KR100262498B1 - One block dielectric filter - Google Patents

One block dielectric filter Download PDF

Info

Publication number
KR100262498B1
KR100262498B1 KR1019980027437A KR19980027437A KR100262498B1 KR 100262498 B1 KR100262498 B1 KR 100262498B1 KR 1019980027437 A KR1019980027437 A KR 1019980027437A KR 19980027437 A KR19980027437 A KR 19980027437A KR 100262498 B1 KR100262498 B1 KR 100262498B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductor pattern
dielectric
dielectric block
dielectric filter
conductive material
Prior art date
Application number
KR1019980027437A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19990013687A (en
Inventor
김진덕
김철호
박상준
Original Assignee
이형도
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이형도, 삼성전기주식회사 filed Critical 이형도
Priority to KR1019980027437A priority Critical patent/KR100262498B1/en
Priority to SE9804353A priority patent/SE9804353L/en
Priority to TW87121003A priority patent/TW472444B/en
Priority to TW087121004A priority patent/TW406467B/en
Priority to SE9804354A priority patent/SE9804354L/en
Priority to US09/212,534 priority patent/US6169465B1/en
Priority to AT0209998A priority patent/AT411119B/en
Priority to US09/213,707 priority patent/US6636132B1/en
Priority to FR9816167A priority patent/FR2781085A1/en
Priority to GB9827959A priority patent/GB2339341B/en
Priority to AT0211698A priority patent/AT411000B/en
Priority to GB9827893A priority patent/GB2339340B/en
Priority to FR9816398A priority patent/FR2781086B1/en
Priority to DE19859205A priority patent/DE19859205A1/en
Priority to JP10362665A priority patent/JP2000049507A/en
Priority to DE1998159207 priority patent/DE19859207A1/en
Priority to JP10364600A priority patent/JP2000049504A/en
Priority to CNB98126557XA priority patent/CN1229892C/en
Priority to CN98126703.3A priority patent/CN1201428C/en
Priority to BR9900051-2A priority patent/BR9900051A/en
Priority to BR9900178-0A priority patent/BR9900178A/en
Publication of KR19990013687A publication Critical patent/KR19990013687A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100262498B1 publication Critical patent/KR100262498B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H01P1/2056Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H01P1/2053Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities the coaxial cavity resonators being disposed parall to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/207Hollow waveguide filters
    • H01P1/208Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
    • H01P1/2084Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure with dielectric resonators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00Resonators of the waveguide type
    • H01P7/06Cavity resonators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00Resonators of the waveguide type
    • H01P7/10Dielectric resonators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

PURPOSE: An unity-type dielectric filter is provided to improve a removal ratio about a neighboring channel signal adjacent to a low frequency area and easily control an attenuation point by improving an attenuation ratio in the lower frequency area than a pass band and controlling a physical length or a width of strip line pattern. CONSTITUTION: A dielectric block(101) is comprised of a first surface and second surface opposite to each other and a side surface between the first surface and the second surface. At least one portion of the second surface and the side surface of the dielectric block(101) is applied by a conductive material. Plural resonant holes(107,108) parallel pass through the first surface and the second surface of the dielectric block(101,201). At least one portion of inner surface of the plural resonant holes(107,108) is applied by the conductive material to form a resonator. A first conductor pattern(117,118) is formed between the resonant holes(107,108) to provide an electric coupling between the resonators. An input pad receiving a signal from the outside and an output pad transmitting to the outside are comprised of the conductive material of the side surface of the dielectric block(101) and an isolated electrode area to provide the electric coupling with the resonant hole(107,108). At least one second conductor pattern(125) is formed along an arrange direction of the resonant hole(107,108) on the first surface of the dielectric block(101) and is insulated from the input pad and the output pad to reinforce a coupling capacitance between the neighboring resonator.

Description

일체형 유전체 필터{One block dielectric filter}Integrated dielectric filter {One block dielectric filter}

본 발명은 일체형 유전체 필터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 통과대역을 기준으로 저주파영역에서 원하는 대역의 감쇠비조정이 용이한 낮은 주파수영역에서의 감쇠비조정이 가능한 일체형 유전체 필터에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an integrated dielectric filter, and more particularly, to an integrated dielectric filter capable of adjusting the attenuation ratio in a low frequency region where the attenuation ratio of a desired band is easily adjusted in a low frequency region based on a pass band.

일반적으로, 유전체 필터는 동축형 공진기가 구비된 유전체블럭을 다수개 연결하여 원하는 통과대역특성을 얻은 것이며, 일체형 유전체 필터는 상기 유전체필터에서 한단계 진보된 필터로, 한 유전체블럭내에 다수개의 동축형 공진기를 형성하여 구조를 간략화시킨 것이다.In general, a dielectric filter is obtained by connecting a plurality of dielectric blocks provided with a coaxial resonator to obtain desired passband characteristics. An integrated dielectric filter is an advanced filter in the dielectric filter, and a plurality of coaxial resonators in one dielectric block. To simplify the structure.

이러한 유전체필터는 고주파대역을 통신대역으로 이용하는 카폰(car phone)이나 휴대폰등과 같은 이동통신장비에서 원하는 채널(channel)대역의 신호만을 얻기 위해 대역통과필터로 사용되는 것으로서, 그렇기 때문에 유전체필터는 소형화, 경량화 및 높은 내충격성이 요구되며, 20∼30MHz의 대역통과특성이 필요하다.The dielectric filter is used as a bandpass filter in order to obtain a signal of a desired channel band only in a mobile communication device such as a car phone or a mobile phone using a high frequency band as a communication band. Therefore, the dielectric filter is miniaturized. , Light weight and high impact resistance are required, and the bandpass characteristic of 20-30MHz is required.

도 1∼도 3은 종래의 일체형 유전체필터를 보이는 것으로서, 도 1에 도시된 일체형 유전체필터는 공진홀(7,8) 사이에 결합공(9)를 형성하여 상호인덕턴스(inductance) 및 상호캐패시턴스를 조정하도록 한 것으로, 결합공(9)의 크기, 길이, 위치 등에 의해 결합도가 결정된다. 그러나, 이러한 결합공(9)의 증가는 유전체필터의 성형이 어렵고 기계적 강도가 저하되기 때문에, 현 이동통신기기의 요구사항을 맞추기 어려운 문제점이 있다. 그리고, 도 2에 보인 일체형 유전체 필터는 공진홀(7,8)의 내경을 일정하게 하지 않고, 특정 부분의 내경을 달리하여 그 내경차이로 인한 특성임피던스(impedence)차에 의하여 결합이 이루어지도록 한 것으로, 도 1의 유전체필터에 비하여 특성은 개선되지만 작은 공진홀의 내경을 달리함으로서 제조가 복잡해지고 균일한 성형체를 얻기가 어려운 문제점이 발생한다. 그리고, 도 3에 도시한 또 다른 유전체필터는 다른 유전체필터와는 달리 개방면이 없이 유전체블럭(1)의 측면에 도전물질을 도포하여 전극을 형성하고, 공진홀(7,8)의 내부 특정 부분(17,18)의 전극을 제거하여 공진기간의 결합을 이룬 것이다. 이 유전체필터는 작은 공진홀(7,8) 내부면의 임의 위치에서 정확하게 전극을 제거하기 어려운 문제점이 있다.1 to 3 show a conventional integrated dielectric filter, in which the integrated dielectric filter shown in FIG. 1 forms a coupling hole 9 between resonance holes 7 and 8 to form mutual inductance and mutual capacitance. By adjusting, the degree of coupling is determined by the size, length, position, and the like of the coupling holes 9. However, this increase in the coupling hole 9 is difficult to form the dielectric filter and the mechanical strength is lowered, there is a problem that it is difficult to meet the requirements of the current mobile communication device. In addition, the integral dielectric filter shown in FIG. 2 does not make the inner diameters of the resonant holes 7 and 8 constant, but varies the inner diameters of specific parts so that the coupling is made by the characteristic impedance difference due to the difference in the inner diameters. As a result, the characteristics are improved as compared to the dielectric filter of FIG. 1, but the manufacturing is complicated and it is difficult to obtain a uniform molded body by varying the inner diameter of the small resonance hole. In addition, unlike the other dielectric filters, another dielectric filter illustrated in FIG. 3 forms an electrode by applying a conductive material to the side of the dielectric block 1 without an open surface, and forms internal electrodes of the resonance holes 7 and 8. The electrodes of the parts 17 and 18 are removed to form a resonance period. This dielectric filter has a problem that it is difficult to remove the electrode accurately at any position on the inner surface of the small resonance holes 7 and 8.

