KR100279783B1 - Driving method for display and driving circuit and display device using same - Google Patents

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미치타카 오사와
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Abstract

방전현상을 이용해서 발광 표시하고 또 주사 및 표시를 위한 각각의 펄스를 여러개의 전극에 순차 인가하는 PDP(플라즈마 표시패널)등의 용량성 부하로서 기능하는 표시디바이스를 구동하는 구동회로 및 구동방법과 그것을 사용한 표시장치에 관한 것으로서, 저소비전력으로 고전압펄스의 폭을 제어하고 또 발광효과를 향상시킴과 동시에 회로수의 증가를 억제하기 위해, 스위치를 거쳐서 용량성 부하로서 기능하는 여러개의 전극으로 전력을 공급하고 회수하는 표시장치의 구동방법으로서, 전극을 충전시키기 위해 전하공급원에서 하나의 경로를 통해서 전극으로 경로내의 공진을 사용하여 전류가 흐르고, 전극을 방전시키기 위해 전극에서 다른 경로를 통해서 전하공급원으로 다른 경로내의 공진을 사용해서 전류가 흐르도록 구성하였다.A driving circuit and a driving method for driving a display device functioning as a capacitive load such as a PDP (plasma display panel) in which light emission is displayed using a discharge phenomenon and each pulse for scanning and display is sequentially applied to a plurality of electrodes The present invention relates to a display device using the same, and more particularly to a display device using the same, which is capable of controlling the width of a high voltage pulse with a low power consumption and improving the light emission effect, A method of driving a display device for supplying and recovering a current, comprising the steps of: flowing current through a path in a charge supply source to an electrode through a resonance in a path to charge the electrode; The resonance in the other path is used to make the current flow.

이러한 구성상의 특징에 의해, 구동회로수를 증가시키지 않고 PDP의 표시기능의 펄스전압의 주기를 길게 해서 발광효율을 향상시키고, 또 펄스수를 증가시켜 고휘도의 표시를 얻을 수 있다According to such a configuration feature, the period of the pulse voltage of the display function of the PDP can be lengthened without increasing the number of driving circuits to improve the luminous efficiency and increase the number of pulses to obtain a display of high luminance

Description

표시를 위한 구동방법 및 구동회로와 그것을 사용한 표시장치Driving method for display and driving circuit and display device using same

본 발명은 방전현상을 이용해서 발광 표시하고 또 주사 및 표시를 위한 각각의 펄스를 여러개의 전극에 순차 인가하는 PDP(플라즈마 표시패널)등의 용량성 부하로서 기능하는 표시디바이스를 구동하는 구동회로 및 구동방법과 그것을 사용한 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a driving circuit for driving a display device functioning as a capacitive load such as a PDP (Plasma Display Panel) in which light emission is performed using a discharge phenomenon and each pulse for scanning and display is sequentially applied to a plurality of electrodes, And a display device using the same.

종래, CQ 출판 Co. Ltd. 발행 "How to use FETs", pp. 110-114(1983년)에 반도체소자를 사용해서 입력신호를 차단하거나 통과시키는 스위칭회로 및 방법에 대해서 기재되어 있는데, 이것은 MOS트랜지스터의 소오스에 작은 신호를 입력하고 그의 드레인에서는 출력신호를 인출하고, 소오스와 드레인의 pn접합이 어떠한 조건하에서도 순방향으로 바이어스 되지 않도록 소오스 또는 드레인에 대해서 기판전위를 설정하고, 신호의 전도 및 차단을 게이트전압에 의해 제어하는 방법이다.Conventionally, CQ Publishing Co. Ltd. Issued " How to use FETs ", pp. 110-114 (1983) discloses a switching circuit and a method for blocking or passing an input signal by using a semiconductor device, which inputs a small signal at the source of the MOS transistor, draws the output signal at its drain, A substrate potential is set for a source or a drain so that the pn junction between the source and the drain is not biased in the forward direction under any condition, and the conduction and blocking of the signal are controlled by the gate voltage.

그러나, 종래의 기술에는 고전압신호를 통과시키거나 차단시키는 것은 물론 드레인과 기판 사이의 표유다이오드를 확실하게 이용하는 것에 대해서 전혀 고려되어 있지 않다.However, the prior art does not consider at all whether to use the stray diode between the drain and the substrate, as well as to pass or interrupt the high-voltage signal.

또, 종래에는 용량성 부하를 갖는 표시소자의 여러개의 전극을 구동하는 방법, 단순한 푸시풀회로에 의해 그 회로를 구동하는 방법 및 전력회수회로를 사용하여 소비전력량을 저감하는 방법에 대해서 기재되어 있다.Conventionally, a method of driving several electrodes of a display element having a capacitive load, a method of driving the circuit by a simple push-pull circuit, and a method of reducing power consumption by using a power recovery circuit have been described .

전자(前者)의 푸시풀회로에서는 제39도에 도시한 바와 같이, 표시소자(604), (607), (610)의 전극(1112)와 고전압 전원(1115) 사이에 스위칭회로(1201)을 배치하고 전극(1112)와 접지레벨 사이에 스위칭회로(1202)를 배치하고, 이들 회로(1201) 및 (1202)를 온(ON) 오프(OFF) 제어하는 것에 의해 전극(1112)에 고전압펄스를 인가한다. 이러한 방법으로 회로를 구동하면, 전극의 충방전시에 소비전력이 증가한다.A switching circuit 1201 is provided between the electrode 1112 of the display elements 604, 607, and 610 and the high voltage power supply 1115 in the former push-pull circuit, as shown in FIG. 39 And a switching circuit 1202 is disposed between the electrode 1112 and the ground level and a high voltage pulse is applied to the electrode 1112 by turning on and off these circuits 1201 and 1202 . When a circuit is driven in this manner, power consumption increases when the electrode is charged and discharged.

또, PDP장치에는 소위 AC형 및 DC형 등의 2가지 형태가 있다.There are two types of PDP devices, namely, an AC type and a DC type.

AC형 PDP에 있어서, 그 패널내의 방전공간의 전극은 유전체층으로 덮여져 있고 방전 전하는 이 유전체층상을 왕복하므로, 교류형 즉 AC형이라고 한다. 이 AC형의 구동장치 및 구동방법에 있어서 표시를 위한 펄스는 이 유전체층상의 벽전하에 의한 메모리효과에 의해 연속적으로 발광한다.In an AC type PDP, an electrode in a discharge space in the panel is covered with a dielectric layer, and a discharge charge is reciprocated on the dielectric layer. In this AC type driving device and driving method, pulses for display are continuously emitted by the memory effect by the wall charges on the dielectric layer.

한편, DC형 PDP에 있어서 그 패널내의 전극은 방전공간내에 노출되어 있고, 방전에 의한 전하는 전극을 통해서 외부회로로 흘러들어간다. 따라서, 이러한 형태의 PDP는 직류형 즉 DC형이라고 하며, 표시펄스의 메모리기능은 방전공간내의 부유전하에 의해 실행된다.On the other hand, in the DC type PDP, the electrodes in the panel are exposed in the discharge space, and electric charges due to discharge flow into the external circuit through the electrodes. Therefore, this type of PDP is referred to as a direct current type, that is, a DC type, and the memory function of the display pulse is executed by the floating charge in the discharge space.

또, PDP의 구동방법으로서는 종래부터 어드레스/표시 분리방법과 어드레스/표시 다중방법의 2가지가 있다.As the driving method of the PDP, there are conventionally two methods of address / display separation method and address / display multiplexing method.

이러한 어드레스/표시 분리방법은 예를 들면 일본국 특허공개공보 평성 4-195188태호(1992)에 개시되어 있다.Such an address / display separation method is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 4-195188 (1990).

이것은 제46도에 의해 설명하면, 1프레임(FM)은 여러개의 서브프레임(SF1∼SF4)으로 분할되고, 각 서브프레임은 어드레스 사이클과 표시사이클로 분할된다. 이 어드레스 사이클에서는 제47도에 도시한 바와 같이 프라이밍기간과 라이트기간이 있고, 이 프라이밍기간에서는 모든 방전셀에서 방전(Pw)-소거를 실행한다. 라이트기간에서는 각각의 Y전극(Pf)을 주사해서 전극을 선택하고, 이 주사 펄스 및 이것과 일치하는 라이트펄스에 의해 일단 방전셀에 벽전하를 형성한다. 다음의 표시사이클의 표시펄스(Ps)에 의해서는 벽전하가 형성되는 방전셀만을 발광 표시시킨다.Referring to FIG. 46, one frame FM is divided into a plurality of subframes SF1 to SF4, and each subframe is divided into an address cycle and a display cycle. In this address cycle, as shown in FIG. 47, there are a priming period and a write period. In this priming period, discharge (Pw) -cells are performed in all the discharge cells. In the write period, each Y electrode Pf is scanned to select an electrode, and wall charges are once formed in the discharge cell by this scan pulse and a write pulse coinciding with the scan pulse. Only the discharge cells on which the wall charges are formed are caused to emit light by the display pulse Ps of the next display cycle.

이 방법은 어드레스 사이클과 표시사이클이 모든 방전셀에서 동시에 분리되고 있고, 어드레스 기간동안 일단 벽전하를 형성하고 나서 표시펄스를 인가할 때까지 긴 시간을 필요로 하므로, 벽전하를 메모리결과로서 이용하는 AC형 PDP에만 적용가능한 구동방법이다.This method requires a long time until an address cycle and a display cycle are simultaneously disconnected from all the discharge cells and once a wall charge is formed during an address period and then a display pulse is applied. Therefore, an AC Type PDP.

한편, 동일한 AC형 PDP의 구동방법에 있어서의 어드레스/표시 다중방법이 일본국 특허번호 제2,528,195호에 개시되어 있다On the other hand, an address / display multiplexing method in the same AC type PDP driving method is disclosed in Japanese Patent No. 2,528,195

이것을 제48도에 의해 설명하면, 1프레임은 여러개의 서브프레임으로 분할되고, 각 서브프레임의 발광 시간폭은 2진 시스템을 형성하고 있다. 이 각각의 서브프레임은 전극의 선상에서 시간이 어긋나 있어 선을 순차 구동한다. 또, 이 서브프레임내의 구동파형은 제49도에 도시한 바와 같이 라이트펄스(Pw)에 의해 일단 라이트를 실행하고, 표시 펄스(Ps)는 소거펄스(PE)를 인가했을 때에는 발광하지 않고, 소거펄스(PE)를 인가하지 않을 때에는 발광한다.Referring to FIG. 48, one frame is divided into a plurality of subframes, and the emission time width of each subframe forms a binary system. In each of the subframes, the time is shifted on the line of the electrodes, and the lines are sequentially driven. The drive waveform in this subframe is once written by the write pulse Pw and the display pulse Ps is not emitted when the erase pulse P E is applied, And emits light when the erase pulse P E is not applied.

또, DC형 PDP의 구동방법에서는 공간전하를 이용하여 메모리효과를 실현하기 때문에 어드레스싱 직후에 표시펄스를 인가할 필요가 있으므로, 그들은 모두 일종의 어드레스/표시 다중방법에 속한다. 예를 들면, 일본국 특허공고공보 평성 7-7246호에 이 구동방법이 개시되어 있는데, 이것은 음극K에 주사펄스를 인가하고, 그 직후에 양극A에 표시 펄스를 인가하는 것이다. 패널의 주사는 1필드 시간 내내 패널의 상부부터 하부까지 순차 실행된다.Further, in the driving method of the DC type PDP, since the memory effect is realized by using the space charge, it is necessary to apply the display pulse immediately after addressing. Therefore, they all belong to some sort of address / display multiplexing method. For example, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 7-7246 discloses this driving method. In this method, a scanning pulse is applied to the cathode K, and a display pulse is applied to the anode A immediately thereafter. The scan of the panel is sequentially performed from the top to the bottom of the panel over one field time.

전력회수회로를 사용하는 후자의 방법에 의해, 전극의 충방전시의 소비전력을 충분히 저감할 수 있게 된다. 예를 들면, 일본국 특허공개공보 소화 63-101897(1988)에는 이 방법이 개시되어 있으며, 이것은 전극의 충방전시에 전극에 축적되고 전극에서 방출되는 전하를 용량성 부하인 전극과 인덕터의 공진을 이용하여 회수할 수 있다. 이 예에 따르면, 종래의 회로에 필요로 된 1/10배 이하의 전력으로 회로를 구동할 수 있다.By the latter method using the power recovery circuit, the power consumption at the time of charge / discharge of the electrode can be sufficiently reduced. For example, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 63-101897 (1988) discloses this method. In this method, the charge accumulated in the electrode during charging and discharging of the electrode, It can be recovered by using. According to this example, the circuit can be driven with a power of 1/10 times or less as required for a conventional circuit.

한편, 용량성 부하인 전극을 구동하는 경우, 전력회수회로는 인덕터를 구비하고 있기 때문에 각 전극에 대해 전력회수회로를 배치하는 것은 집적화의 면에서 곤란하며, 또 부품수의 면에서도 부적합하다. 따라서, 모든 전극에 대해 공통으로 전력회수회로를 배치하는 것이 바람직하다. 이 때, 각 표시소자마다 고전압 펄스를 다르게 하는 구동방법에서는 전력회수회로와 각각의 전극 사이에 스위칭회로를 배치할 필요가 있다. 이 스위칭회로에 대해서는 일본국 특허공개공보 평성 2-92111(1990)에 기재되어 있다. 이 예에서는 전극의 충방전시에 축적 및 방출되는 전력을 스위치를 통해서 회수하는 것에 대해서도 기재되어 있다.On the other hand, in the case of driving the electrode as the capacitive load, since the power recovery circuit includes the inductor, disposing the power recovery circuit for each electrode is difficult in terms of integration and also in terms of the number of parts. Therefore, it is preferable to dispose the power recovery circuit in common for all the electrodes. At this time, in the driving method in which the high voltage pulses are made different for each display element, it is necessary to arrange a switching circuit between the power recovery circuit and each of the electrodes. This switching circuit is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-92111 (1990). In this example, it is also described that the electric power accumulated and discharged at the time of charge / discharge of the electrode is recovered through the switch.

본 발명의 하나의 목적은 저소비전력이고 또한 고전압펄스의 폭을 간단한 회로구성으로 제어할 수 있는 표시소자 구동방법 및 그것을 실현하는 회로를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a display element driving method capable of controlling a width of a high voltage pulse with a simple circuit configuration at a low power consumption and a circuit for realizing the method.

종래기술에 의한 푸시풀회로를 사용해서 전극을 구동하는 방법에서는 충방전용 전력이 커져 모든 디바이스의 소비전력이 증가한다는 문제가 있었다. 예를 들면, 종래에는 통상 이러한 형태의 구동회로에 고내압 드라이버 IC가 사용되어 주파수 구동펄스가 증가함에 따라서 고내압 드라이버IC의 소비전력이 증가하였다. 이것에 의해, 고내압 드라이버IC가 그 안에 생성되는 열에 의해 손상되어 디바이스의 신뢰성이 현저하게 저하된다.There has been a problem that power consumption for dedicated devices is increased in the method of driving the electrodes using the push-pull circuit according to the related art, thereby increasing the power consumption of all devices. For example, conventionally, the power consumption of the high-voltage driver IC is increased as the frequency drive pulse is increased by using a high-voltage driver IC in this type of drive circuit. As a result, the high-voltage driver IC is damaged by the heat generated therein, and the reliability of the device is remarkably deteriorated.

또, 전극의 충방전시에 축적 및 방출되는 전력을 종래기술에 의한 스위칭회로를 사용해서 회수하는 방법으로서는 펄스의 상승 및 하강은 전혀 제어하지 않고 인가된 고전압펄스의 유무만을 제어하여 펄스폭을 제어하는 방법이 있다. 표시장치를 구동하는 모드에 따르면, 고전압펄스의 유무를 제어하는 것이 아니라 고전압펄스의 펄스폭을 제어해야 하다. 예를 들면, AC형 플라즈마 디스플레이의 어드레스전극의 경우에는 표시될 신호에 따라 고전압펄스의 펄스폭을 제어해야 한다. 또, 이러한 구동시에는 펄스의 상승 및 하강을 제어해야 한다. 그러나, 종래에는 이것에 대해 전혀 고려되어 있지 않다.As a method of recovering the electric power accumulated and discharged at the time of charge / discharge of the electrode using a switching circuit according to the prior art, there is a method of controlling only the presence or absence of the applied high voltage pulse and controlling the pulse width There is a way. According to the mode for driving the display device, it is necessary to control the pulse width of the high voltage pulse instead of controlling the presence or absence of the high voltage pulse. For example, in the case of an address electrode of an AC type plasma display, the pulse width of the high voltage pulse must be controlled according to the signal to be displayed. In addition, it is necessary to control the rise and fall of the pulse during such driving. However, this is not considered at all in the past.

따라서, 본 발명의 제1의 목적은 펄스폭이 임의로 선택되더라도 저소비전력의 구동방법 및 그것을 실현하는 회로를 제공하는 것이다.Therefore, a first object of the present invention is to provide a driving method of low power consumption and a circuit for realizing the driving method even if the pulse width is arbitrarily selected.

또한, 상기한 종래기술에서는 표시펄스의 주기가 짧기 때문에 방전셀내의 공간전하가 많아지고, 그 때문에 발광효율이 낮다는 문제점이 있다. 또, 표시 펄스를 많이 인가할 수 없다는 문제점도 있다. 또, 인가할 펄스를 전극과 공통으로 인가할 수 없기 때문에 회로수가 많아진다는 문제점도 있다.Further, in the above-described conventional technique, since the period of the display pulse is short, the space charge in the discharge cell is increased, resulting in a problem that the luminous efficiency is low. There is also a problem that a large number of display pulses can not be applied. In addition, since pulses to be applied can not be commonly applied to electrodes, there is a problem that the number of circuits increases.

또한, 이하 상기 종래기술의 구동방법 특히 AC형 및 DC형 PDP의 구동방법의 문제점에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the problems of the driving method of the above-mentioned prior art, particularly the driving method of AC type and DC type PDP will be described in detail.

제46도에 도시한 AC형 PDP의 어드레스/표시 분리방법에서는 어드레스 사이클의 시간동안 1필드의 기간중의 70%이상이 필요로 되므로, 표시사이클의 시간이 5msec이하로 된다. 발광의 휘도를 높이기 위해서는 이 기간내에 이 표시 사이클 사이에 500개 정도의 많은 표시펄스를 삽입하지 않으면 안된다. 그 때문에 표시펄스의 주기가 10μsec정도로 짧아진다. 표시펄스의 주기가 짧으면 단위시간에서의 방전회수가 많아진다. 그 때문에 방전셀내의 공간전하가 많아져 방전 전자의 속도가 느려진다. 그 때문에, 패널내의 가스인 Xe원자의 여기확률이 작아져 발광효율이 저하한다.In the address / display separation method of the AC type PDP shown in FIG. 46, 70% or more of the period of one field is required for the time of the address cycle, so that the time of the display cycle becomes 5 msec or less. In order to increase the luminance of the light emission, about 500 display pulses must be inserted between the display cycles within this period. Therefore, the period of the display pulse is shortened to about 10 mu sec. If the period of the display pulse is short, the number of discharges in a unit time increases. As a result, the space charges in the discharge cells increase and the discharge electrons slow down. As a result, the excitation probability of the Xe atoms, which are gases in the panel, becomes small and the luminous efficiency decreases.

이에 반해, 표시사이클의 시간폭을 길게하면, 발광효율은 향상되지만 표시펄스의 수가 적어져 발광휘도가 저하한다. 표시펄스의 주기를 길게 하고 또 표시펄스의 수를 증가시키기 위해서는 표시사이클의 시간폭을 늘리면 되지만, 그렇게 하면 어드레스 사이클의 시간폭이 짧아져 벽전하 형성을 위한 라이트동작동안 오방전을 발생시키게 된다. 따라서, AC형 PDP의 어드레스/표시 분리방법에 있어서는 더욱 발광효율을 향상시키고 고휘도화를 도모하는데 한계가 있다.On the other hand, if the time width of the display cycle is lengthened, the luminous efficiency is improved but the number of display pulses is reduced and the luminescence brightness is lowered. In order to lengthen the period of the display pulse and to increase the number of display pulses, the time width of the display cycle may be increased. However, the time width of the address cycle is shortened to cause erroneous discharge during the write operation for wall charge formation. Therefore, in the address / display separation method of the AC type PDP, there is a limit in further improving the luminous efficiency and increasing the brightness.

한편, 제48도 및 제49도에 도시한 AC형 PDP의 어드레스/표시 다중방법에서는 1프레임의 주기를 거의 표시시간으로 이용할 수 있다. 따라서, 표시펄스의 주기를 길게 하고 또 인가하는 펄스수도 늘릴 수 있지만, 표시는 매트릭스 패널이기 때문에 라이트펄스Pw와 소거펄스PE를 X전극과 Y전극에 각각 독립적으로 인가해야 한다. 또, 이들 펄스Pw, PE는 제48도에 도시한 바와 같이 순차 전극을 구동하고 있기 때문에 이들 각 전극 1개마다 구동회로가 필요하게 되어 회로수가 증대한다.On the other hand, in the address / display multiplexing method of the AC type PDP shown in FIG. 48 and FIG. 49, one frame period can be used almost as a display time. Therefore, the period of the display pulse can be lengthened and the number of pulses applied can be increased. However, since the display is a matrix panel, the write pulse Pw and the erase pulse P E must be independently applied to the X electrode and the Y electrode. Since these pulses Pw and P E drive sequential electrodes as shown in FIG. 48, a driver circuit is required for each of these electrodes, thereby increasing the number of circuits.

또, 제50도 및 제51도에 도시한 DC형 PDP의 구동방법은 DC형 방전방식이므로, 발광효율을 높이기 위해서는 양극에 인가하는 표시펄스의 펄스폭을 약 0.2μsec정도의 매우 좁은 것으로 하지 않으면 안되고, 이러한 표시펄스의 발생회로를 전력회수회로로 구성한 경우에는 회수율이나 그 효율이 저하한다는 문제가 있다.The DC type PDP driving method shown in FIG. 50 and FIG. 51 is a DC type discharge method. Therefore, in order to increase the luminous efficiency, if the pulse width of the display pulse applied to the anode is not very narrow, about 0.2 .mu.sec If such a display pulse generating circuit is constituted by a power recovery circuit, there is a problem that the recovery rate and its efficiency are lowered.

또, 이러한 좁은 펄스로 방전시키기 위해서는 펄스의 전압값이 300V로서 고전압으로 되어 이러한 고전압에 대응하기 위해 사용하는 회로소자의 내압을 높게 하지 않으면 안된다는 문제도 있다.In order to discharge with such a narrow pulse, the voltage value of the pulse is 300V, which is a high voltage, so that there is a problem that the breakdown voltage of the circuit element used must be increased to cope with such a high voltage.

또, 구동방법 자체의 문제로서, 양극에 인가할 표시펄스가 각 서브필드에서 중단되어 있어 각 전극마다 서로 시간이 어긋나게 된다. 따라서, 각 전극마다 구동회로를 필요로 해서 그의 회로수가 증가한다.In addition, as a problem of the driving method itself, display pulses to be applied to the anode are interrupted in the respective subfields, and the time deviates from each other for each electrode. Therefore, a driver circuit is required for each electrode, thereby increasing the number of circuits.

본 발명의 다른 목적은 이러한 문제를 해소하기 위해 이루어지는 것으로서, 표시펄스의 주기를 길게 해서 발광효과를 향상시키고 또 인가할 펄스수를 증가시켜 고휘도를 얻을 수 있음과 동시에 회로수의 증가를 억제할 수 있도록 한 PDP의 구동방법, 구동회로 및 구동장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to solve such a problem, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of improving the light emission effect by lengthening the period of the display pulse and increasing the number of pulses to be applied to obtain high brightness, A method of driving a PDP, a driving circuit, and a driving apparatus.

제1도는 본 발명의 1실시예를 도시한 회로도.FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. FIG.

제2도는 제1도의 동작타이밍을 도시한 타이밍도.FIG. 2 is a timing diagram showing the operation timing of FIG. 1;

제3도는 제1도에 도시한 회로의 충전시의 등가회로도.FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the circuit shown in FIG. 1 during charging; FIG.

제4도는 본 발명의 제1도에 도시한 회로의 동작타이밍을 도시한 타이밍도.FIG. 4 is a timing chart showing the operation timing of the circuit shown in FIG. 1 of the present invention; FIG.

제5도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 회로도.FIG. 5 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. FIG.

제6도는 제5도에 도시한 회로구성의 동작타이밍을 도시한 타이밍도.FIG. 6 is a timing chart showing the operation timing of the circuit configuration shown in FIG. 5;

제7도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도.FIG. 7 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention. FIG.

제8도는 제7도에 도시한 회로구성의 동작타이밍을 도시한 타이밍도.FIG. 8 is a timing chart showing the operation timing of the circuit configuration shown in FIG. 7; FIG.

제9도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도.FIG. 9 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. FIG.

제10도는 제9도에 도시한 회로에 사용가능한 부전압회로의 회로도.FIG. 10 is a circuit diagram of a negative voltage circuit usable in the circuit shown in FIG. 9; FIG.

제11도는 본 발명의 또 다른 실시예의 회로도.11 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention.

제12도는 제11도에 도시한 회로구성의 동작타이밍을 도시한 타이밍도.12 is a timing chart showing the operation timing of the circuit configuration shown in Fig. 11; Fig.

제13도, 제14도 및 제15도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도.13, 14 and 15 are circuit diagrams showing still another embodiment of the present invention.

제16도는 집적회로의 단면도.16 is a cross-sectional view of an integrated circuit;

제17도는 집적회로의 또 다른 실시예의 단면도.17 is a cross-sectional view of another embodiment of an integrated circuit;

제18도는 본 발명을 매트릭스 표시장치에 적용하는 회로구성을 도시한 개략도.FIG. 18 is a schematic view showing a circuit configuration in which the present invention is applied to a matrix display device. FIG.

제19도는 제18도에 도시한 회로의 각 전극에 인가된 전압파형의 일예를 도시한 도면.Fig. 19 shows an example of a voltage waveform applied to each electrode of the circuit shown in Fig. 18; Fig.

제20도는 본 발명에 의한 부펄스용 스위치의 일예를 도시한 회로도.20 is a circuit diagram showing an example of a sub-pulse switch according to the present invention;

제21도는 제20도에 도시한 회로의 동작타이밍을 도시한 타이밍도.21 is a timing chart showing operation timing of the circuit shown in Fig. 20; Fig.

제22도는 다른 동작타이밍을 도시한 타이밍도.22 is a timing chart showing another operation timing;

제23도∼제28도는 본 발명의 여러가지 실시예를 도시한 회로도.23 to 28 are circuit diagrams showing various embodiments of the present invention.

제29도는 저전압펄스의 부펄스용 스위치의 구성을 도시한 회로도.29 is a circuit diagram showing a configuration of a sub pulse switch of a low voltage pulse;

제30도는 제29도에 도시한 회로의 동작을 나타내는 진위표.FIG. 30 is a truth table showing the operation of the circuit shown in FIG. 29; FIG.

제31도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도.FIG. 31 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention. FIG.

제32도는 제31도에 도시한 회로의 동작을 나타내는 진위표.Figure 32 is a truth table showing the operation of the circuit shown in Figure 31;

제33도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도.FIG. 33 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention. FIG.

제34도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도.FIG. 34 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention. FIG.

제35도는 제34도에 도시한 회로의 동작타이밍을 도시한 타이밍도.FIG. 35 is a timing chart showing the operation timing of the circuit shown in FIG. 34; FIG.

제36도는 제20도에 도시한 회로를 사용하는 회로구성을 도시한 블럭도.FIG. 36 is a block diagram showing a circuit configuration using the circuit shown in FIG. 20; FIG.

제37도는 본 발명을 매트릭스 패널에 적용한 경우의 회로구성을 도시한 블럭도.FIG. 37 is a block diagram showing a circuit configuration when the present invention is applied to a matrix panel; FIG.

제38도는 본 발명에 의한 1방향 스위치를 사용한 회로의 일예를 나타내는 회로구성을 도시한 도면.FIG. 38 is a circuit diagram showing an example of a circuit using a one-way switch according to the present invention; FIG.

제39도는 종래의 회로구성을 도시한 도면.FIG. 39 is a diagram showing a conventional circuit configuration; FIG.

제40도는 본 발명의 바이폴라 트랜지스터가 사용된 회로의 일예를 나타내는 회로구성을 도시한 도면.FIG. 40 is a circuit diagram showing an example of a circuit in which a bipolar transistor of the present invention is used; FIG.

제41도는 본 발명의 각 전극에 전압유지회로가 배치된 회로의 일예를 나타내는 회로구성을 도시한 도면.41 is a circuit diagram showing an example of a circuit in which a voltage holding circuit is disposed on each electrode of the present invention;

제42도는 본 발명의 인덕턴스값을 제어하는 회로의 일예를 나타내는 회로구성을 도시한 도면.FIG. 42 is a circuit diagram showing an example of a circuit for controlling the inductance value of the present invention; FIG.

제43도는 본 발명에 의한 스위칭회로용 제어회로의 일예를 나타내는 회로구성을 도시한 도면.FIG. 43 is a circuit diagram showing an example of a control circuit for a switching circuit according to the present invention; FIG.

제44도는 본 발명의 스위칭회로의 각각의 동작을 설명하는 타이밍도.FIG. 44 is a timing diagram illustrating each operation of the switching circuit of the present invention; FIG.

제45도는 본 발명에 의한 PDP(플라즈마 표시패널)의 구동방법의 제2 실시예에 있어서의 각 전극의 신호구동파형을 도시한 도면.FIG. 45 is a diagram showing signal drive waveforms of respective electrodes in a second embodiment of a method of driving a PDP (plasma display panel) according to the present invention; FIG.

제46도는 종래의 AC형 PDP의 어드레스/표시 다중구동방법의 일예를 도시한 도면.FIG. 46 is a diagram showing an example of a conventional address / display multiple driving method of an AC type PDP; FIG.

제47도는 제46도에 도시한 종래의 구동방법에 있어서의 신호구동파형을 도시한 도면.FIG. 47 is a diagram showing a signal driving waveform in the conventional driving method shown in FIG. 46; FIG.

제48도는 종래의 AC형 PDP의 어드레스/표시 다중구동방법의 일예를 도시한 도면.FIG. 48 is a view showing an example of a conventional address / display multiple driving method of an AC type PDP; FIG.

제49도는 제48도에 도시한 종래의 구동방법에 있어서의 신호구동파형을 도시한 도면.Fig. 49 is a diagram showing a signal drive waveform in the conventional drive method shown in Fig. 48; Fig.

제50도는 종래의 DC형 PDP의 어드레스/표시 분리구동방법의 일예를 도시한 도면.FIG. 50 is a view showing an example of a conventional address / display separation driving method of a DC type PDP; FIG.

제51도는 제50도에 도시한 종래의 구동방법에 있어서의 주사수순을 도시한 도면.51 shows the scanning procedure in the conventional driving method shown in FIG. 50; FIG.

제52도는 PDP의 구조를 도시한 전개사시도.FIG. 52 is an exploded perspective view showing the structure of the PDP; FIG.

제53도는 제52도에 도시한 PDP에 있어서의 전극의 배선을 도시한 도면.FIG. 53 is a view showing the wiring of electrodes in the PDP shown in FIG. 52; FIG.

제54도는 본 발명에 의한 PDP의 구동방법에 있어서의 주사방법을 도시한 도면.FIG. 54 is a view showing a scanning method in the PDP driving method according to the present invention; FIG.

제55도는 본 발명에 의한 PDP의 구동방법의 제2실시예에 있어서의 각 전극의 신호구동파형을 도시한 도면.FIG. 55 is a diagram showing signal drive waveforms of respective electrodes in a second embodiment of a method of driving a PDP according to the present invention; FIG.

제56도는 본 발명에 의한 PDP의 구동방법의 제3실시예에 있어서의 각 전극의 신호구동파형을 도시한 도면.FIG. 56 is a diagram showing signal drive waveforms of the respective electrodes in the third embodiment of the method of driving a PDP according to the present invention; FIG.

제57도는 본 발명에 의한 PDP의 구동방법의 제4실시예에 있어서의 각 전극의 신호구동파형을 도시한 도면.Fig. 57 is a view showing signal drive waveforms of the respective electrodes in the fourth embodiment of the driving method of the PDP according to the present invention; Fig.

제58도는 본 발명에 의한 PDP의 구동방법에 있어서의 계조표시방법의 하나의 구체예를 도시한 도면.FIG. 58 is a view showing one specific example of the gray scale display method in the driving method of the PDP according to the present invention; FIG.

제59도는 본 발명에 의한 PDP의 구동방법에 있어서의 계조표시방법의 다른 구체예를 도시한 도면.FIG. 59 is a view showing another specific example of the gray scale display method in the driving method of the PDP according to the present invention; FIG.

제60도는 본 발명에 의한 PDP의 표시장치의 제2실시예를 도시한 구성도.60 is a configuration diagram showing a second embodiment of a display device of a PDP according to the present invention;

제61도는 제60도에 도시한 Y전력회수회로와 펄스전압 분배회로의 하나의 구체예를 도시한 회로구성도.FIG. 61 is a circuit configuration diagram showing one specific example of the Y power recovery circuit and the pulse voltage distribution circuit shown in FIG. 60; FIG.

제62도는 제61도에 도시한 구체예의 동작을 설명하기 위한 전압파형도.FIG. 62 is a voltage waveform diagram for explaining the operation of the specific example shown in FIG. 61; FIG.

제63도는 제60도에 도시한 Y전력회수회로와 펄스전압 분배회로의 다른 구체예를 도시한 회로구성도.FIG. 63 is a circuit configuration diagram showing another specific example of the Y-power recovery circuit and the pulse voltage distribution circuit shown in FIG. 60; FIG.

제64도는 제63도에 도시한 구체예의 동작을 설명하기 위한 전압파형도.FIG. 64 is a voltage waveform diagram for explaining the operation of the specific example shown in FIG. 63; FIG.

제65도는 제60도에 있어서의 X전력회수회로의 하나의 구체예를 도시한 회로구성도.FIG. 65 is a circuit configuration diagram showing one specific example of the X power recovery circuit in FIG. 60; FIG.

