KR0139939B1 - 음극선관 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 음극선관에 관한 것으로서,
본 발명의 목적은 펀넬의 내.외부에 일정범위 도포된 도전막의 구성물을 변경시킴으로써 도전막의 침전 방지와 수분 흡수해소 및 접착 강도를 증가시켜 안정성과 성능이 향상된 음극선관을 제공하는데 있다.
이와같은 목적을 실현하기위한 본 발명에 따른 음극선관은 흑연 분말과, 금속산화물인 산화알루미늄과, 접착제인 칼륨규산염과, 분산제인 폴리메틸렌비스 나프탈렌 소디움 설포네이트와, 순수가 일정비율로 혼합된 도전막이 펀넬의 내.외측면에 도포된 것을 본 발명의 요지로 한다.
Description
제1도는 종래의 음극선관의 개략도 및 일부절개 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 도전막의 구성물과 종래 도전막의 구성물과의 수분흡수율의 비교를 나타낸 그래프.
본 발명은 음극선관에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 펀넬의 내.외부에 일정범위 도포된 도전막의 구성물을 변경시킴으로써 도전막의 침전방지와 침전흡수해소 및 접착강도가 증가되어 안정성과 성능이 향상된 음극선관에 관한 것이다.
제1도는 종래의 음극선관의 개략도 및 일부절개 단면도이다.
제1도를 참조하면 음극선관(3)은 펀넬(1)과 펀넬(2)이 융착되어 고진공으로 배기한 것으로서, 상기 펀넬(2)의 내.외부에는 전기적으로 콘덴서 역할을 하도록 도전성을 가진 내.외부 도전막(4), (5)이 각기 일정범위 도포된 것이다.
이에따라 캐비티(6)를 통한 고전압을 도전막(4), (5) 통해 음극선관(3)내에 전자총에서 부터 형광체 까지 흐르도록 하여 음극선 화면이 형성되도록 된 것이다.
상기에서 도전막의 구성재료는 캐비티(6)를 통해 인가된 전류를 잘 흐르도록 하기위한 도체로서의 흑연과, 부도체로서 과전류를 낮추어 전자총 회로를 보호하기위한 산화철(Fe2O3), 산화티탄(TiO2)을 사용한 금속산화물과, 흑연 및 금속산화물이 펀넬(2)면에 용이하게 부착되도록 하기위한 칼륨계 물유리, 나트륨계 물유리를 사용한 접착제와, 접착제에 흑연 및 금속산화물이 잘 분산되도록 하기 위한 순수가 포함된 분산제가 일정비율로 혼합된 것이다.
상기에서 부도체로서의 금속산화물인 산화철, 산화티탄은 음극선관의 전자총부분에서 이물질에 따른 전기적 스파크가 발생되면 이에따라 높은 전류가 발생되어 도전막과 전자총회로에 가해지는 손상을 방지하기위하여 사용되는 것이다.
표1은 종래 음극선관에 적용된 도전막의 구성물의 비중비교표이고, 표2는 산화철(Fe2O3)의 시간당 수분 흡수율을 나타낸 것이다.
[표1]
[표2]
표1 및 표2를 참조하여 종래 음극선관에 적용된 도전막의 문제점을 설명하면 다음과 같다.
표1를 참조하면, 과전류를 낮추어 전자총 회로를 보호하기 위한 금속산화물인 산화철 및 산화티탄은 비중이 각각 4.17과 5.24로서 2.3의 비중을 갖는 흑연에 대해 훨씬 높은 비중을 갖는 것이다.
따라서 상기한 상대적 비중차에 의해 도포전의 도전막 및 펀넬에 도포된 도전막을 방치할 경우 흑연층과 금속산화물 층으로 층 분리가 발생되는 것이다.
이에따라 흑연층이 위로 뜨게되면 전기적 저항값이 낮아지고 상대적으로 전류값이 다시 높아져 음극선관내의 전자총 회로가 불안정 해지는 문제점이 되었다.
또한 이러한 문제점을 개선하기 위하여 가라앉은 금속산화물을 재분산 처리하더라도 분산성이 저하되어 도전막이 균일하지 않게 되는 것이다.
표2를 참조하면, 산화철은 수분흡수열이 높아 흡수된 수분이 음극선관의 진공공정에서 충분히 제거되지 못하여 음극선관의 전자총 부분을 손상시켜 제품의 기능을 저하시키는 문제점이 되었다.
한편, 산화티탄의 경우는 수분 흡수율이 거의 없으나 경도가 5.240으로 약하여 음극선관에 가해지는 내.외부 충격에 의해 쉽게 박리되어 박리된 이 물질이 음극선관 내부에 장착된 샤도의 마스크의 미세홀을 막거나 전자총의 각 전극 사이에서 스파크를 발생시켜 이 또한 전자총의 손상 및 제품의 성능 저하의 요인이 되는 문제점이 되었다.
따라서 본 발명은 상기한 제반문제점들을 해결하기 위하여 창출한 것으로서, 본 발명의 목적은 펀넬의 내.외부에 일정범위 도포된 도전막의 구성물을 변경시킴으로써 도전막의 침전 방지와 수분 흡수해소 및 접착 강도를 증가시켜 안정성과 성능이 향상된 음극선관을 제공하는데 있다.
