KR100284299B1 - 식각 향상 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 CF₄/C₄F₈/CO/Ar/N₂를 포함하는 혼합 식각 가스를 사용함으로써 산화막과 다른 물질의 식각 선택비를 증가시킬 수 있는 개선된 산화막 식각 방법이다. 본 발명에 있어서, 식각 공정 사이에 세정 단계를 추가함으로써 식각 공정 동안에 형성되어 증착된 대부분의 폴리머를 제거할 수 있고, 이로써 식각 정지 현상을 방지할 수 있다. 또한, 혼합 식각 가스에 N₂를 포함시킴으로써 식각된 콘택 오프닝의 측벽에 폴리머 형성을 방지할 수 있다. 따라서, 자기 정렬 실리사이드막을 형성하기 위해 오프닝 내에 연속적으로 금속을 증착했을 때 금속 원자와 반응하여 오프닝의 측벽에 고저항 물질을 형성하는 폴리머는 거의 없게 된다. 이로써, 소자의 신뢰도를 유지시킬 수 있다.

Description

식각 향상 방법(IMPROVED METHOD OF ETCHING)

본 발명은 반도체 제조 방법에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 식각 선택비(etching selectivity)를 증가시키고 식각 공정에서 조기 식각 정지(premature etching stop)를 피하기 위해 플라즈마 강화 산화막 식각(plasma enhanced oxide etching)시 CO 및 C₄F₈을 사용하는 식각 공정에 관한 것이다.

초기 플라즈마 강화 식각 방법은 식각 가스로서 CF₄및 CHF₃, 그리고 Ar을 사용하였다. 그러나, 상기 반도체 구조에서 다른 막들을 보호하기 위한 식각 가스에 의해 발생되는 폴리머(polymer) 양이 적기 때문에 결과적으로, C₄F₈및 CO를 식각 가스로 사용하는 고밀도 플라즈마(HDP) 산화막 식각 공정이 개발되었다.

고밀도 플라즈마 산화막 식각 공정에 있어서, 공정 압력은 약 50 mT 보다 적기 때문에 식각 가스 C₄F₈및 CO에 의한 부산물은 쉽게 펌프 아웃(pump out)된다. 또한, HDP 공정에 사용되는 플라즈마 이온 농도는 매우 높다. 따라서, 식각 공정 동안 많은 폴리머 양이 증착됨에도 불구하고, 식각 정지 현상이 발생되지 않는다. 상기 식각 정지 현상은 갑작스런 식각률의 느려짐을 말하는 것으로, 플라즈마 식각 작용을 방해하는 과량의 폴리머 증착에 의해 발생된다.

그러나, 산화막 식각의 플라즈마 강화 모드에 있어서, 공정 압력은 200 mT 보다 더 높고, 식각 가스 C₄F₈및 CO의 사용은 부적절하다.

HDP 산화막 식각 공정에 있어서, C₄F₈가스는 식각 가스로서 동시에, 폴리머를 형성하는 소오스 가스로서 작용한다. 이것은 CF₂가스가 다른 반도체 막을 보호하고, 식각 선택비를 증가시키는 폴리머를 형성하기 위해서 C₄F₈가스로부터 이온화 될 수 있기 때문이다. 더구나, F의 프리 래디클(free radicals)은 소오스 식각 용액(etchant)으로 사용되는 C₄F₈가스로부터 이온화되어질 수 있다. 한편, CO는 F의 프리 래디클을 트랩(trap)시키는 가스 상태의 작용제(agent)로서 작용한다. 따라서, 식각 공정에 있어서, CO의 첨가는 식각률을 낮추게 된다. 즉, 산화막 식각 및 그 표면상의 폴리머층 형성 사이에 경쟁(tug-of-war)이 있게 된다.

결과적으로, 식각률이 폴리머 증착률보다 더 높을 때, 산화막 식각은 계속된다. 다시 말해, 폴리머 증착률이 식각률보다 더 높을 때 산화막 식각은 단지 정지된다. 게다가, 폴리머층은 식각 표면이 거칠게 형성되도록 하여 써멀 웨이브 모니터(thermal wave monitor)를 사용하여 두께를 측정하기 매우 어렵다.

상기 식각 공정의 폴리머 부산물이 자기 정렬 실리사이드(self-aligned silicide) 형성을 위한 금속 증착 전에 완전히 제거되지 않는다면, 폴리머는 금속 원자와 반응하여 제품의 신뢰도에 영향을 주는 고저항층(high resistance layer)을 형성하게 된다.

도 1은 종래의 1 실시예에 따른 식각 공정 단계를 나타낸 블록도 이다.

먼저, 도 1의 단계 10에 있어서, 기판을 준비한다. 상기 기판은 예를 들어, 상기 기판 상에 형성된 산화막 및 실리콘 질화막 또는 폴리실리콘막을 갖는다. 기판은 식각 단계 12를 수행하기 위해 반응 챔버(reaction chamber) 내에 위치시킨다. 반응 챔버 내의 가스 압력은 약 300 mT 이고, 전기 파우어(electrical power)는 약 1300 W로 설정한다.

종래 공정에 있어서, CHF₃/CH₄/Ar을 포함하는 혼합 가스가 반응 챔버 내로 유입된다. CHF₃, CF₄, 그리고 Ar의 가스 유량은(flow rate)은 각각 30, 30, 그리고 400 SCCM(Standard Cubic Centimeter Per Minute) 이다.

아래의 표 1a 및 표 1b는 제 1 종래의 식각 공정을 사용한 테스트 결과를 보여준다. 이 실험의 목적은 산화 물질과 실리콘 질화막, 도핑된 폴리실리콘막, 그리고 포토레지스트막 등과 같은 다른 물질 사이의 식각 선택비를 비교하는 것이다. 상기 표들에 있어서, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)는 플라즈마 강화 화학기상증착 방법을 나타낸다. 그러므로, PECVD-산화막 및 PECVD-질화막은 각각 플라즈마 강화 화학기상증착 산화막 및 질화막을 나타낸다.

	식각률(Å/min)
PECVD 산화막	5882
PECVD 질화막	4298
도핑된 폴리실리콘막	627
포토레지스트막	1132

	식각 선택비
PECVD 산화막/PECVD 질화막	1.37
PECVD 산화막/도핑된 폴리실리콘막	9.38
PECVD 산화막/포토레지스트막	5.2

표 1a 및 표 1b에 나타낸 바와 같이, 종래의 식각 공정에 대한 결과는 비교적 불량한 식각 선택비를 보여준다. PECVD 산화막 및 PECVD 질화막의 식각 선택비는 1.37로 낮은 값을 갖는다.

더구나, 콘택 오프닝을 형성하기 위해 기판 상의 산화막을 식각한 후, 오프닝의 측벽 및 하부에 폴리머가 형성된다. 후속 공정에서 이들 폴리머가 자기 정렬 실리사이드 물질과 반응할 때, 반응 물질층은 오프닝의 측벽에 형성된다. 그러므로, 금속 증착 전에 폴리머를 제거하는 것이 중요하다. 그렇지 않으면, 금속 원자가 폴리머와 반응하여 소자의 신뢰도에 영향을 주는 고저항층을 형성하게 된다.

도 2는 제 2 종래의 식각 공정을 수행하는 단계를 나타낸 블록도 이다. 먼저, 도 2의 단계 20에 나타낸 바와 같이, 기판을 준비한다. 상기 기판 상에 열 산화 방법으로 약 4000Å 두께의 산화막을 형성한다. 또한, 상기 산화막 상에 약 7100Å의 두께를 갖는 BPTEOS층을 형성한다. 다음, 상기 기판을 반응 챔버 내로 이동시킨 후, 가스 압력을 약 200 mT 로 설정하고, 파우어를 약 1500 W로 설정한다. 메인 식각(main etching) 단계 22를 수행하기 위해서, 각각 20, 4, 200, 600, 그리고 20 SCCM의 유량을 갖는 CF₄/C₄F₈/CO/Ar/N₂의 혼합 가스를 상기 반응 챔버 내로 약 120초 동안 유입시킨다. 그 후, BPTEOS층의 제 1 두께의 모니터링(thickness monitoring)을 수행한다. 다음, 상기 동일한 압력 및 파우어, 그리고 동일한 유량의 동일한 혼합 가스 조건하에서, 과식각(over-etching) 단계 24를 약 60초 동안 수행한다. 열 산화 방법으로 형성된 산화막의 제 2 두께 모니터링을 수행한다. 그러나, 종래의 식각 공정에 있어서, 폴리머 증착률보다 더 높은 식각률을 확보하기가 어렵기 때문에 식각 공정 종료 전에 식각이 정지되기 쉽다.

아래의 표 2는 제 2 종래의 식각 공정을 사용한 테스트 결과를 보여준다.

표 2의 목적은 메인 식각 단계와 과식각 단계의 식각률 변화를 비교하기 위한 것이다. 이러한 제 2 종래 식각 공정에 있어서, BPTEOS층의 초기 120초 동안의 식각률은 약 3915Å/min 이지만, 상기 식각은 60초 동안 더 수행되며, 이때의 상기 산화막의 식각률은 928Å/min 이다.

	식각 전	제 1 모니터링 두께(BPTEOS)	제 2 모니터링 두께(열 산화막)
두께(Å)	11153	3322	2393
식각률(Å/min)		3915	928

상술한 바와 같이, 상기 식각 방법들을 개선하는 것이 요구된다.

본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 산화막과 다른 물질들의 식각 선택비를 향상시킬 수 있는 플라즈마 강화 산화막 식각 방법을 제공함에 그 목적이 있다.

본 발명의 다른 목적은 식각 공정의 종료 전에 식각 정지 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 강화 산화막 식각 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 콘택 오프닝의 측벽 상에 폴리머 형성을 방지할 수 있고, 따라서 후속 증착 금속 원자와 반응하여 고저항 층을 형성하는 폴리머가 없도록 할 수 있는 플라즈마 강화 산화막 식각 방법을 제공함에 있다.

도 1은 제 1 종래의 식각 공정을 수행하는 단계를 나타낸 블록도;

도 2는 제 2 종래의 식각 공정을 수행하는 단계를 나타낸 블록도;

도 3은 본 발명의 1 실시예에 따른 식각 공정을 수행하는 단계를 나타낸 블록도;

도 4는 본 발명의 2 실시예에 따른 식각 공정을 수행하는 단계를 나타낸 블록도.

(구성)

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의하면, 향상된 산화막 식각 방법은, 플라즈마 강화 산화막 식각의 선택비를 증가시키는 식각 방법을 제공한다. 상기 방법은 기판 상에 산화막이 형성된 기판을 준비하는 단계를 포함한다. 기판을 반응 챔버 내에 위치시킨 후 CF₄/C₄F₈/CO/Ar/N₂를 포함하는 혼합 가스를 반응 챔버 내로 유입시킨다. 이때, 반응 챔버 내의 가스 압력은 약 200 mT, 파우어율(power rating)은 약 1500 W로 설정한다. 많은 양의 폴리머가 발생되어 산화막 식각 선택비는 증가된다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의하면, 향상된 산화막 식각 방법은, 기판 상에 형성된 산화막을 갖는 기판을 준비하는 단계를 포함한다. 먼저, 산화막을 식각 하기 위해 메인 식각 공정을 수행한다. 반도체 기판 표면 상에 발생된 대부분의 폴리머를 제거하기 위한 제 1 세정 공정을 수행한다. 제 1 과식각 공정, 제 2 세정 공정, 그리고 제 2 과식각 공정을 순차적으로 수행한다.

이 방법의 바람직한 실시예에 있어서, 메인 식각 공정 단계는, 반응 챔버 내에 기판을 위치시키고, CHF₃/CF₄/Ar을 포함하는 혼합 식각 가스를 유입시킨다. 반응 챔버의 압력은 약 300 mT 이고, 파우어율은 약 1300 W 이다.

이 방법의 바람직한 실시예에 있어서, 제 1 및 제 2 세정 공정 단계는, 반응 챔버의 압력을 약 100 mT 로 설정하고, CF₄/Ar/N₂를 포함하는 혼합 가스를 유입시킨다.

이 방법의 바람직한 실시예에 있어서, 제 1 및 제 2 과식각 공정 단계는, 기판을 반응 챔버 내에 위치시키고, CF₄/C₄F₈/CO/Ar/N₂를 포함하는 혼합 식각 가스를 유입시킨다. 반응 챔버는 압력을 약 200 mT, 파우어율을 약 1500 W로 설정한다.

본 발명에 있어서, 산화막 내의 콘택 오프닝 형성을 위해서 다른 혼합 식각 가스와 함께 N₂가스를 사용하면 폴리머 등과 같은 식각 공정의 부산물을 제거할 수 있다. 그러므로, 상기 콘택 오프닝 내에 금속이 연속적으로 증착될 때, 금속 원자는 더 이상 오프닝의 측벽에 고저항 물질층을 형성하는 폴리머 부산물과 반응하지 않고 소자의 신뢰도를 유지시킨다.

