KR100266677B1 - 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치 - Google Patents

반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100266677B1
KR100266677B1 KR1019980010760A KR19980010760A KR100266677B1 KR 100266677 B1 KR100266677 B1 KR 100266677B1 KR 1019980010760 A KR1019980010760 A KR 1019980010760A KR 19980010760 A KR19980010760 A KR 19980010760A KR 100266677 B1 KR100266677 B1 KR 100266677B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
heater
chemical
line
chamber
Prior art date
Application number
KR1019980010760A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990076097A (ko
Inventor
이종건
Original Assignee
김영환
현대반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대반도체주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019980010760A priority Critical patent/KR100266677B1/ko
Publication of KR19990076097A publication Critical patent/KR19990076097A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100266677B1 publication Critical patent/KR100266677B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치에 관한 것으로, 히터챔버(34)와 온도측정센서(35) 사이의 순환라인(31) 상에 히터챔버(34)에서 가열된 항온수를 혼합하기 위한 교반기(40)를 설치하여, 그 교반기(40)에 균일하게 혼합된 항온수를 온도측정센서(35)에서 정확히 측정하고, 그 측정값에 따라 온도제어기(36)에서 온도를 제어할 수 있도록 함으로써, 정확한 온도검출에 의한 온도조절이 이루어진다.

