 2개의 프론트를 병합하여 이 프론트들끼리 각각 접속함에 의해, 생성된 직선을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하여 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 수단과, 상기 스캔라인이 상기 배선 접속점의 위치에 있는 경우에 상기 배선 접속점에 프론트를 신설하여 이 프론트가 목표로 하는 네트 타겟으로 향하여 상기 배선요소를 부가한 후, 상기 배선요소를 연장할 필요가 없어진 상기 프론트를 소거하는 수단과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중의 상기 주사 개시측의 변에 위치하는 경우에 상기 블록을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하는 수단과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중의 상기 주사 개시측의 변에 위치하는 경우에 상기 블록을 배선금지 영역으로 하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.

제1 콤팩션 장치에 의하면, 스캔라인을 이 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에, 스캔라인 상의 프론트를 배선의 접속정보에서 추출하여 얻은 네트 타겟에 가까워지도록 스캔라인 상을 이동시키고, 배선 접속점의 선단으로부터 이동장소의 상기 프론트를 연결하는 직선을 주사개시 방향으로 콤팩션하고, 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 수단과, 스캔라인이 블록의 주사 개시측의 한 변에 위치했을 때, 그 블록을 주사개시 방향으로 콤팩션하는 수단을 구비하고 있기 때문에 부품을 추상화한 블록의 배치가 최적화되는 동시에, 블록이 콤팩션되면서 배선이 다시 접속되므로 불필요한 배선의 굴곡이 감소된다.

본 발명에 의한 제2 콤팩션 방법은, 복수의 트랜지스터가 그 확산영역을 서로 공유하여 이루어지는 확산 공유 영역을 확산섬으로서 설정하는 확산섬 설정 공정과, 상기 확산섬, 트랜지스터 또는 이 트랜지스터에 설치된 콘택트 등의 제1 부품 및 저항, 커패시저 또는 콘택트 등의 제2 부품을 주변부나 내부에 단자를 갖는 블록으로 각각 추상화하는 동시에, 상기 단자와 단자를 접속하는 배선을 배선 접속점과 배선요소로 추상화하는 제1 추상화 공정과, 상기 블록이 복수개 배치된 블록상의 배치영역콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 이 배치영역의 한 변에 대하여 수직인 가상선을 설정하여 상기 제1 및 제2 부품들을 접속하는 배선 경로를, 상기 배선 접속점과 상기 가상선 상에 동일전위로 연결해야 할 대상으로 되는 상기 블록의 집합을 식별하기 위한 네트 타겟들끼리 접속되는냐 하는 접속정보로 추상화하는 제2 추상화 공정과, 상기 네트 타겟 및 접속정보에 의해 상기 블록들끼리 접속하고 콤팩션하는 배선 및 콤팩션 공정을 포함하고 있고, 상기 배선 및 콤팩션 공정은 상기 배치영역의 상기 가상선에 대하여 평행으로 배치되며, 상기 배선요소가 배치되어야 할 선상의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인에서의 상기 프론트가 향하는 상기 네트 타겟을 상기 접속정보에서 검색하는 접속정보 검색공정과, 검색된 상기 네트 타겟콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 상기 배선 접속점의 위치와 상기 블록콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 상기 스캔라인과 평행한 한 변 및 이 한 변과 대향하는 다른 변의 위치를 순서대로 나열하여 상기 스캔라인이 주사하는 순서를 결정하는 스캐닝 포인트 리스트를 작성하는 스캐닝 포인트 리스트 작성공정과, 상기 스캔라인을 상기 스캐닝 포인트 리스트에 따라 상기 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에, 상기 스캔라인 상의 상기 프론트를 상기 접속정보에서 추출한 상기 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인 상을 이동시키고, 상기 배선 접속점으로부터 이동장소의 상기 프론트를 연결하는 직선을 상기 스캔라인이 최초로 주사를 개시한 위치인 주사개시 방향으로 콤팩션하여 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 배선요소 부가공정과, 상기 스캔라인 상의 2개의 프론트가 같은 방향을 향하고 있는 경우에 상기 2개의 프론트를 병합하여 이 프론트들끼리 각각 접속함으로서 생성된 배선을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하여 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 프론트 병합공정과, 상기 스캔라인이 상기 배선 접속점의 위치에 있는 경우에 상기 배선 접속점에 프론트를 신설하여 이 프론트가 목표로 하는 네트 타겟으로 향하여 상기 배선요소를 부가한 후, 상기 배선요소를 연장할 필요가 없어진 상기 프론트를 소거하는 프론트 소거공정과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중의 상기 주사 개시측의 변에 위치하고, 상기 블록은 복수의 구성 요소를 가지는 상기 확산섬에 포함되며, 상기 확산섬의 다른 구성 요소보다 상기 블록의 상기 주사 개시측의 변이 가장 상기 주사 개시측에 위치하는 경우에, 상기 확산섬의 내부의 레이아웃 패턴을 생성하는 확산섬 내부 레이아웃 생성공정과, 상기 확산섬의 내부의 상기 레이아웃 패턴을 상기 주사개시방향으로 콤팩션하는 확산섬 내부 콤팩션 공정과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중의 상기 주사 개시 측의 변에 위치하고, 상기 블록이 단일 트랜지스터 또는 상기 제2 부품으로 구성되는 경우에 상기 블록을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하는 블록 콤팩션 공정과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중의 반주사 개시측의 변에 위치하는 경우에, 상기 블록을 배선금지 영역으로 하는 배선금지 영역 설정 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

제2 콤팩션 방법에 의하면, 트랜지스터의 불순물 확산영역을 공유하는 확산섬이 정의되어 있기 때문에, 확산섬의 내부의 레이아웃 생성처리와 전체의 콤팩션 처리를 계층적으로 취급할 수 있으므로, 트랜지스터의 게이트의 굴곡이나 확산 콘택트의 위치의 최적화 등의 복잡한 레이아웃에도 대응할 수 있다.

제2 콤팩션 방법에 있어서, 상기 확산섬 설정 공정에서의 상기 확산섬은, 그 구성 요소에 게이트, 확산영역, 이 확산영역에 설치된 확산 콘택트 또는 상층을 통과하는 배선을 위한 통과 배선영역을 가지고 있고, 상기 확산섬 내부 레이아웃 생성공정은, 상기 확산섬을 상기 게이트 및 상기 확산영역에서의 상기 한 변과, 이 한 변과 대향하는 다른 변과, 상기 확산 콘택트와, 상기 통과 배선영역에서의 상기 스캔라인에 대한 수직 성분으로 이루어지는 블록을 이용하여 추상화하는 공정과, 상기 구성 요소 중 가장 상기 주사 개시측에 위치하는 구성 요소에서 디자인 룰을 만족하도록 상기 주사개시 방향으로 순차 콤팩션하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

또 제2 콤팩션 방법에 있어서, 상기 확산섬 설정 공정에서의 상기 확산섬은 그 구성 요소에 게이트, 확산영역, 또는 이 확산영역에 설치된 확산 콘택트로 이루어지는 복수의 블록을 포함하고, 상기 확산섬 내부 레이아웃 생성공정은, 상기 복수의 블록 중 가장 상기 주사 개시측에 위치하는 블록으로부터 디자인 룰을 만족하도록 상기 주사개시 방향으로 순차 콤팩션하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 확산섬의 블록에 위치되고, 상기 스캔라인이 위치하는 상기 블록과 상기 확산섬의 주변부의 선과의 사이에 디자인 룰 에러가 생기는 경우에 상기 디자인 룰 에러를 해소하도록 상기 스캔라인이 위치하는 블록과 이 블록으로부터 반주사 개시측에 위치하는 상기 확산섬 내의 다른 블록을 반주사개시 방향으로 같은 거리만큼 이동시키는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

제2 콤팩션 방법에 있어서, 상기 확산섬 설정 공정에서의 상기 확산섬은 그 구성 요소에 게이트, 확산영역, 이 확산영역에 설치된 확산 콘택트로 이루어지는 복수의 블록을 가지고 있고, 상기 배선 및 콤팩션 공정은 상기 각 공정별로 상기 각 공정의 처리와 이 처리 결과를 보존하는 보존 공정을 포함하면, 상기 확산섬 내부 레이아웃 생성공정은, 상기 복수의 블록 중 가장 상기 주사 개시측에 위치하는 블록으로부터 디자인 룰을 만족하도록 상기 주사개시 방향으로 순차 콤팩션하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 확산섬의 블록에 위치하되, 상기 스캔라인이 위치하는 상기 블록과 상기 확산섬의 주변부의 배선 사이에 디자인 룰 에러가 생기는 경우에 상기 보존 공정에서 보존된 처리와 이 처리 결과에 따라 전원 배선에 접속되는 상기 확산영역으로 이루어지는 블록의 면적을 확대시킴으로써 상기 디자인 룰 에러가 해소되는 시점까지 상기 보존 공정을 거슬러 올라가서, 거슬러 올라간 상기 시점에 스캔된 상기 스캔라인이 위치하는 상기 블록과 이 블록으로부터 반주사 개시측에 위치하는 상기 확산섬 내의 다른 블록을 반주사개시 방향으로 같은 거리만큼 이동시키는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에 의한 제2 콤팩션 장치는, 복수의 트랜지스터가 그 확산영역을 서로 공유하여 이루어지는 확산 공유 영역을 확산섬으로서 설정하는 확산섬 설정 수단과, 상기 확산섬, 트랜지스터 또는 이 트랜지스터에 설치된 콘택트 등의 제1 부품 및 저항, 커패시터 또는 콘택트 등의 제2 부품을 주변부나 내부에 단자를 갖는 블록으로 각각 추상화하는 동시에, 상기 단자와 이 단자들끼리를 접속하는 배선을 배선 접속점과 배선요소로 추상화하는 제1 추상화 수단과, 상기 블록이 복수개 배치된 블록상의 배치영역콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 이 배치영역의 한 변에 대하여 수직인 가상선을 설정하여 상기 제1 및 제2 부품을 접속하는 배선경로를, 상기 배선 접속점과 상기 가상선 상에 동일전위에 연결해야 할 대상으로 되는 상기 블록의 집합을 식별하기 위한 네트 타겟들끼리 접속되는냐 하는 접속정보로 추상화하는 제2 추상화 수단과, 상기 네트 타겟 및 접속정보에 의해 상기 블록들끼리 접속되고 콤팩션하는 배선 및 콤팩션 수단을 포함하고, 상기 배선 및 콤팩션 수단은 상기 배치영역의 상기 가상선에 대하여 평행으로 배치되며, 상기 배선요소가 배치되어야 할 선상의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 상기 프론트가 향하는 상기 네트 타겟을 상기 접속정보에서 검색하는 접속정보 검색수단과, 검색된 상기 네트 타겟콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 상기 배선 접속점의 위치와 상기 블록콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 상기 스캔라인과 평행한 한변 및 이 한 변과 대향하는 다른 변의 위치를 순서대로 나열하여 상기 스캔라인이 주사하는 순서를 결정하는 스캐닝 포인트 리스트를 작성하는 스캐닝 포인트 리스트 작성 수단과, 상기 스캔라인을 상기 스캐닝 포인트 리스트에 따라 상기 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시킴과 동시에, 상기 스캔라인 상의 상기 프론트를 상기 접속정보에서 추출한 상기 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인 상을 이동시키고, 상기 배선 접속점으로부터 이동장소의 상기 프론트를 연결하는 직선을 상기 스캔라인이 최초에 주사를 개시한 위치인 주사개시 방향으로 콤팩션하여 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 배선요소 부가수단과, 상기 스캔라인 상의 2개의 프론트가 같은 방향을 향하고 있는 경우에, 상기 2개의 프론트를 병합하여 이 프론트들끼리 각각 접속함으로서 생성된 배선을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하여, 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 프론트 병합수단과, 상기 스캔라인이 상기 배선 접속점의 위치에 있는 경우에 상기 배선 접속점에 프론트를 신설하여 이 프론트가 목표로 하는 네트 타겟으로 향하여 상기 배선요소를 부가한 후, 상기 배선요소를 연장할 필요가 없어진 상기 프론트를 소거하는 프론트 소거수단과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중의 상기 주사 개시측의 변에 위치하고, 상기 블록은 복수의 구성 요소를 갖는 상기 확산섬에 포함되며, 상기 확산섬의 다른 구성 요소보다 상기 블록의 상기 주사 개시측의 변이 가장 상기 주사 개시측에 위치하는 경우에, 상기 확산섬의 내부의 레이아웃 패턴을 생성하는 확산섬 내부 레이아웃 생성수단과, 상기 확산섬의 내부의 상기 레이아웃 패턴을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하는 확산섬 내부 콤팩션 수단과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중의 반주사 개시측의 변에 위치하는 경우에, 상기 블록을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하는 블록 콤팩션 수단과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중 반주사 개시측의 변에 위치하는 경우에 상기 블록을 배선금지 영역으로 하는 배선금지 영역 설정 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.

제2 콤팩션 장치에 의하면, 트랜지스터의 불순물 확산영역을 공유하는 확산섬이 정의되기 때문에, 확산섬의 내부의 레이아웃 생성 처리와 전체의 콤팩션 처리를 계층적으로 취급할 수 있으므로 트랜지스터의 게이트 굴곡, 확산 콘택트의 위치의 최적화 등 복잡한 레이아웃에도 대응할 수 있다.

본 발명에 의한 배선방법은 트랜지스터 등의 제1 부품 및 저항, 커패시터 또는 콘택트 등의 제2 부품을 주변부 또는 내부에 단자를 갖는 블록으로 각각 추상화하는 동시에, 상기 단자와 이 단자들끼리를 접속하는 배선을 배선 접속점과 배선요소로 추상화하는 제1 추상화 공정과, 상기 블록이 복수개 배치된 블록상의 배치영역콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 이 배치영역의 한 변에 대하여 수직인 가상선을 설정하여 상기 제1 및 제2 부품들끼리를 접속하는 배선경로를, 상기 배선 접속점과 상기 가상선 상에 동일전위로 연결해야 할 대상으로 되는 상기 블록의 집합을 식별하기 위한 네트 식별자를 포함하는 네트 타겟과, 이 네트 타겟 중의 어떤 네트 타겟들끼리 접속되는냐 하는 접속정보로 추상화하는 제2추상화 공정과, 상기 네트 타겟 및 접속정보에 의해 상기 블록들끼리 접속하는 배선공정을 구비하고, 상기 배선공정은 상기 배치영역의 상기 가상선에 대하여 평행으로 배치되고, 상기 배선 접속점에 위치하는 프론트를 포함하는 스캔라인을 이 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에, 이 스캔라인 상의 상기 프론트를 적당히 이동시키고, 이 프론트가 이동한 궤적을 배선경로로 하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 배선방법에 의하면, 네트 타겟들끼리의 접속정보에 의해 배선경로를 추상화하는 공정과, 가상선에 대하여 평행으로 배치되어 기존 배선의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인을 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에, 스캔라인 상의 프론트를 적당히 이동시켜, 상기 프론트가 이동한 궤적을 배선 경로로 하는 공정을 구비하고 있기 때문에, 배선을 새롭게 다시 접속하므로 불필요한 배선의 굴곡을 감소시킬 수 있다.

본 발명의 배선방법에 있어서, 상기 제1 추상화 공정은 상기 제1 부품이 CMOS 트랜지스터이며 이 CMOS 트랜지스터가 복수의 블록으로 구성되는 경우에, 상기 복수의 블록을 수평방향 또는 수직방향으로 상대 이동시키는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 배선방법에 있어서, 상기 제1 추상화 공정에서의 제2 부품은 콘택트로서, 이 콘택트는 배선층이 서로 다르며 상기 블록의 내부에 각 단자를 갖는 복수의 블록으로 구성되어 있고, 상기 배선 접속점은 같은 배선층 내의 배선요소와만 접속되는 것이 바람직하다.

본 발명의 배선방법에 있어서, 제2 추상화 공정은 추상화된 상기 배선요소 및 배선 접속점을 상기 배치영역에 배치하는 동시에, 상기 배선이 분기하는 분기점으로 되는 배선 접속점과 상기 가상선 및 배선요소의 교점을 다른 네트 타겟에 설정하고, 상기 배선 접속정보에 따라 상기 네트 타겟 사이의 인접 관계를 정의하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 배선방법에 있어서, 상기 배선공정은 상기 프론트를 상기 배선요소가 배치되어야 할 선상의 선단점에도 생성하여 상기 스캔라인을 이 스캔라인과 수직방향으로 이동시키는 동시에, 상기 스캔라인 상의 상기 프론트를 적당히 이동시키고, 상기 배선 접속점의 선단에서 이동장소의 상기 프론트를 연결하는 직선을 상기 스캔라인이 최초로 주사를 개시한 위치인 주사개시 방향으로 콤팩션하고, 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

이 경우에 있어서, 상기 스캔라인은 상기 배선 접속점의 위치와 상기 블록에서의 상기 스캔라인과 평행한 한 변 및 이 한 변과 대향하는 다른 변이 차지하는 위치로 각각 이동하는 것이 바람직하다.

본 발명의 배선방법에 있어서, 상기 배선공정은 상기 프론트를 상기 배선요소가 배치되어야 할 선상의 선단점에도 생성하여 상기 프론트가 향하는 상기 네트 타겟을 상기 접속정보에서 검색하는 공정과, 상기 스캔라인을 이 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에, 상기 스캔라인 상의 상기 프론트를 적당히 이동시켜서 상기 배선 접속점의 선단에서 이동장소의 상기 프론트를 연결하는 직선을 상기 스캔라인이 최초에 주사를 개시한 위치인 주사개시 방향으로 콤팩션하여, 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 공정을 포함하는 구성을 부가하는 것이 바람직하다.

본 발명에 의한 배선장치는, 트랜지스터 등의 제1 부품 및 저항, 커패시터 또는 콘택트 등의 제2 부품을 주변부나 내부에 단자를 갖는 블록으로 각각 추상화하는 동시에, 상기 단자와 이 단자들끼리를 접속하는 배선을 배선 접속점과 배선요소로 추상화하는 제1 추상화 수단과, 상기 블록이 복수개 배치된 블록상의 배치영역콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 이 배치영역의 한 변에 대하여 수직인 가상선을 설정하여, 상기 제1 및 제2 부품들끼리를 접속하는 배선경로를, 상기 배선 접속점과 상기 가상선 위에 동일전위로 연결해야 할 대상으로 되는 상기 블록의 집합을 식별하기 위한 네트 식별자를 갖는 네트 타겟과, 이 네트 타겟 중 어떤 네트 타겟들끼리 접속되는냐 하는 접속정보로 추상화하는 제2 추상화 수단과, 상기 네트 타겟 및 접속정보에 의해 상기 블록들끼리 접속하는 배선수단을 구비하고 있고, 상기 배선수단은 상기 배치영역의 상기 가상선에 대하여 평행으로 배치되고, 상기 배선 접속점에 위치하는 프론트를 갖는 스캔라인을 이 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에, 이 스캔라인 상의 상기 프론트를 적당히 이동시키고, 이 프론트가 이동한 궤적을 배선경로로 하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 배선장치에 의하면, 네트 타겟들끼리의 접속정보에 의해 배선경로를 추상화하는 수단과, 가상선에 대하여 평행으로 배치되어 기존 배선의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인을 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에, 스캔라인 상의 프론트를 적당히 이동시켜 상기 프론트가 이동한 궤적을 배선경로로 하는 수단을 구비하고 있기 때문에 배선이 새롭게 다시 접속되므로 불필요한 배선의 굴곡이 감소된다.

본 발명에 의한 개략 배선방법은, 트랜지스터 또는 이 트랜지스터에 설치된 콘택트 등의 제1 부품 및 저항, 커패시터 또는 콘택트 등의 제2 부품을 주변부나 내부에 단자를 갖는 블록으로 각각 추상화하는 추상화 공정과, 상기 블록이 복수개 배치된 블록상의 배치영역콤팩션 방법, 콤팩션 장치 및 배선 방법에 있어서 이 배치영역의 한 변에 대하여 수직인 복수의 가상선을 설정하고, 상기 단자와 상기 가상선 상에 생성된 동일전위로 연결해야 할 대상으로 되는 상기 블록의 집합인 네트와, 이 네트를 식별하기 위한 네트 식별자를 갖는 네트 타겟을 생성하는 공정과, 상기 배치영역의 상기 가상선에 대하여 평행으로 배치되고, 상지 배선경로의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인을 설치하고, 상기 단자의 위치와 상기 가상선의 위치를 순서대로 나열하여 상기 스캔라인이 주사하는 순서를 결정하는 스캐닝 포인트 리스트를 작성하는 공정과, 상기 스캔라인을 상기 스캐닝 포인트 리스트에 따라 상기 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에, 상기 스캔라인 상의 2개의 프론트가 같은 방향을 항하고 있는 경우에, 상기 2개의 프론트를 병합하도록 상기 2개의 프론트에 대응한 네트 타겟을 결합하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 단자 위치를 주사하면서 상기 스캔라인 상에 상기 단자와 같은 네트에 속하는 적어도 하나의 프론트가 존재하는 경우에, 상기 적어도 하나의 프론트 중 상기 단자에 가장 가까운 프론트를 선택하고, 상기 단자에 대응하는 네트 타겟과 상기 선택된 프론트에 대응하는 네트 타겟을 결합하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 단자 위치를 주사하여 상기 스캔라인 상에 상기 단자와 같은 네트에 속하는 프론트가 존재하지 않는 경우에 상기 스캔라인 상에 프론트를 신설하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 가상선의 위치에 있고, 이 가상선 상에 네트 타겟이 존재하며 이 네트 타겟이 속하는 네트에 상기 스캔라인 상의 프론트가 존재하지 않는 경우에, 상기 스캔라인 상에 상기 네트에 속하는 프론트를 신설하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 가상선의 위치에 있고, 이 가상선 상에 제1 네트 타겟이 존재하며, 이 제1 네트 타겟이 속하는 네트에 상기 스캔라인 상의 프론트가 존재하는 경우에, 이 프론트에 대응하는 제2 네트 타겟과 상기 제1 네트 타겟을 결합하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 가상선의 위치에 있고, 상기 스캔라인 상에 네트에 속하는 프론트가 존재하며, 상기 가상선 상에 상기 네트에 속하는 네트 타겟이 존재하지 않는 경우에 상기 가상선에 대하여 반주사 개시측에 위치하고 상기 네트에 속하는 네트 타겟에 가까워지도록 상기 프론트를 스캔라인에 따라 이동시키고, 상기 가상선 상에서의 상기 네트 타겟의 수직 위치에 네트 타겟을 신설하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 개략 배선방법에 의하면, 스캔라인을 스캐닝 포인트 리스트에 따라 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시킬 뿐만 아니라 경우에 따라서 네트 타겟이나 프론트를 동적으로 생성하거나 소멸시키거나 함으로써, 배선 접속점의 선단에서 이동장소의 프론트를 연결하는 직선을 배선요소로 하기 때문에 불필요한 배선의 굴곡을 감소시킬 수 있다.

본 발명의 개략 배선방법은, 각각 복수의 배선을 갖는 복수의 배선층을 대상으로 하는 개략 배선방법에 있어서, 상기 가상선 상의 네트 타겟의 순번을 바꾸는 조작 또는 상기 하나의 배선층과 다른 배선층이 접속되는 위치를 나타내는 레이어 변경점을 상기 하나의 배선층 내에서 이동시키는 조작을 반복함으로서, 하나의 배선층에 있어서의 복수의 배선들끼리 서로 교차하는 수가 최소로 되도록 최적화하는 교차배선 최적화공정을 추가로 구비하는 것이 바람직하다.

본 발명의 개략 배선방법에 있어서, 상기 교차배선 최적화공정은, 상기 가상선 상에 배치된 블록이 차지하는 블록 영역과, 상기 가상선 상에 배치된 네트 타겟에 대응하는 배선이 차지하는 배선영역과, 상기 가상선에 인접하는 영역의 상기 배선들끼리 교차함으로써 설치된 배선 콘택트 영역의 총합을 상기 가상선의 혼잡도로서 상기 복수의 배선층마다에 산출하는 공정과, 산출 결과로부터 상기 복수의 배선층 중 최대로 되는 혼잡도를 구하고, 이 혼잡도를 상기 최적화의 지표로 하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 개략 배선방법은, 각각 복수의 배선을 갖는 복수의 배선층을 대상으로 하는 개략 배선방법에 있어서, 하나의 배선층에서의 상기 복수의 배선들끼리 서로 교차하는 경우에, 하나의 배선의 배선경로에 콘택트를 설치하고, 상기 하나의 배선을 상기 하나의 배선층과 상이한 배선층으로 우회시키는 배선 우회공정을 추가로 구비하는 것이 바람직하다.

본 발명에 의한 개략 배선장치는, 트랜지스터 또는 이 트랜지스터에 설치된 콘택트 등의 제1 부품 및 저항, 커패시터 또는 콘택트 등의 제2 부품을 주변부 또는 내부에 단자를 갖는 블록으로 각각 추상화하는 추상화수단과, 상기 블록이 복수개 배치된 블록상의 배치영역에 있어서, 이 배치영역의 한 변에 대하여 수직인 복수의 가상선을 설정하여, 상기 단자와 상기 가상선 상에 생성된 동일전위로 연결해야 할 대상으로 되는 상기 블록의 집합인 네트와, 이 네트를 식별하기 위한 네트 식별자를 갖는 네트 타겟을 생성하는 수단과, 상기 배치영역의 상기 가상선에 대하여 평행으로 배치되고, 상기 배선경로의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인을 설치하고, 상기 단자의 위치와 상기 가상선의 위치를 순서대로 나열하여 상기 스캔라인이 주사하는 순서를 결정하는 스캐닝 포인트 리스트를 작성하는 수단과, 상기 스캔라인을 상기 스캐닝 포인트 리스트에 따라 상기 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에, 상기 스캔라인 상의 2개의 프론트가 같은 방향을 항하고 있는 경우에, 상기 2개의 프론트를 병합하도록 상기 2개의 프론트를 대응한 네트 타겟을 결합하는 수단과, 상기 스캔라인이 상기 단자 위치를 주사하면서 상기 스캔라인 상에 상기 단자와 같은 네트에 속하는 적어도 하나의 프론트가 존재하는 경우에, 상기 적어도 하나의 프론트 중의 상기 단자에 가장 가까운 프론트를 선택하고, 상기 단자에 대응하는 네트 타겟과 상기 선택된 프론트에 대응하는 네트 타겟을 결합하는 수단과, 상기 스캔라인이 상기 단자 위치를 주사하여 상기 스캔라인 상에 상기 단자와 같은 네트에 속하는 프론트가 존재하지 않는 경우에 상기 스캔라인 상에 프론트를 신설하는 수단과, 상기 스캔라인이 상기 가상선의 위치에 있고, 이 가상선 상에 네트 타겟이 존재하며, 이 네트 타겟에 속하는 네트에 상기 스캔라인 상의 프론트가 존재하지 않는 경우에 상기 스캔라인 상에 상기 네트에 속하는 프론트를 신설하는 수단과, 상기 스캔라인이 상기 가상선의 위치에 있고, 이 가상선 상에 제1 네트 타겟이 존재하며, 이 제1 네트 타겟이 속하는 네트에 상기 스캔라인 상의 프론트가 존재하는 경우에, 이 프론트에 대응하는 제2 네트 타겟과 상기 제1 네트 타겟을 결합하는 수단과, 상기 스캔라인이 상기 가상선의 위치에 있고, 상기 스캔라인 상에 네트에 속하는 프론트가 존재하며 상기 가상선 상에 상기 네트에 속하는 네트 타겟이 존재하지 않는 경우에, 상기 가상선에 대하여 반주사 개시측에 위치하고 상기 네트에 속하는 네트 타겟에 가까워지도록 상기 프론트를 스캔라인에 따라 이동시키고, 상기 가상선 상에서의 상기 네트 타겟의 수직 위치에 네트 타겟을 신설하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 개략 배선장치에 의하면, 스캔라인을 스캐닝 포인트 리스트에 따라 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시킬 뿐만 아니라, 경우에 따라 네트 타겟이나 프론트를 동적으로 생성하거나 소멸시킴에 의해 배선 접속점의 선단으로부터 이동 장소의 상기 프론트를 연결하는 직선을 배선요소로 하기 때문에 불필요한 배선의 굴곡을 감소시킬 수 있다.

본 발명의 개략 배선장치는, 각각 복수의 배선을 갖는 복수의 배선층을 대상으로 하는 개략 배선장치에 있어서, 상기 가상선 상의 네트 타겟의 순서를 바꾸는 조작 또는 상기 하나의 배선층과 다른 배선층이 접속되는 위치를 나타내는 레이어 변경점을 상기 하나의 배선층 내에서 이동시키는 조작을 반복함으로써, 하나의 배선층에서의 복수의 배선들끼리 서로 교차하는 수가 최소로 되도록 최적화하는 교차배선 최적화수단을 추가로 구비하는 것이 바람직하다.

상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통해 보다 분명해 질 것이다.

[실시예]

[제1 실시예]

이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

제1도는 본 발명에 의한 콤팩션 결과와 종래의 방법에 의한 콤팩션 결과를 비교한 도면으로서, (a)는 콤팩션 처리 전의 도면이며, (b)는 종래의 콤팩션 방법을 이용한 전형적인 셀 레이아웃의 도면이며, (c)는 본 발명에 의한 콤팩션 방법을 이용한 셀 레이아웃의 도면이다. 제1도에서 트랜지스터 또는 콘택트 등을 추상화한 블록(1A∼1D)은 각 블록부의 주변부에 단자(2)를 각각 가지고 있고, 배선을 추상화한 배선요소(3)에 의해 접속되어 있다.

제1(c)도에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 콤팩션 방법에 의하면 배선요소(3)에 불필요한 굴곡이 제거되어, 제1(b)도에 도시된 종래의 콤팩션 결과와 비교하여 보다 작은 면적으로 되는 콤팩션 결과를 얻을 수 있다. 이것은 콤팩션시에 로컬한 재배선도 동시에 실행함으로써 불필요한 배선의 우회(=조그)가 발생하는 것을 피하고 있기 때문이다.

본 발명의 특징은 로컬한 배선을 시행하면서 콤팩션을 실행하는 점에 있다.

제2도는 본 발명에 의한 콤팩션 방법의 개요를 도시한 도면으로서, 배선의 접속과 콤팩션을 동시에 실행하는 모습을 도시한 것이다. 제2(a)도에 도시된 바와 같이 블록 1A, 1B가 배치되어 있는 영역에 있어서, 영역의 한 변(본 실시예에서 도면에 대하여 수평방향의 한 변으로 한다. 이하, 동일함)에 대하여 수직인 가상선인 스핏(spit)(4A, 4B)을 도입하고, 이 스핏(4A, 4B) 상의 블록(1A)으로부터의 배선이 교차하는 위치에 네트 타겟(5A, 5B)을 각각 설정한다. 네트 타겟이란 같은 전위에 접속되는 대상의 집합이며, 네트 타겟의 위치는 이하에 설명하는 프론트가 진행할 목표로 된다. 여기에 도입된 스핏의 정의는 후술하기로 한다.

우선 제2(a)도에 있어서, 스핏(4A, 4B)에 대하여 평행한 영역의 좌단으로부터 우방향으로 주사하는 스캔라인(6)을 설정하고, 블록(1A)의 우변 상에 있는 단자(2A) 상에 대응하는 위치로 이동했을 때 배선의 선단점인 프론트(7)를 스캔라인(6) 상에 생성한다. 본 발명의 기본개념은 스캔라인(6) 상의 프론트(7)를 네트 타겟 5A를 목표로 하여 전진시킨 후, 네트 타겟 5B를 다음의 목표로 하여 전진시키는 것이다. 도면에서, 포괄선(8)은 이 포팔선(8)으로부터 좌측의 영역이 콤팩션 처리가 완료되어 있음을 나타내는 경계선이다.

다음에, 제2(b)도에 도시된 바와 같이, 스캔라인(6)을 우방향으로 주사시키는 동시에, 프론트(7)가 목표로 하는 네트 타겟(5A)은 단자(2A)보다 위쪽에 있기 때문에 프론트(7)를 네트 타겟(5A)과 같은 수직 위치로까지 이동시킨다. 이 프론트(7)가 이동하는 궤적이 새로운 배선요소(3a)로 되고, 배선요소(3a)의 우측에 인접하도록 포괄선(8)을 갱신한다.

다음으로, 제2(c)도에 도시된 바와 같이 스캔라인(6)이 블록(1B)의 좌변까지 주사되었을 때, 블록(1B)이 포괄선(8)에 접할 때까지 왼쪽으로 이동시켜 콤팩션을 행한다. 이때 스캔라인(6)과 이동한 블록(1B)이 겹치는 영역을 배선금지 영역(9)으로 한다.

다음으로, 제2(d)도에 도시된 바와 같이, 스캔라인(6)이 블록(1B)의 우변까지 스캔했을 때 또는 프론트(7)가 주사 방향에 대하여 수직으로 이동하기 시작했을 때 포괄선(8)이 블록(1B)의 오른쪽으로 인접하도록 포괄선 (8)을 갱신한다.

다음으로, 제2(e)도에 도시된 바와 같이 스캔라인(6)을 우방향으로 주사시키는 동시에, 프론트(7)의 다음 목표인 네트 타겟(5B)이 블록(1B)의 상변보다 하방에 있기 때문에 프론트(7)를 네트 타겟(5B)과 같은 수평위치까지 이동시킨다.

이 프론트(7)가 이동하는 궤적이 새로운 배선요소(3b)로 되고, 배선요소(3b)의 우측에 인접하도록 포괄선(8)을 갱신한다.

또, 본 발명에 의한 배선방법은 제2(c)도에 도시된 콤팩션 공정을 생략하여 배선만을 시행하는 구성으로 한다.

이하, 본 발명의 제1 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

제3도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법을 실현하는 콤팩션 장치를 중심으로 한 LSI 설계 장치를 도시한 블록도이다. 제3도에 도시된 바와 같이, LSI 설계 장치는 트랜지스터, 콘택트 또는 배선 등을 기호나 선으로 표현하는 심벌릭 레이아웃부(11)와, LSI의 패턴치수 및 배치를 결정하기 위한 디자인 룰(12)등의 입력부와, 콤팩션 결과인 도형 데이터부(13) 등의 출력부를 내장하는 기억수단으로서의 기억장치(14)와, 기억장치(14)의 기억정보에 따라 셀의 콤팩션 결과를 작성하여 도형 데이터부(13)에 출력하는 셀 콤팩션 수단으로서의 콤팩션 장치(15)와, 데이터의 전송 또는 연산 처리 등을 행하는 계산기(16)와, 해석 또는 연산 결과 등을 표시하는 표시장치(17)를 구비하고 있다. 본 발명에 의한 콤팩션 장치는 기억장치(14) 및 콤팩션 장치(15)로 구성되어 있다.

이하 콤팩션 방법 또는 배선방법에 이용하는 데이터 구조를 설명한다.

[데이터 구조]

1) 배치 대상

제4(a)도는 콤팩션 방법 또는 배선방법의 입력으로 되는 레이아웃도의 일례이며, 제4(b)도는 제4(a)도에 도시하는 레이아웃도를 추상화한 도면이다. 제4(a)도에 도시된 바와 같이, 배치의 대상물은 각각 CMOS로 이루어지는 트랜지스터(31A), 트랜지스터(31B), 트랜지스터(31C) 및 트랜지스터(31D) 및 핀을 포함하는 콘택트(32)이다. 트랜지스터(31A)와 트랜지스터(31B)는 불순물 확산영역을 공유하고 있고, 트랜지스터(31C)와 트랜지스터(31D)는 불순물 확산영역을 공유하고 있다. 또, 핀은 콘택트(32)와 접속되는 다른 배선층에 있는 콘택트의 위치를 도시하는 것이다.

