KR100273959B1 - Gas laser beam machine - Google Patents
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Abstract
가스레이저 가공기에서 방전 에너지 투입 직후의 불 안정한 방전 상태하에서 일어나는 미스펄스를 방지하고, 안정된 펄스레이저 발진에 의한 안정된 구멍뚫기 가공을 실현하는 가스레이저 가공기를 얻는다.The gas laser processing machine obtains the gas laser processing machine which prevents the mispulse which arises in the unstable discharge state just after discharge of discharge energy, and implements the stable punching process by stable pulse laser oscillation.
펄스레이저 발진을 하는 가스레이저 가공기에서 미스펄스 방지용 펄스 즉, 에너지가 레이저 발진 임계치 이하의 예비펄스 성분을 최초의 첫 번째의 가공용 펄스앞에 부여 하도록 하였다.In the laser laser oscillator, pulse-preventing pulses, i.e., pre-pulse components whose energy is below the laser oscillation threshold, are applied in front of the first processing pulse.
Description
본 발명은 예를들어 탄산 가스레이저 가공기의 가스레이저 가공기에 관한 것으로 특히 안정된 펄스레이저에 의한 천공 가공을 가능하게 하기 위한 기술에 관한 것이다.The present invention relates to, for example, a gas laser processing machine of a carbon dioxide gas laser processing machine, and more particularly, to a technique for enabling drilling by a stable pulse laser.
탄산 가스레이저에 의한 미세 천공 가공에서는 펄스레이저의 가공 조건으로서 펄스 에너지 펄스의 피크, 펄스폭등외에 각 가공구멍에 대해 몇 펄스의 레이저 광을 조사하는가를 결정하는 펄스수가 있다. 하나의 가공구멍에 대해 조사하는 펄스수는 피 가공물의 재질 ,두께등의 조건에 따라 다르나 많아도 수 펄스정도이기 때문에 하나라는 미스펄스가 있으면 가공 결과에 크게 영향을 미친다.In the micro drilling process using a carbon dioxide laser, there are pulses for determining how many pulses of laser light are irradiated to each processing hole in addition to the peak, pulse width, and the like of pulse energy pulses as processing conditions of the pulse laser. The number of pulses to be irradiated on one hole varies depending on the material, thickness, etc. of the workpiece. However, the number of pulses is largely about a few pulses.
종래의 펄스제어는 도 9(a)와 같은 입력 전력 파형에 대해 도 9(b)같은 레이저 출력을 얻는 것이 있다. 일본국 특개소 63 - 7688로부터 도 9(a)에서 보는바와 같이 전류 파형에 베이스 전력을 가함으로써 펄스의 상승,하강 특성 및 안정성은 향상 되었으나 방전 레이저 투입 직후의 방전상태를 안정되게 유지 하기가 곤란 하므로 드물게 도 9(d)에서 보는바와 같이 최초의 펄스에 피크가 낮은 미스/펄스가 4번에 한번 정도로 나타나는 것이 확인 되었다. 이 때문에 가공 스타트 후의 최초의 구멍에 대해 다른 가공 구멍에 비해 설정 펄스수 보다도 적은 펄스레이저광이 조사되는 경우가 있었다.Conventional pulse control has a laser output as shown in Fig. 9 (b) for an input power waveform as shown in Fig. 9 (a). As shown in Fig. 9 (a) from Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-7688, the rising and falling characteristics and stability of the pulse are improved by applying the base power to the current waveform, but it is difficult to maintain the stable discharge state immediately after the discharge laser is applied. As a result, as shown in FIG. 9 (d), it was confirmed that a miss / pulse having a low peak appeared at a time about four times in the first pulse. For this reason, pulse laser light with less than the set number of pulses may be irradiated with respect to the first hole after a process start compared with another process hole.