Description

반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치
본 발명은 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치에 관한 것으로, 특히 가열된 항온수가 균일하게 혼합되도록 하여 정확한 온도측정에 의한 온도콘트롤이 이루어지도록 하는데 적합한 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치에 관한 것이다.
일반적으로 "폴라리스"라도 불리우는 반도체 웨이퍼 제조용 포토장비에서는 감광제의 도포와 현상에 사용되는 케미컬들의 온도를 일정하게 유지하는 것이 미세선폭을 형성하기 위하여 필수적이며, 이와 같은 온도조절장치가 설치된 부분을 간단히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 케미컬 라인에 온도조절장치가 설치된 상태를 보인 배관도로서, 도시된 바와 같이, 케미컬 디스팬스 시스템(CHEMICAL DISPENSE SYSTEM)(1)에서 케미컬라인(CHEMICAL LINE)(2)으로 연결된 노즐(NOZZLE)(3)을 통하여 현상액을 웨이퍼의 상면에 분사할 수 있도록 되어 있다.
그리고, 상기 케미컬라인(2)으로 흐르는 케미컬의 온도를 조절하기 위한 온도조절장치(4)로서, 상기 케미컬라인(2)의 외측으로 항온수가 흐를수 있도록 일정간격을 두고 감싸도록 설치되는 워터자켓(5)이 설치되어 있고, 그 워터자켓(5)의 일단부와 타단부에 항온수를 순환시킬 수 있도록 연결설치되는 순환라인(6) 상에는 칠러(7), 히터(8)가 내설된 히터 챔버(9), 온도조절센서(10)들이 설치되어 있다.
또한, 상기 온도조절센서(10)에서 온도를 검출하여 히터(8)에 온도조절시그널을 보낼 수 있도록 온도제어기(11)이 연결설치되어 있다.
상기와 같이 구성된 온도조절장치(4)는 케미컬 디스팬스 시스템(1)에서 케미컬라인(2)을 통하여 공급된 현상액을 노즐(3)을 이용하여 웨이퍼의 상면에 분사할 때 케미컬라인(2)으로 흐르는 케미컬의 온도를 일정하게 조절한다.
즉, 상기 칠러(7)에서 일정온도로 유지된 항온수가 펌핑되어 히터 챔버(9)의 내측으로 공급되면 히터(8)에 의하여 설정온도로 가열되고, 이와 같이 가열된 항온수는 다시 워터자켓(5)으로 공급되어 케미컬라인(2)으로 흐르는 케미컬들과 열교환이 이루어져 케미컬을 적정온도를 유지하게 되며, 상기 히터 챔버(9) 후방의 순환라인(6)에 설치된 온도측정센서(10)을 통하여 온도제어기(11)에서 순환라인(6)으로 흐르는 항온수의 온도를 검출하고, 그 검출된 값이 설정치 보다 낮을때는 히터(8)를 가열하게 된다.
그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치는 히터(8)에 의하여 가열되어 순환라인(6)으로 흐르는 항온수가 충분히 혼합되지 못하고, 그 혼합되지 않는 항온수를 온도측정센서(10)로 센싱하여 온도제어기(11)에서 온도를 조절할 수 있도록 되어 있어서, 정확한 온도조절이 이루어지지 못하여 선폭불량들의 품질불량을 유발하는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 케미컬라인으로 흐르는 케미컬의 온도를 균일하게 유지시켜서 품질불량이 유발되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치를 제공함에 있다.
도 1은 종래 케미컬 라인에 온도조절장치가 설치된 상태를 보인 배관도.
도 2는 본 발명 온도조절장치가 설치된 케미컬 라인을 보인 배관도.
도 3은 본 발명의 요부인 교반기의 구성을 상세히 보인 횡단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
22 : 케미컬라인 30 : 워터자켓
31 : 순환라인 32 : 칠러
33 : 히터 34 : 히터챔버
35 : 온도측정센서 36 : 온도제어기
40 : 교반기 41 : 항온수유입관
42 : 항온수유출관 43 : 공간부
44 : 교반챔버 45 : 교반판
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 케미컬라인을 감싸도록 설치되는 워터자켓과, 그 워터자켓의 일단부와 타단부를 연결하는 순환라인과, 그 순환라인 상에 설치되는 칠러, 히터가 내설된 히터챔버, 온도측정센서, 온도제어기가 설치되어 있는 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치에 있어서, 상기 히터 챔버와 온도측정센서를 연결하는 순환라인 상에 히터 챔버에서 히터에 의하여 가열된 항온수를 혼합하기 위한 교반기를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명 온도조절장치가 설치된 케미컬 라인을 보인 배관도이고, 도 3은 본 발명의 요부인 교반기의 구성을 상세히 보인 횡단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 케미컬 디스팬스 시스템(21)에서 케미컬라인(22)으로 공급된 현상액을 노즐(23)을 통하여 웨이퍼(미도시)의 상면에 분사시킬 수 있도록 되어 있고, 상기 케미컬라인(22)으로 흐르는 케미컬을 일정온도로 유지시킬 수 있도록 온도조절장치(24)가 설치되어 있다.
상가 온도조절장치(24)는 케미컬라인(22)의 외측으로 항온수가 흐를 수 있도록 케미컬라인(2) 보다 직경이 큰 원통형의 워터자켓(30)과, 그 워터자켓(30)의 전단부와 후단부가 연결되어 항온수가 순환할 수 있도록 순환라인(31)이 설치되어 있으며, 그 순환라인(31) 상에는 펌프(미도시)와 온도제어부(미도시)가 내설된 칠러(32)와, 히터(33)가 내설된 히터 챔버(34)와, 온도측정센서(35) 및 그 온도측정센서(35)에서 항온수의 온도를 검출하여 상기 히터(33)를 가열할 수 있도록 온도제어기(36)가 설치되어 있으며, 상기 히터 챔버(34)와 온도측정센서(35) 사이의 순환라인(31) 상에는 히터 챔버(34)에서 가열된 항온수를 혼합하기 위한 교반기(40)가 설치되어 있다.
상기 교반기(40)는 일측면에 항온수유입관(41)이 설치되고, 타측면에 항온수유출관(42)이 설치되며 내측에 공간부(43)가 구비된 직육면체의 교반챔버(44)와, 그 교반챔버(44)의 전,후내측면에 일단부가 고정되도록 일정간격으로 두고 교호( 交互)로 설치되는 복수개의 교반판(45)으로 구성되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 온도조절장치를 이용하여 반도체 포토장비의 케미컬라인의 온도조절이 이루어지는 동작을 설명하면 다음과 같다.
키메컬 디스팬스 시스템(21)에서 케미컬라인(22)으로 공급된 케미컬이 노즐(23)을 통하여 웨이퍼(미도시)의 상면에 분사되고, 상기 케미컬라인(22)으로 흐르는 케미컬은 워터자켓(30)의 내측으로 흐르는 항온수에 의하여 열교환이 이루어져 일정온도로 유지되며, 상기 워터자켓(30)에서 열교환이 이루어지고난 후의 항온수는 화살표방향과 같이 칠러(32)로 순환되어 온도제어부(미도시)에 의하여 일정온도로 조절된 다음, 펌프(미도시)로 펌핑되어 히터 챔버(34)로 공급된다.
상기와 같이 히터 챔버(34)로 공급된 항온수는 온도측정센서(35)에서 검출한 온도측정값과 설정치를 비교하여 낮을 경우에는 온도제어기(36)에서 히터(33)로 시그널을 보내어 가열하고, 이와 같이 히터(33)에 의하여 가열된 항온수는 교반챔버(44)의 내측에 설치된 교반판(45)를 따라 이동하여 충분히 혼합된다.
그런 다음, 상기와 같이 충분히 혼합된 항온수는 순환라인(31)으로 순환되면서 온도측정센서(35)에 의하여 정확히 측정되어 온도가 설정치 보다 낮은 경우에 온도제어기(36)에서 히터(33)를 가열하는 것을 반복하며 워터자켓(30)으로 공급되는 항온수의 온도를 조절한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치는 히터 챔버와, 온도측정센서 사이의 순환라인 상에 히터 챔버에서 가열된 항온수를 혼합하기 위한 교반기를 설치하여, 교반기에 균일하게 혼합된 항온수를 온도측정센서에서 정확히 측정되고, 그 측정값에 따라 온도제어기에서 온도를 제어할 수 있도록 함으로써, 정확한 온도검출에 의한 온도조절이 이루어져서 품질불량을 감소시키는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 케미컬라인을 감싸도록 설치되는 워터자켓과, 그 워터자켓의 일단부와 타단부를 연결하는 순환라인과, 그 순환라인 상에 설치되는 칠러, 히터가 내설된 히터챔버, 온도측정센서, 온도제어기가 설치되어 있는 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치에 있어서, 상기 히터 챔버와 온도측정센서를 연결하는 순환라인 상에 히터 챔버에서 히터에 의하여 가열된 항온수를 혼합하기 위한 교반기를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 교반기는 일측면에 항온수유입관이 설치되고, 타측면에 항온수유출관이 설치되며 내측에 공간부가 구비된 직육면체의 교반챔버와, 그 교반챔버의 전,후내측면에 일단부가 고정되도록 일정간격으로 두고 교호( 交互)로 설치되는 복수개의 교반판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치.
KR1019980010760A 1998-03-27 1998-03-27 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치 KR100266677B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980010760A KR100266677B1 (ko) 1998-03-27 1998-03-27 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980010760A KR100266677B1 (ko) 1998-03-27 1998-03-27 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990076097A KR19990076097A (ko) 1999-10-15
KR100266677B1 true KR100266677B1 (ko) 2000-09-15

