KR100267979B1 - 칼라음극선관의 펀넬 내장 도전막 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 칼라 음극선관의 온(ON), 오프(OFF)시 주위의 진동 또는 충격으로 음극선관의 내부에서 방전이 일어나 펀넬에 도포된 도전 피막이 벗겨지는 것을 방지하는데 적합한 도전성 도료를 이용한 펀넬 내장 도전막에 관한 것으로, 펀넬내면에 낮은 전기적 저항과 높은 기계적 강도를 가지는 제 1도전 피막층이 형성되고, 컨택트 스프링 접촉부위와 아노드에 전압이 인가되는 펀넬내면 부분의 제 1도전 피막층위에 상기 제 1도전 피막층보다 낮은 전기적 저항과 높은 기계적 강도를 가지는 제 2도전 피막층이 형성된 칼라 음극선관의 펀넬 내장 도전막에 관한 것이다.

Description

칼라음극선관의 펀넬 내장 도전막
본 발명은 칼라 음극선관의 내부 도전막에 관한 것으로, 특히 외부로부터의 충격과 진동에 의한 컨택트 스프링과의 접촉 부위에서 전기적 스파크로 도막이 박리되는 것을 방지하기 위한 기계적 저항을 갖는 강도를 가지면서 양호한 도전성을 갖는 펀넬 내면의 도전막에 관한 것이다.
칼라 브라운관은 도 1에 도시한 바와 같이 내측면에 형광막이 형성된 패널(1)과 내측면에 전도성을 갖는 흑연이 도포된 펀넬(2)은 약 450℃의 로에서 융착 글라스로 서로 봉합되어지며 펀넬의 네크부(3)에 전자빔을 발생시키는 전자총(7)이 장착되어 있고 패널의 내측에는 색선별 전극인 새도우 마스크(4)가 프레임(5)에 의하여 지지되어 있으며 펀넬의 외주면에는 전자빔을 좌우로 평향시켜주는 편향요크(8)가 장착되어 있다.
이렇게 구성된 칼라 브라운관은 전자총에 영상신호를 입력하면 전자총의 캐소드로부터 열전자가 방출되며 방출된 전자는 전자총의 각 전극에서 인가된 전압에 의하여 패널쪽으로 가속 및 집속과정을 거치면서 진행하게 된다.
이때 전자는 펀넬의 네크부에 장착된 마그네트(9)의 자계에 의하여 전자의 진행 경로가 조정되며 조정된 전자빔은 편향요크(8)에 의하여 패널의 내면에 주사되어진다.
상기 편향된 전자빔은 패널의 내측면 프레임에 결합된 새도우 마스크의 Slot을 통과하면서 색선별이 이루어지고 선별된 전자빔은 패널내면의 각각 형광막에 충돌하여 발광시킴으로써 영상신호를 재현한다.
그리고 전자빔이 새도우 마스크의 Slot을 통과하여 형광막에 도달되는데 있어서 지자기의 영향으로 전자빔의 편향이 일어나는 것을 방지하기 위하여 패널 쪽에서 볼 때 새도우 마스크가 결합된 프레임 뒤쪽에 지자기 차폐물질(인너쉴드 ; INNER SHIELD)(6)이 부착되어 있다.
도 2는 펀넬의 내,외부에 도전막을 형성시킨 단면도를 나타낸 것으로, 패널(1)과 펀넬(2)에 융착되어 형성된 음극선관은 전기적으로 콘덴서 역할을 하도록 펀넬(2)의 내부와 외부에 전기적 도전성을 가지는 내부 도전막(10)과 외부 도전막(11)을 형성시키고 캐비티의 아노드를 통하여 고전압이 음극선관에 인가되도록 하여 음극선 화면이 형성되도록 한다.
내,외 도전막을 형성하기 위해서는 흑연, 접착재(물유리), 분산제를 혼합한 혼합물을 사용하다가 근래에는 전기적 저항 증가를 목적으로 금속 산화물을 추가 혼합한 혼합물을 도포하고 있다.
