KR101457014B1 - Dielectric filter with out-range of cut off frequency attenuation pattern - Google Patents

Dielectric filter with out-range of cut off frequency attenuation pattern Download PDF

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Abstract

본 발명은 차단주파수 외측 대역의 감쇄 정도를 조절할 수 있는 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터에 관한 것으로, 본 발명은 비교적 간단한 형상의 패턴으로도 차단주파수 외측 영역을 정교하게 감쇄시킬 수 있어, 유전체 필터의 소형화가 가능하고, 제조 공정이 간소하여 단가를 낮출 수 있고 수율을 높일 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a dielectric filter having an attenuation pattern capable of adjusting the degree of attenuation of a frequency band outside the cut-off frequency. The present invention can finely attenuate the cut-off frequency outside region even with a relatively simple pattern, And the manufacturing process is simple, so that the unit cost can be lowered and the yield can be increased.

Description

차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터{DIELECTRIC FILTER WITH OUT-RANGE OF CUT OFF FREQUENCY ATTENUATION PATTERN}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a dielectric filter having a cut-off frequency band outside a cut-

본 발명은 유전체 필터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 차단주파수 외측 대역의 감쇄 정도를 조절할 수 있는 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터에 관한 것이다.Field of the Invention [0002] The present invention relates to a dielectric filter, and more particularly, to a dielectric filter having a damping pattern capable of adjusting the degree of attenuation of a band outside the cut-off frequency.

일반적으로, 동축형 필터는 희망하는 주파수 범위의 외측 주파수에 대한 감쇄를 제공하는 것으로 알려져 있으며, 이러한 필터는 내부에 두개 이상의 동축형 공진홀을 갖는 세라믹 물질로 제조되어 세라믹 필터라 불리워진다. 이러한 유전체 필터는 희망하는 주파수 대역폭에서 최소의 삽입손실을 가져야 한다. 또한 통과 대역의 차단주파수(cut off frequency) 외측 대역에 대해서는 적절한 감쇄비를 가져야 한다.Generally, coaxial filters are known to provide attenuation to the outer frequencies of the desired frequency range, and these filters are made of a ceramic material having two or more coaxial resonance holes therein and are called ceramic filters. Such a dielectric filter should have a minimum insertion loss at the desired frequency bandwidth. It shall also have an appropriate attenuation ratio for the band outside the pass-off frequency (cut off frequency).

이와 같은 동축형 공진기의 공진특성을 이용하여 대역통과필터를 구현한다. 이러한 필터는 통과대역 주변의 고역 또는 저역 차단주파수(higer or lower cut off frequency) 외측 영역에서 원하는 감쇄가 일어나야 한다. 상기 감쇄를 제어하기 위해 종래에는 공진홀의 반경을 계단식으로 형성하여 달성하였다. 그러나 이러한 종래의 방법은 공정이 복잡할 뿐만 아니라 소형화에 한계가 있었다.A bandpass filter is implemented using the resonance characteristics of such a coaxial resonator. Such a filter should have a desired attenuation in the region outside the higer or lower cut off frequency around the passband. Conventionally, in order to control the attenuation, the radius of the resonance hole is formed stepwise. However, this conventional method has a complicated process and has a limitation in miniaturization.

이러한 문제점을 해결하기 위해 유전체 블록의 전면에 감쇄 패턴을 형성하여 높은 주파수 대역의 감쇄를 조절하는 방법이 제안되었다. 유전체 블록의 전면에 형성된 감쇄 패턴은 공진홀과 상호적으로 작용하는 커패시턴스 성분을 갖게 되어 필터의 주파수 특성을 제어할 수 있다. 상기 감쇄 패턴의 형상에 따라 작용하는 커패시턴스 용량을 조절할 수 있다.In order to solve this problem, a method of adjusting attenuation in a high frequency band by forming an attenuation pattern on the entire surface of a dielectric block has been proposed. The attenuation pattern formed on the front surface of the dielectric block has a capacitance component interacting with the resonance hole, so that the frequency characteristic of the filter can be controlled. The capacitance capacity acting according to the shape of the attenuation pattern can be adjusted.

그러나 차단주파수 외측 영역에서 더욱 정교하고 날카로운 감쇄 특성을 갖는 유전체 필터가 요구됨에 따라 감쇄 패턴이 더욱 복잡하게 형성되어야 한다. 그러나 유전체 필터가 소형화됨에 따라 유전체 블록의 전면부에 복잡한 감쇄 패턴을 형성하는 것에 문제가 있었다.However, as the dielectric filter having more elaborate and sharp attenuation characteristics in the region outside the cut-off frequency is required, the attenuation pattern must be formed more complicatedly. However, as the dielectric filter is miniaturized, there is a problem in forming a complicated attenuation pattern on the front face of the dielectric block.

따라서 비교적 간단한 형상의 패턴으로도 높은 주파수 영역을 정교하게 감쇄시킬 수 있으면서, 그 제조 공정이 간소하여 단가를 낮출 수 있고 수율이 높은 유전체 필터에 대한 요구가 있어 왔다.Therefore, there has been a demand for a dielectric filter that can attenuate a high frequency region with a relatively simple pattern, while simplifying the manufacturing process and lowering the unit cost.

본 발명은 유전체 필터가 소형이고, 차단주파수 외측 영역을 감쇄하기 위한 패턴의 형상이 비교적 간단하면서도 해당 주파수 영역을 정교하고 날카롭게 감쇄할 수 있는 유전체 필터를 제공하는 것에 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a dielectric filter which is small in size and which is relatively simple in shape of a pattern for attenuating a cutoff frequency outside region, but is capable of finely and sharply attenuating a corresponding frequency band.