Family

ID=19535488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980010760A KR100266677B1 (ko) 1998-03-27 1998-03-27 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100266677B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450447B1 (ko) * 2001-12-22 2004-09-30 동부전자 주식회사 반도체 소자 제조용 케미컬의 온도 조절 시스템
KR100647998B1 (ko) * 2005-10-20 2006-11-23 유니셈 주식회사 반도체 공정설비를 위한 칠러의 과열도 제어방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990076097A (ko) 1999-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5647391A (en) Sensing arrangement for sensing the addition of reactants to a solution
KR100452921B1 (ko) 약액 공급 장치
KR100266677B1 (ko) 반도체 포토장비용 케미컬 라인의 온도조절장치
KR100956056B1 (ko) 전자기장 간섭이 없는 유체항온조
JP3366449B2 (ja) エッチング装置
US7422383B2 (en) Photosensitive material processor
US5196878A (en) Processor for photosensitive material
KR910008709B1 (ko) 자동현상장치 및 자동현상방법
CN220796662U (zh) 用于晶圆清洗装置的供液系统及半导体工艺设备
KR20010056088A (ko) 반도체 장치 제조용 현상설비의 현상액 온도 제어장치
JPS60138550A (ja) レジスト現像装置
US5235371A (en) Modification of film processor chemistry proportional heating during replenishment
RU1788506C (ru) Про вочна машина дл фотохимической обработки экспонированных фотоматериалов
JPH067790Y2 (ja) 撹拌混合タンク温度調整装置
KR200145916Y1 (ko) 습식각처리장치
US5294955A (en) Apparatus and method for washing light sensitive material
KR20070043262A (ko) 케미컬 저장 장치
JPS62246059A (ja) 写真処理装置
JPS62246058A (ja) 写真処理装置
JPH11119403A (ja) 処理液温度調整装置
JPH0210522Y2 (ko)
KR0119240Y1 (ko) 웨트 스테이션의 믹싱 탱크 온도 제어 장치
JPS62246057A (ja) 写真処理装置
KR101492920B1 (ko) 반도체 기판 세정용 약액 공급설비 및 약액 공급방법
JP2002207283A (ja) 写真処理装置及び該写真処理装置に設けられるフィルタ装置及び感光材の処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120524

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee