KR100292127B1 - Clock synchronous delay control circuit - Google Patents

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Abstract

내부 클록에 동기시켜 데이터 전송을 행하는 시스템에서 해당 내부 클록을 외부 클록에 정확히 동기시킨다.In a system that performs data transfer in synchronization with an internal clock, the internal clock is accurately synchronized with the external clock.

외부 클록(CK)은, 버퍼(13)를 경유하여, 스큐(D1)를 갖는 내부 클록(CLK)이 된다. 이 내부 클록(CLK)은, 지연량(A)을 갖는 지연 회로(32), 지연량(2×Δ)을 형성하는 지연 유닛 어레이(33-1∼33-n) 및 지연량(D2)을 갖는 지연 회로(34)를 경유함으로써, 보정 내부 클록(CK′)이 되며, 외부 클록(CK)에 동기한다. 각 지연 유닛은, 상태 유지부를 가지며, 전진 펄스가 경유한 지연 유닛에 대해서는, 상태 유지부가 소정의 상태로 고정된다. 이로써, 정확히 지연량(2×Δ)가 형성된다.The external clock CK becomes the internal clock CLK having the skew D1 via the buffer 13. The internal clock CLK includes a delay circuit 32 having a delay amount A, delay unit arrays 33-1 to 33-n forming a delay amount 2xA and a delay amount D2 The internal clock signal CK 'becomes the corrected internal clock signal CK', and is synchronized with the external clock signal CK. Each delay unit has a state maintaining unit, and with respect to the delay unit passed by the forward pulse, the state holding unit is fixed to a predetermined state. Thus, a delay amount (2 x DELTA) is accurately formed.

Description

클록 동기 지연 제어 회로Clock synchronous delay control circuit

본 발명은 지연 어레이를 사용하여, CPU가 발생하는 외부 블록의 타이밍과 메모리(IC)의 내부에서 사용되는 내부 클록의 타이밍을 제어하는 제어 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a control circuit for controlling the timing of an external block generated by a CPU and the timing of an internal clock used in a memory (IC) using a delay array.

최근의 메모리는, 클록에 동기시켜 데이터를 전송함으로써 고속의 데이터 전송을 달성하는 추세이다. 예를 들면, 싱크로너스(synchronous) DRAM 등의 클록동기형 DRAM에서는, 각각 100㎒와 250㎒의 클록에 동기시켜, CPU 등의 블록과의 사이에서 데이터의 교환을 행하고 있다.Recent memory is a trend of achieving high-speed data transfer by transferring data in synchronization with a clock. For example, in a clock synchronous DRAM such as a synchronous DRAM, data is exchanged with a block such as a CPU in synchronization with clocks of 100 MHz and 250 MHz, respectively.

이와 같은 클록에 동기시켜 블록간에서 데이터의 교환을 행하는 시스템에서는, CPU 등의 블록으로부터 메모리에 부여되는 외부 클록과, 해당 메모리 내부에서 생성되는 내부 클록과의 사이에 약간의 타이밍 어긋남, 즉 스큐(skew)가 발생하는 문제가 있다.In a system for exchanging data between blocks in synchronization with such a clock, there is a slight timing deviation between an external clock given to the memory from a block such as a CPU and an internal clock generated inside the memory, that is, skew skew) is generated.

예를 들면, 100㎒의 외부 클록을 사용한 경우, 1사이클은 10ns(나노 초)이므로, 외부 클록과 내부 클록의 사이에 1ns의 어긋남이 발생하면, 이 어긋남은, 1사이클 타임의 10%에 상당하며, 고속 동기 제어를 방해한다.For example, when an external clock of 100 MHz is used, since 1 cycle is 10 ns (nanosecond), if a 1 ns shift occurs between the external clock and the internal clock, this shift corresponds to 10% of one cycle time And interrupts the high-speed synchronous control.

특히, 메모리로부터 다른 블록에 데이터를 전송하는 경우에는, 외부 클록과 내부 클록의 스큐는, 직접, 메모리의 데이터 출력 시간에 영향을 주며, 데이터 전송시간을 지연시킨다.Particularly, when data is transferred from a memory to another block, the skew of the external clock and the internal clock directly affects the data output time of the memory and delays the data transfer time.

제48도는, 고속 클록을 사용하여 동기 제어하는 시스템의 일예를 도시한 것이다. 또, 제49도는, 제48도의 시스템에 있어서의 외부 클록과 내부 클록의 관계를 도시한 것이다.FIG. 48 shows an example of a system for synchronous control using a high-speed clock. FIG. 49 shows the relationship between the external clock and the internal clock in the system of FIG. 48.

메모리(싱크로너스 DRAM 등의 클록 동기형 DRAM)(11)에는, 예를 들면 CPU(12)에 의하여 생성되는 외부 클록(CK)이 입력되어 있다. 외부 클록(CK)은, 버퍼(13)에 의하여 내부 클록(CLK)으로 변환되며, 내부 클록(CLK)은, 입력 회로(14), 출력 회로(15)나, 기입·판독 회로(16) 등에 공급되며, 데이터의 입출력 동작을 제어한다.An external clock CK generated by, for example, the CPU 12 is input to a memory (a clock synchronous type DRAM such as a synchronous DRAM). The external clock CK is converted into an internal clock CLK by the buffer 13 and the internal clock CLK is supplied to the input circuit 14, the output circuit 15, the write / read circuit 16 And controls input and output operations of data.

내부 클록(CLK)은, 외부 클록(CK)을 트리거로서 버퍼(13)에 의하여 생성되므로, 필연적으로 외부 클록(CK)과 내부 클록(CLK)간에는 스큐가 존재한다.Since the internal clock CLK is generated by the buffer 13 as the trigger of the external clock CK, there is inevitably skew between the external clock CK and the internal clock CLK.

메모리(11) 내부의 동작을 제어하는 것은, 내부 클록(CLK)이므로, 메모리(11)와 그 이외의 블록[CPU(12)등]과의 사이에서 데이터의 교환을 행하는 경우에는, 외부 클록(CK)과 내부 클록(CLK)간의 스큐를 고려한 타이밍의 설정이 필요해진다.Since the operation of the internal memory 11 is controlled by the internal clock CLK, when data is exchanged between the memory 11 and other blocks (CPU 12, etc.), the external clock CK) and the internal clock (CLK).

하지만, 스큐를 고려한 타이밍 설정은 데이터의 전송 속도를 지연시킨다는 것은 상술한 바와 같다.However, as described above, the timing setting considering skew delays the data transmission speed.

그래서, 최근에는 이 스큐를 없애기 위한 기술의 개발이 진행되고 있다. 이하, 현 시점에 있어서의 해당 기술의 두 가지 예를 설명한다.Therefore, in recent years, development of techniques for eliminating skew has been progressing. Hereinafter, two examples of the present technology at the present time will be described.

첫번째는 PLL(phase·lock·loop)을 사용하는 기술이다. 이 기술은, PLL에 의하여, 스큐의 폭을 검출하고, 이 스큐를 제로로 하는 것이다. 또, 이 기술은, 내부 클록에 피드 백을 걸기 때문에, 메모리에 부여되는 외무 클록이 항상 일정한 주파수이며, 또한 도중에 끊어지는 일이 없는 경우에 유효하다.The first is a technology that uses PLL (phase lock loop). This technique detects the skew width by the PLL and sets the skew to zero. This technique is effective when the external clock applied to the memory always has a constant frequency because it feeds back the internal clock.

두번째는 소정의 원에 기초하여, 외부 클록과 일치하는 보정 내부 클록을 생성하는 회로를 구성하는 기술이다. 이 기술은, 외부 클록의 주파수가 변화해도, 또, 외부 클록이 도중에 끊어져도, 이들에 즉석해서 대응하여 외부 클록과 내부 클록을 일치시킬 수 있는 것이므로, 대단히 유망시되고 있다.The second is a technique for constructing a circuit for generating a corrected internal clock that coincides with an external clock, based on a predetermined circle. This technique is extremely promising because even if the frequency of the external clock changes and the external clock is interrupted, the external clock and the internal clock can be matched with each other instantaneously.

그래서, 후자의 기술에 대하여 상세히 설명한다.Therefore, the latter technique will be described in detail.

우선, 제50도를 참조하면서, 이 기술의 원리에 대하여 설명한다.First, with reference to FIG. 50, the principle of this technique will be described.

외부 클록(CK)과 내부 클록(CLK)의 스큐의 폭(지연량)을 D1이라 하고, 외부 클록(CK) 및 내부 클록(CLK)의 주기를 T라고 한다.The skew width (delay amount) of the external clock CK and the internal clock CLK is D1 and the cycle of the external clock CK and the internal clock CLK is T. [

여기서, 내부 클록(CLK)의 첫번째 펄스가 발생한 시점(상승한 시점)으로부터 시간(A)가 경과한 시점에서 지연 모방 펄스(FCL)를 발생시킨다. 이 경우, 지연 모방 펄스(FCL)가 발생한 시점으로부터, 내부 클록(CLK)의 두번째 펄스가 발생하는 시점까지의 시간은 Δ가 된다Here, a delayed imitation pulse FCL is generated at a point of time A elapsing from the time when the first pulse of the internal clock CLK is generated (time of rising). In this case, the time from the generation of the delayed impulse pulse FCL to the generation of the second pulse of the internal clock CLK is DELTA

또, 이 시간(Δ)을 카피하고, 지연 모방 펄스(FCL)를 발생시킨 시점으로부터 시간(2×Δ)이 경과한 시점에서 지연 모방 펄스(RCL)이 발생하게 한다. 그러면, 지연 모방 펄스(RCL)가 발생한 시점으로부터 시간(A)이 경과한 시점은, 내부 클록(CLK)의 세번째 펄스가 발생하는 시점과 일치하게 된다.Further, this delay time DELTA is copied, and a delayed imitation pulse RCL is generated at the time point when the time (2xA) has elapsed from the point of time at which the delayed imitation pulse FCL is generated. Then, the time point at which the time A has elapsed from the point in time at which the delayed imitation pulse RCL is generated coincides with the time point at which the third pulse of the internal clock CLK is generated.

단, (A+W)<T라고 한다. W는 지연 모방 펄스(FCL, RCL)의 폭이다.(A + W) < T. And W is the width of delay imitation pulses FCL and RCL.

여기서, 지연 모방 펄스(RCL)가 발생한 시점으로부터 외부 클록(CK)의 세번째 펄스가 발생하는 시점까지의 시간을 D2라고 하면, 지연 모방 펄스(RCL)를 시간(D2)만큼 지연시켜 주면, 외부 클록(CK)의 타이밍에 일치한 보정 내부 클록(CK′)을 얻을 수 있다.Here, let D2 be the time from when the delay imitation pulse RCL is generated to when the third pulse of the external clock CK is generated. If the delay imitation pulse RCL is delayed by the time D2, The corrected internal clock CK 'that coincides with the timing of the clock signal CK can be obtained.

즉, 지연량(A), (2×Δ), D2를 생성하는 지연 회로를 형성하고, 내부 클록(CLK)을 시간[A+(2×Δ)+D2]만큼 늦추면, 외부 클록(CK)의 타이밍에 일치한 보정 내부 클록(CK′)을 얻을 수 있게 된다.That is, if a delay circuit for generating the delay amounts A, 2, and D2 is formed and the internal clock CLK is delayed by the time [A + (2xA) + D2] It is possible to obtain the corrected internal clock CK 'that matches the timing.

그리고, 제50도로부터 명백해지는 바와 같이, A=Dl+D2라고 하는 관계가 존재하므로, 지연량(D2)은 A 및 D1으로부터 구할 수 있다.Since there is a relation of A = Dl + D2 as apparent from the 50th road, the delay amount D2 can be obtained from A and D1.

또, 외부 클록(CK) 및 내부 클록(CLK)의 주기(T)는, 일정하지 않은 것을 전제로 하고 있으므로, 시간(Δ)도, 일정한 값을 갖지 않는다. 따라서, 시간(2×Δ)을 생성하는 지연 회로는, 외부 클록(CK) 및 내부 클록(CLK)의 주기(T)에 따라 시간(2×Δ)을 정확히 생성할 수 있도록 구성되어 있지 않으면 안된다.Since the period T of the external clock CK and the internal clock CLK is assumed to be not constant, the time? Does not have a constant value. Therefore, the delay circuit for generating the time (2 x DELTA) must be configured so as to accurately generate the time (2 x DELTA) according to the period T of the external clock CK and the internal clock CLK .

이와 같은 원리에 의하면, 외부 클록(CK) 및 내부 클록(CLK)의 주기(T)에 의하지 않고, 항상, 보정 내부 클록(CLK)의 첫번째 펄스를, 외부 클록(CK)의 세번째 펄스에 일치시킬 수 있다. 또한, 외부 클록(CK)의 세번째 펄스 이후는, 외부 클록(CK)의 타이밍과 보정 내부 클록(CLK)의 타이밍은 일치하고 있게 되므로, 외부 클록(CK)이 도중에 끊어지는 경우에서도, 이것에 즉석해서 대응하여 외부 클록과 내부 클록을 일치시키는 것이 가능해진다.According to this principle, regardless of the period T of the external clock CK and the internal clock CLK, the first pulse of the corrected internal clock CLK always coincides with the third pulse of the external clock CK . Further, after the third pulse of the external clock CK, the timing of the external clock CK and the timing of the corrected internal clock CLK coincide with each other. Therefore, even when the external clock CK is interrupted in the middle, So that the external clock and the internal clock can be matched with each other.

다음에, 상기 원리에 기초하여 외부 클록과 내부 클록의 타이밍을 일치시키기 위한 회로 구성에 대하여 검토한다.Next, a circuit configuration for matching the timing of the internal clock with the timing of the external clock based on the above principle will be examined.

제51도는, 해당 회로 구성의 일 예를 도시한 것이다.FIG. 51 shows an example of the circuit configuration.

외부 클록(CK)은, 입력 단자(21)를 경유하여 입력 버퍼(22)에 입력된다. 내부 클록(CLK)은, 입력 버퍼(22)로부터 출력된다. 여기서, 입력 버퍼(22)는, 지연량(D1)을 가지고 있으므로, 외부 클록(CK)과 내부 클록(CLK)간에는, 지연량(D1)분의 스큐가 발생한다.The external clock CK is input to the input buffer 22 via the input terminal 21. The internal clock (CLK) is output from the input buffer (22). Here, since the input buffer 22 has the delay amount D1, a skew of the delay amount D1 occurs between the external clock CK and the internal clock CLK.

내부 클록(CLK)은, 지연량(A)을 갖는 지연 회로(23)를 경유하여 전진 지연 어레이(24)에 입력된다. 전진 지연 어레이(24)는, 지연량(d)을 갖는 복수의 지연 회로(25-1, 25-2, ∼, 25-n)로 구성되어 있다.The internal clock CLK is input to the forward delay array 24 via the delay circuit 23 having the delay amount A. [ The forward delay array 24 is composed of a plurality of delay circuits 25-1, 25-2, ..., and 25-n having a delay amount d.

미러 제어 회로(26)는 지연 회로(25-1, 25-2, ∼, 25-n)의 수에 상당하는 수의 제어 소자(27-1, 27-2, ∼, 27-n)를 가지고 있다. 미러 제어 회로(26)는, 전진 지연 어레이(24)에 있어서의 지연량(Δf)을 결정함과 동시에, 후진 지연 어레이(28)에 있어서의 지연량(Δb)을 지연량(Δf)에 동등하게 하는 기능을 가진다.The mirror control circuit 26 has the number of control elements 27-1, 27-2, ..., 27-n corresponding to the number of the delay circuits 25-1, 25-2, ..., 25-n have. The mirror control circuit 26 determines the delay amount? F in the forward delay array 24 and sets the delay amount? B in the backward delay array 28 equal to the delay amount? F .

후진 지연 어레이(28)는, 전진 지연 어레이(24)와 마찬가지로, 지연량(d)을 갖는 복수의 지연 회로(29-1, 29-2, ∼, 29-n)로 구성되어 있다.Like the forward delay array 24, the backward delay array 28 is composed of a plurality of delay circuits 29-1, 29-2, ..., 29-n having a delay amount d.

후진 지연 어레이(28)로부터 출력되는 클록은, 지연량(D2)을 갖는 지연 회로(30)을 경유함으로써, 외부 클록(CK)의 타이밍과 일치한 타이밍을 갖는 보정 내부클록(CK′)이 된다.The clock output from the backward delay array 28 becomes the corrected internal clock CK 'having the timing coinciding with the timing of the external clock CK by passing through the delay circuit 30 having the delay amount D2 .

상기 구성의 회로에서는, 전진 지연 어레이(24)의 구성과 후진 지연 어레이(28)의 구성을 동일하게 하여, 전진 펄스의 지연량(Δf)을 그대로 카피하여 후진 펄스의 지연량(Δb)으로 하여, 2Δ(Δf=Δb=Δ)를 얻도록 하고 있다.In the circuit having the above-described configuration, the delay amount? F of the forward pulse is copied as it is by making the configuration of the forward delay array 24 and the configuration of the backward delay array 28 the same as the delay amount? B of the backward pulse , 2? (? F =? B =?).

그러나, 상기 구성의 회로에서는, 전진 펄스가 일정한 펄스 폭을 가지고 있기 때문에, 전진 펄스의 지연량(Δf)과 후진 펄스의 지연량(Δb)을 완전히 일치시키기가 어려워지는 문제점이 있다.However, in the above-described circuit, since the forward pulse has a constant pulse width, there is a problem that it is difficult to completely match the delay amount? F of the forward pulse and the delay amount? B of the backward pulse.

이러한 문제점에 대하여 설명한다This problem will be described

제52도는, 제50도의 t의 시점[즉, 지연량(Δf, Δb)을 결정하는 시점]에 있어서의 제51도의 회로 상태를 도시한 것이다.FIG. 52 shows the circuit state of FIG. 51 at the time point t of the 50th degree (that is, the time point at which the delay amounts? F and? B are determined).

여기서, 전진 펄스가 전진 지연 어레이의 지연 회로에 입력되어 있는 상태를 활성 상태(사선으로 표시함)로 하고, 해당 전진 펄스가 전진 지연 어레이의 지연 회로에 입력되어 있지 않은 상태를 비활성 상태로 한다. 이 경우에서, 예를 들면, 전진 펄스가 지연 회로(25-k)에 입력되면, 지연 회로(25-k)가 활성 상태가 되며, 다른 지연 회로는 비활성 상태가 된다.Here, the state in which the forward pulse is input to the delay circuit of the forward delay array is set to an active state (indicated by an oblique line), and the state in which the forward pulse is not input to the delay circuit of the forward delay array is made inactive. In this case, for example, when a forward pulse is input to the delay circuit 25-k, the delay circuit 25-k becomes active and the other delay circuit becomes inactive.

전진 펄스가 지연 회로(25-k)에 입력된 후에, 내부 클록(CLK)의 펄스가 발생하면, 후진 지연 어레이의 지연 회로(29-k)가 활성 상태가 되며, 지연 회로(29-k)는 후진 펄스를 발생한다.When the pulse of the internal clock CLK is generated after the forward pulse is inputted to the delay circuit 25-k, the delay circuit 29-k of the backward delay array becomes active and the delay circuit 29- Generates a backward pulse.

즉, 지연 어레이의 선두로부터 k번째의 제어 소자(27-k)에는, 전진 펄스와 내부 클록(CLK)의 펄스가 입력되므로, 제어 소자(27-k)는 후진 지연 어레이의 지연 회로(29-k)를 활성 상태로 하여, 지연 회로(29-k)로부터 후진 펄스를 발생시킨다.That is, since the pulse of the forward pulse and the internal clock (CLK) are inputted to the kth control element 27-k from the head of the delay array, the control element 27-k is connected to the delay circuit 29- k to an active state, and generates a backward pulse from the delay circuit 29-k.

하지만, 이 경우, 전진 펄스가 입력되어 있는 지연 회로(29-k)의 선두로부터의 위치와, 후진 펄스를 발생하는 지연 회로(29-k)의 선두로부터의 위치는 동일하다.However, in this case, the position from the head of the delay circuit 29-k to which the forward pulse is inputted is the same as the position from the head of the delay circuit 29-k which generates the backward pulse.

따라서, 지연량(Δf)을 결정하는 전진 펄스의 프론트(F1)와, 지연량(Δb)을 결정하는 후진 펄스의 프론트(F2)는, 필연적으로, 지연 회로 1단 분의 지연량[예를 들면, 전진 펄스의 펄스 폭(W)분] 만큼 달라진다. 즉, 제27도의 구성을 갖는 회로에서는, 지연량(Δb)은, 최대, 지연 회로 1단 분의 지연량 만큼 지연량(Δf) 보다도 짧아지는 문제점이 있다.Therefore, the front F1 of the forward pulse for determining the delay amount? F and the front F2 of the backward pulse for determining the delay amount? B necessarily have a delay amount of one delay circuit , The pulse width (W) of the forward pulse). That is, in the circuit having the configuration of FIG. 27, there is a problem that the delay amount? B becomes shorter than the delay amount? F by the delay amount of one stage of the maximum delay circuit.

이와 같이, 종래는, 소정의 원리에 기초하여, 외부 클록에 일치하는 보정 내부 클록을 생성하는 회로를 구성하는 기술에서, 소정의 지연량을 정확히 카피하는 회로를 구성할 수 없었기 때문에, 보정 내부 클록을 외부 클록에 완전히 일치시키는 것이 어려웠다.As described above, conventionally, in the technique of constructing the circuit for generating the corrected internal clock that coincides with the external clock based on a predetermined principle, since a circuit for accurately copying a predetermined delay amount can not be constructed, Lt; / RTI &gt; to an external clock.

본 발명은, 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은, 소정의 원리에 기초하여, 외부 클록에 일치하는 보정 내부 클록을 생성하는 회로를 구성하는 기술에서, 소정의 지연량을 정확히 카피할 수 있는 회로를 구성하고, 보정 내부 클록을 외부 클록에 완전히 일치시키는 것이다.An object of the present invention is to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a circuit for generating a corrected internal clock corresponding to an external clock based on a predetermined principle, And make the corrected internal clock completely match the external clock.

또한, 본 발명의 목적은 소정의 원리에 기초하여, 외부 클록에 대하여 일정한 위상 관계를 갖는, 즉, 외부 클록에 대하여 위상이 소정량 만큼 지연된 보정 내부 클록을 생성하는 회로를 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a circuit for generating a corrected internal clock having a constant phase relationship with respect to an external clock, that is, a phase delayed by a predetermined amount with respect to an external clock, based on a predetermined principle.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 지연 어레이는, 직렬로 접속된 복수의 지연 유닛으로 구성되며, 각각의 지연 유닛은, 전진 펄스를 일정한 지연량 만큼 늦추어 후단의 지연 유닛에 전달하는 전진 펄스 지연 회로와, 후진 펄스를 상기 일정한 지연량 만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛에 전달하는 후진 펄스 지연 회로와, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있지 않은 경우에 상기 전진 펄스가 입력되면 세트 상태로 설정되며, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있는 경우에 상기 후진 펄스가 입력되면 리세트 상태로 설정되는 상태 유지부로 구성되며, 상기 전진 펄스는, 초기단의 지연 유닛에 입력되며, 상기 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되었을 때에 상태 유지부가 리세트 상태의 지연 유닛 중 가장 상기 초기단의 지연 유닛에 가까운 지연 유닛에서 형성되며, 상기 후진 펄스는, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력된다.In order to achieve the above object, the delay array of the present invention is constituted of a plurality of delay units connected in series, and each of the delay units includes a forward pulse delay for delaying the forward pulse by a predetermined delay amount, A backward pulse delay circuit for delaying the backward pulse by the predetermined delay amount and transmitting the delayed backward pulse to the delay unit of the previous stage; and, when the forward pulse is inputted when the pulse of the internal clock is not inputted to the plurality of delay units, And a state holding unit that is set to a reset state when the backward pulse is input when a pulse of the internal clock is input to the plurality of delay units, And the front edge of the backward pulse is input to the plurality of delay units when a pulse of the internal clock is input to the plurality of delay units Condition holding portion is formed in the near delay unit in the delay unit of the delay unit and the reset state of the initial stage of the reverse pulse is output from the delay units of the initial stage.

그리고, 상기 후진 펄스의 프론트 에지 이외의 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되지 않게 되었을 때에 상태 유지부가 리세트 상태의 지연 유닛 중 가장 상기 초기단의 지연 유닛에 가까운 지연 유닛으로 형성된다.When the pulse of the internal clock is not input to the plurality of delay units, the edge other than the front edge of the backward pulse is delayed by a delay unit closest to the delay unit of the initial stage among the delay units of the reset state, .

본 발명의 클록 동기 지연 제어 회로는, 상기 지연 어레이와, 지연량(D1)을 가지며, 외부 클록에 기초하여 내부 클록을 발생하는 버퍼와, 상기 내부 클록의 펄스를 지연량(A) 만큼 지연시켜 전진 펄스로서 상기 지연 어레이의 초기단의 지연 유닛에 공급하는 제1 지연 회로와, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 후진 펄스를 지연량(D2) 만큼 지연시켜 보정 내부 클록으로서 출력하는 제2 지연 회로로 구성되며, 상기 지연량(D1), 상기 지연량(D2) 및 상기 지연량(A)은, A=D1+D2의 관계를 가지고 있다.The clock synchronous delay control circuit of the present invention includes the delay array, a buffer having a delay amount D1 and generating an internal clock based on an external clock, and a delay circuit for delaying the pulse of the internal clock by a delay amount A A second delay circuit for delaying a backward pulse outputted from the delay unit at the initial stage by a delay amount D2 and outputting the backward pulse as a correction internal clock, And the delay amount D1, the delay amount D2 and the delay amount A have a relationship of A = D1 + D2.

또한, 본 발명의 클록 동기 지연 제어 회로는, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 지연 어레이의 복수의 지연 유닛에 입력되고 나서 상기 전진 펄스가 상기 초기단의 지연 유닛에 공급되기까지의 기간내에, 상기 복수의 지연 유닛의 전진 펄스 지연 회로를 초기화하기 위한 제어 펄스를 발생하는 제어 펄스 발생 회로를 구비하고 있다.The clock synchronous delay control circuit of the present invention is characterized in that in a period from when the pulse of the internal clock is input to the plurality of delay units of the delay array to the time when the forward pulse is supplied to the delay unit of the initial stage, And a control pulse generating circuit for generating a control pulse for initializing the forward pulse delay circuit of the delay unit of the delay unit.

또한, 본 발명의 클록 제어 회로는, 상기 전진 펄스가 상기 지연 어레이의 최종단의 지연 유닛으로부터 출력되는 경우에, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 후진 펄스를 차단하고, 상기 후진 펄스에 대신하여 상기 내부 클록의 펄스가 상기 제2 지연 회로로부터 출력되도록 제어하는 수단을 구비하고 있다.Further, the clock control circuit of the present invention is configured such that, when the forward pulse is output from the delay unit of the last stage of the delay array, the clock control circuit interrupts the backward pulse output from the delay unit of the initial stage, And means for controlling the pulse of the internal clock to be outputted from the second delay circuit.

상기 수단은, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 제2 지연 회로로부터 출력된 후에, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 후진 펄스에 기초하여 상기 제2 지연 회로를 초기화한다.The means initializes the second delay circuit based on a backward pulse output from the delay unit of the initial stage after a pulse of the internal clock is output from the second delay circuit.

상기 지연 어레이는, 상기 버퍼가 배치되는 위치와 상기 제2 지연 회로가 배치되는 위치의 중간에 배치된다. 상기 제1 지연 회로의 패턴은, 상기 버퍼 및 상기 버퍼로부터 상기 지연 어레이까지의 배선의 패턴에 동일한 패턴과, 상기 제2 지연 회로 및 상기 지연 어레이로부터 상기 제2 지연 회로까지의 배선의 패턴에 동일한 패턴과의 조합에 의하여 구성되도록 레이아웃된다.The delay array is disposed between a position where the buffer is arranged and a position where the second delay circuit is arranged. Wherein the pattern of the first delay circuit is the same as the pattern of the wiring from the buffer and the buffer to the delay array and the same pattern as the pattern of the wiring from the second delay circuit and the delay array to the second delay circuit Pattern and the like.

본 발명의 메모리 회로는, 메모리 셀 어레이와, 상기 메모리 셀 어레이에 대하여 데이터의 기입 또는 판독을 행하기 위한 기입·판독 회로와, 상기 데이터를 버스로부터 입력하기 위한 입력 회로와, 상기 데이터를 상기 버스에 출력하기 위한 출력 회로와, 상기 클록 제어 회로로 구성되며, 상기 기입·판독 회로의 동작은, 상기 클록 제어 회로의 버퍼로부터 출력되는 내부 클록에 의하여 제어되며, 상기 입력 회로 또는 상기 출력 회로의 동작은, 적어도 상기 클록 제어 회로의 제2 지연 회로로부터 출력되는 보정 내부 클록에 의하여 제어된다.The memory circuit of the present invention comprises a memory cell array, a write / read circuit for writing or reading data to / from the memory cell array, an input circuit for inputting the data from the bus, And the clock control circuit, wherein the operation of the write / read circuit is controlled by an internal clock outputted from the buffer of the clock control circuit, and the operation of the input circuit or the output circuit Is controlled by a corrected internal clock output from at least the second delay circuit of the clock control circuit.

본 발명의 동기 제어 시스템은, 버스와, 상기 버스에 대하여 데이터의 수수를 행함과 동시에 외부 클록을 발생하는 제어 블록과, 상기 메모리 회로를 가지며, 상기 버스에 대하여 데이터의 수수를 행함과 동시에 상기 외부 클록을 수취하는 메모리 블록을 구비하고 있다.A synchronous control system according to the present invention comprises a bus, a control block for transmitting data to the bus and generating an external clock, and the memory circuit, And a memory block for receiving a clock.

또한, 본 발명의 지연 어레이는, 직렬 접속된 복수의 지연 유닛으로 구성되며, 각각의 지연 유닛은, 전진 펄스 및 후진 펄스를 일정한 지연량 만큼 지연시켜 비동기로 전달시키는 지연 회로와, 상기 전진 펄스에 의하여 세트 상태로 설정되며, 상기 후진 펄스에 의하여 리세트 상태로 설정되는 상태 유지부를 가지며, 상기 전진 펄스는, 초기단의 지연 유닛에 입력되며, 상기 후진 펄스의 프론트 에지는, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되었을 때에 상태 유지부가 리세트 상태의 지연 유닛 중 가장 상기 초기단의 지연 유닛에 가까운 지연 유닛에서 형성되며, 상기 후진 펄스는, 상기 전진 펄스의 진행 방향과는 반대 방향으로 진행하며, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력된다.Further, the delay array of the present invention is constituted by a plurality of delay units connected in series, and each of the delay units includes a delay circuit for delaying the forward pulse and the backward pulse asynchronously by a predetermined delay amount, Wherein the forward pulse is input to a delay unit of an initial stage and a front edge of the backward pulse is a pulse of an internal clock which is set to a set state and is set to a reset state by the backward pulse, When the delay unit is input to the plurality of delay units, the state-holding unit is formed in a delay unit closest to the delay unit of the initial stage among the delay units of the reset state, and the backward pulse is generated in a direction opposite to the advancing direction of the forward pulse And output from the delay unit of the initial stage.

본 발명의 지연 어레이는 직렬로 접속된 복수의 제1 및 제2 지연 유닛으로 구성된다. 각각의 제1 지연 유닛은 상기 펄스를 일정한 지연량 만큼 지연시켜 후단의 지연 유닛에 전달하는 전진 펄스 지연 회로와, 제1 전진 펄스를 상기 일정한 지연량 만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛에 전달하는 제1 후진 펄스 지연 회로와, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛에 입력되어 있지 않은 경우에 상기 전진 펄스가 입력되면 제1 상태로 설정되며, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛에 입력되어 있는 경우에 상기 제1 후진 펄스가 입력되면 제2 상태로 설정되는 상태 유지부로 구성된다. 각각의 제2 지연 유닛은, 제2 후진 펄스를 상기 일정한 지연량만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛으로 전달하는 제2 후진 펄스 지연 회로로 구성된다. 상기 전진 펄스는 초기단의 제1 지연 유닛으로 입력되고, 상기 제1 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛으로 입력되었을 때에 상태 유지부가 제2 상태의 제1 지연 유닛 중 상기 초기단의 제1 지연 유닛에 가장 가까운 제1 지연 유닛에서 형성되고, 상기 제1 후진 펄스는 상기 초기단의 제1 지연 유닛으로부터 출력된다. 상기 제2 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 제1 후진 펄스의 프론트 에지를 형성하는 제1 지연 유닛에 대응하는 제2 지연 유닛에서 형성되고, 상기 후진 펄스는 초기단의 제2 지연 유닛으로부터 출력된다. 상기 제1 후진 펄스 지연 회로의 지연량과 상기 제2 후진 펄스 지연 회로의 지연량이 동일하다.The delay array of the present invention is composed of a plurality of first and second delay units connected in series. Each of the first delay units includes a forward pulse delay circuit for delaying the pulses by a predetermined delay amount and transmitting the delayed pulses to a delay unit at a subsequent stage, a first delay unit for delaying the first advancing pulses by a predetermined delay amount, A reverse pulse delay circuit and a first state when the forward pulse is input when a pulse of an internal clock is not input to the plurality of first delay units, And when the first backward pulse is inputted, the second backward pulse is set to the second state. Each of the second delay units is constituted by a second backward pulse delay circuit for delaying the second backward pulse by the predetermined delay amount and transferring the delayed second backward pulse to the preceding delay unit. Wherein the forward pulse is input to a first delay unit of an initial stage and a front edge of the first reverse pulse is delayed when a pulse of the internal clock is input to the plurality of first delay units, A first delay unit closest to the first delay unit of the initial stage among the delay units, and the first reverse pulse is output from the first delay unit of the initial stage. The front edge of the second backward pulse is formed in a second delay unit corresponding to the first delay unit forming the front edge of the first backward pulse and the backward pulse is output from the second delay unit of the initial stage. The delay amount of the first backward pulse delay circuit is equal to the delay amount of the second backward pulse delay circuit.

상기 제1 후진 펄스의 프론트 에지 이외의 에지는, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛에 입력되지 않았을 때에 상태 유지부가 제2 상태의 제1 지연 유닛 중 상기 초기단의 제1 지연 유닛에 가장 가까운 제1 유닛에서 형성된다.Wherein the edges of the first backward pulse other than the front edge are selected such that when a pulse of the internal clock is not input to the plurality of first delay units, Is formed in the first unit closest to the unit.

상기 제1 지연 유닛의 수와 상기 제2 지연 유닛의 수는 서로 다르다. 상기 제2 지연 유닛의 수는 상기 제1 지연 유닛의 수 보다도 작은 편이 효과적이다.The number of the first delay units and the number of the second delay units are different from each other. It is effective that the number of the second delay units is smaller than the number of the first delay units.

