KR100283479B1 - Polishing device for semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 연마 공정 중에 웨이퍼 표면을 국부적으로 연마함으로써 반도체 소자의 평탄도 및 균일도를 증진시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 연마 장치에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 웨이퍼 보다 적어도 작은 직경을 갖는 하드 패드의 연마포를 회전시키면서 웨이퍼 상을 왕복 운동시키는 방식으로 웨이퍼의 표면을 국부적으로 가공함으로써, 반도체 소자의 평탄도 및 균일도를 증진시킬 수 있는 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus for a semiconductor device, wherein the polishing device of the semiconductor device can be promoted by locally polishing the surface of the wafer during the polishing process, thereby improving the flatness and uniformity of the semiconductor device. By locally processing the surface of the wafer in such a manner as to reciprocate on the wafer while rotating the polishing cloth, the flatness and uniformity of the semiconductor element can be enhanced.
Description
본 발명은 반도체 소자를 연마하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자 제조 공정 중 CMP 공정에서 반도체 소자의 형성된 임의의 막(예를 들면, 절연막, 폴리 실리콘막, 질화막 등)을 평탄화시키는 데 적합한 반도체 소자의 연마장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for polishing a semiconductor device, and more particularly, to planarizing an arbitrary film (eg, an insulating film, a polysilicon film, a nitride film, etc.) formed of a semiconductor device in a CMP process during a semiconductor device manufacturing process. A polishing apparatus for a suitable semiconductor device.
잘 알려진 바와 같이, 반도체 제조 공정 중에는 웨이퍼를 글로벌하게 평탄화시키는 연마 공정이 있는 데, 특히 하부막을 평탄화하는 데는 CMP 공정이 사용되고 있다. 여기에서, 하부막은 반도체 제조 공정 중 전 공정에 형성된 패턴 내지는 형성된 패턴의 위층에 형성된 임의의 막을 의마한다. 이러한 하부막은 패턴 등에 의해 단차를 가질 수가 있는 데, 여기에서 발생하는 단차는 다음 공정 진행시에 공정 마진 확보를 어렵게 하는 문제를 야기시킨다.As is well known, there is a polishing process for globally planarizing a wafer in the semiconductor manufacturing process, and in particular, a CMP process is used for planarizing a lower film. Here, the lower film refers to any film formed on the upper layer of the pattern formed in the whole process or the formed pattern during the semiconductor manufacturing process. Such a lower layer may have a step due to a pattern or the like, which causes a problem of making it difficult to secure a process margin during the next process.
예를 들어, 단차가 발생된 하부막에 사진 식각 공정을 실행하면, 단차에 의해 노광 장치에서 발생된 빔이 정확하게 원하는 패턴을 감광시키지 못하게 된다. 즉, 빔의 초점이 정확하게 원하는 패턴에 주사되지 못하게 되어 다음 공정시 정확한 패턴이 어렵게 되는 문제를 야기시킨다. 따라서, 이를 극복하기 위해서는 전 공정에서 발생한 하부막의 단차를 CMP 공정을 통해 제거하게 된다.For example, when the photolithography process is performed on the lower layer where the step is generated, the beam generated in the exposure apparatus due to the step does not accurately expose the desired pattern. In other words, the focus of the beam is not accurately scanned in the desired pattern, causing a problem that the correct pattern is difficult in the next process. Therefore, to overcome this, the step of the lower layer generated in the previous process is removed through the CMP process.
한편, CMP 공정에서는 연마포와 슬러리를 이용하여 웨이퍼 표면 상에 형성된 하부막의 단차를 제거하는 데, 이러한 CMP 공정에 이용되는 전형적인 연마 시스템은, 제1도에 도시된 바와 같이, 슬러리 공급 장치(50), 회전 장치(10), 홀더(20) 및 연마포 조절기(40)를 포함한다. 여기에서, 회전 장치(10), 홀더(20) 및 연마포 조절기(40)는 연마 장치를 나타낸다.On the other hand, in the CMP process, a polishing cloth and a slurry are used to remove the step difference of the lower layer formed on the wafer surface. A typical polishing system used in the CMP process is a slurry supply device 50 as shown in FIG. ), A rotary device 10, a holder 20 and a polishing cloth controller 40. Here, the rotating device 10, the holder 20, and the polishing cloth controller 40 represent a polishing device.