제66도는 제65도에 도시한 구체예의 동작을 설명하기 위한 전압파형도.FIG. 66 is a voltage waveform diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. 65; FIG.

제67도는 제60도에 있어서의 A전극구동회로의 하나의 구체예를 도시한 회로구성도.FIG. 67 is a circuit configuration diagram showing one specific example of the A electrode driving circuit in FIG. 60; FIG.

제68도는 제67도에 도시한 구체예의 동작을 설명하기 위한 전압파형도.FIG. 68 is a voltage waveform diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. 67; FIG.

제69도는 본 발명에 의한 PDP의 표시장치의 제2실시예를 도시한 구성도.Figure 69 is a configuration diagram showing a second embodiment of a display device of a PDP according to the present invention;

제70도는 제46도에 도시한 펄스전압 분배회로의 하나의 구체예를 도시한 회로구성도.FIG. 70 is a circuit configuration diagram showing one specific example of the pulse voltage distribution circuit shown in FIG. 46; FIG.

제71도는 제70도에 도시한 구체예의 동작을 설명하기 위한 전압파형도.FIG. 71 is a voltage waveform diagram for explaining the operation of the specific example shown in FIG. 70; FIG.

제72도는 본 발명에 의한 PDP의 표시장치의 하나의 응용예를 도시한 시스템블럭도.Figure 72 is a system block diagram showing one application example of a display device of a PDP according to the present invention;

제73도는 본 발명에 의한 PDP의 표시장치의 다른 응용예를 도시한 시스템블럭도.Figure 73 is a system block diagram showing another application example of the display device of the PDP according to the present invention;

제74도는 본 발명에 의한 PDP 표시장치의 또 다른 응용예를 도시한 시스템블럭도.FIG. 74 is a system block diagram showing another application example of the PDP display apparatus according to the present invention; FIG.

제75도는 본 발명에 의한 PDP의 표시장치의 또 다른 응용예를 도시한 시스템블럭도.FIG. 75 is a system block diagram showing another application example of a display device of a PDP according to the present invention; FIG.

상기한 제1의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 전극의 방전용 전류경로가 충전용 전류경로와 다르게 되도록, 용량성 부하인 표시소자의 여러개의 전극의 구동을 스위치를 통해서 전력을 회수하는 방법에 의해 실행한다.In order to achieve the first object, the present invention provides a method of driving a plurality of electrodes of a display element, which is a capacitive load, such that the discharge current path of the electrode is different from the charge current path, Lt; / RTI >

또, 본 발명은 표시소자의 전극의 충방전을 동시에 실행한다.Further, the present invention simultaneously performs charging and discharging of the electrodes of the display element.

또, 본 발명은 표시소자의 전극중 방전되는 전극수와 충전되는 전극수를 검출하고, 이 검출한 수에 따라 전력회수용 인덕턴스값을 제어한다.Further, the present invention detects the number of discharged electrodes and the number of charged electrodes in the electrodes of the display element, and controls the value of the power recovery inductance according to the detected number.

또, 본 발명은 제1스위치, 제1다이오드 및 제1인덕터를 각각 구비하는 직렬회로가 전원 또는 충전된 용량소자와 접속되고, 그의 출력단자는 적어도 2개의 제1단방향성 스위치를 거쳐서 적어도 2개의 전극과 접속되고, 전극이 충전되고 있으면 제1스위치, 제1다이오드 및 제1단방향성 스위치는 도통되고, 제2스위치, 제2다이오드 및 제2인덕터를 구비하는 다른 직렬회로는 전원 또는 충전된 용량소자와 접속되고, 그의 출력단자는 적어도 2개의 제2단방향성 스위치를 거쳐서 적어도 2개의 전극과 접속되고, 전극이 방전되고 있으면 제2스위치, 제2다이오드 및 제2단방향성 스위치는 도통된다.Further, the present invention is characterized in that a series circuit including a first switch, a first diode and a first inductor is connected to a power source or a charged capacitor, and its output terminal is connected to at least two electrodes via at least two first unidirectional switches And the first switch, the first diode and the first unidirectional switch are conducted when the electrode is charged, and the other series circuit including the second switch, the second diode and the second inductor are connected to the power supply or the charged capacitive element And the output terminal thereof is connected to at least two electrodes via at least two second unidirectional switches, and the second switch, the second diode and the second unidirectional switch are conducted when the electrode is discharged.

또, 본 발명은 제1인덕터의 출력단자와 제1인덕터의 출력단자를 고전압전원의 레벨로 유지하는 스위칭회로를 접속하고, 제2인덕터의 출력단자와 제2인덕터의 출력단자를 저전압전원의 레벨로 유지하는 스위칭회로를 접속한다.The output terminal of the first inductor and the output terminal of the second inductor are connected to a switching circuit for maintaining the output terminal of the first inductor and the output terminal of the second inductor at the level of the high- To the switching circuit.

또, 본 발명은 다이오드 및 FET를 각각 구비하는 제1및 제2단방향성스위치를 직렬접속회로를 사용해서 구성한다.In addition, the present invention comprises first and second unidirectional switches each including a diode and a FET using a series connection circuit.

또, 본 발명은 제1 및 제2단방향성 스위치를 바이폴라 트랜지스터회로를 사용해서 구성한다.Further, in the present invention, the first and second unidirectional switches are constituted by using a bipolar transistor circuit.

또, 본 발명은 여러개의 직렬회로를 각각 제1스위칭회로, 제1다이오드 및 제1인덕터로 구성하고 여러개의 제1인덕터의 인덕턴스간의 역수를 대략 2진 시스템으로 구성하고, 여러개의 다른 직렬회로를 각각 제2스위칭회로, 제2다이오드 및 제2인덕터로 구성하고 여러개의 제2인덕터의 인덕턴스값을 2진 시스템으로 구성한다.In addition, the present invention is characterized in that a plurality of series circuits are constituted by a first switching circuit, a first diode and a first inductor respectively, and an inverse number between inductances of a plurality of first inductors is constituted by a substantially binary system, A second switching circuit, a second diode and a second inductor, and the inductance values of the plurality of second inductors are configured as binary systems.

또, 본 발명은 표시소자의 전극 레벨을 고전압전원의 레벨로 3유지하는 전압유지회로 및 저전압전원의 레벨로 유지하는 다른 전압유지회로와 표시소자의 전극을 각각 접속한다.In addition, the present invention relates to a voltage holding circuit for holding the electrode level of the display element 3 at the level of the high voltage power source, and another voltage holding circuit for holding the level of the low voltage power source to the electrode of the display element.

또, 본 발명은 표시소자의 전극을 AC형 플라즈마 디스플레이의 어드레스 전극으로 하다.Further, in the present invention, the electrode of the display element is used as the address electrode of the AC type plasma display.

또, 상기한 제2의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 적어도 여러개의 셀을 구비하고, 셀의 각각이 3개의 전극(X전극, Y전극, A전극)과 방전공간을 갖고, 3개의 전극중의 적어도 2개(X전극과 Y전극)중 적어도 방전공간과 인접하는 면이 전기적 절연물로 덮여져 있고, 여러개의 셀의 총체를 포함한 셀의 대집합이 여러개의 셀의 중집합으로 분할되어 있고, 셀의 중집합내에서 동일한 셀의 중집합에 속하는 셀의 Y전극이 서로 전극에 의해서 접속되어 있는 플라즈마 표시패널의 구동방법으로서, 1개 또는 여러개의 필드로 구성되고 플라즈마 표시패널에 표시되는 정보를 여러개의 서브필드로 분할하고, 이 분할된 서브필드의 수를 k로 하고, 여러개의 셀의 중집합중의 셀의 중집합A(이하, “중집합A”라 한다)에 의해 여러개의 서브필드증의 1개의 서브필드A(이하, “서브필드A”라 한다)를 주사하고, 셀의 중집합A와는 다른 셀의 중집합이 서브필드A를 주사하는 동안 임의의 셀의 중집합에 의해 서브필드A와는 다른 서브필드를 주사한다.In order to achieve the above second object, the present invention provides a plasma display panel comprising at least a plurality of cells, each of which has three electrodes (X electrode, Y electrode, A electrode) and a discharge space, At least the surface adjacent to at least the discharge space of at least two of the X electrodes and the Y electrodes is covered with an electrical insulator and a set of cells including a total of a plurality of cells is divided into a plurality of sets of cells And Y electrodes of cells belonging to a middle set of the same cells in the middle cell of the cell are connected to each other by electrodes. The driving method of the plasma display panel comprises a step of generating information on a plasma display panel Fields are divided into a plurality of subfields, and the number of divided subfields is k, and a set A (hereinafter referred to as " medium set A ") of cells in a set of a plurality of cells, One subfield A (hereinafter referred to as " Scanning is referred to as a sub-field A "), and injection of the other sub-fields than the sub-field A by a set of a particular cell for a set of other than the cell group of the cell A is to be scanned a subfield A.

또, 본 발명은 주사기능이 적어도 Y전극과 A전극중의 어느 하나 또는 양쪽에 펄스전극을 인가한다.Further, the present invention applies a pulse electrode to at least one of the Y electrode and the A electrode, or both, in the scanning function.

또, 본 발명은 셀의 중집합중의 적어도 1개에 의해 주사기능을 실행하고, 다음의 주사기능을 실행하는 동안 표시를 실행하는 것을 가능하게 한다.Further, the present invention makes it possible to carry out the scanning function by at least one of the middle sets of cells and to perform the display while executing the next scanning function.

또, 본 발명은 셀의 중집합에 속하는 셀의 X전극이 전기적 도체에 의해서 접속되어 있다.In the present invention, the X electrodes of the cells belonging to the middle set of cells are connected by an electric conductor.

또, 본 발명은 표시기능이 적어도 X전극과 Y전극중의 어느 하나 또는 양쪽에 펄스전압을 인가한다.Further, the present invention applies a pulse voltage to at least one of the X electrode and the Y electrode or both of the display function.

또, 본 발명은 표시기능이 X전극과 Y전극에 교대로 펄스전압을 인가한다.In the present invention, the display function alternately applies a pulse voltage to the X electrode and the Y electrode.

또, 본 발명은 표시기간에 임의의 시간영역이 존재하고, 셀의 중집합중의 적어도 1개 또는 여러개의 집합에 있어서 시간영역에 걸쳐서 셀의 중집합의 집합에 대해 공통으로 X전극에 주기적인 펄스신호를 인가하고, 셀의 중집합의 집합의 각 셀의 중집합에 있어서 Y전극에 적어도 주사기능과 표시기능을 동시 또는 따로 갖는 펄스전압을 인가한다.Further, the present invention is characterized in that there is an arbitrary time domain in the display period, and a periodic pulse is applied to the X electrode in common to the set of the large sum of cells over the time domain in at least one or a plurality of sets of the cells And a pulse voltage having at least a scan function and a display function simultaneously or separately is applied to the Y electrode in a set of each cell of the set of cells in the middle sum sum.

또, 본 발명은 셀의 대집합에 속하는 모든 셀의 X전극이 전기적 도체에 의해서 접속되어 있다.Further, in the present invention, the X electrodes of all the cells belonging to a large set of cells are connected by an electric conductor.

또, 본 발명은 셀의 중집합의 집합을 셀의 대집합으로 한다.In the present invention, a set of cells in the middle sum sum is a set of cells.

또, 본 발명은 Y전극에 프라이밍기능을 갖는 펄스전극도 인가한다.In the present invention, a pulse electrode having a priming function is also applied to the Y electrode.

또, 본 발명은 공간적으로 서로 인접하는 셀의 중집합의 한쪽에서 주사기능을 실행하고, 다음에 다른쪽에서 주사기능을 실행하는 동안 A전극에 분할된 서브필드의 수k만큼 또는 그의 정수배만큼 펄스전압을 인가한다.In the present invention, the scan function is performed on one of the coalesced sums of spatially adjacent cells, and then the pulse voltage is multiplied by the number k of the subfields divided into the A electrodes or an integer multiple thereof, while the scan function is performed on the other side .

또, 본 발명은 프라이밍기능을 갖는 펄스전압이 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압과 적어도 한번 시간적으로 중첩되도록 한다.In addition, the present invention allows the pulse voltage having the priming function to overlap with the periodic pulse voltage applied to the X electrode at least once in a time-wise manner.

또, 본 발명은 적어도 표시정보의 1필드기간동안 X전극에 주기적인 펄스전압을 인가한다.Further, the present invention applies a periodic pulse voltage to the X electrode for at least one field period of display information.

또, 본 발명은 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압과 Y전극에 인가되고 프라이밍기능을 갖는 펄스전압이 서로 극성이 다르도록 한다.Also, in the present invention, the periodic pulse voltage applied to the X electrode and the pulse voltage applied to the Y electrode and having the priming function have different polarities from each other.

또, 본 발명은 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압이 부극성이고, Y전극에 인가되고 프라이밍기능을 갖는 펄스전압이 정극성이도록 한다.Further, in the present invention, the periodic pulse voltage applied to the X electrode is negative and the pulse voltage applied to the Y electrode and having the priming function is positive.

또, 본 발명은 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압이 적어도 2개의 셀의 중집합에 있어서 시간적으로 다르도록 한다.Further, in the present invention, the periodic pulse voltage applied to the X electrode is temporally different among a set of at least two cells.

또, 본 발명은 서브필드에 있어서 임의의 셀의 중집합의 X전극에 주기적인 펄스전압의 최초의 펄스전압을 동일한 서브필드에 있어서 동일한 셀의 중집합의 Y전극에 인가되는 주사기능을 갖는 펄스전압과 동일한 시간간격으로 인가한다.Further, the present invention is characterized in that the first pulse voltage of the periodic pulse voltage is applied to the X electrode of the middle sum of arbitrary cells in the subfield, and the pulse voltage having the scanning function applied to the Y electrode of the same cell in the same subfield Apply at the same time interval.

또, 본 발명은 서브필드에 있어서 임의의 셀의 중집합의 Y전극에 프라이밍기능을 갖는 펄스전압을 동일한 서브필드에 있어서 동일한 셀의 중집합의 Y전극에 인가되는 주사기능을 갖는 펄스전압과 동일한 시간간격으로 인가한다.Further, the present invention is characterized in that a pulse voltage having a priming function is applied to a Y electrode of a large sum of arbitrary cells in a subfield, a pulse voltage having a scanning function applied to a Y electrode of a large sum of the same cells in the same subfield .

또, 본 발명은 셀의 중집합중의 적어도 1개 또는 여러개의 셀의 중집합의 집합에 있어서, Y전극에 프라이밍기능을 갖는 펄스전압을 동일 시각에 인가한다.Further, in the present invention, a pulse voltage having a priming function is applied to the Y electrode at the same time in a set of a large sum of at least one or a plurality of cells among a set of cells.

또, 본 발명은 셀의 중집합의 Y전극에 임의의 서브필드의 주사기능을 갖는 펄스전압을 인가하고, 다음에 이 서브필드와는 다른 서브필드의 주사기능을 갖는 펄스전압을 인가하는 동안 A전극에 표시할 정보의 펄스전압을 k×n+p (1≤p≤k-1) (단, k, n, p : 정수)의 수만큼 인가한다.In the present invention, a pulse voltage having a scanning function of an arbitrary subfield is applied to the Y electrode of a cell in which the waveform is concentrated, and a pulse voltage having a scanning function of a subfield different from that of the subfield is applied, (K, n, p: constants) of the pulse voltage of the information to be displayed on the display panel.

또, 본 발명은 임의의 셀의 중집합의 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압 및 이 셀의 중집합의 Y전극에 인가되는 주사기능을 갖는 펄스전압이 시간적으로 서로 중첩되지 않도록 한다.In addition, the present invention ensures that the periodic pulse voltage applied to the X electrode of the middle sum of arbitrary cells and the pulse voltage having the scanning function applied to the Y electrode of the middle sum of the cells do not overlap with each other in terms of time.

또, 본 발명은 임의의 셀의 중집합의 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압과 이 셀의 중집합의 Y전극에 인가되고 표시기능을 갖는 펄스전압이 시간적으로 서로 중첩되지 않도록 한다.In addition, the present invention ensures that the periodic pulse voltage applied to the X electrode of the middle sum of arbitrary cells and the pulse voltage applied to the Y electrode of the middle sum of the cells and having the display function do not overlap with each other in terms of time.

또, 본 발명은 A전극에 인가되는 펄스전압이 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압 및 Y전극에 인가되고 표시기능을 갖는 펄스전압과 시간적으로 중첩되지 않도록 한다.In addition, the present invention prevents the pulse voltage applied to the A electrode from overlapping with the periodic pulse voltage applied to the X electrode and the pulse voltage having the display function applied to the Y electrode in terms of time.

또, 본 발명은 셀의 중집합에 임의의 서브필드의 주사기능을 갖는 펄스전압을 인가하고 다음에 표시기능을 갖는 펄스전압을 주기적으로 인가하고, 이 표시기능을 갖는 주기적 펄스전압의 인가는 다음의 서브필드의 프라이밍기능을 갖는 펄스전압이 입력되기 전에 중단한다.In the present invention, a pulse voltage having a scanning function of any subfield is applied to a set of cells, a pulse voltage having a display function is periodically applied, and the application of the periodic pulse voltage having the display function is performed next Before the pulse voltage having the priming function of the subfield of the subfields is input.

또, 본 발명은 표시기능을 갖는 펄스전압과 프라이밍기능을 갖는 펄스전압 사이에 소거기능을 갖는 펄스전압을 인가한다.Further, the present invention applies a pulse voltage having an erase function between a pulse voltage having a display function and a pulse voltage having a priming function.

또, 본 발명은 표시기능을 갖는 주기적 펄스전압을 중단한 후이고 프라이밍기능을 갖는 펄스전압을 인가하기 전에 예비방전기능을 갖는 펄스전압을 인가한다.Further, the present invention applies the pulse voltage having the preliminary discharge function after the periodic pulse voltage having the display function is stopped and before the pulse voltage having the priming function is applied.

또, 본 발명은 표시기능을 갖는 펄스전압의 수를 적어도 2개의 서브필드에 있어서 다르게 한다.Further, the present invention makes the number of pulse voltages having a display function different in at least two subfields.

또, 본 발명은 표시기능을 갖는 펄스전압의 수가 적어도 3개의 서브필드에 있어서 대략 1 : 2 : 4의 비를 이루고 있다.In the present invention, the number of pulse voltages having a display function is approximately 1: 2: 4 in at least three subfields.

또, 본 발명은 적어도 여러개의 셀을 구비하고, 셀의 각각이 적어도 X전극, Y전극, A전극의 3개의 전극과 방전공간을 갖고, 적어도 X전극과 Y전극중 적어도 방전공간과 인접하는 면이 전기적 절연물로 덮여져 있고, 여러개의 셀의 총체를 포함한 셀의 대집합이 여러개의 셀의 중집합으로 분할되고, 셀의 중집합내에 있어서 동일한 셀의 중집합에 속하는 셀의 Y전극이 서로 전극에 의해서 접속되어 있고, 1개 또는 여러개의 필드로 구성되고 플라즈마 표시패널에 표시되는 정보가 여러개(k)의 서브필드로 분할되어 있는 플라즈마 표시패널을 사용한 표시장치로서, 여러개의 셀의 중집합중의 셀의 중집합A(이하, “중집합A”라 한다)에 의해 여러개의 서브필드중의 1개의 서브필드A(이하, “서브필드A”라 한다)를 주사하는 수단 및 셀의 중집합A와는 다른 셀의 중집합이 서브필드A를 주사하는 동안 임의의 셀의 중집합에 의해 서브필드A와는 다른 서브필드를 주사하는 수단을 갖는다.In addition, the present invention provides a plasma display panel comprising at least a plurality of cells, each of the cells having at least three electrodes of an X electrode, a Y electrode and an A electrode and a discharge space, A plurality of cells including a total of a plurality of cells are divided into a plurality of sets of cells, and Y electrodes of cells belonging to a middle set of the same cells in the set of cells are connected to each other And the information displayed on the plasma display panel is divided into a plurality of (k) subfields, the plasma display panel comprising a plurality of cells, Means for scanning one subfield A (hereinafter referred to as "subfield A") among a plurality of subfields by a set A (hereinafter referred to as "medium set A") of cells of the subfield A, A cell that is different from A While a set of scanning a sub-field A has a scanning means for the other sub-fields than the sub-field A by a set of a particular cell.

또, 본 발명은 주사기능을 적어도 Y전극과 A전극중의 어느 하나 또는 양쪽에 펄스전극을 인가하는 수단을 마련하여 실행한다.In the present invention, the scanning function is performed by providing means for applying pulse electrodes to at least one of the Y electrode and the A electrode or both.

또, 본 발명은 셀의 중집합중의 적어도 1개에 의해 주사기능을 실행하는 수단 및 다음의 주사기능을 실행하는 동안 표시기능을 실행하는 수단을 갖는다.The present invention also includes means for executing the scanning function by at least one of the middle sets of cells and means for executing the display function during execution of the next scanning function.

또, 본 발명은 셀의 중집합에 속하는 셀의 X전극이 전기적 도체에 의해서 접속되어 있다.In the present invention, the X electrodes of the cells belonging to the middle set of cells are connected by an electric conductor.

또, 본 발명은 표시기능에 의해 적어도 X전극과 Y전극중의 어느 하나 또는 양쪽에 펄스전압을 인가하는 수단을 갖는다.Further, the present invention has means for applying a pulse voltage to at least one of the X electrode and the Y electrode or both of them by a display function.

또, 본 발명은 표시기능을 X전극과 Y전극에 교대로 펄스전압을 인가하는 수단을 갖는다.Further, the present invention has means for alternately applying a pulse voltage to the X electrode and the Y electrode in the display function.

또, 본 발명은 표시기간에 임의의 시간영역이 존재하고, 셀의 중집합중의 적어도 1개 또는 여러개의 집합에 있어서, 시간영역에 걸쳐서 셀의 중집합의 집합에 대해 공통으로 X전극에 주기적인 펄스신호를 인가하는 수단 및 셀의 중집합의 집합의 각 셀의 중집합에 있어서 Y전극에 적어도 주사기능과 표시기능을 동시 또는 따로 갖는 펄스전압을 인가하는 수단을 갖는다.In addition, the present invention is characterized in that there is an arbitrary time domain in the display period and, in at least one or more of the middle sets of cells, Means for applying a pulse signal and means for applying a pulse voltage having at least a scanning function and a display function simultaneously or separately to the Y electrode in the set of the cells of the set of cells in the middle sum sum.

또, 본 발명은 셀의 대집합에 속하는 모든 셀의 X전극이 전기적 도체에 의해서 접속되어 있다.Further, in the present invention, the X electrodes of all the cells belonging to a large set of cells are connected by an electric conductor.

또, 본 발명은 셀의 중집합의 집합을 셀의 대집합으로 한다.In the present invention, a set of cells in the middle sum sum is a set of cells.

또, 본 발명은 Y전극에 프라이밍기능을 갖는 펄스전극도 인가하는 수단을 갖는다.The present invention also includes means for applying a pulse electrode having a priming function to the Y electrode.

또, 본 발명은 공간적으로 서로 인접하는 셀의 중집합중의 한쪽에서 주사기능을 실행하는 수단 및 다른쪽에서 주사기능을 실행하는 동안 A전극에 분할된 서브필드의 수k만큼 또는 그의 정수배만큼 펄스전압을 인가하는 수단을 갖는다Further, the present invention is characterized in that it comprises a means for performing a scanning function on one of a set of spatially adjacent cells and a means for performing a scanning function on the other side by the number k of sub- Lt; RTI ID = 0.0 >

또, 본 발명은 프라이밍기능을 갖는 펄스전압과 X전극에 인가되는 주기적 펄스전압을 적어도 한번 시간적으로 중첩시키는 수단을 갖는다.Further, the present invention has means for overlapping the pulse voltage having the priming function and the periodic pulse voltage applied to the X electrode at least once in time.

또, 본 발명은 적어도 표시정보의 1필드기간동안 X전극에 주기적인 펄스전압을 인가하는 수단을 갖는다Further, the present invention has means for applying a periodic pulse voltage to the X electrode for at least one field period of display information

또, 본 발명은 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압과 Y전극에 인가되고 프라이밍기능을 갖는 펄스전압의 극성을 다르게 하는 수단을 갖는다.Further, the present invention has means for making the periodic pulse voltage applied to the X electrode different from the polarity of the pulse voltage applied to the Y electrode and having a priming function.

또, 본 발명은 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압을 부전극의 펄스전압으로 하는 수단 및 Y전극에 인가되고 프라이밍기능을 갖는 펄스전압을 정극성의 펄스전압으로 하는 수단을 갖는다.The present invention also includes means for making the periodic pulse voltage applied to the X electrode the pulse voltage of the negative electrode and means for applying the pulse voltage having the priming function to the Y electrode as the positive pulse voltage.

또, 본 발명은 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압을 적어도 2개의 셀의 중집합에 있어서 시간적으로 다르게 하는 수단을 갖는다.Further, the present invention has means for making the periodic pulse voltage applied to the X electrode temporally different among a set of at least two cells.

또, 본 발명은 서브필드에 있어서 임의의 셀의 중집합의 X전극에 주기적인 펄스전압의 최초의 펄스전압을 동일한 서브필드에 있어서 동일한 셀의 중집합의 Y전극에 인가되는 주사기능을 갖는 펄스전압과 동일한 시간간격으로 인가하는 수단을 갖는다.Further, the present invention is characterized in that the first pulse voltage of the periodic pulse voltage is applied to the X electrode of the middle sum of arbitrary cells in the subfield, and the pulse voltage having the scanning function applied to the Y electrode of the same cell in the same subfield At the same time interval.

또, 본 발명은 서브필드에 있어서 임의의 셀의 중집합의 Y전극에 프라이밍기능을 갖는 펄스전압을 동일한 서브필드에 있어서 동일한 셀의 중집합의 Y전극에 인가되는 주사기능을 갖는 펄스전압과 동일한 시간간격으로 인가하는 수단을 갖는다.Further, the present invention is characterized in that a pulse voltage having a priming function is applied to a Y electrode of a large sum of arbitrary cells in a subfield, a pulse voltage having a scanning function applied to a Y electrode of a large sum of the same cells in the same subfield As shown in Fig.

또, 본 발명은 셀의 중집합중의 적어도 1개 또는 여러개의 집합에 있어서, Y전극에 프라이밍기능을 갖는 펄스전압을 동일 시각에 인가하는 수단을 갖는다.Further, the present invention has means for applying a pulse voltage having a priming function to the Y electrodes at the same time in at least one or more of the middle set of cells.

또, 본 발명은 셀의 중집합의 Y전극에 임의의 서브필드의 주사기능을 갖는 펄스전압을 인가하는 수단 및 셀의 중집합의 Y전극에 서브필드와는 다른 서브필드의 주사기능을 갖는 펄스전압을 인가하는 동안 A전극에 표시할 정보의 펄스전압을 k×n+p (1≤p≤k-1) (단, k, n, p : 정수)의 수만큼 인가하는 수단을 갖는다.Further, the present invention is characterized in that it comprises a means for applying a pulse voltage having a scanning function of an arbitrary subfield to a Y electrode of a cell having a large sum and a means for applying a pulse voltage having a scanning function of a subfield different from the subfield to the Y electrode (K, n, p: integer) of the pulse voltage of the information to be displayed on the A electrode during the application of the pulse voltage.

또, 본 발명은 임의의 셀의 중집합의 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압과 이 셀의 중집합의 Y전극에 인가되는 주사기능을 갖는 펄스전압이 시간적으로 서로 중첩되지 않도록 하는 수단을 갖는다.In addition, the present invention has a means for preventing the periodic pulse voltage applied to the X electrode of the middle sum of any cell and the pulse voltage having the scanning function applied to the Y electrode of the middle sum of the cells from overlapping with each other in terms of time.

또, 본 발명은 임의의 셀의 중집합의 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압과 이 셀의 중집합의 Y전극에 인가되고 표시기능을 갖는 펄스전압이 시간적으로 서로 중첩되지 않도록 하는 수단을 갖는다.Further, the present invention has means for preventing the periodic pulse voltage applied to the X electrode of the middle sum of any cell and the pulse voltage applied to the Y electrode of the middle sum of the cells from overlapping with each other temporally.

또, 본 발명은 A전극에 인가되는 펄스전압이 X전극에 인가되는 주기적인 펄스전압 및 Y전극에 인가되고 표시기능을 갖는 펄스전압과 시간적으로 중첩되지 않도록 하는 수단을 갖는다.Further, the present invention has means for preventing the pulse voltage applied to the A electrode from overlapping with the periodic pulse voltage applied to the X electrode and the pulse voltage having the display function applied to the Y electrode in terms of time.

또, 본 발명은 셀의 중집합에 임의의 서브필드의 주사기능을 갖는 펄스전압을 인가하는 수단, 주사기능을 갖는 펄스전압 후에 표시기능을 갖는 펄스전압을 주기적으로 인가하는 수단 및 표시기능을 갖는 주기적 펄스전압의 인가를 다음의 서브필드의 프라이밍기능을 갖는 펄스전압이 인가되기 전에 중단하는 수단을 갖는다.In addition, the present invention is characterized in that it comprises means for applying a pulse voltage having a scanning function of an arbitrary subfield to a set of cells, means for periodically applying a pulse voltage having a display function after a pulse voltage having a scanning function, And means for interrupting the application of the periodic pulse voltage before the pulse voltage having the priming function of the next subfield is applied.

또, 본 발명은 표시기능을 갖는 펄스전압과 프라이밍기능을 갖는 펄스전압 사이에 소거기능을 갖는 펄스전압을 인가하는 수단을 갖는다.Further, the present invention has means for applying a pulse voltage having an erase function between a pulse voltage having a display function and a pulse voltage having a priming function.

또, 본 발명은 표시기능을 갖는 주기적 펄스전압을 중단한 후이고 프라이밍기능을 갖는 펄스전압을 인가하기 전에 예비방전기능을 갖는 펄스전압을 인가하는 수단을 갖는다.The present invention also has means for applying a pulse voltage having a preliminary discharge function after the periodic pulse voltage having the display function is stopped and before the pulse voltage having the priming function is applied.

또, 본 발명은 표시기능을 갖는 펄스전압의 수를 적어도 2개의 서브필드에 있어서 다르게 하는 수단을 갖는다.Further, the present invention has means for making the number of pulse voltages having a display function different in at least two subfields.

또, 본 발명은 표시기능을 갖는 펄스전압의 수가 적어도 3개의 서브필드에 있어서 대략 1 : 2 : 4의 비를 이루도록 하는 수단을 갖는다.Further, the present invention has means for making the number of pulse voltages having a display function in a ratio of approximately 1: 2: 4 in at least three subfields.

또, 본 발명은 셀의 중집합에 있어서 표시기능을 실행하는 수단은 전력회수회로로부터의 주기적인 펄스를 스위치를 거쳐서 인가하는 구성을 이루고 있다.In the present invention, the means for executing the display function in a set of cells is configured to apply a periodic pulse from the power recovery circuit through a switch.

또, 본 발명은 플라즈마 표시패널이 AC형이다.Further, the plasma display panel of the present invention is AC type.

또, 본 발명은 표시장치가 텔레비전 표시장치, 데이타 모니터 표시장치, 카메라로부터의 영상신호를 표시하는 텔레비전 모니터 표시장치 또는 공공 장소의 정보표시 장치이다.Further, the present invention is a television display device, a data monitor display device, a television monitor display device for displaying a video signal from a camera, or an information display device in a public place.

[실시예][Example]

이하, 본 발명의 여러가지 실시예를 도면을 참조해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

제1도는 본 발명의 1실시예인 스위칭회로를 도시한 회로도이고, 제2도는 그의 동작타이밍을 나타내는 타이밍도이다.FIG. 1 is a circuit diagram showing a switching circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a timing chart showing the operation timing thereof.

제1도에 있어서, Q1은 상기한 전류회로용 바이폴라 트랜지스터인 PNP형 트랜지스터, Q2는 고전압신호를 통과시키거나 차단하는 구동요소로서 기능하는 N채널 MOS FET, CL은 용량성 부하이다.The method of claim 1 also, Q1 is a PNP transistor in a bipolar transistor wherein a current circuit, Q2 is an N channel MOS FET, C L, which functions as a driving element to reduce or cut off through the high-voltage signal is a capacitive load.

본 발명의 기본회로에 있어서 FET Q2는 고전압펄스VIN을 저전압 입력신호Vc(101)에 따라 FET Q2의 게이트VG에 의해 통과시키고 차단하는 스위치역할을 한다. 이러한 조건에서 고전압펄스VIN이 드레인D측에서 소오스S측으로 인가되고 이것에 의해 FET Q2는 용량성 부하CL를 공급하는 기능을 갖는다.In the basic circuit of the present invention, the FET Q2 serves as a switch for passing and blocking the high voltage pulse V IN by the gate V G of the FET Q2 in accordance with the low voltage input signal Vc (101). Under these conditions, the high voltage pulse V IN is applied from the drain D side to the source S side, whereby the FET Q2 has a function of supplying the capacitive load C L.

이하, 제2도에 도시한 타이밍도에 따라서 그의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation thereof will be described in accordance with the timing chart shown in FIG.

트랜지스터Q1에는 에미터가 접지되어 있으므로, 제2도에 도시한 Vc의 “L”레벨(VH-VDD)이 베이스B로 인가되어 트랜지스터Q1이 온된다. 트랜지스터가 실리콘소자이면 에미터E의 전압은 베이스전압보다 약 0.7V만큼 커진다. 에미터전압과 고전원전압VH의 차분이 저항(102)를 통해 인가되어 전류Io를 형성한다.Since the emitter of the transistor Q1 is grounded, the "L" level (V H -V DD ) of Vc shown in FIG. 2 is applied to the base B to turn on the transistor Q1. When the transistor is a silicon device, the voltage of the emitter E is about 0.7 V larger than the base voltage. The difference between the emitter voltage and the high voltage V H is applied through resistor 102 to form current Io.

전류Io는 트랜지스터Q1의 컬렉터C에서 흘러나와 저항R을 통해 흐른다. 이러한 방식으로 FET Q2의 소오스와 게이트 사이에 전압이 발생한다.The current Io flows from the collector C of the transistor Q1 through the resistor R. [ In this way, a voltage is generated between the source and the gate of the FET Q2.