제4(b)도에 있어서, 트랜지스터(31A, 31B)를 나타내는 블록군(33A)은 블록(33a, 33b, 33c)으로 분할되어 추상화되고, 마찬가지로 트랜지스터(31C, 31D)를 나타내는 블록군(33B)은 블록(33d, 33e, 33f)으로 분할되어 추상화된다. 블록(33C)은 콘택트(32)가 추상화된 것이다. 배선을 접속하는 단자(34)는 트랜지스터를 나타내는 블록(33a)등의 경우는 블록의 주변부에 위치하고, 콘택트를 나타내는 블록(33C)의 경우는 블록의 중앙부에 위치한다. 트랜지스터를 나타내는 블록(33a) 및 콘택트를 나타내는 블록(33C)을 서로 접속하는 배선은, 직선부를 나타내는 배선요소(35)와 배선요소(35)를 접속하는 배선 접속점(36)으로 표현된다. 또 단자(34)도 배선 접속점(36)으로 추상화된다.

2) 구역 표현

제5도에 도시된 바와 같이, 구역 표현은 블록(33)의 집합이 배치된 영역이 구분을 나타내는 데이터 표현이다. 블록(33)의 집합이 배치된 영역은 영역의 한 변에 대하여 수평방향과 수직방향으로 각각 구분되어 있고, H1, H2, H3 및 H4가 수평구역이며, V1, V2, V3 및 V4가 수직구역이다. 각 구역은 구역 내에 일부라도 그 장소를 차지하고 있는 블록을 멤버로서 포함한다. 예를 들면 수평구역 H3에는 블록들(C, D, F 및 J)이 포함되며, 수평구역 H4에는 블록들(C, D, G 및 K)이 포함된다. 또 수평 및 수직의 각 구역의 경계는 멤버의 수가 극소가 되는 좌표에 설치된다. 수평구역의 H3과 H4의 경계를 예로 들면, 수평구역 H1로부터 수평구역 H4의 방향으로 주사할 때 수평구역 H3의 멤버수가 4(C, D, F, J)를 극대로 하여 2(C, D)까지 감소하고, 다시 3(C, D, K)으로 증가하므로 J인 블록(33)과 K인 블록(33)사이에 경게가 생기는 것을 알 수 있다.

3) 상하 제약 그래프

제6도는 제5도에 도시된 블록(33)의 상하의 인접 관계를 도시한 그래프이다. 그래프의 각 정점(51)은 각 블록(33)에 각각 대응하고, 각 가지(52)는 각 블록(33) 사이에 최소 간격만큼 각각 분리할 필요가 있었던 제약을 표현한다. 최소 간격은 가지(52)의 중량으로서 주어진다.

4) 스핏

제7도에 도시된 바와 같이, 스핏(61)을 각 수평구역에 1개씩 배치한다. 스핏(61)은 수평구역 내의 블록(33)이 수직으로 관통되는 개수가 극대가 되는 위치에 수평구역의 경계(63)에 대하여 수평으로 위치된 가상선이다. 또 스핏(61)과 수평영역을 횡단하는 배선요소(35)의 교점에 이하에 정의하는 네트 타겟(62)을 설치한다.

5) 네트 타겟 리스트

제8도에 도시된 바와 같이 네트 타겟(62)은 배선 및 콤팩션 처리시에 다음의 수평구역으로 배선을 연장하기 위한 목표이다. 네트 타겟(62)은 이하에 나타내는 3종류의 위치에 생성된다.

(가) 배선 접속점으로 되는 블록(33)의 단자(62A)

(나) 배선 접속점으로 되는 배선 분기점(62B)

(다) 배선요소와 스핏의 교점(62C)

네트 타겟 리스트는 수평구역마다의 네트 타겟(62A, 62B, 62C)의 집합이다.

6) 스캔라인

제9도에 도시된 바와 같이, 스캔라인(81)은 블록(33)을 배치하는 영역의 좌단에서 우단으로 향하여 주사하기 위한 스캔방향에 대하여 수직인 가상선이다. 스캔라인(81) 상에는 프론트(82) 또는 배선금지 영역(83)이 배치된다.

프론트(82A, 82B)는 기존 배선의 선단을 나타내는 데이터 구조이며, 수평방향의 프론트(82A)는 주사개시 위치측을 나타내는 방향으로, 즉 본 실시예에서는 좌방향으로, 프론트(82A)에 대응하는 배선 접속점(36)이 존재하는 위치의 스캔라인(81) 상에 생성된다. 또 스캔방향에 대하여 수직방향의 프론트(82B)는 배선 접속점인 단자(34) 또는 배선 접속점(36) 상에 생성된다. 배선요소(35)가 부설되지 않는 배선금지 영역(83)은 스캔라인(81)과 블록(33)이 교차하는 위치에 정의된다.

포괄선(84)은 배선 및 콤팩션 처리가 종료된 영역과 종료하고 있지 않은 영역의 경계를 나타내는 가상선으로서 각 배선층에 정의된다.

7) 스캐닝 포인트 리스트

제10도에 도시된 바와 같이, 스캐닝 포인트(85)는 스캔라인을 수평방향으로 이동시킬 때 스캔시의 이동장소로 되는 위치를 도시한다. 스캐닝 포인트 리스트는 스캐닝 포인트(85)를 주사방향으로 올림순으로 분류한 리스트이며, 배선 접속점인 단자(34), 배선 분기점인 배선 접속점(36), 블록(33)의 좌변 및 블록(33)의 우변이 포함된다. 단자(34), 블록(33)의 좌변 및 블록(33)의 우변이 같은 좌표에 있는 경우는 제10도의 좌단에서 우단으로 주사하는 것이면, 좌향 단자(34), 블록(33)의 우변, 블록(33)의 좌변 및 우향 단자(34)의 순으로 나열하도록 분류한다.

[처리 흐름]

이하 콤팩션 방법의 처리 흐름을 도면을 참조하면서 설명하기로 한다. 제11도 및 제12도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 콤팩션 방법의 처리 순서를 나타낸 플로우챠트이다.

우선, 제11도에 도시된 스텝(ST1)에서의 초기화 처리의 내역을 제12도를 참조하여 설명하기로 한다.

제12도에 도시된 바와 같이 우선 스텝(ST1a)에 있어서 배치대상인 트랜지스터, 저항, 커패시터 또는 콘택트를 포함하는 부품을 블록으로 추상화한다.

다음으로 스텝(ST1b)에 있어서, 블록의 주변부 또는 중앙부에 위치하는 단자로 되는 배선 접속점, 배선요소의 분기점으로 되는 배선 접속점 또는 배선요소와 스핏의 교점에 네트 타겟을 설치한 후, 스텝(ST1c)에 있어서 네트 타겟 사이의 인접 관계를 구하고, 그들의 접속정보를 얻는다.

다음으로 스텝(ST1d)에 있어서, 기존의 배선을 모두 삭제한 후, 스텝(ST1e)에 있어서, 배선 대상인 블록의 수직방향의 위치 결정을 행한다.

다음으로 스텝(ST1f)에 있어서, 단자(34), 배선 접속점(35), 블록의 좌단 및 우단을 주사순으로 나열한 스캐닝 포인트를 구하여 스캐닝 포인트 리스트를 작성한다. 그 후, 스텝(ST1g)에 있어서, 스캔라인을 초기화하고, 예를 들면 블록이 배치된 영역의 가장 좌단에 스캔라인을 이동시키는 동시에 포괄선을 초기화한다.

다음에 제11도에 도시된 바와 같이, 스텝(ST2)에 있어서, 스캔라인에 있는 각 프론트를 네트 타겟에 각각 근접시키는 방향으로 이동시킨다.

다음에 스텝(ST3)에 있어서, 서로 접속 가능한 프론트를 병합하고, 그것에 수반되는 배선요소를 부가하여 배선 처리를 행한다. 그 후, 스텝(ST4)에 있어서, 단자에 대응하는 스캐닝 포인트 상으로 스캔라인이 이동했을 때 이 단자로부터 배선이 접속하는 방향으로 향하여 새로운 프론트를 생성한다.

다음에 스텝(ST5)에 있어서, 스캔라인이 블록의 좌변에 대응하는 스캐닝 포인트 상으로 이동했을 때 상기 블록을 좌측에 채워넣는다. 또, 스텝(ST6)에 있어서, 스캔라인이 블록의 우변에 대응하는 스캐닝 포인트 상으로 이동했을 때, 상기 블록을 둘러싸도록 포괄선을 갱신한다.

다음에 스텝(ST7)에 있어서, 스캔라인이 전 영역의 우단까지 이동했는지의 여부를 판정하고, 스텝(ST8)에 있어서, 스캔라인을 다음의 스캐닝 포인트에 이동시킨다.

또 본 실시예에서는 스캔라인을 영역의 좌단에서 순서대로 스캐닝 포인트에 따라 우방으로 이동시키면서 모든 블록을 좌측에 채워넣는 방법을 나타냈지만, 좌우 반대라도 같은 처리를 시행할 수 있음은 물론이다.

이하, 상기 처리 흐름의 각 스텝에 대하여 처리 내용을 상세히 설명하기로 한다.

[(ST1a) 배치대상의 추상화]

(1) 제4도를 이용하여 설명한 바와 같이, 트랜지스터, 핀을 포함하는 콘택트, 저항 및 커패시터 등의 부품을 대상으로 하여 블록(33), 단자(34), 배선요소(35) 또는 배선 접속점(36)으로 추상화한다.

(2) 제5도를 이용하여 설명한 바와 같이, 블록(33)의 집합에 대하여 구역표현을 구한다.

(3) 제7도를 이용하여 설명한 바와 같이, 각 수평구역의 블록 집합의 극대점을 포함하는 좌표인 대표 좌표점에 스핏(61)을 설치한다. 수평구역에 포함되는 배치대상의 블록군(33)을 동일 수평구역의 중앙에 위치하는 스핏(61) 상에 배치한다.

(4) 제6도를 이용하여 설명한 바와 같이, 상하 제약 그래프인 수직 그래프를 작성한다.

(4-1) 수직 그래프를 초기화한다.

(4-2) 각 블록에 대응한 정점(51)을 수직 그래프에 부가한다. 수직 그래프의 각 정점(51)은 블록에 각각 대응하고 있고, 각 정점(51)의 중량을 각각의 블록의 세로 크기로 한다.

(4-3) 각 스핏을 검색하고, 스핏 상에 위치하는 블록 중, 수직방향으로 인접관계에 있는 블록에 대하여 각 블록에 대응하는 정점과 정점간에 유효한 가지(52)를 부가한다.

(4-4) 제13(a)도에 도시된 바와 같이, 트랜지스터의 배치영역의 상방에 전원선이 배치되고, 배치영역의 하방에 접지선이 배치되어 있다고 하자. 영역의 중앙에서 상방에는 p형 트랜지스터(Ap, Bp, Cp)가 각각 배치되고, 영역의 중앙에서 아래쪽에는 n형 트랜지스터(An, Bn, Cn)가 각각 배치되어 있는 경우에, 제13(b)도에 도시된 바와 같이 영역의 상단(Sp), 영역의 하단(Dn), 영역의 중앙 분리부(Sn, Dp)에 대응하는 정점을 각각 추가한다. 모든 그래프의 정점 중, 트랜지스터에 대응한 정점에 대하여 트랜지스터의 소스로 되는 상단(Sp), 트랜지스터의 드레인으로 되는 하단(Dn) 및 중앙분리부(Sn, Dp)의 디자인 룰을 표현하기 위해 가지(52)와 가지(52)의 중량을 부여한다.

(4-5) 소스(Sp)에서 들어오는 가지(52)를 갖지 않는 각 정점(Ap, Bp, Sn)에 대하여 소스(Sp)로부터 가지(52)를 부여하고, 어느 곳으로도 나가는 가지(52)가 없는 각 정점(An, Bn, Cn, Dp)으로부터 드레인(Dn)에 대하여 가지(52)를 각각 부여한다.

[(ST1b) 네트 타겟의 설치]

제8도를 이용하여 설명한 바와 같이,

(1) 트랜지스터 등을 추상화한 각 블록(33) 상의 주변부의 단자의 위치에 배선 접속점으로 되는 네트 타겟(62A)을 설치한다.

(2) 배선 분기점의 위치에 배선 접속점으로 되는 네트 타겟(62B)을 설치한다.

(3) 수평방향의 배선요소(35)와 스핏(61)의 교점에 네트 타겟(62C)을 설치한다.

[(STlc) 네트 타겟의 인접 관계의 추출]

각 네트 타겟에 있어서, 기존의 배선을 탐색함으로써 네트 타겟 사이의 인접관계를 구하고 배선의 접속정보를 작성한다.

[(ST1d) 배선의 삭제]

콤팩션 전에 접속되어 있던 기존의 배선을 모두 삭제한다.

[(STle) 배치 대상의 수직 배치]

(1) 스핏의 상황에 따라 블록 사이를 통과하는 배선의 개수에 따른 블록 사이의 최소폭(각 배선층에 있어서, 배선과 블록의 간격, 배선폭 및 배선과 배선 간격의 총합을 구하여, 그 최대값을 구함)을 각 블록에 대응한 정점 사이의 가지의 웨이트로서 부여한다.

또 제13도에서 설명한 바와 같이, 소스(Sp) 및 드레인(Dn)에 대응하는 정점으로부터의 가지의 웨이트에 대해서도 블록에 대응하는 정점 사이와 마찬가지로 웨이트를 부여한다.

(2) 수직 그래프의 최장 경로 길이를 계산하여 배치대상의 초기 배치를 구한다. 트랜지스터로 이루어지는 블록의 경우는 p형 트랜지스터를 가능한 한 전원선에 가깝게 되도록 채우고, n형 트랜지스터를 가능한 한 접지선에 가깝게 되도록 채운다. 핀 또는 콘택트로 이루어지는 블록은 배치영역의 중앙에 둔다.

[(ST1f) 스캐닝 포인트의 설치]

제10도에 설명한 바와 같이, 모든 단자, 배선 분기점, 블록의 좌변 또는 블록의 우변을 수평방향의 좌표의 올림순으로 분류한 스캐닝 포인트의 리스트를 작성한다.

[(ST1g) 스캔라인 및 포괄선의 초기화]

배선층마다 스캔라인 포괄선을 배치영역의 좌단에 두고 초기화한다.

[(ST2) 프론트의 네트 타겟으로 향하여 이동]

스캔라인 상의 이동 가능한 각 우향 프론트에 대하여 타겟에 가까워지는 방향으로 각각 이동시킨다.

구체적으로는 스캔라인 상의 각 우향 프론트에 대하여,

(1) 프론트가 가리키는 네트 타겟이 블록상의 단자 또는 스핏 상의 교점인 경우는 그 수직 좌표간(yt)을 타겟(y) 좌표로 한다.

(2) 우향 프론트를 타겟(y) 좌표에 가깝게 할 수 있는 위치(yy)를 스캔라인상의 배선금지영역, 배선폭 및 디자인 룰 등을 고려하면서 구하고, 이동 후보(프론트와 이동장소(yy) 값의 쌍)의 리스트에 추가한다.

(3) 이동 후보중 이동시킴으로써 동일층 내의 배선이 교차할 가능성이 있다면 에러로서 통지한다.

(4) 나머지 이동 후보중 배치영역의 상방으로 이동하는 후보를 수직좌표가 내림차순이 되도록 분류하고, 배치영역의 하방으로 이동하는 후보를 수직좌표가 올림차순이 되도록 분류한다.

(5) 분류된 이동 후보 리스트의 순서에 따라 이동 후보에 처리 movefrontr를 이용함으로써 프론트의 이동 및 그것에 수반되는 배선 처리를 행한다.

이하 처리 movefrontr의 동작을 제14도를 참조하여 설명하기로 한다.

[<처리 movefrontr (프론트, 수직좌표(yy)>]

MF1) 제14(a)도에 도시된 바와 같이, 프론트(82)에 대응하는 기존 배선의 선단인 배선 접속점을 wjold로 한다.

MF2) 제14(b)도에 도시된 바와 같이, 이동 후의 프론트(82)의 y좌표에 새롭게 배선 접속정(wjnew)을 작성한다.

MF4) 배선 접속점(wjold)에서 배선 접속점(wjnew)으로 수직방향의 배선요소(ws)를 생성 한다.

MF5) 배선요소(ws)를 포괄선(84)에 따르도록 좌측에 채움으로 하고, 포괄선(84)을 갱신한다.

[(ST3) 프론트의 병합]

제15도에 도시된 바와 같이 동일 네트에 있어서 인접하는 한쌍의 우향 프론트(fr1, fr2)에 처리 connectverticalfronts를 이용하여 그들을 결합하는 수직배선을 생성한다. 여기에서, 네트란 동 전위에 연결되어야 할 대상의 집합을 말한다.

[<처리 connectverticalfronts (프론트(fr1), 프론트(fr2)>]

CV1) 프론트(fr1)에 대응하는 배선 접속점을 wj1로 하고, 프론트(fr2)에 대응하는 배선 접속점을 wj2로 한다.

CV2) 배선 접속점(wji)에서 배선 접속점(wj2)으로 수직방향의 배선요소(ws)를 생성한다.

CV3) 배선요소(ws)를 포괄선(84)에 따르도록 좌측에 채워넣고, 포괄선(84)을 갱신한다.

(ST4) 스캔라인이 블록의 단자 위에 배치하는 경우에 이 단자에서 배선되는 방향으로 프론트를 생성한다.

즉, 단자(T)에 접속하는 모든 배선방향에 대하여 이하에 나타내는 처리를 행한다.

(1) 단자(T)에 좌향 배선이 있는 경우,

(1-1) 제16도에 도시된 바와 같이, 스캔라인(81) 상에 블록(33)의 단자(T)를 네트 타rpt으로 하는 우향 프론트(fr1)가 이미 존재할 때, 상술한 처리 movefrontr를 이용하여 프론트(fro)에 대응하는 배선 접속점(wj)에서 네트 타겟인 단자(T)로 향하여 배선한다.