상기 복수의 제1 지연 유닛 중 연속하는 j개의 지연 유닛으로 1개의 제1 블록을 구성하고, 상기 복수의 제2 지연 유닛 중 연속하는 k개의 제2 지연 유닛으로 상기 제1 블록에 대응하는 1개의 제2 블록을 구성하고, 상기 제1 블록의 상기 j개의 제1 지연 유닛 중 k개의 동작을 제어하는 제어 펄스에 기초하여, 상기 제2 블록의 k개의 제2 지연 유닛의 동작을 제어한다. 단, j, k는 서로 소(素)인 자연수이며, 또 j>k이다.And a second delay unit that constitutes one first block by j successive delay units among the plurality of first delay units, and a second delay unit which is constituted by k successive second delay units among the plurality of second delay units, And controls the operations of k second delay units of the second block based on control pulses that control k operations of the j first delay units of the first block. However, j and k are natural numbers that are small, and j &gt; k.

상기 제1 지연 유닛은, r(r은 자연수)개의 블록을 구성하고, 상기 제1 지연 유닛의 총 수는 n(=r×j)개이고, 상기 제2 지연 유닛도 r개의 블록을 구성하고, 상기 제2 유닛의 총 수는 m(=r×j)개이고, 상기 제1 후진 펄스의 지연량을 Δ로 한 경우에 상기 제2 후진 펄스의 지연량은 (m/n)×Δ이다.Wherein the first delay unit constitutes r (r is a natural number) blocks, the total number of the first delay units is n (= rx j), the second delay unit also constitutes r blocks, And the delay amount of the second backward pulse is (m / n) 占 when the total number of the second units is m (= rxj), and the delay amount of the first backward pulse is?.

본 발명의 클록 제어 회로는, 상술한 지연 어레이와, 지연량 D1을 갖고, 외부 클록에 기초하여 상기 내부 클록을 발생하는 버퍼와, 상기 내부 클록의 펄스를 지연량(A)만큼 지연시켜 상기 전진 펄스로서 상기 초기단의 제1 지연 유닛에 공급하는 제1 지연 회로와, 상기 초기단의 제1 지연 유닛으로부터 출력되는 상기 제1 후진 펄스를 지연량 (j-1)×D1+j×D2만큼 지연시켜 제1 보정 내부 클록으로서 출력하는 제2 지연 회로와, 상기 초기단의 제2 지연 유닛으로부터 출력되는 상기 제2 후진 펄스를 지연량 (k-1)×D1+k×D2만큼 지연시켜 제2 보정 내부 클록으로서 출력하는 제3 지연 회로를 구비한다. 단, j, k는 서로 소인 자연수이며, 또 j>k이다.The clock control circuit of the present invention includes the above-described delay array, a buffer having the delay amount D1 and generating the internal clock based on an external clock, and a delay circuit for delaying the pulse of the internal clock by the delay amount (A) (J-1) x D1 + j x D2, which is the first delayed pulse outputted from the first delay unit at the initial stage, to the first delay unit of the initial stage as a pulse (K-1) x D1 + k x D2 to output the second backward pulse outputted from the second delay unit of the initial stage by delaying the delay amount And a second delay circuit for outputting a second correction internal clock. However, j and k are natural numbers that are small numbers, and j &gt; k.

상기 지연량 D1, 상기 지연량 D2 및 상기 지연량(A)는 A=j×(D1+D2)의 관계를 갖는다.The delay amount D1, the delay amount D2, and the delay amount A have a relationship of A = j 占 (D1 + D2).

본 발명의 클록 제어 회로는, 상술한 지연 어레이와, 지연량 k×D1을 갖고, 외부 클록에 기초하여 상기 내부 클록을 발생하는 버퍼와, 상기 내부 클록의 펄스를 지연량(A)만큼 지연시켜 상기 전진 펄스로서 상기 초기단의 제1 지연 유닛에 공급하는 제1 지연 회로와, 상기 초기단의 제1 지연 유닛으로부터 출력되는 상기 제1 후진 펄스를 지연량 (j-k)×D1+j×D2만큼 지연시켜 제1 보정 내부 클록으로서 출력하는 제2 지연 회로와, 상기 초기단의 제2 지연 유닛으로부터 출력되는 상기 제2 후진 펄스를 지연량 k×D2만큼 지연시켜 제2 보정 내부 클록으로서 출력하는 제3 지연 회로를 구비한다. 단, j, k는 서로 소인 자연수이며, 또 j>k이다.The clock control circuit of the present invention comprises the delay array described above, a buffer having a delay amount k x D1 and generating the internal clock on the basis of an external clock, and a buffer for delaying the pulse of the internal clock by the delay amount A A second delay circuit for delaying the first backward pulse outputted from the first delay unit at the initial stage by a delay amount (jk) x D1 + j x D2 as a forward pulse to the first delay unit at the initial stage; A second delay circuit for delaying the second backward pulse outputted from the second delay unit at the initial stage by a delay amount k D2 and outputting the delayed second clock as a second corrected internal clock; 3 delay circuit. However, j and k are natural numbers that are small numbers, and j &gt; k.

상기 지연량 D1, 상기 지연량 D2 및 상기 지연량(A)는 A=j×(D1·D2)의 관계를 갖는다.The delay amount D1, the delay amount D2, and the delay amount A have a relationship of A = j 占 (D1 占 D2).

본 발명의 클록 제어 회로는, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛에 입력되고 부터 상기 전진 펄스가 상기 초기단의 제1 지연 유닛으로 공급될 때까지의 기간 내에, 상기 복수의 제1 지연 유닛의 상기 전진 펄스 지연 회로를 초기화하기 위한 제어 펄스를 발생하는 제어 펄스 발생 회로를 더 구비한다.The clock control circuit of the present invention is characterized in that in a period from when the pulse of the internal clock is input to the plurality of first delay units to when the forward pulse is supplied to the first delay unit of the initial stage, And a control pulse generating circuit for generating a control pulse for initializing the forward pulse delay circuit of the first delay unit.

상기 제1 지연 유닛의 수와 상기 제2 지연 유닛의 수는 서로 다르다. 상기 제2 지연 유닛의 수는 상기 제1 지연 유닛의 수 보다도 작은 편이 효과적이다.The number of the first delay units and the number of the second delay units are different from each other. It is effective that the number of the second delay units is smaller than the number of the first delay units.

상기 복수의 제1 지연 유닛 중 연속하는 j개의 제1 지연 유닛으로 1개의 제1 블록을 구성하고, 상기 복수의 제2 지연 유닛 중 연속하는 k개의 제2 지연 유닛으로 상기 제1 블록에 대응하는 1개의 제2 블록을 구성하고, 상기 제1 블록의 상기 j개의 제1 지연 유닛 중 k개의 동작을 제어하는 제어 펄스에 기초하여, 상기 제2 블록의 k개의 제2 지연 유닛의 동작을 제어한다.The first delay unit constituting a first block by j consecutive first delay units among the plurality of first delay units and constituting a first block by k consecutive second delay units among the plurality of second delay units, And controls the operation of k second delay units of the second block based on control pulses that control k operations of the j first delay units of the first block .

상기 제1 지연 유닛은, r(r은 자연수)개의 블록을 구성하고, 상기 제1 지연 유닛의 총 수는 n(=r×j)개이고, 상기 제2 지연 유닛도 r개의 블록을 구성하며, 상기 제2 유닛의 총 수는 m(=r×j)개이다.Wherein the first delay unit constitutes r (r is a natural number) blocks, the total number of the first delay units is n (= r x j), the second delay unit also constitutes r blocks, The total number of the second units is m (= r x j).

상기 제2 후진 펄스 지연 회로는, 상기 제1 후진 펄스 지연 회로가 생성하는 지연량의 m/n(=k/j)의 지연량을 생성한다.The second backward pulse delay circuit generates a delay amount of m / n (= k / j) of the delay amount generated by the first backward pulse delay circuit.

상기 j는 2, 상기 k는 1이며, 상기 제2 지연 유닛의 상기 제2 후진 펄스 지연 회로는 상기 제1 지연 유닛의 상기 제1 후진 펄스 지연 회로가 생성하는 지연량의 절반의 지연량을 생성한다.J is 2, k is 1, and the second backward pulse delay circuit of the second delay unit generates a delay amount of half of the delay amount generated by the first backward pulse delay circuit of the first delay unit do.

상기 k는 1이며, 상기 제2 지연 유닛의 상기 제2 후진 펄스 지연 회로는 상기 제1 지연 유닛의 상기 제1 후진 펄스 지연 회로가 생성하는 지연량의 1/j의 지연량을 생성한다.K is 1 and the second backward pulse delay circuit of the second delay unit generates a delay amount of 1 / j of the delay amount generated by the first backward pulse delay circuit of the first delay unit.

본 발명의 메모리 시스템은, 복수의 메모리와, 상기 복수의 메모리를 콘트롤하는 콘트롤러와, 상기 콘트롤러로부터 출력되는 외부 클록에 대하여, 상기 복수의 메모리의 입력 용량과 동일한 입력 용량을 갖는 더미 메모리와, 상기 콘트롤러로부터 상기 복수의 메모리까지의 상기 외부 클록의 지연 시간과 상기 콘트롤러로부터 상기 더미 메모리까지의 상기 외부 클록의 지연 시간이 같아지도록 배치되는 제1 배선과, 상기 외부 클록에 대하여 일정한 위상 관계를 갖는 내부 클록에 기초하여 상기 복수의 메모리 중의 하나로부터 상기 콘트롤러에 데이터를 도입하는 데이터 버스와, 상기 더미 메모리에 부쳐되는 상기 외부 클록을 리턴 클록으로서 다시 상기 콘트롤러에 되돌리는 제2 배선을 구비한다.The memory system of the present invention includes a plurality of memories, a controller for controlling the plurality of memories, a dummy memory having an input capacity equal to an input capacity of the plurality of memories, with respect to an external clock output from the controller, A first wiring arranged so that a delay time of the external clock from the controller to the plurality of memories is equal to a delay time of the external clock from the controller to the dummy memory, A data bus for introducing data from one of the plurality of memories to the controller based on a clock and a second wiring for returning the external clock to the dummy memory as a return clock to the controller.

또한, 상기 복수의 메모리 중의 하나로부터 상기 콘트롤러까지의 상기 데이터의 지연 시간과 상기 더미 메모리로부터 상기 콘트롤러까지의 상기 리턴 클록의 지연 시간이 같아지고, 상기 콘트롤러는 상기 리턴 클록에 기초하여 상기 데이터를 취한다.Further, the delay time of the data from one of the plurality of memories to the controller is equal to the delay time of the return clock from the dummy memory to the controller, and the controller receives the data based on the return clock do.

본 발명의 클록 제어 회로는, 외부 클록에 대하여 D1만큼 지연된 내부 클록이 입력되며, 상기 내부 클록이 입력되고나서 지연 시간(A)이 경과한 후, 후진 펄스를 출력하는 제1 지연 회로와, 상기 전진 펄스를 2×Δ 만큼 지연시킨후, 후진 펄스를 출력하는 제2 지연 회로와, 상기 후진 펄스가 입력되며, 상기 후진 펄스가 입력되고나서 지연 시간[(i-1)×D1+j×D2)]가 경유한 후, 상기 외부 클록에 대하여 위상이 일치하고 있는 보정 내부 클록을 출력하는 제3 지연 회로를 구비한다. 단, j는 자연수, Δ는 상기 전진 펄스가 발생한 후, 최초에 상기 내부 클록의 펄스가 발생하기까지의 시간, A는 j×(D1+D2)이다A clock control circuit of the present invention includes a first delay circuit for receiving an internal clock delayed by D1 with respect to an external clock and outputting a backward pulse after the delay time A has elapsed after the internal clock is input; A second delay circuit for delaying a forward pulse by 2 占 and outputting a backward pulse; and a second delay circuit for receiving the backward pulse and for generating a delay time [(i-1) 占 D1 + j 占 D2 ), And outputs a corrected internal clock whose phase coincides with the external clock. J is a natural number, DELTA is a time from the generation of the forward pulse until the pulse of the internal clock is generated first, and A is j (D1 + D2)

본 발명의 클록 제어 회로는, 외부 클록에 대하여 m×D1 만큼 지연된 내부 클록이 입력되며, 상기 내부 클록이 입력되고나서 지연 시간(A)이 경과한 후, 전진 펄스를 출력하는 제1 지연 회로와, 상기 전진 펄스를 2×Δ 만큼 지연시킨 후, 후진 펄스를 출력하는 제2 지연 회로와, 상기 후진 펄스가 입력되며, 상기 후진 펄스가 입력되고나서 지연 시간(j-k)×D1+j×D2가 경과한 후, 상기 외부 클록에 대하여 위상이 일치하고 있는 보정 내부 클록을 출력하는 제3 지연 회로를 구비한다. 단, j, k는 서로 소인 자연수, j≥k, Δ는 상기 전진 펄스가 발생한 후, 최초에 상기 내부 클록의 펄스가 발생하기까지의 시간, A는 j×(D1+D2)이다.A clock control circuit of the present invention includes a first delay circuit for inputting an internal clock delayed by m x D1 with respect to an external clock and outputting an advancing pulse after the delay time A has elapsed after the internal clock is input A second delay circuit for delaying the forward pulse by 2 x? And outputting a backward pulse; and a second delay circuit for receiving the backward pulse and delay time jk D1 + j D2 after inputting the backward pulse And a third delay circuit for outputting a corrected internal clock whose phase coincides with the external clock after elapsing. J and k are natural numbers that are prime to each other, j? K, and? Is the time from the generation of the forward pulse to the generation of the pulse of the internal clock first, and A is jx (D1 + D2).

본 발명의 클록 제어 회로는, 외부 클록에 대하여 D1 만큼 지연된 내부 클록이 입력되며, 상기 내부 클록이 입력되고나서 지연 시간(A)이 경과한 후, 전진 펄스를 출력하는 제1 지연 회로와, 상기 전진 펄스를 Δ+(k/j)×Δ 만큼 지연시킨 후, 후진 펄스를 출력하는 제2 지연 회로와, 상기 후진 펄스가 입력되고, 상기 후진 펄스가 입력되고나서 지연 시간(k-1)×D1+k×D2가 경과한 후, 상기 외부 클록에 대하여 위상이 (k/j)×T 만큼 지연되어 있는 보정 내부 클록을 출력하는 제3 지연 회로를 구비한다. 단, j, k는 서로 소인 자연수, j≥k, Δ는 상기 전진 펄스가 발생한 후, 최초에 상기 내부 클록의 펄스가 발생하기까지의 시간, A는 j×(D1+D2), T는 외부 클록의 주기이다.The clock control circuit of the present invention includes a first delay circuit for receiving an internal clock delayed by D1 with respect to an external clock and outputting a forward pulse after the delay time A has elapsed after the internal clock is input; A second delay circuit for delaying the forward pulse by? + (K / j) 占 and outputting a backward pulse; and a second delay circuit for delaying the delay time (k-1) And a third delay circuit for outputting a corrected internal clock whose phase is delayed by (k / j) x T with respect to the external clock after D1 + k x D2 has elapsed. J is a natural number with a small number of j, k is k, k is a time from when the forward pulse is generated until the pulse of the internal clock is generated first, A is j x (D1 + D2) It is the cycle of the clock.

본 발명의 클록 제어 회로는, 외부 클록에 대하여 k×D1 만큼 지연된 내부 클록이 입력되며, 상기 내부 클록이 입력되고나서 지연 시간(A)이 경과한 후, 전진 펄스를 출력하는 제1 지연 회로와, 상기 전진 펄스를 Δ+(k/j)×Δ 만큼 지연시킨 후, 후진 펄스를 출력하는 제2 지연 회로와, 상기 후진 펄스가 입력되고, 상기 후진 펄스가 입력되고나서 지연 시간(k×D2가 경과한 후, 상기 외부 클록에 대하여 위상이 (k/j)×Δ 만큼 지연되어 있는 보정 내부 클록을 출력하는 제3 지연 회로를 구비한다. 단, j, k는 서로 소인 자연수, j≥k, Δ는 상기 전진 펄스가 발생한 후, 최초에 상기 내부 클록의 펄스가 발생하기까지의 시간, A는 j×(D1+D2), T는 외부 클록의 주기이다.A clock control circuit of the present invention includes a first delay circuit for inputting an internal clock delayed by k x D1 with respect to an external clock and outputting a forward pulse after the delay time A has elapsed after the internal clock is input A second delay circuit for delaying the forward pulse by Δ + (k / j) × Δ and then outputting a backward pulse; and a second delay circuit for receiving the backward pulse, And outputs a corrected internal clock whose phase is delayed by (k / j) *? With respect to the external clock, wherein j and k are constants of j, DELTA is the time from the generation of the forward pulse until the pulse of the internal clock is generated first, A is j (D1 + D2), and T is the period of the external clock.

제1도는 본 발명의 회로를 갖는 메모리를 구비한 시스템의 주요부를 도시한 도면.FIG. 1 shows the main part of a system with a memory having a circuit of the invention; FIG.

제2도는 제1도의 메모리내의 클록 제어 회로의 구성을 도시한 도면.FIG. 2 shows the configuration of a clock control circuit in the memory of FIG. 1;

제3도는 제2도의 회로내의 지연 유닛을 상세히 도시하는 회로도.3 is a circuit diagram showing in detail the delay unit in the circuit of Fig. 2; Fig.

제4도는 제3도의 지연 유닛내의 상태 유지부를 상세히 도시하는 회로도.FIG. 4 is a circuit diagram showing in detail the state maintaining unit in the delay unit of FIG. 3;

제5도는 제2도의 회로내의 제어 펄스 발생 회로를 상세히 도시하는 도면.FIG. 5 shows in detail the control pulse generating circuit in the circuit of FIG. 2; FIG.

제6도는 본 발명의 원리에 대하여 도시하는 도면.FIG. 6 is a view showing the principle of the present invention. FIG.

제7도는 제2도∼제5도의 회로의 동작을 도시하는 타이밍도.FIG. 7 is a timing diagram showing the operation of the circuits of FIGS. 2 to 5; FIG.

제8도는 제7도의 타이밍도의 a의 상태를 도시한 도면.FIG. 8 shows the state of a in the timing chart of FIG. 7; FIG.

제9도는 제7도의 타이밍도의 b의 상태를 도시한 도면.FIG. 9 shows the state of FIG. 7 b; FIG.

제10도는 제7도의 타이밍도의 c의 상태를 도시한 도면.Figure 10 shows the state of c in the timing diagram of Figure 7;

제11도는 제7도의 타이밍도의 d의 상태를 도시한 도면.Fig. 11 shows the state of d in the timing chart of Fig. 7; Fig.

제12도는 제7도의 타이밍도의 e의 상태를 도시한 도면.FIG. 12 shows the state of e in the timing chart of FIG. 7;

제13도는 제7도의 타이밍도의 f의 상태를 도시한 도면.FIG. 13 shows the state of f in the timing chart of FIG. 7; FIG.

제14도는 제7도의 타이밍도의 g의 상태를 도시한 도면.FIG. 14 shows the state of g in the timing chart of FIG. 7; FIG.

제15도는 제7도의 타이밍도의 h의 상태를 도시한 도면.Fig. 15 shows the state of h in the timing chart of Fig. 7; Fig.

제16도는 제7도의 타이밍도의 i의 상태를 도시한 도면.Fig. 16 shows the state of i in the timing chart of Fig. 7; Fig.

제17도의 제2도의 회로의 변형례를 도시한 도면.Figure 17 shows a modification of the circuit of Figure 2 of Figure 17;

제18도는 제2도의 회로의 변형례를 도시한 도면.FIG. 18 shows a modification of the circuit of FIG. 2; FIG.

제19도는 제18도의 회로내의 지연 회로(34)를 상세히 도시하는 도면.19 shows in detail the delay circuit 34 in the circuit of FIG. 18; FIG.

제20도는 제18도의 회로내의 제어 펄스 발생 지연 회로(61)를 상세히 도시하는 도면.20 shows in detail the control pulse generation delay circuit 61 in the circuit of FIG. 18;

제21도는 제2도의 회로의 동작의 문제점을 도시하는 도면.21 shows the problem of the operation of the circuit of FIG. 2; FIG.

제22도는 제18도 내지 제20도의 회로의 동작을 도시하는 타이밍도.FIG. 22 is a timing diagram showing the operation of the circuits of FIG. 18 to FIG. 20; FIG.

제23도는 본 발명의 회로를 칩에 짜넣은 경우의 레이 아웃을 도시한 도면.Figure 23 shows a layout when the circuit of the invention is incorporated into a chip.

제24도는 제2도 및 제18도의 회로의 동작을 도시한 도면.24 shows the operation of the circuits of FIGS. 2 and 18; FIG.

제25도는 제2도 및 제18도의 회로의 동작을 도시한 도면.FIG. 25 shows the operation of the circuits of FIGS. 2 and 18; FIG.

제26도는 제2도 및 제18도의 회로의 동작을 도시한 도면.Figure 26 shows the operation of the circuits of Figures 2 and 18;

제27도는 제2도 및 제18도의 회로의 동작을 도시한 도면.FIG. 27 shows the operation of the circuits of FIGS. 2 and 18; FIG.

제28도는 제2도의 클록 제어 회로의 개략적 구성을 도시한 도면.Figure 28 shows a schematic configuration of a clock control circuit of Figure 2;

제29도는 본 발명의 클록 제어 회로의 제1 예를 도시한 도면.29 is a diagram showing a first example of a clock control circuit of the present invention;

제30도는 본 발명의 클록 제어 회로의 제2 예를 도시한 도면.FIG. 30 shows a second example of the clock control circuit of the present invention; FIG.

제31도는 본 발명의 클록 제어 회로의 제3 예를 도시한 도면.FIG. 31 shows a third example of the clock control circuit of the present invention; FIG.

제32도는 본 발명의 클록 제어 회로의 제4 예를 도시한 도면.Figure 32 shows a fourth example of the clock control circuit of the present invention.

제33도는 본 발명의 클록 제어 회로의 제5 예를 도시한 도면.FIG. 33 shows a fifth example of the clock control circuit of the present invention; FIG.

제34도는 제1도의 클록 제어 회로의 구성을 상세히 도시한 도면.34 is a detailed circuit diagram of the configuration of the clock control circuit of FIG. 1;

제35도는 제34도의 회로내의 지연 유닛(Ui)의 구성을 상세히 도시한 도면.FIG. 35 shows in detail the configuration of a delay unit Ui in the circuit of FIG. 34; FIG.

제36도는 제34도의 회로내의 지연 유닛(Ui)의 구성을 상세히 도시한 도면.FIG. 36 shows in detail the configuration of a delay unit Ui in the circuit of FIG. 34; FIG.

제37도는 HBD의 구성의 제1 예를 도시한 도면.FIG. 37 is a view showing a first example of the configuration of the HBD; FIG.

제38도는 HBD의 구성의 제2 예를 도시한 도면.Figure 38 shows a second example of the configuration of an HBD;

제39도는 제37도 또는 제38도의 지연 유닛(bdi)의 구성을 도시한 도면.FIG. 39 shows the configuration of the delay unit bdi of FIG. 37 or 38; FIG.

제40도는 제39도의 회로를 심볼화하여 도시한 도면.FIG. 40 is a diagrammatic representation of the circuit of FIG. 39; FIG.

제41도는 1/3BD의 구성의 제1 예를 도시한 도면.FIG. 41 is a view showing a first example of the configuration of 1/3 BD; FIG.

제42도는 1/3BD의 구성의 제2 예를 도시한 도면.Figure 42 shows a second example of the configuration of a 1 / 3BD;

제43도는 m/nBD의 구성을 도시한 도면.Figure 43 shows the configuration of m / nBD;

제44도는 제43도의 블록[B(i)]의 구성을 도시한 도면.FIG. 44 shows a block B (i) of FIG. 43; FIG.

제45도는 본 발명의 원리에 대하여 도시한 도면.Figure 45 is a diagram illustrating the principles of the present invention.

제46도는 본 발명의 원리에 대하여 도시한 도면.Figure 46 illustrates the principles of the present invention.

제47도는 본 발명의 메모리 시스템의 구성을 도시한 도면.Figure 47 is a diagram showing the configuration of a memory system of the present invention;

제48도는 종래의 시스템의 주요부를 도시한 도면.Figure 48 shows the main part of a conventional system.

제49도는 제48도의 시스템의 외부 클록과 내부 클록의 스큐를 도시한 회로도.49 is a circuit diagram showing the external clock of the system of FIG. 48 and the skew of the internal clock; FIG.

제50도는 본 발명의 기초가 되는 동기 시스템의 원리를 도시한 도면.Figure 50 shows the principle of a synchronization system on which the present invention is based;

제51도는 제50도의 원리를 달성하기 위한 회로의 일 예를 도시한 도면.51 shows an example of a circuit for achieving the principle of FIG. 50; FIG.

제52도는 제51도의 회로에 있어서의 지연량(Δf, Δb)의 결정 모습을 도시한 도면.FIG. 52 is a view showing a determination of the delay amounts? F and? B in the circuit of FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

11 : 메모리 12 : CPU11: memory 12: CPU

13 : 버퍼 14 : 입력 회로13: buffer 14: input circuit

15 : 출력 회로 16 : 기입·판독 회로15: output circuit 16: write / read circuit

17 : 메모리 셀 어레이 18 : 데이터 버스17: memory cell array 18: data bus

21 : 입력 단자 22 : 입력 버퍼21: input terminal 22: input buffer

23, 25-1∼25-n, 29-1∼29-n, 30 : 지연 회로23, 25-1 to 25-n, 29-1 to 29-n, 30:

24 : 전진 지연 어레이 26 : 미러 제어 회로24: forward delay array 26: mirror control circuit

27-1∼27-n : 제어 소자 28 : 후진 지연 어레이27-1 to 27-n: control element 28: reverse delayed array

31 : 클록 동기 지연 제어 회로31: Clock synchronous delay control circuit

32, 33-1∼33-n, 34, 57, 62 : 지연 회로32, 33-1 to 33-n, 34, 57, 62: delay circuit

41∼46, 59, 63, 66∼68, 70 : 인버터41 to 46, 59, 63, 66 to 68, 70: Inverter

47 : 상태 유지부 48, 49, 64 : NAND 회로47: state maintaining section 48, 49, 64: NAND circuit

51, 52 : P 채널형 MOS 트랜지스터51, 52: P-channel type MOS transistor

53∼56 : N 채널형 MOS 트랜지스터53 to 56: N-channel type MOS transistor

58, 69, 71, 72 : NOR 회로58, 69, 71, 72: NOR circuit

60, 61 : 제어 펄스 발생 회로60, 61: control pulse generating circuit

73 : NAND 회로 74 : 지연 회로73: NAND circuit 74: delay circuit

75 : 인버터 81∼84 : 회로 패턴75: Inverters 81 to 84: Circuit pattern

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 클록 동기 지연 제어 회로에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the clock synchronization delay control circuit of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

제1도는, 본 발명의 클록 동기 지연 제어 회로를 갖는 메모리 블록을 구비하는 동기 제어 시스템의 일예를 도시한 것이다.FIG. 1 shows an example of a synchronous control system having a memory block having a clock synchronous delay control circuit of the present invention.

메모리(싱크로너스 DRAM 등의 클록 동기형 DRAM)(11)에는, 예를 들면 CPU(12)에 의하여 생성되는 외부 클록(CK)이 입력되어 있다. 외부 클록(CK)은, 버퍼(13)에 의하여 내부 클록(CLK)으로 변환된다. 내부 클록(CLK)은, 기입·판독 회로(16)에 공급되며, 데이터의 기입·판독 동작을 제어한다.An external clock CK generated by, for example, the CPU 12 is input to a memory (a clock synchronous type DRAM such as a synchronous DRAM). The external clock (CK) is converted into an internal clock (CLK) by the buffer (13). The internal clock CLK is supplied to the write / read circuit 16 and controls write / read operations of data.

내부 클록(CLK)은, 외부 클록(CK)을 트리거로서 버퍼(13)에 의하여 생성되므로, 필연적으로 외부 클록(CK)과 내부 클록(CLK)간에는 스큐가 존재한다.Since the internal clock CLK is generated by the buffer 13 as the trigger of the external clock CK, there is inevitably skew between the external clock CK and the internal clock CLK.

클록 동기 지연 제어 회로(31)는, 내부 클록(CLK)에 기초하여, 외부 클록(CK)의 타이밍에 일치한 보정 내부 클록(CK′)을 생성한다. 보정 내부 클록(CK′)은, 입력 회로(14) 및 출력 회로(15)에 공급되며, 데이터의 입출력 동작을 제어한다.The clock synchronization delay control circuit 31 generates a corrected internal clock CK 'that coincides with the timing of the external clock CK based on the internal clock CLK. The corrected internal clock CK 'is supplied to the input circuit 14 and the output circuit 15, and controls the input / output operation of data.

제2도는 제1도의 메모리(11)내의 클록 동기 지연 제어 회로(31)의 구성을 도시한 것이다.FIG. 2 shows the configuration of the clock synchronization delay control circuit 31 in the memory 11 of FIG.

외부 클록(CK)은, 메모리 입력 단자(30)에 부여된다. 외부 클록(CK)은 지연량(D1)을 갖는 입력 버퍼(13)에 입력된다. 입력 버퍼(13)는, 외부 클록(CK)에 대하여 D1의 스큐를 갖는 내부 클록(CLK)을 출력한다. 내부 클록(CLK)은, 지연량(A)을 갖는 지연 회로(32)에 입력되며, 지연 회로(32)는, 전진 펄스(FCLi)[지연 모방 펄스(CL)]를 출력한다.The external clock CK is applied to the memory input terminal 30. The external clock CK is input to the input buffer 13 having the delay amount D1. The input buffer 13 outputs an internal clock CLK having a skew of D1 with respect to the external clock CK. The internal clock CLK is input to the delay circuit 32 having the delay amount A and the delay circuit 32 outputs the forward pulse FCLi (delayed imitation pulse CL).

내부 클록(CLK), 및 내부 클록(CLK)을 인버터(35)에 의하여 반전한 반전 내부 클록(/CLK)은, 각각 n개의 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에 입력된다.The internal clock CLK and the inverted internal clock CLK inverted by the inverter 35 by the internal clock CLK are supplied to n delay units 33-1, 33-2, ..., 33- .

n개의 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)은, 서로 직렬로 접속되어 있다. 초기단의 지연 유닛(33-1)에는, 전진 펄스(FCLi)가 입력되며, 또한, 초기단의 지연 유닛(33-1)으로부터는, 후진 펄스(RCL1)가 출력된다.The n delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n are connected in series with each other. The forward pulse FCLi is input to the initial stage delay unit 33-1 and the backward pulse RCL1 is output from the initial stage delay unit 33-1.

후진 펄스(RCL1)는, 지연량(D2)을 갖는 지연 회로(34)를 경유함으로써, 보정 내부 클록(CK′)이 된다.The backward pulse RCL1 passes through the delay circuit 34 having the delay amount D2 to become the corrected internal clock CK '.

제3도는 제2도의 지연 유닛의 구성을 상세히 도시한 것이다.FIG. 3 shows the arrangement of the delay unit of FIG. 2 in detail.

지연 유닛(33-i)는, 전진 펄스 지연 회로, 상태 유지 회로 및 후진 펄스 지연 회로의 3개의 부분으로 구성된다.The delay unit 33-i is composed of three parts: a forward pulse delay circuit, a state maintaining circuit, and a backward pulse delay circuit.

전진 펄스 지연 회로는, 3개의 인버터(41∼43)로 구성되어 있다. 인버터(41, 42)는, 직렬 접속되며, 인버터(41)에는, 전단의 지연 유닛의 출력 신호(FCLi)가 입력되고, 인버터(42)는, 후단의 지연 유닛에 출력 신호(FCLi+1)를 출력한다. 인버터(클록된 인버터)(41)의 동작은, 제어 펄스(/P)에 의하여 제어 되며, 예를 들면 제어 펄스(/P)가 “1”일 때, 인버터(41)는 활성 상태가 된다.The forward pulse delay circuit is composed of three inverters 41 to 43. The inverter 41 and 42 are connected in series and the output signal FCLi of the preceding stage delay unit is input to the inverter 41. The inverter 42 outputs the output signal FCLi + . The operation of the inverter (clocked inverter) 41 is controlled by the control pulse / P. For example, when the control pulse / P is &quot; 1 &quot;, the inverter 41 becomes active.

또한, 인버터(43)의 출력단은, 인버터(42)의 입력단에 접속되며, 인버터(43)의 입력단에는, 항상 “0”의 전위(예를 들어, 접지 전위)가 인가되어 있다. 인버터(클록된 인버터)(43)의 동작은, 제어 펄스(P)에 의하여 제어 되며, 예를 들면 제어 펄스(P)가 “1”일 때, 인버터(43)는 활성 상태가 된다.The output terminal of the inverter 43 is connected to the input terminal of the inverter 42 and the input terminal of the inverter 43 is always supplied with a potential of "0" (for example, ground potential). The operation of the inverter (clocked inverter) 43 is controlled by the control pulse P, for example, when the control pulse P is &quot; 1 &quot;, the inverter 43 becomes active.

후진 펄스 지연 회로는, 3개의 인버터(44∼46)로 구성되어 있다. 인버터(44, 45)는, 직렬 접속되며, 인버터(44)에는, 후단의 지연 유닛의 출력 신호(RCLi+1) 또는 내부 클록(CLK)이 입력되고, 인버터(45)는 전단의 지연 유닛에 출력 신호(RCLi)를 출력한다. 인버터(클록된 인버터)(44)의 동작은, 제어 펄스(Q)에 의하여 제어 되며, 예를 들면, 제어 펄스(Q)가 “1”일 때만, 인버터(44)는 활성 상태가 된다.The backward pulse delay circuit is composed of three inverters 44 to 46. The inverters 44 and 45 are connected in series and the output signal RCLi + 1 or the internal clock CLK of the delay unit at the subsequent stage is input to the inverter 44. The inverter 45 is connected to the delay unit at the previous stage And outputs the output signal RCLi. The operation of the inverter (clocked inverter) 44 is controlled by the control pulse Q, and the inverter 44 is activated only when, for example, the control pulse Q is &quot; 1 &quot;.

또한, 인버터(46)의 출력단은, 인버터(45)의 입력단에 접속되며, 인버터(46)의 입력단에는, 항상, 내부 클록(CLK)이 입력되어 있다. 인버터(클록된 인버터)(46)의 동작은, 제어 펄스(/Q)에 의하여 제어되며, 예를 들면, 제어 펄스(/Q)가 “1”일 때, 인버터(46)는 활성 상태가 된다.The output terminal of the inverter 46 is connected to the input terminal of the inverter 45 and the input terminal of the inverter 46 is always supplied with the internal clock CLK. The operation of the inverter (clocked inverter) 46 is controlled by the control pulse / Q, for example, when the control pulse / Q is &quot; 1 &quot;, the inverter 46 becomes active .