제3도는 FET Q2의 게이트입력용량Ci를 충전하는 회로의 등가회로도이다. 게이트전압VG는 다음식에 의해 얻어진다.3 is an equivalent circuit diagram of a circuit for charging the gate input capacitance C i of the FET Q2. The gate voltage V G is obtained by the following equation.

[식 1][Formula 1]

Figure kpo00001
Figure kpo00001

단, τ = CiR, R은 제1도에 도시한 저항R의 저항값, Io는 전류의 강도를 나타낸다.However, τ = C i R, R represents the resistance value of the resistance R shown in FIG. 1, and Io represents the intensity of the current.

상기 식의 τ는 FET Q2의 상승 시정수이다. 저항R은 예를 들어 30kΩ, Ci,는 예를 들어 100pF, τ는 37μsec와 동일한 것으로 한다. 식 1에서 알수 있는 바와 같이, 전류강도Io와 시정수 τ를 서로 독립적으로 결정할 수 있다. FET Q2를 고속으로 구동하기 위해서는 상승 시정수 τ를 가능한 한 작게 해야한다.Theta of the above equation is the rising time constant of the FET Q2. The resistance R is, for example, 30 kΩ, C i , is, for example, 100 pF, and τ is equal to 37 μsec. As can be seen from Equation 1, the current intensity Io and the time constant? Can be determined independently of each other. In order to drive the FET Q2 at high speed, the rise time constant? Should be made as small as possible.

구체적으로 말하면, 게이트입력용량Ci이 상기 구성요소에 의해 결정되기 때문이다. 그러나, 저항값R이 작으면 게이트G와 소오스S 사이의 전압이 스레쉬홀드전압(VTH)보다 작아져 도전성이 불충분하다. 따라서, 게이트G와 소오스S 사이의 전압이 상기한 스레쉬홀드전압 이상으로 되도록 전류강도Io를 증가시킨다. 그러나, 이 전압이 너무 높으면 게이트G와 소오스S 사이의 전압이 내압VGS max,를 초과하여 소자를 파괴시킨다. 이것을 방지하기 위해 제너다이오드(104)를 게이트G와 소오스S 사이의 저항R과 병렬로 접속한다. 따라서, R과 Io의 곱을 고려하면 다음과 같은 관계가 성립한다.Specifically, the gate input capacitance C i is determined by the above-mentioned components. However, if the resistance value R is small, the voltage between the gate G and the source S becomes smaller than the threshold voltage V TH and the conductivity is insufficient. Therefore, the current intensity Io is increased so that the voltage between the gate G and the source S becomes equal to or higher than the threshold voltage. However, if this voltage is too high, the voltage between the gate G and the source S will exceed the breakdown voltage V GS max , causing the device to break. To prevent this, the Zener diode 104 is connected in parallel with the resistor R between the gate G and the source S. Therefore, considering the product of R and Io, the following relation holds.

[식 2][Formula 2]

Figure kpo00002
Figure kpo00002

단, T는 입력신호VIN의 펄스기간이다.Where T is the pulse period of the input signal V IN .

이것에 의해, 드레인D와 소오스S 사이의 저항값R이 저감되도록 게이트를 고속으로 구동해서 스위칭소자로서 기능하는 FET Q2를 도통상태로 할 수 있다.As a result, the gate is driven at a high speed so that the resistance value R between the drain D and the source S is reduced, and the FET Q2 functioning as the switching element can be made conductive.

이하, 제2도에 도시한 저전압 입력신호VC의 기간 T2에 대해서 설명한다.The period T 2 of the low-voltage input signal V C shown in FIG. 2 will be described below.

트랜지스터Q1과 FET Q2는 입력단자(101)에 “H”레벨의 저전압 입력신호 VC를 인가하는 것에 의해 차단상태로 된다.The transistor Q1 and the FET Q2 are turned off by applying a low voltage input signal V C of "H" level to the input terminal 101.

펄스가 없는 기간동안 게이트입력 용량Ci및 용량성 부하CL에 축적되어 있는 전하는 드레인과 기판 사이의 기생다이오드를 통해서 드레인D측의 고전압의 펄스형상 드레인전압 “L”레벨(제2도에 있어서 0V)측으로 방전된다. 소오스S측의 용량성 부하에 축적되어 있는 전하는 점차 방전되어 제2도에 있어서 Pl, P2로 나타낸 바와 같이 펄스의 피크값이 점점 낮아지고, 결국 VL레벨에 도달한다.The charge accumulated in the gate input capacitance C i and the capacitive load C L during the pulse-free period passes through the parasitic diode between the drain and the substrate through the high-voltage pulsed drain voltage "L" level at the drain D side 0V) side. The charge accumulated in the capacitive load on the source S side gradually discharges and the peak value of the pulse gradually decreases as shown by Pl and P2 in FIG. 2, and eventually reaches the V L level.

상기한 실시예에 따르면, 200-300V의 고전압을 인가하면, 종래 매우 복잡한 구조를 필요로 했던 스위치를 저전압의 출력상태로 구동소자를 구동시킬 수 있는 간단한 구조로 할 수 있다.According to the above-described embodiment, when a high voltage of 200-300 V is applied, the switch, which conventionally requires a very complicated structure, can be made to have a simple structure that can drive the driving element with a low voltage output state.

다음에, 제4도는 제1도의 트랜지스터Q1의 제어신호Vc를 고전압 입력신호VIN의 펄스와 동기된 펄스신호로 한 경우의 예를 도시한 도면이다. 이것은 펄스된 전류만큼 트랜지스터Q1를 흐르는 전류Io를 취하는 것에 의해 도통기간T1동안 FET Q2의 게이트를 구동시키는 전력을 감소시킨다. 제4도에 도시한 바와같이, FET Q2의 도통기간T1 동안 트랜지스터Q1의 베이스에 입력된 신호Vc는 펄스로 이루어지고, 그의 “L”레벨의 지속기간은 t0이다. 이 때, MOS FET Q2가 충분히 온되고 게이트전압이 내압(VGSmax)을 초과하지 않는 조건하에서는 상기한 것과 마찬가지로 다음식이 만족된다.Next, FIG. 4 shows an example in which the control signal Vc of the transistor Q1 in FIG. 1 is a pulse signal synchronized with the pulse of the high-voltage input signal V IN . This reduces the power driving the gate of FET Q2 during the conduction period T 1 by taking the current Io flowing through transistor Q1 by the pulsed current. As shown in FIG. 4, a signal Vc input to the base of transistor Q1 conductive during the period T1 of the FET Q2 is composed of a pulse, the duration of its "L" level is t 0. At this time, under the condition that the MOS FET Q2 is sufficiently turned on and the gate voltage does not exceed the breakdown voltage (V GSmax ), the following equation is satisfied similarly to the above.

Figure kpo00003
Figure kpo00003

다음에, 상기한 전류회로의 바이폴라 트랜지스터로서 PNP트랜지스터(Q1)을 사용하고, 스위칭소자로서 P채널 FET(2Q)를 사용하는 경우에 대해서 제5도 및 제6도를 사용해서 설명한다.Next, the case where the PNP transistor Q1 is used as the bipolar transistor of the current circuit and the P-channel FET 2Q is used as the switching element will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG.

제5도에 있어서, P채널 FET(Q2)의 소오스는 고전압신호VIN의 입력단자로서 기능하고, 그의 드레인은 출력단자로서 기능하며, 다이오드(504)는 게이트와 소오스 사이에 접속된다. 전류제어회로내의 트랜지스터Q1의 에미터측은 고전압신호VIN의 H레벨과 동일한 레벨을 갖는 전원VH와 전류의 강도를 제어하는 저항(502)를 거쳐서 접속되어 있다. 제6도는 이와 같은 회로구성에 있어서의 입력신호VIN, 제어신호VC및 출력신호VOUT의 변동을 도시한 도면이다. 스위칭소자로서 기능하는 FET Q2가 도통상태(제6도의 T1)로 되면, 전류제어회로는 오프된다. 이 때, VIN에 고전압펄스가 인가되면 제너다이오드(제5도의 (504))에 의해 FET Q2의 소오스와 게이트 사이에 자동적으로 전위차가 발생하고, FET Q2가 온된다. 그리고, 제6도의 Vc로 나타낸 바와 같이 FET Q2가 오프되면 고전압신호VIN과 동기한 부펄스가 제5도의 트랜지스터Q1의 베이스(501)에 인가된다. 이 때, 고전압신호VIN의 펄스 진폭이 VH로 되어도 그의 게이트와 소오스와의 전위차가 없으므로, 트랜지스터Q1이 온되고 FET Q2가 오프되어 FET Q2의 게이트에서의 전위가 VH로 된다.5, the source of the P-channel FET Q2 functions as the input terminal of the high voltage signal V IN , its drain functions as the output terminal, and the diode 504 is connected between the gate and the source. The emitter of the transistor Q1 in the current control circuit emitter side is connected via a resistor 502 for controlling the intensity of the power source V H and a current having the same level and the H level of the high voltage signal V IN. FIG. 6 is a graph showing variations of the input signal V IN , the control signal V C, and the output signal V OUT in such a circuit configuration. When the FET Q2 is in a conductive state (sixth-degree T 1) functioning as a switching element, current control circuit is turned off. At this time, when a high voltage pulse is applied to V IN , a potential difference is automatically generated between the source and the gate of the FET Q2 by the Zener diode (504 in FIG. 5), and the FET Q2 is turned on. When the FET Q2 is turned off as indicated by Vc in FIG. 6, a negative pulse synchronized with the high voltage signal V IN is applied to the base 501 of the fifth-stage transistor Q1. At this time, even when the pulse amplitude of the high voltage signal V IN becomes V H , since there is no potential difference between the gate and the source thereof, the transistor Q 1 is turned on and the FET Q 2 is turned off and the potential at the gate of the FET Q 2 becomes V H.

다음에, 제1도에 도시한 스위칭회로에 전압유지회로를 부가한 경우에 대해서 제7도 및 제8도를 사용해서 설명한다.Next, the case where the voltage holding circuit is added to the switching circuit shown in Fig. 1 will be described with reference to Figs. 7 and 8. Fig.

이하, 전압유지회로소자로서 N채널 FET Q3을 사용하는 경우에 대해서 설명한다.Hereinafter, the case where the N-channel FET Q3 is used as the voltage holding circuit element will be described.

전류원소자로서 기능하는 트랜지스터Q1은 제1도에 도시한 트랜지스터Q1과 동일한 기능을 갖는다. 여기에서, 제8도에 도시한 전압Vc는 입력단자(701)에 인가된다. 기간T1에서는 제2도에 도시한 기간T1과 마찬가지로 FET Q2는 온되고, 드레인D측에 인가된 고전압의 펄스형상 드레인전압VIN은 부하CL에 인가되는 소오스S측의 소오스전압VOUT를 형성한다.The transistor Q1 functioning as the current source element has the same function as the transistor Q1 shown in Fig. Here, the voltage Vc shown in Fig. 8 is applied to the input terminal 701. Fig. Period T in the first similarly to the period T 1 shown in FIG. 2 FET Q2 is on and, with the high voltage pulse-drain voltage V IN is applied to the drain D side is the source voltage of the source S side is applied to the load C L V OUT .

그리고, 기간T2에서는 제2도에 도시한 기간T2와 마찬가지로 FET Q2는 오프된다. T1기간동안 용량성 부하와 입력용량에 축적된 전하는 FET Q2의 기생다이오드를 통해서 고전압의 펄스형상 드레인전압VIN의 "L"레벨(0V)측으로 방전된다. 이 때, 소오스S측의 전위를 고정하기 위해, 제8도에 도시한 유지입력신호VS를 전압유지소자로서 기능하는 FET Q3의 게이트G 입력단자(702)에 인가한다. FET Q3은 유지입력신호VS의 “H”레벨에 의해 온된다.In the period T 2 , the FET Q2 is turned off in the same manner as the period T 2 shown in FIG. The charge accumulated in the capacitive load and the input capacitance during the period T 1 is discharged to the "L" level (0 V) side of the high-voltage pulse-shaped drain voltage V IN through the parasitic diode of the FET Q2. At this time, the holding input signal V S shown in Fig. 8 is applied to the gate G input terminal 702 of the FET Q3 functioning as the voltage holding element in order to fix the potential of the source S side. FET Q3 is turned on by the "H" level of the input signal V S maintained.

이것에 의해, FET Q3의 드레인의 전위VOUT가 0V로 유지된다. 따라서, 제8도에 도시한 바와 같이 FET Q2의 소오스S의 전위VOUT는 “L”레벨(0V)로 고정유지된다. 이상, FET Q2로서 N채널 FET를 사용하여 설명했지만, 전압유지회로와 마찬가지로 P채널 FET를 사용해도 좋다. 또, 마찬가지로 다이오드가 병렬로 접속된 트랜지스터(NPN 또는 PNP) 뿐만 아니라 FET를 사용해도 좋다.As a result, the potential V OUT of the drain of the FET Q3 is maintained at 0V. Therefore, as shown in Fig. 8, the potential V OUT of the source S of the FET Q2 is held at the "L" level (0 V). As described above, the N-channel FET is used as the FET Q2. However, the P-channel FET may be used as well as the voltage holding circuit. Similarly, FETs may be used as well as transistors (NPN or PNP) in which diodes are connected in parallel.

제9도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 회로도이다. 제1도에 도시한 회로에 있어서 FET Q2가 소오스의 고전압측의 신호에 의해 전환되는데 반해, 본 발명의 회로에 있어서 FET Q2는 접지전위측의 신호에 의해 전환된다. 저항R 및 제너다이오드는 제1도에서 설명한 것과 동일한 기능을 갖는다.FIG. 9 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. In the circuit shown in Fig. 1, the FET Q2 is switched by the signal on the high voltage side of the source, whereas the FET Q2 in the circuit of the present invention is switched by the signal on the ground potential side. The resistor R and the zener diode have the same functions as those described in Fig.

P채널 FET Q3은 제1도에 도시한 트랜지스터Q1과 같이 단지 전류Io를 흘려보내는 소자로서, 이 소자는 상기한 FET Q3과 함께 전류미러회로를 구성하는 P채널 FET Q4 및 N채널 FET Q5에 의해서 저전압의 전원전압VPD와 접지전위 사이의 신호전압에 의해 제어되도록 레벨시프트되어 구동된다.The P-channel FET Q3 is a device for flowing only a current Io like the transistor Q1 shown in FIG. 1. This device is composed of a P-channel FET Q4 and an N-channel FET Q5 constituting a current mirror circuit together with the FET Q3 Shifted so as to be controlled by the signal voltage between the power supply voltage V PD of the low voltage and the ground potential.

또, 인가된 드레인전압VIN은 제2도에 도시한 것과 동일한 파형을 갖는다. (901)은 N채널 FET Q5를 구동하는 신호회로이다. 예를 들어, 이것은 시프트레지스터회로 및 래치회로를 포함하며, 직렬로 입력된 영상신호를 병렬신호로 변환하여 신호를 병렬로 출력하는 기능을 갖는다. 이 신호회로의 전원전압은 저전압의 전원전압VDD이다In addition, the applied drain voltage V IN has the same waveform as that shown in Fig. And reference numeral 901 denotes a signal circuit for driving the N-channel FET Q5. For example, it includes a shift register circuit and a latch circuit, and has a function of converting a video signal input in series into a parallel signal and outputting the signal in parallel. The power supply voltage of this signal circuit is the low-voltage power supply voltage V DD

후술하겠지만, 이 회로에서는 출력전압VOUT가 접지전압 이하의 값으로 낮아지더라도 부품 분리용 PN접합이 순방향으로 바이어스되지 않도록 PN접합 분리용 반도체층을 접지전압보다 낮은 전압으로 설정한다.As will be described later, in this circuit, the PN junction separation semiconductor layer is set to a voltage lower than the ground voltage so that the component separating PN junction is not biased in the forward direction even if the output voltage V OUT is lowered to a value equal to or lower than the ground voltage.

제9도의 다이오드Dl은 출력전압VOUT가 접지전위 이상으로 떨어지지 않도록 마련된다The diode Dl in FIG. 9 is provided so that the output voltage V OUT does not fall above the ground potential

제10도는 제9도에 도시한 회로에 사용가능한 부전압회로의 구성예를 도시한 도면이다. 이 회로는 커패시터C2에 인가되는 클럭신호VCLK와 이 클럭신호VCLK를 인가하는 것에 의해 얻어지고 P채널 FET Q7과 N채널 FET Q6으로 구성된 인버터회로에 의해 다이오드D2의 캐소드측으로 반전되는 신호를 사용해서, 부품 분리용 P도전형 반도체층의 전압을 차지펌프 원리에 따라서 약 7V만큼 접지전압보다 낮게 할 수 있다.FIG. 10 is a view showing a configuration example of a negative voltage circuit usable in the circuit shown in FIG. 9; FIG. This circuit includes a clock signal V CLK applied to the capacitor C 2 and a signal obtained by applying this clock signal V CLK and inverted to the cathode side of the diode D2 by an inverter circuit composed of a P-channel FET Q7 and an N-channel FET Q6 The voltage of the P-conductivity type semiconductor layer for separating parts can be made lower than the ground voltage by about 7 V in accordance with the charge pump principle.

제11도는 본 발명의 다른 실시예의 회로도이고, 제12도는 그의 동작파형을 도시한 도면으로서, VIN은 펄스입력전압, VOUT는 출력전압, VC는 스위치제어전압, VH는 고전압회로의 전원전압, VDD는 저전압회로(논리회로)의 전원전압이다. Q2는 전환용 N채널 MOS트랜지스터이고, Q3은 차단모드 또는 도통모드로 되도록 스위치를 제어하기 위해 배치된 N채널 MOS트랜지스터이다. D는 MOS트랜지스터 Q2의 소오스전압이 하강할 때 접지의 전류경로로서 기능하는 다이오드이다. 또, 이것은 MOS트랜지스터의 게이트를 보호하는 역할도 한다. Q1은 공핍형 P채널 MOS트랜지스터이다.First and the other exemplary circuit diagram of the present invention turns 11 a diagram showing its operation waveform claim 12 degrees, V IN is a pulse input voltage, V OUT is the output voltage, V C is the switching control voltage, V H is the high voltage circuit V DD is the power supply voltage of the low-voltage circuit (logic circuit). Q2 is an N-channel MOS transistor for switching, and Q3 is an N-channel MOS transistor arranged to control the switch to be in a cutoff mode or a conduction mode. D is a diode functioning as a current path of the ground when the source voltage of the MOS transistor Q2 falls. This also protects the gate of the MOS transistor. Q1 is a depletion type P-channel MOS transistor.

이하, 제11도에 도시한 회로의 동작모드에 대해서 제12도를 사용해서 설명한다. 스위치를 도통모드로 하고 제어전압Vc를 “L”레벨로 하는 것에 의해, 공핍형 MOS트랜지스터에서 MOS 트랜지스터Q2의 게이트로 전류가 공급된다. 그 때문에, 전압펄스가 입력단자VIN에 인가되면 소오스전압(출력전압VOUT)이 상승하고 드레인전압(입력전압VIN)이 상승한다. 또, 입력전압VIN이 하강하면, MOS트랜지스터Q2의 기판과 드레인 사이에 존재하는 기생다이오드가 정방향으로 바이어스되므로, 출력전압VOUT도 하강한다. 즉, 입력전압펄스를 출력측으로 흐르게 할 수 있다. 한편, 스위치를 차단모드로 하고 제어전압Vc를 “H”레벨로 하는 것에 의해, MOS트랜지스터Q3은 MOS트랜지스터Q2의 소오스와 게이트를 접지레벨로 유지하는 전류를 흡수하여 MOS트랜지스터를 오프상태로 한다. 그 때문에, 전압펄스가 입력단자VIN에 인가되어도 소오스전압(출력전압VOUT)은 상승하지 않고 드레인전압(입력전압VIN)은 상승한다. 즉, 입력전압펄스가 출력측으로 흐르지 않도록 차단할 수 있다.The operation modes of the circuit shown in FIG. 11 will be described below with reference to FIG. 12. FIG. Current is supplied from the depletion type MOS transistor to the gate of the MOS transistor Q2 by setting the switch to the conduction mode and setting the control voltage Vc to the " L " level. Therefore, when the voltage pulse is applied to the input terminal V IN , the source voltage (output voltage V OUT ) rises and the drain voltage (input voltage V IN ) rises. When the input voltage V IN falls, the parasitic diode existing between the substrate and the drain of the MOS transistor Q 2 is biased in the forward direction, so that the output voltage V OUT also falls. That is, the input voltage pulse can be made to flow to the output side. On the other hand, by setting the switch to the cut-off mode and setting the control voltage Vc to the "H" level, the MOS transistor Q3 absorbs the current which keeps the source and gate of the MOS transistor Q2 at the ground level and turns off the MOS transistor. Therefore, even when the voltage pulse is applied to the input terminal V IN , the source voltage (output voltage V OUT ) does not rise and the drain voltage (input voltage V IN ) rises. That is, it is possible to prevent the input voltage pulse from flowing to the output side.

제11도에 있어서 스위칭 MOS트랜지스터Q2로서 다이오드가 병렬로 접속되어 있는 NPN트랜지스터나 절연게이트형 바이폴라 트랜지스터를 사용해도 좋다.In Fig. 11, an NPN transistor or an insulated gate bipolar transistor in which diodes are connected in parallel may be used as the switching MOS transistor Q2.

본 발명에서는 드레인 전위의 상승시에 게이트 전위도 상승시키는 수단으로서 드레인과 게이트 사이에 공핍형 MOS트랜지스터나 접합게이트형의 공핍형 트랜지스터를 배치하고 있다. 이 때문에, MOS트랜지스터의 게이트와 소오스 사이의 전압과는 거의 관계없이 정전류를 공급할 수 있다는 이점이 얻어진다. 또한, 본 발명에서는 P채널 공핍형 MOS트랜지스터를 사용했지만, 게이트와 소오스가 접속되어 있는 N채널 공핍형 MOS트랜지스터를 사용하더라도 동일한 효과가 얻어 진다In the present invention, a depletion type MOS transistor or a junction gate type depletion type transistor is disposed between a drain and a gate as means for raising the gate potential at the time of rising of the drain potential. This provides an advantage that a constant current can be supplied regardless of the voltage between the gate and the source of the MOS transistor. Although the present invention uses a P-channel depletion type MOS transistor, the same effect can be obtained even when an N-channel depletion type MOS transistor having a gate and a source connected thereto is used

제13도는 본 발명의 다른 실시예의 회로도이다. 본 실시예에 있어서, 저항R은 드레인 전위의 상승시에 게이트 전위를 상승시키는 수단으로서 사용된다. 다결정 실리콘으로 이루어지는 저항은 기생용량이 적고, 최대 인가전압을 용이하게 실현할 수 있어 본 실시예의 저항에 적합하다.FIG. 13 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention. FIG. In this embodiment, the resistance R is used as means for raising the gate potential at the time of rising of the drain potential. The resistor made of polycrystalline silicon has a small parasitic capacitance and can easily realize the maximum applied voltage, which is suitable for the resistance of this embodiment.

제14도는 본 발명의 또 다른 실시예의 회로도이다. 본 실시예에 있어서, 커패시터C는 드레인 전위의 상승시에 게이트 전위를 상승시키는 수단으로서 사용된다. 그 때문에, 본 실시예는 MOS트랜지스터Q2를 온시키는 구동전류를 제11도 및 제13도에 도시된 실시예에 비해 감소시킬 수 있다는 이점이 있다.FIG. 14 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention. FIG. In this embodiment, the capacitor C is used as a means for raising the gate potential at the time of rising of the drain potential. Therefore, this embodiment has an advantage that the driving current for turning on the MOS transistor Q2 can be reduced as compared with the embodiment shown in Figs. 11 and 13.

제15도는 본 발명의 또 다른 실시예의 회로도이다. 본 실시예에 있어서, 다이오드D2는 드레인 전위의 상승시에 게이트 전위를 상승시키는 수단으로서 사용된다. 본 실시예의 경우, 다이오드D2는 제14도에 도시한 실시예의 커패시터로서 사용된다. 다이오드를 사용하는 경우에는 게이트와 드레인 사이의 고전압을 용이하게 사용할 수 있으므로 고전압 입력펄스를 처리할 수 있다는 이점이 있다.FIG. 15 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention. FIG. In this embodiment, the diode D2 is used as a means for raising the gate potential at the time of rising of the drain potential. In the case of this embodiment, the diode D2 is used as the capacitor of the embodiment shown in FIG. In the case of using a diode, there is an advantage in that a high voltage between a gate and a drain can be easily used, so that a high-voltage input pulse can be processed.

제16도는 제9도의 다이오드Dl과 FET Q2가 집적회로내에 형성되어 있는 상태를 도시한 단면도이다. 상술한 바와 같이, 다이오드Dl은 출력전압VOUT가 접지전압 이하의 값으로 낮아지는 것을 방지하는 유지회로로서 기능한다. 제16도에 도시한 회로에 있어서, 부품 분리용 P도전형 반도체층(1003), (1006)의 전위는 출력전압VOUT가 접지전압 이하로 낮아지더라도 부품 분리용 PN접합((1003)과 (1004) 사이)이 순방향으로 바이어스되지 않도록 접지전압 이하의 값으로 설정된다.FIG. 16 is a cross-sectional view showing a state in which the diode D1 and the FET Q2 of FIG. 9 are formed in the integrated circuit. As described above, the diode Dl functions as a holding circuit for preventing the output voltage V OUT from becoming lower than the ground voltage. In the circuit shown in Fig. 16, the potentials of the P-conductivity-type semiconductor layers 1003 and 1006 for component separation are the same as the potentials of the component-isolating PN junctions 1003 and 1003 even when the output voltage V OUT becomes lower than the ground voltage (Between the ground terminal 1004) is set to a value equal to or lower than the ground voltage so as not to be biased in the forward direction.

더욱 상세하게 설명하면, 본 도면은 제9도 및 제10도에 도시한 VSUB의 접속점을 나타내는 반도체장치의 단면도로서, 전원의 배선을 개략적으로 도시한 도면이다. 본 도면에 도시한 반도체장치의 구조는 반도체소자를 P도전형 확산층(1006)에 의해 P도전형 반도체기판(1003)에서 분리한 구조이다. 본 도면의 좌측은 종형의 MOS트랜지스터를 도시한 도면으로서, 여기에서 N도전형 확산층(1011)은 소오스, P도전형 확산층(1010)은 기판, N도전형 회산층(1007) 및 N도전형 매립층(1004)는 드레인이다. 한편, 우측은 제9도에 도시한 다이오드Dl의 단면도로서, P도전형 확산층(1010)이 애노드, N도전형 확산층(1005), (1004) 및 (1007)은 캐소드이다.More specifically, this drawing is a cross-sectional view of a semiconductor device showing a connection point of V SUB shown in FIG. 9 and FIG. 10, and schematically shows a wiring of a power source. The structure of the semiconductor device shown in this figure is a structure in which a semiconductor element is separated from a P-conductivity type semiconductor substrate 1003 by a P-conductivity type diffusion layer 1006. The N conductive type diffusion layer 1011 is a source, the P conductive type diffusion layer 1010 is a substrate, an N conductive type recycling layer 1007, and an N conductive type buried layer 1007. In this case, (1004) is a drain. On the other hand, the right side is a cross-sectional view of the diode D1 shown in Fig. 9, in which the P conductive type diffusion layer 1010 is the anode, and the N conductive type diffusion layers 1005, 1004 and 1007 are cathodes.

본 반도체장치의 단면도 그자체는 주지인 바와 같다. 그러나, 본 구조의 특징은 부품 분리용 P도전형 반도체층(1006), (1003)의 전위가 접지전압과 동일하지 않고 VSUB로서 기능하는 VL2만큼 접지전압보다 낮은 값으로 설정되는 것이다. 예를 들면, 출력전압VOUT는 접지전압 이하로 낮아지고, 이것은 제10도에 도시한 우측의 다이오드의 캐소드영역((1005), (1004), (1007))이 접지전압 이하로 낮아지는 것을 의미한다.The sectional view of the present semiconductor device itself is well known. However, a feature of this structure is that the potential of the P-conductivity-type semiconductor layers 1006 and 1003 for component separation is set to a value lower than the ground voltage by V L2, which is not equal to the ground voltage but functions as V SUB . For example, the output voltage V OUT becomes lower than the ground voltage, which means that the cathode region (1005, 1004, 1007) of the diode on the right side shown in FIG. 10 is lowered below the ground voltage it means.

종래 방식의 경우에 있어서는 P도전형 반도체기판의 전위를 접지전압으로 설정하는 경우 P도전층(1003)과 상기한 캐소드영역 사이의 PN이 순방향으로 바이어스된다. 따라서, 부품 분리용 P도전형 반도체층(1003)을 통해서 전류가 흘러 인접하는 소자간에 존재하는 기생 바이폴라 트랜지스터가 온상태로 되어 오동작이 발생한다는 문제가 있었다. 이러한 문제는 본 발명의 구조에 의해 방지할 수 있다.In the conventional method, when the potential of the P conductivity type semiconductor substrate is set to the ground voltage, the PN between the P conductive layer 1003 and the cathode region is biased in the forward direction. Accordingly, there is a problem that a current flows through the P-conductivity-type semiconductor layer 1003 for part separation, and the parasitic bipolar transistor existing between the adjacent elements is turned on and malfunction occurs. This problem can be prevented by the structure of the present invention.

또, 기판에 대한 접합용량 즉 제10도에 도시한 예에 따르면 MOS트랜지스터의 드레인영역(1004)와 기판(1003) 사이의 용량이 저감되어 PN접합에 의해 분리된 소자를 고속으로 구동할 수 있다는 효과도 얻어진다.According to the junction capacitance with respect to the substrate, that is, the example shown in FIG. 10, the capacitance between the drain region 1004 of the MOS transistor and the substrate 1003 is reduced and the element separated by the PN junction can be driven at high speed Effect is also obtained.

부품 분리용 P도전형 반도체층의 전압을 VL2만큼 접지전압보다 낮은 값으로 설정하기 위해서는 외부전원을 사용해야 한다. 그러나, 제10도에 도시한 바와 같은 부전압회로를 사용하는 것에 의해, 외부의 부전압원을 전혀 사용하지 않고도 부품 분리용 P도전형 반도체층의 전압VSB를 얻을 수 있게 된다.An external power source must be used to set the voltage of the P-conductivity-type semiconductor layer for component separation to a value lower than the ground voltage by V L2 . However, by using the negative voltage circuit as shown in FIG. 10, the voltage V SB of the P-conductivity-type semiconductor layer for component separation can be obtained without using any external negative voltage source.

제17도는 상기한 반도체장치의 기판전압을 인가하는 방법에 의한 다른 실시예를 도시한 단면도로서, 전원의 배선도이다.FIG. 17 is a cross-sectional view showing another embodiment by a method of applying a substrate voltage of the above-described semiconductor device, which is a wiring diagram of a power source.

본 도면에 도시한 반도체장치는 N도전형 기판이 드레인으로서 기능하는 종형 MOS트랜지스터(도면의 좌측)와 제10도의 좌측에 도시한 것과 마찬가지로 부품의 분리가 P도전형 에피텍셜층(1002)와 P도전형 확산층(1006)에 의해 실행되는 구조를 갖는 종형 MOS트랜지스터가 공존하는 반도체장치이다. 또한, 본 도면은 기판전압을 인가하는 방법을 도시한 도면이다.The semiconductor device shown in this figure is a semiconductor device in which the components are separated from the P-conductivity type epitaxial layer 1002 and the P-type epitaxial layer 1002 similarly to the vertical MOS transistor (left side of the drawing) Type MOS transistor having a structure to be implemented by the conductive diffusion layer 1006 coexist. This figure is a diagram showing a method of applying a substrate voltage.

본 도면에 있어서, 상기한 바와 같이 P도전형 에픽텍셜층(1002)와 P도전형 반도체층이 부품 분리용 P도전형 반도체층으로서 기능하므로, 이 영역의 전위가 접지전압 이하의 값으로 설정되도록 배선이 실시된다. 본 구성예에 있어서는 N도전형 층(1000)이 컬렉터로서 기능하고, P도전형층 (1002)는 베이스로서 기능하며, N도전형 층(1004)는 에미터로서 기능하는 기생 바이폴라 트랜지스터가 작동하기 쉽다.In the figure, as described above, since the P conductive type epitaxial layer 1002 and the P conductive type semiconductor layer function as the P conductive type semiconductor layer for component separation, the potential of this region is set to a value equal to or lower than the ground voltage Wiring is performed. In this constitutional example, the N-conductivity type layer 1000 functions as a collector, the P-conductivity type layer 1002 functions as a base, and the N-conductivity type layer 1004 easily operates as a parasitic bipolar transistor functioning as an emitter .

상술한 바와 같이, 통상 PN접합 분리형 반도체 집적회로장치내에서 부품분리를 위해 사용된 P도전형 반도체의 전위를 접지전압 이하로 낮게 하면, 부하의 상태에 따라 출력단자의 전위가 접지전압 이하로 낮아지더라도 부품 분리용 PN접합이 순방향으로 바어이스되어 기생소자가 온상태로 되고 오동작이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 또 부품을 분리하기 위해 사용된 P도전형 반도체층의 전위를 더 낮은 값으로 설정하는 것에 의해 소자를 고속으로 구동할 수 있다는 효과도 얻어진다.As described above, when the potential of the P-conductivity-type semiconductor used for component isolation in the PN junction-isolated semiconductor integrated circuit device is lowered to the ground voltage or lower, the potential of the output terminal is lowered to the ground voltage or lower It is possible to prevent the parasitic element from being turned on and causing a malfunction, and the potential of the P-conductivity-type semiconductor layer used for separating the components can be set to a lower value It is possible to obtain an effect that the element can be driven at a high speed.

다음에, 표시장치에 본 발명의 스위칭회로를 사용하는 예에 대해서 제18도 및 제19도를 사용해서 설명한다. 본 실시예에서 있어서는 용량성 부하의 예로서 방전셀을 사용한다Next, an example of using the switching circuit of the present invention in a display device will be described with reference to FIGS. 18 and 19. In this embodiment, a discharge cell is used as an example of the capacitive load

영상신호에 의해 방전셀을 구동하는 경우, 방전셀은 제18도에 도시된 바와 같이 상하로 배열되고, 영상신호는 그의 전극에 인가된다. 본 실시예에 사용되는 방전셀중의 하나는 제18도에 도시한 바와 같이 3전극구성을 갖고, 애노드전극A, 캐소드전극K 및 서브애노드전극SA로 구성된다. 이하, 본 실시예에 있어서 방전셀이 3×3으로 배열되어 있는 경우에 대해서 설명한다.When the discharge cell is driven by the video signal, the discharge cells are arranged up and down as shown in FIG. 18, and the video signal is applied to the electrodes thereof. One of the discharge cells used in this embodiment has a three-electrode structure as shown in FIG. 18, and is composed of an anode electrode A, a cathode electrode K, and a sub anode electrode SA. Hereinafter, a case where the discharge cells are arranged in 3 x 3 in this embodiment will be described.

표시장치의 기본구성은 애노드A를 구동하는 애노드 구동시스템, 캐소드전극K에 인가되는 신호를 발생하는 주사신호 발생블럭(614) 및 서브애노드전극SA에 인가되는 표시신호를 발생하는 표시신호 발생블럭(613)으로 구성된다. 여기에서, 애노드구동시스템은 고전압펄스VTP(VIN과 동일 파형)를 발생하고 그 때 전력을 회수하는 전력회수회로(600), 애노드전극용 선의 각각으로 공급하기 위한 펄스분배기능을 갖는 스위칭회로군(60) 및 펄스분배신호를 공급하는 펄스게이트 발생회로(615)로 구성된다.The basic structure of the display device includes an anode driving system for driving the anode A, a scanning signal generating block 614 for generating a signal to be applied to the cathode electrode K, and a display signal generating block (for generating a display signal applied to the sub- 613). Here, the anode driving system includes a power recovery circuit 600 for generating a high-voltage pulse V TP (the same waveform as V IN ) and recovering power at that time, a switching circuit having a pulse distribution function for supplying each of the lines for the anode electrode And a pulse gate generation circuit 615 for supplying a pulse distribution signal.

통상, 용량부가를 구동하는 경우, 회로의 부하용량 및 표유용량이 고전압펄스의 상승시에 충전되므로, 일시적 전류가 흐른다. 한편, 고전압펄스의 하강시에는 상기한 용량내에 축적된 전하가 방전되므로, 일시적 전하가 흐른다. 방전셀은 부하로서 용량성 부하를 구성하므로, 일시적 전류가 흘러 전력손실이 매우 크다.Normally, when the capacitive loading is driven, the load capacity and the table usable amount of the circuit are charged at the rise of the high voltage pulse, so that a temporary current flows. On the other hand, when the high voltage pulse falls, the charges accumulated in the above-mentioned capacity are discharged, so that a temporary charge flows. Since the discharge cell constitutes a capacitive load as a load, a temporary current flows and a power loss is very large.

표시장치내에서 소비되는 전력을 저감하기 위해서는 상술한 바와 같이 일반적으로 전력회수회로를 사용한다. 여기에서, 전력회수회로는 코일, 커패시터 및 스위칭소자로 이루어지는 회로로서, 전하를 저항내에서는 소비하지 않고 상기한 커패시터내에 축적한다.In order to reduce the power consumed in the display device, the power recovery circuit is generally used as described above. Here, the power recovery circuit is a circuit comprising a coil, a capacitor, and a switching element, and stores the charge in the capacitor without consuming it in the resistor.

높은 효율로 전력을 회수하기 위해서는 전력회수회로를 배치하고 고전압신호를 애노드전극A의 각각에서 회수하거나 애노드전극A의 각각으로 분배해야 한다. 이를 위해, 양방향에서 고전압신호를 회수하고 분배할 수 있는 펄스분배기가 필요로 된다. 본 발명에 따른 상기한 스위치는 이하에 기술하는 바와 같이 상기 목적을 위해 사용할 수 있다.In order to recover the power with high efficiency, a power recovery circuit should be disposed and a high voltage signal must be collected at each of the anode electrodes A or distributed to each of the anode electrodes A. To this end, a pulse splitter is needed that is capable of recovering and distributing high voltage signals in both directions. The above-described switch according to the present invention can be used for the above-described purpose as described below.

제18도에 도시한 구성예에 있어서는 애노드전극A에 인가된 신호의 전력을 저감하기 위해 전력회수회로를 사용하고 그의 다음단에 스위칭회로군을 배치하고 있다. 이하, 영상신호에 의해 방전셀을 온하는 경우에 대해서 상세하게 설명한다.18, a power recovery circuit is used to reduce the power of a signal applied to the anode electrode A, and a switching circuit group is disposed at the next stage. Hereinafter, the case where the discharge cell is turned on by the video signal will be described in detail.

영상신호에 의해 방전셀을 온시키는 경우, 일반적으로 기간을 변화시키면서 휘도를 표시하는 방법 예를 들면 필드타임(field time)내의 시분할법이 사용된다. 이러한 방법에 의해, 1필드가 예를 들어 7개의 소트기간으로 분할되고, 기간의 비율은 20: 21: 22: 23: 24: 25: 26(0∼6비트)로 설정된다. 7개의 소트기간을 조합하는 것에 의해 27= 128의 그레이레벨을 표시할 수 있다.When a discharge cell is turned on by a video signal, a method of displaying luminance while changing a period is generally used, for example, a time division method within a field time is used. To 26 (0 to 6 bits): By this method, one field is for example divided into seven sort period, the ratio of the duration of 2 0: 2 1: 2 2: 2 3: 2 4: 2 5 Respectively. By combining seven sort periods, 2 7 = 128 gray levels can be displayed.

제19도는 이 방법에 따른 타임도이다. 방전셀을 온시키기 위해서는 해당전압을 애노드전극A에 인가해야 한다. 또, 휘도정보를 나타내기 위해서는 방전을 유지하는 타운젠트펄스VT를 애노드전극A로 인가할 필요가 있다. 타운젠트펄스의 수는 상기한 필드타임내의 시간분할에 따라서 지정된다.FIG. 19 is a time diagram according to this method. The corresponding voltage must be applied to the anode electrode A to turn on the discharge cell. Further, in order to display the luminance information, it is necessary to apply the towngene pulse V T holding the discharge to the anode electrode A. The number of townsent pulses is specified according to the time division within the field time described above.

제19도는 상기한 지정기간을 나타내는 파형VAT1∼VAT3을 도시한 도면이다. 여기에서는 1필드내의 0H~24H를 나타낸다. 여기에서, 1H는 63. 5×10-6sec에 상당한다.FIG. 19 is a diagram showing waveforms V AT1 to V AT3 showing the above-mentioned designation period. Here, it represents a 0 H ~ 24 H in the first field. Here, 1 H corresponds to 63.5 × 10 -6 sec.

이하, 제19도의 기간TD에 대해서 설명한다.Hereinafter, the period T D of FIG. 19 will be described.

이 기간에 있어서, 제18도에 도시한 방전셀은 2비트정보(제19도의 b2)가 온되는 상태로 된다. 즉, 에노드전극A의 제1열의 Al은 VA1에 의해 선택상태로 설정되고, 펄스전압VSl(70)이 서브애노드전극SA의 제1행SA1에 인가되aus 방전셀(604)는 온된다. 그러나, 제1열의 Kl에 인가된 펄스전압VK1을 캐소드전극K에 인가해야 한다.In this period, the discharge cell shown in FIG. 18 is in a state in which 2-bit information (b2 in FIG. 19) is turned on. That is, the Al of the first row of the node electrode A is set to the selected state by V A1 , the pulse voltage V Sl (70) is applied to the first row S A1 of the sub anode SA, and the aus discharge cell 604 Is turned on. However, the pulse voltage VK1 applied to the first column, Kl, must be applied to the cathode electrode K.

상기 수순을 제19도에 도시한 타이밍도에 따라서 제2행 및 제2열, 제3행 및 제3열 등에도 상기와 마찬가지의 방법으로 실행하면, 방전셀(604), (605), (606), (608) 및 (611)은 서브애노드SA의 인가펄스전압(71), (72), (73), (74), 애노드전극A의 전압펄스열 VT1, VT2, VT3및 캐소드K의 전압펄스열VKll, VK2l, VK3l에 의해 온된다. 이 상태는 제18도에 있어서 빗금으로 표시한다.If the above procedure is performed in the second row and the second column, the third row and the third column, etc. in the same manner as described above according to the timing chart shown in FIG. 19, the discharge cells 604, 605, 606, 608 and 611 are the application pulse voltages 71, 72, 73, 74 of the sub-anode SA, the voltage pulse train V T1 , V T2 , V T3 of the anode electrode A, K by the voltage pulse strings V Kll , V K2l , and V K3l . This state is indicated by a hatched line in FIG.

표시신호 발생블럭(613)은 화상의 휘도신호에 응답해서 전압펄스VSl, VS2및 VS3을 발생한다. 한편, 주사신호 발생블럭(614)는 캐소드전극K의 다른 행에 인가되는 전압펄스VK1, VK2및 VK3을 발생한다. 또, 제19도의 전압펄스VA1, VA2및 VA3은 펄스게이트 발생회로(615)에서 발생된다. 전력회로(600)은 제19도의 고전압펄스(VTP는 VIN과 동일)의 발생 및 전력회수를 실행한다.The display signal generating block 613 generates voltage pulses V S1 , V S2 and V S3 in response to the luminance signal of the image. On the other hand, the scan signal generating block 614 generates voltage pulses V K1 , V K2 and V K3 applied to the other row of the cathode electrode K. The voltage pulses V A1 , V A2 and V A3 in FIG. 19 are generated in the pulse gate generating circuit 615. The power circuit 600 performs generation and power recovery of the high voltage pulses (V TP equal to V IN ) of FIG. 19.

스위칭펄스군(60)은 펄스게이트의 펄스VA1∼VA3에 응답해서 전력수회로(600)에서 순차 전송되어 오는 펄스열VTP를 추출하고 타운젠트펄스VT1∼VT3을 얻는다. 스위칭회로군(60)내의 스위칭회로(601)은 전력회수회로(600)에서 단자(62)를 거쳐서 고전압펄스VTP를 수신함과 동시에 펄스게이트신호 발생회로의 제어선Cl상의 펄스게이트신호를 단자(61)을 통해서 수신한다. 그리고, 고전압펄스VTP를 도통시킬지 차단시킬지의 제어를 실행하고, 출력선Al상의 타운젠트펄스 VAT1을 출력한다.The switching pulse group 60 extracts the pulse train V TP sequentially transmitted from the power number circuit 600 in response to pulses V A1 to V A3 of the pulse gates and obtains the town segment pulses V T1 to V T3 . The switching circuit 601 in the switching circuit group 60 receives the high voltage pulse V TP from the power recovery circuit 600 via the terminal 62 and simultaneously outputs the pulse gate signal on the control line Cl of the pulse gate signal generation circuit to the terminal 61). Then, control is performed to turn on or off the high voltage pulse V TP , and the town pulse V AT1 on the output line Al is output.

스위칭회로군(60)내의 스위칭회로(602), (603)도 동일한 방식으로 동작한다.The switching circuits 602 and 603 in the switching circuit group 60 also operate in the same manner.

그 결과, 제19도에 도시한 상기 파형이 애노드전극A 및 캐소드전극K에 인가된다. 이렇게 해서, 서브애노드전극SA에 인가된 신호에 응답해서 선택된 방전셀이 온되어 표시장치상의 화상을 재생할 수 있게 된다.As a result, the waveforms shown in FIG. 19 are applied to the anode electrode A and the cathode electrode K, respectively. In this way, the discharge cell selected in response to the signal applied to the sub anode electrode SA is turned on, so that the image on the display device can be reproduced.

전력회수회로는 인덕터를 필요로 하기 때문에 집적회로를 형성하는 것이 일반적으로 곤란하고, 또 IC의 형태로 애노드 구동회로를 제조할 때에는 모든 애노드전극에 대해 전력회수회로를 배치해야 하므로 바람직하지 않다. 이에 대해, 본 발명에 의한 스위칭회로를 배치하면, 1개의 전력회수회로만으로 충분하므로, IC의 형태로 애노드구동회로를 더 용이하게 제조할 수 있다.Since the power recovery circuit requires an inductor, it is generally difficult to form an integrated circuit, and when the anode driver circuit is manufactured in the form of an IC, a power recovery circuit must be disposed for all the anode electrodes. On the other hand, when the switching circuit according to the present invention is arranged, since only one power recovery circuit is sufficient, it is possible to manufacture the anode driving circuit more easily in the form of an IC.

또, 상술한 실시예에서는 표시소자로서 방전셀을 사용하여 설명했지만, 본 발명에 의한 스위칭회로는 펄스전압을 순차 간헐적으로 인가하는 방법에 의해 구동되는 예를 들어 액정, EL(전계발광)에 의해 구성되는 패널 등의 다른 표시소자의 구동용으로서도 사용할 수 있다.Although the discharge cell is used as a display element in the above-described embodiment, the switching circuit according to the present invention is not limited to the liquid crystal and EL (electroluminescence) driven by a method of sequentially applying pulse voltages intermittently And can also be used for driving other display elements such as a panel.

상기 실시예에서는 고전압의 정펄스신호의 도통 및 차단을 제어하는 스위치회로에 대해서 설명했지만, 이하에서는 고전압의 부펄스신호의 도통 및 차단을 제어하는 스위치의 예에 대해서 설명한다.In the above embodiment, the switch circuit for controlling conduction and interruption of the high-voltage positive pulse signal has been described. Hereinafter, an example of the switch for controlling conduction and interruption of the high-voltage negative pulse signal will be described.

제20도는 본 발명의 1실시예를 도시한 회로도로서, Q2는 n채널 MOS트랜지스터이고, 그의 소오스는 기판과 접속되어 있고, 소오스측에는 입력신호전압VIN이 인가되고 또 드레인측에서는 출력신호전압VOUT가 인출된다. Q1은 N채널 MOS트랜지스터로서, 트랜지스터Q2가 강압적으로 오프상태로 되면 전류인출소자로서 사용된다. Dl은 트랜지스터Q2의 게이트를 보호하기 위해 사용되는 다이오드로서, VIN과 VOUT의 전압진폭의 값을 트랜지스터Q2의 게이트 내압 이하로 설정할 수 있다. Dl은 파괴전압이 약 5∼30V인 제너다이오드인 것이 바람직하다. Rl은 트랜지스터Q1을 통해 흐르는 전류의 강도를 억제하기 위해 사용되는 저항으로서, 트렌지스터Q1을 통해 흐르는 전류에 의한 소비전력이 문제로 되지 않는 경우에는 필요없다.20 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, wherein Q2 is an n-channel MOS transistor, its source is connected to a substrate, the input signal voltage V IN is applied to the source side, and the output signal voltage V OUT . Q1 is an N-channel MOS transistor, and when the transistor Q2 is forcibly turned off, it is used as a current sinker. Dl is a diode used to protect the gate of the transistor Q2, and the value of the voltage amplitude of V IN and V OUT can be set to be equal to or lower than the gate breakdown voltage of the transistor Q2. Dl is a Zener diode having a breakdown voltage of about 5 to 30V. Rl is a resistor used for suppressing the intensity of the current flowing through the transistor Q1 and is not necessary when the power consumption by the current flowing through the transistor Q1 is not a problem.

제21도는 제20도에 도시한 회로를 구동하기 위한 방법을 도시한 타이밍도이다. 트랜지스터Q2의 드레인과 기판 사이에 기생다이오드가 존재하고 이 때 드레인은 캐소드로서 기능하고 기판은 애노드로서 기능하므로, 진폭VH를 갖는 입력신호전압VIN이 인가되면 제어신호전압Vc의 상태에 관계없이 VIN이 고전압상태에 있으면 출력신호전압VOUT도 고전압상태로 된다. 입력신호전압VIN이 하강할 때 제어신호전압Vc가 저전압상태(트랜지스터Q1이 오프상태)에 있으면, 전압VX가 유지할 강도를 갖고 있으므로 트랜지스터는 온상태로 되고 출력신호전압VOUT도 하강한다. 그러나, 입력신호전압VIN이 하강할 때 제어신호전압VC가 고전압상태(트랜지스터Q1이 온상태)에 있으면, 트랜지스터Q2가 강제로 오프상태로 되므로 출력신호전압VOUT가 대략 고전압상태를 유지한다. 따라서, 제어신호전압Vc의 값에 따라서 입력신호전압VIN과 출력신호전압VOUT를 도통시키거나 차단시킬 수 있다. 이것에 의해, 스위칭회로는 입력단자VIN을 통해 입력된 입력펄스에 따라서 출력전압의 하강을 제어할 수 있다.FIG. 21 is a timing diagram showing a method for driving the circuit shown in FIG. 20; FIG. Since the parasitic diode exists between the drain of the transistor Q2 and the substrate and the drain functions as a cathode and the substrate functions as an anode, when an input signal voltage V IN having an amplitude V H is applied, regardless of the state of the control signal voltage Vc When V IN is in the high voltage state, the output signal voltage V OUT is also in the high voltage state. If the input signal voltage when the falling V IN control signal voltage Vc is the low voltage state (state where the transistor Q1 off), the voltage V X is because it has to keep strength transistor is in the on state and the falling the output signal voltage V OUT. However, when the control signal voltage V C is in the high voltage state (the transistor Q 1 is in the ON state) when the input signal voltage V IN falls, the transistor Q 2 is forcibly turned off, so that the output signal voltage V OUT maintains a substantially high voltage state . Therefore, the input signal voltage V IN and the output signal voltage V OUT can be conducted or cut off according to the value of the control signal voltage Vc. Thereby, the switching circuit can control the fall of the output voltage in accordance with the input pulse input through the input terminal V IN .

제22도는 제20도에 도시한 회로를 구동하는 방법을 도시한 다른 타이밍도이다. 본 구동방법에 의하면, 출력신호전압을 하강시키기에 바람직하지 않은 기간동안만 제어신호전압Vc가 입력전압신호VIN의 하강과 동기해서 고전압상태로 된다. 이 때문에, 제어신호전압Vc에 의한 트랜지스터Q1에 흐르는 전류의 손실을 저감하여 회로의 소비전력을 저감할 수 있다.FIG. 22 is another timing diagram showing a method for driving the circuit shown in FIG. 20; FIG. According to the present driving method, the control signal voltage Vc is brought into a high voltage state in synchronization with the fall of the input voltage signal V IN only during a period in which it is not desirable to lower the output signal voltage. Therefore, the loss of the current flowing through the transistor Q1 by the control signal voltage Vc can be reduced, and the power consumption of the circuit can be reduced.

제23도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 회로도이다. 본 실시예에서는 제20도에 도시한 실시예의 회로내의 고전압전원VH와 VX부 사이에 용량Cl을 부가하고 있므로, 트랜지스터Q1이 오프상태로 되고 입력신호전압VIN이 하강하면 트랜지스터Q2가 더욱 용이하게 온된다. 본 실시예에서는 용량Cl을 고전압 전원과 VX부 사이에 배치했지만, VX부와 접지 또는 Vc부 등의 사이에 배치해도 동일한 효과가 얻어진다.FIG. 23 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. In this embodiment, since the capacitor Cl is added between the high-voltage power supply V H and the V X portion in the circuit of the embodiment shown in Fig. 20, when the transistor Q1 is turned off and the input signal voltage V IN falls, the transistor Q2 It becomes easier to turn on. In this embodiment, disposed between the high-voltage power supply V X and the unit capacitor Cl, it may be disposed between the X portion and the ground, such as V or Vc part the same effect.

제24도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도이다. 본실시예에서는 다이오드D2를 제20도에 도시한 실시예의 회로내의 다이오드Dl에 부가하고, 전자를 후자와는 반대방향으로 직렬로 접속하고 있다. 그 때문에, 제21도에 도시한 구동방법을 사용하더라도 제어신호전압Vc가 고전압상태에 있으면 트랜지스터Q1을 통해 흐르는 전류의 손실을 배제할 수 있다.FIG. 24 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention. FIG. In this embodiment, the diode D2 is added to the diode D1 in the circuit of the embodiment shown in Fig. 20, and the electrons are connected in series in the opposite direction to the latter. Therefore, even when the driving method shown in FIG. 21 is used, loss of current flowing through the transistor Q1 can be excluded if the control signal voltage Vc is in a high voltage state.

제25도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도이다. 본 발명에 있어서, 저항R2는 제20도에 도시한 실시예의 회로내의 다이오드Dl 대신에 사용된다. 예를 들면, 다결정 실리콘저항이 저항R2로서 사용되는 경우, 다이오드에 비해 점유면적과 기생용량을 저감할 수 있다. 그러나, 저항R2의 저항값이 너무 크면 트랜지스터Q2의 게이트를 보호할 수 없고, 이에 반해 너무 작으면 입력신호전압VIN이 하강할 때 트랜지스터를 온상태로 할 수 없다. 그 때문에, 저항값의 설정에 주의해야 한다FIG. 25 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. In the present invention, the resistor R2 is used instead of the diode D1 in the circuit of the embodiment shown in Fig. 20. For example, when a polycrystalline silicon resistor is used as the resistor R2, the occupied area and the parasitic capacitance can be reduced as compared with the diode. However, if the resistance value of the resistor R2 is too large, the gate of the transistor Q2 can not be protected. On the other hand, if the resistance value of the resistor R2 is too small, the transistor can not be turned on when the input signal voltage VIN falls. Therefore, care must be taken in setting the resistance value

제26도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도이다. 제20도에서 설명한 실시예에 있어서는 출력신호전압VOUT를 유지하려고 해도 입력신호전압VIN이 하강하면 입력신호전압VIN의 전압진폭의 약 10%의 전압강하가 출력신호전압VOUT에 나타나는 한편, 본 발명에 있어서는 전압강하를 방지하고 고전압상태를 유지하기 위해, 2개의 P채널 MOS트랜지스터Q3, Q4가 접속되어 전류미러를 형성하고, N채널 MOS트랜지스터Q5에 의해 트랜지스터Q3에 흐르는 전류가 제어된다. 본 회로를 구동하기 위해 제1제어신호전압VCl과 제2제어신호전압VC2에 의해 제어신호전압VC를 형성하면 제21도 및 제22도에서 설명한 것과 동일한 구동방법을 사용할 수 있다.FIG. 26 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention. FIG. In the embodiment described in FIG. 20, even when the output signal voltage V OUT is maintained, when the input signal voltage V IN falls, a voltage drop of about 10% of the voltage amplitude of the input signal voltage V IN appears on the output signal voltage V OUT In the present invention, two P-channel MOS transistors Q3 and Q4 are connected to form a current mirror in order to prevent a voltage drop and maintain a high voltage state, and a current flowing through the transistor Q3 is controlled by an N-channel MOS transistor Q5 . The same driving method as described in FIGS. 21 and 22 can be used if the control signal voltage VC is formed by the first control signal voltage V Cl and the second control signal voltage V C2 in order to drive the circuit.

제27도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도이다. 본 실시예에서는 P채널 MOS트랜지스터Q6, Q7이 접속되어 전류미러를 형성하고, N채널 MOS트랜지스터Q8은 전류를 트랜지스터Q2의 게이트로 공급하여 온상태로 설정하는 수단으로서 사용된다. 본 실시예에 있어서는 트랜지스터Q2가 온상태로 되는 상태에 있어서 출력신호전압을 상승시킬 수 있으므로, 트랜지스터Q2의 드레인과 기판 사이의 기생다이오드를 바이어스하는 일 없이 순방향으로 구동시킬 수 있다. 그 때문에, 소수캐리어의 어큐뮬레이션에 의해 트랜지스터Q2의 스위칭속도가 저하하는 것을 방지할 수 있다. 또, 트랜지스터Q2를 온상태로 설정할 수 있으므로, 고전압전원VH를 입력신호전압VIN의 최대전압VDH보다 높은 값으로 설정하는 것에 의해, 입력신호전압VIN이 고전압상태로 되더라도 적은 신호를 입력단자VIN에서 출력단자VOUT까지 넓은 전압범위 이상으로 전송할 수 있게 된다. 또, P채널 MOS트랜지스터Q9와 N채널 MOS트랜지스터 Q10이 인버터를 구성하고, 제1제어신호전압VC1과 제3제어신호전압VC3이 접속되어 제어신호전압Vc를 형성하면, 제21도 및 제22도에서 설명한 것과 동일한 방법을 사용할 수 있다.FIG. 27 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention. FIG. In this embodiment, the P-channel MOS transistors Q6 and Q7 are connected to form a current mirror, and the N-channel MOS transistor Q8 is used as a means for supplying a current to the gate of the transistor Q2 and setting it to the ON state. In this embodiment, since the output signal voltage can be raised in the state where the transistor Q2 is turned on, the parasitic diode between the drain of the transistor Q2 and the substrate can be driven in the forward direction without biasing. Therefore, it is possible to prevent the switching speed of the transistor Q2 from lowering due to the accumulation of the minority carriers. In addition, it is possible to set the transistor Q2 in an on state, and by setting to a value higher than the maximum voltage V DH of the high-voltage power supply V to the input signal voltage H V IN, the input signal voltage V IN is, even if a high voltage input to low signal It is possible to transmit over a wide voltage range from terminal V IN to output terminal V OUT . When the P-channel MOS transistor Q9 and the N-channel MOS transistor Q10 constitute an inverter and the first control signal voltage V C1 and the third control signal voltage V C3 are connected to form the control signal voltage Vc, The same method as described in Fig. 22 can be used.

VL은 신호선의 전원전압을 나타낸다.V L represents the power supply voltage of the signal line.

제28도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도이다. 본 발명은 제26도 및 제27도에 도시한 회로기능을 갖는 구성을 갖는다. 고전압의 전원전압VH1과 VH2를 동일레벨로 설정해도 좋고, 고전압의 전원전압중의 하나인 VH2를 다른 하나의 VH1보다 5∼20V정도 높은 값으로 설정하는 것에 의해 입력신호전압VIN이 고전위레벨로 될 때 트랜지스터Q2를 온상태로 설정하는 것도 가능하다. 제3제어신호전압VCl, VC2, VC3이 접속되어 있으면, 제21도 및 제22도에서 설명한 것과 동일한 구동방법을 사용할 수 있다.FIG. 28 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. The present invention has a configuration having the circuit functions shown in FIG. 26 and FIG. 27. A power supply voltage of the high voltage V H1 and V H2 may be set to the same level, by setting one of the power supply voltage of the high voltage V H2 of the 5~20V degree higher than the other of the input signal voltage V IN V H1 It is also possible to set the transistor Q2 to the ON state when it becomes the high potential level. If the third control signal voltages V Cl , V C2 , and V C3 are connected, the same driving method as described in FIGS. 21 and 22 can be used.

제29도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다. 본 실시예는 입력신호전압VIN과 출력신호전압VOUT를 모두 게이트내압 이하의 레벨에서 사용하는 경우에 유효한 스위칭회로를 도시한 것이다.FIG. 29 is a view showing another embodiment of the present invention. This embodiment shows a switching circuit effective when both the input signal voltage V IN and the output signal voltage V OUT are used at a level below the gate breakdown voltage.

제30도는 제29도에 도시한 회로의 참-거짓(true-false)표이다. 제어신호 전압VCON과 입력신호전압VIN이 모두 저전압상태에 있으면, 출력신호전압VOUT는 이전의 출력신호전압VOUT을 유지한다.Figure 30 is a true-false table of the circuit shown in Figure 29. When both the control signal voltage V CON and the input signal voltage V IN are in the low voltage state, the output signal voltage V OUT maintains the previous output signal voltage V OUT .

제31도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도이다. 본 실시예에는 입력신호전압VIN과 출력신호전압VOUT를 모두 게이트내압 이하에서 사용하는 경우에 유효한 스위칭회로를 도시한 것이다.FIG. 31 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. The present embodiment shows a switching circuit effective when both the input signal voltage V IN and the output signal voltage V OUT are used at a gate internal pressure or lower.

제32도는 제31도에 도시한 회로의 참-거짓(true-false)표이다. 제어신호전압VCON과 입력신호전압VIN이 모두 저전압상태에 있으면, P채널 MOS트랜지스터Q3이 온되어 출력신호전압VOUT는 고전압상태로 된다.Figure 32 is a true-false table of the circuit shown in Figure 31. When both the control signal voltage V CON and the input signal voltage V IN are in the low voltage state, the P-channel MOS transistor Q3 is turned on, and the output signal voltage V OUT becomes the high voltage state.

제33도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도이다. 본 실시예는 N채널 MOS트랜지스터Q2를 NPN트랜지스터Q2 및 다이어드DQ1로 치환하고, N채널 MOS트랜지스터Q1을 NPN트랜지스터Q1으로 치환한 스위칭회로를 도시한 것이다. 이것에 의해, 상기 실시예에서 설명한 회로는 MOS트랜지스터Q2를 바이폴라 트랜지스터로 치환하고 다이오드를 병렬로 접속하는 것에 의해 동일한 효과를 갖는 회로를 실현할 수 있다.FIG. 33 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. The present embodiment shows a switching circuit in which an N-channel MOS transistor Q2 is replaced with an NPN transistor Q2 and a diode DQ1, and an N-channel MOS transistor Q1 is replaced with an NPN transistor Q1. Thus, the circuit described in the above embodiment can realize a circuit having the same effect by replacing the MOS transistor Q2 with a bipolar transistor and connecting the diodes in parallel.

제34도는 부의 고전압 입력신호용 스위치의 다른 예를 도시한 도면이다. 스위칭소자Q2는 소오스가 입력신호단자이고 드레인이 출력단자인 P채널 FET이다. 드레인과 게이트 사이에 게이트 바이어스가 인가되고, 또 과도한 전압에 대해 보호하기 위해 다이오드Dl이 접속되어 있다. 트랜지스터Q2의 게이트를 구동하는 회로는 N채널 FET Q1이다. 회로를 제한하는 저항Rl은 FET Q1의 소오스와 접속되어 있다. 이하, 제34도에 도시한 회로의 동작모드를 제35도에 도시한 타이밍도에 따라서 설명한다. VIN은 부의 고전압 입력신호이고, Vc는 제34도에 도시한 트랜지스터Q1을 제어하기 위한 입력신호이다. 입력신호Vc가 “L”레벨이면, 트랜지스터Q1이 오프되므로, 게이트와 소오스 사이에는 전위차가 생기지 않고 트랜지스터Q2는 오프된다. 이 때문에, 입력신호VIN의 전압이 변하면, 출력신호VOUT가 고전위상태로 유지된다. 한편, 제어신호Vc가 “H”레벨로 되면, 트랜지스터Q1은 온된다. 이 때문에, 트랜지스터Q2의 게이트전압이 하강하고 게이트와 소오스 사이에 전압이 인가된다. 이것에 의해, 트랜지스터Q2가 온상태로 되어 제35도에 도시한 바와 같이 출력신호VOUT에 부의 고전압펄스가 발생한다. 여기에서, 다이오드Dl은 트랜지스터Q2의 게이트와 드레인 사이에서 보호용 다이오드로서 기능한다. 제24도에 도시한 2개의 다이오드Dl, D2의 직렬 접속, 제25도에 도시한 저항R2의 접속, 제26도에 도시한 출력전압을 유지하는 기능의 부가 등을 제34도에 도시한 회로에 부가할 수 있으며, 그들은 본 발명에 포함된다.FIG. 34 is a diagram showing another example of a switch for a negative high-voltage input signal. FIG. The switching element Q2 is a P-channel FET in which the source is the input signal terminal and the drain is the output terminal. A gate bias is applied between the drain and the gate, and a diode Dl is connected to protect against excessive voltage. The circuit for driving the gate of the transistor Q2 is an N-channel FET Q1. A resistor Rl that limits the circuit is connected to the source of the FET Q1. Hereinafter, the operation mode of the circuit shown in FIG. 34 will be described with reference to the timing chart shown in FIG. V IN is a negative high voltage input signal, and Vc is an input signal for controlling the transistor Q1 shown in FIG. When the input signal Vc is at the " L " level, the transistor Q1 is turned off, no potential difference is generated between the gate and the source, and the transistor Q2 is turned off. Therefore, when the voltage of the input signal V IN changes, the output signal V OUT is maintained in the high potential state. On the other hand, when the control signal Vc becomes " H " level, the transistor Q1 is turned on. Therefore, the gate voltage of the transistor Q2 falls and a voltage is applied between the gate and the source. As a result, the transistor Q2 is turned on and a negative high voltage pulse is generated in the output signal V OUT as shown in FIG. 35. Here, the diode Dl functions as a protection diode between the gate and the drain of the transistor Q2. The series connection of the two diodes D1 and D2 shown in FIG. 24, the connection of the resistor R2 shown in FIG. 25, the addition of the function of holding the output voltage shown in FIG. 26, And they are included in the present invention.

제36도는 본 발명에 의한 회로구성의 실시예를 도시한 블럭도이다. 본 실시예는 3펄스발생기에서 출력된 펄스가 2이상의 부하의 각각으로 전송되는지의 여부를 본 발명에 따라 스위칭회로SW를 개방 또는 폐쇄하는 것에 의해 판정하는 구성으로 되어 있다. 스위칭회로의 개방 및 폐쇄는 구동회로에 의해 전송된 제어신호전압Vc(1), VC(2)‥‥‥ Vc(N)에 따라서 실행된다. 구동회로는 데이타 입력단자를 거쳐서 입력된 데이타를 클럭신호를 사용하여 시프트레지스터내로 전송하여 직렬-병렬 변환을 실행하고, 그들을 래치신호에 의해 동기화시키면서 동시에 다른 스위칭회로로 제어신호전압으로서 전송하는 기능을 실행한다.FIG. 36 is a block diagram showing an embodiment of a circuit configuration according to the present invention. FIG. The present embodiment is configured to determine whether the pulse output from the 3-pulse generator is transmitted to each of two or more loads by opening or closing the switching circuit SW according to the present invention. Opening and closing of the switching circuit is executed in accordance with a control voltage signal Vc (1), V C ( 2) ‥‥‥ Vc (N) transmitted by the drive circuit. The driving circuit transmits the data input through the data input terminal to the shift register using the clock signal, performs the serial-to-parallel conversion, synchronizes them with the latch signal, and at the same time transfers the data to the other switching circuit as the control signal voltage .

또, 제36도에 도시한 회로는 부하가 용량성인 경우, 전력회수회로를 사용하여 펄스발생회로를 실현할 수 있다(일본국 특허공개공보 소화 61-132997호). 이 때, 펄스발생기에서 부하로 전송된 전력은 부하에서 펄스발생기로 재차 귀환된다. 이것에 의해, 저소비전력의 용량성 부하 구동장치를 실현할 수 있다.The circuit shown in FIG. 36 can realize a pulse generating circuit using a power recovery circuit when the load is large (JP-A-61-132997). At this time, the power transmitted from the pulse generator to the load is fed back to the pulse generator at the load. Thus, a capacitive load driving apparatus with low power consumption can be realized.

제37도는 본 발명을 매트릭스 표시소자에 적용한 실시예를 도시한 회로블럭도이다. 본 실시예는 본 발명의 스위칭회로를 사용하여 매트릭스 표시소자를 구동하는 방법을 일본국 특허출원 제50-l13686호에 예시되어 있는 표시디바이스를 구동하기 위해 사용하는 예를 도시한 것이다.FIG. 37 is a circuit block diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a matrix display element. The present embodiment shows an example in which a method of driving a matrix display element using the switching circuit of the present invention is used for driving a display device exemplified in Japanese Patent Application No. 50-113686.

제37도에 있어서, 방전셀은 애노드, 캐소드 및 보조애노드의 3가지 전극으로 구성되어 있다. 애노드와 캐소드 사이의 방전은 표시방전이고, 보조애노드와 캐소드 사이의 방전은 보조방전이며, 외부에서는 관찰되지 않는다. 방전과 보조방전이 동시에 발생하는 것을 방지하기 위해 캐소드저항RK가 배치되어 있다. 애노드전압을 VA, 캐소드전압을 VK, 보조애노드전압을 VSA로 하면, 표시방전을 증가시키기 위해 다음의 수순이 필요로 된다.37, the discharge cell is composed of three electrodes, i.e., an anode, a cathode, and a supplementary anode. The discharge between the anode and the cathode is a display discharge, and the discharge between the auxiliary anode and the cathode is an auxiliary discharge and is not observed from the outside. A cathode resistor R K is disposed to prevent simultaneous discharge and auxiliary discharge. When the anode voltage is V A , the cathode voltage is V K , and the auxiliary anode voltage is V SA , the following procedure is required to increase the display discharge.

[1] 보조애노드전압VSA를 고(high)레벨로 하고, 캐소드전압VK를 저(low)레벨로 하는 것에 의해 보조방전을 개시하고,[1] An auxiliary discharge is started by setting the auxiliary anode voltage V SA to a high level and the cathode voltage V K to a low level,

[2] 보조애노드전압VSA를 저레벨로 하고, 캐소드전압VK를 고레벨로 하며, 애노드전압을 고레벨로 하는 것에 의해 보조방전을 정지하고 표시방전을 개시한다.[2] The auxiliary discharge is stopped and the display discharge is started by making the auxiliary anode voltage V SA low, the cathode voltage V K high, and the anode voltage high.

공정[2]에 있어서 보조애노드전압VSA가 고레벨로 되면, 캐소드전압VK가 저레벨로 되고 애노드전압VA가 고레벨로 되더라도 보조방전이 정지되지 않으므로 표시방전을 개시할 수 없다.In the process [2], when the auxiliary anode voltage V SA becomes a high level, the display discharge can not be started because the auxiliary discharge is not stopped even when the cathode voltage V K becomes low and the anode voltage V A becomes high.

방전셀에 대해 상기한 특징을 실현하면, 애노드전압VA용 정의 펄스와 캐소드전압VK용 부의 펄스를 주사신호로서 사용하고 보조애노드전압VSA용 부의 펄스를 영상신호로서 사용하는 것에 의해, 표시매트릭스상의 보조방전셀이 표시방전을 실행하도록 할 수 있다. 본 실시예의 경우, 애노드구동회로와 보조애노드회로에서의 전기펄스의 소비를 종래기술에 비해 저감할 수 있다. 구동회로(A)는 제1도에 도시한 바와 같은 정의 펄스 스위칭회로와 협동하여 애노드 구동회로의 스위칭회로로서 사용되고, 구동회로(B)는 제20도에 도시한 바와 같은 부의 펄스 스위칭회로와 협동하여 보조애노드 구동회로의 스위칭회로로서 사용되고, 종래의 푸시풀형 구동회로(C)는 캐소드 구동을 위해 사용된다. 이것에 의해, 저소비전력의 구동이 가능한 표시장치를 실현할 수 있다. 또, 본 실시예에서 설명한 구동방법은 예를 들어 플라즈마 디스플레이, EL(전계발광) 디스플레이, 진공 형광디플레이, 피에조 전기장치 등의 일반적인 용량성 부하 구동장치에 적용할 수 있다.When the above-described characteristic is realized for the discharge cells, by using the positive pulse for the anode voltage V A and the pulse for the cathode voltage V K as the scanning signal and using the pulse for the auxiliary anode voltage V SA as the video signal, It is possible to cause the auxiliary discharge cell on the matrix to perform the display discharge. In the case of this embodiment, consumption of electric pulses in the anode driving circuit and the auxiliary anode circuit can be reduced as compared with the prior art. The driving circuit A is used as a switching circuit of the anode driving circuit in cooperation with the positive pulse switching circuit as shown in Fig. 1 and the driving circuit B is cooperated with the negative pulse switching circuit as shown in Fig. And is used as the switching circuit of the auxiliary anode driving circuit, and the conventional push-pull type driving circuit C is used for the cathode driving. Thus, a display device capable of driving with low power consumption can be realized. The driving method described in this embodiment can be applied to a general capacitive load driving device such as a plasma display, an EL (electroluminescence) display, a vacuum fluorescent display, a piezo electric device, and the like.

제38도는 본 발명에 의한 여러개의 전극을 구동하는 회로의 예를 도시한 도면으로서, 전력회수회로와 전극 사이에 스위칭회로를 삽입하고, 충방전용 전력을 이 스위칭회로를 통해서 회수한다.FIG. 38 is a diagram showing an example of a circuit for driving several electrodes according to the present invention, in which a switching circuit is inserted between the power recovery circuit and electrodes, and recovery power is recovered through this switching circuit.

제1스위칭회로(1101), 다이오드(1102) 및 인덕터(1103)은 전하를 축적하는 용량소자로 구성된 전하공급원(1111)이나 전원에 직렬로 접속되어 있다. 이 직렬회로는 전극에 전하를 공급하는(전극에서 전압상승을 발생시키는) 역할을 한다. 인덕터의 출력단자(1116)은 제1단방향성 스위치 즉 각각 다이오드(1104)와 FET(1105)로 구성되고 표시소자(604), (607), (610)‥‥의 여러개의 전극(1112)에 각각 대응하는 직렬회로와 접속된다. 인덕터(1103)의 출력단자(1116)은 또 단자전압을 고전압 전원(1115)의 레벨로 유지하는 스위칭회로(1113)와 접속된다. 그리고, 이 제1단방향성 스위치(다이오드(1104), FET(1105))의 출력은 각각 예를들면 AC형 플라즈마 디스플레이의 여러개의 어드레스전극(1112)중의 하나와 접속된다.The first switching circuit 1101, the diode 1102 and the inductor 1103 are connected in series to a power supply source 1111 constituted by a capacitor element for storing charges or a power source. This series circuit serves to charge the electrodes (causing the voltage rise at the electrodes). The output terminal 1116 of the inductor is connected to a plurality of electrodes 1112 of the display elements 604, 607, 610, ..., each of which is composed of a first unidirectional switch, i.e., a diode 1104 and an FET 1105, And are respectively connected to the corresponding series circuits. The output terminal 1116 of the inductor 1103 is also connected to a switching circuit 1113 which holds the terminal voltage at the level of the high voltage power supply 1115. [ The output of the first unidirectional switch (diode 1104, FET 1105) is connected to one of several address electrodes 1112, for example, of an AC type plasma display.

한편, 전극(1112)에 축적된 전하를 회수하는 회로는 전하공급원(1111)과 접속되어 있는 스위칭회로(1110), 다이오드(1109) 및 인덕터(1108)와 직렬회로의 출력단자(1117)가 제2단방향성 스위치 즉 각각 다이오드(1107)과 FET(1106)으로 구성된 직렬회로와 접속되도록 구성된다. 여기에서, 인덕터(1108)의 출력단자(1117)은 또 출력전압을 저전압 전원의 레벨(여기에서는 접지레벨)로 유지하는 스위칭회로(1114)와 접속된다. 그리고, 이들 제2단방향성 스위치(다이오드(1107), FET(1106))의 출력은 각각 전극(1112)(여기에서는 AC형 플라즈마 디스플레이의 어드레스전극(1112))중의 하나와 접속된다.On the other hand, the circuit for collecting the electric charge accumulated in the electrode 1112 includes a switching circuit 1110, a diode 1109 and an inductor 1108 and an output terminal 1117 of a series circuit connected to the electric charge supply source 1111, And is configured to be connected to a series circuit composed of a two-way switch, i.e., a diode 1107 and a FET 1106, respectively. Here, the output terminal 1117 of the inductor 1108 is also connected to the switching circuit 1114 which maintains the output voltage at the level of the low-voltage power supply (here, the ground level). The outputs of the second unidirectional switches (the diode 1107 and the FET 1106) are connected to one of the electrodes 1112 (here, the address electrode 1112 of the AC type plasma display).

여기에서, 표시소자의 전극을 충전 및 방전시키기 위한 전류경로에 대해서 제38도를 사용해서 설명한다.Here, the current path for charging and discharging the electrodes of the display element will be described with reference to FIG. 38.

우선, 전극을 충전할 때의 전류경로에 대해서 설명한다. 여기에서, 여러개의 전극중의 하나는 저레벨(접지레벨)로 한다. 이 때, 출력단자(1116)은 대응하는 FET(1105)를 온시키는 것과 동시에 저레벨로 하강한다. 다음에, 스위칭회로(1101)이 온되면, 전하공급원(1111)에 축적되어 있던 전하가 스위칭회로(1101), 다이오드(1102) 및 인덕터(1103)을 거쳐서 단방향성 스위치(다이오드(1104)와 FET(1105))로 전송되어 표시소자(604), (607), (610)의 전극(1112)를 충전시킨다. 전력회수회로의 원리에 따르면, 전하공급원(1111)의 전압은 고전압전원VH의 전압의 1/2과 동일하게 되고, 전압상승은 용량성 부하로서 기능하는 전극과 인덕터(1103)의 공진에 따라 접지레벨에서 고전압레벨VH로 된다. 상기한 바와 같이, 전극이 충전되면, 전하가 전하공급원(1111)에서 인덕터(1103)과 제1단방향성 스위치(다이오드(1104)와 FET(1105))를 거쳐서 전극(1112)로 공급된다. 인덕터(1103)의 출력단자의 전압이 고전압레벨VH로 상승하면, 단자전압을 고전압전원의 레벨로 유지하는 회로(1113)이 온되어 단자(1116)의 전압을 고전압레벨로 유지한다.First, the current path at the time of charging the electrode will be described. Here, one of the plurality of electrodes is set to a low level (ground level). At this time, the output terminal 1116 goes down to the low level simultaneously with turning on the corresponding FET 1105. Next, when the switching circuit 1101 is turned on, the electric charge accumulated in the electric charge supply source 1111 flows through the switching circuit 1101, the diode 1102 and the inductor 1103 to the unidirectional switch (diode 1104 and FET (1105) to charge the electrodes 1112 of the display elements 604, 607, and 610. According to the principle of the power recovery circuit, the voltage of the charge supply source 1111 becomes equal to 1/2 of the voltage of the high voltage power supply V H , and the voltage rise is caused by the resonance between the electrode functioning as the capacitive load and the inductor 1103 And becomes the high voltage level V H at the ground level. As described above, when the electrode is charged, a charge is supplied from the charge supply source 1111 to the electrode 1112 through the inductor 1103 and the first unidirectional switch (diode 1104 and FET 1105). When the voltage of the output terminal of the inductor 1103 rises to the high voltage level V H , the circuit 1113 which holds the terminal voltage at the level of the high voltage power supply is turned on to maintain the voltage of the terminal 1116 at the high voltage level.

전극중 몇개가 충전되지 않으면, 대응하는 FET(1105)는 오프된다. 이들 제1단방향성 스위치는 다이오드(1104)를 구비하고 있으므로, 전극(1112)에서 단자(1116)로 전류가 반전되는 일은 없다.If some of the electrodes are not charged, the corresponding FET 1105 is turned off. Since the first unidirectional switch includes the diode 1104, the current is not inverted from the electrode 1112 to the terminal 1116. [

다음에, 표시소자의 전극(1112)내에 축적된 전하를 방출하는 전류경로에 대해서 설명한다. 여기에서, 여러개의 전극중 몇개가 고전압레벨(전압레벨VH)인 것으로 한다. 이 때, 대응하는 FET(1106)가 온되면, 단자(1117)에서 FET(1106)과 다이오드(1107)을 거쳐서 전류가 흐름과 동시에 단자(1117)의 전압이 고전압레벨로 된다.Next, a current path for discharging the charge accumulated in the electrode 1112 of the display element will be described. Here, it is assumed that several of the electrodes are at a high voltage level (voltage level V H ). At this time, when the corresponding FET 1106 is turned on, the voltage of the terminal 1117 becomes a high voltage level at the same time as the current flows from the terminal 1117 through the FET 1106 and the diode 1107.

그리고, 스위칭회로(1110)이 온되면, 전극(1112)에 축적된 전하가 FET(1106), 인덕터(1008), 다이오드(1109) 및 스위칭회로(1110)을 거쳐서 전하공급원(1111)로 공급된다. 전하(1112)의 전압은 용량성 부하인 전극과 인덕터(1108)의 공진에 의해 저전압레벨(접지레벨)로 낮아진다. 이 때, 전극을 저전압레벨로 유지하는 회로(1114)가 온되어 그의 전압을 저전압레벨로 유지한다. 이것에 의해, 전극내에 축적된 전하가 제2단방향성 스위치(FET(1106)과 다이오드(1107))과 인덕터(1108)을 거쳐서 전하공급원(1111)로 회수된다.When the switching circuit 1110 is turned on, the charge accumulated in the electrode 1112 is supplied to the charge supply source 1111 through the FET 1106, the inductor 1008, the diode 1109, and the switching circuit 1110 . The voltage of the charge 1112 is lowered to a low voltage level (ground level) by the resonance of the inductor 1108 and the electrode which is a capacitive load. At this time, the circuit 1114 for holding the electrode at the low voltage level is turned on to maintain its voltage at the low voltage level. As a result, the charge accumulated in the electrode is recovered to the charge supply source 1111 via the second unidirectional switch (FET 1106 and diode 1107) and the inductor 1108.

전극의 전압을 고전압레벨(VH레벨)로 유지하는 것이 바람직하면, FET(1106)은 오프된다. 또, 이 경우 제2단방향성 스위치는 다이오드(1107)을 구비하고 있으므로, 단자(1117)로 전류가 흐르지 않는다.If it is desired to maintain the voltage of the electrode at a high voltage level (V H level), the FET 1106 is turned off. In this case, since the second unidirectional switch includes the diode 1107, no current flows to the terminal 1117. [

여기에서, 본 발명의 다른 실시예의 예를 제40도를 사용해서 설명한다. 제40도는 제1단방향성 스위치와 제2단방향성 스위치를 각각 바이폴라 트랜지스터(1301)과 (1302)로 구성한 회로를 도시한 도면이다. FET(1105) 및 (1106)은 표유다이오드를 갖고 있으므로, 그들을 단방향성으로 하기 위해서는 다이오드(1104)와 (1107)이 필요로 된다. 그러나, 바이폴라 트랜지스터(1301)과 (1302)내에는 표유다이어드가 존재하지 않으므로, 그 자체만으로 단반향성 스위치를 실현할 수 있다.Here, an example of another embodiment of the present invention will be described using FIG. FIG. 40 shows a circuit in which the first unidirectional switch and the second unidirectional switch are configured by bipolar transistors 1301 and 1302, respectively. Since FETs 1105 and 1106 have a stray diode, diodes 1104 and 1107 are required to make them unidirectional. However, since no bipolar transistor 1301 and bipolar transistors 1302 exist in the bipolar transistor 1302, a single echo can be realized by itself.

다음에, 본 발명의 또 다른 실시예를 제41도를 사용해서 설명한다. 제41도는 표시소자(604), (607), (610)의 전극(1112)의 각각을 그들을 고전압레벨VH및 저전압레벨(접지레벨)로 유지하는 전압유지회로(1401) 및 (1402)와 각각 접속하고, 전력회수회로내에서 전압유지회로(제38도의 회로(1113)과 (1114)에 상당)를 제거한 회로를 도시한 도면이다. 제38도에 도시한 회로의 동작에 있어서, 전극의 전압레벨이 변화하지 않으면 FET(1105)와 FET(1106)중의 하나가 오프상태로 된다. 그러나, 제38도에 따라서 설명한 바와 같이, 단자(1116)과 (1117)의 전압레벨은 순간적으로 저전압레벨이나 고전압레벨로 변화한다. 이 때, 다이오드(1104) 또는 (1107)에 반전전압이 인가되므로 그들은 도통되지 않고, 단자(1116)과 (1117)의 전압이 동시에 변화하면 전극이 일시적으로 플로팅상태로 된다. 이러한 플로팅상태에서는 어떠한 이유로 인해 전극의 전압이 변화하는 경우가 있다. 이러한 변동을 방지하기 위해, 제41도에 도시한 회로구성에서는 전압유지회로(1401)과 (1402)을 각각의 전극과 접속한다. 이것에 의해, 전극의 전압이 변화하지 않으면, 전극을 저전압레벨이나 고전압레벨로 유지하는 것에 의해 전극을 안정한 동작전압으로 구동시킬 수 있다.Next, another embodiment of the present invention will be described using FIG. 41 shows voltage holding circuits 1401 and 1402 holding the electrodes 1112 of the display elements 604, 607 and 610 at a high voltage level V H and a low voltage level (ground level) And the voltage holding circuit (corresponding to the circuits 1113 and 1114 in FIG. 38) is removed in the power recovery circuit. In the operation of the circuit shown in FIG. 38, if the voltage level of the electrode does not change, one of the FET 1105 and FET 1106 is turned off. However, as described with reference to FIG. 38, the voltage levels of the terminals 1116 and 1117 instantaneously change to a low voltage level or a high voltage level. At this time, since the inverse voltage is applied to the diode 1104 or 1107, they are not conducted, and when the voltages of the terminals 1116 and 1117 are simultaneously changed, the electrode temporarily becomes a floating state. In such a floating state, the voltage of the electrode may change for some reason. In order to prevent such variations, the voltage holding circuits 1401 and 1402 are connected to the respective electrodes in the circuit configuration shown in FIG. Thus, if the voltage of the electrode does not change, the electrode can be driven at a stable operating voltage by maintaining the electrode at a low voltage level or a high voltage level.

제42도는 인덕턴스값을 제어하는 경우의 본 발명의 실시예를 도시한 도면이다. 제1단방향성 스위치(다이오드(1104)와 FET(1105)) 및 제2단방향성 스위치(스위칭FET(1106)과 다이오드(1107))는 대응하는 전극중의 하나와 접속된다. 전력회수회로에 의해 구동되는 전극의 수는 이들 제1 및 제2 단방향성 스위치가 온(switched-ON)된 수에 따라서 변한다. 따라서, 이 경우 전력회수회로에서 나타나는 부하용량이 변화한다. 그 때, 인덕터와 전극에 의해 발생된 공진주파수가 변화하므로 전극에 인가된 고전압펄스의 하강시간이 변화한다. 이 경우, 본 발명을 AC형 플라즈마 디스플레이의 어드레스전극에 적용하면, 예를 들어 고전압펄스의 상승시간과 하강시간이 다른 경우에 오동작이 발생한다. 따라서, 온될 제1 및 제2 단방향성 스위치의 수를 사전에 검출하고 전력회수회로의 인덕턴스값을 그의 검출수에 따라서 제어한다. 제42도는 이러한 제어를 실현하기 위한 회로구성의 예를 도시한 도면이다.FIG. 42 is a view showing an embodiment of the present invention in the case of controlling the inductance value. FIG. A first unidirectional switch (diode 1104 and FET 1105) and a second unidirectional switch (switching FET 1106 and diode 1107) are connected to one of the corresponding electrodes. The number of electrodes driven by the power recovery circuit varies depending on the number of the first and second unidirectional switches turned on. Therefore, in this case, the load capacity appearing in the power recovery circuit changes. At this time, since the resonance frequency generated by the inductor and the electrode changes, the fall time of the high voltage pulse applied to the electrode changes. In this case, when the present invention is applied to the address electrode of the AC type plasma display, a malfunction occurs when the rising time and the falling time of the high voltage pulse are different, for example. Therefore, the number of the first and second unidirectional switches to be turned on is detected in advance, and the inductance value of the power recovery circuit is controlled according to the number of detection thereof. FIG. 42 is a diagram showing an example of a circuit configuration for realizing such control.

제42도에 도시한 회로에 있어서, 스위칭회로(1101), 다이오드(1102) 및 인덕터(1103)로 각각 구성된 여러개의 직렬회로(이 예에서는 3개의 직렬회로(1501), (1502), (1503))는 병렬로 접속된다. 또, 스위칭회로(1110), 다이오드(1109) 및 인덕터(1108)로 각각 구성된 여러개의 직렬회로(이 예에서는 3개의 직렬회로 (1504), (1505), (1506))는 병렬로 접속된다. 여기에서, 인덕터(1103)과 (1108)의 인덕턴스값은 병렬회로마다 다르다. 예를 들어, 3개의 인덕턴스값이 2진 시스템(2진값)을 형성하면, 3개의 스위치회로(1101) 또는 (1110)을 온오프 제어하는 것에 의해 모든 회로의 인덕턴스값을 7단(段)으로 제어할 수 있다. 이하, 여러개의 전극(1112)의 총수를 N으로 하면, 온된 단방향성 스위치의 수는 N/7의 배수에 가장 가까운 값으로 설정되고 그것에 따라서 인덕턴스값이 제어된다. 인덕터와 전극의 공진주파수는 인덕턴스와 용량의 곱의 근으로 형성되므로, 인덕턴스값을 상기 7단내에서 변경하는 것에 의해 인덕턴스와 용량의 곱의 값이 거의 일정하게 유지되고, 이것에 의해 공진주파수가 거의 일정하게 유지된다. 따라서, 임의의 수의 단방향성 스위치가 온되더라도, 온된 단방향성 스위치를 검출하고 상기한 바와 같이 검출한 수에 따라서 전력회수회로의 인덕턴스값을 제어하는 것에 의해, 고전압펄스의 상승 및 하강주기가 거의 일정한 펄스파형을 얻을 수 있다. 제42도의 예에 있어서 스위칭회로(1101), 다이오드(1102) 및 인덕터(1103)으로 각각 이루어진 3개의 직렬회로가 병렬로 접속되더라도, 고전압펄스의 상승 및 하강주기의 허용오차영역에 의해 병렬회로의 수를 결정하므로, 병렬회로의 수는 3으로 제한된다.In the circuit shown in Fig. 42, a plurality of series circuits (in this example, three series circuits 1501, 1502, and 1503) each composed of a switching circuit 1101, a diode 1102 and an inductor 1103 ) Are connected in parallel. A plurality of series circuits (in this example, three series circuits 1504, 1505, and 1506) each composed of a switching circuit 1110, a diode 1109, and an inductor 1108 are connected in parallel. Here, the inductance values of the inductors 1103 and 1108 are different for each parallel circuit. For example, when the three inductance values form a binary system (binary value), the inductance value of all the circuits is changed to 7 stages by turning on / off the three switch circuits 1101 or 1110 Can be controlled. Hereinafter, assuming that the total number of the plurality of electrodes 1112 is N, the number of ON unidirectional switches is set to a value closest to a multiple of N / 7, and accordingly, the inductance value is controlled. Since the resonance frequency of the inductor and the electrode is formed by the root of the product of the inductance and the capacitance, the value of the product of the inductance and the capacitance is kept substantially constant by changing the inductance value in the above-mentioned seven stages, It remains constant. Therefore, even if an arbitrary number of unidirectional switches are turned on, by detecting the ON unidirectional switches and controlling the inductance value of the power recovery circuit in accordance with the number detected as described above, the rising and falling periods of the high voltage pulse are almost A constant pulse waveform can be obtained. Although three series circuits each consisting of the switching circuit 1101, the diode 1102 and the inductor 1103 are connected in parallel in the example of FIG. 42, the tolerance region of the rising and falling periods of the high voltage pulse The number of parallel circuits is limited to three.

이하, 단방향성 스위치를 제어하는 방법의 1실시예를 제43도 및 제44도를 사용해서 설명한다.One embodiment of a method for controlling a unidirectional switch will be described below using FIGS. 43 and 44. FIG.

제43도는 단방향성 스위치내의 FET(1105), (1106)용 제어부의 회로의 1예를 도시한 도면이다. 제43도는 N채널 MOSFET를 FET(1105), (1106)으로서 사용하는 1예를 도시한 도면이다. 저항(1604)와 보호다이오드(1603)은 FET(1105)의 게이트와 소오스 사이에 접속되고, 이 FET의 게이트는 저항(1601)과 PNP 트랜지스터(1602)로 구성된 정전류원회로에 의해 구성된다. 한편, 다이오드(1605)는 FET(1106)의 게이트와 소오스 사이에 접속되고, FET(1106)의 게이트는 FET(1606)에 의해 구동된다.FIG. 43 is a diagram showing an example of the circuit of the control section for the FETs 1105 and 1106 in the unidirectional switch. FIG. 43 shows an example of using an N-channel MOSFET as the FETs 1105 and 1106. The resistor 1604 and the protection diode 1603 are connected between the gate and the source of the FET 1105 and the gate of the FET is constituted by a constant current source circuit composed of a resistor 1601 and a PNP transistor 1602. On the other hand, the diode 1605 is connected between the gate and the source of the FET 1106, and the gate of the FET 1106 is driven by the FET 1606.

제44도는 제43도에 도시한 회로의 각 입력단자의 전압파형 및 전극에 인가된 전압의 파형을 도시한 도면으로서, 제44(a)도는 제1단방향성 스위치(제43도에 있어서 단자(1116)의 전압파형)의 입력전압파형을 나타내고, 제44(b)도는 제2단방향성 스위치(제43도에 있어서 단자(1117)의 전압파형)의 입력전압파형을 나타내고, 제44(c)도는 단자(1116)을 고전압전원의 레벨로 유지하는 전압유지회로(제43도의 (1113))의 게이트(1615)에 입력된 신호의 파형을 나타내고, 제44(d)도는 단자(1117)을 저전압전원의 레벨로 유지하는 전압유지회로(제43도의 (1114))의 게이트(1616)에 입력된 신호의 파형을 나타내고, 제44(e)도는 제43도에 도시된 정전류원회로내의 PNP트랜지스터(1602)의 베이스에서의 신호 파형을 나타내고, 제44(f)도는 제43도에 도시한 FET(1606)의 게이트(1613)에 입력된 신호의 파형을 나타내고, 제44(g)도는 전극(제43도의 (1112))에 인가된 전압의 파형을 나타낸다.44 shows the voltage waveforms of the respective input terminals of the circuit shown in FIG. 43 and the waveforms of the voltages applied to the electrodes. FIG. 44 (a) and FIG. 44 44 (b) shows the input voltage waveform of the second unidirectional switch (the voltage waveform of the terminal 1117 in FIG. 43), and FIG. 44 (c) A waveform of a signal input to the gate 1615 of the voltage holding circuit (1113 in FIG. 43) for holding the turning terminal 1116 at the level of the high voltage power source is shown, 43 (e) shows the waveform of the signal input to the gate 1616 of the voltage holding circuit (1114 in FIG. 43) for holding the PNP transistor (FIG. 43 (F) shows the waveform of the signal input to the gate 1613 of the FET 1606 shown in FIG. 43 It indicates the type of claim 44 (g) turning a waveform of the voltage applied to the electrode (43 ° 1112).

다음에, 제43도에 도시한 회로의 제어방법을 제44도에 도시한 기간 I ∼ⅩⅢ에 있어서 입력전압파형, 다른 제어전압파형 및 출력파형을 사용해서 설명한다. 우선, 전극(1112)가 기간 I에서 저전압레벨인 것으로 한다. 제44(e)도에 도시한 바와 같이, 기간Ⅱ에 있어서는 제43도에 도시한 트랜지스터(1602)의 베이스(1612)가 로우(Low)상태로 된다. 이 때, 트랜지스터(1602)가 온되어 고전압 전원VH에서 저항(1601)과 트랜지스터(1602)를 거쳐서 FET(1105)의 게이트로 전류가 공급된다. 이것에 의해, 저항(1604)를 가로질러 FET(1105)의 소오스와 게이트 사이에 전압이 발생하여 FET(1105)가 온된다. 제44(a)도에 도시한 바와 같이, 전극(1112)의 전압은 기간I에 있어서 저전압레벨로 되고 FET(1105)는 기간Ⅱ에 있어서 온되므로, 단자(1116)의 전압파형이 기간Ⅱ의 개시시의 최단부에 있어서 순간적으로 저전압레벨로 낮아진다. 다음에, 전력회수회로(제38도의 스위칭회로(1101))는 기간Ⅱ에 있어서 온되므로, 단자(1116)의 전압은 정현방식으로 상승한다. 여기에서, 입력단자(전극)(1112)의 전압도 다이오드(1104)와 FET(1105)가 온되는 것에 의해 정현방식으로 상승한다.Next, the control method of the circuit shown in FIG. 43 is explained using the input voltage waveform, the other control voltage waveform, and the output waveform in the periods I to XIII shown in FIG. First, it is assumed that the electrode 1112 is at a low voltage level in the period I. As shown in FIG. 44 (e), in the period II, the base 1612 of the transistor 1602 shown in FIG. 43 is in a low state. At this time, the transistor 1602 is turned on to supply the current to the gate of the FET 1105 through the resistor 1601 and the transistor 1602 at the high voltage power supply V H. As a result, a voltage is generated across the resistor 1604 between the source and the gate of the FET 1105 and the FET 1105 is turned on. Since the voltage of the electrode 1112 is set to the low voltage level in the period I and the FET 1105 is turned on in the period II as shown in Fig. 44 (a), the voltage waveform of the terminal 1116 becomes the voltage waveform of the period II And is instantaneously lowered to the low voltage level at the start of the start. Next, since the power recovery circuit (switching circuit 1101 in FIG. 38) is turned on in period II, the voltage of the terminal 1116 rises in a sinusoidal manner. Here, the voltage of the input terminal (electrode) 1112 also rises in a sinusoidal manner as the diode 1104 and the FET 1105 are turned on.

한편, 제44(f)도에 도시한 바와 같이 FET(1606)의 게이트(1613)의 입력신호는 기간Ⅱ에 있어서 하이(High)상태로 된다. 이 때, FET(1606)이 온되고 FET(1106)의 게이트의 전압이 저전압레벨로 낮아진다. 여기에서, 제44(b)도에 도시한 바와 같이 단자(1117)의 전압파형은 순간적으로 고전압레벨로 상승(후술한다)한 후 정현방식으로 하강하므로, FET(1106)의 소오스와 게이트 사이에 전압이 발생하지 않고, 또 FET(1106)의 게이트의 전압도 동시에 하강하므로 FET(1106)이 오프된다.On the other hand, as shown in FIG. 44 (f), the input signal of the gate 1613 of the FET 1606 becomes High in the period II. At this time, the FET 1606 is turned on and the voltage of the gate of the FET 1106 is lowered to a low voltage level. Here, as shown in FIG. 44 (b), since the voltage waveform of the terminal 1117 instantaneously rises to a high voltage level (to be described later) and then descends in a sinusoidal manner, The voltage is not generated, and the voltage of the gate of the FET 1106 also falls simultaneously, so that the FET 1106 is turned off.

다음에, 기간Ⅲ에 있어서, 전압유지회로(1113)과 (1114)가 온되므로, 단자(1116)의 전압이 고전압레벨VH에 유지되고, 단자(1117)의 전압이 저전압레벨에 유지된다. 여기에서, 기간Ⅲ에 있어서 FET(1105)가 온되고 FET(1106)이 오프되므로, 전극(1112)의 전압이 고전압레벨VH로 된다.Next, in the period III, since the voltage holding circuits 1113 and 1114 are turned on, the voltage of the terminal 1116 is held at the high voltage level V H and the voltage of the terminal 1117 is held at the low voltage level. Here, in the period III, the FET 1105 is turned on and the FET 1106 is turned off, so that the voltage of the electrode 1112 becomes the high voltage level V H.

그리고, 제44(a)도에 도시한 바와 같이, 기간Ⅳ에 있어서 단자(1116)의 전압은 일단 저전압레벨로 하강하지만, 반전전압이 다이오드(1104)에 인가되므로 FET(1115)가 온되어도 단자(1116)으로 전극(1112)내에 축적되어 있는 전하가 반전해서 흐르는 일은 없다. 또, 제44(b)도에 도시한 바와 같이 단자(1117)의 전압이 일단 고전압레벨로 상승하지만, FET(1106)이 오프되므로 전극(1112)에서 단자(1117)로도 전류는 흐르지 않는다. 상기한 바와 같이, 기간Ⅳ에 있어서 전극이 플로팅상태로 되고 기간Ⅲ에 있어서 전압이 고전압레벨로 되므로, Ⅳ에 있어서 이 전극의 전압이 유지된다.As shown in FIG. 44 (a), in the period IV, the voltage of the terminal 1116 once falls to the low voltage level. However, since the reverse voltage is applied to the diode 1104, The charges stored in the electrode 1112 do not flow reversely through the capacitor 1116. Although the voltage of the terminal 1117 once rises to a high voltage level as shown in FIG. 44 (b), since the FET 1106 is turned off, no current flows from the electrode 1112 to the terminal 1117 as well. As described above, in the period IV, the electrode is in the floating state, and in the period III, the voltage becomes the high voltage level, so that the voltage of this electrode is maintained in the period IV.

기간Ⅴ에 있어서의 동작은 기간Ⅲ에서와 동일하고, 전극의 전압은 고전압레벨로 유지된다.The operation in the period V is the same as in the period III, and the voltage of the electrode is maintained at the high voltage level.