상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터는 전면, 후면, 상면, 하면, 좌측면 및 우측면을 구비한 유전체 블록, 상기 유전체 블록의 전면에서 후면으로 관통되고, 내부 표면이 도전체로 코팅되어 형성되는 다수개의 공진홀, 상기 유전체 블록의 전면의 상기 다수개의 공진홀 주변에 도전체로 코팅되어 형성되는 다수개의 커패시턴스 패턴, 상기 유전체 블록의 하면 중 적어도 일부에 도전체로 코팅되어 형성되는 다수개의 전극 패드, 상기 유전체 블록의 전면 중 적어도 일부에 도전체로 코팅되어 형성되는 노치 패턴, 상기 커패시턴스 패턴, 전극패드, 노치 패턴, 상기 유전체 블록의 일부 표면에 형성된 분리 패턴 및 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 제외한 상기 유전체 블록의 표면에 도전체로 코팅되어 형성되는 외부 도체를 포함하되, 상기 분리 패턴은, 상기 다수개의 커패시턴스 패턴을 서로 분리하고, 상기 커패시턴스 패턴과 상기 외부 도체를 분리하는 커패시턴스 분리 패턴, 상기 전극 패드와 상기 외부 도체를 분리하는 전극 패드 분리 패턴 및 상기 노치 패턴과 상기 외부 도체 및 상기 커패시턴스 패턴을 분리하는 노치 분리 패턴을 포함하고, 상기 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴은 상기 유전체 블록의 상면에 형성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a dielectric filter having a cutoff frequency band of a cutoff frequency according to the present invention includes a dielectric block having a front surface, a rear surface, an upper surface, a lower surface, a left surface and a right surface, A plurality of capacitance patterns formed by coating a conductor around the plurality of resonance holes on the front surface of the dielectric block, a plurality of capacitance patterns formed on at least a part of the lower surface of the dielectric block, A notch pattern formed by coating a conductor on at least a part of a front surface of the dielectric block, a capacitance pattern, an electrode pad, a notch pattern, a separation pattern formed on a part of the surface of the dielectric block, The outer surface of the dielectric block except the attenuation pattern of the cut-off frequency outer band And a plurality of external conductors formed on the entire surface of the outer conductor, wherein the plurality of capacitance patterns are separated from each other, a capacitance separating pattern for separating the capacitance pattern from the external conductor, And a notch separation pattern for separating the notch pattern from the external conductor and the capacitance pattern, wherein the cutoff frequency outer band attenuation pattern is formed on an upper surface of the dielectric block.

상기 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴은 상기 유전체 블록의 상면의 표면에서 상기 유전체 블록의 전면에 평행한 방향으로 형성될 수 있다.The cut-off frequency outer band attenuation pattern may be formed in a direction parallel to the front surface of the dielectric block at the surface of the upper surface of the dielectric block.

상기 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴은 상기 유전체 블록의 상면 중 상기 좌측면과 맞닿는 부분부터 상기 우측면과 맞닿는 부분까지 연장되어 형성될 수 있다.The cutoff frequency band outer band attenuation pattern may extend from a portion of the upper surface of the dielectric block that contacts the left surface to a portion of the upper surface of the dielectric block that contacts the right surface.

상기 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴은 상기 유전체 블록의 상면 중 상기 전면과 맞닿는 부분에 형성될 수 있다.The cutoff frequency band outline pattern may be formed at a portion of the upper surface of the dielectric block that is in contact with the front surface.

상기 노치 패턴은 상기 유전체 블록의 전면의 표면에서 상기 유전체 블록의 상면에 평행한 방향으로 형성될 수 있다.The notch pattern may be formed in a direction parallel to an upper surface of the dielectric block at a surface of the front surface of the dielectric block.

상기 노치 패턴은 상기 유전체 블록의 전면의 표면에서 상기 커패시턴스 패턴과 상기 전면이 상기 상면과 맞닿는 부분 사이에 형성될 수 있다.The notch pattern may be formed on the surface of the front surface of the dielectric block between the capacitance pattern and a portion where the front surface abuts the top surface.

상기 노치 패턴은 상기 유전체 블록의 전면의 표면에서 상기 전면이 상기 상면과 맞닿는 부분에 형성될 수 있다.The notch pattern may be formed at a portion of the front surface of the dielectric block where the front surface abuts the top surface.

상기 전극 패드는 상기 유전체 블록의 하면에서 전면 또는 좌우측면의 일부까지 연장되어 형성될 수 있다.The electrode pad may extend from a bottom surface of the dielectric block to a front surface or a part of left and right side surfaces.

본 발명은 비교적 간단한 형상의 패턴으로도 차단주파수 외측 영역을 정교하게 감쇄시킬 수 있어, 유전체 필터의 소형화가 가능하고, 제조 공정이 간소하여 단가를 낮출 수 있고 수율을 높일 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to attenuate the outer region of the cut-off frequency finely with a relatively simple pattern, thereby miniaturizing the dielectric filter, simplifying the manufacturing process, and reducing the unit cost and increasing the yield.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시한 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터의 저면사시도이다.
도 3은 도 1에 도시한 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터의 주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터의 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시한 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터의 저면사시도이다.
도 6은 도 4에 도시한 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터의 주파수 특성을 나타낸 그래프이다.FIG. 1 is a perspective view of a dielectric filter having a cut-off frequency outer band attenuation pattern according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is a bottom perspective view of the dielectric filter having the cut-off frequency outer band attenuation pattern shown in FIG.
3 is a graph showing the frequency characteristics of the dielectric filter having the cut-off frequency outer band attenuation pattern shown in FIG.
4 is a perspective view of a dielectric filter having a cutoff frequency outer band attenuation pattern according to another preferred embodiment of the present invention.
5 is a bottom perspective view of the dielectric filter having the cut-off frequency outer band attenuation pattern shown in FIG.
6 is a graph showing the frequency characteristics of the dielectric filter having the cut-off frequency outer band attenuation pattern shown in FIG.