상태 유지 회로는, 상태 유지부(47) 및 NAND 회로(48, 49)로 구성되어 있다. NAND 회로(48)에는, 전단의 지연 유닛의 출력 신호(FCLi) 및 반전 내부 클록(/CLK)이 입력되며, NAND 회로(49)에는, 인버터(45)의 출력 신호 및 내부 클록(CLK)이 입력된다.The state retaining circuit is composed of a state retaining unit 47 and NAND circuits 48 and 49. [ The output signal FCLi and the inverted internal clock signal / CLK of the preceding stage delay unit are input to the NAND circuit 48. The output signal of the inverter 45 and the internal clock signal CLK are input to the NAND circuit 49 .

NAND 회로(48)의 출력 신호는 상태 유지부(47)의 세트 입력(/S)이 되며, NAND 회로(49)의 출력 신호는 상태 유지부(47)의 리세트 입력(/R)이 되고 있다. 따라서, NAND 회로(48)의 출력 신호(세트 입력)(/S)가 “0”이 되었을 때, 상태 유지부(47)는 세트 상태가 되며, NAND 회로(49)의 출력 신호(리세트 입력)(/R)이 “0”이 되었을 때, 상태 유지부(47)는 리세트 상태가 된다.The output signal of the NAND circuit 48 becomes the set input / S of the state holding unit 47 and the output signal of the NAND circuit 49 becomes the reset input / R of the state holding unit 47 have. Therefore, when the output signal (set input) / S of the NAND circuit 48 becomes &quot; 0 &quot;, the state holding unit 47 becomes the set state and the output signal of the NAND circuit 49 ) / R becomes &quot; 0 &quot;, the state holding unit 47 is in the reset state.

상태 유지부(47)는 제어 펄스(Q, /Q)를 출력하도록 구성되어 있다. 제어 펄스(Q)는, 상태 유지부(47)가 세트 상태일 때에 “1”이 되며, 제어 펄스(/Q)는 상태 유지부(47)가 리세트 상태일 때 “1”이 된다.The state maintaining unit 47 is configured to output control pulses Q and / Q. The control pulse Q becomes "1" when the state maintaining unit 47 is in the set state and the control pulse / Q becomes "1" when the state maintaining unit 47 is in the reset state.

제4도는 제3도의 상태 유지부의 구성의 일 예를 도시한 것이다.FIG. 4 shows an example of the configuration of the state maintaining unit in FIG.

P 채널형 MOS 트랜지스터(51) 및 N 채널형 MOS 트랜지스터(53, 54)는 서로 직렬로 접속되며, 그 양단에는, 고전위 VDD 및 저전위 VSS가 각각 인가되고 있다.The P-channel type MOS transistor 51 and the N-channel type MOS transistors 53 and 54 are connected in series to each other, and high-potential VDD and low-potential VSS are applied to both ends thereof.

마찬가지로, P 채널형 MOS 트랜지스터(52) 및 N 채널형 MOS 트랜지스터(55, 56)는 서로 직렬로 접속되며, 그 양단에는, 고전위 VDD 및 저전위 VSS가 각각 인가되고 있다.Likewise, the P-channel type MOS transistor 52 and the N-channel type MOS transistors 55, 56 are connected in series to each other, and high-potential VDD and low-potential VSS are applied to both ends thereof.

세트 입력(/S)은 MOS 트랜지스터(51, 54)의 게이트에 입력되며, 리세트 입력(/R)은 MOS 트랜지스터(52, 56)의 게이트에 입력되고 있다.The set input / S is input to the gates of the MOS transistors 51 and 54 and the reset input / R is input to the gates of the MOS transistors 52 and 56.

MOS 트랜지스터(53)의 게이트는 MOS 트랜지스터(52)의 드레인에 접속되며, MOS 트랜지스터(55)의 게이트는 MOS 트랜지스터(51)의 드레인에 접속되어 있다.The gate of the MOS transistor 53 is connected to the drain of the MOS transistor 52 and the gate of the MOS transistor 55 is connected to the drain of the MOS transistor 51. [

제어 펄스(Q)는 MOS 트랜치스터(51)의 드레인으로부터 출력되며, 제어 펄스(/Q)는 MOS 트랜지스터(52)의 드레인으로부터 출력된다.The control pulse Q is output from the drain of the MOS tran- sistor 51 and the control pulse / Q is output from the drain of the MOS transistor 52. [

제5도는 제어 펄스(P, /P)의 발생 회로의 구성의 일 예를 도시한 것이다.FIG. 5 shows an example of the configuration of the control pulse generating circuit P / / P.

내부 클록(CLK)은 지연량(A′)을 갖는 지연 회로(57)를 경유하여 NOR 회로(58)의 한 쪽 입력단에 입력되며, 반전 내부 클록(/CLK)은 NOR 회로(58)의 다른 쪽 입력단에 입력된다. NOR 회로(58)는, 제어 펄스(P)를 출력한다. 또한, 제어 펄스(P)는, 인버터(59)를 경유함으로써 제어 펄스(/P)가 된다.The internal clock CLK is input to one input of the NOR circuit 58 via the delay circuit 57 having the delay amount A 'and the inverted internal clock / CLK is input to the other input of the NOR circuit 58 Side input terminal. The NOR circuit 58 outputs the control pulse P. The control pulse P becomes the control pulse / P by way of the inverter 59. [

제어 펄스(P, /P)의 펄스 폭은, 지연 회로(57)의 지연량(A′)에 의하여 결정된다. 단, 이 지연량(A′)은, 지연 모방 펄스를 출력하는 지연 회로(32)의 지연량(A)보다도 작게 설정된다. 이것은, 전진 펄스가 초기단의 지연 유닛에 입력되기 전에, 모든 지연 유닛의 전진 지연 회로를 초기화하여 둘 필요가 있기 때문이다.The pulse width of the control pulses P, / P is determined by the delay amount A 'of the delay circuit 57. However, this delay amount A 'is set to be smaller than the delay amount A of the delay circuit 32 for outputting the delay-mimetic pulse. This is because it is necessary to initialize the forward delay circuits of all the delay units before the forward pulse is inputted to the delay unit of the initial stage.

다음에, 제6도를 참조하면서, 본 발명의 원리에 대하여 확인한다.Next, the principle of the present invention will be confirmed with reference to FIG. 6.

외부 클록(CK)과 내부 클록(CLK)의 스큐의 폭(지연량)을 D1이라고 하고, 외부 클록(CK) 및 내부 클록(CLK)의 주기를 T라고 한다.The skew width (delay amount) of the external clock CK and the internal clock CLK is D1 and the cycle of the external clock CK and the internal clock CLK is T. [

내부 클록(CLK)의 첫번째 펄스가 발생한 시점(상승한 시점)으로부터 시간(A)이 경유한 시점에서 지연 모방 펄스(FCL1)를 발생시킨다. 이 경우, 지연 모방 펄스(FCL1)가 발생한 시점으로부터, 내부 클록(CLK)의 두번째 펄스가 발생하는 시점까지의 시간은 Δf가 된다.The delayed mimic pulse FCL1 is generated at a point in time when the first pulse of the internal clock CLK has passed since the time point when the first pulse of the internal clock CLK is generated. In this case, the time from the generation of the delay imitation pulse FCL1 to the generation of the second pulse of the internal clock CLK is? F.

또한, 이 시간(Δf)를 카피하여 Δb를 만들고, 지연 모방 펄스(FCL1)를 발생시킨 시점으로부터 시간(2×Δ)(단, Δf=Δb=Δ)가 경유한 시점에서 지연 모방 펄스(RCL1)가 발생하도록 한다. 그러면, 지연 모방 펄스(RCL1)가 발생한 시점으로부터 시간(A)가 경과한 시점은, 내부 클록(CLK)의 세번째 펄스가 발생하는 시점과 일치하게 된다. 단, (A+W)<T로 한다. W는 지연 모방 펄스(FCL, RCL)의 폭이다.The time Δf is copied to make Δb and the delay imitation pulse RCL1 (2) is generated at the time point when the time (2 × Δ) (Δf = Δb = Δ) ). Then, the time point at which the time (A) elapses from the point in time at which the delay mimic pulse RCL1 is generated coincides with the time point at which the third pulse of the internal clock CLK is generated. (A + W) < T. And W is the width of delay imitation pulses FCL and RCL.

지연 모방 펄스(RCL1)가 발생한 시점으로부터 외부 클록(CK)의 세번째 펄스가 발생하는 시점까지의 시간을 D2라고 하면, 지연 모방 펄스(RCL1)를 시간(D2) 만큼 지연시켜 주면, 외부 클록(CK)의 타이밍에 일치한 보정 내부 클록(CK′)을 얻을 수 있다.Assuming that the time from the generation of the delay mimic pulse RCL1 to the generation of the third pulse of the external clock CK is D2, if the delay mimic pulse RCL1 is delayed by the time D2, the external clock CK (CK ') corresponding to the timing of the internal clock CK'.

즉, 지연량(A), (2×Δ), D2를 생성하는 지연 회로를 형성하고, 내부 클록(CLK)을 시간[A+(2×Δ)+D2] 만큼 지연시키면, 외부 클록(CK)의 타이밍에 일치한 보정 내부 클록(CK′)을 얻을 수 있게 된다.That is, by forming a delay circuit for generating the delay amounts A, (2 占 and D2) and delaying the internal clock CLK by the time A + (2 占?) + D2, It is possible to obtain the corrected internal clock CK 'that coincides with the timing of the internal clock CK.

또한, A=D1+D2 라는 관계가 존재하므로, 지연량(D2)은 A 및 D1으로부터 구할 수 있다. 또, 제어 펄스(P)는 전진 펄스가 초기단의 지연 유닛에 입력되기 전에, 모든 지연 유닛의 전진 지연 회로를 초기화해 두기 위한 것이다.Further, since there is a relationship of A = D1 + D2, the delay amount D2 can be obtained from A and D1. The control pulse P is for initializing the forward delay circuits of all the delay units before the forward pulse is inputted to the delay unit at the initial stage.

다음에, 제2도 내지 제5도의 클록 동기 지연 제어 회로의 동작에 대하여 설명한다.Next, the operation of the clock synchronization delay control circuit of FIG. 2 to FIG. 5 will be described.

1. 제7도의 타이밍 차트의 a 시점의 상태1. State at a point of time in the timing chart of FIG. 7

제8도에 도시한 바와 같이, 내부 클록(CLK)이 “1”이 된다(상승한다). 따라서, 제어 펄스 발생 회로(60)의 출력 신호는, P=“1”, /P=“0”이 되며, 지연량(A′)에 의하여 결정되는 펄스 폭을 갖는 제어 펄스(P, /P)가 생성되어, 각 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에 입력된다.As shown in Fig. 8, the internal clock CLK becomes &quot; 1 &quot; (rises). Therefore, the output signal of the control pulse generating circuit 60 becomes P = &quot; 1 &quot;, / P = &quot; 0 &quot;, and the control pulses P, / P having a pulse width determined by the delay amount A ' Are generated and input to the respective delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n.

각 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에서는, P=“1”, /P=“0”이 되므로, 인버터(43)가 활성 상태가 되며, 인버터(41)가 비활성 상태가 된다. 따라서, 모든 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)의 전진 펄스 지연 회로의 입출력 신호(FCL1∼FCLn)는, 모두 “0”이 되며, 전진 펄스가 전달되는 라인이 초기화된다.P = "1" and / P = "0" in each of the delay units 33-1 to 33-n so that the inverter 43 becomes active and the inverter 41 It becomes inactive. Therefore, the input / output signals FCL1 to FCLn of the forward pulse delay circuits of all the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n are all "0", and the line to which the forward pulse is transmitted is initialized do.

이 후, 각 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에서는, P=“1”, /P=“0”이 되면, 인버터(41)가 활성 상태가 되며, 인버터(43)가 비활성 상태가 된다. 즉, 각 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)의 전진 펄스 지연 회로가 서로 전기적으로 접속됨과 동시에, 지연 유닛(33-1)의 전진 펄스 지연 회로의 입력단이 지연 회로(32)에 전기적으로 접속되며, 전진 펄스의 전달 준비가 완료된다.Thereafter, in the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n, when P = "1" and / P = "0", the inverter 41 becomes active, 43 are in an inactive state. That is, the forward pulse delay circuits of the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n are electrically connected to each other, and the input terminal of the forward pulse delay circuit of the delay unit 33-1 is connected to the delay circuit (32), and preparation for transfer of the forward pulse is completed.

또한, 제어 펄스(P, /P)의 펄스 폭(P가 “1”, /P=“0”인 기간)은, 지연 회로(32)의 지연량(A)에 의하여 결정되는 기간 보다도 짧은 것이 필수 요건이다. 전진 펄스(지연 모방 펄스)(FCL1)가 지연 유닛(33-1)에 입력되기 전에, 모든 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)의 전진 펄스의 전달 라인을 초기화해 둘 필요가 있기 때문이다.The period of the control pulses P and / P (P is "1" and / P = "0") is shorter than the period determined by the delay amount A of the delay circuit 32 It is a prerequisite. The transmission line of the forward pulse of all the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n is initialized before the advance pulse (delay imitation pulse) FCL1 is input to the delay unit 33-1 It is necessary to put it.

2. 제7도의 타이밍 차트의 b 시점의 상태2. State of the timing point b in the timing chart of Fig. 7

제9도에 도시한 바와 같이, 내부 클록(CLK)이 “0”이 되고, 반전 내부 클록(/CLK)이 “1”이 된다. 내부 클록(CLK) 및 반전 내부 클록(/CLK)은 모든 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에 공통되어 있기 때문에, 모든 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)의 NAND 회로(48)의 한 쪽 입력이 “1”이 된다.As shown in Fig. 9, the internal clock CLK becomes "0" and the inversion internal clock / CLK becomes "1". Since the internal clock CLK and the inverted internal clock / CLK are common to all the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n, all the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n becomes &quot; 1 &quot;.

한편, 각 지연 유닛(33-1,-33-2, …, 33-n)의 상태 유지부(47)는 리세트 상태(R)가 되어 있고, 상태 유지부(47)로부터 출력되는 제어 펄스는, Q=“0”, /Q=“1”이 되어 있다.On the other hand, the state holding unit 47 of each of the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n is in the reset state R, Q = &quot; 0 &quot; and / Q = &quot; 1 &quot;.

따라서, 각 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)의 인버터(46)가 활성 상태가 되며, 인버터(44)가 비활성 상태가 되며, 모든 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)의 후진 펄스 지연 회로의 입출력 신호(RCL1∼RCLn)는, 모두 “0”이 된다.Therefore, the inverter 46 of each of the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n becomes active, the inverter 44 becomes inactive, all the delay units 33-1, 33 The input / output signals RCL1 to RCLn of the backward pulse delay circuits of the first, second, ..., and 33-n are all "0".

3. 제7도의 타이밍 차트의 c 시점의 상태3. The state at point c in the timing chart of Figure 7

제10도에 도시한 바와 같이, 지연 회로[지연량(A)](32)로부터 전진 펄스(지연 모방 펄스)(FCL1)가 출력되어, 지연 유닛(33-1)에 입력된다. 또한, 전진 펄스의 펄스 폭(“1”의 기간)과 지연량(A)에 의하여 결정되는 기간을 만족한 것은 내부 클록(CLK)의 주기(T) 보다도 짧아지도록 설정하는 것이 필요하다.As shown in Fig. 10, a forward pulse (delay imitation pulse) FCL1 is outputted from the delay circuit (delay amount A) 32 and inputted to the delay unit 33-1. It is also necessary to set the period of time that is determined by the pulse width of the forward pulse (the period of &quot; 1 &quot;) and the delay amount A to be shorter than the period T of the internal clock CLK.

전진 펄스(FCL1)(=“1”)가 지연 유닛(33-1)에 입력되면, 지연 유닛(33-1)의 NAND 회로(48)의 다른 쪽 입력이 “1”이 되며, NAND 회로(48)의 출력[세트 입력(/S)]은, “0”이 된다. 따라서, 상태 유지부(47)의 상태는 세트 상태(S)로 변화된다.When the forward pulse FCL1 (= "1") is input to the delay unit 33-1, the other input of the NAND circuit 48 of the delay unit 33-1 becomes "1" The output [set input (/ S)] of the input terminal 48 becomes "0". Therefore, the state of the state holding section 47 changes to the set state S.

상태 유지부(47)가 세트 상태(S)가 된 지연 유닛(33-1)에서는, 상태 유지부(47)로부터 출력되는 제어 펄스는 Q=″1″, /Q=″0″이 되므로, 인버터(44)가 활성 상태가 되며, 인버터(46)이 비활성 상태가 된다.In the delay unit 33-1 in which the state maintaining unit 47 is set to the set state S, the control pulses outputted from the state holding unit 47 are Q = "1" and / Q = "0" The inverter 44 becomes active, and the inverter 46 becomes inactive.

4. 제7도의 타이밍 차트의 d, e 시점의 상태4. The state at the point d and e in the timing chart of Fig. 7

제11도에 도시한 바와 같이, 전진 펄스는, 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)을 순차 경유하면서 진행해 간다.As shown in Fig. 11, the forward pulse advances through the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n sequentially.

전진 펄스가 과도하게 통과한 지연 유닛(33-1)에서는, NAND 회로(48)의 다른 쪽 입력은 꼭 “0”이 되며, NAND 회로(48)의 출력[세트 입력(/S)]은 “1”이 되지만, 상태 유지부(47)의 상태는 세트 상태(S)로 유지된다.In the delay unit 33-1 in which the forward pulse has passed excessively, the other input of the NAND circuit 48 becomes "0" and the output (set input / S) of the NAND circuit 48 becomes " 1 &quot;, but the state of the state holding unit 47 is maintained in the set state S.

마찬가지로, 전진 펄스가 지연 유닛(33-2)에 입력되면, 지연 유닛(33-2)의 상태 유지부(47)는, 세트 상태(S)로 변화한다. 전진 펄스가 지연 유닛(33-2)을 과도하게 통과해도, 지연 유닛(33-2)의 상태 유비부(47)는 세트 상태(S)를 유지한다.Similarly, when the forward pulse is inputted to the delay unit 33-2, the state holding unit 47 of the delay unit 33-2 changes to the set state S. Even if the forward pulse excessively passes through the delay unit 33-2, the state dependent unit 47 of the delay unit 33-2 maintains the set state S.

내부 클록(CLK)이 꼭 “1”이 되고, 반전 내부 클록(/CLK)이 “0”이 되면, 각 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에는, 이 내부 클록(CLK)과 반전 내부 클록(/CLK)이 입력된다.When the internal clock CLK becomes "1" and the inverted internal clock / CLK becomes "0", the delay units 33-1, 33-2, ..., 33- (CLK) and an inverted internal clock (/ CLK) are input.

따라서, 모든 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)의 NAND 회로(48)의 한 쪽의 입력은 “0”이 됨과 동시에, NAND 회로(49)의 한 쪽의 입력은 “1”이 된다.Therefore, one input of the NAND circuit 48 of all the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n becomes "0", and one input of the NAND circuit 49 Quot; 1 &quot;.

또한, 상태 유지부(47)가 세트 상태(S)인 지연 유닛(33-1, 33-2에서는, Q=″1″이고, 인버터(44)가 활성 상태이므로, 후진 펄스 지연 회로의 출력 신호(RCL1, RCL2)는 “0”의 상태를 유지하지만, 상태 유지부(47)가 리세트 상태(R)인 지연 유닛(33-3∼33-n)에서는, /Q=″1″이며, 인버터(46)가 활성 상태이므로, 후진 펄스 지연 회로의 출력 신호(RCL3∼RCLn)는 “1”이 된다.Since Q = &quot; 1 &quot; in the delay units 33-1 and 33-2 in which the state maintaining unit 47 is in the set state S and the inverter 44 is active, the output signal of the backward pulse delay circuit Quot; 1 &quot; in the delay units 33-3 to 33-n in which the state maintaining unit 47 is in the reset state R, while the delay units RCL1 and RCL2 maintain the state &quot; 0 & Since the inverter 46 is active, the output signals RCL3 to RCLn of the backward pulse delay circuit become &quot; 1 &quot;.

이로써, 후진 펄스의 프론트 에지(F2)가 형성된다.Thereby, the front edge F2 of the backward pulse is formed.

여기서, 후진 펄스의 프론트 에지(F2)는, 내부 클록(CLK)이 “1”이 되었을 때, 상태 유지부가 리세트 상태(R)의 지연 유닛(33-3∼33-n) 중 가장 초기단의 지연 유닛(33-1)측에 위치하는 지연 유닛(33-3)에서 형성된다.Here, the front edge F2 of the backward pulse is the state in which the state holding unit is the earliest stage among the delay units 33-3 to 33-n in the reset state R when the internal clock CLK becomes &quot; 1 & Is formed in the delay unit 33-3 located on the side of the delay unit 33-1.

이때, 전진 펄스의 프론트 에지(F1)는 지연 유닛(33-3)의 직전에 위치되어 있다고 생각할 수 있으므로, 전진 펄스의 프론트 에지(F1)와 후진 펄스의 프론트 에지(F2)는 일치한다.At this time, since the front edge F1 of the forward pulse can be considered to be positioned immediately before the delay unit 33-3, the front edge F1 of the forward pulse and the front edge F2 of the backward pulse coincide with each other.

따라서, 전진 펄스(지연 모방 펄스)(FCL1)가 발생한 시점으로부터 내부 클록(CLK)의 펄스가 발생하기까지의 시간(Δf)과, 해당 내부 클록(CLK)의 펄스가 발생하고나서(후진 펄스가 발생하고나서) 후진 펄스(RCL1)가 출력되며, 지연 회로(34)에 입력되기까지의 시간(Δb)은 동일해진다.Therefore, after the time Δf from when the forward pulse (delay imitation pulse) FCL1 is generated to when the internal clock CLK is generated and when the pulse of the internal clock CLK is generated The backward pulse RCL1 is output and the time? B until the delay circuit 34 is input becomes equal.

이 후, 제12도에 도시한 바와 같이, 제어 펄스 발생 회로(60)의 출력 신호는, P=″1″, /P=″0″이 되며, 지연량(A′)에 의하여 결정되는 펄스 폭을 갖는 제어 펄스(P, /P)가 생성되며, 각 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에 입력된다.Thereafter, as shown in Fig. 12, the output signal of the control pulse generating circuit 60 becomes P = "1" and / P = "0", and a pulse determined by the delay amount A ' Control pulses P and / P having a width are generated and input to the respective delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n.

각 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에서는, P=″1″, /P=″0″이 되므로, 인버터(43)가 활성 상태가 되며, 인버터(41)가 비활성 상태가 된다. 따라서, 모든 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)의 전진 펄스 지연 회로의 입출력 신호(FCL1∼FCLn)는, 모두 “0”이 되며, 전진 펄스가 소멸하고, 전진 펄스가 전달되는 라인이 초기화된다.P = "1" and / P = "0" in each of the delay units 33-1 to 33-n so that the inverter 43 becomes active and the inverter 41 It becomes inactive. Therefore, the input / output signals FCL1 to FCLn of the forward pulse delay circuits of all the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n are all "0", the forward pulse is eliminated, Is initialized.

한편, 후진 펄스(=“1”)의 프론트가 지연 유닛(33-1)에 입력되면, 지연 유닛(33-2)에서는, NAND 회로(49)의 두 개의 입력이 모두 “1”이 되므로, NAND 회로(49)의 출력[리세트 입력(/R)]d1 “0”이 되며, 상태 유지부(47)는 리세트 상태(R)으로 변화된다(초기화된다).On the other hand, when the front of the backward pulse (= &quot; 1 &quot;) is input to the delay unit 33-1, both of the two inputs of the NAND circuit 49 in the delay unit 33-2 become &quot; The output [reset input (/ R)] d1 of the NAND circuit 49 becomes "0" and the state maintaining unit 47 changes to the reset state R (initialized).

각 지연 유닛의 상태 유지부(47)의 초기화[리세트 상태(R)로 하는 것)은, 내부 클록(CLK)이 “1”인 기간에만 행해진다. 즉, 내부 클록(CLK)이 “1”일 때, 후진 펄스(=“1”)가 입력되면, NAND 회로(49)의 두 개의 입력이 모두 “1”이 되기 때문이다.The initialization (reset state R) of the state maintaining unit 47 of each delay unit is performed only during the period in which the internal clock CLK is &quot; 1 &quot;. That is, when a backward pulse (= "1") is input when the internal clock CLK is "1", both inputs of the NAND circuit 49 become "1".

그리고, 각 지연 유닛의 상태 유지부(47)의 초기화는 내부 클록(CLK)이 “1”인 기간에만 행해지므로, 모든 지연 유닛의 상태 유지부(47)를 초기화, 즉 리세트 상태(R)로 할 수 없는 경우도 있으나, 특별한 문제는 없다. 이것은 초기화되지 않은 지연 유닛(33-1)에는 다음의 전진 펄스가 과도하게 통과하는 것이 분명하기 때문이다.Since the state holding unit 47 of each delay unit is initialized only during the period in which the internal clock CLK is &quot; 1 &quot;, the state holding unit 47 of all the delay units is initialized, However, there is no particular problem. This is because it is clear that the next advance pulse is excessively passed through to the uninitialized delay unit 33-1.

5. 제7도의 타이밍 차트의 f 시점의 상태5. State of f at the timing chart of Fig. 7

제13도에 도시한 바와 같이, 내부 클록(CLK)이 “0”이 되고, 반전 내부 클록(/CLK)이 “1”이 된다. 이 내부 클록(CLK)과 반전 내부 클록(/CLK)은 모든 지연유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에 입력된다.As shown in Fig. 13, the internal clock CLK becomes "0" and the inversion internal clock / CLK becomes "1". The internal clock CLK and the inverted internal clock / CLK are input to all the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n.

또, 각 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에서는 P=″0″, /P=″1″이 되므로, 인버터(41)가 활성 상태가 되며, 인버터(43)가 비활성 상태가 된다. 즉, 각 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)의 전진 펄스 지연 회로가 서로 전기적으로 접속됨과 동시에, 지연 유닛(33-1)의 전진 펄스 지연 회로의 입력단이 지연 회로(32)에 전기적으로 접속되며, 전진 펄스의 전달 준비가 완료된다.P = &quot; 0 &quot; and / P = &quot; 1 &quot; in each of the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n. Thus, the inverter 41 becomes active, Is in an inactive state. That is, the forward pulse delay circuits of the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n are electrically connected to each other, and the input terminal of the forward pulse delay circuit of the delay unit 33-1 is connected to the delay circuit (32), and preparation for transfer of the forward pulse is completed.

한편, 상태 유지부(47)가 리세트 상태(R)인 지연 유닛(33-2∼33-n)에서는, /Q=″1″이고, 인버터(46)이 활성 상태이다. 이 때문에, 내부 클록(CLK)이 “0”이 되면, 상태 유지부(47)가 리세트 상태(R)인 지연 유닛(33-2∼33-n)의 출력 신호(RCL2∼RCLn)이 “0”이 되며, 후진 펄스의 백 에지가 형성된다.On the other hand, in the delay units 33-2 to 33-n in which the state maintaining unit 47 is in the reset state R, / Q = "1" and the inverter 46 is in an active state. Therefore, when the internal clock CLK becomes &quot; 0 &quot;, the output signals RCL2 to RCLn of the delay units 33-2 to 33-n whose state holding unit 47 is in the reset state R are &quot; 0 &quot;, and the back edge of the backward pulse is formed.

따라서, 후진 펄스의 펄스 폭은 지연 유닛 1단분의 지연량(인버터 2단분의 지연량)에 상당하는 기간과 동일하지만, 또는 그것 보다도 짧아진다.Therefore, the pulse width of the backward pulse is equal to or shorter than the period corresponding to the delay amount of one delay unit (the delay amount of two inverters).

만일, 후진 펄스의 펄스 폭을 지연 유닛 1단분의 지연량 보다도 길게 하고 싶은 경우에는, 제17도에 도시한 바와 같이, 지연 회로(33-n)의 NAND 회로(49)의 다른 쪽 입력을 전단의 지연 회로[33-(n-1)]의 출력(RCLn-1)으로 하면 된다. 이 경우, 후진 펄스의 최대 펄스 폭은 지연 유닛 2단분의 지연량(인버터 4단분의 지연량)에 상당하는 기간이 된다.If it is desired to make the pulse width of the backward pulse longer than the delay amount of one delay unit, the other input of the NAND circuit 49 of the delay circuit 33- (RCLn-1) of the delay circuit 33- (n-1) of Fig. In this case, the maximum pulse width of the backward pulse is a period corresponding to the delay amount of two delay units (the delay amount of four inverters).

또, 상태 유지부(47)가 세트 상태(S)인 지연 유닛(33-1)에서는 Q=″1″이며, 인버터(44)가 활성 상태이다. 따라서, 후진 펄스를 지연 유닛(33-1)을 경유하여 지연 회로(34)에 도입하기 위한 준비가 완료된다.In the delay unit 33-1 in which the state maintaining unit 47 is in the set state S, Q = &quot; 1 &quot;, and the inverter 44 is in the active state. Thus, preparation for introducing the backward pulse to the delay circuit 34 via the delay unit 33-1 is completed.

6. 제7도의 타이밍 차트의 g 시점의 상태6. State of g point in the timing chart of Figure 7

제14도에 도시한 바와 같이, 지연 회로[지연량(A)](32)로부터 전진 펄스(지연 모방 펄스)(FCL1)가 출력되며, 지연 유닛(33-1)에 입력된다. 전진 펄스(FCL1)(=“1”)가 지연 유닛(33-1)에 입력되면, 지연 유닛(33-1)의 NAND 회로(48)의 다른 쪽 입력이 “1”이 되며, NAND 회로(48)의 출력[세트 입력(/S)]은 “0”이 된다.As shown in Fig. 14, a forward pulse (delay imitation pulse) FCL1 is outputted from the delay circuit (delay amount A) 32 and inputted to the delay unit 33-1. When the forward pulse FCL1 (= "1") is input to the delay unit 33-1, the other input of the NAND circuit 48 of the delay unit 33-1 becomes "1" The output [set input (/ S)] of the input / output terminal 48 becomes &quot; 0 &quot;.

따라서, 지연 유닛(33-1)의 상태 유지부(47)가 세트 상태일 때는, 상태 유지부(47)는 세트 상태(S)를 유지하고, 해당 상태 유지부(47)가 리세트 상태(R)일 때는 상태 유지부(47)는 세트 상태(S)로 변화된다.Therefore, when the state holding unit 47 of the delay unit 33-1 is in the set state, the state holding unit 47 holds the set state S and the state holding unit 47 is in the reset state R), the state holding portion 47 is changed to the set state S.

상태 유지부(47)가 세트 상태(5)가 된 지연 유닛(33-1)에서는, 상태 유지부(47)로부터 출력되는 지연 펄스는 Q=″1″, /Q=″0″이 되므로, 인버터(44)가 활성 상태가 되며, 인버터(46)이 비활성 상태가 된다.In the delay unit 33-1 in which the state maintaining unit 47 is set to the set state 5, the delay pulses outputted from the state holding unit 47 are Q = "1" and / Q = "0" The inverter 44 becomes active, and the inverter 46 becomes inactive.

한편에서, 후진 펄스는 초기단의 지연 유닛(33-1)에 입력되며, 인버터 2단분의 지연을 받아, 초기단의 지연 유닛(33-1)으로부터 출력된다.On the other hand, the backward pulse is input to the delay unit 33-1 at the initial stage, is delayed by two stages of the inverter, and is output from the delay unit 33-1 at the initial stage.

7 제7도의 타이밍 차트의 h 시점의 상태7 State of h at the timing chart of Figure 7

제15도에 도시한 바와 같이, 전진 펄스는 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)을 순차 경유하면서 진행해 간다.As shown in FIG. 15, the forward pulse advances through the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n sequentially.

전진 펄스가 과도하게 통과한 지연 유닛(33-1)에서는, NAND 회로(48)의 다른 쪽 입력은 꼭 “0”이 되며, NAND 회로(48)의 출력[세트 입력(/S)]은 “1”이 되지만, 상태 유지부(47)의 상태는 세트 상태(S)로 유지된다.In the delay unit 33-1 in which the forward pulse has passed excessively, the other input of the NAND circuit 48 becomes "0" and the output (set input / S) of the NAND circuit 48 becomes " 1 &quot;, but the state of the state holding unit 47 is maintained in the set state S.

마찬가지로, 전진 펄스가 지연 유닛(33-2)에 입력되면, 지연 유닛(33-2)의 상태 유지부(47)는 세트 상태(S)로 변화된다. 전진 펄스가 지연 유닛(33-2)을 과도하게 통과해도, 지연 유닛(33-2)의 상태 유지부(47)는 세트 상태(S)를 유지한다.Similarly, when the forward pulse is inputted to the delay unit 33-2, the state holding unit 47 of the delay unit 33-2 changes to the set state S. Even if the forward pulse excessively passes through the delay unit 33-2, the state holding unit 47 of the delay unit 33-2 maintains the set state S.

한편, 후진 펄스는 지연 회로(34)에 입력된다. 지연 회로(34)는 후진 펄스를 지연량(D2) 만큼 지연시켜, 보정 내부 클록(CK′)의 펄스를 발생한다. 이 보정 내부 클록(CK′)의 펄스의 타이밍은, 외부 클록(CK)의 펄스의 타이밍과 일치하고 있다.On the other hand, the backward pulse is inputted to the delay circuit 34. The delay circuit 34 delays the backward pulse by the delay amount D2 to generate a pulse of the corrected internal clock CK '. The timing of the pulse of the corrected internal clock CK 'coincides with the timing of the pulse of the external clock CK.

8. 제7도의 타이밍 차트의 i 시점의 상태8. State at i-point of the timing chart of Fig. 7

제16도에 도시한 바와 같이, 내부 클록(CLK)이 꼭 “1”이 되며, 반전 내부 클록(/CLK)이 “0”이 되면, 각 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에는, 이 내부 클록(CLK)과 반전 내부 클록(/CLK)이 입력된다.As shown in FIG. 16, when the internal clock CLK becomes "1" and the inverted internal clock / CLK becomes "0", the delay units 33-1, 33-2, 33-n, the internal clock CLK and the inverted internal clock / CLK are input.

따라서, 모든 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)의 NAND 회로(48)의 한 쪽의 입력은 “0”이 됨과 동시에, NAND 회로(49)의 한 쪽의 입력은 “1”이 된다.Therefore, one input of the NAND circuit 48 of all the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n becomes "0", and one input of the NAND circuit 49 Quot; 1 &quot;.

또한, 상태 유지부(47)가 세트 상태(5)인 지연 유닛(33-1, 33-2)에서는 Q=″1″이고, 인버터(44)가 활성 상태이므로, 후진 펄스 지연 회로의 출력 신호(RCL1, RCL2)는, “0”의 상태를 유지하지만, 상태 유지부(47)가 리세트 상태(R)인 지연 유닛(33-3∼33-n)에서는 /Q=″1″이며, 인버터(46)가 활성 상태이므로, 후진 펄스 지연 회로의 출력 신호(RCL3∼RCLn)은 “1”이 된다.In the delay units 33-1 and 33-2 in which the state maintaining unit 47 is in the set state 5, Q = &quot; 1 &quot;, and the inverter 44 is in the active state, Quot; 1 &quot; in the delay units 33-3 to 33-n in which the state retaining unit 47 is in the reset state R, while the delay units RCL1 and RCL2 maintain the state &quot; 0 & Since the inverter 46 is in an active state, the output signals RCL3 to RCLn of the backward pulse delay circuit become &quot; 1 &quot;.

이로써, 후진 펄스의 프론트(F1)가 형성된다.Thereby, the front F1 of the backward pulse is formed.

이 후는, 제12도 내지 제16도의 동작이 반복하여 행해지게 된다.Thereafter, the operations of FIG. 12 through FIG. 16 are repeatedly performed.

상기 구성의 클록 동기 지연 제어 회로에 의하면, 각 지연 유닛이 상태 유지부를 가짐으로써, 지연 모방 펄스(후진 펄스)(FCL1)가 발생하고나서 내부 클록(CLK)의 펄스가 발생하기까지의 시간(Δf)을 정확히 카피하여 Δb를 형성하고, 해당 내부 클록(CLK)의 펄스가 발생하고나서 시간(Δb)(=Δf) 후에 후진 펄스(RCL1)를 지연량(D2)을 갖는 지연 회로(34)에 입력시킬 수 있다.According to the clock synchronous delay control circuit having the above configuration, each delay unit has a state maintaining unit, whereby the time Δf (f) from the generation of the delayed imitation pulse (reverse pulse) FCL1 to the generation of the pulse of the internal clock And the delay circuit 34 having the delay amount D2 after the time Δb (= Δf) after the generation of the pulse of the internal clock CLK Can be input.

따라서, 외부 클록(CK)에 정확히 동기한 보정 내부 클록(CK′)을 발생할 수 있게 되며, 고속 클록을 사용한 데이터 전송을 달성할 수 있다. 또한, 본 발명은 싱크로너스 DRAM과 같이, 내부 클록이 일시 중단되는 경우가 있는 동시에, 주파수가 변화되는 고속 클록에 동기시켜 데이터의 수수를 행하는 메모리에 유효하다.Therefore, it is possible to generate the corrected internal clock CK 'exactly synchronized with the external clock CK, and data transfer using the high-speed clock can be achieved. Further, like the synchronous DRAM, the present invention is effective for a memory in which an internal clock is temporarily suspended and data is transferred in synchronization with a high-speed clock whose frequency is changed.

제18도는 제2도의 클록 동기 지연 제어 회로의 변형례를 도시한 것이다.FIG. 18 shows a modification of the clock synchronization delay control circuit of FIG. 2;

이 클록 동기 지연 제어 회로는 제2도의 회로와 비교하면, 지연 회로(34)에 소정의 기능을 부가한 점이 다르며, 그 외의 구성은 제2도의 회로와 동일하다.This clock synchronous delay control circuit differs from the circuit of FIG. 2 in that a delay circuit 34 is provided with a predetermined function, and the other configuration is the same as that of the circuit of FIG.

즉, 본 실시예에서는, 외부 클록(CK) 또는 내부 클록(CLK)의 주기(T)가 소정치 이상으로 긴 경우에는, 내부 클록(CLK)의 타이밍을 외부 클록(CK)의 타이밍에 합친다고 하는 처리를 행하지 않고, 메모리의 입출력 회로의 제어는 일정한 스큐를 갖는 내부 클록(CLK)에 의하여 행하도록 하고 있다.That is, in the present embodiment, when the period T of the external clock CK or the internal clock CLK is longer than a predetermined value, the timing of the internal clock CLK is added to the timing of the external clock CK The control of the input / output circuit of the memory is performed by the internal clock CLK having a constant skew.

이것은 외부 클록(CK)의 주파수가 비교적 낮은(주기가 긴) 경우에는, 스큐 자체가 그다지 문제시되지 않기 때문이다. 또한, 클록 동기 지연 제어 회로를 구성하는 지연 유닛의 수도 메모리 칩상의 점유 면적과의 관계로부터 그다지 크게 되지 않기 때문이다.This is because, when the frequency of the external clock CK is relatively low (the cycle is long), the skew itself is not so much a problem. This is because the number of delay units constituting the clock synchronous delay control circuit is not so large as compared with the occupied area on the memory chip.

이하, 본 실시예의 회로 구성을 간단히 설명한다.Hereinafter, the circuit configuration of the present embodiment will be briefly described.

외부 클록(CK)은 메모리의 입력 단자(30)에 부여된다. 외부 클록(CK)은 지연량(D1)을 갖는 입력 버퍼(13)에 입력된다. 입력 버퍼(13)는, 외부 클록(CK)에 대하여 D1의 스큐를 갖는 내부 클록(CLK)을 출력한다. 내부 클록(CLK)은, 지연량(A)을 갖는 지연 회로(32)에 입력되며, 지연 회로(32)는 전진 펄스(FCL1)[지연 모방 펄스(DL)]를 출력한다.The external clock CK is applied to the input terminal 30 of the memory. The external clock CK is input to the input buffer 13 having the delay amount D1. The input buffer 13 outputs an internal clock CLK having a skew of D1 with respect to the external clock CK. The internal clock CLK is input to the delay circuit 32 having the delay amount A and the delay circuit 32 outputs the forward pulse FCL1 (delayed oscillation pulse DL).

내부 클록(CLK), 및 내부 클록(CLK)을 인버터(35)에 의하여 반전한 반전 내부 클록(/CLK)은 각각 n개의 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에 입력된다.The internal clock CLK and the inverted internal clock CLK inverted by the inverter 35 by the internal clock CLK are supplied to n delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n, .

n개의 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)은 서로 직렬 접속되어 있다. 초기단의 지연 유닛(33-1)에는 전진 펄스(FCL1)가 입력되며, 또한, 초기단의 지연 유닛(33-1)으로부터는, 후진 펄스(RCL1)가 출력된다.The n delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n are connected in series with each other. The forward pulse FCL1 is input to the delay unit 33-1 at the initial stage and the backward pulse RCL1 is output from the delay unit 33-1 at the initial stage.

외부 클록(CK)의 주기(T)가 소정치 미만(고속 클록)인 경우에는, 후진 펄스(RCL1)는 지연량(D2)을 갖는 지연 회로(34)를 경유함으로써, 보정 내부 클록(CK′)이 된다. 이 보정 내부 클록(CK′)의 타이밍은 외부 클록(CK)의 타이밍과 일치하고 있는 것이다.When the period T of the external clock CK is less than a predetermined value (high-speed clock), the backward pulse RCL1 passes through the delay circuit 34 having the delay amount D2 so that the corrected internal clock CK ' ). The timing of the corrected internal clock CK 'coincides with the timing of the external clock CK.

외부 클록(CK)의 주기(T)가 소정치 이상인 경우에는, 후진 펄스(RCL1)는 지연량(D2)을 갖는 지연 회로(34)에 입력되지만, 지연 회로(34)로부터 출력되는 것은 아니다. 그 대신에, 내부 클록(CLK)이 지연 회로(34)로부터 출력된다 이 경우, 당연히 내부 클록(CLK)은 외부 클록(CK)에 대하여 일정한 스큐를 갖고 있으나, 이 스큐는 외부 클록(CK)의 주기에 대하여 그다지 문제시 되지 않는 정도의 양이 되고 있다.The backward pulse RCL1 is input to the delay circuit 34 having the delay amount D2 but not outputted from the delay circuit 34 when the period T of the external clock CK is equal to or greater than a predetermined value. The internal clock CLK is output from the delay circuit 34. Naturally, the internal clock CLK has a certain skew with respect to the external clock CK, but this skew corresponds to the phase of the external clock CK So that the amount of time is not so much problematic for the cycle.

제어 펄스 발생 회로(61)는, 최종단의 지연 유닛(33-n)의 전진 펄스 지연 회로의 출력(LST)과, 초기단의 지연 유닛(33-1)의 후진 펄스 지연 회로의 출력(RCL1)에 기초하여, 제어 펄스(L, /L)를 출력한다. 제어 펄스(L, /L)는 보정 내부 클록(CK′)을 출력하는지, 또는 내부 클록(CLK)을 출력하는지를 결정한다.The control pulse generating circuit 61 outputs the output LST of the forward pulse delay circuit of the final stage delay unit 33-n and the output LCL of the backward pulse delay circuit of the initial stage delay unit 33-1 (L, / L) based on the control pulses L and / L. The control pulses L and / L determine whether to output the corrected internal clock CK 'or the internal clock CLK.

제19도는 제18도의 지연 회로(34)의 구성을 상세히 도시한 것이다.19 shows the configuration of the delay circuit 34 of FIG. 18 in detail.

지연 유닛(33-1)의 출력(RCL1)은 지연 회로(62) 및 인버터(63)를 경유하여 NAND 회로(64)의 한 쪽의 입력단에 입력됨과 동시에, 직접, NAND 회로(64)의 다른 쪽의 입력단에 입력되고 있다. NAND 회로(64)의 출력 신호는 3개의 인버터(65∼67)를 경유함으로써, 보정 내부 클록(CK′)이 된다.The output RCL1 of the delay unit 33-1 is input to one input terminal of the NAND circuit 64 via the delay circuit 62 and the inverter 63 and is directly supplied to the other input terminal of the NAND circuit 64 Is input to the input terminal of the side. The output signal of the NAND circuit 64 passes through the three inverters 65 to 67, thereby becoming the corrected internal clock CK '.

인버터(66)는, 제어 클록(/L)이 “1”일 때 활성 상태가 되는 클록 인버터이다. 즉, 제어 클록(/L)이 “1”일 때, 후진 펄스를 일정 시간 만큼 늦추어 보정 내부 클록(CK′)을 생성하고, 제어 클록(/L)이 “0”일 때, 후진 펄스를 차단한다.The inverter 66 is a clock inverter that becomes active when the control clock (/ L) is &quot; 1 &quot;. That is, when the control clock / L is &quot; 1 &quot;, the backward pulse is delayed by a predetermined time to generate the corrected internal clock CK ' do.

내부 클록(CLK)은 인버터(68)를 경유하여 지연 회로(34)의 인버터(67)에 입력되고 있다. 인버터(68)는 제어 클록(L)이 “1”일 때에 활성 상태가 되는 클록된 인버터이다. 즉, 제어 클록(L)이 “1”일 때, 내부 클록(CLK)을 인버터(6&)에 도입하고, 제어 클록(L)이 “0”일 때, 내부 클록(CLK)을 차단한다.The internal clock CLK is input to the inverter 67 of the delay circuit 34 via the inverter 68. The inverter 68 is a clocked inverter that becomes active when the control clock L is &quot; 1 &quot;. That is, when the control clock L is "1", the internal clock CLK is introduced to the inverter 6 ', and when the control clock L is "0", the internal clock CLK is cut off.

제20도는 제18도의 제어 펄스 발생 회로(61)의 구성을 도시한 것이다.FIG. 20 shows the configuration of the control pulse generating circuit 61 of FIG. 18.

NOR 회로(69)의 한 쪽의 입력단에는 최종단의 지연 유닛(33-n)의 전진 펄스 지연 회로의 출력(LST)이 입력되며, 다른 쪽의 입력단에는 NOR 회로(72)의 출력이 입력되고 있다. NOR 회로(72)의 한 쪽의 입력단에는 NOR 회로(69)의 출력이 입력되며, 다른 쪽의 입력단에는, NOR 회로(71)의 출력이 입력되어 있다.The output (LST) of the forward pulse delay circuit of the last-stage delay unit 33-n is input to one input terminal of the NOR circuit 69 and the output of the NOR circuit 72 is input to the other input terminal have. The output of the NOR circuit 69 is input to one input terminal of the NOR circuit 72 and the output of the NOR circuit 71 is input to the other input terminal thereof.

NOR 회로(71)에는, 최종단의 지연 유닛(33-n)의 전진 펄스 지연 회로의 출력(LST)과, 초기단의 지연 유닛(33-1)의 후진 펄스 지연 회로의 출력(RCL1)을 인버터(70)로 반전시킨 것이 각각 입력되어 있다.The NOR circuit 71 receives the output LST of the forward pulse delay circuit of the last stage delay unit 33-n and the output RCL1 of the backward pulse delay circuit of the first stage delay unit 33-1 And inverted by the inverter 70 are inputted.

다시, NAND 회로(73)에는 NOR 회로(69)의 출력과, 이 출력을 지연 회로(74)에 의하여 지연량(D3) 만큼 지연시킨 것이 각각 입력되고 있다. NAND 회로(73)의 출력은 제어 클록(L)이 되며, 이 제어 클록(L)을 인버터(75)로 반전시킨 것이 제어 클록(L)이 된다.The NAND circuit 73 receives the output of the NOR circuit 69 and the delayed output of the delay circuit 74 by the delay amount D3. The output of the NAND circuit 73 becomes the control clock L and the control clock L inverted by the inverter 75 becomes the control clock L.

NAND 회로(73) 및 지연 회로(74)는 NOR회로(69)의 출력에 대하여 제어 클록(L)의 상승은 늦추지 않고, 제어 클록(L)의 하강만 지연량(D3) 만큼 늦추어, 지연 회로(34)내의 후진 펄스를 확실히 소멸시키고, 초기화하기 위한 것이다.The NAND circuit 73 and the delay circuit 74 delay the rise of the control clock L with respect to the output of the NOR circuit 69 and the delay of the control clock L by the delay amount D3, To reliably extinguish and initialize the backward pulse in the pulse generator 34.

다음에, 제21도를 참조하면서 제18도∼제20도의 클록 동기 지연 제어 회로의 원리에 대하여 간단히 설명한다.Next, with reference to FIG. 21, the principle of the clock synchronization delay control circuit of FIG. 18 to FIG. 20 will be briefly described.

제21도는 외부 클록(CK)의 1주기(사이클 타임)가 비교적 길어지고, 전 지연 유닛에 의한 최대 지연량(maxΔ)이 지연 모방 펄스가 발생한 시점으로부터 내부 클록(CLK)의 펄스가 발생하는 시점까지의 시간(Δf) 보다도 짧아진 경우에 있어서의 타이밍 차트를 도시하고 있다.21 shows a state in which one cycle (cycle time) of the external clock CK becomes comparatively long and a maximum delay amount max DELTA by the total delay unit is equal to a time point when a pulse of the internal clock CLK is generated Is shorter than the time? F up to the time? F.

외부 클록(CK)과 내부 클록(CLK)의 스큐의 폭(지연량)을 D1이라고 하고, 외부 클록(CK)의 주기를 T라고 한다.The skew width (delay amount) of the external clock CK and the internal clock CLK is D1 and the cycle of the external clock CK is T. [

내부 클록(CLK)의 첫번째 펄스가 발생한 시점(상승한 시점)으로부터 시간(A)가 경과한 시점에서 지연 모방 펄스(FCL1)를 발생시킨다. 이 경우, 지연 모방 펄스(FCL1)가 발생한 시점으로부터, 내부 클록(CLK)의 두번째의 펄스가 발생하는 시점까지의 시간은 Δf가 된다.The delayed mimic pulse FCL1 is generated at a point of time A elapsed from the time when the first pulse of the internal clock CLK is generated (time of rising). In this case, the time from the generation of the delayed imitation pulse FCL1 to the generation of the second pulse of the internal clock CLK is? F.

하지만, 전 지연 유닛에서 형성할 수 있는 최대 지연량은 maxΔ(<Δf)이다. 즉, 본 발명의 클록 동기 지연 제어 회로에 의하여 카피할 수 있는 지연량의 최대치는 maxΔ이므로, 내부 클록(CLK)의 두번째 펄스가 발생하는 시점으로부터 시점(maxΔ)이 경과한 시점에서 지연 모방 펄스(RCL1)가 발생함으로써, 지연량(Δf)을 정확히 카피할 수 있게 된다.However, the maximum delay amount that can be formed in the total delay unit is max? (? F). That is, since the maximum value of the delay amount that can be copied by the clock synchronization delay control circuit of the present invention is maxΔ, at the time point when the time point maxΔ has elapsed from the time point when the second pulse of the internal clock CLK is generated, RCL1) is generated, it is possible to accurately copy the delay amount [Delta] f.

따라서, 지연 모방 펄스(RCL1)가 발생한 시점으로부터 시간(D2)가 경과한 시점에서 보정 내부 클록(CK′)을 발생시켜도 이 보정 내부 클록(CK′)의 타이밍은 외부 클록(CK)의 타이밍과 어긋나 있다. 게다가, 이 어긋남은 원래 존재한 스큐보다도 커지는 일도 있어, 오히려 메모리 성능을 열화시킨다.Therefore, even if the corrected internal clock CK 'is generated at the time point when the time D2 elapses from when the delayed mimic pulse RCL1 is generated, the timing of the corrected internal clock CK' is equal to the timing of the external clock CK It is out of order. In addition, this shift may be larger than the original skew, which deteriorates the memory performance.

본 실시예는 이와 같은 현상을 회피하기 위하여 창안된 것이다. 또한, 제2도의 실시예에서는 내부 클록(CLK)의 펄스가 발생하고나서 지연 모방 펄스가 발생하기까지의 시간을 A라고 하고, 전 지연 유닛에 의한 최대 지연랸을 maxΔ라고 했을 경우에, A+maxΔ≤T를 만족하는 것이 필요하지만, 본 실시예에서는 이와 같은 조건은 필요치 않게 된다.The present embodiment is designed to avoid such a phenomenon. In the embodiment shown in FIG. 2, when the time from the generation of the pulse of the internal clock CLK to the generation of the delayed impulse pulse is A and the maximum delay by the previous delay unit is maxΔ, it is necessary to satisfy max DELTA T, but this condition is not required in the present embodiment.

다음에, 제22도의 타이밍 차트를 참조하면서 제18도 내지 제20도의 클록 동기 지연 제어 회로의 동작에 대하여 설명한다.Next, the operation of the clock synchronization delay control circuit of FIG. 18 to FIG. 20 will be described with reference to the timing chart of FIG.

또, A+maxΔ≤T를 만족시킬 때의 동작은 제7도에 도시한 타이밍 차트와 동일하므로, 이하에서는 A+maxΔ>T인 경우의 동작에 대해서만 설명한다.The operation when A + max DELTA T is satisfied is the same as the timing chart shown in Fig. 7, and therefore only the operation in the case of A + max DELTA T will be described below.

내부 클록(CLK)이 “1”이 되면, P=″1″, /P=″0″이 되며, 모든 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)의 전진 펄스 지연 회로의 입출력 신호(FCL1∼FCLn)가 모두 “0”이 되며, 전진 펄스가 전달되는 라인이 초기화된다.When the internal clock CLK becomes "1", P = "1" and / P = "0", and the forward pulse delay circuit of all the delay units 33-1, 33-2, Output signals FCL1 to FCLn are all &quot; 0 &quot;, and the line through which the forward pulse is transmitted is initialized.

이 후, P=″0″, /P=″1″이 되면, 각 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)의 전진 펄스 지연 회로가 서로 전기적으로 접속됨과 동시에, 지연 유닛(33-1)의 전진 펄스 지연 회로의 입력단이 지연 회로(32)에 전기적으로 접속되며, 전진 펄스의 전달 준비가 완료된다.Then, when P = "0" and / P = "1", the forward pulse delay circuits of the delay units 33-1, 33-2, ..., and 33-n are electrically connected to each other, The input terminal of the forward pulse delay circuit of the unit 33-1 is electrically connected to the delay circuit 32, and preparation for transfer of the forward pulse is completed.

내부 클록(CLK)이 “0”이 되며, 반전 내부 클록(/CLK)이 “1”이 된 후, 지연 회로[지연량(A)](32)로부터 전진 펄스(지연 모방 펄스)(FCL1)가 출력되며, 지연 유닛(33-1)에 입력된다.(Delay imposed pulse) FCL1 from the delay circuit (delay amount A) 32 after the internal clock CLK becomes "0" and the inverted internal clock / CLK becomes "1" And is input to the delay unit 33-1.

전진 펄스(FCL1)(=″1″)가 지연 유닛(33-1)에 입력되면, 지연 유닛(33-1)의 상태 유지부(47)의 상태는 세트 상태(S)가 된다. 또한, 전진 펄스는 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)을 순차 경유하면서 진행해 간다. 전진 펄스가 과도하게 통과된 지연 유닛에서는 상태 유지부(47)의 상태가 세트 상태(S)로 유지된다.When the forward pulse FCL1 (= &quot; 1 &quot;) is input to the delay unit 33-1, the state of the state holding unit 47 of the delay unit 33-1 becomes the set state S. Further, the forward pulse advances through the delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n sequentially. In the delay unit in which the forward pulse is excessively passed, the state of the state holding unit 47 is maintained in the set state (S).

이 후, 전진 펄스는 모든 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)을 경유하고, 지연 유닛(33-n)으로부터 출력 펄스(LST)(=″1″)로서 출력된다.Thereafter, the forward pulse is output as the output pulse LST (= &quot; 1 &quot;) from the delay unit 33-n via all the delay units 33-1, 33-2, ..., .

이 출력 펄스(LST)는, 제어 펄스 발생 회로(61)에 입력된다. 그 결과, 제어 펄스 발생 회로(61)는, L=″1″, /L=″0″의 패스(path) 전환 신호를 발생한다. 즉, 출력 펄스(LST)가 출력된 시점에서 L=″1″, /L=″0″이 되며, 지연 회로(34)가 비활성화되고, 지연 회로(34)로부터는 내부 클록(CLK)의 타이밍과 일치한 보정 내부 클록(CK′)이 출력된다.The output pulse (LST) is input to the control pulse generating circuit (61). As a result, the control pulse generating circuit 61 generates a path switching signal with L = "1" and / L = "0". That is, L = &quot; 1 &quot;, / L = &quot; 0 &quot;, the delay circuit 34 is inactivated and the timing of the internal clock CLK The corrected internal clock CK 'is output.

또한, 내부 클록(CLK)이 꼭 “1”이 된 후, 시간(maxΔ)가 경과했을 때, 지연 유닛(33-1)으로부터는 후진 펄스(RCL1)가 출력된다. 이 후진 펄스(RCL1)가 제어 펄스 발생 회로(61)에 입력되면, 제어 펄스 발생 회로(61)는 후진 펄스(RCL1)가 제어 회로(34)로부터 출력되는 타이밍 후, 즉 후진 펄스(RCL1)가 소멸한 후에, L=″0″, /L=″1″의 패스 전환 신호를 발생한다.Further, when the time max DELTA lapses after the internal clock CLK becomes "1", the delay unit 33-1 outputs the backward pulse RCL1. When the backward pulse RCL1 is input to the control pulse generating circuit 61, the control pulse generating circuit 61 generates the backward pulse RCL1 after the timing at which the backward pulse RCL1 is output from the control circuit 34, After the disappearance, a path switching signal of L = "0" and / L = "1" is generated.

즉, 지연 회로(34)가 초기화(활성화)되며, 지연 회로(34)는 지연 유닛(33-1)의 출력 신호(RCL1)를 출력할 수 있는 상태로 변화된다.That is, the delay circuit 34 is initialized (activated), and the delay circuit 34 is changed to a state capable of outputting the output signal RCL1 of the delay unit 33-1.

또, 지연 회로(62), 인버터(63) 및 NAND 회로(64)는, 지연 유닛(33-1)으로부터 출력되는 후진 펄스의 펄스 폭을 결정한다. 즉, 내부 클록(CLK)을 메모리의 입출력 제어에 사용하는 경우, 후진 펄스가 지연 회로(34)내에서 소멸한 후에, L=″0″, /L=″1″이 되며, 지연 회로(34)가 초기화(활성화)되도록 구성된다.The delay circuit 62, the inverter 63 and the NAND circuit 64 determine the pulse width of the backward pulse outputted from the delay unit 33-1. That is, when the internal clock CLK is used for input / output control of the memory, L = 0 and L = 1 after the backward pulse disappears in the delay circuit 34, ) Is initialized (activated).

단, 지연 회로(34, 62, 74)의 각 지연량은 D3>D2+D2′의 관계를 갖도록 설정된다.However, the delay amounts of the delay circuits 34, 62, and 74 are set so as to have the relationship of D3> D2 + D2 '.

상기 구성의 클록 동기 지연 제어 회로에 의하면, 외부 클록(CK)에 정확히 동기한 보정 내부 클록(CK′)을 발생할 수 있게 되며, 고속 클록을 사용한 데이터 전송을 달성할 수 있다.According to the clock synchronization delay control circuit having the above-described configuration, it is possible to generate the corrected internal clock CK 'that is exactly synchronized with the external clock CK, and data transfer using the high-speed clock can be achieved.

또한, 본 실시예에서는, 외부 클록(CK)의 주파수에 따라, 내부 클록(CLK)을 그대로 사용하는지, 또는 외부 클록(CK)에 동기한 보정 내부 클록(CK′)을 사용하는지를 결정할 수 있다.In this embodiment, it is possible to decide whether to use the internal clock CLK as it is or to use the corrected internal clock CK 'synchronized with the external clock CK, depending on the frequency of the external clock CK.

즉, 외부 클록(CK)과 내부 클록(CLK)의 스큐가 문제가 되는 고속 클록에 동기시켜 데이터의 수수를 행하는 경우에는, 외부 클록(CK)에 동기한 보정 내부 클록(CK′)을 사용하며, 해당 스큐가 문제가 되지 않는 클록에 동기시켜 데이터의 수수를 행하는 경우에는 통상대로 내부 클록(CLK)을 사용하도록 구성되어 있다.That is, when data is transmitted in synchronization with a high-speed clock in which skew of the external clock CK and the internal clock CLK is a problem, a corrected internal clock CK 'synchronized with the external clock CK is used , And the internal clock (CLK) is used as usual when data is received in synchronization with a clock whose skew is not a problem.

또한, 내부 클록을 사용하는지 또는 보정 내부 클록을 사용하는지는 지연 유닛의 수에 의하여 결정된다.In addition, whether to use the internal clock or the corrected internal clock is determined by the number of delay units.

따라서, 외부 클록(CK)의 주기(사이클 타임)가 긴 경우에, 오히려 외부 클록(CK)과 보정 내부 클록(CK′)의 어긋남이 커진다고 하는 사태가 일어나는 일이 없다.Therefore, when the cycle (cycle time) of the external clock CK is long, there is no possibility that the deviation between the external clock CK and the corrected internal clock CK 'becomes large.

제23도는 본 발명의 클록 동기 지연 제어 회로를 칩 상에 배치할 때의 레이 아웃을 도시한 것이다.FIG. 23 shows a layout when the clock synchronous delay control circuit of the present invention is placed on a chip. FIG.

본 발명의 클록 동기 지연 제어 회로를 실제로 IC로서 시스템에 짜넣는 경우에는 배선 용량에 기인하는 지연(배선 지연)을 고려할 필요가 있다.In the case where the clock synchronous delay control circuit of the present invention is actually incorporated in a system as an IC, it is necessary to consider the delay (wiring delay) caused by the wiring capacitance.

그래서, 우선, 지연 유닛의 어레이[이하, STBD(Synchronous Traced Backwards Delay)라 함](80)는 입력 버퍼(13)로부터의 거리(또는 배선 지연량)와 출력 버퍼(지연 회로)(34)까지의 거리(또는 배선 지연량)가 동일해지는 위치에 배치된다.First, an array of delay units (hereinafter referred to as STBD) 80 is connected to the input buffer 13 (or wiring delay amount) and the output buffer (delay circuit) 34 (Or the wiring delay amount) becomes equal to each other.

다음에, 입력 버퍼(13)와 STBD(80)를 배선 길이(L)의 배선에 의하여 접속한다. 여기서, 실제의 스큐(D1)는 입력 버퍼(13)에 의한 지연량과 배선 길이(L)의 배선에 의한 지연량의 합계가 된다.Next, the input buffer 13 and the STBD 80 are connected by the wiring of the wiring length L. Next, Here, the actual skew D1 is the sum of the delay amount by the input buffer 13 and the delay amount by the wiring of the wiring length L.

다음에, 지연량(A)을 갖는 지연 회로(32)에 대하여 검토한다. 지연량(A)은 상술한 바와 같이 D1+D2로 나타내어진다(예를 들어 제6도 참조), 또한, 지연 회로(출력 버퍼)(34)의 실제의 지연량(D2)은 출력 버퍼(34)에 의한 지연량과 배선 길이(L)의 배선에 의한 지연량의 합계가 된다.Next, the delay circuit 32 having the delay amount A will be examined. The actual delay amount D2 of the delay circuit (output buffer) 34 is set to be equal to the delay amount D2 of the output buffer 34 (output buffer 34), as indicated by D1 + D2 And the delay amount due to the wiring of the wiring length L.

그래서, 지연량(A)을 갖는 지연 회로는 스큐(D1)를 형성하는 패턴(81)에 대하여 좌우를 반대로 한 패턴(82)과, 지연량(D2)을 형성하는 패턴(83)과 동일한 패턴(84)에 의하여 구성된다.The delay circuit having the delay amount A has the same pattern as that of the pattern 82 forming the skew D1 and the pattern 83 forming the delay amount D2 with respect to the pattern 81 forming the skew D1. (84).

이와 같은 레이 아웃에 의하여, 배선 지연도 고려하여, 지연량(A, D1, D2)을 결정할 수 있기 때문에, 보다 정확히 보정 내부 클록(CK′)을 외부 클록(CK)에 동기시킬 수 있게 된다.This layout makes it possible to more accurately synchronize the corrected internal clock CK 'with the external clock CK since the delay amounts A, D1 and D2 can be determined in consideration of the wiring delay.

이상, 설명한 바와 같이, 본 발명의 클록 동기 지연 제어 회로에 의하면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the clock synchronization delay control circuit of the present invention, the following effects can be obtained.

각 지연 유닛이 상태 유지부를 가짐으로써, 지연 모방 펄스(전진 펄스)(FCL1)가 발생하고나서 내부 클록(CLK)의 펄스가 발생하기까지의 시간(Δf)을 정확히 카피하여 Δb를 형성하고, 해당 내부 클록(CLK)의 펄스가 발생하고나서 시간(Δb)(=Δf) 후에 후진 펄스(RCL1)를 지연량(D2)을 갖는 지연 회로에 입력시킬 수 있다.Each delay unit has a state maintaining unit to precisely copy the time? F until the pulse of the internal clock (CLK) is generated after the generation of the delay imitation pulse (forward pulse) FCL1 to form? B, It is possible to input the backward pulse RCL1 to the delay circuit having the delay amount D2 after the time? B (=? F) after the pulse of the internal clock CLK is generated.

이러한 모습을 제24도∼제27도에 개략적으로 표시한다. 즉, 초기 상태에서는 제24도에 도시한 바와 같이 지연 유닛(33-1∼33-n)의 전진 펄스 지연 회로 및 후진 펄스 지연 회로는 모두 “0”을 출력하고 있는 상태가 되어 있다.This view is schematically shown in Figs. 24 to 27. That is, in the initial state, as shown in Fig. 24, the forward pulse delay circuit and the backward pulse delay circuit of the delay units 33-1 to 33-n are all outputting "0".

또한, 제25도에 도시한 바와 같이, 전진 펄스가 지연 유닛(33-4)에 입력되며, 지연 유닛(33-4)의 상태 유지부가 세트 상태(S)가 된 후, 내부 클록(CLK)의 펄스가 발생하면, 상태 유지부가 리세트 상태(R)의 지연 유닛(33-5∼33-n)은 “1”을 출력한다.25, after the forward pulse is input to the delay unit 33-4 and the state maintaining unit of the delay unit 33-4 becomes the set state S, the internal clock CLK is set to the set state S, , The delay units 33-5 to 33-n of the state-holding unit reset state R output &quot; 1 &quot;.

즉, 전진 펄스의 프론트(F1)와 후진 펄스의 프론트(F2)는 일치하게 되므로, 지연량(Δf)과 지연량(Δb)은 동일해진다.That is, the front F1 of the forward pulse and the front F2 of the backward pulse coincide with each other, so that the delay amount? F and the delay amount? B become the same.

이 후, 제26도 및 제27도에 도시한 바와 같이, 지연 유닛(33-4)이 리세트 상태(R)로 초기화되고, 후진 펄스가 형성되며, 후진 펄스는 지연 유닛(33-3, 33-2)을 경유하여, 지연 유닛(33-1)으로부터 출력된다.Thereafter, as shown in FIG. 26 and FIG. 27, the delay unit 33-4 is initialized to the reset state R and a backward pulse is formed, and the backward pulse is delayed by the delay units 33-3, 33-2, and output from the delay unit 33-1.

이와 같은 동작에 의하여, 외부 클록(CK)에 정확히 동기한 보정 내부 클록(CK′)을 발생하는 것이 가능해지며, 고속 클록을 사용한 데이터 전송을 달성할 수 있다.With this operation, it is possible to generate a corrected internal clock CK 'that is exactly synchronized with the external clock CK, and data transfer using a high-speed clock can be achieved.

또한, 지연 유닛의 최종단으로부터 출력되는 신호를 모니터함으로써, 외부 클록(CK)의 주파수에 따라 내부 클록(CLK)을 그대로 사용하는지 또는 외부 클록(CK)에 동기한 보정 내부 클록(CK′)을 사용하는지를 결정할 수 있다.It is also possible to monitor the signal output from the final stage of the delay unit so that the internal clock CLK is used as it is according to the frequency of the external clock CK or the corrected internal clock CK 'synchronized with the external clock CK Can be used.

즉, 외부 클록(CK)과 내부 클록(CLK)의 스큐가 문제시되는 고속 클록에 동기시켜 데이터의 수수를 행하는 경우에는 외부 클록(CK)에 동기한 보정 내부 클록(CK′)을 사용하고, 해당 스큐가 문제시 되지 않는 클록에 동기시켜 데이터의 수수를 행하는 경우에는 통상대로 내부 클록(CLK)을 사용하도록 구성되어 있다.That is, in the case of exchanging data in synchronization with the high-speed clock in which the skew of the external clock CK and the internal clock CLK is a problem, a corrected internal clock CK 'synchronized with the external clock CK is used, In the case where data is received in synchronization with a clock in which skew is not a problem, the internal clock CLK is used as usual.

또, 내부 클록을 사용하는지 또는 보정 내부 클록을 사용하는지는 지연 유닛의 수에 의하여 결정된다.Whether to use the internal clock or the correction internal clock is determined by the number of delay units.

따라서, 외부 클록(CK)의 주기(사이클 타임)가 긴 경우에, 오히여 외부 클록(CK)과 보정 내부 클록(CK′)의 어긋남이 커진다고 하는 사태가 일어나지 않는다.Therefore, when the cycle (cycle time) of the external clock CK is long, there is no occurrence of a situation in which the discrepancy between the external clock CK and the corrected internal clock CK 'increases.