이와같은 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 음극선관은 흑연분말과 금속산화물인 산화알루미늄과, 접착제인 칼륨규산염과, 분산제인 폴리메틸렌비스 나프탈렌소디움 설포네이트와, 순수가 일정비율로 혼합된 도전막이 펀넬의 내.외측면에 도포된것을 특징으로 한다.
이하 표3 내지 표4와 도면 제2도를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
표3은 본 발명에 따른 음극선관에 적용되는 도전막의 구성물을 나타낸 것이다.
[표3]
표3을 참조하면 접착제로 사용되는 칼륨 규산염 또는 나트륨 규산염은 흑연 및 금속산화물을 펀넬면에 강하게 접착시키는 것으로서 도전막의 혼합 비율을 10∼20%로 제한 사용된다.
강한 접착제로서의 칼륨, 나트륨 규산염의 혼합비율을 10% 이하로 하면 접착력이 저하되어 도전막의 박리 현상이 발생하며, 20% 이상으로 하면 접착력은 향상되나 규산염에서 CO2가스가 발생되어 펀넬을 불산으로 세척하여 재사용하는 경우 세척이 용이하게되지 않는 문제점이 되는 것이다.
또한 분산제로 사용되는 폴리메틸렌비스 나프탈렌소디움 설포네이트와 농축된 나프탈렌 설포닉산의 소디움솔트는 흑연 및 금속산화물의 입자를 균일 분산시켜 균일한 외관 및 저항 값을 유지토록 하며 침전을 방지해주는 기능을 갖는 것이다.
그리고, 과전류를 낮추어 전자총 회로를 보호하기 위한 저항체로서의 금속산화물로 사용되는 산화알루미늄은 비중이 3.97로서 비중 2.3인 흑연에 대해 비중 차이가 줄어들어 도포전의 도전막을 방치하거나 펀넬면에 도포후의 도전막을 일정시간 지연건조시키더라도 흑연과 금속산화물의 층분리가 쉽게 일어나지 않는 것이다.
더욱이 산화알루미늄의 경도가 9.1로서 일정 충격에도 박리가 발생되지 않는 것이다.
한편 표4는 산화알루미늄(Al2O3)의 시간당 수분흡수율을 나타낸 것이고 도면 제2도는 표2 및 표4에 따른 비교를 나타낸 그래프이다.
[표4]
표4 및 도면2도를 참조하면 본 발명에 적용된 산화알루미늄(B)은 종래 산화철이 사용된 도적막(A)에 대해서는 물론이고 시간당 수분흡수율 또한 거의 해소되는 것이다.
이때 금속산화물로서의 산화알루미늄의 혼합비율은 6∼20%로 제한되는 것으로서, 상기 금속산화물의 혼합비율이 6%이하일 경우 저항값이 커지게 되어서 전자총회로의 보호가 어려우며, 20%이상일 경우에는 전기적 도전성이 저하되는 것이다.
한편, 도전막의 도포시 저항값은 구성물의 혼합비율에 따라 정도의 차이는 있으나 전기적인 저항값이 2∼50㏀/3㎝ 정도가 되도록 막 두께를 설정하여 도포되는 것이다.
따라서, 본 발명에 따른 음극선관은 비중이 흑연에 근접하고 경도가 크며 수분의 흡수성이 적은 산화알루미늄을 금속산화물로 사용하여 도전막을 형성함으로써 도전막의 분상성 향상과 음극선관의 진공도 향상 및 박리가 없는 안정성과 성능이 향상되는 유용한 발명이다.
Claims (6)
- 흑연 분말과,금속산화물인 산화알루미늄과,접착제인 칼륨규산염과,분산제인 폴리메틸렌비스 나프탈렌 소디움 설포네이트와,순수가 일정비율로 혼합된 도전막이 펀넬의 내.외측면에 도포된 것을 특징으로 하는 음극선관.
- 제1항에 있어서,상기 산화알루미늄은 도전막의 혼합비율에 있어서 6∼20%인 것을 특징으로 하는 음극선관.
- 상기 접착제는 나트륨규산염인 것을 특징으로 하는 음극선관.
- 제1항 또는 제3항에 있어서,상기 접착제는 도전막의 혼합비율에 있어서 10∼20%인 것을 특징으로 하는 음극선관.
- 제1항에 있어서,상기 분산제는 농축된 나프탈렌 설포닉산의 소디움 솔트인 것을 특징으로하는 음극선관.
- 제1항에 있어서,상기 도전막은 전기적인 저항값이 약 2㏀ ∼ 50㏀/3㎝가 되도록 도포된 것을 특징으로 하는 음극선관.
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KR1019950008819A KR0139939B1 (ko) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 음극선관 |
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Family Applications (1)
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KR1019950008819A KR0139939B1 (ko) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 음극선관 |
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1995
- 1995-04-14 KR KR1019950008819A patent/KR0139939B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR960039095A (ko) | 1996-11-21 |
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