하기 설명에서는 설명되는 실시예들의 기초 개념을 잘 이해하기 위해 많은 특정 세부 사항이 제시된다. 그러나 당업자라면 설명된 실시예들이 이러한 특정 세부 사항의 일부 또는 전부가 없더라도 실시될 수 있음을 잘 알 것이다. 다른 경우에, 잘 알려져 있는 구성요소에 대해서는 본 발명의 기본 개념을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 설명하지 않았다.In the following description, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the underlying concepts of the embodiments described. It will be apparent, however, to one skilled in the art, that the embodiments described may be practiced without some or all of these specific details. In other instances, well-known components have not been described in detail so as not to unnecessarily obscure the basic concept of the present invention.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer explanation.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 차단주파수 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터(900)는 유전체 블록(100), 공진홀(200), 커패시턴스 패턴(300), 전극 패드(400), 노치 패턴(500), 외부 도체(600), 분리 패턴(700) 및 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)을 포함한다.
A dielectric filter 900 having a cutoff frequency attenuation pattern according to the present invention includes a dielectric block 100, a resonance hole 200, a capacitance pattern 300, an electrode pad 400, a notch pattern 500, an external conductor 600 , A separation pattern 700, and a cut-off frequency outer band attenuation pattern 800.

유전체 블록(100)은 유전체 필터(900)의 몸체를 이룬다. 통상적으로 유전체 블록(100)은 육면체 형태일 수 있다. 유전체 블록(100)은 전면, 후면, 상면, 하면, 좌측면 및 우측면을 구비한다. 유전체 블록(100)은 높이가 낮은 육면체 형태일 수 있다. 유전체 블록(100)은 세라믹 재질로 형성될 수 있다.The dielectric block 100 forms the body of the dielectric filter 900. Typically, the dielectric block 100 may be in a hexahedral form. The dielectric block 100 has front, rear, top, bottom, left, and right sides. The dielectric block 100 may be in the form of a hexahedron with a low height. The dielectric block 100 may be formed of a ceramic material.

도 1을 참조하면, 유전체 블록(100)에 있어서, XZ평면과 평행한 면 중 +Y축 방향에 있는 면을 전면, -Y축 방향에 있는 면을 후면으로 한다. 또한, XY평면과 평행한 면 중 +Z축 방향에 있는 면을 상면, -Z축 방향에 있는 면을 하면으로 한다. 또한, YZ평면과 평행한 면 중 +X축 방향에 있는 면을 우측면, -X축 방향에 있는 면을 좌측면으로 한다.
Referring to FIG. 1, in the dielectric block 100, a surface in the + Y axis direction is defined as a front surface and a surface in the -Y axis direction is defined as a rear surface in a plane parallel to the XZ plane. In addition, among the surfaces parallel to the XY plane, the surface in the + Z axis direction is referred to as the upper surface, and the surface in the -Z axis direction is defined as the lower surface. Further, of the surfaces parallel to the YZ plane, the surface in the + X axis direction is the right surface, and the surface in the -X axis direction is the left surface.

공진홀(200)은 유전체 블록(100)의 전면에서 후면으로 관통된다. 공진홀(200)은 유전체 블록(100)을 평행하게 관통한다. 더욱 구체적으로 도 1을 참조하면, 공진홀(200)은 도 1의 Y축에 평행한 방향으로 유전체 블록(100)을 관통한다. 공진홀(200)은 다수개가 있을 수 있다. 예를 들면, 3개의 공진홀(200)이 있을 수 있다. 다수개의 공진홀(200)은 통상적으로 일방향으로 나열되어 형성될 수 있다. 도 1을 참고하면, 통상적으로 X축 방향으로 다수개의 공진홀(200)이 형성될 수 있다. 공진홀(200)의 내부는 그 표면이 도전체로 코팅되어 있을 수 있다. 상기 내부에 코팅된 도전체는 후술할 커패시턴스 패턴(300)과 연속적으로 형성될 수 있다.The resonance hole 200 penetrates from the front surface to the rear surface of the dielectric block 100. The resonance hole 200 penetrates the dielectric block 100 in parallel. More specifically, referring to FIG. 1, the resonance hole 200 penetrates the dielectric block 100 in a direction parallel to the Y-axis of FIG. There may be a plurality of resonance holes 200. For example, there may be three resonance holes 200. The plurality of resonance holes 200 may be formed by arranging them in one direction. Referring to FIG. 1, a plurality of resonance holes 200 may be formed in the X-axis direction. The inside of the resonance hole 200 may have its surface coated with a conductor. The conductor coated on the inside may be formed continuously with the capacitance pattern 300 to be described later.

공진홀(200)은 필터의 주파수 특성에 따라 그 반경이 달라질 수 있다. 또한, 다수개의 공진홀(200)들이 서로 다른 반경을 가질 수 있다. 또한, 공진홀(200)은 일정한 반경으로 형성될 수 있고, 서로 다른 반경을 가진 다수의 부분들로 형성될 수 있다. 예를 들면, 하나의 공진홀(200)이 유전체 블록(100)의 전면 측에서는 상대적으로 작은 반경으로 형성되고, 중간에서 계단식으로 반경이 커져 후면 측에서는 상대적으로 큰 반경으로 공진홀(200)이 형성될 수 있다. 이러한 공진홀(200) 반경은 필터의 주파수 특성이 따라 선택적으로 채용될 수 있다.
The radius of the resonance hole 200 may be changed according to the frequency characteristic of the filter. Also, the plurality of resonance holes 200 may have different radii. In addition, the resonance hole 200 may be formed with a certain radius, and may be formed with a plurality of portions having different radii. For example, one resonance hole 200 is formed with a relatively small radius on the front side of the dielectric block 100, a radius is increased stepwise from the middle, and a resonance hole 200 is formed with a relatively large radius on the rear side . The radius of the resonance hole 200 may be selectively adopted depending on the frequency characteristic of the filter.