다시, 지연량(A)가 (D1+D2)로 나타내어지는 점에 착안하여, 배선 지연도 고려하여, 지연량(A)의 패턴을, 지연량(Dl, D2)을 형성하는 패턴과 동일한 패턴에 의하여 형성하고 있다.The pattern of the delay amount A is set to the same pattern as the pattern for forming the delay amounts Dl and D2 in consideration of the wiring delay in view of the point that the delay amount A is represented by (D1 + D2) Respectively.

따라서, 간략화된 레이 아웃에 의하여, 메모리 칩내에 정확히 보정 내부 클록(CK′)을 외부 클록(CK)에 동기시키는 시스템을 구성할 수 있다.Therefore, by a simplified layout, it is possible to constitute a system for accurately synchronizing the corrected internal clock CK 'in the memory chip with the external clock CK.

또한, 본 발명은 싱크로너스 DRAM과 같이, 내부 클록이 일시 중단되는 경우가 있는 동시에, 주파수가 변화하는 고속 클록에 동기시켜 데이터의 수수를 행하는 메모리에 유효하다.Further, like the synchronous DRAM, the present invention is effective for a memory in which the internal clock is temporarily suspended and the data is transferred in synchronization with the high-speed clock whose frequency changes.

제28도은, 제2도의 클록 제어 회로를 간략화하여 도시하고 있다FIG. 28 shows the clock control circuit of FIG. 2 in a simplified manner

D1은 지연량(D1)을 갖는 지연 회로, D2는 지연량(D2)을 갖는 지연 회로, A는 지연량(D1+D2)을 갖는 지연 회로, STBD(Synchronous Traced Backward Delay)는, 지연 유닛의 어레이이다. STBD는, FD(Forward Delay)와 BD(Backward Delay)로 구성된다.D2 is a delay circuit having a delay amount D2; A is a delay circuit having a delay amount D1 + D2; and STBD (Synchronous Traced Backward Delay) is a delay circuit having a delay amount D1. Array. STBD consists of FD (Forward Delay) and BD (Backward Delay).

이와 같은 구성의 클록 제어 회로에 의하면, 상술한 바와 같이, 외부 클록(CK)의 위상과 내부 클록(CLK)의 위상은 완전히 일치한다(스큐가 없어진다). 이로써, 상기 구성의 클록 제어 회로는 외부 클록(CK)의 상승시(″L″로부터 ″H″로의 이행시)에 데이터를 출력하는 경우에 유효하다.According to the clock control circuit having such a configuration, as described above, the phase of the external clock CK and the phase of the internal clock CLK coincide completely (skew is eliminated). Thus, the clock control circuit with the above configuration is effective when outputting data when the external clock CK rises (from the "L" to the "H" transition).

한편, 최근에서는, 외부 클록(CK)의 주기를 T로 했을 때, 스큐가 없는 내부 클록(CLK)에 더하여, 외부 클록(CK)에 대하여 (k/j)×T 만큼 위상이 지연된 내부 클록(CKD)를 정확히 발생시키는 것이 요구되고 있다(k, j는 서로 소인 자연수, 또한, j>k이다).On the other hand, recently, when the period of the external clock CK is T, the internal clock (CLK) having no skew and the internal clock (CK) having a phase delayed by (k / CKD) (k, j are natural numbers, and j > k).

예를 들면, 외부 클록(CK)의 상승시와 하강시에 각각 데이터를 출력하는 경우는, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 일치된 내부 클록(CK′)과 함께, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 T/2(=π) 만큼 지연된 내부 클록(CKD)을 생성할 필요가 있다.For example, in the case of outputting data when the external clock CK is rising and falling, the internal clock CK 'having the phase coincident with the external clock CK and the external clock CK' It is necessary to generate an internal clock (CKD) whose phase is delayed by T / 2 (=?).

또한, 이러한 경우, 내부 클록(CKD)의 위상이 외부 클록의 위상에 대하여 정확히 T/2(=π) 만큼 늦춰지고 있지 않으면, 데이터 출력시의 데이터 윈도우(데이터가 확정되어 있는 기간)가 짧아져, 오 데이터를 출력할 가능성이 있다.In this case, if the phase of the internal clock CKD is not delayed by exactly T / 2 (=?) With respect to the phase of the external clock, the data window at the time of data output , There is a possibility of outputting erroneous data.

따라서, 이하에서는 외부 클록(CK)에 대하여 (k/j)×T 만큼 위상이 지연된 내부 클록(CKD)을 정확히 발생시킬 수 있는 클록 제어 회로에 대하여 설명한다.Therefore, a clock control circuit capable of correctly generating an internal clock (CKD) whose phase is delayed by (k / j) x T with respect to the external clock CK will be described below.

제29도는 본 발명의 클록 제어 회로의 구성의 제1 예를 도시한 것이다.FIG. 29 shows a first example of the configuration of the clock control circuit of the present invention.

이 클록 제어 회로는 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 일치된 내부 클록(CK′)과 함께 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 T/2(=π) 만큼 지연된 내부 클록(CKD)을 생성한다(T는 외부 클록의 주기).This clock control circuit generates an internal clock CKD whose phase is delayed by T / 2 (=?) With respect to the external clock CK in conjunction with the internal clock CK 'in phase with the external clock CK (T is the cycle of the external clock).

외부 클록(CK)은 지연량(D1)을 갖는 입력 버퍼(13)에 입력된다. 입력 버퍼(13)는 외부 클록(CK)에 대하여 D1의 스큐를 갖는 내부 클록(CKD)을 출력한다. 내부 클록(CKD)은, 지연량(A)을 갖는 지연 회로(32)에 입력되며, 지연 회로(32)는 지연 모방 펄스(CL)[전진 펄스(FCL1)]를 출력한다.The external clock CK is input to the input buffer 13 having the delay amount D1. The input buffer 13 outputs an internal clock CKD having a skew of D1 with respect to the external clock CK. The internal clock CKD is input to a delay circuit 32 having a delay amount A and the delay circuit 32 outputs a delayed oscillation pulse CL (forward pulse FCL1).

지연 모방 펄스(CL)는 STBD(Synchronous Traced Backward Delay)의 FD(Forward Delay)에 입력된다. FD에서 지연 모방 펄스(CL)가 지연량(Δ)분 만큼 전진한 후, BD(Backward Delay) 및 HBD(Half Backward Delay)에서 각각 후진 펄스가 생성된다.The delay imitation pulse CL is input to the FD (forward delay) of STBD (Synchronous Traced Backward Delay). The backward pulse is generated in BD (Backward Delay) and HBD (Half Backward Delay) after the delay imitation pulse CL advances by the amount of delay DELTA in the FD.

BD 중의 후진 펄스(RCL)는 정확히 지연량(Δ)분 만큼 후진한 후, BD로부터 출력된다. 또한, HBD 중의 후진 펄스(HCL)는 정확히 지연량(Δ/2)분 만큼 후진한 후, HBD로부터 출력된다.The backward pulse RCL in the BD is output from the BD after being exactly backward by the amount of delay DELTA. Further, the backward pulse (HCL) in the HBD is output from the HBD after being exactly backward by the delay amount (? / 2).

내부 클록(CKD)은 BD 및 HBD에 입력되며, 후진 펄스의 생성 타이밍을 결정한다. 내부 클록(CLK)을 인버터(35)에 의하여 반전한 반전 내부 클록(/CLK)은 FD에 입력되며, 전진 펄스가 전진하는 기간(지연량)(Δ)을 결정한다.The internal clock (CKD) is input to the BD and the HBD, and determines the generation timing of the backward pulse. The inverted internal clock (/ CLK) inverted by the inverter 35 by the internal clock CLK is input to the FD, and determines the period (delay amount)? During which the forward pulse advances.

후진 펄스(RCL)는 지연량[D1+(D2×2)]을 갖는 지연 회로(34)를 경유하면, 외부 클록(CK)의 위상과 일치한 보정 내부 클록(CK′)이 된다. 또한, 후진 펄스(HCL)는 지연량(D2)을 갖는 지연 회로(36)를 경유하면, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 T/2(=180°) 만큼 지연된 내부 클록(CLK)이 된다.The backward pulse RCL becomes the corrected internal clock CK 'that coincides with the phase of the external clock CK through the delay circuit 34 having the delay amount D1 + (D2 x 2). The backward pulse HCL passes through the delay circuit 36 having the delay amount D2 and becomes the internal clock CLK whose phase is delayed by T / 2 (= 180 degrees) with respect to the external clock CK .

여기서, 지연 회로(32)의 지연량(A)은, 2×(D1+D2)로 설정되어 있다.Here, the delay amount A of the delay circuit 32 is set to 2 占 (D1 + D2).

제30도는 본 발명의 클록 제어 회로의 구성의 제2 예를 도시한 것이다.FIG. 30 shows a second example of the configuration of the clock control circuit of the present invention.

이 클록 제어 회로는 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 일치한 내부 클록(CK′)과 함께, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 T/j(=2π/j) 만큼 지연된 내부 클록(CKD)을 생성하는 것이다(T는 외부 클록의 주기, j는 자연수).The clock control circuit includes an internal clock CKD whose phase is matched with the external clock CK and an internal clock CKD whose phase is delayed by T / j (= 2π / j) with respect to the external clock CK. (T is the period of the external clock, and j is a natural number).

외부 클록(CK)은 지연량(D1)을 갖는 입력 버퍼(13)에 입력된다. 입력 버퍼(13)는 외부 클록(CK)에 대하여 D1의 스큐를 갖는 내부 클록(CLK)을 출력한다. 내부 클록(CLK)은 지연량(A)을 갖는 지연 회로(32)에 입력되며, 지연 회로(32)는 지연 모방 펄스(CL)[전진 펄스(FCL1)]를 출력한다.The external clock CK is input to the input buffer 13 having the delay amount D1. The input buffer 13 outputs an internal clock CLK having a skew of D1 with respect to the external clock CK. The internal clock CLK is input to the delay circuit 32 having the delay amount A and the delay circuit 32 outputs the delayed imitation pulse CL (forward pulse FCL1).

지연 모방 펄스(CL)는 STBD(Synchronous Traced Blackward Delay)의 FD(Forward Delay)에 입력된다. FD에서 지연 모방 펄스(CL)가 지연량(Δ)분 만큼 전진한 후, BD(Backward Delay) 및 1/jBD(Backward Delay)에서 각각 후진 펄스가 생성된다.The delay imitation pulse CL is input to the FD (forward delay) of STBD (Synchronous Traced Blackward Delay). The backward pulse is generated in BD (Backward Delay) and 1 / jBD (Backward Delay) after the delay imitation pulse CL advances by the amount of delay DELTA in the FD.

BD 중의 후진 펄스(RCL)는 정확히 지연량(Δ)분 만큼 후진한 후, BD로부터 출력된다. 또한, 1/jBD 중의 후진 펄스(1/jCL)는 정확히 지연량(Δ/j)분 만큼 후진한 후, 1/jBD로부터 출력된다.The backward pulse RCL in the BD is output from the BD after being exactly backward by the amount of delay DELTA. Further, the backward pulse (1 / jCL) in 1 / jBD is output from 1 / jBD after exactly backward by the amount of delay (? / J).

내부 클록(CLK)은 BD 및 1/jBD에 출력되며, 후진 펄스의 생성의 타이밍을 결정한다. 내부 클록(CLK)을 인버터(35)에 의하여 반전한 반전 내부 클록(/CLK)은 FD에 입력되며, 전진 펄스가 전진하는 기간(지연량)(Δ)을 결정한다The internal clock CLK is output to the BD and 1 / jBD, and determines the timing of generation of the backward pulse. The inversion internal clock (/ CLK) inverted by the inverter 35 by the internal clock CLK is input to the FD, and determines the period (delay amount)? During which the forward pulse advances

후진 펄스(RCL)는 지연량[(j-1)×D1+j×D2]을 갖는 지연 회로(34)를 경유하면, 외부 클록(CK)의 위상과 일치한 보정 내부 클록(CK′)이 된다. 또한, 후진 펄스(1/jCL)는 지연량(D2)을 갖는 지연 회로(36)를 경유하면, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 T/j(=360°/n) 만큼 지연된 내부 클록(CKD)이 된다.When the backward pulse RCL passes through the delay circuit 34 having the delay amount [(j-1) x D1 + j x D2], the corrected internal clock CK 'coinciding with the phase of the external clock CK do. When the backward pulse 1 / jCL passes through the delay circuit 36 having the delay amount D2, the internal clock (internal clock) having the phase delayed by T / j (= 360 ° / n) with respect to the external clock CK CKD).

여기서 지연 회로(32)의 지연량(A)은 j×(D1+D2)로 설정되어 있다.Here, the delay amount A of the delay circuit 32 is set to j × (D1 + D2).

제31도는 본 발명의 클록 제어 회로의 구성의 제3 예를 도시한 것이다.FIG. 31 shows a third example of the configuration of the clock control circuit of the present invention.

이 클록 제어 회로는 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 일치한 내부 클록(CK′)과 함께, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 (k/j)×T(=2π×k/j) 만큼 지연된 내부 클록(CKD)을 생성하는 것이다(T는 외부 클록의 주기, k, j는 서로 소인 자연수, j>k 이다).This clock control circuit has an internal clock CK 'in phase with the external clock CK and a phase of (k / j) × T (= 2π × k / j) with respect to the external clock CK (T is the period of the external clock, k and j are natural numbers, j &gt; k).

외부 클록(CK)은 지연량(k×D1)을 갖는 입력 버퍼(13)에 입력된다. 입력 버퍼(13)는 외부 클록(CK)에 대하여 k×D1의 스큐를 갖는 내부 클록(CLK)을 출력한다. 내부 클록(CLK)은 지연량(A)을 갖는 지연 회로(32)에 입력되며, 지연 회로(32)는 지연 모방 펄스(CL)[전진 펄스(FCL1)]를 출력한다.The external clock CK is input to the input buffer 13 having a delay amount (k x D1). The input buffer 13 outputs an internal clock CLK having a skew of k x D1 with respect to the external clock CK. The internal clock CLK is input to the delay circuit 32 having the delay amount A and the delay circuit 32 outputs the delayed imitation pulse CL (forward pulse FCL1).

지연 모방 펄스(CL)는 STBD(Synchronous Traced Backward Delay)의 FD(Forward Delay)에 입력된다. FD에서 지연 모방 펄스(CL)가 지연량(Δ)분 만큼 전진한 후, BD(Backward Delay) 및 k/jBD(Backward Belay)에서 각각 후진 펄스가 생성된다.The delay imitation pulse CL is input to the FD (forward delay) of STBD (Synchronous Traced Backward Delay). The backward pulse is generated in BD (Backward Delay) and k / jBD (Backward Belay) after the delay imitation pulse CL advances by the amount of delay DELTA in the FD.

BD 중의 후진 펄스(RCL)는 정확히 지연량(Δ)분 만큼 후진한 후, BD로부터 출력된다. 또한, k/jBD 중의 후진 펄스(k/jCL)는 정확히 지연량[Δ×(k/j)]분 만큼 후진한 후, k/jBD로부터 출력된다.The backward pulse RCL in the BD is output from the BD after being exactly backward by the amount of delay DELTA. Further, the backward pulse (k / jCL) in k / jBD is output from k / jBD after being backwardly delayed by exactly the delay amount [Delta] x (k / j)

내부 클록(CLK)는 BD 및 k/jBD에 입력되며, 후진 펄스의 생성 타이밍을 결정한다. 내부 클록(CLK)을 인버터(35)에 의하여 반전한 반전 내부 클록(/CLK)은 FD에 입력되며 전진 펄스가 전진하는 기간(지연량)(Δ)을 결정한다.The internal clock CLK is input to the BD and k / jBD, and determines the generation timing of the backward pulse. The inversion internal clock (/ CLK) inverted by the inverter 35 by the internal clock CLK is input to the FD and determines the period (delay amount)? During which the forward pulse advances.

후진 펄스(RCL)는 지연량[(j-k)×D1+j×D2]을 갖는 지연 회로(34)를 경유하면, 외부 클록(CK)의 위상과 일치한 보정 내부 클록(CK′)이 된다. 또한, 후진 펄스(k/jCL)는 지연량(k×D2)을 갖는 지연 회로(36)를 경유하면, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 T×(k/j)(=360°×k/j) 만큼 지연된 내부 클록(CKD)가 된다.The backward pulse RCL becomes the corrected internal clock CK 'that coincides with the phase of the external clock CK through the delay circuit 34 having the delay amount [(j-k) x D1 + j x D2]. Further, when the backward pulse (k / jCL) passes through the delay circuit 36 having the delay amount (k x D2), the phase is Tx (k / j) / j). &lt; / RTI &gt;

여기서, 지연 회로(32)의 지연량(A)은 j×(D1+D2)로 설정되어 있다.Here, the delay amount A of the delay circuit 32 is set to j x (D1 + D2).

제32도는 본 발명의 클록 제어 회로의 구성의 제4 예를 도시한 것이다.FIG. 32 shows a fourth example of the configuration of the clock control circuit of the present invention.

이 클록 제어 회로는 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 일치한 내부 클록(CK′)가 함께, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 T×(k/j)(=2π×k/j) 만큼 지연된 내부 클록(CKD)을 생성하는 것이다(T는 외부 클록의 주기, k, j는 서로 소인 자연수, j>k이다).This clock control circuit has an internal clock CK 'whose phases coincide with the external clock CK and a clock whose phase is T × (k / j) (= 2π × k / j) with respect to the external clock CK (T is the period of the external clock, k and j are natural numbers, j &gt; k).

외부 클록(CK)은 지연량(D1)을 갖는 입력 버퍼(13)에 입력된다. 입력 버퍼(13)는 외부 클록(CK)에 대하여 D1의 스큐를 갖는 내부 클록(CLK)을 출력한다. 내부 클록(CLK)은 지연량(A)을 갖는 지연 회로(32)에 입력되며, 지연 회로(32)는 지연 모방 펄스(CL)[전진 펄스(FCL1)]를 출력한다.The external clock CK is input to the input buffer 13 having the delay amount D1. The input buffer 13 outputs an internal clock CLK having a skew of D1 with respect to the external clock CK. The internal clock CLK is input to the delay circuit 32 having the delay amount A and the delay circuit 32 outputs the delayed imitation pulse CL (forward pulse FCL1).

지연 모방 펄스(CL)는 STBD(Synchronous Traced Backward Delay)의 FD(Forward Delay)에 입력된다. FD에서 지연 모방 펄(스치)가 지연량(Δ)분 만큼 전진한 후, BD(Backward Delay) 및 k/jBD(Backward Delay)에서 각각 후진 펄스가 생성된다.The delay imitation pulse CL is input to the FD (forward delay) of STBD (Synchronous Traced Backward Delay). The backward pulse is generated in BD (Backward Delay) and k / jBD (Backward Delay) after the delay imitation pearl (stitch) advances by the amount of delay DELTA in the FD.

BD 중의 후진 펄스(RCL)는 정확히 지연량(Δ)분 만큼 후진한 후, BD로부터 출력된다. 또한, k/jBD 중의 후진 펄스(k/jCL)는 정확히 지연량[Δ×(k/j)]분 만큼 후진한 후, k/jBD로부터 출력된다.The backward pulse RCL in the BD is output from the BD after being exactly backward by the amount of delay DELTA. Further, the backward pulse (k / jCL) in k / jBD is output from k / jBD after being backwardly delayed by exactly the delay amount [Delta] x (k / j)

내부 클록(CLK)은 BD 및 k/jBD에 입력되며, 후진 펄스의 생성 타이밍을 결정한다. 내부 클록(CLK)을 인버터(35)에 의하여 반전한 반전 내부 클록(/CLK)은 FD에 입력되며, 전진 펄스가 전진하는 기간(지연량)(Δ)을 결정한다The internal clock CLK is input to BD and k / jBD, and determines the generation timing of the backward pulse. The inversion internal clock (/ CLK) inverted by the inverter 35 by the internal clock CLK is input to the FD, and determines the period (delay amount)? During which the forward pulse advances

후진 펄스(RCL)는 지연량[(j-1)×D1+j×D2]을 갖는 지연 회로(34)를 경유하면, 외부 클록(CK)의 위상과 일치한 보정 내부 클록(CK′)이 된다. 또한, 후진 펄스(k/jCL)는 지연량[(k-1)×D1+k×D2]을 갖는 지연 회로(36)를 경유하면, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 T×(k/j)(=360°×k/j) 만큼 지연된 내부 클록(CKD)가 된다.When the backward pulse RCL passes through the delay circuit 34 having the delay amount [(j-1) x D1 + j x D2], the corrected internal clock CK 'coinciding with the phase of the external clock CK do. When the backward pulse k / jCL passes through the delay circuit 36 having the delay amount [(k-1) x D1 + k x D2], the phase of the backward pulse k / j) (= 360 占 k / j).

여기서, 지연 회로(32)의 지연량(A)은 j×(D1+D2)로 설정되어 있다Here, the delay amount A of the delay circuit 32 is set to j × (D1 + D2)

제33도는 본 발명의 클록 제어 회로의 구성의 제5 예를 도시한 것이다.FIG. 33 shows a fifth example of the configuration of the clock control circuit of the present invention.

이 클록 제어 회로는 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 일치한 내부 클록(CK′)과 함께, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 T/4(=90°), T/2(=180°), 3T/4(=270°) 만큼 지연된 내부 클록(CKQ, CKH, CK3Q)을 각각 생성한다.This clock control circuit has phases of T / 4 (= 90 °) and T / 2 (= 180 °) with respect to the external clock CK, together with an internal clock CK 'whose phases coincide with the external clock CK' And internal clocks CKQ, CKH, and CK3Q delayed by 3T / 4 (= 270 DEG), respectively.

외부 클록(CK)은 지연량(D1)을 갖는 입력 버퍼(13)에 입력된다. 입력 버퍼(13)는 외부 클록(CK)에 대하여 D1의 스큐를 갖는 내부 클록(CLK)을 출력한다. 내부 클록(CLK)은 지연량(A)을 갖는 지연 회로(32)에 입력되며, 지연 회로(32)는 지연 모방 펄스(CL)[전진 펄스(FCL1)]를 출력한다.The external clock CK is input to the input buffer 13 having the delay amount D1. The input buffer 13 outputs an internal clock CLK having a skew of D1 with respect to the external clock CK. The internal clock CLK is input to the delay circuit 32 having the delay amount A and the delay circuit 32 outputs the delayed imitation pulse CL (forward pulse FCL1).

지연 모방 펄스(CL)는 SAD(Synchronous Adjustable Delay)의 FD(Forward Delay)에 입력된다. SAD에는, STBD(Synchronous Traced Backward Delay), SMD(Synchronous Mirror Delay)나 MDLL(Measure controlled DLL) 등이 포함된다.The delay imitation pulse CL is input to the FD (forward delay) of the SAD (Synchronous Adjustable Delay). The SAD includes Synchronous Traced Backward Delay (STBD), Synchronous Mirror Delay (SMD), and Measure Controlled DLL (MDLL).

FD에서 지연 모방 펄스(CL)가 지연량(Δ)분 만큼 전진한 후, BD(Backward Delay), QBD(Quarter Backward Delay), HBD(Half Backward Delay) 및 3QBD(3Quarters Backward Delay)에서 각각 추진 펄스가 생성된다.The delayed impulse pulse CL advances by the amount of delay DELTA in the FD and then the driving pulses are generated in the backward delay (BD), the quarter backward delay (QBD), the half backward delay (HBD), and the 3QBD Is generated.

BD 중의 후진 펄스(RCL)는 지연량(Δ)분(지연 소자 X개분) 만큼 후진한 후, BD로부터 출력된다. 또한, QBD 중의 후진 펄스(QCL)는 지연량(Δ×4)분(지연 소자 X/4개분) 만큼 후진한 후, QBD로부터 출력되며, HBD 중의 후진 펄스(HCL)는 지연량(Δ/2)분(지연 소자 X/2개분) 만큼 후진한 후, HBD로부터 출력되며, 3QBD 중의 후진 펄스(3QCL)는 지연량(3Δ/4)(지연 소자 3X/4개분) 만큼 후진한 후, 3QBD로부터 출력된다.The backward pulse RCL in the BD is output from the BD after being delayed by the amount of delay DELTA (delay elements X). Further, the backward pulse QCL of the QBD is output from the QBD after being delayed by the delay amount DELTA x4 (delay device X / 4), and the backward pulse HCL in the HBD is delayed by DELTA / 2 ), And the backward pulse 3QCL in the 3QBD is output from the 3QBD after being backward by the amount of delay (3Δ / 4) (delay device 3X / 4) .

내부 클록(CLK)은 BD, QBD, HBD, 3QBD에 각각 입력되며, 후진 펄스의 생성 타이밍을 결정한다. 내부 클록(CLK)을 인버터(35)에 의하여 반전한 반전 내부 클록(/CLK)은 FD에 입력되며, 전진 펄스가 전진하는 기간(지연량)(Δ)을 결정한다.The internal clock (CLK) is input to BD, QBD, HBD, and 3QBD, respectively, and determines the generation timing of the backward pulse. The inverted internal clock (/ CLK) inverted by the inverter 35 by the internal clock CLK is input to the FD, and determines the period (delay amount)? During which the forward pulse advances.

후진 펄스(RCL)는 지연량(D1×3+D2×4)을 갖는 지연 회로(34)를 경유하면, 외부 클록(CK)의 위상과 일치한 보정 내부 클록(CK′)이 된다.The backward pulse RCL becomes the corrected internal clock CK 'that coincides with the phase of the external clock CK through the delay circuit 34 having the delay amount (D1 x 3 + D2 x 4).

또한, 후진 펄스(QCL)는 지연량(D2)을 갖는 지연 회로(36a)를 경유하면, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 T/4 (=90°) 만큼 지연된 내부 클록(CKQ)이 된다.Further, when the backward pulse QCL passes through the delay circuit 36a having the delay amount D2, it becomes the internal clock CKQ whose phase is delayed by T / 4 (= 90 degrees) with respect to the external clock CK .

또한, 후진 펄스(HCL)는 지연량(D1+D2×2)을 갖는 지연 회로(36b)를 경유하면, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 T/2(=180°) 만큼 지연된 내부 클록(CKH)이 된다.When the backward pulse HCL passes through the delay circuit 36b having the delay amount D1 + D2 x 2, the internal clock signal whose phase is delayed by T / 2 (= 180 degrees) with respect to the external clock CK CKH).

다시, 후진 펄스(3QCL)는 지연량(D1×2+D2×3)을 갖는 지연 회로(36c)를 경유하면, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 3T/4 (=270°) 만큼 지연된 내부 클록(CKD)이 된다.Again, the backward pulse 3QCL is delayed by 3T / 4 (= 270 DEG) relative to the external clock CK through the delay circuit 36c having the delay amount (D1 x 2 + D2 x 3) Clock (CKD).

여기서, 지연 회로(32)의 지연량(A)은 4×(D1+B2)로 설정되어 있다.Here, the delay amount A of the delay circuit 32 is set to 4.times. (D1 + B2).

제34도는 제32도의 클록 제어 회로의 구성을 상세히 도시한 것이다.FIG. 34 shows the configuration of the clock control circuit of FIG. 32 in detail.

외부 클록(CK)은 메모리 입력 단자(30)에 부여된다. 외부 클록(CK)은 지연량(D1)을 갖는 입력 버퍼(13)에 입력된다. 입력 버퍼(13)는 외부 클록(CK)에 대하여 D1의 스큐를 갖는 내부 클록(CLK)을 출력한다. 내부 클록(CLK)은 지연량(A)을 갖는 지연 회로(32)에 입력되며, 지연 회로(32)는 전진 펄스(FCL1)[지연 모방 펄스(CL)]를 출력한다.The external clock CK is applied to the memory input terminal 30. The external clock CK is input to the input buffer 13 having the delay amount D1. The input buffer 13 outputs an internal clock CLK having a skew of D1 with respect to the external clock CK. The internal clock CLK is input to the delay circuit 32 having the delay amount A and the delay circuit 32 outputs the forward pulse FCL1 (delayed imitation pulse CL).

내부 클록(CLK), 및 내부 클록(CLK)을 인버터(35)에 의하여 반전한 반전 내부 클록(/CLK)은 각각 n(n은 자연수)개의 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에 입력된다.The internal clock CLK and the inverted internal clock CLK which are inverted by the inverter 35 by the internal clock CLK are n (n is a natural number) delay units 33-1, 33-2, 33-n.

n개의 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)은 서로 직렬로 접속되어 있다. 초기단의 지연 유닛(33-1)에는 전진 펄스(FCL1)가 입력되며, 또한, 초기단의 지연 유닛(33-1)으로부터는 후진 펄스(RCL1)가 출력된다.The n delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n are connected in series with each other. The forward pulse FCL1 is input to the delay unit 33-1 at the initial stage and the backward pulse RCL1 is output from the delay unit 33-1 at the initial stage.

n개의 지연 유닛(33-1, 33-2, …, 33-n)에는, 제어 펄스 발생 회로(60)가 출력되는 제어 펄스(P, /P)가 입력된다. 또한, 지연 유닛(33-i)(i는 1∼n)은 제어 펄스(Qi, /Qi)를 출력한다. 제어 펄스(Qi, /Qi)는 k/jBD(37)에 입력된다.The control pulses P and / P to which the control pulse generating circuit 60 is output are input to the n delay units 33-1, 33-2, ..., 33-n. Further, the delay units 33-i (i = 1 to n) output control pulses Qi and / Qi. The control pulses (Qi, / Qi) are input to k / jBD (37).

후진 펄스(RCL1)는 지연량[(j-1)×Dl+j×D2]을 갖는 지연 회로(34)를 경유함으로써, 보정 내부 클록(CK′)이 된다.The backward pulse RCL1 becomes the corrected internal clock CK 'by passing through the delay circuit 34 having the delay amount [(j-1) Dl + j D2].

후진 펄스(k/jCL)는 지연량[(k-1)×D1+k×D2]를 갖는 지연 회로(36)를 경유함으로써, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 T×(k/j)(=360°× k/j) 만큼 지연된 내부 클록(CKD)이 된다.The backward pulse (k / jCL) has a phase T (k / j) with respect to the external clock CK by passing through the delay circuit 36 having the delay amount [(k-1) x D1 + k x D2] (= 360 占 k / j).

제35도는 제34도의 지연 유닛의 구성의 제1 예를 상세히 도시한 것이다.FIG. 35 shows a first example of the configuration of the delay unit of FIG. 34 in detail.

지연 유닛(Ui)(i=1∼n)은 전진 펄스 지연 회로, 상태 유지 회로 및 후진 펄스 지연 회로의 3개의 부분으로 구성된다.The delay unit Ui (i = 1 to n) is composed of three parts: a forward pulse delay circuit, a state maintaining circuit, and a backward pulse delay circuit.

전진 펄스 지연 회로는 3개의 인버터(41∼43)로 구성되어 있다. 인버터(41, 42)는 직렬 접속되며, 인버터(41)에는 전단의 지연 유닛의 출력 신호(FCLi)가 입력되며, 인버터(42)는 후단의 지연 유닛에 출력 신호(FCLi+1)를 출력한다. 인버터(클록 인버터)(41)의 동작은 제어 펄스(/P)에 의하여 제어되며, 예를 들면, 제어 펄스(/P)가 “1”일 때, 인버터(41)는 활성 상태가 된다.The forward pulse delay circuit is composed of three inverters 41 to 43. The inverters 41 and 42 are connected in series and the output signal FCLi of the delay unit of the preceding stage is inputted to the inverter 41 and the inverter 42 outputs the output signal FCLi + 1 to the delay unit of the following stage . The operation of the inverter (clock inverter) 41 is controlled by the control pulse / P. For example, when the control pulse / P is &quot; 1 &quot;, the inverter 41 becomes active.

또한, 인버터(43)의 출력단은 인버터(42)의 입력단에 접속되며, 인버터(43)의 입력단에는 항상 “0”의 전위(예를 들면, 접지 전위)가 인가되어 있다. 인버터(클록된 인버터)(43)의 동작은 제어 펄스(P)에 의하여 제어되며, 예를 들면 제어 펄스(P)가 “1”일 때, 인버터(43)는 활성 상태가 된다.The output terminal of the inverter 43 is connected to the input terminal of the inverter 42 and the input terminal of the inverter 43 is always supplied with the potential of "0" (for example, the ground potential). The operation of the inverter (clocked inverter) 43 is controlled by the control pulse P, for example, when the control pulse P is &quot; 1 &quot;, the inverter 43 becomes active.

후진 펄스 지연 회로는 3개의 인버터(44∼46)으로 구성되어 있다. 인버터(44,45)는 직렬 접속되며, 인버터(44)에는 후단의 지연 유닛의 출력 신호(RCLi+1) 또는 내부 클록(CLK)이 입력되며, 인버터(45)는 전단의 지연 유닛에 출력 신호(RCL1)를 출력한다. 인버터(클록된 인버터)(44)의 동작은 제어 펄스(Qi)에 의하여 제어되며, 예를 들면 제어 펄스(Qi)가 “1”일 때만, 인버터(44)는 활성 상태가 된다.The backward pulse delay circuit is composed of three inverters 44 to 46. The inverters 44 and 45 are connected in series and the output signal RCLi + 1 or the internal clock CLK of the delay unit at the subsequent stage is input to the inverter 44. The inverter 45 outputs the output signal (RCL1). The operation of the inverter (clocked inverter) 44 is controlled by the control pulse Qi, and the inverter 44 is activated only when, for example, the control pulse Qi is &quot; 1 &quot;.

또한, 인버터(46)의 출력단은 인버터(45)의 입력단에 접속되며, 인버터(46)의 입력단에는 항상 내부 클록(CLK)이 입력되어 있다. 인버터(클록된 인버터)(46)의 동작은 제어 펄스(/Qi)에 의하여 제어되며, 예를 들면 제어 펄스(/Q)가 “1”일 때, 인버터(46)는 활성 상태가 된다.The output terminal of the inverter 46 is connected to the input terminal of the inverter 45 and the internal clock CLK is always input to the input terminal of the inverter 46. The operation of the inverter (clocked inverter) 46 is controlled by the control pulse / Qi. For example, when the control pulse / Q is &quot; 1 &quot;, the inverter 46 becomes active.

상태 유지 회로는 상태 유지부(47) 및 NAND 회로(48, 49)로 구성되어 있다. NAND 회로(48)에는 전단의 지연 유닛의 출력 신호(FCLi) 및 반전 내부 클록(/CLK)이 입력되며, NAND 회로(49)에는 인버터(45)의 출력 신호 및 내부 클록(CLK)이 입력된다.The state retaining circuit is constituted by a state retaining section 47 and NAND circuits 48 and 49. The output signal FCLi and the inverted internal clock signal / CLK of the preceding stage delay unit are input to the NAND circuit 48 and the output signal of the inverter 45 and the internal clock signal CLK are input to the NAND circuit 49 .