제1도를 참조하면, 슬러리 공급 장치(50)는 저장통(51), 관(52), 펌프(53) 및 하우징(54)을 포함하며, 하우징(54)의 내부에는 다수의 홀(55a)을 갖는 여과기(55)가 구비되며, 이러한 구조의 슬러리 공급 장치(50)에서는 CMP 공정을 수행할 때 저장통(51)에 저장된 슬러리가 펌프(53)의 회전에 따른 흡입력에 의해 관(52)을 따라 화살표 A 방향으로 진행되어 하우징(54) 내 여과기(55)로 공급되고, 여과기(55)를 통해 여과된 슬러리는 화살표 B 방향으로 진행되어 연마 장치 측, 연마포(12)로 공급된다.Referring to FIG. 1, the slurry supply device 50 includes a reservoir 51, a pipe 52, a pump 53, and a housing 54, and a plurality of holes 55a in the housing 54. A filter 55 having a structure is provided, and in the slurry supply device 50 having such a structure, when the CMP process is performed, the slurry stored in the reservoir 51 is connected to the pipe 52 by the suction force according to the rotation of the pump 53. It progresses along the arrow A direction, and is supplied to the filter 55 in the housing 54, and the slurry filtered through the filter 55 advances to the arrow B direction, and is supplied to the grinding | polishing apparatus side and the polishing cloth 12.
다음에, 연마 장치는, 크게 구분해 볼 때, 회전 장치(10), 홀더(20) 및 연마포 조절기(40)로 구성되는 데, 회전 장치(10)는 회전축(13)에 고정 지지되는 회전판(11)과 연마포(12)로 구성되어 시계 방향으로 회전 운동하며, 연마포(12)는 웨이퍼의 평탄도를 향상시킬 목적으로 단단한 연마포(상부측)와 부드러운 연마포(하부측)로 구성된다.Next, the polishing apparatus is composed of a rotary apparatus 10, a holder 20 and an abrasive cloth adjuster 40, which are largely divided, and the rotary apparatus 10 is a rotating plate fixedly supported by the rotary shaft 13. And a polishing cloth 12, which rotate in a clockwise direction, and the polishing cloth 12 is made of a hard polishing cloth (upper side) and a soft polishing cloth (lower side) for the purpose of improving the flatness of the wafer. It is composed.
또한, 연마 장치를 이루는 홀더(20)는 리테인 링(21), 회전축(24)에 고정 지지되는 베이스922) 및 필름(23)으로 구성되어 가공(즉, 연마)하고자 하는 웨이퍼(30)를 흡착 및 유지하여 상하 및 회전(즉, 시계 방향 회전) 운동하는 것으로, 리테인 링(21)은 연마포(12)에 접촉하는 웨이퍼(30)가 이탈되지 않도록 기능하고, 필름(23)은 웨이퍼에 작용하는 스트레스를 완화시켜 주는 기능을 한다.In addition, the holder 20 constituting the polishing apparatus is composed of a retaining ring 21, a base 922 fixedly supported on the rotary shaft 24 and a film 23 to process (ie, polish) the wafer 30 to be processed. By moving up and down and rotating (ie, clockwise rotation) by adsorption and holding, the retaining ring 21 functions to prevent the wafer 30 contacting the polishing cloth 12 from being released, and the film 23 serves as a wafer. It acts to relieve the stress acting on.
이때, 연마포 조절기(40)는 연마포(12)의 표면을 거칠게 해 줌으로써, 슬러리 공급 장치(50)로부터 공급되는 슬러리의 유입을 원활하게 해 주는 기능을 수행한다.In this case, the polishing cloth regulator 40 performs a function of smoothing the inflow of the slurry supplied from the slurry supply device 50 by roughening the surface of the polishing cloth 12.
따라서, 상술한 바와 같은 구조를 갖는 연마 장치는, 제2도에 도시된 바와 같은, 평면 구조를 갖는 데, 웨이퍼(30)를 흡착한 홀더(20)가 연마포(12)의 표면상에 접촉되면 회전 장치(10)가 회전축(13)을 중심으로 일정한 방향(즉, 시계 방향)으로 회전하게 되고, 홀더(20)가 연마포(12)의 표면을 따라 회전(즉, 시계 방향 회전) 및 왕복 운동하게 됨으로써, 홀더(20)에 흡착된 웨이퍼(30)의 가공면이 평탄하게 연마된다. 즉, 웨이퍼(30)와 연마포(12)가 밀착되어 그들 사이에 마찰력이 발생하고, 이 발생된 마찰력 사이에 슬러리가 주입됨으로써 웨이퍼(30)의 가공면이 연마된다.Therefore, the polishing apparatus having the structure as described above has a planar structure, as shown in FIG. 2, in which the holder 20 which adsorbs the wafer 30 contacts on the surface of the polishing cloth 12. When the rotating device 10 is rotated in a predetermined direction (ie clockwise) about the rotation axis 13, the holder 20 is rotated along the surface of the polishing cloth 12 (that is, clockwise rotation) and By reciprocating, the processing surface of the wafer 30 adsorbed by the holder 20 is polished flat. That is, the wafer 30 and the polishing cloth 12 come into close contact with each other to generate frictional forces, and a slurry is injected between the generated frictional forces to polish the processing surface of the wafer 30.
그러나, 상술한 바와 같은 구조를 갖는 종래 연마 장치를 이용하여 웨이퍼를 연마하는 경우 웨이퍼의 가장자리 부분과 중심 부분의 폴리싱 속도가 달리 평탄도와 균일도가 현저하게 저하된다는 문제점이 있다.However, when polishing a wafer using a conventional polishing apparatus having the structure as described above, there is a problem that the flatness and uniformity are remarkably lowered, unlike the polishing rate of the edge portion and the center portion of the wafer.
또한, 최근 들어 웨이퍼가 점진적으로 대 구경화 및 다충 배선화 되어 가고 있고, 이러한 대 구경화 다층 배선화는 스트레스에 대한 내성의 약화를 초래하는 데, 이로 인해 연마 공정 중에 웨이퍼의 손상이 쉽게 야기되는 문제를 갖는다.In addition, in recent years, wafers have been gradually large-scaled and multi-wired, and such large-scaled multi-layered wiring causes a weakening of the resistance to stress, which can easily cause damage to the wafer during the polishing process. Have
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 연마 공정중에 웨이퍼 표면을 국부적으로 연마함으로써 반도체 소자의 평탄도 및 균일도를 증진시킬 수 있는 반도체 소자의 연마 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to provide a polishing device for a semiconductor device which can improve the flatness and uniformity of the semiconductor device by locally polishing the wafer surface during the polishing process. .
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 외부로부터 공급되는 슬러리와 연마포를 이용하여 웨이퍼의 가공면을 연마하는 장치에 있어서, 회전판 베이스와 필름으로 구성되어 상기 웨이퍼를 흡착 및 고정 지지하며, 외부로부터의 동력에 의해 일정 방향으로 회전 운동하는 회전판; 일측이 상기 회전판의 소정 부분에 고착되고, 그 내부가 슬러리를 공급할 수 있는 구조의 관으로 구성된 아암; 및 상기 아암의 자유단 측에 회전 운동 가능하게 고정 지지되고, 상기 웨이퍼보다 적어도 작은 직경을 갖는 연마포를 구비하며, 회전 운동과 동시에 상기 웨이퍼의 표면을 왕복 운동하면서 그 표면을 국부적으로 연마하는 연마부로 이루어진 반도체 소자의 연마 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, in the apparatus for polishing the processing surface of the wafer using a slurry and a polishing cloth supplied from the outside, consisting of a rotating plate base and a film to suck and support the wafer, from the outside Rotating plate to rotate in a predetermined direction by the power of the; An arm having one side fixed to a predetermined portion of the rotating plate and an inside thereof configured to supply a slurry; And a polishing cloth fixedly rotatably supported on the free end side of the arm, the polishing cloth having a diameter at least smaller than that of the wafer, for polishing the surface locally while reciprocating the surface of the wafer simultaneously with the rotational movement. Provided is a polishing apparatus for a semiconductor element composed of parts.
제1도는 종래 반도체 소자 연마 장치를 구비한 연마 시스템의 측단면 구성도.1 is a side cross-sectional view of a polishing system having a conventional semiconductor device polishing apparatus.
제2도는 제1도에 도시된 회전판 부분의 평면도.2 is a plan view of the part of the rotating plate shown in FIG.
제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 연마 장치의 측단면 구성도.3 is a side cross-sectional view of a semiconductor device polishing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
제4(a)도 및 제4(b)도는 제3도에 도시된 연마부의 확대 단면 및 평면도.4 (a) and 4 (b) are enlarged cross sectional and plan views of the polishing part shown in FIG.