(1-2) 제17(a)도에 도시된 바와 같이, 스캔라인 상에 블록(33)의 단자(T)로 향하는 우향 프론트가 존재하지 않을 때, 단자(T) 상의 네트 타겟을 N1로 하면,

·새로운 배선 접속점(wj0)을 단자(T)보다 좌측이면서 단자(T)와 같은 수직좌표가 되도록 생성한다.

·배선 접속점(wj0)과 단자(T)를 연결하는 배선요소(ws2)를 생성한다.

·네트 타겟(N1)에 대하여 우방향으로 인접하는 네트 타겟을 N2로 한다.

·제17(b)도에 도시된 바와 같이, 네트 타겟(N2)과 같은 수직좌표이며, 또 배선 접속점(wj0)과 동일한 수평좌표에 새로운 배선접속점(wj1)을 생성한 후, 배선 접속점(wj0)과 배선 접속점(wj1)을 연결하는 배선요소(ws1)를 생성한다.

·배선 접속점(wj1)을 기점으로 하여 우향의 프론트(fr2)를 신설하고, 프론트(fr2)의 목표를 네트 타겟(N2)으로 한다.

(2) 단자(T)에 우향의 배선이 있는 경우,

·제18도에 도시된 바와 같이, 스캔라인 상에 우향의 프론트(fr1)를 생성한다. 프론트(fr1)가 위치하는 배선 접속점을 블록(33)의 단자(T)로 한다.

·프론트(fr1)의 다음의 목표를 단자(T)의 우방향으로 인접하는 네트 타겟(N2)으로 교체한다.

(3) 단자(T)에 수직방향, 예를 들면 수직좌표가 작아지는 방향(=하방향)으로 배선이 있는 경우는 스캔라인 상에 우향의 프론트(fr1)를 신설한다. 프론트(fr1)의 목표를 단자(T)에 대응하는 네트 타겟으로부터 아래쪽에 인접하는 네트 타겟(N1)으로 이동한다.

(3-1) 제19(a)도에 도시된 바와 같이, 블록(33C)상의 네트 타겟(N1)인 배선 접속점(wj1)과 블록(33D)의 단자(T)를 접속하는 배선이 필요하며, 또 블록(33C)의 배선 접속점(wj1)으로부터 블록(33D)의 단자(T) 상의 네트 타겟으로 향하는 프론트(fr2)가 존재하는 경우는,

·단자(T)와 배선 접속점(wj1)을 연결하는 배선요소(ws1)를 생성한다.

·포괄선(84)의 갱신을 행한다.

·프론트(fr1) 및 프론트(fr2)를 삭제한다.

(3-2) 제19(b)도에 도시된 바와 같이, 블록(33c) 상의 네트 타겟(N1)인 배선 접속점(wj1)과 블록(33D)의 단자(T)를 접속하는 배선이 필요하며, 또 블록(33C)의 배선 접속점(wj1)으로부터 블록(33D)의 단자(T) 상의 네트 타겟으로 향하는 프론트(fr2)가 존재하고, 또 블록(33D)의 단자(T)와 블록(33C)의 배선 접속점(wj1) 사이에 배선 분기점인 배선 접속점(wj0)이 존재하는 경우는,

·단자(T)와 배선 접속점(wj1)을 연결하는 배선요소(ws1)를 생성한다.

·포괄선(84)의 갱신을 행한다.

·프론트(fr1) 및 프론트(fr2)를 삭제한다.

·프론트(fr3)를 배선 접속점(wj0) 상에 신설한다.

(3-3) 제20도에 도시된 바와 같이, 네트 타겟(N1)이 블록(33)의 단자(T)보다 오른쪽에 위치하면서 배선 접속점(wj0) 상에 있고, 배선 접속점(wj0)을 상향으로 관통하는 배선이 없는 경우, 또는 네트 타겟(N1)이 수평방향의 배선요소(ws)에 존재하는 경우는,

·단자(T)와 같은 수평좌표이면서 네트 타겟(N1)과 같은 수직좌표의 위치에 새로운 배선 접속점(wj2)을 생성한다.

·배선 접속점(wj2)의 위치에 단자(T)로 향하는 상향의 프론트(fr2)를 생성한 후 프론트(fr1)와 프론트(fr2)를 연결하는 배선요소(ws1)를 생성한다.

·배선요소(ws1)를 포괄선(84)에 따르도록 좌측에 채워넣고, 포괄선(84)을 갱신한다.

·프론트(fr1) 및 프론트(fr2)를 삭제한다.

·배선 접속점(wj2) 상에 우향의 프론트(fr3)를 신설한다.

(3-4) 제21도에 도시된 바와 같이, 블록(33)의 단자(T)의 우측에 네트 타겟이 존재하지 않고 종단인 경우,

·스캔라인 상에 단자(T)로 향하는 프론트(fr2)가 존재하고 있고, 프론트(fr2)와 같은 수직좌표이며, 또, 단자(T)와 같은 수평좌표의 위치에 새롭게 배선 접속점 (wj2)을 생성한다.

·프론트(fr2)의 좌방향의 수평 연장선상에 있는 배선 접속점(wj1)과 배선 접속점(wj2)을 연결하는 수평 배선요소(ws1)를 생성한다.

·단자(T)와 배선 접속점(wj2)을 연결하는 수직인 배선요소(ws2)를 생성하여, 포괄선(84)에 따르도록 좌측에 채워넣고, 포괄선(84)을 갱신한다.

·프론트(fr1) 및 프론트(fr2)를 삭제한다.

(ST5) 스캔라인이 블록의 좌단으로 이동한 경우는 블록을 포괄선(84)에 맞추어 좌측에 채워넣고, 좌측에 채워진 블록이 스캔라인과 교차하는 영역을 배선금지 영역으로 한다.

(ST6) 스캔라인이 블록의 우단으로 이동한 경우는 블록을 포괄선(84)의 좌측에 포함되도록 포괄선(84)을 갱신한다. 다음에 스캔라인 상에서 블록이 차지하고 있던 배선금지 영역을 삭제한다.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 관한 콤팩션 방법은 다음과 같은 특징으로 가지고 있다. 제22(a)도에 도시된 바와 같이, 3개의 MOS 트랜지스터(91, 92, 93)와 하나의 콘택트(94)가 있는 배치영역에 위치되어 있는 경우를 고려한다. 불순물 확산영역(91a)과 게이트 전극(91b)으로 이루어지는 MOS 트랜지스터(91)와 불순물 확산영역(92a)과 게이트 전극(92b)으로 이루어지는 MOS 트랜지스터(92)는 서로 인접하는 불순물 확산영역(91a, 92a)의 일부를 공유하고, 불순물 확산영역(93a)과 게이트 전극(93b)으로 이루어지는 MOS 트랜지스터(93)와 MOS 트랜지스터(92)는 서로 인접하는 불순물 확산영역(93a, 92a)의 일부를 공유하고 있다. 제22(b)도에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 콤팩션 방법은 블록의 일부를 공유하여 형성되는 요철이 있는 도형을 복수의 블록으로 추상화하고, 그 추상화된 블록들끼리의 인접 관계를 접속정보로서 유지하고 있기 때문에, MOS 트랜지스터(92)의 불순물 확산영역(92a)과 MOS 트랜지스터(93)의 불순물 확산영역(93a)을 슬라이드 시킴으로써 수직방향으로 콤팩션할 수 있다.

또 본 실시예에 의한 콤팩션 방법을 이용하는 콤팩션 장치는 상술한 ST1~ST8의 각 공정을 각각 실현하는 수단을 포함하고 있다.

또 본 발명의 배선방법은 상기 ST5에 설명한 공정만이 생략되어 있고, 본 발명의 배선장치는 상기 콤팩션 장치에서 상기 ST5에 설명한 공정 이외의 모든 공정을 실현하는 수단을 구비하고 있다.

[제2 실시예]

이하, 본 발명의 제2 실시예를 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

본 발명이 이용하는 콤팩션 방법은, 상술한 바와 같이 엄밀한 의미에서의 종래의 콤팩션 방법과는 달리, 배치대상(object)의 이동과 상세 배선을 동시에 실행해 가는 방법이다. 즉, 본 콤팩션 방법은 배치영역의 한 변에 대하여 수직인 가상선(스캔라인)을 배치영역의 일단에서 타단으로 향하여 이동시키면서 배선의 선단점(프론트)을 신장해 가는 동시에, 주사개시 방향으로 배치대상을 채워가는 방법이다.

배치대상에는 배선 콘택트, 핀, 트랜지스터 확산영역 또는 트랜지스터 확산영역 상의 금속선 인출 콤택트가 포함된다. 각 배치대상에는 배선 접속을 행하기 위한 단자가 각 배치대상의 주변부 또는 내부에 각각 설치된다.

단일 트랜지스터 또는 복수의 트랜지스터가 확산영역을 공유하여 이루어지는 일련의 확산영역과 이 확산영역 상의 배치대상의 집합을 확산섬이라 한다. 트랜지스터의 게이트 전극의 도중을 구부리는 게이트 굴곡의 최적화를 고려한 경우에, 좌측에 채워넣은 것의 이동 및 레이아웃 생성은 확산섬에 포함되는 배치대상 상호간의 위치관계를 동시에 고려할 수 있도록 확산섬의 위쪽을 통과하고, 이 확산섬과는 다른 배선층의 배선을 고려하면서 일괄적으로 시행하는 것이 바람직하다. 이 때문에 본 실시예에서는 스캔라인이 확산섬에 대응하는 배치대상의 우단에 도달했을때, 확산섬 내부의 레이아웃 생성처리를 시행한 후에 이 확산섬 전체를 좌측에 채워넣는 것으로 한다.

이하 콤팩션 및 레이아웃 생성의 전체 처리와 확산섬 내부의 레이아웃 생성방법에 대하여 설명하기로 한다.

(2. 1) 전체 처리

본 실시예의 개요를 블록의 배치대상의 좌측 채워넣기 이동과 배선의 생성이 동시에 진행되는 형태를 제2(a)도∼제2(e)도를 참조하여 설명하기로 한다.

우선, 제2(a)도에 도시된 바와 같이, 개략 배선경로는 배선의 통과점인 네트 타겟(5A, 5B)과 이 네트 타겟(5A, 5B)의 인접 리스트에 의해 표현되어 있다.

네트 타겟(5A, 5B)은 단자로 이루어지는 배선 접속점, 배선 분기점 및 배선영역 내에서의 배치대상과의 상하 위치관계를 나타낼 장소에 배치되어 있다. 도형이 배치되는 좌단의 경계를 포괄선(8)이라 부른다.

기본적인 개념은 스캔라인(6)이 새로운 단자를 스캔했을 때, 새로운 프론트를 스캔라인(6) 상에 설치하여 프론트(7)가 우측으로 인접하는 네트 타겟을 향하여 추적해가도록 이동하고, 또 이 프론트(7)가 이동한 궤적이 배선경로로 되도록 하는 것이다.

스캔라인(6)이 주사하는 위치는 블록의 우단 및 좌단, 배선 접속점 및 배선 분기점이다. 이들을 주사하는 순서는 콤팩션 전의 위치 관계에 의해 결정된다. 프론트(7)는 스캔라인(6)이 단자를 통과했을 때 스캔라인 상에 설치된다.

다음에 제2(b)도에 도시된 바와 같이, 스캔라인(6)을 오른쪽으로 이동하는 동시에 스캔라인(6)에 따라 프론트(7)를 네트 타겟(5A)을 향하여 이동시킨다.

프론트(7)의 이동에 따라 수직 배선을 형성하고, 이 수직 배선을 포괄하도록 포괄선(8)을 갱신한다.

다음에 제2(c)도에 도시된 바와 같이, 스캔라인(6)이 블록(1B)의 좌단을 스캔했을 때는 블록(1B)을 포괄선(8)을 향하여 좌로 이동시킨다. 이때, 블록(1B)이 확산섬의 일부를 표현하는 경우는 블록(1B)은 다른 복수의 블록과 링크되어 있기 때문에, 이 복수의 블록과 이 복수의 블록 위를 통과하는 배선에 관한 정보를 확산섬 내부 레이아웃 생성 수단에 통지하고, 확산섬 내부의 레이아웃 생성을 먼저 시행한 후, 이 확산섬에 관계하는 모든 도형을 좌측에 채워넣는다. 좌측에 채워진 블록은 지정된 층의 배선에 대하여 장해물(배선금지 영역(9))로서 취급된다. 즉, 스캔라인(6) 상의 배선금지 영역(9)에 지정된 층의 프론트(7)는 배선금지 영역(9)을 점프하여 이동할 수는 없다.

다음에 제2도(d)도에 도시된 바와 같이, 스캔라인(6)이 블록(1B)을 지나쳤을 때, 블록(1B)을 포괄하도록 포괄선(8)을 갱신한다. 그 후, 제2(e)도에 있어서, 프론트(7)는 네트 타겟(5B)에 도달한 시점에서 소멸한다.

제23도는 확산섬 내부 레이아웃 생성 수단에 통지되는 도형 정보의 일례를 도시하고 있다. 제23도에서 84는 포괄선, 6은 스캔라인, fr1은 프론트이다. 94는 네트 타겟(N4, N5, N6)을 갖는 제1 MOS 트랜지스터이며, 92는 네트 타겟(N8, N9, N11)을 갖는 제2 MOS 트랜지스터이다. 101은 제1 MOS 트랜지스터(94)와 제2 MOS 트랜지스터(95)가 확산영역을 서로 공유하여 이루는 확산섬이다. N7, N10 및 Nl2는 각각 배선 접속점으로 되는 네트 타겟이다.

본 실시예에 있어서는 트랜지스터의 상방을 다른 배선층이 통과할 수 있도록 개략 배선경로가 확산섬(101)의 상방을 통과할 수 있는 레이아웃 모델을 이용하고 있다. 예를 들면 금속배선을 어느 배선층에 설치한다고 상정한 경우에는 확산영역으로부터의 금속선 인출 콘택트는 배선의 장해가 될 수 있으나, 이 금속선 인출 콘택트와는 다른 층의 배선층, 예를 들면 폴리실리콘이나 확산영역 등은 장해가 되지 않으므로 금속배선의 개략 배선경로는 확산영역으로부터의 인출 콘택트만을 장해물이라고 인식하여 결정한다.

개략 배선경로와 배치대상의 경계상의 교점인 N1, N2 및 N3을 새롭게 네트 타겟으로서 정의하고, 확산섬 내부의 상세한 레이아웃을 시행하는 확산섬 내부 레이아웃 생성수단에 확산섬(101)의 도형 정보를 통지한다.

확산섬 내부 레이아웃 생성수단은 실제의 배선 처리를 시행하지 않고, 후에 콤팩션 처리에 있어서 프론트를 이동시킴으로써 배선이 생성되도록 금속배선 및 폴리실리콘 배선의 각각에 장해가 될 수 있는 블록의 리스트를 도형 정보를 통지한 통지원으로 되돌린다.

여기에서 생성된 블록의 집합은 상대 위치가 결정되어 있기 때문에 그 후의 이동은 시행되지 않지만, 콤팩션 전에 결정된 스캐닝의 순서에 따라 프론트의 이동 및 포괄선의 갱신을 시행함으로써 개략 배선으로 지정된 위치에 배선을 부설할 수 있다.

[처리 흐름]

제24도는 본 발명의 제2 실시예에 의한 콤팩션 방법을 도시한 흐름도이다.

제11도에 도시된 제1 실시예의 처리 흐름과 비교하면 공정 ST1에서 ST8까지가 공통이며, 블록을 좌측에 채워넣는 공정 ST5 대신 공정 ST101에서 공정 ST104 까지를 구비하고 있다.

즉, 블록의 좌단을 발견했을 때,

(1) 블록이 확산섬에 포함되는 경우이며, 이 블록이 확산섬의 좌단에 위치하는 경우,

(2) 블록이 확산섬에 포함되는 경우이며, 상기 (1) 이외의 경우,

(3) 블록이 확산섬에 포함되지 않고, 1번에 이동 등의 처리가 시행되는 배치대상인 경우,

중에서 경우에 따라 시행되는 처리를 교체한다.

(1)의 경우는 확산섬 생성 공정(ST104)에서 확산섬의 상층을 통과하는 배선영역의 확보와 확산섬 내부의 레이아웃 패턴을 생성한다.

(2)의 경우는 어느 처리도 시행되지 않는다.

(3)의 경우는 이 블록을 가능한 한 좌측에 채운다.

(2. 2) 확산섬 내부 레이아웃 생성

확산섬 내부 레이아웃 생성은 스캔라인이 확산섬으로 이루어지는 블록의 우단으로 이동했을 때에 실행되는 콤팩션의 서브 시스템이다. 이하, 확산섬 내부 레이아웃 생성수단의 기능과 처리 순서에 대하여 설명한다.

제25(a)도∼제25(c)도는 확산섬 내부 레이아웃 생성 공정에서의 레이아웃 방법을 도시하고 있다. 제25(a)도에서 111은 MOS 트랜지스터의 굴곡부(140)를 포함하는 굴곡 게이트, 112는 MOS 트랜지스터의 소스, 113은 MOS 트랜지스터의 드레인, 160은 MOS 트랜지스터의 확산영역에 설치된 확산 콘택트이다.

[기능]

(1) 굴곡 게이트 생성

제25(a)도에 도시된 바와 같이, 확산섬의 내부는 배치대상을 확산섬의 외부와는 독립하여 이동시킬 수 있기 때문에, MOS 트랜지스터의 게이트 형상으로 구부러진 형상을 갖는 굴곡 게이트(111)를 생성할 수 있다. 따라서 굴곡부(140)를 이동시킴으로써 드레인(113)의 용량을 저감시킬 수 있다.

(2) 확산영역 도형의 제어

제25(b)도에 도시된 바와 같이, 확산섬의 내부는 배치대상의 확산섬의 외부와는 독립하여 변경할 수 있기 때문에, 확산 콘택트(160)가 배치되어 있지 않은 확산영역(104)의 게이트 길이 방향(151)의 폭을 확산 콘택트(160)가 배치되어 있는 부분에 비하여 짧게 할 수 있다. 또 직렬 저항(130)이 상한을 넘지 않도록 게이트폭 방향의 사이즈를 제어한다. 이로써, 트랜지스터의 점유 면적과 드레인 용량을 저감시킬 수 있다.

(3) 확산섬 상층 통과 배선용 스페이스의 확보

제25(c)도에 도시된 바와 같이, 내부 레이아웃 생성 후에 확산섬의 상층을 통과하는 상층 통과 배선(102)이 설치된다. 여기에서는 미리 게이트 길이(151) 방향의 상층 통과 배선용 스페이스(103)를 확보할 수 있다.

[데이터 구조]

(1) 도형 요소

제26도는 확산섬을 구성하는 도형 요소를 표형식으로 나타내고 있다. 제27도에 확산섬의 일례와 그것에 속하는 도형 요소를 나타낸다. 160은 제26도의 번호 5로서의 확산 콘택트, 161은 제26도의 번호 1로서의 확산 좌단. 162는 제26도의 번호 2로서의 확산 우단, 163은 제26도의 번호 3으로서의 게이트 좌단, 164는 제26도의 번호 4로서의 게이트 우단을 각각 나타내고 있다. 변형 가능한 게이트와 확산영역은 게이트 좌단(163)의 게이트 길이 방향의 영역으로 되며, 게이트 우단(164)의 게이트 길이 방향의 영역으로 된다. 고정 형상의 확산 콘택트(160)는 블록으로서 나타내어지고, 확산섬의 상층을 통과하는 배선인 네트 타겟은 가상의 도형 요소로서의 블록(165)으로 나타내어진다.

(2) 디자인 롤

제27도에 도시된 바와 같이, 디자인 룰 중에서 본 실시예에서 고려되는 디자인 룰(109)은 최소 스페이싱(107), 최소 오버랩(108) 및 굴곡 게이트에서는 확산영역의 단부에서 굴곡부까지의 트랜지스터 폭방향의 최소 오버랩(108)이다.

(3) 배치금지 영역

제28(a)도∼제28(c)도에 도시된 바와 같이, 배치금지 영역(121)은 최소 스페이스 또는 최소 오버랩의 디자인 룰(109) 분량만큼 도형 요소(120)의 외부 방향으로 확대된 도형이며 다른 도형 요소의 침입을 방지하는 것을 목적으로 한다. 도형 요소(120)에 대하여 모든 디자인 룰(109)에 따라 해당 레이어의 배치금지 영역(121)을 작성한다.

(4) 벽

제29도에 도시된 바와 같이, 도형 요소를 좌로 이동할 수 있는 경계를 나타낸다. 각 레이어에 대하여 각각 벽(122)을 작성한다. 벽(122)은 콤팩션 처리 전체에 공통된 개념이다.

이하, 확산섬 내부 레이아웃 생성수단의 처리 순서를 설명한다.

확산섬을 구성하는 트랜지스터로 이루어지는 도형 요소에 대하여 배치영역의 좌단에 위치하는 도형 요소로부터 순서대로 이하의 처리를 반복한다.

(단계 S1) 도형 요소의 작성

트랜지스터를 구성하는 도형과 통과배선에 대하여 제26도에 도시된 도형 요소를 작성한다. 또 확산영역 상에 확산 콘택트(160)가 있는 경우는 이 확산 콘택트(160)에 관한 도형 요소를 작성하고, 확산영역의 좌단 및 우단에 대한 도형 요소를 작성하지 않는다. 배치영역의 좌단에 위치하는 도형 요소로부터 순서대로 (단계 S2)∼(단계 S5)의 처리를 반복한다.

(단계 S2) 벽의 초기화

우선 도형 요소를 주사하는 방향을 X축 방향, 이 X축에 대하여 수직인 방향을 Y축 방향으로 한다. 확산영역의 좌측에서 다른 트랜지스터와 확산영역을 공유하고 있는 경우는 공유 상대의 트랜지스터의 벽(122) 정보로부터, y축 방향의 범위가 공통하는 부분의 정보를 계승한다. 공통되지 않는 범위 및 좌측에서 확산영역을 공유하고 있지 않은 경우는 트랜지스터의 도형 요소(120) 중 가장 좌측에 위치하는 X좌표로 초기의 벽(122)을 작성한다.

(단계 S3) 도형 요소(120)를 좌측에 채움

(Case 1) 도형 요소(120)가 고정 형상인 경우, 벽(122)과 도형 요소(120)의 거리를 계산하고, 그 거리만큼 도형 요소(120)를 좌측에 채운다. 복수 레이어로 이루어지는 도형 요소(120)에 대해서는 레이어별로 거리를 구하고, 가장 작은 거리만큼 도형 요소를 좌로 이동한다.

(Case 2) 도형 요소가 게이트 좌단 또는 게이트 우단인 경우, 예를 들면 제29도에 도시된 바와 같은 굴곡 게이트를 생성하는 경우,

(단계 S3.1) 벽(122)의 굴곡부(140)를 보정하여 게이트의 굴곡부 형상을 결정한다.

(단계 S3.2) 게이트 좌단 또는 우단에서의 최소 오버랩 및 게이트보다 우측의 확산 콘택트(160)의 유무와, 위치에서 굴곡부(140)를 배치할 수 있는 수직방향의 배치가능 범위(141)를 구한다.

(단계 S3.3) 게이트(111)에 대한 소스(112)·드레인(113)의 좌우 위치관계에서 굴곡부의 배치 가능 범위(141) 내이며 가장 드레인(113) 측의 면적이 작아지는 위치에 굴곡부(140)를 배치하고, 게이트 좌단의 형상을 결정한다.

(단계 S3.4) 게이트 우단은 게이트 좌단을 게이트 길이(151) 만큼 우로 이동한 도형으로 한다.

(Case 3) 도형 요소(120)가 확산영역의 좌단 또는 우단인 경우는 이하의 확산 도형 생성의 처리 순서의 항에서 설명하기로 한다.

(단계 S4) 배치금지 영역(121)의 작성

좌측에 채워진 도형 요소(120)에 대하여 배치금지 영역(121)을 작성한다. 굴곡 게이트를 작성 가능하게 하게 때문에 확산 콘택트(160)에 대하여 작성하는 배치금지 영역(121) 중의 폴리실리콘층의 배치금지 영역에는 X축에 대하여 45도 방향의 형상을 허용한다.

(단계 S5) 벽(122)의 갱신

배치금지 영역(121)을 포괄하도록 벽(122)을 갱신한다. 전체 레이어의 벽(122)에 대하여 갱신한다,

이하 확산섬 내부의 확산섬형 생성의 처리 순서를 설명한다.

제30도에 도시된 바와 같이, 확산 콘택트(160)가 배치되어 있지 않는 확산영역의 게이트 길이 방향(151)의 폭(a)을 짧게 한다.

여기에서 확산 콘택트(160)가 배치되어 있지 않은 영역에서의 직렬 저항Rs(130)는 다음값에 근사하다.

Rs=r×b/a

여기에서 r은 확산영역의 시트 저항, a는 게이트 길이 방향의 확산영역의 폭, b는 콘택트가 배치되어 있지 않은 확산영역의 게이트폭 방향의 트랜지스터 폭으로 한다.

직렬 저항(Rs)이 소정의 상한값을 넘지 않도록 확산영역의 폭(a)과 오버랩(108) 중의 큰 값을 이용하여 배치금지 영역(121)을 작성하고, 확산 도형을 생성한다.

제31(a)도∼제31(h)도는 확산섬 내부 레이아웃 생성수단의 처리의 흐름의 전체를 구체예를 이용하여 도시하고 있다. 제31(a)도에 도시된 바와 같이 입력 데이터는 게이트(111), 소스(112), 드레인(113), 소스(112) 또는 드레인(113) 상에 설치되어 있는 확산 콘택트(160) 및 개략 배선경로와 배치대상의 경계상의 교점인 네트 타겟(N1, N2, N3)이다.

다음에 제31(b)도에 있어서, 입력 데이터에 대하여 도형 요소의 추출을 행한다. 제31(b)도에 도시된 바와 같이, 게이트(111)로부터 각각 게이트 좌단(163)과 게이트 우단(164)이 추출되고, 소스(112)로부터 확산 좌단(161)이 추출되고, 드레인(113)으로부터 확산 우단(162)이 추출된다. 또 확산섬의 상층을 통과하는 배선으로 이루어지는 블록(165)이 게이트 우단(164)과 확산 콘택트(160) 사이에 추출된다.

다음에 제31(c)도에 도시된 바와 같이, 벽(122)이 초기화되고, 제31(d)도에 도시된 바와 같이 배치금지 영역(121)에 따르도록 벽(122)의 갱신을 행한다. 이어서 제31(e)도 및 제31(f)도에 도시된 바와 같이, 드레인의 용량을 저감시킬 수 있는 최적의 위치에 게이트 변형의 위치를 결정한 후, 제31(g)도에 도시된 바와 같이, 확산섬의 상층을 통과하는 상층 통과 배선을 위한 영역을 확보하고, 상층 통과 배선용 영역의 우단으로부터 디자인 룰에 맞는 만큼 우방향으로 벽(122)을 이동시켜 갱신한다. 그 후, 상층 통과 배선용 영역의 우측에 인접하는 확산 콘택트(160)를 좌측에 채운다. 제31(h)도는 확산섬의 내부의 레이아웃 생성이 종료된 상태를 나타내고 있다.

이와 같이 본 실시예에 의하면 각 트랜지스터가 확산영역을 공유하는 확산공유 영역을 확산섬이라 정의하고 있기 때문에, 이 확산섬 내부를 독립하여 레이아웃할 수 있으므로 확산섬 내의 디자인 룰과 확산섬 외의 디자인 룰이 다른 경우라도 확산섬 내의 레이아웃을 확실하게 최적화할 수 있다.

또 확산섬의 상층을 통과하는 상층 통과 배선을 고려하고 있기 때문에 더욱 적합한 콤팩션을 실현할 수 있다.

또 본 실시예에 의한 콤팩션 방법을 이용하는 콤팩션 장치는 이상 설명한 ST1∼ST8 및 ST101∼ST104의 각 공정을 각각 실현하는 수단을 구비하고 있다.

[제3 실시예]

이하, 본 발명에 의한 제3 실시예를 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

본 실시예는 확산섬 내의 레이아웃 생성을 마친 후, 그 시점에서는 확산섬내의 레이아웃 자체는 당연히 디자인 룰을 만족하는 상태에 있다. 그 후, 주위 배선과의 사이에서 디자인 룰 에러가 생긴 경우에 확산섬 내의 레이아웃을 수정하여 디자인 룰 에러를 해소하는 것을 목적으로 한다.

제32도, 제33(a)도, 제33(b)도 및 제34(a)도, 제34(b)도는 제3 실시예에 의한 콤팩션 방법을 도시하고 있다. 제32도에서 블록 33A와 블록 33B는 각각 트랜지스터로서, 각 트랜지스터 확산영역은 공유되어 확산섬을 형성하고 있다. N1∼N6은 네트 타겟이다. 스캐닝 포인트(85)는 스캔라인(6)을 순차 정지시키는 위치이다. 제1 확산영역(114)은 전원에 접속되는 확산영역을 나타내고, 제2 확산영역(115)은 전원에 접속되지 않는 확산영역을 나타낸다. 도면을 간단히 하기 위해 폴리실리콘층의 포괄선(84)만을 도시한다.

지금 확산섬 내부의 레이아웃 생성을 시행한다고 하자. 제32도에 도시된 바와 같이, 스캔라인(6)이 블록 33A의 좌변을 스캔하기 시작한다. 콤팩션 결과를 제33(a)도에 도시한다. 제32도에 도시된 확산섬에 비교하여 확산섬 전체의 스캔방향의 폭이 적어져 있는 것을 알 수 있다. 또, 제33(a)도에 도시된 스캔라인(6)은 네트 타겟(N1)을 스캔하고 있다. 네트 타겟(N1) 위에 프론트(fr1)를 생성한 후, 네트 타겟(N1)의 링크선의 네트 타겟(N2)에 가까워지는 방향으로 프론트(fr1)를 스캔라인(6) 상에서 수직 이동시킨다. 이 프론트(6)의 수직 이동분을 배선경로로서 추가하고, 이 배선 경로를 포함하도록 포괄선(84)을 갱신한다.

다음에 제33(b)도에 도시된 스캔라인(6)은 블록 33A의 우변파 네트 타겟(N2)을 주사하는 동시에, 블록 33A를 포함하도록 포괄선(84)을 갱신한다. 또 네트 타겟(N2)에 가까워지는 방향으로 프론트(fr1)를 스캔라인(6) 상에서 수직 이동시킨다. 이 프론트의 수직 이동분을 새로운 배선경로로서 추가한 후, 포괄선(84)을 갱신한다.

제34(a)도에 도시된 스캔라인(6)은 네트 타겟(N3)을 스캔하고 있다. 네트 타겟(N3) 상에 프론트를 생성하고, 네트 타겟(N3)으로부터 다음에 링크되는 네트 타겟(N4)으로 향하는 프론트를 인출하고자 하지만, 네트 타겟(N1) 및 네트 타겟(N2)을 연결하는 배선경로를 네트 타겟(N3)과는 그 거리가 너무 가까워서 디자인 룰 에러가 생기고 있다.

이 디자인 룰 에러를 해소하기 위해 제34(b)도에 도시된 바와 같이, 디자인 룰 에러가 해소되는 위치까지 네트 타겟(N3)과 이 네트 타겟(N3)보다 우측의 모든 확산섬의 구성 요소를 우방향으로 각각 동일 거리만큼 이동시킨다. 이로써, 제2 확산영역(115)이 확장되어 디자인 룰 에러가 해소되어 있는 것을 알 수 있다.

제35도에 본 실시예에 의한 콤팩션 방법을 이용한 다른 예를 도시한다. 제35도에서 확산섬(101)은 네트 타겟(N1∼N4)과 각각 콘택트로 이루어지는 블록(33C, 33D)을 포함하고 있다. 이들 블록(33C, 33D)은 확산섬(101)의 내부의 레이아웃 생성시에 일단은 그들의 위치가 결정되어 있다. 포괄선(84)은 이 예에서는 금속배선층의 포괄선을 나타내고 있다.

제35(a)도에 있어서, 스캔라인(6)은 블록(33D)의 좌변을 스캔하고 있는 상태이며, 네트 타겟(N2)과 네트 타겟(N3)을 연결하는 배선경로와 블록(33D)의 좌변의 거리가 너무 가까워 디자인 룰 에러가 생기고 있다.

제35(b)도에 도시된 바와 같이, 디자인 룰 에러가 해소되는 위치까지 블록(33D)과 이 블록(33D)보다 우측의 모든 확산섬의 구성 요소를 우방향으로 각각 동일한 거리만큼 이동시키고 있다.

이와 같이 본 실시예에 의하면, 각 트랜지스터가 확산영역을 공유하는 확산공유 영역을 확산섬으로 정의하고 있기 때문에 이 확산섬 내부를 독립하여 레이아웃할 수 있으므로, 확산섬 내의 디자인 룰과 확산섬 외의 디자인 룰이 다른 경우라도 확산섬 내의 레이아웃을 확실하게 최적화할 수 있다.

또 확산섬의 상층을 통과하는 상층 통과 배선을 고려하고 있기 때문에 보다 적합한 콤팩션을 실현할 수 있다.

또 확산섬의 내부에 디자인 룰 에러가 생겼을 때 이 에러를 해소하는 공정을 구비하고 있기 때문에, 사람이 직접 설계한 것에 가까운 양호한 콤팩션 결과를 얻을 수 있다.

또 본 실시예에 의한 콤팩션 방법을 실현하는 콤팩션 장치는 이상 설명한 확산섬의 내부에 생기는 디자인 룰 에러를 해소하는 수단을 구비하고 있다.

[제4 실시예]

이하, 본 발명의 제4 실시예에 의한 콤팩션 방법을 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

일반적으로 CMOS 회로에 있어서, 회로의 지연 시간은 회로 내의 저항과 용량의 곱에 비례하여 커진다. 트랜지스터의 기생 용량은 확산영역의 면적에 비례하여 증가한다. 따라서 트랜지스터의 확산 면적을 가능한 한 작게 설계할 필요가 있다. 예외적으로 전원에 접속되는 확산영역의 면적은 지연 시간에 영향을 주지 않는다.

본 실시예는 콤팩션 처리의 도중에서 디자인 룰 에러를 검출한 경우에 전원에 접속되는 확산영역의 면적의 증가만으로 디자인 룰 에러가 해소되는 위치에까지 처리를 거슬러 올라가서, 거슬러 올라간 시점에서 스캔되어 있는 블록 또는 배선접속점과 그 해당 블록 또는 해당 배선 접속점보다 우측의 모든 확산섬의 구성 요소를 우방향으로 각각 동일한 거리만큼 이동시킴으로써 디자인 룰을 만족하도록 한다.

이하, 제34(a)도, 제34(b)도, 제36(a)도, 제36(b)도 및 제37(a)도, 제37(b)도를 이용하여 디자인 룰 에러를 해소하는 방법을 설명한다.

제34(a)도에 도시된 바와 같이, 스캔라인(6)은 네트 타겟(N3)을 스캔하고 있다. 네트 타겟(N3) 상에 프론트를 생성하고, 네트 타겟(N3)으로부터 다음에 링크되어 있는 네트 타겟(N4)으로 향하는 프론트를 인출하고자 하지만, 상술한 바와 같이 네트 타겟(N1) 및 네트 타겟(N2)을 연결하는 배선경로와 네트 타겟(N3)은 그 거리가 너무 가까워 디자인 룰 에러가 일어나게 된다.

이 디자인 룰 에러를 해소하기 위해 제34(b)도에 도시된 바와 같이 네트 타겟(N3)과 이 네트 타겟(N3)보다 우측에 위치하는 모든 확산섬의 구성 요소를 디자인 룰 에러를 일으키지 않게 되는 위치까지 우방향으로 이동시킨 경우에는, 전원에 접속되지 않는 제2 확산영역(115)의 면적이 커지기 때문에 회로의 지연 시간이 증대된다.

따라서 제34(b)도에 도시된 방법을 채택하지 않고, 전원에 접속되어 있는 확산영역의 면적을 증가시키는 것만으로 이 디자인 룰 에러가 해소되는 위치까지 처리를 거슬러 올라간다.

본 실시예에서는 제36(a)도에 도시된 바와 같이, 스캔라인(6)이 네트 타겟(N1)을 스캔한 시점으로까지 거슬러 올라간다. 다음에 네트 타겟(N1)과 상기 네트 타겟(N3)보다 우측의 모든 확산섬의 구성 요소를 우방향으로 각각 동일한 거리만큼 이동시킨다. 그 결과를 제36 (a)도에 도시한다.

이 이동에 의해 전원에 접속되는 제1 확산영역(114)의 면적이 원래에 비하여 커져 있는 것을 알 수 있다. 그러나 이것이 지연 시간에 악영향을 미치지는 않는다.

다음에 제36(b)도에 도시된 스캔라인(6)은 블록(33A)의 우변과 네트 타겟(N2)을 주사하는 동시에, 블록(33A)을 포함하도록 포괄선(84)을 갱신한다. 그후, 네트 타겟(N2)에 가까워지는 방향으로 프론트(fr1)를 스캔라인(6)에 따라 수직 이동시킨다. 이 프론트(6)의 수직 이동분을 배선경로로서 추가한 후, 다시 포괄선(84)을 갱신한다.

다음에 제37(a)도에 도시된 스캔라인(6)은 네트 타겟(N3)을 스캔하고 있다. 네트 타겟(N3) 위에 프론트(fr2)를 생성한 후, 네트 타겟(N3)의 링크선의 네트 타겟(N4)에 가까워지는 방향으로 프론트(fr2)를 스캔라인(6)에 따라 수직 이동시킨다. 이 프론트(6)의 수직 이동분을 배선경로로서 새롭게 추가하고, 다시 포괄선(84)을 갱신한다. 그 후, 제37(b)도에 도시된 스캔라인(6)은 네트 타겟(N4)을 스캔하고 있다.

이와 같이 본 실시예에 의하면 각 트랜지스터가 확산영역을 공유하는 확산공유 영역을 확산섬이라 정의하고 있기 때문에 이 확산섬 내부를 독립하여 레이아웃할 수 있으므로 확산섬 내의 디자인 룰과 확산섬 외의 디자인 룰이 다른 경우라도 확산섬 내의 레이아웃을 확실하게 최적화할 수 있다.

또 확산섬의 상층을 통과하는 상층 통과 배선을 고려하고 있기 때문에 더욱 적합한 콤팩션을 실현할 수 있다.

또 확산섬의 내부에 디자인 룰 에러가 생겼을 때, 후복귀 처리에 의해 전원에 접속되는 제1 확산영역(114)의 면적을 크게 함으로써, 지연 시간에 악영향을 미치지 않고 디자인 룰 에러를 해소할 수 있기 때문에 더욱더 사람이 직접 설계한 것에 가까운 양호한 콤팩션 결과를 얻을 수 있다.

또 본 실시예에 의한 콤팩션 방법을 실현하는 콤팩션 장치는 이상 설명한 확산섬의 내부에 생기는 디자인 룰 에러를 해소하는 수단을 구비하고 있다.

[제5 실시예]

이하, 본 발명의 제5 실시예에 의한 개략 배선방법을 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 본 실시예는 제8도에 도시된 바와 같은 네트 타겟의 접속에 의해 추상화되는 개략 배선경로를 구하는 개략 배선방법이다.

상기 제1 또는 제2 실시예에서 설명한 콤팩션 방법을 실현할 때, 트랜지스터의 배치만이 주어져 있어 기존 배선이 존재하지 않는 경우나 트랜지스터의 배선에 변경이 있어서 기존의 배선경로를 다시 구할 필요가 있는 경우 등에 효과적이다. 개략 배선경로를 구하는 방법은 기본적으로는 상기 제1 또는 제2 실시예의 콤팩션 방법과 마찬가지로 스캔라인을 이용한다. 배치대상이 배치되는 배치영역의 좌단으로부터 우단으로 향하여 스캔라인을 주사하는 도중에, 스캔방향에 대하여 수직인 가상선인 스핏 상에 이 스핏을 좌우로 횡단할 필요가 있는 배선에 대하여 네트 타겟을 생성한다.

제38도 및 제39도는 본 발명의 제5 실시예에 의한 개략 배선방법을 도시한 플로우챠트이다.

우선, 제4(a)도에 도시된 바와 같은 초기 상태를 도입한다. 트랜지스터(31A, 31B,‥‥) 또는 콘택트(32)에 대응하는 블록(33)과 블록형상의 단자(34)가 부여된다. 각 단자(34)에는 같은 전위에 연결할 대상이 되는 단자의 집합을 식별하기 위한 네트 식별자가 각각 부여되고 있다. 기존의 배선은 배선요소(35) 또는 배선 접속점(36)에 의해 표현되지만, 개략 배선을 구하는 경우에는 이들 기존 배선 정보는 모두 삭제한 것을 초기 상태로 한다.

다음으로, 제38도에 도시된 공정(ST201)에 있어서, 블록상의 단자(34)에 대응하여 각 단자(34)의 위치에 각각 네트 타겟을 설정한다. 각 네트 타겟의 네트 식별자의 값은 동일 위치의 단자의 네트 식별자의 값으로 한다.

다음으로 공정(ST202)에서 제9도에 도시된 바와 같은 스캔라인(81)을 배치영역의 좌단에 설치하고, 스캔라인(81)이 주사하는 포인트, 즉 스캐닝 포인트 리스트를 구한다. 스캐닝 포인트 리스트는 각 단자(34)의 위치와 제7도 또는 제8도에 도시된 수직방향의 가상선인 각 스핏(61)의 위치를 배치영역의 좌단측으로부터 순서대로 분류하여 생성된다.

다음에 공정(ST203) 이후에서, 스캔라인(81)을 스캐닝 포인트 리스트의 각 스캐닝 포인트가 나타내는 위치에 따라 우방향으로 순서대로 이동시키면서 이하의 처리를 행한다.

즉 공정(ST204)에 있어서, 스캔라인(81) 상에서 서로 인접하는 2개의 프론트가 동일 방향을 향하고 있고, 동일층이면서 동일 네트인 경우에 2개의 프론트를 병합하도록 이 2개의 프론트에 대응한 네트 타겟을 링크하는 포인터를 설치한 후, 이 2개의 프론트 중 한쪽의 프론트를 스캔라인(81)으로부터 삭제한다. 네트 타겟의 링크는, 예를 들면 제8도에 도시된 네트 타겟(62A)과 네트 타겟(62C)을 연결하고 있는 점선의 쌍방향 화살표로 표현된다.

다음에 제39도에 도시된 공정(ST205)에 있어서, 스캔라인(81)이 스캔한 위치가 단자(34)의 위치이며, 또 스캔라인(81) 상에 단자(34)와 동일 네트에 속하는 적어도 1개의 프론트가 존재하는 경우에, 복수개인 경우는 이 복수개의 프론트중의 단자(34)에 가장 가까운 프론트(F)를 선택한다. 그 후, 이 단자(34)에 대응하는 네트 타겟과 선택된 프론트(F)에 대응하는 네트 타겟을 링크한다.

다음에 공정(ST206)에 있어서, 스캔라인(81)이 스캔한 위치가 단자(34)의 위치이며, 또 스캔라인(81) 상에 단자(34)와 동일 네트에 속하는 프론트가 존재하지 않는 경우에 스캔라인(81) 상에 프론트를 신설한다 그 후, 단자(34)와 동일 네트 식별자를 이 프론트에 부여하고, 이 프론트와 단자(34) 상의 네트 타겟을 대응시킨다.

또 제38도에 도시된 공정(ST207) 또는 공정(ST208)에 있어서, 스캔라인(81)이 스핏(61)의 위치에 있는 경우에는 이 스핏(61) 상의 네트 타겟(NT)언1 대하여 이하의 조작을 행한다.

즉, 공정(ST207)에 있어서, 네트 타겟이 속하는 네트가 N이며, 또 스캔라인(81) 상에 이 네트(N)에 속하는 프론트가 존재하지 않는 경우에, 스캔라인(81) 상에 네트(N)의 프론트를 신설하고, 단자(34)와 동일한 네트 식별자를 프론트에 부여하고, 상기 프론트와 단자(34) 상의 네트 타겟을 대응시킨다.

공정(ST208)에 있어서, 스캔라인(81) 상에 네트(N)에 속하는 프론트가 존재하는 경우에, 이 프론트에 대응하는 네트 타겟과 스핏(61) 상의 네트 타겟(NT)을 링크하는 조작을 행한다.

다음으로 제39도에 도시된 공정(ST209)에 있어서, 스캔라인(81) 상에 네트(N)의 프론트가 존재하고, 또 스핏(61) 상에 이 네트(N)에 속하는 네트 타겟이 존재하지 않는 경우에, 스핏보다 우측이고, 네트(N)에 속하는 네트 타겟을 찾고, 네트 타겟이 발견된 경우는 네트 타겟 위치의 스캔방향에 대하여 수직방향의 위치를 도시하는 수직좌표 위치에 가까워지도록 프론트(F)를 스캔라인(81)에 따라 이동시킨다. 네트 타겟이 발견되지 않은 경우에는 프론트(F)의 수직좌표 위치를 이동시키지 않고, 프론트(F)와 동일 수직좌표 위치에 있는 네트 타겟(NT)을 스핏(61)상에 신설함으로써 프론트(F)와 신설된 네트 타겟(NT)을 대응시킨다.

다음으로 교차배선 최적화공정으로서의 공정(ST210)에 있어서, 동일 배선층(=동일 레이어)에 있어서 복수의 배선이 서로 교차하는 위치인 배선 교차 위치의 최적화를 행한다. 구체적인 조작으로서 네트 타겟의 순번을 교체하는 교체 조작, 또는 배선층과 이 배선층과는 다른 그 밖의 배선층이 접속되는 위치, 예를 들면 콘택트를 나타내는 위치인 레이어 변경점의 위치를 이동시키는 이동 조작이 고려된다. 이들의 조작을 시뮬레이티드·어닐링법이나 글리디법 등의 반복 개선법을 이용하여 어느 평가 함수(Fc)의 값을 최소화함으로써 최적화한다. 반복 개선법에 이용하는 최적화의 평가 지표에 하기의 평가 함수(Fc)를 이용한다.

[평가함수 Fc]

스핏(S)은 스핏 상에 존재하는 동일 레이어 블록의 개수 및 네트 타겟의 개수로부터 동일 레이어에 있어서의 배치영역의 혼잡도(Ds)를 계산한 값을 가지고 있다. 다만, 스핏의 우측에 인접하는 영역에서 배선의 교차가 있었을 경우에는 배선의 교차를 해소하기 위하여 콘택트의 발생이 필요하게 되므로, 콘택트의 발생에 의한 배선 혼잡도의 증가분을 계산하여 혼잡도(Ds)에 가산한다. 재배선에 의한 개선시의 평가함수로서는, 다음의 식(Fc)을 이용한다.

Fc = Max(Ds) ‥‥ (1)

제40(a)도 및 제40(b)도는 본 실시예에 관한 개략 배선방법의 네트 타겟을 교체하는 조작의 순서를 나타내고 있다. 제40(a)도에 있어서, 스핏(61A) 상에 네트 타겟(62D, 62E)이 있고, 스핏(61B) 상에 네트 타겟(62F, 62G)이 있으며, 스핏(61C) 상에 네트 타겟(62H, 62I)이 있다. 제40(a)도에 도시된 바와 같이, 스핏(61B)의 좌측 영역에서, 네트 타겟(62D)과 네트 타겟(62G)을 접속하는 배선과 네트 타겟(62E)과 네트 타겟(62F)을 접속하는 배선에 교차가 생기고 있다. 한편, 제40(b)도에 도시된 바와 같이, 스핏(61B) 상에 있는 네트 타겟(62F)과 네트 타겟(62G)을 교체하면, 스핏(61B)의 우측 영역에서 네트 타겟(62G)과 네트 타겟(62I)을 접속하는 배선과 네트 타겟(62F)과 네트 타겟(62H)을 접속하는 배선에 교차가 생긴다. 이 경우, (a) 및 (b) 중 어느 경우를 선택할 것인지는 스핏(61B)의 우측 또는 좌측의 배선 혼잡도에 의존한다. 즉, 가능한 한 혼잡도(Ds)가 낮은 곳에 배선 교차를 설정하는 편이 바람직하다. 상기 식 (1)을 이용함으로써 이와 같은 가장 적합한 평가를 실현할 수 있음은 분명하다.

제41(a)도 및 제41(b)도는 본 실시예에 의한 개략 배선방법의 레이어 변경점의 이동 조작 순서를 나타내고 있다. 제41(a)도에 있어서, 스핏(61A) 상에 네트 타겟(62D)이 있고, 스핏(61B) 상에 배선층을 변경하는 레이어 변경점으로 되는 콘택트(32)가 있으며, 스핏(61C) 상에 네트 타겟(62E)이 있다. 스핏(61A)의 좌측 영역에는 네트 타겟(62D)에 접속되는 금속배선(201)이 설정됨과 동시에, 네트 타겟(62D)과 콘택트(32)를 접속하는 금속배선이 설치되어 있다. 콘택트(32)와 네트 타겟(62E)은 금속배선(201)과는 배선층이 다른 폴리실리콘 배선(202)에 의해 접속된다. 한편, 제41(b)도에 도시된 바와 같이, 스핏(61B) 상에 있는 콘택트(32)의 위치를 이 스핏(61B)의 좌측으로 이동시킴으로써, 스핏(61A)의 좌측 영역에서 콘택트(32)에 접속되는 금속배선(201)이 설치된다. 또 콘택트(32) 및 네트 타겟(62D)은 금속배선(201)과는 배선층이 다른 폴리실리콘 배선(202)에 의해 접속되고, 네트 타겟(62D, 62E)도 폴리실리콘 배선(202)에 의해 접속된다. 이로써, 스핏(61A, 61B) 사이에서 배선층이 변경되기 때문에, 스핏(61A, 61B)에 있어서의 혼잡도(Ds)가 변한다. 따라서, 상기 식 (1)을 이용함으로써 가장 적합한 평가를 실현할 수 있음은 분명하다.

다음으로 배선 우회 공정으로서의 공정(ST211)에 있어서, 동일한 배선층에 있어서의 배선의 교차가 남았을 경우에, 교차하는 한쪽의 배선경로에 콘택트를 설정하여 이 배선층과 다른 배선층으로 우회시키도록 변경을 가한다.

이와 같이, 본 실시예에 의하면, 배선영역의 스핏에 대하여 평행하게 배치되고, 배선요소가 배치되어야 할 선 상의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인이 새로운 네트 타겟을 스캔했을 때 새로운 프론트를 스캔라인 상에 설치하고, 프론트가 우측에 인접하는 네트 타겟을 향하여 추적해 가도록 이동하고, 또 이 프론트가 이동한 궤적이 배선경로로 되도록 한다. 이로써, 배치대상이 변경되고 재배선을 실시한 경우에도 배선의 변형을 가능한 한 억제할 수 있으므로, 배선의 면적을 최소화할 수 있다.

또 본 실시예에 의한 개략 배선방법을 이용하는 개략 배선장치는 이상 설명한 ST201∼ST211의 각 공정을 각각 실현하는 수단을 구비하고 있다.

상술한 바와 같이 본 발명의 제1 콤팩션 방법에 의하면, 부품을 추상화한 블록의 배치를 최적화할 수 있는 동시에, 블록을 콤팩션하고 또 배선을 새롭게 다시 접속하기 때문에, 불필요한 배선의 굴곡을 줄일 수 있으므로 배선의 면적을 적게 할 수 있다. 또 부품의 배치가 변화한 경우에도 재배선을 실시함으로써, 배선의 굴곡을 가능한 한 억제할 수 있고, 또 굵기가 다른 배선을 효과적으로 콤팩션하는 것도 가능하게 된다.

제1 콤팩션 방법에 있어서, 제1 추상화 공정은 제1 부품이 CMOS 트랜지스터이고, 또 이 CMOS 트랜지스터가 복수의 블록으로서 구성되는 경우에, 복수의 블록을 수평방향 또는 수직방향으로 상대 이동시키는 공정을 포함하면, CMOS 트랜지스터가 복수의 블록으로서 구성되기 때문에, 복수의 블록을 서로 수평방향 또는 수직방향으로 이동시킬 수 있어 더욱 최적한 콤팩션이 가능하게 된다.

제1 콤팩션 방법에 있어서, 제2 추상화 공정이 추상화된 배선요소 및 배선 접속점을 배치영역에 배치하는 동시에, 배선이 분기하는 분기점으로 되는 배선 접속점과 가상선 및 배선요소의 교점을 다른 네트 타겟에 설정하여, 배선 접속 정보에 기초하여 네트 타겟간의 인접관계를 정의하는 공정을 포함하면, 콘택트가 블록의 내부에 각 단자를 갖는 배선층이 다른 2개의 블록으로 구성되기 때문에, 다층배선을 확실하게 실현할 수 있다.

제1 콤팩션 방법에 있어서, 제2 추상화 공정이 추상화된 배선요소 및 배선 접속점을 배치영역에 배치하는 동시에 배선이 분기하는 분기점으로 되는 배선 접속점과 가상선 및 배선요소의 교점을 다른 네트 타겟에 설정하여, 배선접속 정보에 기초하여 네트 타겟간의 인접관계를 정의하는 공정을 포함하면, 배선이 분기하는 분기점으로 되는 배선 접속점을 네트 타겟으로서 추가로 갖기 때문에, 배선이 단자간의 도중에서 분기하는 경우에 있어서도 확실하게 배선이 가능하게 된다.

본 발명의 제1 콤팩션 장치에 의하면, 부품을 추상화한 블록의 배치가 최적화됨과 동시에, 블록을 콤팩션하면서 새롭게 배선이 다시 접속되기 때문에, 불필요한 배선의 굴곡이 감소되므로 배선의 면적이 적어진다.

또 부품의 배치가 변화한 경우에도 재배선을 실시함으로써 배선의 굴곡을 가능한 한 억제할 수 있고, 또 굵기가 다른 배선을 효과적으로 콤팩션하는 것도 가능하게 된다.

본 발명의 제2 콤팩션 방법에 의하면, 확산섬 내부의 레이아웃 생성 처리와 전체의 콤팩션 처리를 계층적으로 다를 수 있기 때문에, 트랜지스터의 게이트의 굴곡이나, 확산 콘택트 위치의 최적화 등의 복잡한 레이아웃에도 대응할 수 있다. 이로써, 사람이 직접 설계한 것에 가까운 양호한 콤팩션 결과를 얻을 수 있다.

제2 콤팩션 방법에 있어서, 확산섬 설정공정에 있어서 확산섬은 그 구성요소에 게이트, 확산영역, 이 확산영역에 설치된 확산 콘택트 또는 상층을 통과하는 배선을 위한 통과배선 영역을 갖고 있으며, 확산섬 내부 레이아웃 생성공정은 확산섬을 게이트 및 확산영역에서의 한 변과, 이 한 변과 대향하는 타변과, 확산 콘택트와, 통과배선 영역에서의 스캔라인에 대한 수직성분으로 되는 블록을 이용하여 추상화하는 공정과, 구성요소 중의 가장 주사 개시측에 위치하는 구성요소로부터 디자인 룰을 만족하도록 주사개시 방향으로 순차 콤팩션하는 공정을 포함하면, 확산섬 내부의 콤팩션을 확실하게 행할 수 있다.

제2 콤팩션 방법에 있어서, 확산섬 설정공정에 있어서 확산섬은 그 구성요소에 게이트, 확산영역, 이 확산영역에 설치된 확산 콘택트 또는 상층을 통과하는 배선을 위한 통과배선 영역을 갖고 있으며, 확산섬 내부 레이아웃 생성공정은 복수의 블록 중 가장 주사 개시측에 위치하는 블록으로부터 디자인 룰을 만족하도록 주사개시 방향으로 순차 콤팩션하는 공정과, 스캔라인이 확산섬의 블록에 위치하면서 스캔라인이 위치하는 블록과 확산섬의 주변부의 배선간에 디자인 룰 에러가 발생하는 경우에, 디자인 룰 에러를 해소하도록 스캔라인이 위치하는 블록과 이 블록보다 반주사 개시측에 위치하는 확산섬 내의 다른 블록을 반주사개시 방향으로 동일 거리만큼 이동시키는 공정을 포함하면, 스캔라인이 위치하는 확산섬 내부의 블록과 확산섬의 주변부의 배선간에 디자인 룰 에러가 발생하는 경우에, 스캔라인이 위치하는 블록과 이 블록보다 반주사 개시측에 위치하는 확산섬의 다른 블록을 반주사 개시 방향으로 동일 거리만큼 이동시킴으로써, 디자인 룰 에러를 해소하기 때문에, 더욱 확실하게 레이아웃의 최적화를 도모할 수 있다.

제2 콤팩션 방법에 있어서, 확산섬 설정 공정에서 확산섬은 그 구성요소에 게이트, 확산영역 또는 이 확산영역에 설치된 확산 콘택트로 되는 복수의 블록을 갖고, 배선 및 콤팩션 공정은 각 공정마다에 각 공정의 처리와 처리결과를 보존하는 보존 공정을 포함하며, 확산섬 내부 레이아읏 생성공정은 복수의 블록 중 가장 주사 개시측에 위치하는 블록으로부터 디자인 룰을 만족시키도록 주사개시 방향으로 순차 콤팩션하는 공정과, 스캔라인이 확산섬의 블록에 위치하면서 스캔라인이 위치하는 블록과 확산섬의 주변부의 배선사이에 디자인 룰 에러가 생기는 경우에, 보존 공정에서 보존된 처리와 이 처리 결과에 기초하여 전원 배선에 접속되는 확산 영역으로 되는 블록의 면적을 확대시키는 것에 의해 디자인 룰 에러가 해소되는 시점까지 보존 공정을 거슬러 올라가서, 거슬러 올라간 시점에 주사된 스캔라인이 위치하는 블록과 이 블록보다 반주사 개시측에 위치하는 확산섬내의 다른 블록을 반주사 개시 방향으로 동일 거리만큼 이동시키는 공정을 포함하면, 스캔라인이 위치하는 확산섬 내부의 블록과 확산섬 주변부의 배선 사이에 디자인 룰 에러가 생겼을 경우에, 전원 배선에 접속되는 확산영역으로 이루어지는 블록의 면적을 확대시킴에 의해 디자인 룰 에러가 해소될 때까지 처리를 거슬러 올라가서, 스캔라인이 위치하는 블록과 이 블록보다 반주사 개시측에 위치하는 확산섬 내의 다른 블록을 반주사 개시 방향으로 동일 거리만큼 이동시킴으로써 디자인 룰 에러를 해소하기 때문에, 트랜지스터의 지연 시간을 증대시키지 않고, 보다 확실하게 레이아읏의 최적화를 도모할 수 있다.

본 발명의 제2 콤팩션 장치에 의하면, 확산섬 내부의 레이아웃 생성처리와 전체의 콤팩션 처리를 계층적으로 다룰 수 있기 때문에, 트랜지스터의 게이트 변형이나, 확산 콤팩트의 위치 최적화 등의 복잡한 레이아웃에도 대응할 수 있다. 이로써, 사람이 직접 설계한 것에 가까운 양호한 콤팩션 결과를 얻을 수 있다.

본 발명의 배선방법에 의하면, 배선을 새롭게 다시 접속하기 때문에, 불필요한 배선의 굴곡을 줄일 수 있으므로, 배선의 면적을 적게 할 수 있다.

본 발명의 배선방법에 있어서, 제1 추상화 공정은 제1 부품이 CMOS 트랜지스터이고 이 CMOS 트랜지스터가 복수의 블록으로 구성되는 경우에 복수의 블록을 수평방향 또는 수직방향으로 상대 이동시키는 공정을 포함하면, CMOS 트랜지스터가 복수의 블록으로 구성되기 때문에 복수의 블록을 서로 수평방향 또는 수직방향으로 이동시킬 수 있고, 더욱 최적한 배선이 가능하게 된다.

본 발명의 배선방법에 있어서, 제1 추상화 공정에서 제2 부품이 콘택트되고, 이 콘택트는 배선층이 서로 다르고 블록의 내부에 각 단자를 갖는 복수의 블록으로 구성되어 있고, 배선 접속점은 동일 배선층내의 배선요소만 접속시키면, 콘택트가 블록의 내부에 각 단자를 갖는 배선층이 다른 2개의 블록으로 구성되기 때문에, 다층 배선을 확실하게 실현할 수 있다.

본 발명의 배선방법에 있어서, 제2 추상화 공정은 추상화된 배선요소 및 배선 접속점을 배선영역에 배치하는 동시에, 배선이 분기하는 분기점으로 되는 배선 접속점과 가상선 및 배선요소의 교점을 다른 네트 타겟에 설정하고, 배선접속정보에 기초하여 네트 타겟간의 인접관계를 정의하는 공정을 포함하면 배선이 분기하는 분기점으로 되는 배선 접속점이 네트 타겟에 설정되기 때문에, 배선이 단자간의 도중에서 분기하는 경우에도 확실하게 배선이 가능하게 된다.

본 발명의 배선방법에 있어서, 배선공정은 프론트를 배선요소가 배치되어야 할 선상의 선단점에도 생성하여 스캔라인을 이 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에 스캔라인 상의 프론트를 적당히 이동시켜, 배선 접속점의 선단으로부터 이동장소의 프론트를 연결하는 직선을 스캔라인이 최초에 주사를 개시한 위치인 주사개시 방향으로 콤팩션하고, 콤팩션된 직선을 배선요소로서 부가하는 공정을 포함하면, 기존 배선된 선단부로부터 이동장소의 프론트를 연결하는 직선을 스캔라인이 최초에 주사를 개시한 위치인 주사개시 방향으로 콤팩션하기 때문에, 배선을 확실하게 접속할 수 있다.

이 경우에 있어서, 스캔라인이 배선 접속점 및 블록의 수직방향의 한 변 및 이 한 변을 향하여 만나는 다른 변이 차지하는 위치로 각각 이동하면, 배선을 더욱 확실하게 접속할 수 있다.

본 발명의 배선방법에 있어서, 배선공정은 프론트를 배선요소가 배치되어야 할 선상의 선단점에도 생성하여 프론트가 향하는 네트 타겟을 접속정보로부터 검색하는 공정과, 스캔라인을 이 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에 스캔라인 상의 프론트를 적당하게 이동시켜, 배선 접속점의 선단으로부터 이동장소의 프론트를 연결하는 직선을 스캔라인이 최초에 주사를 개시한 위치인 주사개시 방향으로 향하여 콤팩션하여 콤팩션된 직선을 배선요소로서 부가하는 공정을 포함하면, 프론트를 기점으로 하여 접속된 네트 타겟을 접속정보로부터 검색하기 때문에 배선을 확실하게 접속할 수 있다.

본 발명의 배선장치에 의하면, 배선이 새롭게 다시 접속되기 때문에, 불필요한 배선의 굴곡이 감소되므로, 배선의 면적이 적어지게 된다.

본 발명의 개략 배선방법에 의하면, 네트 타겟이나 프론트를 동적으로 생성하거나 삭감시킴으로써, 배선 접속점의 선단으로부터 이동 장소의 프론트를 연결하는 직선을 배선요소로 하기 때문에, 배치 대상이 변경되어 재배선을 실시한 경우에도 배선의 굴곡을 가능한 한 억제할 수 있으므로, 배선의 면적을 최소화 할 수 있다.

본 발명의 개략 배선방법은 각각 복수의 배선을 갖는 복수의 배선층을 대상으로 하는 개략배선 방법에 있어서, 가상선상의 네트 타겟의 순서를 교체하는 조작 또는 1개의 배선층과 다른 배선층이 접속되는 위치를 나타내는 레이어 변경점을 1개의 배선층 내에서 이동시키는 조작을 반복함으로써, 하나의 배선층에서의 복수의 배선들끼리가 서로 교차하는 수가 최소로 되도록 최적화하는 교차배선 최적화공정을 추가로 구비하면, 배선층의 복수의 배선들끼리가 교차하는 수가 최소로 되도록하기 때문에 배선 레이아웃을 더욱 최적화시킬 수 있다.

본 발명의 개략배선 방법에 있어서, 교차배선 최적화공정은 가상선 상에 배치된 블록이 차지하는 블록영역과, 가상선 상에 배치된 네트 타겟에 대응하는 배선이 차지하는 배선영역과, 가상선에 인접하는 영역의 배선들끼리가 교차하는 것에 의해 설치된 배선 콘택트 영역의 총합을 가상선의 혼잡도로서 선정하는 공정과, 복수의 가상선 중의 최대로 되는 혼잡도를 구하여, 이 혼잡도를 최적화의 지표로 하는 공정을 포함하면, 배선교차의 최적화의 지표에 혼잡도를 이용하여 구하기 때문에, 배선교차의 최적화를 확실하게 행할 수 있다.

본 발명의 개략 배선방법에 있어서, 교차배선 최적화공정은 가상선 상에 배치된 블록이 차지하는 블록영역과, 가상선 상에 배치된 네트 타겟에 대응하는 배선이 점유하는 배선영역과, 가상선 상에 배치된 네트 타겟에 대응하는 배선이 차지하는 배선영역과, 가상선에 인접한 영역의 배선들끼리가 교차하는 것에 의해 설치된 배선 콘택트 영역의 총합을 가상선의 혼잡도로 하여 복수의 배선층마다 산출하는 공정과, 산출결과로부터 복수의 배선층 중 최대로 되는 혼잡도를 구하여, 이 혼잡도를 최적화의 지표로 하는 공정을 포함하면, 배선교차의 최적화의 지표에 혼잡도를 이용하기 때문에 배선 교차의 최적화를 확실하게 행할 수 있다.

본 발명의 개략배선 방법은, 각각이 복수의 배선을 갖는 복수의 배선층을 대상으로 하는 개략 배선방법에 있어서, 1개의 배선층에서의 복수의 배선들끼리가 서로 교차하는 경우에, 1개 배선의 배선경로에 콘택트를 설치하여 한쪽의 배선을 이 배선이 속하는 배선층과 다른 타 배선층에 우회시키는 공정을 추가로 구비하면, 서로 교차하는 배선의 한쪽 배선의 배선경로에 콘택트를 설치하여 한쪽의 배선을 이 배선이 속하는 배선층과 다른 기타의 배선층에 우회시키기 때문에, 배선 레이아웃을 더욱 확실하게 최적화시킬 수 있다.

본 발명의 개략 배선장치에 의하면, 네트 타겟이나 프론트를 동적으로 생성하거나 삭감시킴으로써, 배선 접속점의 선단으로부터 이동 장소의 프론트를 연결하는 직선을 배선요소로 하기 때문에, 배치 대상이 변경되어 재배선을 실시한 경우에도 배선의 굴곡을 가능한 한 억제할 수 있으므로, 배선의 면적을 최소화 할 수 있다.

본 발명의 개략 배선장치는 각각이 복수의 배선을 갖는 복수의 배선층을 대상으로 하는 개략 배선방법에 있어서, 가상선 상의 네트 타겟의 순서를 교체하는 조작 또는 1개의 배선층과 다른 배선층이 접속되는 위치를 나타내는 레이어 변경점을 1개의 배선층 내에서 이동시키는 조작을 반복함으로써, 1개의 배선층에서의 복수의 배선들끼리가 서로 교차하는 수가 최소로 되도록 최적화하는 교차배선 최적화 수단을 추가로 구비하면, 배선층이 복수의 배선들끼리가 서로 교차하는 수가 최소화되기 때문에, 배선 레이아웃을 더욱 최적화할 수 있다.

상술한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 첨부된 특허청구 범위에 개시된 본 발명의 사상과 범위를 통해 각종 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이다.

Claims (20)

1. 트랜지스터, 저항, 커패시터 또는 콘택트를 포함하는 부품을 주변부 또는 내부에 단자를 갖는 블록으로 각각 추상화하는 동시에, 상기 단자 및 이 단자들 끼리를 접속하는 배선을 배선 접속점과 배선요소로 추상화하는 제1 추상화 공정과, 상기 블록이 복수개 배치된 블록형상의 배치영역에 있어서, 상기 단자들 끼리를 접속하는 배선경로를 상기 배선 접속점 상에 동일전위로 연결해야 할 대상으로 되는 상기 블록의 집합을 식별하기 위한 네트 식별자를 갖는 네트 타겟과, 이 네트 타겟 중 어느 네트 타겟들 끼리가 접속되느냐 하는 접속정보로 추상화하는 제2 추상화 공정과, 상기 네트 타겟 및 접속정보에 의해 상기 블록들 끼리를 접속하면서 콤팩션하는 배선 및 콤팩션 공정을 포함하며, 상기 배선 및 콤팩션 공정은, 상기 접속정보로부터 상기 배선요소가 배치되어야 할 선상의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인에서의 상기 프론트가 향하는 상기 네트 타겟을 순차 추출한 후, 추출된 네트 타겟을 향하여 상기 스캔라인을 주사하는 동시에, 상기 스캔라인상의 상기 프론트를 추출된 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인 상을 이동시키는 것에 의해 그려지는 상기 프론트의 궤적을 배선하는 것을 특징으로 하는 콤팩션 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제2 추상화 공정은 상기 배치영역에 이 배치영역의 한 변에 대하여 수직인 가상선을 설정하고, 상기 가상선과 상기 배선 접속점 상에 상기 네트 타겟을 설정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 제2 추상화 공정은 추상화된 상기 배선요소 및 배선 접속점을 상기 배치영역에 배치하는 동시에, 상기 배선이 분기하는 분기점으로 되는 배선 접속점과 상기 가상선 및 배선요소의 교점을 다른 네트 타겟에 설정하여, 상기 배선접속정보에 따라 상기 네트 타겟간의 인접 관계를 정의하는 공정을 포함하는 것을 특징으로하는 콤팩션 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 배선 및 콤팩션 공정은, 추출된 상기 네트 타겟에 있어서, 상기 배선 접속점의 위치와 상기 블록에서의 상기 스캔라인과 평행한 한 변 및 이 한 변과 대향하는 다른 변의 위치를 차례로 나열하여, 상기 스캔라인이 주사하는 순서를 결정하는 스캐닝 포인트 리스트를 작성하는 공정과, 상기 스캔라인을 상기 스캐닝 포인트 리스트에 따라 상기 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 동시에, 상기 스캔라인상의 상기 프론트를 상기 접속정보로부터 추출한 상기 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인 상을 이동시켜, 상기 배선 접속점으로부터 이동 장소의 상기 프론트를 연결하는 직선을 상기 스캔라인이 최초에 주사를 개시한 위치인 주사개시 방향으로 콤팩션하여, 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 공정과, 상기 스캔라인상의 2개의 프론트가 동일 방향을 향하고 있는 경우에, 상기 2개의 프론트를 병합하여 이 프론트들 끼리를 각각 접속하는 것에 의해 생성된 직선을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하여, 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 배선 접속점의 위치에 있는 경우에, 상기 배선 접속점에 프론트를 신설하여, 이 프론트가 목표로 하는 네트 타겟으로 향하여 상기 배선요소를 부가한 후, 이 배선요소를 연장할 필요가 없어진 상기 프론트를 소거하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중의 상기 주사 개시측의 변에 위치하는 경우에, 상기 블록을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중의 반주사 개시측의 변에 위치하는 경우에, 상기 블록을 배선금지 영역으로 하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 제1 추상화 공정은 상기 부품이 CMOS 트랜지스터이며, 이 CMOS 트랜지스터가 복수의 블록으로 구성되는 경우에, 상기 복수의 블록을 수평방향 또는 수직방향으로 상대 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 제1 추상화 공정에서의 부품은 콘택트로서, 이 콘택트는 배선층이 서로 다르며 상기 블록의 내부에 각 단자를 갖는 복수의 블록으로 구성되어 있고, 상기 배선 접속점은 동일 배선층 내의 배선요소와만 접속되는 것을 특징으로 하는 콤팩션 방법.
7. 트랜지스터, 저항, 커패시터 또는 콘택트를 포함하는 부품을 주변부 또는 내부에 단자를 갖는 블록으로 각각 추상화하는 동시에, 상기 단자 및 이 단자들 끼리를 접속하는 배선을 배선 접속점과 배선요소로 추상화하는 제1 추상화 수단과, 상기 블록이 복수개 배치된 블록상의 배치영역에 있어서, 상기 부품들 끼리를 접속하는 배선경로를, 상기 배선 접속점 상에 동일 전위로 연결해야 할 대상으로 되는 상기 블록의 집합을 식별하기 위한 네트 식별자를 갖는 네트 타겟과, 이 네트 타겟 중 어느 네트 타겟들 끼리가 접속되는냐하는 접속정보로 추상화하는 제2 추상화 수단과, 상기 네트 타겟 및 접속정보에 의해 상기 블록들 끼리를 접속하고 또 콤팩션하는 배선 및 콤팩션 수단을 포함하고, 상기 배선 및 콤팩션 수단은, 상기 접속정보로부터 상기 배선요소가 배치되어야 할 선상의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인에 있어서 상기 프론트가 향하는 상기 네트 타겟을 차례로 추출한 후, 추출된 네트 타겟을 향하여 상기 스캔라인을 주사하는 동시에, 상기 스캔라인상의 상기 프론트를 추출된 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인 상을 이동시키는 것에 의해 그려지는 상기 프론트의 궤적을 배선으로 하는 것을 특징으로 하는 콤팩션 장치.
8. 복수의 트랜지스터가 그 확산영역을 서로 공유하여 이루어지는 확산 공유 영역을 확산섬으로서 설정하는 확산섬 설정 공정과, 상기 확산섬, 트랜지스터, 저항, 커패시터 또는 콘택트를 포함하는 부품을 주변부 또는 내부에 단자를 갖는 블록으로 각각 추상화하는 동시에, 상기 단자 및 이 단자들 끼리를 접속하는 배선을 배선 접속점과 배선요소로 추상화하는 제1 추상화 공정과, 상기 블록이 복수개 배치된 블록상의 배치영역에 있어서, 상기 부품들 끼리를 접속하는 배선경로를, 상기 배선 접속점 상에 동일전위로 연결해야 할 대상으로 되는 상기 블록의 집합을 식별하기 위한 네트 식별자를 갖는 네트 타겟과, 이 네트 타겟 중 어느 네트 타겟들 끼리가 접속되느냐 하는 접속정보로 추상화하는 제2 추상화 공정과, 상기 네트 타겟 및 접속정보에 의해 상기 블록들 끼리 접속하고 콤팩션하는배선 및 콤팩션 공정을 포함하고 있고, 상기 배선 및 콤팩션 공정은, 상기 접속정보로부터 상기 배선요소가 배치되어야 할 선상의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인에서의 상기 프론트가 향하는 상기 네트 타겟을 순차로 추출한 후, 추출된 네트 타겟을 향하여 상기 스캔라인을 주사하는 동시에, 상기 스캔라인상의 상기 프론트를 추출된 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인 상을 이동시키는 것에 의해 그려지는 상기 프론트의 궤적을 배선하는 것을 특징으로 하는 콤팩션 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 제2 추상화 공정은 상기 배선영역에 이 배선영역의 한 변에 대하여 수직인 가상선을 설정하고, 상기 가상선과 상기 배선 접속점 상에 상기 네트 타겟을 설정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션 방법.
10. 제8항에 있어서, 상기 배선 및 콤팩션 공정은, 추출된 상기 네트 타겟에서, 상기 배선 접속점의 위치와 상기 블록에서의 상기 스캔라인과 평행한 한 변 및 이 한 변과 대항하는 다른 변의 위치를 차례로 나열하여, 상기 스캔라인이 주사하는 순서를 결정하는 스캐닝 포인트 리스트를 작성하는 스캐닝 포인트 리스트 작성 공정과, 상기 스캔라인을 상기 스캐닝 포인트 리스트에 따라 상기 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키는 것과 동시에, 상기 스캔라인상의 상기 프론트를 상기 접속정보로부터 추출한 상기 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인 상을 이동시켜, 상기 배선 접속점으로부터 이동 장소의 상기 프론트를 연결하는 직선을 상기 스캔라인이 최초에 주사를 개시한 위치인 주사개시 방향으로 콤팩션하여, 콤팩션된 상기 배선을 배선요소로서 부가하는 배선요소 부가공정과, 상기 스캔라인상의 2개의 프론트가 동일 방향을 향하고 있는 경우에, 상기 2개의 프론트를 병합하여 이 프론트들 끼리를 접속하는 것에 의해 생성된 배선을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하여, 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 프론트 병합공정과, 상기 스캔라인이 상기 배선 접속점의 위치에 있는 경우에, 상기 배선 접속점에 프론트를 신설하여 이 프론트가 목표로 하는 네트 타겟을 향하여 상기 배선요소를 부가한 후, 이 배선요소를 연장할 필요가 없어진 상기 프론트를 소거하는 프론트 소거공정과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중의 상기 주사 개시측의 변에 위치하고, 상기 블록은 복수의 구성 요소를 갖는 상기 확산섬에 포함되고, 또 이 확산섬의 다른 구성 요소보다 상기 블록의 상기 주사 개시측의 변이 가장 상기 주사 개시측에 위치하는 경우에, 상기 확산섬 내부의 레이아웃 패턴을 생성하는 확산섬 내부 레이아웃 생성 공정과, 상기 확산섬 내부의 상기 레이아웃 패턴을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하는 확산섬 내부 콤팩션 공정과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중의 상기 주사 개시측의 변에 위치하고, 또 상기 블록이 단일의 트랜지스터 또는 상기 부품으로 되는 경우에, 상기 블록을 상기 주사개시 방향으로 콤팩션하는 블록 콤팩션 공정과, 상기 스캔라인이 상기 블록의 상기 한 변 및 다른 변 중 반주사 개시측의 변에 위치하는 경우에, 상기 블록을 배선금지 영역으로 하는 배선금지 영역 설정 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션 방법.
11. 제10항에 있어서, 상기 확산섬 설정 공정에서의 상기 확산섬은 구성 요소에 게이트, 확산영역, 이 확산영역에 설치된 확산 콘택트 또는 상층을 통과하는 배선을 위한 통과 배선영역을 가지고 있고, 상기 확산섬 내부 레이아웃 생성공정은, 상기 확산섬을 상기 게이트 및 상기 확산영역에서의 상기 한 변과, 이 한 변과 대향하는 다른 변과, 상기 확산 콘택트와, 상기 통과 배선영역에서의 상기 스캔라인에 대한 수직 성분으로 이루어지는 블록을 이용하여 추상화하는 공정과, 상기 구성 요소 중 무엇보다도 상기 주사 개시측에 위치하는 구성 요소에서 디자인 룰을 만족하도록 상기 주사개시 방향으로 순차 콤팩션하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션 방법.
12. 제10항에 있어서, 상기 확산섬 설정 공정에서의 상기 확산섬은, 그 구성 요소에 게이트, 확산영역, 또는 이 확산영역에 설치된 확산 콘택트로 이루어지는 복수의 블록을 포함하고, 상기 확산섬 내부 레이아웃 생성공정은, 상기 복수의 블록 중 무엇보다도 상기 주사 개시측에 위치하는 블록으로부터 디자인 룰을 만족하도록 상기 주사개시 방향으로 순차 콤팩션하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 확산섬의 블록에 위치되고, 상기 스캔라인이 위치하는 상기 블록과 상기 확산섬의 주변부의 배선 사이에 디자인 룰 에러가 생기는 경우에, 상기 디자인 룰 에러를 해소하도록 상기 스캔라인이 위치하는 블록과 이 블록보다 반주사 개시측에 위치하는 상기 확산섬 내의 다른 블록을 반주사 개시방향으로 동일한 거리만큼 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션 방법.
13. 제10항에 있어서, 상기 확산섬 설정 공정에서의 상기 확산섬은, 그 구성 요소에 게이트, 확산영역, 이 확산영역에 설치된 확산 콘택트로 이루어지는 복수의 블록을 가지고 있고, 상기 배선 및 콤팩션 공정은 상기 각 공정별로 상기 각 공정의 처리와 이 처리 결과를 보존하는 보존 공정을 포함하며, 상기 확산섬 내부 레이아웃 생성공정은, 상기 복수의 블록 중 무엇보다도 상기 주사 개시측에 위치하는 블록으로부터 디자인 룰을 만족하도록 상기 주사개시 방향으로 순차 콤팩션하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 확산섬의 블록에 위치하고, 상기 스캔라인이 위치하는 상기 블록과 상기 확산섬의 주변부의 배선 사이에 디자인 룰 에러가 생기는 경우에, 상기 보존 공정에서 보존된 처리와 이 처리 결과에 따라 전원 배선에 접속되는 상기 확산영역으로 이루어지는 블록의 면적을 확대시킴으로써 상기 디자인 룰 에러가 해소되는 시점까지 상기 보존 공정을 거슬러 올라가서, 거슬러 올라간 상기 시점에 주사된 상기 스캔라인이 위치하는 상기 블록과 이 블록보다 반주사 개시측에 위치하는 상기 확산섬 내의 다른 블록을 상기 반주사 개시방향으로 같은 거리만큼 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션 방법.
14. 복수의 트랜지스터가 그 확산영역을 서로 공유하여 이루는 확산 공유 영역을 확산섬으로서 설정하는 확산섬 설정 수단과, 상기 확산섬, 트랜지스터, 저항, 커패시터 또는 콘택트를 포함하는 부품을 주변부 또는 내부에 단자를 갖는 블록으로 각각 추상화하는 동시에, 상기 단자 및 이 단자들 끼리를 접속하는 배선을 배선 접속점과 배선요소로 추상화하는 제1 추상화 수단과, 상기 블록이 복수개 배치된 블록 형상의 배치영역에서, 부품들 끼리를 접속하는 배선경로를, 상기 배선 접속점 상에 동일전위로 연결해야 할 대상으로 되는 상기 블록의 집합을 식별하기 위한 네트 식별자를 갖는 네트 타겟과 이 네트 타겟 중 어느 하나의 네트 타겟끼리가 접속되느냐하는 접속정보로 추상화하는 제2 추상화 수단과, 상기 네트 타겟 및 접속정보에 의해 상기 블록들 끼리를 접속하고 콤팩션하는 배선 및 콤팩션 수단을 포함하고, 상기 배선 및 콤팩션 수단은, 상기 접속정보로부터 상기 배선요소가 배치되어야 할 선상의 선단점으로 되는 프론트를 갖는 스캔라인에서의 상기 프론트가 향하는 상기 네트 타겟을 차례로 추출한 후, 추출된 네트 타겟을 향하여 상기 스캔라인을 주사하는 동시에, 상기 스캔라인상의 상기 프론트를 추출된 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인 상을 이동시키는 것에 의해 그려지는 상기 프론트의 궤적을 배선하는 것을 특징으로 하는 콤팩션 장치.
15. 부품을 단자를 갖는 방형에 추상화하고 아울러 상기 단자 및 해당 단자끼리 접속하는 배선을 배선접속점과 배선요소로 추상화하는 제1 추상화공정과, 상기 방형이 복수개 배치된 배치영역에서, 상기 부품끼리를 접속하는 개략 배선경로를 같은 전위로 연결하기 위한 배선접속점의 집합인 네트 타겟과 상기 네트 타겟 사이의 인접관계로 추상화하는 제2의 추상화공정과, 상기 네트 타겟 및 인접관계에 의해 상기 방형끼리를 접속하는 배선공정을 구비하며, 상기 배선공정은 스캔라인을 상기 네트 타겟을 향하여 주사하고 아울러 상기 스캔라인 상의 프론트를 상기 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인 상을 이동시킴으로써 그려지는 상기 프론트의 궤적을 배선경로로 하는 것을 특징으로 하는 배선방법.
16. 부품을 단자를 갖는 방형으로 추상화하고 아울러 상기 단자 및 해당 단자끼리 접속하는 배선을 배선접속점과 배선요소로 추상화하는 제1의 추상화공정과, 상기 방형이 복수개 배치된 배치영역에서, 상기 부품끼리를 접속하는 개략배선경로를 같은 전위로 연결하기 위한 배선접속점의 집합인 네트 타겟과 상기 네트 타겟 사이의 인접관계로 추상화하는 제2의 추상화공정과, 상기 네트 타겟 및 인접관계에 의해 상기 방형끼리를 접속하고 또 콤팩션하는 배선 및 콤팩션공정을 구비하며, 상기 배선 및 콤팩션공정은, 스캔라인을 상기 네트 타겟을 향하여 주사하고 아울러 상기 스캔라인 상의 프론트를 상기 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인 상을 이동시킴으로써 그려지는 상기 프론트의 궤적을 배선경로로 하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 방형의 주사개시측의 근처에 위치하는 경우에 상기 방형을 상기 주사개시방향으로 콤팩션하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션방법.
17. 제16항에 있어서, 상기 배선 및 콤팩션공정은, 상기 네트 타겟에서, 상기 배선접속점의 위치와 상기 방형에서의 상기 스캔라인과 평행한 1변 및 상기 1변과 대향하는 다른 변의 위치를 순서대로 나열하여 상기 스캔라인이 주사하는 순서를 결정하는 스캐닝 포인트 리스트를 작성하는 공정과, 상기 스캔라인을 상기 스캐닝 포인트 리스트에 따라서 상기 스캔라인과 수직인 방향으로 이동시키고 아울러 상기 스캔라인 상의 상기 프론트를 상기 네트 타겟에 가까워지도록 상기 스캔라인상을 이동시키고, 상기 배선접속점으로부터 이동선의 상기 프론트를 연결하는 직선을 상기 스캔라인이 최초에 주사를 시작한 위치인 주사개시방향으로 콤팩션하여, 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 공정과, 상기 스캔라인 상의 2개의 프론트가 동일방향을 향하고 있는 경우에 상기 2개의 프론트를 병합하여 상기 프론트끼리를 각각 접속함으로써 생성된 직선을 상기 주사개시방향으로 콤팩션하여, 콤팩션된 상기 직선을 배선요소로서 부가하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 배선접속점의 위치에 있는 경우에 상기 배선접속점에 프론트를 신설하여 상기 프론트가 목표로 하는 네트 타겟을 향해서 상기 배선요소를 부가한 후 상기 배선요소를 연장시키는 필요가 없게 된 상기 프론트를 소거하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 방형의 반주사개시측의 근처에 위치하는 경우에, 상기 방형을 배선금지영역으로 하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션방법.
18. 제17항에 있어서, 상기 배선 콤팩션공정은, 상기 스캔라인이 상기 방형의 상기 주사개시측의 근처에 위치하여 상기 방형이 트랜지스터의 확산영역을 나타내는 확산섬에 포함되고, 상기 확산섬의 다른 구성요소보다 상기 방형의 상기 주사개시측의 근처가 가장 상기 주사개시측에 위치하는 경우에, 상기 확산섬의 내부의 레이아웃패턴을 생성하는 확산섬 내부 레이아웃 생성공정과, 상기 확산섬의 내부의 상기 레이아웃패턴을 상기 수사개시방향으로 콤팩션하는 확산섬 내부 콤팩션공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션방법.
19. 제18항에 있어서, 상기 확산섬은 그 구성요소에 게이트 확산영역 또는 상기 확산영역에 설치된 확산섬 콘택트로 되는 복수의 방형을 갖고 있고, 상기 확산섬 내부 콤팩션공정은, 상기 복수의 방형 중 가장 상기 주사개시측에 위치하는 방형으로부터 디자인 룰을 만족하도록 상기 주사개시방향으로 차례로 콤팩션하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 확산섬 방형에 위치하고 또 상기 스캔라인이 위치하는 상기 방형과 상기 확산섬의 주변부의 배선 사이에 디자인 룰 에러가 생기는 경우에 상기 디자인 룰 에러를 해소하도록 상기 스캔라인이 위치하는 방형과 상기 방형보다 반주사개시측에 위치하는 상기 확산섬 내부의 다른 방형을 반주사 개시방향으로 동일거리만큼 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션방법.
20. 제18항에 있어서, 상기 확산섬은 그 구성요소에, 게이트, 확산영역 또는 상기 확산영역에 설치된 확산섬 콘택트로 되는 복수의 방형을 갖고 있고, 상기 배선 및 콤팩션공정은 상기 각 공정마다 상기 각 공정의 처리와 상기 처리결과를 저장하는 보존공정을 포함하며, 상기 확산섬 내부 콤팩션공정은, 상기 복수의 방형 중의 가장 상기 주사개시측에 위치하는 방형으로부터 디자인 룰을 만족하도록 상기 주사개시방향으로 차례로 콤팩션하는 공정과, 상기 스캔라인이 상기 확산섬 방형에 위치하고 또 상기 스캔라인이 위치하는 상기 방형과 상기 확산섬 주변부의 배선과의 사이에 디자인 룰 에러가 생기는 경우에 상기 보존공정에서 보존된 처리와 상기 처리결과에 따라 전원배선에 접속되는 상기 확산영역으로 되는 방형의 면적을 확대시킴으로써 상기 디자인 룰 에러가 해소되는 시점까지 상기 보존공정을 거슬러 올라가, 거슬러 올라간 상기 시점에 주사된 상기 스캔라인이 위치하는 상기 방형과 상기 방형보다 반주사개시측에 위치하는 상기 확산섬 내의 다른 방형을 반주사 개시방향으로 동일거리만큼 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콤팩션방법.