이와같은 도전성 피막을 형성하는 방법으로는 붓이나 스폰지로 도포하는 방법, 분사에 의한 도포방법, 침적법, 플로우 코팅법이 있는데, 최근에는 펀넬내면에 도포하는 방법으로는 한 번의 작업으로 쉽게 이루어지는 플로우 코팅법이 널리 이용되고 있으며, 펀넬외면의 도포방법으로는 붓이나 스폰지로 도포하는 방법이 이용되고 있다.
상기한 종래의 도전성 피막액 각 성분의 역할을 살펴보면, 흑연은 도전성 물질로서 캐비티를 통하여 인가된 전류가 도전성 피막을 따라서 전자총 부분에 까지 잘 흐르도록 해준다.
또한 접착제는 규산염 칼륨이나 규산염 나트륨이 사용되며 흑연 및 금속 산화물을 펀넬 유리면에 잘 부착되도록 해준다.
분산제는 흑연과 금속 산화물이 순수가 포함되어 있는 물유리속에 잘 분산 되도록 해주는 역할을 한다.
흑연과 함께 첨가된 금속 산화물은 부도체로서 전기적 저항값을 높여주는 역할을 하며 산화철(Fe2O)이나 산화티탄(TiO2)을 사용하고 있다.
하지만 금속 산화물을 사용하지 않은 도전성 피막의 경우 음극선관의 전자총 부분에서 이물이 존재하게 되면 전기적 스파크가 발생하고 이 때 약 600~1000A의 높은 전류가 발생한다.
이를 해결하기 위하여 흑연, 접착제, 분산제가 혼합된 기존의 도전성 피막에 부도체인 산화철, 산화티탄을 첨가하여 사용하고 있다.
과전류를 줄이기 위하여 혼합된 산화철과 산화 티탄은 비중이 흑연보다 높기 때문에 도전성 피막액을 간단히 방치하거나 도전성 피막액을 펀넬에 도포하고 방치하였을 때 산화철과 산화 티탄은 아래로 가라 앉고 흑연층은 위로 뜨는 층분리가 이루어질 수도 있다.
그리고 만일 흑연층이 위로 뜬 상태에서 도포되어 건조가 이루어지면 전기적 도전성이 좋아져서 저항값이 낮아지고 이로 인하여 금속 산화물을 첨가하지 않았을 때와 같은 문제가 발생하게 된다.
또 가라앉은 금속 산화물을 재분산 시키는데 많은 시간이 걸리며 금속 산화물의 분산성도 나쁘게 되어 도전성 피막이 균일하지 않게되는 문제도 발생한다.
한편 종래의 도포방법 중 붓이나 스폰지로 도포하는 방법은 공정이 복잡하고 도포막이 균일하지 못한 문제가 있고, 분사 도포 방법은 흑연 슬러리의 분산 상태에 따라서 막 얼룩이 생기는 문제가 있다.
또한 침적법이나 플로우 코팅의 경우 도포막을 형성시키지 않아야 되는 부분에 도포막이 형성되기 쉬워 형성된 막을 제거하는데에 공정이 복잡하고 재료의 손실도 따르게 되며, 펀넬 내면에 묻은 도료가 펀넬 내면의 윗부분에서 아랫부분으로 흘러 내리기 때문에 흘러내리는 도료는 펀넬의 윗부분에서는 두께가 두껍게 되어 전기저항이 더 낮아지게 되며, 특히 도포액의 점도에 따라 도포 두께가 달라지고 펀넬 내면에 불균일한 전기저항이 형성된다.
특히 펀넬 내면에 형성된 도포막의 윗부분 중 프레임이나 인너쉴드에 부착되어 펀넬내면의 도전성 도포막과 접촉하고 있는 접촉 스프링 접촉부위에서 전기저항이 4㏀이상으로 높을 경우 음극선관을 온(ON),오프(OFF) 할 때 스프링과 도전막의 전위차로 인하여 방전이 일어나게 된다.
따라서 스프링 접촉부위의 도전막이 파괴되어 없어져버려 음극선관의 캐비티를 통하여 가해진 고전압이 펀넬 내면에서 균일하게 흐르지 않게 된다.