제5도는 제3도에 도시된 회전판 부분의 평면도.5 is a plan view of the part of the rotating plate shown in FIG.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
110 : 회전판 111 : 회전판 베이스110: rotating plate 111: rotating plate base
112 : 필름 113 : 흡입관112 film 113 suction tube
120, 120a - 120d : 연마부 121 : 관통 홀120, 120a-120d: Polishing part 121: Through hole
122 : 연마포 베이스 123 : 연마포122: abrasive cloth base 123: abrasive cloth
124a - 124d : 연마포 조절 및 세척기 130, 130a, - 130d : 아암124a-124d: Polishing cloth adjusting and washer 130, 130a,-130d: Arm
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시에에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 연마 장치의 측단면 구성도이다.3 is a side cross-sectional view of a semiconductor device polishing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
제3도를 참조하면, 본 발명의 연마 장치는 흡입관(113)이 내장된 회전축에 고정 지지되어 일정 방향(예를 들면, 시계방향)으로 회전 운동하는 회전판(110)과 아암(130)을 통해 회전 가능하도록 고정 지지되어 일정 방향(예를 들면, 시계 방향)으로의 회전 및 상하 운동하는 연마부(120)로 구성된다. 여기에서, 아암(130)은 슬러리 공급관 역할을 동시에 수행한다.Referring to FIG. 3, the polishing apparatus of the present invention is supported by a rotating plate 110 and an arm 130 which are fixedly supported on a rotating shaft in which the suction pipe 113 is built and rotate in a predetermined direction (for example, clockwise). It is composed of a polishing unit 120 which is fixedly supported to be rotatable and rotates in a predetermined direction (for example, clockwise direction) and moves up and down. Here, the arm 130 simultaneously serves as a slurry supply pipe.
보다 상세하게, 회전판(110)은 회전판 베이스(111)와 필름(112)을 포함하고, 회전판 베이스(111) 및 필름(112)에는 서로 연결된 다수개의 관통 홀이 수직 방향으로 형성되어 수평 방향으로 형성된 관통 홀에 연결되어 있으며, 수평 방향의 관통홀의 대략 중심, 즉 회전축에 대면하는 부분은 회전축의 내부에 형성된 흡입관(113)에 연결된다. 여기에서, 흡입관(113)은 도시 생략된 공기 흡입 장치로부터 제공되는 흡입력을 제공하는 것으로, 이러한 흡입력을 이용하여 필름(112)의 상부에 웨이퍼(30)를 흡착(즉, 밀착 고정)시킨다.More specifically, the rotating plate 110 includes a rotating plate base 111 and the film 112, a plurality of through holes connected to each other in the rotating plate base 111 and the film 112 is formed in the vertical direction formed in the horizontal direction It is connected to the through hole, the center of the horizontal through-hole, that is, the part facing the rotating shaft is connected to the suction pipe 113 formed inside the rotating shaft. Here, the suction pipe 113 provides a suction force provided from an air suction device, not shown, and uses the suction force to suck (ie, closely fix) the wafer 30 on the upper portion of the film 112.
다음에, 연마부(120)는, 제4(a)도에 도시된 바와 같이, 아암(130)에 연결되는 관통 홀(121), 연마포 베이스(122) 및 연마포(123)로 구성되는 데, 관통 홀(121)은 도시 생략된 슬러리 공급 장치(즉, 제1도의 50)로부터 제공되는 슬러리를 웨이퍼(30)의 가공면에 공급하는 것으로, 아암(130)으로부터 신장되어 대략 중심에서 연마포 베이스(122)와 연마포(123)를 관통하는 구조를 갖는다.Next, as shown in FIG. 4 (a), the polishing unit 120 is composed of a through hole 121 connected to the arm 130, an abrasive cloth base 122, and an abrasive cloth 123. The through-holes 121 supply the slurry provided from the slurry supply device (i.e., 50 of FIG. 1) to the processing surface of the wafer 30, which is extended from the arm 130 and opened at approximately the center. It has a structure penetrating the abrasion base 122 and the polishing cloth 123.
여기에서, 연마부(120)는 적어도 웨이퍼(30)보다 작은 직경을 가지며, 연마포(123)로는 하드 패드를 사용할 수가 있다. 따라서, 본 발명의 연마 장치는 CMP 공정 중에 상기한 구조의 연마부(120)를 이용하여 웨이퍼(30)를 국부적으로 연마한다.Here, the polishing unit 120 has a diameter smaller than at least the wafer 30, and a hard pad may be used as the polishing cloth 123. Therefore, the polishing apparatus of the present invention locally polishes the wafer 30 using the polishing portion 120 having the above-described structure during the CMP process.
