KR100284299B1 - 식각 향상 방법 - Google Patents
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
| 식각률(Å/min) | |
| PECVD 산화막 | 5882 |
| PECVD 질화막 | 4298 |
| 도핑된 폴리실리콘막 | 627 |
| 포토레지스트막 | 1132 |
| 식각 선택비 | |
| PECVD 산화막/PECVD 질화막 | 1.37 |
| PECVD 산화막/도핑된 폴리실리콘막 | 9.38 |
| PECVD 산화막/포토레지스트막 | 5.2 |
| 식각 전 | 제 1 모니터링 두께(BPTEOS) | 제 2 모니터링 두께(열 산화막) | |
| 두께(Å) | 11153 | 3322 | 2393 |
| 식각률(Å/min) | 3915 | 928 |
| 식각률(Å/min) | |
| PECVD 산화막 | 4059 |
| PECVD 질화막 | 929 |
| 도핑된 폴리실리콘막 | 306 |
| 포토레지스트막 | 614 |
| 식각 선택비 | |
| PECVD 산화막/PECVD 질화막 | 4.37 |
| PECVD 산화막/도핑된 폴리실리콘막 | 13.3 |
| PECVD 산화막/포토레지스트막 | 6.6 |
| 식각 전 | 제 1 두께 모니터링(BPTEOS) | 제 2 두께 모니터링(열 산화) | |
| 두께(Å) | 11172 | 3281 | 1373 |
| 식각률(Å/min) | 3945 | 1904 |
Claims (24)
- 산화막이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및기판을 반응 챔버 내에 위치시킨 후, 상기 산화막을 식각 하기 위해 반응 챔버 내로 CF4/C4F8/CO/Ar/N2를 포함하는 혼합 식각 가스를 유입시키는 단계를 포함하여, 플라즈마 강화 식각 공정의 선택비를 향상시키는 산화막 식각 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판을 제공하는 단계는 기판 상에 실리콘 질화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화막 식각 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판을 제공하는 단계는 기판 상에 폴리실리콘막을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화막 식각 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판을 제공하는 단계는 기판 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화막 식각 방법.
- 제 1 항에 있어서,산화막 식각 단계는 반응 챔버 내의 압력을 약 200 mT로 설정하는 산화막 식각 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 산화막 식각 단계는 반응 챔버의 파우어율을 약 1500 W로 설정하는 산화막 식각 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 산화막 식각 단계는 CF4, C4F8, CO, Ar, 그리고 N2의 유량이 각각 20, 4, 200, 600, 그리고 20 SCCM인 식각 가스를 유입시키는 산화막 식각 방법.
- 제 1 항에 있어서,산화막 식각 단계는 산화막 내에 콘택 오프닝을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화막 식각 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 산화막 식각 단계 후에, 상기 콘택 오프닝 내에 자기 정렬 실리사이드막을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화막 식각 방법.
- 산화막이 형성된 기판을 준비하는 단계와;산화막을 식각 하기 위해 메인 식각 공정을 수행하는 단계와;CF4/Ar/N2를 포함하는 혼합 세정 가스를 사용하여 메인 식각 공정을 수행하는 동안 형성되는 대부분의 폴리머 부산물을 제거하기 위한 제 1 세정 공정을 수행하는 단계와;CF4/C4F8/CO/Ar/N2를 포함하는 혼합 식각 가스를 사용하여 산화막을 식각 하기 위한 제 1 과식각 공정을 수행하는 단계와;제 1 과식각 공정 동안 형성된 대부분의 폴리머 부산물을 제거하기 위한 제 2 세정 공정을 수행하는 단계; 및제 1 과식각 공정에서 사용된 혼합 식각 가스를 사용하여 산화막을 식각 하는 제 2 과식각 공정을 수행하는 단계를 포함하여, 플라즈마 강화 식각 공정 종료 전에 식각이 정지되는 것을 방지하는 산화막 식각 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 메인 식각 공정 단계는 기판을 반응 챔버 내에 위치시킨 후 산화막 식각을 위한 혼합 식각 가스를 유입시키는 단계인 산화막 식각 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 혼합 식각 가스는 CHF3, CF4, 그리고 Ar을 포함하는 산화막 식각 방법.
- 제 12 항에 있어서,식각 가스 CHF3, CF4, 그리고 Ar의 유량은 각각 30, 30, 그리고 400 SCCM인 산화막 식각 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 메인 식각 공정 단계는 반응 챔버의 압력을 약 300 mT로 설정하는 산화막 식각 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 메인 식각 공정 단계는 반응 챔버의 파우어율을 약 1300 W로 설정하는 산화막 식각 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 세정 공정 단계는 반응 챔버 내에 기판을 위치시키는 단계와;메인 식각 공정 동안 형성되는 대부분의 폴리머를 제거하기 위해 반응 챔버 내로 혼합 세정 가스를 유입시키는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
- 제 16 항에 있어서,제 1 세정 공정 및 제 2 세정 공정 단계는 반응 챔버의 압력을 약 200 mT로 설정하는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
- 제 10 항에 있어서,제 1 세정 공정 및 제 2 세정 공정은 CF4, Ar, 그리고 N2의 혼합 세정 가스를 각각 20, 600, 그리고 20 SCCM을 유입시키는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 과식각 공정 단계는 반응 챔버 내에 기판을 위치시킨 후, 반응 챔버 내로 혼합 식각 가스를 유입시키는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
- 제 19 항에 있어서,제 1 및 제 2 과식각 공정 단계는 혼합 식각 가스 CF4, C4F8, CO, Ar, 그리고 N2를 유입시키되, 각각 20, 4, 200, 600, 그리고 20 SCCM을 유입시키는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
- 제 19 항에 있어서,제 1 및 제 2 과식각 공정 단계는, 반응 챔버 내의 압력을 약 200 mT로 설정하는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
- 제 19 항에 있어서,제 1 및 제 2 과식각 공정 단계는 반응 챔버의 파우어율을 약 1500 W로 설정하는 단계를 포함하는 산화막 식각 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 메인 식각 공정 단계, 제 1 과식각 공정 그리고 제 2 과식각 공정 단계는 각각 60초간 수행하는 산화막 식각 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 세정 공정 단계는 각 공정을 약 20 초간 수행하는 산화막 식각 방법.
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