그 결과 화면이 형성되지 않게되는 치명적인 제품 불량도 발생한다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 일본 특허 공개공보 JP58-176854에서는 제 1층으로 높은 저항과 높은 기계적 강도를 갖는 도전층을 설계하고, 도전층과 컨택트 스프링 접촉부위에 제 2층으로 저저항과 낮은 기계적 강도를 갖는 도전층을 형성하였다.
JP58-176854에서는 높은 저항과 높은 기계적 강도를 갖게하기 위하여 TiO2, Fe2O3와 같은 금속산화물을 흑연양보다 많이 첨가하였으며, 제 2층에서 낮은 기계적 강도와 낮은 저항을 갖게하기 위하여 금속 산화물보다 흑연의 양을 더 많이 사용하였다.
JP85-176854은 제 2층의 낮은 전기저항으로 인하여 컨택트 스프링과 접촉부위에서 전기적 도통이 잘 될수 있을지 모르나, 도전막의 강도가 약하여 음극선관의내부와 외부의 물리적 충격이 있을 경우 도전막의 강도가 약하여 도전막이 쉽게 박리가 되어서 도전막의 부스러기 또는 파편들이 음극선관 내부의 새도우마스크구멍을 막거나, 전자총 사이에 들어가서 전극 간격을 작게하여 전기적 스파크가 생기는 문제가 있다.
따라서 아노드에서 부가되는 전류의 흐름이 원할하게 하기 위하여 컨택트 스프링과 접촉부위에서 도전피막의 전기 저항이 낮아야 할 뿐만 아니라 도전막의 기계적 강도도 큰 것이 요구된다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 펀넬 내면에 낮은 전기저항과 높은 기계적 강도를 가지는 제 1도전 피막층을 형성시키고 상기 도전 피막층 보다 높은 기계적 강도를 가지면서 낮은 저항치를 나타내는 제 2 도전 피막층을 컨택트 스프링 접촉부위와 아노드 전압이 부가되는 부위의 제 1 도전 피막층 위에 형성시킴으로서 전기적 스파크로 인해 발생되는 도전막의 박리를 방지하면서 양호한 도전성을 갖는 도전 피막층을 형성시키는데 그 목적이 있다.
도 1은 칼라 음극선관의 구조도
도 2는 내,외부 도전막을 나타낸 칼라 음극선관의 구조도
도 3은 본 발명에 따른 내부 도전막을 나타낸 상태도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
102 : 펀넬 103 : 컨택트 스프링
106 : 아노드 108 : 제 1도전 피막층
109 : 제 2도전 피막층
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 패널과 펀넬이 융착되어 형성되고,펀넬의 내·외부에 흑연, 접착제, 분산제, 금속산화물로 혼합된 도전성을 갖는 도전막이 형성된것에 있어서, 펀넬의 내면에 낮은 전기적 저항과 높은 기계적 강도를 가지는 제 1 도전 피막층이 형성되고, 컨택트 스프링 접촉부위와 아노드를 통하여 전압이 인가되는 펀넬 내면 부분의 제 1 도전 피막층위에 상기 제 1 도전 피막층보다 높은 기계적 강도를 가지면서 낮은 저항치를 나타내는 제 2 도전 피막층이 형성된 칼라 음극선관의 펀넬내장 도전막 구조로 이루어진다.
도 3은 본 발명에 따른 펀넬의 내면에 도전막을 형성시킨 구조의 단면도를 나타낸 것으로, 저저항 흑연과 고저항 금속산화물이 혼합된 도료를 펀넬의 내면에 도포하여 제 1 도전 피막층(108)이 형성되고, 컨택트스프링(103) 접촉부위와 아노드(106)를 통하여 전압이 인가되는 펀넬 내면 부분의 제 1 도전 피막층(108)위에 저저항 흑연과 저저항 금속 산화물이 혼합된 제 2 도전 피막층(109)을 형성시키므로써 저항 차이로 인한 스파크 방전 및 이로인해 발생되는 도전 피막의 박리를 방지함과 함께 도통 불량이 생기지 않는다.