(실시예)

상술한 일반적인 설명 및 후속 상세 설명은 예시임을 밝히고, 이하 청구된 본 발명을 상세히 설명하고자 한다.

본 발명의 제안된 실시예에 참조 번호를 상세히 표기한다. 도면에 의거하여 예들을 설명한다. 가능하면 동일한 참조 번호를 사용하고, 동일하거나 그와 유사한 부분에 대해 동일한 설명을 한다.

도 3은 본 발명의 1 실시예에 따른 식각 공정을 수행하는 단계를 나타낸 블록도 이다. 먼저, 도 3의 단계 30에 나타낸 바와 같이, 기판 예를 들어, 산화막 및 실리콘 질화막, 포토레지스트막 또는 폴리실리콘막이 형성된 기판을 준비한다. 기판 식각 공정(32)을 수행하기 위해 기판을 밤응 챔버 내에 위치시킨다. 이때, 반응 챔버의 가스 압력은 약 200 mT, 파우어율은 약 1500 W로 설정한다. 이 실시예에 있어서, CF₄/C₄F₈, CO, Ar 그리고 N₂의 혼합 가스를 반응 챔버 내에 유입시킨다. 가스 유량은 각각 20, 4, 200, 600, 그리고 20 SCCM 이다.

본 발명의 방법은 산화막의 식각 선택비를 증가시킨다.

본 발명의 이점을 설명하기 위해, 아래의 표 3a 및 표 3b에서 본 발명의 1 실시예에 따른 식각 공정을 사용한 테스트 결과를 나타내었다.

표에 있어서, PECVD는 플라즈마 강화 화학기상증착 방법을 나타낸다. 그러므로, PECVD 산화막 및 PECVD 질화막은 각각 플라즈마 강화 화학기상증착 산화막 및 플라즈마 강화 화학기상증착 질화막을 나타낸다.

	식각률(Å/min)
PECVD 산화막	4059
PECVD 질화막	929
도핑된 폴리실리콘막	306
포토레지스트막	614

	식각 선택비
PECVD 산화막/PECVD 질화막	4.37
PECVD 산화막/도핑된 폴리실리콘막	13.3
PECVD 산화막/포토레지스트막	6.6

표 3a 및 3b에 나타낸 결과를 표1a 및 1b에 나타낸 결과와 비교할 때, 본 발명의 식각 방법을 사용하는 것이 명백한 향상성을 갖는다.

PECVD 산화막과 PECVD 질화막간의 식각 선택비는 종래 1.37 에서 약 4.37로 증가되었다. PECVD 산화막과 도핑된 폴리실리콘막의 식각 선택비 및 PECVD 산화막과 포토레지스트막의 선택비는 종래의 식각 방법보다 여전히 더 높다.

도 4는 본 발명의 2 실시예에 따른 식각 공정 단계를 나타낸 블록도 이다.

먼저, 도 4의 단계 40에 나타낸 바와 같이, 네 개 층의 구조를 갖는 기판을 준비한다. 상기 네 개 층은 예를 들어, 바람직하게 약 11000Å 의 두께를 갖는 산화막 제 1 층과, 바람직하게 약 300Å의 두께를 갖는 실리콘 질화막 제 2 층과, 바람직하게 약 500Å의 두께를 갖는 자기 정렬 실리사이드 제 3 층과, 바람직하게 약 3000Å의 두께를 갖는 폴리실리콘 제 4 층을 포함한다. 상기 네 개 층은 단지 이 실시예에서 예시로서 사용되고, 따라서 기판은 이러한 예시에 국한되지 않는다.

예를 들어, 도 4의 단계 40에 나타낸 바와 같이, 기판을 준비한다. 기판 상에 열 산화 방법으로 형성된 약 4000Å 두께의 산화막과, 상기 산화막 상에 약 7100Å 두께의 BPTEOS가 형성되어 있다. 다음으로, 메인 식각 공정(42)이 60초간 반응 챔버에서 수행된다. 메인 식각 공정(42)에 있어서, 반응 챔버의 가스 가스 압력은 300 mT, 파우어율은 약 1300W 이다. 반응 챔버에 유입되는 CHF₃/CH₄/Ar의 혼합 가스의 유량은 각각 30, 30, 그리고 400 SCCM 이다.

도 4에 도시한 바와 같이, 세정 공정(44)이 약 20 초간 수행된 후 과식각 공정(46)이 약 60초간 수행된다. 상기 BPTEOS 층의 제 1 두께 모니터링을 수행한다. 다른 세정 공정(48)을 약 20 초간 수행한 후, 다른 과식각 공정(50)을 약 60 초간 수행한다. 그런후, 산화막의 제 2 두께 모니터링을 수행한다. 세정 공정 44 및 48에 있어서, 반응 챔버 내의 가스 압력을 100 mT로 설정하고, CF₄/Ar/N₂의 혼합 가스를 반응 챔버 내로 유입시킨다. 이때, CF₄및 Ar, N₂의 유량은 각각 20, 600, 그리고 20 SCCM 이다.

과식각 공정 46 및 50에 있어서, 기판을 반응 챔버 내에 위치시킨 후, CF₄/C₄F₈/CO/Ar/N₂를 포함하는 혼합 식각 가스를 유입시킨다. 이때, CF₄, C₄F₈, CO, Ar, 그리고 N₂의 유량은 각각 20, 4, 200, 600, 그리고 20 SCCM 이다. 또한, 과식각 공정 46 및 50에 있어서, 챔버 압력은 약 200 mT, 파우어율은 약 1500 W로 설정한다.

본 발명의 방법은 식각 작용을 조기에 정지시키는 폴리머 형성을 방지할 수 있다.

본 발명의 이점을 설명하기 위해서, 아래의 표 4는 본 발명의 2 실시예에 따른 식각 공정을 사용한 테스트 결과를 나타낸다. 표 4의 결과를 표 2의 결과와 비교할 때, 증착된 폴리머를 제거하기 위한 식각 공정 사이에 세정 공정을 첨가함으로써 명백히 향상되었음을 알 수 있다. 이것은 제 2 두께 모니터링 수치를 볼 때, 종래의 방법에 의해 얻어진 산화막 식각률은 928 Å/min인데 반해, 본 발명은 1904 Å/min 이다.

	식각 전	제 1 두께 모니터링(BPTEOS)	제 2 두께 모니터링(열 산화)
두께(Å)	11172	3281	1373
식각률(Å/min)		3945	1904

본 발명에 있어서, N₂가스를 산화막 내의 콘택 오프닝 형성을 위한 혼합 식각 가스와 함께 사용함으로써 식각 공정의 폴리머 부산물을 제거할 수 있다. 그러므로, 금속이 콘택 오프닝 내에 연속 증착될 때, 금속 원자가 오프닝의 측벽에 고저항 물질층을 형성하는 폴리머와 반응하지 않게 되고, 소자의 신뢰성 열화를 방지하게 된다.

본 발명은 CF₄/C₄F₈/CO/Ar/N₂를 포함하는 혼합 식각 가스를 사용함으로써 산화막과 다른 물질의 식각 선택비를 증가시킬 수 있다.

메인 식각 공정과 과식각 공정 사이에 세정 공정을 추가함으로써 증착된 폴리머를 제거할 수 있고, 따라서 식각률보다 폴리머 증착률이 더 높아 식각이 정지되는 것을 방지할 수 있다.

질소 가스를 세정 가스 요소로 추가함으로써 콘택 오프닝의 측벽에 형성된 폴리머를 완전히 제거하는데 도움을 줄 수 있다. 따라서, 연속 증착되는 금속과 측벽 폴리머가 반응하여 고저항 물질층을 형성하는 것을 방지할 수 있고, 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.

Claims (24)

1. 산화막이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및

   기판을 반응 챔버 내에 위치시킨 후, 상기 산화막을 식각 하기 위해 반응 챔버 내로 CF₄/C₄F₈/CO/Ar/N₂를 포함하는 혼합 식각 가스를 유입시키는 단계를 포함하여, 플라즈마 강화 식각 공정의 선택비를 향상시키는 산화막 식각 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 기판을 제공하는 단계는 기판 상에 실리콘 질화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화막 식각 방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 기판을 제공하는 단계는 기판 상에 폴리실리콘막을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화막 식각 방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 기판을 제공하는 단계는 기판 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화막 식각 방법.
5. 제 1 항에 있어서,

   산화막 식각 단계는 반응 챔버 내의 압력을 약 200 mT로 설정하는 산화막 식각 방법.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 산화막 식각 단계는 반응 챔버의 파우어율을 약 1500 W로 설정하는 산화막 식각 방법.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 산화막 식각 단계는 CF₄, C₄F₈, CO, Ar, 그리고 N₂의 유량이 각각 20, 4, 200, 600, 그리고 20 SCCM인 식각 가스를 유입시키는 산화막 식각 방법.
8. 제 1 항에 있어서,

   산화막 식각 단계는 산화막 내에 콘택 오프닝을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화막 식각 방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 산화막 식각 단계 후에, 상기 콘택 오프닝 내에 자기 정렬 실리사이드막을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화막 식각 방법.
10. 산화막이 형성된 기판을 준비하는 단계와;

    산화막을 식각 하기 위해 메인 식각 공정을 수행하는 단계와;

    CF₄/Ar/N₂를 포함하는 혼합 세정 가스를 사용하여 메인 식각 공정을 수행하는 동안 형성되는 대부분의 폴리머 부산물을 제거하기 위한 제 1 세정 공정을 수행하는 단계와;

    CF₄/C₄F₈/CO/Ar/N₂를 포함하는 혼합 식각 가스를 사용하여 산화막을 식각 하기 위한 제 1 과식각 공정을 수행하는 단계와;

    제 1 과식각 공정 동안 형성된 대부분의 폴리머 부산물을 제거하기 위한 제 2 세정 공정을 수행하는 단계; 및

    제 1 과식각 공정에서 사용된 혼합 식각 가스를 사용하여 산화막을 식각 하는 제 2 과식각 공정을 수행하는 단계를 포함하여, 플라즈마 강화 식각 공정 종료 전에 식각이 정지되는 것을 방지하는 산화막 식각 방법.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 메인 식각 공정 단계는 기판을 반응 챔버 내에 위치시킨 후 산화막 식각을 위한 혼합 식각 가스를 유입시키는 단계인 산화막 식각 방법.
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 혼합 식각 가스는 CHF₃, CF₄, 그리고 Ar을 포함하는 산화막 식각 방법.
13. 제 12 항에 있어서,

    식각 가스 CHF₃, CF₄, 그리고 Ar의 유량은 각각 30, 30, 그리고 400 SCCM인 산화막 식각 방법.
14. 제 11 항에 있어서,

    상기 메인 식각 공정 단계는 반응 챔버의 압력을 약 300 mT로 설정하는 산화막 식각 방법.
15. 제 11 항에 있어서,

    상기 메인 식각 공정 단계는 반응 챔버의 파우어율을 약 1300 W로 설정하는 산화막 식각 방법.
16. 제 10 항에 있어서,

    상기 제 1 및 제 2 세정 공정 단계는 반응 챔버 내에 기판을 위치시키는 단계와;

    메인 식각 공정 동안 형성되는 대부분의 폴리머를 제거하기 위해 반응 챔버 내로 혼합 세정 가스를 유입시키는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
17. 제 16 항에 있어서,

    제 1 세정 공정 및 제 2 세정 공정 단계는 반응 챔버의 압력을 약 200 mT로 설정하는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
18. 제 10 항에 있어서,

    제 1 세정 공정 및 제 2 세정 공정은 CF₄, Ar, 그리고 N₂의 혼합 세정 가스를 각각 20, 600, 그리고 20 SCCM을 유입시키는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
19. 제 10 항에 있어서,

    상기 제 1 및 제 2 과식각 공정 단계는 반응 챔버 내에 기판을 위치시킨 후, 반응 챔버 내로 혼합 식각 가스를 유입시키는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
20. 제 19 항에 있어서,

    제 1 및 제 2 과식각 공정 단계는 혼합 식각 가스 CF₄, C₄F₈, CO, Ar, 그리고 N₂를 유입시키되, 각각 20, 4, 200, 600, 그리고 20 SCCM을 유입시키는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
21. 제 19 항에 있어서,

    제 1 및 제 2 과식각 공정 단계는, 반응 챔버 내의 압력을 약 200 mT로 설정하는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
22. 제 19 항에 있어서,

    제 1 및 제 2 과식각 공정 단계는 반응 챔버의 파우어율을 약 1500 W로 설정하는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
23. 제 10 항에 있어서,

    상기 메인 식각 공정 단계, 제 1 과식각 공정 그리고 제 2 과식각 공정 단계는 각각 60초간 수행하는 산화막 식각 방법.
24. 제 10 항에 있어서,

    상기 제 1 및 제 2 세정 공정 단계는 각 공정을 약 20 초간 수행하는 산화막 식각 방법.