펄스레이저에 의한 미세공 천공 가공에서는 각 가공구멍에 각각 설정수의 펄스레이저 광을 조사하는 필요가 있기 때문에 이같은 미스펄스가 발생하면 가공불량에 연결될 염려가 있다. 따라서 미스펄스가 없는 안정된 펄스레이저 발진이 필요하다.In the case of fine hole drilling with a pulsed laser, it is necessary to irradiate a predetermined number of pulsed laser light into each processing hole, so that such mispulse may lead to poor machining. Therefore, stable pulse laser oscillation without mispulse is needed.
본 발명은 미스펄스가 없는 안정된 펄스레이저를 발진해서 안정된 미세 천공 가공을 실현하는 가스레이저 가공기를 제공 하는 것이다.The present invention provides a gas laser processing machine that oscillates a stable pulse laser without mispulse and realizes stable fine drilling.
본 발명에 관한 가스레이저 가공기는 펄스레이저 발진을 하는 가스레이저 가공기에서 에너지가 레이저 발진 임계치 이하의 예비펄스 성분을 최초의 첫번째의 펄스앞에 부여 하도록 한 것이다.In the gas laser processing machine according to the present invention, in the gas laser processing machine which performs pulse laser oscillation, the energy imparts a pre-pulse component below the laser oscillation threshold in front of the first first pulse.
또 펄스레이저 발진을 하는 가스레이저 가공기에서 에너지가 레이저 발진 임계치 이하의 베이스 전력을 가공중에 가하는 동시에 다시 에너지가 레이저 발진 임계치 이하의 예비펄스 성분을 최초의 첫번째의 펄스앞에 부여 하도록 한 것이다.In addition, in a gas laser processing machine that performs pulsed laser oscillation, energy is applied to the base power below the laser oscillation threshold during processing, and again energy is applied to the preliminary pulse component below the laser oscillation threshold before the first pulse.
또, 펄스레이저 발진을 하는 가스레이저 가공기에서 에너지가 레이저 발진 임계치 이하의 예비펄스 성분을 가공에 사용하는 펄스의 발진 이전 및 각 펄스간에 연속적으로 부여 하도록 한 것이다.In addition, in a gas laser processing machine that performs pulse laser oscillation, energy is applied to the pre-pulse component below the laser oscillation threshold value before the oscillation of the pulse used for processing and between the respective pulses.
또, 펄스레이저 발진을 하는 가스레이저 가공기에서 에너지가 레이저 발진 임계치 이하의 예비펄스 성분을 가공에 사용하는 각 펄스의 앞에 일정시간 부여 하도록 한 것이다.In addition, in a gas laser processing machine that performs pulse laser oscillation, energy is given to a predetermined time before each pulse used for processing a prepulse component below the laser oscillation threshold.
또, 최초의 펄스를 피 가공물에 조사되지 않도록 레이저 광을 주사하는 것이다.Moreover, a laser beam is scanned so that a first pulse may not be irradiated to a to-be-processed object.
도 1 은 본 발명에 의한 레이저 광에 의한 미세천공 가공기의 기본 구성예의 도면,BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view of a basic configuration example of a microperforation machine using laser light according to the present invention;
도 2 는 본 발명의 실시의 형태 1에 의한 입력 전력 펄스파형과 레이저 출력파형도,2 is an input power pulse waveform and a laser output waveform diagram according to Embodiment 1 of the present invention;
도 3 은 탄산가스레이저의 입,출력 특성도,3 is an input / output characteristic diagram of a carbon dioxide laser,
도 4 는 본 발명의 실시의 형태 2 에 의한 입력 전력 펄스파형과 레이저 출력파형도,4 is an input power pulse waveform and a laser output waveform diagram according to Embodiment 2 of the present invention;
도 5 는 본 발명의 실시의 형태 3 에 의한 입력 전력 펄스파형과 레이저 출력파형도,5 is an input power pulse waveform and a laser output waveform diagram according to Embodiment 3 of the present invention;
도 6 은 본 발명의 실시의 형태 4 에 의한 입력 전력 펄스파형과 레이저 출력파형도,6 is an input power pulse waveform and a laser output waveform diagram according to Embodiment 4 of the present invention;
도 7 은 본 발명의 실시의 형태 5 의 모식도,7 is a schematic view of Embodiment 5 of the present invention;
도 8 은 본 발명의 실시의 형태 6 의 모식도,8 is a schematic view of Embodiment 6 of the present invention;
도 9 는 종래의 제어의 입력 전력 펄스파형과 레이저 출력파형도.9 is an input power pulse waveform and a laser output waveform diagram of a conventional control;
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 레이저 발진기 2 : 출력펄스 제어장치1: laser oscillator 2: output pulse control device
3 : NC장치 4 : 사전사용 마스크3: NC device 4: Pre-use mask
5 : 갈바노스켄미러 6 : fθ 렌즈5: galvanosken mirror 6: fθ lens
7 : 가공기판 8 : 차폐물7: processing substrate 8: shield
9 : 고속셔터 10 : 레이저광9: high speed shutter 10: laser light
본 발명에 관한 가스 레이저 가공기는, 펄스 레이저 발진을 하는 가스 레이저 가공기에서 에너지가 레이저 발진 임계치이하의 예비 펄스 성분을 최초의 첫 번째의 펄스앞에 부여하도록 한 것이다.The gas laser processing machine according to the present invention is such that energy is imparted to a preliminary pulse component below a laser oscillation threshold in front of the first first pulse in a gas laser processing machine that performs pulse laser oscillation.
또 펄스 레이저 발진을 하는 가스 레이저 가공기에서, 에너지가 레이저 발진 임계치이하의 베이스 전력을 가공중에 가하는 동시에 다시 에너지가 레이저 발진 임계치이하의 예비 펄스 성분을 최초의 첫 번째의 펄스앞에 부여하도록 한 것이다.In a gas laser processing machine that performs pulsed laser oscillation, energy is applied during the processing of the base power below the laser oscillation threshold, and energy is again given to a preliminary pulse component below the laser oscillation threshold before the first first pulse.
또, 펄스 레이저 발진을 하는 가스 레이저 가공기에서 에너지가 레이저 발진 임계치이하의 예비 펄스 성분을 가공에 사용하는 펄스의 발진 이전 및 각 펄스간에 연속적으로 부여하도록 한 것이다.Moreover, in the gas laser processing machine which performs pulse laser oscillation, energy is continuously given before the oscillation of the pulse used for a process, and between each pulse, the preliminary pulse component below a laser oscillation threshold value.
또, 펄스 레이저 발진을 하는 가스 레이저 가공기에서 에너지가 레이저 발진 임계치이하의 예비 펄스 성분을 가공에 사용하는 각 펄스의 앞에 일정시간 부여하도록 한 것이다.In addition, in the gas laser processing machine which performs pulse laser oscillation, energy is given to a predetermined time before each pulse used for a process by preliminary pulse components below a laser oscillation threshold value.
또, 최초의 펄스를 피가공물에 조사되지 않도록 레이저 광을 주사하도록 한 것이다.Moreover, a laser beam is scanned so that a first pulse may not be irradiated to a to-be-processed object.
[실시의 형태 1]Embodiment 1
본 발명에서의 기본 구성예를 도 1 에 표시한다.The basic structural example in this invention is shown in FIG.
도 1 은 프린트 기판 가공용의 탄산 가스 레이저 가공기이다.1 is a carbon dioxide laser processing machine for processing a printed board.
펄스 레이저 광을 발진하는 부분은 레이저 발진기(1), 출력 펄스 제어장치(2), NC장치(3)으로 구성되어 있고, 우선, 가공하는 프린트 기판의 재질, 두께, 필요한 구멍직경 등의 조건에 의해 NC장치(3)에 펄스폭, 펄스피크, 펄스수 등의 설정조건을 입력해서 가공 스타트의 신호를 내면 출력 펄스 제어장치에 의해 펄스 신호가 레이저 발진기(1)에 출력되어 레이저 발진기(1)가 펄스 레이저 광을 발진한다.The part which oscillates a pulsed laser light is comprised by the laser oscillator 1, the output pulse control apparatus 2, and the NC apparatus 3, First, it is based on conditions, such as the material, thickness, and required hole diameter of the printed circuit board to process. By inputting the setting conditions such as pulse width, pulse peak, number of pulses into NC device 3 and giving a signal for processing start, the pulse signal is output to the laser oscillator 1 by the output pulse control device and the laser oscillator 1 Oscillates pulsed laser light.