다음에, 제44(e)도에 도시한 바와 같이, 기간Ⅳ에 있어서 트랜지스터(1602)의 베이스(1612)의 신호는 하이상태로 되므로, 트랜지스터(1602)가 오프되어 FET(1105)의 게이트를 통해 전류가 흐르지 않게 된다. 따라서, 저항(1604)를 통해서 전류가 흐르지 않게 되므로, FET(1105)의 게이트의 전압이 그의 소오스와 동일하게 되고 FET(1105)는 오프된다. 또, 제44(f)도에 도시한 바와 같이, 기간Ⅵ에 있어서 FET(1606)의 게이트(1613)의 신호는 로우상태로 된다. 따라서, FET(1606)이 오프된다. 여기에서, 제44(b)도에 도시한 바와 같이 단자(1117)의 전압이 고전압레벨로 상승한 후 정현방식으로 낮아지면, 다이오드(1107)은 온된다. 이 때, FET(1106)의 소오스의 전압도 정현방식으로 하강한다. 여기에서, FET(1106)의 게이트와 소오스 사이에 다이오드(1605)에 의해 전압이 발생하고 FET(1106)이 온된다. 따라서, 기간V에 있어서 고전압레벨로 된 전극(1112)내에 축적된 전하는 기간Ⅵ에 있어서 FET(1106)과 다이오드(1107)를 통해서 흘러나오므로, 전극(1112)의 전하는 정현방식으로 저전압레벨로 낮아진다.Next, in the period IV, the signal of the base 1612 of the transistor 1602 goes high, so that the transistor 1602 is turned off and the gate of the FET 1105 is turned off The current does not flow through. Therefore, since no current flows through the resistor 1604, the voltage of the gate of the FET 1105 becomes equal to the source thereof, and the FET 1105 is turned off. Also, as shown in FIG. 44 (f), the signal of the gate 1613 of the FET 1606 in the period VI becomes low. Thus, the FET 1606 is turned off. Here, as shown in FIG. 44 (b), when the voltage of the terminal 1117 rises to a high voltage level and then to a sinusoidal manner, the diode 1107 is turned on. At this time, the source voltage of the FET 1106 also falls in a sinusoidal manner. Here, a voltage is generated between the gate and the source of the FET 1106 by the diode 1605, and the FET 1106 is turned on. Therefore, since the electric charge accumulated in the electrode 1112 at the high voltage level in the period V flows out through the FET 1106 and the diode 1107 in the period VI, the electric charge of the electrode 1112 is lowered to the low voltage level in the sine-wave manner .

다음에, 기간Ⅶ에 있어서 FET(1105)는 오프되고 FET(1106)의 소오스와 게이트 사이에 다이오드(1605)에 의해 전압이 발생하므로, FET(1106)이 온상태로 되고 전극(1112)의 전압이 저전압레벨로 유지된다.Next, in the period VII, the FET 1105 is turned off and a voltage is generated by the diode 1605 between the source and the gate of the FET 1106, so that the FET 1106 is turned on and the voltage of the electrode 1112 Is maintained at the low voltage level.

기간Ⅸ, Ⅹ 및 ⅩI에 있어서의 동작은 기간Ⅱ, Ⅲ, Ⅵ 및 Ⅶ에 대한 설명과 동일하므로 그의 설명을 생략한다.The operations in periods IX, X, and XI are the same as those in Periods II, III, VI, and VII, and their explanation is omitted.

다음에, 기간ⅩII에 있어서 단자(1116)의 전압은 일단 저전압레벨로 낮아진 후 정현방식으로 고전압레벨로 상승한다. 그러나, FET(1105)가 오프되어 있으므로, 전극으로 전류는 흐르지 않는다. 또, 단자(1117)의 전압은 일단 고전압레벨로 상숭한 후 정현방식으로 낮아지지만, 반전전압이 다이오드(1107)에 인가되므로, 단자(1117)에서 전극으로도 전류는 흐르지 않는다. 따라서, 기간ⅩII에 있어서 전극이 플로팅상태로 되고 기간ⅩI에 있어서 전극의 전압이 저전압레벨로 되므로, 전극에서 이 저전압은 유지된다.Next, in the period XII, the voltage of the terminal 1116 is once lowered to the low voltage level and then raised to the high voltage level in the sine-wave manner. However, since the FET 1105 is turned off, no current flows to the electrode. Also, although the voltage of the terminal 1117 is once lowered to a high voltage level and lowered in a sinusoidal manner, a current does not flow from the terminal 1117 to the electrode because an inversion voltage is applied to the diode 1107. [ Therefore, in the period XII, the electrode is in the floating state, and in the period XI, the voltage of the electrode becomes the low voltage level, so that this low voltage is maintained in the electrode.

기간ⅩIII에 있어서의 동작은 기간ⅩII에서와 동일하므로, 그의 설명은 생략한다.Since the operation in the period XIII is the same as in the period XII, its explanation is omitted.

단자(1116), (1117)의 전압은 기간Ⅱ, Ⅳ, Ⅵ, Ⅶ, X 및 ⅩII에 있어서 순간적으로 고전압레벨 또는 저전압레벨로 되었다. 그 이유는 여러개의 다른 전극과 접속된 제1단방향성 스위치와 제2단방향성 스위치중의 하나가 온되면 전극내에 축적되어 있던 전하가 단자(1116) 또는 (1117)로 공급되기 때문이다. 단방향성 스위치가 모두 오프되면 이러한 순간변형은 발생하지 않지만, 결코 전극에서 원하는 전압을 얻을 수는 없다.The voltages of the terminals 1116 and 1117 are instantaneously set to the high voltage level or the low voltage level in the periods II, IV, VI, VII, X, and XII. This is because the charge stored in the electrode is supplied to the terminal 1116 or 1117 when one of the first unidirectional switch and the second unidirectional switch connected to several other electrodes is turned on. If all the unidirectional switches are off, this instantaneous deformation does not occur, but the desired voltage can never be obtained at the electrodes.

상술한 제43도에 도시한 FET(1105)와 (1106)의 게이트 제어회로는 단지 예로서, 본 발명은 제43도에 도시한 게이트 구동회로에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 레벨시프트회로, 포토커플러 등을 사용해서 게이트제어회로를 형성해도 좋다.The above-described gate control circuits of the FETs 1105 and 1106 shown in FIG. 43 are merely examples, and the present invention is not limited to the gate drive circuit shown in FIG. For example, a gate control circuit may be formed using a level shift circuit, a photocoupler, or the like.

상술한 바와 같이, 전극에 인가된 펄스폭을 임의로 제어할 수 있으므로, 본 발명에 의한 스위칭회로에 의해 저소비전력이고 또한 간단한 구성으로 전력회수를 실행할 수 있다.As described above, since the pulse width applied to the electrodes can be arbitrarily controlled, the switching circuit according to the present invention can perform power recovery with low power consumption and simple configuration.

또, 이하 본 발명에 따른 다른 실시예 즉 특히 PDP(플라즈마 표시장치)를 구동하는 구동방법 및 구동회로와 그것을 사용한 표시장치에 대해서 첨부도면을 사용해서 상세하게 설명한다.In addition, a driving method and a driving circuit for driving a PDP (plasma display device) according to another embodiment of the present invention and a display device using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

우선, 제52도 및 제53도를 사용해서 PDP의 구조에 대해서 설명한다. 제52도는 PDP의 구조를 도시한 전개사시도로서, (800)은 X전극, (801)은 Y전극, (802)는 어드레스전극(A전극), (803)은 리브, (804), (805), (806)은 R(적), G(녹), B(청)의 각각의 형광체, (810)은 유리면판, (811)은 기판, (812)는 유전체층이다.First, the structure of the PDP will be described using FIGS. 52 and 53. FIG. FIG. 52 is an exploded perspective view showing the structure of a PDP. Reference numeral 800 denotes an X electrode, 801 denotes a Y electrode, 802 denotes an address electrode (A electrode), 803 denotes ribs, 804, 805 810 is a glass face plate, 811 is a substrate, and 812 is a dielectric layer. In FIG. 8A and FIG. 8B, reference numerals 806 and 806 denote R, G and B phosphors, respectively.

동일 도면에 있어서, PDP의 구조는 2장의 유리면판 사이에 방전공간과 전극을 형성하고 방전공간내에 가스를 봉입하는 것에 의해서, 방전을 발생시키고 방전공간내의 내벽면에 도포된 형광체를 발광시킨다. 따라서, PDP는 자기발광 표시소자이므로, 화상의 품질이 높고 가시영역이 넓다는 특징을 갖고 있다. 또, 구조가 간단하므로 대형화에 적합하고 특히 대형표시장치의 용도로 적합하다.In the same figure, the structure of the PDP is such that a discharge space and an electrode are formed between two glass face plates and a gas is sealed in the discharge space, thereby generating a discharge and causing the phosphor coated on the inner wall surface in the discharge space to emit light. Therefore, since the PDP is a self-luminous display element, it has a feature that the quality of an image is high and a visible region is wide. In addition, since the structure is simple, it is suitable for a large-sized display, and is particularly suitable for use in a large display device.

제52도에 있어서 유리면판(810)상에 2개의 투명전극(즉, X전극(800) 및 Y전극(801))이 서로 평행하게 형성되어 있고, 이들 전극(800), (801)은 2중구조를 이루고 있다. 즉 이들 투명전극(800), (801)상에 버스전극이 형성되어 전극의 저항값을 내리고 있다. 또, 이들 2쌍의 전극상에 MgO 등의 유전체층(812)가 형성되어 있다. 따라서, 이 PDP는 면방전형의 AC형 PDP이다.52, two transparent electrodes (that is, an X electrode 800 and a Y electrode 801) are formed in parallel with each other on a glass face plate 810. These electrodes 800 and 801 are formed of two It is a medium-sized group. That is, bus electrodes are formed on the transparent electrodes 800 and 801 to reduce the resistance value of the electrodes. A dielectric layer 812 of MgO or the like is formed on these two pairs of electrodes. Therefore, this PDP is a surface-discharge type AC type PDP.

한편, 기판(811)상에는 방전공간형성을 위한 리브(803)이 샌드블라스트법 등에 의해 형성되어 있고, 그 각각의 공간 바닥에는 어드레스전극(A전극)(802)와 RGB의 형광체(804), (805), (806)이 형성되어 있다.On the other hand, a rib 803 for forming a discharge space is formed on the substrate 811 by sandblasting or the like, and address electrodes (A electrodes) 802, R, G, and B phosphors 804, 805, and 806 are formed.

이들 유리면판(810)과 기판(811)을 기밀하게 봉지하고, 그들 사이에 Xe, Ne, Ar, Kr, He를 포함한 가스를 1종류 또는 2종류 이상을 혼합해서 봉입한다. 여기에서, 형광체(804), (805), (806)을 여기시키기 위해서는 일반적으로 Xe원자의 자외선 발광을 이용하므로 Xe가스는 반드시 봉입되어 있다.The glass face plate 810 and the substrate 811 are airtightly sealed and one or more gases including Xe, Ne, Ar, Kr, and He are mixed and sealed. Here, in order to excite the phosphors 804, 805, and 806, ultraviolet light emission of Xe atoms is generally used, so that Xe gas is always contained.

표시를 위한 방전은 X전극(800)과 Y전극(801) 사이에 펄스전압을 교대로 인가하는 것에 의해 실행되며, 이것에 의해 이들 2개의 전극(800), (801) 사이에서 방전이 발생하고, 플라즈마내의 전자에 의해 Xe원자가 여기된다. 이 여기된 Xe원자가 접지상태로 천이하면 자외선이 발생한다. 이 자외선은 형광체(804), (805), (806)을 여기시켜 3원색 즉 R, G, B를 발광시킨다.The discharge for display is performed by alternately applying a pulse voltage between the X electrode 800 and the Y electrode 801. As a result, a discharge occurs between these two electrodes 800 and 801 , Xe atoms are excited by electrons in the plasma. When this excited Xe atom transitions to the grounded state, ultraviolet rays are generated. The ultraviolet rays excite the phosphors 804, 805, and 806 to emit three primary colors, i.e., R, G, and B.

제53도는 제52도에 도시한 PDP(900)의 전극의 배선을 도시한 도면이다.FIG. 53 is a view showing the wiring of the electrodes of the PDP 900 shown in FIG. 52.

동일 도면에 있어서, PDP(900)에는 제52도에 도시한 X전극(800)과 Y전극(801)이 평행하게 배선되고, PDP(900)의 좌우 양측에서 전극단자가 돌출되어 있다. A전극(802)는 PDP(900)의 상하 양면에 배치되고, 전극수가 많으므로 전극단자는 상하 1개 걸러 교대로 돌출되어 있다. X전극(800), Y전극(801) 및 A전극(802)의 접합점에 방전셀을 구성한다.In the same figure, an X electrode 800 and a Y electrode 801 shown in FIG. 52 are arranged in parallel in the PDP 900, and electrode terminals protrude from both the left and right sides of the PDP 900. The A electrodes 802 are arranged on both the upper and lower surfaces of the PDP 900, and the electrode terminals are alternately projected one above the other in the upper and lower directions because of the large number of electrodes. A discharge cell is formed at a junction of the X electrode 800, the Y electrode 801, and the A electrode 802.

이하, 이러한 PDP의 모든 방전셀의 집합을 “대집합”이라고 하기로 한다. 한편, Y전극(801)과 X전극(800)은 PDP(900)의 수평방향으로 배열된 방전셀과 공통으로 접속되어 있고, 이들 수평방향의 방전셀의 집합을 여기서는 “중집합”이라고 하기로 한다. PDP(900)의 구조에 따르면, 1수평셀에만 공통으로 Y전극이 배치되어 있을 필요는 없으므로, 중집합은 대집합을 구성하는 일부분으로서 Y전극(801)이 전극과 접속되어 있다.Hereinafter, the set of all the discharge cells of this PDP will be referred to as " set ". On the other hand, the Y electrode 801 and the X electrode 800 are connected in common to the discharge cells arranged in the horizontal direction of the PDP 900, and the set of these discharge cells in the horizontal direction is referred to as " do. According to the structure of the PDP 900, it is not necessary that the Y electrodes are disposed in common in only one horizontal cell, and therefore the Y electrode 801 is connected to the electrode as a part of the middle set which constitutes a large set.

셀의 중집합에는 주사기능의 펄스전압을 인가하므로, Y전극(801)은 셀의 대집합 모두와 공통으로 접속할 수 없지만, X전극(800)은 PDP(900)의 내부 또는 외부에서 셀의 대집합 모두와 공통으로 접속할 수 있다.The Y electrode 801 can not be commonly connected to all of the cell sets because the pulse voltage of the scan function is applied to the middle set of the cells, Can be connected in common with all sets.

제45도는 본 발명에 의한 PDP의 구동방법의 제1실시예에서의 구동신호파형을 도시한 도면이다.FIG. 45 is a diagram showing a driving signal waveform in the first embodiment of the driving method of the PDP according to the present invention. FIG.

PDP(900)의 구동을 위해서는 기본적으로 라이트 기능과 표시기능 양쪽을 실행해야 한다. 라이트기능이라는 것은 선택된 방전셀의 벽면에 전하를 형성하고, 다음의 표시기능으로 선택된 방전셀만을 발광 표시시키는 것이다. 따라서, 라이트기능은 전체 방전셀에 대해 개별적으로 실행해야 하므로, 그 때문에 PDP(900)의 셀의 중집합(Y전극)에 대해 주사기능을 실행한다. 주사기능이라는 것은 셀의 중집합에 주사기능의 펄스전압을 인가하고 이 기간내에 라이트기능을 실행하는 것이다. 그리고, 이와는 달리 셀의 중집합에 있어서는 다른 시간으로 주사기능의 펄스전압을 인가해서 시간적으로 어긋나게 할 수 있다. 그리고 중집합의 각 방전셀의 선택은 A전극이 다른 것에 의해 구별한다.In order to drive the PDP 900, both the light function and the display function must be executed. The write function is to form a charge on the wall surface of the selected discharge cell, and display only the discharge cells selected by the next display function. Therefore, the write function must be executed individually for all the discharge cells, and therefore, the scan function is performed for a set of cells (Y electrodes) of the PDP 900. [ The scanning function is to apply the pulse voltage of the scanning function to the middle set of cells and perform the writing function within this period. On the other hand, in a set of cells, the pulse voltage of the scanning function can be applied at different times to make a time lag. The selection of each discharge cell in the middle sum sum is distinguished by different A electrodes.

제45도는 신호의 1필드를 10개의 서브필드로 분할하고 이 분할된 10개의 서브필드의 표시를 실행하는 경우의 각 전극의 구동신호파형을 도시한 것이다. 여기에서 1개의 A전극(802)만을 도시한다. A전극(802)에 인가하는 라이트데이타에는 서브필드의 수를 나타내는 1∼10의 번호를 붙인다.FIG. 45 shows a driving signal waveform of each electrode when one field of a signal is divided into 10 subfields and display of the divided 10 subfields is performed. Here, only one A electrode 802 is shown. The write data to be applied to the A electrode 802 is numbered from 1 to 10 indicating the number of subfields.

제45도에 있어서 우선 셀의 중집합내의 Y전극(801)중의 하나인 Yl전극에 주사기능의 펄스전압(105A)를 인가한다. 주사기능의 펄스전압(105A)는 A전극(802)의 예를 들면 1번째의 서브필드에 대응한 데이타와 시간적으로 일치한다. 따라서, Yl전극의 주사기능의 펄스전압(105A)는 1번째의 서브필드의 라이트기능을 실행한다. 다음에, Y전극(801)의 다른 하나인 Y2전극에는 주사기능의 펄스전압(105A)를 마찬가지로 A전극(802)의 1번째의 서브필드의 데이타에 대응시켜 인가한다.45 also applies a first pulse voltage (105A) of the scan function to the electrodes Y l, one of the Y electrode 801 in the set of the cells in the. The pulse voltage 105A of the scan function coincides in time with the data corresponding to the first subfield of the A electrode 802, for example. Thus, Y l pulse voltage (105A) of the scanning function of the electrode performs a write function of the first subfield. Is then applied to the other one of Y 2 to Y electrodes of the electrode 801 has, like the pulse voltage (105A) of the scan function corresponding to one of the second subfield data in the A electrode 802.

한편, 다른 셀의 중집합중의 하나인 Yk전극(Y전극중의 1개)에 주사기능의 펄스전압(107A)을 인가하지만, 이것은 A전극의 5번째의 서브필드에 대응하는 시간에 인가한다. 그리고, Yk전극의 다음의 Y전극인 Yk+l전극에 인가되는 펄스전압(107A)도 A전극(802)의 7번째의 서브필드에 대응하는 시간에 인가한다. 또, 다른 셀의 중집합중의 다른 하나인 Yl전극에는 펄스전압(108A)을 A전극의 예를 들면 7번째의 서브필드에 대응하는 시간에 인가한다. 그리고, Yℓ +1의 전극에는 주사기능의 펄스전압(108A)을 마찬가지로 A전극의 7번째의 서브필드에 대응한 시간에 인가한다.On the other hand, the pulse voltage 107A of the scanning function is applied to the Yk electrode (one of the Y electrodes) which is one of the set of other cells, and this is applied at a time corresponding to the fifth subfield of the A electrode . The pulse voltage 107A applied to the Yk + 1 electrode which is the Y electrode next to the Yk electrode is also applied at the time corresponding to the seventh subfield of the A electrode 802. [ In addition, another one of the Y electrode l in the other of the set of cells, a pulse voltage (108A), for example, the A electrode is applied to the time corresponding to the seventh subfield. A pulse voltage 108A of the scan function is similarly applied to the electrode of Y1 + 1 at a time corresponding to the seventh subfield of the A electrode.

이와 같이, 임의의 셀의 중집합에서 1번째의 서브필드의 주사기능을 실행하고 있는 동안, 다른 셀의 중집합에서 다른 서브필드의 주사기능을 실행한다. 그리고, 동일한 서브필드의 주사기능의 펄스전압은 A전극(802)에 인가되는 라이트데이타를 서브필드의 수만큼 점프하면서 주사해 간다.In this way, while performing the scan function of the first sub-field in a set of arbitrary cells, the scan function of another sub-field is executed in a set of other cells. The pulse voltage of the scan function of the same subfield is scanned while jumping the write data applied to the A electrode 802 by the number of the subfields.

제45도에 있어서 주사기능의 펄스전압 후에 표시기능의 펄스전압을 인가한다. 즉, Yl전극의 주사기능의 펄스전압(105A) 후에 표시기능의 펄스전압(109A)를 인가한다. 여기서는 표시기능의 펄스전압(109A)가 1개뿐인 예만을 도시하고 있다. 공통의 X전극(800)에는 주기적인 펄스전압이 인가된다.In Fig. 45, a pulse voltage of the display function is applied after the pulse voltage of the scan function. That is, it applies a pulse voltage (109A) of the display after the voltage pulse Y l (105A) of the scanning function of the electrode. Only the example in which the pulse voltage 109A of the display function is only one is shown. A periodic pulse voltage is applied to the common X electrode (800).

다음에, 표시를 위한 동작을 설명한다.Next, the operation for display will be described.

우선, Yl전극에 주사기능의 펄스(105A)가 인가되고, A전극(802)의 1번째의 서브필드에 대응하는 데이타가 라이트전압(고전압)으로 유지되어 있으면, Yl전극과 A전극(802) 사이에 방전이 발생하여 Yl전극에 이온이 부착한다. 다음에 펄스전압(l13A)에 의해 X전극(800)이 저전압으로 되고, Yl전극이 고전압이고 또 Yl전극에 이온이 부착되어 있으므로, 메모리효과에 따라 X전극(800)의 펄스전압(l13A)은 방전을 개시한다. 이 방전에 의해 X전극(800)에는 이온이, Yl전극에는 전자가 각각 부착된다. 다음에, Yl전극의 표시기능의 펄스(109A)에 의해 Yl전극이 저전위로 되고 X전극(800)이 고전압으로 되므로, 표시기능의 펄스(109A)는 메모리효과에 따라 방전된다. 이 방전에 의해 X전극(800)에는 전자가, Yl전극에는 이온이 각각 부착한다. 다음에, X전극의 펄스전압도 마찬가지로 방전한다. 다음에, Yl에서 표시기능의 펄스전압은 차단된다. 따라서, 메모리효과가 없으므로 X전극(800)의 펄스전압(l15A)는 방전되지 않는다. 즉, Yl전극의 표시기능의 펄스가 차단되는 것에 의해 표시방전이 중단되게 된다. X전극(800)과 Yl전극 사이에서 펄스적인 방전을 발생시키는 것에 의해 방전셀내의 형광체를 여기해서 발광 표시를 실행한다.First, Y l is applied to the pulse (105A) of the scan function to the electrode 1, if the data corresponding to the second sub-field is maintained at a write voltage (high voltage), Y l and A electrodes of the A electrode 802 ( 802, so that the ions adhere to the Y 1 electrode. Next, the X electrode 800 becomes a low voltage by the pulse voltage 13A, and the Y 1 electrode is at a high voltage and the Y 1 electrode is attached with ions. Therefore, the pulse voltage of the X electrode 800 Starts discharging. By this discharge, ions are attached to the X electrode 800 and electrons are attached to the Y 1 electrode, respectively. Next, the Y electrode l by a pulse (109A) of the display electrode of Y l and up low potential, so the X electrode 800 is a high voltage pulse (109A) of the display is discharged in accordance with the memory effect. This discharge causes electrons to adhere to the X electrode 800 and ions to adhere to the Y 1 electrode, respectively. Next, the pulse voltage of the X electrode also discharges. Next, the pulse voltage of the display function at Y l is cut off. Therefore, since there is no memory effect, the pulse voltage 115A of the X electrode 800 is not discharged. That is, the display discharge is interrupted by blocking the pulse of the display function of the Y l electrode. The phosphor within the discharge cell is excited by generating a pulse-like discharge between the X electrode 800 and the Y 1 electrode to perform light emission display.

발광시키지 않는 경우에는 Yl전극의 주사기능의 펄스전압(105A)가 인가되었을 때 A전극(802)에는 고전압펄스를 인가한다. 그 때에는 Yl전극과 A전극(802) 사이에서 방전이 발생하지 않아 Yl전극에 이온이 부착하는 일은 없다. 따라서, 다음의 X전극(800)의 펄스전압이 인가되어도 메모리효과가 없으므로 방전되지 않는다. 마찬가지로 다음의 Yl전극의 펄스전압(109A) 및 X전극(800)의 펄스전압(l14A)도 방전되지 않는다. X전극(800)과 Yl전극 사이에서 표시를 위한 방전이 발생하지 않으므로, 방전셀내의 형광체가 여기되지 않아 발광표시가 실행되지 않는다.If it does not fire, the A electrode 802 when the voltage pulse (105A) of the scanning function of the Y electrode is l is applied to the high voltage pulse. At this time, no discharge occurs between the Y 1 electrode and the A electrode 802, so that ions do not adhere to the Y 1 electrode. Therefore, even if the pulse voltage of the next X electrode 800 is applied, there is no memory effect, and therefore, no discharge occurs. Similarly, the pulse voltage 109A of the Y1 electrode and the pulse voltage 114A of the X electrode 800 are not discharged. A discharge for display does not occur between the X electrode 800 and the Y 1 electrode, so that the phosphor in the discharge cell is not excited and the light emission display is not performed.

상기한 라이트-발광표시의 제어는 1개의 셀의 중집합에서 서브필드의 수만큼 실행되고 또 여러개의 셀의 중집합의 주사에 맞춰 모든 셀의 대집합에서 실행된다.The control of the above-described light-emitting display is carried out in a set of all the cells, in the set of one cell, by the number of the subfields, and in accordance with the scan of the sum of the plurality of cells.

다음에 제45도를 사용해서 프라이밍기능의 방법을 설명한다.Next, a method of the priming function will be described using FIG. 45.

Yl전극에 주사기능의 펄스전압(105A)를 인가하기 전에 A전극(802)에 미리 이온을 부착시켜 라이트전압을 저감시키고, 방전셀내에 미리 어느정도의 공간전하를 형성해서 라이트의 방전을 용이하게 하기 위해 프라이밍기능을 실행한다.Y l electrodes on before applying a pulse voltage (105A) of the scanning function to pre-attach the ions to the A electrode 802 and reduce the write voltage, by forming a space-charge to some extent in advance in the discharge cells to facilitate the discharge of the light The priming function is executed.

그를 위해, Yl전극에 정의 펄스전압(102A)(정의 펄스전압이라는 것은 낮은 듀티의 전위가 다른 전위보다 높은 고펄스를 말한다)를 X전극(800)의 주기적인 펄스전압(111A)과 동일 시각에 인가하고 X전극(800)과 Yl전극 사이에서 큰 전위차를 발생시켜 방전시킨다. 이 프라이밍기능이 종료한 직후에 X전극(800)과 Yl전극은 동일 전위로 되므로, 자기소거방전이 발생한다. 여기에서, 자기소거방전이라는 것은 펄스전압이 제거된 후 방전에 의해 2개의 전극상에 형성된 전하에 의해서 전압이 발생하여 방전되는 것을 말한다.For this, (is the potential of the low duty refers to high and pulse than other potential that defines the pulse voltage) defined pulse voltage (102A) in the Y l electrodes periodic pulse voltage (111A) and the same time of the X electrode 800 And a large potential difference is generated between the X electrode 800 and the Y 1 electrode to discharge the same. Immediately after the priming function is terminated, the X electrode 800 and the Y 1 electrode are at the same potential, and self erase discharge occurs. Here, the term self-erase discharge means that a voltage is generated and discharged by a charge formed on two electrodes by discharge after a pulse voltage is removed.

이 자기소거방전에 의해 X전극(800)과 Yl전극상의 전하는 소거되고, 공간에 부유하는 전하는 Yl전극과 X전극(800)의 전위와 A전극(802)의 전위와의 전위차때문에 A전극(802)에 부착한다. 따라서, 이 프라이밍기능에 의해 A전극(802)에 이온이 부착하므로, 라이트기능용으로 A전극(802)에 인가되는 펄스전압을 낮출 수 있다.Due to the magnetic erasure discharge, the charges on the X electrode 800 and the Y 1 electrode are erased, and the electric charge floating in the space becomes a potential difference between the Y 1 electrode and the X electrode 800 and the electric potential of the A electrode 802, (802). Therefore, since the ions are attached to the A electrode 802 by this priming function, the pulse voltage applied to the A electrode 802 for the write function can be lowered.

다음에, 제45도에 있어서, 프라이밍기능의 펄스전압을 인가하기 전에 보조방전기능을 실행하는 것에 대해서 설명한다.Next, in Fig. 45, description will be given of execution of the auxiliary discharge function before applying the pulse voltage of the priming function.

이 보조방전기능에 의해, 프라이밍기능의 펄스의 전압을 낮추기 위해 Yl전극에 보조방전기능의 펄스전압(101)을 인가한다. 이것은 표시기능의 방전이 항상 X전극(800)의 펄스전압으로 종료되기 때문에 이전의 서브필드의 표시기능의 잔류 벽전하를 이용해서 프라이밍기능의 펄스전압(102A)에 앞서 표시기능과 동일한 펄스전압을 Yl전극에 인가하는 것에 의해 방전시키는 것이다. 이 보조방전기능에 의해, Yl전극에 이온을 부착시켜 프라이밍기능의 방전을 저전압으로 실행할 수 있다.The function by the auxiliary discharge, and applies a pulse voltage (101) of the auxiliary discharge function to electrodes Y l to lower the voltage of the function of the priming pulse. This is because the discharge of the display function is always terminated by the pulse voltage of the X electrode 800, so that the same pulse voltage as the display function is applied to the pulse voltage 102A of the priming function using the residual wall charge of the display function of the previous sub- Y l is to discharge by applying to the electrode. By this auxiliary discharge functions were attached to the ion electrode Y l can execute the function of the priming discharge at a low voltage.

다음에 제45도를 사용해서 Yl전극에 인가되는 2번째의 서브필드의 라이트에 대해서 설명한다.Next to the use of claim 45 will be explained with respect to light of the second sub-field to be applied to the Y electrode l.

Yl전극에 인가되는 1번째의 서브필드의 보조방전기능의 펄스전압(101A), 프라이밍기능의 펄스전압(102A), 주사기능의 펄스전압(105A) 및 표시기능의 펄스전압(109A)의 인가를 중단하는 것에 의해, 1번째의 서브필드의 일련의 제어가 종료된다.Applying a first pulse voltage (101A) of the auxiliary discharge function of the second subfield, the priming function of the pulse voltage (102A), the scanning function of the pulse voltage (105A), and display pulse voltage (109A) of which is applied to the Y l electrodes The series of control of the first sub-field is terminated.

다음에, 2번째의 서브필드에서는 동일한 보조방전기능의 펄스전압(103A), 프라이밍기능의 펄스전압(104A), 주사기능의 펄스전압(106A) 및 표시기능의 펄스전압(109A)를 인가한다. 여기에서, 주사기능의 펄스전압(106A)은 A전극(802)의 라이트의 2번째의 서브필드에 대응하는 시간에 인가한다. 단, 서브필드의 순번이 반드시 1부터 10까지일 필요는 없고, 임의의 서브필드의 주사기능의 펄스전압(105A)와 다음의 서브필드의 주사기능의 펄스 사이의 기간동안 A전극(802)에는Next, in the second subfield, the pulse voltage 103A of the same auxiliary discharge function, the pulse voltage 104A of the priming function, the pulse voltage 106A of the scanning function, and the pulse voltage 109A of the display function are applied. Here, the pulse voltage 106A of the scan function is applied at a time corresponding to the second subfield of the write of the A electrode 802. [ However, the order number of the subfields does not necessarily have to be from 1 to 10, and during the period between the pulse voltage 105A of the scanning function of any subfield and the scanning function pulse of the next subfield,

k×n+p (1≤p≤k-1) (단, k, n, p : 정수)k? n + p (1? p? k-1) (where k, n,

의 수만큼 라이트의 펄스전압을 인가한다. 단, 여기에서 k는 서브필드의 수, n은 임의의 정수이다. 이것에 의해, 다른 서브필드의 주사기능의 펄스전압이 모든 Y전극(801)에 걸쳐서 동일 시각에 인가되는 일이 없다.The pulse voltage of the light is applied as many times as the number of pulses. Here, k is the number of subfields, and n is an arbitrary integer. Thereby, the pulse voltage of the scanning function of the other subfields is not applied at the same time across all the Y electrodes 801. [

이상에서는 제45도에서 도시한 X전극(800)의 주기적인 펄스전압은 A전극(802)에 인가되는 라이트펄스와 시간적으로 중첩되지 않게 된다. 또, Yl전극에 인가되는 표시기능의 펄스전압과 프라이밍기능의 펄스전압도 A전극(802)에 인가되는 라이트 펄스와 시간적으로 중첩되지 않게 된다. 또, 제45도에서의 X전극(800)의 주기적인 펄스전압(l11A)과 Yl전극에 인가되는 프라이밍기능을 갖는 펄스전압(102A)를 서로 역극성으로 하는 것에 의해 더욱 높은 전위차를 얻을 수 있다.The periodic pulse voltage of the X electrode 800 shown in FIG. 45 does not overlap with the write pulse applied to the A electrode 802 in a temporal manner. In addition, Y l is not the pulse voltage of the pulse voltage, and the priming feature of a display function to be applied to the electrode is not superimposed to the light pulse and the time is applied to the A electrode 802. Further, by setting the periodic pulse voltage 11 IA of the X electrode 800 and the pulse voltage 102A having the priming function applied to the Y 1 electrode to the polarities opposite to each other in FIG. 45, a higher potential difference can be obtained have.

제54도는 제1실시예의 주사방법을 도시한 도면으로서, 횡축은 2필드분의 시간을 나타내고, 종축은 셀의 중집합의 Y전극을 나타낸다. 또, 도면에 있어서 사선은 각 셀의 중집합에 대해 서브필드의 주사기능 펄스전압의 인가시간을 추종한 것이다. 이것에서는 서브필드수의 수를 10으로 하고, 각각의 서브필드를 b0, bl, b2,‥‥‥ , b9로 하고 있다.54 shows the scanning method of the first embodiment, in which the abscissa represents the time of two fields, and the ordinate represents the Y electrode of the center of the cell. In the drawing, the oblique lines show the application time of the scan function pulse voltage of the subfield to the set of each cell. In it the number of the number of subfields to 10, and the respective sub-fields by b 0, b l, b 2 , ‥‥‥, b 9.

제54도에 도시한 바와 같이, 1개의 서브필드를 주사하기 위해서는 모든 셀의 중집합을 종료할 때까지 대략 1필드의 시간이 필요로 된다. 또, 임의의 시간을 고정하면 다수의 서브필드의 주사가 동시에 실행되는 것을 알 수 있다. 그러나, 제45도에 도시한 바와 같이 다른 서브필드의 주사기능의 펄스전압이 시간적으로 중첩되는 일은 없다.As shown in FIG. 54, in order to scan one sub-field, approximately one field is required until the end of the set of all the cells. Also, it can be seen that scanning of a plurality of subfields is simultaneously performed when an arbitrary time is fixed. However, as shown in FIG. 45, the pulse voltages of the scan functions of other subfields are not overlapped temporally.

이 주사기능의 펄스전압후에는 표시기능의 펄스전압이 인가되고, 그 수는 각 서브필드마다 다른 것이 일반적이다. 따라서, 제54도에 도시한 바와 같이 1개의 셀의 중집합에서 각 서브필드마다 주사기능의 펄스전압간의 시간간격이 다른 것이 일반적이다.After the pulse voltage of the scan function, a pulse voltage of a display function is applied, and the number thereof is generally different for each subfield. Therefore, as shown in Fig. 54, it is general that the time interval between the pulse voltages of the scan function is different for each subfield in a set of one cell.

제55도는 본 발명에 의한 PDP의 구동방법의 제2실시예에서의 구동신호파형을 도시한 도면으로서, Xl, X2의 2개의 X전극과 Yl, Y2의 2개의 Y전극의 구동신호파형을 도시한 것이며, 제45도에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 있다.FIG. 55 is a diagram showing a driving signal waveform in the second embodiment of the driving method of the PDP according to the present invention, in which two X electrodes of X 1 and X 2 and two Y electrodes of Y 1 and Y 2 And a portion corresponding to FIG. 45 is denoted by the same reference numeral.

제45도에서는 X전극(800)에 인가되는 주기적인 펄스전압을 모든 셀의 중집합에서 동일한 것으로 했지만, 제55도에 있어서는 각각의 셀의 중집합에 있어서 X전극이 독립되어 있고, 인가하는 펄스전압의 유무가 다른 예를 도시한 것이다. 여기에서는 예를 들어 Xl전극과 Yl전극, X2전극과 Y2전극 등과 같이 1개의 X전극과 1개의 Y전극이 동일한 셀의 중집합내에 속해 있다.In FIG. 45, the periodic pulse voltage applied to the X electrode 800 is set to be the same in all sets of all cells, but in FIG. 55, the X electrodes are independent in the set of each cell, The presence or absence of a voltage is different. Here, for example, there is one X electrode and one Y electrode, such as electrode and the X l Y l electrodes, X 2 and Y 2 electrode is a part of the electrode set of the same cell.

Yl전극의 프라이밍기능의 펄스전압(102A)과 동일 시각에는 Xl전극에 부의 펄스전압(1100A)(부의 펄스전압이라는 것은 듀티가 낮은 펄스전위가 다른 전위보다 낮은 펄스전압을 말한다)이 인가되고, Yl전극에 대한 표시기능의 펄스전압(109A)의 전후에는 Xl전극에 발광할 가능성이 있는 펄스전압만(펄스전압(1101))을 인가한다. 그리고, 이들 여러개의 X전극(800)의 펄스전압은 여러개의 Y전극(801)에 대한 주사기능의 펄스전압의 지연시간과 동일한 지연시간동안 순차 인가되어 간다.In the same time with pulse voltage (102A) of the Y l-priming function of the electrode, a pulse voltage (1100A) portion for X l electrodes (not called negative pulse voltage means a duty is low pulse voltage than the other potential is low the pulse voltage) is applied, and , the front and rear of the display pulse voltage (109A) for the Y electrodes, l is the only voltage pulses that may be emitted to the electrodes X l (pulse voltage 1101). The pulse voltages of the plurality of X electrodes 800 are sequentially applied for a delay time equal to the delay time of the pulse voltage of the scan function for the plurality of Y electrodes 801.

제56도는 본 발명에 의한 PDP의 구동방법의 제3실시예에서의 구동신호파형을 도시한 도면으로서, X전극(800)과 Yl∼Y6전극의 구동신호파형을 도시한 것이고, 제45도에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 있다.56 shows a driving signal waveform in the third embodiment of the driving method of the PDP according to the present invention, which shows driving signal waveforms of the X electrode 800 and the Y 1 to Y 6 electrodes, The same reference numerals are given to parts corresponding to the figures.

제45도에 도시한 제1실시예에서는 프라이밍기능의 펄스(102A) 및 보조방전기능의 펄스전압이 셀의 중집합의 주사 순서에 따라서 서로 순차 시간적으로 어긋나 있었지만, 제56도에 도시한 실시예에서는 적어도 셀의 중집합에서 프라이밍기능의 펄스전압과 보조방전기능의 펄스전압을 동일 시각에 인가하고 있으므로, 주사기능의 펄스전압만이 어긋나 있다. 이것에 의해, 프라이밍기능의 펄스를 발생하는 회로를 여러개의 셀의 중집합에서 공통으로 이용할 수 있어 회로수를 저감할 수 있다.In the first embodiment shown in FIG. 45, the pulse 102A of the priming function and the pulse voltage of the auxiliary discharge function are sequentially and temporally shifted from each other in accordance with the scanning order of the cells in the center of gravity. In the embodiment shown in FIG. 56 The pulse voltage of the priming function and the pulse voltage of the auxiliary discharge function are applied at the same time at least in the middle set of the cells, so that only the pulse voltage of the scan function deviates. This makes it possible to commonly use a circuit for generating pulses of priming function among a plurality of sets of cells, thereby reducing the number of circuits.

제57도는 본 발명에 의한 PDP의 구동방법의 제4실시예에서의 구동신호파형을 도시한 도면으로서, X전극(800)과 Yl∼Y3전극의 구동신호파형을 도시한 것이고, 제45도에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 있다.FIG. 57 is a view showing a driving signal waveform in the fourth embodiment of the driving method of the PDP according to the present invention, showing the driving signal waveforms of the X electrode 800 and the Y 1 to Y 3 electrodes, The same reference numerals are given to parts corresponding to the figures.

동일 도면에 있어서, 1개의 셀의 중집합의 주사기능의 펄스전압은 중단되는 일없이 다음의 프라이밍기능의 펄스전압이 인가될 때까지 주기적으로 인가된다. 그 대신 표시방전을 정지시키기 위한 소거기능의 펄스전압(1300)이 인가된다. 이것은 펄스폭이 좁은 펄스에 의해 벽전하가 형성되기 전에 방전을 정지시키고, 방전셀의 공간에 전하를 부유시켜 중화시키는 것에 의해 벽전하를 구별해 내는 역할을 하는 것이다. 그리고, 벽전하를 구별해 내는 것에 의해 메모리 효과가 없어져 표시를 위한 방전이 정지된다.In the same figure, the pulse voltage of the scan function of the overlapping sum of one cell is periodically applied until the pulse voltage of the next priming function is applied without interruption. Instead, a pulse voltage 1300 of an erase function for stopping the display discharge is applied. This serves to distinguish wall charges by stopping discharge before wall charges are formed by pulses having a narrow pulse width, and neutralizing charges by floating them in the spaces of the discharge cells. Then, by distinguishing the wall charges, the memory effect is lost and the discharge for display is stopped.

제58도는 상기한 각 실시예에서의 서브필드의 표시기능의 펄스전압의 인가시간의 분포를 도시한 도면이다.FIG. 58 is a diagram showing the distribution of the application time of the pulse voltage of the display function of the subfield in each of the above embodiments. FIG.

화상을 표시하기 위해서는 계조를 제어할 필요가 있다. 그를 위해, 각 서브필드의 발광휘도를 다르게 하고 그들의 발광의 유무를 제어하는 것에 의해 계조를 제어한다. 일반적으로는 각 서브필드의 발광시간폭(즉, 서브필드의 휘도)을 2진 시스템으로 형성하는 것에 의해, 가능한 한 적은 서브필드의 수로 최대의 계조를 표시할 수 있다.In order to display an image, it is necessary to control the gradation. For this purpose, the gradation is controlled by changing the light emission luminance of each subfield and controlling the presence or absence of light emission thereof. In general, by forming the emission time width of each subfield (i.e., the brightness of the subfield) in the binary system, the maximum gradation can be displayed with as few subfields as possible.

그러나, 동화상의 표시시에는 소위 다이나믹한 거짓 윤곽이 생기므로, 모든 서브필드의 발광시간폭을 2진 시스템으로 하는 것은 실행하지 않고, 하위의 서브필드만을 2진 시스템으로 하고 상위의 서브필드는 2진 시스템으로 하지 않는 것이 일반적이다. 제58도에서는 하위 6개의 서브필드에서의 발광시간폭을 2진 시스템으로 하고, 상위 4개의 서브필드에서의 발광시간폭을 모두 동일하게 하였다. 그리고, 상위 4개의 서브필드중 1쌍(2개)을 1필드 앞부분과 됫부분에 각각 배치한다. 제58도에서는 10개의 서브필드에서 256의 계조를 실현하는 것이 가능하다.However, when a moving picture is displayed, a so-called dynamic false contour is generated. Therefore, the emission time width of all the subfields is not set to be a binary system, only the lower subfield is set to be a binary system, It is common not to use the system as a whole. In FIG. 58, the emission time widths in the lower six subfields are set to be binary systems, and the emission time widths in the upper four subfields are made equal. Then, one pair (two) of the upper four subfields are arranged in the front and the back of the first field, respectively. In FIG. 58, it is possible to realize 256 gradations in 10 subfields.

제59도는 다른 계조표시방법을 도시한 도면으로서, 서브필드의 수를 7개로 하고, 또 하위 3개의 서브필드의 발광시간폭만을 2진 시스템으로 하고, 상위 4개의 서브필드의 발광시간폭은 모두 동일하게 한 것이다. 그리고, 상위 4개의 서브필드중 1쌍(2개)을 1필드 앞부분과 뒷부분에 각각 배치한 것이다. 이 경우, 40의 계조를 실현할 수 있다.FIG. 59 shows another gradation display method in which the number of subfields is 7, and only the emission time width of the lower three subfields is a binary system, and the emission time widths of the upper four subfields are all The same thing. One pair (two) of the upper four subfields are arranged in the front and rear of the first field, respectively. In this case, the gradation of 40 can be realized.

제60도는 본 발명에 의한 PDP의 표시장치의 제1실시예를 도시한 구성도로서, (1600A)는 Y전력회수회로, (1601A)는 펄스전압 분배회로, (1602A)는 X전력회수회로, (1603A)는 A드라이버회로, (1604A)는 시프트레지스터, (1605A)는 표시데이타신호 발생회로, (1606A)는 제어신호 발생회로이고, 제53도에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 중복되는 설명을 생략한다. 동일 도면에 있어서, PDP의 각 X전극은 X전력회수회로(1602A)에 직접 공통 접속되어 있다. 이 X전력회수회로(1602A)에서는 주기적인 펄스전압이 발생한다. 셀의 중집합의 Y전극은 하나하나 독립해서 펄스전압 분배회로(1601A)에 접속되어 있고, 이들은 표시기능의 펄스전압 발생회로인 Y전력회수회로(1600A)에 공통 접속되어 있다. 이들 X전력회수회로(1602A), 펄스전압 분배회로(1601A) 및 Y전력회수회로(1600A)는 제어신호 발생회로(1606A)에서 발생되는 제어신호에 의해서 제어된다.Fig. 60 is a diagram showing a first embodiment of a display device of a PDP according to the present invention, in which 1600A is a Y power recovery circuit, 1601A is a pulse voltage distribution circuit, 1602A is an X power recovery circuit, Reference numeral 1603A denotes an A driver circuit, 1604A denotes a shift register, 1605A denotes a display data signal generating circuit, and 1606A denotes a control signal generating circuit. . In the same figure, each X electrode of the PDP is directly connected to the X power recovery circuit 1602A in common. In this X power recovery circuit 1602A, a periodic pulse voltage is generated. Each of the Y electrodes of the cells in the center of the cell is independently connected to the pulse voltage distributing circuit 1601A and these are connected in common to the Y power recovering circuit 1600A which is a pulse voltage generating circuit of display function. The X power recovery circuit 1602A, the pulse voltage distribution circuit 1601A, and the Y power recovery circuit 1600A are controlled by a control signal generated by the control signal generation circuit 1606A.

한편, A전극(802)는 PDP패널(900)의 상하 단자에 접속된 A드라이버회로(1603A)에 의해 구동되고, 그 라이트신호는 표시데이타신호 발생회로(1605A)에서 화상에 따른 데이타신호로서 발생되어 직렬/병렬 변환되어 A드라이버회로(1603A)로 공급된다.On the other hand, the A electrode 802 is driven by the A driver circuit 1603A connected to the upper and lower terminals of the PDP panel 900, and the write signal is generated as a data signal according to the image in the display data signal generating circuit 1605A Parallel-converted and supplied to the A driver circuit 1603A.

제61도는 제60도에 있어서의 Y전력회수회로(1600A)와 펄스전압분배회로(1601A)의 실시예를 도시한 회로구성도로서, (1700), (1701)은 FET, (1707)은 유지회로FET, (1708)은 FET, (1709)는 유지회로FET, (1710)∼(1715)는 다이오드, (1716)은 커패시터, (1717)은 Y전력회수회로(1600A) 부분, (1718)은 펄스전압 분배회로(1601A) 부분이다.FIG. 61 is a circuit diagram showing an embodiment of the Y-power recovery circuit 1600A and the pulse voltage distribution circuit 1601A in FIG. 60. Reference numerals 1700 and 1701 denote FETs, 1717 is a diode, 1716 is a capacitor, 1717 is a Y power recovery circuit 1600A, 1718 is a FET, 1709 is a holding circuit FET, 1710 to 1715 are a capacitor, And a part of the pulse voltage distribution circuit 1601A.

동일 도면에 있어서, Y전력회수회로 부분(1717)은 커패시터(1716), 2개의 단방향성 스위치회로인 FET(1700)과 다이오드(1710), FET(1701)과 다이오드(1711) 및 인덕턴스(1702), (1703)으로 구성되어 있다.In the same figure, the Y power recovery circuit portion 1717 includes a capacitor 1716, two unidirectional switch circuits, FET 1700 and diode 1710, FET 1701 and diode 1711 and inductance 1702, And 1703, respectively.

이 인덕터(1702)와 Y전극(801)의 용량성 부하의 공진에 의해 커패시터(1716)에서 Y전극(801)로 전하를 공급해서 전하를 상승시키고, 인덕터(1703)과 Y전극(801)의 용량성 부하의 공진에 의해 전하를 재차 커패시터(1716)으로 되돌려 보내고 Y전극(801)의 전압을 하강시킨다. 이와 같이 Y전극(801)에 펄스전압을 인가하는 것에 의해 전하를 커패시터(1716)에서 공급하고 재차 커패시터(1716)으로 회수하는 것에 의해서, 저소비전력의 구동회로를 실현할 수 있다.The inductor 1702 and the Y electrode 801 are electrically connected to each other by supplying charges from the capacitor 1716 to the Y electrode 801 by the resonance of the capacitive load of the inductor 1702 and the Y electrode 801, The charge is again returned to the capacitor 1716 by the resonance of the capacitive load and the voltage of the Y electrode 801 is lowered. By applying a pulse voltage to the Y electrode 801 in this manner, charges are supplied from the capacitor 1716 and are recovered to the capacitor 1716, thereby realizing a drive circuit with a low power consumption.

한편, 펄스전압 분배회로 부분(1718)은 다이오드(1712)와 FET(1704) 및 다이오드(1713)과 FET(1705)에 의해 표시기능의 펄스전압을 분배하고, 주사기능의 펄스전압과 프라이밍기능의 펄스전압을 인가하는 회로는 양방향성 스위칭회로인 FET(1706), 다이오드(1714)와 FET(1708), 다이오드(1715)를 병렬 접속한 것과 고전압원으로의 유지회로FET(1709) 및 저전압원으로의 유지회로FET(1707)로 구성되어 있다.On the other hand, the pulse voltage distribution circuit portion 1718 distributes the pulse voltage of the display function by the diode 1712, the FET 1704, the diode 1713 and the FET 1705, and supplies the pulse voltage of the scan function and the pulse voltage of the priming function The circuit for applying the pulse voltage includes a FET 1706 as a bi-directional switching circuit, a diode 1714 and a FET 1708, a diode 1715 connected in parallel, a holding circuit FET 1709 as a high voltage source, And a holding circuit FET 1707.

다음에, 제62도의 전압파형도를 사용해서 상기 실시예의 동작을 설명한다. 또, 동일 도면에 있어서 Y전극(801)중의 하나에 인가되는 전압파형을 도시하고, 이하에서는 I∼XI의 11개의 기간으로 나누어 각각 설명한다.Next, the operation of the above-described embodiment will be described using the voltage waveform diagram of FIG. The voltage waveform applied to one of the Y electrodes 801 in the same drawing is shown, and the following description is made by dividing it into 11 periods I to IX.

기간Ⅰ : 회로출력은 VY2레벨로 되고, 그 때에는 FET(1706), (1708)은 양쪽 모두 도통(온상태)된다. 여기에서, 전압VY2의 전원에 양방향성 스위치가 접속되어 있고, 다른 전극에 펄스전압이 인가되면 패널내의 용량성 결합 때문에 전압이 유입(leak-in)되고 이 양방향성 스위치전압이 VY2의 전원으로 방출된다.Period I: The circuit output becomes VY 2 level, and at that time, both FETs 1706 and 1708 are turned on (turned on). Here, when a bi-directional switch is connected to the power source of the voltage VY 2 and a pulse voltage is applied to the other electrode, a voltage is leaked in due to the capacitive coupling in the panel, and this bidirectional switch voltage is discharged to the power source of VY 2 do.

기간Ⅱ : 보조방전기능의 펄스전압이고, FET(1707)이 온되어 저전압레벨로 유지된다.Period II: Pulse voltage of auxiliary discharge function, FET 1707 is turned on and maintained at a low voltage level.

기간Ⅲ : 기간 I과 동일.Period Ⅲ: Same as Period I.

기간Ⅳ : 프라이밍기능의 펄스전압이고, FET(1709)가 온되어 출력전압이 VY1에 유지된다.Period Ⅳ: a pulse voltage of the priming feature is a FET (1709) is held on the output voltage VY to 1.

기간Ⅴ : 기간 I과 동일.Period V: Same as Period I.

기간Ⅵ : 주사기능의 펄스전압이고, FET(1707)이 온되어 저전압레벨로 유지된다.Period VI: Pulse voltage of scan function, FET 1707 is turned on and maintained at a low voltage level.

기간Ⅶ : 기간 I과동일.Period VII: Period I Contingency Day.

기간Ⅷ : 표시 펄스전압의 인가에 의한 파형의 하강기간이다. Y전력 회수회로 부분(1717)의 FET(1701)과 펄스전압 분배회로 부분(1718)의 FET(1705)가 온되고, 인덕턴스(1703)과 Y전극(801)의 용량성 부하의 공진에 의해 Y전극(801)의 전위가 정현파적으로 저전압레벨까지 내려간다. 이 때, Y전극(801)에 축적되어 있던 전하를 회수해서 Y전력회수회로 부분(1717)의 용량소자(1716)에 축적한다.Period VIII: Fall period of the waveform due to application of the display pulse voltage. The FET 1701 of the Y power recovery circuit portion 1717 and the FET 1705 of the pulse voltage distribution circuit portion 1718 are turned on and the inductance 1703 and the resonance of the capacitive load of the Y electrode 801 The potential of the electrode 801 goes down to a low voltage level sinusoidally. At this time, the charge accumulated in the Y electrode 801 is collected and accumulated in the capacitor element 1716 of the Y power recovery circuit portion 1717.

기간Ⅸ : 표시기능의 펄스전압을 저전압레벨로 유지하는 것에 의해 FET(1707)이 온된다.Period IX: The FET 1707 is turned on by keeping the pulse voltage of the display function at the low voltage level.

기간Ⅹ : 표시기능의 펄스전압의 상승기간이고, Y전력회수회로 부분(1717)의 FET(1700)과 펄스전압 분배회로 부분(1718)의 FET(1704)가 온된다. 이것에 의해, 인덕터(1702)와 Y전극(801)의 용량성 부하의 공진에 의해 커패시터(1716)에서 Y전극(801)로 전하가 공급되어 전위가 레벨VY2까지 정현파적으로 상승한다.Period X is a rising period of the pulse voltage of the display function and the FET 1700 of the Y power recovery circuit portion 1717 and the FET 1704 of the pulse voltage distribution circuit portion 1718 are turned on. As a result, charge is supplied from the capacitor 1716 to the Y electrode 801 by the resonance of the capacitive load of the inductor 1702 and the Y electrode 801, and the potential rises sinusoidally up to the level VY 2 .

기간XI : 표시기능의 펄스전압이 VY2전원의 레벨로 유지되는 기간이고, 기간 I과 동일하다.Period XI: The period during which the pulse voltage of the display function is maintained at the level of the VY 2 power supply, and is the same as the period I.

이 이후의 표시기능의 펄스전압의 인가에서는 상기 기간Ⅷ∼XI의 동작의 반복이다. 또, 여기에서는 셀의 중집합중의 1개의 Yl전극의 파형에 대해서만 설명했지만, 펄스전압 분배회로 부분(1718)을 각각의 셀의 중집합(Y전극)에 각각 마련하는 것에 의해, 제45도에 도시한 바와 같은 다른 셀의 중집합에 인가될 펄스전압을 발생시킬 수 있다. 또, Y전력회수회로(1600A)(제60도)는 PDP의 표시장치에 1개 또는 여러개 마련하면 좋다.The subsequent application of the pulse voltage of the display function is a repetition of the operations in the periods VIII-XI. In addition, here, by providing a 1 has been described only for the waveforms of the two Y l electrodes, a pulse voltage division circuit portion 1718 of the set of the cell, each in a set (Y electrode) of the respective cells, 45 It is possible to generate a pulse voltage to be applied to a set of other cells as shown in Fig. One or a plurality of Y power recovery circuits 1600A (FIG. 60) may be provided in the display device of the PDP.

제63도는 제60도에 도시한 Y전력회수회로(1600A)와 펄스전압 분배회로(1601A)의 다른 실시예를 도시한 회로구성도로서, (1901)은 유지회로FET, (1902)∼(1904)는 FET, (1905)는 다이오드, (1906)은 FET, (1907)은 다이오드, (1908)∼(1910)은 FET, (1911)은 다이오드, (1912)는 FET, (1913)은 다이오드, (1914)∼(1916)은 FET, (1917)은 다이오드, (1918)은 FET, (1919)는 다이오드, (1920)∼(1922)는 FET, (1923)는 다이오드, (1924)는 커패시터, (1925), (1926)는 FET, (1927)은 Y전력회수회로(1600A) 부분, (1928), (1929), (1930)은 각각 Y전극(801)의 3개의 전극Yl, Y2, Y3에 대응하는 펄스전압 분배회로(1601A) 부분이고, 제61도에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고, 그의 중복되는 설명은 생략한다.FIG. 63 is a circuit configuration diagram showing another embodiment of the Y power recovery circuit 1600A and the pulse voltage distribution circuit 1601A shown in FIG. 60. Reference numeral 1901 denotes a holding circuit FET, and 1902 to 1904 1910 is a diode, 1909 is a FET, 1907 is a diode, 1907 is a diode, 1908 to 1910 are FET, 1911 is a diode, 1912 is a FET, 1913 is a diode, 1914 to 1916 denote FETs, 1917 denotes a diode, 1918 denotes a FET, 1919 denotes a diode, 1920 to 1922 denotes an FET, 1923 denotes a diode, 1924 denotes a capacitor, 1925 and 1926 are FETs and 1927 is a portion of the Y power recovery circuit 1600A and 1928 and 1929 are 1930 and 1930 are three electrodes Y 1 and Y 2 of the Y electrode 801, And Y 3 , and the same reference numerals are given to portions corresponding to FIG. 61, and redundant explanations thereof are omitted.

이 실시예가 제61도에 도시한 것과 다른 점은 제63도에 있어서 전원전압VY2와 저전압레벨(접지레벨)로 유지하기 위해 Y전력회수회로 부분(1727)에 유지회로FET(1901)과 FET(1902) 및 FET(1903)과 FET(1904)를 마련한 점 및 전압레벨VY1또는 VY2의 신호를 인가하기 위한 회로로서 FET(1909), (1915), (1921)을 공통으로 사용한 점에 있다.This embodiment is different from that shown in FIG. 61 in that the holding circuit FET 1901 and the FET (not shown) are provided in the Y power recovery circuit portion 1727 in order to maintain the power supply voltage VY 2 and the low voltage level (ground level) The FET 1909 and the FET 1904 are provided and the FET 1909, 1915, and 1921 are commonly used as the circuit for applying the signal of the voltage level VY 1 or VY 2 have.

다음에, 제64도의 전압파형도를 사용해서 상기한 실시예의 동작을 기간 Ⅰ∼ XIII로 나누어 설명한다. 단, 셀의 중집합의 Y전극(801)에 따라 펄스전압 인가시간이 다르므로, Y2전극에 전압파형을 인가하는 펄스전압 분배회로(1929)의 동작을 Yl, Y3전극에 인가되는 전압파형을 고려해서 설명한다.Next, the operation of the above-described embodiment is divided into periods I to XIII using the voltage waveform diagram of FIG. 64. FIG. However, the voltage is so applied pulse voltage time is different, and applying a pulse voltage operation of the distribution circuit (1929) for applying a voltage waveform to the Y 2 electrode in Y l, Y 3 electrode according to jungjip agreement Y electrode 801 of the cell Described in consideration of the waveform.

기간I : FET(1915)가 온된다. 이 기간I에서는 보조방전기능 펄스전압이 Yl전극에 인가되는 기간이므로 Y전력회수회로 부분(1927)이 동작하고 있지만, 프라이밍기능의 펄스전압이 인가되는 단자(FET(1901))는 전원전압VY2에 고정되어 있다.Period I: The FET 1915 is turned on. In this period I, the Y power recovery circuit portion 1927 operates because the auxiliary discharge function pulse voltage is applied to the Y 1 electrode. However, the terminal (FET 1901) to which the pulse voltage of the priming function is applied is the power supply voltage VY 2 .

기간Ⅱ : FET(1915)가 온된다. 이 기간Ⅱ에서는 라이트기간동안 어느 하나의 셀의 중집합의 Y전극에 주사기능의 펄스전압이 인가되고 A전극에는 라이트데이타 펄스전압이 인가되기 때문에 Y2전극으로 유입되는 전압이 있지만, 커패시터(1924)와 FET(1926)이 온되어 있으므로 이 유입전압을 방출할 수 있다.Period II: FET 1915 is turned on. In this period II, since the pulse voltage of the scan function is applied to the Y electrode of the middle sum of one cell during the write period and the write data pulse voltage is applied to the A electrode, there is a voltage that flows into the Y 2 electrode, And the FET 1926 are turned on, it is possible to emit the inflow voltage.

기간Ⅲ : FET(1901), (1912), (1914), (1903)이 온된다. 이 기간Ⅲ에서는 X전극에 주기적인 펄스전압(2000)이, Yl전극에 프라이밍기능의 펄스전압(10A2)가 각각 인가된다. 따라서, 프라이밍기능의 펄스전압(102A)가 인가되는 단자(FET(1901))는 VY1까지 상승하고 FET(1915)는 오프된다. X전극(800)으로부터의 펄스전압의 유입은 상기 FET(1901), (1912), (1914), (1903)을 온하여 전압VY2의 전원으로 양방향으로 도통시켜 방출시킬 수 있다.Period III: FETs 1901, 1912, 1914, and 1903 are turned on. In this period III, a periodic pulse voltage 2000 is applied to the X electrode and a pulse voltage 10A2 of the priming function is applied to the Y 1 electrode. Therefore, the terminal (FET 1901) to which the pulse voltage 102A of the priming function is applied is raised to VY 1 , and the FET 1915 is turned off. The introduction of the pulse voltage from the X electrode 800 can turn on the FETs 1901, 1912, 1914, and 1903 to conduct and discharge the FET 1902 in both directions with the power source of the voltage VY 2 .

기간Ⅳ : 기간Ⅱ와 동일.Period IV: Same as Period II.

기간Ⅴ : 이 기간Ⅴ에서는 보조방전기능 펄스전압(101A)이 인가되고, 전압파형의 하강시에 FET(1701), (1914)가 온되고, 이 전압파형이 하강했을 때 FET(1904)가 온된다. 또, 이 전압파형의 상승시에는 FET(1700), (1912)가 온된다. 또, Y전력회수회로 부분(1927)을 동작시키지 않고 FET(1916)을 온해도 좋다.Period V: During this period V, the auxiliary discharge function pulse voltage 101A is applied. When the voltage waveform is lowered, the FETs 1701 and 1914 are turned on. When this voltage waveform falls, the FET 1904 turns on do. When the voltage waveform rises, the FETs 1700 and 1912 are turned on. Alternatively, the FET 1916 may be turned on without operating the Y power recovery circuit portion 1927.

기간Ⅵ : 기간Ⅱ와 동일.Period Ⅵ: Same as Period Ⅱ.

기간Ⅶ : FET(1925), (1915)가 온된다. 프라이밍기능의 펄스전압(102A)를 발생하는 FET(1925)는 X전극(800)의 주기적인 펄스전압과 동기해서 항상 온되므로, FET(1915)의 온/오프상태로 제어하는 것에 의해 VY1의 전압펄스가 Y전극(801)로 선택적으로 인가된다.Period VII: FETs 1925 and 1915 are turned on. FET (1925) for generating a pulse voltage (102A) of the priming function is in synchronization with a periodic pulse voltage of the X electrode 800 are always on, the VY 1 by controlling the on / off state of the FET (1915) A voltage pulse is selectively applied to the Y electrode 801. [

기간Ⅷ : 기간Ⅱ와 동일.Period VIII: Same as Period II.

기간Ⅸ : 기간 Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ과 동일.Period Ⅸ: Same as Periods I, II, and III.

기간Ⅹ : FET(1916)이 온된다. 이 기간X에서는 주사기능의 펄스전압(105A)이 인가되고, Y전력회수회로 부분(1927)은 동작되지 않는다.Period X: The FET 1916 is turned on. In this period X, the pulse voltage 105A of the scanning function is applied, and the Y power recovery circuit portion 1927 is not operated.

기간XI : FET(1915)이 온된다.Period XI: FET 1915 is turned on.

기간XII : 기간Ⅲ과 동일.Period XII: Same as Period III.

기간XIII : FET(1915)가 온된다.Period XIII: FET 1915 is turned on.

기간XⅣ : 기간V와 동일.Period X IV: Same as period V.

기간XⅤ : 기간Ⅱ, Ⅲ, Ⅳ와 동일.Period XV: Same as Periods II, III, and IV.

제65도는 제60도에 도시한 X전력회수회로(1602A)의 하나의 구체예를 도시한 도면으로서, (2100)은 FET, (2101)은 다이오드, (2102)는 인덕터, (2103)은 다이오드, (2104)∼(2106)은 FET, (2107)은 출력전압, (2108)은 커패시터이다.FIG. 65 is a diagram showing one embodiment of the X power recovery circuit 1602A shown in FIG. 60, wherein reference numeral 2100 denotes an FET, reference numeral 2101 denotes a diode, reference numeral 2102 denotes an inductor, reference numeral 2103 denotes a diode 2104 to 2106 are FETs, 2107 is an output voltage, and 2108 is a capacitor.

동일 도면에 있어서, 이 구체예의 구성은 기본적으로는 제61도에 도시한 Y전력회수회로 부분(1717)과 거의 동일하지만, 인덕터(1702), (1703)을 공통으로 해서 1개의 인덕터(2102)만을 사용하고 있는 점이 다르다.In the same figure, the configuration of this specific example is basically the same as the Y-power recovery circuit portion 1717 shown in FIG. 61, except that the inductors 2102 are commonly connected to the inductors 1702 and 1703, Is different.

다음에, 상기한 이 실시예의 동작을 출력전압파형을 도시한 제66도를 사용해서 설명한다.Next, the operation of the above-described embodiment will be described with reference to FIG. 66 showing the output voltage waveform.

여기에서, 정상상태에서는 커패시터(2108)은 Vx/2의 전위로 전하를 충전하고 있다. 기간I(제66도)에서는 FET(2105)가 도통(온)되고 출력전압(2107)은 전압VX에 유지된다. 다음의 기간Ⅱ에서는 FET(2104)가 온되고, 인덕터(2102)와 X전극(800)의 용량성 부하의 공진에 의해 출력전압(2107)은 0V까지 내려간다. 다음의 기간Ⅲ에서 FET(2106)이 온하여 출력전압(2107)이 0V로 유지된다. 다음의 기간Ⅳ에서는 FET(2100)이 온하여 인덕터(2102)와 X전극(800)의 용랑성 부하의 공진에 의해 출력전압(2107)이 전압Vx까지 상승한다. 또, 다음의 기간 V에서는 FET(2105)가 온하여 출력전압이 전압Vx에 유지된다.Here, in the steady state, the capacitor 2108 charges the electric charge with a potential of Vx / 2. In the period I (FIG. 66), the FET 2105 is turned on and the output voltage 2107 is held at the voltage V X. In the next period II, the FET 2104 is turned on, and the output voltage 2107 is lowered to 0V by the resonance of the capacitive load of the inductor 2102 and the X electrode 800. In the next period III, the FET 2106 is turned on, and the output voltage 2107 is maintained at 0V. In the next period IV, the FET 2100 turns on, and the output voltage 2107 rises to the voltage Vx by the resonance of the inductive load of the inductor 2102 and the X electrode 800. In the next period V, the FET 2105 is turned on, and the output voltage is maintained at the voltage Vx.

이와 같이, X전극(800)에 있어서는 주기적인 펄스전압이 상기한 수순으로 반복된다. 그리고, 기간Ⅱ에서는 X전극(800)에 축적되어 있던 전하를 커패시터(2108)로 회수하고, 기간Ⅳ에 있어서 커패시터(2108)에서 X전극(800)으로 전하를 공급한다. 따라서, X전극의 전압의 상승이나 하강에 필요한 전하를 커패시터(2108)에서 공급하므로, 저소비전력인 구동회로를 실현할 수 있다.As described above, in the X electrode 800, the periodic pulse voltage is repeated in the above procedure. In period II, the charge accumulated in the X electrode 800 is recovered by the capacitor 2108, and the charge is supplied from the capacitor 2108 to the X electrode 800 in the period IV. Therefore, the capacitor 2108 supplies the charge necessary for raising or lowering the voltage of the X electrode, thereby realizing a drive circuit with low power consumption.

제67도는 제60도에 도시한 1개의 A전극(802)에 대한 A드라이버회로(1603)의 하나의 구체예를 도시한 회로구성도로서, (2300), (2301)은 FET이다.FIG. 67 is a circuit configuration diagram showing one specific example of the A driver circuit 1603 for one A electrode 802 shown in FIG. 60, and reference numerals 2300 and 2301 denote FETs.

제67도에 있어서, 이 구체예는 소위 푸시풀회로구성으로 되어 있고, 그의 출력파형을 도시한 제68도에 의해 이 구체예의 동작을 설명한다.In Fig. 67, this specific example has a so-called push-pull circuit configuration, and the operation of this specific example will be described with reference to Fig. 68 showing its output waveform.

제68도의 기간I에서는 FET(2301)을 온하여 0V의 전압을 출력한다. 다음의 기간Ⅱ에서는 FET(2300)을 온하여 전압VA를 출력한다. 또, 다음의 기간Ⅲ에서는 재차 FET(2301)을 온하여 재차 0V의 전압을 출력한다.In the period I of FIG. 68, the FET 2301 is turned on to output a voltage of 0V. In the next period II, the FET 2300 is turned on to output the voltage V A. In the next period III, the FET 2301 is turned on again to output a voltage of 0V again.

이와 같이, FET(2301), (2300)을 교대로 온/오프하는 것에 의해, 데이타신호에 대응하는 펄스전압을 출력한다. 이들 FET(2300), (2301)을 동시에 온하면 회로가 파손되므로 이러한 상태를 방지하기 의해 금지모드로 하고 있다.As described above, the FETs 2301 and 2300 are alternately turned on / off to output a pulse voltage corresponding to the data signal. When the FETs 2300 and 2301 are turned on at the same time, the circuit is broken.

제69도는 본 발명에 의한 PDP의 표시장치의 제2실시예의 주요부를 도시한 블럭도로서, (2500)은 펄스전압 분배회로이고, 제60도에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 중복되는 설명을 생략한다.FIG. 69 is a block diagram showing the main part of the second embodiment of the display device of the PDP according to the present invention, wherein reference numeral 2500 denotes a pulse voltage distribution circuit, and the same reference numerals are given to portions corresponding to FIG. It is omitted.

동일 도면에 있어서, PDP(900)의 X전극(800)의 각각은 셀의 중집합 하나하나에서 독립되어 있으므로(즉, 제60도에 도시한 바와 같이 공통으로 도체에 의해 접속되어 있지 않다), 각각의 X전극(800)은 X전력회수회로(1602A)에 의해 펄스전압 분배회로(2500)을 거쳐서 구동되고, 셀의 중집합에 의해 X전극에 인가되는 펄스전압이 시간적으로 어긋나 있다.In the same figure, each of the X electrodes 800 of the PDP 900 is independent from one set of cells (that is, not commonly connected by a conductor as shown in FIG. 60) Each X electrode 800 is driven by the X power recovery circuit 1602A via the pulse voltage distributing circuit 2500, and the pulse voltage applied to the X electrode due to a set of cells is shifted in terms of time.

제70도는 제69도에 도시한 X전력회수회로(1602A)와 펄스전압 분배회로(2500)의 하나의 구체예를 도시한 회로구성도로서, (2600)은 FET, (2602)는 다이오드, (2601)은 FET이고, 제65도에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 중복되는 설명은 생략한다.70 shows a circuit configuration diagram showing one specific example of the X power recovery circuit 1602A and the pulse voltage distribution circuit 2500 shown in FIG. 69, wherein 2600 is a FET, 2602 is a diode, 2601 are FETs, and parts corresponding to those in FIG. 65 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

동일 도면에 있어서, X전력회수회로(1602A)로서는 제65도에 도시한 구체예를 사용하고 있다. 또, 각 X전극(800)의 펄스전압 분배회로(2500)은 동일한 회로구성을 하고 있고, FET(2600), (2601)과 다이오드(2602)로 구성되어 있다.In the same figure, the specific example shown in FIG. 65 is used as the X power recovery circuit 1602A. The pulse voltage distributing circuit 2500 of each X electrode 800 has the same circuit configuration and is composed of FETs 2600 and 2601 and a diode 2602. [

다음에, 제70도의 각 부의 전압파형을 도시한 제71도를 사용해서 이 구체예의 동작을 설명하겠지만, X전력회수회로(1602A)의 동작에 대해서는 제65도, 제66도를 사용해서 이미 설명했고, 또 Dl, D2, D3은 각각의 펄스전압 분배회로(2500)의 FET(2670)의 입력전압파형, Xl, X2, X3은 각각의 펄스전압 분배회로(2500)의 출력파형이다.Next, the operation of this specific example will be described with reference to FIG. 71 showing the voltage waveforms of the respective portions of FIG. 70, but the operation of the X power recovery circuit 1602A is already described using FIG. 65 and FIG. 66 And D 1 , D 2 and D 3 are input voltage waveforms of the FET 2670 of each pulse voltage distribution circuit 2500 and X 1 , X 2 and X 3 are the input voltage waveforms of the respective pulse voltage distribution circuits 2500 Output waveform.

출력파형(2107)은 주기적인 펄스전압(2700)으로 이루어져 있다. 여기에서, 이 주기적인 펄스전압(2700)중의 1개를 펄스전압 분배회로(2500)에 의해 중단하기 위해서는 FET(2601)의 게이트에 이 주기적인 펄스전압(2700)의 하강과 동기해서 제어펄스진호(2701)을 인가한다. 이 제어펄스신호(2701)의 인가에 의해 FET(2601)은 온하고, FET(2600)의 게이트는 주기적인 펄스(2700)의 하강과 동시에 0V까지 내려간다. 따라서, FET(2600)의 게이트-소오스간의 전압이 0V로 되고, FET(2600)이 오프된다. FET(2600)이 오프되면 주기적인 펄스전압(2700)이 차단되어 출력파형Xi(단, i = 1, 2, 3, ‥‥, n)에는 펄스전압(2701)이 인가되지 않는다.The output waveform 2107 consists of a periodic pulse voltage 2700. In order to stop one of the periodic pulse voltages 2700 by the pulse voltage distributing circuit 2500, the gate of the FET 2601 is supplied with a control pulse in synchronization with the fall of the periodic pulse voltage 2700, (2701). The application of the control pulse signal 2701 turns on the FET 2601 and the gate of the FET 2600 goes down to 0V at the same time as the periodic pulse 2700 falls. Therefore, the voltage between the gate and the source of the FET 2600 becomes 0V, and the FET 2600 is turned off. The periodic pulse voltage 2700 is cut off when the FET 2600 is turned off and the pulse voltage 2701 is not applied to the output waveform Xi (i = 1, 2, 3, ..., n).

한편, 펄스전압 분배회로(2500)에 의해 펄스전압(2770)을 통과시키기 위해서 FET(2601)의 게이트를 0V로 한다. 그렇게 하면, 이 FET(2601)은 오프되고, 전압레벨이 VX에서 0V까지 내려가는 펄스전압(2700)에 따라서 FET(2600)의 소오스가 전위VX에서 0V까지 내려간다. 이 때, 다이오드(2602)에 전압이 발생하여 FET(2600)의 게이트-소오스간에 전압차가 발생하고, 이것에 의해 FET(2600)이 온된다. FET가 온되면 주기적인 펄스전압(2700)은 FET(2600)을 통과해서 X전극(800)에 인가된다.On the other hand, the gate of the FET 2601 is set to 0V in order to pass the pulse voltage 2770 by the pulse voltage distributing circuit 2500. Then, the FET (2601) is off, and therefore the pulse voltage is 2700 V in the voltage level down to 0V X goes down from the source of the FET (2600), the potential V X to 0V. At this time, a voltage is generated in the diode 2602, and a voltage difference is generated between the gate and the source of the FET 2600, thereby turning on the FET 2600. When the FET is turned on, a periodic pulse voltage 2700 is applied to the X electrode 800 through the FET 2600.

제72도는 본 발명에 의한 PDP의 표시장치의 하나의 응용예로서의 텔레비전 표시장치의 구성을 도시한 도면이다.FIG. 72 is a view showing a configuration of a television display device as one application example of a display device of a PDP according to the present invention. FIG.

동일 도면에 있어서, 텔레비전 표시장치(2803)은 본 발명에 의한 PDP의 표시장치를 사용한 것으로서, 안테나(2800)에 의해 방송전파신호를 수신하고 튜너(2802)에 의해 원하는 채널을 선국하는 것에 의해, 이 채널의 영상신호와 음성신호가 텔레비전 표시장치(2803)에 공급된다.In the same figure, the television display device 2803 uses the display device of the PDP according to the present invention. By receiving the broadcast wave signal from the antenna 2800 and tuning a desired channel by the tuner 2802, The video signal and the audio signal of this channel are supplied to the television display device 2803.

이러한 구성에 의하면, 본 발명에 의한 표시장치를 사용하는 것에 의해 발광효과가 높고 고휘도, 저소비전력인 텔레비전 표시를 실현할 수 있다.According to this configuration, television display with high luminance and high luminance and low power consumption can be realized by using the display device according to the present invention.

제73도는 본 발명에 의한 PDP의 표시장치의 다른 응용예로서의 데이타 모니터장치의 구성을 도시한 도면이다.FIG. 73 is a diagram showing a configuration of a data monitor apparatus as another application example of the display apparatus of the PDP according to the present invention.

동일 도면에 있어서, 데이타 모니터장치(2901)은 본 발명에 의한 PDP의 표시장치를 사용한 것으로서, 퍼스널컴퓨터(PC;퍼스컴이라고도 한다)(2900)에서 데이타신호를 출력하여 데이타모니터(2901)로 공급한다. 데이타모니터장치(2901)은 이 신호를 받아 화상/문자나 그래프 등의 데이타화상을 표시한다. 이 응용예에 있어서도 본 발명에 의한 표시장치를 사용하고 있으므로, 발광효율이 높고 고휘도이고 저소비전력인 표시를 실현할 수 있다.In the same figure, the data monitor 2901 uses a display device of the PDP according to the present invention, and outputs a data signal from a personal computer (also referred to as PC) 2900 to a data monitor 2901 . The data monitor device 2901 receives this signal and displays a data image such as an image / character or a graph. Also in this application example, since the display device according to the present invention is used, display with high luminous efficiency, high brightness, and low power consumption can be realized.

제74도는 본 발명에 의한 PDP의 표시장치의 또 다른 웅용예로서의 텔레비전 모니터장치의 구성을 도시한 도면이다.FIG. 74 is a view showing a configuration of a television monitor apparatus as another example of the display apparatus of the PDP according to the present invention. FIG.

동일 도면에 있어서, 텔레비전 모니터장치(3001)은 본 발명에 의한 PDP의 표시장치를 사용한 것으로서, 카메라(3000)에서 영상신호를 출력하여 텔레비전 모니터장치(3001)로 공급한다. 텔레비전모니터장치(3001)은 이 영상신호를 받아 카메라(3000)으로 촬상한 영상을 표시한다. 이 응용에에 있어서도 본 발명에 의한 표시장치를 사용하고 있으므로, 발광효율이 높고 고휘도이고 저소비전력인 표시를 실현할 수 있다.In the same figure, the television monitor 3001 uses a display device of the PDP according to the present invention. The camera 3000 outputs a video signal to the television monitor 3001. The television monitor 3001 receives the video signal and displays an image captured by the camera 3000. [ Also in this application, since the display device according to the present invention is used, display with high luminous efficiency, high brightness, and low power consumption can be realized.

제75도는 본 발명에 의한 PDP의 표시장치의 또 다른 웅용예로서 공공장소에서 사용되는 영상표시장치의 구성을 도시한 도면이다.FIG. 75 is a view showing a configuration of a video display device used in a public place as another example of a display device of a PDP according to the present invention.

동일 도면에 있어서, (3100)은 영상을 표시하기 위한 영상처리장치이고, (3101)은 본 발명에 의한 PDP의 표시장치를 사용한 영상표시장치이다. 그러나, 이러한 장치는 옥외에서 사용하는 경우가 많으며, 본 발명에 의한 표시장치를 사용하고 있으므로 고휘도이고 발광효율이 높고 저소비전력인 표시를 실현할 수 있다.In the same figure, reference numeral 3100 denotes an image processing apparatus for displaying an image, and reference numeral 3101 denotes a video display apparatus using a display apparatus of a PDP according to the present invention. However, such a device is often used outdoors, and since a display device according to the present invention is used, display with high luminance, high luminous efficiency, and low power consumption can be realized.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 구동회로수를 증가시키지 않고 PDP의 표시기능의 펄스전압의 주기를 길게 해서 발광효율을 향상시키고, 또 펄스수를 증가시켜 고휘도의 표시를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, the period of the pulse voltage of the display function of the PDP can be lengthened without increasing the number of driver circuits, and the luminous efficiency can be improved, and the number of pulses can be increased to obtain a display with high luminance.

Claims (25)

제1스위치군을 거쳐서 용량성 부하로서 기능하는 여러개의 전극으로 전력을 공급하고 상기 전극으로부터 제2스위치군을 거쳐서 전력을 회수하는 표시디바이스의 구동방법으로서, 상기 여러개의 전극중 제1개수의 전극의 각각을 전하공급원에서 상기 제1개수의 전극의 각각으로의 제1경로를 통해서 충전시키는 공정 및; 상기 여러개의 전극중 제2개수의 전극의 각각을 상기 제2개수의 전극의 각각에서 상기 전하공급원으로의 제2경로를 통해서 방전시키는 공정을 포함하고, 상기 제1경로는 제1인덕턴스 및 상기 제1스위치군중의 대응하는 스위치를 구비하고, 상기 제2경로는 상기 제2스위치군중의 대응하는 스위치 및 제2인덕턴스를 구비하고, 상기 제1인덕턴스와 상기 제2인덕턴스는 서로 다르며, 상기 충전과 상기 방전은 동시에 실행되는 것을 특징으로 하는 표시디바이스의 구동방법.A method of driving a display device that supplies power to a plurality of electrodes functioning as a capacitive load via a first switch group and recovers power from the electrodes through a second switch group, Filling each of the first and second electrodes through a first path from a charge supply source to each of the first number of electrodes; And discharging a second number of electrodes of the plurality of electrodes through a second path from each of the second number of electrodes to the charge supply source, wherein the first path comprises a first inductance and the second inductance, Wherein the second path comprises a corresponding switch and a second inductance of the second switch group, wherein the first inductance and the second inductance are different from each other, And the discharge is simultaneously performed. 제1항에 있어서, 충전을 위한 상기 제1개수의 전극을 검출하고 방전을 위한 상기 제2개수의 전극을 검출하는 공정 및; 상기 검출된 제1 및 제2개수의 전극에 따라서 상기 제1 및 제2경로의 각각에 있어서의 인덕턴스값을 제어하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시디바이스의 구동방법.The method of claim 1, further comprising: detecting the first number of electrodes for charging and detecting the second number of electrodes for discharging; And controlling an inductance value in each of the first and second paths in accordance with the detected first and second number of electrodes. 용량성 부하로서 기능하는 표시소자용의 여러개의 전극을 갖는 표시디바이스의 구동회로로서, 전원과 충전된 커패시터중의 1개를 구비하는 전하공급원; 제1스위치, 제1다이오드 및 제1인덕턴스소자를 구비하고, 제1단자에서 상기 전하공급원과 접속되고, 그의 출력단자에서 적어도 2개의 대응하는 제1단방향성 스위치를 거쳐서 상기 여러개의 전극중 적어도 2개의 전극과 접속되고, 상기 적어도 2개의 전극이 충전되면 상기 제1스위치, 상기 제1다이오드 및 상기 대응하는 제1단방향성 스위치가 도통되는 제1직렬회로 및; 제2스위치, 제2다이오드 및 제2인덕턴스소자를 구비하고, 제1단자에서 상기 전하공급원과 접속되고, 그의 출력단자에서 적어도 2개의 대응하는 제2단방향성 스위치를 거쳐서 상기 여러개의 전극중 적어도 2개의 전극과 접속되고, 상기 적어도 2개의 전극이 방전되면 상기 제2스위치, 상기 제2다이오드 및 상기 대응하는 제2단방향성 스위치가 도통되는 제2직렬회로를 포함하고, 상기 제1인덕턴스와 상기 제2인덕턴스는 서로 다른 것을 특징으로 하는 표시디바이스의 구동회로.1. A driving circuit for a display device having a plurality of electrodes for a display element functioning as a capacitive load, comprising: a charge supply source having one of a power supply and a charged capacitor; At least two of said plurality of electrodes being connected to said charge source at a first terminal, and at least two corresponding first unidirectional switches at its output terminal, said first switch having a first switch, a first diode and a first inductance element, A first series circuit connected to the first electrode, the first diode, and the corresponding first unidirectional switch being conductive when the at least two electrodes are charged; At least two of the plurality of electrodes being connected to the charge source at a first terminal, and at least two corresponding second unidirectional switches at an output terminal thereof, the second switch, the second diode and the second inductance element, And a second series circuit connected to the first electrode, the second diode, and the corresponding second unidirectional switch, when the at least two electrodes are discharged, and the second inductance and the second inductor And the second inductance are different from each other. 제3항에 있어서, 상기 제1인덕턴스소자의 출력단자는 상기 제1인덕턴스소자의 출력단자를 고전압전원의 레벨로 유지하는 스위칭회로와 접속되고, 상기 제2인덕턴스소자의 출력단자는 상기 제2인덕턴스소자의 출력단자를 저전압전원의 레벨로 유지하는 스위칭회로와 접속되는 것을 특징으로 하는 표시 디바이스의 구동회로.4. The inductance device according to claim 3, wherein the output terminal of the first inductance element is connected to a switching circuit for maintaining the output terminal of the first inductance element at a level of a high voltage power supply, and an output terminal of the second inductance element is connected to the output terminal of the second inductance element And a switching circuit for maintaining the output terminal at the level of the low voltage power source. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2단방향성 스위치의 각각은 다이오드와 FET의 직렬회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 표시디바이스의 구동회로.The driving circuit of a display device according to claim 3, wherein each of the first and second unidirectional switches comprises a series circuit of a diode and an FET. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2단방향성 스위치의 각각은 바이폴라트랜지스터회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 표시디바이스의 구동회로.The driving circuit of a display device according to claim 3, wherein each of the first and second unidirectional switches comprises a bipolar transistor circuit. 제3항에 있어서, 상기 제1스위치, 상기 제1다이오드 및 상기 제1인덕턴스소자를 각각 구비하는 여러개의 상기 제1직렬회로는 병렬로 접속되어 있고, 상기 여러개의 제1인덕턴스소자의 인덕턴스값을 2진시스템으로 구성하고, 상기 제2스위치, 상기 제2다이오드 및 상기 제2인덕턴스소자를 각각 구비하는 여러개의 상기 제2직렬회로는 병렬로 접속되어 있고, 상기 여러개의 제2인덕턴스소자의 인덕턴스값을 2진시스템으로 구성하는 것을 특징으로 하는 표시 디바이스의 구동회로.4. The inductance device according to claim 3, wherein a plurality of the first series circuits each having the first switch, the first diode and the first inductance element are connected in parallel, and the inductance values of the plurality of first inductance elements are And a plurality of second series circuits each including the second switch, the second diode and the second inductance element are connected in parallel, and the inductance value of the plurality of second inductance elements Is configured as a binary system. 제3항에 있어서, 상기 여러개의 전극의 각각은 상기 전극의 레벨을 상기 고전압전원의 레벨로 유지하는 전압유지회로 및 상기 전극의 레벨을 상기 저전압전원의 레벨로 유지하는 전압유지회로와 접속되는 것을 특징으로 하는 표시디바이스의 구동회로.The plasma display apparatus according to claim 3, wherein each of the plurality of electrodes is connected to a voltage holding circuit for holding the level of the electrode at the level of the high voltage power source and a voltage holding circuit for holding the level of the electrode at the level of the low voltage power source And a driving circuit for the display device. 제3항에 있어서, 표시소자인 상기 여러개의 전극은 AC형 플라즈마 디스플레이의 어드레스 전극인 것을 특징으로 하는 표시디바이스의 구동회로.The driving circuit of a display device according to claim 3, wherein the plurality of electrodes as display elements are address electrodes of an AC type plasma display. 용량성 부하로서 기능하는 표시소자용의 여러개의 전극을 갖고 전력회수회로와 상기 전극 사이에 스위치가 삽입되어 있는 표시디바이스 및 상기 표시디바이스를 구동하는 구동회로를 구비한 표시장치로서, 전하공급원; 제1스위치, 제1다이오드 및 제1인덕터를 구비하고, 상기 전하공급원에 접속되고, 그의 출력단자에서는 대응하는 개수의 제1단방향성 스위치를 거쳐서 상기 여러개의 전극중 제1개수의 전극에 접속되고, 상기 제1개수의 전극중의 적어도 1개가 충전되면 상기 제1스위치, 상기 제1다이오드 및 상기 제1단방향성 스위치가 도통되는 제1직렬회로 및; 제2스위치, 제2다이오드 및 제2인덕터를 구비하고, 상기 전하공급원에 접속되고, 그의 출력단자에서는 대응하는 개수의 제2단방향성 스위치를 거쳐서 상기 여러개의 전극중 제2개수의 전극에 접속되고, 상기 제2개수의 전극중의 적어도 1개가 방전되면 상기 제2스위치, 상기 제2다이오드 및 상기 제2단방향성 스위치가 도통되는 제2직렬회로를 포함하고, 상기 제1인덕터와 상기 제2인덕터는 서로 다른 것을 특징으로 하는 표시장치.A display device comprising: a display device having a plurality of electrodes for a display element functioning as a capacitive load and having a switch inserted between the power recovery circuit and the electrodes; and a drive circuit for driving the display device, the display device comprising: a charge supply source; A first switch, a first diode, and a first inductor, the first switch being connected to the charge supply source, the output terminal being connected to a first number of the plurality of electrodes via a corresponding number of first unidirectional switches A first series circuit in which the first switch, the first diode, and the first unidirectional switch are conducted when at least one of the first number of electrodes is charged; A second switch, a second diode and a second inductor connected to the charge supply source and connected to a second number of the plurality of electrodes through a corresponding number of second unidirectional switches at an output terminal thereof And a second series circuit in which the second switch, the second diode, and the second unidirectional switch conduct when at least one of the second number of electrodes is discharged, and wherein the first inductor and the second inductor Are different from each other. 제10항에 있어서, 상기 제1인덕터의 출력단자는 상기 제1인덕터의 출력단자를 고전압전원의 레벨로 유지하는 제1스위칭회로와 접속되고, 상기 제2인덕터의 출력단자는 상기 제2인덕터의 출력단자를 저전압전원의 레벨로 유지하는 제2스위칭회로와 접속되는 것을 특징으로 하는 표시장치.11. The inductor according to claim 10, wherein an output terminal of the first inductor is connected to a first switching circuit for maintaining the output terminal of the first inductor at a level of a high voltage power supply, and an output terminal of the second inductor is connected to an output terminal Is connected to a second switching circuit for holding the first power supply voltage at a level of the low voltage power supply. 제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2단방향성 스위치의 각각은 다이오드와 FET를 갖는 직렬회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치.11. The display device according to claim 10, wherein each of the first and second unidirectional switches includes a series circuit having a diode and an FET. 제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2단방향성 스위치의 각각은 바이폴라트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치.11. The display device according to claim 10, wherein each of the first and second unidirectional switches includes a bipolar transistor. 제10항에 있어서, 제1스위치, 제1다이오드 및 제1인덕터를 각각 구비하는 여러개의 상기 제1직렬회로는 병렬로 접속되어 있고, 상기 여러개의 제1인덕터의 인덕턴스값을 2진 시스템으로 구성하고, 제2스위치, 제2다이오드 및 제2인덕터를 각각 구비하는 여러개의 상기 제2직렬회로는 병렬로 접속되어 있고, 상기 여러개의 제2인덕터의 인덕턴스값을 2진 시스템으로 구성하는 것을 특징으로 하는 표시장치.11. The inductor of claim 10, wherein a plurality of the first series circuits each having a first switch, a first diode and a first inductor are connected in parallel, and the inductance values of the plurality of first inductors are constituted by a binary system And a plurality of second series circuits each having a second switch, a second diode and a second inductor are connected in parallel, and the inductance values of the plurality of second inductors are constituted by a binary system / RTI > 제10항에 있어서, 상기 전극의 각각에 접속되고 상기 전극의 각각을 고전압전원의 레벨로 유지하도록 구성된 제1전압유지회로 및; 상기 전극의 각각에 접속되고 상기 전극의 각각을 저전압전원의 레벨로 유지하도록 구성된 제2전압유지회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.11. The apparatus of claim 10, further comprising: a first voltage holding circuit connected to each of the electrodes and configured to maintain each of the electrodes at a level of a high voltage power supply; And a second voltage holding circuit connected to each of the electrodes and configured to maintain each of the electrodes at a level of a low voltage power source. 제10항에 있어서, 표시소자인 상기 여러개의 전극은 AC형 플라즈마 디스플레이의 어드레스 전극인 것을 특징으로 하는 표시장치.11. The display device according to claim 10, wherein the plurality of electrodes which are display elements are address electrodes of an AC type plasma display. 용량성 부하로서 기능하는 여러개의 전극으로 제1스위치군을 거쳐서 전력을 공급하고 상기 여러개의 전극으로부터 제2스위치군을 거쳐서 전력을 회수하는 표시디바이스의 구동회로로서, 상기 여러개의 전극중의 대응하는 전극에 각각 결합되는 상기 제1스위치군; 상기 여러개의 전극중의 대응하는 전극에 각각 결합되는 상기 제2스위치군; 제1인덕턴스를 구비하고, 상기 제1스위치군을 거쳐서 제1단부가 전하공급원에 결합되고 제2단부가 상기 여러개의 전극에 결합된 제1경로 및; 제2인덕턴스를 구비하고, 상기 제2스위치군을 거쳐서 제1단부가 상기 전하공급원에 결합되고 제2단부가 상기 여러개의 전극에 결합된 제2경로를 포함하고, 상기 여러개의 전극의 각각을 충전하는 전류가 상기 전하공급원에서 상기 제1경로 및 상기 제1스위치군중의 대응하는 스위치를 거쳐서 흐르도록 구성되고, 상기 여러개의 전극의 각각을 방전하는 전류가 상기 여러개의 전극의 각각으로부터 상기 제2경로 및 상기 제2스위치군중의 대응하는 스위치를 거쳐서 상기 전하공급원으로 흐르도록 구성되며, 상기 여러개의 전극중 제1개수의 전극을 충전하는 것과 상기 여러개의 전극중 제2개수의 전극을 방전하는 것은 동시에 실행되는 것을 특징으로 하는 표시 디바이스의 구동회로.A driving circuit of a display device which supplies power to a plurality of electrodes functioning as capacitive loads via a first switch group and recovers power from the plurality of electrodes through a second switch group, The first switch group being respectively coupled to the electrodes; The second switch group being respectively coupled to corresponding ones of the plurality of electrodes; A first path having a first inductance and having a first end coupled to the charge supply source via the first switch group and a second end coupled to the plurality of electrodes; And a second path having a second inductance and having a first end coupled to the charge supply source via the second group of switches and a second end coupled to the plurality of electrodes, Wherein a current is discharged from the charge supply source through the first path and a corresponding switch in the first switch group, and a current for discharging each of the plurality of electrodes flows from each of the plurality of electrodes to the second path And to flow to the charge supply source via a corresponding switch of the second switch group, charging a first number of electrodes of the plurality of electrodes and discharging a second number of electrodes of the plurality of electrodes simultaneously And a driving circuit for driving the display device. 제17항에 있어서, 동시에 충전할 제1개수의 전극과 방전할 제2개수의 전극을 검출하는 수단 및; 상기 검출된 제1 및 제2개수의 전극에 따라서 상기 제1 및 제2경로의 각각에 있어서의 상기 인덕턴스 값을 제어하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시디바이스의 구동회로.18. The apparatus of claim 17, further comprising: means for detecting a first number of electrodes to be charged simultaneously and a second number of electrodes to be discharged; And means for controlling the inductance value in each of the first and second paths in accordance with the detected first and second number of electrodes. 제1충전용 단자를 갖는 전하공급원; 직렬로 배치된 제1스위치, 제1다이오드 및 제1인덕터를 구비하고, 상기 제1스위치가 상기 제1충전용 단자에 접속되어 있고, 상기 제1인덕터가 제1출력단자에 접속되어 있고, 상기 제1다이오드가 상기 제1스위치에서 상기 제1인덕터로의 방향으로 전류가 흐르도록 구성되어 있는 제1직렬회로; 직렬로 배치된 제2스위치, 제2다이오드 및 제2인덕터를 구비하고, 상기 제2스위치가 상기 제1충전용 단자에 접속되어 있고, 상기 제2인덕터가 제2출력단자에 접속되어 있고, 상기 제2다이오드가 상기 제2인덕터에서 상기 제2스위치로의 방향으로 전류가 흐르도록 구성되어 있는 제2직렬회로, 상기 제1출력단자와 상기 제2출력단자 사이에 직렬로 접속되어 있는 대응하는 제1 및 제2단방향성 스위치에 접속된 제1전극을 각각 갖는 여러개의 표시소자; 제1단부가 상기 제1출력단자에 접속되고, 제2단부가 상기 제1전극에 접속되고 또한 상기 제2단방향성 스위치의 제1단부에도 접속되며, 상기 제1출력단자와 상기 대응하는 표시소자 사이에서 전류가 선택적으로 흐르도록 구성되어 있는 상기 제1단방향성 스위치 및; 그의 제1단부가 상기 제1전극에 접속되고, 제2단부가 상기 제2출력단자에 접속되며, 그의 대응하는 표시소자와 상기 제2출력단자 사이에서 전류가 선택적으로 흐르도록 구성되어 있는 상기 제2단방향성 스위치를 포함하며, 상기 제1인덕터와 상기 제2인덕터는 서로 다른 것을 특징으로 하는 표시장치.A charge supply source having a first charging terminal; A first diode, and a first inductor connected in series, wherein the first switch is connected to the first charging terminal, the first inductor is connected to the first output terminal, A first series circuit in which a first diode is configured to conduct current in a direction from the first switch to the first inductor; A second switch, a second diode, and a second inductor, the second switch being connected to the first charging terminal, the second inductor being connected to the second output terminal, A second series circuit in which a second diode is configured to allow a current to flow in the direction from the second inductor to the second switch, a second series circuit that is connected in series between the first output terminal and the second output terminal, A plurality of display elements each having a first electrode connected to the first unidirectional switch; A first end connected to the first output terminal, a second end connected to the first electrode and also to a first end of the second unidirectional switch, the first output terminal and the corresponding display element The first unidirectional switch being configured to selectively flow current between the first unidirectional switch and the second unidirectional switch; The first end of which is connected to the first electrode, the second end of which is connected to the second output terminal, and the current is selectively allowed to flow between the corresponding display element and the second output terminal, Wherein the first inductor and the second inductor are different from each other. 제19항에 있어서, 상기 제1 및 제2단방향성 스위치는 다이오드와 직렬로 접속된 바이폴라트랜지스터 및 전계효과 트랜지스터 중의 1개를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치.20. The display device according to claim 19, wherein the first and second unidirectional switches comprise one of a bipolar transistor and a field effect transistor connected in series with a diode. 제20항에 있어서, 상기 제1출력단자에 접속되고, 상기 제1출력단자를 고전압레벨로 유지하도록 구성된 제1스위칭회로 및; 상기 제2출력단자에 접속되고, 상기 제2출력단자를 저전압레벨로 유지하도록 구성된 제2스위칭회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.21. The apparatus of claim 20, further comprising: a first switching circuit coupled to the first output terminal, the first switching circuit configured to maintain the first output terminal at a high voltage level; And a second switching circuit connected to the second output terminal and configured to maintain the second output terminal at a low voltage level. 제19항에 있어서, 상기 제1전극에 접속되고, 상기 제1전극의 전압을 고전압레벨로 선택적으로 유지하도록 구성된 제1전압유지회로 및; 역시 상기 제1전극에 접속되고, 상기 제1전극의 전압을 저전압레벨로 선택적으로 유지하도록 구성된 제2전압유지회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.20. The apparatus of claim 19, further comprising: a first voltage holding circuit coupled to the first electrode and configured to selectively maintain the voltage of the first electrode at a high voltage level; Further comprising a second voltage holding circuit connected to the first electrode and configured to selectively maintain the voltage of the first electrode at a low voltage level. 제19항에 있어서, 상기 제1충전용 단자와 상기 제1출력단자 사이에 각각 접속된 상기 제1직렬회로 및 상기 제1충전용 단자와 상기 제2출력단자 사이에 각각 접속된 상기 제2직렬회로를 여러개 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.20. The battery pack according to claim 19, further comprising: the first series circuit connected between the first charging terminal and the first output terminal, and the second series circuit connected between the first charging terminal and the second output terminal, And a plurality of circuits are included. 제23항에 있어서, 상기 제1출력단자에 접속되고, 상기 제1출력단자를 고전압레벨로 유지하도록 구성된 제1스위칭회로 및; 상기 제2출력단자에 접속되고, 상기 제2출력단자를 저전압레벨로 유지하도록 구성된 제2스위칭회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.24. The apparatus of claim 23, further comprising: a first switching circuit coupled to the first output terminal, the first switching circuit configured to maintain the first output terminal at a high voltage level; And a second switching circuit connected to the second output terminal and configured to maintain the second output terminal at a low voltage level. 제17항에 있어서, 상기 제1 및 제2스위치군의 각각은 단방향성 스위치를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시디바이스의 구동회로.18. The driving circuit of a display device according to claim 17, wherein each of said first and second switch groups includes a unidirectional switch.
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US4070663A (en) * 1975-07-07 1978-01-24 Sharp Kabushiki Kaisha Control system for driving a capacitive display unit such as an EL display panel
US5227696A (en) * 1992-04-28 1993-07-13 Westinghouse Electric Corp. Power saver circuit for TFEL edge emitter device
JP2891280B2 (en) * 1993-12-10 1999-05-17 富士通株式会社 Driving device and driving method for flat display device

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