본 발명의 도전성 도료 피막액의 각 성분 역활은 다음과 같다.
저저항용 흑연은 전기적 비저항이 0.1Ω㎝ 미만인 도전성 물질로서 전자총에서 부터 형광체에 까지 전류가 잘 흐르도록해주며 금속산화물과의 배합비에 따라 저항값이 변하게 되므로 필요에 따라서 칼라 음극선관용으로는 입자경 0.1∼20㎛인 흑연을 사용한다.
입자경이 0.1㎛ 이하가 되면 도료의 분산이 곤란해지며 20㎛이상이 되면 도전성 피막의 표면이 거칠어져 부분적으로 전기저항이 증가하여 음극선관 내부에서 방전이 일어나 도전피막이 벗겨져 전기가 통하지 않게되는 도통불량이 발생할 수도 있다.
제 1 도전 피막층(108)에 사용되는 흑연양은 전체 조성물 중 1∼30 중량부 정도로 첨가한다.
만일 첨가량을 1 중량부 이하로 하면 도전성을 부여해주는 흑연의 기능이 전체적으로 약해져 전기저항이 증가하게되며 30 중량부 이상 첨가하면 과전류가 흘러서 전자총 부분에서 이물이 존재하게 되여 전기적 스파크가 발생하고 이때 약600∼1000A의 높은 전류가 발생하여 전자총이 접촉된 부분의 도전성 피막과 음극선관의 전기회로 부품에 손상을 주는 문제가 발생한다.
제 2 도전 피막층에는 흑연이 1∼20 중량부 사용된다.
금속산화물은 음극선관 내부에 흐르는 과전류를 낮추어 음극선관 전기회로를 보호하기위한 저항체로써 사용되는 장점을 갖고 있지만 도전 피막도료의 도포 방법에 따라서 부위별로 저항치가 달라지는 문제가 생길 수도 있으며, 특히 프레임부와 펀넬 사이에서 전기 흐름의 통로로서 역할을 하는 컨택트 스프링의 접촉부위에서 스파크가 발생하여 도포된 피막이 박리되어 브라운관 내부에 전류가 흐르지 않게되는 문제가 생길 수도 있기 때문에 첨가량을 잘 조절하여 사용하는 것이 중요하다.
본 발명에서의 금속산화물은 제 1,제 2 도전 피막층(108)(109) 모두 입자의 크기가 0.1∼20㎛이고 첨가량은 5∼30중량부이며 바람직하게는 10∼20 중량부 정도인 것을 사용한다.
입자의 크기가 0.1㎛이하가 되면 도료의 분산이 곤란해지며 20㎛이상이 되면 도전성 피막의 표면이 거칠어져 부분적으로 전기저항이 증가하여 음극선관 내부에서 방전이 일어나 도전 피막이 벗겨져 전기가 통하지 않게되는 도통불량이 발생할 수도 있다.
그리고 첨가량을 5중량부 미만으로 첨가하면 전기적 저항을 높여주는 기능을 상실하게되고 30 중량부 보다 많이 첨가하면 전기적 저항이 높아질 뿐만 아니라 도전액 제조 시 흑연과 금속 산화물이 균일하게 분산된 후 장시간 방치 시 흑연과 산화물의 비중차이로 인하여 흑연이 많이 존재하는 도료층과 금속산화물이 많이 존재하는 도료층으로 나누어져 도포 시 투입된 각 성분이 균일하게 도포되기 어려워져 도전성이 달라지는 문제가 생긴다.
제 1 도전피막층(108)에는 고저항을 갖는 금속산화물은 산화철(α-Fe2O3)과 같은 비전도성 금속 산화물이 사용되며, 제 2 도전피막층에는 산회티탄(TiO2) 또는 망간징크 페라이트(Mn-Zn ferrite), 산화 마그네슘 분말을 사용한다.