커패시턴스 패턴(300)은 유전체 블록(100)의 전면의 다수개의 공진홀(200) 주변에 도전체로 코팅되어 다수개가 형성된다. 첨부한 도면에는 형성된 모든 공진홀(200) 주변에 커패시턴스 패턴(300)이 형성되어 있지만, 커패시턴스 패턴(300)은 공진홀(200) 마다 모두 형성될 수있고, 일부에만 선택적으로 형성될 수 있다. 커패시턴스 패턴(300)은 얻고자 하는 커패시턴스 특성에 따라 서로 다른 모양 또는 크기로 형성될 수 있다. 예를 들면, 공진홀(200) 주변에서 원형 또는 사각형의 형상을 가질 수 있다. 상술한 바와 같이 커패시턴스 패턴(300)은 공진홀(200)의 내부 표면에 코팅된 도전체와 연속되어 형성될 수 있다.The capacitance pattern 300 is coated with a conductor around the plurality of resonance holes 200 on the front surface of the dielectric block 100 to form a plurality of capacitance patterns 300. Although the capacitance pattern 300 is formed around all of the resonance holes 200 formed in the accompanying drawings, the capacitance pattern 300 may be formed for every resonance hole 200, and may be selectively formed for only a part of the resonance holes. The capacitance patterns 300 may be formed in different shapes or sizes depending on the capacitance characteristics to be obtained. For example, it may have a circular or rectangular shape around the resonance hole 200. The capacitance pattern 300 may be formed continuously with the conductor coated on the inner surface of the resonance hole 200 as described above.

다수개의 커패시턴스 패턴(300)은 서로 분리되어 형성된다. 커패시턴스 패턴(300) 사이에 커패시턴스 분리 패턴(710)이 형성되어 다수개의 커패시턴스 패턴(300)을 전기적으로 분리시킨다. 또한, 커패시턴스 패턴(300)은 후술할 외부 도체(600)와 분리되어 형성된다. 커패시턴스 패턴(300)과 외부 도체(600) 사이에도 커패시턴스 분리 패턴(710)이 형성되어 커패시턴스 패턴(300)과 외부 도체(600)를 전기적으로 분리시킨다. 커패시턴스 분리 패턴(710)은 커패시턴스 패턴(300) 주변에 형성되어 커패시턴스 패턴(300) 각각을 또는 커패시턴스 패턴(300)과 외부 도체(600)를 분리시킨다. 커패시턴스 분리 패턴(710)의 모양에 따라 커패시턴스 패턴(300)의 모양이 정해질 수 있고, 유전체 필터(900)의 주파수 특성을 조절할 수 있다.The plurality of capacitance patterns 300 are formed separately from each other. A capacitance separating pattern 710 is formed between the capacitance patterns 300 to electrically isolate the plurality of capacitance patterns 300. In addition, the capacitance pattern 300 is formed separately from the external conductor 600 to be described later. A capacitance separation pattern 710 is also formed between the capacitance pattern 300 and the external conductor 600 to electrically isolate the capacitance pattern 300 from the external conductor 600. The capacitance separation pattern 710 is formed around the capacitance pattern 300 to separate each of the capacitance patterns 300 or the capacitance pattern 300 and the external conductor 600. The shape of the capacitance pattern 300 can be determined according to the shape of the capacitance separation pattern 710 and the frequency characteristics of the dielectric filter 900 can be adjusted.

커패시턴스 분리 패턴(710)은 커패시턴스 패턴(300) 주변에 형성되고, 그 표면이 도전체로 코팅되지 않은 영역이다. 커패시턴스 분리 패턴(710)은 비전도성이므로 주변의 도전성 코팅 영역을 전기적으로 분리한다.
The capacitance separation pattern 710 is formed around the capacitance pattern 300, and the surface of the capacitance isolation pattern 710 is not coated with a conductor. The capacitance separating pattern 710 is non-conductive, thus electrically isolating the surrounding conductive coating regions.

전극 패드(400)는 유전체 블록(100)의 하면 중 적어도 일부에 도전체로 코팅되어 다수개가 형성될 수 있다. 예를 들어 전극 패드(400)는 2개가 형성될 수 있다. 통상적으로 전극 패드(400)는 신호의 입출력 단자로 기능할 수 있다. 하나의 전극 패드(400)가 입력 단자로 기능하면, 다른 하나의 전극 패드(400)는 출력 단자로 기능한다. The electrode pad 400 may be coated with a conductor on at least a part of the lower surface of the dielectric block 100 to form a plurality of electrode pads 400. For example, two electrode pads 400 may be formed. Typically, the electrode pad 400 can function as an input / output terminal of a signal. When one electrode pad 400 functions as an input terminal, the other electrode pad 400 functions as an output terminal.

다수개의 전극 패드(400)는 유전체 블록(100)의 하면 중 양 측단에 맞닿아 형성될 수 있다. 또한, 전극 패드(400)는 유전체 블록(100)의 하면에서 전면 또는 좌우측면의 일부까지 연장되어 형성될 수 있다. 특히 전극 패드(400)가 유전체 블록(100)의 하면에서 하면과 맞닿는 부분의 전면까지 연장되는 경우, 필터의 주파수 특성을 조절할 수 있지만 전면에 다른 패턴을 형성할 충분한 공간이 없을 수 있다. 따라서 이러한 경우 다른 고주파 감쇄 패턴(800)을 형성하여 필터의 주파수 특성을 조절할 수 있다.A plurality of electrode pads 400 may be formed in contact with both ends of the lower surface of the dielectric block 100. In addition, the electrode pad 400 may extend from the lower surface of the dielectric block 100 to the front surface or a part of the left and right side surfaces. Particularly, when the electrode pad 400 extends to the front surface of a portion contacting the bottom surface of the dielectric block 100, the frequency characteristic of the filter can be adjusted, but there is not enough space to form another pattern on the front surface. Therefore, in this case, the frequency characteristic of the filter can be adjusted by forming another high frequency attenuation pattern 800.

전극 패드(400)는 후술할 외부 도체(600)와 분리되어 형성된다. 전극 패드(400) 주변에 전극 패드 분리 패턴(730)이 형성되어 전극 패드(400)와 외부 도체(600)를 전기적으로 분리시킨다. 전극 패드 분리 패턴(730)은 일정한 형상으로 형성된 유전체 블록(100) 표면의 영역으로 도전체로 코팅되지 않은 영역이다.
The electrode pad 400 is formed separately from the external conductor 600 to be described later. An electrode pad separation pattern 730 is formed around the electrode pad 400 to electrically separate the electrode pad 400 and the external conductor 600. The electrode pad separation pattern 730 is a region of the surface of the dielectric block 100 formed in a predetermined shape and is not coated with a conductor.

노치 패턴(500)은 유전체 블록(100)의 전면 중 적어도 일부에 도전체로 코팅되어 형성된다. 노치 패턴(500)은 통상적으로 유전체 블록(100)의 상면과 평행한 가로 방향으로 형성된다. 노치 패턴(500)은 통상적으로 대역 통과 필터에 있어서 통과 대역 경계 부분이 감쇄되는 정도를 조절한다. The notch pattern 500 is formed by coating a conductor on at least a part of the front surface of the dielectric block 100. The notch pattern 500 is typically formed in a transverse direction parallel to the top surface of the dielectric block 100. The notch pattern 500 typically controls the extent to which the passband boundary portion is attenuated in the bandpass filter.

종래의 유전체 필터(900)는 높은 주파수 영역의 감쇄를 조절하기 위해서 본 발명의 노치 패턴(500)이 형성되는 유전체 블록(100)의 전면에 패턴을 형성했다. 그러나 더욱 정교하고 날카로운 감쇄를 얻기 위해서는 복잡한 패턴을 유전체 블록(100)의 전면에 형성하여야 하지만, 유전체 블록(100)의 전면은 공진홀(200), 커패시턴스 패턴(300) 등으로 공간이 충분하지 않다는 문제점이 있다. 따라서 후술하는 것과 같이 높은 주파수 영역의 감쇄를 위한 패턴은 상면에 형성하는 대신에, 전면에는 노치 패턴(500)이 형성될 수 있다.The conventional dielectric filter 900 has formed a pattern on the front surface of the dielectric block 100 in which the notch pattern 500 of the present invention is formed in order to adjust the attenuation in the high frequency region. However, in order to obtain a more elaborate and sharp attenuation, a complicated pattern must be formed on the front surface of the dielectric block 100. However, the front surface of the dielectric block 100 may not have sufficient space due to the resonance hole 200, the capacitance pattern 300, There is a problem. Therefore, as described later, a pattern for attenuation in the high frequency region may be formed on the top surface, and a notch pattern 500 may be formed on the front surface.

노치 패턴(500) 주변에는 노치 분리 패턴(750)이 형성된다. 노치 분리 패턴(750)에 의해 노치 패턴(500)과 외부 도체(600) 및 커패시턴스 패턴(300)을 전기적으로 분리한다. 노치 분리 패턴(750)은 유전체 블록(100)의 표면에 도전체로 코팅되지 않아 전도성이 없다.A notch separation pattern 750 is formed around the notch pattern 500. The notch pattern 500 is electrically separated from the external conductor 600 and the capacitance pattern 300 by the notch separation pattern 750. The notch separation pattern 750 is not coated with a conductor on the surface of the dielectric block 100 and is not conductive.

본 발명의 바람직한 일 실시예로, 도 1 및 도 2에 도시한 것과 같이, 노치 패턴(500)은 유전체 블록(100)의 전면의 표면에서 커패시턴스 패턴(300)과 전면이 상면과 맞닿는 부분 사이에 형성될 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 노치 패턴(500)은 유전체 블록(100)의 전면이 상면과 맞닿는 부분과 일정한 이격 거리를 유지하며 형성된다.1 and 2, the notch pattern 500 is formed between the capacitance pattern 300 on the front surface of the dielectric block 100 and the portion where the front surface contacts the top surface, . The notch pattern 500 shown in FIGS. 1 and 2 is formed with a front surface of the dielectric block 100 maintaining a predetermined distance from a portion where the front surface of the dielectric block 100 abuts the top surface.

반복적인 실험을 통해 도 1 및 도 2에 도시한 것과 유사한 형상의 노치 패턴(500)이 고역 차단주파수의 근처에 노치를 형성함을 알게 되었다. 형성되는 노치의 미세한 주파수 특성은 노치 패턴(500)의 형상 및 위치에 따라 달라질 수 있다. 도 3은 도 1 및 도 2에 도시한 유전체 필터(900)의 주파수 특성을 나타낸 것이다. 도 3을 참조하면, 도 1 및 도 2에 도시한 것과 같은 노치 패턴(500)에 의해 마커 3에 해당하는 주파수 대역에서 노치가 형성된 것을 알 수 있다.Through repetitive experiments, it has been found that the notch pattern 500 having a shape similar to that shown in FIGS. 1 and 2 forms a notch near the high cut-off frequency. The fine frequency characteristics of the formed notch may vary depending on the shape and position of the notch pattern 500. FIG. 3 shows frequency characteristics of the dielectric filter 900 shown in FIGS. 1 and 2. Referring to FIG. 3, it can be seen that a notch is formed in the frequency band corresponding to the marker 3 by the notch pattern 500 shown in FIG. 1 and FIG.

또한, 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예로, 도 4 및 도 5에 도시한 것과 같이, 노치 패턴(500)은 유전체 블록(100)의 전면의 표면에서 전면이 상면과 맞닿는 부분이 형성될 수 있다.4 and 5, the notch pattern 500 may be formed at a portion of the front surface of the dielectric block 100 where the front surface abuts the top surface .

반복적인 실험을 통해 도 4 및 도 5에 도시한 것과 유사한 형상의 노치 패턴(500)이 저역 차단주파수의 근처에 노치를 형성함을 알게 되었다. 도 6은 도 4 및 도 5에 도시한 유전체 필터(900)의 주파수 특성을 나타낸 것이다. 도 6을 참조하면, 도 4 및 도 5에 도시한 것과 같은 노치 패턴(500)에 의해 마커 4에 해당하는 주파수 대역에서 노치가 형성된 것을 알 수 있다.Through repetitive experiments, it has been found that the notch pattern 500 having a shape similar to that shown in Figures 4 and 5 forms a notch near the low cut-off frequency. FIG. 6 shows the frequency characteristics of the dielectric filter 900 shown in FIGS. 4 and 5. Referring to FIG. 6, it can be seen that a notch is formed in the frequency band corresponding to the marker 4 by the notch pattern 500 shown in FIGS. 4 and 5.

특히, 도 4 및 도 5에 도시된 노치 패턴(500)은 유전체 블록(100)의 전면 중 전면이 상면과 맞닿는 부분에 형성되므로, 도 1 및 도 2에 도시된 노치 패턴(500)과 같이 상면과 맞닿는 부분과의 이격 거리를 정밀하게 조절하여 형성할 필요가 없다. 따라서 공정이 간소해지고 수율을 높일 수 있는 장점이 있다.
4 and 5 is formed at a portion of the front surface of the dielectric block 100 that is in contact with the upper surface, so that the notch pattern 500 shown in FIGS. 1 and 2, It is not necessary to precisely adjust the separation distance from the portion where it is abutted against the abutting portion. Therefore, the process can be simplified and the yield can be increased.

외부 도체(600)는 커패시턴스 패턴(300), 전극패드, 노치 패턴(500), 유전체 블록(100)의 일부 표면에 형성된 분리 패턴(700) 및 고주파 감쇄 패턴(800)을 제외한 상기 유전체 블록(100)의 표면에 도전체로 코팅되어 형성된다.
The external conductor 600 includes the capacitance pattern 300, the electrode pad, the notch pattern 500, the separation pattern 700 formed on a part of the surface of the dielectric block 100, and the dielectric block 100 ) With a conductor.

분리 패턴(700)은 커패시턴스 분리 패턴(710), 전극 패드 분리 패턴(730) 및 노치 분리 패턴(750)을 포함한다.The separation pattern 700 includes a capacitance separation pattern 710, an electrode pad separation pattern 730, and a notch separation pattern 750.

분리 패턴(700)은 유전체 블록(100)의 표면 상에 도전체로 코팅되지 않은 부분으로서 도전성이 없다. 따라서 비코팅 패턴에 의해 도전성이 있는 외부 도체(600), 커패시턴스 패턴(300), 전극 패드(400) 또는 노치 패턴(500)을 서로 또는 상호간 전기적으로 분리할 수 있다.The separation pattern 700 is not electrically conductive as a portion not coated with a conductor on the surface of the dielectric block 100. Therefore, the external conductor 600, the capacitance pattern 300, the electrode pad 400, or the notch pattern 500, which are electrically conductive, can be electrically separated from each other by the uncoated pattern.

비코팅 패턴 중 커패시턴스 분리 패턴(710), 전극 패드 분리 패턴(730), 노치 분리 패턴(750)에 대해서는 이미 설명하였다.The capacitance separation pattern 710, the electrode pad separation pattern 730, and the notch separation pattern 750 in the uncoated pattern have already been described.

유전체 블록(100)의 전면에 형성되는 커패시턴스 분리 패턴(710)과 노치 분리 패턴(750)은 경계가 분명하지 않게 연속되어 형성될 수 있다.
The capacitance separating pattern 710 formed on the front surface of the dielectric block 100 and the notch separating pattern 750 may be formed so that the boundaries are not continuous.

차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)은 유전체 블록(100)의 상면에 형성된다. 더욱 구체적으로, 고주파 감쇄 패턴(800)은 유전체 블록(100)의 상면의 표면에서 유전체 블록(100)의 전면에 평행한 방향으로 형성될 수 있다. 상면의 표면에서 유전체 블록(100)의 전면에 평행한 방향이란 도 1에서 X축에 평행한 방향을 의미한다.The cut-off frequency outer band attenuation pattern 800 is formed on the upper surface of the dielectric block 100. More specifically, the high frequency attenuation pattern 800 may be formed in a direction parallel to the front surface of the dielectric block 100 at the surface of the upper surface of the dielectric block 100. The direction parallel to the front surface of the dielectric block 100 on the surface of the upper surface means a direction parallel to the X axis in Fig.

더욱 구체적으로, 고주파 감쇄 패턴(800)은 유전체 블록(100)의 상면 중 좌측면과 맞닿는 부분부터 우측면과 맞닿는 부분까지 연장되어 형성될 수 있다. 고주파 감쇄 패턴(800)을 유전체 블록(100)의 상면 중 좌측면과 맞닿는 부분과 우측면과 맞닿는 부분 사이에 이격 거리를 유지하며 형성하는 것은 정교한 공정이 요구된다. 통상적으로 상기 이격 거리에 따라 필터의 주파수 특성이 달라질 수있는데 소형의 유전체 블록(100)에서 주파수 특성을 일관된 주파수 특성을 갖는 고주파 감쇄 패턴(800)을 형성하기 위해서는 수㎛ 내지 수십㎛ 이내의 오차를 가져야 한다. 그러나 상기와 같은 오차를 유지하기 위한 공정은 난해하고, 수율도 낮다는 문제가 있다.More specifically, the high frequency attenuation pattern 800 may extend from a portion of the upper surface of the dielectric block 100 that abuts the left side surface to a portion abutting the right side surface. A precise process is required to form the high frequency attenuating pattern 800 while maintaining a separation distance between a portion of the upper surface of the dielectric block 100 that abuts the left side surface and a portion of the upper surface of the dielectric block 100 that abuts the right side surface. Generally, the frequency characteristics of the filter may vary depending on the spacing distance. In order to form the high frequency attenuation pattern 800 having a frequency characteristic and a consistent frequency characteristic in the small dielectric block 100, an error within a few micrometers to several tens of micrometers Should have. However, there is a problem in that the process for maintaining such an error is complicated and the yield is low.

따라서 좌우측과 맞닿는 부분까지 연장된 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)은 일정한 이격 거리를 유지하며 형성되는 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)보다 공정이 간소하고 수율이 높다는 효과가 있다. Therefore, the cut-off frequency outer band attenuating pattern 800 extending to a portion contacting the right and left sides has a simpler process and higher yield than the cut-off frequency outer band attenuating pattern 800 formed with a constant separation distance.

도 1을 참조하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예로, 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)은 유전체 블록(100)의 상면 중 후면과 가까운 부분에 형성될 수 있다. 상면 중 후면과 맞닿는 부분과 이격되는 거리에 따라 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)의 주파수 특성을 조절할 수 있다.Referring to FIG. 1, in a preferred embodiment of the present invention, the cutoff frequency outer band attenuation pattern 800 may be formed at a portion near the rear of the upper surface of the dielectric block 100. The frequency characteristic of the cutoff frequency outside band attenuation pattern 800 can be adjusted according to the distance between the portion contacting the rear surface of the upper surface and the distance.

반복적인 실험을 통해, 도 1에 도시된 것과 유사한 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)이 고역 차단주파수 외측 대역을 감쇄한다는 것을 알게 되었다. 도 3을 참조하면, 도 1에 도시된 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)에 의해 마커 4번 근처 대역의 고역 차단주파수 외측 대역이 감쇄되는 것을 알 수 있다. Through repetitive experiments, it has been found that the cut-off frequency outer band attenuation pattern 800, similar to that shown in FIG. 1, attenuates the outer band of the high cut-off frequency. Referring to FIG. 3, it can be seen that the outer band of the high-frequency cut-off frequency in the vicinity of the marker # 4 is attenuated by the cut-off frequency outer band attenuation pattern 800 shown in FIG.

도 4을 참조하면, 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예로, 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)은 유전체 블록(100)의 상면 중 전면과 맞닿는 부분에 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4, in another preferred embodiment of the present invention, the cut-off frequency outer band attenuation pattern 800 may be formed at a portion of the upper surface of the dielectric block 100 that is in contact with the front surface.

반복적인 실험을 통해, 도 4에 도시된 것과 유사한 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)이 저역 차단주파수 외측 대역을 감쇄한다는 것을 알게 되었다. 도 6을 참조하면, 도 1에 도시된 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)에 의해 마커 3번 근처 대역의 고역 차단주파수 외측 대역이 감쇄되는 것을 알 수 있다. Through repetitive experiments, it has been found that a cut-off frequency outer band attenuation pattern 800 similar to that shown in FIG. 4 attenuates the outer band of the low cut-off frequency. Referring to FIG. 6, it can be seen that the outer band of the high-frequency cut-off frequency in the vicinity of the marker # 3 is attenuated by the cut-off frequency outer band attenuation pattern 800 shown in FIG.

도 1에 도시된 것과 같이, 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)을 상면 중 특정 위치에 형성되는 경우 그 위치가 정교하게 제어되어야 한다. 앞서 노치 패턴(500)에 관해 설명했던 것과 같이, 소형의 유전체 블록(100)의 표면 중 특정 위치에 매우 작은 오차를 가지고 패턴을 형성하는 것은 난해하다. 따라서 도 4에 도시된 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)은 유전체 블록(100)의 상면 중 전면과 맞닿는 부분에 형성되므로 상기 오차에 따른 문제를 줄일 수 있다.
As shown in FIG. 1, when the cutoff frequency outer band attenuation pattern 800 is formed at a specific position on the upper surface, its position must be precisely controlled. As described above with respect to the notch pattern 500, it is difficult to form a pattern with a very small error at a specific position on the surface of the small dielectric block 100. [ Therefore, since the cut-off frequency outer band attenuating pattern 800 shown in FIG. 4 is formed at a portion of the upper surface of the dielectric block 100 that is in contact with the front surface, the problem caused by the error can be reduced.

상술한 커패시턴스 패턴(300), 노치 패턴(500), 전극 패드(400), 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800) 및 외부 도체(600)는 유전체 블록(100)의 표면 상에 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 스크린 프린팅, 증착, 페인팅 또는 도금 등의 방법으로 형성될 수 있으며, 상술한 것에 한정되는 것은 아니다.The above-described capacitance pattern 300, the notch pattern 500, the electrode pad 400, the cut-off frequency outer band attenuation pattern 800 and the outer conductor 600 are formed on the surface of the dielectric block 100 in various ways . For example, it may be formed by a method such as screen printing, vapor deposition, painting or plating, and is not limited to the above.

또한, 상술한 커패시턴스 패턴(300), 노치 패턴(500), 전극 패드(400), 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800) 및 외부 도체(600)는 각각 개별적으로 유전체 블록(100)의 표면에 형성될 수도 있고, 일체의 도전성 코팅이 형성되고 분리 패턴(700) 및 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)에 해당하는 영역의 도전성 코팅을 제거하는 방법으로 형성될 수도 있다. 그러나 상술한 것에 한정되는 것은 아니다.
The capacitance pattern 300, the notch pattern 500, the electrode pad 400, the cut-off frequency outer band attenuation pattern 800, and the outer conductor 600 are separately formed on the surface of the dielectric block 100 Or may be formed by a method in which an integral conductive coating is formed and the conductive coating of the area corresponding to the isolation pattern 700 and the cutoff frequency outer band attenuation pattern 800 is removed. However, the present invention is not limited to the above.

상술한 커패시턴스 패턴(300), 노치 패턴(500), 전극 패드(400) 및 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴(800)의 형상 및 형성되는 위치는 본 발명을 설명하기 위해 사용한 일례에 불과하고, 본 발명의 범위가 상기 패턴 및 패드의 형상 및 위치에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 범위는 청구범위에 의해 결정되어야 할 것이다.
The shapes and positions of the capacitance pattern 300, the notch pattern 500, the electrode pad 400 and the cut-off frequency outer band attenuation pattern 800 are merely examples used for explaining the present invention, Is not limited to the shape and position of the pattern and the pad. The scope of the invention should be determined by the claims.

100 : 유전체 블록 200 : 공진홀
300 : 커패시턴스 패턴 400 : 전극 패드
500 : 노치 패턴 600 : 외부 도체
700 : 분리 패턴 710 : 커패시턴스 분리 패턴
730 : 전극 패드 분리 패턴 750 : 노치 분리 패턴
800 : 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴100: dielectric block 200: resonance hole
300: Capacitance pattern 400: Electrode pad
500: notch pattern 600: outer conductor
700: separation pattern 710: capacitance separation pattern
730: electrode pad separation pattern 750: notch separation pattern
800: cutoff frequency outside band attenuation pattern

Claims (8)

전면, 후면, 상면, 하면, 좌측면 및 우측면을 구비한 유전체 블록;
상기 유전체 블록의 전면에서 후면으로 관통되고, 내부 표면이 도전체로 코팅되어 형성되는 다수개의 공진홀;
상기 유전체 블록의 전면의 상기 다수개의 공진홀 주변에 도전체로 코팅되어 형성되는 다수개의 커패시턴스 패턴;
상기 유전체 블록의 하면 중 적어도 일부에 도전체로 코팅되어 형성되는 다수개의 전극 패드;
상기 유전체 블록의 전면 중 적어도 일부에 도전체로 코팅되어 형성되는 노치 패턴;
상기 커패시턴스 패턴, 전극패드, 노치 패턴, 상기 유전체 블록의 일부 표면에 형성된 분리 패턴 및 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 제외한 상기 유전체 블록의 표면에 도전체로 코팅되어 형성되는 외부 도체를 포함하되,
상기 분리 패턴은,
상기 다수개의 커패시턴스 패턴을 서로 분리하고, 상기 커패시턴스 패턴과 상기 외부 도체를 분리하는 커패시턴스 분리 패턴;
상기 전극 패드와 상기 외부 도체를 분리하는 전극 패드 분리 패턴; 및
상기 노치 패턴과 상기 외부 도체 및 상기 커패시턴스 패턴을 분리하는 노치 분리 패턴을 포함하고,
상기 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴은 상기 유전체 블록의 상면에 형성되되,
상기 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴은 상기 유전체 블록의 상면 중 상기 좌측면과 맞닿는 부분부터 상기 우측면과 맞닿는 부분까지 연장되어 형성되는
차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터.
A dielectric block having a front surface, a rear surface, an upper surface, a lower surface, a left surface, and a right surface;
A plurality of resonance holes penetrating from the front surface to the rear surface of the dielectric block and having an inner surface coated with a conductor;
A plurality of capacitance patterns formed by coating a conductor around the plurality of resonance holes on the front surface of the dielectric block;
A plurality of electrode pads formed by coating a conductor on at least a part of the lower surface of the dielectric block;
A notch pattern formed by coating a conductor on at least a part of a front surface of the dielectric block;
And an outer conductor coated with a conductor on a surface of the dielectric block except for the capacitance pattern, the electrode pad, the notch pattern, the separation pattern formed on a part of the surface of the dielectric block, and the cutoff frequency band outside the cutoff frequency band,
Wherein the separation pattern
A capacitance separating pattern for separating the plurality of capacitance patterns from each other and separating the capacitance pattern from the external conductor;
An electrode pad separation pattern for separating the electrode pad from the external conductor; And
And a notch separation pattern for separating the notch pattern from the external conductor and the capacitance pattern,
The cut-off frequency outer band attenuation pattern is formed on the upper surface of the dielectric block,
The cut-off frequency band outer band attenuation pattern is formed to extend from a portion of the upper surface of the dielectric block that abuts the left surface to a portion of the upper surface of the dielectric block that abuts the right surface
A dielectric filter having an attenuation pattern at the cutoff frequency outer band.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴은 상기 유전체 블록의 상면 중 상기 전면과 맞닿는 부분에 형성되는
차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터.
The method according to claim 1,
The cutoff frequency band outside the cutoff frequency band is formed at a portion of the upper surface of the dielectric block that abuts the front surface
A dielectric filter having an attenuation pattern at the cutoff frequency outer band.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 노치 패턴은 상기 유전체 블록의 전면의 표면에서 상기 전면이 상기 상면과 맞닿는 부분에 형성되는
차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터.
The method according to claim 1,
The notch pattern is formed on a surface of the front surface of the dielectric block where the front surface abuts the top surface
A dielectric filter having an attenuation pattern at the cutoff frequency outer band.
삭제delete
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