또한, 연마부(120)에 장착되는 연마포(123)는, 일예로서 제4(b)도에 도시된 바와 같이, 일체형이 아닌 분리형 연마포이다. 즉, 연마포 베이스(122)와 연마포(123)을 관통하여 형성된 관통 홀(121)을 통해 슬러리가 공급되는 데, 이때 공급되는 슬러리가 연마포(123)의 표면과 웨이퍼(30)의 표면상에 원활하게 유입될 수 있도록 연마포(123)가, 예를 들면 8개의 조작으로 분리되며, 이러한 연마포 분리를 통해 연마포 조각 사이에는 관통 홀(121)의 출구에 연결되는 슬러리 안내홀이 서로 연결되는 형태로 형성된다.In addition, the polishing cloth 123 attached to the polishing unit 120 is, as an example, a separate polishing cloth rather than an integrated body, as shown in FIG. 4 (b). That is, the slurry is supplied through the through hole 121 formed through the polishing cloth base 122 and the polishing cloth 123, and the slurry supplied is the surface of the polishing cloth 123 and the surface of the wafer 30. The polishing cloth 123 is separated by, for example, eight operations so that the slurry can be smoothly introduced onto the slurry, and the slurry guide hole connected to the outlet of the through hole 121 is separated between the pieces of the polishing cloth through such polishing cloth separation. It is formed in the form of being connected to each other.
따라서, 본 발명에 따른 연마 장치는 연마포(123)를 다수개의 조각으로 분리하여 연마 장치의 전방 전면에 걸쳐 슬러리 안내홀을 형성해 두기 때문에 CMP 공정 중에 관통 홀(121)을 통해 공급되는 슬러리가 연마포(123)의 표면과 웨이퍼(30)의 표면상에 원활하게 유입된다.Therefore, the polishing apparatus according to the present invention separates the polishing cloth 123 into a plurality of pieces to form a slurry guide hole over the front front of the polishing apparatus, so that the slurry supplied through the through hole 121 during the CMP process is soft. It smoothly flows on the surface of the abrasion 123 and the surface of the wafer 30.
한편, 제3도에서의 도시된 생략하였으나, 본 발명의 연마 장치에 채용되는 연마부(120)는, 일예로서 제5도에 도시된 바와 같이, 다수개를 설치할 수 있다. 즉, 연마부(120a, 120b, 120c, 120d)는 일측이 회전판(110)의 일측에 고정 지지되는 아암(130a, 130b, 130c, 130d)의 자유단 측에 장착되어 자유단 측의 왕복 운동에 따라 웨이퍼(30)의 표면상에서 일정 방향(B 방향)으로 회전하면서 왕복 운동(C 방향 운동)한다.Meanwhile, although not illustrated in FIG. 3, the polishing unit 120 employed in the polishing apparatus of the present invention may be provided in plural, as shown in FIG. 5 as an example. That is, the polishing parts 120a, 120b, 120c, and 120d are mounted on the free end side of the arms 130a, 130b, 130c, and 130d on which one side is fixedly supported on one side of the rotating plate 110, so that the reciprocating motion of the free end side may be performed. Accordingly, the reciprocating motion (C direction motion) is performed while rotating in a predetermined direction (B direction) on the surface of the wafer 30.
또한, 회전판(110)의 일측에는 각 연마부(120a, 120b, 120c, 120d)에 각각 대응하는 다수의 연마포 조절 및 세척기(124a, 124b, 124c, 124d)가 구비되는 데, 각 연마포 조절 및 세척기(124a, 124b, 124c, 124d)에서는 연마 공정을 마치고 안착된 연마부(120a, 120b, 120c, 120d) 내 각 연마포의 표면을 거칠게 고르거나 세척한다.In addition, one side of the rotating plate 110 is provided with a plurality of polishing cloth control and washing machines (124a, 124b, 124c, 124d) corresponding to each polishing unit (120a, 120b, 120c, 120d), respectively, each polishing cloth control In the washing machines 124a, 124b, 124c, and 124d, the surface of each polishing cloth in the polished parts 120a, 120b, 120c, and 120d, which is finished after the polishing process, is roughly selected or washed.
따라서, 상기한 바와 같이, 연마부를 멀티 구조로 채용하는 경우 하나의 연마부(예를 들면, 120a)가 연마 공정을 수행할 때 나머지 연마부들(120a, 120b, 120c, 120d)은 대응하는 각 연마포 조절 및 세척기(124a, 124b, 124c, 124d)에 안착되어 다음 웨이퍼에서의 연마 공정을 대기한다.Therefore, as described above, when one polishing unit (for example, 120a) performs a polishing process when the polishing unit is employed in a multi-structure, the remaining polishing units 120a, 120b, 120c, and 120d are corresponding to each edge. The abrasion control and washers 124a, 124b, 124c, and 124d are seated and await the polishing process on the next wafer.