레이저 발진기(1)로부터 나온 펄스 레이저 광(10)은 상전자 마스크(4)를 통해서 갈바노스켄미러(5)에 의해 가공구멍 위치에 위치 결정된 후 fθ렌즈(6)로 마스크(4)의 상을 전자 집관해서 피가공물인 가공기판(7)에 조사된다.The pulsed laser light 10 emitted from the laser oscillator 1 is positioned at the position of the processing hole by the galvanosken mirror 5 through the phase electron mask 4 and then the image of the mask 4 with the fθ lens 6. Electrons are collected and irradiated to the processed substrate 7 which is a workpiece.
여기서는 상전자 마스크, 칼바노스켄미러, fθ렌즈에 의한 예를 표시하였으나, 이 발명은 상전자 광학계에 한정되는 것은 아니고, 또, 갈바노스켄미러에 의해 구성되는 주사 광학계에 한정되는 것도 아니다.Here, examples of the electron electron mask, the carbanosken mirror, and the f? Lens are shown, but the present invention is not limited to the electron electron optical system, nor is it limited to the scanning optical system constituted by the galvanosken mirror.
도 2 는 본 발명에 의한 입력 전력파형(a)과 이에 따른 레이저 출력파형(b)의 한 예이다.2 is an example of an input power waveform (a) and a laser output waveform (b) according to the present invention.
탄산가스 레이저에서의 펄스 레이저 발진에서는, 방전전력 투입직후의 최초의 펄스는 특히 불안정하고, 드물게 피크치가 낮은 미스 펄스가 발생되는 일이 있으나 가공용 펄스의 최초의 펄스보다는 시간(t1)만큼 앞에 미스 펄스 방지용 펄스 즉 에너지가 레이저 발진 임계치이하의 예비 펄스 성분을 시간 t0동안 부여하면 방전 에너지 투입직후의 방전의 안정성이 증가되고, 적어도 최초의 첫 번째 펄스의 미스 펄스를 방지할 수가 있다.In pulsed laser oscillation in a carbon dioxide laser, the first pulse immediately after the discharge power is particularly unstable, and rarely, a low peak miss pulse may occur, but misses by a time t 1 before the first pulse of the processing pulse. When the pulse for pulse prevention, that is, energy imparts a preliminary pulse component below the laser oscillation threshold for time t 0 , the stability of the discharge immediately after the discharge of energy is increased, and at least the first pulse of the first pulse can be prevented.
레이저 광의 발진 임계치란 도 3 의 레이저 발진에서의 입,출력 특성도로 표시되는 바와 같이 레이저 광이 출력되는 빠듯한 입력 방전 전력치(p0)이다.The oscillation threshold of the laser light is a tight input discharge power value p 0 through which the laser light is output, as indicated by the input / output characteristic chart in the laser oscillation of FIG. 3.
따라서 가공시의 최초의 펄스 이전에 에너지가 임계치(p0)이하의 예비 펄스 방전을 부여함으로써 가공에 관계없는 레이저 광은 출력되지 않고 전력투입 직후의 방전의 안정성을 증가할 수 있도록 연구되어 있다.Therefore, since the energy imparts a preliminary pulse discharge of less than the threshold value p 0 before the first pulse at the time of processing, the laser light irrelevant to the processing is not output and the stability of the discharge immediately after the power input has been studied.