접착제는 흑연과 산화철을 펀넬 유리면에 강하게 접착시키는 역할을 하며 유리의 성분과 비슷한 성분을 지닌 규산염이 사용되는데 제 1 도전피막층(108)에는 규산염 칼륨과 규산나트륨을 5∼30중량부 첨가하여 사용하며 제 2 도전피막층(109)에는 제 2 도전피막층(109)보다 기계적 강도를 높이는 것을 목적으로하여 10∼50중량부 첨가한다.
제 1 도전피막층(108)에서 규산염의 첨가량이 5중량부 미만이 되면 접착력이 약해져서 피막 박리가 일어나며 이것으로 인하여 스파크 발생, 새도우 마스크막힘 등의 문제가 발생한다.
또한 규산염의 양이 30중량부 이상으로 증가하면 접착력은 좋아지지만 규산염에서 CO2가스가 발생하게되며, 펀넬을 불산으로 재세척하여 사용하게 될 때 세척이 제대로 되지 않는 문제점이 있다.
제 2 도전피막층(109)에서 규산염의 첨가량이 10중량부 이하가 되면 기계적 강도의 향상이 거의 없으며 50중량부 이상이 되면 기계적 강도 특성은 좋으나 전기저항이 저하되는 문제가 발생한다.
분산제는 흑연입자와 산화철 입자를 골고루 분산시켜서 균일한 외관 및 저항값을 갖게 해줄뿐만 아니라 흑연과 산화철의 침전을 방지해 주는 기능을 가지는 것으로, 분산제 1은 제 1,제 2 도전피막층에 모두 전체 조성물 중 0.5∼3중량부 첨가하며 폴리메틸렌 비스타프탈렌 소디움술포네이트(polymethylene bisnaphthalene sodium sulfonate)를 사용한다.
분산제 2는 제 1, 제 2 도전피막층에 모두 전체 조성물 중 0.5∼3중량부 첨가하며 농축된 나프탈렌 술포닉산 소디움 솔트(Sodium dalf of condenced naphthalrene sulfonic acid)를 사용한다.
그리고 도전피막 도료를 도포하는 방법은 다음과 같다.
먼저 제 1 도전피막층(108)의 도료를 제조하여 펀넬 내면에 도포, 건조한 후 제 2 도전피막층(109)의 도료를 제조하여 컨택트 스프링 접촉부위에 컨택트 스프링의 접촉 면적보다 넓게 도포한다.
제 2 도전피막층(109)의 면적이 넓을수록 방전 발생은 일어나지 않기 때문에 가능하면 컨택트 스프링 접촉부를 중심으로 넓게 도포하는 것이 좋다.
그리고 단위 두께당 피막의 강도가 고저항 피막과 유사하기 때문에 1㎛ 이상의 두께로 도포하는 것이 좋다.
만일 1㎛ 보다 얇게 도포하면 도포된 두께가 얇기 때문에 도전피막의 전기저항이 증가하여 도전피막을 도포하였을 때 나타나는 효과를 거둘수 없다.
그리고 캐비티의 아노드를 통하여 인가되는 고전압이 펀넬과의 저항차이로 인한 방전도 우려되기 때문에 컨택트 스프링 부위를 도포한 다음 아노드 부위가 있는 펀넬의 내면에도 마찬가지로 저저항 도료를 넓게 도포한다.
다음은 실시예에 따라 설명한다.
실시예 1
제 1 도전피막제조;
피막의 도전성을 조절하기 위하여 전기적 비저항이 0.5Ω㎝이고 입자경이 0.8㎛인 흑연 분말을 20중량부 첨가하고, 금속산화물로서 평균 입자경이 1㎛인 산화철을 10중량부 첨가하고, 규산염칼륨, 규산나트륨으로 구성되어 있는 접착제를 전체 도료 조성물의 함량 대비하여 18중량부 첨가하고, 폴리메틸렌 비스타프탈렌 소디움술포네이트(polymethylene bisnaphthalene sodium sulfonate)로 되어있는 분산제를 2중량부 첨가하고, 농축된 나프탈렌 술포닉산 소디움 솔트(Sodium salf of condenced naphthalene sulfonic acid)를 1중량부 첨가하여 순수를 전체 도료 조성물의 함량 대비하여 60중량부 첨가하여 도료 조성물을 만들어, 플로우 코팅법으로 29" 칼라음극선간의 펀넬에 5㎛ 두께로 도포하여 도전성 피막을 제조하였다.
제 2 도전피막제조;
피막의 도전성을 조절하기 위하여 전기적 비저항이 0.01Ω㎝이고 입자경이 1㎛인 흑연 분말을 10중량부 첨가하고, 금속산화물로서 평균입자경이 3㎛인 산화마그네슘을 10중량부첨가하고, 규산염칼륨, 규산나트륨으로 구성되어 있는 접착제를 전체 도료 조성물의 함량 대비하여 30중량부 첨가하고, 폴레메틸렌 비스나프탈렌 소디움술표네이트(polymethylene bisnaphthalene soduum sulfonate)로 되어있는 분산제를 2중량부 첨가하고, 농축된 나프탈렌 솔포닉산 소디움솔트(Sodium salt of conednced naphthalene sulfonic acid)를 1중량부 첨가하여 순수를 전체 도료 조성물의 함량 대바하여 60중량부 첨가하여 도료 조성물을 만들어 29"칼라음극선관의 펀넬의 컨택트 스프링 부위와 펀넬의 캐비티 아노드 부위에 붓으로 4㎛의 두께로 도포하여 도전성 피막을 제조하였다.
비교예
도전성 피막의 도전성을 조절하기 위하여 전기적 비저항이 4Ω㎝이고 평균 입자경이 5㎛인 흑연 분말을 전체 도료 조성물의 함량 대비하여 15중량부 첨가하고, 금속산화물로서 평균입자경이 5㎛인 산화철을 10중량부 첨가하고, 규산염 칼륨, 규산나트륨으로 구성되어 있는 접착제를 전체 도료 조성물의 함량 대비하여 15중량부 첨가하고, 폴리메틸렌 비스나프탈렌 소디움술포네이트(polymethylene bisnaphthalene soduum sulfonate)로 되어있는 분산제를 2중량부 첨가하고, 농축된 나프탈렌 솔포닉산 소디움솔트(Sodium salt of conednced naphthalene sulfonic acid)를 1중량부 첨가하여 순수를 전체 도료조성물의 함량 대비하여 60중량부 첨가하여 도료 조성물을 만들어 플로우 코팅법으로 29"칼라음극선관의 펀넬 내면에 5㎛두께로 도포하여 도전성 피막을 제조하였다.
실시예와 비교예에서 제조된 펀넬에 대하여 부위별 전기 저항을 2단자 법으로 측정하고, 컨택트 스프링 접촉부위에서 10000회 연속 온(ON) 오프(OFF)하였을 때 전기적 스파크에 의하여 도전성 피막이 벗겨지는지의 여부와 도전성 피막에 끝부분의 직경이 0.2㎜이고, 길이가 10㎝인 봉에 임의의 힘을 실어서 도전막에 충격을 가하였을 때 도전막에 찍힘이 발생되는 정도를 평가하여 도전막의 강도를 평가하여 그 결과를 표 1, 표 2, 표 3, 표 4에 나타 내었다.
본 발명의 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 효과를 조사한 결과 다음과 같다.
표 1로부터 본 발명의 실시예와 비교예로부터 도전성 피막의 전기적 특성치는 유사하게 나타나지만 표2와 표 3으로부터 이중도전층 막이 형성되는 실시예의 경우는 컨택트 스프링과의 접촉부와 아노드 캐비티 부위의 펀넬 부위에서 전기저항이 낮게 나타나고, 도전막의 기계적 강도가 우수할 뿐만 아니라, 방전특성 평가를 실시한 결과 표 4로부터 컨택트 스프링과의 접촉부와 아노드의 키비티 부위의 펀넬부에서는 도전성막의 박리가 없기 때문에 않고 매우 안전함을 알 수 있다.
제 2 도전 피막의 두께별 특성비료 (단위 : KΩ)
막 두께(㎛) 실시예 비교예
5 4.5 4.8
10 3.2 3.9
25 2.4 3.2
펀넬 부위별 저항특성 비교 (단위 : KΩ)
실시예 비교예
컨택트 스프링부 1.40 4.9
YORK 접촉부 1.24 4.2
NECK 연결부 0.90 0.90
막강도 특성 비교
막 강도(접착력) 평가 결과
실시예 45g
비교예 22g
방전 특성 비교
10000회 연속 ON,OFF 시 방전 현상
실시예 스파크 방전 없으며 도전막의 박리없음
비교예 스파크 방전 및 막의 박리 발생
이상에서와 같이 본 발명은 저저항 흑연과 고저항 금속산화물이 내장되어 있는 도전성 도료를 펀넬 내면에 도포하여 제 1 도전 피막층을 만든 후 저저항 흑연과 저저항 금속산화물이 혼합된 도료를 컨택트 스프링 접촉부위와 아노드를 통하여 전압이 인가되는 펀넬 내면부에 도포하여 제 2 도전피막층을 형성시킴으로써 피막의 도전성과 기계적 강도를 동시에 확보하여 컨택트 스프링이 접촉되는 펀넬 부위에서 발생되기 쉬운 스파크 방전과 도전성 피막의 파괴의 발생을 방지하고, 아노드에서 인가된 전류의 흐름이 원활하게 되고, 그 결과 화면이 형성되지 않게되는 제품불량 발생을 일으키지 않게하는 효과를 갖게된다.

Claims (8)

  1. 패널과 펀넬이 융착되어 형성되고, 펀넬의 내,외부에 흑연, 접착제, 분산제, 금속산화물로 조성된 도전성을 갖는 도전막이 형성되는 구조를 포함하는 칼라 음극선관에 있어서, 펀넬의 내면에 낮은 전기 저항과 높은 기계적 강도를 가지는 제 1 도전 피막층이 형성되고, 컨택트 스프링 접촉부위와 아노드를 통하여 전압이 인가되는 펀넬 내면 부분의 제 1도전 피막층위에 상기 제 1도전 피막층보다 높은 기계적 강도를 가지면서 낮은 저항치를 나타내는 제 2도전 피막층이 형성됨을 특징으로 하는 칼라 음극선관의 펀넬 내장 도전막.
  2. 제 1항에 있어서,
    제 1도전 피막층은 전기적 비저항이 낮은 흑연과 전기적 비저항이 높은 금속산화물로 조성되고, 제 2도전 피막층은 제 1도전 피막층보다 전기적 비저항이 낮은 흑연과 전기적 비저항이 낮은 금속 산화물로 조성됨을 특징으로 하는 칼라 음극선관의 펀넬 내장 도전막.
  3. 제 2항에 있어서,
    제 1, 제 2 도전 피막층에 사용되는 흑연은 저기적 비저항이 1Ω㎝미만인 것을 특징으로 하는 칼라 음극선관의 펀넬 내장 도전막.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    흑연의 입자경이 0.1~20㎛인 것을 특징으로 하는 칼라 음극선관의 펀넬 내장 도전막.
  5. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    제 1도전 피막층의 전체 조성물중 흑연이 1~30중량부이고, 제 2도전 피막층의 전체 조성물 중 흑연이 1~20중량부로 조성됨을 특징으로 하는 칼라 음극선관의 펀넬 내장 도전막.
  6. 제 2항에 있어서,
    제 1도전 피막층에서 금속 산화물이 산화철(α-Fe2O3)이고, 제 2도전 피막층에서 금속 산화물이 산화티탄, 망간징크 페라이트, 산화 마그네슘 분말 중 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 칼라 음극선관의 펀넬 내장 도전막.
  7. 제 6항에 있어서,
    제 1, 제 2도전 피막층에 첨가되는 금속 산화물의 입자경이 0.1~20㎛인 것을 특징으로 하는 칼라 음극선관의 펀넬 내장 도전막.
  8. 제 6항 또는 제 7항에 있어서,
    제 1, 제 2도전 피막층의 각 전체 조성물 중 금속 산화물 첨가량이 5~30중량%인 것을 특징으로 하는 칼라 음극선관의 펀넬 내장 도전막.
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