또한, 통신채널사이의 간격이 점점 더 가까워지고 있는 요즈음에는 유전체 필터에 더 높은 감쇠특성이 요구되며, 특히 송신채널, 수신채널과 같이 상당히 근접해 있는 경우에는, 특정대역에서 더 높은 감쇄비가 요구된다.In addition, these days, when the spacing between communication channels is getting closer, a higher attenuation characteristic is required for the dielectric filter, and especially in the case of being very close such as a transmission channel and a reception channel, a higher attenuation ratio is required in a specific band.

예를 들어, 송신채널을 통과대역으로 갖는 유전체필터의 경우, 그 통과대역을 기준으로 저주파영역에 근접해 있는 수신채널의 신호가 혼입되지 않도록, 저주파영역에서 더 높은 감쇠비가 요구되는데, 상기와 같은 종래의 유전체필터는 이러한 요구를 만족시킬 수 없었다.For example, in the case of a dielectric filter having a transmission channel as a pass band, a higher attenuation ratio is required in the low frequency region so that a signal of a reception channel close to the low frequency region is not mixed with respect to the pass band. The dielectric filter of cannot satisfy this requirement.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 통과대역을 기준으로 보다 낮은 주파수의 대역외 신호를 더 높은 감쇠비로 저지할 수 있는 낮은 주파수영역에서의 감쇠비조정이 가능한 일체형 유전체 필터를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, and provides an integrated dielectric filter capable of adjusting the attenuation ratio in a low frequency region capable of blocking a lower frequency out-of-band signal with a higher attenuation ratio based on a passband. It aims to do it.

본 발명의 다른 목적은 통과대역을 기준으로 보다 낮은 주파수대역중 사용자가 원하는 주파수의 대역외신호를 더 높은 감쇠비로 저지할 수 있는 낮은 주파수영역에서의 감쇠비조정이 가능한 일체형 유전체 필터를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide an integrated dielectric filter capable of adjusting the attenuation ratio in a low frequency region capable of blocking an out-of-band signal of a desired frequency with a higher attenuation ratio among lower frequency bands based on a pass band.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 제1관점에 따른 유전체필터는 서로 대향하는 제1면과 제2면 및 상기 제1면과 제2면 사이의 측면으로 이루어지고, 상기 제2면과 측면은 도전물질로 도포된 유전체블럭과, 상기 유전체블럭의 제1면과 제2면을 평행하게 관통하며 그 내부표면이 도전물질로 도포되어 공진기를 형성하는 복수개의 공진홀과, 상기 유전체블럭 측면의 도전물질과 고립된 전극영역으로 이루어지고 상기 공진홀과 전자기적인 커플링을 형성하는 입력패드(pad) 및 출력패드와, 상기 유전체블럭의 제1면의 공진홀 단부와 일정 거리를 두고 배치되어 인접 공진기 사이에서 전자적인 커플링을 형성하는 적어도 하나의 도체패턴으로 구성된다.In order to achieve the above object, the dielectric filter according to the first aspect of the present invention includes a first surface and a second surface facing each other and a side surface between the first and second surfaces, and the second surface and the side surface. A dielectric block coated with a conductive material, a plurality of resonant holes penetrating parallel to the first and second surfaces of the dielectric block and having an inner surface coated with a conductive material to form a resonator; An input pad and an output pad, each of which is formed of an electrically conductive material and an isolated electrode region, form an electromagnetic coupling with the resonance hole, and are disposed adjacent to each other at a distance from an end of the resonance hole of the first surface of the dielectric block. It consists of at least one conductor pattern forming an electronic coupling between the resonators.

상기 도체패턴은 인접하는 공진기 사이에 결합캐패시턴스를 형성하고 인접하지 않는 공진기 사이에 크로스 결합인덕턴스를 형성하기 위한 것으로, 유전체블럭 제1면의 공진홀 단부로부터 소정거리를 두고 공진홀 配列방향을 따라 배치된다. 도체패턴에 의해 공진기 사이의 결합인덕턴스가 증가함에 따라 낮은 주파수영역을 갖는 통과대역을 형성할 수 있게 된다.The conductor pattern is to form coupling capacitance between adjacent resonators and cross coupling inductance between non-adjacent resonators, and is disposed along the resonance hole 配 列 direction at a predetermined distance from the end of the resonance hole on the first surface of the dielectric block. do. As the coupling inductance between the resonators increases by the conductor pattern, it is possible to form a passband having a low frequency region.

또한 본 발명의 제2관점에 따른 유전체필터는 서로 대향하는 제1면과 제2면 및 상기 제1면과 제2면 사이의 측면으로 이루어지고, 상기 제2면과 측면은 도전물질로 도포된 유전체블럭과, 상기 유전체블럭의 제1면과 제2면을 평행하게 관통하며 그 내부표면이 도전물질로 도포되어 공진기를 형성하는 복수개의 공진홀과, 상기 유전체블럭 측면의 도전물질과 고립된 전극영역으로 이루어지고 상기 공진홀과 전자기적인 커플링을 형성하는 입력패드 및 출력패드와, 상기 유전체블럭의 측면으로부터 상기 제1면의 공진홀 단부를 향해 연장되어 공진기의 공진주파수를 조정하는 공진주파수 조정용 도체패턴으로 구성된다.In addition, the dielectric filter according to the second aspect of the present invention comprises a first surface and a second surface facing each other and the side between the first surface and the second surface, the second surface and the side is coated with a conductive material A plurality of resonant holes penetrating in parallel with the dielectric block, the first and second surfaces of the dielectric block, the inner surface of which is coated with a conductive material to form a resonator, and an electrode isolated from the conductive material on the side of the dielectric block; An input pad and an output pad each having an area and forming an electromagnetic coupling with the resonance hole, and a resonance frequency adjustment for adjusting a resonance frequency of the resonator extending from a side of the dielectric block toward an end of the resonance hole of the first surface. Consists of a conductor pattern.

도1는 종래 일체형 유전체 필터의 일예를 보이는 사시도.1 is a perspective view showing an example of a conventional integrated dielectric filter.

도 2A는 종래 일체형 유전체 필터의 다른 예를 보이는 사시도.Figure 2A is a perspective view showing another example of a conventional integrated dielectric filter.

도 2B는 도 2A에 도시한 일체형 유전체 필터의 A-A'선 단면도.FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of the integrated dielectric filter shown in FIG. 2A.

도 3A는 종래 일체형 유전체 필터의 또 다른 예를 보이는 사시도.Figure 3A is a perspective view showing another example of a conventional integrated dielectric filter.

도 3B는 도 3A에 도시한 일체형 유전체 필터의 B-B'선 단면도.3B is a cross-sectional view taken along line B-B 'of the integrated dielectric filter shown in FIG. 3A.

도 4A∼4F는 본 발명의 일실시예에 따른 유전체 필터의 예를 나타내는 사시도.4A-4F are perspective views illustrating examples of dielectric filters in accordance with one embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 되시된 일체형 유전체 필터의 등가회로도.5 is an equivalent circuit diagram of the integral dielectric filter shown in FIG.

도 6은 본 발명에 따른 일체형 유전체필터와 종래의 일체형 유전체필터의 특성을 비교하는 그래프.6 is a graph comparing the characteristics of the integrated dielectric filter and the conventional integrated dielectric filter according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 일체형 유전체필터의 다른 실시예를 나타내는 도면.7 illustrates another embodiment of an integrated dielectric filter in accordance with the present invention.

도 8은 도 7에 도시된 일체형 유전체필터의 등가회로도.FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of the integrated dielectric filter shown in FIG. 7. FIG.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

101,201 : 유전체블럭 107,108 : 공진홀101,201: dielectric block 107,108: resonance hole

110 : 입출력패드 117,118 : 제1도체패턴110: input and output pad 117, 118: the first conductor pattern

125,126,127 : 제2도체패턴125,126,127: second conductor pattern

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation of the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 일체형 유전체 필터의 일실시예를 도시한 사시도로서, 도 4A∼도 4F는 각각 전체적인 유전체블럭의 구조는 동일하고 전면에 형성된 도체패턴의 구조만이 다른 예를 나타내는 도면이다. 우선, 도 4A에 나타낸 바와 같이 유전체필터는 서로 대향하는 제1면(120)과 제2면(12) 및 상기 제1면(120)과 제2면(121) 사이의 측면으로 구성된 유전체블록(101)으로 이루어진다. 상기 제2면(121)과 측면에는 도전물질이 도포되어 접지전극을 형성하고 있으며, 그 내부에는 상기 제1면(120)과 제2면(121)을 실질적으로 평행하게 관통하는 복수의 공진홀(107,108)이 형성되어 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 공진홀(107,108)의 내부표면에도 도전물질로 이루어진 내부전극이 도포되어 공진기를 형성한다.4 is a perspective view showing an embodiment of an integrated dielectric filter according to the present invention. FIGS. 4A to 4F are views showing examples in which the structure of the entire dielectric block is the same and only the structure of the conductor pattern formed on the front surface is different. . First, as shown in FIG. 4A, the dielectric filter includes a dielectric block including a first surface 120 and a second surface 12 that face each other, and a side surface between the first surface 120 and the second surface 121. 101). A conductive material is coated on the second surface 121 and the side surface to form a ground electrode, and a plurality of resonance holes penetrate substantially parallel to the first surface 120 and the second surface 121 therein. 107,108 are formed. Although not shown in the drawing, internal electrodes made of a conductive material are also applied to the inner surfaces of the resonant holes 107 and 108 to form a resonator.

상기 유전체블럭의 측면에는 접지전극과 단락된 입출력패드(110a,110b)가 형성되어 있다. 상기 입출력패드(110a,110b)는 접지전극의 일부가 제거된 형태로 접지전극과 절연되어 있으며, 측면의 일면과 인접하는 다른 면을 걸쳐서 형성된다. 즉, 상기 입출력패드(110a,110b)와 접지전극 사이에는 도전물질이 도포되지 않은 오픈(open)영역이 형성되어 서로 단락되어 있다. 이때, 도면에 나타낸 바와 같이, 상기 오픈영역은 개방면인 제1면(120)까지 이어진다. 그러나, 상기와 같이 입출력패드(110a,110b)의 오픈영역이 제1면(120)의 오픈면까지 이어지는 것도 가능하지만, 이후에 설명되는 도 4B∼도 4F에 도시된 바와 같이 제1면(120)의 오픈면까지 이어지지 않고 그 사이에 도전물질이 도포되어 있는 것도 물론 가능하다.Input and output pads 110a and 110b shorted to the ground electrode are formed on the side of the dielectric block. The input / output pads 110a and 110b are insulated from the ground electrode by removing a part of the ground electrode, and are formed over the other surface adjacent to one surface of the side surface. That is, an open area in which the conductive material is not applied is formed between the input / output pads 110a and 110b and the ground electrode, and are shorted to each other. At this time, as shown in the figure, the open area extends to the first surface 120 which is an open surface. However, although the open areas of the input / output pads 110a and 110b can extend to the open surface of the first surface 120 as described above, the first surface 120 as shown in FIGS. 4B to 4F described later. Of course, it is possible to apply a conductive material therebetween without extending to the open side.

유전체블럭(101)의 전면, 즉 제1면(120)은 도전물질이 도포되지 않은 개방면을 형성하며, 공진홀(107,108) 주위에는 공진홀(107,108) 내부의 도전물질과 접속되는 일정 크기의 제1도체패턴(117,118)이 형성되어 있다. 상기 제1도체패턴(117,118)은 공진기에 부하캐패시턴스(load capacitance)를 부가함과 동시에 인접하는 공진기 사이에 결합캐패시턴스를 형성한다.The front surface of the dielectric block 101, that is, the first surface 120, forms an open surface to which the conductive material is not coated, and has a predetermined size connected to the conductive material inside the resonance holes 107 and 108 around the resonance holes 107 and 108. First conductor patterns 117 and 118 are formed. The first conductor patterns 117 and 118 add load capacitance to the resonator and form coupling capacitance between adjacent resonators.

또한, 상기 공진홀(107,108)의 상부, 공진홀(107,108)과 측면 사이에는 공진홀(107,108)의 배열방향을 따라 직선으로 이루어진 스트립라인(strip line) 형상의 제2도체패턴(125)이 상기 공진홀(107,108)의 배열과 실질적으로 평행하게 배치되어 있다. 상기 제1도체패턴(125)은 도면에 나타낸 바와 같이, 제1도체패턴(117,118)과 일정 거리를 두고 형성되어 인접하는 공진기 사이에 결합캐패시턴스를 형성한다. 또한, 상기 제2도체패턴은 입출력단자와 전자적인 커플링을 형성하기 때문에, 입출력 캐패시턴스를 용이하게 조정할 수 있게 된다.In addition, a second conductor pattern 125 having a strip line shape formed in a straight line along the arrangement direction of the resonance holes 107 and 108 between the upper side, the resonance holes 107 and 108 and the side surfaces of the resonance holes 107 and 108 is formed. It is disposed substantially parallel to the arrangement of the resonance holes (107, 108). As shown in the drawing, the first conductor pattern 125 is formed at a predetermined distance from the first conductor patterns 117 and 118 to form coupling capacitance between adjacent resonators. In addition, since the second conductor pattern forms an electronic coupling with the input / output terminal, the input / output capacitance can be easily adjusted.

상기에서 설명되는 본 발명에서는 입출력패드, 제1도체패턴 및 제2도체패턴이 모두 도금이나 인쇄공정에 의해 형성된다.In the present invention described above, the input / output pad, the first conductor pattern and the second conductor pattern are all formed by plating or printing process.

도 4B에 도시된 예에서는 전체적인 유전체블럭(101)의 구조는 도 4A에 도시된 예와 동일하고 단지 전면에 형성된 도체패턴의 구조만이 다르기 때문에 유전체블럭(101)에 대한 설명은 생략하고 전면, 즉 제1면(120)에 형성된 도체패턴의 구조만을 설명한다. 이때, 입출력패드(110a,110b)의 형상이 도 4A의 예와는 다르지만 도 4A 및 도 4B에 도시된 입출력패드(110a,110b)는 기술되는 모든 예에서 동일하게 적용될 수 있다.In the example shown in FIG. 4B, the structure of the entire dielectric block 101 is the same as the example shown in FIG. 4A, and since only the structure of the conductor pattern formed on the front surface is different, the description of the dielectric block 101 will be omitted. That is, only the structure of the conductor pattern formed on the first surface 120 will be described. In this case, although the shape of the input / output pads 110a and 110b is different from the example of FIG. 4A, the input / output pads 110a and 110b shown in FIGS. 4A and 4B may be equally applied to all the described examples.

도면에 나타낸 바와 같이, 유전체블럭(101)의 제1면(120)에는 상기 공진홀(107,108)의 단부와 일정 거리를 두고 공진홀(107,108)의 배열방향을 따라 스트립라인 형상의 제2도체패턴(125)이 배치되어 인접공진기 사이에 결합캐패시턴스를 형성한다. 상기 예가 도 4A에 도시된 예와 다른 점은 공진홀(107,108) 주위에 제1도체패턴이 형성되어 있지 않다는 점이다. 이때에도, 상기 제2도체패턴(125)이 공진홀(107,108)의 상부 또는 하부에 형성될 수 있고 상하부 양쪽에 형성될 수도 있다.As shown in the drawing, a second conductor pattern having a stripline shape is formed on the first surface 120 of the dielectric block 101 along the arrangement direction of the resonance holes 107 and 108 at a predetermined distance from the ends of the resonance holes 107 and 108. 125 is disposed to form coupling capacitance between adjacent resonators. The above example differs from the example shown in FIG. 4A in that the first conductor pattern is not formed around the resonance holes 107 and 108. In this case, the second conductor pattern 125 may be formed above or below the resonance holes 107 and 108, and may be formed on both upper and lower portions.

도 4C에 도시된 예에서는 스트립라인형상의 제3도체패턴(126)이 공진홀(107,108) 사이에 형성되어 역시 인접공진기 사이에 결합캐패시턴스를 형성한다. 이때, 도면에는 비록 상기 제3도체패턴(126)이 유전체블럭(101) 측면의 도전물질과는 일정 거리를 두고 형성되지만, 상기 제3도체패턴(126)이 유전체블럭(101) 측면의 도전물질과 접속될 수도 있다. 이 경우에는 상기 공진홀(107)의 내부전극과 제3도체패턴(126) 사이 및 공진홀(108)의 내부전극과 제3도전패턴(126) 사이에 결합캐패시턴스가 형성되어 전체적으로 유전체필터의 결합캐패시턴스가 증가한다.In the example shown in FIG. 4C, a third conductor pattern 126 having a stripline shape is formed between the resonance holes 107 and 108 to form coupling capacitance between adjacent resonators. At this time, although the third conductor pattern 126 is formed at a predetermined distance from the conductive material on the side of the dielectric block 101, the third conductor pattern 126 is formed on the conductive material of the side of the dielectric block 101. It may also be connected to. In this case, a coupling capacitance is formed between the internal electrode of the resonance hole 107 and the third conductor pattern 126 and between the internal electrode of the resonance hole 108 and the third conductive pattern 126 so that the dielectric filter is combined as a whole. Capacitance increases.

도 4D에 도시된 예는 도 4B에 도시된 예와 도 4C에 도시된 예가 합성된 예이다. 즉, 유전체블럭(101)의 제1면(120)에는 공진홀(107,108)의 단부와 일정 거리를 두고 공진홀(107,108)의 배열방향을 따라 공진홀(107,108)의 상하부중 적어도 한쪽에 일정 폭 및 길이를 갖는 스트립라인 형상의 제2도체패턴(125)가 배치되어 있고 공진홀(107,108) 사이에는 스트립라인 형상의 제3도체패턴(126)이 형성되어 있어, 인접공진기 사이에 결합캐패시턴스를 형성한다. 상기 제2도체패턴(125)과 제3도체패턴(126)은 도면에 도시된 바와 같이 일체로 형성될 수도 있지만, 서로 분리될 수도 있다.The example shown in FIG. 4D is a composite example of the example shown in FIG. 4B and the example shown in FIG. 4C. That is, the first surface 120 of the dielectric block 101 has a predetermined width at least one of the upper and lower portions of the resonance holes 107 and 108 along the arrangement direction of the resonance holes 107 and 108 with a predetermined distance from the ends of the resonance holes 107 and 108. And a stripline-shaped second conductor pattern 125 having a length, and a stripline-shaped third conductor pattern 126 is formed between the resonant holes 107 and 108 to form coupling capacitance between adjacent resonators. do. The second conductor pattern 125 and the third conductor pattern 126 may be integrally formed as shown in the drawing, but may be separated from each other.

도 4E에 도시된 예에서는 도면에 나타낸 바와 같이 공진홀(107,108) 사이에 스트립라인 형상의 제4도체패턴이 형성되어 있지만 상기 제4도체패턴은 설정 폭만큼 떨어진 두개의 도체패턴(127a,127b)으로 나누어져 있다. 하나의 제4도체패턴(127a)이 유전체블럭(101) 측면의 도전물질로부터 공진홀(107,108) 사이로 연장되는 반면에 다른 하나의 제4도체패턴(127b)은 유전체블럭(101)의 반대쪽 측면으로부터 공진홀(107,108) 사이로 연장되어, 상기 제4도체패턴(127a,127b) 사이에는 일정 폭이 간격이 유지된다.In the example shown in FIG. 4E, as shown in the drawing, a fourth conductor pattern having a stripline shape is formed between the resonance holes 107 and 108, but the fourth conductor pattern has two conductor patterns 127a and 127b separated by a set width. Divided into One fourth conductor pattern 127a extends from the conductive material on the side of the dielectric block 101 to the resonance holes 107 and 108, while the other fourth conductor pattern 127b extends from the opposite side of the dielectric block 101. It extends between the resonant holes (107, 108), a predetermined width is maintained between the fourth conductor pattern (127a, 127b).

도 4F에 도시된 예는 도 4A∼도 4E에 도시된 예와는 다른 형상 및 구조를 갖는다. 유전체블럭(101) 제1면(120)의 공진홀(107,108) 상부에는 상기 공진홀(107,108)의 배열방향을 따라 스트립라인 형상의 제2도체패턴(125)이 배치되어 공진기 사이에서 결합캐패시턴스를 형성하며, 상기 스트립라인 형상의 제2도체패턴(125)의 길이방향 좌우 및 공진홀(107,108)의 하부에는 소정 크기의 제5도체패턴(129a,129b)이 형성되어 있다. 제2도체패턴(125)의 길이방향 좌우에 형성된 제5도체패턴(129a)은 상기 제2도체패턴(125)과 일체로 형성되고 공진홀(107,108) 하부에 형성된 제5도체패턴(129b)은 유전체블럭(101) 측면의 도전물질과 접속되어 있다.The example shown in Fig. 4F has a different shape and structure than the example shown in Figs. 4A to 4E. The second conductor pattern 125 having a stripline shape is disposed on the resonance holes 107 and 108 on the first surface 120 of the dielectric block 101 along the arrangement direction of the resonance holes 107 and 108 to form coupling capacitance between the resonators. The fifth conductor patterns 129a and 129b having predetermined sizes are formed on the left and right sides of the strip line-shaped second conductor pattern 125 and below the resonance holes 107 and 108. The fifth conductor pattern 129a formed on the left and right in the longitudinal direction of the second conductor pattern 125 is integrally formed with the second conductor pattern 125 and the fifth conductor pattern 129b formed under the resonance holes 107 and 108 is formed. It is connected to the conductive material on the side of the dielectric block 101.

상기 제5도체패턴(129b)은 공진기의 공진주파수를 조정하는 공진주파수 조정용 도체패턴이다. 이러한 공진주파수 조정용 제5도체패턴(129a,129b)은 제1도체패턴∼제4도체패턴과 마찬가지로 유전체블럭(101)의 제1면(120)에 소정 크기의 도체패턴을 형성한 후, 일부 영역을 제거함으로써 공진기의 공진주파수를 미세하게 조정할 수 있게 된다. 제2도체패턴(125)의 길이방향 좌우에 형성된 제5도체패턴(129a)은 도면에 도시한 바와 같이 제2도체패턴(120)과 일체로 형성하는 것도 가능하지만, 상기 제2도체패턴(120)과 분리하여 일정 간격을 두고 형성하는 것도 가능하다. 또한, 제2도체패턴(120)의 좌우 한쪽에만 형성하는 것도 가능하다. 공진홀(107,108) 하부에 형성된 제5도체패턴(129b) 역시 유전체블럭(101) 측면의 도전물질과 단락하도록 형성하는 것도 가능하다.The fifth conductor pattern 129b is a conductor pattern for resonant frequency adjustment for adjusting the resonant frequency of the resonator. The fifth conductor patterns 129a and 129b for adjusting the resonant frequency, like the first to fourth conductor patterns, form a conductive pattern having a predetermined size on the first surface 120 of the dielectric block 101, and then, in some regions. By eliminating this, the resonance frequency of the resonator can be finely adjusted. The fifth conductor pattern 129a formed on the left and right in the longitudinal direction of the second conductor pattern 125 may be formed integrally with the second conductor pattern 120 as shown in the drawing, but the second conductor pattern 120 may be formed. It is also possible to form at regular intervals apart from). In addition, it may be formed only on the left and right sides of the second conductor pattern 120. The fifth conductor pattern 129b formed under the resonance holes 107 and 108 may also be formed to short-circuit with the conductive material on the side of the dielectric block 101.

상기와 같이 도 4A∼도 4F에 도시한 본 발명의 일실시예에 따른 유전체필터의 각예들의 등가회로는 도 5에 도시한 회로도와 모두 동일하다. 따라서, 등가회로도와 도 4A에 도시된 예를 참조하여 본 발명의 일시예에 따른 유전체필터의 작동을 상세히 설명한다.As described above, the equivalent circuits of the respective examples of the dielectric filter shown in FIGS. 4A to 4F are the same as those shown in FIG. Therefore, the operation of the dielectric filter according to the temporary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the equivalent circuit diagram and the example shown in FIG. 4A.

도면에서, 도면부호 R1및 R2는 각각 공진기를 나타내며, C1과 C1는 유전체블럭(101)의 제1도체패턴(117,118)과 입출력패드(110a,110b) 사이에 형성되는 입출력단 결합캐패시턴스를 나타내고 C12는 상기 공진기(R1,R2) 사이의 결합캐패시턴스를 나타내며, M12는 공진기(R1,R2) 사이의 결합인덕턴스를 나타낸다. 상기 공진기를 결합하는 결합캐패시턴스(C12)는 유전체 블록(101)의 제1면(120)에 형성된 제1도체패턴(117,118) 사이에서 형성된다. 상기한 구성의 등가회로도에서, 입력단자(110a)로 신호가 입력되면 두공진홀(107,108)에 전계가 형성되어 공진기가 작동한다. 이때, 상기 제1면(120)에 형성된 제2도체패턴(125)에 의해 공진기 사이의 결합캐패시턴스(C12)는 증가하는 반면에 결합인덕턴스(M12)는 감소하게 된다.In the drawings, reference numerals R 1 and R 2 denote resonators, respectively, and C 1 and C 1 denote an input / output end coupling formed between the first conductor patterns 117 and 118 of the dielectric block 101 and the input / output pads 110a and 110b. Capacitance is shown and C 12 represents the coupling capacitance between the resonators R 1 and R 2 , and M 12 represents the coupling inductance between the resonators R 1 and R 2 . The coupling capacitance C 12 coupling the resonator is formed between the first conductor patterns 117 and 118 formed on the first surface 120 of the dielectric block 101. In the equivalent circuit diagram of the above configuration, when a signal is input to the input terminal 110a, an electric field is formed in the two resonance holes 107 and 108 to operate the resonator. At this time, the coupling capacitance C 12 between the resonators is increased by the second conductor pattern 125 formed on the first surface 120, while the coupling inductance M 12 is decreased.

즉, 상기 결합캐패시턴스(C12)는 상기 제2도체패턴(125)이 형성되지 않았을 경우보다도 증가하게 된다. 이러한 결합캐패시턴스(C12)의 증가율은 제2도체패턴(125)의 길이 및 폭에 따라 조정가능한데, 길이 및 폭이 증가함에 따라 상기 결합캐패시턴스(C12)가 증가하게 된다.That is, the coupling capacitance C 12 is increased than when the second conductor pattern 125 is not formed. The increase rate of the coupling capacitance C 12 is adjustable according to the length and width of the second conductor pattern 125. As the length and width increase, the coupling capacitance C 12 increases.

즉, 도 5의 등가회로에서와 같이, 제2도체패턴(125)에 의하여 두 공진홀(107,108)간의 결합캐패시턴스(C12)와 결합인덕턴스(M12)가 형성된다. 따라서, 상기 결합캐패시턴스(C12)와 결합인덕턴스(M12)에 따른 공진점에서 임피던스값이 최대가 되어, 상기 공진점에서 감쇠가 최대로 일어나게 된다.That is, as in the equivalent circuit of FIG. 5, the coupling capacitance C 12 and the coupling inductance M 12 between the two resonance holes 107 and 108 are formed by the second conductor pattern 125. Therefore, the impedance value becomes maximum at the resonance point according to the coupling capacitance C 12 and the coupling inductance M 12 , and the attenuation occurs at the resonance point to the maximum.

그리고, 상기 공진점은 결합캐패시턴스(C12)나 결합인덕턴스(M12) 또는 두 값을 변화시킴에 의하여 변경된다. 상기와 같이 제2도체패턴(125)의 길이 및 폭을 변경시킴에 의하여 결합캐패시턴스(C12)와 결합인덕턴스(M12)의 값을 변화시킬 수 있으므로, 결과적으로 상기 제2도체패턴(125)의 길이 및 폭을 조정함에 의하여 감쇠점을 조정할 수 있게 된다.The resonance point is changed by changing the coupling capacitance C 12 , the coupling inductance M 12 , or two values. As described above, the values of the coupling capacitance C 12 and the coupling inductance M 12 may be changed by changing the length and width of the second conductor pattern 125. As a result, the second conductor pattern 125 may be changed. By adjusting the length and width of the attenuation point can be adjusted.

더하여, 상기와 같이 결합캐패시턴스(C12)가 제2도체패턴(125)이 없는 경우 보다 증가되므로 감쇠점은 항상 일체형 유전체 필터의 통과대역을 기준으로 낮은 주파수영역에 위치하게 된다. 따라서, 상기 제2도체패턴(125)에 의해 통과대역보다 낮은 주파수영역에서의 감쇠비 조정이 이루어진다.In addition, as described above, since the coupling capacitance C 12 is increased than when the second conductor pattern 125 is absent, the attenuation point is always located in a low frequency region based on the pass band of the integrated dielectric filter. Therefore, the attenuation ratio is adjusted in the frequency region lower than the pass band by the second conductor pattern 125.

이와 같은 본 발명에 따른 일체형 유전체필터의 필터특성과 종래 일체형 유전체필터의 특성을 도 6의 그래프로 비교해 보였다. 도 6의 그래프에서 실선은 본 발명에 따른 일실시예로서 896.1MHz에서 약 20MHz를 통과대역으로 하는 유전체필터에서, 855.0MHz대에서 감쇄가 일어나도록 그 길이와 폭을 조정하여 제2도체패턴(125)을 형성한 유전체필터의 주파수별 이득을 보인 것이고, 점선은 종래와 같이 스트립라인패턴에 의한 공진기가 형성되지 않은 유전체필터의 특성을 보이는 그래프이다.The filter characteristics of the integrated dielectric filter according to the present invention and the characteristics of the conventional integrated dielectric filter were compared with the graph of FIG. 6. In the graph of FIG. 6, in the dielectric filter having the pass band of 896.1 MHz to about 20 MHz, the solid line in the graph of FIG. 6 adjusts the length and width of the second conductor pattern 125 so that attenuation occurs in the 855.0 MHz band. ) Is a frequency-specific gain of the dielectric filter formed, and the dotted line is a graph showing the characteristics of the dielectric filter without the resonator formed by the stripline pattern as in the prior art.

상기 도 6에 도시한 그래프와 같이 통과대역보다 높은 주파수영역에서는 종래와 별 차이가 없으나, 통과대역보다 낮은 주파수영역에서는 20dB이상의 감쇠가 일어남을 알 수 있다.As shown in the graph of FIG. 6, the frequency region higher than the pass band is not significantly different from the prior art, but it can be seen that more than 20 dB of attenuation occurs in the frequency region lower than the pass band.

상기한 설명에서는 비록 유전체블럭에 공진홀이 2개가 형성된 유전체블럭에 대해서만 설명했지만, 본 발명이 상기한 예에만 한정되는 것은 아니다. 즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 공진홀이 3개 이상 형성된 유전체필터에도 적용가능하다. 이때, 공진홀(207,208,209)의 배열방향을 따라 공진홀(207,208,209)의 상부에 배치된 도체패턴(225)는 도 8의 등가회로도에 도시된 바와 같이 인접공진기(R1과 R2및 R2와 R3) 사이에 결합캐패시턴스(C12,C23)를 형성할 뿐만 아니라 인접하지 않는 공진기(R23) 사이에 크로스 결합캐패시턴스(cross coupling capacitance;C123)를 형성한다.In the above description, although only the dielectric block having two resonance holes formed in the dielectric block is described, the present invention is not limited to the above-described example. That is, as shown in FIG. 7, the present invention is also applicable to a dielectric filter having three or more resonance holes. At this time, the conductor pattern 225 disposed above the resonance holes 207, 208, and 209 along the arrangement direction of the resonance holes 207, 208, and 209 is adjacent to the resonators R 1 , R 2, and R 2 , as shown in the equivalent circuit diagram of FIG. 8. In addition to forming coupling capacitances C 12 and C 23 between R 3 ), cross coupling capacitances C 123 are formed between non-adjacent resonators R 23 .

또한, 이 실시예에서는 비록 입출력패드(210a,210b)가 유전체블럭(201)의 측면에 형성되어 있지만, 상기 입출력패드(210a,210b)를 유전체블럭(201)의 제1면에 형성할 수도 있으며, 제1면 및 측면에 걸쳐 형성할 수도 있다.In addition, although the input / output pads 210a and 210b are formed on the side of the dielectric block 201 in this embodiment, the input / output pads 210a and 210b may be formed on the first surface of the dielectric block 201. It can also form over a 1st surface and a side surface.

4에 도시된 실시예와 마찬가지로 상기 실싱예에서도 상기 도체패턴(225)의 형상과 위치가 특정한 장소에 한정되지 않을 뿐만 아니라 다른 도체패턴도 역시 배치가능하다.As in the embodiment shown in Fig. 4, the shape and position of the conductor pattern 225 are not limited to a specific place in the example of the sealing but other conductor patterns may also be arranged.

이와 같이, 본 발명에 의한 일체형 유전체 필터는 통과대역보다 낮은 주파수영역에서의 감쇄비를 높힐 수 있어, 낮은 주파수영역에 인접해 있는 인접채널신호에 대한 제거비를 높힐 수 있는 효과가 있으며, 더하여 스트립라인패턴의 물리적 길이 또는 폭을 조정함에 의해서 간단하게 감쇠점을 조정할 수 있는 효과가 있고, 통과대역보다 낮은 주파수영역의 원하는 주파수대에서 감쇠비를 더 높힐 수 있으므로 사용자의 다양한 요구를 맞출 수 있는 우수한 효과가 있다.As described above, the integrated dielectric filter according to the present invention can increase the attenuation ratio in the frequency region lower than the pass band, thereby increasing the removal ratio for the adjacent channel signal adjacent to the low frequency region, and in addition, the stripline. By adjusting the physical length or width of the pattern, the attenuation point can be easily adjusted, and the attenuation ratio can be higher in the desired frequency band in the lower frequency band than the pass band, so that the user can meet various needs. .

그리고, 본 발명에 따른 일체형 유전체 필터는 인접채널간의 간격이 더 좁아지는 요즈음의 요구에 따라, 무선통신기기에 이용되어 선택채널보다 낮은 주파수영역에 있는 인접채널제거비를 높힐 수 있는 우수한 효과가 있는 것이다.In addition, the integrated dielectric filter according to the present invention has an excellent effect of increasing the rejection ratio of adjacent channels in a frequency region lower than that of a selected channel, which is used in a wireless communication device in accordance with the demand of the narrower interval between adjacent channels. .

Claims (40)

서로 대향하는 제1면과 제2면 및 상기 제1면과 제2면 사이의 측면으로 이루어지고, 상기 제2면과 측면의 적어도 일부분이 도전물질로 도포된 유전체블럭;A dielectric block having a first surface and a second surface facing each other and a side surface between the first surface and the second surface, wherein at least a portion of the second surface and the side surface is coated with a conductive material; 상기 유전체블럭의 제1면과 제2면을 평행하게 관통하며 그 내부표면의 적어도 일부분이 도전물질로 도포되어 공진기를 형성하는 복수개의 공진홀;A plurality of resonance holes penetrating the first and second surfaces of the dielectric block in parallel and at least a portion of the inner surface of the dielectric block is coated with a conductive material to form a resonator; 상기 공진홀 사이에 형성되어 공진기 사이에 전자기적인 커플링을 형성하는 제1도체패턴;A first conductor pattern formed between the resonance holes to form an electromagnetic coupling between the resonators; 상기 유전체블럭 측면의 도전물질과 고립된 전극영역으로 이루어지고 상기 공진홀과 전자기적인 커플링을 형성하는 외부로부터 신호를 수신하는 입력패드 및 외부로 신호를 송신하는 출력패드; 및An input pad comprising a conductive material on the side of the dielectric block and an isolated electrode region, the input pad receiving a signal from the outside forming an electromagnetic coupling with the resonance hole, and an output pad transmitting a signal to the outside; And 상기 유전체블럭의 제1면에 공진홀의 배열방향을 따라 형성되며 상기 입력패드 및 출력패드와 절연되어 인접 공진기 사이에 결합캐패시턴스를 강화하는 적어도 하나의 제2도체패턴을 포함하여 구성된 유전체필터.And at least one second conductor pattern formed on the first surface of the dielectric block along an arrangement direction of the resonance hole and insulated from the input pad and the output pad to enhance coupling capacitance between adjacent resonators. 제1항에 있어서, 상기 제2도체패턴이 공진홀의 상하부중 적어도 한쪽에 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter of claim 1, wherein the second conductor pattern is formed on at least one of upper and lower portions of the resonance hole. 제1항에 있어서, 상기 제2도체패턴이 적어도 2개의 공진홀에 걸쳐서 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter as claimed in claim 1, wherein the second conductor pattern is formed over at least two resonance holes. 제3항에 있어서, 상기 제2도체패턴의 적어도 2개의 공진홀 끝부분까지 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter as claimed in claim 3, wherein at least two resonance hole ends of the second conductor pattern are formed. 제1항에 있어서, 상기 제2도체패턴은 유전체블럭 측면의 도전물질과 공진홀 내부의 도전물질과 절연되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter of claim 1, wherein the second conductor pattern is insulated from a conductive material on the side of the dielectric block and a conductive material in the resonance hole. 제1항에 있어서, 상기 제2도체패턴은 직선형상인 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter of claim 1, wherein the second conductor pattern has a straight line shape. 제1항에 있어서, 상기 제1도체패턴은 상기 공진홀 내부에 도포된 도전물질과 접속되도록 상기 유전체블럭 제1면의 적어도 하나의 공진홀 주위에 소정 크기로 형성되어 공진기에 부하캐패시턴를 제공하고 인접공진기 사이에 전자기적인 커플링을 형성하는 적어도 하나의 도체패턴인 것을 특징으로 하는 유전체필터.The resonator of claim 1, wherein the first conductor pattern is formed to have a predetermined size around at least one resonance hole of the first surface of the dielectric block so as to be connected to a conductive material applied in the resonance hole to provide a load capacitor to the resonator. And at least one conductor pattern for forming an electromagnetic coupling between adjacent resonators. 제1항에 있어서, 상기 제1도체패턴은 상기 유전체블럭 제1면의 공진홀 단부 사이에 형성되어 인접공진기 사이에 전자기적인 커플링을 형성하는 적어도 하나의 도체패턴인 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter of claim 1, wherein the first conductor pattern is at least one conductor pattern formed between end portions of the resonance holes of the first surface of the dielectric block to form an electromagnetic coupling between adjacent resonators. 제8항에 있어서, 상기 제1도체패턴의 일단부가 상기 유전체블럭의 측면에 도포된 도전물질과 접속되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter of claim 8, wherein one end of the first conductor pattern is connected to a conductive material applied to a side surface of the dielectric block. 제8항에 있어서, 상기 제1도체패턴의 양단부가 상기 유전체블럭의 측면에 도포된 도전물질과 접속되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter of claim 8, wherein both ends of the first conductor pattern are connected to a conductive material applied to a side surface of the dielectric block. 제8항에 있어서, 상기 제1도체패턴이 공진홀의 단부 사이에 적어도 2개 이상 형성되고 각각의 패턴의 일단부가 상기 유전체블럭의 측면에 도포된 도전물질과 접속되어 일정 거리를 두고 대향하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The method of claim 8, wherein at least two first conductive patterns are formed between ends of the resonance holes, and one end of each of the patterns is connected to a conductive material applied to the side surface of the dielectric block to face each other at a predetermined distance. Dielectric filter, characterized in that. 제8항에 있어서, 상기 제1도체패턴이 제2도체패턴과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter of claim 8, wherein the first conductor pattern is integrally formed with the second conductor pattern. 제1항에 있어서, 상기 유전체블럭의 제1면에 형성되어 상기 공진기의 공진주파수를 조정하는 적어도 하나의 공진주파수 조정용 제3도체패턴이 추가로 포함된 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter of claim 1, further comprising at least one third conductor pattern for adjusting the resonance frequency formed on the first surface of the dielectric block to adjust the resonance frequency of the resonator. 제13항에 있어서, 상기 제3도체패턴은 유전체블럭 측면의 도전물질로부터 제1면의 공진홀 단부를 향하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter as claimed in claim 13, wherein the third conductor pattern is formed from the conductive material on the side of the dielectric block toward the end of the resonance hole on the first surface. 제13항에 있어서, 상기 공진기의 공진주파수가 제3도체패턴의 면적과 홀단부와의 거리를 조절함에 조정되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter according to claim 13, wherein the resonant frequency of the resonator is adjusted by adjusting the distance between the area of the third conductor pattern and the hole end portion. 제13항에 있어서, 상기 제3도체패턴이 제2도체패턴으로부터 제1면의 공진홀 단부를 향하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter as claimed in claim 13, wherein the third conductor pattern is formed from the second conductor pattern toward the end of the resonance hole of the first surface. 제13항에 있어서, 상기 제3도체패턴이 제2도체패턴으로부터 유전체블럭의 측면을 향하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter as claimed in claim 13, wherein the third conductor pattern is formed from the second conductor pattern toward the side of the dielectric block. 제1항에 있어서, 상기 입력패드 및 출력패드가 제1면에 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter of claim 1, wherein the input pad and the output pad are formed on a first surface. 제4항에 있어서, 상기 입력패드 및 출력패드가 제1면 및 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.The dielectric filter of claim 4, wherein the input pads and the output pads are formed on first and side surfaces thereof. 서로 대향하는 제1면과 제2면 및 상기 제1면과 제2면 사이의 측면으로 이루어지고, 상기 제2면과 측면의 적어도 일부분이 도전물질로 도포된 유전체블럭;A dielectric block having a first surface and a second surface facing each other and a side surface between the first surface and the second surface, wherein at least a portion of the second surface and the side surface is coated with a conductive material; 상기 유전체블럭의 제1면과 제2면을 평행하게 관통하며 그 내부표면의 적어도 일부분이 도전물질로 도포되어 공진기를 형성하는 복수개의 공진홀;A plurality of resonance holes penetrating the first and second surfaces of the dielectric block in parallel and at least a portion of the inner surface of the dielectric block is coated with a conductive material to form a resonator; 상기 공진홀 사이에 형성되어 공진기 사이에 전자기적인 커플링을 형성하는 제1도체패턴;A first conductor pattern formed between the resonance holes to form an electromagnetic coupling between the resonators; 상기 유전체블럭 측면의 도전물질과 고립된 전극영역으로 이루어지고 상기 공진홀과 전자기적인 커플링을 형성하는 외부로부터 신호를 수신하는 입력패드 및 외부로 신호를 출력하는 출력패드; 및An input pad including a conductive material on the side of the dielectric block and an isolated electrode region, the input pad receiving a signal from the outside forming an electromagnetic coupling with the resonance hole, and an output pad outputting the signal to the outside; And 상기 유전체블럭의 제1면의 공진홀 단부와 일정 거리를 두고 상기 공진홀의 배열방향을 따라 형성되며 상기 입력패드 및 출력패드와 절연되어 인접공진기 사이에 결합패캐시턴스를 강화하는 적어도 하나의 제2도체패턴을 포함하여 구성된 유전체필터.At least one second formed along the arrangement direction of the resonance hole at a predetermined distance from an end of the resonance hole of the first surface of the dielectric block and insulated from the input pad and the output pad to enhance coupling capacitance between adjacent resonators; A dielectric filter comprising a conductor pattern. 서로 대향하는 제1면과 제2면 및 상기 제1면과 제2면 사이의 측면으로 이루어지고, 상기 제2면과 측면의 적어도 일부분이 도전물질로 도포된 유전체블럭;A dielectric block having a first surface and a second surface facing each other and a side surface between the first surface and the second surface, wherein at least a portion of the second surface and the side surface is coated with a conductive material; 상기 유전체블럭의 제1면과 제2면을 평행하게 관통하며 그 내부표면의 적어도 일부분이 도전물질로 도포되어 공진기를 형성하는 복수개의 공진홀;A plurality of resonance holes penetrating the first and second surfaces of the dielectric block in parallel and at least a portion of the inner surface of the dielectric block is coated with a conductive material to form a resonator; 상기 공진홀 사이에 형성되어 공진기 사이에 전자기적인 커플링을 형성하는 제1도체패턴;A first conductor pattern formed between the resonance holes to form an electromagnetic coupling between the resonators; 상기 유전체블럭 측면의 도전물질과 고립된 전극영역으로 이루어지고 상기 공진홀과 전자기적인 커플링을 형성하는 외부로부터 신호를 수신하는 입력패드 및 외부로 신호를 송신하는 출력패드; 및An input pad comprising a conductive material on the side of the dielectric block and an isolated electrode region, the input pad receiving a signal from the outside forming an electromagnetic coupling with the resonance hole, and an output pad transmitting a signal to the outside; And 상기 유전체블럭의 제1면에 상기 공진홀의 배열방향을 따라 형성되며 상기 입력패드 및 출력패드와 절연되어 인접 공진기 사이에 결합캐패시턴스를 강화하고 인접하지 않은 공진기 사이에 크로스 결합캐패시턴스를 형성하는 적어도 하나의 제2도체패턴을 포함하여 구성된 유전체필터.At least one formed on the first surface of the dielectric block along the arrangement direction of the resonance hole and insulated from the input pad and the output pad to enhance coupling capacitance between adjacent resonators and cross-crossing capacitance between non-adjacent resonators. A dielectric filter comprising a second conductor pattern. 제21항에 있어서, 상기 제2도체패턴이 공진홀의 상하부중 적어도 한쪽에 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.22. The dielectric filter of claim 21, wherein the second conductor pattern is formed on at least one of upper and lower portions of the resonance hole. 제21항에 있어서, 상기 제2도체패턴이 적어도 3개의 공진홀에 걸쳐서 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.22. The dielectric filter of claim 21, wherein the second conductor pattern is formed over at least three resonance holes. 제23항에 있어서, 상기 제2도체패턴의 적어도 3개의 공진홀 끝부분까지 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.24. The dielectric filter of claim 23, wherein at least three resonance hole ends of the second conductor pattern are formed. 제21항에 있어서, 상기 제2도체패턴은 유전체블럭 측면의 도전물질과 공진홀 내부의 도전물질과 절연되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.22. The dielectric filter of claim 21, wherein the second conductor pattern is insulated from the conductive material on the side of the dielectric block and the conductive material in the resonance hole. 제21항에 있어서, 상기 제2도체패턴은 직선형상인 것을 특징으로 하는 유전체필터.22. The dielectric filter of claim 21, wherein the second conductor pattern is linear. 제21항에 있어서, 상기 제1도체패턴은 상기 공진홀 내부에 도포된 도전물질과 접속되도록 상기 유전체블럭 제1면의 적어도 하나의 공진홀 주위에 소정 크기로 형성되어 공진기에 부하캐패시턴를 제공하고 인접공진기 사이에 전자기적인 커플링을 형성하는 적어도 하나의 도체패턴인 것을 특징으로 하는 유전체필터.22. The load capacitor of claim 21, wherein the first conductor pattern is formed to have a predetermined size around at least one resonance hole of the first surface of the dielectric block so as to be connected to a conductive material applied in the resonance hole. And at least one conductor pattern for forming an electromagnetic coupling between adjacent resonators. 제21항에 있어서, 상기 제1도체패턴은 상기 유전체블럭 제1면의 공진홀 단부 사이에 형성되어 인접공진기 사이에 전자기적인 커플링을 형성하는 적어도 하나의 도체패턴인 것을 특징으로 하는 유전체필터.22. The dielectric filter of claim 21, wherein the first conductor pattern is at least one conductor pattern formed between end portions of the resonance holes of the first surface of the dielectric block to form an electromagnetic coupling between adjacent resonators. 제21항에 있어서, 상기 제1도체패턴의 일단부가 상기 유전체블럭의 측면에 도포된 도전물질과 접속되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.22. The dielectric filter of claim 21, wherein one end of the first conductor pattern is connected to a conductive material applied to a side surface of the dielectric block. 제28항에 있어서, 상기 제1도체패턴의 양단부가 상기 유전체블럭의 측면에 도포된 도전물질과 접속되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.29. The dielectric filter of claim 28, wherein both ends of the first conductor pattern are formed in contact with a conductive material applied to the side surface of the dielectric block. 제28항에 있어서, 상기 제1도체패턴이 공진홀의 단부 사이에 적어도 2개 이상 형성되고 각각의 패턴의 일단부가 상기 유전체블럭의 측면에 도포된 도전물질과 접속되어 일정 거리를 두고 대향하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.29. The method of claim 28, wherein at least two first conductive patterns are formed between the ends of the resonance holes, and one end of each pattern is formed to be connected to the conductive material applied to the side surface of the dielectric block so as to face at a predetermined distance. Dielectric filter, characterized in that. 제28항에 있어서, 상기 제1도체패턴이 제2도체패턴과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.29. The dielectric filter of claim 28, wherein the first conductor pattern is integrally formed with the second conductor pattern. 제21항에 있어서, 상기 유전체블럭의 제1면에 형성되어 상기 공진기의 공진주파수를 조정하는 적어도 하나의 공진주파수 조정용 제3도체패턴이 추가로 포함된 것을 특징으로 하는 유전체필터.22. The dielectric filter of claim 21, further comprising at least one third conductor pattern for adjusting the resonant frequency formed on the first surface of the dielectric block to adjust the resonant frequency of the resonator. 제33항에 있어서, 상기 제3도체패턴은 유전체블럭 측면의 도전물질로부터 제1면의 공진홀 단부를 향하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.34. The dielectric filter of claim 33, wherein the third conductor pattern is formed from the conductive material on the side of the dielectric block toward the end of the resonance hole of the first surface. 제33항에 있어서, 상기 공진기의 공진주파수가 제3도체패턴의 면적과 홀단부와의 거리를 조절함에 조정되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.34. The dielectric filter of claim 33, wherein the resonant frequency of the resonator is adjusted by adjusting the distance between the area of the third conductor pattern and the hole end. 제33항에 있어서, 상기 제3도체패턴이 제2도체패턴으로부터 제1면의 공진홀 단부를 향하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.34. The dielectric filter of claim 33, wherein the third conductor pattern is formed from the second conductor pattern toward the end of the resonance hole of the first surface. 제33항에 있어서, 상기 제3도체패턴이 제2도체패턴으로부터 유전체블럭의 측면을 향하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.34. The dielectric filter of claim 33, wherein the third conductor pattern is formed from the second conductor pattern toward the side of the dielectric block. 제21항에 있어서, 상기 입력패드 및 출력패드가 제1면에 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.22. The dielectric filter of claim 21, wherein the input pad and the output pad are formed on a first surface. 제21항에 있어서, 상기 입력패드 및 출력패드가 제1면 및 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체필터.22. The dielectric filter of claim 21, wherein the input pads and the output pads are formed on first and side surfaces thereof. 서로 대향하는 제1면과 제2면 및 상기 제1면과 제2면 사이의 측면으로 이루어지고, 상기 제2면과 측면의 적어도 일부분이 도전물질로 도포된 유전체블럭;A dielectric block having a first surface and a second surface facing each other and a side surface between the first surface and the second surface, wherein at least a portion of the second surface and the side surface is coated with a conductive material; 상기 유전체블럭의 제1면과 제2면을 평행하게 관통하며 그 내부표면의 적어도 일부분이 도전물질로 도포되어 공진기를 형성하는 복수개의 공진홀;A plurality of resonance holes penetrating the first and second surfaces of the dielectric block in parallel and at least a portion of the inner surface of the dielectric block is coated with a conductive material to form a resonator; 상기 공진홀 사이에 형성되어 공진기 사이에 전자기적인 커플링을 형성하는 제1도체패턴;A first conductor pattern formed between the resonance holes to form an electromagnetic coupling between the resonators; 상기 유전체블럭 측면의 도전물질과 고립된 전극영역으로 이루어지고 상기 공진홀과 전자기적인 커플링을 형성하는 외부로부터 신호가 수신되는 입력패드 및 외부로 신호를 송신하는 출력패드; 및An input pad including a conductive material on the side of the dielectric block and an electrode region and receiving an external signal to form an electromagnetic coupling with the resonance hole, and an output pad for transmitting a signal to the outside; And 상기 유전체블럭의 제1면의 공진홀 단부로부터 일정 거리를 두고 상기 공진홀의 배열방향을 따라 형성되며 상기 입력패드 및 출력패드와 절연되어 인접 공진기 사이에 결합캐패시턴스를 강화하고 인접하지 않은 공진기 사이에 크로스 결합캐패시턴스를 형성하는 적어도 하나의 제2도체패턴을 포함하여 구성된 유전체필터.It is formed along the arrangement direction of the resonance hole at a distance from the end of the resonance hole of the first surface of the dielectric block and insulated from the input pad and the output pad to strengthen the coupling capacitance between adjacent resonators and cross between non-adjacent resonators. A dielectric filter comprising at least one second conductor pattern forming a coupling capacitance.
KR1019980027437A 1998-07-08 1998-07-08 One block dielectric filter KR100262498B1 (en)

Priority Applications (21)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980027437A KR100262498B1 (en) 1998-07-08 1998-07-08 One block dielectric filter
SE9804353A SE9804353L (en) 1998-07-08 1998-12-16 Dielectric duplexor filter
TW87121003A TW472444B (en) 1998-07-08 1998-12-16 A duplexer dielectric filter
TW087121004A TW406467B (en) 1998-07-08 1998-12-16 Dielectric filter
SE9804354A SE9804354L (en) 1998-07-08 1998-12-16 Dielectric filter
US09/212,534 US6169465B1 (en) 1998-07-08 1998-12-16 Duplexer dielectric filter
AT0209998A AT411119B (en) 1998-07-08 1998-12-16 DIELECTRIC DUPLEX SYSTEM FILTER
FR9816167A FR2781085A1 (en) 1998-07-08 1998-12-17 DUPLEXER DIELECTRIC FILTER
US09/213,707 US6636132B1 (en) 1998-07-08 1998-12-17 Dielectric filter
AT0211698A AT411000B (en) 1998-07-08 1998-12-18 DIELECTRIC FILTER
GB9827959A GB2339341B (en) 1998-07-08 1998-12-18 A duplexer dielectric filter
FR9816398A FR2781086B1 (en) 1998-07-08 1998-12-21 DIELECTRIC FILTER
DE19859205A DE19859205A1 (en) 1998-07-08 1998-12-21 Dielectric filter containing dielectric blocks with conductive patterns for creating high attenuation in a band pass filter for communication systems
JP10362665A JP2000049507A (en) 1998-07-08 1998-12-21 Duplexer dielectric filter
DE1998159207 DE19859207A1 (en) 1998-07-08 1998-12-21 Small, light weight dielectric filter used in mobile communication terminal equipment with high frequency band characteristics
GB9827893A GB2339340B (en) 1998-07-08 1998-12-21 Dielectric filter
JP10364600A JP2000049504A (en) 1998-07-08 1998-12-22 Dielectric filter
CNB98126557XA CN1229892C (en) 1998-07-08 1998-12-25 Duplexer dielectric filter
CN98126703.3A CN1201428C (en) 1998-07-08 1998-12-30 Dielectric filter
BR9900051-2A BR9900051A (en) 1998-07-08 1999-01-13 Duplexing dielectric filter
BR9900178-0A BR9900178A (en) 1998-07-08 1999-01-27 Dielectric filter.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980027437A KR100262498B1 (en) 1998-07-08 1998-07-08 One block dielectric filter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990013687A KR19990013687A (en) 1999-02-25
KR100262498B1 true KR100262498B1 (en) 2000-08-01

Family

ID=19543442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980027437A KR100262498B1 (en) 1998-07-08 1998-07-08 One block dielectric filter

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100262498B1 (en)
CN (1) CN1229892C (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030088993A (en) * 2002-05-15 2003-11-21 엘지이노텍 주식회사 Dielectric duplexer
KR101457014B1 (en) * 2013-02-01 2014-11-04 (주)파트론 Dielectric filter with out-range of cut off frequency attenuation pattern
CN107658532A (en) * 2017-10-23 2018-02-02 石家庄创天电子科技有限公司 Wave filter
CN111384530A (en) * 2018-12-31 2020-07-07 深圳市大富科技股份有限公司 Dielectric filter, communication equipment, method for preparing dielectric block and dielectric filter
CN110277613B (en) * 2019-06-28 2021-12-17 武汉凡谷电子技术股份有限公司 Laminated integrated dielectric filter
CN113036325B (en) * 2021-01-26 2022-08-12 嘉兴佳利电子有限公司 Dielectric filter

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR900001140A (en) * 1988-06-14 1990-01-31 빈센트 죠셉 로너 Filter and handset with bandstop
JPH08228103A (en) * 1995-02-21 1996-09-03 Murata Mfg Co Ltd Dielectric filter

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR900001140A (en) * 1988-06-14 1990-01-31 빈센트 죠셉 로너 Filter and handset with bandstop
JPH08228103A (en) * 1995-02-21 1996-09-03 Murata Mfg Co Ltd Dielectric filter

Also Published As

Publication number Publication date
CN1229892C (en) 2005-11-30
KR19990013687A (en) 1999-02-25
CN1241044A (en) 2000-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7714680B2 (en) Ceramic monoblock filter with inductive direct-coupling and quadruplet cross-coupling
US5103197A (en) Ceramic band-pass filter
US5731746A (en) Multi-frequency ceramic block filter with resonators in different planes
KR100262498B1 (en) One block dielectric filter
EP0322780B1 (en) Dielectric filter with attenuation pole
US6150905A (en) Dielectric filter with through-hole having large and small diameter portions and a coupling adjustment portion
US20010020880A1 (en) Stacked type dielectric resonator
KR19980079948A (en) Dielectric Filters, Dielectric Duplexers and Manufacturing Methods Thereof
KR100262499B1 (en) one block duplexer dielectric filter
US6060965A (en) Dielectric resonator and filter including capacitor electrodes on a non-conductive surface
US6169465B1 (en) Duplexer dielectric filter
US6636132B1 (en) Dielectric filter
KR100330685B1 (en) Monoblock dielectric filter with an attenuation pole
KR100311809B1 (en) A dielectric filter
KR100372692B1 (en) method for regulating attenuation pole of multi-layer filter using loading stub
KR100332878B1 (en) Duplexer dielectric filter
US20040066255A1 (en) Dielectric filter
KR100305577B1 (en) Method for manufacturing dielectric duplexer
KR100332879B1 (en) Dielectric duplexer and method for manufacturing thereof
US6304159B1 (en) Dielectric filter with adjustable frequency bandwidth
KR100340405B1 (en) A duplexer dielectric filter
KR100290292B1 (en) Dielectric ceramic resonators and dielectric filters using same 8
GB2339341A (en) Duplexer dielectric filter
FI87407C (en) BAND PASS FILTER
KR20020006097A (en) An integrated dielectric filter

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G15R Request for early opening
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130502

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140521

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150506

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160503

Year of fee payment: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170427

Year of fee payment: 18

LAPS Lapse due to unpaid annual fee