부여하는 예비 펄스 성분의 주파수 및 인가 타이밍과 인가시간의 1예로서 예를 들면 가공에 사용되는 펄스의 200㎲전에 레이저 발진 임계치이하의 예비 펄스 성분을 주파수 1kHz로 150㎲ 부여하는 경우이나 특히 이 조건에 한정되는 것은 아니다.As an example of the frequency and the application timing and the application time of the preliminary pulse component to be applied, for example, when the preliminary pulse component below the laser oscillation threshold is applied at a frequency of 1 kHz at 150 kHz before 200 kHz of the pulse used for processing, especially in this condition. It is not limited to.
[실시의 형태 2][Embodiment 2]
장치 구성은 실시의 형태 1 과 같다.The device configuration is the same as that of the first embodiment.
도 4 는 본 발명에 의한 입력 전력파형(a)과 이에 따르는 레이저 출력파형(b)의 한 예이다.4 is an example of the input power waveform (a) and the laser output waveform (b) according to the present invention.
탄산가스 레이저에서의 펄스 레이저 발진에서는 각 펄스간에 레이저 광의 발진 임계치이하의 베이스 전력을 투입함으로써 펄스의 안정성이 증가되는 것은 종래부터 알려져 있으나 방전전력 투입직후의 최초의 펄스에 관해서는 베이스 전력 추가후도 불안정하고, 미스 펄스가 발생한다.In the case of pulsed laser oscillation in carbon dioxide lasers, the stability of the pulse is increased by inputting the base power below the oscillation threshold of the laser light between each pulse, but it is known that the first pulse immediately after the discharge power is added even after the base power is added. Unstable and miss pulses occur.
그래서 가공에 사용하는 전 펄스의 안정성 향상을 위한 베이스 전력에 더하여 가공용 펄스의 최초의 펄스보다도 시간 t1만큼앞에 에너지가 레이저 발진 임계치 이하의 예비 펄스 성분을 시간 t0동안 부여함으로써 적어도 최초의 펄스의 미스펄스를 방지하고, 또, 그 이후의 펄스의 안정성을 향상시킬 수가 있다.Therefore, in addition to the base power for improving the stability of all the pulses used in the machining, a preliminary pulse component of less than the laser oscillation threshold value is given for the time t 0 by the time t 1 before the first pulse of the processing pulse. It is possible to prevent the mispulse and to improve the stability of the subsequent pulses.
부여하는 예비 펄스 성분의 주파수 및 인가 타이밍과 인가시간의 한 예로서는 상술한 조건에 레이저 발전 임계치이하의 베이스 전력을 가하는 것이나 특히, 이 조건에 한정되는 것은 아니다.As an example of the frequency, the application timing, and the application time of the preliminary pulse component to be applied, the base power below the laser generation threshold is applied to the above-described conditions, but the present invention is not particularly limited thereto.
[실시의 형태 3][Embodiment 3]
장치 구성은 실시의 형태 1 과 같다.The device configuration is the same as that of the first embodiment.
도 5 는 본 발명에 의한 입력 전력 파형(a)과 이에 따른 레이저 출력파형(b)의 한 예이다.5 is an example of an input power waveform (a) and a laser output waveform (b) according to the present invention.
이는 베이스 전력보다도 예비 펄스 성분을 부여하는 쪽이 미스 펄스를 방지하는 효과가 큰 것을 이용해 도 9(a)에 표시한 종래의 입력 전력파형에서 베이스 전력부분을 예비 펄스 성분으로 바꿔놓은 것으로 이로 인해 최초의 첫 번째의 펄스 뿐만 아니라 가공중의 전 펄스에 대해 미스 펄스를 방지할 수 있다.In this case, the base power portion is replaced with the preliminary pulse component in the conventional input power waveform shown in FIG. Miss pulses can be prevented not only for the first pulse of but also for all pulses during processing.
부여하는 예비 펄스의 주파수의 일 예로서는 상술한 조건을 들 수 있으나 특히, 이 조건에 한정되는 것은 아니다.Although the above-mentioned conditions are mentioned as an example of the frequency of the preliminary pulse to give, In particular, it is not limited to this condition.