NAND 회로(48)의 출력 신호는 상태 유지부(47)의 세트 입력(/S)이 되고, NAND 회로(49)의 출력 신호는 상태 유지부(47)의 리세트 입력(/R)이 되고 있다. 따라서, NAND 회로(48)의 출력 신호(세트 입력)(/S)가 “0”이 되었을 때, 상태 유지부(47)는 세트 상태가 되고, NAND 회로(49)의 출력 신호(리세트 입력)(/R)이 “0”이 되었을 때, 상태 유지부(47)는 리세트 상태가 된다.The output signal of the NAND circuit 48 becomes the set input / S of the state holding unit 47 and the output signal of the NAND circuit 49 becomes the reset input / R of the state holding unit 47 have. Therefore, when the output signal (set input) / S of the NAND circuit 48 becomes &quot; 0 &quot;, the state holding unit 47 becomes the set state and the output signal of the NAND circuit 49 ) / R becomes &quot; 0 &quot;, the state holding unit 47 is in the reset state.

상태 유지부(47)는 제어 펄스(Q, /Q)를 출력하도록 구성되어 있다. 제어 펄스(Q)는 상태 유지부(47)가 세트 상태일 때 “1”이 되고, 제어 펄스(/Q)는 상태 유지부(47)가 리세트 상태일 때 “1”이 된다The state maintaining unit 47 is configured to output control pulses Q and / Q. The control pulse Q becomes "1" when the state maintaining unit 47 is in the set state and the control pulse / Q becomes "1" when the state maintaining unit 47 is in the reset state

상태 유지부(47)는 예를 들면 제4도와 같은 구성을 사용할 수 있다.The state maintaining unit 47 can use the same structure as the fourth state, for example.

전진 펄스가 통과한 지연 유닛(Ui)에서는 제어 펄스(Qi)가 “H”가 되며, /Q가 “L”이 된다. 한편, 후진 펄스가 통과한 지연 유닛(Ui)에서는 제어 펄스(Qi)가 “L”이 되며, /Qi가 “H”가 된다.In the delay unit Ui through which the forward pulse has passed, the control pulse Qi becomes &quot; H &quot;, and / Q becomes &quot; L &quot;. On the other hand, in the delay unit Ui through which the backward pulse passes, the control pulse Qi becomes &quot; L &quot;, and / Qi becomes &quot; H &quot;.

제36도는 제34도의 지연 유닛의 구성의 제2 예를 상세히 설명한 것이다.FIG. 36 illustrates a second example of the configuration of the delay unit of FIG. 34 in detail.

지연 유닛(Ui)(i=1∼n)은 전진 펄스 지연 회로(fdi), 상태 유지 회로(sri) 및 후진 펄스 지연 회로(bdi)의 3개의 부분으로 구성된다.The delay unit Ui (i = 1 to n) is composed of three parts: a forward pulse delay circuit fdi, a state holding circuit sri, and a backward pulse delay circuit bdi.

전진 펄스 지연 회로(fdi)는 5개의 인버터(91∼95)로 구성되어 있다. 인버터(91∼93)는 직렬 접속되며, 인버터(91)에는 전단의 지연 유닛의 출력 신호(FCLi)가 입력되며, 인버터(92)는 후단의 지연 유닛에 출력 신호(FCLi+1)를 출력한다. 인버터(클록된 인버터)(91)의 동작은 제어 펄스(/P)에 의하여 제어되며, 예를 들면 제어 펄스(/P)가 “1”일 때, 인버터(91)는 활성 상태가 된다.The forward pulse delay circuit fdi is composed of five inverters 91 to 95. The inverters 91 to 93 are connected in series and the output signal FCLi of the delay unit of the preceding stage is inputted to the inverter 91 and the inverter 92 outputs the output signal FCLi + 1 to the delay unit of the following stage . The operation of the inverter (clocked inverter) 91 is controlled by the control pulse / P. For example, when the control pulse / P is &quot; 1 &quot;, the inverter 91 becomes active.

또한, 인버터(94)의 출력단은 인버터(91)의 출력단에 접속됨과 동시에 인버터(92, 95)의 입력단에 접속되며, 인버터(94)의 입력단에는 항상 “0”인 전위(예를 들면 접지 전위)가 인가되고 있다. 인버터(클록된 인버터)(94)의 동작은 제어 펄스(P)에 의하여 제어되며, 예를 들면 제어 펄스(P)가 “1”일 때, 인버터(94)는 활성 상태가 된다.The output terminal of the inverter 94 is connected to the output terminal of the inverter 91 and at the same time is connected to the input terminal of the inverters 92 and 95. The input terminal of the inverter 94 is always connected to the ground potential ) Is applied. The operation of the inverter (clocked inverter) 94 is controlled by the control pulse P, for example, when the control pulse P is &quot; 1 &quot;, the inverter 94 becomes active.

후진 펄스 지연 회로(bdi)는 5개의 인버터(96∼100)로 구성되어 있다. 인버터(96∼98)는 직렬 접속되며, 인버터(96)에는 후단의 지연 유닛의 출력 신호(RCLi+1) 또는 내부 클록(CLK)이 입력되며, 인버터(97)는 전단의 지연 유닛에 출력 신호(RCLi)를 출력한다. 인버터(클록된 인버터)(96)의 동작은 제어 펄스(Qi+2)에 의하여 제어되며, 예를 들면 제어 펄스(Qi+2)가 “1”일 때만, 인버터(96)는 활성 상태가 된다The backward pulse delay circuit bdi is composed of five inverters 96-100. The inverters 96 to 98 are connected in series and the output signal RCLi + 1 or the internal clock CLK of the delay unit at the subsequent stage is input to the inverter 96. The inverter 97 outputs the output signal (RCLi). The operation of the inverter (clocked inverter) 96 is controlled by the control pulse Qi + 2, and the inverter 96 is activated only when, for example, the control pulse Qi + 2 is "1"

또한, 인버터(99)의 출력단은 인버터(96)의 출력단에 접속됨과 동시에 인버터(97, 100)의 입력단에 접속되며, 인버터(99)의 입력단에는 항상 내부 클록(CLK)이 입력되어 있다. 인버터(클록된 인버터)(99)의 동작은 제어 펄스(/Qi+2)에 의하여 제어되며, 예를 들면 제어 펄스(/Q+2)가 “1”일 때, 인버터(99)는 활성 상태가 된다.The output terminal of the inverter 99 is connected to the output terminal of the inverter 96 and is also connected to the input terminal of the inverters 97 and 100. The input terminal of the inverter 99 is always supplied with the internal clock CLK. The operation of the inverter (clocked inverter) 99 is controlled by the control pulse (/ Qi + 2). For example, when the control pulse (/ Q + 2) .

상태 유지 회로(sri)는 P채널 MOS 트랜지스터(101, 102), N채널 MOS 트랜지스터(103, 104) 및 인버터(105)로 구성되어 있다.The state retaining circuit sri comprises P-channel MOS transistors 101 and 102, N-channel MOS transistors 103 and 104, and an inverter 105. [

P채널 MOS 트랜지스터(101, 102)는 전원 단자와 노드(Z)의 사이에 직렬 접속되며, N채널 MOS 트랜지스터(103, 104)는 접지 단자와 노드(Z)의 사이에 직렬 접속되어 있다.The P-channel MOS transistors 101 and 102 are connected in series between the power supply terminal and the node Z and the N-channel MOS transistors 103 and 104 are connected in series between the ground terminal and the node Z.

MOS 트랜지스터(101, 104)의 게이트에는 내부 클록(CLK)을 반전시킨 클록신호(/CLK)가 입력되며, MOS 트랜지스터(102)의 게이트에는 지연 유닛(Ui-3)의 출력 신호(/RCLi-3)가 입력되며, MOS 트랜지스터(103)의 게이트에는 지연 유닛(Ui-1)의 출력 신호(FFCLi)가 입력된다.The clock signal / CLK obtained by inverting the internal clock CLK is input to the gates of the MOS transistors 101 and 104 and the output signal of the delay unit Ui-3 / RCLi- 3 is input to the gate of the MOS transistor 103 and the output signal FFCLi of the delay unit Ui-1 is input to the gate of the MOS transistor 103. [

인버터(105)의 입력단은, 노드(Z)에 접속되며, 인버터(105)의 출력단으로부터는 제어 펄스(Qi)가 출력된다. 노드(Z)로부터는 제어 펄스(/Qi)가 출력된다.The input terminal of the inverter 105 is connected to the node Z and the control pulse Qi is outputted from the output terminal of the inverter 105. [ And the control pulse / Qi is output from the node Z. [

제37도 및 제38도는 제34도의 k/jBD의 구성의 일 예를 도시하고 있다.37 and 38 show an example of the configuration of k / jBD in Fig. 34. Fig.

본 예에서는, k가 1, j가 2인 경우, 즉, 외부 클록에 대하여 위상이 T/2 만큼 지연된 경우에 대하여 설명한다. 이 경우, k/jBD는 HBD(Half Backward Delay)가 된다.In this example, a case where k is 1 and j is 2, that is, a case where the phase is delayed by T / 2 with respect to the external clock will be described. In this case, k / jBD becomes HBD (Half Backward Delay).

HBD는 직렬 접속된 m(m은 자연수)개의 지연 유닛(bdi)(i=1∼m)으로 구성되어 있다. 각 지연 유닛(bdi)의 구성은 SAD(Synchronous Adjustable Delay)의 지연 유닛(Ui)의 후진 펄스 지연 회로(bdi)의 구성과 동일하다.The HBD is composed of m delay units bdi (i = 1 to m) connected in series (m is a natural number). The configuration of each delay unit bdi is the same as that of the backward pulse delay circuit bdi of the delay unit Ui of SAD (Synchronous Adjustable Delay).

그래서, BD에 있어서의 후진 펄스의 지연량과 HBD에 있어서의 후진 펄스의 지연량의 비는 BD에 있어서의 지연 유닛 수와 HBD에 있어서의 지딴 유닛 수의 비, 정확히는 1개의 블록내에 있어서의 BD의 지연 유닛의 수와 HBD의 지연 유닛 수의 비에 동일해진다.Thus, the ratio of the delay amount of the backward pulse in the BD to the backward pulse amount in the HBD is the ratio of the number of delay units in the BD to the number of the erratic units in the HBD, that is, the BD Of the number of delay units of the HBD and the number of delay units of the HBD.

구체적으로는, 본 예에서는, n개의 지연 유닛(Ui)(i=1∼n)과 m개의 지연 유닛(bdi)(i=1∼m)을 각각 r(r은 자연수)개의 블록[B(1), B(2), …, B(r)]에 균등히 분배하고 있다.Specifically, in this example, n delay units Ui (i = 1 to n) and m delay units bdi (i = 1 to m) are denoted by r (r is a natural number) 1), B (2), ... , B (r)].

예를 들면, 블록[B(1)]를 2개의 지연 유닛(U1, U2)과 1개의 지연 유닛(bd1)으로 구성하고, 지연 유닛(U1)으로부터 출력되는 제어 펄스(Q1, /Q2) 및 지연 유닛(U2)으로부터 출력되는 제어 펄스(Q2, /Q2) 중의 어느 한 쪽을 지연 유닛(bd1)에 부여하고 있다.For example, the block B (1) is composed of two delay units U1 and U2 and one delay unit bd1, and the control pulses Q1 and / Q2 output from the delay unit U1 and Either one of the control pulses Q2 and / Q2 output from the delay unit U2 is given to the delay unit bd1.

마찬가지로, 블록[B(r)]을 2개의 지연 유닛(Un-1, Un)과 1개의 지연 유닛(bdm)으로 구성하고, 지연 유닛(Un-1)으로부터 출력되는 제어 펄스(Qn-1, /Qn-1) 및 지연 유닛(Un)으로부터 출력되는 제어 펄스(Qn, /Qn) 중의 어느 한 쪽을 지연 유닛(bdm)에 부여하고 있다.Similarly, the block B (r) is composed of two delay units Un-1, Un and one delay unit bdm, and the control pulses Qn-1, / Qn-1 output from the delay unit Un and the control pulses Qn and / Qn output from the delay unit Un to the delay unit bdm.

즉, 본 예에서는, SAD의 2개의 지연 유닛에 대하여 HBD의 1개의 지연 유닛을 설치하고 있다. 그래서, BD에서는 후진 펄스는 Δ만큼 지연하는 것에 반해, HBD에서는 후진 펄스는 Δ/1만큼 지연하게 된다.That is, in this example, one delay unit of the HBD is provided for the two delay units of the SAD. Thus, in the BD, the backward pulse is delayed by?, Whereas in HBD, the backward pulse is delayed by? / 1.

또한, 본 예의 경우, r과 m은 똑같이 m=n/2의 관계가 있다. 또, 상기 설명에서 자주 등장하는 서로 소인 자연수, j, k는 각각 j=2(1개의 블록내의 SAD의 지연 유닛의 수와 동일함), k=1(1개의 블록내의 HBD의 지연 유닛의 수와 동일함)이 된다.In the case of this example, r and m are equally m = n / 2. J = 2 (equal to the number of delay units of the SAD in one block), k = 1 (the number of delay units of one HBD in one block) .

또한, SAD의 지연 유닛의 총수(n)는 j(본 예에서는 2)×r이 되며, HBD의 지연 유닛의 총수(m)는 k(본 예에서는 1)×r이 된다.The total number n of delay units of the SAD is j (2 in this example) x r, and the total number m of delay units of the HBD is k (1 in this example) x r.

또, HBD의 지연 유닛(bd1∼bdm)은 SAD의 지연 유닛(U1∼Un)에 대하여 균등하게 배치되는 것이 좋다. 즉, SAD가 접속되는 2개의 지연 유닛에 대하여 HBD의 1개의 지연 유닛을 대응시키면, 정확히 Δ/2의 지연을 생성할 수 있게 된다.It is also preferable that the delay units bd1 to bdm of the HBD are arranged evenly with respect to the delay units U1 to Un of the SAD. That is, if one delay unit of the HBD is associated with two delay units to which the SAD is connected, a delay of exactly? / 2 can be generated.

제39도는 HBD에 있어서의 지연 유닛(bdi)의 구성의 일 에를 도시하고 있다.FIG. 39 shows the construction of the delay unit bdi in the HBD.

본 예는, 제35도의 지연 유닛(Ui)을 사용한 경우의 예이다. 즉, 지연 유닛(Ui)의 후진 펄스 지연 회로는 3개의 인버터(44∼46)로 구성되어 있으므로, HBD에 있어서의 지연 유닛(bdi)도, 3개의 인버터(44′∼46′)로 구성된다.The present example is an example in which the delay unit Ui of FIG. 35 is used. That is, since the backward pulse delay circuit of the delay unit Ui is composed of the three inverters 44 to 46, the delay unit bdi in the HBD is also composed of the three inverters 44 'to 46' .

인버터(44′, 45′)는 직렬 접속되며, 인버터(44′)에는 후단의 지연 유닛의 출력 신호(HCLi+1) 또는 내부 클록(CLK)이 입력되며, 인버터(45′)는 전단의 지연 유닛에 출력 신호(HCLi)를 출력한다. 인버터(클록된 인버터)(44′)의 동작은 제어 펄스(Qi)에 의하여 제어되며, 예를 들면 제어 펄스(Qi)가 “1”일 때만, 인버터(44′)는 활성 상태가 된다.The inverters 44 'and 45' are connected in series, and the output signal (HCLi + 1) or the internal clock (CLK) of the delay unit at the subsequent stage is input to the inverter 44 '. The inverter 45' And outputs an output signal HCLi to the unit. The operation of the inverter (clocked inverter) 44 'is controlled by the control pulse Qi, and the inverter 44' is activated only when, for example, the control pulse Qi is &quot; 1 &quot;.

또한, 인버터(46′)의 출력단은 인버터(45′)의 입력단에 접속되며, 인버터(46′)의 입력단에는 항상 내부 클록(CLK)이 입력되고 있다. 인버터(클록된 인버터)(46′)의 동작은 제어 펄스(/Qi)에 의하여 제어되며, 예를 들면 제어 펄스(/Qi)가 “1”일 때, 인버터(46)는 활성 상태가 된다.The output terminal of the inverter 46 'is connected to the input terminal of the inverter 45', and the internal clock CLK is always inputted to the input terminal of the inverter 46 '. The operation of the inverter (clocked inverter) 46 'is controlled by the control pulse / Qi. For example, when the control pulse / Qi is &quot; 1 &quot;, the inverter 46 becomes active.

제40도는 제39도의 지연 유닛(bdi)을 심볼화하여 도시한 것이다. 그러므로, 제39도의 회로와 제40도의 회로는 동일한 것을 도시하고 있다.FIG. 40 shows a symbolized delay unit bdi of FIG. 39. Therefore, the circuit of FIG. 39 and the circuit of FIG. 40 show the same thing.

제41도는 제34도의 k/jBD의 구성의 일 예를 도시하고 있다.FIG. 41 shows an example of the configuration of k / jBD in FIG.

본 예에서는 j가 3, k가 1인 경우, 즉 외부 클록에 대하여 위상이 T/3 만큼 지연된 경우에 대하여 설명한다.In this example, the case where j is 3 and k is 1, that is, the phase is delayed by T / 3 with respect to the external clock will be described.

1/3BD는, 직렬 접속된 m개의 지연 유닛(bdi)(i=1∼m)로 구성되어 있다.1 / 3BD is composed of m delay units bdi (i = 1 to m) connected in series.

각 지연 유닛(bdi)의 구성은 SAD(Synchronous Adjustable Delay)의 지연 유닛(ui)의 후진 펄스 지연 회로(bdi)의 구성과 동일하다.The configuration of each delay unit bdi is the same as that of the backward pulse delay circuit bdi of the delay unit ui of SAD (Synchronous Adjustable Delay).

따라서, BD에 있어서의 후진 펄스의 지연량과 1/3BD에 있어서의 후진 펄스의 지연량의 비는 BD에 있어서의 지연 유닛의 수와 1/3BD에 있어서의 지연 유닛의 수의 비, 정확히는 1개의 블록내에 있어서의 BD의 지연 유닛 수와 1/3BD의 지연 유닛 수의 비와 동일해진다.Therefore, the ratio of the delay amount of the backward pulse in BD and the backward pulse amount in 1/3 BD is the ratio of the number of delay units in BD to the number of delay units in 1/3 BD, exactly 1 Becomes equal to the ratio of the number of delay units of the BD and the number of delay units of 1/3 BD in one block.

구체적으로는, 본 예에서는, n개의 지연 유닛(Ui)(i=1∼n)과 m개의 지연 유닛(bdi)(i=1∼m)을 r개의 블록[B(1), B(2), …, B(r)]에 균등하게 분배하고 있다.Specifically, in this example, n delay units Ui (i = 1 to n) and m delay units bdi (i = 1 to m) are divided into r blocks B (1) ), ... , B (r)].

예를 들면, 블록[B(1)]을 3개의 지연 유닛(U1∼U2)과 1개의 지연 유닛(bdl)으로 구성하고, 지연 유닛(U1)으로부터 출력되는 제어 펄스(Q1, /Q1)를 지연 유닛(bd1)에 부여하고 있다. 단, 제어 펄스(Q1, /Q1)로 변화시켜, 지연 유닛(U2) 또는 지연 유닛(U3)으로부터 출력되는 제어 펄스를 지연 유닛(bdi)에 부여해도 좋다.For example, the block B (1) is composed of three delay units U1 to U2 and one delay unit bdl, and the control pulses Q1 and / Q1 output from the delay unit U1 are To the delay unit bd1. However, the control pulses Q1 and / Q1 may be changed to give the control pulse output from the delay unit U2 or the delay unit U3 to the delay unit bdi.

즉, 본 예에서는, SAD의 3개의 지연 유닛에 대하여 1/3BD의 1개의 지연 유닛을 설치하고 있다. 따라서, BD에서는 후진 펄스는 Δ만큼 지연되는 것에 반하여, 1/3BD에서는 후진 펄스는 Δ/3만큼 지연되게 된다.That is, in this example, one delay unit of 1/3 BD is provided for the three delay units of the SAD. Therefore, in the BD, the backward pulse is delayed by?, Whereas in 1/3 BD, the backward pulse is delayed by? / 3.

즉, 본 예의 경우, r과 m은 똑같이 m=n/3의 관계가 있다. 또한, 상기 설명에서 자주 등장하는 서로 소인 자연수 j, k는 각각 j=3(1개의 블록내의 SAD의 지연 유닛의 수와 같음), k=1(1개의 블록내의 HBD의 지연 유닛의 수와 같음)이 된다.That is, in the case of this example, r and m are equally m = n / 3. In the above description, the frequent natural numbers j and k appearing in the above description are j = 3 (equal to the number of delay units of SAD in one block), k = 1 (equal to the number of delay units of HBD in one block ).

또한, SAD의 지연 유닛의 총수(n)는 j(본 예에서는 3)×r이 되며, HBD의 지연 유닛의 총수(m)는 k(본 예에서는 1)×r이 된다.The total number n of delay units of the SAD is j (3 in this example) x r, and the total number m of delay units of the HBD is k (1 in this example) x r.

또한, 1/3BD의 지연 유닛(bd1∼bdm)을 SAD의 지연 유닛(U1∼Un)에 대하여 균등하게 배치하는 것이 좋다. 즉, SAD가 접속되는 3개의 지연 유닛에 대하여 1/3BD의 1개의 지연 유닛을 대응시키면, 정확히 Δ/3의 지연을 생성할 수 있게 된다.It is also preferable to arrange the 1 / 3BD delay units bd1 to bdm equally with respect to the delay units U1 to Un of the SAD. That is, if one delay unit of 1/3 BD is mapped to three delay units to which SAD is connected, it is possible to generate a delay of exactly? / 3.

제42도는 제34도의 k/jBD의 구성의 일 예를 도시하고 있다.FIG. 42 shows an example of the configuration of k / jBD in FIG. 34.

본 예에서는 k가 2, j가 3인 경우, 즉 외부 클록에 대하여 위상이 2T/3 만큼 뒤지는 경우에 대하여 설명한다.In this example, the case where k is 2 and j is 3, that is, the phase is 2T / 3 lower than the external clock will be described.

2/3BD는 직렬 접속된 m개의 지연 유닛(bdi)(i=1∼n)으로 구성되어 있다. 각 지연 유닛(bdi)의 구성은 SAD(Synchronous Adjustable Delay)의 지연 유닛(Ui)의 후진 펄스 지연 회로(bdi)의 구성과 동일하다.2 / 3BD is composed of m delay units bdi (i = 1 to n) connected in series. The configuration of each delay unit bdi is the same as that of the backward pulse delay circuit bdi of the delay unit Ui of SAD (Synchronous Adjustable Delay).

따라서, BD에 있어서의 후진 펄스의 지연량과 2/3BD에 있어서의 후진 펄스의 지연량의 비는 BD에 있어서의 지연 유닛 수와 2/3BD에 있어서의 지연 유닛 수의 비, 정확히는 1개의 블록내에 있어서의 BD의 지연 유닛 수와 2/3BD의 지연 유닛 수의 비와 같아진다.Therefore, the ratio of the delay amount of the backward pulse in BD and the backward pulse amount in 2 / 3BD is the ratio of the number of delay units in BD to the number of delay units in 2 / 3BD, Is equal to the ratio of the number of delay units of the BD and the number of delay units of 2 / 3BD in the BD.

구체적으로는, 본 예에서는, n개의 지연 유닛(Ui)(i=1∼n)과 m개의 지연 유닛(bdi)(i=1∼m)을 r개의 블록[B(1), B(2), …, B(r)]에 균등하게 분배하고 있다.Specifically, in this example, n delay units Ui (i = 1 to n) and m delay units bdi (i = 1 to m) are divided into r blocks B (1) ), ... , B (r)].

예를 들면, 블록[B(1)]을 3개의 지연 유닛(U1∼U3)과 2개의 지연 유닛(bd1, bd2)으로 구성하고, 지연 유닛(U1)으로부터 출력되는 제어 펄스(Q1, /Q1)를 지연 유닛(bdi)에 부여하고, 지연 유닛(U3)으로부터 출력되는 제어 펄스(Q3, /Q3)를 지연 유닛(bd2)에 부여하고 있다.For example, the block B (1) is composed of three delay units U1 to U3 and two delay units bd1 and bd2, and the control pulses Q1 and / Q1 To the delay unit bdi and the control pulses Q3 and / Q3 output from the delay unit U3 to the delay unit bd2.

단, 제어 펄스(Q1, /Q1, Q3, /Q3)로 변화시켜, 제어 펄스(Q1, /Q1, Q2, /Q2)를 지연 유닛(bd1, bd2)에 부여해도 좋고, 또한, 제어 펄스(Q2, /Q2, Q3, /Q3)를 지연 유닛(ba1, bd2)에 부여해도 좋다.However, the control pulses Q1, / Q1, Q2 and / Q2 may be supplied to the delay units bd1 and bd2 by changing the control pulses Q1 and / Q1, Q3 and / Q3, Q2, / Q2, Q3, / Q3 may be given to the delay units ba1, bd2.

즉, 본 예에서는, SAD의 3개의 지연 유닛에 대하여 2/3BD의 2개의 지연 유닛을 설치하고 있다. 따라서, BD에서는, 후진 펄스는 Δ 만큼 지연되는 것에 반하여, 2/3BD에서는 후진 펄스는 2Δ/3 만큼 지연되게 된다.That is, in this example, two delay units of 2 / 3BD are provided for the three delay units of the SAD. Therefore, in BD, the backward pulse is delayed by?, Whereas in 2 / 3BD, the backward pulse is delayed by 2? / 3.

또한, 본 예의 경우, m=2n/3의 관계가 있다. 또한, 상기 설명에서 자주 등장하는 서로 소인 자연수 j, k는 각각 j=3(1개의 블록내의 SAD의 지연 유닛의 수와 같음), k=2(1개의 블록내의 HBD의 지연 유닛의 수와 같음)이 된다.In the case of this example, there is a relation of m = 2n / 3. In the above description, the frequent small natural numbers j and k are j = 3 (equal to the number of delay units of SAD in one block), k = 2 (equal to the number of delay units of HBD in one block ).

또한, SAD의 지연 유닛의 총수(n)는 j(본 예에서는 3)×r이 되며, HBD의 지연 유닛의 총수(m)는 k(본 예에서는 2)×r이 된다. 또한, m/n=k ×r/j×r이므로, m/n=k/j의 관계가 있다.The total number n of the delay units of the SAD is j (3 in this example) x r, and the total number m of the delay units of the HBD is k (2 in this example) x r. Also, since m / n = k x r / j x r, there is a relation of m / n = k / j.

또한, 2/3BD의 지연 유닛(bd1∼bdm)을 SAD의 지연 유닛(U1∼Un)에 대하여 균등하게 배치하는 것이 좋다. 즉, SAD가 접속되는 3개의 지연 유닛에 대하여 2/3BD의 2개의 지연 유닛을 대응시키면, 정확히 2Δ/3의 지연을 생성할 수 있게 된다.It is also preferable to arrange the 2 / 3BD delay units bd1 to bdm equally with respect to the delay units U1 to Un of the SAD. That is, if two delay units of 2 / 3BD are associated with the three delay units to which the SAD is connected, it is possible to generate a delay of exactly 2? / 3.

제43도는 제34도의 k/jBD의 구성을 일반적으로 도시하고 있다. 제44도는 제43도의 1개의 블록[B(i)]내에 있어서의 k/jBD의 구성을 도시하고 있다.FIG. 43 generally shows the configuration of k / jBD of FIG. FIG. 44 shows the configuration of k / jBD in one block [B (i)] of FIG.

SAD는 r개의 블록[B(1)∼B(r)]으로 구성되어 있다. SAD에서, 각 블록은 j개의 지연 유닛을 포함하고 있다. 마찬가지로, k/jBD는 r개의 블록[B(1)∼B(r)]으로 구성되어 있다. k/jBD에서 각 블록은 k개의 지연 유닛을 포함하고 있다.SAD is composed of r blocks [B (1) to B (r)]. In the SAD, each block contains j delay units. Similarly, k / jBD consists of r blocks [B (1) to B (r)]. Each block in k / jBD contains k delay units.

j 및 k는 서로 소인 자연수이고, j>k로 설정되는 것이 일반적이다.j and k are natural numbers having a small number of each other, and j > k is generally set.

블록이 r개 존재하므로, SAD의 지연 유닛의 합계수(n)은 r×j개가 되며, k/jBD의 지연 유닛의 합계수(m)는 r×k가 된다.Since there are r blocks, the total number (n) of delay units of the SAD is r x j, and the total number (m) of delay units of k / jBD is r x k.

SAD의 블록 수와 k/jBD의 블록 수는 같다 예를 들면, SAD의 블록[B(1)]은 k/jBD의 블록(1)에 대응하며, SAD의 블록[B(2)]은 k/jBD의 블록(2)에 대응하고, SAD의 블록[B(r)]은 k/jBD의 블록(r)에 대응하고 있다.The number of blocks of SAD and the number of blocks of k / jBD are the same, for example, block B (1) of SAD corresponds to block 1 of k / / jBD, and the block B (r) of the SAD corresponds to the block r of k / jBD.

예를 들면, SAD의 블록(1)에서, j조의 제어 펄스(Q1, /Q1, Q2, /Q2, …, Qj, /Qj)가 생성된다. 단, j조의 제어 펄스 중의 k(<j)조만을 선택하고, 이 k조의 제어 펄스를 k/jBB의 블록(1)에 공급한다.For example, in block 1 of the SAD, j control pulses Q1, / Q1, Q2, / Q2, ..., Qj, / Qj are generated. However, only k (<j) combinations in the control pulse of the j-th group are selected, and the k control pulses are supplied to the block 1 of k / jBB.

k조의 제어 펄스는 j조의 제어 펄스(Q1, /Q1, Q2, /Q2, …, Qj, /Qj)로부터 규칙적 또는 균등하게 선택된다.The k control pulses are regularly or evenly selected from the j-th control pulses Q1, / Q1, Q2, / Q2, ..., Qj, / Qj.

또한, 선택된 k조의 제어 펄스는, k/jBD의 대응하는 k개의 지연 유닛에 규칙적으로 부여된다. 예를 들면, 제어 펄스(Q1, /Q1, Q1, /Q2)가 선택되는 경우에는, 제어 펄스(Q1, /Q1)를 k/jBD의 지연 유닛(bd1)에 부여하고(bd2에 부여하지 않고), 제어 펄스(Q2, /Q2)를 k/jBD의 지연 유닛(bd2)에 부여한다(bd1에 부여하지 않는다).Further, the selected k control pulses are regularly given to k corresponding delay units of k / jBD. For example, when the control pulses Q1 and / Q1, Q1 and / Q2 are selected, the control pulses Q1 and / Q1 are applied to the delay unit bd1 of k / jBD ) And the control pulses Q2 and / Q2 to the delay unit bd2 of k / jBD (not to bd1).

이와 같은 구성에 의하면, SAD의 전진 펄스가 도달하는 지연 유닛의 위치에 관계 없이 항상 SAD의 지연 유닛 수와 k/jBD의 지연 유닛 수의 비, kj=m/n을 만족하게 된다. 따라서, 전진 펄스가 도달하는 지연 유닛의 위치에 관계 없이, k/jBD에서 정확히 k/jΔ의 지연량을 생성할 수 있다.According to such a configuration, the ratio of the number of delay units of SAD to the number of delay units of k / jBD, kj = m / n is always satisfied regardless of the position of the delay unit in which the forward pulse of the SAD reaches. Therefore, irrespective of the position of the delay unit to which the forward pulse arrives, it is possible to generate a delay amount of k / j DELTA in k / jBD.

다음에, 제45도를 참조하면서, 본 발명(제31도의 예의 경우)의 원리에 대하여 설명한다.Next, the principle of the present invention (in the example of FIG. 31) will be described with reference to FIG. 45.

외부 클록(CK)과 내부 클록(CLK)의 스큐의 폭(지연량)을 k×D1으로 하고, 외부 클록(CK) 및 내부 클록(CLK)의 주기를 T라고 한다.The skew width (delay amount) of the external clock CK and the internal clock CLK is k × D1 and the cycle of the external clock CK and the internal clock CLK is T.

내부 클록(CLK)의 첫번째 펄스가 발생한 시점(상승한 시점)으로부터 시간(A)가 경과한 시점에서 지연 모방 펄스(CL)를 발생시킨다. 이 경우, 지연 모방 펄스(CL)가 발생한 시점으로부터, 내부 클록(CLK)의 두번째 펄스가 발생하는 시점까지의 시간은 Δf가 된다.The delayed mimic pulse CL is generated at a point of time A elapsed from the time when the first pulse of the internal clock CLK is generated (the time of the rise). In this case, the time from when the delay imitation pulse CL is generated to when the second pulse of the internal clock CLK is generated is? F.

또한, 이 시간(Δf)를 카피하여 Δb를 만들고, 지연 모방 펄스(CL)를 발생시킨 시점으로부터 시간(2×Δ)(단, Δf=Δb=Δ)이 경과한 시점에서 지연 모방 펄스(RCL)가 발생하게 된다. 그러면, 지연 모방 펄스(RCL)가 발생한 시점으로부터 시간(A)가 경과한 시점은 내부 클록(CLK)의 세번째의 펄스가 발생하는 시점과 일치하게 된다. 단, (A+W)<T로 한다. W는 지연 모방 펄스(CL, RCL)의 폭이다.This time Δf is copied to make Δb and the delay imitation pulse RCL (1) is generated at the time point when the time (2 × Δ) (Δf = Δb = Δ) ). Then, the time point at which the time (A) elapses from the point in time at which the delay imitation pulse (RCL) is generated coincides with the time point at which the third pulse of the internal clock (CLK) occurs. (A + W) &lt; T. And W is the width of delay imitation pulses CL and RCL.

지연 모방 펄스(RCL)가 발생한 시점으로부터 외부 클록(CK)의 세번째 펄스가 발생하는 시점까지의 시간을 (j-k)×D1+j×D2라고 하고, 지연 모방 펄스(RCL)를 시간(j-k)×D1+j×D2 만큼 지연시켜 주면, 외부 클록(CK)의 타이밍에 일치된 보정 내부 클록(CK′)을 얻을 수 이Te.(Jk) × D1 + j × D2 from the time point when the delay imitation pulse RCL is generated to the time point when the third pulse of the external clock CK is generated and the delay imitation pulse RCL to the time jk × D1 + j D2, a corrected internal clock CK 'that matches the timing of the external clock CK can be obtained.

즉, 지연량(A), (2×Δ), (j-k)×D1+j×D2를 생성하는 지연 회로를 형성하고, 내부 클록(CLK)을 시간 A+(2×Δ)+{(j-k)×D1+j×D2} 만큼 늦추면, 외부 클록(CK)의 타이밍에 일치된 보정 내부 클록(CK′)을 얻을 수 있게 된다.That is, a delay circuit for generating the delay amounts A, (2 占?), (Jk) 占 D1 + j 占 D2 is formed and the internal clock CLK is multiplied by the time A + × D1 + j × D2}, it becomes possible to obtain the corrected internal clock CK 'that matches the timing of the external clock CK.

지연량(2×Δ)은 SAD에 의하여 생성되며, 또한 지연량[(j-k)×D1+j×D2]은 지연 소자에 의하여 생성된다. 지연량(A)은 다음과 같이 된다.The delay amount (2 × Δ) is generated by the SAD, and the delay amount [(j-k) × D1 + j × D2] is generated by the delay element. The delay amount A is as follows.

제50도의 관계로부터,From the relationship of FIG. 50,

Figure kpo00001
Figure kpo00001

를 얻을 수 있다.Can be obtained.

(1)식으로부터 T=A+Δ … (3)을 얻고, (2)식으로부터 A+2Δ+j(D1+D2)=2T … (4)를 얻을 수 있다.From equation (1), T = A + Δ ... A + 2? + J (D1 + D2) = 2? T + 3? (4) can be obtained.

(3), (4)식으로부터,From equations (3) and (4)

Figure kpo00002
Figure kpo00002

가 된다..

또한, 외부 클록(CK)에 대하여 (k/j)×T 만큼 지연된 내부 클록(CKD)이 생성되는 원리는 다음과 같다.The principle of generating the internal clock CKD delayed by (k / j) x T with respect to the external clock CK is as follows.

시간[(k/j)×Δ](Δ=Δf=Δb)를 만들고, 지연 모방 펄스(CL)를 발생시킨 시점으로부터 시간[Δ+(k/j)×Δ]이 경과된 시점에서 지연 펄스(k/jCL)가 발생하게 된다. 또한, 지연 펄스(k/jCL)가 발생한 시점으로부터 시간(k×D2)가 경과된 시점에서 내부 클록(CKD)를 발생시킨다.(K / j) DELTA] (DELTA = DELTA f = DELTA b), and at the point in time [Delta] + (k / jCL) is generated. Also, the internal clock CKD is generated at the time point when the time (k x D2) elapses from when the delayed pulse (k / jCL) occurs.

이때, 제45도로부터 명백해지듯이, 내부 클록(CKD)은 외부 클록(CK)에 대하여,At this time, as apparent from the 45th road, the internal clock CKD is set to the external clock CK,

Figure kpo00003
Figure kpo00003

만큼 지연되게 된다..

(6)식을 변형하면,When the equation (6) is modified,

Figure kpo00004
Figure kpo00004

이 된다..

(7)식은 상기 (3), (5)식으로부터,(7) can be obtained from the equations (3) and (5)

Figure kpo00005
Figure kpo00005

이 된다..

즉, 내부 클록(CKD)은 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 (k/j)×T 만큼 뒤져 있다는 것을 의미한다.That is, the internal clock CKD means that the phase is behind the external clock CK by (k / j) × T.

따라서, 지연량[A, Δ+(k/j)×Δ, k×D2)을 생성하는 지연 회로를 형성하며, 내부 클록(CLK)을 시간[A+{Δ+(k/j)×Δ}+k×D2] 만큼 늦추면, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 (k/j)×T 만큼 지연된 내부 클록(CKD)을 얻을 수 있게 된다.Therefore, the delay circuit for generating the delay amount [A, DELTA + (k / j) DELTA, k D2) + k D2], it is possible to obtain an internal clock CKD whose phase is delayed by (k / j) xT with respect to the external clock CK.

지연량(Δ)은 SAD의 FD에 의하여 생성되며, 또한, 지연량(k×D2)은 지연 소자에 의하여 생성된다. 지연량(A)은 상술한 방법에 의하여 (5)식에 나타낸 바와 같이 j(D1+D2)로 설정된다.The delay amount DELTA is generated by the FD of the SAD, and the delay amount (k x D2) is generated by the delay element. The delay amount A is set to j (D1 + D2) as shown in expression (5) by the above-described method.

다음에, 제46도를 참조하면서, 본 발명(제32도의 예의 경우)의 원리에 대하여 설명한다.Next, the principle of the present invention (in the case of the example of FIG. 32) will be described with reference to FIG.

외부 클록(CK)과 내부 클록(CLK)의 스큐의 폭(지연량)을 D1이라고 하고, 외부 클록(CK) 및 내부 클록(CLK)의 주기를 T라고 한다.The skew width (delay amount) of the external clock CK and the internal clock CLK is D1 and the cycle of the external clock CK and the internal clock CLK is T. [

내부 클록(CLK)의 첫번째의 펄스가 발생한 시점(상승한 시점)으로부터 시간(A)가 경과한 시점에서 지연 모방 펄스(CL)를 발생시킨다. 이 경우, 지연 모방 펄스(CL)가 발생한 시점으로부터, 내부 클록(CLK)의 두번째의 펄스가 발생하는 시점까지의 시간은 Δf가 된다.The delayed mimic pulse CL is generated at a point of time A elapsed from the time when the first pulse of the internal clock CLK has been generated In this case, the time from when the delay imitation pulse CL is generated to when the second pulse of the internal clock CLK is generated is? F.

또한, 이 시간(Δf)를 카피하여 Δb를 만들고, 지연 모방. 펄스(CL)를 발생시킨 시점으로부터 시간(2×Δ)(단, Δf=Δb=Δ)가 경과한 시점에서 지연 모방 펄스(RCL)가 발생하도록 한다. 그러면, 지연 모방 펄스(RCL)가 발생한 시점으로부터 시간(A)가 경과한 시점은 내부 클록(CLK)의 세번째 펄스가 발생하는 시점과 일치하게 된다. 단, (A+W)<T로 한다. W는 지연 모방 펄스(CL, RCL)의 폭이다.Further, this time? F is copied to make? B, and delay imitation. The delay imitation pulse RCL is generated at the time point when the time (2xA) (DELTA f = DELTA b = DELTA) has elapsed from the point of time when the pulse CL is generated. Then, the time point at which the time (A) elapses from the point in time at which the delay mimic pulse (RCL) is generated coincides with the time point at which the third pulse of the internal clock (CLK) occurs. (A + W) < T. And W is the width of delay imitation pulses CL and RCL.

지연 모방 펄스(RCL)가 발생한 시점으로부터 외부 클록(CK)의 세번째의 펄스가 발생하는 시점까지의 시간을 (j-1)×D1+j×D2 만큼 지연시켜 주면, 외부 클록(CK)의 타이밍에 일치된 보정 내부 클록(CK′)을 얻을 수 있다.By delaying the time from when the delay imitation pulse RCL is generated to when the third pulse of the external clock CK is generated by (j-1) x D1 + j x D2, the timing of the external clock CK The corrected internal clock CK 'can be obtained.

즉, 지연량[(A), (2×Δ), (j-1)×D1+j×D2]를 생성하는 지연 회로를 형성하고, 내부 클록(CLK)을 시간[A+(2×Δ)+{(j-1)×D1+j×D2}] 만큼 늦추면, 외부 클록(CK)의 타이밍에 일치된 보정 내부 클록(CK′)을 얻을 수 있게 된다.That is, a delay circuit for generating the delay amount [(A), (2xA), (j-1) xD1 + jD2] is formed and the internal clock CLK is set to the time [A + + {(j-1) x D1 + j x D2}], it becomes possible to obtain the corrected internal clock CK 'that matches the timing of the external clock CK.

지연량(2×Δ)은 SAD에 의하여 생성되며, 또한 지연량[(j-k)×D1+j×D2]은 지연 소자에 의하여 생성된다. 지연량(A)은 다음과 같이 결정된다.The delay amount (2 × Δ) is generated by the SAD, and the delay amount [(j-k) × D1 + j × D2] is generated by the delay element. The delay amount A is determined as follows.

제50도의 관계로부터,From the relationship of FIG. 50,

Figure kpo00006
Figure kpo00006

를 얻을 수 있다You can get

(9)식으로부터 T=A+Δ …(11)을 얻고, (10)식으로부터 A+2Δ+j(D1+D2)=2T … (12)를 얻을 수 있다.From equation (9), T = A + Δ ... A + 2? + J (D1 + D? 2) = 2T? (12) can be obtained.

(11), (12)식으로부터,From equations (11) and (12)

Figure kpo00007
Figure kpo00007

가 된다Become

또한, 외부 클록(CK)에 대하여 (k/j)×T 만큼 지연된 내부 클록(CKD)이 생성되는 원리는 다음과 같다.The principle of generating the internal clock CKD delayed by (k / j) x T with respect to the external clock CK is as follows.

시간[(k/j)×Δ](Δ=Δf=Δb)를 만들고, 지연 모방 펄스(CL)를 발생시킨 시점으로부터 시간[Δ+(k/j)×Δ]이 경과된 시점에서 지연 펄스(k/jCL)가 발생하게 된다. 또한, 지연 펄스(k/jCL)가 발생한 시점으로부터 시간[(k-1)×D2+k×D2]가 경과된 시점에서 내부 클록(CKD)를 발생시킨다.(K / j) DELTA] (DELTA = DELTA f = DELTA b), and at the point in time [Delta] + (k / jCL) is generated. Further, the internal clock CKD is generated at the time point when the time [(k-1) D2 + k D2] elapses from the point in time at which the delay pulse k / jCL is generated.

이때, 제46도로부터 명백해지듯이, 내부 클록(CKD)은 외부 클록(CK)에 대하At this time, as apparent from the 46th road, the internal clock (CKD) corresponds to the external clock (CK)

Figure kpo00008
Figure kpo00008

만큼 지연되게 된다..

(14)식을 변형하면,When the equation (14) is modified,

Figure kpo00009
Figure kpo00009

이 된다..

(15)식은 상기 (11), (12)식으로부터,(15) can be obtained from the equations (11) and (12)

Figure kpo00010
Figure kpo00010

이 된다..

즉, 내부 클록(CKD)은 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 (k/j)×T 만큼 뒤져 있다는 것을 의미한다.That is, the internal clock CKD means that the phase is behind the external clock CK by (k / j) × T.

따라서, 지연량[A, Δ+(k/j)×Δ, k×D2)을 생성하는 지연 회로를 형성하며, 내부 클록(CLK)을 시간[A+{Δ+(k/j)×Δ)+k×D2] 만큼 늦추면, 외부 클록(CK)에 대하여 위상이 (k/j)×T 만큼 지연된 내부 클록(CKD)을 얻을 수 있게 된다.Therefore, a delay circuit for generating the delay amount [A, [Delta] + (k / j) x, k x D2) is formed, and the internal clock CLK is multiplied by the time [A + + k D2], it is possible to obtain an internal clock CKD whose phase is delayed by (k / j) xT with respect to the external clock CK.

지연량(Δ)은 SAD의 FD에 의하여 생성되며, 또한, 지연량(k×B2)은 지연 소자에 의하여 생성된다. 지연량(A)은 상술한 방법에 의하여 (13)식에 나타낸 바와 같이 j(D1+D2)로 설정된다.The delay amount DELTA is generated by the FD of the SAD, and the delay amount (k x B2) is generated by the delay element. The delay amount A is set to j (D1 + D2) as shown in expression (13) by the above-described method.

제47도는 외부 클록을 발생하며, 데이터를 수취하는 콘트롤러와, 외부 클록으로부터 생성된 내부 클록에 기초하여 데이터를 출력하는 메모리와의 접속 관계를 도시하고 있다.FIG. 47 shows a connection relationship between a controller for generating an external clock and receiving data, and a memory for outputting data based on an internal clock generated from the external clock.

상술한 예에서는, 외부 클록과 내부 클록의 위상 관계를 명확히 결정하고, 메모리로부터 정확한 데이터를 출력하는 기술에 대하여 설명하였다. 본 예에서는, 이러한 메모리로부터 판독된 정확한 데이터를 콘트롤러가 정확히 수취할 수 있는 기술에 대하여 설명한다.In the above-described example, a technique of clearly determining the phase relationship between the external clock and the internal clock and outputting the correct data from the memory has been described. In this example, description will be given of a technique by which the controller can correctly receive correct data read from such a memory.

일반적으로, 메모리 시스템은 콘트롤러(CPU)와, 복수의 메모리(IC)를 포함하고 있다. 또한, 외부 클록(CK)이 콘트롤러로부터 메모리(1, 2)로 도달하기까지에는 일정 시간이 걸린다. 그래서, 우선, 콘트롤러로부터 각 메모리(1, 2)까지의 외부 클록의 배선 길이를 같게 한다.Generally, the memory system includes a controller (CPU) and a plurality of memories (IC). It takes a certain time for the external clock CK to reach the memories 1 and 2 from the controller. Therefore, first, the wiring lengths of the external clocks from the controller to the memories 1 and 2 are made equal.

또한, 메모리(1) 또는 메모리(2)는 외부 클록(CK)에 대하여 일정한 위상 관계에 있는 내부 클록에 기초하여 데이터를 출력한다. 데이터는 데이터 버스를 경유하여 콘트롤러에 도달한다.Further, the memory 1 or the memory 2 outputs data based on an internal clock having a constant phase relationship with respect to the external clock CK. The data reaches the controller via the data bus.

콘트롤러는 메모리(1) 또는 메모리(2)로부터 데이터를 수치하지만, 데이터 버스의 배선 길이, 배선 용량 등에 의하여, 데이터가 메모리(1) 또는 메모리(2)로부터 출력되며, 콘트롤러에 입력되기까지에 일정 기간이 걸린다.The controller displays data from the memory 1 or the memory 2 but the data is outputted from the memory 1 or the memory 2 by the wiring length of the data bus or the wiring capacity or the like It takes a while.

즉, 콘트롤러는 정확한 데이터를 얻기 위하여, 데이터 버스의 데이터의 전송 시간을 고려한 타이밍에 의하여 데이터를 취할 필요가 있다.That is, in order to obtain accurate data, the controller needs to take data by timing taking into account the transmission time of data on the data bus.

그래서, 메모리(1, 2)와 동일한 외부 클록의 입력 용량을 가진 더미 메모리(IC)를 사용한다. 콘트롤러로부터 더미 메모리까지의 외부 클록의 배선 길이는 콘트롤러로부터 각 메모리(1, 2) 까지의 외부 클록의 배선 길이와 같게 한다.Therefore, a dummy memory (IC) having the same external clock input capacity as the memories 1 and 2 is used. The wiring length of the external clock from the controller to the dummy memory is made equal to the wiring length of the external clock from the controller to each of the memories 1 and 2.

또한, 더미 IC에 입력되는 외부 클록(CK)을 다시 콘트롤러에 되돌리고, 이것을 리턴 클록으로 한다.Further, the external clock CK input to the dummy IC is returned to the controller, which is used as a return clock.

리턴 클록은 콘트롤러가 메모리(1) 또는 메모리(2)의 출력 데이터를 수취하는 타이밍을 결정하는 것이다. 따라서, 더미 메모리로부터 콘트롤러까지의 리턴 클록의 배선 길이는 메모리(1) 또는 메모리(2)로부터 콘트롤러까지의 데이터 버스 길이와 같아진다.The return clock determines the timing at which the controller receives the output data of the memory 1 or the memory 2. [ Therefore, the wiring length of the return clock from the dummy memory to the controller becomes equal to the data bus length from the memory 1 or the memory 2 to the controller.

이와 같이, 콘트롤러는 리턴 클록에 기초하여, 메모리(1) 또는 메모리(2)로부터의 데이터를 수취한다. 따라서, 오 데이터가 콘트롤러에 입력되는 일이 없다.Thus, the controller receives data from the memory 1 or the memory 2 based on the return clock. Therefore, the erroneous data is not input to the controller.

이상, 설명한 바와 같이, 본 발명의 클록 제어 회로에 의하면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the clock control circuit of the present invention, the following effects can be obtained.

외부 클록에 대하여 항상 일정한 위상 관계가 되는 내부 클록을 안정하게 생성할 수 있으며, 또한, 외부 클록의 주기가 변화하여도 외부 클록의 소정 사이클째에는, 외부 클록에 대하여 내부 클록이 항상 일정한 위상 관계를 가지게 된다.It is possible to stably generate an internal clock that always has a constant phase relationship with respect to the external clock. In addition, even if the cycle of the external clock changes, the internal clock always has a constant phase relationship with respect to the external clock I have.

따라서, 본 발명은 소위 싱크로너스 메모리와 같은 클록 동기형 DRAM의 데이터 입출력 회로의 제어에 최적이다.Therefore, the present invention is most suitable for controlling a data input / output circuit of a clock synchronous DRAM such as a so-called synchronous memory.

또한, 클록의 사이클을 분주하여 데이터 출력을 행하는 제어에 의하여, 클록의 1주기에서 복수의 데이터를 출력하는 경우에는, 외부 클록에 대하여 위상이 소정량 만큼 정확히 어긋난 내부 클록을 복수개 필요로 하지만, 본 발명에 의하면, 이러한 복수의 내부 클록을 PLL 등의 복잡한 시스템을 사용하지 않고도 용이하게 생성할 수 있다.In the case of outputting a plurality of data in one cycle of the clock by controlling the data output by dividing the cycle of the clock, a plurality of internal clocks whose phases are shifted by a predetermined amount with respect to the external clock are required, According to the invention, such a plurality of internal clocks can be easily generated without using a complicated system such as a PLL.

Claims (39)