즉, 각 연마부(120a, 120b, 120c, 120d)는 순환적으로 돌아가면서 웨이퍼 연마 작업을 수행하게 되며, 연마 공정을 마치고 대응하는 연마포 조절 및 세척기에 안착되는 연마부의 연마포는 표면을 거칠게 고르거나 세척된다.That is, each of the polishing parts 120a, 120b, 120c, and 120d rotates cyclically to perform wafer polishing, and the polishing cloth of the polishing part placed on the corresponding polishing cloth control and washing machine after finishing the polishing process has a rough surface. Picked or washed.
한편, 본 실시예에서는 4개의 연마부를 채용하는 것을 일예로서 제시하고 있으나, 본 발명이 반드시 이에 국한되는 것은 아니며, 필요 또는 구조에 따라 연마부를 2개, 3개로 하거나 혹은 4개 이상으로 구성할 수도 있다.On the other hand, in the present embodiment, but employing four polishing parts as an example, the present invention is not necessarily limited to this, and may be made of two, three or four or more polishing parts depending on the need or structure. have.
따라서, 상술한 바와 같은 구조를 갖는 본 발명에 따른 연마 장치는 웨이퍼(30)가 회전판(110) 상에 안착(또는 흡착)되면, 도시 생략된 제어기로부터의 제어에 따라 제공되는 동력에 의해 회전판(110)이 일정 방향으로 회전함과 동시에 연마부(120)가 일정 방향으로 회전 운동하면서 웨이퍼(30)의 표면을 왕복 운동함으로써 웨이퍼(30)의 표면을 국부적으로 가공(연마)하게 되며, 이때 관통 홀(121)을 통해 슬러리가 연마포(123)의 표면과 웨이퍼(30)의 표면으로 유입된다.Therefore, the polishing apparatus according to the present invention having the structure as described above, when the wafer 30 is seated (or adsorbed) on the rotating plate 110, the rotating plate (by the power provided under the control from the controller not shown) The surface of the wafer 30 is locally processed (polishing) by the reciprocating movement of the surface of the wafer 30 while the polishing unit 120 rotates in a predetermined direction while the 110 rotates in a predetermined direction. The slurry flows into the surface of the polishing cloth 123 and the surface of the wafer 30 through the holes 121.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 웨이퍼 보다 적어도 작은 직경을 갖는 하드 패드의 연마포를 회전시키면서 웨이퍼 상을 왕복 운동시키는 방식으로 웨이퍼의 표면을 국부적으로 가공하기 때문에 반도체 소자의 평탄도 및 균일도를 대폭 증진시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, the surface of the wafer is locally processed in a manner of reciprocating the wafer while rotating the polishing pad of the hard pad having a diameter smaller than that of the wafer, thereby greatly improving the flatness and uniformity of the semiconductor device. Can be promoted.
또한, 슬러리가 연마포의 내부측으로 직접 공급되는 구조를 채용하며, 연마포를 다수개의 조각으로 분리하여 슬러리가 연마포의 표면과 웨이퍼의 표면상에 원활하게 유입되도록 유도함으로써, 반도체 소자의 평탄도 및 균일도를 더욱 증진시킬 수 있다.In addition, it adopts a structure in which the slurry is directly supplied to the inner side of the polishing cloth, by separating the polishing cloth into a plurality of pieces to induce the slurry to smoothly flow on the surface of the polishing cloth and the surface of the wafer, thereby the flatness of the semiconductor element And uniformity can be further enhanced.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980000438A KR100283479B1 (en) | 1998-01-10 | 1998-01-10 | Polishing device for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980000438A KR100283479B1 (en) | 1998-01-10 | 1998-01-10 | Polishing device for semiconductor device |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990065228A KR19990065228A (en) | 1999-08-05 |
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ID=65728390
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| Country | Link |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333891A (en) * | 1993-05-24 | 1994-12-02 | Sony Corp | Substrate polishing apparatus and substrate holding table |
-
1998
- 1998-01-10 KR KR1019980000438A patent/KR100283479B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333891A (en) * | 1993-05-24 | 1994-12-02 | Sony Corp | Substrate polishing apparatus and substrate holding table |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990065228A (en) | 1999-08-05 |
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