[실시의 형태 4][Embodiment 4]
장치 구성은 실시의 형태 1 과 같다.The device configuration is the same as that of the first embodiment.
도 6 은 본 발명에 의한 입력 전력 파형(a)과 그에 따른 레이저 출력파형(b)의 한 예이다.6 is an example of the input power waveform (a) and the laser output waveform (b) according to the present invention.
이는 도 5 에 표시한 입력 전력 파형에 대해 예비 펄스 성분을 연속적이 아니고 일정시간 t0만큼 가공에 사용하는 펄스의 앞에 부여한 것으로 이로 인해 가공중의 전 펄스에 대해 미스 펄스를 방지할 수가 있고, 또 소비전력을 억제할 수가 있다.This is given to the input power waveform shown in FIG. 5 in front of the pulse used for processing for a predetermined time t 0 rather than continuously, so that miss pulses can be prevented for all pulses during processing. Power consumption can be reduced.
부여하는 예비 펄스의 주파수 및 인가 타이밍과 인가시간의 한 예로서는 상술한 조건을 들 수 있으나 특히, 이 조건에 한정되는 것은 아니다.Examples of the frequency, the application timing and the application time of the preliminary pulse to be given include the above-mentioned conditions, but are not particularly limited to these conditions.
[실시의 형태 5][Embodiment 5]
도 7(a)(b)는 본 발명의 청구항 5 에 따른 실시 형태의 모식도이다.(A) (b) is a schematic diagram of embodiment which concerns on Claim 5 of this invention.
장치 구성은 실시의 형태 1 의 것에 레이저 광을 받기 위한 뎀퍼(8)를 추가한 것이다.The device configuration is one in which the damper 8 for receiving laser light is added to the first embodiment.
이는 방전 에너지 투입 직후의 방전상태의 불안정성에서 생기는 미스 펄스에 대해 도 7(a)와 같이 적어도 최초의 펄스를 갈바노스켄미러(5)를 NC장치(3)로 주사함으로써 뎀퍼(8)와 같은 차폐물에 조사하고, 도 7(b)와 같이 그 이후의 안정된 펄스 레이저를 가공물(7)에 조사하도록 연구한 것이다.This is done by scanning the galvanosken mirror 5 with the NC device 3 at least the first pulse as shown in FIG. The shield was irradiated, and the workpiece 7 was irradiated with a stable pulse laser thereafter as shown in FIG. 7 (b).
[실시의 형태 6][Embodiment 6]
도 8(a),(b)는 본 발명의 청구항 5 에 따른 실시 형태의 모식도이다.8 (a) and 8 (b) are schematic diagrams of an embodiment according to claim 5 of the present invention.
장치 구성은 실시의 형태 1 에 레이저 광 차폐용 고속셔터(9)를 추가한 것이다.In the device configuration, the high speed shutter 9 for shielding laser light is added to the first embodiment.
이는 방전 에너지 투입 직후의 방전상태의 불안정성에서 생기는 미스 펄스에 대해 도 8(a)와 같이 적어도 최초의 펄스를 고속셔터(9)를 NC장치(3)로 제어함으로써 차광하고, 도 8(b)와 같이 그 이후의 안정된 펄스 레이저를 가공물(5)에 조사하도록 연구한 것이다.This prevents at least the first pulse by controlling the high speed shutter 9 with the NC device 3 as shown in Fig. 8 (a) for the miss pulse generated from the instability of the discharge state immediately after the discharge energy is input, and as shown in Fig. 8 (b). As such, the study was made to irradiate the workpiece 5 with a stable pulse laser thereafter.
또, 상기한 각 실시의 형태에서는 탄산가스 레이저에 대해 설명하였으나 본 발명은 다른 예컨대 엑시머 레이저, 헬륨 네온 레이저의 경우에도 같은 효과가 얻어진다.In addition, although the carbon dioxide laser was demonstrated in each embodiment mentioned above, the same effect is acquired also in the case of the other invention, for example, an excimer laser and a helium neon laser.