직렬로 접속된 복수의 지연 유닛으로 구성되며, 각각의 지연 유닛은, 전진 펄스를 일정한 지연량 만큼 지연시켜 후단의 지연 유닛에 전달하는 전진 펄스 지연 회로와, 후진 펄스를 상기 일정한 지연량 만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛에 전달하는 후진 펄스 지연 회로와, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있지 않은 경우에 상기 전진 펄스가 입력되면 세트 상태로 설정되며, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있는 경우에 상기 후진 펄스가 입력되면 리세트 상태로 설정되는 상태 유지부로 구성되며, 상기 전진 펄스는, 초기단의 지연 유닛에 입력되며, 상기 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되었을 때에 상태 유지부가 리세트 상태의 지연 유닛 중 가장 상기 초기단의 지연 유닛에 가까운 지연 유닛에서 형성되며, 상기 후진 펄스는, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 것을 특징으로 하는 지연 어레이.Each of the delay units comprising: a forward pulse delay circuit for delaying the forward pulse by a predetermined delay amount and transmitting the delayed forward pulse to a delay unit at the subsequent stage; and a delay circuit for delaying the backward pulse by the predetermined delay amount A delay circuit for delaying the output of the delay unit of the preceding stage and a delay circuit for delaying the output of the delay unit of the previous stage when the pulse of the internal clock is inputted to the plurality of delay units; Wherein the forward pulse is input to a delay unit at an initial stage and a front edge of the backward pulse is input to a delay unit of the internal When a pulse of a clock is input to the plurality of delay units, Wherein the delay unit is formed in a delay unit close to the delay unit of the initial stage, and the backward pulse is outputted from the delay unit of the initial stage. 제1항에 있어서, 상기 후진 펄스의 프론트 에지 이외의 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되지 않게 되었을 때에 상태 유지부가 리세트 상태의 지연 유닛 중 가장 상기 초기단의 지연 유닛에 가까운 지연 유닛으로 형성되는 것을 특징으로 하는 지연 어레이.The apparatus according to claim 1, wherein edges other than the front edge of the backward pulse are arranged such that, when a pulse of the internal clock is not inputted to the plurality of delay units, Gt; delay &lt; / RTI &gt; 직렬로 접속된 복수의 지연 유닛으로 구성되며, 각각의 지연 유닛은, 전진 펄스를 일정한 지연량 만큼 지연시켜 후단의 지연 유닛에 전달하는 전진 펄스 지연 회로와, 후진 펄스를 상기 일정한 지연량 만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛에 전달하는 후진 펄스 지연 회로와, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있지 않은 경우에 상기 전진 펄스가 입력되면 세트 상태로 설정되며, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있는 경우에 상기 후진 펄스가 입력되면 리세트 상태로 설정되는 상태 유지부로 구성되며, 상기 전진 펄스는, 초기단의 지연 유닛에 입력되며, 상기 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되었을 때에 상태 유지부가 리세트 상태의 지연 유닛 중 가장 상기 초기단의 지연 유닛에 가까운 지연 유닛에서 형성되며, 상기 후진 펄스는, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 것을 특징으로 하는 지연 어레이와, 지연량(D1)을 가지며, 외부 클록에 기초하여 내부 클록을 발생하는 버퍼와, 상기 내부 클록의 펄스를 지연량(A) 만큼 지연시켜 전진 펄스로서 상기 지연 어레이의 초기단의 지연 유닛에 공급하는 제1 지연 회로와, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 후진 펄스를 지연량(D2) 만큼 지연시켜 보정 내부 클록으로서 출력하는 제2 지연 회로로 구성되며, 상기 지연량(D1), 상기 지연량(D2) 및 상기 지연량(A)은, A=D1+D2 의 관계를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 클록 동기 지연 제어 회로.Each of the delay units comprising: a forward pulse delay circuit for delaying the forward pulse by a predetermined delay amount and transmitting the delayed forward pulse to a delay unit at the subsequent stage; and a delay circuit for delaying the backward pulse by the predetermined delay amount A delay circuit for delaying the output of the delay unit of the preceding stage and a delay circuit for delaying the output of the delay unit of the previous stage when the pulse of the internal clock is inputted to the plurality of delay units; Wherein the forward pulse is input to a delay unit at an initial stage and a front edge of the backward pulse is input to a delay unit of the internal When a pulse of a clock is input to the plurality of delay units, Wherein the delay unit is formed in a delay unit close to an initial stage delay unit, and the backward pulse is output from the delay unit of the initial stage; and an internal clock having a delay amount (D1) A first delay circuit for delaying a pulse of the internal clock by a delay amount A and supplying the delayed pulse as a forward pulse to a delay unit at an initial stage of the delay array; And a second delay circuit for delaying the backward pulse by a delay amount D2 and outputting the delayed backward pulse as a correction internal clock, wherein the delay amount D1, the delay amount D2 and the delay amount A are A = D1 + D2. &Lt; / RTI &gt; 제3항에 있어서, 상기 내부 클록의 펄스가, 직렬로 접속된 복수의 지연 유닛으로 구성되며, 각각의 지연 유닛은, 전진 펄스를 일정한 지연량 만큼 지연시켜 후단의 지연 유닛에 전달하는 전진 펄스 지연 회로와, 후진 펄스를 상기 일정한 지연량 만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛에 전달하는 후진 펄스 지연 회로와, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있지 않은 경우에 상기 전진 펄스가 입력되면 세트 상태로 설정되며, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있는 경우에 상기 후진 펄스가 입력되면 리세트 상태로 설정되는 상태 유지부로 구성되며, 상기 전진 펄스는, 초기단의 지연 유닛에 입력되며, 상기 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되었을 때에 상태 유지부가 리세트 상태의 지연 유닛 중 가장 상기 초기단의 지연 유닛에 가까운 지연 유닛에서 형성되며, 상기 후진 펄스는, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 것을 특징으로 하는 지연 어레이의 복수의 지연 유닛에 입력되고나서 상기 전진 펄스가 상기 초기단의 지연 유닛에 공급되기까지의 기간내에, 상기 복수의 지연 유닛의 전진 펄스 지연 회로를 초기화하기 위한 제어 펄스를 발생하는 제어 펄스 발생 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 클록 동기 지연 제어 회로.The apparatus according to claim 3, wherein the pulses of the internal clock are constituted by a plurality of delay units connected in series, each of the delay units including a forward pulse delay for delaying the forward pulse by a predetermined delay amount, A backward pulse delay circuit for delaying the backward pulse by the predetermined delay amount and transmitting the delayed backward pulse to the delay unit of the previous stage; and, when the forward pulse is inputted when the pulse of the internal clock is not inputted to the plurality of delay units, And a state holding unit that is set to a reset state when the backward pulse is input when a pulse of the internal clock is input to the plurality of delay units, And a front edge of the backward pulse is input to the plurality of delay units when a pulse of the internal clock is input to the plurality of delay units Is formed in a delay unit closest to the delay unit of the initial stage among the delay units of the reset state, and the backward pulse is outputted from the delay unit of the initial stage And a control pulse generating circuit for generating control pulses for initializing the forward pulse delay circuits of the plurality of delay units within a period from when the forward pulse is supplied to the delay unit at the initial stage Clock synchronous delay control circuit. 제3항에 있어서, 상기 전진 펄스가 직렬로 접속된 복수의 지연 유닛으로 구성되며, 각각의 지연 유닛은, 전진 펄스를 일정한 지연량 만큼 지연시켜 후단의 지연 유닛에 전달하는 전진 펄스 지연 회로와, 후진 펄스를 상기 일정한 지연량 만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛에 전달하는 후진 펄스 지연 회로와, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있지 않은 경우에 상기 전진 펄스가 입력되면 세트 상태로 설정되며, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있는 경우에 상기 후진 펄스가 입력되면 리세트 상태로 설정되는 상태 유지부로 구성되며, 상기 전진 펄스는, 초기단의 지연 유닛에 입력되며, 상기 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되었을 때에 상태 유지부가 리세트 상태의 지연 유닛 중 가장 상기 초기단의 지연 유닛에 가까운 지연 유닛에서 형성되며, 상기 후진 펄스는, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 것을 특징으로 하는 지연 어레이의 최종단의 지연 유닛으로부터 출력되는 경우에, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 후진 펄스를 차단하고, 상기 후진 펄스에 대신하여 상기 내부 클록의 펄스가 상기 제2 지연 회로로부터 출력되도록 제어하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 클록 동기 지연 제어 회로.The apparatus according to claim 3, wherein the forward pulse is composed of a plurality of delay units connected in series, each of the delay units comprising: an advancing pulse delay circuit for delaying the forward pulse by a predetermined delay amount and transmitting the delayed forward delay to the delay unit; A backward pulse delay circuit for delaying the backward pulse by the predetermined delay amount and transmitting the delayed backward pulse to the delay unit of the previous stage; and, when the forward pulse is inputted when the internal clock pulse is not inputted to the plurality of delay units, And a state holding unit that is set to a reset state when the backward pulse is input when a pulse of the internal clock is input to the plurality of delay units, and the forward pulse is input to a delay unit of an initial stage , And the front edge of the backward pulse is a state in which when the pulse of the internal clock is input to the plurality of delay units, And the backward pulse is output from the delay unit of the initial stage, characterized in that the backward pulse is output from the delay unit of the final stage of the delay array, And means for interrupting a backward pulse output from the delay unit at the initial stage and controlling the pulse of the internal clock to be output from the second delay circuit instead of the backward pulse, Delay control circuit. 제5항에 있어서, 상기 수단은, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 제2 지연 회로로부터 출력된 후에, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 후진 펄스에 기초하여 상기 제2 지연 회로를 초기화하는 것을 특징으로 하는 클록 동기 지연 제어 회로.6. The semiconductor memory device according to claim 5, wherein the means initializes the second delay circuit based on a backward pulse output from the delay unit of the initial stage after a pulse of the internal clock is output from the second delay circuit Clock synchronous delay control circuit. 제3항에 있어서, 직렬로 접속된 복수의 지연 유닛으로 구성되며, 각각의 지연 유닛은, 전진 펄스를 일정한 지연량 만큼 지연시켜 후단의 지연 유닛에 전달하는 전진 펄스 지연 회로와, 후진 펄스를 상기 일정한 지연량 만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛에 전달하는 후진 펄스 지연 회로와, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있지 않은 경우에 상기 전진 펄스가 입력되면 세트 상태로 설정되며, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있는 경우에 상기 후진 펄스가 입력되면 리세트 상태로 설정되는 상태 유지부로 구성되며, 상기 전진 펄스는, 초기단의 지연 유닛에 입력되며, 상기 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되었을 때에 상태 유지부가 리세트 상태의 지연 유닛 중 가장 상기 초기단의 지연 유닛에 가까운 지연 유닛에서 형성되며, 상기 후진 펄스는, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 것을 특징으로 하는 지연 어레이는, 상기 버퍼가 배치되는 위치와 상기 제2 지연 회로가 배치되는 위치의 중간에 배치되며, 상기 제1 지연 회로의 패턴은, 상기 버퍼 및 상기 버퍼로부터 상기 지연 어레이 까지의 배선의 패턴에 동일한 패턴과, 상기 제2 지연 회로 및 상기 지연 어레이로부터 상기 제2 지연 회로까지의 배선의 패턴에 동일한 패턴과의 조합에 의하여 구성되도록 레이 아웃되는 것을 특징으로 하는 클록 동기 지연 제어 회로.The apparatus of claim 3, further comprising: a plurality of delay units connected in series, each delay unit comprising: an advancing pulse delay circuit for delaying a forward pulse by a predetermined delay amount and delivering the forward pulse to a delay unit at a subsequent stage; A backward pulse delay circuit for delaying a predetermined delay amount to a delay unit of the preceding stage and a set state when the forward pulse is inputted when a pulse of an internal clock is not inputted to the plurality of delay units, And a state holding unit that is set to a reset state when the backward pulse is input when a pulse of a clock is input to the plurality of delay units, wherein the forward pulse is input to a delay unit of an initial stage, When the pulse of the internal clock is inputted to the plurality of delay units, the state edge of the state- Characterized in that the delay array is formed at a delay unit nearest to the delay unit of the initial stage among the plurality of delay units and the backward pulse is outputted from the delay unit at the initial stage, Wherein the pattern of the first delay circuit is the same as the pattern of the wiring from the buffer and the buffer to the delay array and the second pattern from the second delay circuit and the delay array, And the second delay circuit is laid out so as to be constituted by a combination of the same pattern and the same pattern as the wiring pattern up to the second delay circuit. 메모리 셀 어레이와, 상기 메모리 셀 어레이에 대하여 데이터의 기입 또는 판독을 행하기 위한 기입·판독 회로와, 상기 데이터를 버스로부터 입력하기 위한 입력 회로와, 상기 데이터를 상기 버스에 출력하기 위한 출력 회로와, 직렬로 접속된 복수의 지연 유닛으로 구성되며, 각각의 지연 유닛은, 전진 펄스를 일정한 지연량 만큼 지연시켜 후단의 지연 유닛에 전달하는 전진 펄스 지연 회로와, 후진 펄스를 상기 일정한 지연량 만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛에 전달하는 후진 펄스 지연 회로와, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있지 않은 경우에 상기 전진 펄스가 입력되면 세트 상태로 설정되며, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있는 경우에 상기 후진 펄스가 입력되면 리세트 상태로 설정되는 상태 유지부로 구성되며, 상기 전진 펄스는, 초기단의 지연 유닛에 입력되며, 상기 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되었을 때에 상태 유지부가 리세트 상태의 지연 유닛 중 가장 상기 초기단의 지연 유닛에 가까운 지연 유닛에서 형성되며, 상기 후진 펄스는, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 것을 특징으로 하는 지연 어레이와, 지연량(D1)을 가지며, 외부 클록에 기초하여 내부 클록을 발생하는 버퍼와, 상기 내부 클록의 펄스를 지연량(A) 만큼 지연시켜 전진 펄스로서 상기 지연 어레이의 초기단의 지연 유닛에 공급하는 제1 지연 회로와, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 후진 펄스를 지연량(D2) 만큼 지연시켜 보정 내부 클록으로서 출력하는 제2 지연 회로로 구성되며, 상기 지연량(D1), 상기 지연량(D2) 및 상기 지연량(A)은, A=D1+D2의 관계를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 클록 동기 지연 제어 회로로 구성되며, 상기 기입·판독 회로의 동작은, 상기 클록 동기 지연 제어 회로의 버퍼로부터 출력되는 내부 클록에 의하여 제어되며, 상기 입력 회로 또는 상기 출력 회로의 동작은, 적어도 상기 클록 동기 지연 제어 회로의 제2 지연 회로로부터 출력되는 보정 내부 클록에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 메모리 회로.An input circuit for inputting the data from the bus; an output circuit for outputting the data to the bus; and an output circuit for outputting the data to the bus, And a plurality of delay units connected in series, each delay unit comprising: a forward pulse delay circuit for delaying the forward pulse by a predetermined delay amount and transmitting the delayed forward pulse to a delay unit at a subsequent stage; A delay pulse generation circuit for generating a delay pulse of the internal clock by the delay circuit of the preceding stage and outputting the pulse of the internal clock signal to the delay unit of the previous stage when the pulse of the internal clock is not inputted to the plurality of delay units; A state in which a reset pulse is inputted to the plurality of delay units, Wherein the front edge of the backward pulse is a delay unit of a state in which the state holding unit is in the reset state when a pulse of the internal clock is input to the plurality of delay units, Wherein the delay unit is formed in a delay unit nearest to the delay unit of the initial stage, and the backward pulse is outputted from the delay unit of the initial stage, and a delay array having a delay amount (D1) A first delay circuit for delaying a pulse of the internal clock by a delay amount A and supplying the delayed pulse as a forward pulse to a delay unit at an initial stage of the delay array; And a second delay circuit for delaying the backward pulse outputted from the delay circuit by a delay amount D2 and outputting it as a correction internal clock, And the delay amount (D2) and the delay amount (A) have a relation of A = D1 + D2, and the operation of the write / Characterized in that the operation of the input circuit or the output circuit is controlled by at least a corrected internal clock output from the second delay circuit of the clock synchronous delay control circuit . 버스와, 상기 버스에 대하여 데이터의 수수를 행함과 동시에 외부 클록을 발생하는 제어 블록과, 메모리 셀 어레이와, 상기 메모리 셀 어레이에 대하여 데이터의 기입 또는 판독을 행하기 위한 기입·판독 회로와, 상기 데이터를 버스로부터 입력하기 위한 입력 회로와, 상기 데이터를 상기 버스에 출력하기 위한 출력 회로와, 직렬로 접속된 복수의 지연 유닛으로 구성되며 , 각각의 지연 유닛은, 전진 펄스를 일정한 지연량 만큼 지연시켜 후단의 지연 유닛에 전달하는 전진 펄스 지연 회로와, 후진 펄스를 상기 일정한 지연량 만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛에 전달하는 후진 펄스 지연 회로와, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있지 않은 경우에 상기 전진 펄스가 입력되면 세트 상태로 설정되며, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되어 있는 경우에 상기 후진 펄스가 입력되면 리세트 상태로 설정되는 상태 유지부로 구성되며, 상기 전진 펄스는, 초기단의 지연 유닛에 입력되며, 상기 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되었을 때에 상태 유지부가 리세트 상태의 지연 유닛 중 가장 상기 초기단의 지연 유닛에 가까운 지연 유닛에서 형성되며, 상기 후진 펄스는, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 것을 특징으로 하는 지연 어레이와, 지연량(D1)을 가지며, 외부 클록에 기초하여 내부 클록을 발생하는 버퍼와, 상기 내부 클록의 펄스를 지연량(A) 만큼 지연시켜 전진 펄스로서 상기 지연 어레이의 초기단의 지연 유닛에 공급하는 제1 지연 회로와, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 후진 펄스를 지연량(D2) 만큼 지연시켜 보정 내부 클록으로서 출력하는 제2 지연 회로로 구성되며, 상기 지연량(D1), 상기 지연량(D2) 및 상기 지연량(A)은, A=D1+D2 의 관계를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 클록 동기 지연 제어 회로로 구성되며, 상기 기입·판독 회로의 동작은, 상기 클록 동기 지연 제어 회로의 버퍼로부터 출력되는 내부 클록에 의하여 제어되며, 상기 입력 회로 또는 상기 출력 회로의 동작은, 적어도 상기 클록 동기 지연 제어 회로의 제2 지연 회로로부터 출력되는 보정 내부 클록에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 메모리 회로 메모리 회로를 가지며, 상기 버스에 대하여 데이터의 수수를 행함과 동시에 상기 외부 클록을 수취하는 메모리 블록을 구비하는 것을 특징으로 하는 동기 제어 시스템.A control block for transferring data to the bus and generating an external clock, a memory cell array, a write / read circuit for writing or reading data to / from the memory cell array, An input circuit for inputting data from a bus; an output circuit for outputting the data to the bus; and a plurality of delay units connected in series, wherein each delay unit is configured to delay the forward pulse by a predetermined delay amount A backward pulse delay circuit for delaying the backward pulse by the predetermined delay amount and transmitting the backward pulse to the delay unit at the previous stage; and a pulse of the internal clock is input to the plurality of delay units The pulse of the internal clock is set to the set state, Wherein the forward pulse is input to a delay unit at an initial stage and a front edge of the backward pulse is input to a delay unit of the internal When a pulse of a clock is inputted to the plurality of delay units, the state holding unit is formed in a delay unit closest to the delay unit of the initial stage among the delay units of the reset state, and the backward pulse is generated from the delay unit of the initial stage A buffer having a delay amount D1 and generating an internal clock based on an external clock; and a delay circuit for delaying the pulse of the internal clock by a delay amount A, A first delay circuit for supplying a delayed pulse output from the delay unit at the initial stage to a delay unit at an initial stage of the array, The delay amount D2 and the delay amount A are delayed by a predetermined delay time D2 and output as a corrected internal clock, and the delay amount D1, the delay amount D2 and the delay amount A are expressed by the following equation: A = D1 + D2 And the operation of the write / read circuit is controlled by an internal clock output from the buffer of the clock synchronization delay control circuit, and the operation of the input / output circuit Wherein the operation is controlled by a corrected internal clock output from at least the second delay circuit of the clock synchronous delay control circuit, wherein the memory circuit memory circuit performs data transfer to the bus, And a memory block for receiving the synchronization signal. 직렬 접속된 복수의 지연 유닛으로 구성되며, 각각의 지연 유닛은, 전진 펄스 및 후진 펄스를 일정한 지연량 만큼 지연시켜 비동기로 전달시키는 지연 회로와, 상기 전진 펄스에 의하여 세트 상태로 설정되며, 상기 후진 펄스에 의하여 리세트 상태로 설정되는 상태 유지부를 가지며, 상기 전진 펄스는, 초기단의 지연 유닛에 입력되며, 상기 후진 펄스의 프론트 에지는, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 지연 유닛에 입력되었을 때에 상태 유지부가 리세트 상태의 지연 유닛 중 가장 상기 초기단의 지연 유닛에 가까운 지연 유닛에서 형성되며, 상기 후진 펄스는, 상기 전진 펄스의 진행 방향과는 반대 방향으로 진행하며, 상기 초기단의 지연 유닛으로부터 출력되는 것을 특징으로 하는 지연 어레이.Each delay unit comprising a delay circuit for delaying the forward pulse and the backward pulse asynchronously by a predetermined delay amount, and a delay circuit for setting the set state by the forward pulse, Wherein the forward pulse is input to a delay unit of an initial stage and the front edge of the backward pulse is set to a state in which a pulse of the internal clock is input to the plurality of delay units Wherein the state maintaining unit is formed in a delay unit closest to the delay unit of the initial stage among the delay units of the reset state and the reverse pulse advances in a direction opposite to the advancing direction of the forward pulse, &Lt; / RTI &gt; 직렬로 접속된 복수의 제1 및 제2 지연 유닛으로 구성되고, 각각의 제1 지연 유닛은, 전진 펄스를 일정한 지연량만큼 지연시켜 후단의 지연 유닛으로 전달하는 전진 펄스 지연 회로와, 제1 후진 펄스를 상기 일정한 지연량만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛으로 전달하는 제1 후진 펄스 지연 회로와, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛으로 입력되어 있지 않은 경우에 상기 전진 펄스가 입력되면 제1 상태로 설정되고, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛에 입력되어 있는 경우에 상기 제1 후진 펄스가 입력되면 제2 상태로 설정되는 상태 유지부로 구성되고, 각각의 제2 지연 유닛은, 제2 후진 펄스를 상기 일정한 지연량만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛으로 전달하는 제2 후진 펄스 지연 회로로 구성되고, 상기 전진 펄스는 초기단의 제1 지연 유닛으로 입력되고, 상기 제1 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛으로 입력되었을 때에 상태 유지부가 제2 상태의 제1 지연 유닛 중 상기 초기단의 제1 지연 유닛에 가장 가까운 제1 지연 유닛에서 형성되고, 상기 제1 후진 펄스는 상기 초기단의 제1 지연 유닛으로부터 출력되고, 상기 제2 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 제1 후진 펄스의 프론트 에지를 형성하는 제1 지연 유닛에 대응하는 제2 지연 유닛에서 형성되고, 상기 제2 후진 펄스는 초기단의 제2 지연 유닛으로부터 출력되고, 상기 제1 후진 펄스 지연 회로의 지연량과 상기 제2 후진 펄스 지연 회로의 지연량이 동일한 것을 특징으로 하는 지연 어레이.Each of the first delay units includes an advancing pulse delay circuit for delaying the advancing pulse by a predetermined delay amount and delivering the advancing pulse to the delay unit at the subsequent stage, A first backward pulse delay circuit for delaying a pulse by a predetermined delay amount and transferring the pulse to a delay unit of the preceding stage; and a second backward pulse delay circuit for delaying the pulse when the pulse of the internal clock is not input to the plurality of first delay units, 1 state and is set to a second state when the first backward pulse is input when a pulse of the internal clock is input to the plurality of first delay units, Unit is constituted by a second backward pulse delay circuit for delaying the second backward pulse by the predetermined delay amount and delivering the second backward pulse to the preceding delay unit, And the front edge of the first backward pulse is input to the first delay unit when a pulse of the internal clock is input to the plurality of first delay units, The first backward pulse being generated from a first delay unit of the initial stage and the front edge of the second backward pulse being generated at a front edge of the first backward pulse, And the second backward pulse is output from a second delay unit at an initial stage, and the delay amount of the first backward pulse delay circuit and the second backward pulse And the delay amount of the pulse delay circuit is the same. 제11항에 있어서, 상기 제1 후진 펄스의 프론트 에지 이외의 에지는, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛에 입력되지 않았을 때에 상태 유지부가 제2 상태의 제1 지연 유닛 중 상기 초기단의 제1 지연 유닛에 가장 가까운 제1 유닛에서 형성되는 것을 특징으로 하는 지연 어레이.The apparatus of claim 11, wherein the edges other than the front edge of the first backward pulse are arranged such that when a pulse of the internal clock is not input to the plurality of first delay units, Wherein the first delay unit is formed in the first unit closest to the first delay unit of the initial stage. 제11항에 있어서, 상기 제1 지연 유닛의 수와 상기 제2 지연 유닛의 수는 서로 다른 것을 특징으로 하는 지연 어레이.12. The delay array of claim 11, wherein the number of the first delay units and the number of the second delay units are different. 제11항에 있어서, 상기 제2 지연 유닛의 수는 상기 제1 지연 유닛의 수 보다도 작은 것을 특징으로 하는 지연 어레이.12. The delay array of claim 11, wherein the number of the second delay units is less than the number of the first delay units. 제11항에 있어서, 상기 복수의 제1 지연 유닛 중 연속하는 j개의 지연 유닛으로 1개의 제1 블록을 구성하고, 상기 복수의 제2 지연 유닛 중 연속하는 k개의 제2 지연 유닛으로 상기 제1 블록에 대응하는 1개의 제2 블록을 구성하고, 상기 제1 블록의 상기 j개의 제1 지연 유닛 중 k개의 동작을 제어하는 제어 펄스에 기초하여, 상기 제2 블록의 k개의 제2 지연 유닛의 동작을 제어하는[단, j, k는 서로 소(素)인 자연수이며, 또 j>k이다] 것을 특징으로 하는 지연 어레이.12. The apparatus according to claim 11, wherein one of the plurality of first delay units is constituted by one j delay units and one of k second delay units among the plurality of second delay units is constituted by the first Blocks constituting one second block corresponding to the number of the first delay units of the first block and a control pulse for controlling k operations of the j first delay units of the first block, Wherein j and k are natural numbers that are small, and j > k. 제15항에 있어서, 상기 제1 지연 유닛은, r(r은 자연수)개의 블록을 구성하고, 상기 제1 지연 유닛의 총 수는 n(=r×j)개이고, 상기 제2 지연 유닛도 r개의 블록을 구성하고, 상기 제2 유닛의 총 수는 m(=r×j)개이고, 상기 제1 후진 펄스의 지연량을 Δ로 한 경우에 상기 제2 후진 펄스의 지연량은 (m/n)×Δ인 것을 특징으로 하는 지연 어레이.The apparatus of claim 15, wherein the first delay unit comprises r (r is a natural number) blocks, the total number of the first delay units is n (= r x j) And the delay amount of the second backward pulse is (m / n) when the total number of the second units is m (= rxj) and the delay amount of the first backward pulse is? ) X DELTA. 직렬로 접속된 복수의 제1 및 제2 지연 유닛으로 구성되고, 각각의 제1 지연 유닛은, 전진 펄스를 일정한 지연량만큼 지연시켜 후단의 지연 유닛으로 전달하는 전진 펄스 지연 회로와, 제1 후진 펄스를 상기 일정한 지연량만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛으로 전달하는 제1 후진 펄스 지연 회로와, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛으로 입력되어 있지 않은 경우에 상기 전진 펄스가 입력되면 제1 상태로 설정되고, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛에 입력되어 있는 경우에 상기 제1 후진 펄스가 입력되면 제2 상태로 설정되는 상태 유지부로 구성되고, 각각의 제2 지연 유닛은, 제2 후진 펄스를 상기 일정한 지연량만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛으로 전달하는 제2 후진 펄스 지연 회로로 구성되고, 상기 전진 펄스는 초기단의 제1 지연 유닛으로 입력되고, 상기 제1 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛으로 입력되었을 때에 상태 유지부가 제2 상태의 제1 지연 유닛 중 상기 초기단의 제1 지연 유닛에 가장 가까운 제1 지연 유닛에서 형성되고, 상기 제1 후진 펄스는 상기 초기단의 제1 지연 유닛으로부터 출력되고, 상기 제2 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 제1 후진 펄스의 프론트 에지를 형성하는 제1 지연 유닛에 대응하는 제2 지연 유닛에서 형성되고, 상기 제2 후진 펄스는 초기단의 제2 지연 유닛으로부터 출력되고, 상기 제1 후진 펄스 지연 회로의 지연량과 상기 제2 후진 펄스 지연 회로의 지연량이 동일한 것을 특징으로 하는 지연 어레이와, 지연량 D1을 갖고, 외부 클록에 기초하여 상기 내부 클록을 발생하는 버퍼와, 상기 내부 클록의 펄스를 지연량(A)만큼 지연시켜 상기 전진 펄스로서 상기 초기단의 제1 지연 유닛에 공급하는 제1 지연 회로와, 상기 초기단의 제1 지연 유닛으로부터 출력되는 상기 제1 후진 펄스를 지연량 (j-1)×D1+j×D2만큼 지연시켜 제1 보정 내부 클록으로서 출력하는 제2 지연 회로와, 상기 초기단의 제2 지연 유닛으로부터 출력되는 상기 제2 후진 펄스를 지연량 (k-1)×D1+k×D2만큼 지연시켜 제2 보정 내부 클록으로서 출력하는 제3 지연 회로를 구비하고(단, j, k는 서로 소인 자연수이며, 또 j>k이다), 상기 지연량 D1, 상기 지연량 D2 및 상기 지연량(A)는Each of the first delay units includes an advancing pulse delay circuit for delaying the advancing pulse by a predetermined delay amount and delivering the advancing pulse to the delay unit at the subsequent stage, A first backward pulse delay circuit for delaying a pulse by a predetermined delay amount and transferring the pulse to a delay unit of the preceding stage; and a second backward pulse delay circuit for delaying the pulse when the pulse of the internal clock is not input to the plurality of first delay units, 1 state and is set to a second state when the first backward pulse is input when a pulse of the internal clock is input to the plurality of first delay units, Unit is constituted by a second backward pulse delay circuit for delaying the second backward pulse by the predetermined delay amount and delivering the second backward pulse to the preceding delay unit, And the front edge of the first backward pulse is input to the first delay unit when a pulse of the internal clock is input to the plurality of first delay units, The first backward pulse being generated from a first delay unit of the initial stage and the front edge of the second backward pulse being generated at a front edge of the first backward pulse, And the second backward pulse is output from a second delay unit at an initial stage, and the delay amount of the first backward pulse delay circuit and the second backward pulse A buffer for generating the internal clock on the basis of an external clock and having a delay amount D1; A first delay circuit for delaying a pulse of the first delay unit output from the first delay unit at the initial stage by a delay amount A and supplying the delayed pulse as the forward pulse to the first delay unit at the initial stage; A second delay circuit for delaying the second backward pulse outputted from the second delay unit at the initial stage by a delay amount (k-1) × D1 + j × D2 and outputting it as a first corrected internal clock; -1) 占 D1 + k 占 D2 and outputs the result as a second corrected internal clock (where j and k are natural numbers that are close to each other and j> k), the delay amount D1 , The delay amount D2 and the delay amount (A) A=j×(D1+D2)A = j x (D1 + D2) 의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.Of the clock control circuit. 직렬로 접속된 복수의 제1 및 제2 지연 유닛으로 구성되고, 각각의 제1 지연 유닛은, 전진 펄스를 일정한 지연량만큼 지연시켜 후단의 지연 유닛으로 전달하는 전진 펄스 지연 회로와, 제1 후진 펄스를 상기 일정한 지연량만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛으로 전달하는 제1 후진 펄스 지연 회로와, 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛으로 입력되어 있지 않은 경우에 상기 전진 펄스가 입력되면 제1 상태로 설정되고, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛에 입력되어 있는 경우에 상기 제1 후진 펄스가 입력되면 제2 상태로 설정되는 상태 유지부로 구성되고, 각각의 제2 지연 유닛은, 제2 후진 펄스를 상기 일정한 지연량만큼 지연시켜 전단의 지연 유닛으로 전달하는 제2 후진 펄스 지연 회로로 구성되고, 상기 전진 펄스는 초기단의 제1 지연 유닛으로 입력되고, 상기 제1 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛으로 입력되었을 때에 상태 유지부가 제2 상태의 제1 지연 유닛 중 상기 초기단의 제1 지연 유닛에 가장 가까운 제1 지연 유닛에서 형성되고, 상기 제1 후진 펄스는 상기 초기단의 제1 지연 유닛으로부터 출력되고, 상기 제2 후진 펄스의 프론트 에지는 상기 제1 후진 펄스의 프론트 에지를 형성하는 제1 지연 유닛에 대응하는 제2 지연 유닛에서 형성되고, 상기 제2 후진 펄스는 초기단의 제2 지연 유닛으로부터 출력되고, 상기 제1 후진 펄스 지연 회로의 지연량과 상기 제2 후진 펄스 지연 회로의 지연량이 동일한 것을 특징으로 하는 지연 어레이와, 지연량 k×D1을 갖고, 외부 클록에 기초하여 상기 내부 클록을 발생하는 버퍼와, 상기 내부 클록의 펄스를 지연량(A)만큼 지연시켜 상기 전진 펄스로서 상기 초기단의 제1 지연 유닛에 공급하는 제1 지연 회로와, 상기 초기단의 제1 지연 유닛으로부터 출력되는 상기 제1 후진 펄스를 지연량 (j-k)×D1+j×D2만큼 지연시켜 제1 보정 내부 클록으로서 출력하는 제2 지연 회로와, 상기 초기단의 제2 지연 유닛으로부터 출력되는 상기 제2 후진 펄스를 지연량 k×D2만큼 지연시켜 제2 보정 내부 클록으로서 출력하는 제3 지연 회로를 구비하고(단, j, k는 서로 소인 자연수이며, 또 j>k이다), 상기 지연량 D1, 상기 지연량 D2 및 상기 지연량(A)는 A=j×(D1+D2) 의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.Each of the first delay units includes an advancing pulse delay circuit for delaying the advancing pulse by a predetermined delay amount and delivering the advancing pulse to the delay unit at the subsequent stage, A first backward pulse delay circuit for delaying a pulse by a predetermined delay amount and transferring the pulse to a delay unit of the preceding stage; and a second backward pulse delay circuit for delaying the pulse when the pulse of the internal clock is not input to the plurality of first delay units, 1 state and is set to a second state when the first backward pulse is input when a pulse of the internal clock is input to the plurality of first delay units, Unit is constituted by a second backward pulse delay circuit for delaying the second backward pulse by the predetermined delay amount and delivering the second backward pulse to the preceding delay unit, And the front edge of the first backward pulse is input to the first delay unit when a pulse of the internal clock is input to the plurality of first delay units, The first backward pulse being generated from a first delay unit of the initial stage and the front edge of the second backward pulse being generated at a front edge of the first backward pulse, And the second backward pulse is output from a second delay unit at an initial stage, and the delay amount of the first backward pulse delay circuit and the second backward pulse A buffer having a delay amount k x D1 and generating the internal clock based on an external clock; A first delay circuit for delaying a pulse of the lock by a delay amount A and supplying the delayed pulse as the forward pulse to the first delay unit of the initial stage; A second delay circuit for delaying the delay amount jk by D1 + j 占 D2 and outputting it as a first correction internal clock; and a second delay circuit for delaying the second backward pulse outputted from the second delay unit at the initial stage by a delay amount k D2 (Where j and k are natural numbers that are close to each other and j > k), and outputs the delay amount D1, the delay amount D2, and the delay amount D2 (A) has a relation of A = j x (D1 + D2). 제17항에 있어서, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛에 입력되고 부터 상기 전진 펄스가 상기 초기단의 제1 지연 유닛으로 공급될 때까지의 기간 내에, 상기 복수의 제1 지연 유닛의 상기 전진 펄스 지연 회로를 초기화하기 위한 제어 펄스를 발생하는 제어 펄스 발생 회로를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.The method as claimed in claim 17, wherein, in a period from when the pulse of the internal clock is input to the plurality of first delay units to when the forward pulse is supplied to the first delay unit of the initial stage, Further comprising a control pulse generating circuit for generating a control pulse for initializing the forward pulse delay circuit of the unit. 제17항에 있어서, 상기 제1 지연 유닛의 수와 상기 제2 지연 유닛의 수는 서로 다른 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.18. The clock control circuit of claim 17, wherein the number of the first delay units and the number of the second delay units are different. 제17항에 있어서, 상기 제2 지연 유닛의 수는 상기 제1 지연 유닛의 수 보다도 작은 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.18. The clock control circuit according to claim 17, wherein the number of the second delay units is smaller than the number of the first delay units. 제17항에 있어서, 상기 복수의 제1 지연 유닛 중 연속하는 j개의 제1 지연 유닛으로 1개의 제1 블록을 구성하고, 상기 복수의 제2 지연 유닛 중 연속하는 k개의 제2 지연 유닛으로 상기 제1 블록에 대응하는 1개의 제2 블록을 구성하고, 상기 제1 블록의 상기 j개의 제1 지연 유닛 중 k개의 동작을 제어하는 제어 펄스에 기초하여, 상기 제2 블록의 k개의 제2 지연 유닛의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.The method as claimed in claim 17, wherein one of the plurality of first delay units is constituted by one j first delay units and one of k second delay units among the plurality of second delay units A second block corresponding to the first block and a second delay corresponding to k second delay of the second block based on a control pulse for controlling k operations of the j first delay units of the first block, And controls the operation of the unit. 제22항에 있어서, 상기 제1 지연 유닛은, r(r은 자연수)개의 블록을 구성하고, 상기 제1 지연 유닛의 총 수는 n(=r×j)개이고, 상기 제2 지연 유닛도 r개의 블록을 구성하며, 상기 제2 유닛의 총 수는 m(=r×j)개인 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.The apparatus according to claim 22, wherein the first delay unit comprises r (r is a natural number) blocks, the total number of the first delay units is n (= r x j) , And the total number of said second units is m (= r x j). 제23항에 있어서, 상기 제2 후진 펄스 지연 회로는, 상기 제1 후진 펄스 지연 회로가 생성하는 지연량의 m/n(=k/j)의 지연량을 생성하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.The clock control circuit according to claim 23, wherein the second backward pulse delay circuit generates a delay amount of m / n (= k / j) of a delay amount generated by the first backward pulse delay circuit . 제23항에 있어서, 상기 j는 2, 상기 k는 1이며, 상기 제2 지연 유닛의 상기 제2 후진 펄스 지연 회로는 상기 제1 지연 유닛의 상기 제1 후진 펄스 지연 회로가 생성하는 지연량의 절반의 지연량을 생성하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.The apparatus as claimed in claim 23, wherein j is 2, k is 1, and the second backward pulse delay circuit of the second delay unit counts the amount of delay generated by the first backward pulse delay circuit of the first delay unit And generates a half of the delay amount. 제23항에 있어서, 상기 k는 1이며, 상기 제2 지연 유닛의 상기 제2 후진 펄스 지연 회로는 상기 제1 지연 유닛의 상기 제1 후진 펄스 지연 회로가 생성하는 지연량의 1/j의 지연량을 생성하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.The delay circuit according to claim 23, wherein k is 1 and the second backward pulse delay circuit of the second delay unit is delayed by 1 / j of a delay amount generated by the first backward pulse delay circuit of the first delay unit The clock control circuit generates a clock signal. 복수의 메모리와, 상기 복수의 메모리를 콘트롤하는 콘트롤러와, 상기 콘트롤러로부터 출력되는 외부 클록에 대하여, 상기 복수의 메모리의 입력 용량과 동일한 입력 용량을 갖는 더미 메모리와, 상기 콘트롤러로부터 상기 복수의 메모리까지의 상기 외부 클록의 지연 시간과 상기 콘트롤러로부터 상기 더미 메모리까지의 상기 외부 클록의 지연 시간이 같아지도록 배치되는 제1 배선과, 상기 외부 클록에 대하여 일정한 위상 관계를 갖는 내부 클록에 기초하여 상기 복수의 메모리 중의 하나로부터 상기 콘트롤러에 데이터를 도입하는 데이터 버스와, 상기 더미 메모리에 부쳐되는 상기 외부 클록을 리턴 클록으로서 다시 상기 콘트롤러에 되돌리는 제2 배선을 구비하고, 상기 복수의 메모리 중의 하나로부터 상기 콘트롤러까지의 상기 데이터의 지연 시간과 상기 더미 메모리로부터 상기 콘트롤러까지의 상기 리턴 클록의 지연 시간이 같아지고, 상기 콘트롤러는 상기 리턴 클록에 기초하여 상기 데이터를 취하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.A controller for controlling the plurality of memories; a dummy memory having an input capacity equal to an input capacity of the plurality of memories, with respect to an external clock outputted from the controller; The first wiring being arranged such that a delay time of the external clock of the external clock and a delay time of the external clock from the controller to the dummy memory are equal to each other; A data bus for introducing data from one of the memories to the controller and a second wiring for returning the external clock to the dummy memory as a return clock back to the controller, When the data is delayed And the dummy memory from becoming equal to the delay of the return of a clock to the controller, wherein the controller is a memory system, characterized in that takes the data on the basis of the return clock. 외부 클록에 대하여 D1(외부 클록과 내부 클록의 스큐의 폭(지연량))만큼 지연된 내부 클록이 입력되며, 상기 내부 클록이 입력되고 나서 지연 시간(A)이 경과한 후, 후진 펄스를 출력하는 제1 지연 회로와, 상기 전진 펄스를 2×Δ 만큼 지연시킨후, 후진 펄스를 출력하는 제2 지연 회로와, 상기 후진 펄스가 입력되며, 상기 후진 펄스가 입력되고나서 지연 시간[(i-1)×D1+j×D2)]가 경유한 후, 상기 외부 클록에 대하여 위상이 일치하고 있는 보정 내부 클록을 출력하는 제3 지연 회로[단, j는 자연수, Δ는 상기 전진 펄스가 발생한 후, 최초에 상기 내부 클록의 펄스가 발생하기까지의 시간, A는 j×(D1+D2), D1은 외부 클록과 내부 클록의 스큐의 폭, D2는 지연 모방 펄스(RCL1)가 발생한 시점으로부터 외부 클록(CK)의 세 번째 펄스가 발생하는 시점까지의 시간임]를 구비하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.An internal clock delayed by D1 (an external clock and a skew width (delay amount) of the internal clock) is input to the external clock, and after the delay time A has elapsed from the input of the internal clock, A second delay circuit for delaying the forward pulse by 2 占 후 and outputting a backward pulse; and a second delay circuit for receiving the backward pulse and outputting the delay time [(i-1) A delay circuit for outputting a corrected internal clock whose phase coincides with that of the external clock after passing through the first delay circuit after the forward pulse is generated, D is the skew width of the external clock and the internal clock, D2 is the time from when the delayed imitation pulse RCL1 is generated to the external clock (The time until the third pulse of the pulse CK is generated) The clock control circuit according to claim. 외부 클록에 대하여 m×D1 만큼 지연된 내부 클록이 입력되며, 상기 내부 클록이 입력되고나서 지연 시간(A)이 경과한 후, 전진 펄스를 출력하는 제1 지연 회로와, 상기 전진 펄스를 2×Δ 만큼 지연시킨 후, 후진 펄스를 출력하는 제2 지연 회로와, 상기 후진 펄스가 입력되며, 상기 후진 펄스가 입력되고나서 지연 시간(j-k)×D1+j×D2가 경과한 후, 상기 외부 클록에 대하여 위상이 일치하고 있는 보정 내부 클록을 출력하는 제3 지연 회로[단, j, k는 서로 소인 자연수, j≥k, Δ는 상기 전진 펄스가 발생한 후, 최초에 상기 내부 클록의 펄스가 발생하기까지의 시간, A는 j×(D1+D2), D1은 외부 클록과 내부 클록의 스큐의 폭, m은 제2 지연 유닛의 총수임]를 구비하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.A first delay circuit for receiving an internal clock delayed by m x D1 with respect to an external clock and outputting an advancing pulse after the delay time A has elapsed after the internal clock is input; (Jk) × D1 + j × D2 after the backward pulse is input, and then the external clock is input to the second delay circuit after the delay time Wherein j and k denote a natural number, j &gt; k, and DELTA k are the number of pulses of the internal clock when the forward pulse is generated after the generation of the forward pulse, A is j × (D1 + D2), D1 is the skew width of the external clock and the internal clock, and m is the total number of the second delay units. 외부 클록에 대하여 D1 만큼 지연된 내부 클록이 입력되며, 상기 내부 클록이 입력되고나서 지연 시간(A)이 경과한 후, 전진 펄스를 출력하는 제1 지연 회로와, 상기 전진 펄스를 Δ+(k/j)×Δ 만큼 지연시킨 후, 후진 펄스를 출력하는 제2 지연 회로와, 상기 후진 펄스가 입력되고, 상기 후진 펄스가 입력되고나서 지연 시간(k-1)×D1+k×D2가 경과한 후, 상기 외부 클록에 대하여 위상이 (k/j)×T 만큼 지연되어 있는 보정 내부 클록을 출력하는 제3 지연 회로[단, j, k는 서로 소인 자연수, j≥k, Δ는 상기 전진 펄스가 발생한 후, 최초에 상기 내부 클록의 펄스가 발생하기까지의 시간, A는 j×(D1+D2), T는 외부 클록의 주기, D1은 외부 클록과 내부 클록의 스큐의 폭, D2는 지연 모방 펄스(RCL1)가 발생한 시점으로부터 외부 클록(CK)의 세 번째 펄스가 발생하는 시점까지의 시간임]를 구비하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.A first delay circuit for inputting an internal clock delayed by D1 with respect to an external clock and outputting a forward pulse after the internal clock is input and after the delay time A has elapsed; (k-1) x D1 + k x D2 after the backward pulse is input and the backward pulse is input, and a second delay circuit for delaying the delay time A third delay circuit for outputting a corrected internal clock whose phase is delayed by (k / j) × T with respect to the external clock, wherein j and k are a natural number, D is the period of the external clock, D1 is the skew width of the external clock and the internal clock, D2 is the delay time of the internal clock, From the time when the imitation pulse RCL1 is generated to the time when the third pulse of the external clock CK is generated] And a clock control circuit. 외부 클록에 대하여 k×D1 만큼 지연된 내부 클록이 입력되며, 상기 내부 클록이 입력되고나서 지연 시간(A)이 경과한 후, 전진 펄스를 출력하는 제1 지연 회로와, 상기 전진 펄스를 Δ+(k/j)×Δ 만큼 지연시킨 후, 후진 펄스를 출력하는 제2 지연 회로와, 상기 후진 펄스가 입력되고, 상기 후진 펄스가 입력되고나서 지연 시간(k×D2)가 경과한 후, 상기 외부 클록에 대하여 위상이 (k/j)×T 만큼 지연되어 있는 보정 내부 클록을 출력하는 제3 지연 회로[단, j, k는 서로 소인 자연수, j≥k, Δ는 상기 전진 펄스가 발생한 후, 최초에 상기 내부 클록의 펄스가 발생하기까지의 시간, A는 j×(D1+D2), T는 외부 클록의 주기, D1은 외부 클록과 내부 클록의 스큐의 폭, D2는 지연 모방 펄스(RCL1)가 발생한 시점으로부터 외부 클록(CK)의 세 번째 펄스가 발생하는 시점까지의 시간임]를 구비하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.A first delay circuit for inputting an internal clock delayed by k x D1 with respect to the external clock and outputting an advancing pulse after the delay time A has elapsed after the internal clock is input; a second delay circuit for outputting a backward pulse after the backward pulse is input and after the delay time (k x D2) has elapsed from the input of the backward pulse, A third delay circuit for outputting a corrected internal clock whose phase is delayed by a phase (k / j) × T with respect to the clock (where j and k are a natural number, D is the width of the skew of the internal clock, D2 is the delay time of the delayed clock signal CLK1 (RCL1) ) From the time when the third pulse of the external clock CK is generated to the time when the third pulse of the external clock CK is generated] That the compared clock control circuit according to claim. 제18항에 있어서, 상기 내부 클록의 펄스가 상기 복수의 제1 지연 유닛에 입력되고 부터 상기 전진 펄스가 상기 초기단의 제1 지연 유닛으로 공급될 때까지의 기간 내에, 상기 복수의 제1 지연 유닛의 상기 전진 펄스 지연 회로를 초기화하기 위한 제어 펄스를 발생하는 제어 펄스 발생 회로를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.The method as claimed in claim 18, wherein, in a period from when the pulse of the internal clock is input to the plurality of first delay units to when the forward pulse is supplied to the first delay unit of the initial stage, Further comprising a control pulse generating circuit for generating a control pulse for initializing the forward pulse delay circuit of the unit. 제18항에 있어서, 상기 제1 지연 유닛의 수와 상기 제2 지연 유닛의 수는 서로 다른 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.19. The clock control circuit of claim 18, wherein the number of the first delay units and the number of the second delay units are different. 제18항에 있어서, 상기 제2 지연 유닛의 수는 상기 제1 지연 유닛의 수 보다도 작은 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.19. The clock control circuit according to claim 18, wherein the number of the second delay units is smaller than the number of the first delay units. 제18항에 있어서, 상기 복수의 제1 지연 유닛 중 연속하는 j개의 제1 지연 유닛으로 1개의 제1 블록을 구성하고, 상기 복수의 제2 지연 유닛 중 연속하는 k개의 제2 지연 유닛으로 상기 제1 블록에 대응하는 1개의 제2 블록을 구성하고, 상기 제1 블록의 상기 j개의 제1 지연 유닛 중 k개의 동작을 제어하는 제어 펄스에 기초하여, 상기 제2 블록의 k개의 제2 지연 유닛의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.19. The apparatus according to claim 18, wherein one j first delay unit of the plurality of first delay units constitutes one first block, and the k second delay units of the plurality of second delay units A second block corresponding to the first block and a second delay corresponding to k second delay of the second block based on a control pulse for controlling k operations of the j first delay units of the first block, And controls the operation of the unit. 제35항에 있어서, 상기 제1 지연 유닛은, r(r은 자연수)개의 블록을 구성하고, 상기 제1 지연 유닛의 총 수는 n(=r×j)개이고, 상기 제2 지연 유닛도 r개의 블록을 구성하며, 상기 제2 유닛의 총 수는 m(=r×j)개인 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.The apparatus of claim 35, wherein the first delay unit comprises r (r is a natural number) blocks, the total number of the first delay units is n (= r x j) , And the total number of said second units is m (= r x j). 제36항에 있어서, 상기 제2 후진 펄스 지연 회로는, 상기 제1 후진 펄스 지연 회로가 생성하는 지연량의 m/n(=k/j)의 지연량을 생성하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.37. The clock control circuit according to claim 36, wherein the second backward pulse delay circuit generates a delay amount of m / n (= k / j) of the delay amount generated by the first backward pulse delay circuit . 제36항에 있어서, 상기 j는 2, 상기 k는 1이며, 상기 제2 지연 유닛의 상기 제2 후진 펄스 지연 회로는 상기 제1 지연 유닛의 상기 제1 후진 펄스 지연 회로가 생성하는 지연량의 절반의 지연량을 생성하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.37. The semiconductor device according to claim 36, wherein j is 2, k is 1, and the second backward pulse delay circuit of the second delay unit is a delay amount of the delay amount generated by the first backward pulse delay circuit of the first delay unit And generates a half of the delay amount. 제36항에 있어서, 상기 k는 1이며, 상기 제2 지연 유닛의 상기 제2 후진 펄스 지연 회로는 상기 제1 지연 유닛의 상기 제1 후진 펄스 지연 회로가 생성하는 지연량의 1/j의 지연량을 생성하는 것을 특징으로 하는 클록 제어 회로.37. The method of claim 36, wherein k is 1 and the second backward pulse delay circuit of the second delay unit is delayed by 1 / j of a delay amount generated by the first backward pulse delay circuit of the first delay unit The clock control circuit generates a clock signal.
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