본 발명은 이상 설명한 바와 같이 구성되어 있으므로 아래에 표시하는 바와 같은 효과가 있다.Since this invention is comprised as mentioned above, it has the effect as shown below.
방전 전력파형을 전기적으로 제어함으로써 최초의 첫번째의 펄스의 미스펄스를 방지 할 수 있으므로 가공 시간은 종래 가공과 큰차가 없고, 또 안정된 구멍 가공을 실현할 수가 있다.By controlling the discharge power waveform electrically, it is possible to prevent the mispulse of the first first pulse. Therefore, the machining time is not significantly different from that of conventional machining, and stable hole machining can be realized.
또, 방전 전력파형을 전기적으로 제어함으로써 최초의 첫번째의 펄스의 미스펄스를 방지하고, 그 이후의 펄스에 대해서도 안정성을 향상 시킬 수 가 있으므로 가공 시간은 종래 가공과 큰차가 없고 또, 안정된 구멍가공을 실현할 수가 있다.In addition, the electrical control of the discharge power waveform prevents mispulse of the first first pulse and improves stability for subsequent pulses. Therefore, machining time is not significantly different from that of conventional machining, and stable hole processing is achieved. It can be realized.
또, 방전 전력파형을 전기적으로 제어 함으로써 가공중의 전 펄스의 미스펄스를 방지할 수 있으므로 가공 시간은 종래 가공과 대차가 없고, 또 안정된 구멍가공을 실현할 수가 있다.In addition, by controlling the discharge power waveform electrically, the mispulse of all pulses during processing can be prevented, so that processing time can be achieved without conventional processing, and stable hole processing can be realized.
또, 방전 전력파형을 전기적으로 제어함으로써 가공중의 전 펄스의 미스펄스를 방지할 수 있으므로 가공 시간은 종래 가공과 대차가 없고, 또 안정된 구멍가공을 실현할 수 있고, 또 종래보다도 적은 전력으로 제어할 수가 있다.In addition, the electrical control of the discharge power waveform can prevent the mispulse of all pulses in the process, so that processing time is not comparable with conventional machining, stable hole processing can be realized, and control can be performed with less power than before. There is a number.
또, 불안정한 적어도 최초의 펄스만을 뎀퍼등의 차폐물에 조사해서 안정된 펄스만을 인출함으로써 미스펄스를 방지하고, 안정된 구멍 가공을 실현할 수가 있다.In addition, by irradiating at least a first unstable pulse to a shield such as a damper and extracting only a stable pulse, mispulse can be prevented and stable hole processing can be realized.
Claims (5)
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| JP97-068208 | 1997-03-21 | ||
| JP6820897 | 1997-03-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980079743A KR19980079743A (en) | 1998-11-25 |
| KR100273959B1 true KR100273959B1 (en) | 2000-12-15 |
Family
ID=13367160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980005154A KR100273959B1 (en) | 1997-03-21 | 1998-02-19 | Gas laser beam machine |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100273959B1 (en) |
| CN (1) | CN1107364C (en) |
| TW (1) | TW365559B (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI221791B (en) * | 2002-04-02 | 2004-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | Laser processing system and laser processing method |
| JP3846573B2 (en) * | 2002-06-14 | 2006-11-15 | 三菱電機株式会社 | Laser processing apparatus and control method of the processing apparatus |
| JP7141533B2 (en) * | 2019-06-13 | 2022-09-22 | 本田技研工業株式会社 | Laser irradiation state determination method |
-
1997
- 1997-11-08 TW TW086116701A patent/TW365559B/en not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-02-19 KR KR1019980005154A patent/KR100273959B1/en not_active IP Right Cessation
- 1998-03-09 CN CN98104144A patent/CN1107364C/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1107364C (en) | 2003-04-30 |
| TW365559B (en) | 1999-08-01 |
| CN1194190A (en) | 1998-09-30 |
| KR19980079743A (en) | 1998-11-25 |
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